TW201821633A - 用於被蒸發材料分佈組件的噴嘴及其使用，與對應之材料沉積源配置， 真空沉積系統和沈積材料的方法 - Google Patents

用於被蒸發材料分佈組件的噴嘴及其使用，與對應之材料沉積源配置， 真空沉積系統和沈積材料的方法 Download PDF

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Abstract

一種噴嘴(100)係被描述，其與分佈組件連接，用以從材料源導引被蒸發材料至真空腔室。噴嘴包括一噴嘴入口(110)，用以接收被蒸發材料；一噴嘴出口(120)，用以釋放被蒸發材料至真空腔室；以及由噴嘴入口沿著流體運動方向延伸至噴嘴出口的一噴嘴通道(130)，其中上述噴嘴通道包括具有一孔洞角度(α)之一出口部(131)，上述孔洞角度(α)沿流體運動方向(111)連續地增大。此外，提供了一種具有此種噴嘴之材料沉積配置，一種具有此材料源配置之真空沉積系統，以及用以沈積被蒸發材料之方法。

Description

用於材料沉積源配置的分佈組件的噴嘴，材料沉積源配置，真空沉積系統和沈積材料的方法
本揭露之實施例是有關於一種用在材料沉積源配置、材料源配置、真空沉積系統以及沉積材料於基板上之方法之噴嘴。本揭露之實施例特別是有關於一種用以導引被蒸發材料至真空沉積系統的真空腔室之噴嘴，一種包括用以導引被蒸發材料至真空腔室之噴嘴之材料沉積源配置，以及在真空腔室中沉積材料於基板上之方法。
有機蒸發器為一種用以生產有機發光二極體(OLED)之工具。有機發光二極體為一種特別類型的發光二極體，其發光層包括某些有機化合物之薄膜。有機發光二極體(OLED)被用在用以顯示資訊之電視螢幕、電腦監視器、行動電話以及其他手持式裝置等的製造上。有機發光二極體亦可被用在一般空間照明。相較於傳統液晶顯示器(LCD)，有機發光二極體之顏色、亮度以及可視角度的範圍更廣，因為有機發光二極體(OLED)畫素直接發出光且不須使用背光。因此，相較於傳統液晶顯示器，有機發光二極體顯示器之能源消耗相對低很多。此外，有機發光二極體(OLED)可被製造於可撓基板上之事實，帶來進一步的應用。一種典型的OLED顯示器，舉例來說，可包括位於兩電極之間的多個有機材料層，上述有機材料層皆以形成具有獨立通電之畫素的陣列顯示平板之方式沉積在基板上。OLED通常被設置於兩玻璃板之間，且玻璃板之邊緣被密封，以將 OLED 封於其中。
這些顯示裝置之製造面臨許多挑戰。OLED 顯示器或OLED照明應用，包括數種例如是在真空環境被蒸發之有機材料之堆疊。有機材料穿過陰影遮罩(shadow mask)隨後被沉積。為了使OLED堆疊之製造具有高效率，同步沉積或同步蒸發兩個或兩個以上之材料，例如主體(host)與摻雜物(dopant)，以產生混合層/摻雜層，是有益的。此外，數種用以蒸發極為敏感之有機材料之製程條件需要被列入考量。
為了沉積材料於基板上，材料被加熱直到材料蒸發。管件導引上述被蒸發的材料經由出口或噴嘴至基板。在過去幾年中，沉積製程之準確度已被提升，例如能夠提供愈來愈小的畫素尺寸。在一些製程中，係使用遮罩以在被蒸發材料通過遮罩開口時定義畫素。然而，遮罩之遮蔽效應、被蒸發材料之散佈以及其他類似因素有礙於進一步提高蒸發過程之準確度以及可預測性。
綜觀上述，本揭露的實施例提供一種噴嘴、一種材料沉積配置、一種真空沉積系統以及沉積材料於基板上之方法，以克服至少部分本技術領域之問題。
有鑑於上述內容，根據獨立請求項，提供了一種用於被蒸發材料、材料源配置、真空沉積系統以及沉積材料於基板上之方法之噴嘴。
根據本揭露之一方面，提出一種噴嘴，其與分佈組件連接，用以從材料源導引被蒸發材料至真空腔室。上述噴嘴包括：一噴嘴入口(110)，用以接收被蒸發材料；一噴嘴出口(120)，用以釋放上述被蒸發材料至真空腔室；以及由噴嘴入口沿著流體運動方向延伸至噴嘴出口的一噴嘴通道(130)，其中上述噴嘴通道包括具有一孔洞角度(α)之一出口部(131)，上述孔洞角度(α)沿流體運動方向(111)而連續地增大。
根據本發明的另一方面，根據任何本文所述之任何實施例，提出了一種噴嘴的使用，用以在真空腔室中用以沉積材料於基板上，尤其是用以生產有機發光二極體。
根據本發明之再一方面，提供了一種在真空沉積室中，沉積材料於基板上之材料沉積源配置。材料沉積源配置包括用以與材料源流體連通之分佈組件，上述材料源提供材料至分佈組件，以及根據任何本文之實施例的至少一個噴嘴。
根據本發明之更一方面，提供了一種真空沉積系統。上述真空沉積包括一種真空沉積室；一種根據任何本文之實施例的在真空腔室中的材料沉積源配置；以及一種用以在沉積過程中支撐基板之基板支撐件。
根據本揭露之另一方面，提供了一種在真空沉積室中沉積材料於基板上之方法。上述方法包括在坩鍋中蒸發將被沉積的材料；提供被蒸發材料至與坩鍋流體連通之分佈組件；導引被蒸發材料經由噴嘴，並至真空沉積室，上述噴嘴具有由噴嘴入口沿著流體運動方向延伸至噴嘴出口之噴嘴通道，其中導引被蒸發材料經由噴嘴包括導引被蒸發材料經由具有孔洞角度α之喷嘴通道之出口部，上述孔洞角度α沿流體運動方向而連續地增加至相對於流體運動方向之角度可達α ≥40°。
進一步的優點、特徵、方面以及細節可從依附請求項、實施方式之描述以及圖式清楚得知。
各實施例之參考內容將被詳細列出，一或多個例子被繪示於各圖式中。各例子是用以解釋而非限制。舉例來說，被說明或闡述部分實施例之特徵可被用在另一個實施例中或與另一個實施例結合，以獲致進一步的實施例。本揭露包括此類的修改及變化。
在下列圖式的敘述中，相同的參考標號表示相同或相似的構件。一 般來說，僅針對個別實施例的相異之處加以描述。除非特別說明，否則在一個實施例中所描述之構件或方面亦可應用在另一實施例中相對應的構件或方面。
在多個本揭露的實施例被詳細描述之前，針對本揭露所用到之一些用語的部分方面做說明。
在本揭露中，用語「流體連通」可被理解為，在流體連通中的兩元件可經由連接件交換流體，使流體在兩元件之間流動。在一例子中，在流體連通中之元件可包括一中空構造，流體可經由上述中空構造流動。根據一些實施例，至少一個在流體連通中之元件可以是一管狀元件。
在本揭露中，「材料沉積配置」或「材料沉積源配置」(兩個詞彙可在本文中被同義地使用)可被理解為一種提供將被沉積於基板上的材料之配置。尤其是，材料沉積源配置可以被用以在真空腔室中提供將被沉積於基板上的材料，例如是真空沉積系統的真空沉積室。根據一些實施例，材料沉積源配置可蒸發將被沉積的材料以提供將被沉積於基板上的材料。舉例來說，材料沉積配置可包括蒸發器或坩鍋以及分佈組件。上述蒸發器或坩鍋蒸發將被沉積於基板上的材料。分佈組件例如是分佈管或一或多個可沿垂直軸被排列的點源(point source)。分佈組件被用以在面向基板的方向上釋放被蒸發的材料，例如是經由本文所描述的出口或噴嘴。坩鍋可被理解為一種提供或容納將被沉積的材料的裝置或貯存器。典型地，坩鍋可被加熱以蒸發將被沉積於基板的材料。坩鍋可與分佈組件流體連通，被坩鍋蒸發的材料可以被傳遞至上述分佈組件。在一個例子中，坩鍋可以是用以蒸發有機材料的坩鍋，例如，有機材料具有大約攝氏100度至大約攝氏600度的蒸發溫度。
根據本文所述的一些實施例，「分佈組件」可以被理解為用以導引或分配被蒸發材料的分佈管。尤其是，分佈管可由蒸發器導引被蒸發材料至分佈管之出口(例如是噴嘴或開口)。舉例來說，分佈管可以是沿第一方向，特別是縱向，延伸的線性分佈管。在一些實施例中，線性分佈管包括具有圓柱形狀的管件，其中上述圓柱可具有圓形、三角形或方形的底部形狀，或任何其他合適的底部形狀。
在本揭露中，本文所指的「噴嘴」可以被理解為用以導引流體之裝置，特別是用以控制流體之方向或特性(例如流量、流速、形狀和/或流體湧出噴嘴之壓力)。根據本文之一些實施例，噴嘴可以是用以導引或指引蒸氣之裝置，例如是將被沉積於基板上之被蒸發材料之蒸氣。噴嘴可具有用以接收流體之入口，用以導引流體經過噴嘴之通道(例如是孔或開口)，以及用以釋放流體之出口。典型地，通道可以包括圍繞通路通道之通道壁面，被蒸發材料可以流經上述通路通道。根據本文所述之實施例，噴嘴通道可以包括被定義的幾何形狀以獲致流經噴嘴之流體的方向或特性。根據一些實施例，噴嘴可以是分佈組件的一部分，例如是分佈管或一或多個可沿垂直軸排列的點源。附加地或選擇性地，本文所述之噴嘴為可連接的，或與提供被蒸發材料之分佈組件連接，且可接收來自分佈組件之被蒸發材料。典型地，根據本文所述實施例之噴嘴可被用以在真空腔室中聚集由蒸發器來源至基板之氣相的被蒸發材料，例如是為了產生OLED活性層於基板上。
第1圖~第4圖繪示根據本文所述之實施例之噴嘴之例子，用以與分佈組件連接，以由材料源導引被蒸發材料至真空腔室。所有噴嘴100之示範性實施例皆顯示了噴嘴入口110、噴嘴出口120以及介於噴嘴入口110與噴嘴出口120之間的噴嘴通道130。根據一些實施例，來自材料源(例如是坩鍋)之被蒸發材料被導引至本文所述之分佈組件，且經由噴嘴入口110進入噴嘴。接著，被蒸發材料通過噴嘴通道130且由噴嘴出口120離開噴嘴。被蒸發材料之流體運動方向111可被描述為從噴嘴入口110流向噴嘴出口120。噴嘴100進一步提供一種沿噴嘴長度L流動之長度方向。例示性地參照第1圖，根據本文所述之噴嘴之實施例，噴嘴通道130包括具有孔洞角度α之出口部131，上述孔洞角度α沿流體運動方向111而連續地增大。
因此，藉由採用根據本文所述實施例之用以沉積被蒸發材料於基板上之噴嘴，由被提供在基板前方之遮罩所造成之遮蔽效應可被減低，上述遮蔽效應將參照下文中的第4圖來詳細敘述。
根據本文所述之實施例，噴嘴通道130包括圍繞通路通道133(僅為了更加之概觀而繪示於第2圖)之通道壁面132。圍繞通路通道133之通道壁面132可被理解為通道壁面經通路通道之圓周長以圍繞通路通道。因此，通道壁面使通路通道在兩端開放，亦即噴嘴入口110及噴嘴出口120。
根據可與本文所述之其他實施例結合之實施例，噴嘴通道130之出口部131具有沿流體運動方向111而連續地增大且相對於流體運動方向111的角度可達α ≥50°之孔洞角度α。舉例來說，出口部131可具有一長度(例如是將於下文中被詳述之第二長度L2)，孔洞角度α沿上述長度連續地增加，直到噴嘴出口120為止。孔洞角度α之連續性增加繪示於第1圖，在第1圖中，孔洞角度α被繪示在出口部131的三個不同位置，例如是α1 ＜ α2 ＜ α3 。尤其是，由被排列在噴嘴通道130之出口部131之第一端開始，孔洞角度α連續地增加直到出口部之第二端為止，上述出口部包括噴嘴出口120。舉例來說，噴嘴出口的孔洞角度α可以指的是出口孔洞角度αE ，上述出口孔洞角度αE 可以是αE ≥ 40°，尤其是αE ≥ 50°，更尤其是αE ≥ 60°。
例示性地參照第3圖，根據本文所述之可與其他實施例結合之實施例，噴嘴通道130之出口部131之孔洞角度α在流體運動方向上，相對流體運動方向111的角度可由α=0°連續地增加至噴嘴出口120之角度α=90°。亦即，相對於流體運動方向111之出口孔洞角度αE =90°。噴嘴出口120之相對於流體運動方向111之出口孔洞角度αE =90°有益於在起始於噴嘴出口120的長距離中形成均質流體分佈，此部分將請參照第4圖做更詳細的例示性說明。
根據本文所述之可與其他實施例結合之實施例，出口部131之孔洞角度α可在流體運動方向111上以指數形式連續地增加。尤其是，如第3圖所例示性繪示，出口部131之孔洞角度α可在流體運動方向上連續地增加，使得出口部之直徑以對應於主要流體方向之座標系x軸之函數的型式增加。因此，出口部131之直徑之增加可被描述為D=f(x)。尤其是，座標系x軸可起始於被排列在噴嘴通道130內之出口部131之第一端，於孔洞角度α由α=0°改變為一正值的孔洞角度α，例如是α=0°+Δ α的位置。因此，出口部131之直徑之連續性增加可被描述為D(x)=D1 +(bx -1)，其中b是一個＞1的常數，且D1 為噴嘴入口110之入口直徑。
根據本文所述之可與其他實施例結合之實施例，出口部131之直徑可根據函數D(x) = D1 + a·x2 連續地增加，其中a是一個可由0.05 ≤ a≤ 2的範圍內選取之常數，尤其是0.1 ≤ a ≤ 1，更尤其是0.2 ≤ a ≤ 0.7，例如是a=0.5。
根據本文所述之可與其他實施例結合之實施例，孔洞角度(α)在流體運動方向上可連續地增加，使得噴嘴通道130之出口部131之直徑在流體運動方向上以圓形的片段狀之形式連續地增加。根據本文所述之可與其他實施例結合之實施例，孔洞角度α可在流體運動方向連續地增加，使得噴嘴通道130之出口部131之直徑或噴嘴通道130之出口部131之孔洞角度α在流體運動方向上以拋物線狀的形式連續增加。
因此，藉由採用根據本文所述實施例之用以沉積被蒸發材料至基板之噴嘴，在起始於噴嘴出口的長距離中可形成均質流分佈，使得例如是由被提供在基板前方之遮罩所產生之遮蔽效應可被減低，此部分將於下文中參照第4圖進一步詳細說明之。
根據可與其他本文所述實施例結合之典型的實施例，噴嘴用以導引具有介於大約攝氏100度至大約攝氏600度之溫度的被蒸發有機材料至真空腔室。再者，噴嘴可被用在流量小於每分鐘0.5標準立方公分(0.5 sccm)的質量流上。舉例來說，根據本文所述的實施例所提出之噴嘴中之質量流可以尤其是僅有每分鐘0.5標準立方公分的分數的量(fractional amount)，且更尤其是小於每分鐘0.25標準立方公分。在一個例子中，根據本文所述的實施例之噴嘴中的質量流可小於每分鐘0.1標準立方公分，例如是小於每分鐘0.05標準立方公分，尤其是小於每分鐘0.03標準立方公分，更尤其是小於每分鐘0.02標準立方公分。
附加地或選擇性地，噴嘴通道具有一個小於8毫米的最小尺寸，尤其是小於5毫米。尤其是，例示性地參照第2圖，噴嘴通道130之最小尺寸可以是噴嘴入口110之入口直徑D1 。如第2圖所例示，入口直徑D1 在噴嘴通道130的第一部份的第一長度L1可以是常數。舉例來說，入口直徑D1 可以是D1 ≤ 8毫米，尤其是D1 ≤5毫米。
根據本文所述之可與其他實施例結合之實施例，噴嘴可以包括具有不同長度之部份的噴嘴通道。舉例來說，第1圖繪示了包括具有第一長度L1的第一通道區段以及具有第二長度L2的第二通道區段的噴嘴100。尤其是，噴嘴區段之長度可被理解為噴嘴區段沿噴嘴的長度方向的尺寸，或沿主要流體運動方向的尺寸，主要流體運動方向亦即是第1圖所例示的在噴嘴中的被蒸發材料之流體運動方向111。噴嘴的第一通道區段提供了第一直徑，例如是入口直徑D1 。噴嘴的第二通道區段提供了連續性增加的直徑，上述連續性增加的直徑由第一直徑連續地增加至第二直徑，例如是出口直徑D2 。換言之，根據一些可與其他本文所述的實施例結合的實施例，噴嘴之第一通道區段可包括噴嘴入口，且噴嘴之第二通道區段可包括噴嘴出口。尤其是，第二通道區段可以是本文所述之噴嘴通道之出口部分。
根據一些可與其他本文所述的實施例結合的實施例，第二直徑可以相較於第一直徑介於1.5至10倍大，更尤其是介於1.5至8倍大，且更尤其是介於2至6倍大。在一個例子中，第二直徑相較於第一直徑可以是4倍大。附加地或選擇性地，第一直徑(也就是入口直徑D1 )可以介於1.5毫米至大約8毫米，更尤其是介於大約2毫米至大約6毫米，且更尤其是介於大約2毫米至大約4毫米。根據一些實施例，第二直徑(也就是出口直徑D2 )可以是介於3毫米至大約20毫米，更尤其是介於大約4毫米至大約15毫米，且更尤其是是介於大約4毫米至大約10毫米。
根據一些可與其他本文所述的實施例結合的實施例，第一通道區段之第一長度L1和/或第二通道區段之第二長度L2可以介於2毫米至大約20毫米，更尤其是介於大約2毫米至大約15毫米，且更尤其是介於大約2毫米至大約10毫米。在一個例子中，第一通道區段之第一長度L1和/或第二通道區段之第二長度L2可以是大約5毫米至大約10毫米。
因此，本文所述實施例所提供之噴嘴可用以提供一個隨著噴嘴入口至噴嘴出口之距離增加而增加的傳導值(conductance value)。尤其是，藉由提供具有本文所述之出口部的噴嘴，傳導值在流體運動方向增加至噴嘴出口。更尤其是，本文所述之噴嘴之出口部提供了在流體運動方向上連續性增加至噴嘴出口的傳導值。舉例來說，傳導值可以1/秒(1/s)來量測。在一個例子中，噴嘴中流量小於每分鐘1標準立方公分的流體亦可被描述為流量小於1/60 毫巴 l/秒(mbar 1/s)。此外，本文所述之具有出口部之噴嘴在出口部至噴嘴出口沿流體運動方向提供了連續減少的壓力。
根據一些實施例，第一通道區段可用以增加來自分佈組件的被導引的被蒸發材料之均勻度，例如是分佈管至噴嘴，特別是藉由具有相較於第二通道區段更小的直徑，或藉由相較於分佈組件之直徑，尤其是分佈管之直徑，具有更小的直徑。根據一些實施例，分佈管之直徑(噴嘴可與上述分佈管連接，或噴嘴可以是上述分佈管的一部分)可以是介於大約70毫米至大約120毫米，更尤其是介於大約80毫米至大約120毫米，且更尤其是介於大約90毫米至大約100毫米。在本文所述之一些實施例中(例如是具有實質上為三角形的分佈管的情形，此種分佈管將在下文中參考第8A圖及第8B圖中詳細解釋)，上述直徑的數值可以是指分佈管之水力直徑(hydraulic diameter)。根據一些實施例，相對窄的第一通道區段可以強行使被蒸發材料之粒子以更加均勻的方式排列。使被蒸發材料在第一通道區段更均勻可以例如是包括使被蒸發材料之密度、單一粒子之速度和/或被蒸發材料之壓力更均勻。更加均勻的流體造成較少的擴散粒子以及較小的擴散角度。
熟習此技藝者可理解到，在根據本文所述之實施例之材料沉積配置中，例如是用於蒸發有機材料之材料沉積配置，在分佈管及噴嘴(或噴嘴的某些部份)中流動被蒸發材料可被視為克努森流(Knudsen flow)。尤其是，鑑於用以在真空腔室中導引被蒸發材料的分佈管及噴嘴中的流動和壓力條件，被蒸發材料可視為克努森流，上述內容將於下文中詳細解釋。根據本文所述之一些實施例，在噴嘴的一部分中的流體(例如是包括噴嘴出口之出口部)可為分子流(molecular flow)。舉例來說，根據本文所述之實施例之噴嘴之出口部可在克努森流與分子流之間提供轉換。在一個例子中，在真空腔室中但在噴嘴外部的流體，可以是分子流。根據一些實施例，分佈管中的流體可以被視為黏性流或克努森流。在一些實施例中，噴嘴可以被描述為提供從克努森流或黏性流至分子流的轉換。
例示性參照第4圖，繪示了一種示例性的經由本文所述之噴嘴被提供的被蒸發材料之流體分佈150。尤其是，本文所述之噴嘴之實施例可以在起始於噴嘴出口120之長距離中形成均質流分佈。換言之，本文所述之噴嘴提供一種流體分佈，在上述的流體分佈中，在基板170前方遮罩160被提供的位置上，被蒸發材料之流體之速度向量實質上為單一方向且實質上為常數。本文所使用之「實質上」一詞可以是指與「實質上」所指之特性可能存在必然的偏差。典型地，「實質上」所指之特性的尺寸或形狀，可能存在大約15%的偏差。因此，藉由採用本文所述之實施例之用以沉積被蒸發材料於基板上之噴嘴，由被提供在基板前方之遮罩所造成之遮蔽效應可被減低。
舉例來說，若遮罩被用以沉積材料於基板上，例如是在 OLED製造系統中，遮罩可以是具有大約50 微米 x 50 微米，或甚至以下，的像素開口大小之像素遮罩，例如是像素開口具有大約30微米或更小之截面尺寸(例如是截面之最小尺寸)，或大約20微米。在一個例子中，像素遮罩可以具有大約40微米之厚度。考慮遮罩之厚度以及像素開口之尺寸，遮蔽效應可能出現。於遮蔽效應中，遮罩中的像素開口的壁面遮蔽了像素開口。根據本文所述之實施例之噴嘴可幫助降低遮蔽效應，以生產高像素密度(dpi)之顯示器，尤其是超高畫質(UHD)顯示器(例如是超高畫質有機發光二極體顯示器)。
此外，藉由使用本文所述之實施例之噴嘴可達到之高方向性，使被蒸發材料可以被更佳地利用，這是因為更多被蒸發材料真正地到達基板。
例示性地參照第5A圖、第5B圖及第6圖，繪示了一種用以在真空沉積室沉積材料於基板上之材料沉積源配置200。材料沉積源配置200典型地包括分佈組件206，例如是分佈管，用以與材料源204(例如是蒸發器或坩鍋)流體連通，上述材料源204用以提供材料至分佈組件。材料沉積源配置更包括至少一個根據關於第1圖~第4圖所示之上述實施例之噴嘴。
如第5A圖~第5B圖例示性繪示，材料沉積源配置200之分佈組件206可用以作為分佈管。分佈管可與材料源204(例如是坩鍋)處於流體連通的狀態，且分佈管可用以分佈由材料源204所提供的被蒸發材料。分佈管可以例如是一種具有加熱單元215之延伸的立方體。蒸發坩鍋可以是用以儲存將被源加熱單元225蒸發的有機材料之貯存器。根據典型的可與本文所述其他實施例結合之實施例，分佈管可提供一線源(line source)。根據本文所述之一些實施例，材料沉積配置更包括數個根據本文所述之實施例之噴嘴，以向基板釋放被蒸發材料。
根據一些可與其他本文所述的實施例結合的實施例，分佈管之噴嘴可適於在不同於分佈管之長度方向之方向上釋放被蒸發材料，例如是實質上與分佈管之長度方向垂直之方向。根據一些實施例，噴嘴被排列以具有為水平+-20度之主要蒸發方向(亦指第1圖~第4圖中的流體運動方向111)。根據一些特定之實施例，蒸發方向可以稍微朝向上方，例如是在從水平到向上15度的範圍中，例如是向上3度至7度。對應地，基板可被稍微傾斜以實質上垂直於蒸發方向。可以減少所不希望得到的粒子產生。然而，根據本文所述之實施例之噴嘴及材料沉積配置亦可被用在真空沉積系統中，上述真空沉積系統被用以沉積材料於被水平擺置的基板上。
在一個例子中，分佈管之長度至少與將在沉積系統中被沉積之基板之高度相對應。在許多情況下，分佈管之長度比將被沉積的基板之高度還長至少10%或甚至20%。可以提供一種在基板之上端和/或基板之下端之均勻沉積。
根據一些可與其他本文所述的實施例結合的實施例，分佈管之長度可以是1.3公尺或以上，例如是2.5公尺或以上。根據一種如第5A圖所示之配置方式，材料源204，尤其是蒸發坩鍋，被提供在分佈管之底端。有機材料在蒸發坩鍋被蒸發。有機材料之蒸氣由分佈管底部進入分佈管，且實質上被導引向旁邊通過分佈管中之數個噴嘴，例如是朝向實質上垂直的基板。
第5B圖繪示放大的材料沉積配置的一部分之示意圖，其中分佈組件206，尤其是分佈管，與材料源204連接，材料源204特別是蒸發坩鍋。提供一種用以提供介於蒸發坩鍋與分佈管之間之連接之凸緣單元203。舉例來說，蒸發坩鍋以及分佈管被提供作為分別的單元，上述分別的單元可與凸緣單元分開和連接或是組裝，例如是用於材料沉積配置之操作。
分佈組件206具有內部中空空間210。可提供一種加熱單元215以加熱分佈組件，尤其是分佈管。因此，分佈組件可以被加熱至一溫度，使得由蒸發坩鍋所提供之有機材料之蒸氣不會在分佈組件之壁面的內部凝結。舉例來說，分佈組件，尤其是分佈管，可以被維持在相較於被沉積於基板上的材料之蒸發溫度高典型地大約1度至大約20度之溫度，更典型地是大約5度至大約20度，且甚至更典型地是大約10度至大約15度。此外，可在分佈組件附近提供兩個或以上的加熱屏蔽217，尤其是在分佈管的管件附近。
舉例來說，在操作過程中，分佈組件206(例如是分佈管)可與材料源204(例如是蒸發坩鍋)在凸緣單元203處連接。典型地，材料源，例如是蒸發坩鍋，係用以接收將被蒸發的有機材料及蒸發有機材料。根據一些實施例，將被蒸發的材料可包括氧化銦錫(ITO)、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-(1,1'-聯苯基)-4,4'-二胺(NPD)、三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3 )、喹吖啶酮(Quinacridone)、鎂/銀(Mg/Ag)、星爆材料(starburst materials)等之中的至少其中之一。
在一個例子中，分佈組件中的壓力，尤其是分佈管，可以是介於大約10-2 毫巴至大約10-5 毫巴，或介於大約10-2 毫巴至大約10-3 毫巴。根據一些實施例，真空腔室可提供大約10-5 毫巴至大約10-7 毫巴之壓力。
如同本文所述，分佈組件可以是具有中空圓柱體之分佈管。圓柱體一詞可以被理解為具有圓形底部形狀、圓形上部形狀以及一與上部圓形及小的較低的圓形連接之曲面區域或殼體。根據可與其他本文所述之實施例結合之進一步附加或可選擇的實施例，圓柱體一詞可進一步被以數學觀點理解為具有一任意底部形狀、一相同的上部形狀以及一與上部形狀及下部形狀連接之曲面區域或殼體。因此，圓柱體不必然地需要具有圓形截面。反而，底面以及頂面可具有非圓形之形狀。
第6圖繪示根據本文所述之進一步實施例之材料沉積源配置200之側視示意圖。材料沉積源配置包括兩個蒸發器202a及202b，且兩個分佈管206a及206b與相對應的蒸發器可流體連通。材料沉積配置更具有在分佈管206a及206b中的噴嘴100。噴嘴100可以是如上文關於第1圖~第4圖所描述之噴嘴。根據一些實施例，噴嘴之間可具有一距離。舉例來說，噴嘴之間的距離可以以噴嘴的縱軸211之間的距離來量測。根據一些可與其他本文所述的實施例結合的實施例，噴嘴之間的距離典型地可以是介於大約10毫米至大約50毫米，更典型地是介於大約10毫米至大約40毫米，且甚至更典型地是介於大約10毫米至大約30毫米。
尤其是，上述的噴嘴之間的距離可有益於有機材料經由像素遮罩之沉積，例如是具有開口尺寸為50微米 x 50微米或甚至更少之遮罩，例如是具有截面積尺寸(例如是截面積的最小尺寸)為大約30微米或更少，或大約20微米之像素開口。
例示性參照第7圖，描述了真空沉積系統300之例示性實施例。根據可與其他本文所述的實施例結合的實施例，真空沉積系統300包括如第5A圖、第5B圖及第6圖所示之真空沉積腔室310以及材料沉積源配置200。真空沉積系統更包括基板支撐件，用以在沉積過程中支撐基板。
尤其是，第7圖繪示真空沉積系統300，根據本文所述實施例之噴嘴100以及材料沉積源配置200可使用在上述之真空沉積系統300。真空沉積系統300包括一種在真空沉積腔室310中之一位置上的材料沉積源配置200(或材料沉積配置)。材料沉積源配置200被設置為可具有平移動作或繞軸旋轉，尤其是垂直軸。材料沉積配置200具有一或多個材料源204，尤其是一或多個蒸發坩鍋，以及一或多個分佈組件，尤其是一或多個分佈管。舉例來說，第6圖中繪示了兩個蒸發坩鍋以及兩個分佈管。此外，在真空沉積腔室310中提供了兩個基板170。典型地，用以遮蔽位於基板上之沉積層之遮罩160被提供在基板以及材料沉積源配置200之間。
根據本文所述之實施例，基板在實質上垂直的位置上被鍍有機材料。第7圖的視圖顯示了包括材料沉積源配置200之系統之俯視圖。典型地，分佈組件被設置為具有蒸氣分佈噴頭之分佈管，蒸氣分佈噴頭特別是一種線性的蒸氣分佈噴頭。分佈管提供一種實質上垂直地延伸的線源。根據本文所述之可與其他本文所述之實施例結合之實施例，尤其當指的是基板定向時，實質上垂直可被理解為與垂直的方向可具有20度或以下，例如是10度或以下，之誤差。誤差可被提供是由於，舉例來說，一些具有與垂直的方向之誤差之基板支撐件可獲致更加穩定的基板位置。基板表面一般是由線源來塗佈，上述線源沿一方向延伸，上述方向對應於一基板尺寸，例如是垂直的基板尺寸，以及沿其他方向之平移運動，上述其他方向對應於其他基板尺寸，例如是水平基板尺寸。根據其他實施例，沉積系統可以是用以沉積材料於一實質上水平定向之基板之沉積系統。舉例來說，在沉積系統中之基板之塗佈可以以向上或向下之方向操作。
例示性地參照第7圖，材料沉積源配置200可以被設置為在真空沉積腔室310中可移動，例如是藉由旋轉或平移運動。舉例來說，第7圖所示之材料源被排列在軌道330上，例如是迴圈軌道或線性導件。典型地，軌道或線性導件被設置以做材料沉積配置之平移運動。根據不同的可與本文所述其他實施例結合之實施例，可以在真空腔室或其組合之材料沉積配置中，提供一種用以平移或旋轉運動之傳動裝置。此外，在第7圖之例示性實施例中，繪示了一種閥305，例如是閘極閥。閥305可提供真空密封至一鄰近的真空腔室(第7圖中未繪示出)。閥可被打開以運輸基板170或遮罩160至真空沉積腔室310之中或運輸基板170或遮罩160至真空沉積腔室310之外。
根據一些可與其他本文所述的實施例結合的實施例，可以在鄰近於真空沉積腔室310之處提供另一個真空腔室，例如是一種維修真空腔室320。典型地，真空沉積腔室310以及維修真空腔室320以另一個閥307連接。另一個閥307被設置以開啟或關閉介於沉積腔室310與維修真空腔室320之間之真空密封。當此另一個閥307在開啟狀態時，材料沉積源配置200可被轉移至維修真空腔室320。之後，閥可被關閉以提供介於真空沉積腔室310與維修真空腔室320之間之真空密封。若此另一個閥307被關閉，維修真空腔室320可被排氣，且在不破壞真空沉積腔室310的真空下開啟維修真空腔室320，以維修材料沉積配置。
如第7圖所例示，根據一些可與任何其他本文所述的實施例結合的實施例，兩個基板170可以在真空腔室中各自的運輸軌道上被支撐。此外，可以提供兩個用以提供遮罩160於其上之軌道。因此，在塗佈的過程中，基板可以被各自的遮罩遮蔽。根據典型的實施例，提供遮罩160在遮罩框架161中，以在一個預定的位置支撐遮罩160，亦即，第一遮罩對應於第一基板且第二遮罩對應於第二基板。舉例來說，第一遮罩及第二遮罩可以是像素遮罩。
可理解的是，所述之材料沉積源配置以及真空沉積系統可用在各種應用上，包括 OLED 裝置製造之應用，上述OLED裝置製造包括處理方法，其中兩個或以上的有機材料被同時蒸發。因此，如第7圖所示之例子，可提供兩個或更多的相鄰的分佈管以及相對應的蒸發坩鍋。儘管第7圖所示的實施例提供一種具有可移動源之沉積系統，熟習此技藝者可理解上述實施例亦可應用於在處理過程中基板在沉積系統中被移動的沉積系統。舉例來說，將被塗佈之基板可沿著靜止的材料沉積配置被導引及驅動。
根據一些可與任何其他本文所述的實施例結合的實施例，真空沉積系統被用在大面積基板或用以支撐一或多個基板的基板載件。舉例來說，大面積基板可被用在顯示器之製造且可為玻璃或塑膠基板。尤其是，本文所述之基板應包括通常被作為液晶顯示器(LCD)、電漿顯示器(PDP)及OLED顯示器等之基板。舉例來說，「大面積基板」可具有主要表面積為0.5平方公尺或更大之面積，尤其是1平方公尺或更大之面積。在一些實施例中，大面積基板可以是第4.5代(GEN 4.5)，對應於大約0.67平方公尺之基板(0.73x0.92公尺)，第5代(GEN 5)，對應於大約1.4平方公尺之基板(1.1 公尺 x 1.3 公尺)，第7.5代(GEN 7.5)，對應於大約4.29平方公尺之基板(1.95公尺 x 2.2公尺)，第8.5代(GEN 8.5)，對應於大約5.7平方公尺之基板(2.2公尺 x 2.5公尺)，或甚至是第10代(GEN 10)，對應於大約8.7平方公尺之基板(2.85公尺 x 3.05公尺)。即使是更後代，例如是第115代(GEN 11)及第12代(GEN 12)及相對應的基板面積可相似地被實施。
本文所使用之「基板」一詞應尤其包括不可撓的基板，例如是玻璃板以及金屬板。然而，本揭露不限於上述且用語「基板」亦可包括撓性的基板，例如是卷(web)或箔(fiol)。根據一些實施例，基板可由任何適於材料沉積之材料所製成。舉例來說，基板可以從由玻璃(例如是鈉鈣玻璃、硼矽酸鹽玻璃等)、金屬、聚合物、陶瓷、化合物材料、碳纖維材料、雲母或任何其他可藉由沉積製程塗佈之材料或材料之組合所組成的群組中所選出之材料所構成。舉例來說，基板可以具有厚度0.1毫米至1.8毫米，例如是0.7毫米、0.5毫米或0.3毫米。在一些實施方式中，基板之厚度可以是50微米以上和/或700微米以下。操作厚度僅有數微米，例如是8微米以上或50微米以下之薄基板可能具有挑戰性。
根據一些可與其他本文所述的實施例結合的實施例，所述之材料源、蒸發器或坩鍋可被用以接收將被蒸發的有機材料並蒸發有機材料。根據一些實施例，將被蒸發的材料可包括氧化銦錫(ITO)、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-(1,1'-聯苯基)-4,4'-二胺(NPD)、三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3 )、喹吖啶酮(Quinacridone)、鎂/銀(Mg/Ag)、星爆材料(starburst materials)等之中的至少一種。典型地，如本文所述，噴嘴可被用以導引蒸發的有機材料至真空腔室。舉例來說，噴嘴的材料可適於具有溫度為大約100度至大約600度之蒸發的有機材料。舉例來說，在一些實施例中，噴嘴可包括具有導熱係數(thermal conductivity)為21瓦特/公尺x絕對溫度(W/mK)以上之材料和/或被化學性地注入被蒸發的有機材料之材料。根據一些實施例，噴嘴可包括銅、鉭、鈦、鈮、類鑽碳(DLC)及石墨之中的至少一種，或可包括具有上述材料之中的一種的通道壁面的一塗層。
例示性參照第8A圖，根據一些可與其他本文所述的實施例結合的實施例，材料沉積源配置之分佈管可具有實質上為三角形之截面。分佈管208具有壁面222、226以及224，上述壁面環繞內部中空空間210。壁面222被提供在分佈管之出口側，噴嘴100或數個噴嘴被提供在上述分佈管之出口側。噴嘴可以是參照第1圖~第4圖所述之噴嘴。此外，且不限於第8A圖所示之實施例，噴嘴可與分佈管連接(例如是可以螺栓連接)或可與分佈管一體成形。分佈管之截面可被形容為實質上為三角形。三角形的分佈管使其有可能使鄰近的分佈管的出口，例如是噴嘴，盡可能地向彼此靠近。如此可達到更佳的來自不同分佈管之不同材料之混合，例如是兩種、三種或甚至更多不同材料同時蒸發的例子。
分佈管之出口側的寬度，例如是第8A圖所示的截面的壁面222之尺寸，係以箭頭252指出。此外，分佈管208之截面的其他尺寸以箭頭254及255指出。根據本文所述之實施例，分佈管之出口側的寬度為截面最大尺寸的30%或更少，例如是箭頭254及255所指出的尺寸的較大尺寸的30%。依照分佈管之尺寸及形狀，鄰近的分佈管之噴嘴10可被提供在一較小的距離。較小的距離改善了在彼此旁邊被蒸發的有機材料之混合。
第8B圖繪示提供兩個彼此相鄰的分佈管之實施例。據此，第8B圖所繪示的具有兩個分佈管之材料沉積配置可蒸發兩種彼此相鄰的有機材料。如第8B圖所示，分佈管之截面積的形狀可使鄰近的分佈管之噴嘴鄰近於彼此地放置。根據一些可與其他本文所述的實施例結合的實施例，第一分佈管之第一噴嘴及第二分佈管之第二噴嘴可具有30毫米或以下的距離，例如是從5毫米至25毫米。更確切來說，噴嘴之第一出口或噴嘴至第二出口或噴嘴之距離可以是10毫米或以下。根據一些實施例，可提供三個彼此相鄰的分佈管。
有鑑於上述內容，可被理解的是，本文所述之材料沉積源配置之實施例以及真空沉積系統之實施例對於沉積有機材料，例如是 OLED 顯示器在大面積基板上之生產，是尤其有助益的。
例示性參照第9圖之流程圖，描述了用以在真空沉積室310中沉積材料於基板170上之方法400之實施例。尤其是，方法400包括在坩鍋中蒸發410將被沉積的材料。舉例來說，將被沉積的材料可以是用以形成OLED顯示器之有機材料。坩鍋可以根據材料之蒸發溫度被加熱。在一些例子中，材料被加熱至攝氏600度，例如是加熱至介於大約攝氏100度至攝氏600度之間的溫度。根據一些實施例，坩鍋與分佈管係流體連通。
再者，方法400包括提供420被蒸發材料至與坩鍋流體交換的分佈組件。在一些實施例中，分佈管係位於第一壓力等級，其中第一壓力等級可例如是典型地介於大約10-2 毫巴至10-5 毫巴，更典型地是介於大約10-2 毫巴至10-3 毫巴。根據一些實施例，真空沉積腔室係位於第二壓力等級，上述第二壓力等級可以例如是介於大約10-5 毫巴至10-7 毫巴。在一些實施例中，材料沉積配置被用以僅藉由真空中被蒸發材料之蒸氣壓使被蒸發材料移動(亦即，僅藉由蒸發壓力(例如由源自材料蒸發所產生的壓力)驅動到達分佈管(且/或經由分佈管)。舉例來說，不須使用其他元件(例如是風扇、幫浦等)來驅動被蒸發材料到達並經過分佈管。
再者，方法400包括導引430被蒸發材料經由噴嘴至真空沉積室，上述噴嘴具有從噴嘴入口沿流體流動方向延伸至噴嘴出口之噴嘴通道。典型地，導引430蒸發材料經由噴嘴，更包括導引被蒸發材料經由具有孔洞角度α之噴嘴通道之出口部，上述孔洞角度α沿流體流動方向連續地增加至角度α ≥40°，特別是α ≥50°，更特別是α ≥60°，相對於流動方向。尤其是，導引430被蒸發材料經由噴嘴通道可包括導引被蒸發材料經由根據本文所述實施例之噴嘴之噴嘴通道，例如參考第1圖~第4圖所示者。
因此，有鑑於上述內容，噴嘴之實施例、材料沉積源配置之實施例、真空沉積系統之實施例以及沉積材料於基板上之方法之實施例，提供了更佳的高解析度之顯示器製造，尤其是超高解析度之顯示器製造，顯示器例如是OLED顯示器。尤其是，本文所述之實施例提供了起始於噴嘴出口的長距離的均勻流場分佈，可以減低由被提供於將被塗佈之基板前方之遮罩，例如是像素遮罩，所造成的遮蔽效應。
本說明書已以實施例揭露如上，包括最佳模式，以及可使任何本發明所屬技術領域中具有通常知識者可實施所述之標的，包括製造以及使用任何裝置或系統以及操作任何結合的方法。雖然各種具體的實施例已揭露如上，上述實施例中互相非互斥的特徵可互相結合。可專利之範圍當視申請專利範圍所界定者為準，且若請求保護範圍具有不悖離請求項之字義意義之結構元件，或者若請求項包括與請求項之字面意義具有無實質差異的等效的結構元件的話，則其他例子當視為在本發明請求保護的範圍內。
100‧‧‧噴嘴
110‧‧‧噴嘴入口
111‧‧‧流體運動方向
120‧‧‧噴嘴出口
130‧‧‧噴嘴通道
131‧‧‧出口部
132‧‧‧通道壁面
133‧‧‧通路通道
150‧‧‧流體分佈
160‧‧‧遮罩
161‧‧‧遮罩框架
170‧‧‧基板
200‧‧‧材料沉積源配置
202a、202b‧‧‧蒸發器
203‧‧‧凸緣單元
204‧‧‧材料源
206‧‧‧分佈組件
206a、206b、208‧‧‧分佈管
210‧‧‧內部真空空間
211‧‧‧縱軸
215‧‧‧加熱單元
217‧‧‧加熱屏蔽
225‧‧‧源加熱單元
222、224、226‧‧‧壁面
252、254、255‧‧‧箭頭
300‧‧‧真空沉積系統
305、307‧‧‧閥
310‧‧‧真空沉積腔室
320‧‧‧維修真空腔室
330‧‧‧軌道
400‧‧‧方法
410‧‧‧蒸發
420‧‧‧提供
430‧‧‧導引
為了使上述本揭露之特徵可以被更詳細地理解，有關本揭露已於發明內容中簡述之內容之進一步描述，可參照實施例。關於本揭露之實施例之圖式如下所述。實施例在圖式以及實施方式中被詳細地描述。 第1圖繪示依照本揭露實施例的一種用以與分部組件連接，用以從材料源導引被蒸發材料至真空腔室中之噴嘴的截面示意圖。 第2~3圖繪示依照本揭露另一實施例的噴嘴的截面示意圖。 第4圖繪示依照本揭露實施例的噴嘴的截面示意圖，其中繪示了依照本揭露實施例的典型的被導引而經過噴嘴之被蒸發材料之流體分佈。 第5A圖繪示依照本揭露實施例的材料沉積源配置的側視示意圖。 第5B圖繪示根據第5A圖的材料沉積源配置的細部之部分示意圖。 第6圖繪示依照本揭露另一實施例的材料沉積源配置的側視示意圖。 第7圖繪示依照本揭露實施例的真空沉積系統。 第8A~8B圖繪示具有依照本揭露實施例所提出之噴嘴的分佈組件的示意圖。 第9圖繪示依照本揭露實施例的沉積材料於基板上之方法的流程圖。

Claims (20)

  1. 一種用於被蒸發材料分佈組件之噴嘴(100)，包括： 一噴嘴入口(110)，用以接收被蒸發材料； 一噴嘴出口(120)，用以釋放被蒸發材料；及 一噴嘴通道(130)，該噴嘴通道在該噴嘴入口(110)及該噴嘴出口(120)之間延伸，且該噴嘴通道包括一出口部(131)，該出口部具有一孔洞角度(α)，該孔洞角度在從該噴嘴入口(110)至該噴嘴出口(120)的一方向(111)上，連續地增加至該噴嘴出口(120)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之噴嘴(100)，其中該孔洞角度(α)連續地增加至α ≥40°之角度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之噴嘴(100)，其中該孔洞角度(α)從α=0°之角度連續地增加至α=90°之角度。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中的任一項所述之噴嘴(100)，其中該孔洞角度(α)連續地增加使得該噴嘴通道(130)之該出口部(131)之直徑以指數形式(exponential manner)增加。
  5. 如申請專利範圍第1項至第3項中的任一項所述之噴嘴(100)，其中該孔洞角度(α)在流體運動方向上連續地增加，使得該噴嘴通道(130)之該出口部(131)之直徑以圓形的片段狀的形式(circular-segment-like manner)增加。
  6. 如申請專利範圍第1項至第3項中的任一項所述之噴嘴(100)，其中該孔洞角度(α)連續地增加，使得該噴嘴通道(130)之該出口部(131)之直徑以拋物線狀的形式(parabola-like manner)增加。
  7. 如申請專利範圍第1項至第3項中的任一項所述之噴嘴(100)，其中該噴嘴包括一材料，該材料適於用在具有介於大約攝氏100度至大約攝氏600度之溫度的被蒸發的有機材料。
  8. 如申請專利範圍第1項至第3項中的任一項所述之噴嘴(100)，其中該噴嘴用於流量小於每分鐘0.1標準立方公分(0.1 sccm)的質量流。
  9. 如申請專利範圍第1項至第3項中的任一項所述之噴嘴(100)，其中該噴嘴通道具有小於8毫米之最小尺寸。
  10. 如申請專利範圍第1項至第3項中的任一項所述之噴嘴(100)，其中該出口部具有介於2毫米至20毫米之長度L2。
  11. 申請專利範圍第1項至第10項中的任一項所述之噴嘴(100)之使用，用以在一真空沉積腔室中沉積一材料於一基板上。
  12. 申請專利範圍第1項至第10項中的任一項所述之一噴嘴(100)之使用，用以製造一有機發光二極體。
  13. 一種用以在一真空沉積腔室中沉積一材料於一基板上之材料沉積源配置(200)，包括： 一分佈組件(206)，該分佈組件與一材料源(204)係流體連通(fluid communication)；及 至少一如申請專利範圍第1項至第10項中的任一項所述之噴嘴(100)。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之材料沉積源配置(200)，其中該材料源為一坩鍋，該坩鍋用以蒸發材料及且該分佈組件包括一線性分佈管。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之材料沉積源配置(200)，其中該至少一噴嘴(100)與該線性分佈管係流體連通。
  16. 一種真空沉積系統(300)，包括： 一真空沉積腔室(310)； 一如申請專利範圍第13項至第15項中的任一項所述之在該真空沉積腔室(310)中之材料沉積源配置(200)；及 一基板支撐件，用以在沉積過程中支撐該基板(170)。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之真空沉積系統(300)，其中該真空沉積系統更包括一像素遮罩，該像素遮罩係位於該基板支撐件及該材料沉積源配置之間。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之真空沉積系統(300)，其中該真空沉積系統係適於同時在該真空沉積腔室中容納兩個將被塗佈之基板於兩個基板支撐件上； 其中該材料沉積源配置被可移動地配置在該真空沉積腔室中介於該兩個基板支撐件之間，該材料沉積源配置之該材料源為一坩鍋，該坩鍋用以蒸發有機材料，且其中該像素遮罩包括小於50微米之開口。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之真空沉積系統(300)，其中該坩鍋與一分佈管係流體連通，且該分佈管與該至少一噴嘴係流體連通。
  20. 用以在一真空沉積腔室中沉積一材料於一基板上的方法(400)，包括： 在一坩鍋中蒸發(410)一將被沉積的材料； 提供(420)該被蒸發材料至一分佈組件，該分佈組件與該坩鍋係流體連通；以及 導引(430)該被蒸發材料經由一噴嘴至該真空沉積腔室，該噴嘴具有一噴嘴通道，該噴嘴通道由一噴嘴入口延伸至一噴嘴出口， 其中導引(430)該被蒸發材料經由該噴嘴包括導引該被蒸發材料經由該噴嘴通道之一出口部，該噴嘴通道具有一孔洞角度(α)，該孔洞角度(α)在由該噴嘴入口至該噴嘴出口之方向上連續地增加至該噴嘴出口部(120)至α ≥40°之角度。
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