JP2020013802A - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2020013802A
JP2020013802A JP2019194000A JP2019194000A JP2020013802A JP 2020013802 A JP2020013802 A JP 2020013802A JP 2019194000 A JP2019194000 A JP 2019194000A JP 2019194000 A JP2019194000 A JP 2019194000A JP 2020013802 A JP2020013802 A JP 2020013802A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
layer
emitting
emitting element
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2019194000A
Other languages
English (en)
Inventor
正吾 上坂
Shogo Uesaka
正吾 上坂
俊毅 佐々木
Toshiki Sasaki
俊毅 佐々木
李甫 堅石
Riho Kataishi
李甫 堅石
瀬尾　哲史
Tetsushi Seo
哲史 瀬尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of JP2020013802A publication Critical patent/JP2020013802A/ja
Priority to JP2021117622A priority Critical patent/JP2021166207A/ja
Priority to JP2023077304A priority patent/JP2023090897A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H10K50/131—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit with spacer layers between the electroluminescent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/27—Combination of fluorescent and phosphorescent emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens

Abstract

【課題】発光効率が高く、消費電力が低減された新規な発光素子または新規な発光装置を提供する。【解決手段】一対の電極間に複数の発光層を有する発光素子であって、発光素子は、下部電極と、下部電極上の第１の発光層と、第１の発光層上の電荷発生層と、電荷発生層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有する。第１の発光層は、第２の発光層よりも長波長側に発光スペクトルのピークを有する。上部電極の下面と第１の発光層の下面との間の距離が１３０ｎｍ以下である。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、電界を加えることにより発光が得られる発光層を一対の電極間に挟
んでなる発光素子、または該発光素子を有する発光装置、電子機器、及び照明装置に関す
る。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明
の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発
明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション
・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発
明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明
装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例とし
て挙げることができる。
近年、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ
）を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成
は、一対の電極間に発光性の物質を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加す
ることにより、発光性の物質からの発光が得られる。
上述の発光素子は自発光型であるため、これを用いた発光装置は、視認性に優れ、バッ
クライトが不要であり、消費電力が少ない等の利点を有する。さらに、薄型軽量に作製で
き、応答速度が高いなどの利点も有する。
発光素子からの光の取り出し効率を改善するために、一対の電極間で光の共振効果を利
用した微小光共振器（マイクロキャビティ）構造を採用し、特定波長における光強度を増
加させる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１２−１８２１２７号公報
一対の電極間で光の共振効果を利用した微小光共振器構造（以下、マイクロキャビティ
構造という）を採用した場合、一対の電極の一方に反射率の高い金属膜（例えば銀を含む
金属膜など）を用いると、表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｌａｓｍｏ
ｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）の影響により、反射率の高い金属膜の表面近傍で光の散乱また
は光の吸収が生じ、光取出し効率が低下する場合がある。
上述した課題に鑑み、本発明の一態様では、新規な発光素子を提供することを課題の一
つとする。本発明の一態様では、新規な発光装置を提供することを課題の一つとする。ま
たは発光効率が高く、消費電力が低減された新規な発光素子または新規な発光装置を提供
することを課題の一つとする。または新規な発光装置の作製方法を提供することを課題の
一つとする。
なお、上記の課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。上記以外の課題は、明細
書等の記載から自ずと明らかになるものであり、明細書等の記載から上記以外の課題を抽
出することが可能である。
本発明の一態様は、一対の電極間に複数の発光層を有する発光素子であって、発光素子
は、下部電極と、下部電極上の第１の発光層と、第１の発光層上の電荷発生層と、電荷発
生層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第１の発光層は、第２
の発光層よりも長波長側に発光スペクトルのピークを有し、上部電極の下面と第１の発光
層の下面との間の距離が１３０ｎｍ以下である発光素子である。
また、本発明の他の一態様は、一対の電極間に複数の発光層を有する発光素子であって
、発光素子は、下部電極と、下部電極上の正孔注入層と、正孔注入層上の第１の正孔輸送
層と、第１の正孔輸送層上の第１の発光層と、第１の発光層上の電荷発生層と、電荷発生
層上の第２の正孔輸送層と、第２の正孔輸送層上の第２の発光層と、第２の発光層上の電
子輸送層と、電子輸送層上の上部電極と、を有し、第１の発光層は、第２の発光層よりも
長波長側に発光スペクトルのピークを有し、上部電極の下面と第１の発光層の下面との間
の距離が１３０ｎｍ以下である発光素子である。
また、本発明の他の一態様は、複数の発光色を有する光を発する発光装置であって、発
光装置は、青色を呈する光を発する機能を有する第１の発光素子と、緑色を呈する光を発
する機能を有する第２の発光素子と、赤色を呈する光を発する機能を有する第３の発光素
子と、を有し、第１の発光素子は、第１の下部電極と、第１の下部電極上の第１の透明導
電層と、第１の透明導電層上の第１の発光層と、第１の発光層上の電荷発生層と、電荷発
生層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第２の発光素子は、第
２の下部電極と、第２の下部電極上の第２の透明導電層と、第２の透明導電層上の第１の
発光層と、第１の発光層上の電荷発生層と、電荷発生層上の第２の発光層と、第２の発光
層上の上部電極と、を有し、第３の発光素子は、第３の下部電極と、第３の下部電極上の
第３の透明導電層と、第３の透明導電層上の第１の発光層と、第１の発光層上の電荷発生
層と、電荷発生層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第１の発
光層は、第２の発光層よりも長波長側に発光スペクトルのピークを有し、上部電極の下面
と第１の発光層の下面との間の距離が１３０ｎｍ以下である発光素子である。
また、本発明の他の一態様は、複数の発光色を有する光を発する発光装置であって、発
光装置は、青色を呈する光を発する機能を有する第１の発光素子と、緑色を呈する光を発
する機能を有する第２の発光素子と、赤色を呈する光を発する機能を有する第３の発光素
子と、黄色を呈する光を発する機能を有する第４の発光素子と、を有し、第１の発光素子
は、第１の下部電極と、第１の下部電極上の第１の透明導電層と、第１の透明導電層上の
第１の発光層と、第１の発光層上の電荷発生層と、電荷発生層上の第２の発光層と、第２
の発光層上の上部電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の下部電極と、第２の下部電
極上の第２の透明導電層と、第２の透明導電層上の第１の発光層と、第１の発光層上の電
荷発生層と、電荷発生層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第
３の発光素子は、第３の下部電極と、第３の下部電極上の第３の透明導電層と、第３の透
明導電層上の第１の発光層と、第１の発光層上の電荷発生層と、電荷発生層上の第２の発
光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第４の発光素子は、第４の下部電極と、
第４の下部電極上の第４の透明導電層と、第４の透明導電層上の第１の発光層と、第１の
発光層上の電荷発生層と、電荷発生層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と
、を有し、第１の発光層は、第２の発光層よりも長波長側に発光スペクトルのピークを有
し、上部電極の下面と第１の発光層の下面との間の距離が１３０ｎｍ以下である発光素子
である。
また、上記態様において、第１の発光層からの発光は、緑色、黄緑色、黄色、橙色、ま
たは赤色の中から選ばれる、いずれか一つに発光スペクトルのピークを有し、第２の発光
層からの発光は、紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる、いずれか一つに発光スペ
クトルのピークを有する、と好ましい。また、上記態様において、第１の発光層は、燐光
材料を有し、第２の発光層は、蛍光材料を有する、と好ましい。
また、上記態様において、上部電極の下面と第２の発光層の下面との間の距離が８０ｎ
ｍ未満であると好ましい。また、上記態様において、第１の発光層の上面と、第２の発光
層の下面との間の距離が４０ｎｍ以下であると好ましい。
また、上記態様において、第１の発光層の発光領域は、上部電極の下面からλＹ／４（
λＹは、黄色の波長を表す）近傍に形成され、第２の発光層の発光領域は、上部電極の下
面からλＢ／４（λＢは、青色の波長を表す）近傍に形成される、と好ましい。なお、本
明細書等において、λＸ／４（λＸは、λＲ、λＧ、λＢ、またはλＹのいずれかを表す
）近傍とは、λＸ／４の±２０ｎｍ以内、好ましくは、λＸ／４の±１０ｎｍ以内の範囲
を表す。
また、本発明の他の一態様は、上記態様のいずれか一つに記載の発光素子、または上記
態様のいずれか一つに記載の発光装置と、筐体またはタッチセンサ機能とを有する電子機
器である。また、本発明の他の一態様は、上記態様のいずれか一つに記載の発光素子、ま
たは上記態様のいずれか一つに記載の発光装置と、筐体とを有する照明装置である。なお
、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、もしくは光源（照明装置含む）
を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅ
ｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が
取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、また
は発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接
実装されたモジュールは、発光装置を含む場合がある。
本発明の一態様により、新規な発光素子を提供することができる。または、本発明の一
態様により、新規な発光装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、
発光効率が高く、消費電力が低減された新規な発光素子または新規な発光装置を提供する
ことができる。または、本発明の一態様により、新規な発光装置の作製方法を提供するこ
とができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
発光素子を説明する断面図。 発光素子を説明する断面図。 発光素子を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 トランジスタを説明する断面図。 発光装置の作製方法を説明する断面図。 発光装置の作製方法を説明する断面図。 発光装置の作製方法を説明する断面図。 表示装置を説明するブロック図及び回路図。 表示装置の画素回路を説明する回路図。 表示装置の画素回路を説明する回路図。 タッチパネルの一例を示す斜視図。 表示パネル及びタッチセンサの一例を示す断面図。 タッチパネルの一例を示す断面図。 タッチセンサのブロック図及びタイミングチャート図。 タッチセンサの回路図。 表示モジュールを説明する斜視図。 電子機器を説明する図。 発光装置を説明する斜視図及び断面図。 発光装置を説明する断面図。 照明装置及び電子機器を説明する図。 実施例に係る発光素子を説明する断面図。 実施例に係る発光素子の輝度−電流密度特性、及び輝度−電圧特性を説明する図。 実施例に係る発光素子の電流効率−輝度特性、及び発光スペクトルを説明する図。 実施例に係る発光素子の輝度−電流密度特性、及び輝度−電圧特性を説明する図。 実施例に係る発光素子の電流効率−輝度特性、及び発光スペクトルを説明する図。
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明の一態
様は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態
及び詳細を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明の一態様は以下に示す実
施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、
実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明の一
態様は、必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
また、本明細書などにおいて、第１、第２等として付される序数詞は便宜上用いるもの
であり、工程順又は積層順を示すものではない。そのため、例えば、「第１の」を「第２
の」又は「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に記
載されている序数詞と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない
場合がある。
また、本明細書等において、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを
指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。
また、本明細書等において、青色の波長帯域とは４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満であり
、緑色の波長帯域とは４８０ｎｍ以上５４０ｎｍ未満であり、黄色の波長帯域とは５４０
ｎｍ以上６００ｎｍ未満であり、赤色の波長帯域とは６００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下であ
る。
また、本明細書等において、透明導電層とは、可視光において透光性を有し、且つ導電
性を有する層である。例えば、透明導電層としては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ）に代表される酸化物導電体膜、酸化物半導体膜、または有機物を含む有機導電
体膜などが挙げられる。有機物を含む有機導電体膜としては、例えば、有機化合物と電子
供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を含む膜、有機化合物と電子受容体（アクセ
プター）とを混合してなる複合材料を含む膜等が挙げられる。また、透明導電層の抵抗率
としては、好ましくは１×１０５Ω・ｃｍ以下、さらに好ましくは１×１０４Ω・ｃｍ以
下である。
また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ
替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変
更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」
という用語に変更することが可能な場合がある。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子について、図１乃至図４を用いて以下説
明する。
＜発光素子の構成例１＞
図１（Ａ）は、本発明の一態様の発光素子の一例を示す断面図である。図１（Ａ）に示
す発光素子１００は、基板１０２上の下部電極１０４と、下部電極１０４上の第１の発光
層１０６と、第１の発光層１０６上の電荷発生層１０８と、電荷発生層１０８上の第２の
発光層１１０と、第２の発光層１１０上の上部電極１１２と、を有する。また、第１の発
光層１０６は、第２の発光層１１０よりも長波長側に発光スペクトルのピークを有する。
また、上部電極１１２の下面と第１の発光層１０６の下面との間の距離が１３０ｎｍ以下
である。
また、第１の発光層１０６及び第２の発光層１１０は、それぞれ発光性の物質を有する
。また、第１の発光層１０６からの発光は、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中
から選ばれる、いずれか一つに発光スペクトルのピークを有し、第２の発光層１１０から
の発光は、紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる、いずれか一つに発光スペクトル
のピークを有する。
なお、本実施の形態では、下部電極１０４を陽極とし、上部電極１１２を陰極として、
以下説明を行う。
発光素子１００に対して電圧を印加することにより、下部電極１０４側から注入された
正孔と、上部電極１１２側から注入された電子とが、第１の発光層１０６及び第２の発光
層１１０において再結合し、第１の発光層１０６及び第２の発光層１１０に含まれる発光
物質を励起状態にする。そして、励起状態の発光物質が基底状態に戻る際に発光する。す
なわち、第１の発光層１０６からの発光は、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中
から選ばれる、いずれか一つの発光スペクトルが得られ、第２の発光層１１０からの発光
は、紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる、いずれか一つに発光スペクトルが得ら
れる。
例えば、第１の発光層１０６には、黄色の光を発する燐光材料を発光物質として用いる
ことができる。また、第２の発光層１１０には、青色の光を発する蛍光材料を発光物質と
して用いることができる。
また、第１の発光層１０６と第２の発光層１１０の間にある電荷発生層１０８は、下部
電極１０４と上部電極１１２に電圧を印加したときに、一方の発光層（例えば、第１の発
光層１０６）に電子を注入し、他方の発光層（例えば、第２の発光層１１０）に正孔を注
入する機能を有する。
また、図１（Ａ）に示す発光素子１００は、マイクロキャビティ構造を有する。マイク
ロキャビティ構造について、以下説明する。
第１の発光層１０６及び第２の発光層１１０から射出される光は、一対の電極（下部電
極１０４と上部電極１１２）の間で共振される。また、第１の発光層１０６は、射出され
る光の波長が強まる位置に形成される。例えば、下部電極１０４と電荷発生層１０８との
間の光学距離と、上部電極１１２と下部電極１０４との間の光学距離とを調整することに
より、第１の発光層１０６から射出される光の波長を強めることができる。また、第２の
発光層１１０は、射出される光の波長が強まる位置に形成される。例えば、下部電極１０
４と上部電極１１２との間の光学距離と、上部電極１１２と電荷発生層１０８との間の光
学距離とを調整することにより、第２の発光層１１０から射出される光の波長を強めるこ
とができる。
また、発光素子１００は、上記光学距離を満たし、且つ下部電極１０４と上部電極１１
２との間の光学距離がｍλＸ／２（ｍは自然数を、λＸは所望の色の波長を、それぞれ表
す）となるように調整される。
図１（Ａ）に示す発光素子１００のように、電荷発生層１０８を介して複数の発光層（
ここでは、第１の発光層１０６及び第２の発光層１１０）を積層する構造、所謂タンデム
型の発光素子の場合、第１の発光層１０６及び第２の発光層１１０のぞれぞれの光学距離
を最適化する必要がある。従来まで、タンデム型の発光素子において、光学距離を最適化
し、各発光層が強め合う光の波長の位置に形成するのが困難であった。
そこで、本発明の一態様の発光素子１００においては、上部電極１１２から離れた側の
発光層である第１の発光層１０６が、上部電極１１２から近い側の発光層である第２の発
光層１１０よりも長波長側に発光スペクトルのピークを有する。また、上部電極１１２の
下面と各発光層（第１の発光層１０６及び第２の発光層１１０）の下面との間の距離を調
整することで、光学距離を各発光層の光の波長が、強め合う波長の最小値であるλＸ／４
（λＸは所望の色の波長を表す）近傍とする。
例えば、第１の発光層１０６から射出される光の波長が、赤色である６００ｎｍ以上７
８０ｎｍ以下の場合には、上部電極１１２の下面と第１の発光層１０６の下面との間の光
学距離が１９５ｎｍ以下となる。また、第２の発光層１１０から射出される光の波長が、
青色である４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の場合には、上部電極１１２の下面と第２の発
光層１１０の下面との間の光学距離が１２０ｎｍ未満となる。なお、光学距離とは、「実
際の距離×屈折率」で表されるため、例えば、第１の発光層１０６、電荷発生層１０８、
及び第２の発光層１１０を形成する有機化合物の屈折率を１．５以上２．０以下とした場
合、上部電極１１２の下面と第１の発光層１０６の下面との間の距離は１３０ｎｍ以下と
なる。すなわち、第１の発光層１０６は、上部電極１１２の下面から１３０ｎｍ以下の位
置に形成される。同様に、上部電極１１２の下面と第２の発光層１１０の下面との間の距
離は８０ｎｍ未満となる。すなわち、第２の発光層１１０は、上部電極１１２の下面から
８０ｎｍ未満の位置に形成される。
また、上部電極１１２の下面と第１の発光層１０６の下面までの間の距離を１３０ｎｍ
以下とし、上部電極１１２の下面と第２の発光層１１０の下面までの間の距離を８０ｎｍ
未満とすることで、第２の発光層１１０の下面から第１の発光層１０６の下面までの距離
を５０ｎｍ以下とすることができる。さらに、第１の発光層１０６の膜厚を除算すること
で、第１の発光層１０６と、第２の発光層１１０との間の距離を求めることができる。例
えば、第１の発光層１０６の膜厚が１０ｎｍの場合、第１の発光層１０６と第２の発光層
１１０との間の距離は、４０ｎｍ以下となる。または、第１の発光層１０６の膜厚が２０
ｎｍの場合、第１の発光層１０６と第２の発光層１１０との間の距離は、３０ｎｍ以下と
なる。第１の発光層１０６と第２の発光層１１０との間の距離を上述の数値とすることで
、各発光層が強め合う光の波長の位置に第１の発光層１０６及び第２の発光層１１０を形
成でき、第１の発光層１０６及び第２の発光層１１０の光学距離を最適化することができ
る。
また、図１（Ａ）に示す発光素子１００を、図１（Ｂ）に示す構成としてもよい。
図１（Ｂ）に示す発光素子１００は、基板１０２上の下部電極１０４と、下部電極１０
４上の透明導電層１３０と、透明導電層１３０上の正孔注入層１３１と、正孔注入層１３
１上の正孔輸送層１３２と、正孔輸送層１３２上の第１の発光層１０６と、第１の発光層
１０６上の電子輸送層１３３と、電子輸送層１３３上の電荷発生層１０８と、電荷発生層
１０８上の正孔注入層１３４と、正孔注入層１３４上の正孔輸送層１３５と、正孔輸送層
１３５上の第２の発光層１１０と、第２の発光層１１０上の電子輸送層１３６と、電子輸
送層１３６上の電子注入層１３７と、電子注入層１３７上の上部電極１１２と、を有する
。
また、図１（Ｂ）において、第１の発光層１０６から射出される光の波長が、赤色（６
００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下）とし、第２の発光層１１０から射出される光の波長が、青
色（４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満）とした場合、図１（Ａ）に示す発光素子１００と同
様に、第１の発光層１０６は、第２の発光層１１０よりも長波長側に発光スペクトルのピ
ークを有する。また、上部電極１１２の下面と第１の発光層１０６の下面との間の距離が
１３０ｎｍ以下である。同様に、上部電極１１２の下面と第２の発光層１１０の下面との
間の距離が８０ｎｍ未満である。すなわち、第２の発光層１１０は、上部電極１１２の下
面から８０ｎｍ未満の位置に形成される。
このように、本発明の一態様の発光素子１００においては、上部電極１１２から離れた
側の発光層である第１の発光層１０６が、上部電極１１２から近い側の発光層である第２
の発光層１１０よりも長波長側に発光スペクトルのピークを有する。また、上部電極１１
２の下面と各発光層の下面との間の光学距離を、各発光層の波長が強め合う波長の最小値
であるλＸ／４（λＸは所望の色の波長を表す）近傍とすることで、各発光層からの光の
波長を強めることが可能となる。また、上部電極１１２の下面と各発光層の下面との間の
光学距離を上記の構成とすることで、下部電極１０４の上面から所望の色の発光層を遠く
することが可能となるため、下部電極１０４の上面近傍で生じうる光の吸収または光の散
乱を抑制することができる。したがって、発光効率の高い発光素子を提供することができ
る。
また、上部電極１１２の下面と各発光層の下面との間の光学距離を、各発光層の波長が
強め合う波長の最小値であるλＸ／４（λＸは所望の色の波長を表す）近傍とすることで
、下部電極１０４の上面と上部電極１１２の下面との間の距離を、λＸ（λＸは所望の色
の波長を表す）とすることができる。
＜発光素子の構成例２＞
次に、図１に示す発光素子１００と異なる構成の発光素子について、図２（Ａ）（Ｂ）
を用いて説明を行う。図２（Ａ）（Ｂ）は、本発明の一態様の発光素子の一例を示す断面
図である。
図２（Ａ）（Ｂ）に示す発光素子１００は、図１（Ａ）（Ｂ）で示す発光素子１００の
第１の発光層１０６から射出される光の波長を黄色とした構成である。
第１の発光層１０６から射出される光の波長が、黄色である５５０ｎｍ以上６００ｎｍ
未満の場合には、上部電極１１２の下面と第１の発光層１０６の下面との間の光学距離が
１５０ｎｍ未満となる。また、第２の発光層１１０から射出される光の波長が、青色であ
る４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の場合には、上部電極１１２の下面と第２の発光層１１
０の下面との間の光学距離が１２０ｎｍ未満となる。先の説明と同様に、屈折率を考慮し
光学距離を距離に置き換える場合、上部電極１１２の下面と第２の発光層１１０の下面と
の間の距離は１００ｎｍ未満となる。すなわち、第１の発光層１０６は、上部電極１１２
の下面から１００ｎｍ未満の位置に形成される。同様に、上部電極１１２の下面から第２
の発光層１１０の下面との間の距離は８０ｎｍ未満となる。すなわち、第２の発光層１１
０は、上部電極１１２の下面から８０ｎｍ未満の位置に形成される。
なお、第１の発光層１０６としては、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から
選ばれる、いずれか一つの発光スペクトルが得られる構成であればよいが、図２（Ａ）（
Ｂ）に示すように、第１の発光層１０６から射出される光の波長が黄色であると、視感度
が高いため、発光効率を高めることが可能となる。
図２（Ａ）（Ｂ）に示す発光素子１００のその他の構成については、先に示す図１（Ａ
）（Ｂ）に示す発光素子と同じであり、同様の効果を奏する。
＜発光素子の構成例３＞
次に、図１に示す発光素子１００と異なる構成の発光素子について、図３（Ａ）（Ｂ）
を用いて説明を行う。図３（Ａ）（Ｂ）は、本発明の一態様の発光素子の一例を示す断面
図である。
図３（Ａ）（Ｂ）に示す発光素子１００は、図１（Ａ）（Ｂ）で示す発光素子１００の
第１の発光層１０６を、第１の発光層１０６−１と、第１の発光層１０６−２との積層構
造とした構成である。例えば、第１の発光層１０６−１から射出される光の波長が、赤色
である６００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下とし、第１の発光層１０６−２から射出される光の
波長が、緑色である４８０ｎｍ以上５４０ｎｍ未満とする。
上記構成の場合、上部電極１１２の下面と第１の発光層１０６−１の下面までの間の光
学距離が１９５ｎｍ以下となる。また、上部電極１１２の下面と第１の発光層１０６−２
の下面との間の光学距離が１３５ｎｍ未満となる。先の説明と同様に、屈折率を考慮し光
学距離を距離に置き換える場合、上部電極１１２の下面と第１の発光層１０６−１の下面
までの間の距離は１３０ｎｍ以下となる。すなわち、第１の発光層１０６−１は、上部電
極１１２の下面から１３０ｎｍ以下の位置に形成される。同様に、上部電極１１２の下面
と第１の発光層１０６−２の下面との間の距離は、９０ｎｍ未満となる。すなわち、第１
の発光層１０６−２は、上部電極１１２の下面から９０ｎｍ未満の位置に形成される。
図３（Ａ）（Ｂ）に示すように、第１の発光層１０６を積層構造とすることで、複数の
波長の光を取り出すことができるため、好適である。ただし、第１の発光層の積層構造が
多くなると生産性が悪くなる場合があるため、生産性を重視する場合においては、図１（
Ａ）（Ｂ）または図２（Ａ）（Ｂ）に示す発光素子１００のように第１の発光層１０６を
単層構造とした方が好ましい。
図３（Ａ）（Ｂ）に示す発光素子１００のその他の構成については、先に示す図１（Ａ
）（Ｂ）に示す発光素子と同じであり、同様の効果を奏する。
ここで、上述の発光素子１００の各構成要素の詳細について、以下に説明を行う。
＜基板＞
基板１０２は、発光素子の支持体として用いられる。基板１０２としては、例えばガラ
ス、石英、又はプラスチックなどを用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい
。可撓性基板とは、曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポ
リカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォンからなるプラスチック基板等
が挙げられる。また、フィルム（ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポ
リ塩化ビニル等からなる）、無機蒸着フィルムなどを用いることもできる。なお、発光素
子の作製工程において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。
例えば、様々な基板を用いて発光素子、及び光学素子を形成することが出来る。基板の
種類は、特定のものに限定されることはない。その基板の一例としては、半導体基板（例
えば単結晶基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック
基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、
タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィル
ム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどがある。ガラス基板の一例としては、
バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどが
ある。可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例としては、以下のもの
があげられる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレ
ート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（Ｐ
ＴＦＥ）に代表されるプラスチックがある。または、一例としては、アクリル等の合成樹
脂などがある。または、一例としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニ
ル、又はポリ塩化ビニルなどがある。または、一例としては、ポリアミド、ポリイミド、
アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は紙類などがある。
また、基板として、可撓性基板を用い、可撓性基板上に直接、発光素子、及び光学素子
を形成してもよい。または、基板と発光素子との間に剥離層を設けてもよい。また、基板
と光学素子との間に剥離層を設けてもよい。剥離層は、その上に発光素子、及び光学素子
を一部あるいは全部完成させた後、基板より分離し、他の基板に転載するために用いるこ
とができる。その際、耐熱性の劣る基板や可撓性の基板にも発光素子、及び光学素子を転
載できる。なお、上述の剥離層には、例えば、タングステン膜と酸化シリコン膜との無機
膜の積層構造の構成や、基板上にポリイミド等の有機樹脂膜が形成された構成等を用いる
ことができる。
つまり、ある基板を用いて発光素子、及び光学素子を形成し、その後、別の基板に発光
素子、及び光学素子を転置し、別の基板上に発光素子、及び光学素子を配置してもよい。
発光素子、及び光学素子が転置される基板の一例としては、上述した基板に加え、紙基板
、セロファン基板、アラミドフィルム基板、ポリイミドフィルム基板、石材基板、木材基
板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステ
ル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含
む）、皮革基板、又はゴム基板などがある。これらの基板を用いることにより、壊れにく
い発光素子及び壊れにくい光学素子、耐熱性の高い発光素子及び耐熱性の高い光学素子、
軽量化された発光素子及び軽量化された光学素子、または薄型化された発光素子及び薄型
化された光学素子とすることができる。
＜下部電極＞
下部電極１０４は、各発光素子の陽極としての機能を有する。なお、下部電極は、反射
性を有する導電性材料により、形成されると好ましい。該導電性材料としては、可視光の
反射率が４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下であり、かつその
抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下の導電性材料が挙げられる。具体的には、下部電極とし
ては、銀、アルミニウム、銀またはアルミニウムを含む合金等を用いることができる。ア
ルミニウムを含む合金としては、例えば、アルミニウムとニッケルとランタンを含む合金
が挙げられる。また、銀を含む合金としては、例えば、銀とパラジウムと銅を含む合金、
銀と銅を含む合金、銀とマグネシウムを含む合金、銀とニッケルを含む合金、銀と金を含
む合金等が挙げられる。下部電極としては、スパッタリング法、蒸着法、印刷法または塗
布法等を用いて形成することができる。
＜透明導電層＞
透明導電層１３０は、各発光素子の下部電極の一部、または各発光素子の陽極としての
機能を有する。または、各透明導電層は、各発光層からの所望の光を共振させ、その波長
を強めることができるように、所望の光の波長ごとに下部電極と上部電極との光学距離を
調整する機能を有する。例えば、透明導電層の膜厚を変えることで、所望の光の波長λに
対して、電極間の光学距離がｍλ／２（ただし、ｍは自然数）となるように調整する。
透明導電層としては、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ、以下ＩＴＯとして記載する）、シリコン若しくは酸化シリコンを含有した酸化
インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄ
ｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムなどを用いることができ
る。とくに、透明導電層としては、仕事関数の大きい（４．０ｅＶ以上）材料を用いるこ
とが好ましい。透明導電層としては、スパッタリング法、蒸着法、印刷法または塗布法等
を用いて形成することができる。
＜上部電極＞
上部電極１１２は、各発光素子の陰極としての機能を有する。なお、上部電極１１２は
、反射性及び透光性を有する導電性材料により、形成されると好ましい。該導電性材料と
しては、可視光の反射率が２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％以下であ
り、かつその抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下の導電性材料が挙げられる。上部電極１１
４としては、導電性を有する金属、合金、導電性化合物などを１種又は複数種用いて形成
することができる。とくに、仕事関数が小さい（３．８ｅＶ以下）材料を用いることが好
ましい。例えば、元素周期表の第１族又は第２族に属する元素（リチウム、セシウム等の
アルカリ金属、カルシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属、マグネシウム等）、
これら元素を含む合金（例えば、Ｍｇ−Ａｇ、Ａｌ−Ｌｉ）、ユーロピウム、イッテルビ
ウム等の希土類金属、これら希土類金属を含む合金、アルミニウム、銀等を用いることが
できる。上部電極１１４としては、スパッタリング法、蒸着法、印刷法または塗布法等を
用いて形成することができる。
＜発光層＞
第１の発光層１０６は、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれる、少
なくともいずれか一つの発光を呈する発光材料を有し、第２の発光層１１０は、紫色、青
色、または青緑色の中から選ばれる、少なくともいずれか一つの発光を呈する発光材料を
有する。また、第１の発光層１０６に用いる発光材料としては、燐光材料が好ましく、第
２の発光層１１０に用いる発光材料としては、蛍光材料が好ましい。第１の発光層１０６
に燐光材料を用い、第２の発光層１１０に蛍光材料を用いる構成とすることで、発光効率
が高められ、且つ信頼性の高い発光装置とすることができる。また、第１の発光層１０６
及び第２の発光層１１０は、上記発光材料に加えて、電子輸送性材料または正孔輸送性材
料の一方または双方を含んで構成される。
また、燐光材料としては、三重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質を用いるこ
とができる。また、蛍光材料としては、一重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質
を用いることができる。なお、上記発光性物質としては、例えば、以下のようなものが挙
げられる。
一重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質としては、蛍光を発する物質が挙げら
れ、例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，
Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−
カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルア
ミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０
−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９
−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カル
バゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）
−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：
ＰＣＢＡＰＡ）、４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−４’−（
９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰ
ＢＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン（略称：Ｔ
ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス〔４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル
〕−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）
、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（９−フェニル−９Ｈ
−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍ
ＦＬＰＡＰｒｎ）などの青色の発光（発光波長４００ｎｍ乃至４８０ｎｍ）を呈する物質
や、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェ
ニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル
］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：
ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５
Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝
プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）などの黄色の発光（発光波長５４０ｎｍ乃至５８
０ｎｍ）を呈する物質を用いることができる。
また、三重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質としては、例えば、燐光を発す
る物質が挙げられ、例えば、４４０ｎｍ乃至５２０ｎｍに発光のピークを有する物質、５
２０ｎｍ乃至６００ｎｍに発光のピークを有する物質、６００ｎｍ乃至７００ｎｍに発光
のピークを有する物質を用いることができる。
４４０ｎｍ乃至５２０ｎｍに発光のピークを有する物質としては、トリス｛２−［５−
（２−メチルフェニル）−４−（２，６−ジメチルフェニル）−４Ｈ−１，２，４−トリ
アゾール−３−イル−κＮ２］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍ
ｐｐｔｚ−ｄｍｐ）３）、トリス（５−メチル−３，４−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４
−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）３）、トリス［４−（
３−ビフェニル）−５−イソプロピル−３−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト
］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ−３ｂ）３）のような４Ｈ−トリア
ゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス［３−メチル−１−（２−メチル
フェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（
略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３）、トリス（１−メチル−５−フェニル−３−プロピ
ル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ
１−Ｍｅ）３）のような１Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ｆ
ａｃ−トリス［（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾー
ル］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）３）、トリス［３−（２，６−
ジメチルフェニル）−７−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジナト］イリジウ
ム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ−Ｍｅ）３）のようなイミダゾール骨格を有
する有機金属イリジウム錯体や、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジ
ナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称
：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’
］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’
−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ
）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’
−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセト
ナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）のような電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を
配位子とする有機金属イリジウム錯体が挙げられる。上述した中でも、４Ｈ−トリアゾー
ル骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも優れるため、特に好ま
しい。
５２０ｎｍ乃至６００ｎｍに発光のピークを有する物質としては、トリス（４−メチル
−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）３）、ト
リス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ
（ｔＢｕｐｐｍ）３）、（アセチルアセトナト）ビス（６−メチル−４−フェニルピリミ
ジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチル
アセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（Ｉ
ＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［
４−（２−ノルボルニル）−６−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：
Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−
（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉ
ｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニ
ルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ））のよ
うなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、（アセチルアセトナト）ビス（
３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐ
ｐｒ−Ｍｅ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−
メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰ
ｒ）２（ａｃａｃ））のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス
（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）
３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセ
トナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イ
リジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、ト
リス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）３）、ト
リス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ
）３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルア
セトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ））のようなピリジン骨格を有する有機金
属イリジウム錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビ
ウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））のような希土類金属錯体が挙
げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性
や発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。
また、５２０ｎｍ乃至６００ｎｍに発光のピークを有する物質の中でも、とくに５５０
ｎｍ乃至５８０ｎｍに発光のピークを有する物質を第１の発光層１０６に用いると好まし
い。５５０ｎｍ乃至５８０ｎｍに発光のピークを有する物質を第１の発光層１０６に用い
ることで、発光素子の電流効率を高めることができる。
５５０ｎｍ乃至５８０ｎｍに発光のピークを有する物質としては、（アセチルアセトナ
ト）ビス（６−メチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ
（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−
４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａ
ｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［６−（２−ノルボルニル）−４−フェニルピ
リミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（ア
セチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリ
ミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（ア
セチルアセトナト）ビス｛４，６−ジメチル−２−［６−（２，６−ジメチルフェニル）
−４−ピリミジニル−κＮ３］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄ
ｍｐｐｍ−ｄｍｐ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニ
ルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（
アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（
ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）２（ａｃａｃ）、（アセチルアセトナト）ビス
（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略
称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）２（ａｃａｃ）、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，
Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）３）、ビス（２−フェニルキノリナ
ト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（
ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナ
ート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オ
キサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄ
ｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス｛２−［４’−（パーフルオロフェニル）フェニル］ピリ
ジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−Ｐ
Ｆ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリ
ジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））などが挙
げられる。
また、６００ｎｍ乃至７００ｎｍに発光のピークを有する物質としては、（ジイソブチ
リルメタナト）ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（
ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｉｂｍ））、ビス［４，６−ビス（３−メ
チルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：
Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｐｍ））、ビス［４，６−ジ（ナフタレン−１−イル）ピリ
ミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）
２（ｄｐｍ））のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、（アセチル
アセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称
：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）（
ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ））
、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト
］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））のようなピラジン骨
格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２
’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）３）、ビス（１−フェニルイソキノリ
ナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）
２（ａｃａｃ））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、２，３，
７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（
ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）のような白金錯体や、トリス（１，３−ジフェニル−１，３
−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（
ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロ
アセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）
３（Ｐｈｅｎ））のような希土類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨
格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に
好ましい。また、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、色度の良い赤色発光
が得られる。
また、第１の発光層１０６及び第２の発光層１１０に用いる電子輸送性材料としては、
含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族化合物が好ましい。当該電子輸
送性材料としては、π電子不足型複素芳香族化合物や金属錯体などを用いることができる
。具体的には、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（
略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト
）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）
（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（
略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（
略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体や、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ
−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、３−（４−ビフ
ェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリ
アゾール（略称：ＴＡＺ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１
，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、９−［４−（
５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾ
ール（略称：ＣＯ１１）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス
（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２−［３−（ジベン
ゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称
：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）などのポリアゾール骨格を有する複素環化合物や、２−［３−
（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：
２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニ
ル−３−イル］ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）
、２−［３’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ
、ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、４，６−ビス［３−（フェナントレ
ン−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６−ビス［
３−（４−ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ−
ＩＩ）などのジアジン骨格を有する複素環化合物や、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−
９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６
−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（ＰＣＣｚＰＴｚｎ）などのトリアジン骨格を有
する複素環化合物や、３，５−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］
ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５−トリ［３−（３−ピリジル）フェニ
ル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）などのピリジン骨格を有する複素環化合物が挙げら
れる。上述した中でも、ジアジン骨格及びトリアジン骨格を有する複素環化合物やピリジ
ン骨格を有する複素環化合物は、信頼性が良好であり好ましい。特に、ジアジン（ピリミ
ジンやピラジン）骨格及びトリアジン骨格を有する複素環化合物は、電子輸送性が高く、
駆動電圧低減にも寄与する。
また、第１の発光層１０６及び第２の発光層１１０に用いる正孔輸送性材料としては、
π電子過剰型複素芳香族化合物や芳香族アミン化合物が好ましい。当該正孔輸送性材料と
しては、π電子過剰型複素芳香族化合物又は芳香族アミン化合物などを好適に用いること
ができる。具体的には、２−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェ
ニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、４，４’−ビス［
Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−
ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，
４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオ
レン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４−フェニル
−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬ
Ｐ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン
（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール
−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４
’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：Ｐ
ＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール
−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’−ジ（１−ナフチル
）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略
称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９
Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ
）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニ
ル］−スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、Ｎ−（１
，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３
−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢ
ＢｉＦ）などの芳香族アミン骨格を有する化合物や、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）
ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢ
Ｐ）、３，６−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）−９−フェニルカルバゾール（略称
：ＣｚＴＰ）、９−フェニル−９Ｈ−３−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イ
ル）カルバゾール（略称：ＰＣＣＰ）などのカルバゾール骨格を有する化合物や、１，３
，５−トリ（ジベンゾチオフェン−４−イル）ベンゼン（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）、２
，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル
］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４−［４−（９−フェニル−９
Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢ
ＴＦＬＰ−ＩＶ）などのチオフェン骨格を有する化合物や、４，４’，４’’−（ベンゼ
ン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）、４−
｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］フェニル｝ジベ
ンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−ＩＩ）などのフラン骨格を有する化合物が挙げ
られる。上述した中でも、芳香族アミン骨格を有する化合物やカルバゾール骨格を有する
化合物は、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与するた
め好ましい。
また、第１の発光層１０６及び第２の発光層１１０に用いる正孔輸送性材料として、ポ
リ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン
）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フ
ェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴ
ＰＤＭＡ）ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）
ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いることもできる。
＜電荷発生層＞
電荷発生層１０８としては、正孔輸送性材料にアクセプター性物質が添加された構成、
または電子輸送性材料にドナー性物質が添加された構成とすることができる。また、これ
らの両方の構成が積層されていても良い。なお、電荷発生層１０８は、光取出し効率の点
から、可視光に対して透光性を有する（具体的には、電荷発生層１０８に対する可視光の
透過率が高い（例えば、透過率が４０％以上））ことが好ましい。また、電荷発生層１０
８は、一対の電極（下部電極及び上部電極）よりも低い導電率であっても機能する。
＜正孔注入層、正孔輸送層＞
正孔注入層１３１は、正孔輸送性の高い正孔輸送層１３２を介して第１の発光層１０６
に正孔を注入する層であり、正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含む層である。正孔
輸送性材料とアクセプター性物質を含むことで、アクセプター性物質により正孔輸送性材
料から電子が引き抜かれて正孔が発生し、正孔輸送層１３２を介して第１の発光層１０６
に正孔が注入される。また、正孔注入層１３４は、正孔輸送性の高い正孔輸送層１３５を
介して第２の発光層１１０に正孔を注入する層であり、正孔輸送性材料とアクセプター性
物質を含む層である。正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含むことで、アクセプター
性物質により正孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔が発生し、正孔輸送層１３５を
介して第２の発光層１１０に正孔が注入される。
なお、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、正孔注入層１３４、及び正孔輸送層１３
５は、正孔輸送性材料を用いて形成される。正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、正孔
注入層１３４、及び正孔輸送層１３５に用いる正孔輸送性材料としては、先に示す第１の
発光層１０６及び第２の発光層１１０に用いる正孔輸送性材料と同様の材料を用いること
ができる。
また、正孔注入層１３１、１３４に用いるアクセプター性物質としては、元素周期表に
おける第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化
モリブデンが特に好ましい。
＜電子輸送層＞
電子輸送層１３３、１３６としては、先に示す第１の発光層１０６及び第２の発光層１
１０に用いる電子輸送性材料と同様の材料を用いることができる。
＜電子注入層＞
電子注入層１３７は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層１３７には、
フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）
、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれ
らの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ３）のような希土類
金属化合物を用いることができる。また、電子注入層１３７にエレクトライドを用いても
よい。該エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電
子を高濃度添加した物質等が挙げられる。
また、電子注入層１３７に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合
材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発
生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては
、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した
電子輸送層１３３を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができ
る。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的
には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、
マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカ
リ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物
、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いる
こともできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いるこ
ともできる。
なお、上述した、発光層、電荷発生層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、及び電
子注入層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法等の方
法で形成することができる。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態、または実施例に示す構成と適宜組み合わ
せて用いることができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子を有する発光装置、及び当該発光装置の
作製方法について、図４乃至図１６を用いて説明する。
＜発光装置の構成例１＞
まず、本発明の一態様の発光素子を有する発光装置について、図４を用いて説明を行う
。図４は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。
図４に示す発光装置１５０は、青色を呈する光を発する機能を有する第１の発光素子１
０１Ｂと、緑色を呈する光を発する機能を有する第２の発光素子１０１Ｇと、赤色を呈す
る光を発する機能を有する第３の発光素子１０１Ｒと、を有する。また、第１の発光素子
１０１Ｂは、第１の下部電極１０４Ｂと、第１の下部電極１０４Ｂ上の第１の透明導電層
１３０Ｂと、第１の透明導電層１３０Ｂ上の第１の発光層１０６と、第１の発光層１０６
上の電荷発生層１０８と、電荷発生層１０８上の第２の発光層１１０と、第２の発光層１
１０上の上部電極１１２と、を有する。また、第２の発光素子１０１Ｇは、第２の下部電
極１０４Ｇと、第２の下部電極１０４Ｇ上の第２の透明導電層１３０Ｇと、第２の透明導
電層１３０Ｇ上の第１の発光層１０６と、第１の発光層１０６上の電荷発生層１０８と、
電荷発生層１０８上の第２の発光層１１０と、第２の発光層１１０上の上部電極１１２と
、を有する。また、第３の発光素子１０１Ｒは、第３の下部電極１０４Ｒと、第３の下部
電極１０４Ｒ上の第３の透明導電層１３０Ｒと、第３の透明導電層１３０Ｒ上の第１の発
光層１０６と、第１の発光層１０６上の電荷発生層１０８と、電荷発生層１０８上の第２
の発光層１１０と、第２の発光層１１０上の上部電極１１２と、を有する。また、第１の
発光層１０６は、第２の発光層１１０よりも長波長側に発光スペクトルのピークを有する
。また、上部電極１１２の下面と第１の発光層１０６の下面との間の距離が１３０ｎｍ以
下である。
なお、図４中において、上部電極１１２の下面と第１の発光層１０６の下面との間の距
離をＸ（Ｘ≦１３０ｎｍ）として表している。
また、図４に示す発光装置１５０は、透明導電層（第１の透明導電層１３０Ｂ、第２の
透明導電層１３０Ｇ、及び第３の透明導電層１３０Ｒ）と、第１の発光層１０６との間に
正孔注入層１３１と、正孔輸送層１３２と、を有し、第１の発光層１０６と電荷発生層１
０８との間に電子輸送層１３３を有し、電荷発生層１０８と第２の発光層１１０との間に
正孔注入層１３４と正孔輸送層１３５とを有し、第２の発光層１１０と上部電極１１２と
の間に電子輸送層１３６と電子注入層１３７とを有する。
また、図４に示す発光装置１５０においては、第１の透明導電層１３０Ｂの膜厚によっ
て、第１の下部電極１０４Ｂと第２の発光層１１０との間の光学距離を調整することがで
きる。また、第２の透明導電層１３０Ｇの膜厚によって第２の下部電極１０４Ｇと第１の
発光層１０６との間の光学距離を調整することができる。また、第３の透明導電層１３０
Ｒの膜厚によって第３の下部電極１０４Ｒと第１の発光層１０６との間の光学距離を調整
することができる。
図４においては、第１の下部電極１０４Ｂと第２の発光層１１０との間の光学距離をＹ
１として表し、Ｙ１を３λＢ／４（λＢは青色の波長を表す）とする。また、第２の下部
電極１０４Ｇと第１の発光層１０６との間の光学距離をＹ２として表し、Ｙ２を３λＧ／
４（λＧは緑色の波長を表す）とする。また、第３の下部電極１０４Ｒと第１の発光層１
０６との間の光学距離をＹ３として表し、Ｙ３を３λＲ／４（λＲは赤色の波長を表す）
とする。
なお、図４に示す発光装置１５０においては、透明導電層（第１の透明導電層１３０Ｂ
、第２の透明導電層１３０Ｇ、及び第３の透明導電層１３０Ｒ）の厚さによって、下部電
極（第１の下部電極１０４Ｂ、第２の下部電極１０４Ｇ、及び第３の下部電極１０４Ｒ）
と発光層（第１の発光層１０６または第２の発光層１１０）との間の光学距離を変える構
成について例示したが、これに限定されず、例えば、正孔注入層１３１及び正孔輸送層１
３２のいずれか一方または双方の膜厚を変えることで、下部電極と発光層との間の光学距
離を変えてもよい。ただし、図４に示す発光装置１５０に示すように、透明導電層の厚さ
を変えることで下部電極と発光層との間の光学距離を変える方が、正孔注入層１３１及び
正孔輸送層１３２を各発光素子で共通して用いることができるため好適である。
なお、図４においては、第１の発光層１０６の発光領域は、正孔輸送層１３２と第１の
発光層１０６との界面近傍とし、第２の発光層１１０の発光領域は、正孔輸送層１３５と
第２の発光層１１０との界面近傍とする。ただし、厳密には、第１の発光層１０６及び第
２の発光層１１０の発光領域は、上述の界面近傍から多少ずれる場合があるため、上述の
光学距離は、下部電極と発光層（第１の発光層１０６または第２の発光層１１０）に形成
される発光領域の間とすることが好ましい。
Ｙ１、Ｙ２、及びＹ３を上述の光学距離とすることで一対の電極（第１の下部電極１０
４Ｂ、第２の下部電極１０４Ｇ、及び第３の下部電極１０４Ｒと、上部電極１１２と）の
間の光学距離を、第１の発光素子１０１ＢにおいてはλＢ（λＢは青色の波長を表す）と
、第２の発光素子１０１ＧにおいてはλＧ（λＧは緑色の波長を表す）と、第３の発光素
子１０１ＲにおいてはλＲ（λＲは赤色の波長を表す）とすることができる。
また、Ｙ１を上述の光学距離とすることで、第１の下部電極１０４Ｂの表面近傍におい
て生じる、第２の発光層１１０から射出される光の散乱または光の吸収による、光取出し
効率の低下を抑制することができる。また、Ｙ２を上述の光学距離とすることで、第２の
下部電極１０４Ｇの表面近傍において生じる、第１の発光層１０６から射出される光の散
乱または光の吸収による、光取出し効率の低下を抑制することができる。また、Ｙ３を上
述の光学距離とすることで、第３の下部電極１０４Ｒの表面近傍において生じる、第１の
発光層１０６から射出される光の散乱または光の吸収による、光取出し効率の低下を抑制
することができる。
また、図４においては、各発光素子から射出される、青色（Ｂ）を呈する光、緑色（Ｇ
）を呈する光、及び赤色（Ｒ）を呈する光を、それぞれ破線の矢印で模式的に表している
。このように、図４に示す発光装置１５０は、各発光素子が発する光を発光素子が形成さ
れる基板１０２とは反対側に取り出す上面射出型（トップエミッション型ともいう）の構
造である。ただし、本発明の一態様はこれに限定されず、各発光素子が発する光を発光素
子が形成される基板側に取り出す下面射出型（ボトムエミッション型ともいう）、または
、各発光素子が発する光を発光素子が形成される基板１０２の上方及び下方の双方に取り
出す両面射出型（デュアルエミッション型ともいう）であってもよい。
なお、図４において、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、第１の発光層１０６、電
子輸送層１３３、電荷発生層１０８、正孔注入層１３４、正孔輸送層１３５、第２の発光
層１１０、電子輸送層１３６、及び電子注入層１３７を、第１の発光素子１０１Ｂ、第２
の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｇとで、それぞれ分離した状態で例示し
ているが、各発光素子で分離せずに共通して用いることができる。
また、第１の下部電極１０４Ｂ、第２の下部電極１０４Ｇ、及び第３の下部電極１０４
Ｒは、可視光において反射性を有する導電性材料により形成される。該導電性材料として
は、例えば、銀を有する材料を用いればよい。第１の下部電極１０４Ｂ、第２の下部電極
１０４Ｇ、及び第３の下部電極１０４Ｒに銀を有する材料を用いることで、反射率を高め
ることが可能となるため、各発光素子からの発光効率を高くすることができる。例えば、
銀を含む導電膜を形成し、該導電膜を島状に分離することで、第１の下部電極１０４Ｂ、
第２の下部電極１０４Ｇ、及び第３の下部電極１０４Ｒをそれぞれ形成することができる
。このように、第１の下部電極１０４Ｂ、第２の下部電極１０４Ｇ、及び第３の下部電極
１０４Ｒを、同一の導電膜を加工する工程を経て形成すると、製造コストが安くなるため
好適である。
このように、図４に示す発光装置１５０においては、第１の発光素子１０１Ｂは、第２
の発光層１１０から射出される青色の発光を強めるべく調整され、第２の発光素子１０１
Ｇは、第２発光層１１０から射出される緑色の発光を強めるべく調整され、第３の発光素
子１０１Ｒは、第２の発光層１１０から射出される赤色の発光を強めるべく調整される。
第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｒから射
出される光を用いてＲＧＢのフルカラーの発光を得ることが可能となる。
以上のように、図４に示す発光装置１５０においては、各発光素子の下部電極と上部電
極１１２との光学距離を調整することで、下部電極近傍での光の散乱または光の吸収を抑
制し、高い光取出し効率を実現することができる。したがって、発光効率が高く、消費電
力が低減された新規な発光装置を提供することができる。
＜発光装置の構成例２＞
次に、本発明の一態様の発光素子を有する発光装置について、図５を用いて説明を行う
。図５は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。
図５に示す発光装置１５０は、青色を呈する光を発する機能を有する第１の発光素子１
０１Ｂと、緑色を呈する光を発する機能を有する第２の発光素子１０１Ｇと、赤色を呈す
る光を発する機能を有する第３の発光素子１０１Ｒと、黄色を呈する光を発する機能を有
する第４の発光素子１０１Ｙと、を有する。
第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｒは、
図４に示す構成と同じである。したがって、ここでの説明は省略する。
第４の発光素子１０１Ｙは、第４の下部電極１０４Ｙと、第４の下部電極１０４Ｙ上の
第４の透明導電層１３０Ｙと、第４の透明導電層１３０Ｙ上の第１の発光層１０６と、第
１の発光層１０６上の電荷発生層１０８と、電荷発生層１０８上の第２の発光層１１０と
、第２の発光層１１０上の上部電極１１２と、を有する。また、第１の発光層１０６は、
第２の発光層１１０よりも長波長側に発光スペクトルのピークを有する。また、上部電極
１１２の下面と第１の発光層１０６の下面との間の距離が１３０ｎｍ以下である。
なお、図５中において、上部電極１１２の下面と第１の発光層１０６の下面との間の距
離をＸ（Ｘ≦１３０ｎｍ）として表している。
また、図５に示す発光装置１５０は、透明導電層（第１の透明導電層１３０Ｂ、第２の
透明導電層１３０Ｇ、第３の透明導電層１３０Ｒ、及び第４の透明導電層１３０Ｙ）と第
１の発光層１０６との間に正孔注入層１３１と、正孔輸送層１３２と、を有し、第１の発
光層１０６と電荷発生層１０８との間に電子輸送層１３３を有し、電荷発生層１０８と第
２の発光層１１０との間に正孔注入層１３４と正孔輸送層１３５とを有し、第２の発光層
１１０と上部電極１１２との間に電子輸送層１３６と電子注入層１３７とを有する。
また、図５に示す発光装置１５０においては、第４の透明導電層１３０Ｙの膜厚によっ
て、第４の下部電極１０４Ｙと第１の発光層１０６との間の光学距離を調整することがで
きる。図５においては、第４の下部電極１０４Ｙと第１の発光層１０６との間の光学距離
をＹ４として表し、Ｙ４を３λＹ／４（λＹは黄色の波長を表す）とする。
Ｙ４を上述の光学距離とすることで一対の電極（第４の下部電極１０４Ｙと、上部電極
１１２と）の間の光学距離を、λＹ（λＹは黄色の波長を表す）とすることができる。
また、Ｙ４を上述の光学距離とすることで、第４の下部電極１０４Ｙの表面近傍におい
て生じる、第１の発光層１０６から射出される光の散乱または光の吸収による、光取出し
効率の低下を抑制することができる。
また、図５においては、各発光素子からの射出される、青色（Ｂ）を呈する光、緑色（
Ｇ）を呈する光、赤色（Ｒ）を呈する光、及び黄色（Ｙ）を呈する光を、それぞれ破線の
矢印で模式的に表している。
なお、図５において、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、第１の発光層１０６、電
子輸送層１３３、電荷発生層１０８、正孔注入層１３４、正孔輸送層１３５、第２の発光
層１１０、電子輸送層１３６、及び電子注入層１３７を、第１の発光素子１０１Ｂ、第２
の発光素子１０１Ｇ、第３の発光素子１０１Ｇ、及び第４発光素子１０１Ｙとで、それぞ
れ分離した状態で例示しているが、各発光素子で分離せずに共通して用いることができる
。
また、第１の下部電極１０４Ｂ、第２の下部電極１０４Ｇ、第３の下部電極１０４Ｒ、
及び第４の下部電極１０４Ｙは、可視光において反射性を有する導電性材料により形成さ
れる。該導電性材料としては、例えば、銀を有する材料を用いればよい。第１の下部電極
１０４Ｂ、第２の下部電極１０４Ｇ、第３の下部電極１０４Ｒ、及び第４の下部電極１０
４Ｙに銀を有する材料を用いることで、反射率を高めることが可能となるため、各発光素
子からの発光効率を高くすることができる。例えば、銀を含む導電膜を形成し、該導電膜
を島状に分離することで、第１の下部電極１０４Ｂ、第２の下部電極１０４Ｇ、第３の下
部電極１０４Ｒ、及び第４の下部電極１０４Ｙをそれぞれ形成することができる。このよ
うに、第１の下部電極１０４Ｂ、第２の下部電極１０４Ｇ、第３の下部電極１０４Ｒ、及
び第４の下部電極１０４Ｙを、同一の導電膜を加工する工程を経て形成すると、製造コス
トが安くなるため好適である。
このように、図５に示す発光装置１５０においては、第１の発光素子１０１Ｂは、第２
の発光層１１０から射出される青色の発光を強めるべく調整され、第２の発光素子１０１
Ｇは、第２の発光層１１０から射出される緑色の発光を強めるべく調整され、第３の発光
素子１０１Ｒは、第２の発光層１１０から射出される赤色の発光を強めるべく調整され、
第４の発光素子１０１Ｙは、第２の発光層１１０から射出される黄色の発光を強めるべく
調整される。第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｇ、第３の発光素子１０１
Ｒ、及び第４の発光素子１０１Ｙから射出される光を用いてＲＧＢＹのフルカラーの発光
を得ることが可能となる。
以上のように、図５に示す発光装置１５０においては、各発光素子の下部電極と上部電
極１１２との光学距離を調整することで、下部電極近傍での光の散乱または光の吸収を抑
制し、高い光取出し効率を実現することができる。したがって、発光効率が高く、消費電
力が低減された新規な発光装置を提供することができる。
その他の構成については、図４に示す発光装置１５０と同様であり、同様の効果を奏す
る。
＜発光装置の構成例３＞
次に、図４及び図５に示す発光装置１５０と異なる構成例について、図６乃至図１２を
用いて、以下説明を行う。
図６乃至図１２は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図６
乃至図１２において、図４及び図５に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハ
ッチパターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様
の符号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。
図６に示す発光装置１６０は、図４に示す発光装置１５０の構成と、さらに隔壁１４１
と、基板１５２と、を有する。隔壁１４１は、各発光素子の外周部に設けられ、各発光素
子の下部電極及び透明導電層のいずれか一方または双方の端部を覆う機能を有する。また
、基板１５２には、遮光層１５４、第１の光学素子１５６Ｂ、第２の光学素子１５６Ｇ、
及び第３の光学素子１５６Ｒが形成される。また、遮光層１５４は、隔壁１４１と重なる
位置に設けられる。また、第１の光学素子１５６Ｂは、第１の発光素子１０１Ｂと重なる
位置に設けられ、第２の光学素子１５６Ｇは、第２の発光素子１０１Ｇと重なる位置に設
けられ、第３の光学素子１５６Ｒは、第３の発光素子１０１Ｒと重なる位置に設けられる
。
図７に示す発光装置１６０は、図５に示す発光装置１５０の構成と、さらに隔壁１４１
と、基板１５２と、を有する。隔壁１４１は、各発光素子の外周部に設けられ、各発光素
子の下部電極及び透明導電層のいずれか一方または双方の端部を覆う機能を有する。また
、基板１５２には、遮光層１５４、第１の光学素子１５６Ｂ、第２の光学素子１５６Ｇ、
第３の光学素子１５６Ｒ、及び第４の光学素子１５６Ｙが形成される。また、遮光層１５
４は、隔壁１４１と重なる位置に設けられる。また、第１の光学素子１５６Ｂは、第１の
発光素子１０１Ｂと重なる位置に設けられ、第２の光学素子１５６Ｇは、第２の発光素子
１０１Ｇと重なる位置に設けられ、第３の光学素子１５６Ｒは、第３の発光素子１０１Ｒ
と重なる位置に設けられ、第４の光学素子１５６Ｙは、第４の発光素子１０１Ｙと重なる
位置に設けられる。
図８に示す発光装置１６０は、図７に示す発光装置１６０の第４の光学素子１５６Ｙが
設けられない構成である。また、図９に示す発光装置１６０は、図７に示す発光装置１６
０の第１の光学素子１５６Ｂが設けられない構成である。また、図１０に示す発光装置１
６０は、図７に示す発光装置１６０の第１の光学素子１５６Ｂ及び第４の光学素子１５６
Ｙが設けられない構成である。
例えば、第１の発光層１０６に、黄色を呈する波長の光を発する燐光材料を用い、第２
の発光層１１０に、青色を呈する波長の光を発する蛍光材料を用いることで、第１の発光
素子１０１Ｂ及び第４の発光素子１０１Ｙに重なる、いずれか一方または双方に光学素子
を設けない構成とすることが可能となる。第１の発光素子１０１Ｂ及び第４の発光素子１
０１Ｙに重なる、いずれか一方または双方に光学素子を設けない構成とすることで、発光
装置１６０の消費電力を低減することができる。とくに、第１の発光素子１０１Ｂに、第
１の光学素子１５６Ｂを設けない構成であると、消費電力低減の効果はより顕著である。
なお、外光反射を防ぐためには、図７に示すように、全ての発光素子に光学素子を設ける
構成のほうが好ましい。
図１１に示す発光装置１６０は、図７に示す第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子
１０１Ｇ、第３の発光素子１０１Ｒ、及び第４の発光素子１０１Ｙにトランジスタ１７０
が接続される構成である。なお、トランジスタ１７０は、各発光素子の下部電極と接続さ
れる。
図１２に示す発光装置１６０は、図１１に示す発光装置１６０のトランジスタ１７０と
、下部電極との間に光学素子（第１の光学素子１５６Ｂ、第２の光学素子１５６Ｇ、第３
の光学素子１５６Ｒ、及び第４の光学素子１５６Ｙ）を設ける構成である。図１２に示す
発光装置１６０とする場合、下部電極から射出される光は、光学素子を介して、基板１０
２側に射出される。なお、図１２に示す発光装置１６０とすることで、基板１５２側には
、光学素子等を設けない構成とすることができる。したがって、製造コストを低減できる
ため好ましい。
なお、図１２に示す発光装置１６０は、基板１０２側から光を射出するボトムエミッシ
ョン型の発光装置である。ボトムエミッション型の発光装置の場合、下部電極と上部電極
に用いる材料を入れ替えればよい。つまり、ボトムエミッション型の発光装置の場合、下
部電極が反射性及び透光性を有する導電性材料により形成され、上部電極が反射性を有す
る導電性材料により形成される。
また、図１１、１２に示す発光装置１６０が有するトランジスタ１７０の詳細について
、図１３を用いて説明する。図１３は、トランジスタ１７０の断面図である。
図１３に示すトランジスタ１７０は、基板１０２上のゲート電極１７２と、基板１０２
及びゲート電極１７２上のゲート絶縁層１７４と、ゲート絶縁層１７４上の半導体層１７
６と、ゲート絶縁層１７４及び半導体層１７６上のソース電極１７８と、ゲート絶縁層１
７４及び半導体層１７６上のドレイン電極１８０と、を有する。また、トランジスタ１７
０上には、絶縁層１８２と、絶縁層１８２上の絶縁層１８４と、絶縁層１８４上の絶縁層
１８６とが設けられる。
絶縁層１８２としては、半導体層１７６と接する。絶縁層１８２としては、例えば、酸
化物絶縁材料により形成することができる。また、絶縁層１８４は、不純物がトランジス
タ１７０に入り込むことを抑制する機能を有する。絶縁層１８４としては、例えば、窒化
物絶縁材料により形成することができる。また、絶縁層１８６は、トランジスタ１７０等
に起因する凹凸等を平坦化する機能を有する。絶縁層１８６としては、例えば、有機樹脂
絶縁材料により形成することができる。
また、絶縁層１８２、絶縁層１８４、及び絶縁層１８６には、開口部が設けられ、当該
開口部を介して、トランジスタ１７０のドレイン電極１８０と、下部電極（ここでは、第
２の下部電極１０４Ｇ）と、が電気的に接続される。トランジスタ１７０を駆動させるこ
とで、下部電極に流れる、電流または電圧を制御することができる。
ここで、上述の発光装置１５０及び発光装置１６０の各構成要素の詳細について、以下
に説明を行う。
＜基板＞
基板１５２は、光学素子の支持体として用いられる。基板１５２としては、先に示す基
板１０２と同様の構成とすることができる。ただし、基板１０２と基板１５２とは、同様
の構成に限定されず、それぞれ異なる構成としてもよい。
＜隔壁＞
隔壁１４１は、絶縁性であればよく、無機材料または有機材料を用いて形成される。該
無機材料としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シ
リコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜等が挙げられる。該有機材料として
は、例えば、アクリル樹脂、またはポリイミド樹脂等の感光性の樹脂材料が挙げられる。
＜遮光層＞
遮光層１５４としては、外光の反射を抑制する機能を有する。または、遮光層１５４と
しては、隣接する発光素子から発せられる光の混色を防ぐ機能を有する。遮光層１５４と
しては、金属、黒色顔料を含んだ樹脂、カーボンブラック、金属酸化物、複数の金属酸化
物の固溶体を含む複合酸化物等を用いることができる。
＜光学素子＞
第１の光学素子１５６Ｂ、第２の光学素子１５６Ｇ、第３の光学素子１５６Ｒ、及び第
４の光学素子１５６Ｙは、入射する光から特定の色を呈する光を選択的に透過するもので
ある。例えば、カラーフィルタ、バンドパスフィルタ、多層膜フィルタなどを適用できる
。なお、光学素子に色変換素子を適用することができる。色変換素子は、入射する光を、
当該光の波長より長い波長の光に変換する光学素子である。色変換素子として、量子ドッ
ト方式を用いる素子であると好適である。量子ドット方式を用いることにより、発光装置
の色再現性を高めることができる。
また、第１の光学素子１５６Ｂは、第１の発光素子１０１Ｂが発する光から青色を呈す
る波長の光を透過する機能を有する。また、第２の光学素子１５６Ｇは、第２の発光素子
１０１Ｇが発する光から緑色を呈する波長の光を透過する機能を有する。また、第３の光
学素子１５６Ｒは、第３の発光素子１０１Ｒが発する光から赤色を呈する波長の光を透過
する機能を有する。また、第４の光学素子１５６Ｙは、第４の発光素子１０１Ｙが発する
光から黄色を呈する波長の光を透過する機能を有する。
また、上記に示す光学素子と異なる他の光学素子を、各発光素子に重ねて設けてもよい
。他の光学素子としては、例えば円偏向板や反射防止膜などが挙げられる。また、円偏光
板を、発光装置の発光素子が発する光が取り出される側に設けると、発光装置の外部から
入射した光が、発光装置の内部で反射されて、外部に射出される現象を防ぐことができる
。また、反射防止膜を設けると、発光装置の表面で反射される外光を弱めることができる
。これにより、発光装置が発する発光を、鮮明に観察できる。
なお、上記例示した発光装置の各構成については、適宜組み合わせて用いることができ
る。
＜発光装置の作製方法＞
次に、本発明の一態様の発光装置の作製方法について、図１４乃至図１６を用いて以下
説明を行う。なお、ここでは、図７に示す発光装置１６０の作製方法について説明する。
図１４（Ａ）（Ｂ）、図１５（Ａ）（Ｂ）、及び図１６（Ａ）（Ｂ）は、本発明の一態
様の発光装置の作製方法を説明するための断面図である。
以下で説明する発光装置１６０の作製方法は、第１乃至第６の６つのステップを有する
。
＜第１のステップ＞
第１のステップは、各発光素子の下部電極（第１の下部電極１０４Ｂ、第２の下部電極
１０４Ｇ、第３の下部電極１０４Ｒ、及び第４の下部電極１０４Ｙ）と、各発光素子の透
明導電層（第１の透明導電層１０６Ｂ、第２の透明導電層１０６Ｇ、第３の透明導電層１
０６Ｒ、及び第４の透明導電層１０６Ｙ）と、各発光素子の下部電極と透明導電層の端部
を覆う隔壁１４１と、を形成する工程である（図１４（Ａ）参照）。
第１のステップにおいては、有機化合物を含む発光層を損傷するおそれがないため、さ
まざまな微細加工技術を適用できる。本実施の形態では、スパッタリング法を用いて、反
射性の導電膜を形成し、フォトリソグラフィ法を用いて、該導電膜をパターニングし、そ
の後ドライエッチング法を用いて、該導電膜を島状に加工し第１の下部電極１０４Ｂ、第
２の下部電極１０４Ｇ、第３の下部電極１０４Ｒ、及び第４の下部電極１０４Ｙを形成す
る。
次に、第１の下部電極１０４Ｂ上に透光性の導電膜を形成し、フォトリソグラフィ法を
用いて、該導電膜をパターニングし、その後ウエットエッチング法を用いて、該導電膜を
島状に加工して第１の透明導電層１０６Ｂを形成する。次に、第２の下部電極１０４Ｇ上
に透光性の導電膜を形成し、フォトリソグラフィ法を用いて、該導電膜をパターニングし
、その後ウエットエッチング法を用いて、該導電膜を島状に加工して第２の透明導電層１
０６Ｇを形成する。次に、第３の下部電極１０４Ｒ上に透光性の導電膜を形成し、フォト
リソグラフィ法を用いて、該導電膜をパターニングし、その後ウエットエッチング法を用
いて、該導電膜を島状に加工して第３の透明導電層１０６Ｒを形成する。次に、第４の下
部電極１０４Ｙ上に透光性の導電膜を形成し、フォトリソグラフィ法を用いて、該導電膜
をパターニングし、その後ウエットエッチング法を用いて、該導電膜を島状に加工して第
４の透明導電層１０６Ｙを形成する。
次に、島状の下部電極及び島状の透明導電層の端部を覆うように隔壁１４１を形成する
。なお、隔壁１４１は、下部電極と重なるように開口部を有する。該開口部によって露出
する透明導電層が発光素子の下部電極の一部として機能する。
第１のステップにおいて、下部電極として用いる導電膜としては、銀とパラジウムと銅
の合金膜を用いる。また、透明導電層としては、ＩＴＳＯ膜を用いる。また、隔壁１４１
としては、ポリイミド樹脂を用いる。
なお、第１のステップの前に、基板１０２上にトランジスタを形成してもよい。また、
該トランジスタと、下部電極（第１の下部電極１０４Ｂ、第２の下部電極１０４Ｇ、第３
の下部電極１０４Ｒ、及び第４の下部電極１０４Ｙ）とを電気的に接続させてもよい。
＜第２のステップ＞
第２のステップは、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、第１の発光層１０６、電子
輸送層１３３を形成する工程である（図１４（Ｂ）参照）。
正孔注入層１３１としては、正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含む材料とを共蒸
着することで形成することができる。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異
なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。また、正孔輸送層１３２としては、正孔
輸送性材料を蒸着することで形成することができる。
第１の発光層１０６としては、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれ
る、少なくともいずれか一つの発光を呈する発光物質を蒸着することで形成することがで
きる。上記発光物質としては、燐光性の有機化合物を用いることができる。また、該燐光
性の有機化合物は、単独で蒸着してもよいが、他の材料と混合して蒸着してもよい。例え
ば、燐光性の有機化合物をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大きなホス
ト材料に該ゲスト材料を分散して蒸着してもよい。
電子輸送層１３３としては、電子輸送性の高い物質を蒸着することで形成することがで
きる。
＜第３のステップ＞
第３のステップは、電荷発生層１０８を形成する工程である（図１５（Ａ）参照）。
電荷発生層１０８としては、正孔輸送性材料にアクセプター性物質が添加された材料、
または電子輸送性材料にドナー性物質が添加された材料を蒸着することで形成することが
できる。本実施の形態においては、電荷発生層１０８を、２層構造とし、１層目を電子輸
送性材料に電子供与体が添加された材料により形成し、２層目を正孔輸送性材料に電子受
容体が添加された材料により形成する。
＜第４のステップ＞
第４のステップは、正孔注入層１３４、正孔輸送層１３５、第２の発光層１１０、電子
輸送層１３６、電子注入層１３７、及び上部電極１１２を形成する工程である（図１５（
Ｂ）参照）。
正孔注入層１３４としては、先に示す正孔注入層１３１と同様の材料及び同様の方法に
より形成することができる。また、正孔輸送層１３５としては、先に示す正孔輸送層１３
２と同様の材料及び同様の方法により形成することができる。
第２の発光層１１０としては、紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる、少なくと
もいずれか一つの発光を呈する発光物質を蒸着することで形成することができる。発光物
質としては、蛍光性の有機化合物を用いることができる。また、該蛍光性の有機化合物は
、単独で蒸着してもよいが、他の材料と混合して蒸着してもよい。例えば、蛍光性の有機
化合物をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大きなホスト材料に該ゲスト
材料を分散して蒸着してもよい。
また、電子輸送層１３６としては、電子輸送性の高い物質を蒸着することで形成するこ
とができる。また、電子注入層１３７としては、電子注入性の高い物質を蒸着することで
形成することができる。
上部電極１１２としては、反射性を有する導電膜と、透光性を有する導電膜とを積層す
ることで形成することができる。
上記工程を経て、第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｇ、第３の発光素子
１０１Ｒ、及び第４の発光素子１０１Ｙが基板１０２上に形成される。
＜第５のステップ＞
第５のステップは、基板１５２上に遮光層１５４、第１の光学素子１５６Ｂ、第２の光
学素子１５６Ｇ、第３の光学素子１５６Ｒ、及び第４の光学素子１５６Ｙを形成する工程
である（図１６（Ａ）（Ｂ）参照）。
まず、基板１５２上に遮光層１５４を形成する（図１６（Ａ）参照）。
本実施の形態においては、遮光層１５４として、黒色顔料の含んだ有機樹脂膜を所望の
領域に形成する。
次に、基板１５２及び遮光層１５４上に光学素子（第１の光学素子１５６Ｂ、第２の光
学素子１５６Ｇ、第３の光学素子１５６Ｒ、及び第４の光学素子１５６Ｙ）を形成する（
図１６（Ｂ）参照）。
本実施の形態においては、第１の光学素子１５６Ｂとして、青色の顔料を含む有機樹脂
膜を所望の領域に形成する。また、第２の光学素子１５６Ｇとして、緑色の顔料を含む有
機樹脂膜を所望の領域に形成する。また、第３の光学素子１５６Ｒとして、赤色の顔料を
含む有機樹脂膜を所望の領域に形成する。また、第４の光学素子１５６Ｙとして、黄色の
顔料を含む有機樹脂膜を所望の領域に形成する。
以上の工程により、基板１５２上に遮光層１５４及び光学素子（第１の光学素子１５６
Ｂ、第２の光学素子１５６Ｇ、第３の光学素子１５６Ｒ、及び第４の光学素子１５６Ｙ）
が形成される。なお、本実施の形態においては、遮光層１５４を形成した後に、光学素子
を形成する場合について例示したが、これに限定されず、例えば、光学素子を形成した後
に、遮光層１５４を形成してもよい。
＜第６のステップ＞
第６のステップは、基板１０２上に形成された第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素
子１０１Ｇ、第３の発光素子１０１Ｒ、及び第４の発光素子１０１Ｙと、基板１５２上に
形成された遮光層１５４、第１の光学素子１５６Ｂ、第２の光学素子１５６Ｇ、第３の光
学素子１５６Ｒ、及び第４の光学素子１５６Ｙと、を貼り合わせ、封止材を用いて封止す
る工程である（図示しない）。
以上の工程により、図７に示す発光装置１６０を形成することができる。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態、または実施例に示す構成と適宜組み合わ
せて用いることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を有する表示装置について、図１７を用
いて説明を行う。
なお、図１７（Ａ）は、本発明の一態様の表示装置を説明するブロック図であり、図１
７（Ｂ）は、本発明の一態様の表示装置が有する画素回路を説明する回路図である。
図１７（Ａ）に示す表示装置は、表示素子の画素を有する領域（以下、画素部８０２と
いう）と、画素部８０２の外側に配置され、画素を駆動するための回路を有する回路部（
以下、駆動回路部８０４という）と、素子の保護機能を有する回路（以下、保護回路８０
６という）と、端子部８０７と、を有する。なお、保護回路８０６は、設けない構成とし
てもよい。
駆動回路部８０４の一部、または全部は、画素部８０２と同一基板上に形成されている
ことが望ましい。これにより、部品数や端子数を減らすことが出来る。駆動回路部８０４
の一部、または全部が、画素部８０２と同一基板上に形成されていない場合には、駆動回
路部８０４の一部、または全部は、ＣＯＧやＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂ
ｏｎｄｉｎｇ）によって、実装することができる。
画素部８０２は、Ｘ行（Ｘは２以上の自然数）Ｙ列（Ｙは２以上の自然数）に配置され
た複数の表示素子を駆動するための回路（以下、画素回路８０１という）を有し、駆動回
路部８０４は、画素を選択する信号（走査信号）を出力する回路（以下、ゲートドライバ
８０４ａという）、画素の表示素子を駆動するための信号（データ信号）を供給するため
の回路（以下、ソースドライバ８０４ｂ）などの駆動回路を有する。
ゲートドライバ８０４ａは、シフトレジスタ等を有する。ゲートドライバ８０４ａは、
端子部８０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号が入力され、信号を出力す
る。例えば、ゲートドライバ８０４ａは、スタートパルス信号、クロック信号等が入力さ
れ、パルス信号を出力する。ゲートドライバ８０４ａは、走査信号が与えられる配線（以
下、走査線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘという）の電位を制御する機能を有する。なお、ゲート
ドライバ８０４ａを複数設け、複数のゲートドライバ８０４ａにより、走査線ＧＬ＿１乃
至ＧＬ＿Ｘを分割して制御してもよい。または、ゲートドライバ８０４ａは、初期化信号
を供給することができる機能を有する。ただし、これに限定されず、ゲートドライバ８０
４ａは、別の信号を供給することも可能である。
ソースドライバ８０４ｂは、シフトレジスタ等を有する。ソースドライバ８０４ｂは、
端子部８０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号の他、データ信号の元とな
る信号（画像信号）が入力される。ソースドライバ８０４ｂは、画像信号を元に画素回路
８０１に書き込むデータ信号を生成する機能を有する。また、ソースドライバ８０４ｂは
、スタートパルス、クロック信号等が入力されて得られるパルス信号に従って、データ信
号の出力を制御する機能を有する。また、ソースドライバ８０４ｂは、データ信号が与え
られる配線（以下、データ線ＤＬ＿１乃至ＤＬ＿Ｙという）の電位を制御する機能を有す
る。または、ソースドライバ８０４ｂは、初期化信号を供給することができる機能を有す
る。ただし、これに限定されず、ソースドライバ８０４ｂは、別の信号を供給することも
可能である。
ソースドライバ８０４ｂは、例えば複数のアナログスイッチなどを用いて構成される。
ソースドライバ８０４ｂは、複数のアナログスイッチを順次オン状態にすることにより、
画像信号を時分割した信号をデータ信号として出力できる。また、シフトレジスタなどを
用いてソースドライバ８０４ｂを構成してもよい。
複数の画素回路８０１のそれぞれは、走査信号が与えられる複数の走査線ＧＬの一つを
介してパルス信号が入力され、データ信号が与えられる複数のデータ線ＤＬの一つを介し
てデータ信号が入力される。また、複数の画素回路８０１のそれぞれは、ゲートドライバ
８０４ａによりデータ信号のデータの書き込み及び保持が制御される。例えば、ｍ行ｎ列
目の画素回路８０１は、走査線ＧＬ＿ｍ（ｍはＸ以下の自然数）を介してゲートドライバ
８０４ａからパルス信号が入力され、走査線ＧＬ＿ｍの電位に応じてデータ線ＤＬ＿ｎ（
ｎはＹ以下の自然数）を介してソースドライバ８０４ｂからデータ信号が入力される。
図１７（Ａ）に示す保護回路８０６は、例えば、ゲートドライバ８０４ａと画素回路８
０１の間の配線である走査線ＧＬに接続される。または、保護回路８０６は、ソースドラ
イバ８０４ｂと画素回路８０１の間の配線であるデータ線ＤＬに接続される。または、保
護回路８０６は、ゲートドライバ８０４ａと端子部８０７との間の配線に接続することが
できる。または、保護回路８０６は、ソースドライバ８０４ｂと端子部８０７との間の配
線に接続することができる。なお、端子部８０７は、外部の回路から表示装置に電源及び
制御信号、及び画像信号を入力するための端子が設けられた部分をいう。
保護回路８０６は、自身が接続する配線に一定の範囲外の電位が与えられたときに、該
配線と別の配線とを導通状態にする回路である。
図１７（Ａ）に示すように、画素部８０２と駆動回路部８０４にそれぞれ保護回路８０
６を設けることにより、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：
静電気放電）などにより発生する過電流に対する表示装置の耐性を高めることができる。
ただし、保護回路８０６の構成はこれに限定されず、例えば、ゲートドライバ８０４ａに
保護回路８０６を接続した構成、またはソースドライバ８０４ｂに保護回路８０６を接続
した構成とすることもできる。あるいは、端子部８０７に保護回路８０６を接続した構成
とすることもできる。
また、図１７（Ａ）においては、ゲートドライバ８０４ａとソースドライバ８０４ｂに
よって駆動回路部８０４を形成している例を示しているが、この構成に限定されない。例
えば、ゲートドライバ８０４ａのみを形成し、別途用意されたソースドライバ回路が形成
された基板（例えば、単結晶半導体膜、多結晶半導体膜で形成された駆動回路基板）を実
装する構成としても良い。
また、図１７（Ａ）に示す複数の画素回路８０１は、例えば、図１７（Ｂ）に示す構成
とすることができる。
図１７（Ｂ）に示す画素回路８０１は、トランジスタ８５２、８５４と、容量素子８６
２と、発光素子８７２と、を有する。
トランジスタ８５２のソース電極及びドレイン電極の一方は、データ信号が与えられる
配線（以下、データ線ＤＬ＿ｎという）に電気的に接続される。さらに、トランジスタ８
５２のゲート電極は、ゲート信号が与えられる配線（以下、走査線ＧＬ＿ｍという）に電
気的に接続される。
トランジスタ８５２は、オン状態またはオフ状態になることにより、データ信号のデー
タの書き込みを制御する機能を有する。
容量素子８６２の一対の電極の一方は、電位が与えられる配線（以下、電位供給線ＶＬ
＿ａという）に電気的に接続され、他方は、トランジスタ８５２のソース電極及びドレイ
ン電極の他方に電気的に接続される。
容量素子８６２は、書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有する。
トランジスタ８５４のソース電極及びドレイン電極の一方は、電位供給線ＶＬ＿ａに電
気的に接続される。さらに、トランジスタ８５４のゲート電極は、トランジスタ８５２の
ソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。
発光素子８７２のアノード及びカソードの一方は、電位供給線ＶＬ＿ｂに電気的に接続
され、他方は、トランジスタ８５４のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続
される。
発光素子８７２としては、実施の形態１に示す発光素子を用いることができる。
なお、電位供給線ＶＬ＿ａ及び電位供給線ＶＬ＿ｂの一方には、高電源電位ＶＤＤが与
えられ、他方には、低電源電位ＶＳＳが与えられる。
図１７（Ｂ）の画素回路８０１を有する表示装置では、例えば、図１７（Ａ）に示すゲ
ートドライバ８０４ａにより各行の画素回路８０１を順次選択し、トランジスタ８５２を
オン状態にしてデータ信号のデータを書き込む。
データが書き込まれた画素回路８０１は、トランジスタ８５２がオフ状態になることで
保持状態になる。さらに、書き込まれたデータ信号の電位に応じてトランジスタ８５４の
ソース電極とドレイン電極の間に流れる電流量が制御され、発光素子８７２は、流れる電
流量に応じた輝度で発光する。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。
また、画素回路に、トランジスタのしきい値電圧等の変動の影響を補正する機能を持た
せてもよい。図１８（Ａ）（Ｂ）及び図１９（Ａ）（Ｂ）に画素回路の一例を示す。
図１８（Ａ）に示す画素回路は、６つのトランジスタ（トランジスタ３０３＿１乃至３
０３＿６）と、容量素子３０４と、発光素子３０５と、を有する。また、図１８（Ａ）に
示す画素回路には、配線３０１＿１乃至３０１＿５、並びに配線３０２＿１及び配線３０
２＿２が電気的に接続されている。なお、トランジスタ３０３＿１乃至３０３＿６につい
ては、例えばＰ型の極性のトランジスタを用いることができる。
図１８（Ｂ）に示す画素回路は、図１８（Ａ）に示す画素回路に、トランジスタ３０３
＿７を追加した構成である。また、図１８（Ｂ）に示す画素回路には、配線３０１＿６及
び配線３０１＿７が電気的に接続されている。ここで、配線３０１＿５と配線３０１＿６
とは、それぞれ電気的に接続されていてもよい。なお、トランジスタ３０３＿７について
は、例えばＰ型の極性のトランジスタを用いることができる。
図１９（Ａ）に示す画素回路は、６つのトランジスタ（トランジスタ３０８＿１乃至３
０８＿６）と、容量素子３０４と、発光素子３０５と、を有する。また、図１９（Ａ）に
示す画素回路には、配線３０６＿１乃至３０６＿３、並びに配線３０７＿１乃至３０７＿
３が電気的に接続されている。ここで配線３０６＿１と配線３０６＿３とは、それぞれ電
気的に接続されていてもよい。なお、トランジスタ３０８＿１乃至３０８＿６については
、例えばＰ型の極性のトランジスタを用いることができる。
図１９（Ｂ）に示す画素回路は、２つのトランジスタ（トランジスタ３０９＿１及びト
ランジスタ３０９＿２）と、２つの容量素子（容量素子３０４＿１及び容量素子３０４＿
２）と、発光素子３０５と、を有する。また、図１９（Ｂ）に示す画素回路には、配線３
１１＿１乃至配線３１１＿３、配線３１２＿１、及び配線３１２＿２が電気的に接続され
ている。また、図１９（Ｂ）に示す画素回路の構成とすることで、発光素子３０５を定電
圧定電流（Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ：Ｃ
ＶＣＣ）駆動とすることができる。なお、トランジスタ３０９＿１及び３０９＿２につい
ては、例えばＰ型の極性のトランジスタを用いることができる。
また、本発明の一態様の発光素子は、表示装置の画素に能動素子を有するアクティブマ
トリクス方式、または、表示装置の画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式の
それぞれの方式に適用することができる。
アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、ト
ランジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いるこ
とが出来る。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）、又はＴ
ＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子
は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる
。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ
、低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。
アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形素子
）を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティブ素
子、非線形素子）を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留
まりの向上を図ることができる。または、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用
いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図るこ
とが出来る。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態、または実施例に示す構成と適宜組み合わ
せて用いることができる。
（実施の形態４）
本実施の形態においては、本発明の一態様の発光装置を有する表示パネル、及び該表示
パネルに入力装置を取り付けた電子機器について、図２０乃至図２４を用いて説明を行う
。
＜タッチパネルに関する説明１＞
なお、本実施の形態において、電子機器の一例として、表示パネルと、入力装置とを合
わせたタッチパネル２０００について説明する。また、入力装置の一例として、タッチセ
ンサを用いる場合について説明する。なお、本発明の一態様の発光装置を表示パネルの画
素に用いることができる。
図２０（Ａ）（Ｂ）は、タッチパネル２０００の斜視図である。なお、図２０（Ａ）（
Ｂ）において、明瞭化のため、タッチパネル２０００の代表的な構成要素を示す。
タッチパネル２０００は、表示パネル２５０１とタッチセンサ２５９５とを有する（図
２０（Ｂ）参照）。また、タッチパネル２０００は、基板２５１０、基板２５７０、及び
基板２５９０を有する。なお、基板２５１０、基板２５７０、及び基板２５９０はいずれ
も可撓性を有する。ただし、基板２５１０、基板２５７０、及び基板２５９０のいずれか
一つまたは全てが可撓性を有さない構成としてもよい。
表示パネル２５０１は、基板２５１０上に複数の画素及び該画素に信号を供給すること
ができる複数の配線２５１１を有する。複数の配線２５１１は、基板２５１０の外周部に
まで引き回され、その一部が端子２５１９を構成している。端子２５１９はＦＰＣ２５０
９（１）と電気的に接続する。
基板２５９０は、タッチセンサ２５９５と、タッチセンサ２５９５と電気的に接続する
複数の配線２５９８とを有する。複数の配線２５９８は、基板２５９０の外周部に引き回
され、その一部は端子を構成する。そして、該端子はＦＰＣ２５０９（２）と電気的に接
続される。なお、図２０（Ｂ）では明瞭化のため、基板２５９０の裏面側（基板２５１０
と対向する面側）に設けられるタッチセンサ２５９５の電極や配線等を実線で示している
。
タッチセンサ２５９５として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電
容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。
投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式な
どがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。
なお、図２０（Ｂ）に示すタッチセンサ２５９５は、投影型静電容量方式のタッチセン
サを適用した構成である。
なお、タッチセンサ２５９５には、指等の検知対象の近接または接触を検知することが
できる、様々なセンサを適用することができる。
投影型静電容量方式のタッチセンサ２５９５は、電極２５９１と電極２５９２とを有す
る。電極２５９１は、複数の配線２５９８のいずれかと電気的に接続し、電極２５９２は
複数の配線２５９８の他のいずれかと電気的に接続する。
電極２５９２は、図２０（Ａ）（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置された複数
の四辺形が角部で接続される形状を有する。
電極２５９１は四辺形であり、電極２５９２が延在する方向と交差する方向に繰り返し
配置されている。
配線２５９４は、電極２５９２を挟む二つの電極２５９１と電気的に接続する。このと
き、電極２５９２と配線２５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい
。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のバラツキを低減
できる。その結果、タッチセンサ２５９５を透過する光の輝度のバラツキを低減すること
ができる。
なお、電極２５９１及び電極２５９２の形状はこれに限定されず、様々な形状を取りう
る。例えば、複数の電極２５９１をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介
して電極２５９２を、電極２５９１と重ならない領域ができるように離間して複数設ける
構成としてもよい。このとき、隣接する２つの電極２５９２の間に、これらとは電気的に
絶縁されたダミー電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい
。
なお、電極２５９１、電極２５９２、配線２５９８などの導電膜、つまり、タッチパネ
ルを構成する配線や電極に用いることのできる材料として、酸化インジウム、酸化錫、酸
化亜鉛等を有する透明導電膜（例えば、ＩＴＯなど）が挙げられる。また、タッチパネル
を構成する配線や電極に用いることのできる材料として、例えば、抵抗値が低い方が好ま
しい。一例として、銀、銅、アルミニウム、カーボンナノチューブ、グラフェン、ハロゲ
ン化金属（ハロゲン化銀など）などを用いてもよい。さらに、非常に細くした（例えば、
直径が数ナノメール）複数の導電体を用いて構成されるような金属ナノワイヤを用いても
よい。または、導電体を網目状にした金属メッシュを用いてもよい。一例としては、Ａｇ
ナノワイヤ、Ｃｕナノワイヤ、Ａｌナノワイヤ、Ａｇメッシュ、Ｃｕメッシュ、Ａｌメッ
シュなどを用いてもよい。例えば、タッチパネルを構成する配線や電極にＡｇナノワイヤ
を用いる場合、可視光において透過率を８９％以上、シート抵抗値を４０Ω／□以上１０
０Ω／□以下とすることができる。また、上述したタッチパネルを構成する配線や電極に
用いることのできる材料の一例である、金属ナノワイヤ、金属メッシュ、カーボンナノチ
ューブ、グラフェンなどは、可視光において透過率が高いため、表示素子に用いる電極（
例えば、画素電極または共通電極など）として用いてもよい。
＜表示パネルに関する説明＞
次に、図２１（Ａ）を用いて、表示パネル２５０１の詳細について説明する。図２１（
Ａ）は、図２０（Ｂ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図に相当する。
表示パネル２５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素を有する。該画素は表示
素子と、該表示素子を駆動する画素回路とを有する。
基板２５１０及び基板２５７０としては、例えば、水蒸気の透過率が１０−５ｇ／（ｍ
２・ｄａｙ）以下、好ましくは１０−６ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下である可撓性を有する
材料を好適に用いることができる。または、基板２５１０の熱膨張率と、基板２５７０の
熱膨張率とが、およそ等しい材料を用いると好適である。例えば、線膨張率が１×１０−
３／Ｋ以下、好ましくは５×１０−５／Ｋ以下、より好ましくは１×１０−５／Ｋ以下で
ある材料を好適に用いることができる。
なお、基板２５１０は、発光素子への不純物の拡散を防ぐ絶縁層２５１０ａと、可撓性
基板２５１０ｂと、絶縁層２５１０ａ及び可撓性基板２５１０ｂを貼り合わせる接着層２
５１０ｃと、を有する積層体である。また、基板２５７０は、発光素子への不純物の拡散
を防ぐ絶縁層２５７０ａと、可撓性基板２５７０ｂと、絶縁層２５７０ａ及び可撓性基板
２５７０ｂを貼り合わせる接着層２５７０ｃと、を有する積層体である。
接着層２５１０ｃ及び接着層２５７０ｃとしては、例えば、ポリエステル、ポリオレフ
ィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレ
タン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、もしくはシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を
用いることができる。
また、基板２５１０と基板２５７０との間に封止層２５６０を有する。封止層２５６０
は、空気より大きい屈折率を有すると好ましい。また、図２１（Ａ）に示すように、封止
層２５６０側に光を取り出す場合は、封止層２５６０は光学素子を兼ねることができる。
また、封止層２５６０の外周部にシール材を形成してもよい。当該シール材を用いるこ
とにより、基板２５１０、基板２５７０、封止層２５６０、及びシール材で囲まれた領域
に発光素子２５５０を有する構成とすることができる。なお、封止層２５６０として、不
活性気体（窒素やアルゴン等）を充填してもよい。また、当該不活性気体内に、乾燥材を
設けて、水分等を吸着させる構成としてもよい。また、上述のシール材としては、例えば
、エポキシ系樹脂やガラスフリットを用いるのが好ましい。また、シール材に用いる材料
としては、水分や酸素を透過しない材料を用いると好適である。
また、表示パネル２５０１は、画素２５０２を有する。また、画素２５０２は発光モジ
ュール２５８０を有する。
画素２５０２は、発光素子２５５０と、発光素子２５５０に電力を供給することができ
るトランジスタ２５０２ｔとを有する。なお、トランジスタ２５０２ｔは、画素回路の一
部として機能する。また、発光モジュール２５８０は、発光素子２５５０と、着色層２５
６７Ｒとを有する。
発光素子２５５０は、下部電極と、上部電極と、下部電極と上部電極の間にＥＬ層とを
有する。発光素子２５５０として、例えば、実施の形態１に示す発光素子を適用すること
ができる。
また、封止層２５６０が光を取り出す側に設けられている場合、封止層２５６０は、発
光素子２５５０と着色層２５６７Ｒに接する。
着色層２５６７Ｒは、発光素子２５５０と重なる位置にある。これにより、発光素子２
５５０が発する光の一部は着色層２５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モ
ジュール２５８０の外部に射出される。
また、表示パネル２５０１には、光を射出する方向に遮光層２５６７ＢＭが設けられる
。遮光層２５６７ＢＭは、着色層２５６７Ｒを囲むように設けられている。
着色層２５６７Ｒとしては、特定の波長帯域の光を透過する機能を有していればよく、
例えば、赤色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する
カラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタ、黄色の波長帯域の光を
透過するカラーフィルタなどを用いることができる。各カラーフィルタは、様々な材料を
用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング方法な
どで形成することができる。
また、表示パネル２５０１には、絶縁層２５２１が設けられる。絶縁層２５２１はトラ
ンジスタ２５０２ｔを覆う。なお、絶縁層２５２１は、画素回路に起因する凹凸を平坦化
するための機能を有する。また、絶縁層２５２１に不純物の拡散を抑制できる機能を付与
してもよい。これにより、不純物の拡散によるトランジスタ２５０２ｔ等の信頼性の低下
を抑制できる。
また、発光素子２５５０は、絶縁層２５２１の上方に形成される。また、発光素子２５
５０が有する下部電極には、該下部電極の端部に重なる隔壁２５２８が設けられる。なお
、基板２５１０と、基板２５７０との間隔を制御するスペーサを、隔壁２５２８上に形成
してもよい。
走査線駆動回路２５０３ｇは、トランジスタ２５０３ｔと、容量素子２５０３ｃとを有
する。なお、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。
また、基板２５１０上には、信号を供給することができる配線２５１１が設けられる。
また、配線２５１１上には、端子２５１９が設けられる。また、端子２５１９には、ＦＰ
Ｃ２５０９（１）が電気的に接続される。また、ＦＰＣ２５０９（１）は、ビデオ信号、
クロック信号、スタート信号、リセット信号等を供給する機能を有する。なお、ＦＰＣ２
５０９（１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。
また、表示パネル２５０１には、様々な構造のトランジスタを適用することができる。
図２１（Ａ）においては、ボトムゲート型のトランジスタを適用する場合について、例示
しているが、これに限定されず、例えば、図２１（Ｂ）に示す、トップゲート型のトラン
ジスタを表示パネル２５０１に適用する構成としてもよい。
また、トランジスタ２５０２ｔ及びトランジスタ２５０３ｔの極性については、特に限
定はなく、Ｎ型およびＰ型のトランジスタを有する構造、Ｎ型のトランジスタまたはＰ型
のトランジスタのいずれか一方のみからなる構造を用いてもよい。また、トランジスタ２
５０２ｔ及び２５０３ｔに用いられる半導体膜の結晶性についても特に限定はない。例え
ば、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜を用いることができる。また、半導体材料としては
、１３族の半導体（例えば、ガリウムを有する半導体）、１４族の半導体（例えば、シリ
コンを有する半導体）、化合物半導体（酸化物半導体を含む）、有機半導体等を用いるこ
とができる。トランジスタ２５０２ｔ及びトランジスタ２５０３ｔのいずれか一方または
双方に、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、さらに好ましく
は３ｅＶ以上の酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することが
できるため好ましい。当該酸化物半導体としては、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸
化物（Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｓｎ、またはＮｄを表す）等が挙げら
れる。
＜タッチセンサに関する説明＞
次に、図２１（Ｃ）を用いて、タッチセンサ２５９５の詳細について説明する。図２１
（Ｃ）は、図２０（Ｂ）に示す一点鎖線Ｘ３−Ｘ４間の断面図に相当する。
タッチセンサ２５９５は、基板２５９０上に千鳥状に配置された電極２５９１及び電極
２５９２と、電極２５９１及び電極２５９２を覆う絶縁層２５９３と、隣り合う電極２５
９１を電気的に接続する配線２５９４とを有する。
電極２５９１及び電極２５９２は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性
を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸
化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる
。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状
に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法と
しては、熱を加える方法等を挙げることができる。
例えば、透光性を有する導電性材料を基板２５９０上にスパッタリング法により成膜し
た後、フォトリソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して
、電極２５９１及び電極２５９２を形成することができる。
また、絶縁層２５９３に用いる材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂
、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウ
ムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
また、電極２５９１に達する開口が絶縁層２５９３に設けられ、配線２５９４が隣接す
る電極２５９１と電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を高
めることができるため、配線２５９４に好適に用いることができる。また、電極２５９１
及び電極２５９２より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線２５９４に好
適に用いることができる。
電極２５９２は、一方向に延在し、複数の電極２５９２がストライプ状に設けられてい
る。また、配線２５９４は電極２５９２と交差して設けられている。
一対の電極２５９１が１つの電極２５９２を挟んで設けられる。また、配線２５９４は
一対の電極２５９１を電気的に接続している。
なお、複数の電極２５９１は、１つの電極２５９２と必ずしも直交する方向に配置され
る必要はなく、０度を超えて９０度未満の角度をなすように配置されてもよい。
また、配線２５９８は、電極２５９１または電極２５９２と電気的に接続される。また
、配線２５９８の一部は、端子として機能する。配線２５９８としては、例えば、アルミ
ニウム、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コ
バルト、銅、またはパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いること
ができる。
なお、絶縁層２５９３及び配線２５９４を覆う絶縁層を設けて、タッチセンサ２５９５
を保護してもよい。
また、接続層２５９９は、配線２５９８とＦＰＣ２５０９（２）を電気的に接続させる
。
接続層２５９９としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃ
ｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐ
ｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
＜タッチパネルに関する説明２＞
次に、図２２（Ａ）を用いて、タッチパネル２０００の詳細について説明する。図２２
（Ａ）は、図２０（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ５−Ｘ６間の断面図に相当する。
図２２（Ａ）に示すタッチパネル２０００は、図２１（Ａ）で説明した表示パネル２５
０１と、図２１（Ｃ）で説明したタッチセンサ２５９５と、を貼り合わせた構成である。
また、図２２（Ａ）に示すタッチパネル２０００は、図２１（Ａ）及び図２１（Ｃ）で
説明した構成の他、接着層２５９７と、反射防止層２５６７ｐと、を有する。
接着層２５９７は、配線２５９４と接して設けられる。なお、接着層２５９７は、タッ
チセンサ２５９５が表示パネル２５０１に重なるように、基板２５９０を基板２５７０に
貼り合わせている。また、接着層２５９７は、透光性を有すると好ましい。また、接着層
２５９７としては、熱硬化性樹脂、または紫外線硬化樹脂を用いることができる。例えば
、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、またはシロキサン系樹脂を用いる
ことができる。
反射防止層２５６７ｐは、画素に重なる位置に設けられる。反射防止層２５６７ｐとし
て、例えば円偏光板を用いることができる。
次に、図２２（Ａ）に示す構成と異なる構成のタッチパネルについて、図２２（Ｂ）を
用いて説明する。
図２２（Ｂ）は、タッチパネル２００１の断面図である。図２２（Ｂ）に示すタッチパ
ネル２００１は、図２２（Ａ）に示すタッチパネル２０００と、表示パネル２５０１に対
するタッチセンサ２５９５の位置が異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、
同様の構成を用いることができる部分は、タッチパネル２０００の説明を援用する。
着色層２５６７Ｒは、発光素子２５５０と重なる位置にある。また、図２２（Ｂ）に示
す発光素子２５５０は、トランジスタ２５０２ｔが設けられている側に光を射出する。こ
れにより、発光素子２５５０が発する光の一部は、着色層２５６７Ｒを透過して、図中に
示す矢印の方向の発光モジュール２５８０の外部に射出される。
また、タッチセンサ２５９５は、表示パネル２５０１の基板２５１０側に設けられてい
る。
接着層２５９７は、基板２５１０と基板２５９０の間にあり、表示パネル２５０１とタ
ッチセンサ２５９５を貼り合わせる。
図２２（Ａ）（Ｂ）に示すように、発光素子から射出される光は、基板の上面及び下面
のいずれか一方または双方に射出されればよい。
＜タッチパネルの駆動方法に関する説明＞
次に、タッチパネルの駆動方法の一例について、図２３を用いて説明を行う。
図２３（Ａ）は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図２３
（Ａ）では、パルス電圧出力回路２６０１、電流検出回路２６０２を示している。なお、
図２３（Ａ）では、パルス電圧が与えられる電極２６２１をＸ１−Ｘ６として、電流の変
化を検知する電極２６２２をＹ１−Ｙ６として、それぞれ６本の配線で例示している。ま
た、図２３（Ａ）は、電極２６２１と、電極２６２２とが重畳することで形成される容量
２６０３を示している。なお、電極２６２１と電極２６２２とはその機能を互いに置き換
えてもよい。
パルス電圧出力回路２６０１は、Ｘ１−Ｘ６の配線に順にパルス電圧を印加するための
回路である。Ｘ１−Ｘ６の配線にパルス電圧が印加されることで、容量２６０３を形成す
る電極２６２１と電極２６２２との間に電界が生じる。この電極間に生じる電界が遮蔽等
により容量２６０３の相互容量に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、ま
たは接触を検出することができる。
電流検出回路２６０２は、容量２６０３での相互容量の変化による、Ｙ１−Ｙ６の配線
での電流の変化を検出するための回路である。Ｙ１−Ｙ６の配線では、被検知体の近接、
または接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、または
接触により相互容量が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検
出は、積分回路等を用いて行えばよい。
次に、図２３（Ｂ）には、図２３（Ａ）で示す相互容量方式のタッチセンサにおける入
出力波形のタイミングチャートを示す。図２３（Ｂ）では、１フレーム期間で各行列での
被検知体の検出を行うものとする。また図２３（Ｂ）では、被検知体を検出しない場合（
非タッチ）と被検知体を検出する場合（タッチ）との２つの場合について示している。な
おＹ１−Ｙ６の配線については、検出される電流値に対応する電圧値とした波形を示して
いる。
Ｘ１−Ｘ６の配線には、順にパルス電圧が与えられ、該パルス電圧にしたがってＹ１−
Ｙ６の配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、Ｘ１−Ｘ６
の配線の電圧の変化に応じてＹ１−Ｙ６の波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接
または接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化す
る。
このように、相互容量の変化を検出することにより、被検知体の近接または接触を検知
することができる。
＜センサ回路に関する説明＞
また、図２３（Ａ）ではタッチセンサとして配線の交差部に容量２６０３のみを設ける
パッシブ型のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを有するアクティブ
型のタッチセンサとしてもよい。アクティブ型のタッチセンサに含まれるセンサ回路の一
例を図２４に示す。
図２４に示すセンサ回路は、容量２６０３と、トランジスタ２６１１と、トランジスタ
２６１２と、トランジスタ２６１３とを有する。
トランジスタ２６１３はゲートに信号Ｇ２が与えられ、ソースまたはドレインの一方に
電圧ＶＲＥＳが与えられ、他方が容量２６０３の一方の電極およびトランジスタ２６１１
のゲートと電気的に接続する。トランジスタ２６１１は、ソースまたはドレインの一方が
トランジスタ２６１２のソースまたはドレインの一方と電気的に接続し、他方に電圧ＶＳ
Ｓが与えられる。トランジスタ２６１２は、ゲートに信号Ｇ１が与えられ、ソースまたは
ドレインの他方が配線ＭＬと電気的に接続する。容量２６０３の他方の電極には電圧ＶＳ
Ｓが与えられる。
次に、図２４に示すセンサ回路の動作について説明する。まず、信号Ｇ２としてトラン
ジスタ２６１３をオン状態とする電位が与えられることで、トランジスタ２６１１のゲー
トが接続されるノードｎに電圧ＶＲＥＳに対応した電位が与えられる。次に、信号Ｇ２と
してトランジスタ２６１３をオフ状態とする電位が与えられることで、ノードｎの電位が
保持される。
続いて、指等の被検知体の近接または接触により、容量２６０３の相互容量が変化する
ことに伴い、ノードｎの電位がＶＲＥＳから変化する。
読み出し動作は、信号Ｇ１にトランジスタ２６１２をオン状態とする電位を与える。ノ
ードｎの電位に応じてトランジスタ２６１１に流れる電流、すなわち配線ＭＬに流れる電
流が変化する。この電流を検出することにより、被検知体の近接または接触を検出するこ
とができる。
トランジスタ２６１１、トランジスタ２６１２、及びトランジスタ２６１３としては、
酸化物半導体層をチャネル領域が形成される半導体層に用いることが好ましい。とくにト
ランジスタ２６１３にこのようなトランジスタを適用することにより、ノードｎの電位を
長期間に亘って保持することが可能となり、ノードｎにＶＲＥＳを供給しなおす動作（リ
フレッシュ動作）の頻度を減らすことができる。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態、または実施例に示す構成と適宜組み合わ
せて用いることができる。
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を有する表示モジュール及び電子機器に
ついて、図２５及び図２６を用いて説明を行う。
図２５に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２と
の間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチセンサ８００４、ＦＰＣ８００５に接続され
た表示パネル８００６、フレーム８００９、プリント基板８０１０、バッテリ８０１１を
有する。
本発明の一態様の発光装置は、例えば、表示パネル８００６に用いることができる。
上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチセンサ８００４及び表示パネル
８００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
タッチセンサ８００４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチセンサを表示パネル
８００６に重畳して用いることができる。また、表示パネル８００６の対向基板（封止基
板）に、タッチセンサ機能を持たせるようにすることも可能である。また、表示パネル８
００６の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチセンサとすることも可能である。
フレーム８００９は、表示パネル８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動
作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレ
ーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信
号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であって
も良いし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。バッテリ８０１１は
、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
また、表示モジュール８０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追
加して設けてもよい。
図２６（Ａ）乃至図２６（Ｇ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐
体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５、接続端子９００６
、センサ９００７、マイクロフォン９００８、等を有することができる。
図２６（Ａ）乃至図２６（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。
例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッ
チセンサ機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（
プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々な
コンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信ま
たは受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表
示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図２６（Ａ）乃至図２６（Ｇ）に
示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有すること
ができる。また、図２６（Ａ）乃至図２６（Ｇ）には図示していないが、電子機器には、
複数の表示部を有する構成としてもよい。また、該電子機器にカメラ等を設け、静止画を
撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を記録媒体（外部またはカメラに内蔵
）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。
図２６（Ａ）乃至図２６（Ｇ）に示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。
図２６（Ａ）は、携帯情報端末９１００を示す斜視図である。携帯情報端末９１００が
有する表示部９００１は、可撓性を有する。そのため、湾曲した筐体９０００の湾曲面に
沿って表示部９００１を組み込むことが可能である。また、表示部９００１はタッチセン
サを備え、指やスタイラスなどで画面に触れることで操作することができる。例えば、表
示部９００１に表示されたアイコンに触れることで、アプリケーションを起動することが
できる。
図２６（Ｂ）は、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は
、例えば電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具
体的には、スマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、
スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を省略して図示しているが、図
２６（Ａ）に示す携帯情報端末９１００と同様の位置に設けることができる。また、携帯
情報端末９１０１は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、
３つの操作ボタン９０５０（操作アイコンまたは単にアイコンともいう）を表示部９００
１の一の面に表示することができる。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９０
０１の他の面に表示することができる。なお、情報９０５１の一例としては、電子メール
やＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）や電話などの着信を知らせる表示
、電子メールやＳＮＳなどの題名、電子メールやＳＮＳなどの送信者名、日時、時刻、バ
ッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報９０５１が表示されている
位置に、情報９０５１の代わりに、操作ボタン９０５０などを表示してもよい。
図２６（Ｃ）は、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は
、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、
情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば、携
帯情報端末９１０２の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状
態で、その表示（ここでは情報９０５３）を確認することができる。具体的には、着信し
た電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位
置に表示する。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく、表示
を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
図２６（Ｄ）は、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末
９２００は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信
、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。また、表
示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うこと
ができる。また、携帯情報端末９２００は、通信規格された近距離無線通信を実行するこ
とが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハン
ズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６を
有し、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うことができる。ま
た接続端子９００６を介して充電を行うこともできる。なお、充電動作は接続端子９００
６を介さずに無線給電により行ってもよい。
図２６（Ｅ）（Ｆ）（Ｇ）は、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図であ
る。また、図２６（Ｅ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態の斜視図であり、図２６
（Ｆ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態または折り畳んだ状態の一方から他方に変
化する途中の状態の斜視図であり、図２６（Ｇ）が携帯情報端末９２０１を折り畳んだ状
態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開し
た状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２
０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００
に支持されている。ヒンジ９０５５を介して２つの筐体９０００間を屈曲させることによ
り、携帯情報端末９２０１を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させるこ
とができる。例えば、携帯情報端末９２０１は、曲率半径１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲
げることができる。
本実施の形態において述べた電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有す
ることを特徴とする。ただし、本発明の一態様の発光装置は、表示部を有さない電子機器
にも適用することができる。また、本実施の形態において述べた電子機器の表示部におい
ては、可撓性を有し、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる構成、または折り
畳み可能な表示部の構成について例示したが、これに限定されず、可撓性を有さず、平面
部に表示を行う構成としてもよい。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態、または実施例に示す構成と適宜組み合わ
せて用いることができる。
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について、図２７を用いて説明する。
本実施の形態で示す、発光装置３０００の斜視図を図２７（Ａ）に、図２７（Ａ）に示
す一点鎖線Ｅ−Ｆ間に相当する断面図を図２７（Ｂ）に、それぞれ示す。なお、図２７（
Ａ）において、図面の煩雑さを避けるために、構成要素の一部を破線で表示している。
図２７（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置３０００は、基板３００１と、基板３００１上の発
光素子３００５と、発光素子３００５の外周に設けられた第１の封止領域３００７と、第
１の封止領域３００７の外周に設けられた第２の封止領域３００９と、を有する。
また、発光素子３００５からの発光は、基板３００１及び基板３００３のいずれか一方
または双方から射出される。図２７（Ａ）（Ｂ）においては、発光素子３００５からの発
光が下方側（基板３００１側）に射出される構成について説明する。
また、図２７（Ａ）（Ｂ）に示すように、発光装置３０００は、発光素子３００５が第
１の封止領域３００７と、第２の封止領域３００９とに、囲まれて配置される二重封止構
造である。二重封止構造とすることで、外部から不純物（例えば、水、酸素など）が発光
素子３００５側に入り込むことを、好適に抑制することができる。ただし、第１の封止領
域３００７及び第２の封止領域３００９を、必ずしも設ける必要はない。例えば、第１封
止領域３００７のみの構成としてもよい。
なお、図２７（Ｂ）において、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９は
、基板３００１及び基板３００３と接して設けられる。ただし、これに限定されず、例え
ば、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９の一方または双方は、基板３０
０１の上方に形成される絶縁膜、あるいは導電膜と接して設けられる構成としてもよい。
または、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９の一方または双方は、基板
３００３の下方に形成される絶縁膜、あるいは導電膜と接して設けられる構成としてもよ
い。
基板３００１及び基板３００３としては、それぞれ先の実施の形態１に記載の基板１０
２と、基板１５２と同様の構成とすればよい。発光素子３００５としては、先の実施の形
態１に記載の第１の発光素子乃至第３の発光素子のいずれか一つと同様の構成とすればよ
い。
第１の封止領域３００７としては、ガラスを含む材料（例えば、ガラスフリット、ガラ
スリボン等）を用いればよい。また、第２の封止領域３００９としては、樹脂を含む材料
を用いればよい。第１の封止領域３００７として、ガラスを含む材料を用いることで、生
産性や封止性を高めることができる。また、第２の封止領域３００９として、樹脂を含む
材料を用いることで、耐衝撃性や耐熱性を高めることができる。ただし、第１の封止領域
３００７と、第２の封止領域３００９とは、これに限定されず、第１の封止領域３００７
が樹脂を含む材料で形成され、第２の封止領域３００９がガラスを含む材料で形成されて
もよい。
また、上述のガラスフリットとしては、例えば、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、
酸化ストロンチウム、酸化バリウム、酸化セシウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸
化ホウ素、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化テルル、酸化アルミニウム、二酸化シリコン
、酸化鉛、酸化スズ、酸化リン、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化鉄、酸化銅、二酸
化マンガン、酸化モリブデン、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化タングステン、酸化ビスマ
ス、酸化ジルコニウム、酸化リチウム、酸化アンチモン、ホウ酸鉛ガラス、リン酸スズガ
ラス、バナジン酸塩ガラス又はホウケイ酸ガラス等を含む。赤外光を吸収させるため、少
なくとも一種類以上の遷移金属を含むことが好ましい。
また、上述のガラスフリットとしては、例えば、基板上にフリットペーストを塗布し、
これに加熱処理、またはレーザ照射などを行う。フリットペーストには、上記ガラスフリ
ットと、有機溶媒で希釈した樹脂（バインダとも呼ぶ）とが含まれる。また、ガラスフリ
ットにレーザ光の波長の光を吸収する吸収剤を添加したものを用いても良い。また、レー
ザとして、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザや半導体レーザなどを用いることが好ましい。ま
た、レーザ照射の際のレーザの照射形状は、円形でも四角形でもよい。
また、上述の樹脂を含む材料としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリ
アミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アク
リル樹脂、エポキシ樹脂、もしくはシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を用いること
ができる。
なお、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９のいずれか一方または双方
にガラスを含む材料を用いる場合、当該ガラスを含む材料と、基板３００１との熱膨張率
が近いことが好ましい。上記構成とすることで、熱応力によりガラスを含む材料または基
板３００１にクラックが入るのを抑制することができる。
例えば、第１の封止領域３００７にガラスを含む材料を用い、第２の封止領域３００９
に樹脂を含む材料を用いる場合、以下の優れた効果を有する。
第２の封止領域３００９は、第１の封止領域３００７よりも、発光装置３０００の外周
部に近い側に設けられる。発光装置３０００は、外周部に向かうにつれ、外力等による歪
みが大きくなる。よって、歪みが大きくなる発光装置３０００の外周部側、すなわち第２
の封止領域３００９に、樹脂を含む材料によって封止し、第２の封止領域３００９よりも
内側に設けられる第１の封止領域３００７にガラスを含む材料を用いて封止することで、
外力等の歪みが生じても発光装置３０００が壊れにくくなる。
また、図２７（Ｂ）に示すように、基板３００１、基板３００３、第１の封止領域３０
０７、及び第２の封止領域３００９に囲まれた領域は、第１の領域３０１１となる。また
、基板３００１、基板３００３、発光素子３００５、及び第１の封止領域３００７に囲ま
れた領域は、第２の領域３０１３となる。
第１の領域３０１１及び第２の領域３０１３としては、例えば、希ガスまたは窒素ガス
等の不活性ガスが充填されていると好ましい。なお、第１の領域３０１１及び第２の領域
３０１３としては、大気圧状態よりも減圧状態であると好ましい。
また、図２７（Ｂ）に示す構成の変形例を図２７（Ｃ）に示す。図２７（Ｃ）は、発光
装置３０００の変形例を示す断面図である。
図２７（Ｃ）は、基板３００３の一部に凹部を設け、該凹部に乾燥剤３０１８を設ける
構成である。それ以外の構成については、図２７（Ｂ）に示す構成と同じである。
乾燥剤３０１８としては、化学吸着によって水分等を吸着する物質、または物理吸着に
よって水分等を吸着する物質を用いることができる。例えば、乾燥剤３０１８として用い
ることができる物質としては、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物（酸化
カルシウムや酸化バリウム等）、硫酸塩、金属ハロゲン化物、過塩素酸塩、ゼオライト、
シリカゲル等が挙げられる。
次に、図２７（Ｂ）に示す発光装置３０００の変形例について、図２８（Ａ）（Ｂ）（
Ｃ）（Ｄ）を用いて説明する。なお、図２８（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）は、図２７（Ｂ）
に示す発光装置３０００の変形例を説明する断面図である。
図２８（Ａ）に示す発光装置は、第２の封止領域３００９を設けずに、第１の封止領域
３００７とした構成である。また、図２８（Ａ）に示す発光装置は、図２７（Ｂ）に示す
第２の領域３０１３の代わりに領域３０１４を有する。
領域３０１４としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロ
ン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポ
キシ樹脂、もしくはシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を用いることができる。
領域３０１４として、上述の材料を用いることで、いわゆる固体封止の発光装置とする
ことができる。
また、図２８（Ｂ）に示す発光装置は、図２８（Ａ）に示す発光装置の基板３００１側
に、基板３０１５を設ける構成である。
基板３０１５は、図２８（Ｂ）に示すように凹凸を有する。凹凸を有する基板３０１５
を、発光素子３００５の光を取り出す側に設ける構成とすることで、発光素子３００５か
らの光の取出し効率を向上させることができる。なお、図２８（Ｂ）に示すような凹凸を
有する構造の代わりに、拡散板として機能する基板を設けてもよい。
また、図２８（Ｃ）に示す発光装置は、図２８（Ａ）に示す発光装置が基板３００１側
から光を取り出す構造であったのに対し、基板３００３側から光を取り出す構造である。
図２８（Ｃ）に示す発光装置は、基板３００３側に基板３０１５を有する。それ以外の
構成は、図２８（Ｂ）に示す発光装置と同様である。
また、図２８（Ｄ）に示す発光装置は、図２８（Ｃ）に示す発光装置の基板３００３、
３０１５を設けずに、基板３０１６を設ける構成である。
基板３０１６は、発光素子３００５の近い側に位置する第１の凹凸と、発光素子３００
５の遠い側に位置する第２の凹凸と、を有する。図２８（Ｄ）に示す構成とすることで、
発光素子３００５からの光の取出し効率をさらに、向上させることができる。
したがって、本実施の形態に示す構成を実施することにより、水分や酸素などの不純物
による発光素子の劣化が抑制された発光装置を実現することができる。または、本実施の
形態に示す構成を実施することにより、光取出し効率の高い発光装置を実現することがで
きる。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態、または実施例に示す構成と適宜組
み合わせることができる。
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を様々な照明装置及び電子機器に適用す
る一例について、図２９を用いて説明する。
本発明の一態様の発光装置を、可撓性を有する基板上に作製することで、曲面を有する
発光領域を有する電子機器、照明装置を実現することができる。
また、本発明の一態様を適用した発光装置は、自動車の照明にも適用することができ、
例えば、ダッシュボードや、フロントガラス、天井等に照明を設置することもできる。
図２９（Ａ）は、多機能端末３５００の一方の面の斜視図を示し、図２９（Ｂ）は、多
機能端末３５００の他方の面の斜視図を示している。多機能端末３５００は、筐体３５０
２に表示部３５０４、カメラ３５０６、照明３５０８等が組み込まれている。本発明の一
態様の発光装置を照明３５０８に用いることができる。
照明３５０８は、本発明の一態様の発光装置を用いることで、面光源として機能する。
したがって、ＬＥＤに代表される点光源と異なり、指向性が少ない発光が得られる。例え
ば、照明３５０８とカメラ３５０６とを組み合わせて用いる場合、照明３５０８を点灯ま
たは点滅させて、カメラ３５０６により撮像することができる。照明３５０８としては、
面光源としての機能を有するため、自然光の下で撮影したような写真を撮影することがで
きる。
なお、図２９（Ａ）、（Ｂ）に示す多機能端末３５００は、図２６（Ａ）乃至図２６（
Ｇ）に示す電子機器と同様に、様々な機能を有することができる。
また、筐体３５０２の内部に、スピーカ、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角
速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、
電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含む
もの）、マイクロフォン等を有することができる。また、多機能端末３５００の内部に、
ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、多
機能端末３５００の向き（縦か横か）を判断して、表示部３５０４の画面表示を自動的に
切り替えるようにすることができる。
表示部３５０４は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部３
５０４に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。
また、表示部３５０４に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシ
ング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。なお、表示部３５
０４に本発明の一態様の発光装置を適用してもよい。
図２９（Ｃ）は、防犯用のライト３６００の斜視図を示している。ライト３６００は、
筐体３６０２の外側に照明３６０８を有し、筐体３６０２には、スピーカ３６１０等が組
み込まれている。本発明の一態様の発光装置を照明３６０８に用いることができる。
ライト３６００としては、例えば、照明３６０８を握持する、掴持する、または保持す
ることで発光することができる。また、筐体３６０２の内部には、ライト３６００からの
発光方法を制御できる電子回路を備えていてもよい。該電子回路としては、例えば、１回
または間欠的に複数回、発光が可能なような回路としてもよいし、発光の電流値を制御す
ることで発光の光量が調整可能なような回路としてもよい。また、照明３６０８の発光と
同時に、スピーカ３６１０から大音量の警報音が出力されるような回路を組み込んでもよ
い。
ライト３６００としては、あらゆる方向に発光することが可能なため、例えば、暴漢等
に向けて光、または光と音で威嚇することができる。また、ライト３６００にデジタルス
チルカメラ等のカメラ、撮影機能を有する機能を備えてもよい。
以上のようにして、本発明の一態様の発光装置を適用して照明装置及び電子機器を得る
ことができる。なお、適用できる照明装置及び電子機器は、本実施の形態に示したものに
限らず、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態、または実施例に示す構成と適宜組
み合わせて用いることができる。
本実施例では、本発明の一態様である発光素子の作製例を示す。本実施例で作製する発
光素子（発光素子１乃至発光素子４）の断面模式図を図３０に、素子構造の詳細を表１及
び表２に、使用した化合物の構造と略称を以下に示す。
＜１−１．発光素子１乃至発光素子４の作製方法＞
まず、基板５０２上に下部電極５０４として、銀（Ａｇ）とパラジウム（Ｐｄ）と銅（
Ｃｕ）の合金膜（略称：ＡＰＣ）をスパッタリング法により成膜した。なお、下部電極５
０４の膜厚を１００ｎｍとし、下部電極５０４の面積を４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ）とし
た。
次に、下部電極５０４上に、透明導電層５３０として、酸化シリコンを含むインジウム
錫酸化物（略称：ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により成膜した。なお、発光素子１の透
明導電層５３０の膜厚を１５０ｎｍとし、発光素子２の透明導電層５３０の膜厚を１１０
ｎｍとし、発光素子３の透明導電層５３０の膜厚を３０ｎｍとし、発光素子４の透明導電
層５３０の膜厚を１１０ｎｍとした。
次に、有機化合物層の蒸着前の前処理として、下部電極５０４及び透明導電層５３０が
形成された基板５０２の透明導電層５３０側を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後
、透明導電層５３０の表面に対し、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板５０２を導入し、
真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で６０分間の真空焼成を行った後、基板５０
２を３０分程度放冷した。
次に、透明導電層５３０が形成された面が下方となるように、基板５０２を真空蒸着装
置内に設けられたホルダーに固定した。本実施例では、真空蒸着法により、正孔注入層５
３１、正孔輸送層５３２、第１の発光層５０６、電子輸送層５３３、電荷発生層５０８（
１）、５０８（２）、正孔注入層５３４、正孔輸送層５３５、第２の発光層５１０、電子
輸送層５３６、電子注入層５３７（１）、５３７（２）、上部電極５１２（１）、５１２
（２）を順次形成した。詳細な作製方法を以下に記す。
まず、真空蒸着装置内を１０−４Ｐａに減圧した後、透明導電層５３０上に、正孔注入
層５３１として、１，３，５−トリ（ジベンゾチオフェン−４−イル）ベンゼン（略称：
ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）と酸化モリブデンとを、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：酸化モリブデン＝２：１
（重量比）となるように共蒸着した。なお、発光素子１の第１の正孔注入層５３１の膜厚
を１５ｎｍとし、発光素子２の正孔注入層５３１の膜厚を２０ｎｍとし、発光素子３の正
孔注入層５３１の膜厚を５０ｎｍとし、発光素子４の正孔注入層５３１の膜厚を３５ｎｍ
とした。
次に、正孔注入層５３１上に正孔輸送層５３２を形成した。正孔輸送層５３２としては
、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略
称：ＢＰＡＦＬＰ）を蒸着した。なお、正孔輸送層５３２の膜厚を１０ｎｍとした。
次に、正孔輸送層５３２上に第１の発光層５０６を形成した。第１の発光層５０６とし
て、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［
ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）と、Ｎ−（１，１’−ビフ
ェニル−４−イル）−９，９−ジメチル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾー
ル−３−イル）フェニル］−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）と、
（アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニル
ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（別名：ビス｛２−［５−メチル−６−（２−メチ
ルフェニル）−４−ピリミジニル−κＮ３］フェニル−κＣ｝（２，４−ペンタンジオナ
ト−κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ））（略称：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ
））とを、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃ
ａｃ）＝０．８：０．２：０．０６（重量比）となるよう共蒸着した。なお、第１の発光
層５０６の膜厚を３０ｎｍとした。なお、第１の発光層５０６において、２ｍＤＢＴＢＰ
ＤＢｑ−ＩＩがホスト材料であり、ＰＣＢＢｉＦがアシスト材料であり、Ｉｒ（ｍｐｍｐ
ｐｍ）２（ａｃａｃ）が燐光材料（ゲスト材料）である。
次に、第１の発光層５０６上に電子輸送層５３３として、バソフェナントロリン（略称
：Ｂｐｈｅｎ）を蒸着した。なお、電子輸送層５３３の膜厚を１０ｎｍとした。
次に、電子輸送層５３３上に電荷発生層５０８（１）として、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ
）を蒸着した。なお、電荷発生層５０８（１）の膜厚を０．１ｎｍとした。次に、電荷発
生層５０８（１）上に電荷発生層５０８（２）として、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称
：ＣｕＰｃ）を蒸着した。なお、電荷発生層５０８（２）の膜厚を２ｎｍとした。
次に、電荷発生層５０８（２）上に正孔注入層５３４として、３−［４−（９−フェナ
ントリル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＰｎ）と酸
化モリブデンとを、ＰＣＰＰｎ：酸化モリブデン＝２：１（重量比）となるように共蒸着
した。なお、正孔注入層５３４の膜厚を５ｎｍとした。
次に、正孔注入層５３４上に正孔輸送層５３５として、ＰＣＰＰｎを蒸着した。なお、
発光素子１、発光素子３、及び発光素子４の正孔輸送層５３５の膜厚を５ｎｍとし、発光
素子２の正孔輸送層５３５の膜厚を１０ｎｍとした。
次に、正孔輸送層５３５上に第２の発光層５１０として、７−［４−（１０−フェニル
−９−アントリル）フェニル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤ
ＢＣｚＰＡ）と、Ｎ，Ｎ’−（ピレン−１，６−ジイル）ビス［（６，Ｎ−ジフェニルベ
ンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−８−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ
−０３）とを、ｃｇＤＢＣｚＰＡ：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３＝１：０．０３（重量比
）となるように共蒸着した。また、第２の発光層５１０の膜厚を２５ｎｍとした。なお、
第２の発光層５１０において、ｃｇＤＢＣｚＰＡがホスト材料であり、１，６ＢｎｆＡＰ
ｒｎ−０３が蛍光材料（ゲスト材料）である。
次に、第２の発光層５１０上に電子輸送層５３６として、ｃｇＤＢＣｚＰＡを蒸着した
。なお、電子輸送層５３６の膜厚を５ｎｍとした。
次に、電子輸送層５３６上に電子注入層５３７（１）として、Ｂｐｈｅｎを蒸着した。
なお、電子注入層５３７（１）の膜厚を１０ｎｍとした。次に、電子注入層５３７（１）
上に電子注入層５３７（２）として、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を蒸着した。なお、電子
注入層５３７（２）の膜厚を１ｎｍとした。
次に、電子注入層５３７（２）上に上部電極５１２（１）として、銀（Ａｇ）とマグネ
シウム（Ｍｇ）とを１：０．１（体積比）で共蒸着した。なお、上部電極５１２（１）の
膜厚を１５ｎｍとした。次に、上部電極５１２（１）上に上部電極５１２（２）として、
インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）をスパッタリング法により形成した。なお、上部電極５１
２（２）の膜厚を７０ｎｍとした。
次に、封止基板５５２を準備した。なお、図３０、表１、及び表２に示すように、発光
素子１の封止基板５５２には、着色層５５６として、赤色（Ｒ）のカラーフィルタを形成
し、発光素子２の封止基板５５２には、着色層５５６として、緑色（Ｇ）のカラーフィル
タを形成し、発光素子３の封止基板５５２には、着色層５５６として、青色（Ｂ）のカラ
ーフィルタを形成し、発光素子４の封止基板５５２には、着色層５５６として、黄色（Ｙ
）のカラーフィルタを形成した。
上記により作製した基板５０２上の発光素子と、封止基板５５２とを大気に曝されない
ように窒素雰囲気のグローブボックス内において貼り合わせることにより封止した（シー
ル材を素子の周囲に塗布し、シール材に３６５ｎｍの紫外光を６Ｊ／ｃｍ２照射し、その
後８０℃にて１時間熱処理した）。
以上の工程により、発光素子１乃至発光素子４を作製した。
なお、上述の発光素子１乃至発光素子４の蒸着過程において、蒸着方法としては抵抗加
熱法を用いた。
＜１−２．発光素子１乃至発光素子４の特性＞
発光素子１乃至発光素子４の輝度−電流密度特性を図３１（Ａ）に示す。また、発光素
子１乃至発光素子４の輝度−電圧特性を図３１（Ｂ）に示す。また、発光素子１乃至発光
素子４の電流効率−輝度特性を図３２（Ａ）に示す。なお、各発光素子の測定を室温（２
５℃に保たれた雰囲気）で行った。
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における、発光素子１乃至発光素子４の素子特性を表３
に示す。
また、発光素子１乃至発光素子４に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の
発光スペクトルを図３２（Ｂ）に示す。図３２（Ｂ）に示す通り、発光素子１は、赤色の
波長帯域に発光スペクトルピークを有し、発光素子２は、緑色の波長帯域に発光スペクト
ルピークを有し、発光素子３は、青色の波長帯域に発光スペクトルピークを有し、発光素
子４は、黄色の波長帯域に発光スペクトルのピークを有する。したがって、発光素子１乃
至発光素子４を組み合わせて用いることで、フルカラー化の発光装置を実現できることが
分かる。
また、発光素子１、発光素子２、及び発光素子４においては、上部電極５１２の下面と
第１の発光層５０６の下面との間の距離は、９３．１ｎｍであり、発光素子３においては
、上部電極５１２の下面と第１の発光層５０６の下面との間の距離は９８．１ｎｍであっ
た。また、発光素子３においては、上部電極５１２の下面と第２の発光層５１０の下面と
の間の距離は４１ｎｍであった。
また、発光素子１、発光素子２、及び発光素子４においては、第１の発光層５０６の上
面と第２の発光層５１０の下面との間の距離、すなわち電子輸送層５３３、電荷発生層５
０８（１）、５０８（２）、正孔注入層５３４、及び正孔輸送層５３５の合計の膜厚は２
２．１ｎｍであった。また、発光素子３においては、第１の発光層５０６の上面と第２の
発光層５１０の下面との間の距離、すなわち電子輸送層５３３、電荷発生層５０８（１）
、５０８（２）、正孔注入層５３４、及び正孔輸送層５３５の合計の膜厚は２７．１ｎｍ
であった。したがって、本発明の一態様の発光素子１乃至発光素子４は、第１の発光層５
０６の上面と第２の発光層５１０の下面との間の距離は、４０ｎｍ以下であった。
以上のように、発光素子１乃至発光素子４の上部電極５１２の下面と第１の発光層５０
６の下面との間の距離が１３０ｎｍ以下とすることで、表３、図３１（Ａ）（Ｂ）、及び
図３２（Ａ）（Ｂ）に示す通り、発光素子１乃至発光素子４から高効率の素子特性が得ら
れ、且つ所望の波長帯域の発光が得られた。
以上、本実施例に示す構成は、他の実施例または実施の形態に示す構成と適宜組み合わ
せて用いる事ができる。
本実施例では、本発明の一態様である発光素子の作製例を示す。本実施例で作製する発
光素子（発光素子５乃至発光素子９）の断面模式図を図３０に、素子構造の詳細を表４乃
至表６に、それぞれ示す。なお、使用した化合物としては、実施例１と同じとした。
＜２−１．発光素子５乃至発光素子９の作製方法＞
まず、基板５０２上に下部電極５０４として、ＡＰＣをスパッタリング法により成膜し
た。なお、下部電極５０４の膜厚を１００ｎｍとし、下部電極５０４の面積を４ｍｍ２（
２ｍｍ×２ｍｍ）とした。
次に、下部電極５０４上に、透明導電層５３０として、ＩＴＳＯをスパッタリング法に
より成膜した。なお、発光素子５の透明導電層５３０の膜厚を１５０ｎｍとし、発光素子
６、発光素子８、及び発光素子９の透明導電層５３０の膜厚を１１０ｎｍとし、発光素子
７の透明導電層５３０の膜厚を４５ｎｍとした。
次に、有機化合物層の蒸着前の前処理として、下部電極５０４及び透明導電層５３０が
形成された基板５０２の透明導電層５３０側を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後
、透明導電層５３０の表面に対し、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板５０２を導入し、
真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で６０分間の真空焼成を行った後、基板５０
２を３０分程度放冷した。
次に、透明導電層５３０が形成された面が下方となるように、基板５０２を真空蒸着装
置内に設けられたホルダーに固定した。本実施例では、真空蒸着法により、正孔注入層５
３１、正孔輸送層５３２、第１の発光層５０６、電子輸送層５３３、電荷発生層５０８（
１）、５０８（２）、正孔注入層５３４、正孔輸送層５３５、第２の発光層５１０、電子
輸送層５３６、電子注入層５３７（１）、５３７（２）、上部電極５１２（１）、５１２
（２）を順次形成した。詳細な作製方法を以下に記す。
まず、真空装置内を１０−４Ｐａに減圧した後、透明導電層５３０上に、正孔注入層５
３１として、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩと酸化モリブデンとを、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：酸化モリブデ
ン＝２：１（重量比）となるように共蒸着した。なお、発光素子５の第１の正孔注入層５
３１の膜厚を１５ｎｍとし、発光素子６の正孔注入層５３１の膜厚を２０ｎｍとし、発光
素子７の正孔注入層５３１の膜厚を３０ｎｍとし、発光素子８及び発光素子９の正孔注入
層５３１の膜厚を３５ｎｍとした。
次に、正孔注入層５３１上に正孔輸送層５３２を形成した。正孔輸送層５３２としては
、ＢＰＡＦＬＰを蒸着した。なお、正孔輸送層５３２の膜厚を１０ｎｍとした。
次に、正孔輸送層５３２上に第１の発光層５０６を形成した。第１の発光層５０６とし
ては、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、ＰＣＢＢｉＦと、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃ
ａｃ）とを、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａ
ｃａｃ）＝０．９：０．１：０．０６（重量比）となるよう共蒸着した。なお、第１の発
光層５０６の膜厚を３０ｎｍとした。なお、第１の発光層５０６において、２ｍＤＢＴＢ
ＰＤＢｑ−ＩＩがホスト材料であり、ＰＣＢＢｉＦがアシスト材料であり、Ｉｒ（ｍｐｍ
ｐｐｍ）２（ａｃａｃ）が燐光材料（ゲスト材料）である。
次に、第１の発光層５０６上に電子輸送層５３３として、Ｂｐｈｅｎを蒸着した。なお
、電子輸送層５３３の膜厚を９ｎｍとした。
次に、電子輸送層５３３上に電荷発生層５０８（１）として、Ｌｉ２Ｏを蒸着した。な
お、電荷発生層５０８（１）の膜厚を０．１ｎｍとした。次に、電荷発生層５０８（１）
上に電荷発生層５０８（２）として、ＣｕＰｃを蒸着した。なお、電荷発生層５０８（２
）の膜厚を２ｎｍとした。
次に、電荷発生層５０８（２）上に正孔注入層５３４として、ＰＣＰＰｎと酸化モリブ
デンとを、ＰＣＰＰｎ：酸化モリブデン＝２：１（重量比）となるように共蒸着した。な
お、正孔注入層５３４の膜厚を５ｎｍとした。
次に、正孔注入層５３４上に正孔輸送層５３５として、ＰＣＰＰｎを蒸着した。なお、
正孔輸送層５３５の膜厚を７．５ｎｍとした。
次に、正孔輸送層５３５上に第２の発光層５１０として、ｃｇＤＢＣｚＰＡと、１，６
ＢｎｆＡＰｒｎ−０３とを、ｃｇＤＢＣｚＰＡ：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３＝１：０．
０３（重量比）となるように共蒸着した。また、第２の発光層５１０の膜厚を２５ｎｍと
した。なお、第２の発光層５１０において、ｃｇＤＢＣｚＰＡがホスト材料であり、１，
６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３が蛍光材料（ゲスト材料）である。
次に、第２の発光層５１０上に電子輸送層５３６として、ｃｇＤＢＣｚＰＡを蒸着した
。なお、電子輸送層５３６の膜厚を５ｎｍとした。
次に、電子輸送層５３６上に電子注入層５３７（１）として、Ｂｐｈｅｎを蒸着した。
なお、電子注入層５３７（１）の膜厚を９ｎｍとした。次に、電子注入層５３７（１）上
に電子注入層５３７（２）として、ＬｉＦを蒸着した。なお、電子注入層５３７（２）の
膜厚を１ｎｍとした。
次に、電子注入層５３７（２）上に上部電極５１２（１）として、ＡｇとＭｇとを１：
０．１（体積比）で共蒸着した。なお、上部電極５１２（１）の膜厚を１５ｎｍとした。
次に、上部電極５１２（１）上に上部電極５１２（２）として、ＩＴＯをスパッタリング
法により形成した。なお、上部電極５１２（２）の膜厚を７０ｎｍとした。
次に、封止基板５５２を準備した。また、発光素子５の封止基板５５２には、着色層５
５６として、赤色（Ｒ）のカラーフィルタを形成し、発光素子６の封止基板５５２には、
着色層５５６として、緑色（Ｇ）のカラーフィルタを形成し、発光素子７の封止基板５５
２には、着色層５５６として、青色（Ｂ）のカラーフィルタを形成し、発光素子８の封止
基板５５２には、着色層５５６として、黄色（Ｙ）のカラーフィルタを形成した。なお、
発光素子９の封止基板５５２には、着色層５５６を設けない構成とした。
上記により作製した基板５０２上の発光素子と、封止基板５５２とを大気に曝されない
ように窒素雰囲気のグローブボックス内において貼り合わせることにより封止した。なお
、封止方法としては、実施例１と同じとした。
以上の工程により、発光素子５乃至発光素子９を作製した。
なお、上述の発光素子５乃至発光素子９の蒸着過程において、蒸着方法としては抵抗加
熱法を用いた。
＜２−２．発光素子５乃至発光素子９の特性＞
発光素子５乃至発光素子９の輝度−電流密度特性を図３３（Ａ）に示す。また、発光素
子５乃至発光素子９の輝度−電圧特性を図３３（Ｂ）に示す。また、発光素子５乃至発光
素子９の電流効率−輝度特性を図３４（Ａ）に示す。なお、各発光素子の測定を室温（２
５℃に保たれた雰囲気）で行った。
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における、発光素子５乃至発光素子９の素子特性を表７
に示す。
また、発光素子５乃至発光素子９に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の
発光スペクトルを図３４（Ｂ）に示す。図３４（Ｂ）に示す通り、発光素子５は、赤色の
波長帯域に発光スペクトルピークを有し、発光素子６は、緑色の波長帯域に発光スペクト
ルピークを有し、発光素子７は、青色の波長帯域に発光スペクトルピークを有し、発光素
子８及び発光素子９は、黄色の波長帯域に発光スペクトルのピークを有する。したがって
、発光素子５乃至発光素子９を組み合わせて用いることで、フルカラー化の発光装置を実
現できる。
また、発光素子５乃至発光素子９において、上部電極５１２の下面と第１の発光層５０
６の下面との間の距離は、９３．６ｎｍであった。また、発光素子７においては、上部電
極５１２の下面と第２の発光層５１０の下面との間の距離は４０ｎｍであった。
また、発光素子５乃至発光素子９においては、第１の発光層５０６の上面と第２の発光
層５１０の下面との間の距離、すなわち電子輸送層５３３、電荷発生層５０８（１）、５
０８（２）、正孔注入層５３４、及び正孔輸送層５３５の合計の膜厚は２３．６ｎｍであ
った。したがって、本発明の一態様の発光素子５乃至発光素子９は、第１の発光層５０６
の上面と第２の発光層５１０の下面との間の距離は、４０ｎｍ以下であった。
以上のように、発光素子５乃至発光素子９の上部電極５１２の下面と第１の発光層５０
６の下面との間の距離が１３０ｎｍ以下とすることで、表７、図３３（Ａ）（Ｂ）、及び
図３４（Ａ）（Ｂ）に示す通り、発光素子５乃至発光素子９から高効率の素子特性が得ら
れ、且つ所望の波長帯域の発光が得られた。
以上、本実施例に示す構成は、他の実施例または実施の形態に示す構成と適宜組み合わ
せて用いる事ができる。
（参考例）
以下では、先の実施例で用いた有機化合物、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３の合成方法に
ついて説明する。なお、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３の構造を以下に示す。
＜ステップ１：６−ヨードベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フランの合成＞
５００ｍＬ三口フラスコに、８．５ｇ（３９ｍｍｏｌ）のベンゾ［ｂ］ナフト［１，２
−ｄ］フランを加え、フラスコ内を窒素置換した後、１９５ｍＬのテトラヒドロフラン（
ＴＨＦ）を加えた。この溶液を−７５℃に冷却してから、この溶液に２５ｍＬ（４０ｍｍ
ｏｌ）のｎ−ブチルリチウム（１．５９ｍｏｌ／Ｌ ｎ−ヘキサン溶液）を滴下して加え
た。滴下後、得られた溶液を室温で１時間攪拌した。
所定時間経過後、この溶液を−７５℃に冷却してから、ヨウ素１０ｇ（４０ｍｍｏｌ）
をＴＨＦ４０ｍＬに溶かした溶液を滴下して加えた。滴下後、得られた溶液を室温に戻し
ながら１７時間攪拌した。所定時間経過後、この混合物にチオ硫酸ナトリウム水溶液を加
え、１時間攪拌した後、この混合物の有機層を水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムに
より乾燥した。乾燥後、この混合物を自然濾過し、得られた溶液をセライト（和光純薬工
業株式会社、カタログ番号：５３１−１６８５５）、フロリジール（和光純薬工業株式会
社、カタログ番号：５４０−００１３５）を通して吸引濾過した。得られた濾液を濃縮し
て得た固体を、トルエンにて再結晶を行ったところ、目的の白色粉末を収量６．０ｇ（１
８ｍｍｏｌ）、収率４５％で得た。ステップ１の合成スキームを下記（ａ−１）に示す。
＜ステップ２：．６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フランの合成＞
２００ｍＬ三口フラスコに、６．０ｇ（１８ｍｍｏｌ）の６−ヨードベンゾ［ｂ］ナフ
ト［１，２−ｄ］フランと、２．４ｇ（１９ｍｍｏｌ）のフェニルボロン酸と、７０ｍＬ
のトルエンと、２０ｍＬのエタノールと、２２ｍＬの炭酸カリウム水溶液（２．０ｍｏｌ
／Ｌ）を入れた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気をした。脱気後フラスコ
内を窒素下としてから、４８０ｍｇ（０．４２ｍｍｏｌ）のテトラキス（トリフェニルホ
スフィン）パラジウム（０）を加えた。この混合物を窒素気流下、９０℃で１２時間攪拌
した。
所定時間経過後、この混合物に水を加え、水層をトルエンにより抽出した。得られた抽
出液と有機層を合わせて、水で洗浄後、硫酸マグネシウムにより乾燥した。この混合物を
自然濾過し、得られた濾液を濃縮して得た固体を、トルエンに溶かした。得られた溶液を
セライト（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５３１−１６８５５）、フロリジール
（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５４０−００１３５）、アルミナを通して吸引
濾過した。得られたろ液を濃縮して得た固体を、トルエンにより再結晶を行ったところ、
目的の白色固体を収量４．９ｇ（１７ｍｍｏｌ）、収率９３％で得た。ステップ２の合成
スキームを下記（ａ−２）に示す。
＜ステップ３：８−ヨード−６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フランの合
成＞
３００ｍＬ三口フラスコに、４．９ｇ（１７ｍｍｏｌ）の６−フェニルベンゾ［ｂ］ナ
フト［１，２−ｄ］フランを加え、フラスコ内を窒素置換した後、８７ｍＬのテトラヒド
ロフラン（ＴＨＦ）を加えた。この溶液を−７５℃に冷却してから、この溶液に１１ｍＬ
（１８ｍｍｏｌ）のｎ−ブチルリチウム（１．５９ｍｏｌ／Ｌ ｎ−ヘキサン溶液）を滴
下して加えた。滴下後、得られた溶液を室温で１時間攪拌した。所定時間経過後、この溶
液を−７５℃に冷却してから、ヨウ素４．６ｇ（１８ｍｍｏｌ）をＴＨＦ１８ｍＬに溶か
した溶液を滴下して加えた。
得られた溶液を室温に戻しながら１７時間攪拌した。所定時間経過後、この混合物にチ
オ硫酸ナトリウム水溶液を加え、１時間攪拌した後、この混合物の有機層を水で洗浄し、
有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥した。この混合物を自然濾過して得られたろ液をセ
ライト（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５３１−１６８５５）、フロリジール（
和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５４０−００１３５）、アルミナを通して吸引濾
過した。得られたろ液を濃縮して得た固体を、トルエンにより再結晶を行ったところ、目
的の白色固体を収量３．７ｇ（８．８ｍｍｏｌ）、収率５３％で得た。ステップ３の合成
スキームを下記（ａ−３）に示す。
＜ステップ４：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３の合成＞
１００ｍＬ三口フラスコに、０．７１ｇ（２．０ｍｍｏｌ）の１，６−ジブロモピレン
と、１．０ｇ（１０．４ｍｍｏｌ）のナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシドと、トルエン１０
ｍＬと、０．３６ｍＬ（４．０ｍｍｏｌ）のアニリンと、０．３ｍＬのトリ（ｔｅｒｔ−
ブチル）ホスフィンの１０ｗｔ％ヘキサン溶液を加え、フラスコ内を窒素置換した。この
混合物に５０ｍｇ（８５μｍｏｌ）のビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）
を加え、８０℃で２時間攪拌した。
所定時間経過後、得られた混合物に、１．７ｇ（４．０ｍｍｏｌ）の８−ヨード−６−
フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フランと、１８０ｍｇ（０．４４ｍｍｏｌ）
の２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’、６’−ジメトキシビフェニル（略称Ｓ−Ｐｈ
ｏｓ）と、５０ｍｇ（８５μｍｏｌ）のビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０
）を加え、この混合物を１００℃で１５時間攪拌した。所定時間経過後、得られた混合物
をセライト（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５３１−１６８５５）を通してろ過
した。得られたろ液を濃縮して得た固体を、エタノールで洗浄し、トルエンにて再結晶を
行ったところ、目的の黄色固体を１．３８ｇ（１．４ｍｍｏｌ）、収率７１％で得た。
得られた黄色固体１．３７ｇ（１．４ｍｍｏｌ）をトレインサブリメーション法により
昇華精製した。昇華精製は、アルゴン流量１０ｍＬ／ｍｉｎ、圧力２．３Ｐａの条件で黄
色固体を３７０℃で加熱して行った。昇華精製後、黄色固体を０．６８ｇ（０．７０ｍｍ
ｏｌ）、５０％の回収率で得た。ステップ４の合成スキームを下記（ａ−４）に示す。
なお、上記ステップ４で得られた黄色固体の核磁気共鳴分光法（１Ｈ ＮＭＲ）による
分析結果を下記に示す。
１Ｈ ＮＭＲ（ジクロロメタン−ｄ２、５００ＭＨｚ）：δ＝６．８８（ｔ、Ｊ＝７．
７Ｈｚ、４Ｈ）、７．０３−７．０６（ｍ、６Ｈ）、７．１１（ｔ、Ｊ＝７．５Ｈｚ、２
Ｈ）、７．１３（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）、７．２８−７．３２（ｍ、８Ｈ）、７．
３７（ｔ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）、７．５９（ｔ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、２Ｈ）、７．７５
（ｔ、Ｊ＝７．７Ｈｚ、２Ｈ）、７．８４（ｄ、Ｊ＝９．０Ｈｚ、２Ｈ）、７．８８（ｄ
、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）、８．０１（ｓ、２Ｈ）、８．０７（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、４
Ｈ）、８．１４（ｄ、Ｊ＝９．０Ｈｚ、２Ｈ）、８．２１（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）
、８．６９（ｄ、Ｊ＝８．５Ｈｚ、２Ｈ）．
１００ 発光素子
１０１Ｂ 発光素子
１０１Ｇ 発光素子
１０１Ｒ 発光素子
１０１Ｙ 発光素子
１０２ 基板
１０４ 下部電極
１０４Ｂ 下部電極
１０４Ｇ 下部電極
１０４Ｒ 下部電極
１０４Ｙ 下部電極
１０６ 発光層
１０６−１ 発光層
１０６−２ 発光層
１０６Ｂ 透明導電層
１０６Ｇ 透明導電層
１０６Ｒ 透明導電層
１０６Ｙ 透明導電層
１０８ 電荷発生層
１１０ 発光層
１１２ 上部電極
１１４ 上部電極
１３０ 透明導電層
１３０Ｂ 透明導電層
１３０Ｇ 透明導電層
１３０Ｒ 透明導電層
１３０Ｙ 透明導電層
１３１ 正孔注入層
１３２ 正孔輸送層
１３３ 電子輸送層
１３４ 正孔注入層
１３５ 正孔輸送層
１３６ 電子輸送層
１３７ 電子注入層
１４１ 隔壁
１５０ 発光装置
１５２ 基板
１５４ 遮光層
１５６Ｂ 光学素子
１５６Ｇ 光学素子
１５６Ｒ 光学素子
１５６Ｙ 光学素子
１６０ 発光装置
１７０ トランジスタ
１７２ ゲート電極
１７４ ゲート絶縁層
１７６ 半導体層
１７８ ソース電極
１８０ ドレイン電極
１８２ 絶縁層
１８４ 絶縁層
１８６ 絶縁層
３０１＿１ 配線
３０１＿５ 配線
３０１＿６ 配線
３０１＿７ 配線
３０２＿１ 配線
３０２＿２ 配線
３０３＿１ トランジスタ
３０３＿６ トランジスタ
３０３＿７ トランジスタ
３０４ 容量素子
３０４＿１ 容量素子
３０４＿２ 容量素子
３０５ 発光素子
３０６＿１ 配線
３０６＿３ 配線
３０７＿１ 配線
３０７＿３ 配線
３０８＿１ トランジスタ
３０８＿６ トランジスタ
３０９＿１ トランジスタ
３０９＿２ トランジスタ
３１１＿１ 配線
３１１＿３ 配線
３１２＿１ 配線
３１２＿２ 配線
５０２ 基板
５０４ 下部電極
５０６ 発光層
５０８ 電荷発生層
５１０ 発光層
５１２ 上部電極
５３０ 透明導電層
５３１ 正孔注入層
５３２ 正孔輸送層
５３３ 電子輸送層
５３４ 正孔注入層
５３５ 正孔輸送層
５３６ 電子輸送層
５３７ 電子注入層
５５２ 封止基板
５５６ 着色層
８０１ 画素回路
８０２ 画素部
８０４ 駆動回路部
８０４ａ ゲートドライバ
８０４ｂ ソースドライバ
８０６ 保護回路
８０７ 端子部
８５２ トランジスタ
８５４ トランジスタ
８６２ 容量素子
８７２ 発光素子
２０００ タッチパネル
２００１ タッチパネル
２５０１ 表示パネル
２５０２ 画素
２５０２ｔ トランジスタ
２５０３ｃ 容量素子
２５０３ｇ 走査線駆動回路
２５０３ｔ トランジスタ
２５０９ ＦＰＣ
２５１０ 基板
２５１０ａ 絶縁層
２５１０ｂ 可撓性基板
２５１０ｃ 接着層
２５１１ 配線
２５１９ 端子
２５２１ 絶縁層
２５２８ 隔壁
２５５０ 発光素子
２５６０ 封止層
２５６７ＢＭ 遮光層
２５６７ｐ 反射防止層
２５６７Ｒ 着色層
２５７０ 基板
２５７０ａ 絶縁層
２５７０ｂ 可撓性基板
２５７０ｃ 接着層
２５８０ 発光モジュール
２５９０ 基板
２５９１ 電極
２５９２ 電極
２５９３ 絶縁層
２５９４ 配線
２５９５ タッチセンサ
２５９７ 接着層
２５９８ 配線
２５９９ 接続層
２６０１ パルス電圧出力回路
２６０２ 電流検出回路
２６０３ 容量
２６１１ トランジスタ
２６１２ トランジスタ
２６１３ トランジスタ
２６２１ 電極
２６２２ 電極
３０００ 発光装置
３００１ 基板
３００３ 基板
３００５ 発光素子
３００７ 封止領域
３００９ 封止領域
３０１１ 領域
３０１３ 領域
３０１４ 領域
３０１５ 基板
３０１６ 基板
３０１８ 乾燥剤
３５００ 多機能端末
３５０２ 筐体
３５０４ 表示部
３５０６ カメラ
３５０８ 照明
３６００ ライト
３６０２ 筐体
３６０８ 照明
３６１０ スピーカ
８０００ 表示モジュール
８００１ 上部カバー
８００２ 下部カバー
８００３ ＦＰＣ
８００４ タッチセンサ
８００５ ＦＰＣ
８００６ 表示パネル
８００９ フレーム
８０１０ プリント基板
８０１１ バッテリ
９０００ 筐体
９００１ 表示部
９００３ スピーカ
９００５ 操作キー
９００６ 接続端子
９００７ センサ
９００８ マイクロフォン
９０５０ 操作ボタン
９０５１ 情報
９０５２ 情報
９０５３ 情報
９０５４ 情報
９０５５ ヒンジ
９１００ 携帯情報端末
９１０１ 携帯情報端末
９１０２ 携帯情報端末
９２００ 携帯情報端末
９２０１ 携帯情報端末

Claims (2)

  1. 青色を呈する第１の発光素子と、
    緑色を呈する第２の発光素子と、
    赤色を呈する第３の発光素子と、を有し、
    前記第１の発光素子は、
    反射性を有する第１の導電層と、
    上部電極と、
    前記第１の導電層と前記上部電極との間に配置された、透光性を有する第２の導電層、第１の発光層、及び第２の発光層と、を有し、
    前記第２の発光素子は、
    反射性を有する第３の導電層と、
    前記上部電極と、
    前記第３の導電層と前記上部電極との間に配置された、透光性を有する第４の導電層、前記第１の発光層、及び前記第２の発光層と、を有し、
    前記第３の発光素子は、
    反射性を有する第５の導電層と、
    前記上部電極と、
    前記第５の導電層と前記上部電極との間に配置された、透光性を有する第６の導電層、前記第１の発光層、及び前記第２の発光層と、を有し、
    前記第１の導電層の上面から前記第２の導電層の上面までの距離は、前記第３の導電層の上面から前記第４の導電層の上面までの距離よりも小さく、
    前記第３の導電層の上面から前記第４の導電層の上面までの距離は、前記第５の導電層の上面から前記第６の導電層の上面までの距離よりも小さく、
    前記第１の導電層の上面から前記上部電極の下面までの第１の距離は、前記第３の導電層の上面から前記上部電極の下面までの第２の距離よりも小さく、
    前記第２の距離は、前記第５の導電層の上面から前記上部電極の下面までの第３の距離よりも小さく、
    前記第１の距離と前記第２の距離との差は、前記第２の距離と前記第３の距離との差よりも大きい発光装置。
  2. 青色を呈する第１の発光素子と、
    緑色を呈する第２の発光素子と、
    赤色を呈する第３の発光素子と、
    隔壁と、を有し、
    前記第１の発光素子は、
    反射性を有する第１の導電層と、
    上部電極と、
    前記第１の導電層と前記上部電極との間に配置された、透光性を有する第２の導電層、第１の発光層、及び第２の発光層と、を有し、
    前記第２の発光素子は、
    反射性を有する第３の導電層と、
    前記上部電極と、
    前記第３の導電層と前記上部電極との間に配置された、透光性を有する第４の導電層、前記第１の発光層、及び前記第２の発光層と、を有し、
    前記第３の発光素子は、
    反射性を有する第５の導電層と、
    前記上部電極と、
    前記第５の導電層と前記上部電極との間に配置された、透光性を有する第６の導電層、前記第１の発光層、及び前記第２の発光層と、を有し、
    前記第２の導電層の上面及び前記第４の導電層の上面は、前記隔壁と接する領域を有し、
    前記第１の導電層の上面から前記第２の導電層の上面までの距離は、前記第３の導電層の上面から前記第４の導電層の上面までの距離よりも小さく、
    前記第３の導電層の上面から前記第４の導電層の上面までの距離は、前記第５の導電層の上面から前記第６の導電層の上面までの距離よりも小さく、
    前記第１の導電層の上面から前記上部電極の下面までの第１の距離は、前記第３の導電層の上面から前記上部電極の下面までの第２の距離よりも小さく、
    前記第２の距離は、前記第５の導電層の上面から前記上部電極の下面までの第３の距離よりも小さく、
    前記第１の距離と前記第２の距離との差は、前記第２の距離と前記第３の距離との差よりも大きい発光装置。
JP2019194000A 2014-10-24 2019-10-25 発光装置 Withdrawn JP2020013802A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021117622A JP2021166207A (ja) 2014-10-24 2021-07-16 発光素子
JP2023077304A JP2023090897A (ja) 2014-10-24 2023-05-09 発光装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014216876 2014-10-24
JP2014216876 2014-10-24

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015207671A Division JP2016085969A (ja) 2014-10-24 2015-10-22 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021117622A Division JP2021166207A (ja) 2014-10-24 2021-07-16 発光素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2020013802A true JP2020013802A (ja) 2020-01-23

Family

ID=55853631

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015207671A Withdrawn JP2016085969A (ja) 2014-10-24 2015-10-22 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
JP2019194000A Withdrawn JP2020013802A (ja) 2014-10-24 2019-10-25 発光装置
JP2021117622A Withdrawn JP2021166207A (ja) 2014-10-24 2021-07-16 発光素子
JP2023077304A Pending JP2023090897A (ja) 2014-10-24 2023-05-09 発光装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015207671A Withdrawn JP2016085969A (ja) 2014-10-24 2015-10-22 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021117622A Withdrawn JP2021166207A (ja) 2014-10-24 2021-07-16 発光素子
JP2023077304A Pending JP2023090897A (ja) 2014-10-24 2023-05-09 発光装置

Country Status (2)

Country Link
US (2) US9660220B2 (ja)
JP (4) JP2016085969A (ja)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6548359B2 (ja) * 2014-05-12 2019-07-24 キヤノン株式会社 有機発光素子
JP2016085968A (ja) 2014-10-24 2016-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
JP2016085969A (ja) * 2014-10-24 2016-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
CN105810844B (zh) * 2016-03-23 2018-05-29 武汉华星光电技术有限公司 Oled器件及其制作方法、柔性显示单元
KR102353663B1 (ko) 2016-05-20 2022-01-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
US9667034B1 (en) 2016-06-27 2017-05-30 Elwha Llc Enhanced photoluminescence
US9851618B1 (en) 2016-06-27 2017-12-26 Elwha Llc Enhanced photoluminescence
KR20180002505A (ko) 2016-06-29 2018-01-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자의 제작 방법
US10295927B2 (en) * 2016-09-13 2019-05-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Print head, image forming apparatus and light emitting device
US11555030B2 (en) * 2017-05-02 2023-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
CN108428986B (zh) * 2018-02-05 2021-04-09 国家纳米科学中心 一种悬空石墨烯传播等离激元波导器件及其制备方法
CN114975560A (zh) * 2018-05-09 2022-08-30 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
TW202036954A (zh) * 2018-12-28 2020-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置、照明裝置、顯示裝置、模組及電子機器
FR3092439B1 (fr) * 2019-02-06 2022-07-08 Microoled Dispositif d’affichage electroluminescent
CN111584597B (zh) * 2020-05-26 2021-10-15 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
KR20220068545A (ko) * 2020-11-19 2022-05-26 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
WO2024080196A1 (ja) * 2022-10-12 2024-04-18 ソニーグループ株式会社 表示装置及び電子機器

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004253389A (ja) * 2003-02-18 2004-09-09 Eastman Kodak Co 多色有機発光表示装置
JP2012182125A (ja) * 2011-02-11 2012-09-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2013058446A (ja) * 2011-09-09 2013-03-28 Canon Inc 表示装置
JP2013077383A (ja) * 2011-09-29 2013-04-25 Canon Inc 表示装置
JP2014154390A (ja) * 2013-02-08 2014-08-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2014183024A (ja) * 2013-03-21 2014-09-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及び電子機器
JP2016085969A (ja) * 2014-10-24 2016-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000228284A (ja) 1998-12-01 2000-08-15 Sanyo Electric Co Ltd カラーｅｌ表示装置
KR101187402B1 (ko) * 2004-05-21 2012-10-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 조명장치
US8633473B2 (en) 2004-12-28 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. High contrast light emitting device and method for manufacturing the same
JP4939809B2 (ja) 2005-01-21 2012-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP4797438B2 (ja) * 2005-05-17 2011-10-19 ソニー株式会社 有機電界発光素子および表示装置
US8729795B2 (en) * 2005-06-30 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
KR20070019495A (ko) 2005-08-12 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 백색 유기 발광 소자 및 그의 제조방법
US7741770B2 (en) * 2007-10-05 2010-06-22 Global Oled Technology Llc LED device having improved light output
JP4734368B2 (ja) * 2008-03-31 2011-07-27 株式会社 日立ディスプレイズ 有機発光表示装置
JP2011003522A (ja) * 2008-10-16 2011-01-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フレキシブル発光装置、電子機器及びフレキシブル発光装置の作製方法
TWI486097B (zh) * 2008-12-01 2015-05-21 Semiconductor Energy Lab 發光元件、發光裝置、照明裝置、及電子裝置
JP2010287484A (ja) * 2009-06-12 2010-12-24 Sony Corp 有機発光素子、並びにこれを備えた表示装置および照明装置
US8664647B2 (en) * 2009-07-23 2014-03-04 Kaneka Corporation Organic electroluminescent element
JP5657243B2 (ja) * 2009-09-14 2015-01-21 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド カラーフィルタ及び発光表示素子
KR101058109B1 (ko) * 2009-09-15 2011-08-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
JP5609058B2 (ja) * 2009-10-22 2014-10-22 ソニー株式会社 表示装置
WO2011052437A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device
JP2011108899A (ja) * 2009-11-18 2011-06-02 Seiko Epson Corp 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器
JP4849175B2 (ja) * 2010-02-25 2012-01-11 住友化学株式会社 発光装置およびその製造方法
KR101894898B1 (ko) 2011-02-11 2018-09-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기
TWI563873B (en) * 2011-02-11 2016-12-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting element, light-emitting device, and display device
US8957442B2 (en) * 2011-02-11 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
JP2012199231A (ja) * 2011-03-04 2012-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2012204110A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Sony Corp 表示素子および表示装置ならびに電子機器
JP5837316B2 (ja) * 2011-03-25 2015-12-24 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
TWI562424B (en) 2011-03-25 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting panel, light-emitting device, and method for manufacturing the light-emitting panel
KR101960759B1 (ko) * 2011-04-08 2019-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
JP5760630B2 (ja) * 2011-04-18 2015-08-12 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置およびその製造方法、電子機器
US9105860B2 (en) * 2011-06-30 2015-08-11 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode
JP5803648B2 (ja) * 2011-12-16 2015-11-04 セイコーエプソン株式会社 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器
US9793444B2 (en) 2012-04-06 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US9711110B2 (en) 2012-04-06 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising grayscale conversion portion and display portion
KR20210068609A (ko) 2012-10-30 2021-06-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 패널, 디스플레이 장치, 및 발광 패널을 제작하는 방법
JP6155020B2 (ja) * 2012-12-21 2017-06-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその製造方法
JP6114592B2 (ja) 2013-03-21 2017-04-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置およびその製造方法、電子機器
KR102081605B1 (ko) * 2013-07-31 2020-02-27 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기전계발광소자
KR102273045B1 (ko) * 2014-02-14 2021-07-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
TWI538193B (zh) * 2014-02-19 2016-06-11 友達光電股份有限公司 有機發光裝置及其製作方法
JP6656817B2 (ja) 2014-04-25 2020-03-04 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004253389A (ja) * 2003-02-18 2004-09-09 Eastman Kodak Co 多色有機発光表示装置
JP2012182125A (ja) * 2011-02-11 2012-09-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2013058446A (ja) * 2011-09-09 2013-03-28 Canon Inc 表示装置
JP2013077383A (ja) * 2011-09-29 2013-04-25 Canon Inc 表示装置
JP2014154390A (ja) * 2013-02-08 2014-08-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2014183024A (ja) * 2013-03-21 2014-09-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及び電子機器
JP2016085969A (ja) * 2014-10-24 2016-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9660220B2 (en) 2017-05-23
US10224510B2 (en) 2019-03-05
US20160126500A1 (en) 2016-05-05
JP2023090897A (ja) 2023-06-29
US20170256743A1 (en) 2017-09-07
JP2021166207A (ja) 2021-10-14
JP2016085969A (ja) 2016-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2020013802A (ja) 発光装置
US9935292B2 (en) Light-emitting device, electronic device, and lighting device
JP2022188146A (ja) 発光装置、電子機器および照明装置
JP7337902B2 (ja) 発光素子、表示装置、電子機器および照明装置
JP6918879B2 (ja) 発光装置、電子機器及び照明装置
JP6987164B2 (ja) 発光装置
TWI821023B (zh) 發光元件，發光裝置，電子裝置以及照明裝置
JP6588308B2 (ja) 発光装置
JP2016127287A (ja) 発光素子、発光装置、表示装置、及び電子機器
KR20160103932A (ko) 발광 소자, 표시 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
JP2016085970A (ja) 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器、及び照明装置
KR20160110173A (ko) 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
JP2016086171A (ja) 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
JP6595752B2 (ja) 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
JP7482302B2 (ja) 発光素子
JP6655873B2 (ja) イリジウム錯体、発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
JP2023155345A (ja) 発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191115

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20201028

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201104

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201225

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210126

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210326

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210518

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20210716