CN102185113A - 一种oled器件 - Google Patents

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张方辉
丁磊
梁田静
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Shaanxi University of Science and Technology
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Abstract

本发明设计了一种OLED器件，该OLED器件的最大特点是在阳极和阴极中间只选用了一种有机材料和一种过渡金属氧化物，两种材料在两个电极之间组成n维量子阱结构，其中该有机材料作为发光层和电子传输层；利用金属氧化物作为空穴传输层和电子传输层。本发明充分利用了有机材料发光性质，机械性质，热性质；同时只采用一种有机材料是为了减少有机材料的老化问题，其它功能层采用金属氧化物是利用其稳定性和导电性的特点。

Description

一种OLED器件
技术领域
本发明涉及一种照明器件，特别是一种OLED器件。
背景技术
作为环保节能的新一代绿色光源和照明技术，与普通光源比，OLED除了软性基板照明，也有其他的照明优势，如大面积的面光源照明，驱动电压低，宽视角。OLED的性能主要取决于注入到发光层的空穴和电子的数量以及平衡性。
但是在实用化道路上还存在很多问题，如在驱动电压较大时，接触电阻热效应降低材料和器件的稳定性。从而造成器件的发光效率偏低，器件的使用寿命太短。因此，如何充分利用有机材料的优势，降低有机材料易老化的问题，是OLED器件结构设计必须考虑的问题。因为OLED器件在工作状态下，由于形成的焦耳热对有机材料影响很大，当有机材料在一定温度下工作时会使自身的性质发生变化，这样会使整个器件的载流子传输不平衡，影响整个器件性能，从而使得器件效率降低，当有机材料发生老化，器件部分会发生明显的显示不均，出现坏点等问题，最终导致器件使用寿命短。
发明内容
本发明提供了一种OLED器件，不但提高了器件寿命，而且提高了器件的发光效率。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：一种OLED器件，其特征在于：包括阳极和阴极，以及设置在阳极和阴极之间的有机材料和过渡金属氧化物，所述有机材料和过渡金属氧化物组成n维量子阱结构，n为自然数，有机材料作为发光层和电子传输层，过渡金属氧化物作为空穴传输层和电子传输层。
作为本发明的最佳实施例，所述n维量子阱结构是1，2，3，或4维；
作为本发明的最佳实施例，所述金属氧化物为氧化钼MoOx、氧化钨WO3或五氧化二钒V2O5中的一种，其厚度范围为5-60nm；
作为本发明的最佳实施例，所述有机材料为Alq3，AND，TBADN，TDAF，MADN，BSBF或BDAF中的一种，其厚度范围为5-60nm。
与现有技术相比，本发明OLED器件至少具有以下有益效果：本发明只使用一种有机材料，其余均采用金属或金属氧化物，这样既可以充分发挥无机材料的稳定性特点，同时降低了有机材料易老化的问题，另外，在空穴传输层利用阱的结构限制空穴传输，使载流子传输趋于平衡，在发光层形成的阱结构将载流子充分箝位在发光层，提高了器件的发光效率。
附图说明
图1是本发明OLED器件的结构图。
具体实施方式
下面结合结构图对本发明OLED器件及其制备方法详细描述：
请参阅图1所示，本发明OLED器件包括阳极1和阴极4，以及设置在阳极1和阴极4之间的有机材料3和过渡金属氧化物2，所述有机材料3和过渡金属氧化物组2成n维量子阱结构。其中，所述有机材料3作为发光层和电子传输层，过渡金属氧化物2作为空穴传输层和电子传输层。
所述n维量子阱结构是1，2，3，或4维。所述金属氧化物为氧化钼MoOx、氧化钨WO3或五氧化二钒V2O5中的一种，其厚度范围为5-60nm。所述有机材料为Alq3(Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium)、AND(9，10-di(naphth-2-yl)anthracene)、TBADN(2-tert-butyl-9，10-di(naphth-2-yl)anthracene)、TDAF(2，7-bis[9，9-di(4-methylphenyl)-fluoren-2-yl]-9，9-di(4-methylphenyl)fluorene)、MADN(2-methyl-9，10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene)、BSBF(2-(9，9-spirobifluoren-2-yl)-9，9-spirobifluorene)或BDAF(2-[9，9-di(4-methylphenyl)-fluoren-2-yl]-9，9-di(4-methylphenyl)fluorene)中的一种，其厚度范围为5-60nm，这些有机材料出自机光科技股份有限公司。
本发明OLED器件的制备方法为：利用真空蒸镀的方法将有机材料和金属氧化物按照图1的量子阱结构进行蒸镀即可。
本发明利用量子阱结构特点对整个器件进行优化设计，整个器件结构就是一个n维量子阱的结构设计，该器件结构既可以在空穴传输层利用阱的结构特点起到限制空穴传输的作用，使载流子传输趋于平衡，而且在发光层形成的阱结构也可以将载流子充分箝位在发光层提高器件发光效率。同时该结构只使用一种有机材料，其余均采用金属或金属氧化物，这样既可以充分发挥无机材料的稳定性特点，同时降低了有机材料易老化的问题。
以上所述仅为本发明的一种实施方式，不是全部或唯一的实施方式，本领域普通技术人员通过阅读本发明说明书而对本发明技术方案采取的任何等效的变换，均为本发明的权利要求所涵盖。

Claims (4)

1.一种OLED器件，其特征在于：包括阳极(1)和阴极(4)，以及设置在阳极(1)和阴极(4)之间的有机材料(3)和过渡金属氧化物(2)，所述有机材料(3)和过渡金属氧化物(2)组成n维量子阱结构，n为自然数，所述有机材料作为发光层和电子传输层，过渡金属氧化物作为空穴传输层和电子传输层。
2.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于：所述n维量子阱结构是1，2，3，或4维。
3.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于：所述过渡金属氧化物为氧化钼、氧化钨或五氧化二钒中的一种，其厚度范围为5-60nm。
4.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于：所述有机材料为Alq3、AND、TBADN、TDAF、MADN、BSBF或BDAF中的一种，其厚度范围为5-60nm。
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PB01 Publication
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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