CN115568243B - 显示装置、显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种显示装置、显示面板及其制备方法。该显示装置包括衬底、显示单元、绑定单元和封装层；其中，衬底包括相邻的有效显示区和非显示区，衬底包括含硅化合物材料；显示单元设置于有效显示区；绑定单元设置于非显示区，包括绑定部和多条信号连接线，信号连接线连接显示单元与绑定部；封装层包覆于显示单元和部分信号连接线，包括依次层叠设置的第一封装层、第二封装层和第三封装层，第一封装层和第三封装层包括含硅化合物材料，第二封装层包括有机材料；封装层覆盖每条信号连接线的一部分，每条信号连接线在封装层的覆盖区域内的至少部分为重掺杂半导体连接线。该显示面板提高了封装层与信号连接线之间封装有效性。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置、显示面板及其制备方法。
背景技术
随着光电显示技术和半导体制造技术的发展，搭配薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)的显示面板的技术已经越来越成熟，尤其是机发光二级管显示器(TFT-OLED)，其在厚度、色彩饱和度、对比度、柔性显示等方面均具有更加明显的优势，OLED显示器的发展具有广阔的前景。
目前，由于OLED使用的有机发光材料对水汽和氧气非常敏感，遇到水氧很容易发生变质而失效，导致显示异常，所以OLED都需要进行封装保护，以阻隔水氧侵入面板。通常，封装结构一般包括氮氧化硅层、有机层、氮化硅层三层结构，以对OLED进行有效保护，且封装层会整个包覆OLED显示面板，从而阻隔外界水氧。
然而，由于绑定单元的绑定部需要和驱动IC等进行绑定连接，所以绑定部不能被封装层覆盖，封装层会覆盖在绑定部连接到显示区的信号连接线上，存在封装层最下层与信号连接线的接触面密封性较差导致水氧易从绑定部沿信号连接线侵入显示区造成OLED失效的问题，从而引起显示面板显示不良的问题。
发明内容
本申请提供的显示装置、显示面板及其制备方法，旨在解决封装层最下层与信号连接线的接触面密封性较差导致水氧易从绑定部沿信号连接线侵入显示区造成OLED失效的问题。
为解决上述技术问题，本申请采用的第一个技术方案是：提供一种显示面板。该显示面板包括：
衬底，包括有效显示区和与所述有效显示区相邻的非显示区；所述衬底包括含硅化合物材料；
显示单元，用于显示图像，设置于所述衬底的一侧的所述有效显示区；
绑定单元，设置于所述衬底的一侧的所述非显示区，包括绑定部和多条信号连接线，所述信号连接线的两端分别连接于所述显示单元和所述绑定部；
封装层，包覆于所述显示单元和部分所述信号连接线，用于封装所述显示单元和所述信号连接线，沿背离所述衬底的方向包括依次层叠设置的第一封装层、第二封装层和第三封装层，所述第一封装层和所述第三封装层包括含硅化合物材料，所述第二封装层包括有机材料；
其中，封装层覆盖每条所述信号连接线的一部分，每条所述信号连接线在所述封装层的覆盖区域内的至少部分为重掺杂半导体连接线，以使所述第一封装层包覆于所述重掺杂半导体连接线。
其中，至少部分所述信号连接线的全部为所述重掺杂半导体连接线，所述第一封装层包覆于所述重掺杂半导体连接线，且使重掺杂半导体连接线靠近所述绑定部的一端暴露，以用于连接所述绑定部。
其中，至少部分所述信号连接线包括相互连接的金属连接线和所述重掺杂半导体连接线，且所述金属连接线的长度大于所述重掺杂半导体连接线的长度。
其中，至少部分所述信号连接线包括依次连接的第一金属线、重掺杂半导体连接线和第二金属线，所述第一金属线连接所述绑定部，所述第二金属线连接所述显示单元，以形成所述信号连接线，且所述第一金属线和所述第二金属线的长度之和大于所述重掺杂半导体连接线的长度。
其中，所述重掺杂半导体连接线包括N型重掺杂半导体材料或P型重掺杂半导体材料，所述N型重掺杂半导体材料和所述P型重掺杂半导体材料的掺杂浓度均大于或等于1019cm-3。
其中，所述重掺杂半导体连接线包括重掺杂半导体层和无机氧化物层，所述无机氧化物层的无机氧化物对应于所述重掺杂半导体连接线的半导体，所述无机氧化物层包覆于所述重掺杂半导体层的表面，且被所述第一封装层包覆。
未解决上述技术问题，本申请采用的第二个技术方案是：提供一种显示面板的制备方法。该制备方法包括：
提供衬底，所述衬底包括有效显示区和与所述有效显示区相邻的非显示区，且所述衬底包括含硅化合物材料；
在衬底上制作显示单元和绑定部；所述显示单元形成于所述衬底的一侧的所述有效显示区，所述绑定部位形成于所述显示单元的一侧的所述非显示区；
在所述有效显示区与所述绑定部之间的所述非显示区制作信号连接线，且将所述信号连接线的两端分别电连接于所述驱动电路层和所述绑定部；其中，每条所述信号连接线至少部分为重掺杂半导体连接线；
制作封装层；沿背离所述衬底的方向依次制作层叠设置的第一封装层、第二封装层和第三封装层，所述第一封装层和所述第三封装层包括含硅化合物材料，所述第二封装层包括有机材料，并使所述第一封装层包覆于所述显示单元和每条所述信号连接线的一部分；其中，每条所述信号连接线在所述封装层的覆盖区域内的至少部分为重掺杂半导体连接线，以将所述第一封装层包覆于所述重掺杂半导体连接线。
其中，所述在所述有效显示区与所述绑定部之间的所述非显示区制作信号连接线，且将所述信号连接线的两端分别电连接于所述驱动电路层和所述绑定部的步骤包括：
采用化学气相沉积法形成所述重掺杂半导体连接线；或，采用离子注入法形成所述重掺杂半导体连接线；
将所述重掺杂半导体连接线暴露于空气中，以在重掺杂半导体连接线的表面形成无机氧化物层；
其中，所述重掺杂半导体连接线包括N型重掺杂半导体材料或P型重掺杂半导体材料，所述N型重掺杂半导体材料和所述P型重掺杂半导体材料的掺杂浓度均大于或等于1019cm-3。
其中，所述在所述有效显示区与所述绑定部之间的所述非显示区制作信号连接线，且将所述信号连接线的两端分别电连接于所述显示单元和所述绑定部的步骤还包括：
在所述有效显示区与所述绑定部之间制作金属连接线，将所述金属连接线的一端连接于所述重掺杂半导体连接线的一端，以形成至少部分所述信号连接线，并使所述金属连接线的长度大于所述重掺杂半导体连接线；和/或，
在所述有效显示区与所述绑定部之间制作第一金属线和第二金属线，将所述第一金属线、所述重掺杂半导体连接线和所述第二金属线依次连接，以形成至少部分所述信号连接线，并使所述第一金属线和所述第二金属线的长度之和大于所述重掺杂半导体连接线的长度。
为解决上述技术问题，本申请采用的第三个技术方案是：提供一种显示装置。该显示装置包括：
显示面板，用于显示图像，所述显示面板为上述所涉及的显示面板；
控制板，绑定于所述绑定部，以通过所述绑定部控制所述显示面板显示图像。
本申请提供的显示装置、显示面板及其制备方法，该显示面板包括衬底、显示单元、绑定单元和封装层，通过使封装层沿背离衬底的方向包括依次层叠设置的第一封装层、第二封装层和第三封装层，其中第一封装层和第三封装层包括含硅化合物材料，第二封装层包括有机材料，以有效隔绝外界水氧，避免外界水氧侵入显示单元导致显示单元中OLED材料失效造成显示异常的问题；进一步地，信号连接线两端分别连接于显示单元和绑定部，已进行驱动信号的传输，并通过使封装层覆盖每条信号连接线的一部分，以免水氧从绑定部一侧侵入显示单元；同时，通过使每条信号连接线在封装层的覆盖区域内的至少部分为重掺杂半导体连接线，使得重掺杂半导体连接线与第一封装层之间的晶格匹配度较好，从而提高了第一封装层与重掺杂半导体连接线的接触面的密封性；而且，由于衬底保护含硅化合物材料，使得重掺杂半导体连接线与衬底之间的晶格匹配度较好，从而使得重掺杂半导体连接线在周向上完全被衬底和第一封装层包覆，从而避免外界水氧沿信号连接线与第一封装层或衬底的接触面侵入显示单元，造成OLED失效的问题。进一步地，重掺杂半导体连接线的表面易被氧化而形成相应的无机氧化层，由于无机氧化层的无机氧化物分子与第一封装层的含硅化合物分子的晶格匹配度更高，使得该无机氧化层与第一封装层之间的密封性更好，进一步提高了封装层与信号连接线之间的密封性；从而避免因封装层最底层与信号连接线的接触面密封性较差导致水氧易从绑定部沿信号连接线侵入显示区造成OLED失效的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：
图1是本申请一实施例提供的显示面板的俯视结构示意图；
图2是图1中显示面板的A-A向的剖面结构示意图；
图3是图1中显示面板的B-B向的剖面结构示意图；
图4是本申请第一实施例提供的显示面板的俯视结构示意图；
图5是本申请第二实施例提供的显示面板的俯视结构示意图；
图6是本申请第三实施例提供的显示面板的俯视结构示意图；
图7是本申请第四实施例提供的显示面板的剖面结构示意图；
图8是本申请一实施方式提供的显示面板的制备方法的流程示意图；
图9是图8中步骤S30的一实施方式的流程示意图；
图10是本申请一实施例提供的显示装置的结构示意图。
附图标记：
1-显示面板；10-衬底；11-有效显示区；12-非显示区；20-显示单元；21-驱动电路层；22-平坦层；23-有机发光单元；231-有机发光层；30-绑定单元；31-绑定部；311-绑定端子；32-信号连接线；321-重掺杂半导体连接线；3211-重掺杂半导体层；3212-无机氧化物层；322-金属连接线；323-第一金属线；324-第二金属线；40-封装层；41-第一封装层；42-第二封装层；43-第三封装层；100-显示装置；2-控制板。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其他实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其他实施例相结合。
下面结合附图和实施例对本申请进行详细的说明。
请参阅图1-3，图1是本申请一实施例提供的显示面板的俯视结构示意图，图2是图1中显示面板的A-A向的剖面结构示意图，图3是图1中显示面板的B-B向的剖面结构示意图。
本实施例提供一种显示面板1，该显示面板1包括衬底10、设置于衬底10上的显示单元20和绑定单元30以及封装层40。其中，衬底10包括有效显示区11和与有效显示区11相邻的非显示区12；有效显示区11用于设置显示单元20，以用于显示图像；通常，有效显示区11的形状与显示单元20的形状相匹配。非显示区12位于有效显示区11的四周，与有效显示区11相邻，用于设置绑定单元30和其他非显示元器件，例如布线单元、驱动单元等。具体地，衬底10包括含硅化合物材料，例如，衬底10可为含硅的玻璃衬底10或石英衬底10等，用于支撑和保护设置于衬底10上的显示单元20、绑定单元30等。
如图2所示，显示单元20设置于衬底10的一侧，且位于衬底10的有效显示区11，用于显示图像。沿背离衬底10的方向，显示单元20可包括层叠设置的驱动电路层21、平坦层22、有机发光单元23。驱动电路层21设置于衬底10的一侧，平坦层22设置于驱动电路层21背离衬底10的一侧，平坦层22可用于平坦化驱动电路层21背离衬底10的一侧的地势，同时也可兼做绝缘层，以与其他相邻的金属层绝缘，避免线路发生短路；有机发光单元23设置于平坦层22背离衬底10的一侧，且与驱动电路层21电连接，以接收驱动电路层21的驱动信号而发光显示图像。具体地，有机发光单元23可包括有机发光层231、第一电极和第二电极，第一电极和第二电极分别电连接于有机发光层231，第一电极和第二电极分别为阳极和阴极，电连接于驱动电路层21，以使驱动电路层21驱动有机发光层231发光显示图像，有机发光层231具体可包括OLED材料。
绑定单元30设置于衬底10的一侧，与显示单元20设置于衬底10的同一侧，且位于非显示区12。具体地，绑定单元30包括绑定部31和多条信号连接线32；绑定部31设置于有效显示区11的一侧的非显示区12，信号连接线32位于显示单元20与绑定部31之间，且连接信号线的两端分别连接于显示单元20和绑定部31；绑定部31包括多个绑定端子311，多个绑定端子311与多条信号连接线32一一对应连接，绑定端子311具体可由信号连接线32靠近绑定部31的一端延伸至绑定部31而形成，用于绑定驱动IC，从而使驱动IC通过信号连接线32传输相关驱动信号，以控制显示面板1显示图像。
具体地，封装层40设置于显示单元20信号连接线32背离衬底10的一侧，且包覆于显示单元20和部分信号连接线32，用于封装显示单元20和信号连接线32，以将显示单元20设置于封装层40与衬底10围设的空间内部，隔离外部的水汽和氧气，避免外界水氧侵入显示单元20，导致显示单元20中的有机发光单元23接触水氧而变质失效，进而引起显示面板1的显示异常。进一步地，位于非显示区12，信号连接线32所在的区域中，封装层40还包覆于部分信号连接线32；具体地，封装层40从有效显示区11延伸至非显示区12，并包覆部分非显示区12，从而提高封装层40的封装有效性，避免外界水氧从有效显示区11的侧边侵入有效显示区11，进而接触有机发光单元23的有机发光层231，导致有机发光层231编织失效。
容易理解，为避免封装层40受热和光照影响而老化变质，进而导致封装失效的问题，封装层40包括沿背离衬底10的方向依次层叠设置的第一封装层41、第二封装层42和第三封装层43；其中，第一封装层41和第三封装层43包括含硅化合物材料，第二封装层42包括有机材料，可以理解为，封装层40为“无机层|有机层|无机层”的夹心结构，使得容易受热和光照影响的有机层被两个无机层夹裹在中间，从而提高封装层40的使用寿命和封装有效性。为保证导电有效性，信号连接线32通常为金属材质的走线；但是，本申请发明人发现，通过上述设置方式设置的封装层40，仍然存在外界水氧侵入有效显示区11，导致有机发光单元23中的有机发光层231接触水氧而变质失效，造成显示面板1显示异常的问题。发明人经过大量研究发现，由于封装层40最靠近信号连接线32的第一封装层41的无机材料的晶格与信号连接线32的金属晶格匹配差异较大，使得第一封装层41与信号连接线32的接触面封装有效性较差，外界水氧会从绑定部31沿信号连接线32侵入有效显示区11，导致有机发光单元23的有机发光层231失效，从而引发显示面板1显示异常的问题。
在本实施例中，为解决上述技术问题，每条信号连接线32在封装层40的覆盖区域内的至少部分为重掺杂半导体连接线321，以使第一封装层41包覆于重掺杂半导体连接线321。可以理解，每条信号连接线32在封装层40的封装区域内，至少有一段为重掺杂半导体连接线321，重掺杂半导体连接线321的材料包括无机半导体材料，例如重掺杂硅、重掺杂锗、金属氧化物半导体材料、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等，使得重掺杂半导体连接线321的无机半导体材料的晶格与第一封装层41的含硅化合物的晶格匹配度较高，即，重掺杂半导体连接线321与第一封装层41之间结合地更加紧密，可提高第一封装层41与信号连接线32的接触面的密封有效性，从而避免外界水氧会从绑定部31沿信号连接线32侵入有效显示区11，导致有机发光单元23的有机发光层231失效，从而引发显示面板1显示异常的问题。
进一步的，重掺杂半导体连接线321的材料包括重掺杂半导体材料，且掺杂浓度大于规定的阈值，从而保证重掺杂半导体连接线321的导电有效性。在本实施例中，重掺杂半导体连接线321的重掺杂半导体材料的掺杂浓度大于或等于1019cm-3，以提高重掺杂半导体的导电性能，从而保证该重掺杂半导体连接线321的导电有效性。具体地，重掺杂半导体材料可包括N型重掺杂半导体材料或P型重掺杂半导体材料，例如N型重掺杂硅材料或P型重掺杂硅材料等半导体材料。
如图3所示，进一步地，在封装层40的封装区域内，每条信号连接线32中的重掺杂半导体连接线321的无机半导体材料的晶格与衬底10的含硅化合物的晶格匹配度也较高，即，重掺杂半导体连接线321与衬底10之间结合地也更加紧密，可提高衬底10与信号连接线32的接触面的密封有效性；也就是，沿重掺杂半导体连接线321的周向，重掺杂半导体连接线321与第一封装层41和衬底10之间结合的更为紧密，能够有效阻挡外界水氧从该处侵入有效显示区11，从而有效避免外界水氧会从绑定部31沿信号连接线32侵入有效显示区11，导致有机发光单元23的有机发光层231失效，从而引发显示面板1显示异常的问题。
请参见图4，图4是本申请第一实施例提供的显示面板的俯视结构示意图。在本实施例中，至少部分信号连接线32的全部为上述重掺杂半导体连接线321，第一封装层41包覆于重掺杂半导体连接线321，且使重掺杂半导体连接线321靠近绑定部31的一端暴露，以用于连接绑定部31，以形成绑定端子311。即，多条信号连接线32中的至少一条信号线，整体均为重掺杂半导体连接线321；可以理解，多条信号连接线32可以是一部分信号线的整体均为重掺杂半导体连接线321，剩余信号连接线32为在封装层40的封装区域的一部分为重掺杂半导体连接线321，信号连接线32上其余的部分为金属材质的连接线；多条信号连接线32也可以是全部信号连接线32的整体均为重掺杂半导体连接线321；从而使得信号连接线32的设置更为灵活，可以根据实际需要进行设置，例如，长度较短的信号连接线32可以设置为连接线的整体均为重掺杂半导体连接线321，而长度较长的信号连接线32可以设置为在封装区域的一部分为重掺杂半导体连接线321，其余的部分为金属材质的连接线，以使信号连接线32既能保证与封装层40的封装有效性，也能保证信号连接线32的导电有效性。而且，当信号连接线32的整体均为重掺杂半导体连接线321，能够提高与封装层40之间的有效封装长度，进一步提高信号连接线32与封装层40之间的连接紧密性。
请参见图5，图5为本申请第二实施例提供的显示面板的俯视结构示意图。在本实施例中，至少部分信号连接线32包括相互连接的金属连接线322和重掺杂半导体连接线321，且金属连接线322的长度大于重掺杂半导体连接线321的长度。即多条信号连接线32中的至少一条信号线，包括相互连接的金属连接线322和重掺杂半导体连接线321，其中，金属连接线322可设置于重掺杂半导体连接线321靠近绑定部31的一端，也就是金属连接线322为靠近绑定部31的部分信号连接线32，重掺杂半导体连接线321为靠近有效显示区11的部分信号连接线32；如此设置可使得金属连接线322靠近绑定部31的一端延伸至绑定部31，作为绑定部31的绑定端子311，用于绑定驱动IC，可保证与驱动IC的有效电连接。当然，也可将金属连接线322设置于重掺杂半导体连接线321靠近有效显示区11的一端，即信号连接线32上靠近有效显示区11的部分为金属连接线322，靠近绑定部31的部分为重掺杂半导体连接线321；如此设置可使得信号连接线32靠近绑定部31的部分与封装层40结合的更加紧密，能够在水氧在一开始靠近绑定部31的一端的信号连接线32时就被阻挡而无法沿信号连接线32进入，从而提高封装层40的封装有效性。需要注意的是，信号连接线32靠近绑定部31的部分为重掺杂半导体连接线321时，重掺杂半导体连接线321靠近绑定部31的一端延伸至绑定部31作为绑定端子311，即绑定端子311为重掺杂半导体材料，由于绑定端子311需要暴露出来用于绑定驱动IC，绑定端子311表面极易被氧化而形成氧化膜层，那么在将驱动IC绑定与绑定部31时，需要先将绑定端子311表面的氧化膜层去除，以保证与驱动IC的导电有效性；其中，去除氧化膜层的方式可以为干刻蚀等方式进行去除。
进一步地，在本实施例中，金属连接线322的长度大于重掺杂半导体连接线321的长度，从而减小重掺杂半导体连接线321的负载，增强信号连接线32的导线性能，避免增加该显示面板1的IR drop和功耗。
请参见图6，图6是本申请第三实施例提供的显示面板的俯视结构示意图。在本实施例中，至少部分信号连接线32包括依次连接的第一金属线323、重掺杂半导体连接线321和第二金属线324，第一金属线323连接绑定部31，第二金属线324连接显示单元20，以形成信号连接线32，且第一金属线323和第二金属线324的长度之和大于重掺杂半导体连接线321的长度。即多条信号连接线32中的至少一条信号线，包括依次连接的第一金属线323、重掺杂半导体连接线321和第二金属线324，第一金属线323、重掺杂半导体连接线321和第二金属线324依次收尾相接，从而形成信号连接线32，使得信号连接线32的中间部分为重掺杂半导体连接线321，两端部分为第一金属线323和第二金属线324，第一金属线323连接绑定部31，且第一金属线323延伸至绑定部31的一端作为连接端子。在本实施例中，通过使信号连接线32的中间部分为重掺杂半导体连接线321，以与封装层40结合的更加紧密，能够有效阻挡水氧，使外界水氧而无法沿信号连接线32进入有效显示区11，从而提高封装层40的封装有效性。
进一步地，在本实施例中，第一金属线323和第二金属线324的长度之和大于重掺杂半导体连接线321的长度，从而减小重掺杂半导体连接线321的负载，增强信号连接线32的导线性能，避免增加该显示面板1的IR drop和功耗。
请参见图7，图7是本申请第四实施例提供的显示面板的剖面结构示意图。与上述实施例不同的是，在本实施例中，重掺杂半导体连接线321包括重掺杂半导体层3211和无机氧化物层3212，无机氧化物层3212的无机氧化物对应于重掺杂半导体连接线321的半导体，无机氧化物层3212包覆于重掺杂半导体层3211的表面，且被第一封装层41包覆。由于重掺杂半导体连接线321的重掺杂半导体材料接触空气后极易被氧化，从而在重掺杂半导体层3211的表面形成无机氧化物层3212，从而形成的无机氧化物层3212的无机氧化物与重掺杂半导体层3211的半导体材料；例如，重掺杂半导体层3211包括重掺杂硅，重掺杂硅层的表面被氧化形成氮氧化硅层，即形成的无机氧化物层3212的氮氧化硅与重掺杂半导体层3211的重掺杂硅相对应，使得无机氧化物层3212的无机氧化物的晶格与重掺杂半导体层3211的重掺杂硅的晶格匹配度较佳，无机氧化物层3212与重掺杂半导体层3211紧密结合，水氧无法从无机氧化物层3212与重掺杂半导体之间通过；进一步地，无机氧化物层3212被第一封装层41包覆，由于无机氧化物的晶格与含硅化合物材料的晶格匹配度更好，使得无机氧化物层3212与第一封装层41之间结合更加紧密，水氧也无法从无机氧化物层3212与第一封装层41之间通过，进一步提高了封装层40与信号连接线32之间的封装有效性。
可以理解，在其他实施例中，多条信号连接线32也可以是以上实施例中的几种信号连接线32的组合，即多条信号连接线32中一部分为整体均为掺杂半导体连接线的信号连接线32，一部分为包括相互连接的金属连接线322和重掺杂半导体连接线321的信号连接线32，还有一部分为包括依次连接的第一金属线323、重掺杂半导体连接线321和第二金属线324的信号连接线32，从而增加了信号连接线32设置方式的灵活性，从而可根据实际需要对信号连接线32进行设置，在满足其他需求的情况下还能够提高封装层40与信号连接线32之间的封装有效性，避免水氧从封装层40与信号连接线32之间通过并沿信号连接线32侵入有效显示区11，导致有机发光单元23的有机发光层231失效，从而引发显示面板1显示异常的问题。例如，可以根据信号连接线32所在区域的特点以及信号连接线32的总长度的特点，对每条信号连接线32上的重掺杂半导体连接线的长度以及掺杂浓度进行调控，使得多条信号连接线32的负载较为均衡，提高显示品质，同时使得每条信号连接线32与封装层40之间均均有较好的封装有效性。
在以上实施例中，当信号连接线32靠近绑定部31的一端为金属线时，封装层40需要完全包覆重掺杂半导体连接线321，对重掺杂半导体连接线321进行保护，防止后续在较为恶劣的环境下，由于重掺杂半导体连接线321的强度小于金属线的强度，造成重掺杂半导体连接线321异常断裂导致显示面板1显示异常的问题。
请参阅图8，图8是本申请一实施方式提供的显示面板的制备方法的流程示意图。在本实施方式中，提供一种显示面板1的制备方法，该制备方法包括以下步骤：
S10：提供衬底10；衬底10包括有效显示区11和与有效显示区11相邻的非显示区12，且衬底10包括含硅化合物材料。
S20：在衬底10上制作显示单元20和绑定部31；显示单元20形成于衬底10的一侧的有效显示区11，绑定部31位形成于显示单元20的一侧的非显示区12。
S30：在有效显示区11与绑定部31之间的非显示区12制作信号连接线32，且将信号连接线32的两端分别电连接于驱动电路层21和绑定部31；其中，每条信号连接线32至少部分为重掺杂半导体连接线321。
S40：制作封装层40；沿背离衬底10的方向依次制作层叠设置的第一封装层41、第二封装层42和第三封装层43，第一封装层41和第三封装层43包括含硅化合物材料，第二封装层42包括有机材料，并使第一封装层41包覆于显示单元20和每条信号连接线32的一部分；其中，每条信号连接线32在封装层40的覆盖区域内的至少部分为重掺杂半导体连接线321，以将第一封装层41包覆于重掺杂半导体连接线321。
在该实施方式中，步骤S10中提供的衬底10可以是上述实施例中所提供的衬底10，在该实施方式中，衬底10的结构和功能与上述实施例中所提供的衬底10的结构和功能相同或相似，且可实现相同的技术效果，具体可参见上文，此处不再赘述。
步骤S20中，在衬底10上制作显示单元20，可先在衬底10上制作驱动电路层21，在驱动电路层21背离衬底10的一侧制作平坦层22，使驱动电路层21背离衬底10的一侧的地势平坦化。然后进入步骤S30，在衬底10的有效显示区11与绑定部31之间制作信号连接线32，且每条所述信号连接线32至少部分为重掺杂半导体连接线321。
具体地，请参阅图9，图9是图8中步骤S30的一实施方式的流程示意图；步骤S30可具体包括以下步骤：
S31：采用化学气相沉积法形成重掺杂半导体连接线321；或，采用离子注入法形成重掺杂半导体连接线321。
S32：将重掺杂半导体连接线321暴露于空气中，以在重掺杂半导体连接线321的表面形成无机氧化物层3212。
在步骤S21中，可采用化学气相沉积法，以硅烷、磷烷、氢气为成膜气体，形成磷掺杂的半导体硅，即N型半导体硅；或者也可以硅烷、硼烷、氢气为成膜气体，形成硼掺杂的半导体硅，即P型半导体硅。或者还可以先采用化学气相沉积法，以硅烷、氢气为成膜气体，形成半导体硅后，再通过离子注入方式，以磷烷为原始气体进行磷离子的注入，以形成磷掺杂的半导体硅；或者以硼烷为原始气体进行硼离子的注入，已形成硼掺杂的半导体硅。且可通过控制磷烷或硅烷的量，调控重掺杂半导体连接线321中的离子掺杂浓度，使掺杂浓度大于或等于1019cm-3，以提高重掺杂半导体连接线321的导电性能。
具体地，步骤S30还包括步骤S311和/或步骤S312：
S311：在有效显示区11与绑定部31之间制作金属连接线322，将金属连接线322的一端连接于重掺杂半导体连接线321的一端，以形成至少部分信号连接线32，并使金属连接线322的长度大于重掺杂半导体连接线321。
S312：在有效显示区11与绑定部31之间制作第一金属线323和第二金属线324，将第一金属线323、重掺杂半导体连接线321和第二金属连接线322依次连接，以形成至少部分信号连接线32，并使第一金属线323和第二金属线324的长度之和大于重掺杂半导体连接线321的长度。
步骤S311中制作金属连接线322的步骤以及步骤S312中制作第一金属线323和第二金属线324可与步骤S20一同进行。步骤S312中，在有效显示区11与绑定部31之间制作第一金属线323和第二金属线324，可以是先制作金属线，然后将金属线从中间断开，形成第一金属线323和第二金属线324。也可以是单独制作第一金属线323和第二金属线324。或者，第一金属线323和第二金属线324也可以是与驱动电路层21中的源漏极金属层一同制作。
在步骤S32中，掺杂半导体连接线的表面受到氧气和氮气的作用，会自然形成一层无机氧化物层3212，即氮氧化硅层。
在进行步骤S40前，还需要完成步骤S20，即完成在平坦层22背离衬底10的一侧制作有机发光单元23的步骤。可通过将掩模板放置于预定位置，采用蒸镀方式在平坦层22上形成有机发光单元23，以完成显示单元20的制作。
在步骤S40中，可依次采用化学气相沉积法、喷墨打印和化学气相沉积法，在显示单元20背离衬底10的一侧依次形成第一封装层41、第二封装层42和第三封装层43。其中第一封装层41和第三封装层43包括含硅化合物材料，例如第一封装层41和第三封装层43可分别包括氮氧化硅材料和氮化硅材料。并且，当信号连接线32靠近绑定部31的一端为金属线时，封装层40需要完全包覆重掺杂半导体连接线321，对重掺杂半导体连接线321进行保护，防止后续在较为恶劣的环境下，由于重掺杂半导体连接线321的强度小于金属线的强度，造成重掺杂半导体连接线321异常断裂导致显示面板1显示异常的问题。
通过本实施方式制备的显示面板1，显示面板1的具体结构和功能与上述实施例中所涉及的显示面板1的具体结构和功能相同或相似，且可实现相同的技术效果，具体可参见上文具体介绍，此处不再赘述。
请参见图10，图10是本申请一实施例提供的显示装置的结构示意图。在本实施例中，提供一种显示装置100，该显示装置100包括显示面板1和控制板2。
其中，显示面板1用于显示图像，且显示面板1为上述实施例中所涉及的显示面板1，或者由上述显示面板1的制备方法所制备的显示面板1，其具体结构和功能与上述实施例中所涉及的显示面板1的具体结构和功能相同或相似，且可实现相同的技术效果，可参见上文具体介绍，此处不再赘述。
其中，控制板2包括驱动IC，用于绑定至显示面板1的绑定部31，从而使驱动IC通过绑定部31向显示面板1的显示单元20传输控制信号，从而控制显示面板1显示相应的图像。
以上所述仅为本申请的实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。
Claims (9)
1.一种显示面板，包括：
衬底，包括有效显示区和与所述有效显示区相邻的非显示区；所述衬底包括含硅化合物材料；
显示单元，用于显示图像，设置于所述衬底的一侧的所述有效显示区；
绑定单元，设置于所述衬底的一侧的所述非显示区，包括绑定部和多条信号连接线，所述信号连接线的两端分别连接于所述显示单元和所述绑定部；
封装层，包覆于所述显示单元和部分所述信号连接线，用于封装所述显示单元和所述信号连接线，沿背离所述衬底的方向包括依次层叠设置的第一封装层、第二封装层和第三封装层，所述第一封装层和所述第三封装层包括含硅化合物材料，所述第二封装层包括有机材料；
其特征在于，封装层覆盖每条所述信号连接线的一部分，每条所述信号连接线在所述封装层的覆盖区域内的至少部分为重掺杂半导体连接线，以使所述第一封装层包覆于所述重掺杂半导体连接线；
所述重掺杂半导体连接线包括重掺杂半导体层和无机氧化物层，所述无机氧化物层的无机氧化物对应于所述重掺杂半导体连接线的半导体，所述无机氧化物层包覆于所述重掺杂半导体层的表面，且被所述第一封装层包覆。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，至少部分所述信号连接线的全部为所述重掺杂半导体连接线，所述第一封装层包覆于所述重掺杂半导体连接线，且使重掺杂半导体连接线靠近所述绑定部的一端暴露，以用于连接所述绑定部。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，至少部分所述信号连接线包括相互连接的金属连接线和所述重掺杂半导体连接线，且所述金属连接线的长度大于所述重掺杂半导体连接线的长度。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，至少部分所述信号连接线包括依次连接的第一金属线、重掺杂半导体连接线和第二金属线，所述第一金属线连接所述绑定部，所述第二金属线连接所述显示单元，以形成所述信号连接线，且所述第一金属线和所述第二金属线的长度之和大于所述重掺杂半导体连接线的长度。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述重掺杂半导体连接线包括N型重掺杂半导体材料或P型重掺杂半导体材料，所述N型重掺杂半导体材料和所述P型重掺杂半导体材料的掺杂浓度均大于或等于1019cm-3。
6.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括有效显示区和与所述有效显示区相邻的非显示区，且所述衬底包括含硅化合物材料；
在衬底上制作显示单元和绑定部；所述显示单元形成于所述衬底的一侧的所述有效显示区，所述绑定部形成于所述显示单元的一侧的所述非显示区；
在所述有效显示区与所述绑定部之间的所述非显示区制作多条信号连接线，且将所述信号连接线的两端分别电连接于所述显示单元和所述绑定部；其中，每条所述信号连接线至少部分为重掺杂半导体连接线；
制作封装层；沿背离所述衬底的方向依次制作层叠设置的第一封装层、第二封装层和第三封装层，所述第一封装层和所述第三封装层包括含硅化合物材料，所述第二封装层包括有机材料，并使所述第一封装层包覆于所述显示单元和每条所述信号连接线的一部分；其中，每条所述信号连接线在所述封装层的覆盖区域内的至少部分为重掺杂半导体连接线，以将所述第一封装层包覆于所述重掺杂半导体连接线；
其中，所述重掺杂半导体连接线包括重掺杂半导体层和无机氧化物层，所述无机氧化物层的无机氧化物对应于所述重掺杂半导体连接线的半导体，所述无机氧化物层包覆于所述重掺杂半导体层的表面，且被所述第一封装层包覆。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述有效显示区与所述绑定部之间的所述非显示区制作信号连接线，且将所述信号连接线的两端分别电连接于所述显示单元和所述绑定部的步骤包括：
采用化学气相沉积法形成所述重掺杂半导体连接线；或，采用离子注入法形成所述重掺杂半导体连接线；
将所述重掺杂半导体连接线暴露于空气中，以在重掺杂半导体连接线的表面形成所述无机氧化物层；
其中，所述重掺杂半导体连接线包括N型重掺杂半导体材料或P型重掺杂半导体材料，所述N型重掺杂半导体材料和所述P型重掺杂半导体材料的掺杂浓度均大于或等于1019cm-3。
8.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述有效显示区与所述绑定部之间的所述非显示区制作信号连接线，且将所述信号连接线的两端分别电连接于所述显示单元和所述绑定部的步骤还包括：
在所述有效显示区与所述绑定部之间制作金属连接线，将所述金属连接线的一端连接于所述重掺杂半导体连接线的一端，以形成至少部分所述信号连接线，并使所述金属连接线的长度大于所述重掺杂半导体连接线；和/或，
在所述有效显示区与所述绑定部之间制作第一金属线和第二金属线，将所述第一金属线、所述重掺杂半导体连接线和所述第二金属线依次连接，以形成至少部分所述信号连接线，并使所述第一金属线和所述第二金属线的长度之和大于所述重掺杂半导体连接线的长度。
9.一种显示装置，其特征在于，包括：
显示面板，用于显示图像，所述显示面板为如权利要求1-5中任一项所述的显示面板，或，所述显示面板为如权利要求6-8中任一项所述的制备方法所制备的显示面板；
控制板，绑定于所述绑定部，以通过所述绑定部控制所述显示面板显示图像。
Priority Applications (2)
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