WO2016086571A1 - 阵列基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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孙宏达
张立
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Definitions

  • FIG. 4 is a schematic diagram of a method for fabricating an array substrate according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic diagram of forming a first electrode on an oxide conductor layer according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic diagram of another method for fabricating an array substrate according to an embodiment of the present invention.
  • the active matrix OLED display device includes an array substrate 10 and a package substrate 20 which are packaged together, and a plurality of driving thin films arranged in a matrix are arranged on the substrate 11 of the array substrate 10.
  • the driving thin film transistor 100 includes a gate electrode 101, a source electrode 103, and a drain electrode 102.
  • the drain electrode 102 of the driving thin film transistor 100 is connected to the first electrode 12 to supply an electrical signal to the first electrode 12.
  • a light emitting function layer 13 is formed between the second electrode 15 and the first electrode 12, and when the driving thin film transistor 100 supplies an electrical signal to the first electrode 12, and at the same time, the circuit board supplies an electrical signal to the second electrode 15 through the transmission lead. A current is passed between the one electrode 12 and the second electrode 15, and the light-emitting functional layer is excited to emit light for display.
  • the first electrode is formed on the upper surface of the organic flat layer, and an oxide conductor layer is formed between the first electrode and the organic flat layer, that is, an oxide conductor layer is further formed between the organic flat layer and the metal or metal alloy electrode. Since the oxide conductor layer has good adhesion to the organic flat layer and the metal or metal alloy electrode, and the thermal expansion coefficient of the oxide conductor layer and the organic flat layer and the first electrode are not much different, the oxide conductor layer is formed in the organic The flat layer is not easy to fall off and is formed in oxidation The metal or metal alloy electrode on the conductor layer is also less likely to fall off.
  • the oxide conductor layer has a lattice distortion characteristic, it is advantageous for buffering and releasing the stress of the first electrode and the organic flat layer adjacent thereto. This is because the direct contact of different crystal structures may cause lattice stress to cause a large stress, which may cause contact problems, and the structure may be reduced by a structure in which the structure is in an intermediate state to alleviate the difference in lattice matching. Moreover, this also makes it difficult for the first electrode and the organic flat layer to fall off from the oxide conductor layer.
  • an alloy electrode made of aluminum and metal alloy electrode aluminum is taken as an example for detailed description.
  • the array substrate 10 includes an organic flat layer 14, and a first electrode 12 formed on the organic flat layer 14.
  • the first electrode 12 is an alloy electrode of aluminum or aluminum
  • an oxide conductor layer 16 is further formed between the first electrode 12 and the organic flat layer 14.
  • the array substrate may further include a passivation layer, a pixel defining layer, and the like.
  • the embodiments of the present invention only exemplify structures such as films or layers related to the inventive aspects of the present invention.
  • the oxide conductor layer 16 is in direct contact with the organic planar layer 14, and the first electrode 12 is formed on the upper surface of the oxide conductor layer 16.
  • an inert metal layer 17 is further formed between the oxide conductor layer 16 and the first electrode 12.
  • the material forming the inert metal layer may be any one of molybdenum, titanium, niobium, tantalum or a combination thereof.
  • the metal alloy may be an alloy of aluminum bismuth or an alloy of aluminum boron borohydride. The content of aluminum in the alloy of aluminum-boron-nickel accounts for 99.3% of the alloy, the content of boron accounts for 0.2% of the alloy, and the content of nickel accounts for 0.5% of the alloy.
  • an alloy electrode such as an active metal such as aluminum or an active metal such as aluminum is easily oxidized, and the display panel is used for a long period of time, the oxygen atoms in the oxide conductor layer partially migrate to oxidize the metal or metal alloy electrode to form an oxide.
  • the electric resistance of one electrode becomes large, so an inert metal layer is formed between the oxide conductor layer and the first electrode, and since the inert metal layer has good stability and good adhesion to the oxide conductor layer and the first electrode, Passing an inert metal layer It is advantageous to prevent the problem that the alloy electrode of the active metal or the active metal is oxidized.
  • an inert metal layer is formed between the oxide conductor layer and the first electrode, which is equivalent to making the oxide conductor layer, the inert metal layer and the first electrode connected in parallel, which is advantageous for further reducing the resistance of the first electrode and improving the display quality.
  • another stable metal may be used between the oxide conductor layer and the first electrode, such as gold, platinum, etc., but it is expensive, and the display panel is expensive.
  • the embodiment of the present invention can be oxidized.
  • a molybdenum metal layer is used between the object conductor layer and the first electrode.
  • the oxide conductor layer may be an indium tin oxide conductor layer (ie, ITO), an indium zinc oxide (IZO) layer, an indium tin zinc oxide (ITZO) layer, or an indium layer.
  • ITO indium tin oxide conductor layer
  • IZO indium zinc oxide
  • ITZO indium tin zinc oxide
  • the layer of gallium zinc oxide Indium Gallium Zinc Oxide, IGZO may also be a combined structure of these material layers.
  • the active matrix type OLED display panel includes an array substrate and a package substrate.
  • a plurality of thin film transistors arranged in a matrix are formed on the array substrate, and a first electrode, an organic light emitting functional layer, and a second electrode formed on the thin film transistor. If the display side of the display panel is a side close to the package substrate, the display panel is a top emission type display panel; the display side of the display panel is a side close to the array substrate, and the display panel is a bottom emission type display panel.
  • the array substrate provided by the embodiment of the invention can be applied to an active matrix display panel or a passive matrix display panel.
  • the array substrate 10 further includes a thin film transistor 100 under the organic flat layer 14.
  • the thin film transistor 100 includes a gate electrode 101, a source electrode 103 and a drain electrode 102, and the organic flat layer 14 is covered.
  • the first electrode 12 and the drain 102 are electrically connected
  • the display panel is a top emission type display panel
  • the second electrode 15 is a transparent conductive electrode.
  • the electrical connection of the first electrode to the drain can be achieved by:
  • the organic flat layer 14 is formed with a via hole at a position corresponding to the drain 102 of the thin film transistor 100, and the first electrode 12 and the oxide conductor layer 16 pass through the via hole and the thin film transistor 100.
  • the drain 102 is electrically connected. That is, the oxide conductor layer is electrically connected to the drain through direct contact with the drain, and the first electrode is in direct contact with the oxide conductor layer and is electrically connected to the drain.
  • the organic flat layer 14 and the oxide conductor layer 16 are formed with via holes at positions of the drain electrodes 102 of the corresponding thin film transistors 100, and the first electrodes 12 pass through the via holes and the drain of the thin film transistor 100. 102 is in direct contact with the electrical connection.
  • the organic flat layer and the oxide conductor layer are formed with via holes at the drain positions of the corresponding thin film transistors, and the first electrode and the inert metal layer are electrically connected to the drains of the thin film transistors through the via holes. That is, a via hole is formed on the organic flat layer and the oxide conductor layer, and the inert metal layer is electrically connected to the drain of the thin film transistor through the via hole, and the first electrode is in direct contact with the inert metal layer and is electrically connected to the drain.
  • An embodiment of the present invention provides a display device, including the array substrate according to any one of the embodiments of the present invention.
  • the display device may be a display device such as an OLED display and any product or component having a display function such as a television, a digital camera, a mobile phone, a tablet computer or the like including the display device.
  • An embodiment of the present invention provides a method for fabricating an array substrate, as shown in FIG. 4, including:
  • Step S102 forming an oxide conductor layer 16 on the organic flat layer 14, as shown in FIG.
  • the material forming the oxide conductor layer is any one of indium tin oxide, indium zinc oxide, indium tin zinc oxide, indium gallium zinc oxide, or a combination thereof.
  • the first electrode may be formed of a metal or a metal alloy.
  • the metal is aluminum and the metal alloy is aluminum alloy.
  • the aluminum alloy is an alloy of aluminum bismuth or an alloy of aluminum boron borohydride.
  • Step S104 forming the light-emitting function layer 13 and the second electrode 15, as shown in FIG.
  • the method further includes:
  • an inert metal layer 17 is formed on the oxide conductor layer 16, as shown in FIG.
  • the material forming the inert metal layer is any one of molybdenum, titanium, niobium, tantalum or a combination thereof.
  • the above step 103 may include forming the first electrode 12 on the inert metal layer 17.
  • the array substrate after the light-emitting function layer 13 and the second electrode 15 are formed on the first electrode 12 is as shown in FIG.
  • the above step 102 includes forming a via at a position corresponding to the drain 102 of the organic flat layer 14, as shown in FIG. 5.
  • Forming the via holes on the organic flat layer may be performed after the organic flat layer is formed, or may be formed at the position corresponding to the drain while the organic flat layer is formed.
  • the oxide conductor layer 16 formed on the organic flat layer 14 covers the via hole (ie, the drain electrode 102), and the formed first electrode 12 is electrically connected to the drain electrode 102 through the oxide conductor layer 16.
  • an inert metal layer 17 is formed on the oxide conductor layer 16, and the inert metal layer 17 covers the region corresponding to the drain electrode 102, and the formed first electrode 12 passes through the oxide conductor layer 16. The inert metal layer 17 is electrically connected to the drain 102.
  • the method further includes: forming a via hole in a region of the organic flat layer 14 and the oxide conductor layer 16 corresponding to the drain electrode 102, wherein the first electrode 12 passes the above The holes are electrically connected directly to the drain 102.
  • the method further includes: forming a via hole in the organic flat layer 14, the oxide conductor layer 16, and the region of the inert metal layer 17 corresponding to the drain 102.
  • the first electrode 12 is directly electrically connected to the drain 102 through the via hole.
  • the method before forming the inert metal layer on the oxide conductor layer, the method further includes: forming a via hole at a position where the organic flat layer and the oxide conductor layer correspond to the drain of the thin film transistor, and then the first electrode And an inert metal layer is electrically connected to the drain of the thin film transistor through the via. That is, a via hole is formed on the organic flat layer and the oxide conductor layer, and the inert metal layer is electrically connected to the drain of the thin film transistor through the via hole, and the first electrode is in direct contact with the inert metal layer. Electrically connected to the drain.

Abstract

一种阵列基板及其制作方法、显示装置。该阵列基板包括：第一电极（12），第二电极（15），位于所述第一电极（12）和所述第二电极（15）之间的发光功能层（13），以及有机平坦层（14），所述第一电极（12）形成在所述有机平坦层（14）的上面，所述第一电极（12）包括金属或金属合金电极，所述有机平坦层（14）与所述第一电极（12）之间还形成有氧化物导体层（16）。

Description

阵列基板及其制作方法、显示装置 技术领域
本发明的实施例涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED，Organic Light-Emitting Diode)显示面板因其可自发光显示，并由有机材料制备，而可以被卷曲、折叠等而备受青睐。OLED显示面板的发光原理是：在两个电极之间沉积有机材料，通过两个电极对该有机材料通电而使其发光。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
根据本发明的实施例，提供了一种阵列基板，包括：第一电极；第二电极；位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光功能层；以及有机平坦层，其中，所述第一电极形成在所述有机平坦层的上面，所述第一电极包括金属或金属合金电极；并且所述有机平坦层与所述第一电极之间还形成有氧化物导体层。
本发明实施例提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的任一所述的阵列基板。
本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括：形成有机平坦层；在所述有机平坦层上形成氧化物导体层；以及在所述氧化物导体层上形成第一电极；形成发光功能层以及第二电极。
附图说明
以下将结合附图对本发明的实施例进行更详细的说明，以使本领域普通技术人员更加清楚地理解本发明，其中：
图1为一种OLED显示面板示意图；
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种阵列基板示意图；
图4为本发明实施例提供的一种阵列基板制作方法示意图；
图5为本发明实施例提供的一种形成有机平坦层的示意图；
图6为本发明实施例提供的一种在有机平坦层上形成氧化物导体层示意图；
图7为本发明实施例提供的一种在氧化物导体层上形成第一电极示意图；
图8为本发明实施例提供的另一种阵列基板制作方法示意图；
图9为本发明实施例提供的一种在氧化物导体层上形成惰性金属层示意图；
图10为本发明实施例提供的一种在惰性金属层上形成第一电极示意图；
图11为本发明实施例提供的一种第一电极与漏极电连接示意图；
图12为本发明实施例提供的另一种第一电极与漏极电连接示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另作定义，本文使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其它元件或者物件。“上”、“下”、等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变，例如，本发明实施例中的“上”、“下”以制造薄膜时的先后顺序为准，例如，在上的薄膜是指相对在后形成的薄膜，在下的薄膜是指相对在先形成的薄膜。
如图1所示，有源矩阵OLED显示装置包括封装在一起的阵列基板10和封装基板20，在阵列基板10的衬底11上设置有矩阵排布的多个驱动薄 膜晶体管100以及第一电极12、发光功能层(有机材料)13以及第二电极15。驱动薄膜晶体管100包括栅极101、源极103以及漏极102，驱动薄膜晶体管100的漏极102与第一电极12连接，向第一电极12提供电信号。第二电极15和第一电极12之间形成有发光功能层13，当驱动薄膜晶体管100向第一电极12提供电信号，且同时线路板通过传输引线向第二电极15提供电信号，在第一电极12和第二电极15之间有电流通过，激发发光功能层发光实现显示。
由于第一电极为导电电极，为了减小导电电极的电阻，导电电极一般采用金属或其合金形成，例如第一电极为铝钕的合金。如图1所示，阵列基板12还包括由有机材料形成的有机平坦层14，第一电极12形成在有机平坦层14的上面。而有机平坦层的热膨胀系数与金属或其合金层的热膨胀系数差异较大，且金属或其合金层在有机平坦层上的附着力较小，在显示器件制备过程中的加热会导致金属或其合金层变形以及长期工作的情况下，会导致金属或其合金层与有机平坦层脱落。如图1所示，薄膜晶体管100长期工作发热，会导致第一电极12与有机平坦层14脱落，进而影响显示质量。
本发明的实施例提供了一种阵列基板，包括：第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的发光功能层，还包括有机平坦层，第一电极形成在有机平坦层的上面，第一电极为金属或金属合金电极，有机平坦层与金属或金属合金电极之间还形成有氧化物导体层。
需要说明的是，上述第一电极和第二电极可以分别是阴极和阳极，即当第一电极为阴极时，则第二电极为阳极；或者，当第二电极为阴极时，则第一电极为阳极。这里阴极和阳极是与发光功能层的电流方向有关，阴极用于向发光功能层传输电子，阳极用于向发光功能层传输空穴。例如，若第一电极为金属或金属合金电极，则第二电极可以是ITO(Indium tin oxide，氧化铟锡)等形成的透明电极。
第一电极形成在有机平坦层的上面，第一电极与有机平坦层之间形成有氧化物导体层，即有机平坦层与金属或金属合金电极之间还形成有氧化物导体层。由于氧化物导体层与有机平坦层和金属或金属合金电极都具有良好的附着性，且氧化物导体层与有机平坦层和第一电极的热膨胀系数相差不大，从而氧化物导体层形成在有机平坦层上不易脱落，且形成在氧化 物导体层上的金属或金属合金电极也不易脱落。此外，由于氧化物导体层具有晶格畸变的特性，其有利于缓冲和释放与其相邻的第一电极以及有机平坦层的应力。这是因为不同晶体结构的直接接触会存在晶格匹配导致应力较大，从而导致接触问题，而通过一层结构处于中间态的结构来缓解晶格匹配的差异，可以减少此种应力。而且，这样也使得第一电极和有机平坦层均不易与氧化物导体层脱落。本发明实施例以金属为铝，金属合金电极铝的合金电极为例进行详细说明。
如图2所示，阵列基板10包括有机平坦层14、形成在有机平坦层14上面的第一电极12。例如，第一电极12为铝或铝的合金电极，在第一电极12与有机平坦层14之间还形成有氧化物导体层16。需要说明的是，阵列基板还可以包括钝化层、像素界定层等，本发明实施例仅列举与本发明的发明点相关的薄膜或层等结构。如图2所示，氧化物导体层16与有机平坦层14直接接触，且第一电极12形成在氧化物导体层16的上面。由于第一电极12与氧化物导体层16的附着性较好，且同时氧化物导体层16与有机平坦层14的附着性也较好，同时由于氧化物导体层16的热膨胀系数与有机平坦层14和第一电极12的热膨胀系数均相差不大，因此，阵列基板上的薄膜或层结构会更牢靠，即使长期使用，第一电极12也不易与氧化物导体层16脱开，由此提高显示面板的使用的显示质量。另一方面，氧化物导体层具有晶格畸变的特性，其有利于缓冲和释放与其相邻的金属或金属合金电极的应力以及有机平坦层的应力，例如在氧化物导体层上形成第一电极时，第一电极形成过程中产生的应力可以通过氧化物导体层吸收，而不易与氧化物导体层脱落。
可选的，如图3所示，在氧化物导体层16和第一电极12之间还形成有惰性金属层17。可选的，形成惰性金属层的材料可以为钼、钛、钽、铌中的任意一种或其组合。金属合金可以为铝钕的合金或铝硼镍的合金。铝硼镍的合金中铝的含量占合金的99.3％，硼的含量占合金的0.2％，镍的含量占合金的0.5％。由于铝等活泼金属或铝等活泼金属的合金电极容易被氧化，而显示面板长期使用的情况下，氧化物导体层中的氧原子会有部分迁移将金属或金属合金电极氧化形成氧化物，第一电极的电阻变大，因此在氧化物导体层和第一电极之间形成惰性金属层，由于惰性金属层的稳定性好，且与氧化物导体层和第一电极均有良好的附着性，则通过惰性金属层 有利于防止活泼金属或活泼金属的合金电极被氧化的问题。此外，在氧化物导体层和第一电极之间形成有惰性金属层，相当于使得氧化物导体层、惰性金属层以及第一电极并联，有利于进一步减小第一电极的电阻，提升显示品质。
例如，在氧化物导体层和第一电极之间还可以是采用其他稳定性好的金属，例如可以是金、铂等，但其价格昂贵，显示面板成本高，本发明实施例例如可以在氧化物导体层和第一电极之间使用钼金属层。
可选的，氧化物导体层可以为铟锡氧化物导体层(即ITO)、铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)层、铟锡锌氧化物(Indium tin Zinc Oxide，ITZO)层或铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)层，也可以是这些材料层的组合结构。
需要说明的是，有源矩阵型OLED显示面板包括阵列基板和封装基板。阵列基板上形成有矩阵排布的多个薄膜晶体管，以及形成在薄膜晶体管上面的第一电极、有机发光功能层以及第二电极。若显示面板的显示侧为靠近封装基板的一侧，显示面板为顶发射型显示面板；显示面板的显示侧为靠近阵列基板的一侧，显示面板为底发射型显示面板。本发明实施例提供的阵列基板可适用于有源矩阵显示面板，也可以是无源矩阵显示面板。
可选的，如图2、图3所示，阵列基板10还包括位于有机平坦层14下方的薄膜晶体管100，薄膜晶体管100包括栅极101、源极103和漏极102，有机平坦层14覆盖薄膜晶体管100，第一电极12与漏极102电连接，显示面板为顶发射型显示面板，第二电极15为透明导电电极。还可以如图3所示，在氧化物导体层16与第一电极12之间形成惰性金属层17。即顶发射型显示面板靠近的显示侧的第二电极为透明导电电极，而远离显示侧的第一电极为金属或金属合金形成的高反射率电极。
透明导电电极可以是利用本发明实施例提供的ITO、IZO、ITZO或IGZO等形成。
例如，第一电极与漏极电连接可以通过以下方式实现：
可选的，如图2所示，有机平坦层14在对应薄膜晶体管100的漏极102位置处形成有过孔，第一电极12与氧化物导体层16通过所述过孔与薄膜晶体管100的漏极102电连接。即氧化物导体层通过所述过孔与漏极直接接触电连接，第一电极与氧化物导体层直接接触，与漏极电连接。
或者，如图11所示，有机平坦层14和氧化物导体层16在对应薄膜晶体管100的漏极102位置处形成有过孔，第一电极12通过所述过孔与薄膜晶体管100的漏极102直接接触电连接。
在阵列基板还包括惰性金属层的情况下，第一电极与漏极电连接可以通过以下方式实现：
可选的，如图10所示，有机平坦层14在对应所述薄膜晶体管100的漏极102位置处形成有过孔，第一电极12、惰性金属层17与氧化物导体层16通过所述过孔与薄膜晶体管100的漏极102电连接。
或者，有机平坦层和氧化物导体层在对应薄膜晶体管的漏极位置处形成有过孔，第一电极、惰性金属层通过所述过孔与薄膜晶体管的漏极电连接。即在有机平坦层和氧化物导体层上形成过孔，惰性金属层通过所述过孔与薄膜晶体管的漏极直接接触电连接，第一电极与惰性金属层直接接触，与漏极电连接。
或者，如图12所示，有机平坦层14、氧化物导体层16和惰性金属层17在对应薄膜晶体管100的漏极102的位置处形成有过孔，第一电极12通过所述过孔与薄膜晶体管100的漏极102直接接触电连接。
本发明实施例提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的任一所述的阵列基板。所述显示装置可以为OLED显示器等显示器件以及包括这些显示器件的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。
本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，如图4所示，包括：
步骤S101、形成有机平坦层14，如图5所示。
步骤S102、在有机平坦层14上形成氧化物导体层16，如图6所示。形成氧化物导体层的材料为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物、铟镓锌氧化物中的任意一种或其组合。
步骤S103、在氧化物导体层16上形成第一电极12，如图7所示。第一电极可以是通过金属或金属合金形成。例如，金属为铝，金属合金为铝合金。例如，铝合金为铝钕的合金或铝硼镍的合金。
步骤S104、形成发光功能层13以及第二电极15，如图2所示。
或者，如图8所示，在上述步骤S102和步骤S103之间还包括：
步骤S105、在氧化物导体层16上形成惰性金属层17，如图9所示。 例如，形成惰性金属层的材料为钼、钛、钽、铌中的任意一种或其组合。
如图10所示，上述步骤103可以包括：在惰性金属层17上形成第一电极12。在第一电极12上形成发光功能层13以及第二电极15后的阵列基板如图3所示。
可选的，在上述步骤S101之前，所述方法还包括：形成薄膜晶体管，如图5-图7以及图9-图10所示，薄膜晶体管100包括形成栅极101、源极103和漏极102。在显示面板为顶发射型显示面板的情况下，有机平坦层14覆盖薄膜晶体管100，第一电极12与漏,102电连接，第二电极15为透明导电电极。
需要说明的是，第一电极与漏极电连接，例如，通过过孔电连接。第一电极通过过孔与漏极电连接可以通过以下方式实现：
可选的，上述步骤102包括：在有机平坦层14对应漏极102的位置处形成过孔，如图5所示。在有机平坦层上形成过孔可以是在形成有机平坦层之后进行，也可以是在制作有机平坦层的同时在对应漏极的位置处形成过孔。
如图6、图7所示，在有机平坦层14上形成的氧化物导体层16覆盖过孔(即漏极102)，形成的第一电极12通过氧化物导体层16与漏极102电连接。或者，如图9、图10所示，在氧化物导体层16上还形成有惰性金属层17，惰性金属层17覆盖对应漏极102的区域，形成的第一电极12通过氧化物导体层16以及惰性金属层17与漏极102电连接。
或者，如图11所示，在形成第一电极12之前，所述方法还包括：在有机平坦层14、氧化物导体层16对应漏极102的区域形成过孔，第一电极12通过上述过孔直接与漏极102电连接。
又可选的，如图12所示，在形成第一电极12之前，所述方法还包括：在有机平坦层14、氧化物导体层16以及惰性金属层17对应漏极102的区域形成过孔，第一电极12通过上述过孔直接与漏极102电连接。
还可选的，在氧化物导体层上形成惰性金属层之前，所述方法还包括：在有机平坦层和氧化物导体层对应所述薄膜晶体管漏极的位置处形成过孔，则第一电极和惰性金属层通过所述过孔与薄膜晶体管的漏极电连接。即，在有机平坦层和氧化物导体层上形成过孔，惰性金属层通过所述过孔与薄膜晶体管的漏极直接接触电连接，第一电极与惰性金属层直接接触， 与漏极电连接。
形成过孔的方式有多种方式。例如，在有机平坦层和氧化物导体层对应薄膜晶体管漏极的位置处形成过孔，可以是形成有机平坦层薄膜和氧化物导体薄膜之后，同时在有机平坦层薄膜和氧化物导体薄膜对应薄膜晶体管漏极的位置处形成过孔；还可以是形成有机平坦层并在对应薄膜晶体管漏极的位置处形成过孔，之后形成氧化物导体层并在对应薄膜晶体管漏极的位置处形成过孔。
根据本发明的实施例提供的一种阵列基板及其制作方法、显示装置，所述阵列基板包括：第一电极；第二电极；位于第一电极和第二电极之间的发光功能层；以及有机平坦层；其中第一电极形成在有机平坦层的上面，所述第一电极包括金属或金属合金电极，有机平坦层与金属或金属合金电极之间还形成有氧化物导体层。由于氧化物导体层与有机平坦层和金属或金属合金电极都具有良好的附着性，且氧化物导体层与有机平坦层和第一电极的热膨胀系数相差较小，从而使得在有机平坦层上形成的氧化物导体层本身不易脱落，且形成在氧化物导体层上的金属或金属合金电极也不易脱落。此外，由于氧化物导体层具有晶格畸变的特性，其有利于缓冲和释放与其相邻的第一电极以及有机平坦层的应力，也使第一电极和有机平坦层均不易与氧化物导体层脱落。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所附权利要求的保护范围为准。
本申请要求于2014年12月1日提交的名称为“一种阵列基板及其制作方法、显示装置”的中国专利申请No.201410720593.9的优先权，其全文通过引用合并于本文。

Claims (18)

  1. 一种阵列基板，包括：
    第一电极；
    第二电极；
    位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光功能层；以及
    有机平坦层；
    其中，所述第一电极形成在所述有机平坦层的上面，所述第一电极为金属或金属合金电极；并且
    所述有机平坦层与所述第一电极之间还形成有氧化物导体层。
  2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其中，在所述氧化物导体层和所述第一电极之间还形成有惰性金属层。
  3. 根据权利要求2所述的阵列基板，其中，形成所述惰性金属层的材料包括钼、钛、钽、铌中的任意一种或其组合。
  4. 根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其中，形成所述氧化物导体层的材料包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物、铟镓锌氧化物中的任意一种或其组合。
  5. 根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其中，所述金属包括铝，并且所述金属合金包括铝合金。
  6. 根据权利要求5所述的阵列基板，其中，所述铝合金包括铝钕的合金或铝硼镍的合金。
  7. 根据权利要求1或4-6任一项所述的阵列基板，还包括位于所述有机平坦层下方的薄膜晶体管；
    其中，所述有机平坦层在对应所述薄膜晶体管漏极的位置处形成有过孔，所述第一电极与所述氧化物导体层通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接；或者，
    所述有机平坦层和所述氧化物导体层在对应所述薄膜晶体管漏极的位置处形成有过孔，所述第一电极通过位于所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极直接接触电连接。
  8. 根据权利要求2或3所述的阵列基板，还包括位于所述有机平坦层下方的薄膜晶体管；
    其中所述有机平坦层在对应所述薄膜晶体管漏极的位置处形成有过孔，所述第一电极、所述惰性金属层与所述氧化物导体层通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接；或者，
    所述有机平坦层和所述氧化物导体层在对应所述薄膜晶体管漏极的位置处形成有过孔，所述第一电极、所述惰性金属层通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接；或者，
    所述有机平坦层、所述氧化物导体层和所述惰性金属层在对应所述薄膜晶体管漏极的位置处形成有过孔，所述第一电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极直接接触电连接。
  9. 一种显示装置，包括权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
  10. 一种阵列基板的制作方法，包括：
    形成有机平坦层；
    在所述有机平坦层上形成氧化物导体层；
    在所述氧化物导体层上形成第一电极，其中所述第一电极为金属或金属合金电极；以及
    形成发光功能层以及第二电极。
  11. 根据权利要求10所述的制作方法，还包括：在所述有机平坦层上形成氧化物导体层之后，且在所述氧化物导体层上形成第一电极之前，在所述氧化物导体层上形成惰性金属层。
  12. 根据权利要求11所述的制作方法，其中，在所述惰性金属层上形成所述第一电极。
  13. 根据权利要求10所述的制作方法，还包括：在形成有机平坦层之前，形成薄膜晶体管；
    所述形成所述有机平坦层包括：在所述有机平坦层对应所述薄膜晶体管漏极的位置处形成过孔，使得所述第一电极与所述氧化物导体层通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接；或者，
    在形成第一电极之前，所述方法还包括：在所述有机平坦层、所述氧化物导体层对应所述薄膜晶体管漏极的位置处形成过孔，使得所述第一电极通过位于所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极直接接触电连接。
  14. 根据权利要求11-13任一项所述的制作方法，还包括：在形成有机平坦层之前，形成薄膜晶体管；
    所述形成所述有机平坦层包括：在有机平坦层对应所述薄膜晶体管漏极的位置处形成过孔，使得所述第一电极、所述惰性金属层与所述氧化物导体层通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接；或者，
    所述方法还包括：在所述氧化物导体层上形成惰性金属层之前，在所述有机平坦层和所述氧化物导体层对应所述薄膜晶体管漏极的位置处形成过孔，使得所述第一电极、所述惰性金属层通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接；或者，
    所述方法还包括：在形成所述第一电极之前，在所述有机平坦层、所述氧化物导体层和所述惰性金属层对应所述薄膜晶体管漏极的位置处形成过孔，使得所述第一电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极直接接触电连接。
  15. 根据权利要求11-12和14任一项所述的制作方法，其中，形成所述惰性金属层的材料包括钼、钛、钽、铌中的任意一种或其组合。
  16. 根据权利要求10-15任一项所述的制作方法，其中，形成所述氧化物导体层的材料包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物、铟镓锌氧化物中的任意一种或其组合。
  17. 根据权利要求10-16任一项所述的制作方法，其中，所述金属为铝，所述金属合金为铝合金。
  18. 根据权利要求16所述的制作方法，其中，所述铝合金为铝钕的合金或铝硼镍的合金。
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