JP2015018770A - 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2015018770A
JP2015018770A JP2013146946A JP2013146946A JP2015018770A JP 2015018770 A JP2015018770 A JP 2015018770A JP 2013146946 A JP2013146946 A JP 2013146946A JP 2013146946 A JP2013146946 A JP 2013146946A JP 2015018770 A JP2015018770 A JP 2015018770A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
light
counter electrode
organic
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013146946A
Other languages
English (en)
Inventor
伊藤 宜弘
Nobuhiro Ito
宜弘 伊藤
高志 安食
takashi Ajiki
高志 安食
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority to JP2013146946A priority Critical patent/JP2015018770A/ja
Priority to KR1020167002389A priority patent/KR20160030205A/ko
Priority to CN201480039712.2A priority patent/CN105393643A/zh
Priority to US14/902,879 priority patent/US9614188B2/en
Priority to PCT/JP2014/003500 priority patent/WO2015004876A1/ja
Priority to DE112014003234.4T priority patent/DE112014003234T5/de
Publication of JP2015018770A publication Critical patent/JP2015018770A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/02Details
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H05B33/24Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers of metallic reflective layers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H05B33/28Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode of translucent electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/814Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • H10K50/824Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8051Anodes
    • H10K59/80516Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8052Cathodes
    • H10K59/80522Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/878Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2105/00Planar light sources
    • F21Y2105/10Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements
    • F21Y2105/14Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements characterised by the overall shape of the two-dimensional array
    • F21Y2105/16Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements characterised by the overall shape of the two-dimensional array square or rectangular, e.g. for light panels
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10Light-emitting diodes [LED]
    • F21Y2115/15Organic light-emitting diodes [OLED]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12044OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/341Short-circuit prevention

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

【課題】反射性を向上するとともに、ショート不良を抑制し、光取り出し効率が高く電気的信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】有機エレクトロルミネッセンス素子は、光透過性電極2と、光透過性電極2と対となり光反射性を有する対電極4と、光透過性電極2と対電極4との間に配置される発光層3とを備えている。対電極4は、Ag又はAgを含有する合金により構成されている。対電極4の発光層3とは反対側に、補助反射層6が設けられている。補助反射層6と対電極4との間に、対電極4と補助反射層6との間で成分が拡散して移動することを阻害する拡散阻害層5を有する。
【選択図】図1

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた照明装置に関する。
有機エレクトロルミネッセンス素子(以下「有機EL素子」ともいう)として、基板の上に設けられた陽極と陰極との間に、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などの機能層を積層させた構造のものが一般的に知られている。有機EL素子では、陽極と陰極の間に電圧を印加することによって、発光層で発した光が面状に外部に取り出される。
有機EL素子では、光透過性の電極を通して光が外部に取り出される。その際、光透過性の電極の対となる電極を反射性の電極で構成し、発光層からの光を反射性の電極で反射させて、外部に光を取り出す構造が知られている。反射性の電極を用いることにより、光を外部に効率よく取り出すことができる。
特開2003−123987号公報
有機EL素子においては、光取り出し効率が重要であり、光取り出し性をより高める構造が開発されている。特許文献1では、全反射ミラーとハーフミラーとの間に発光層を設けて共振構造を形成することによって、高輝度を得る技術が開示されている。しなしながら、この構造は、各層における厚みの設定が難しく、素子を簡単に形成することができないおそれがある。
また、光反射性を高める構造として、反射性の電極の反射率を上げることが考えられる。例えば、電極材料として銀を用いると、銀は反射性の高い金属であるため、電極の反射性が向上することが期待される。
しかしながら、銀は成膜時に回り込んで積層される性質を有するため、異物等が混入した場合にショート不良が発生しやすく、銀を含む電極を信頼性高く形成することは容易ではない。また、反射性向上のために銀を多く使うとコスト高となる場合があり、経済性が低下してしまうおそれがある。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、反射性を向上するとともに、ショート不良を抑制し、光取り出し効率が高く電気的信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置を提供することを目的とするものである。
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、光透過性電極と、前記光透過性電極と対となり光反射性を有する対電極と、前記光透過性電極と前記対電極との間に配置される発光層と、を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記対電極は、Ag又はAgを含有する合金により構成され、
前記対電極の前記発光層とは反対側に、補助反射層が設けられ、
前記補助反射層と前記対電極との間に、前記対電極と前記補助反射層との間で成分が拡散して移動することを阻害する拡散阻害層を有することを特徴とするものである。
上記の有機エレクトロルミネッセンス素子にあっては、前記対電極の屈折率は、波長440〜460nm、波長550〜570nm、及び、波長610〜630nmにおいて、0.17以下であり、前記対電極の消衰係数は、波長440〜460nm、波長550〜570nm、及び、波長610〜630nmにおいて、5.0以下であることが好ましい。
上記の有機エレクトロルミネッセンス素子にあっては、前記拡散阻害層の消衰係数は、波長440〜460nm、波長550〜570nm、及び、波長610〜630nmにおいて、0.1以下であることが好ましい。
上記の有機エレクトロルミネッセンス素子にあっては、前記拡散阻害層の厚みは、前記対電極の厚みよりも小さいことが好ましい。
上記の有機エレクトロルミネッセンス素子にあっては、前記拡散阻害層は、双極子モーメントが0.1D以上の物質を含有していることが好ましい。
上記の有機エレクトロルミネッセンス素子にあっては、前記補助反射層は、導電性を有し、前記補助反射層は、前記発光層が形成されていない領域で、前記対電極に電気的に接続されていることが好ましい。
上記の有機エレクトロルミネッセンス素子にあっては、前記光透過性電極の前記発光層とは反対側に光透過性基板を備え、前記光透過性基板の前記光透過性電極側の表面に、光取り出し構造が設けられていることが好ましい。
本発明に係る照明装置は、上記の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えている。
本発明によれば、対電極が銀を含むとともに、補助反射層と拡散阻害層とが設けられるので、反射性が向上するとともに、ショート不良が抑制され、光取り出し効率が高く電気的信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置を得ることができる。
有機エレクトロルミネッセンス素子の実施形態の一例を示す断面図である。 異物による積層構造の影響を説明する断面図であり、(a)は対電極の厚みが薄い場合、(b)は対電極の厚みが厚い場合を示す。 有機エレクトロルミネッセンス素子の実施形態の一例を示す断面図である。 有機エレクトロルミネッセンス素子の実施形態の一例を示す断面図である。 有機エレクトロルミネッセンス素子の実施形態の一例を示す断面図である。 光反射構造の反射特性を示すグラフであり、(a)は実施例1、(b)は比較例1を示している。
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)は、光透過性電極2と、光透過性電極2と対となり光反射性を有する対電極4と、光透過性電極2と対電極4との間に配置される発光層3とを備えている。対電極4は、Ag又はAgを含有する合金により構成されている。対電極4の発光層3とは反対側に、補助反射層6が設けられている。補助反射層6と対電極4との間に、対電極4と補助反射層6との間で成分が拡散して移動することを阻害する拡散阻害層5が設けられている。この有機EL素子では、対電極4が銀を含むとともに、補助反射層6が設けられることにより反射性を高めることができる。また、対電極4を銀又は銀合金で構成した場合であっても、対電極4は補助反射層6で反射可能な程度の薄い厚みで構成されているため、ショート不良を低減することができる。また、補助反射層6と対電極4との間に拡散阻害層5が設けられることにより、成分の拡散によって反射性が低下したり電極の電気特性が変性したりすることを抑制することができる。そのため、反射性を高めるとともに、ショート不良を抑制することができ、光取り出し効率を向上することができるとともに、電気的信頼性を高めることができる。
図1は、有機EL素子の実施形態の一例を示している。この有機EL素子は、光透過性電極2と発光層3と対電極4と拡散阻害層5と補助反射層6とを有している。これらは、支持基板として機能する光透過性基板1に支持されている。図1では、発光層3の厚み方向の境界部分を破線で示している。図1の白抜き矢印は、光の出射方向である。
光透過性電極2と対電極4との間には、発光層3を含む複数の機能層により構成される有機層9が設けられている。有機層9の全体は、機能層の集合体により構成される。光透過性電極2、有機層9及び対電極4の積層体が、有機発光体10となる。なお、発光に支障がないのであれば、有機層9が単一の発光層3で構成される構造であってもよい。
有機発光体10は、光透過性基板1の表面に設けられている。光透過性基板1は、発光積層体を支持する基材となる。有機発光体10の積層形成時には、光透過性基板1の上に各層が順に重ねられて積層される。例えば、図1では、光透過性基板1の上に、光透過性電極2、有機層9を構成する各機能層、対電極4の順に積層される。
図1の有機EL素子は、光透過性を有する光透過性電極2が光透過性を有する光透過性基板1の表面に形成されている。光透過性基板1の上に光透過性電極2を形成する場合、有機EL素子をより容易に製造することができる。光透過性基板1は支持基板となる。そして、発光層3で発した光は光透過性基板1側から取り出される。この有機EL素子は、いわゆるボトムエミッション構造の素子である。もちろん、有機EL素子は、ボトムエミッション構造に限られるものではなく、トップエミッション構造であってもよい。トップエミッション構造では、光透過性基板1は封止基板を構成することができ、対電極4の発光層3とは反対側に、光透過性基板1と対向する支持基板が設けられる。この場合、対電極4は、支持基板の上(表面)に形成される。
光透過性基板1は、適宜の基板材料によって構成される。例えば、ガラスであってよい。ガラスを用いた場合、有機発光体10を良好に形成し、支持することができる。また、ガラスを用いれば、水分の浸入を抑制することができ、有機層9の劣化を抑制することができる。ガラスを用いる場合、屈折率の高いガラスを用いることもできる。それにより、屈折率差を低減することが可能である。高屈率ガラスの屈折率は例えば1.7〜1.9程度である。もちろん、屈折率が1.7以下の一般的なガラスを用いてもよい。また、プラスチックにより光透過性基板1を構成してもよい。プラスチックの光透過性基板1を用いれば、取り扱い性を高めることができる。この場合、プラスチックは防湿性を有することが好ましい。プラスチックは可撓性があるため、フレキシブルな素子を形成することが可能になる。また、光透過性基板1として、ガラスとプラスチックとが積層された複合基板を用いることもできる。複合基板では、光取り出し性を高めることができる。複合基板で光透過性基板1を構成する場合、光取り出し側(外部側)にガラスを配置し、第1電極2側(内部側)にプラスチックを配置することが好ましい。それにより、光取り出し性と防湿性とを高めることができる。
光透過性電極2は適宜の電極材料で形成することができる。例えば、光透過性を有する金属薄膜、金属酸化物膜などが挙げられる。金属酸化物膜としては、ITO、IZO、AZOなどが例示される。また、光透過性電極2は、金属酸化物と金属薄膜の積層膜などで構成してもよい。例えば、ITO/Ag、Ag/ITO、Ag合金/ITO、ITO/Ag合金などの積層膜が挙げられる。ここで、Ag合金としては対電極4で説明する材料を用いることができる。なお、積層膜の表記における「/」は層の境界を示し、「/」の前が下層(光透過性基板1側)、「/」の後が上層(対電極4側)を表す。光透過性電極2は陽極を構成することもできるし、陰極を構成することもできる。好ましい一態様では光透過性電極2は陽極となる。
光透過性電極2は、可視光領域の消衰係数の小さいことが好ましい。例えば、光透過性電極2の可視光領域の消衰係数は、0.05以下にすることができるが、これに限定されるものではない。
光透過性電極2は、電荷の移動度が30〔cm/Vs〕以上でかつキャリア密度が1×1021〔/cm〕未満であることが好ましい。それにより、同じ抵抗値で光透過性電極2を構成した場合に、可視光領域内の赤外域に近い領域での光吸収を抑制することができるため、吸収ロスを低減することができる。すなわち、電荷の移動度及びキャリア密度がこの範囲から外れると、同抵抗では、近赤外領域で消衰係数が大きくなり光吸収性が高くなる傾向があるが、上記のように電荷の移動度及びキャリア密度を設定すると、この現象を低減させることが可能である。このことは実験によって確認されている。電荷の移動度の上限は特に制限がないが、例えば50〔cm/Vs〕以下であってよい。キャリア密度は、好ましくは1×1020〔/cm〕以上であり、より好ましくは5×1020〔/cm〕以上である。
有機層9は、光透過性電極2と対電極4との間で、機能層の集合体である機能層群を構成している。機能層群を構成する有機層9は、有機EL素子を駆動させて発光を生じるための適宜の層の積層体によって構成される。複数の機能層の少なくとも一つは発光層3である。発光層3は、発光材料を含む層であり、電子と正孔(ホール)とが結合して、発光を生じさせる層である。発光層3は、通常、発光材料としてドーパントと、このドーパントをドープするための母体とから構成される。
有機層9は、複数の発光層3を有するものであってよい。その場合、複数の発光層3のうちの各発光層3は、発光材料が異なる層であってよい。また、複数の発光材料は、発光する光の波長が異なるものであってよい。例えば、赤色発光層と緑色発光層と青色発光層との少なくとも三つの発光層3を設け、赤緑青の三色の発光を生じさせれば、種々の色を作り出すことが可能である。特に、三色の発光を得るようにすると、白色発光が可能であり、照明として有用な有機EL素子を得ることができる。なお、白色発光は、例えば青と橙の二色発光などでも可能である。ただし、三色発光の方がより発光特性の良好な白色発光を得ることできる。
複数の発光層3を設ける場合、図1では発光層3は一つ図示しているが、この発光層3の位置に、複数の発光層3を設けるようにしてもよい。また、有機EL素子は、マルチユニット構造であってもよい。マルチユニット構造は、陽極と陰極とで挟んで電圧を印加すれば発光する機能を有する機能層の集まりを1つの発光ユニットとして、複数の発光ユニットを中間層を介して積層した構造である。この場合の中間層としては、光透過性および導電性を有する層や、一方のユニットに正孔を送るとともに他方のユニットに電子を送ることが可能な構造体や、電荷発生層などが挙げられる。マルチユニット構造では、1つの陽極と1つの陰極との間に、厚み方向に重なる複数の発光ユニットが電気的に直列接続して配置される。
有機層9は発光層3を一つだけ有するものであってもよい。その場合、簡単な構成で有機EL素子を得ることができる。発光層3は、複数の場合及び一つの場合のいずれにおいても、複数の発光材料を含んでもよい。したがって、発光層3が一つの場合においても、発光層3が波長の異なる複数の発光材料を含めば、白色発光が可能である。ただし、照明用途として良好な白色発光を得るためには、発光層3は複数設けられることがより好ましい。
有機層9を構成する個々の機能層は、発光層3の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、中間層等が例示される。有機層9内における発光層3以外の層は、通常、電荷(正孔又は電子)を移動させる機能を有する層が含まれる。ここでは、有機層9のうち、発光層3以外の層を電荷移動層8と定義する。電荷移動層8は、複層構造であってもよいし、単層構造であってもよい。要するに電荷(正孔又は電子)を移動させる機能を有すればよい。
電荷移動層8は、発光層3の光透過性電極2側に配置される第1電荷移動層8aと、発光層3の対電極4側に配置される第2電荷移動層8bとにより構成される。光透過性電極2が陽極を構成し対電極4が陰極を構成する場合、第1電荷移動層8aは、正孔を移動させる機能を有する層で形成することができる。正孔の移動は、正孔の注入及び/又は輸送と定義され得る。この場合、例えば、第1電荷移動層8aは、光透過性電極2側から、正孔注入層及び正孔輸送層によって構成することができる。光透過性電極2が陽極を構成し対電極4が陰極を構成する場合、第2電荷移動層8bは、電子を移動させる機能を有する層で形成することができる。電子の移動は、電子の注入及び/又は輸送と定義され得る。この場合、例えば、第2電荷移動層8bは、対電極4側から、電子注入層及び電子輸送層によって構成することができる。
ここで、電荷移動層8を構成する複数の機能層のうち、対電極4と接する層は、電荷注入層で構成されていてもよい。この電荷注入層は、対電極4が陰極を構成する場合、電子注入層となる。電荷注入層は仕事関数の小さな金属単体の層であってもよい。例えば、電荷注入層(電子注入層)は、Li、Mg、Na、Csなどで構成することができる。ただし、電荷注入層を金属単体の層で形成する場合、光取り出し性を高めるためには、電荷注入層の厚みは10nm以下であることが好ましい。特に本形態では、対電極4は薄膜で構成され得るので、電荷注入層の厚みはこの範囲が好ましい。電荷注入層は、電荷注入性の観点から、例えば、1nm以上であってよい。また、電荷注入層(電子注入層)として、金属と有機膜との混合膜を用いることも可能である。この混合膜は、金属が有機膜に含有した層として構成され得る。この場合の電荷注入層の厚みは、特に限定されない。電子注入層となる混合膜としては、例えば、Liと電子輸送性有機膜との混合膜、Naと電子輸送性有機膜との混合膜、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と電子輸送性膜との混合膜、LiOやLiqなどと電子輸送性有機膜との混合膜などが挙げられる。また、混合膜として、有機電子ドーパントと電子輸送性有機膜との混合膜なども例示される。なお、電荷注入層は電荷移動層8の一部であり、有機層9の一部となる。有機層9は、光透過性電極2と対電極4との間に配置された積層構造と定義される。よって、ここでは、電荷注入層が金属単体の場合でも、光透過性電極2と対電極4との間に配置された積層構造が有機層9となる。すなわち、有機層9は、全体として有機物を含む積層構造であればよく、その一部に無機材料の層が設けられていてもよい。
対電極4は、光透過性電極2と電気的に対となる電極である。光透過性電極2と対電極4とに電圧を印加することにより、電極間に電流が流れ、発光層3で発光が生じる。
光透過性電極2及び対電極4は、一方が陽極で他方が陰極を構成する。一の態様では、光透過性電極2を陽極とし、対電極4を陰極とすることができる。他の態様では、光透過性電極2を陰極とし、対電極4を陽極とすることができる。図1の有機EL素子では、光透過性電極2を陽極とし、対電極4を陰極とする構造がより好ましい。それにより、発光効率の高い素子をより容易に製造することができる。
対電極4は、Ag又はAgを含有する合金により構成されている。Ag又はAgを含有する合金(銀合金)を用いることにより光反射性を高めることができる。銀は光反射性の電極となり得る他の金属材料よりも可視光領域における光反射性が高いため、銀を用いることによって高い反射性が得られるのである。また、銀は導電性が高いため、厚みを薄くしても電極としての機能を確保することが可能である。
対電極4は、光反射性を有していることが好ましい。それにより、発光層3から対電極4側に進む光を反射させて光の進路を光透過性電極2側に変更し、光透過性電極2側から光を取り出すことができる。ただし、対電極4は、光を全部反射させるのではなく、一部を透過させることが好ましい。すなわち、対電極4は、光透過性を有することが好ましい。それにより、対電極4が光透過性を有するほどの薄膜となってショート不良を抑制するとともに、補助反射層6による反射性を得やすくすることができる。対電極4は、好ましくは、光透過性を有する光反射性電極として構成される。
Agを含有する合金(Ag合金)としては、例えば、Agを主成分として含み、Al、Pt、Rh、Mg、Au、Cu、Zn、Ti、Pd、Nd、Bi、及び、Niから選ばれる1種以上の金属を含む合金が挙げられる。具体的には、AgBi、AgPd、AgMg、AgNdCu、AgPdCuなどが例示される。Ag合金は、Agの含有比率が高い方が好ましい。それにより、反射性を高めることができる。例えば、Ag合金におけるAgの含有比率は重量比で、90%以上が好ましく、95%以上がより好ましく、98%以上がさらに好ましく、99%以上がよりさらに好ましい。
図2は、有機EL素子を構成する層の積層の様子の一例を示している。この図では、銀又は銀合金で構成される対電極4が積層された直後の様子が示されている。図2によって、対電極4の成膜を起因とするショート不良の発生のメカニズムの一例を説明する。図2(a)及び(c)は対電極4の厚みが薄い場合、図2(b)及び(d)は対電極4の厚みが厚い場合を示している。
図2で示すように、有機EL素子においては、光透過性基板1の上に、各層が順に積層されて有機発光体10を含む積層構造が形成される。積層は、蒸着、スパッタ、塗布などを適宜組み合わせて行うことができる。光透過性電極2は、蒸着又はスパッタで形成することが好ましい。有機層9の全部又は一部は、蒸着で形成することが好ましい。対電極4は、蒸着又はスパッタで形成することが好ましい。蒸着及びスパッタでは、真空プロセスが可能である。真空プロセスでは水分の侵入を抑制することができる。
積層にあたって、光透過性電極2は、表面が平坦な層として形成され得る。また、図2(a)及び(b)のように、有機層9のうちの光透過性電極2に隣接する層である第1有機層9a(例えば正孔注入層)においては、表面が平坦な層として形成される場合がある。例えば、第1有機層9aが塗布により形成されると、表面がより平坦な面となる。もちろん、第1有機層9aは蒸着やスパッタによって形成されてもよい。なお、正孔注入層は、有機材料で構成される場合だけでなく、無機材料で構成される場合もある。無機材料としては、MoO、WOなどが例示される。また、正孔輸送性の高い有機材料とこれら無機材料の混合膜でもよい。正孔注入層が無機材料で構成される場合も、正孔注入層は有機層9の一部となる。
ここで、積層を行うにあたっては、積層プロセスの途中で、異物Xが混入する場合がある。図2(a)及び(b)では、第1有機層9aの上に異物Xが付着している様子を示している。この場合、第1有機層9aを形成した後、この上に積層される第2有機層9bを形成するのに際して、異物Xが混入し得る。第2有機層9bは、発光層3及び電荷移動層8などの複数の機能層を含む多層構造であってよい。異物Xの混入は、第1有機層9aと第2有機層9bとの積層プロセスが異なる場合においてより発生しやすい。例えば、第1有機層9aを塗布で形成し、第2有機層9bを蒸着で形成する場合には、異物Xが混入しやすくなる。もちろん、第1有機層9a及び第2有機層9bをともに蒸着で形成する場合であっても、積層方法によっては、異物Xが混入するおそれがある。また、図2(c)及び(d)で示すように、光透過性電極2と有機層9との界面において異物Xが混入する場合もある。この例では、光透過性電極2の表面に、異物Xが付着している様子が示されている。なお、この場合の有機層9は第1有機層9aと第2有機層9bとを合わせたものとなる。
図2(a)及び(b)で示すように、異物Xが混入した場合、第2有機層9b及び対電極4は、第1有機層9aの上だけでなく、異物Xの上に形成される。異物Xの上に形成された第2有機層9b及び対電極4は、第1有機層9aの上に正常に形成された第2有機層9b及び対電極4とは分断されている。図2(a)及び(b)では、第2有機層9bの分断部分は有機層分断部9xで示され、対電極4の分断部分は対電極分断部4xで示されている。このとき、異物Xと第1有機層9aとの間では、第2有機層9bの積層時に異物Xの影に隠れるため、第2有機層9bが積層されなくなくなったり、第2有機層9bの積層量が少なくなったりする可能性がある。そして、第2有機層9bは異物Xの近傍では、異物Xの中央に近づくほど徐々に厚みが小さくなる可能性がある。これにより、異物Xと第2有機層9bの間に隙間が形成され得る。図2(c)及び(d)の場合も同様に、有機層9が分断されて形成され、異物Xと有機層9の間に隙間が形成され得る。
そして、対電極4を形成した場合、対電極4の材料となっている銀は成膜時の回り込みがよいため、異物Xと第2有機層9b(有機層9)との間の隙間に入り込んで積層されやすくなる。銀は光反射性電極となり得る他の金属材料よりも回り込みを起こしやすいからである。
このとき、図2(b)で示すように、対電極4である銀含有層の厚みが厚いと、対電極4が異物Xによってできた隙間に入り込んで、対電極4が第1有機層9aに接触する可能性が高くなり、ショート不良の原因となる可能性がある。また、図2(d)のように、光透過性電極2の上に異物Xが混入されている場合には、対電極4(銀含有層)の厚みが厚いと、対電極4が光透過性電極2に直接接触し、ショート不良の原因となる可能性もある。異物Xによって形成された隙間に対電極4が侵入した部分はリークポイント(LP)となる。リークポイントとは、正常なルートで電流が流れず、電流が漏れ流れる部位である。リークポイントが生じると、ショート不良の原因となる。
しかしながら、図2(a)及び(c)で示すように、対電極4(銀含有層)が補助反射層6で光を反射できる程度まで光透過が可能なように厚みが薄くなると、対電極4は異物Xによってできた隙間に入り込みにくくなり、対電極4が第1有機層9aに接触したり、光透過性電極2に接触したりすることを抑制することができる。そのため、ショート不良を低減することができ、電気的信頼性を高めることができるのである。また、対電極4の厚みがより薄いと、対電極4に用いられる銀の量を減らすことができるため、より安価に対電極4を形成することができるという利点がある。
対電極4は薄膜で構成され得る。すなわち、対電極4はAg薄膜、又は、Ag合金薄膜で構成され得る。銀を含有する対電極4が薄膜となることにより、銀の回り込みを抑制して、電気的信頼性を高めることができる。
対電極4の厚みは120nmより小さいことが好ましい。対電極4は銀又は銀合金で形成されるものであるが、対電極4の厚みが120nmを超えると、銀の積層によってショート不良が発生しやすくなるおそれがある。対電極4の厚みが厚くなると純銀に近づく。また、対電極4の厚みが厚くなると銀の使用量が増加するため安価に対電極4を形成しにくくなるおそれがある。また、対電極4の厚みが120nmを超えると、光を全て反射する可能性が高くなり、補助反射層6による反射作用を得にくくなるおそれがある。それらの観点から、対電極4の厚みは110nm以下であることがより好ましい。対電極4の厚みはより好ましくは60nm以下である。それにより、ショート不良をさらに抑制することができる。
対電極4の厚みは10nm以上であることが好ましい。それにより、対電極4の光反射性を高めることができ、銀又は銀合金による高い反射作用を得ることができる。なお、対電極4の厚みが薄くなりすぎると、対電極4の通電性が低下するおそれがある。ただし、銀は導電性が高いため、対電極4の厚みが10nmに満たない場合でも、十分な導電性を確保することは可能である。対電極4の厚みはより好ましくは10〜60nmの範囲である。対電極4のさらに好ましい厚みは、補助反射層6の材料や厚みによって設定され得る。
対電極4の屈折率は、波長440〜460nm、波長550〜570nm、及び、波長610〜630nmにおいて、0.17以下であることが好ましい。それにより、光反射性と光透過性とをともに有する対電極4を容易に構成することができる。波長440〜460nmは青色の代表となる波長である。波長550〜570nmは緑色の代表となる波長である。波長610〜630nmは赤色の代表となる波長である。よって、可視光領域の短波長から長波長にまたがる青緑赤の波長において、屈折率が低いと、対電極4をより有利な構成とすることができる。対電極4の屈折率は、可視光領域の全体において0.17以下であることがより好ましい。それにより、さらに対電極4を有利な構成とすることができる。可視光領域の全体とは400〜780nmの波長域であってよい。対電極4の屈折率は低ければ低いほどよく、その下限は特に限定されるものではないが、製造の観点からは、対電極4の屈折率は0.01以上であってよい。対電極4の屈折率は、さらに0.05以上であってもよい。
対電極4の消衰係数は、波長440〜460nm、波長550〜570nm、及び、波長610〜630nmにおいて、5.0以下であることが好ましい。それにより、対電極4によって光が吸収されることを抑制できるため、光反射性と光透過性とをともに有する対電極4を容易に構成することができる。波長440〜460nmは青色の代表となる波長である。波長550〜570nmは緑色の代表となる波長である。波長610〜630nmは赤色の代表となる波長である。よって、可視光領域の短波長から長波長にまたがる青緑赤の波長において、消衰係数が低いと、対電極4をより有利な構成とすることができる。対電極4の消衰係数は、可視光領域の全体において5.0以下であることがより好ましい。それにより、さらに対電極4を有利な構成とすることができる。可視光領域の全体とは400〜780nmの波長域であってよい。対電極4の消衰係数は低ければ低いほどよく、その下限は特に限定されるものではないが、製造の観点からは、対電極4の消衰係数は0.5以上であってよい。対電極4の消衰係数は、さらに1.0以上であってもよい。
対電極4は、可視光領域において光反射性を有することが好ましい。対電極4の光反射率の上限は特に限定されないが、ショート不良を抑制するとともに補助反射層6での反射を有効に得るという観点からは、対電極4は、可視光領域における光反射率が90%以下であってよい。さらに、ショート不良を抑制するため、対電極4は、可視光領域における光反射率が50%以下となってもよい。
補助反射層6は、対電極4の光反射を補助する層である。補助反射層6は対電極4の発光層3とは反対側に設けられている。上記のように対電極4は厚みが薄く形成されることによって、一部の光が透過し、光取り出し側(光透過性電極2側)とは反対側に光が進行する。そこで、補助反射層6を設けることにより、対電極4を透過した光を反射させて光透過性電極2側に光の進行方向を変更することができる。そのため、光取り出し性を高めることができる。有機EL素子では、光反射性を有する対電極4と補助反射層6とによって、発光層3からの光を反射する光反射構造が形成される。
補助反射層6は、可視光領域における光反射率が60%以上であることが好ましい。それにより、光をより多く反射させることができるため、光取り出し性を向上することができる。補助反射層6の可視光領域における光反射率は、70%以上であることがより好ましく、80%以上であることがさらに好ましく、90%以上であることがよりさらに好ましい。補助反射層6の光反射率は高い方がよく、その上限は特に限定されるものではないが、光の吸収性や材料特性を考慮すると、補助反射層6の光反射率は95%以下であってもよい。
補助反射層6は、好ましくは、金属材料により構成することができる。それにより、高い光反射性を容易に得ることができる。補助反射層6に用いる金属材料としては、特に限定されるものではないが、例えば、Al、Mg、Ca、Ti、Cu、Au、及びこれらの合金などが挙げられる。この中でも、補助反射層6の材料としてAl、Mgがより好ましい。Al及びMgは、可視光領域の全体において比較的均一に反射率が高いため、補助反射性を高めることができる。さらに、Alが特に好ましく用いられる。Alでは、対電極4を薄膜化したときの反射率の低下ロスを効率よく抑制することができ、積層プロセスが容易であり、材料も比較的安価なため、より容易に製造することができる。もちろん、補助反射層6は、金属材料以外の光反射性材料で形成されてもよい。例えば、SiOやTiOなどを用いて形成される反射膜を用いてもよい。なお、補助反射層6はAgを含まなくてよい。Agを用いないことにより、より容易に製造することができる。
補助反射層6の厚みは30nm以上であることが好ましい。それにより、補助反射層6の光反射性を高めることができる。補助反射層6の厚みは50nm以上であることがより好ましい。補助反射層6の厚みの上限は、特に限定されるものではないが、補助反射層6の厚みが大きくなりすぎると、材料が無駄になる可能性や成膜プロセス時間が長時間になることによる副作用などが発生するおそれがある。そのため、補助反射層6の厚みは200nm以下であることがさらに好ましい。補助反射層6の厚みは対電極4の厚みよりも大きいことが好ましい。それにより、補助反射作用を高く得ることができる。補助反射層6のさらに好ましい厚みは、補助反射層6の材料や、対電極4の材料や厚みによって設定され得る。
ところで、補助反射層6はAg又はAgを含む合金で構成されてもよい。その場合、高い反射率を得ることができる。また、対電極4と補助反射層6との間には拡散阻害層5が形成されているため、拡散阻害層5が異物Xによる隙間を塞ぐことによって成膜時に銀が回り込むのが抑制され、ショート不良が抑制され得る。この場合、拡散阻害層5は、銀の回り込みを抑制する層(回り込み抑制層)として機能する。ただし、拡散阻害層5の厚みが薄いと、銀の回り込みによるショート不良を十分に低減できなくなる可能性がある。また、補助反射層6に銀を用いると、材料が高価になって経済性が低下するおそれがある。そのため、補助反射層6はAgを含まない方が好ましい。
拡散阻害層5は、対電極4と補助反射層6との間で成分が拡散して移動することを阻害する層である。拡散阻害層5は、補助反射層6と対電極4との間に設けられている。拡散阻害層5が障壁となって、対電極4から補助反射層6への成分の拡散、及び、補助反射層6から対電極4への成分の拡散が抑制される。そのため、光反射性を高めることができる。
ここで、光反射性を高める構造としては、対電極4に接して補助反射層6を配置する構造も考えられる。しかしながら、対電極4と補助反射層6とが直接接すると、対電極4と補助反射層6との間の相互拡散によって、成分が拡散して移動する可能性がある。有機EL素子では、一般的に駆動に伴って温度が上昇するものであり、相互拡散は、温度が高くなると起こりやすくなる。例えば、銀又は銀合金で構成される対電極4に、金属材料の補助反射層6を直接重ねると、補助反射層6中の金属が経時的に拡散して対電極4に混入する。マイグレーションと呼ばれる現象も発生し得る。具体的には、銀単体で対電極4を構成している場合、銀が合金化する。あるいは、銀合金で対電極4を構成している場合、銀合金とは異なる他の金属が混じったり、金属の含有比率が異なるものになったりして、銀合金の組成が変性する。対電極4に、対電極4をもともと構成している銀又は銀合金以外の金属が混入すると、反射性が低下するおそれがある。また、対電極4に、対電極4をもともと構成している銀又は銀合金以外の金属が混入すると、対電極4の電気特性が変性するおそれもある。そこで、上記の有機EL素子では、対電極4と補助反射層6との間に拡散阻害層5を設けるようにしている。これにより、対電極4と補助反射層6との間での成分の拡散が阻害されるため、反射率の経時的な低下や、電気特性の変性を抑制することが可能になる。対電極4と補助反射層6とが離間することにより、原子及び/又は分子の移動が妨げられ、相互拡散が抑制されるのである。本形態では、拡散阻害層5は、対電極4に接して設けられている。また、拡散阻害層5は、補助反射層6に接して設けられている。
拡散阻害層5の消衰係数は、波長440〜460nm、波長550〜570nm、及び、波長610〜630nmにおいて、0.1以下であることが好ましい。それにより、拡散阻害層5によって光が無駄に吸収されることを抑制できるため、補助反射層6による光反射性をより高く得ることができる。波長440〜460nmは青色の代表となる波長である。波長550〜570nmは緑色の代表となる波長である。波長610〜630nmは赤色の代表となる波長である。よって、可視光領域の短波長から長波長にまたがる青緑赤の波長において、消衰係数が低いと、拡散阻害層5をより有利な構成とすることができる。拡散阻害層5の消衰係数は、可視光領域の全体において0.01以下であることがより好ましい。それにより、さらに拡散阻害層5を有利な構成とすることができる。可視光領域の全体とは400〜780nmの波長域であってよい。拡散阻害層5の消衰係数は低ければ低いほどよく、その下限は特に限定されるものではないが、製造の観点からは、拡散阻害層5の消衰係数は0.0001以上であってもよい。
拡散阻害層5の厚みは、対電極4の厚みよりも小さいことが好ましい。それにより、光反射性を効率よく高めることができ、光取り出し性を向上することができる。拡散防止層5の厚みが対電極4の厚みよりも大きくなると、拡散防止層5による光吸収作用が大きくなるおそれがある。また、拡散防止層5の厚みが厚いと対電極4を透過した光による光干渉作用の影響が大きくなり、光反射構造全体としての反射性が低下するおそれがある。そのため、拡散阻害層5を対電極4よりも薄くすることが好ましいのである。
拡散阻害層5の厚みは5nm以上であることが好ましい。それにより、成分の拡散を阻害する作用をより高めることができる。拡散阻害層5の厚みは20nm以下であることが好ましい。それにより、拡散阻害層5による光吸収を抑制するとともに、光干渉の影響を小さくすることができる。拡散阻害層5の厚みは10nm以下であることがより好ましい。
拡散阻害層5は、絶縁性を有することが好ましい一態様である。拡散阻害層5が導電性を有すると、拡散阻害層5と対電極4との間で相互拡散が生じるおそれがある。
拡散阻害層5は、双極子モーメントが0.1D以上の物質を含有していることが好ましい。それにより、成分の拡散を阻害する作用をより高めることができる。双極子モーメントが0.1D以上となった極性のある物質を利用することにより、補助反射層6から対電極4への成分の拡散、及び、対電極4から補助反射層6への成分の拡散を阻害する作用が高まるのである。双極子モーメントの上限は、特に限定されるものではないが、例えば、10D以下であってよい。
拡散阻害層5は、対電極4と補助反射層6との間の相互拡散を阻害する適宜の材料により形成することができる。拡散阻害層5は、好ましくは、無機材料で構成される。無機材料により、光吸収を抑制するとともに、拡散阻害層5の拡散阻害作用を高めることができる。もちろん、拡散阻害層5は樹脂などの有機材料で構成されてもよい。その場合、光吸収性の低い有機材料が用いられることが好ましい。また、拡散阻害層5は、有機層9内の正孔輸送層又は電子輸送層として使用することが可能な各種材料を用いて形成することもできる。例えば、NPB、BCP、TPD、Bphen、CBPなどが、拡散阻害層5の材料として例示される。
拡散阻害層5の材料としては、例えば、金属フッ化物、金属酸化物、ケイ素酸化物、ケイ素窒化物、金属窒化物、ケイ素酸化窒化物、金属酸化窒化物などが挙げられる。これらは絶縁性を有するものであってよい。これらは双極子モーメントが0.1D以上のものが好ましく用いられる。具体的には、拡散阻害層5の材料として、LiF、MgF、SiO、Al、SiON、TiONなどが例示される。このうち、LiFがより好ましい。LiFでは拡散を阻害する作用を高く得られるとともに、製造が容易になる。
拡散阻害層5及び補助反射層6は、適宜の方法で形成することができる。拡散阻害層5は、蒸着又はスパッタで形成することが好ましい一態様である。それにより、薄い厚みの拡散阻害層5を効率よく形成することができる。補助反射層6は、蒸着又はスパッタで形成することが好ましい一態様である。それにより、反射性の高い補助反射層6を容易に形成することができる。対電極4、拡散阻害層5及び補助反射層6を同じ積層プロセスで行うことも好ましい。その場合、これらの層を連続して積層形成することができるため、効率よく層を形成することができる。
有機EL素子においては、通常、有機発光体10が封止される。封止により外部から水分が浸入することを抑制し、素子の劣化を抑制することができる。図1の例では、封止は、有機発光体10側で光透過性基板1と対向するように配置される封止基板によって行うことができる。なお、封止された場合、外部から発光層3に電気を供給できるように、光透過性電極2及び対電極4は、封止領域の内部から外部に配線を引き出した配線引き出し構造が設けられていてよい。
図3は、有機EL素子の他の実施形態を示している。図1の有機EL素子と同じ構成については同じ符号を付して説明を省略する。図3では、発光層3の外縁が破線で示されている。
図3の有機EL素子では、補助反射層6は、導電性を有している。そして、補助反射層6は、発光層3が形成されていない領域で、対電極4に電気的に接続されている。補助反射層6に導電性を付与するとともに、補助反射層6と対電極4とを電気的に接続することにより、補助反射層6を電極の一部として機能させることができるため、補助反射層6によって対電極4の通電性を高めることができる。そのため、電気信頼性をさらに高めることができる。発光層3が形成されていない領域とは、平面視において発光層3が設けられていない領域であってよい。平面視とは、基板表面と垂直な方向から見た場合と定義される。平面視とは発光面に対して正面の方向から見た場合と等しくてよい。
補助反射層6と対電極4との電気的接続は、補助反射層6が対電極4と直接接することによって行われていてよい。それにより、これらを容易に電気的に接続することができる。ここで、補助反射層6と対電極4とが直接接すると、相互拡散が起こり得るが、補助反射層6と対電極4とが電気的に接続される部分は、発光層3とは重複しない領域であるため、相互拡散したとしても発光に及ぼす影響を少なくすることができる。
補助反射層6は、平面視において発光層3よりも外側で対電極4に電気的に接続されることが好ましい。それにより、面内の中央における発光層3での発光を妨げることなく、補助反射層6と対電極4とを電気的に接続することができる。図3では、発光層3は、破線で示すように、有機発光体10の積層構造全体よりも若干小さく形成されている。発光層3の側方(又は外周部)には、有機層9のうちの発光層3以外の層、例えば、電荷移動層8が、積層されていてよい。また、図3では、拡散阻害層5は、対電極4よりも若干小さく形成されている。そして、発光層3が形成されていない領域と平面視において重複する領域である拡散阻害層5の側部(又は外周部)において、補助反射層6が対電極4と接触している。このため、光取り出し性を高めつつ、電気特性を向上することが可能になる。補助反射層6の対電極4と接する部分は電気接続部6aとなる。
拡散阻害層5は、平面視において、発光層3と同じか発光層3よりも大きいことが好ましい。それにより、発光層3が形成された領域において、成分の拡散を阻害する作用を高く得ることができる。
図3の有機EL素子を製造する場合には、発光層3を、有機層9のうちの発光層3以外の層よりも平面視において小さく形成する。そして、対電極4の上に、対電極4よりも小さく、発光層3と同じか発光層3よりも大きく、拡散阻害層5を形成する。その後、拡散阻害層5よりも大きく、補助反射層6を形成する。それにより、補助反射層6と対電極4とを、平面視において発光層3が設けられていない領域で、電気的に接続することができる。
図4は、有機EL素子の他の実施形態を示している。図1の有機EL素子と同じ構成については同じ符号を付して説明を省略する。図4では、光取り出し構造11が設けられている点が、図1の形態とは異なる。それ以外の構成は同様に形成されている。なお、図4では、図1の形態に光取り出し構造11を形成した例を示しているが、光取り出し構造11は、図3の形態に設けられていてもよい。
有機EL素子では、光透過性電極2の発光層3とは反対側に光透過性基板1を備え、光透過性基板1の光透過性電極2側の表面に、光取り出し構造11が設けられていることが好ましい。光取り出し構造11が設けられることにより、基板界面での屈折率差や全反射が低減されるため、光をより多く取り出すことができる。また、上記のように補助反射層6を用いて光を反射させた場合、反射光として対電極4で反射する光と補助反射層6で反射する光とが混在することになるが、光取り出し構造11を形成することによって、これらの反射光をより効率よく取り出すことが可能になる。
図4では、光取り出し構造11が、光透過性電極2と光透過性基板1との間に設けられている。光取り出し構造11は、光取り出し層として形成されることが好ましい。光取り出し構造11の好ましい一態様は樹脂層により構成される。樹脂層では屈折率差が低減されて、光取り出し性が高まる。また、光取り出し構造11の好ましい一態様は積層構造により構成される。積層構造では、屈折率差のさらなる低減を図ることができる。図4では、第1透明材料層11aと第2透明材料層11bとの積層構造によって光取り出し構造11が形成されている。第1透明材料層11aは光透過性基板1側に配置され、第2透明材料層11bは光透過性電極2側に配置されている。この積層構造は、高屈折率層と低屈折率層との積層で構成されることが好ましい。その場合、第1透明材料層11a及び第2透明材料層11bのうちの一方が、高屈折率層となり、他方が低屈折率層となる。好ましい一態様では、第1透明材料層11aが低屈折率層で構成され、第2透明材料層11bが高屈折率層で構成される。
光取り出し構造11は、より好ましい一態様では凹凸構造11cを含んでいる。凹凸構造11cは、第1透明材料層11aと第2透明材料層11bとで構成される積層構造の界面に設けられることが好ましい。凹凸構造11cでは、凹凸界面によって光が散乱されるため、光透過性基板1の表面での全反射を抑制し、光取り出し性を高めることができる。凹凸構造11cは、ナノオーダーの微細な凹凸であってよい。それにより、光散乱性が付与され、光取り出し性をさらに高めることができる。凹凸構造11cは、低屈折率層と高屈折率層との界面に設けられることが好ましい。低屈折率層及び高屈折率層は樹脂で構成することができる。高屈折率層には、屈折率を調整するために、高屈折率粒子を含有させてもよい。
光取り出し構造11の他の態様として、光の屈折に乱れを生じさせる粒子を樹脂に混ぜた光取り出し構造11などを用いることもできる。この場合、光取り出し構造11は単層であってもよい。また、光取り出し構造11は、光透過性基板1の光透過性電極2側の表面が凹凸面となった構造で形成されてもよい。
ところで、上記の各形態においては、光透過性基板1の外部側(光透過性電極2とは反対側)の表面に、光を取り出す構造がさらに設けられることがさらに好ましい。この光を取り出す構造は、光取り出し層が設けられたり、光透過性基板1の表面が凹凸面となったりすることにより構成されるものであってよい。光を取り出す構造は、例えば光散乱構造で構成することができる。光を取り出す構造は、例えば、光学フィルムを貼り付けることにより容易に形成することができる。光透過性基板1の両面に光を取り出す構造を設けた場合には、光取り出し性をさらに向上することができる。
図5は、有機EL素子の他の実施形態を示している。図1の有機EL素子と同じ構成については同じ符号を付して説明を省略する。
図5では、支持基板となる支持材12の上に、補助反射層6、拡散阻害層5、対電極4、有機層9、及び、光透過性電極2が、この順で形成されている。発光層3で生じた光は支持材12とは反対側から取り出される。図5では、トップエミッション構造の有機EL素子を示している。図1のようなボトムエミッション構造だけではなく、トップエミッション構造の有機EL素子においても、補助反射層6及び拡散阻害層5を設ける構成を採用することができる。図5では、図1の形態をトップエミッション構造に変形した例を示しているが、図3の形態をトップエミッション構造に変形してもよい。図5では、光透過性基板1は図示していないが、光透過性基板1を封止基板として使用してもよい。その場合、光透過性基板1と光透過性電極2とは離間していてよい。
図5の形態においても、対電極4の光取り出し側とは反対側に、拡散阻害層5及び補助反射層6が設けられているため、反射性を高めることができ、光取り出し性を向上することができる。また、補助反射層6と対電極4との間の成分の相互拡散を抑制することができる。ただし、ショート不良をより有効に低減させるという観点からは、光透過性基板1が支持基板として光透過性電極2側に配置された図1の形態の方が有利である。
照明装置は、上記の有機EL素子を備える。この照明装置は有機EL素子を備えているため、発光性に優れた照明装置を得ることができる。一つの有機EL素子の発光面は、例えば、縦10cm以上、横10cm以上の矩形状にすることができるが、これに限定されるものではない。照明装置は、複数の有機EL素子を面状に配置するものであってよい。照明装置は、有機EL素子に給電するための配線構造を備えるものであってよい。照明装置は、有機EL素子を支持する筐体を備えるものであってよい。照明装置は、有機EL素子と電源とを電気的に接続するプラグを備えるものであってよい。照明装置は、パネル状に構成することができる。照明装置は面状に構成することができる。照明装置は、厚みを薄くすることができるため、省スペースの照明器具を提供することが可能である。
上記の反射構造が有用であることを確かめるため、対電極と拡散阻害層と補助反射層とを有する積層体(実施例1)と、対電極と補助反射層とを有し、拡散阻害層を有さない積層体(比較例1)とを形成し、経時的な反射特性について試験した。なお、対電極は厚み30nmのAg層とし、拡散阻害層は厚み5nmのLiF層とし、補助反射層は厚み60nmのAl層とした。経時的な反射特性は、初期(0h)での反射率と、90℃、71時間の加熱処理後(71h)での反射率との比較で確認した。対照として、対電極を厚み120nmのAg層で形成した反射膜(比較例2)、及び、対電極を厚み100nmのAl層で形成した反射膜(比較例3)とを形成して反射率を確認した。なお、比較例2においては、有機EL素子の対電極(反射電極)として使用すると、Agの厚みが大きいことに起因すると考えられるリークによるショート不良が確認された。
図6は、反射構造の反射特性を示すグラフであり、(a)は実施例1、(b)は比較例1を示している。図6では、対電極をAlで構成した比較例3は、対電極をAgで構成した比較例2よりも反射性が低く、対電極をAgを用いて形成することが有利なことが確認される。ただし、Agによる反射膜はリークによるショート不良が問題となり得る。そこで、Ag膜の厚みを薄くし、補助反射層を設けることが有利となる。そして、図6(b)に示すように、拡散阻害層を設けていない場合は、経時的に反射率の低下が見られたが、図6(a)に示すように、拡散阻害層を設けることにより、反射率の低下を抑制することが確認された。図6(b)では、銀の合金化により反射率が低下したものと考えられる。一方、図6(a)では、銀の合金化を抑制することにより、反射率が維持されたものと考えられる。したがって、対電極と拡散阻害層と補助反射層とが積層された反射構造は有効であることが確認された。
さらに、光透過性基板と光透過性電極との間に、光取り出し構造として、低屈折率層と高屈折率層とからなり、その界面に凹凸構造を有する積層構造を有する有機EL素子(実施例2)を形成した。この有機EL素子は、対電極が厚み15nmのAg層であり、拡散阻害層が厚み8nmのLiF層であり、補助反射層が厚み50nmのAl層である。また、上記の比較例3により得られる、対電極の厚みが100nmのAl層であり、拡散阻害層と補助反射層とを有さず、さらに光取り出し構造を設けていない有機EL素子を対照として形成した。そして、実施例2の有機EL素子と、比較例3の有機EL素子との電気特性を比較する試験を行った。表1に電気特性の結果を示す。
表1に示すように、実施例2は、比較例3に比べて、輝度が高く、電力効率がよく、外部量子効率が高く、演色性(R9、Ra)も優れていた。特に光取り出し効率(外部量子効率)では、16%の効率向上が確認された。
Figure 2015018770
1 光透過性基板
2 光透過性電極
3 発光層
4 対電極
5 拡散阻害層
6 補助反射層
6a 電気接続部
8 電荷移動層
9 有機層
10 有機発光体
11 光取り出し構造
11a 第1透明材料層
11b 第2透明材料層
11c 凹凸構造
12 支持材

Claims (8)

  1. 光透過性電極と、前記光透過性電極と対となり光反射性を有する対電極と、前記光透過性電極と前記対電極との間に配置される発光層と、を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
    前記対電極は、Ag又はAgを含有する合金により構成され、
    前記対電極の前記発光層とは反対側に、補助反射層が設けられ、
    前記補助反射層と前記対電極との間に、前記対電極と前記補助反射層との間で成分が拡散して移動することを阻害する拡散阻害層を有することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
  2. 前記対電極の屈折率は、波長440〜460nm、波長550〜570nm、及び、波長610〜630nmにおいて、0.17以下であり、
    前記対電極の消衰係数は、波長440〜460nm、波長550〜570nm、及び、波長610〜630nmにおいて、5.0以下であることを特徴とする、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  3. 前記拡散阻害層の消衰係数は、波長440〜460nm、波長550〜570nm、及び、波長610〜630nmにおいて、0.1以下であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  4. 前記拡散阻害層の厚みは、前記対電極の厚みよりも小さいことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  5. 前記拡散阻害層は、双極子モーメントが0.1D以上の物質を含有していることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  6. 前記補助反射層は、導電性を有し、
    前記補助反射層は、前記発光層が形成されていない領域で、前記対電極に電気的に接続されていることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  7. 前記光透過性電極の前記発光層とは反対側に光透過性基板を備え、
    前記光透過性基板の前記光透過性電極側の表面に、光取り出し構造が設けられていることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  8. 請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた照明装置。
JP2013146946A 2013-07-12 2013-07-12 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 Pending JP2015018770A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013146946A JP2015018770A (ja) 2013-07-12 2013-07-12 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
KR1020167002389A KR20160030205A (ko) 2013-07-12 2014-07-01 유기 일렉트로 루미네센스 소자 및 조명 장치
CN201480039712.2A CN105393643A (zh) 2013-07-12 2014-07-01 有机电致发光元件和照明设备
US14/902,879 US9614188B2 (en) 2013-07-12 2014-07-01 Organic electroluminescent element and lighting device
PCT/JP2014/003500 WO2015004876A1 (ja) 2013-07-12 2014-07-01 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
DE112014003234.4T DE112014003234T5 (de) 2013-07-12 2014-07-01 Organisches Elektrolumineszenzelement und Beleuchtungsvorrichtung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013146946A JP2015018770A (ja) 2013-07-12 2013-07-12 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015018770A true JP2015018770A (ja) 2015-01-29

Family

ID=52279585

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013146946A Pending JP2015018770A (ja) 2013-07-12 2013-07-12 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9614188B2 (ja)
JP (1) JP2015018770A (ja)
KR (1) KR20160030205A (ja)
CN (1) CN105393643A (ja)
DE (1) DE112014003234T5 (ja)
WO (1) WO2015004876A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019163340A1 (ja) * 2018-02-22 2019-08-29 大阪瓦斯株式会社 放射冷却装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104393023B (zh) * 2014-12-01 2018-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
KR102105054B1 (ko) * 2018-04-03 2020-05-13 재단법인대구경북과학기술원 파장 선택성 전극을 구비한 유기 광다이오드

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005158715A (ja) * 2003-10-27 2005-06-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子および前記発光素子を用いた発光装置、並びに前記発光装置を用いた電気機器
JP2008311094A (ja) * 2007-06-15 2008-12-25 Nippon Seiki Co Ltd 有機elパネル
JP2009054424A (ja) * 2007-08-27 2009-03-12 Panasonic Electric Works Co Ltd 有機el発光素子
JP2009265059A (ja) * 2008-04-30 2009-11-12 Otsuka Denshi Co Ltd 状態測定装置および状態測定方法
JP2013033706A (ja) * 2011-03-10 2013-02-14 Rohm Co Ltd 有機el装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11260563A (ja) * 1998-03-12 1999-09-24 Oki Electric Ind Co Ltd 有機el素子
JP2003123987A (ja) * 2001-10-11 2003-04-25 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 光共振器
US7898168B2 (en) * 2003-10-27 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic electroluminescent device having light-emitting layer with guest dopant
JP4647330B2 (ja) * 2005-02-14 2011-03-09 スタンレー電気株式会社 光取り出し構造の製造方法、及び、有機el素子の製造方法
JP2007299689A (ja) * 2006-05-02 2007-11-15 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
KR100879477B1 (ko) * 2007-10-11 2009-01-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
JP5760334B2 (ja) * 2009-06-19 2015-08-05 大日本印刷株式会社 有機電子デバイス及びその製造方法
JP2011035324A (ja) * 2009-08-05 2011-02-17 Showa Denko Kk 半導体発光素子、ランプ、電子機器および機械装置
KR101084188B1 (ko) * 2010-01-21 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 양면 발광형 유기 발광 디스플레이 장치
JP5016712B2 (ja) * 2010-09-21 2012-09-05 三井金属鉱業株式会社 電極箔および有機デバイス
WO2012090432A1 (ja) * 2010-12-27 2012-07-05 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及びその製造方法、並びに表示パネル
WO2012128081A1 (ja) * 2011-03-24 2012-09-27 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
DE112012001477B4 (de) * 2011-03-31 2018-04-05 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Organisches Elektrolumineszenzelement
CN102185113A (zh) * 2011-04-20 2011-09-14 陕西科技大学 一种oled器件
WO2013153700A1 (ja) * 2012-04-12 2013-10-17 Necライティング株式会社 有機el照明パネル用基板、有機el照明パネルおよび有機el照明装置
CN202977517U (zh) * 2012-06-05 2013-06-05 上海施科特光电材料有限公司 一种氮化物led结构
JPWO2014010223A1 (ja) * 2012-07-13 2016-06-20 パナソニックIpマネジメント株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US20150188088A1 (en) * 2012-09-11 2015-07-02 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Organic electroluminescent element, lighting fixture, and method for preparing organic electroluminescent element

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005158715A (ja) * 2003-10-27 2005-06-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子および前記発光素子を用いた発光装置、並びに前記発光装置を用いた電気機器
JP2008311094A (ja) * 2007-06-15 2008-12-25 Nippon Seiki Co Ltd 有機elパネル
JP2009054424A (ja) * 2007-08-27 2009-03-12 Panasonic Electric Works Co Ltd 有機el発光素子
JP2009265059A (ja) * 2008-04-30 2009-11-12 Otsuka Denshi Co Ltd 状態測定装置および状態測定方法
JP2013033706A (ja) * 2011-03-10 2013-02-14 Rohm Co Ltd 有機el装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019163340A1 (ja) * 2018-02-22 2019-08-29 大阪瓦斯株式会社 放射冷却装置
JPWO2019163340A1 (ja) * 2018-02-22 2020-12-17 大阪瓦斯株式会社 放射冷却装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015004876A1 (ja) 2015-01-15
US20160155989A1 (en) 2016-06-02
DE112014003234T5 (de) 2016-04-07
KR20160030205A (ko) 2016-03-16
CN105393643A (zh) 2016-03-09
US9614188B2 (en) 2017-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10566577B2 (en) Organic light emitting display device and organic light emitting display apparatus
US10446798B2 (en) Top-emitting WOLED display device
WO2014178282A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2015523689A (ja) 有機発光ダイオード(oled)素子用積層体、その製造方法、及びこれを備える有機発光ダイオード(oled)素子
JP2011096679A (ja) 有機発光素子及びその製造方法
KR20080012177A (ko) 유기 발광 소자 및 표시 장치
CN103579529B (zh) 有机发光二极管器件
JP6089338B2 (ja) 有機el素子及びその製造方法
JP2010055926A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
CN103931011A (zh) 有机发光器件
JP6451016B2 (ja) タンデム型の白色有機発光素子
JP6076685B2 (ja) 発光モジュールの作製方法
WO2015004876A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
WO2024022057A1 (zh) 发光模组和发光装置
JP2011028878A (ja) 有機発光装置
US20160149162A1 (en) Optoelectronic component, method for producing an optoelectronic component, and mirror device
WO2019033794A1 (zh) 有机电致发光装置及其电极
JP2017524225A (ja) オプトエレクトロニクスアセンブリ及びオプトエレクトロニクスアセンブリを製造するための方法
JP2006139932A (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子、および有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法
JP2015018771A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
KR20190092349A (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
US10770690B2 (en) OLED with minimal plasmonic losses
KR20190074371A (ko) 발광 소자 및 조명 장치
Forrest et al. OLED with minimal plasmonic losses
JP2022122344A (ja) 発光装置及び光学装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160309

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170221

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170410

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20170410

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170620

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20180109