JP2005276402A - 光学的情報記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 レーザ光を用いて情報の記録および再生が可能な光学的情報記録媒体において、案内溝を有する基板の上に、少なくとも第1の金属層、バリア層、第2の金属層をこの順に並ぶ積層する金属多層膜を有し、あるいは、少なくとも金属層と記録層をこの順に積層する金属単層膜を有し、第2の金属層、および金属単層膜の金属層がAlと金属元素(添加物)を主成分とする材料から成る構成であることを満たす。
【選択図】 図1
Description
上側界面層7および下側界面層9は、記録層8の結晶化を促進して消去特性を向上させ、さらに記録層8と、それぞれ上側誘電体層6および下側誘電体層10との間の原子相互拡散を防いで繰り返し耐久性を向上させるという役割を果たす。
第1の金属層は、Agを主成分とする材料からなることが好ましい。第2の金属層の主成分となる材料がAlの場合、Agを主成分とする材料に比べて熱伝導率が小さいが、基板と第2の金属層の間に熱伝導率が大きいAgを主成分とする第1の金属層を設けることにより、金属多層膜としての冷却能を向上させることができる。また、室温で保持していても徐々に第1の金属層のAg元素が第2の金属層のAl中に拡散するため、第2の金属層の反射率が低下することが考えられるが、両者の間にバリア層を設けることにより、反射率低下を防止している。
さらに、本発明による第1の光学的情報記録媒体は、第2の金属層と記録層との間に上側誘電体層を、記録層の上側誘電体層側と反対側に下側誘電体層をさらに有する構造をとることを特徴とする。
第1の金属層の主成分はAg、バリア層の主成分はNi、第2の金属層の主成分はAl、上側誘電体層の主成分はZnSまたは酸化物、記録層の主成分はGeとSbとTe、下側誘電体層の主成分はZnSまたは酸化物であることが好ましい。
さらに、本発明による第2の光学的情報記録媒体は、金属層と記録層の間に配置された上側誘電体層と、記録層の上側誘電体層側と反対側に配置された下側誘電体層とをさらに有する構造をとることを特徴とする。
前記上側誘電体層の主成分がZnSまたは酸化物、記録層の主成分がGeとSbとTe又はGeとBiとTe、下側誘電体層の主成分がZnSまたは酸化物であることが好ましい。
〈実施の形態1〉
図1は、本発明の実施の形態1における光学的情報記録媒体の積層構成の概略を示す半径方向の断面図である。図1に示すように、光学的情報記録媒体13において、基板1、第1の金属層2、バリア層3、第2の金属層4、上側誘電体層6、上側界面層7、記録層8、下側界面層9、下側誘電体層10およびカバー層11が順次積層される。第1の金属層2、バリア層3、第2の金属層4、上側誘電体層6、上側界面層7、記録層8、下側界面層9、下側誘電体層10などの各層の形成方法としては、通常、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、CVD法、レーザスパッタリング法などが適用される。
レーザ光12の波長λは、レーザ光12を集光した際のスポット径が波長λによって決まってしまう(波長λが短いほど、より小さなスポット径に集光可能)ため、高密度記録の場合、特に450nm以下であることが好ましく、また、350nm未満では分離層15に用いる樹脂やカバー層11などによる光吸収が大きくなってしまうため、350nm〜450nmの範囲内であることがより好ましい。
基板1の材料としては、透明な円盤状のポリカーボネイト樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、紫外線硬化性樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせたもの等を用いることができる。基板1の表面には、必要に応じてレーザ光を導くための案内溝が形成されていてもよい。基板1の第1の金属層2側と反対側の表面は、平滑であることが好ましい。なお、基板1の厚さは、特に限定されないが、0.01〜1.5mm程度のものを用いることができる。また、カバー層の厚さが0.1mm程度(NA=0.85で良好な記録再生が可能)の場合、1.05mm〜1.15mmの範囲内であることが好ましい。
本発明の金属多層膜5は、記録層8に吸収される光量を増大させるという光学的な機能を有する。また、金属多層膜5は記録層8で生じた熱を速やかに拡散させ、記録層8を非晶質化しやすくするという熱的な機能も有する。さらに、金属多層膜5は使用する環境から多層膜を保護するという機能も有する。
第2の金属層4は記録層8に吸収される光量を増大させるという光学的な役割を果たす。Alを主成分とする材料の特徴は以下のようである。
(2)Agを主成分とする層に隣接して設けた場合、室温で保持していても徐々にAgがAl層中に拡散するため、反射率が低下する。
(3)Alが柱状構造になりやすい材料であるため、表面粗さが課題となる。
特徴(2)に対しては、第2の金属層4とAgを主成分とする第1の金属層2の間にバリア層3を設けることにより、反射率低下を防止することができる。
(1)第1の金属層2の主成分であるAgと第2の金属層4の主成分であるAlの反応をバリアする。
(2)第2の金属層4の下地になるため、Alと金属元素を主成分とする材料よりも結晶粒径が小となる材料、或いはアモルファス構造をとる材料を用いることにより、Alと金属元素を主成分とする材料の結晶粒径を微細化することができる。
図4は、本発明の実施の形態2における光学的情報記録媒体の積層構成の概略を示す半径方向の断面図である。図4に示すように、光学的情報記録媒体24において、基板1、金属層4、上側誘電体層6、上側界面層7、記録層8、下側界面層9、下側誘電体層10およびカバー層11が順次積層される。金属層4、上側誘電体層6、上側界面層7、記録層8、下側界面層9、下側誘電体層10などの各層の形成方法としては、実施の形態1と同様、通常は、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、CVD法、レーザスパッタリング法などが適用される。
レーザ光12の波長λは、実施の形態1と同様に決定する。
本発明において、記録層8の膜厚は、5nm以上15nm未満とすれば、十分なC/N比を得ることができる。5nm未満の膜厚では十分な反射率及び反射率変化が得られないためC/N比が低く、また、15nm以上の膜厚では記録層8の薄膜面内の熱拡散が大きいため高密度記録においてC/N比が低くなってしまう。
本発明の金属層4は、記録層8に吸収される光量を増大させるという光学的な機能(反射層としての機能)と、記録層8で生じた熱を速やかに拡散させ、記録層8を非晶質化しやすくするという熱的な機能(放射層としての機能)とを有する。さらに、金属層4は、使用する環境から多層膜を保護するという機能も有する。この金属層4には、実施の形態1と同様、Al合金が用いられている。Al合金の利点としては、上側誘電体層3にZnSまたはZnS−SiO2を用いた場合でも、Agとは異なり、腐食が生じにくい点がある。その結果、バリア層を設ける必要がなく、層数を減らすことができコストを低く抑えることができる。しかし、Al合金を反射層として用いる場合には、以下の2つの問題が生じる。
(2)熱伝導率がAg合金に比べて小さいため、記録時のマーク間干渉が大きい。
これらを解決するために、Alに添加物元素を加えていくと、柱状構造を抑制でき、表面凹凸を減少させることができる。しかし、従来Al合金に第2成分を加えた場合、熱伝導率の大幅な低下が見られ、その場合に記録時のマーク間干渉が大きくなるという課題が生じていた。そこで、Al合金に添加しても熱伝導率が低下しない第2成分を検討した。
実施の形態1の光学的情報記録媒体13、実施の形態2の光学的情報記録媒体24は、以下に説明する方法によって製造できる。
本発明の媒体の製造方法について、金属多層膜を有する媒体13を例として説明する。金属単層膜を有する媒体24の製造方法についても、第1の金属層、バリア層部分を除き、同様である。予めレーザ光12を導くための案内溝が形成された基板1(例えば、厚さ1.1mm)を成膜装置に配置する。成膜装置には、本発明の第1の金属層2を成膜する工程(工程1)、バリア層3を成膜する工程(工程2)、第2の金属層4を成膜する工程(工程3)、上側誘電体層6を成膜する工程(工程4)、上側界面層7を成膜する工程(工程5)、記録層8を成膜する工程(工程6)、下側界面層9を成膜する工程(工程7)、下側誘電体層10を成膜する工程(工程8)が備えられており、この順に各層を形成する。
次に、工程2において第1の金属層2上にバリア層3を成膜する。工程2では、直流電源または高周波電源を用いて、C、Si、Cr、Ni、Mo、W、Taなどの単体材料、これらの混合材料、或いは誘電体材料よりなるスパッタリングターゲットを、Arガスを導入することによりスパッタリングする。
次に、工程4において第2の金属層4上に上側誘電体層6を成膜する。工程4では、高周波電源を用いて、ZnS−SiO2よりなるスパッタリングターゲットを、Arガスを導入するかもしくはArガスとN2ガスの混合ガスもしくはArガスとO2ガスの混合ガスを導入することによりスパッタリングする。
次に、工程6において上側界面層7上に記録層8を成膜する。工程6では、直流電源を用いて、Ge−Sb−TeまたはGe−Sn−Sb−TeまたはAg−In−Sb−TeまたはSb−Teのうち、何れか一つを含むスパッタリングターゲットを、ArガスもしくはArガスとN2ガスの混合ガスを導入することによりスパッタリングする。成膜後の記録層5は非晶質状態である。
実施の形態1で説明した本発明の光学的情報記録媒体13、17、または24の記録再生方法について説明する。本発明の記録再生方法に用いられる記録再生装置について説明する。本発明の記録再生方法に用いられる記録再生装置23の一部の構成を図3に模式的に示す。図3を参照して、記録再生装置23は、光学的情報記録媒体22を回転させるためのスピンドルモータ21と、半導体レーザ19を備える光学ヘッド20と、半導体レーザ19から出射されるレーザ光12を集光する対物レンズ18とを備える。
記録性能は、(8−15)変調方式で2T長さのマークを記録し、このC/N比(Carrier to Noise Ratio:CNR)をスペクトラムアナライザーで測定した。消去性能は、(8−15)変調方式で2T長さのマークを記録して振幅をスペクトラムアナライザーで測定し、その上から9T長さのマークをオーバーライトして再度2T信号の振幅を測定し、2T信号の減衰率を計算することによって評価した。以下、この2T信号の減衰率を消去率という。
本実施例は、本発明の光学的情報記録媒体13、および24の記録再生特性、中でも特にAlを含む金属層材料および前記金属層膜厚とC/N比の依存性を示すものである。
(実施例1−1)
まず、金属多層膜を有する光学的情報記録媒体13の場合について述べる。
サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板としてポリカーボネート基板(直径120mm、厚さ1100μm、屈折率1.62)を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に第1の金属層2としてAgPdCu層(厚さ:80nm)、バリア層3としてNi層(厚さ:5nm)、第2の金属層4、上側誘電体層6としてZnS−SiO2層(厚さ:30nm)、上側界面層7としてC層(厚さ:2nm)、記録層8としてGeSbTe層(厚さ:9nm)、下側界面層9としてZr−Si−Cr−O層(厚さ:5nm)、下側誘電体層10としてZnS−SiO2層(厚さ:60nm)を順次スパッタリング法によって積層した。第2の金属層4としては、Al−Cu、Al−Ni、Al−Crをそれぞれ用いた。最後に、紫外線硬化樹脂を下側誘電体層10上に塗布し、ポリカーボネート基板(直径120mm、厚さ90μm)を下側誘電体層10に密着させてスピンコートした後、紫外線を照射して樹脂を硬化させることによって、光学的情報記録媒体13を形成した。以上のようにして、第2の金属層4の材料と膜厚が異なる複数のサンプルを製造した。このようにして得られたディスクについて、最初に記録層8を結晶化させる初期化工程を行った。実際に作成したディスクの第2の金属層材料と膜厚の組み合わせを(表1)に示す。
(実施例1−2)
次に、金属単層膜を有する光学的情報記録媒体24の場合について述べる。
初期化工程が終了した、バリア層材料の膜厚が異なる光学的情報記録媒体13を温度90℃で相対湿度20%の恒温層に50時間放置した。放置後、反射率が低下していないか、記録再生装置23を使って反射率を測定した。以上のようにして求めた各ディスクの加速試験後の反射率低下を(表3)にあわせて示す。なお、加速試験後の反射率低下が2%未満であれば○、2%以上であれば×と判定した。
(表4)によると、第1の金属層2(Al−Pd−Cu)の膜厚において、20nm以上200nm以下のディスク26〜29でC/N比が54.0dB以上であった。さらに、膜厚が300nmのディスクでは、C/N比が54.0dB以上であったものの、200nmの場合と比べてC/N比は飽和しており、生産性の観点から材料のコストを考えると好ましくない。また、膜厚が10nmのディスク25では、C/N比が54.0dB未満であり、ディスク特性としては不十分であることがわかった。
また、膜厚が10nmのサンプル2−aにおいては、結晶部の反射率が18.0%未満であり且つ、非晶質部の反射率が2.0%以上であるため、コントラストが不十分であることがわかった。さらに、膜厚が400nmのサンプル2−fでは、結晶部の反射率は飽和していることが分かった。このため、生産性の観点から材料のコストを考えると好ましくない。
2 第1の金属層
3 バリア層
4 第2の金属層
5 金属多層膜
6 上側誘電体層
7 上側界面層
8 記録層
9 下側界面層
10 下側誘電体層
11 カバー層
12 レーザ光
13、17、22、24 光学的情報記録媒体
14 第2の情報層
15 分離層
16 第1の情報層
18 対物レンズ
19 半導体レーザ
20 光学ヘッド
21 スピンドルモータ
23 記録再生装置
Claims (22)
- レーザ光を用いて情報の記録および再生が可能な光学的情報記録媒体において、
案内溝を有する基板の上に、少なくとも第1の金属層、バリア層、第2の金属層および記録層をこの順に有し、
前記第2の金属層が、Alと添加物としての金属元素を主成分とする材料からなり、
前記金属元素が0.1原子%以上15.0原子%未満のCu、Ag、Au、B、Bi、Cd、Ga、Ge、Pb、SnもしくはZn、0.1原子%以上10.0原子%未満のNi、SiもしくはPt、または、0.1原子%以上7.5原子%未満のTa、CrもしくはTiから選ばれる少なくとも一つの元素を含む材料からなることを特徴とする光学的情報記録媒体。 - 前記金属元素が0.1原子%以上10.0原子%未満のCu、Ag、Au、B、Bi、Cd、Ga、Ge、Pb、SnもしくはZn、0.1原子%以上7.5原子%未満のNi、SiもしくはPt、または、0.1原子%以上5.0原子%未満のTa、CrもしくはTiから選ばれる少なくとも一つの元素を主成分とする材料からなることを特徴とする請求項1に記載の光学的情報記録媒体。
- 前記第2の金属層の膜厚が、10nm以上100nm未満であることを特徴とする請求項1または2に記載の光学的情報記録媒体。
- 前記第2の金属層の膜厚が、10nm以上30nm未満であることを特徴とする請求項1または2に記載の光学的情報記録媒体。
- 前記バリア層が、C、Si、Cr、Ni、Mo、WおよびTaから選ばれる少なくとも一つの元素を主成分とする材料からなることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の光学的情報記録媒体。
- 前記バリア層が、Al、Ti、Zr、Hf、Ta、CrおよびSiから選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物もしくはこれらの窒化物を主成分とする材料からなることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の光学的情報記録媒体。
- 前記バリア層の膜厚は、1nm以上20nm未満であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の光学的情報記録媒体。
- 前記第1の金属層が、Agを主成分とする材料からなることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の光学的情報記録媒体。
- 前記第1の金属層の膜厚が、20nm以上300nm未満であることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の光学的情報記録媒体。
- 前記第2の金属層と前記記録層との間に上側誘電体層を、前記記録層の前記上側誘電体層側と反対側に下側誘電体層をさらに有することを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の光学的情報記録媒体。
- 前記上側誘電体層が、Sを含有していることを特徴とする請求項10に記載の光学的情報記録媒体。
- 前記第1の金属層の主成分がAg、前記バリア層の主成分がNi、前記第2の金属層の主成分がAl、前記上側誘電体層の主成分がZnSまたは酸化物、記録層の主成分がGeとSbとTe、前記下側誘電体層の主成分がZnSまたは酸化物であることを特徴とする請求項10に記載の光学情報記録媒体。
- 前記第1の金属層の膜厚が20nm以上300nm未満、前記バリア層の膜厚が1nm以上20nm未満、前記第2の金属層の膜厚が10nm以上100nm未満、前記上側誘電体層の膜厚が15nm以上40nm未満、前記記録層の膜厚が5nm以上15nm未満、前記下側誘電体層の膜厚が30nm以上100nm未満であることを特徴とする請求項10に記載の光学情報記録媒体。
- レーザ光を用いて情報の記録および再生が可能な光学的情報記録媒体において、
案内溝を有する基板の上に、少なくとも第1の金属層、バリア層、第2の金属層、上側誘電体層、記録層、および下側誘電体層、をこの順に形成し、
前記第2の金属層が、Alと添加物としての金属元素を主成分とする材料からなり、
前記金属元素が0.1原子%以上15.0原子%未満のCu、Ag、Au、B、Bi、Cd、Ga、Ge、Pb、SnもしくはZn、0.1原子%以上10.0原子%未満のNi、SiもしくはPt、または、0.1原子%以上7.5原子%未満のTa、CrもしくはTiから選ばれる少なくとも一つの元素を含む材料からなることを特徴とする光学的情報記録媒体の製造方法。 - レーザ光を用いて情報の記録および再生が可能な光学的情報記録媒体において、
案内溝を有する基板の上に、少なくとも金属層と記録層をこの順に有し、
前記金属層が、Alと添加物としての金属元素を主成分とする材料からなり、
前記金属元素が、1.0原子%以上15.0原子%未満のCu、Ag、Au、B、Bi、Cd、Ga、Ge、Pb、SnもしくはZn、または1.0原子%以上10.0原子%未満のSiもしくはPtから選ばれる少なくとも一つの元素を含む材料からなることを特徴とする光学的情報記録媒体。 - 前記金属元素が、1.0原子%以上10.0原子%未満のCu、Ag、Au、B、Bi、Cd、Ga、Ge、Pb、SnもしくはZn、または、1.0原子%以上5.0原子%未満のSiもしくはPtから選ばれる少なくとも一つの元素を含む材料からなることを特徴とする請求項15に記載の光学的情報記録媒体。
- 前記金属層の膜厚が、20nm以上300nm未満であることを特徴とする請求項15または16に記載の光学的情報記録媒体。
- 前記金属層と前記記録層の間に配置された上側誘電体層と、前記記録層の前記上側誘電体層側と反対側に配置された下側誘電体層とをさらに有することを特徴とする請求項15、16、または17に記載の光学的情報記録媒体。
- 前記上側誘電体層は、Sを含有していることを特徴とする請求項18に記載の光学的情報記録媒体。
- 前記上側誘電体層の主成分がZnSまたは酸化物、前記記録層の主成分がGeとSbとTe又はGeとBiとTe、前記下側誘電体層の主成分がZnSまたは酸化物であることを特徴とする請求項18に記載の光学的情報記録媒体。
- 前記金属層の膜厚が20nm以上300nm未満、前記上側誘電体層の膜厚が15nm以上40nm未満、前記記録層の膜厚が5nm以上15nm未満、前記下側誘電体層の膜厚が30nm以上100nm未満であることを特徴とする請求項15に記載の光学情報記録媒体。
- レーザ光を用いて情報の記録および再生が可能な光学的情報記録媒体において、
案内溝を有する基板の上に、少なくとも金属層、上側誘電体層、記録層、下側誘電体層をこの順に形成し、
前記金属層が、Alと添加物としての金属元素を主成分とする材料からなり、
前記金属元素が、1.0原子%以上15.0原子%未満のCu、Ag、Au、B、Bi、Cd、Ga、Ge、Pb、SnもしくはZn、または1.0原子%以上10.0原子%未満のSiもしくはPtから選ばれる少なくとも一つの元素を含む材料からなることを特徴とする光学的情報記録媒体の製造方法。
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