CN113036053B - 显示屏及无机封装层制作方法 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供的显示屏及无机封装层制作方法，涉及显示技术领域。显示屏包括有效显示区及位于有效显示区四周的非显示区，显示屏还包括基板、发光器件层、封装层及加热部件。基板包括位于有效显示区的第一基板区及位于非显示区的第二基板区，发光器件层位于第一基板区上，封装层覆盖在发光器件层上。加热部件位于非显示区，加热部件在连接外部电源信号时对位于非显示区的封装层进行加热。通过在非显示区设置加热部件，通过加热部件与外部电源连通时所产生的热量对位于非显示区的封装层进行加热，以排挤出膜层中的气体，增大非显示区的封装层的致密性，加强非显示区的封装层对环境中水氧的阻挡能力，提高显示屏的使用寿命。

Description

显示屏及无机封装层制作方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示屏及无机封装层制作方法。

背景技术

显示屏在制作过程中需要对发光器件层(比如，OLED器件层)进行封装，以保护发光器件层，防止环境中的水氧侵入发光器件层造成显示屏显示异常。

在现有技术中，一般会在发光器件层上制作一封装层以保护发光器件层，然而由于封装层在制作时存在膜层厚度不均的问题，显示屏的非显示区处的封装层厚度相较于有效显示区处的封装层厚度薄，这会导致环境中的水氧容易通过非显示区处的封装层侵入发光器件层，影响显示屏的显示，缩短显示屏的使用寿命。

发明内容

为了克服上述技术背景中所提及的技术问题，本申请实施例提供一种可以提高非显示区处的封装层致密性的显示屏及无机封装层制作方法。

本申请的第一方面，提供一种显示屏，所述显示屏包括有效显示区及位于所述有效显示区四周的非显示区，所述显示屏还包括基板、发光器件层、封装层及加热部件；

所述基板包括位于所述有效显示区的第一基板区及位于所述非显示区的第二基板区；

所述发光器件层位于所述第一基板区上；

所述封装层覆盖在所述发光器件层上；

所述加热部件位于所述非显示区，所述加热部件在连接外部电源信号时对位于所述非显示区的封装层进行加热。

在上述结构中，通过在非显示区设置加热部件，通过加热部件与外部电源连通时所产生的热量对位于非显示区的封装层进行加热，以排挤出膜层中的气体，增大非显示区的封装层的致密性，加强非显示区的封装层对环境中水氧的阻挡能力，提高显示屏的使用寿命。

在本申请的一种可能实施例中，所述加热部件分布于所述有效显示区外，且位于所述非显示区远离所述有效显示区的一侧。

在非显示区远离有效显示区的一侧设置加热部件，可以加强非显示区的外围对应封装层的致密性，使得入侵的水氧在非显示区的外围即被有效阻挡，能较大效率的阻挡侵入的水氧，起到保护发光器件层的目的。

在本申请的一种可能实施例中，所述加热部件包括金属导线，所述加热部件与所述显示屏中的金属电极均绝缘隔离。

在本实施例中，加热部件可以与基板和发光器件层中的任意一金属电极同层，或与所述基板和发光器件层中的金属电极均不同层。

在本申请的一种可能实施例中，所述显示屏还包括绝缘隔离的两导电焊盘，所述加热部件的两端分别与该两导电焊盘连接。

在本申请的一种可能实施例中，所述封装层包括第一无机封装层、有机封装层及第二无机封装层；

所述第一无机封装层覆盖在所述发光器件层上；

所述有机封装层位于所述第一无机封装层远离所述基板的一侧，其中，所述发光器件层在所述基板上的正投影位于所述有机封装层在所述基板上的正投影中；

所述第二无机封装层覆盖在所述有机封装层上。

在第一无机封装层和第二无机封装层之间设置有机封装层可以避免封装层为全无机封装层时，无机封装层厚度过厚而引起的封装层应力过大，如此可以缓解封装层应力，可以使显示屏能被折叠卷曲。

在本申请的一种可能实施例中，所述第一无机封装层在所述非显示区的厚度与所述第一无机封装层在所述有效显示区的厚度之间的差值在预设误差范围内；

所述第二无机封装层在所述非显示区的厚度与所述第二无机封装层在所述有效显示区的厚度之间的差值在所述预设误差范围内。

上述设置，可以保证第一无机封装层和第二无机封装层厚度的均一性，使位于非显示区的无机封装层不易在切割或者卷曲过程中破裂产生裂纹，避免水氧通过裂纹侵入发光器件层。

在本申请的一种可能实施例中，所述第一无机封装层和/或第二无机封装层为包括多个膜层的复合膜层；

所述复合膜层包括膜层厚度互补的相邻膜层。

通过在第一无机封装层和/或第二无机封装层中制作膜层厚度互补的相邻膜层可以保证第一无机封装层和第二无机封装层厚度的均一性。

在本申请的一种可能实施例中，所述相邻膜层中的一膜层的中间膜层厚度大于四周膜层厚度，所述相邻膜层中的另一膜层的中间膜层厚度小于四周膜层厚度。

在本申请的一种可能实施例中，所述有机封装层在所述基板上的正投影与所述加热部件在所述基板上的正投影不重合；

所述第一无机封装层及所述第二无机封装层在所述基板上的正投影与所述加热部件在所述基板上的正投影至少部分重合。

在本申请的一种可能实施例中，所述加热部件的宽度范围为2um～5um。

本申请的第二方面，还提供一种无机封装层制作方法，用于制作第一方面显示屏中的相邻膜层，所述方法包括：

加大扩散等离子体的浓度，增大成膜等离子体沿所述扩散等离子体的扩散方向的浓度，制作得到相邻膜层中一膜层，其中，所述扩散等离子体的扩散方向与所述成膜等离子体的扩散方向垂直；

降低所述扩散等离子体的浓度，减弱成膜等离子体沿所述扩散等离子体的扩散方向的浓度，制作得到相邻膜层中的另一膜层。

本申请的三方面，还提供一种电子设备，所述电子设备包括第一方面所述的显示屏。

相对于现有技术，本申请实施例提供的显示屏及无机封装层制作方法，通过在非显示区设置加热部件，通过加热部件与外部电源连通时所产生的热量对位于非显示区的封装层进行加热，以排挤出膜层中的气体，增大非显示区的封装层的致密性，加强非显示区的封装层对环境中水氧的阻挡能力，提高显示屏的使用寿命。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本申请实施例提供的一种显示屏的部分膜层结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种显示屏的平面结构示意图；

图3为图1所示的显示屏中基板与发光器件层的具体膜层结构示意图；

图4为本申请实施例提供的另一种显示屏的部分膜层结构示意图；

图5及图6为本申请实施例提供的制作第一无机封装层中相邻膜层的工艺流程图；

图7为本申请实施例提供的另一种显示屏的平面结构示意图；

图8为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例中的不同特征之间可以相互结合。

为了解决背景技术中提及的技术问题，发明人创新性地设计了以下的技术方案，通过增大非显示区的封装层的致密性，加强非显示区的封装层对环境中水氧的阻挡能力，以提高显示屏的使用寿命。下面将结合附图对本申请的具体实现方案进行详细说明。

请参照图1，图1示出了本申请实施例提供的显示屏10的部分膜层结构示意图。

本申请实施例提供的显示屏10包括有效显示区10A及位于有效显示区10A四周的非显示区10B。显示屏10还可以包括基板11、发光器件层12、封装层13及加热部件14。

基板11包括位于有效显示区10A的第一基板区11A及位于非显示区10B的第二基板区11B。

发光器件层12位于第一基板区11A上。

封装层13可以覆盖在发光器件层12上，具体地，封装层13和基板14形成的用于封装发光器件层12的封闭空间，封装层13与发光器件层12中不与基板11接触的其他面接触。

加热部件14位于非显示区10B，加热部件14在连接外部电源信号时对位于非显示区10B的封装层进行加热。

综上所述，通过在非显示区10B设置加热部件14，通过加热部14件与外部电源连通时所产生的热量对位于非显示区10B的封装层13进行加热，以排挤出膜层中的气体，可以增大非显示区10B的封装层13的致密性，加强非显示区10B的封装层13对环境中水氧的阻挡能力，提高显示屏10的使用寿命。

请参照图2，图2示出了本申请实施例提供的显示屏10的平面示意图，加热部件14分布于有效显示区10A外，并且加热部件14位于非显示区10B远离有效显示区10A的一侧。

在本申请实施例中，加热部件14可以分布在有效显示区10A外的至少一侧，以对该侧位置处的封装层13进行加热。优选地，加热部件14可以分布于有效显示区10A的四周，加热部件14的两端可以位于有效显示区10A同一侧的非显示区10B中，也可以位于有效显示区10A相邻两侧的非显示区10B中，为了使有效显示区10A的四周均具有良好的水氧阻隔能力，在保证加热部件14的两端不连接的前提下，加热部件14的两端的距离越短越好。

在非显示区10B远离有效显示区10A的一侧设置加热部件14，可以加强非显示区10B的外围对应封装层13的致密性，使得入侵的水氧在非显示区10B的外围即被有效阻挡，能较大效率的阻挡侵入的水氧，起到保护发光器件层12的目的。

在本申请的实施例中，加热部件14可以包括金属导线，加热部件14与显示屏10中的其它金属电极均绝缘隔离。

为了便于说明加热部件14的具体位置，现结合图3，对图1中显示屏10的基板11与发光器件层12的具体膜层结构进行介绍。

基板11可以包括基板层111、缓冲层112及驱动层。

基板层111可以为玻璃基板，缓冲层112位于基板层111的一侧，驱动层位于缓冲层112远离基板层111的一侧。在本实施例中，缓冲层112可由无机材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等制备形成。在本实施例中，缓冲层112可以是依次形成于基板层111上的氮化硅(SiNx)层和氧化硅(SiOx)层的双层结构。

驱动层可以包括有源层1131、栅极绝缘层1132、栅极1133、源极1134、漏极1135、第一绝缘层1136、第二绝缘层1137，以及用于形成电容的第一电极1138及第二电极1139。

有源层1131形成于缓冲层112上并有机功能层覆盖缓冲层112，有源层1131可以由无机半导体(如，非晶体硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体形成，有源层1131可以包括源区(S)、漏区(D)和沟道区(p-si)。

栅极绝缘层1132形成于有源层1131和未被有源层1131覆盖的缓冲层112上，以便将有源层1131和栅极1133绝缘隔离。栅极绝缘层1132可以采用氧化硅或氮化硅等材料制成，但不限于此。

栅极1133形成于有源层1131对应位置处的栅极绝缘层1132的一侧，栅极1133可以使用金属Al、Mo、Cu、Ti或其他低电阻率的金属材料中的一种或多种形成。同时，在栅极绝缘层1132上还形成有电容的第一电极1138。该第一电极1138形成于栅极绝缘层1132上并有机功能层覆盖栅极绝缘层1132，第一电极1138与栅极1133的材料可以相同，可以在栅极绝缘层1132上制作第一金属层M1，以达到同时在栅极绝缘层1132上制作栅极1133和第一电极1138。

第一绝缘层1136形成于栅极绝缘层1132上并覆盖栅极1133和第一电极1138，第二电极1139位于第一电极1138所对应的第一绝缘层1136远离基板层111的一侧。第一绝缘层1136用于将栅极1133与源极1134和漏极1135绝缘隔离，以及将第一电极1138与第二电极1139绝缘隔离。第一绝缘层1136使栅极1133分别与源极1134和漏极1135之间电绝缘，并使第一电极1138与第二电极1139形成电容。第一绝缘层1136同样可以由无机材料，如：氮化硅和氧化硅形成。第二电极1139位于第一绝缘层1136上方制作的第二金属层M2中。

第二绝缘层1137形成于第一绝缘层1136上并覆盖第二电极1139，用于隔离源极1134、漏极1135与第二电极1139，使得源极1134、漏极1135与第二电极1139相互绝缘。第二绝缘层1137同样可以由无机材料(如：氮化硅和氧化硅)形成。第二绝缘层1137的结构可以为氮化硅和氧化硅形成的双层或三层以上的结构。

源极1134和漏极1135形成于第二绝缘层1137上，源极1134通过通孔与有源层1131中的源区(S)电连接，漏极1135通过通孔与有源层1131中的漏区(D)电连接。栅极1133、源极1134、漏极1135、第一电极1138、第二电极1139的电极材料可同为金属Al、Mo、Cu、Ti或其他低电阻率的金属材料中的一种或多种。源极1134和漏极1135位于第二绝缘层1137上制作的第三金属层M3中。

在驱动层远离基板层111的一侧还可以设置平坦化层114及发光器件层12。驱动元件包括由栅极1133、源极1134、漏极1135以及有源层1131等形成的TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶体管)。

发光器件层12可以包括阳极膜层121、像素限定层122、发光层123及阴极膜层124。阳极膜层121位于基板11上，像素限定层122位于基板11上，像素限定层122在阳极膜层121上形成像素开口125，发光层123位于像素开口125远离基板11的一侧，阴极膜层124位于发光层123远离基板11的一侧。

具体地，阳极膜层121位于平坦化层114远离基板层111的一侧，阳极膜层121通过平坦化层过孔与驱动元件的漏极1135电连接。像素限定层122位于平坦化层114及阳极膜层121远离基板层111的一侧。

在本申请实施例中，加热部件14可以和基板11中的第一金属层M1、第二金属层M2或第三金属层M3同层；也可以和发光器件层12中的阳极膜层121或阴极膜层124同层，即可以在制作上述金属层中的金属电极时，同时制作该加热部件14；还可以单独于上述金属层制作加热部件14。

请参照图4，图4示出了本申请实施例提供的显示屏的另一种膜层结构示意图，在本申请实施例中，封装层13可以包括第一无机封装层131、有机封装层132及第二无机封装层133。

第一无机封装层131覆盖在发光器件层12上，有机封装层132位于第一无机封装层131远离基板11的一侧，其中，发光器件层12在基板11上的正投影位于有机封装层132在基板11上的正投影中。

第二无机封装层133可以覆盖在有机封装层132上。

在本申请实施例中，第一无机封装层131和第二无机封装层133可以采用气相沉积(比如，化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD))的方式制作而成，有机封装层132可以采用喷墨打印(Ink Jet Printing，IJP)的方式制作而成。第一无机封装层131和第二无机封装层133的厚度范围可以是0.8～1.2um，有机封装层132的厚度范围可以是11um～13um，优选地，第一无机封装层131和第二无机封装层133的厚度为1um，有机封装层132的厚度为12um。

在第一无机封装层131和第二无机封装层133之间设置有机封装层132可以避免封装层13为全无机封装层时，无机封装层厚度过厚而引起的封装层13应力过大，如此可以缓解封装层13应力，可以使显示屏10能被折叠卷曲。

请再次参照图4，在本申请实施例中，有机封装层132在基板11上的正投影与加热部件14在基板11上的正投影不重合。第一无机封装层131及第二无机封装层133在基板11的正投影与加热部件14在基板11上的正投影至少部分重合。

如此设置使得加热部件14只对非显示区10B上的无机封装层进行加热，改变非显示区10B上无机封装层的致密性。

进一步地，在本申请实施例中，第一无机封装层131在非显示区10B的厚度与第一无机封装层131在有效显示区10A的厚度之间的差值在预设误差范围内。

第二无机封装层133在非显示区10B的厚度与第二无机封装层133在有效显示区10A的厚度之间的差值在预设误差范围内。

如此设置，可以使位于有效显示区10A的无机封装层与位于非显示区10B的无机封装层的厚度相当，如此可以使位于有效显示区10A的无机封装层在切割或折叠卷曲过程中不易产生裂纹，避免水氧通过该裂纹侵入发光器件层12。

在本申请实施例中，第一无机封装层131和/或第二无机封装层133可以为包括多个膜层的复合膜层，该复合膜层可以包括膜层厚度互补的相邻膜层。

通过在第一无机封装层131和/或第二无机封装层133中制作膜层厚度互补的相邻膜层可以保证第一无机封装层131和第二无机封装层132厚度的均一性，使得位于非显示区10B的无机封装层不易在切割或者卷曲过程中破裂产生裂纹。

进一步地，相邻膜层中的一膜层的中间膜层厚度大于四周膜层厚度，相邻膜层中的另一膜层的中间膜层厚度小于四周膜层厚度。

请参照图5及图6，图5及图6为本申请实施例提供的制作第一无机封装层131中相邻膜层的制程示意图，其中，在进行无机封装层的制作过程中，需要通过扩散等离子体的浓度改变成膜等离子体的分布，从而控制无机封装层在不同位置处的厚度。如图所示扩散等离子体的扩散方向沿X轴方向，成膜等离子体的扩散方向沿Y轴方向。下面结合图5及图6，对制作第一无机封装层131的过程进行介绍。

首先，加大扩散等离子体浓度，会增强成膜等离子体沿X轴方向扩散，使得位于中间区域的成膜等离子体浓度低于位于四周的成膜等离子体浓度，如此沉积形成中间厚度薄四周厚度厚的无机封装层1311；

接着，降低扩散等离子体浓度，会减弱成膜等离子体沿X轴方向扩散，使得位于中间区域的成膜等离子体浓度高于位于四周的成膜等离子体浓度，如此沉积形成中间厚度厚四周厚度薄的无机封装层1312。

如此，可以通过上述两个步骤或者交替进行上述两个步骤，形成相邻膜层厚度互补的第一无机封装层131。如此可以解决传统无机封装层的制作过程中，由于成膜厚度不均，使得无机封装层的中间膜层厚度大于四周膜层的厚度，从而导致无机封装层的四周边缘容易在切割或折叠卷曲过程容易产生裂纹的技术问题。

可以理解的是，在本申请实施例中针对第二无机封装层132也可以采用相同的方式制作，在此就不再赘述。

请参照图7，在本申请实施例中，显示屏10还可以包括绝缘隔离的两导电焊盘Pad，加热部件14的两端分别与该两导电焊盘Pad连接。

将加热部件14的两端与导电焊盘Pad连接，可以方便加热部件14与外部电源的电连接，避免由于加热部件14的两端的端面积过小而导致与外部电源电连接时的电接触不良。在本申请实施例中，外部电源可以是无机沉积设备中的电源。

发明人发现，在设置加热部件14对位于非显示区10B上的无机封装层进行加热提高无机封装层的致密性时，一方面，需要尽量使位于非显示区10B上的无机封装层的致密性都提高，另一方面，又需要考虑发热器件14所产生的热量对位于有效显示区10A中发光器件层12的影响。经过发明人的研究发现，在加热部件的宽度设置在2um～5um的宽度范围时，能在保证不会对发光器件层12有影响的前提下，确保非显示区10B中有较宽的无机封装层能被加热，形成致密性高的水氧阻隔带。

请参照图8，本申请实施例还可以提供一种电子设备1，该电子设备1采用上面描述的显示屏10。通过采用上面描述显示屏10的电子设备1，可以提升电子设备1抗环境中水氧侵入的能力，可以使电子设备1在显示效果及使用寿命方面得到提升。

本申请实施例提供的显示屏及无机封装层制作方法，通过在非显示区设置加热部件，通过加热部件与外部电源连通时所产生的热量对位于非显示区的封装层进行加热，以排挤出膜层中的气体，增大非显示区的封装层的致密性，加强非显示区的封装层对环境中水氧的阻挡能力，提高显示屏的使用寿命。

以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种显示屏，其特征在于，所述显示屏包括有效显示区及位于所述有效显示区四周的非显示区，所述显示屏还包括基板、发光器件层、封装层及加热部件；

所述基板包括位于所述有效显示区的第一基板区及位于所述非显示区的第二基板区；

所述发光器件层位于所述第一基板区上；

所述封装层覆盖在所述发光器件层上；

所述加热部件位于所述非显示区，所述加热部件在连接外部电源信号时对位于所述非显示区的封装层进行加热；

所述封装层包括第一无机封装层、有机封装层及第二无机封装层；

所述第一无机封装层覆盖在所述发光器件层上；

所述有机封装层位于所述第一无机封装层远离所述基板的一侧，其中，所述发光器件层在所述基板上的正投影位于所述有机封装层在所述基板上的正投影中；

所述第二无机封装层覆盖在所述有机封装层上；

所述第一无机封装层和/或第二无机封装层为包括多个膜层的复合膜层；

所述复合膜层包括膜层厚度互补的相邻膜层。

2.如权利要求1所述的显示屏，其特征在于，所述加热部件分布于所述有效显示区外，且位于所述非显示区远离所述有效显示区的一侧。

3.如权利要求1所述的显示屏，其特征在于，所述加热部件包括金属导线，所述加热部件与所述显示屏中的金属电极均绝缘隔离。

4.如权利要求3所述的显示屏，其特征在于，所述显示屏还包括绝缘隔离的两导电焊盘，所述加热部件的两端分别与该两导电焊盘连接。

5.如权利要求1所述的显示屏，其特征在于，所述第一无机封装层在所述非显示区的厚度与所述第一无机封装层在所述有效显示区的厚度之间的差值在预设误差范围内；

所述第二无机封装层在所述非显示区的厚度与所述第二无机封装层在所述有效显示区的厚度之间的差值在所述预设误差范围内。

6.如权利要求1所述的显示屏，其特征在于，所述相邻膜层中的一膜层的中间膜层厚度大于四周膜层厚度，所述相邻膜层中的另一膜层的中间膜层厚度小于四周膜层厚度。

7.如权利要求1所述的显示屏，其特征在于，所述有机封装层在所述基板上的正投影与所述加热部件在所述基板上的正投影不重合；

所述第一无机封装层及所述第二无机封装层在所述基板上的正投影与所述加热部件在所述基板上的正投影至少部分重合。

8.一种无机封装层制作方法，应用于制作权利要求6所述的显示屏中的相邻膜层，其特征在于，所述方法包括：

加大扩散等离子体的浓度，增大成膜等离子体沿所述扩散等离子体的扩散方向的浓度，制作得到相邻膜层中的一膜层，其中，所述扩散等离子体的扩散方向与所述成膜等离子体的扩散方向垂直；

降低所述扩散等离子体的浓度，减弱成膜等离子体沿所述扩散等离子体的扩散方向的浓度，制作得到相邻膜层中的另一膜层。

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