JP2005209633A - 表示装置及び表示装置の作製方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 126
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 226
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 185
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 102
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 320
- 239000010408 film Substances 0.000 description 232
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 72
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 52
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 47
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 47
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 38
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 35
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 35
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 29
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 22
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 20
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 20
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 18
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 17
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 16
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 13
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 13
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 12
- -1 siloxanes Chemical class 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 9
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 9
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 8
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 7
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 6
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 5
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 4
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 4
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 4
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 3
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 3
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical class C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910015711 MoOx Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004693 Polybenzimidazole Substances 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- OLLFKUHHDPMQFR-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](O)(O)C1=CC=CC=C1 OLLFKUHHDPMQFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018575 Al—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019794 NbN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008812 WSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000005376 alkyl siloxane group Chemical group 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003180 amino resin Polymers 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- UIZLQMLDSWKZGC-UHFFFAOYSA-N cadmium helium Chemical compound [He].[Cd] UIZLQMLDSWKZGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000007739 conversion coating Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 239000005338 frosted glass Substances 0.000 description 1
- 229910000078 germane Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明の表示装置の作製方法の一は、第1の基板上に発光素子と駆動回路とを形成し、駆動回路を囲んで枠を形成し、発光素子と駆動回路とを囲んでシール材を形成し、枠とシール材の間に、液状の吸湿性物質を含む組成物を滴下し、組成物を固化し、吸湿性物質を含む層を形成し、発光素子と、駆動回路と、吸湿性物質を含む層とを内側に封じ込めるように、第1の基板と第2の基板とをシール材によって固着する。
【選択図】 図1
Description
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
本発明の表示装置の作製方法を、図4乃至図7を用いて詳細に説明する。
リウェット塗布を行う。シンナーを70ml滴下しながら基板をスピン(回転数100rpm)させてシンナーを遠心力で万遍なく広げた後、高速度でスピン(回転数450rpm)させてシンナーを振り切る。
本実施の形態では、実施の形態2で作製した表示装置において、片面出射型である、上面出射型、下面出射型の例を、図9及び図10を用いて説明する。
本実施の形態では、逆スタガ型TFTの一例を図8及び図28に示す。TFT以外の部分は、最良の形態における実施の形態2で示した表示装置と同一であるのでここでは詳細な説明は省略する。
本実施の形態では、本発明の他の表示装置を図22乃至25、図29乃至32を用いて説明する。図22(A)乃至25(A)、図29(A)乃至31(A)は本実施の形態の表示装置の上面図であり、図22(B)乃至25(B)、図29(B)乃至30(B)、32(B)は、図22(A)乃至25(A)、図29(A)乃至30(A)、図32(A)において、線A−A'による断面図であり、図31(B)は、図31(A)において、線C−C'による断面図である。本実施の形態の表示装置は、実施の形態1の図1を用いて説明した表示装置において、枠体と吸湿性物質を含む層を設ける構造が異なるものである。
本実施の形態で示す表示パネルの画素の構成について、図20に示す等価回路図を参照して説明する。
走査線側入力端子部と信号線側入力端子部とに保護ダイオードを設けた一態様について図21を参照して説明する。図21において画素3400にはTFT501、502が設けられている。このTFTは実施の形態4と同様な構成を有している。
図15は、本発明によって作製される、TFT基板2800を有するEL表示モジュールを構成する一例を示している。同図面において、TFT基板2800上には、画素により構成された画素部が形成されている。
本発明によって形成される表示装置によって、テレビジョン装置を完成させることができる。図13はテレビジョン装置の主要な構成を示すブロック図を示している。表示パネルには、図16で示すような構成として画素部801のみが形成されて走査線側駆動回路803と信号線側駆動回路802とがTAB方式により実装される場合と、図17に示すような構成として画素部801とその周辺に走査線側駆動回路803と信号線側駆動回路802とがCOG方式により実装される場合と、図18に示すようにSASでTFTを形成し、画素部801と走査線側駆動回路803を基板上に一体形成し信号線側駆動回路802を別途ドライバICとして実装する場合、また画素部801と信号線側駆動回路802と走査線側駆動回路803を基板上に一体形成する場合などがあるが、どのような形態としても良い。
本発明を適用して、様々な表示装置を作製することができる。即ち、それら表示装置を表示部に組み込んだ様々な電子機器に本発明を適用できる。
Claims (21)
- 一対の基板と、発光素子と、吸湿性物質を含む層と、枠体とを有し、
前記枠体は前記吸湿性物質を含む層を囲んで設けられ、
前記発光素子と、前記吸湿性物質を含む層と前記枠体とを内側に封じ込めるように、前記一対の基板は固着されることを特徴とする表示装置。 - 発光素子が設けられた画素部を有する第1の基板と、第2の基板と、吸湿性物質を含む層と、前記画素部を囲む枠体とを有し、
前記吸湿性物質を含む層は前記枠体に囲まれて設けられ、
前記第1の基板と前記第2の基板とは、前記画素部と、前記吸湿性物質を含む層と、前記枠体とを内側に封じ込めるように、シール材によって固着されることを特徴とする表示装置。 - 発光素子が設けられた画素部と駆動回路からなる回路部とを有する第1の基板と、第2の基板と、吸湿性物質を含む層と、前記画素部を囲む枠体と、前記画素部と前記回路部とを囲むシール材とを有し、
前記吸湿性物質を含む層は前記枠体と前記シール材との間に設けられ、
前記第1の基板と前記第2の基板とは、前記画素部と、前記回路部と、前記吸湿性物質を含む層と、前記枠体とを内側に封じ込めるように、前記シール材によって固着されることを特徴とする表示装置。 - 発光素子が設けられた画素部と駆動回路からなる回路部とを有する第1の基板と、第2の基板と、吸湿性物質を含む層と、前記画素部と前記回路部の一部とを囲む枠体とを有し、
前記吸湿性物質を含む層は前記枠体に囲まれて設けられ、
前記第1の基板と前記第2の基板とは、前記画素部と、前記回路部と、前記吸湿性物質を含む層と、前記枠体とを内側に封じ込めるように、シール材によって固着されることを特徴とする表示装置。 - 発光素子が設けられた画素部と駆動回路からなる回路部とを有する第1の基板と、第2の基板と、吸湿性物質を含む層と、前記画素部と前記回路部とを囲む枠体とを有し、
前記吸湿性物質を含む層は前記枠体に囲まれて設けられ、
前記第1の基板と前記第2の基板とは、前記画素部と、前記回路部と、前記吸湿性物質を含む層と、前記枠体とを内側に封じ込めるように、シール材によって固着されることを特徴とする表示装置。 - 発光素子が設けられた画素部と駆動回路からなる回路部とを有する第1の基板と、第2の基板と、吸湿性物質を含む層と、前記回路部を囲む枠体とを有し、
前記吸湿性物質を含む層は前記枠体に囲まれて設けられ、
前記第1の基板と前記第2の基板とは、前記画素部と、前記回路部と、前記吸湿性物質を含む層と、前記枠体とを内側に封じ込めるように、シール材によって固着されることを特徴とする表示装置。 - 発光素子が設けられた画素部と駆動回路からなる回路部とを有する第1の基板と、第2の基板と、吸湿性物質を含む層と、前記画素部と前記回路部とを囲む第1の枠体と、前記画素部を囲む第2の枠体とを有し、
前記吸湿性物質を含む層は前記第1の枠体と前記第2の枠体との間に設けられ、
前記第1の基板と、前記第2の基板は、前記画素部と、前記回路部と、前記吸湿性物質を含む層と、前記第1の枠体と、前記第2の枠体とを内側に封じ込めるように、シール材によって固着されることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、前記吸湿性物質を含む層は透光性を有することを特徴とする表示装置。
- 請求項2乃至請求項8のいずれか一項において、前記吸湿性物質を含む層は前記第2の基板に設けられることを特徴とする表示装置。
- 請求項2乃至請求項9のいずれか一項において、前記枠体と前記シール材とは同じ物質からなることを特徴とする表示装置。
- 第1の基板上に発光素子を形成し、
前記発光素子を囲んで枠体を形成し、
前記枠体で囲まれた領域に、液状の吸湿性物質を含む組成物を滴下し、
前記組成物を固化することにより吸湿性物質を含む層を形成し、
前記発光素子と、前記吸湿性物質を含む層と、前記枠体とを内側に封じ込めるように、前記第1の基板と第2の基板とをシール材によって固着することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 第1の基板上に発光素子と駆動回路とを形成し、
前記駆動回路を囲んで枠体を形成し、
前記発光素子と前記駆動回路とを囲んでシール材を形成し、
前記枠体と前記シール材の間に、液状の吸湿性物質を含む組成物を滴下し、
前記組成物を固化することにより吸湿性物質を含む層を形成し、
前記発光素子と、前記駆動回路と、前記吸湿性物質を含む層と、前記枠体とを内側に封じ込めるように、前記第1の基板と第2の基板とを前記シール材によって固着することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 第1の基板上に発光素子と駆動回路とを形成し、
前記発光素子と前記駆動回路とを囲んで枠体を形成し、
前記枠体で囲まれた領域に、液状の吸湿性物質を含む組成物を滴下し、
前記組成物を固化することにより吸湿性物質を含む層を形成し、
前記発光素子と、前記駆動回路と、前記吸湿性物質を含む層と、前記枠体とを内側に封じ込めるように、前記第1の基板と第2の基板とをシール材によって固着することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 第1の基板上に発光素子と駆動回路とを形成し、
前記駆動回路を囲んで枠体を形成し、
前記枠体で囲まれた領域に、液状の吸湿性物質を含む組成物を滴下し、
前記組成物を固化することにより吸湿性物質を含む層を形成し、
前記発光素子と、前記駆動回路と、前記吸湿性物質を含む層と、前記枠体とを内側に封じ込めるように、前記第1の基板と第2の基板とをシール材によって固着することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 第1の基板上に発光素子と駆動回路とを形成し、
前記発光素子と前記駆動回路とを囲んで第1の枠体を形成し、
前記発光素子を囲んで第2の枠体を形成し、
前記第1の枠体と第2の枠体との間に、液状の吸湿性物質を含む組成物を滴下し、
前記組成物を固化することにより吸湿性物質を含む層を形成し、
前記発光素子と、前記駆動回路と、前記吸湿性物質を含む層と、前記第1の枠体と、第2の枠体とを内側に封じ込めるように、前記第1の基板と第2の基板とをシール材によって固着することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項10乃至請求項15のいずれか一項において、前記組成物を加熱することで固化し、前記吸湿性物質を含む層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項10乃至請求項16のいずれか一項において、前記吸湿性物質を含む層は透光性を有するように形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項10乃至請求項17のいずれか一項において、前記吸湿性物質を含む層を前記第2の基板上に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項10乃至請求項18のいずれか一項において、前記枠体と、前記シール材は同じ物質を用いて形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項10乃至請求項19のいずれか一項において、前記組成物を、不活性気体雰囲気中で滴下することを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項10乃至請求項20のいずれか一項において、前記組成物を、減圧下で滴下することを特徴とする表示装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004368884A JP4801347B2 (ja) | 2003-12-26 | 2004-12-21 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003432005 | 2003-12-26 | ||
JP2003432005 | 2003-12-26 | ||
JP2004368884A JP4801347B2 (ja) | 2003-12-26 | 2004-12-21 | 表示装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005209633A true JP2005209633A (ja) | 2005-08-04 |
JP2005209633A5 JP2005209633A5 (ja) | 2007-11-15 |
JP4801347B2 JP4801347B2 (ja) | 2011-10-26 |
Family
ID=34914220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004368884A Expired - Fee Related JP4801347B2 (ja) | 2003-12-26 | 2004-12-21 | 表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4801347B2 (ja) |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006339049A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Tokki Corp | 封止膜形成装置 |
JP2007149542A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Kyocera Corp | 画像表示装置およびその製造方法 |
KR100773937B1 (ko) | 2005-12-19 | 2007-11-07 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 오엘이디 디스플레이 패널 |
JP2008016300A (ja) * | 2006-07-05 | 2008-01-24 | Seiko Epson Corp | 有機発光装置の製造方法、有機発光装置および電子機器 |
JP2008182164A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子及び発光装置 |
JP2008269893A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置 |
JP2008277063A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Hitachi Displays Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
JP2009129556A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Seiko Epson Corp | 発光装置及び電子機器 |
JP2009295486A (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Rohm Co Ltd | 有機el照明装置 |
KR20130023079A (ko) | 2011-08-26 | 2013-03-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 모듈, 발광 장치, 발광 모듈의 제작 방법, 발광 장치의 제작 방법 |
WO2013030919A1 (ja) * | 2011-08-29 | 2013-03-07 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスデバイス |
JP2013097195A (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-20 | Tokyo Institute Of Technology | 表示装置とその製造方法 |
WO2013136697A1 (ja) * | 2012-03-12 | 2013-09-19 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR20140013515A (ko) * | 2012-07-24 | 2014-02-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
KR101376845B1 (ko) * | 2008-03-18 | 2014-03-20 | 엘지전자 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
KR101493411B1 (ko) | 2008-07-22 | 2015-02-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
WO2017072920A1 (ja) * | 2015-10-29 | 2017-05-04 | 双葉電子工業株式会社 | 有機el表示装置 |
JP2019117929A (ja) * | 2010-06-25 | 2019-07-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
WO2021079796A1 (ja) * | 2019-10-21 | 2021-04-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001203076A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-07-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
JP2002158088A (ja) * | 2000-09-08 | 2002-05-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El表示装置 |
JP2003100449A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセンスパネル |
JP2003217827A (ja) * | 2002-01-22 | 2003-07-31 | Seiko Epson Corp | 封止用基板及びその製造方法、表示装置並びに電子機器 |
JP2003317971A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP2003347043A (ja) * | 2002-05-30 | 2003-12-05 | Hitachi Ltd | 有機エレクトロルミネセンス表示装置 |
-
2004
- 2004-12-21 JP JP2004368884A patent/JP4801347B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001203076A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-07-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
JP2002158088A (ja) * | 2000-09-08 | 2002-05-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El表示装置 |
JP2003100449A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセンスパネル |
JP2003217827A (ja) * | 2002-01-22 | 2003-07-31 | Seiko Epson Corp | 封止用基板及びその製造方法、表示装置並びに電子機器 |
JP2003317971A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP2003347043A (ja) * | 2002-05-30 | 2003-12-05 | Hitachi Ltd | 有機エレクトロルミネセンス表示装置 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006339049A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Tokki Corp | 封止膜形成装置 |
JP2007149542A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Kyocera Corp | 画像表示装置およびその製造方法 |
KR100773937B1 (ko) | 2005-12-19 | 2007-11-07 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 오엘이디 디스플레이 패널 |
JP2008016300A (ja) * | 2006-07-05 | 2008-01-24 | Seiko Epson Corp | 有機発光装置の製造方法、有機発光装置および電子機器 |
JP2008182164A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子及び発光装置 |
JP2008269893A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置 |
JP2008277063A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Hitachi Displays Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
JP2009129556A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Seiko Epson Corp | 発光装置及び電子機器 |
KR101376845B1 (ko) * | 2008-03-18 | 2014-03-20 | 엘지전자 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
JP2009295486A (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Rohm Co Ltd | 有機el照明装置 |
KR101493411B1 (ko) | 2008-07-22 | 2015-02-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
JP2019117929A (ja) * | 2010-06-25 | 2019-07-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US8803136B2 (en) | 2011-08-26 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting module, light-emitting device, method of manufacturing the light-emitting module, and method of manufacturing the light-emitting device |
US9577219B2 (en) | 2011-08-26 | 2017-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting module, light-emitting device, method of manufacturing the light-emitting module, and method of manufacturing the light-emitting device |
KR20130023079A (ko) | 2011-08-26 | 2013-03-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 모듈, 발광 장치, 발광 모듈의 제작 방법, 발광 장치의 제작 방법 |
WO2013030919A1 (ja) * | 2011-08-29 | 2013-03-07 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスデバイス |
JP2013097195A (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-20 | Tokyo Institute Of Technology | 表示装置とその製造方法 |
WO2013136697A1 (ja) * | 2012-03-12 | 2013-09-19 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR20140013515A (ko) * | 2012-07-24 | 2014-02-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
KR101926073B1 (ko) * | 2012-07-24 | 2018-12-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
WO2017072920A1 (ja) * | 2015-10-29 | 2017-05-04 | 双葉電子工業株式会社 | 有機el表示装置 |
WO2021079796A1 (ja) * | 2019-10-21 | 2021-04-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
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JP4801347B2 (ja) | 2011-10-26 |
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