TW201403911A - 沈積設備 - Google Patents

沈積設備 Download PDF

Info

Publication number
TW201403911A
TW201403911A TW102118023A TW102118023A TW201403911A TW 201403911 A TW201403911 A TW 201403911A TW 102118023 A TW102118023 A TW 102118023A TW 102118023 A TW102118023 A TW 102118023A TW 201403911 A TW201403911 A TW 201403911A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
angle
deposition
angle limiting
limiting member
nozzles
Prior art date
Application number
TW102118023A
Other languages
English (en)
Inventor
Sang-Yun Lee
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of TW201403911A publication Critical patent/TW201403911A/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/28—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means with integral means for shielding the discharged liquid or other fluent material, e.g. to limit area of spray; with integral means for catching drips or collecting surplus liquid or other fluent material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一種沈積設備包含：一沈積源單元，用於蒸發一沈積材料；複數個噴嘴，設置於該沈積源單元之一上表面上，用於噴射該已蒸發之沈積材料至一基板上，該基板面對該沈積源單元之該上表面；複數個角度限制構件，設置於該沈積源單元之該上表面上並位於該等噴嘴之一左側及一右側；以及複數個第一加熱器單元，各該第一加熱器單元設置於該等角度限制構件中一對應角度限制構件之一上表面上。

Description

沈積設備
本發明係關於一種沈積設備。更具體而言，本發明係關於一種能夠限制一沈積材料之一噴射角度之沈積設備。
最近，有機發光二極體(organic light emitting diode；OLED)顯示器作為下一代顯示裝置而備受關注，乃因其具有優異之亮度及視角且相較於液晶顯示(liquid crystal display；LCD)裝置而無需包含一單獨之光源。因此，有機發光二極體顯示器具有輕薄之優點。另外，有機發光二極體顯示器具有有利之性質，例如反應速度快、驅動電壓低、亮度高等。
一般而言，有機發光二極體顯示器包含一有機發光裝置，該有機發光裝置包含一陽極、一有機發光層以及一陰極。電洞及電子經由該陽極及該陰極而被注入至該有機發光層中，且在該有機發光層中重組而產生一激子(exciton)。在受激狀態恢復至基態(ground state)時，該激子以光形式發射所釋放之能量。
該陽極及該陰極係由一金屬薄膜或一透明導電薄膜形成。該有機發光層被構造成包含至少一個有機薄膜。當將有機薄膜或金屬薄膜沈積於該有機發光二極體顯示器之一基板上時，使用一沈積設備。該沈積設備包含一坩堝以及一噴嘴，該坩堝被 填充以一沈積材料，該噴嘴用於噴射該沈積材料。當加熱該坩堝時，會使該坩堝中之沈積材料蒸發且經由該噴嘴噴射該已蒸發之沈積材料。自該噴嘴噴射之沈積材料沈積於基板上，俾形成有機薄膜。
本發明提供一種能夠限制一沈積材料之一噴射角度之沈積設備。
本發明之實施例提供一種沈積設備，其包含：一沈積源單元，用於蒸發一沈積材料；複數個噴嘴，設置於該沈積源單元之一上表面上，用於噴射該已蒸發之沈積材料至一基板上，該基板面對該沈積源單元之該上表面；複數個角度限制構件，設置於該沈積源單元之該上表面上並位於該等噴嘴之一左側及一右側；以及複數個第一加熱器單元，各該第一加熱器單元設置於該等角度限制構件中一對應角度限制構件之一上表面上。
該沈積源單元包含：一坩堝，被填充以該沈積材料；以及一第二加熱器單元，用於蒸發該沈積材料。
該等第一加熱器單元所產生之一溫度高於該第二加熱器單元所產生之一溫度。
該等角度限制構件包含：複數個第一角度限制構件，各該第一角度限制構件設置於該等噴嘴中一對應噴嘴之左側；以及複數個第二角度限制構件，各該第二角度限制構件設置於該等噴嘴中該對應噴嘴之右側。
自該等噴嘴噴射之該已蒸發之沈積材料具有一噴射角度，該噴射角度被該等第一角度限制構件及該等第二角度限制 構件限制至一預定角度。
該基板包含複數個子畫素區域及複數個有效沈積區域，該等子畫素區域中形成複數個子畫素，該等有效沈積區域分別對應於該等子畫素區域，且各該有效沈積區域所具有之一寬度寬於各該子畫素區域之一寬度。
該預定角度被設定成使該已蒸發之沈積材料能夠沈積於該等有效沈積區域中之一角度。
與該沈積源單元之該上表面與該等角度限制構件之該上表面間之一高度相對應之一第一高度被設定成高於一第二高度，該第二高度係對應於該沈積源單元之該上表面與該等噴嘴之一上表面間之一高度。
各該第一加熱器單元具有一半圓形形狀、一矩形形狀、一正方形形狀、一半橢圓形狀、或一具有圓角之矩形形狀。
本發明之實施例提供一種沈積設備，其包含：一沈積源單元，用於蒸發一沈積材料；複數個噴嘴，設置於該沈積源單元之一上表面上，用於噴射該已蒸發之沈積材料至一基板上，該基板面對該沈積源單元之該上表面；複數個角度限制構件，設置於該沈積源單元之該上表面上；以及複數個加熱器單元，各該加熱器單元設置於該等角度限制構件中一對應角度限制構件之一上表面上。該等角度限制構件包含：複數個第一角度限制構件，設置於該等噴嘴之間；一第二角度限制構件，位於一設置於該等噴嘴中一最右位置之噴嘴之一右側；以及一第三角度限制構件，位於一設置於該等噴嘴中一最左位置之噴嘴之一左側。
各該第一角度限制構件具有一第一寬度，該第一寬 度小於由該等噴嘴中彼此相鄰之二噴嘴間之一寬度所界定之一第二寬度且大於該第二寬度之一半。
各該第一角度限制構件具有一第一寬度，該第一寬度小於由該等噴嘴中彼此相鄰之二噴嘴間之一寬度所界定之一第二寬度之一半。
該等加熱器單元包含：複數個第一子加熱器單元，各該第一子加熱器單元位於該等第一角度限制構件、該第二角度限制構件、及該第三角度限制構件中一對應角度限制構件之該上表面之一左部；以及複數個第二子加熱器單元，各該第二子加熱器單元位於該等第一角度限制構件、該第二角度限制構件、及該第三角度限制構件中該對應角度限制構件之該上表面之一右部。
各該加熱器單元覆蓋該等第一角度限制構件、該第二角度限制構件、及該第三角度限制構件中一對應角度限制構件之該上表面。
該等第一角度限制構件、該第二角度限制構件、及該第三角度限制構件各具有一T形狀。
綜上所述，該沈積設備限制沈積材料之噴射角度，因此有機材料可沈積於有效沈積區域中。
10‧‧‧真空室
100‧‧‧沈積設備
110‧‧‧沈積源單元
111‧‧‧沈積材料/有機材料
112‧‧‧坩堝
113‧‧‧第二加熱器單元
114‧‧‧噴嘴
115‧‧‧角度限制構件
115_1‧‧‧第一角度限制構件
115_2‧‧‧第二角度限制構件
115_3‧‧‧第三角度限制構件
116‧‧‧第一加熱器單元
116_1‧‧‧第一子加熱器單元
116_2‧‧‧第二子加熱器單元
120‧‧‧精細金屬遮罩(FMM)
121‧‧‧遮蔽部
122‧‧‧開口部
130‧‧‧基板
200‧‧‧沈積設備
300‧‧‧沈積設備
400‧‧‧沈積設備
500‧‧‧沈積設備
600‧‧‧沈積設備
B1‧‧‧第一區域
B2‧‧‧第二區域
D1‧‧‧第一寬度
D2‧‧‧第二寬度
D3‧‧‧第三寬度
E1‧‧‧第一延伸部
E2‧‧‧第二延伸部
H1‧‧‧第一高度
H2‧‧‧第二高度
S_P‧‧‧子畫素區域
θ1‧‧‧第一角度
θ2‧‧‧第二角度
藉由結合附圖參照以下詳細說明，可更全面地瞭解本發明並更佳地理解本發明之許多伴隨優點，在附圖中相同之參考符號表示相同或相似之組件，附圖中：第1圖係為顯示根據本發明一第一實例性實施例之一沈積設備之圖式； 第2圖係為顯示第1圖所示沈積設備之一部分之放大圖；第3圖係為顯示根據本發明一第二實例性實施例之一沈積設備之圖式；第4圖係為顯示根據本發明一第三實例性實施例之一沈積設備之圖式；第5圖係為顯示根據本發明一第四實例性實施例之一沈積設備之圖式；第6圖係為顯示根據本發明一第五實例性實施例之一沈積設備之圖式；以及第7圖係為顯示根據本發明一第六實例性實施例之一沈積設備之圖式。
應理解，當一元件或層被描述為位於另一元件或層「上」、「連接至」或「耦合至」另一元件或層時，其可直接位於該另一元件或層上、直接連接至或直接耦合至該另一元件或層，或者可存在中間元件或層。相比之下，當一元件被描述為「直接位於」另一元件或層「上」、「直接連接至」或「直接耦合至」另一元件或層時，則不存在中間元件或層。通篇中，相同之編號表示相同之元件。如本文中所用之用語「及/或」包含所列出之相關聯項其中之一或多者之任何及所有組合。
應理解，儘管在本文中可使用用語「第一」、「第二」等來描述各種元件、組件、區域、層及/或部分，然而此等元件、組件、區域、層及/或部分不應受此等用語限制。此等用語僅用於區分各元件、組件、區域、層或部分。因此，在不背離本發明之 教示內容之條件下，可將下文所述之一第一元件、組件、區域、層或部分稱為一第二元件、組件、區域、層或部分。
為易於說明，可在本文中使用例如「在...下方」、「在...之下」、「下部的」、「在...上方」、「上部的」等空間關係用語來描述如圖示中所示之一個元件或特徵與另一(另外多個)元件或特徵間之關係。應理解，該等空間關係用語旨在除包括圖示中所繪示之取向外亦包括裝置在使用或運作時之不同取向。舉例而言，若將圖示中之裝置翻轉，則被描述為在其他元件或特徵「之下」或「下方」之元件將被定向為在該等其他元件或特徵「上方」。因此，實例性用語「在...之下」可包括「在...上方」取向及「在...之下」取向二者。裝置可具有其他取向(旋轉90度或為其他取向)，並可相應地解釋本文中所用之空間關係描述語。
本文中所用之術語係僅為說明各特定實施例，而並非旨在限制本發明。如本文中所用之單數形式「一」及「該」旨在亦包括複數形式，除非上下文另外明確指示。更應理解，用語「包含」及/或「包括」在本說明書中使用時係用於指定所述特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件之存在，但並不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件、及/或其群組之存在或添加。
除非另外界定，本文中所用之所有用語(包括技術及科學用語)係與本發明所屬技術領域具有通常知識者通常所理解者具有相同意義。更應理解，用語(例如常用辭典中所界定之用語)應被解釋為具有與其在相關技術上下文中之意義一致之意義，而不應被理想化地或過於形式地解釋，除非本文中明確地如 此界定。
以下，將參照附圖詳細地解釋本發明。
第1圖係為顯示根據本發明一第一實例性實施例之一沈積設備之圖式。
參照第1圖，一沈積設備100包含一真空室10、一沈積源單元110、複數個噴嘴114、複數個角度限制構件115、複數個加熱器單元116、一精細金屬遮罩(fine metal mask)120(在下文中，被稱為FMM)、以及一基板130。
為便於解釋，在第1圖中顯示出五個噴嘴114及十個角度限制構件115，但噴嘴114之數目及角度限制構件115之數目不應僅限於此或由此限制。
真空室10保持一高真空狀態，以防止異物進入真空室10並確保一沈積材料之平直度。真空室10保持約為10E-7托(Torr)之真空度。
沈積源單元110設置於真空室10中之一下部。欲被沈積於基板130上之沈積材料(例如一有機材料、一金屬材料等)設置於沈積源單元110內部。沈積源單元110用於蒸發該沈積材料。
基板130設置於真空室10中之一上部以面對沈積源單元110之一上部。FMM 120設置於欲被附著之基板130上。
沈積源單元110包含：一坩堝112，被填充以欲被沈積於基板130上之沈積材料111；以及一第二加熱器單元113，用於蒸發沈積材料111。倘若欲被沈積於基板130上之沈積材料111係為一有機材料，則一有機薄層可形成於基板130上。以下，將 說明該有機材料作為沈積材料111，但沈積材料111不應僅限於有機材料。換言之，沈積材料111可為一金屬材料。第二加熱器單元113加熱坩堝112以蒸發坩堝112內部所填充之有機材料111，俾使該已蒸發之有機材料行進至沈積源單元110之上表面上所設置之噴嘴114。
噴嘴114設置於沈積源單元110之上表面上，並以規則之間隔彼此隔開。噴嘴114噴射沈積源單元110中已蒸發之有機材料111。詳細而言，由第二加熱器單元113蒸發之有機材料111經由噴嘴114被噴射至面對沈積源單元110之上表面之基板130上。
角度限制構件115設置於沈積源單元110之上表面上，並位於噴嘴114之左側及右側。換言之，每一對角度限制構件115皆被設置成彼此面對，且同時其之間插設有噴嘴114中之一對應噴嘴。詳細而言，角度限制構件115包含：複數個第一角度限制構件115_1，各該第一角度限制構件115_1設置於噴嘴114中對應噴嘴之左側；以及複數個第二角度限制構件115_2，各該第二角度限制構件115_2設置於噴嘴114中該對應噴嘴之右側。
當沈積源單元110之上表面分別與第一角度限制構件115_1及第二角度限制構件115_2之上表面間之一高度被稱為一第一高度H1且沈積源單元110之上表面與噴嘴114之上表面間之一高度被稱為一第二高度H2時，第一高度H1被設定成高於第二高度H2。
第一加熱器單元116分別設置於角度限制構件115上。詳細而言，第一加熱器單元116分別設置於第一角度限制構 件115_1及第二角度限制構件115_2之上表面上，以分別覆蓋第一角度限制構件115_1及第二角度限制構件115_2之整個上表面。第一加熱器單元116如第1圖所示具有一半圓形形狀，但其不應僅限於半圓形形狀。換言之，第一加熱器單元116可具有各種形狀，例如一矩形形狀、一正方形形狀、一半橢圓形狀、一具有圓角之矩形形狀等。
自噴嘴114噴射之有機材料111之一噴射角度分別被噴嘴114之左側及右側所設置之第一加熱器單元116、第一角度限制構件115_1及第二角度限制構件115_2限制至某一角度。無論有機材料111之噴射角度如何，各該第一加熱器單元116皆具有一恒定大小。各該第一角度限制構件115_1及第二角度限制構件115_2分別被設定成一特定大小，以將有機材料111之噴射角度限制至該某一角度。換言之，實質上，有機材料111之噴射角度可分別被第一角度限制構件115_1及第二角度限制構件115_2限制至該某一角度。
分別受第一角度限制構件115_1及第二角度限制構件115_2限制的自噴嘴114噴射之有機材料111之噴射角度可係為一第一角度θ1，且在第1圖中由一箭頭實線表示以第一角度θ1自噴嘴114噴射之有機材料111。
在其中分別不存在第一角度限制構件115_1及第二角度限制構件115_2之一情形中，自噴嘴114噴射之有機材料111之噴射角度可係為一第二角度θ2。在第1圖中由一箭頭點線表示以第二角度θ2自噴嘴114噴射之有機材料111。
第一角度θ1被設定成小於第二角度θ2。較佳地，第 一角度θ1可被設定成一能夠在基板130上確保一有效沈積區域之角度。稍後將參照第2圖詳細說明第一角度θ1。
如上所述，第一角度限制構件115_1及第二角度限制構件115_2之第一高度H1分別被設定成高於噴嘴114之第二高度H2。另外，第一角度限制構件115_1及第二角度限制構件115_2之第一高度H1可分別被設定成使自噴嘴114噴射之有機材料111之噴射角度具有第一角度θ1。第一角度限制構件115_1及第二角度限制構件115_2可分別被設置成鄰近於噴嘴114，俾使有機材料111之噴射角度具有第一角度θ1。
舉例而言，隨著第一角度θ1減小，第一角度限制構件115_1及第二角度限制構件115_2之第一高度H1分別變高，且第一角度限制構件115_1及第二角度限制構件115_2分別被設置成更靠近噴嘴114。另外，隨著第一角度θ1增大，第一角度限制構件115_1及第二角度限制構件115_2之第一高度H1分別變低，且第一角度限制構件115_1及第二角度限制構件115_2分別被設置成更遠離噴嘴114。
分別藉由第一角度限制構件115_1及第二角度限制構件115_2以第一角度θ1噴射至基板130上之有機材料111可能會分別堆積於第一角度限制構件115_1及第二角度限制構件115_2上。當有機材料111分別堆積於第一角度限制構件115_1及第二角度限制構件115_2上時，第一角度θ1會變為一不同於預定角度之角度。第一加熱器單元116分別以一指定溫度加熱第一角度限制構件115_1及第二角度限制構件115_2，以分別蒸發第一角度限制構件115_1及第二角度限制構件115_2上所堆積之有機材料 111。
第一加熱器單元116所產生之溫度可被設定成高於第二加熱器單元113所產生之一溫度，以便分別有效地蒸發第一角度限制構件115_1及第二角度限制構件115_2上所堆積之有機材料111。
FMM 120包含一遮蔽部121以及一開口部122。以第一角度θ1自噴嘴114噴射之有機材料111經由FMM 120之開口部122而沈積於基板130上。換言之，穿過FMM 120之開口部122之有機材料111可沈積於基板130之一子畫素區域上。FMM 120被製備成具有與基板130相同之大小。FMM 120佈置於基板130上以接觸基板130。
沈積設備100可更包含一基板支架(圖未示出)，該基板支架設置於真空室10中以支撐基板130之一邊緣部。基板130係為一用於一有機電致發光(electroluminescence)顯示裝置之基板，但其不應僅限於此或受此限制。
第2圖係為顯示第1圖所示沈積設備之一部分之放大圖。
參照第2圖，基板130包含一第一區域B1、子畫素區域S_P以及一第二區域B2，該等區域對應於FMM 120之開口部122。
子畫素區域S_P係為其中形成一子畫素之一區域。第一區域B1係為有效沈積區域。第一區域B1所具有之一寬度大於子畫素區域S_P之一寬度，以便有效地形成該子畫素。FMM 120之開口部122使有機材料111能夠沈積於基板130之一特定區域中。
為便於解釋，在第2圖中顯示一個第一區域B1及一個子畫素區域S_P。然而，由於FMM 120中設置有複數個開口部122，因而基板130可包含複數個第一區域B1及分別對應於第一 區域B1之複數個子畫素區域S_P。
如上所述，第2圖中所示之箭頭實線表示以第一角度θ1自噴嘴114噴射至基板130上之有機材料111。第2圖中所示之箭頭點線表示當不存在角度限制構件115時以第二角度θ2自噴嘴114噴射至基板130上之有機材料111。
自噴嘴114噴射之有機材料111之噴射器可分別被第一角度限制構件115_1及第二角度限制構件115_2設定成一噴射角度，以使有機材料111能夠沈積於有效沈積區域中。換言之，第一角度θ1可被設定成一角度，俾使自噴嘴114噴射之有機材料111能夠沈積於第一區域B1中。據此，如上所述，自噴嘴114噴射之有機材料111之噴射角度可係為分別由第一角度限制構件115_1及第二角度限制構件115_2設定之第一角度θ1。
分別藉由第一角度限制構件115_1及第二角度限制構件115_2以第一角度θ1自噴嘴114噴射之有機材料111入射於基板130之第一區域B1上，如第2圖所示。因此，有機材料111沈積於基板130之有效沈積區域B1中。
當分別不存在第一角度限制構件115_1及第二角度限制構件115_2時，以第二角度θ2自噴嘴114噴射之有機材料111沈積於基板130之第二區域B2中。第二區域B2所具有之一寬度小於子畫素區域S_P之一寬度。因此，當不存在角度限制構件115時，會異常地形成有機薄層。
因此，根據第一實例性實施例之沈積設備100利用角度限制構件115限制有機材料111之噴射角度，因此有機材料111可沈積於基板130之有效沈積區域中。
第3圖係為顯示根據本發明一第二實例性實施例之一沈積設備之圖式。
第3圖所示之沈積設備200具有與第1圖所示之沈積設備100相同之結構及功能，不同之處在於角度限制構件115_1、115_2及115_3以及第一加熱器單元116。因此，在第3圖中，相同之參考編號表示第1圖所示之相同元件。因此，對於相同元件將不予以贅述，且將主要說明不同之特徵。
參照第3圖，角度限制構件115_1、115_2及115_3包含：複數個第一角度限制構件115_1，各該第一角度限制構件115_1設置於噴嘴114之間；一第二角度限制構件115_2，位於一設置於噴嘴114中一最右位置之噴嘴之一右側；以及一第三角度限制構件115_3，位於一設置於噴嘴114中一最左位置之噴嘴之一左側。
各該第一角度限制構件115_1具有一第一寬度D1，且相鄰之二噴嘴彼此隔開一第二寬度D2。第一寬度D1小於第二寬度D2且大於第二寬度D2之一半。第二角度限制構件115_2與第三角度限制構件115_3分別具有相同之寬度(例如一第三寬度D3)。第一角度限制構件115_1、第二角度限制構件115_2與第三角度限制構件115_3具有相同之高度(例如一第一高度H1)。第一高度H1被設定成高於噴嘴114之一第二高度H2。
第一角度限制構件115_1之第一高度H1及第一寬度D1、以及第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3之第一高度H1及第三寬度D3可分別被設定成使自噴嘴114噴射之有機材料111具有一第一角度θ1作為其噴射角度。
舉例而言，隨著第一角度θ1減小，第一角度限制構 件115_1之第一高度H1變高且第一角度限制構件115_1之第一寬度D1變寬。儘管第一寬度D1變寬，然而第一寬度D1被設定成小於第二寬度D2。另外，隨著第一角度θ1減小，第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3之第一高度H1分別變高且第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3之第三寬度D3分別變寬。
隨著第一角度θ1增大，第一角度限制構件115_1之第一高度H1變低且第一角度限制構件115_1之第一寬度D1變窄。儘管第一寬度D1變窄，然而第一寬度D1被設定成大於第二寬度D2之一半。另外，隨著第一角度θ1增大，第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3之第一高度H1分別變低且第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3之第三寬度D3分別變窄。
因此，第一角度限制構件115_1、第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3可將自噴嘴114噴射之有機材料111之噴射角度限制至第一角度θ1。
如上文參照第1圖所述，第一角度θ1被設定成小於第二角度θ2。較佳地，第一角度θ1可被設定成一能夠在基板130上確保有效沈積區域之角度。換言之，以第一角度θ1自噴嘴114噴射之有機材料111可沈積於基板130之有效沈積區域中。
第一加熱器單元116包含：複數個第一子加熱器單元116_1，各該第一子加熱器單元116_1分別位於第一角度限制構件115_1、第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3中一對應角度限制構件之一上表面之一左部；以及複數個第二子加熱器單元116_2，各該 第二子加熱器單元116_2分別位於第一角度限制構件115_1、第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3中該對應角度限制構件之該上表面之一右部。
以第一角度θ1噴射至基板130上之有機材料111可能會分別堆積於第一角度限制構件115_1、第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3上。第一子加熱器單元116_1及第二子加熱器單元116_2分別以一指定溫度加熱第一角度限制構件115_1、第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3，以分別蒸發第一角度限制構件115_1、第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3上所堆積之有機材料111。第一子加熱器單元116_1及第二子加熱器單元116_2分別產生之溫度可被設定成高於第二加熱器單元113所產生之一溫度，以便分別有效地蒸發第一角度限制構件115_1、第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3上所堆積之有機材料111。
因此，根據第二實例性實施例之沈積設備200分別利用第一角度限制構件115_1、第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3限制有機材料111之噴射角度，因此有機材料111可沈積於基板130之有效沈積區域中。
第4圖係為顯示根據本發明一第三實例性實施例之一沈積設備之圖式。
第4圖所示之沈積設備300具有與第3圖所示之沈積設備200相同之結構及功能，不同之處在於第一加熱器單元116。因此，在第4圖中，相同之參考編號表示第3圖所示之相同元件。因此，對於相同元件將不予以贅述，且將主要說明不同之 特徵。
參照第4圖，各該第一加熱器單元116被形成為分別覆蓋第一角度限制構件115_1、第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3中一對應角度限制構件之整個上表面。沈積設備300之其他部件具有與第3圖所示沈積設備200之部件相同之結構及功能，因此對於該等其他部件將不予以贅述。
第5圖係為顯示根據本發明一第四實例性實施例之一沈積設備之圖式。
第5圖所示之沈積設備400具有與第3圖所示之沈積設備200相同之結構及功能，不同之處在於角度限制構件115_1、115_2及115_3以及第一加熱器單元116。因此，在第5圖中，相同之參考編號表示第3圖所示之相同元件，因此對於相同元件將不予以贅述，且將主要說明不同之特徵。
參照第5圖，角度限制構件115_1、115_2及115_3包含：複數個第一角度限制構件115_1，各該第一角度限制構件115_1設置於噴嘴114之間；一第二角度限制構件115_2，設置於一設置於噴嘴114之一最右位置之噴嘴之一右側；以及一第三角度限制構件115_3，設置於一設置於噴嘴114之一最左位置之噴嘴之一左側。
相較於第3圖及第4圖所示之角度限制構件，第5圖所示之角度限制構件具有一較窄之寬度及一較高之高度。
各該第一角度限制構件115_1具有一第一寬度D1，且相鄰之二噴嘴彼此隔開一第二寬度D2。第一寬度D1被設定成小於第二寬度D2之一半。第二角度限制構件115_2與第三角度限制構件115_3分別具有相同之寬度(例如一第三寬度D3)。另外， 第一角度限制構件115_1、第二角度限制構件115_2與第三角度限制構件115_3具有相同之高度(例如一第一高度H1)。
第一角度限制構件115_1之第一高度H1及第一寬度D1、以及第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3之第一高度H1及第三寬度D3可分別被設定成使自噴嘴114噴射之有機材料111具有一第一角度θ1作為其噴射角度。
舉例而言，隨著第一角度θ1減小，第一角度限制構件115_1之第一高度H1變高且第一角度限制構件115_1之第一寬度D1變寬。儘管第一寬度D1變寬，然而第一寬度D1被設定成小於第二寬度D2之一半。另外，隨著第一角度θ1減小，第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3之第一高度H1分別變高且第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3之第三寬度D3分別變寬。
隨著第一角度θ1增大，第一角度限制構件115_1之第一高度H1變低且第一角度限制構件115_1之第一寬度D1變窄。另外，隨著第一角度θ1增大，第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3之第一高度H1分別變低且第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3之第三寬度D3分別變窄。
因此，第一角度限制構件115_1、第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3可將自噴嘴114噴射之有機材料111之噴射角度限制至第一角度θ1。
如上所述，第一角度θ1被設定成小於第二角度θ2。較佳地，第一角度θ1可被設定成一在確保基板130上能夠有效沈積區域之角度。換言之，以第一角度θ1自噴嘴114噴射至基板130 上之有機材料111可沈積於基板130之有效沈積區域中。
各該第一加熱器單元116分別形成於第一角度限制構件115_1、第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3中之一對應角度限制構件上，以分別覆蓋第一角度限制構件115_1、第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3中該對應角度限制構件之整個上表面。各第一加熱器單元116分別以一指定溫度加熱第一角度限制構件115_1、第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3，以分別蒸發第一角度限制構件115_1、第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3上所堆積之有機材料111。第一加熱器單元116所產生之溫度可被設定成高於第二加熱器單元113所產生之一溫度，以便分別有效地蒸發第一角度限制構件115_1、第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3上所堆積之有機材料111。
因此，根據第四實例性實施例之沈積設備400分別利用第一角度限制構件115_1、第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3限制有機材料111之噴射角度，因此有機材料111可沈積於基板130之有效沈積區域中。
第6圖係為顯示根據本發明一第五實例性實施例之一沈積設備之圖式。
第6圖所示之沈積設備500具有與第3圖所示之沈積設備200相同之結構及功能，不同之處在於角度限制構件115_1、115_2及115_3。因此，在第6圖中，相同之參考編號表示第3圖所示之相同元件，因此對於相同元件將不予以贅述，且將主要說明不同之特徵。
參照第6圖，角度限制構件115_1、115_2及115_3包含：複數個第一角度限制構件115_1，各該第一角度限制構件115_1設置於噴嘴114之間；一第二角度限制構件115_2，設置於一設置於噴嘴114之一最右位置之噴嘴之一右側；以及一第三角度限制構件115_3，設置於一設置於噴嘴114之一最左位置之噴嘴之一左側。
各該第一角度限制構件115_1、第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3具有一T形狀。詳細而言，各該第一角度限制構件115_1、第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3包含：一第一延伸部E1，其向上延伸；以及一第二延伸部E2，於第一延伸部E1之一上部沿一向左方向及一向右方向延伸。第一角度限制構件115_1、第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3分別設置於沈積源單元110之上表面上。
各該第一角度限制構件115_1之第二延伸部E2具有一第一寬度D1，且相鄰之二噴嘴彼此隔開一第二寬度D2。第一寬度D1小於第二寬度D2。第二角度限制構件115_2與第三角度限制構件115_3之第二延伸部E2分別具有一均一之寬度(例如一第三寬度D3)。
第一角度限制構件115_1、第二角度限制構件115_2與第三角度限制構件115_3具有相同之高度(例如一第一高度H1)。第一高度H1對應於沈積源單元110之上表面與第一角度限制構件115_1、第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3之第二延伸部E2之一上表面間之一高度。第一角度限制構件115_1、第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3 之第一高度H1分別被設定成高於噴嘴114之一第二高度H2。
第一角度限制構件115_1之第一高度H1、第一角度限制構件115_1之第二延伸部E2之第一寬度D1、以及第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3之第二延伸部E2之第三寬度D3可分別被設定成使自噴嘴114噴射之有機材料111具有一第一角度θ1作為其噴射角度。
舉例而言，隨著第一角度θ1減小，第一角度限制構件115_1之第一高度H1變高且第一角度限制構件115_1之第二延伸部E2之第一寬度D1變寬。儘管第一寬度D1變寬，然而第一寬度D1被設定成小於第二寬度D2。另外，隨著第一角度θ1減小，第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3之第一高度H1分別變高且第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3之第二延伸部E2之第三寬度D3分別變寬。
隨著第一角度θ1增大，第一角度限制構件115_1之第一高度H1變低且第一角度限制構件115_1之第二延伸部E2之第一寬度D1變窄。另外，隨著第一角度θ1增大，第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3之第一高度H1分別變低且第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3之第二延伸部E2之第三寬度D3分別變窄。
因此，第一角度限制構件115_1、第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3可將自噴嘴114噴射之有機材料111之噴射角度限制至第一角度θ1。
如上所述，第一角度θ1被設定成小於第二角度θ2。較佳地，第一角度θ1可被設定成一能夠在基板130上確保有效沈 積區域之角度。換言之，以第一角度θ1自噴嘴114噴射之有機材料111可沈積於基板130之有效沈積區域中。
因此，根據第五實例性實施例之沈積設備500分別利用第一角度限制構件115_1、第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3限制有機材料111之噴射角度，因此有機材料111可沈積於基板130之有效沈積區域中。
第7圖係為顯示根據本發明一第六實例性實施例之一沈積設備之圖式。
第7圖所示之沈積設備600具有與第6圖所示之沈積設備500相同之結構及功能，不同之處在於第一加熱器單元116。因此，在第7圖中，相同之參考編號表示第6圖所示之相同元件，因此對於相同元件將不予以贅述，且將主要說明不同之特徵。
參照第7圖，第一加熱器單元116分別設置於第一角度限制構件115_1、一第二角度限制構件115_2及一第三角度限制構件115_3之上表面上，以覆蓋第一角度限制構件115_1、第二角度限制構件115_2及第三角度限制構件115_3之整個上表面。沈積設備600之其他部件具有與第6圖所示沈積設備500之部件相同之結構及功能，因此對於該等其他部件將不予以贅述。
儘管已對本發明之實例性實施例進行了說明，然而應理解，本發明不應僅限於此等實例性實施例，相反，所屬技術領域具有通常知識者可在如下所主張之本發明精神及範圍內作出各種變化及潤飾。
10‧‧‧真空室
100‧‧‧沈積設備
110‧‧‧沈積源單元
111‧‧‧沈積材料有機材料
112‧‧‧坩堝
113‧‧‧第二加熱器單元
114‧‧‧噴嘴
115‧‧‧角度限制構件
115_1‧‧‧第一角度限制構件
115_2‧‧‧第二角度限制構件
116‧‧‧第一加熱器單元
120‧‧‧精細金屬遮罩(FMM)
121‧‧‧遮蔽部
122‧‧‧開口部
130‧‧‧基板
H1‧‧‧第一高度
H2‧‧‧第二高度
θ1‧‧‧第一角度
θ2‧‧‧第二角度

Claims (15)

  1. 一種沈積設備，包含：一沈積源單元，用於蒸發一沈積材料；複數個噴嘴，設置於該沈積源單元之一上表面上，用於噴射該已蒸發之沈積材料至一基板上，該基板面對該沈積源單元之該上表面；複數個角度限制構件，設置於該沈積源單元之該上表面上並位於該等噴嘴之一左側及一右側；以及複數個第一加熱器單元，各該加熱器單元設置於一對應角度限制構件之一上表面上。
  2. 如請求項1所述之沈積設備，其中該沈積源單元包含：一坩堝，被填充以該沈積材料；以及一第二加熱器單元，用於加熱該坩堝以蒸發該沈積材料。
  3. 如請求項2所述之沈積設備，其中該等第一加熱器單元所產生之一溫度高於該第二加熱器單元所產生之一溫度。
  4. 如請求項1所述之沈積設備，其中該等角度限制構件包含：複數個第一角度限制構件，各該第一角度限制構件設置於一對應噴嘴之左側；以及複數個第二角度限制構件，各該第二角度限制構件設置於該對應噴嘴之右側。
  5. 如請求項4所述之沈積設備，其中自該等噴嘴噴射之該已蒸發之沈積材料具有一噴射角度，該噴射角度被該等第一角度 限制構件及該等第二角度限制構件限制至一預定角度。
  6. 如請求項5所述之沈積設備，其中該基板包含複數個子畫素區域及複數個有效沈積區域，該等子畫素區域中形成複數個子畫素，該等有效沈積區域分別對應於該等子畫素區域，且各該有效沈積區域所具有之一寬度寬於各該子畫素區域之一寬度。
  7. 如請求項6所述之沈積設備，其中該預定角度被設定成使該已蒸發之沈積材料能夠沈積於該等有效沈積區域中之一角度。
  8. 如請求項1所述之沈積設備，其中與該沈積源單元之該上表面與該等角度限制構件之該上表面間之一高度相對應之一第一高度被設定成高於一第二高度，該第二高度係對應於該沈積源單元之該上表面與該等噴嘴之一上表面間之一高度。
  9. 如請求項1所述之沈積設備，其中各該第一加熱器單元具有一半圓形形狀、一矩形形狀、一正方形形狀、一半橢圓形狀、及一具有圓角之矩形形狀其中之一。
  10. 一種沈積設備，包含：一沈積源單元，用於蒸發一沈積材料；複數個噴嘴，設置於該沈積源單元之一上表面上，用於噴射該已蒸發之沈積材料至一基板上，該基板面對該沈積源單元之該上表面；複數個角度限制構件，設置於該沈積源單元之該上表面上；以 及複數個加熱器單元，各該加熱器單元設置於一對應角度限制構件之一上表面上，該等角度限制構件包含：複數個第一角度限制構件，設置於該等噴嘴之間；一第二角度限制構件，位於一設置於該等噴嘴中一最右位置之噴嘴之一右側；以及一第三角度限制構件，位於一設置於該等噴嘴中一最左位置之噴嘴之一左側。
  11. 如請求項10所述之沈積設備，其中各該第一角度限制構件具有一第一寬度，該第一寬度小於由彼此相鄰之二噴嘴間之一寬度所界定之一第二寬度且大於該第二寬度之一半。
  12. 如請求項10所述之沈積設備，其中各該第一角度限制構件具有一第一寬度，該第一寬度小於由彼此相鄰之二噴嘴間之一寬度所界定之一第二寬度之一半。
  13. 如請求項10所述之沈積設備，其中該等加熱器單元包含：複數個第一子加熱器單元，各該第一子加熱器單元位於該等第一角度限制構件、該第二角度限制構件、及該第三角度限制構件中該對應角度限制構件之該上表面之一左部；以及複數個第二子加熱器單元，各該第二子加熱器單元位於該等第一角度限制構件、該第二角度限制構件、及該第三角度限制構件中該對應角度限制構件之該上表面之一右部。
  14. 如請求項10所述之沈積設備，其中各該加熱器單元覆蓋該等 第一角度限制構件、該第二角度限制構件、及該第三角度限制構件中一對應角度限制構件之該上表面。
  15. 如請求項10所述之沈積設備，其中該等第一角度限制構件、該第二角度限制構件、及該第三角度限制構件各具有一T形狀。
TW102118023A 2012-07-05 2013-05-22 沈積設備 TW201403911A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120073560A KR20140006499A (ko) 2012-07-05 2012-07-05 증착 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201403911A true TW201403911A (zh) 2014-01-16

Family

ID=49877784

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102118023A TW201403911A (zh) 2012-07-05 2013-05-22 沈積設備

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20140008456A1 (zh)
KR (1) KR20140006499A (zh)
CN (1) CN103526162A (zh)
TW (1) TW201403911A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI638899B (zh) 2016-05-10 2018-10-21 應用材料股份有限公司 用於沈積一已蒸發源材料之蒸發源與用於其之遮蔽裝置、及用以沈積一已蒸發源材料之方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102155110B1 (ko) * 2014-08-07 2020-09-11 주식회사 선익시스템 선형증발장치 및 이를 이용한 유기물증착장비
KR102307431B1 (ko) * 2015-01-22 2021-09-30 삼성디스플레이 주식회사 복수의 모듈을 갖는 증착원
KR102369314B1 (ko) * 2015-06-16 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치
KR102376728B1 (ko) * 2015-07-07 2022-03-21 삼성디스플레이 주식회사 증착원, 이를 포함하는 증착 장치 및 증착 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법
KR102497653B1 (ko) * 2016-03-02 2023-02-08 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 이를 이용한 발광 표시 장치의 제조 방법
CN105607434A (zh) * 2016-04-05 2016-05-25 京东方科技集团股份有限公司 一种显影设备和显影方法
DE102016215039A1 (de) * 2016-08-11 2018-02-15 Sms Group Gmbh Düsenvorrichtung
KR102180070B1 (ko) * 2017-10-31 2020-11-17 엘지디스플레이 주식회사 초미세 패턴 증착장치, 이를 이용한 초미세 패턴 증착방법 그리고 초미세 패턴 증착방법에 의해 제작된 전계발광표시장치
JP6941547B2 (ja) * 2017-12-06 2021-09-29 長州産業株式会社 蒸着装置、蒸着方法及び制御板
WO2019166103A1 (en) * 2018-03-02 2019-09-06 Applied Materials, Inc. Method for forming a coating on a substrate in a vacuum processing chamber, vacuum processing chamber and vacuum processing system
KR102641720B1 (ko) * 2018-05-25 2024-02-28 주식회사 선익시스템 증착용 각도제한판 및 이를 포함하는 증착장치
KR20210028314A (ko) 2019-09-03 2021-03-12 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3271561A (en) * 1964-03-02 1966-09-06 Martin Marietta Corp Apparatus for thermally evaporating various materials in vacuums for producing thin films
JP4576326B2 (ja) * 2005-01-21 2010-11-04 三菱重工業株式会社 真空蒸着装置
US20100279021A1 (en) * 2009-05-04 2010-11-04 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Apparatus for depositing organic material and depositing method thereof
KR101117719B1 (ko) * 2009-06-24 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101182448B1 (ko) * 2010-07-12 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법
KR20120039944A (ko) * 2010-10-18 2012-04-26 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 증착 시스템 및 증착 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI638899B (zh) 2016-05-10 2018-10-21 應用材料股份有限公司 用於沈積一已蒸發源材料之蒸發源與用於其之遮蔽裝置、及用以沈積一已蒸發源材料之方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103526162A (zh) 2014-01-22
US20140008456A1 (en) 2014-01-09
KR20140006499A (ko) 2014-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201403911A (zh) 沈積設備
US9748483B2 (en) Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same
US9150952B2 (en) Deposition source and deposition apparatus including the same
JP5417552B2 (ja) 蒸着粒子射出装置および蒸着装置
JP2011140717A (ja) 薄膜蒸着装置
JP2011047035A (ja) 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
KR20160112293A (ko) 증발원 및 이를 포함하는 증착장치
TWI611033B (zh) 沉積裝置及使用其製造有機發光二極體顯示器之方法
TW201821633A (zh) 用於被蒸發材料分佈組件的噴嘴及其使用，與對應之材料沉積源配置， 真空沉積系統和沈積材料的方法
US9303317B2 (en) Deposition apparatus
US20160011504A1 (en) Method for manufacturing photo mask and photo mask manufactured with same
KR102307431B1 (ko) 복수의 모듈을 갖는 증착원
US8999064B2 (en) Apparatus for forming thin film
KR102373436B1 (ko) 표시 장치, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
KR102319998B1 (ko) 볼륨 가변형 도가니를 구비한 증착원
KR20150113742A (ko) 증발원 및 이를 포함하는 증착장치
US20160230272A1 (en) Evaporation source heating device
US20190067579A1 (en) Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for manufacturing organic el display device
KR101599505B1 (ko) 증착장치용 증발원
KR100959110B1 (ko) 증착용 마스크 패턴
KR20190134367A (ko) 증착용 각도제한판 및 이를 포함하는 증착장치
KR102231490B1 (ko) 유기 전계 발광 소자
KR102144790B1 (ko) 리니어 증착유닛 및 이를 포함하는 리니어 증착장치
KR102227546B1 (ko) 대용량 증발원 및 이를 포함하는 증착장치
KR101416977B1 (ko) 증발원 및 이를 구비한 증착장치