CN102456696B - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置及其制造方法。根据示例性实施例的显示装置包括：栅极导线，所述栅极导线中的至少一条具有包括形成在所述基板上的第一透明导电层和形成在所述第一透明导电层上的第一金属层的第一多层结构，并且所述栅极导线中的至少另一条具有利用所述第一透明导电层形成的第一单层结构；形成在所述栅极导线的一部分上的半导体层；以及数据导线，所述数据导线中的至少一条具有包括形成在所述半导体层上的第二透明导电层和形成在所述第二透明导电层上的第二金属层的第二多层结构，并且所述数据导线中的至少另一条具有利用所述第二透明导电层形成的第二单层结构。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
所描述技术的示例性实施例涉及显示装置及其制造方法。更具体地说，所描述的技术涉及在简化其结构的同时提高其开口率的显示装置及其制造方法。
背景技术
诸如有机发光二极管(OLED)显示器、液晶显示器(LCD)等等之类的大多数平板显示装置包括薄膜晶体管和电容器。
薄膜晶体管包括被形成为减小半导体层与源电极和漏电极之间的接触电阻的欧姆接触层。欧姆接触层经常通过在半导体层上掺杂杂质来形成。在简化显示装置的整个制造工艺中，用于形成欧姆接触层的工艺变成了限制。
另外，由于电容器通常包括至少一个金属电极，因此不容易增加显示装置的开口率。
在此背景部分中公开的上述信息仅仅用于增加对所描述技术的背景的理解，因此，该信息可以包含不构成在本国已被本领域普通技术人员所知的现有技术的信息。
发明内容
本发明的实施例的各方面致力于一种在提高其开口率的同时简化其结构及其制造工艺的显示装置。
根据示例性实施例的显示装置包括：基板；多条栅极导线，所述栅极导线中的至少一条具有包括形成在所述基板上的第一透明导电层和形成在所述第一透明导电层上的第一金属层的第一多层结构，并且所述栅极导线中的至少另一条具有利用所述第一透明导电层形成的第一单层结构；形成在所述栅极导线的一部分上的半导体层；以及多条数据导线，所述数据导线中的至少一条具有包括形成在所述半导体层上的第二透明导电层和形成在所述第二透明导电层上的第二金属层的第二多层结构，并且所述数据导线中的至少另一条具有利用所述第二透明导电层形成的第二单层结构。
在一个实施例中，所述栅极导线包括栅电极、第一电容器电极和电容器线，并且其中所述半导体层至少部分地形成在所述栅电极上。
在一个实施例中，所述栅电极被形成为具有包括所述第一透明导电层和所述第一金属层的所述第一多层结构，并且其中所述第一电容器电极和所述电容器线各自利用所述第一透明导电层形成。
在一个实施例中，所述栅电极和所述电容器线各自被形成为具有包括所述第一透明导电层和所述第一金属层的所述第一多层结构，并且其中所述第一电容器电极利用所述第一透明导电层形成。
在一个实施例中，所述数据导线包括源电极、漏电极和第二电容器电极，并且其中所述源电极和所述漏电极分别接触所述半导体层，并且其中所述第二电容器电极至少部分地与所述第一电容器电极重叠。
在一个实施例中，所述源电极和所述漏电极各自被形成为具有包括所述第二透明导电层和所述第二金属层的所述第二多层结构，并且其中所述第二电容器电极利用所述第二透明导电层形成。
在一个实施例中，所述第二电容器电极从所述漏电极的所述第二透明导电层延伸出来。
在一个实施例中，所述源电极和所述漏电极各种至少部分地形成在所述半导体层上，并且其中所述源电极的所述第二透明导电层和所述漏电极的所述第二透明导电层成为所述半导体层与所述源电极的所述第二金属层之间的欧姆接触层，以及所述半导体层与所述漏电极的所述第二金属层之间的欧姆接触层。
在一个实施例中，所述显示装置进一步包括覆盖所述数据导线的层间绝缘层，并且所述层间绝缘层具有部分地暴露所述第二电容器电极的像素接触孔。
在一个实施例中，所述显示装置进一步包括形成在所述层间绝缘层上的像素电极，并且所述像素电极通过所述像素接触孔接触所述第二电容器电极。
在一个实施例中，所述像素接触孔被形成在所述电容器线上方。
在一个实施例中，所述层间绝缘层包括有机材料。
在一个实施例中，所述半导体层为氧化物半导体。
在一个实施例中，所述半导体层包括氧(O)以及镓(Ga)、铟(In)、锌(Zn)、铪(Hf)和锡(Sn)中的至少一个。
在一个实施例中，所述显示装置进一步包括布置在所述半导体层与所述数据导线之间的蚀刻阻止膜，所述蚀刻阻止膜具有分别暴露所述半导体层的一部分的源极接触孔和漏极接触孔，并且所述源电极和所述漏电极分别通过所述源极接触孔和所述漏极接触孔接触所述半导体层。
在一个实施例中，所述源电极和所述漏电极在所述半导体层上彼此分离，并且其中所述显示装置进一步包括布置在所述半导体层与所述源电极和所述漏电极彼此分离所在的区域之间的蚀刻阻止膜。
根据另一示例性实施例的显示装置的制造方法包括：制备基板；在所述基板上顺序堆叠第一透明导电层和第一金属层，然后通过图案化顺序堆叠成的第一透明导电层和第一金属层来形成包括栅电极、第一电容器电极和电容器线的栅极导线；形成覆盖所述栅极导线的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成至少部分地与所述栅电极重叠的半导体层；并且在所述半导体层和所述栅极绝缘层上顺序堆叠第二透明导电层和第二金属层，然后通过图案化顺序堆叠成的第二透明导电层和所述第二金属层形成包括接触所述半导体层的源电极、接触所述半导体层的漏电极以及至少部分地与所述第一电容器电极重叠的第二电容器电极的数据导线。
在一个实施例中，所述栅电极被形成为具有包括所述第一透明导电层和所述第一金属层的多层结构，其中所述第一电容器电极和所述电容器线各自利用所述第一透明导电层形成，并且其中所述栅电极、所述第一电容器电极和所述电容器线使用一个掩模通过光刻工艺一起形成。
在一个实施例中，所述栅电极和所述电容器线各自被形成为具有包括所述第一透明导电层和所述第一金属层的多层结构，其中所述第一电容器电极利用所述第一透明导电层形成，并且其中所述栅电极、所述电容器线和所述第一电容器电极使用一个掩模通过光刻工艺一起形成。
在一个实施例中，所述源电极和所述漏电极各自被形成为具有包括所述第二透明导电层和所述第二金属层的多层，其中所述第二电容器电极利用所述第二透明导电层形成，并且其中所述源电极、所述漏电极和所述第二电容器电极使用一个掩模通过光刻工艺一起形成。
在一个实施例中，所述第二电容器电极从所述漏电极的所述第二透明导电层延伸出来。
在一个实施例中，所述源电极和所述漏电极被部分地形成在所述半导体层上，并且其中所述源电极的所述第二透明导电层和所述漏电极的所述第二透明导电层成为所述半导体层与所述源电极的所述第二金属层之间的欧姆接触层以及所述半导体层与所述漏电极的所述第二金属层之间的欧姆接触层。
在一个实施例中，所述制造方法进一步包括形成覆盖所述数据导线的层间绝缘层，并且所述层间绝缘层具有部分地暴露所述第二电容器电极的像素接触孔。
在一个实施例中，所述制造方法进一步包括在所述层间绝缘层上形成像素电极，并且所述像素电极通过所述像素接触孔接触所述第二电容器电极。
在一个实施例中，所述像素接触孔被形成在所述电容器线上方。
在一个实施例中，所述层间绝缘层包括有机材料。
在一个实施例中，所述半导体层为氧化物半导体层。
在一个实施例中，所述半导体层包括氧(O)以及镓(Ga)、铟(In)、锌(Zn)、铪(Hf)和锡(Sn)中的至少一个。
在一个实施例中，所述制造方法进一步包括：在所述半导体层与所述数据导线之间形成蚀刻阻止膜，所述蚀刻阻止膜具有分别暴露所述半导体层的源极接触孔和漏极接触孔，并且所述源电极和所述漏电极通过所述源极接触孔和所述漏极接触孔分别接触所述半导体层。
在一个实施例中，所述源电极和所述漏电极在所述半导体上层彼此分离，并且其中所述制造方法进一步包括在所述半导体层与所述源电极和所述漏电极彼此分离所在的区域之间形成蚀刻阻止膜。
根据该示例性实施例，所述显示装置可以具有简单的结构同时提高了其开口率。
另外，可以减少显示装置的整个制造工艺的步骤。
附图说明
附图与说明书一起示出本发明的示例性实施例，并且与说明书一起用于说明本发明的精神。
图1为根据第一示例性实施例的显示装置的布局图。
图2为图1的沿线II-II截取的截面图。
图3至图6为图1和图2的显示装置的制造方法的顺序截面图。
图7为根据第二示例性实施例的显示装置的截面图。
图8为根据第三示例性实施例的显示装置的截面图。
图9为根据第四示例性实施例的显示装置的截面图。
具体实施方式
将参照附图更充分地描述本发明，附图中示出本发明的示例性实施例。如本领域技术人员会认识到的那样，在不背离本发明的精神或范围的情况下，所描述的实施例可以以各种不同的方式进行修改。
在整个说明书中，相同的附图标记始终指代相同的构成元件。在若干示例性实施例中，在除了第一示例性实施例之外的示例性实施例中，将更详细地描述与第一示例性实施例的元件不同的元件。
进一步，为了更好的理解和描述的容易，描述了在附图中显示出的每个元件的尺寸和厚度，并且本发明不限于所描述的尺寸和厚度。
附图中，为了清楚起见，层、膜、面板、区域等等的厚度被放大。附图中，为了更好的理解和描述的容易，一些层和区域的厚度被过大显示。应当理解，当一元件(例如层、膜、区域或基板)被提到在另一元件“上”时，该元件可以直接在该另一元件上，或者在这两者之间也可以存在一个或多个中间元件。
下文中，将参照图1和图2描述根据第一示例性实施例的显示装置101.图1和图2示出液晶显示器(LCD)作为显示装置101，但第一示例性实施例不限于此。因此，在本领域技术人员能够容易地修改的范围内，有机发光二极管(OLED)显示器可以用作显示装置101。
基板111可以利用由玻璃、石英、陶瓷和/或塑料制成的各种合适的绝缘基板形成。另外，缓冲层可以形成在基板111上。缓冲层可以具有包括利用化学气相沉积方法和/或物理气相沉积方法获得的至少一个绝缘层(例如氧化硅层和/或氮化硅层)的单层或多层结构。缓冲层阻挡或阻止由基板111产生的湿气或杂质扩散并渗透通过，并且其表面可以被平坦化。
栅极导线131、132、133和138形成在基板111上。栅极导线包括栅极线131、电容器线132、栅电极133和第一电容器电极138。
另外，栅极导线131、132、133和138包括顺序堆叠在基板111上的第一透明导电层1301和第一金属层1302。更详细地说，在第一示例性实施例中，栅极线131、电容器线132和栅电极133被形成为具有包括第一透明导电层1301和形成在第一透明导电层1301上的第一金属层1302的多层结构。这里，第一电容器电极138由仅仅第一透明导电层1301形成。也就是说，第一电容器电极138不包括第一金属层1302。
第一透明导电层1301包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌铟锡(ZITO)、氧化镓铟锡(GITO)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化镓锌(GZO)、氧化氟锡(FTO)和/或掺铝的氧化锌(AZO)的透明导电材料中的至少一个。
第一金属层1302被形成为包括诸如钼(Mo)、铬(Cr)铝(Al)、银(Ag)、钛(Ti)、钽(Ta)和/或钨(W)之类的各种合适金属材料中的至少一个。
栅电极133与栅极线131连接，并且第一电容器电极138与电容器线132连接。栅极线131和电容器线132被布置为彼此平行。
由于栅电极133、栅极线131和电容器线132包括第一金属层1302，因此它们具有优良的电特性。具体而言，电容器线132可以有效地将电压供应给由仅仅第一透明导电层1301形成的第一电容器电极138。
另外，由于电容器线132包括第一金属层1302，因此它可以用作挡光单元。也就是说，电容器线132覆盖由于阶跃差而具有非均匀电场的区域，从而提高显示装置101的图像质量。
栅极绝缘层140覆盖栅极导线131、132、133和138。栅极绝缘层140被形成为包括诸如正硅酸乙酯(TEOS)、氮化硅(SiNx)和/或氧化硅(SiO2)之类的各种合适绝缘材料中的至少一个。
半导体层153被形成在栅极绝缘层140上，并且被布置在栅极导线131、132、133和138的一部分上。更详细地说，半导体层153至少与栅电极133部分重叠。
而且，在第一示例性实施例中，氧化半导体层用作半导体层153。更详细地说，半导体层153可以包括氧(O)以及镓(Ga)、铟(In)、锌(Zn)、铪(Hf)和锡(Sn)中的至少一个。然而，第一示例性实施例不限于此。因此，半导体层153可以利用硅材料形成。
与利用非晶硅形成的半导体层相比，氧化物半导体层具有相对高的电子迁移率和可靠性，并且与利用多晶硅形成的半导体相比，氧化物半导体层具有优良的均匀性和简单的制造工艺的优点。
数据导线171、175、177和178被形成在栅极绝缘层140和半导体层153上。数据导线包括数据线171、源电极175、漏电极177和第二电容器电极178。
数据导线171、175、177和178包括顺序堆叠在栅极绝缘层140和半导体层153上的第二透明导电层1701和第二金属层1702。更详细地说，在第一示例性实施例中，数据线171、源电极175和漏电极177被形成为具有包括第二透明导电层1701和形成在第二透明导电层1701上的第二金属层1702的多层结构。第二电容器电极178由仅仅第二透明导电层1701形成。也就是说，第二电容器电极178不包括第二金属层1702。
与第一透明导电层1301相同，第二透明导电层1701包括诸如ITO、IZO、ZITO、GITO、In2O3、ZnO、GZO、FTO和/或AZO之类的透明导材料中的至少一个。
与第一金属层1302相同，第二金属层1702被形成为包括诸如(Mo)、铬(Cr)、铝(Al)、银(Ag)、钛(Ti)、钽(Ta)和/或钨(W)之类的各种合适金属材料中的至少一个。
源电极175与数据线171连接，并且源电极175与漏电极177彼此分离。另外，源电极175和漏电极177分别接触半导体层153。也就是说，源电极175和漏电极177至少部分形成在半导体层153上。在这种情况下，源电极175的第二透明导电层1701和漏电极177的第二透明导电层1701分别用作半导体层153与源电极175的第二金属层1702之间的欧姆接触层，以及半导体层153与漏电极177的第二金属层1702之间的欧姆接触层。也就是说，源电极175的第二透明导电层1701和漏电极177的第二透明导电层1701减少半导体层153与源电极175的第二金属层1702之间的接触电阻，以及半导体层153与漏电极177的第二金属层1702之间的接触电阻。
如所述的那样，根据第一示例性实施例，用作电阻接触层的第二透明导电层1701可以在形成数据导线171、175、177和178时一起形成，因此，可以省略用于形成欧姆接触层的额外工艺。
第二电容器电极178延伸到漏电极177的第二透明导电层1701，并且至少与第一电容器电极138部分重叠。第一电容器电极138、第二电容器电极178和第一电容器电极138与第二电容器电极178之间的栅极绝缘层140成为电容器80。在这种情况下，栅极绝缘层140成为介电材料。
如所述的那样，从漏电极177延伸出来的第二电容器电极178以及与电容器线132连接的第一电容器电极138由透明导电层1301和1701形成，因此显示装置101的开口率可以得到提高。
数据线171形成在与栅极线131和电容器线132交叉的方向上。
层间绝缘层180覆盖数据导线171、175、177和178，并且具有部分暴露第二电容器电极178的像素接触孔188。像素接触孔188形成在电容器线132上方。
另外，在第一示例性实施例中，层间绝缘层180利用有机材料形成。例如，层间绝缘层180可以为具有优良平坦化特性的感光有机层。
像素电极310被布置在层间绝缘层180上。像素电极310通过层间绝缘层180的像素接触孔188接触第二电容器电极178。
液晶层被布置在像素电极310上，但第一示例性实施例不限于此。也就是说，有机发射层可以布置在像素电极310上。
同时，阶跃部分由于像素接触孔188而形成在层间绝缘层180中，并且非均匀电场被形成在阶跃区域中，使得布置在像素电极310上的液晶层的液晶分子排列可以转向不期望的方向。
然而，在第一示例性实施例中，像素接触孔188形成在电容器线132上，因此包括第一金属层1302的电容器线132可以通过阻挡来自没有均匀形成电场的阶跃部分的光来保护免于或阻止显示装置101的图像质量的劣化。
在这种配置的情况下，根据第一示例性实施例的显示装置101可以在提高开口率的情况下简化其结构。
更详细地说，包括用作欧姆接触层的第二透明导电层1701的源电极175和漏电极177可以使用一个掩模通过光刻工艺利用第二电容器电极178来形成。也就是说，源电极175、漏电极177和第二电容器电极178以简单结构形成。相应地，可以省略诸如用于掺杂用于形成欧姆接触层的杂质的工艺之类的额外工艺。
因此，根据第一示例性实施例，可以简化整个结构和制造工艺，使得可以保持大尺寸显示装置101的有效高生产率。
另外，第一电容器电极138和第二电容器电极178都利用透明导电层1301和701形成，使得可以显著提高显示装置101的开口率。
下文中，将参照图3至图6更详细地描述用于制造根据第一示例性实施例的显示装置101的方法。
首先，如图3所示，制备由玻璃、石英、陶瓷、塑料等等制成的基板111，然后在基板111上顺序堆叠第一透明导电1301和第一金属层1302。另外，使用一个掩模通过光刻工艺，(图1中示出的)栅极线131、包括电容器线132、栅电极133和第一电容器电极138的栅极导线通过图案化第一透明导电层1301和第一金属层1302来形成。在这种情况下，栅极线131、电容器线132和栅电极133被形成为具有包括第一透明导电层1301和第一金属层1302的多层结构，并且第一电容器电极138由仅仅第一透明导电层1301形成。
用于形成栅极导线131、132、133和138的光刻工艺包括半色调(halftone)曝光工艺和/或双重曝光工艺。因此，栅极线131、电容器线132、栅电极133和第一电容器电极138可以一起形成。
接下来，如图4所示，覆盖栅极导线131、132、133和138的栅极绝缘层140被形成。另外，半导体层153被形成在栅极绝缘层140上。半导体层153至少部分地与栅电极153重叠。
另外，半导体层153包括氧(O)以及镓(Ga)、铟(In)、锌(Zn)、铪(Hf)和锡(Sn)中的至少一个。
如图5所示，第二透明导电层1701和第二金属层1702被顺序堆叠在栅极绝缘层140和半导体层153上。另外，包括数据线171、源电极175、漏电极177和第二电容器电极178的数据导线使用一个掩模通过光刻工艺图案化顺序堆叠成的层而形成。在这种情况下，数据线171、源电极175和漏电极177被形成为具有包括第二透明导电层1701和第二金属层1702的多层结构，并且第二电容器电极178通过仅仅第二透明导电层1701而形成。
用于形成数据导线171、175、177和178的光刻工艺包括半色调曝光工艺或双重曝光工艺。因此，数据线171、源电极175、漏电极177和第二电容器电极178可以一起形成。
源电极175和漏电极177分别与半导体层153连接，并且从漏电极177的第二透明导电层1701延伸出来的第二电容器电极178至少部分地与第一电容器电极138重叠。
另外，源电极175的第二透明导电层1701和漏电极177的第二透明导电层1701分别用作该源电极的第二金属层1702与半导体层153之间的欧姆接触层以及漏电极177的第二金属层1702与半导体层153之间的欧姆接触层。
接下来，如图6所示，覆盖数据导线171、175、177和178的层间绝缘层180被形成。层间绝缘层180由有机材料制成。
进一步，层间绝缘层180具有部分暴露第二电容器电极178的像素接触孔188。像素接触孔188被布置在电容器线132上。
像素电极310被形成在层间绝缘层180上。像素电极310和第二电容器电极178通过像素接触孔188彼此接触。
另外，液晶层可以布置在像素电极310上。
在这种制造方法的情况下，可以制造根据第一示例性实施例的显示装置101。也就是说，在制造工艺期间所使用的掩模的数目可以通过省略用于形成欧姆接触层的额外工艺而被减少或最小化。
因此，根据第一示例性实施例，大尺寸显示装置101可以有效地保持高生产率。
另外，由于第一电容器电极138和第二电容器电极178利用透明导电层1301和1701形成，因此显示装置101的开口率可以显著提高。
下文中，将参照图7描述根据第二示例性实施例的显示装置102。
如图7所示，根据第二示例性实施例的显示装置102的电容器线132利用第一透明导电层1301形成。也就是说，与第一示例性实施例不同，电容器线132不包括第一金属层1302。
在这种配置的情况下，根据第二示例性实施例的显示装置102可以具有进一步提高的开口率。
根据第二示例性实施例的显示装置102的制造方法基本上与第一示例性实施例的相同，但除了利用第一透明导电层1301形成电容器线132之外。
下文中，将参照图8描述根据第三示例性实施例的显示装置103。
如图8所示，根据第三示例性实施例的显示装置103进一步包括布置在半导体层153与数据导线171、175、177和178之间的蚀刻阻止膜160。
蚀刻阻止膜160保护免于或防止布置在源电极175和漏电极177下方的半导体153在用于形成源电极175和漏电极177的工艺期间受到损坏。
另外，根据第三示例性实施例的蚀刻阻止膜160具有分别暴露半导体层153的一部分的源极接触孔165和漏极接触孔167。
在这种配置的情况下，可以进一步稳定地形成根据第三示例性实施例的显示装置103。
根据第三示例性实施例的显示装置103的制造方法基本上与第一示例性实施例的相同，但进一步包括用于形成蚀刻阻止膜160的工艺。这里，与第一示例性实施例的制造方法相比，在第三示例性实施例的制造方法中额外执行光刻工艺。
下文中，将参照图9描述根据第四示例性实施例的显示装置104。
如图9所示，根据第四示例性实施例的显示装置104进一步包括布置在源电极175和漏电极177彼此分离所在的区域与半导体层153之间的蚀刻阻止膜260。
与第三示例性实施例的蚀刻阻止膜160不同，根据第四示例性实施例的蚀刻阻止膜260被限制性地形成在半导体层153上。
在这种配置的情况下，可以稳定地形成根据第四示例性实施例的显示装置104。
根据第四示例性实施例的显示装置104的制造方法基本上与第一示例性实施例的相同，但进一步包括用于形成蚀刻阻止膜260的工艺。这里，与第一示例性实施例的制造方法相比，在第四示例性实施例的制造方法中额外执行光刻工艺。
尽管本公开已结合目前被考虑为实际示例性实施例的进行了描述，但应当理解，本发明不限于所公开的实施例，而是相反地，本发明试图涵盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。
某些符号的描述
10：薄膜晶体管80：电容器
101：显示装置111：基板
131：栅极线132：电容器线
133：栅电极138：第一电容器电极
140：栅极绝缘层153：半导体层
160：蚀刻阻止膜171：数据线
175：源电极177：漏电极
178：第二电容器电极180：层间绝缘层
310：像素电极

Claims (30)

1.一种显示装置，包括：
基板；
多条栅极导线，所述栅极导线中的至少一条具有包括形成在所述基板上的第一透明导电层和形成在所述第一透明导电层上的第一金属层的第一多层结构，并且所述栅极导线中的至少另一条具有利用所述第一透明导电层形成的第一单层结构；
形成在所述栅极导线的一部分上的半导体层；以及
多条数据导线，所述数据导线中的至少一条具有包括形成在所述半导体层上的第二透明导电层和形成在所述第二透明导电层上的第二金属层的第二多层结构，并且所述数据导线中的至少另一条具有利用所述第二透明导电层形成的第二单层结构。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述栅极导线包括栅电极、第一电容器电极和电容器线，并且其中所述半导体层至少部分地形成在所述栅电极上。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述栅电极被形成为具有包括所述第一透明导电层和所述第一金属层的所述第一多层结构，并且其中所述第一电容器电极和所述电容器线各自利用所述第一透明导电层形成。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述栅电极和所述电容器线各自被形成为具有包括所述第一透明导电层和所述第一金属层的所述第一多层结构，并且其中所述第一电容器电极利用所述第一透明导电层形成。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述数据导线包括源电极、漏电极和第二电容器电极，并且其中所述源电极和所述漏电极分别接触所述半导体层，并且其中所述第二电容器电极至少部分地与所述第一电容器电极重叠。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述源电极和所述漏电极各自被形成为具有包括所述第二透明导电层和所述第二金属层的所述第二多层结构，并且其中所述第二电容器电极利用所述第二透明导电层形成。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述第二电容器电极从所述漏电极的所述第二透明导电层延伸出来。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述源电极和所述漏电极各自至少部分地形成在所述半导体层上，并且其中所述源电极的所述第二透明导电层和所述漏电极的所述第二透明导电层成为所述半导体层与所述源电极的所述第二金属层之间的欧姆接触层，以及所述半导体层与所述漏电极的所述第二金属层之间的欧姆接触层。
9.根据权利要求6所述的显示装置，进一步包括覆盖所述数据导线的层间绝缘层，
其中所述层间绝缘层具有部分暴露所述第二电容器电极的像素接触孔。
10.根据权利要求9所述的显示装置，进一步包括形成在所述层间绝缘层上的像素电极，
其中所述像素电极通过所述像素接触孔接触所述第二电容器电极。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中所述像素接触孔被形成在所述电容器线上方。
12.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述层间绝缘层包括有机材料。
13.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述半导体层为氧化物半导体。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述半导体层包括氧以及镓、铟、锌、铪和锡中的至少一个。
15.根据权利要求6所述的显示装置，进一步包括布置在所述半导体层与所述数据导线之间的蚀刻阻止膜；
其中所述蚀刻阻止膜具有分别暴露所述半导体层的一部分的源极接触孔和漏极接触孔；并且
其中所述源电极和所述漏电极分别通过所述源极接触孔和所述漏极接触孔接触所述半导体层。
16.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述源电极和所述漏电极在所述半导体层上彼此分离，并且其中所述显示装置进一步包括布置在所述半导体层与所述源电极和所述漏电极彼此分离所在的区域之间的蚀刻阻止膜。
17.一种显示装置的制造方法，所述方法包括：
制备基板；
在所述基板上顺序堆叠第一透明导电层和第一金属层，然后通过图案化顺序堆叠成的第一透明导电层和第一金属层来形成包括栅电极、第一电容器电极和电容器线的栅极导线；
形成覆盖所述栅极导线的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成至少部分地与所述栅电极重叠的半导体层；并且
在所述半导体层和所述栅极绝缘层上顺序堆叠第二透明导电层和第二金属层，然后通过图案化顺序堆叠成的第二透明导电层和第二金属层来形成包括接触所述半导体层的源电极、接触所述半导体层的漏电极以及至少部分地与所述第一电容器电极重叠的第二电容器电极的数据导线。
18.根据权利要求17所述的显示装置的制造方法，其中所述栅电极被形成为具有包括所述第一透明导电层和所述第一金属层的多层结构，其中所述第一电容器电极和所述电容器线各自利用所述第一透明导电层形成，并且其中所述栅电极、所述第一电容器电极和所述电容器线使用一个掩模通过光刻工艺一起形成。
19.根据权利要求17所述的显示装置的制造方法，其中所述栅电极和所述电容器线各自被形成为具有包括所述第一透明导电层和所述第一金属层的多层结构，其中所述第一电容器电极利用所述第一透明导电层形成，并且其中所述栅电极、所述电容器线和所述第一电容器电极使用一个掩模通过光刻工艺一起形成。
20.根据权利要求17所述的显示装置的制造方法，其中所述源电极和所述漏电极各自被形成为具有包括所述第二透明导电层和所述第二金属层的多层，其中所述第二电容器电极利用所述第二透明导电层形成，并且其中所述源电极、所述漏电极和所述第二电容器电极使用一个掩模通过光刻工艺一起形成。
21.根据权利要求20所述的显示装置的制造方法，其中所述第二电容器电极从所述漏电极的所述第二透明导电层延伸出来。
22.根据权利要求20所述的显示装置的制造方法，其中所述源电极和所述漏电极被部分地形成在所述半导体层上，并且其中所述源电极的所述第二透明导电层和所述漏电极的所述第二透明导电层成为所述半导体层与所述源电极的所述第二金属层之间的欧姆接触层以及所述半导体层与所述漏电极的所述第二金属层之间的欧姆接触层。
23.根据权利要求20所述的显示装置的制造方法，进一步包括：
形成覆盖所述数据导线的层间绝缘层；
其中所述层间绝缘层具有部分地暴露所述第二电容器电极的像素接触孔。
24.根据权利要求23所述的显示装置的制造方法，进一步包括：
在所述层间绝缘层上形成像素电极；
其中所述像素电极通过所述像素接触孔接触所述第二电容器电极。
25.根据权利要求24所述的显示装置的制造方法，其中所述像素接触孔被形成在所述电容器线上方。
26.根据权利要求23所述的显示装置的制造方法，其中所述层间绝缘层包括有机材料。
27.根据权利要求20所述的显示装置的制造方法，其中所述半导体层为氧化物半导体层。
28.根据权利要求27所述的显示装置的制造方法，其中所述半导体层包括氧以及镓、铟、锌、铪和锡中的至少一个。
29.根据权利要求20所述的显示装置的制造方法，进一步包括：
在所述半导体层与所述数据导线之间形成蚀刻阻止膜；
其中所述蚀刻阻止膜具有分别暴露所述半导体层的源极接触孔和漏极接触孔；并且
其中所述源电极和所述漏电极通过所述源极接触孔和所述漏极接触孔分别接触所述半导体层。
30.根据权利要求20所述的显示装置的制造方法，其中所述源电极和所述漏电极在所述半导体层上彼此分离，并且其中所述制造方法进一步包括在所述半导体层与所述源电极和所述漏电极彼此分离所在的区域之间形成蚀刻阻止膜。
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