CN112420944A - 一种显示面板、制程方法及显示装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 234
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- -1 silicon oxide compound Chemical class 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 3
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGXCGDYZRKCEN-UHFFFAOYSA-N O=[Ir](=O)=O Chemical compound O=[Ir](=O)=O QIGXCGDYZRKCEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXASPPWQHFOWPL-UHFFFAOYSA-N Tamarixin Natural products C1=C(O)C(OC)=CC=C1C1=C(OC2C(C(O)C(O)C(CO)O2)O)C(=O)C2=C(O)C=C(O)C=C2O1 JXASPPWQHFOWPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N [N].[Si] Chemical compound [N].[Si] UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical compound [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本申请提供了一种显示面板及制程方法以及显示装置，显示面板的第一透明电极具有相对设置的第一面和第二面，缓冲层设置在所述第一面，半导体层设置在所述缓冲层远离所述第一透明电极的一面，层间绝缘层设置在所述半导体层远离所述第一透明电极的一面，且覆盖所述缓冲层，钝化层设置在所述层间绝缘层远离所述第一透明电极的一面，第二透明电极设置在所述钝化层远离所述第一透明电极的一面，其中，所述第二透明电极与位于所述显示面板底端的摄像头对应。本申请实施例将于摄像头对应的区域通过第二透明电极替代原来阴极，从而提高了显示面板的透光率，同时，本申请利用第一透明电极和半导体层形成电容电极层，同样也提高了显示面板的透光率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板、制程方法及显示装置。
背景技术
主动矩阵有机发光二极体(AMOLED)因高对比度，可视角度广以及响应速度快可柔性等特点有望取缔液晶成为下一代显示器主流选择。
目前的手机面板新技术发展迅速，屏下摄像头即将成为下一轮的热点技术，目前的TFT基板有一大块为阳极，其余位置几乎被金属走线填满，如此面板的透过率只有3％左右，无法实现屏下摄像头的要求。
因此，提供一种能够提高透光率的显示面板，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板、制程方法及显示装置，能够提高显示面板透光率。
本申请实施例提供一种显示面板，包括：
第一透明电极，具有相对设置的第一面和第二面；
缓冲层，设置在所述第一面；
半导体层，设置在所述缓冲层远离所述第一透明电极的一面；
层间绝缘层，设置在所述半导体层远离所述第一透明电极的一面，且覆盖所述缓冲层；
钝化层，设置在所述层间绝缘层远离所述第一透明电极的一面；
第二透明电极，设置在所述钝化层远离所述第一透明电极的一面；
其中，所述第二透明电极与位于所述显示面板底端的摄像头对应。
在一些实施例中，还包括像素电极、阳极层、有机发光层以及阴极层，所述像素电极设置在所述钝化层远离所述第一透明电极的一面，所述阳极层设置在所述像素电极远离所述第一透明电极的一面，所述有机发光层设置在所述阳极层远离所述第一透明电极的一面，所述阴极层设置在所述有机发光层远离所述第一透明电极的一面，所述阴极层具有镂空区域，所述第二透明电极设置在所述镂空区域内。
在一些实施例中，所述半导体层的厚度为
至
在一些实施例中，所述钝化层远离所述第一透明电极的一面设有凹槽，所述像素电极设置在所述凹槽内，所述像素电极远离所述第一透明电极的一面与所述钝化层远离所述第一透明电极的一面平齐。
在一些实施例中，还包括玻璃基板，所述玻璃基板设置在所述第二面，所述玻璃基板与所述第一透明电极之间设置有遮光层。
在一些实施例中，所述半导体层具有第一部和第二部，所述第一部的正投影至少部分位于所述第二透明电极区域内，所述第二部的正投影位于所述第二透明电极区域外，所述第二部远离所述第一透明电极的一面依次层叠设置有绝缘层和金属层，所述层间绝缘层远离所述第一透明电极的一面设置有源漏极层，所述源漏极层通过第一接触孔与所述第一部的半导体层连接，所述阳极层通过第二接触孔与所述源漏极层连接。
在一些实施例中，还包括像素定义层，所述像素定义层设置在所述钝化层与所述有机发光层之间，且与所述像素电极交错设置。
在一些实施例中，还包括氧化层、封装层以及盖板，所述氧化层、封装层以及盖板依次设置在所述阴极层远离所述第一透明电极的一面。
本申请实施例还提供一种显示面板制程方法，包括：
提供一第一透明电极，所述第一透明电极具有相对设置的第一面和第二面；
在所述第一面设置缓冲层；
在所述缓冲层远离所述第一透明电极的一面设置半导体层；
在所述半导体层远离所述第一透明电极的一面设置层间绝缘层，所述层间绝缘层且覆盖所述缓冲层；
在所述层间绝缘层远离所述第一透明电极的一面设置钝化层；
在所述钝化层远离所述第一透明电极的一面设置第二透明电极，其中，所述第二透明电极与位于所述显示面板底端的摄像头对应。
本申请实施例还提供一种显示装置，包括：显示面板和摄像头，所述摄像头设置在所述显示面板底部，所述显示面板为以上所述的显示面板。
本申请实施例所提供的显示面板及制程方法以及显示装置，显示面板包括第一透明电极、缓冲层、半导体层、层间绝缘层、钝化层以及第二透明电极，第一透明电极具有相对设置的第一面和第二面，缓冲层设置在所述第一面，半导体层设置在所述缓冲层远离所述第一透明电极的一面，层间绝缘层设置在所述半导体层远离所述第一透明电极的一面，且覆盖所述缓冲层，钝化层设置在所述层间绝缘层远离所述第一透明电极的一面，第二透明电极设置在所述钝化层远离所述第一透明电极的一面，其中，所述第二透明电极与位于所述显示面板底端的摄像头对应。本申请实施例将于摄像头对应的区域通过第二透明电极替代原来阴极，从而提高了显示面板的透光率，同时，本申请利用第一透明电极和半导体层形成电容电极层，同样也提高了显示面板的透光率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为相关实施例提供的显示面板布线结构示意图。
图2为相关实施例中显示面板的结构示意图。
图3为本申请实施例提供的显示面板结构示意图。
图4为本申请实施例提供的阴极和第二透明导电膜的堆叠结构示意图。
图5为本申请实施例中显示面板的布线结构示意图。
图6为本申请实施例提供的显示面板的制程方法流程示意图。
图7为本申请实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
相关技术中，目前的面板像素电路如下图1所示，由于存储电容和多个薄膜晶体管的存在，导致面板开口区域116只占整个像素的20％～30％，如图2所示的电容区115的底发射OLED面板反射阴极101的存在，导致光线无法透过，使得显示面板透光率。
本申请实施例提供一种显示面板、制程方法以及显示装置，以下对显示面板做详细介绍。
请参阅图3所示，图3为本申请实施例提供的显示面板结构示意图。其中，显示面板10包括第一透明电极11、缓冲层12、半导体层13、层间绝缘层14、钝化层15以及第二透明电极16，第一透明电极11具有相对设置的第一面和第二面，缓冲层12设置在所述第一面，半导体层13设置在所述缓冲层12远离所述第一透明电极11的一面，层间绝缘层14设置在所述半导体层13远离所述第一透明电极11的一面，且覆盖所述缓冲层12，钝化层15设置在所述层间绝缘层14远离所述第一透明电极11的一面，第二透明电极16设置在所述钝化层15远离所述第一透明电极11的一面，其中，所述第二透明电极16与位于所述显示面板10底端的摄像头对应。
需要说明的是，第一面为第一透明电极11的上表面，第二面为第一透明电极11的下表面，当然，第一面也可以为第一透明电极11的下表面，第二面可以为第一透明电极11的上表面。
具体的，半导体层13采用的材料为透明金属氧化物，具体地，可以为铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟镓锌锡氧化物(IGZTO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)或锑锡氧化物(ATO)中的任一种。以上材料具有很好的导电性和透明性，并且厚度较小，不会影响显示面板10的整体厚度。同时，还可以减少对人体有害的电子辐射及紫外、红外光。半导体层13的厚度为
至
具体地，半导体层13的厚度为
或
具体的，钝化层15可以为单层或多层结构，钝化层15采用的材料为硅氧化合物、硅氮化合物或以上材料的组合。例如在钝化层15多层结构中，可以采用一层硅氧化合物与一层硅氮化合物的多层结构。
其中，沉积绝缘层103可以为单层或多层结构，层间绝缘层14采用的材料为硅氧化合物、硅氮化合物或以上材料的组合。例如在层间绝缘层14多层结构中，可以采用一层硅氧化合物与一层硅氮化合物的多层结构。
其中，第一透明电极11和第二透明电极16采用的材料可以为ITO。
可以理解的是，由于采用本申请的结构，第一透明电极11和半导体层13形成电容的两个电极层，又因为第一透明电极11和半导体层13均为透明材料。因此，可以形成透明电容。又因为该透明电容与摄像头对应，因此，可以使得光线更好的进入摄像头，使得摄像头能够更好的采光，提升摄像头的效果。另外的，第二透明电极16替代原来的反射阴极，从而使得光线能够透过第二透明电极16进入到摄像头，同样能够提高显示面板10的透光率。
图4为本申请实施例提供的阴极和第二透明导电膜的堆叠结构示意图。其中，显示面板10还包括像素电极17、阳极18层、有机发光层19以及阴极层101，所述像素电极17设置在所述钝化层15远离所述第一透明电极11的一面，所述阳极18层设置在所述像素电极17远离所述第一透明电极11的一面，所述有机发光层19设置在所述阳极18层远离所述第一透明电极11的一面，所述阴极层101设置在所述有机发光层19远离所述第一透明电极11的一面，所述阴极层101具有镂空区域，所述第二透明电极16设置在所述镂空区域内。
具体的，阳极18层可以采用电致变色材料，当阳极18层不加电压的情况下，阳极18层为透明的，这样就增加了显示面板10的透光率，同时可以实现较高的对比度。
其中，所述阳极18层可以包括层叠设置的第一透明导电薄膜，三氧化钨层以及第二透明导电薄膜。
需要说明的是，阳极18层还可以包括层叠设置的第一透明导电薄膜，三氧化铱层以及第二透明导电薄膜。在阳极18层上可以使用光刻工艺形成阳极18图案化结构。通过该结构能够在不加电压的情况下，使得阳极18层是透明的，从而提高显示面板10的透光率。
可以理解的是，本申请实施例将第二透明电极16设在漏光区域内，使得第二透明电极16和阴极能够结合，从而能在提升摄像头区域透光率的同时，节省成本。
所述钝化层15远离所述第一透明电极11的一面设有凹槽，所述像素电极17设置在所述凹槽内，所述像素电极17远离所述第一透明电极11的一面与所述钝化层15远离所述第一透明电极11的一面平齐。
可以理解的是，在钝化层15远离所述第一透明电极11的一面设有凹槽，所述像素电极17设置在所述凹槽内，所述像素电极17远离所述第一透明电极11的一面与所述钝化层15远离所述第一透明电极11的一面平齐。这样可以使得显示面板10整体膜层厚度减薄。
其中，显示面板10还包括玻璃基板102，所述玻璃基板102设置在所述第二面，所述玻璃基板102与所述第一透明电极11之间设置有遮光层。
其中，所述半导体层13具有第一部131和第二部132，所述第一部131的正投影至少部分位于所述第二透明电极16区域内，所述第二部132的正投影位于所述第二透明电极16区域外，所述第二部132远离所述第一透明电极11的一面依次层叠设置有绝缘层103和金属层104，所述层间绝缘层14远离所述第一透明电极11的一面设置有源漏极层，所述源漏极层通过第一接触孔141与所述第一部131的半导体层13连接，所述阳极18层通过第二接触孔151与所述源漏极层连接。
可以理解的是，半导体层13一部分用于与源漏极连接，一部分用于与形成电容电极。这样板导体层能够具有多个作用，且制作半导体层13时，可以一次成型。这样可以减少工序，降低生产成本。
其中，显示面板10还包括像素定义层105，所述像素定义层105设置在所述钝化层15与所述有机发光层19之间，且与所述像素电极17交错设置。
其中，还包括氧化层106、封装层107以及盖板108，所述氧化层106、封装层107以及盖板108依次设置在所述阴极层101远离所述第一透明电极11的一面。
请参阅图5，图5为本申请实施例中显示面板10的布线结构示意图。其中，显示面板10包括数据线109和扫描线110，数据线109和扫描线110较小设置，同时数据线109和扫描线110围成像素区域，透明电容区域115位于所述像素区域内，显示面板10包括第一开关111、第二开关112以及第三开关113，第一开关111与电源端114连接，第二开关112开关与数据线109连接，第三开关113与扫描线110连接。
本申请实施例提供的显示面板10包括第一透明电极11、缓冲层12、半导体层13、层间绝缘层14、钝化层15以及第二透明电极16，第一透明电极11具有相对设置的第一面和第二面，缓冲层12设置在所述第一面，半导体层13设置在所述缓冲层12远离所述第一透明电极11的一面，层间绝缘层14设置在所述半导体层13远离所述第一透明电极11的一面，且覆盖所述缓冲层12，钝化层15设置在所述层间绝缘层14远离所述第一透明电极11的一面，第二透明电极16设置在所述钝化层15远离所述第一透明电极11的一面，其中，所述第二透明电极16与位于所述显示面板10底端的摄像头对应。本申请实施例将于摄像头对应的区域通过第二透明电极16替代原来阴极，从而提高了显示面板10的透光率，同时，本申请利用第一透明电极11和半导体层13形成电容电极层，同样也提高了显示面板10的透光率。
请参阅图6，图6为本申请实施例提供的显示面板的制程方法。其中，一种显示面板制程方法，包括如下步骤：
201提供一第一透明电极，所述第一透明电极具有相对设置的第一面和第二面。
202、在所述第一面设置缓冲层。
203、在所述缓冲层远离所述第一透明电极的一面设置半导体层。
需要说明的是，通过光刻工艺形成半导体层图案。
204、在所述半导体层远离所述第一透明电极的一面设置层间绝缘层，所述层间绝缘层且覆盖所述缓冲层。
205、在所述层间绝缘层远离所述第一透明电极的一面设置钝化层。
206、在所述钝化层远离所述第一透明电极的一面设置第二透明电极，其中，所述第二透明电极与位于所述显示面板底端的摄像头对应。
本申请由于采用这种方法，第一透明电极和半导体层形成电容的两个电极层，又因为第一透明电极和半导体层均为透明材料。因此，可以形成透明电容。又因为该透明电容与摄像头对应，因此，可以使得光线更好的进入摄像头，使得摄像头能够更好的采光，提升摄像头的效果。另外的，第二透明电极替代原来的反射阴极，从而使得光线能够透光第二透明电极进入到摄像头，同样能够提高显示面板的透光率。
请参阅图7，图7为本申请实施例提供的显示装置的结构示意图。其中，本申请实施例还提供一种显示装置100，包括显示面板10和摄像头20，所述摄像头20设置在所述显示面板10底部，所述显示面板10为以上所述的显示面板10。由于上述实施例已经对显示面板10进行了详细的描述，因此，本申请实施例中对显示面板10不做过多赘述。
本申请实施例的显示装置100的第一透明电极和半导体层形成电容的两个电极层，又因为第一透明电极和半导体层均为透明材料。因此，可以形成透明电容。又因为该透明电容与摄像头对应，因此，可以使得光线更好的进入摄像头，使得摄像头能够更好的采光，提升摄像头的效果。另外的，第二透明电极替代原来的反射阴极，从而使得光线能够透光第二透明电极进入到摄像头，同样能够提高显示面板的透光率。
以上对本申请实施例提供的一种显示面板、制程方法及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
第一透明电极，具有相对设置的第一面和第二面；
缓冲层，设置在所述第一面；
半导体层，设置在所述缓冲层远离所述第一透明电极的一面；
层间绝缘层，设置在所述半导体层远离所述第一透明电极的一面，且覆盖所述缓冲层；
钝化层，设置在所述层间绝缘层远离所述第一透明电极的一面；
第二透明电极，设置在所述钝化层远离所述第一透明电极的一面；
其中，所述第二透明电极与位于所述显示面板底端的摄像头对应。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括像素电极、阳极层、有机发光层以及阴极层，所述像素电极设置在所述钝化层远离所述第一透明电极的一面，所述阳极层设置在所述像素电极远离所述第一透明电极的一面，所述有机发光层设置在所述阳极层远离所述第一透明电极的一面，所述阴极层设置在所述有机发光层远离所述第一透明电极的一面，所述阴极层具有镂空区域，所述第二透明电极设置在所述镂空区域内。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述半导体层的厚度为
至
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述钝化层远离所述第一透明电极的一面设有凹槽，所述像素电极设置在所述凹槽内，所述像素电极远离所述第一透明电极的一面与所述钝化层远离所述第一透明电极的一面平齐。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括玻璃基板，所述玻璃基板设置在所述第二面，所述玻璃基板与所述第一透明电极之间设置有遮光层。
6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述半导体层具有第一部和第二部，所述第一部的正投影至少部分位于所述第二透明电极区域内，所述第二部的正投影位于所述第二透明电极区域外，所述第二部远离所述第一透明电极的一面依次层叠设置有绝缘层和金属层，所述层间绝缘层远离所述第一透明电极的一面设置有源漏极层，所述源漏极层通过第一接触孔与所述第一部的半导体层连接，所述阳极层通过第二接触孔与所述源漏极层连接。
7.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，还包括像素定义层，所述像素定义层设置在所述钝化层与所述有机发光层之间，且与所述像素电极交错设置。
8.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，还包括氧化层、封装层以及盖板，所述氧化层、封装层以及盖板依次设置在所述阴极层远离所述第一透明电极的一面。
9.一种显示面板制程方法，其特征在于，包括：
提供一第一透明电极，所述第一透明电极具有相对设置的第一面和第二面；
在所述第一面设置缓冲层；
在所述缓冲层远离所述第一透明电极的一面设置半导体层；
在所述半导体层远离所述第一透明电极的一面设置层间绝缘层，所述层间绝缘层且覆盖所述缓冲层；
在所述层间绝缘层远离所述第一透明电极的一面设置钝化层；
在所述钝化层远离所述第一透明电极的一面设置第二透明电极，其中，所述第二透明电极与位于所述显示面板底端的摄像头对应。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：显示面板和摄像头，所述摄像头设置在所述显示面板底部，所述显示面板为权利要求1至8任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011251693.3A CN112420944B (zh) | 2020-11-11 | 2020-11-11 | 一种显示面板、制程方法及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011251693.3A CN112420944B (zh) | 2020-11-11 | 2020-11-11 | 一种显示面板、制程方法及显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112420944A true CN112420944A (zh) | 2021-02-26 |
| CN112420944B CN112420944B (zh) | 2024-05-28 |
Family
ID=74781382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011251693.3A Active CN112420944B (zh) | 2020-11-11 | 2020-11-11 | 一种显示面板、制程方法及显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112420944B (zh) |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112420944B (zh) | 2024-05-28 |
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| GR01 | Patent grant |