JPWO2019163340A1 - 放射冷却装置 - Google Patents
放射冷却装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2019163340A1 JPWO2019163340A1 JP2020502078A JP2020502078A JPWO2019163340A1 JP WO2019163340 A1 JPWO2019163340 A1 JP WO2019163340A1 JP 2020502078 A JP2020502078 A JP 2020502078A JP 2020502078 A JP2020502078 A JP 2020502078A JP WO2019163340 A1 JPWO2019163340 A1 JP WO2019163340A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- silver
- thickness
- cooling device
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 166
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 133
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 130
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 130
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims abstract description 88
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 88
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 86
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims abstract description 53
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 14
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 6
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 6
- 239000005331 crown glasses (windows) Substances 0.000 claims description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 66
- 230000009471 action Effects 0.000 abstract description 9
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 471
- 239000010408 film Substances 0.000 description 147
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 32
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 23
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical class [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 22
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 18
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 10
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- DTPQZKZONQKKSU-UHFFFAOYSA-N silver azanide silver Chemical compound [NH2-].[Ag].[Ag].[Ag+] DTPQZKZONQKKSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032900 absorption of visible light Effects 0.000 description 1
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
- F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
- F28F21/00—Constructions of heat-exchange apparatus characterised by the selection of particular materials
- F28F21/08—Constructions of heat-exchange apparatus characterised by the selection of particular materials of metal
- F28F21/081—Heat exchange elements made from metals or metal alloys
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
- F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
- F28F13/00—Arrangements for modifying heat-transfer, e.g. increasing, decreasing
- F28F13/18—Arrangements for modifying heat-transfer, e.g. increasing, decreasing by applying coatings, e.g. radiation-absorbing, radiation-reflecting; by surface treatment, e.g. polishing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B15/043—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of metal
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
- B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
- B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
- B32B17/061—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of metal
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/208—Filters for use with infrared or ultraviolet radiation, e.g. for separating visible light from infrared and/or ultraviolet radiation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/26—Reflecting filters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
Description
尚、光反射層は、赤外放射層を透過した光に加えて、赤外放射層から光反射層の存在側に放射される赤外光を赤外放射層に向けて反射する作用も有することになるが、以下の説明においては、光反射層が、赤外放射層を透過した光(可視光、紫外光、赤外光)を反射するために設けられるものであるとして説明する。
ちなみに、特許文献2には、アルミニウムからなる金属層を基板として、赤外放射層を構成するSiO層とMgO層とを積層するように構成されている。
しかしながら、アルミニウムからなる金属層は、銀よりも光を吸収し易いものであるから、赤外放射層を透過した光が、アルミニウムからなる金属層に吸収されて、当該光の吸収により昇温する金属層が、冷却対象を加温すること等に起因して、冷却対象を適切に冷却できない虞があった。
前記光反射層が、銀あるいは銀合金からなる第1層と、アルミニウムあるいはアルミニウム合金からなる第2層と、銀とアルミニウムとの合金化を防止する合金化防止透明層とを、前記第1層、前記合金化防止透明層及び前記第2層の順に前記赤外放射層に近い側に位置させる形態で積層した状態に構成されている点にある。
これに対して、アルミニウムあるいはアルミニウム合金は、銀あるいは銀合金に較べて、可視光や赤外光を効率良く反射することができないものの、紫外光を効率良く反射することができる傾向となる。
しかも、アルミニウムあるいはアルミニウム合金は、銀あるいは銀合金に較べて、可視光や赤外光を吸収し易い傾向となる。
ちなみに、赤外放射層を基板として、第1層、合金化防止透明層及び第2層を積層する際に、第1層、合金化防止透明層及び第2層が薄い場合には、例えば、スパッタリング等により、第1層、合金化防止透明層及び第2層を順次積層することになる。
ちなみに、透明窒化膜の具体例としては、Si3N4、AlNを挙げることができる。
尚、透明窒化膜は、スパッタリングや蒸着等を用いて製膜する際に、第1層の銀あるいは銀合金が変色しないため、生産性を向上し易い利点がある。
ちなみに、透明酸化膜としては、多数のものが適用できるが、具体例の一例として、蒸着やスパッタリング等で製膜しやすいAl2O3、SiO2、TiO2、ZrO2、HfO2、Nb2O5、Ta2O5を挙げることができる。
したがって、合金化防止透明層が光を吸収するとしても、400nm以下の短波長側の光を吸収させるようにすることにより、光反射層全体としての光吸収量を抑制できるのである。
したがって、合金化防止透明層が光を吸収するとしても、300nm以下の短波長側の光を吸収させるようにすることにより、光反射層全体としての光吸収量を適切に抑制できるのである。
〔放射冷却装置の構成〕
図1に示すように、放射冷却装置CPには、放射面Hから赤外光IRを放射する赤外放射層Aと、当該赤外放射層Aにおける放射面Hの存在側とは反対側に位置させる光反射層Bとが積層状態に設けられている。
第2層B2の厚さ(膜厚)が、10nm以上に構成されている。
尚、以下の記載においては、第1層B1を、銀を用いて構成するものとして説明する。
尚、以下の記載においては、第2層B2を、アルミを用いて構成するものとして説明する。
透明窒化膜としては、Si3N4、AlNを挙げることができる。
透明酸化膜としては、蒸着やスパッタリングなどで製膜しやすいAl2O3、SiO2、TiO2、ZrO2、HfO2、Nb2O5、Ta2O5や、その他の酸化物を挙げることができるが、その詳細は後述する。
具体的には、基板としての赤外放射層Aと第1層B1との間に、密着層3が積層され、かつ、第2層B2における合金化防止透明層B3の存在側とは反対側に、酸化防止層4が積層されている。
酸化防止層4が、二酸化ケイ素(SiO2)又は酸化アルミニウム(Al2O3)を、10〜数100nmに製膜する形態に構成されている。尚、以下の記載においては、二酸化ケイ素(SiO2)が製膜されているとして説明する。
ちなみに、無アルカリガラスとしては、例えば、OA10G(日本電気硝子製)を用いることができ、クラウンガラスとしては、例えば、B270(登録商標、以下同じ)を用いることができ、ホウケイ酸ガラスとしては、例えば、テンパックス(登録商標、以下同じ)用いることができる。
ちなみに、図8は「テンパックス」を代表として例示するが、白板ガラスの「OA10G」、「B270」なども同様である。
尚、以下の記載においては、赤外放射層Aが「テンパックス」にて形成されているとして説明する。
尚、本実施形態において光とは、その波長が10nmから20000nmの電磁波のことを言う。つまり、光Lには、紫外光、赤外光IRおよび可視光が含まれる。
図2に示すように、放射冷却装置CPを、厚さ1mmのテンパックスにて赤外放射層Aを形成し、光反射層Bの第1層B1を膜厚が50nmの銀とし、光反射層Bの第2層B2を膜厚が50nmのアルミとし、密着層3を膜厚が5nmの酸化アルミニウム(Al2O3)にて形成し、膜厚が30nmの二酸化ケイ素(SiO2)にて酸化防止層4を形成し、且つ、光反射層Bの合金化防止透明層B3を、透明窒化膜としてのSi3N4や透明酸化膜としてのAl2O3にて構成する場合において、透明窒化膜としてのSi3N4や透明酸化膜としてのAl2O3の厚さを変化させながら、放射冷却装置CPの冷却能力を計算したところ、図3及び図4の表に示す結果となった。
すなわち、太陽光エネルギーを1000W/m2とし、外気温を30℃、大気の輻射エネルギーが387W/m2の8月下旬をモデルとして計算したものであって、放射冷却装置CPの温度(酸化防止層4における光反射層Bの存在側とは反対側の面の温度:以下、冷却面温度と記載する場合がある)が30℃であるとして計算したものである。
図4に示すように、Al2O3の厚さ(膜厚)は、44nm以下が最もよく、60nm以下でもよい。その理由は後述する。
光反射層Bを第1層B1のみにて構成する場合(図5参照)と、光反射層Bを第1層B1及び第2層B2にて構成する場合(図6参照)とにおいて、第1層B1の銀の厚みを変化させながら、放射冷却装置CPの冷却能力を計算したところ、図7の表に示す結果となった。
すなわち、太陽光エネルギーを1000W/m2とし、外気温を30℃、大気の輻射エネルギーが387W/m2の8月下旬をモデルとして計算したものであって、放射冷却装置CPの温度(冷却面温度)が30℃であるとして計算したものである。
尚、図7の冷却能力は、合金化防止透明層B3が存在しないものとして計算したものである。
つまり、赤外放射層Aを、波長8μm以上14μm以下の赤外域で大きな熱輻射を示し、当該熱輻射が、赤外放射層A及び光反射層Bの夫々にて吸収されるAM1.5Gの太陽光及び大気の熱輻射よりも大きくなるようにすることにより、昼夜を問わず周囲の大気よりも温度が低下する放射冷却作用を発揮する放射冷却装置CPを構成することができる。
そして、そのようにするにあたり、赤外放射層Aをテンパックスにて構成する場合には、厚さを10μm以上で10cm以下にする必要があり、好ましくは、20μm以上で10cm以下、より好ましくは、100μm以上で1cm以下が良い。
以下、放射冷却装置CPの光反射層Bに、第1層B1と第2層B2とを備えさせる点についての補足説明を行う。
図10に示すように、放射冷却装置CPの光反射層Bを、厚さが50nmの銀からなる第1層B1のみにて構成した場合においては、図11に示すように、短波長側の光が、第1層B1を構成する50nmの銀を透過することになり、透過した光が冷却対象Dに照射されることになる。
つまり、冷却対象Dは、被冷却物の熱を効率的に逃がすために、光吸収層や熱交換器として構成されるが、第1層B1を構成する銀の膜厚(厚さ)を薄くすると透過した光が冷却対象Dを温めるので放射冷却能力(放射冷却性能)が弱まることになる。
第1層B1を構成する銀の膜厚(厚さ)を300nmの膜厚(厚さ)にする従来の放射冷却装置CPの放射冷却能力は、日本の夏、標高0m、外気温度が30℃の南中時、湿度や空気の澄み具合にもよるが、概ね70W/m2程度である。
さらに、第1層B1を構成する銀の膜厚(厚さ)が50nmになると、透過する太陽光のエネルギーが70W/m2程度となり、この透過光が冷却対象Dを加熱することにより、放射冷却装置CPの放射冷却能力が大きく低下する。
つまり、光反射層Bを第1層B1のみにて構成する場合においては、第1層B1を構成する銀の膜厚(厚さ)を十分に薄くすることができないものとなる。
しかしながら、図15に示すように、アルミは太陽光の吸収率が高い傾向にあり、しかも、図17に示すように、アルミ(膜厚50nm)は、銀(膜厚300nm)よりも太陽光を多く吸収するものである。
尚、図18に示すように、光反射層Bを第1層B1のみにて構成し、かつ、第1層B1を構成する銀の膜厚(厚さ)を300nmにする場合においては、外気温が30℃の南中時における放射冷却能力は、70W/m2程度となる。
つまり、光反射層Bを第2層B2のみにて構成する場合には、放射冷却装置CPの放射冷却能力を十分な能力にすることができないことが分かる。
また、図21に示すように、第1層B1を構成する銀の反射率は、長波長側では大きく、短波長側ほど小さくなり、かつ、膜厚(厚さ)が薄くなるほど小さくなる。
さらに、第2層B2のアルミは、上述の如く、25nm以上の膜厚(厚さ)があれば、太陽光の透過を的確に遮蔽できる程度の大きな反射率を備えるものであり、しかも、銀の反射率が小さくなる短波長側においても大きな反射率を備えるが、銀の反射率が高い長波長側では、銀の反射率よりも小さくなる傾向となる。
ちなみに、図12に示すように、交差波長である450nm以下の波長の光は、銀を透過し易くなるので、当該透過した光は、第2層B2のアルミに照射されることになる。
また、450nmよりも長波長側の光Lbは、主として第1層B1にて反射されることになる。
ちなみに、耐腐食性を向上させることを考えると、第2層B2を構成するアルミの膜厚(厚さ)は、50nm以上に厚くするのが望ましい。つまり、アルミは酸化して不働態を形成するが、不働態を形成できる層が分厚いほど耐久性が向上するからである。
その結果、光反射層Bを第1層B1と第2層B2にて構成する放射冷却装置CPにおいては、第1層B1の膜厚(厚さ)を100nm以下でかつ50nm以上にすれば、太陽光の反射率を十分に向上させることができる。
このため、光反射層Bを第1層B1のみにて構成する場合には、銀の膜厚(厚さ)を300nmにして太陽光の透過を完全に遮断する場合と比較して、銀の膜厚(厚さ)を80nmにすると、放射冷却能力(放射冷却性能)が約一割程度下がる。
そして、銀の膜厚(厚さ)を40nm未満にすると、冷却能力(放射冷却能力)が大きく低下し、30nm以下では、冷却対象Dが加熱されることになる。
しかも、第1層B1を形成する銀の厚みが50nm〜100nmのときには、放射冷却装置CPの放射冷却能力(放射冷却性能)が、光反射層Bを第1層B1のみにて構成する場合(図2参照)において銀の厚みを300nmとするときと、同等の能力となる。
上述の如く、第1層B1の銀と第2層B2のアルミとを接触させた状態で長時間経過すると、銀とアルミの合金化が次第に進み、光反射層Bの太陽光の反射率が悪くなり、太陽光吸収が増加することが予想されるため、銀とアルミの合金化を防止するために、第1層B1と第2層B2との間に合金化防止透明層B3を設けることになる。
銀とアルミの合金化を防止する合金化防止透明層B3としては、第1層B1の銀を透過した光を良く透過する透明窒化膜および透明酸化膜が考えられる。
このため、第1層B1の銀を透過した光を、合金化防止透明層B3を構成する透明窒化膜および透明酸化膜ができるだけ透過する必要がある。
先ずは、化学反応性の観点から絞り込む。化学反応性の観点から絞り込む際は標準生成ギブスエネルギーを参考にスクリーニングするのが好ましい。金属Aと酸素が反応する下記(1)式の反応は、標準生成ギブスエネルギーの小さい方向に進む。
nA+mO2→AnO2m--------(1)
例えば、上記(1)式の反応よりも下記の(2)式の反応の方が、標準生成ギブスエネルギーが小さいとする。
nB+mO2→BnO2m--------(2)
この場合において、nモル(mol)のA及びBとmモル(mol)のOとを混合すると、平衡状態においてすべての酸素はBと結合することになる。さらに、1モル(mol)のAnO2mとnモル(mol)のBとを混合すると、いずれAとBnO2mに変化することになる。
(透明窒化膜の具体例)
透明窒化膜の場合には、標準生成ギブスエネルギーが銀およびアルミ以下である材料を選ぶとよい。
つまり、Ag3N(+315kJ/mol)、AlN(−287kJ/mol)であるから、Alの−287kJ/molよりも小さな材料が良く、なおかつ紫外から可視領域において透明な材料が望まれる。
このような条件を満たす材料として、具体的には、Si3N4(−676kJ/mol)、AlN(−287kJ/mol)が挙げられる。
透明酸化膜の場合には、標準生成ギブズエネルギー変化が銀以下である材料を選ぶとよい。
つまり、Ag2O(−11kJ/mol)であるから、標準生成ギブスエネルギーが−11kJ/molよりも小さな材料を選ぶとよい。
なお、上述の如く、透明酸化膜の場合、アルミの酸化物Al2O3の標準生成ギブスエネルギー(−1582kJ/mol)よりも大きな材料を用いても問題ない。その理由は、Al2O3は、酸素拡散性の極めて低い材料であることによる。
具体例を示して説明すると、Al2O3と標準生成ギブスエネルギーの低い酸化物Xとを密着させる場合、当該酸化物X内の原子1〜2層程度の酸素がAlに引き抜かれXとAl2O3に変化してしまう一方で、Al2O3の酸素拡散性が極めて小さいために、酸化物X中の酸素がAl中に拡散することができないためである。
その結果、透明酸化膜の場合は、標準生成ギブスエネルギーが−11kJ/molよりも小さな材料を選ぶとよいことになり、且つ、紫外から可視領域において透明な材料が望まれる。
このような条件を満たす材料を列挙すると、以下のようなものが挙げられる。尚、族で分類しているが、族の酸化物のすべてが透明性及び標準生成ギブスエネルギーの観点で優れているわけでなく、上記条件を満たす酸化物だけを抜き出して記載する。
第2族元素酸化物:BeO(−580kJ/mol)、MgO(−569kJ/mol)、CaO(−604kJ/mol)、SrO(−592kJ/mol)、BaO(−520kJ/mol)
第4族元素酸化物:TiO2(−884kJ/mol)、ZrO2(−1042kJ/mol)、HfO2(−1088kJ/mol)
第5族元素酸化物:Nb2O5(−1766kJ/mol)、Ta2O5(−1911kJ/mol)
第13族元素酸化物:B2O3(−1194kJ/mol)、Al2O3(−1582kJ/mol)、Ga2O3(−998kJ/mol)
第14族元素酸化物:SiO2(−856kJ/mol)、GeO2(−500kJ/mol)、SnO2(−856kJ/mol)
合金化防止透明層B3として、透明窒化膜と透明酸化膜のどちらを選択する方が良いかについて考える。結論としては、作製上、透明窒化膜を用いる方が良い。
銀の窒化物(Ag3N)と酸化物(Ag2O)とはいずれも黒い。第1層B1の銀の膜厚は薄く、紫外から可視領域の光を透過するので、銀の窒化物もしくは酸化物が生成されると、第1層B1の銀を透過した光が吸収されるので、日照下での放射冷却性能が著しく低下する。つまり、銀の窒化膜と酸化膜は少量でも、できてはならない。
Ag3Nの標準生成ギブスエネルギーは、+315kJ/molであり、Ag2Oの標準生成ギブスエネルギーは、−11kJ/molである。つまり、標準生成ギブスエネルギーが正の値のAg3Nは、非常に不安定であって、AgとN2とが分かれて存在したほうが安定である。これに対して、標準生成ギブスエネルギーが負の値のAg2Oは、黒色の酸化銀となる方が、AgとO2とに分かれているよりも安定である。
ちなみに、スパッタリングは、プラズマ中のラジカル化したガスをターゲット材料に運動エネルギーとして与え、それによってたたき出した材料をサンプルに積層させる手法である。
また、酸化物を製膜する際には、プラズマ中に酸素を入れて酸素ラジカルを作ったガスで製膜することが一般的である。
銀の標準生成エネルギーは、大抵の透明酸化物の標準生成エネルギーよりも負に小さい。これは、上述の如く、酸素が銀に存在するよりも透明酸化物中に存在する方が安定であることを意味している。しかしながら、成膜した酸化膜に酸素欠陥がない場合には、酸化銀中の酸素の行き場がないので、酸化銀は銀に変化しない。
従って、一度形成された酸化銀Eはなくならない。そして、上述の通り酸化銀Eは有色酸化物であることから、第1層B1の銀を透過した光を吸収するので、日照下での放射冷却性能を著しく低下させる。
ちなみに、上述の如く、Ag3N(+315kJ/mol)は非常に不安定であり、AgとN2がわかれて存在したほうが安定である。このことから、どのような条件で成膜をおこなってもスパッタリングや蒸着程度のエネルギーでは、そもそも銀の窒化物(黒色)はできない。
したがって、合金化防止透明層B3として透明窒化膜を用いると、成膜のバリエーションが極めて豊かになるので、合金化防止透明層B3としては透明窒化膜を用いるのが好適であると考えられる。
上記の通り、合金化防止透明層B3としては、透明窒化膜と透明酸化膜のどちらも使用できるが、製作面を鑑みると、透明窒化膜の方が優れていることを説明した。
次に、合金化防止透明層B3の厚さ(膜厚)を検討する。
λ=L*4*n/m--------(3)
なお、λは共鳴波長、Lは膜厚、nは計算波長における屈折率、mは任意の自然数である。
したがって、400nm以下の短波長側の光吸収は、放射冷却材料を設計するうえで許容される。つまり、最大の共鳴波長(m=1の時の波長)が400nm以下の短波長側になるように窒化膜の厚みを設計すればよい(下記(4)式を参照のこと)。
L<λ/(4*n)=400/n400nm/4--------(4)
尚、n400nmは、波長が400nmのときの屈折率である。
つまりは、L<λ/(4*n)=300/n300nm/4を満たす厚みであるのが特に望ましい。
窒化シリコンのn400nm=2.1であり、n300nm=2.17である。したがって、窒化シリコンの場合、膜厚47nm以下が良く、特に、34nm以下が望ましくなる。
したがって、共鳴波長の計算を行うと、図24に示すように、透明酸化膜が酸化アルミニウム(Al2O3)の場合、膜厚は60nm以下が良く、特に、44nm以下が望ましい。
なお、材料の熱膨張率の違いに起因するせん断応力による剥がれを防止する観点を考えると、合金化防止透明層B3の厚さ(膜厚)は薄ければ薄い方が良い。
以下、別実施形態を列記する。
(1)上記実施形態では、赤外放射層Aを基板として、第1層B1、合金化防止透明層B3及び第2層B2を積層する場合を例示したが、赤外放射層Aとは異なる他の基板に対して、第2層B2、合金化防止透明層B3及び第1層B1を積層する形態で光反射層Bを形成して、赤外放射層Aと光反射層Bとを重ね合わせる形態で積層してもよい。この場合、赤外放射層Aと光反射層Bとの間に、伝熱可能であれば多少の隙間が存在してもよい。
4 酸化防止層
A 赤外放射層
B 光反射層
B1 第1層
B2 第2層
B3 合金化防止透明層
前記光反射層が、銀あるいは銀合金からなる第1層と、アルミニウムあるいはアルミニウム合金からなる第2層と、銀とアルミニウムとの合金化を防止する合金化防止透明層とを、前記第1層、前記合金化防止透明層及び前記第2層の順に前記赤外放射層に近い側に位置させる形態で積層した状態に構成され、
前記赤外放射層を基板として、前記第1層、前記合金化防止透明層及び前記第2層が積層されている点にある。
また、赤外放射層を基板として、第1層、合金化防止透明層及び第2層が積層されているから、全体構成の簡素化を図り、しかも、全体構成の薄膜化を図ることができる。
ちなみに、赤外放射層を基板として、第1層、合金化防止透明層及び第2層を積層する際に、第1層、合金化防止透明層及び第2層が薄い場合には、例えば、スパッタリング等により、第1層、合金化防止透明層及び第2層を順次積層することになる。
つまり、積層用基板を設けて、その積層用基板に対して、スパッタリング等により、第2層、合金化防止透明層及び第1層を順次積層し、その後、第1層の第2層の存在側とは反対側箇所に、別途製作した赤外放射層を載置して積層する、又は、第1層の合金化防止透明層の存在側とは反対側箇所に、スパッタリング等により、赤外放射層を積層する場合に較べて、積層用基板を設ける必要が無いため、全体構成の簡素化を図り、しかも、全体構成の薄膜化を図ることができる。
要するに、本発明の放射冷却装置の特徴構成によれば、全体構成の簡素化を図り、しかも、全体構成の薄膜化を図ることができる。
以下、別実施形態を列記する。
Claims (12)
- 放射面から赤外光を放射する赤外放射層と、当該赤外放射層における前記放射面の存在側とは反対側に位置させる光反射層とが積層状態で設けられた放射冷却装置であって、
前記光反射層が、銀あるいは銀合金からなる第1層と、アルミニウムあるいはアルミニウム合金からなる第2層と、銀とアルミニウムとの合金化を防止する合金化防止透明層とを、前記第1層、前記合金化防止透明層及び前記第2層の順に前記赤外放射層に近い側に位置させる形態で積層した状態に構成されている放射冷却装置。 - 前記第1層の厚さが、3.3nmよりも大きく、かつ、100nm以下である請求項1に記載の放射冷却装置。
- 前記第1層の厚さが、50nm以上で、かつ、100nm以下である請求項1又は2に記載の放射冷却装置。
- 前記第2層の厚さが、10nm以上である請求項1〜3のいずれか1項に記載の放射冷却装置。
- 前記赤外放射層が、無アルカリガラス、クラウンガラス、ホウケイ酸ガラスのうちのいずれかのガラスにて構成されている請求項1〜4のいずれか1項に記載の放射冷却装置。
- 前記赤外放射層を基板として、前記第1層、前記合金化防止透明層及び前記第2層が積層されている請求項1〜5のいずれか1項に記載の放射冷却装置。
- 前記赤外放射層と前記第1層との間に、密着層が積層されている請求項6に記載の放射冷却装置。
- 前記第2層における前記合金化防止透明層の存在側とは反対側に、酸化防止層が積層されている請求項6又は7に記載の放射冷却装置。
- 前記合金化防止透明層が、透明窒化膜である請求項1〜8のいずれか1項に記載の放射冷却装置。
- 前記合金化防止透明層が、透明酸化膜である請求項1〜8のいずれか1項に記載の放射冷却装置。
- 前記合金化防止透明層が、400nm以下の波長のうちのいずれかの波長を共鳴波長とする厚さである請求項1〜10のいずれか1項に記載の放射冷却装置。
- 前記合金化防止透明層が、300nm以下の波長のうちのいずれかの波長を共鳴波長とする厚さである請求項1〜11のいずれか1項に記載の放射冷却装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018029964 | 2018-02-22 | ||
JP2018029964 | 2018-02-22 | ||
PCT/JP2019/001338 WO2019163340A1 (ja) | 2018-02-22 | 2019-01-17 | 放射冷却装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019163340A1 true JPWO2019163340A1 (ja) | 2020-12-17 |
JP6821084B2 JP6821084B2 (ja) | 2021-01-27 |
Family
ID=67687577
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020502078A Active JP6821084B2 (ja) | 2018-02-22 | 2019-01-17 | 放射冷却装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200400391A1 (ja) |
JP (1) | JP6821084B2 (ja) |
CN (1) | CN111712738B (ja) |
WO (1) | WO2019163340A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210035771A (ko) | 2018-07-23 | 2021-04-01 | 오사까 가스 가부시키가이샤 | 방사 냉각 장치 |
CN112351884A (zh) * | 2019-03-27 | 2021-02-09 | 大阪瓦斯株式会社 | 辐射冷却装置和辐射冷却方法 |
JP7442366B2 (ja) | 2020-03-27 | 2024-03-04 | 大阪瓦斯株式会社 | 放射冷却装置及び冷却方法 |
US11874073B2 (en) | 2020-04-09 | 2024-01-16 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Radiative cooling structure with enhanced selective infrared emission |
CN111497378A (zh) * | 2020-04-20 | 2020-08-07 | 宁波瑞凌新能源科技有限公司 | 辐射制冷金属板、其制备方法及应用 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005276402A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体およびその製造方法 |
JP2014120487A (ja) * | 2012-12-12 | 2014-06-30 | Kobelco Kaken:Kk | 表示装置または入力装置に用いられる電極、および電極形成用スパッタリングターゲット |
JP2015018770A (ja) * | 2013-07-12 | 2015-01-29 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
US20150338175A1 (en) * | 2014-05-21 | 2015-11-26 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Radiative cooling with solar spectrum reflection |
WO2016205717A1 (en) * | 2015-06-18 | 2016-12-22 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for radiative cooling and heating |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3813541A (en) * | 1971-05-17 | 1974-05-28 | Columbia Broadcasting Sys Inc | Mos photodiode |
US3990784A (en) * | 1974-06-05 | 1976-11-09 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Coated architectural glass system and method |
IL86366A0 (en) * | 1988-05-12 | 1988-11-15 | Luz Ind Israel Ltd | Protected silvered substrates and mirrors containing the same |
PT802267E (pt) * | 1996-04-18 | 2000-04-28 | Alusuisse Lonza Services Ag | Superficie de aluminio com cores de interferencia |
US6531230B1 (en) * | 1998-01-13 | 2003-03-11 | 3M Innovative Properties Company | Color shifting film |
JP3268446B2 (ja) * | 1999-04-07 | 2002-03-25 | 科学技術振興事業団 | 基板加熱装置 |
JP2002294440A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-09 | Sumitomo Chem Co Ltd | スパッタリング用ターゲットとその製造方法 |
TWI265976B (en) * | 2002-08-08 | 2006-11-11 | Kobe Steel Ltd | Ag base alloy thin film and sputtering target for forming Ag base alloy thin film |
EP1829835A1 (de) * | 2006-03-03 | 2007-09-05 | Applied Materials GmbH & Co. KG | Infrarotstrahlung reflektierendes Schichtsystem sowie Verfahren zu seiner Herstellung |
US8497015B2 (en) * | 2008-03-11 | 2013-07-30 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Reflective article |
CN103561951A (zh) * | 2011-05-30 | 2014-02-05 | 旭硝子株式会社 | 低辐射率层叠体及多层玻璃 |
JP2013231789A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Kiyohara Optics Inc | コーナーキューブリフレクタ、その製造方法、冷媒通過用空間付きミラー及び冷媒通過用空間付きミラーの製造方法 |
CN103045882A (zh) * | 2012-07-17 | 2013-04-17 | 南昌大学 | 一种高能超声制备铝镨中间合金的方法 |
EP2875530B1 (de) * | 2012-07-19 | 2020-12-09 | (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. | Vermeidung von glasverbiegung bei thermischen verfahren |
CN103570360A (zh) * | 2012-07-30 | 2014-02-12 | 伯鑫科技有限公司 | 远红外线散热陶瓷浆料、纤维布、薄膜及其制备方法 |
WO2014080933A1 (ja) * | 2012-11-21 | 2014-05-30 | 株式会社コベルコ科研 | 表示装置または入力装置に用いられる電極、および電極形成用スパッタリングターゲット |
JP2014167163A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-09-11 | Nitto Denko Corp | 赤外線反射フィルムの製造方法 |
DE102014213819A1 (de) * | 2014-07-16 | 2016-01-21 | Robert Bosch Gmbh | Kaltlichtspiegel und Herstellungsverfahren zum Herstellen eines Kaltlichtspiegels |
JP6423198B2 (ja) * | 2014-08-05 | 2018-11-14 | 日東電工株式会社 | 赤外線反射フィルム |
EP3196966B1 (en) * | 2014-09-19 | 2023-05-03 | Osaka Gas Co., Ltd. | Electrochemical element, solid oxide fuel cell, and methods for producing the same |
CN104459848A (zh) * | 2014-11-27 | 2015-03-25 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 基于氧化铝中间层的铝银多层宽带反射膜 |
DE102015202195A1 (de) * | 2015-02-06 | 2016-08-11 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Laserstrahlung auslenkendes Element |
JP6597997B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2019-10-30 | 大阪瓦斯株式会社 | 熱光発電機 |
JP6612109B2 (ja) * | 2015-11-20 | 2019-11-27 | 富士フイルム株式会社 | 光学部材およびその製造方法、ディスプレイ、ならびに画像表示装置 |
EP3423298B1 (en) * | 2016-02-29 | 2021-07-28 | The Regents of the University of Colorado, a body corporate | Selective radiative cooling structure |
-
2019
- 2019-01-17 US US16/971,602 patent/US20200400391A1/en active Pending
- 2019-01-17 WO PCT/JP2019/001338 patent/WO2019163340A1/ja active Application Filing
- 2019-01-17 CN CN201980014766.6A patent/CN111712738B/zh active Active
- 2019-01-17 JP JP2020502078A patent/JP6821084B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005276402A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体およびその製造方法 |
JP2014120487A (ja) * | 2012-12-12 | 2014-06-30 | Kobelco Kaken:Kk | 表示装置または入力装置に用いられる電極、および電極形成用スパッタリングターゲット |
JP2015018770A (ja) * | 2013-07-12 | 2015-01-29 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
US20150338175A1 (en) * | 2014-05-21 | 2015-11-26 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Radiative cooling with solar spectrum reflection |
WO2016205717A1 (en) * | 2015-06-18 | 2016-12-22 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for radiative cooling and heating |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019163340A1 (ja) | 2019-08-29 |
US20200400391A1 (en) | 2020-12-24 |
JP6821084B2 (ja) | 2021-01-27 |
CN111712738B (zh) | 2022-07-15 |
CN111712738A (zh) | 2020-09-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6821084B2 (ja) | 放射冷却装置 | |
JP6821098B2 (ja) | 放射冷却装置 | |
JP6821063B2 (ja) | 放射冷却装置 | |
KR20140057415A (ko) | 스펙트럼 선택 패널 | |
EA024158B1 (ru) | Солнцерегулирующее остекление | |
EA029163B1 (ru) | Подложка, снабженная пакетом с тепловыми свойствами и поглощающим слоем | |
WO2018180177A1 (ja) | 放射冷却装置および放射冷却方法 | |
JP2018536993A (ja) | 光起電力デバイス | |
JP5148839B2 (ja) | 赤外光用反射防止膜 | |
JP2018165611A (ja) | 放射冷却装置および放射冷却方法 | |
JP5896889B2 (ja) | 光学選択膜 | |
JP7004597B2 (ja) | 放射冷却装置 | |
KR20170105904A (ko) | 저방사 유리 | |
TW201900577A (zh) | 波長選擇透過性玻璃物品 | |
JP7221020B2 (ja) | 太陽光選択吸収体 | |
JP2020046446A (ja) | 波長選択透過性合わせガラス | |
JP7147519B2 (ja) | 波長選択フィルタ及びそれを用いた熱光起電力発電装置 | |
JPWO2018003619A1 (ja) | 遮熱ガラス部材および遮熱ガラス部材の製造方法 | |
JP2021157961A (ja) | 熱輻射光源 | |
WO2013154462A2 (ru) | Способ изготовления полупроводниковой структуры на основе селенида свинца |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200803 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20200803 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20200828 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200908 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201208 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210105 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6821084 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R157 | Certificate of patent or utility model (correction) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R157 |