JP2016086171A - 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置 - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子中の特定の不純物、とくにイリジウム錯体に起因する不純物を低減させることで、長寿命な発光素子を提供する。【解決手段】イリジウム錯体を有する発光素子であって、イリジウム錯体は、イリジウム金属と、イリジウム金属に配位結合する配位子と、を有し、発光素子を液体クロマトグラフィー質量分析した際に、フォトダイオードアレイ検出器のクロマトグラフにおいて、イリジウム錯体のピーク面積に対する、イリジウム金属に配位結合していない配位子のピーク面積の比が０％以上１０％以下である。【選択図】図４

Description

本発明の一態様は、電界を加えることにより発光が得られる発光層を一対の電極間に有する発光素子に関する。とくに、発光層にイリジウム錯体を有する発光素子に関する。また、上記発光素子を有する発光装置、表示装置、電子機器、及び照明装置に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

一対の電極間に発光物質である有機化合物を有する発光素子（有機ＥＬ素子ともいう）は、薄型軽量・高速応答・低電圧駆動などの特性から、次世代のフラットパネルディスプレイとして注目されている。また、有機ＥＬ素子を用いたディスプレイは、コントラストや画質に優れ、視野角が広いという特徴も有している。

有機ＥＬ素子に用いる有機化合物としては、様々な材料が研究・開発されている。例えば、発光物質である有機化合物としては、イリジウム（Ｉｒ）等を中心金属とする有機金属錯体が注目されている。

また、有機ＥＬ素子を作製する際に、有機化合物の純度が重要となる。例えば、合成の際に用いた溶媒などの不純物が含まれる有機化合物を用いて、有機ＥＬ素子を作製した場合、有機ＥＬ素子の特性、例えば駆動電圧特性、発光効率特性、寿命などが悪くなる場合がある。よって、有機ＥＬ素子に用いる有機化合物には、不純物の少ない材料を使用し、昇華精製を施したものが一般的に使用される。昇華精製により、合成時の残存溶媒や、微量の不純物（例えば、ハロゲン化物）の分離を行うことができる（例えば、特許文献１参照）。

しかしながら、上述の昇華精製を行った有機化合物を用いて、有機ＥＬ素子を作製した場合においても、有機ＥＬ素子の信頼性が悪くなる場合がある。

特開２０１１−２１６９０３号公報

本発明の一態様では、発光素子中の特定の不純物、とくにイリジウム錯体に起因する不純物を低減させることで、長寿命な発光素子を提供する。または、本発明の一態様では、新規な発光素子を提供する。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、イリジウム錯体を有する発光素子であって、イリジウム錯体は、イリジウム金属と、イリジウム金属に配位結合する配位子と、を有し、発光素子を液体クロマトグラフィー質量分析した際に、フォトダイオードアレイ検出器のクロマトグラフにおいて、イリジウム錯体のピーク面積に対する、イリジウム金属に配位結合していない配位子のピーク面積の比が０％以上１０％以下である。

また、本発明の他の一態様は、イリジウム錯体を有する発光素子であって、イリジウム錯体は、イリジウム金属と、イリジウム金属に配位結合する配位子と、を有し、発光素子を液体クロマトグラフィー質量分析した際に、イリジウム錯体のプレカーサーイオンと、イリジウム錯体の第１のフラグメントイオンと、イリジウム錯体の第２のフラグメントイオンと、が質量分析検出器及びフォトダイオードアレイ検出器により検出され、質量分析検出器により検出された、第１のフラグメントイオンは、イリジウム金属を含み、質量分析検出器により検出された、第２のフラグメントイオンは、イリジウム金属を含まず、フォトダイオードアレイ検出器のクロマトグラフは、プレカーサーイオンに対応する第１のピークと、第１のフラグメントイオンに対応する第２のピークと、第２のフラグメントイオンに対応する第３のピークと、を有し、第１のピークに対する、第３のピークの面積の比が０％以上１０％以下である。

また、本発明の他の一態様は、イリジウム錯体を有する発光素子であって、イリジウム錯体は、イリジウム金属と、イリジウム金属に配位結合する配位子と、を有し、発光素子を液体クロマトグラフィー質量分析した際に、フォトダイオードアレイ検出器のクロマトグラフにおいて、イリジウム錯体のピーク面積に対する、イリジウム金属に配位結合していない配位子のピーク面積の比が０％以上５％以下である。

また、本発明の他の一態様は、イリジウム錯体を有する発光素子であって、イリジウム錯体は、イリジウム金属と、イリジウム金属に配位結合する配位子と、を有し、発光素子を液体クロマトグラフィー質量分析した際に、イリジウム錯体のプレカーサーイオンと、イリジウム錯体の第１のフラグメントイオンと、イリジウム錯体の第２のフラグメントイオンと、が質量分析検出器及びフォトダイオードアレイ検出器により検出され、質量分析検出器により検出された、第１のフラグメントイオンは、イリジウム金属を含み、質量分析検出器により検出された、第２のフラグメントイオンは、イリジウム金属を含まず、フォトダイオードアレイ検出器のクロマトグラフは、プレカーサーイオンに対応する第１のピークと、第１のフラグメントイオンに対応する第２のピークと、第２のフラグメントイオンに対応する第３のピークと、を有し、第１のピークに対する、第３のピークの面積の比が０％以上５％以下である。

また、本発明の他の一態様は、イリジウム錯体を有する発光素子であって、イリジウム錯体は、イリジウム金属と、イリジウム金属に配位結合する配位子と、を有し、発光素子を液体クロマトグラフィー質量分析した際に、フォトダイオードアレイ検出器のクロマトグラフにおいて、イリジウム錯体のピーク面積に対する、イリジウム金属に配位結合していない配位子のピーク面積の比が０％以上１％以下である。

また、本発明の他の一態様は、イリジウム錯体を有する発光素子であって、イリジウム錯体は、イリジウム金属と、イリジウム金属に配位結合する配位子と、を有し、発光素子を液体クロマトグラフィー質量分析した際に、イリジウム錯体のプレカーサーイオンと、イリジウム錯体の第１のフラグメントイオンと、イリジウム錯体の第２のフラグメントイオンと、が質量分析検出器及びフォトダイオードアレイ検出器により検出され、質量分析検出器により検出された、第１のフラグメントイオンは、イリジウム金属を含み、質量分析検出器により検出された、第２のフラグメントイオンは、イリジウム金属を含まず、フォトダイオードアレイ検出器のクロマトグラフは、プレカーサーイオンに対応する第１のピークと、第１のフラグメントイオンに対応する第２のピークと、第２のフラグメントイオンに対応する第３のピークと、を有し、第１のピークに対する、第３のピークの面積の比が０％以上１％以下である。

また、本発明の他の一態様は、上記態様の発光素子と、カラーフィルタとを有する発光装置である。また、本発明の他の一態様は、上記態様の発光素子あるいは上記発光装置と、筐体またはタッチセンサ機能とを有する電子機器である。また、本発明の他の一態様は、上記態様の発光素子あるいは上記態様の発光装置と、筐体とを有する照明装置である。

本発明の一態様により、発光素子中の特定の不純物、とくにイリジウム錯体に起因する不純物を低減させることで、長寿命な発光素子を提供することができる。または、本発明の一態様により、新規な発光素子を提供することができる。

なお、本発明の一態様はこれらの効果に限定されるものではない。例えば、本発明の一態様は、場合によっては、または、状況に応じて、これらの効果以外の効果を有する場合もある。または、例えば、本発明の一態様は、場合によっては、または、状況に応じて、これらの効果を有さない場合もある。

発光素子を説明する断面模式図。 試料１及び試料２の信頼性の結果を説明する図。 試料１及び試料２のＬＣ／ＭＳクロマトグラムについて説明する図。 試料１及び試料２のＬＣ／ＭＳクロマトグラムについて説明する図。 発光素子を説明する断面模式図。 表示装置を説明するブロック図及び回路図。 表示装置の画素回路を説明する回路図。 表示装置の画素回路を説明する回路図。 タッチパネルの一例を示す斜視図。 表示パネル及びタッチセンサの一例を示す断面図。 タッチパネルの一例を示す断面図。 タッチセンサのブロック図及びタイミングチャート図。 タッチセンサの回路図。 表示モジュールを説明する斜視図。 電子機器を説明する図。 発光装置を説明する斜視図及び断面図。 発光装置を説明する断面図。 照明装置及び電子機器を説明する図。 実施例における発光素子の構造を説明する断面図。 実施例における発光素子の輝度−電流密度特性及び輝度−電圧特性を説明する図。 実施例における発光素子の電流効率−輝度特性及び発光スペクトルを説明する図。 実施例における発光素子の信頼性の結果を説明する図。 実施例における発光素子のＬＣ／ＭＳクロマトグラムについて説明する図。 実施例における発光素子のＬＣ／ＭＳクロマトグラムについて説明する図。 実施例における発光素子の輝度−電流密度特性及び輝度−電圧特性を説明する図。 実施例における発光素子の電流効率−輝度特性及び発光スペクトルを説明する図。 実施例における発光素子の信頼性の結果を説明する図。 実施例における発光素子のＬＣ／ＭＳクロマトグラムについて説明する図。 実施例における発光素子のＬＣ／ＭＳクロマトグラムについて説明する図。 実施例における発光素子の輝度−電流密度特性及び輝度−電圧特性を説明する図。 実施例における発光素子の電流効率−輝度特性及び発光スペクトルを説明する図。 実施例における発光素子の信頼性の結果を説明する図。 実施例における発光素子のＬＣ／ＭＳクロマトグラムについて説明する図。 実施例における発光素子のＬＣ／ＭＳクロマトグラムについて説明する図。

以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明の一態様は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明の一態様は以下に示す実施の形態または実施例の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明の一態様は、必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。

また、本明細書等において、第１、第２等として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順又は積層順を示すものではない。そのため、例えば、「第１の」を「第２の」又は「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に記載されている序数詞と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない場合がある。

また、本明細書等において、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。

また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。

また、本明細書等において、イリジウム錯体には、配位子の種類によっては立体異性体等の構造異性体が存在しうる。本明細書等に記載するイリジウム錯体には、イリジウム錯体と、当該イリジウム錯体の構造異性体と、を含めるものとする。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子について図１乃至図４を用いて説明する。

＜１．発光素子の構成＞
図１に、本発明の一態様の発光素子を説明する断面図を示す。図１に示す発光素子は、一対の電極間にＥＬ層を有し、当該ＥＬ層にイリジウム錯体を含む発光素子である。

より具体的には、図１に示す発光素子１００は、一対の電極（下部電極１０４と上部電極１１４）の間にＥＬ層１０８を有する。また、ＥＬ層１０８は、発光層１１０を有する。また、ＥＬ層１０８は、発光層１１０の他に、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、電子輸送層１３３、及び電子注入層１３４を含んで形成される。また、電子輸送層１３３は、電子輸送層１３３（１）と、電子輸送層１３３（２）と、を有する。

なお、本実施の形態においては、下部電極１０４を陽極として用い、上部電極１１４を陰極として用いる。また、下部電極１０４は、基板１０２上に形成される。また、発光層１１０には、発光物質として、イリジウム錯体が含まれる。

発光素子１００に対して電圧を印加することにより、下部電極１０４側から注入された正孔と、上部電極１１４側から注入された電子とが、発光層１１０において再結合し、発光層１１０に含まれる発光物質を励起状態にする。そして、励起状態の発光物質が基底状態に戻る際に発光する。

発光素子１００に求められる特性の一つとして、長期の保存または長期の駆動に伴う発光効率の低下が少ない特性、すなわち長寿命であること、別言すると高い信頼性を有することが求められる。発光素子１００が高い信頼性を有するため、ＥＬ層１０８には不純物の含有量が少ない有機化合物を用いると好ましい。当該不純物としては、例えば、有機化合物の合成に用いられる原料中の元素、例えばハロゲン元素等が少ない方が好ましい。

しかしながら、有機化合物中のハロゲン元素を低減させたとしても、発光素子１００の信頼性が悪い場合がある。

そこで、本発明の一態様の発光素子１００においては、ＥＬ層１０８中の発光層１１０が有する、イリジウム錯体に起因する不純物を抑制する。より具体的には、発光層１１０が有するイリジウム錯体は、イリジウム金属と、イリジウム金属に配位結合する配位子と、を有し、発光素子１００を液体クロマトグラフィー質量分析（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ、略称：ＬＣ／ＭＳ分析）した際に、フォトダイオードアレイ検出器（略称：ＰＤＡ検出器）のクロマトグラフにおいて、イリジウム錯体のピーク面積に対する、イリジウム金属に配位結合していない配位子のピーク面積の比が１０％以下、好ましくは５％以下、さらに好ましくは１％以下である。なお、イリジウム金属に配位結合していない配位子としては、発光素子１００中に含まれていないことが好ましい。したがって、イリジウム金属に配位結合していない配位子のピーク面積の比の下限としては、０（ゼロ）を含む。

または、発光層１１０が有するイリジウム錯体は、イリジウム金属と、イリジウム金属に配位結合する配位子と、を有し、発光素子１００を液体クロマトグラフィー質量分析した際に、イリジウム錯体のプレカーサーイオンと、イリジウム錯体の第１のフラグメントイオンと、イリジウム錯体の第２のフラグメントイオンと、が質量分析検出器（略称：ＭＳ検出器）及びフォトダイオードアレイ検出器により検出され、質量分析検出器により検出された、第１のフラグメントイオンは、イリジウム金属を含み、質量分析検出器により検出された、第２のフラグメントイオンは、イリジウム金属を含まず、フォトダイオードアレイ検出器のクロマトグラフは、プレカーサーイオンに対応する第１のピークと、第１のフラグメントイオンに対応する第２のピークと、第２のフラグメントイオンに対応する第３のピークと、を有し、第１のピークに対する、第３のピークの面積の比が１０％以下、好ましくは５％以下、さらに好ましくは１％以下である。

発光層１１０に用いるイリジウム錯体として、上述の構成のイリジウム錯体を用いることで、発光素子１００の信頼性を向上させることが可能となる。

ここで、図１に示す発光素子１００に相当する発光素子（試料１及び試料２）を作製し、ＥＬ層１０８を分析し、ＥＬ層１０８中の不純物について解析を行った。なお、本実施の形態においては、ＥＬ層１０８中の不純物として、発光層１１０が有する発光物質である、イリジウム錯体に起因する不純物に着目した。

本実施の形態で作製した試料１及び試料２の素子構造の詳細を表１に、使用した化合物の構造と略称を以下に示す。

＜２．試料１及び試料２の作製方法＞
まず、基板１０２上に下部電極１０４として、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（略称：ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により成膜した。なお、下部電極１０４の膜厚を１００ｎｍとし、下部電極１０４の面積を４ｍｍ^２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。

次に、有機化合物層の蒸着前の前処理として、下部電極１０４が形成された基板１０２の下部電極１０４側を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、下部電極１０４の表面に対し、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板１０２を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で６０分間の真空焼成を行った後、基板１０２を３０分程度放冷した。

次に、下部電極１０４が形成された面が下方となるように、基板１０２を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。本実施の形態では、真空蒸着法により、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、発光層１１０、電子輸送層１３３（１）、電子輸送層１３３（２）、電子注入層１３４、上部電極１１４を順次形成した。詳細な作製方法を以下に記す。

まず、真空装置内を１０^−４Ｐａに減圧した後、下部電極１０４上に、正孔注入層１３１として、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）と酸化モリブデンとを、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：酸化モリブデン＝２：１（重量比）となるように共蒸着した。なお、正孔注入層１３１の膜厚を２０ｎｍとした。

次に、正孔注入層１３１上に正孔輸送層１３２を形成した。正孔輸送層１３２としては、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）を蒸着した。なお、正孔輸送層１３２の膜厚を２０ｎｍとした。

次に、正孔輸送層１３２上に発光層１１０を形成した。発光層１１０として、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）と、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）と、ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ））とを、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＮＢＢ：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ）＝０．７：０．３：０．０５（重量比）となるよう共蒸着した。なお、発光層１１０の膜厚を４０ｎｍとした。

なお、発光層１１０において、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩがホスト材料でありＰＣＢＮＢＢがアシスト材料であり、Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ）がゲスト材料として機能するイリジウム錯体である。なお、ホスト材料とは、キャリア輸送性材料であり、ここでは、電子輸送性材料を用いる。また、アシスト材料とは、キャリア輸送性材料であり、ここでは正孔輸送性材料を用いる。また、ゲスト材料としては、発光性材料（発光物質を含む材料）である。なお、ホスト材料及びアシスト材料の三重項励起エネルギー準位（Ｔ１準位）は、ゲスト材料のＴ１準位よりも高いことが好ましい。ホスト材料及びアシスト材料のＴ１準位がゲスト材料のＴ１準位よりも低いと、発光に寄与するゲスト材料の三重項励起エネルギーをホスト材料及びアシスト材料が消光（クエンチ）してしまい、発光効率の低下を招く場合がある。また、ホスト材料と、アシスト材料との混合比によって、キャリアバランスを制御することができる。

次に、発光層１１０上に電子輸送層１３３（１）として、膜厚２０ｎｍの２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩを蒸着した。次に、電子輸送層１３３（１）上に電子輸送層１３３（２）として、膜厚１５ｎｍのバソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）を蒸着した。次に、電子輸送層１３３（２）上に電子注入層１３４として、膜厚１ｎｍのフッ化リチウム（ＬｉＦ）を蒸着した。

次に、電子注入層１３４上に上部電極１１４として、膜厚２００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）を蒸着した。

次に、封止基板（図示せず）を準備し、上記により作製した基板１０２上の各発光素子と、封止基板とを大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において貼り合わせることにより封止した（シール材を素子の周囲に塗布し、シール材に３６５ｎｍの紫外光を６Ｊ／ｃｍ^２照射した後に８０℃にて１時間熱処理した）。

なお、上述の試料１及び試料２の蒸着過程において、蒸着方法としては抵抗加熱法を用いた。

以上の工程により、試料１及び試料２を作製した。

＜試料１及び試料２の信頼性評価＞
次に、上記作製した試料１及び試料２の信頼性試験を行った。信頼性試験の測定方法としては、初期輝度を５０００ｃｄ／ｍ^２に設定し、電流密度を一定の条件で試料１及び試料２を駆動した。信頼性試験結果を図２に示す。図２において、縦軸は初期輝度を１００％とした場合の相対輝度（％）を、横軸は駆動時間（ｈ）を、それぞれ表す。

図２に示す結果から、試料１の１３６８時間経過後の相対輝度は７４．０％であり、試料２の１３４２時間経過後の相対輝度は６２．２％であった。

＜３．ＥＬ層中の不純物分析（液体クロマトグラフィー質量分析）＞
次に、上記作製した試料１及び試料２のＥＬ層１０８中の不純物分析を行った。なお、試料１の不純物分析としては、試料１と同じ基板上に作製した試料１とは異なる試料であり、試料２の不純物分析としては、試料２と同じ基板上に作製した試料２とは異なる試料である。また、不純物分析用の試料としては、下部電極１０４の面積を約１２ｃｍ^２（３．５ｃｍ×３．３ｃｍ）とした。すなわち、不純物分析用の試料は、試料１及び試料２と材料及び構造等は同一であるが、下部電極１０４の面積が異なり、且つ駆動させていない素子である。よって、不純物分析の結果については、駆動により生成した劣化物を分析したものではなく、駆動前から含まれる不純物を対象として行ったものである。ここでは、便宜的に試料１と同じ基板上に作製した不純物分析用の試料を試料１として扱う。試料２についても同様である。

なお、試料１及び試料２の不純物分析としては、ＬＣ／ＭＳ分析によって行った。

ＬＣ／ＭＳ分析としては、ＬＣ分離をウォーターズ社製Ａｃｑｕｉｔｙ ＵＰＬＣにより行い、ＰＤＡ検出器と、ＭＳ検出器と、を用いて検出した。なお、ＰＤＡ検出器には、ウォーターズ社製ＰＤＡ ｅλ検出器を用い、ＭＳ検出器には、ウォーターズ社製Ｘｅｖｏ Ｇ２ Ｔｏｆ ＭＳを用いた。なお、本分析で用いたＭＳ検出器である、ウォーターズ社製Ｘｅｖｏ Ｇ２ Ｔｏｆ ＭＳの測定範囲は、ｍ／ｚ＝１００以上である。

また、ＬＣ分離で用いたカラムとしては、Ａｃｑｕｉｔｙ ＵＰＬＣ ＢＥＨ Ｃ８ （２．１×１００ｍｍ １．７μｍ）を用い、カラム温度を４０℃とした。移動相としては、移動相Ａをアセトニトリル、移動相Ｂを０．１％ギ酸水溶液とした。

また、ＬＣ／ＭＳ分析の分析サンプルとしては、試料１及び試料２の上部電極１１４であるアルミニウムを、カプトンテープを用いて剥がした後、基板１０２上に残った物質をクロロホルムに溶解しクロロホルム溶液を得た。得られたクロロホルム溶液をアセトニトリルで任意の濃度に希釈し、分析サンプルを作製した。なお、分析サンプルの注入量を５．０μＬとして、ＬＣ／ＭＳ分析を行った。

＜４．液体クロマトグラフィー質量分析方法＞
上述の分析サンプルのＬＣ分離を行った。ＬＣ分離には移動相の組成を変化させるグラジエント法を用いた。組成を変化させる方法としては、測定開始から１分経過後までを、移動相Ａ：移動相Ｂ＝６０：４０の組成とし、そのあと組成をリニアに変化させ、測定開始から１５分経過後に移動相Ａ：移動相Ｂ＝９５：５の組成となるようにした。つまり、測定時間は１５分である。

また、ＰＤＡ検出器では、２１０ｎｍ乃至８００ｎｍの範囲で検出を行い、検出間隔を１．２ｎｍとした。

ＭＳ分析では、エレクトロスプレーイオン化法（ＥｌｅｃｔｒｏＳｐｒａｙ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ、略称：ＥＳＩ）によるイオン化を行い、キャピラリー電圧を３．０ｋＶ、サンプルコーン電圧を３０Ｖ、検出をポジティブモードで行った。なお、測定する質量範囲をｍ／ｚ＝１００乃至１３００とした。

上記の条件でＬＣ分離し、イオン化された成分を衝突室（コリジョンセル）内でアルゴンガスと衝突させた。アルゴンと衝突させる際のエネルギー（コリジョンエネルギー）は６ｅＶとし、プロダクトイオンが観測できる値とした。

試料１及び試料２のＬＣ／ＭＳのＰＤＡクロマトグラムを図３に示す。

なお、分析サンプル作製に用いたクロロホルムを、アセトニトリルで希釈した溶液の分析を行い、ベースライン（または、バックグラウンド：ＢＧともいう）のＰＤＡクロマトグラムを得た。図３において、ベースラインの結果をＢＧとして示す。

図３に示す結果より、試料１及び試料２のＥＬ層１０８中には、それぞれａ１乃至ａ５で示されるピークが確認された。ａ１乃至ａ５で示されるピークについて、ＭＳスペクトルによる解析を行ったところ、ａ２は２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ及びＢＰＡＦＬＰに、ａ３はＤＢＴ３Ｐ−ＩＩに、ａ４はＰＣＢＮＢＢに、ａ５はＩｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ）に、それぞれ帰属された。なお、ＢＧとの比較によりａ１は、溶媒として用いたクロロホルム、当該クロロホルムに含まれる不純物、及びＢｐｈｅｎに帰属された。このように、ＥＬ層１０８の作製に用いた材料以外の目立ったピークが認められなかった。

次に、Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ）に着目してＰＤＡクロマトグラムの解析を行った。なお、ＰＤＡクロマトグラムの解析としては、ベースラインを差し引いて行った。試料１及び試料２のＬＣ／ＭＳのＩｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ）の近傍のクロマトグラムを図４に示す。なお、図４は図３に示すＰＤＡクロマトグラムの吸光度を拡大した図である。

図４において、図３に示すａ１乃至ａ５のピーク以外に、ａ６のピークが確認された。ＭＳクロマトグラムを用いて解析した結果、ａ６はＩｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ）の配位子であるｔｐｐｒに帰属された。なお、ａ１乃至ａ６以外にも小さなピークが多数認められたが、試料１及び試料２でピーク面積比が大きく異なるピークは認められなかった。

すなわち、図４において、Ｉｒを含むＭＳスペクトルが得られたのは、ａ５の１つのピークであり、Ｉｒを含まないがＩｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ）に由来するａ６のピークが確認された。なお、図４において、ａ５がイリジウム錯体のプレカーサーイオンに相当し、ａ６がイリジウム錯体のフラグメントイオンに相当する。

＜５．試料中に含まれる、イリジウム錯体に起因する不純物解析＞
次に、図４に示すＬＣ／ＭＳ分析結果を用い、試料１及び試料２に含まれるイリジウム錯体に起因する不純物の濃度を求めた。不純物の濃度の結果を表２に示す。なお、表２は、図４に示すａ５及びａ６の２つのピーク面積、すなわちイリジウム錯体に起因する物質の合計のピーク面積を１００％とした場合の結果である。

表２に示すように、試料１においては、イリジウム錯体であるＩｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ）に起因する物質の合計のピーク面積を１００％とした場合、イリジウム錯体のピーク面積（ここではａ５）に対する、イリジウム金属に配位結合していない配位子のピーク面積（ここではａ６）の比が０．８％であった。また、試料２においては、イリジウム錯体であるＩｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ）に起因する物質の合計のピーク面積を１００％とした場合、イリジウム錯体のピーク面積（ここではａ５）に対する、イリジウム金属に配位結合していない配位子のピーク面積（ここではａ６）の比が１０．６％であった。

以上のように、試料１と試料２とを比較した場合、発光層１１０中のイリジウム錯体に起因する不純物として、イリジウム金属に配位結合していない配位子の含有量に差が認められた。イリジウム金属に配位結合していない配位子の含有量の差が、図２に示す試料１と試料２との信頼性の差として表れていると示唆される。したがって、ＥＬ層１０８が有する発光層１１０中の発光物質である、イリジウム錯体に起因する不純物の内、配位子の濃度を低減することによって、信頼性が高い発光素子を実現することができる。

＜材料中に含まれる、イリジウム錯体に起因する不純物分析＞
次に、試料１及び試料２中に含まれるイリジウム金属に配位結合していない配位子は、蒸着前の材料であるイリジウム錯体に含まれている、または蒸着中または蒸着後にＥＬ層１０８中で分解し生成される可能性がある。そこで、蒸着前の材料中に含まれるイリジウム錯体に起因する不純物分析を行った。

ＬＣ／ＭＳ分析の分析サンプルとしては、蒸着前のイリジウム錯体（材料Ｘ１）をクロロホルムに溶解しクロロホルム溶液を得た。得られたクロロホルム溶液をアセトニトリルで任意の濃度に希釈し、分析サンプルを作製した。なお、分析サンプルの注入量を５．０μＬとして、ＬＣ／ＭＳ分析を行った。なお、ＬＣ／ＭＳ分析方法については、先に示す試料１及び試料２のＬＣ分離条件以外を同じとした。材料Ｘ１のＬＣ分離には移動相Ａとしてアセトニトリルを、移動相Ｂとして０．１％ギ酸水溶液を用いた。また、移動相の組成を変化させるグラジエント法を用いた。測定開始から１分経過後までを、移動相Ａ：移動相Ｂ＝７５：２５の組成とし、そのあと組成をリニアに変化させ、測定開始から４分経過後に移動相Ａ：移動相Ｂ＝９０：１０の組成となるようにし、さらにそのあと組成をリニアに変化させ、測定開始１０分経過後に移動相Ａ：移動相Ｂ＝９５：５の組成となるようにした。つまり、測定時間は全部で１０分である。

材料Ｘ１に対して行ったＬＣ／ＭＳ分析で得られたＭＳスペクトルに、ｍ／ｚ＝９９１、ｍ／ｚ＝１１４５、ｍ／ｚ＝１０２３、及びｍ／ｚ＝９１５のピークが確認された。このピーク面積から材料Ｘ１に含まれる、不純物の解析を行った結果を表３に示す。

表３に示す通り、試料１及び試料２の発光層１１０に用いたイリジウム錯体である材料Ｘ１の純度が高く、材料Ｘ１中には発光層１１０中に見られた配位子であるｔｐｐｒの不純物が確認されなかった。

したがって、試料２の発光層１１０中に多く存在するＩｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ）の配位子であるｔｐｐｒは、蒸着中または蒸着後にＥＬ層１０８中で生成されたと示唆される。

ここで、図１に示す発光素子１００の構成要素について、以下詳細に説明する。

＜基板＞
基板１０２は、発光素子１００の支持体として用いられる。基板１０２としては、例えばガラス、石英、又はプラスチックなどを用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォンからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、フィルム（ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニル等からなる）、無機蒸着フィルムなどを用いることもできる。

なお、発光素子１００の作製工程において支持体として機能するものであれば、上記以外のものでもよい。例えば、様々な基板を用いて発光素子１００を形成することが出来る。基板の種類は、特定のものに限定されることはない。基板の一例としては、半導体基板（例えば単結晶基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどがある。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどがある。可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例としては、以下のものがあげられる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）に代表されるプラスチックがある。または、一例としては、アクリル等の合成樹脂などがある。または、一例としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニルなどがある。または、一例としては、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は紙類などがある。

また、基板として、可撓性基板を用い、可撓性基板上に直接、発光素子１００を形成してもよい。または、基板と発光素子１００との間に剥離層を設けてもよい。剥離層は、その上に発光素子１００の一部あるいは全部完成させた後、基板より分離し、他の基板に転載するために用いることができる。その際、耐熱性の劣る基板や可撓性の基板にも発光素子１００を転載できる。なお、上述の剥離層には、例えば、タングステン膜と酸化シリコン膜との無機膜の積層構造の構成や、基板上にポリイミド等の有機樹脂膜が形成された構成等を用いることができる。

つまり、ある基板を用いて発光素子１００を形成し、その後、別の基板に発光素子１００を転置し、別の基板上に発光素子１００を配置してもよい。発光素子１００が転置される基板の一例としては、上述した基板に加え、紙基板、セロファン基板、アラミドフィルム基板、ポリイミドフィルム基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、又はゴム基板などがある。これらの基板を用いることにより、壊れにくい発光素子１００、耐熱性の高い発光素子１００、軽量化された発光素子１００、または薄型化された発光素子１００とすることができる。

＜一対の電極＞
下部電極１０４及び上部電極１１４には、金属、合金、及び電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができる。具体的には、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、シリコンまたは酸化シリコンを含有した酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＳＯ）、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）の他、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびカルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金、その他、グラフェン等を用いることができる。なお、下部電極１０４および上部電極１１４は、例えばスパッタリング法や蒸着法（真空蒸着法を含む）等により形成することができる。

＜発光層＞
発光層１１０は、少なくとも発光物質としてイリジウム錯体を有する。また、発光層１１０は、発光物質に加えて、電子輸送性材料または正孔輸送性材料の一方または双方を含んで構成される。なお、図１に示す発光素子１００においては、発光層１１０を単層構造について例示したが、これに限定されず、２層以上の積層構造としてもよい。

また、発光層１１０に用いるイリジウム錯体としては、少なくとも窒素原子を１つ以上有する、芳香族複素環化合物からなる配位子を２つ以上有するイリジウム錯体が挙げられる。

上述の芳香族複素環化合物とは、例えば、イミダゾール、ピラゾール、イソチアゾール、イソオキサゾール、ピラジン、ピリジン、ピリミジン、ピリダジン、インダゾール、プリン、キノキサリン、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、フェナントリジン、アクリジン、ペリミジン、フェナントロリン、フェナジン、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール、トリアジン等が挙げられる。

また、本発明の一態様である発光素子に含まれるイリジウム錯体は、上述の配位子の芳香族複素環化合物の窒素原子と、イリジウム金属とが配位結合している構造を有する。ただし、イリジウム錯体の配位子としては、上述の芳香族複素環化合物を有するものに限定されない。

また、本発明の一態様である発光素子に含まれるイリジウム錯体は、蒸着中に熱分解等によって不純物が生成されると、当該不純物が蒸着後の膜中に混入する場合がある。蒸着中の不純物が蒸着後の膜中に混入した場合、発光素子中のイリジウム錯体の純度が低下する場合がある。とくに、発光素子中に含まれる不純物としては、イリジウム錯体のイリジウム金属と配位結合する配位子が挙げられる。

上述のイリジウム錯体は、配位子の窒素原子とイリジウム金属との配位結合が弱い方が、分解が促進され易い場合がある。イリジウム金属と配位結合する配位子において、芳香族複素環化合物に含まれる窒素原子の数が２つ以上の場合、当該窒素原子が１つの環に比べて環の塩基性が弱まり、配位結合性が弱まることが考えられる。したがって、芳香族複素環化合物のうち、窒素原子が２つ以上の芳香族複素環化合物からなる配位子を有するイリジウム錯体は、蒸着によって純度の低下が起こり易い場合がある。

すなわち、窒素原子が２つ以上の芳香族複素環化合物の配位子を有するイリジウム錯体は、窒素原子が１つの芳香族複素環化合物の配位子を有するイリジウム錯体よりも、発光素子中に配位子が分解して混入されやすい。したがって、窒素原子が２つ以上の芳香族複素環化合物の配位子を有するイリジウム錯体の配位子の混入を抑制することにより、発光素子の長寿命化を実現することができる。

窒素原子が２つ以上の芳香族複素環化合物としては、例えば、ジアジン、トリアジン等が挙げられる。窒素原子の数が２つの芳香族複素環化合物とは、具体的には、イミダゾール、ピラゾール、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、インダゾール、プリン、キノキサリン、フタラジン、ナフチリジン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、フェナントリジン、ペリミジン、フェナントロリン、フェナジン、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール、トリアジン等が挙げられる。

本発明の一態様の発光素子に用いることのできるイリジウム錯体としては、例えば、下記の一般式（Ｇ１）乃至（Ｇ４）で表されるイリジウム錯体が挙げられる。

一般式（Ｇ１）乃至（Ｇ４）において、Ｒ^１乃至Ｒ^４は、それぞれ独立に、水素、炭素数１乃至６のアルキル基、あるいは置換または無置換の環を形成する炭素数が１乃至１０のアリール基を表し、Ａｒは置換または無置換の環を形成する炭素数が１乃至１０のアリーレン基を表し、Ｌはモノアニオン性の配位子を表す。また、ｎは２または３であり、ｍは０または１であり、ｎとｍの合計は３である。

また、一般式（Ｇ１）乃至（Ｇ４）において、Ｌで表されるモノアニオン性の配位子とは、ベータジケトン構造を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、カルボキシル基を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、フェノール性水酸基を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、または２つの配位元素がいずれも窒素であるモノアニオン性の二座キレート配位子のいずれかが好ましい。

モノアニオン性の配位子としては、例えば、下記の一般式（Ｌ１）乃至（Ｌ７）で表される配位子が挙げられる。

一般式（Ｌ１）乃至（Ｌ７）において、Ｒ^７１乃至Ｒ^１０９は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基、ハロゲン基、ビニル基、置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のアルコキシ基、または置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のアルキルチオ基を表す。また、Ａ^１乃至Ａ^３は、それぞれ独立に、窒素、水素、または置換基Ｒと結合する炭素を表し、置換基Ｒは炭素数１乃至６のアルキル基、ハロゲン基、炭素数１乃至６のハロアルキル基、またはフェニル基を表す。

ただし、本発明の一態様の発光素子に含まれるイリジウム錯体は、一般式（Ｇ１）乃至（Ｇ４）のイリジウム錯体に限定されない。本発明の一態様である発光素子に含まれるイリジウム錯体は、例えば、トリス（４−メチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_３）、トリス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３）、（アセチルアセトナト）ビス（６−メチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［４−（２−ノルボルニル）−６−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（ｅｎｄｏ−，ｅｘｏ−混合物）（略称：Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））、ビス｛４，６−ジメチル−２−［５−（２，６−ジメチルフェニル）−３−（３，５−ジメチルフェニル）−２−ピラジニル−κＮ］フェニル−κＣ｝（２，４−ペンタンジオナト−κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｄｍｐ）_２（ａｃａｃ））、ビス｛２−［５−（２，６−ジメチルフェニル）−３−（３，５−ジメチルフェニル）−２−ピラジニル−κＮ］−４，６−ジメチルフェニル−κＣ｝（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト−κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｄｍｐ）_２（ｄｐｍ））のようなピリミジン骨格を有するイリジウム錯体や、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ））、ビス［２−（３，５−ジフェニル−２−ピラジニル−κＮ）−フェニル−κＣ］（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト−κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ））のようなピラジン骨格を有するイリジウム錯体や、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ））、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_３）、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ））のようなピリジン骨格を有するイリジウム錯体等が挙げられる。

なお、上述したイリジウム錯体は、４８０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下に発光のピークを有する。また、上述したイリジウム錯体の中でも、ピリミジン骨格を有するイリジウム錯体を用いると、信頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。また、上述したイリジウム錯体は、発光素子中の純度低下を防ぐことにより、長寿命化を実現することが可能となる。また、上述したイリジウム錯体は、発光素子中での純度を高くすることでの長寿命化への効果が大きい。

また、発光層１１０に用いる電子輸送性材料としては、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族化合物が好ましい。当該電子輸送性材料としては、π電子不足型複素芳香族や金属錯体などを用いることができる。具体的には、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体や、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）などのアゾール骨格を有する複素環化合物や、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、４，６−ビス［３−（フェナントレン−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６−ビス［３−（４−ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ−ＩＩ）などのジアジン骨格を有する複素環化合物や、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）などのトリアジン骨格を有する複素環化合物や、３，５−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５−トリ［３−（３−ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）などのピリジン骨格を有する複素環化合物が挙げられる。上述した中でも、ジアジン骨格及びトリアジン骨格を有する複素環化合物やピリジン骨格を有する複素環化合物は、信頼性が良好であり好ましい。特に、ジアジン（ピリミジンやピラジン）骨格及びトリアジン骨格を有する複素環化合物は、電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。

また、発光層１１０に用いる正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物や芳香族アミン化合物が好ましい。当該正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族又は芳香族アミンなどを好適に用いることができる。具体的には、２−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）などの芳香族アミン骨格を有する化合物や、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）−９−フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、９−フェニル−９Ｈ−３−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）カルバゾール（略称：ＰＣＣＰ）などのカルバゾール骨格を有する化合物や、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）、２，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＶ）などのチオフェン骨格を有する化合物や、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）、４−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−ＩＩ）などのフラン骨格を有する化合物が挙げられる。上述した中でも、芳香族アミン骨格を有する化合物やカルバゾール骨格を有する化合物は、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与するため好ましい。

また、発光層１１０に用いる正孔輸送性材料として、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いることもできる。

また、発光層１１０に用いる、上述の電子輸送性材料、及び正孔輸送性材料としては、励起錯体（Ｅｘｃｉｐｌｅｘともいう）を形成する組み合わせが好ましい。例えば、発光層１１０に用いる、電子輸送性材料が電子を受け取り、正孔輸送性材料が正孔を受け取る。この時、電子輸送性材料と正孔輸送性材料とが近接することで、速やかに励起錯体を形成する。したがって、発光層１１０における励起子のほとんどが励起錯体として存在する。励起錯体は、電子輸送性材料及び正孔輸送性材料の双方よりもバンドギャップが小さくなるため、発光素子１００の駆動電圧を下げることが可能となる。

また、上記励起錯体から、本発明の一態様の発光素子に含まれるイリジウム錯体へのエネルギー授受があると好ましい。具体的には、励起錯体の一重項励起状態の最も低い準位（Ｓ_Ｅ）と、励起錯体の三重項励起状態の最も低い準位（Ｔ_Ｅ）との双方のエネルギーを、イリジウム錯体の三重項励起状態の最も低い準位へ移動させることで発光させると、高い発光効率を得られるため好適である。

＜正孔注入層、正孔輸送層＞
正孔注入層１３１は、正孔輸送性の高い正孔輸送層１３２を介して発光層１１０に正孔を注入する層であり、正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含む層である。正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含むことで、アクセプター性物質により正孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔が発生し、正孔輸送層１３２を介して発光層１１０に正孔が注入される。なお、正孔輸送層１３２は、正孔輸送性材料を用いて形成される。

正孔注入層１３１及び正孔輸送層１３２に用いる正孔輸送性材料としては、先に示す発光層１１０に用いることのできる、正孔輸送性材料と同様の材料を用いればよい。

また、正孔注入層１３１に用いるアクセプター性物質としては、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化モリブデンが特に好ましい。

＜電子輸送層＞
電子輸送層１３３としては、先に示す発光層１１０に用いることのできる、電子輸送性材料と同様の材料を用いればよい。なお、図１に示す発光素子１００においては、電子輸送層１３３を電子輸送層１３３（１）と、電子輸送層１３３（２）との、積層構造について例示したが、これに限定されず、単層構造または３層以上の積層構造としてもよい。

＜電子注入層＞
電子注入層１３４は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層１３４には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ_３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層１３４にエレクトライドを用いてもよい。該エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。

また、電子注入層１３４に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層１３３を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。

以上、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成、または他の実施例に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子について図５を用いて説明する。なお、図５は、本発明の一態様の発光素子１５０を説明する断面模式図である。

発光素子１５０は、下部電極１０４と、上部電極１１４との間に、複数の発光ユニット（図５においては、第１の発光ユニット１４１及び第２の発光ユニット１４２）を有する。第１の発光ユニット１４１及び第２の発光ユニット１４２のいずれか一方または双方は、図１に示すＥＬ層１０８と同様な構成を有する。つまり、図１で示した発光素子１００は、１つの発光ユニットを有し、発光素子１５０は、複数の発光ユニットを有する。

また、図５に示す発光素子１５０において、第１の発光ユニット１４１と第２の発光ユニット１４２が積層されており、第１の発光ユニット１４１と第２の発光ユニット１４２との間には電荷発生層１４３が設けられる。なお、第１の発光ユニット１４１と第２の発光ユニット１４２は、同じ構成でも異なる構成でもよい。

電荷発生層１４３には、有機化合物と金属酸化物の複合材料が含まれている。該複合材料には、先に示す正孔注入層１１１に用いることができる複合材料を用いればよい。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール化合物、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔移動度が１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上であるものを適用することが好ましい。ただし、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。有機化合物と金属酸化物の複合材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現することができる。なお、発光ユニットの陽極側の面が電荷発生層１４３に接している場合は、電荷発生層１４３が発光ユニットの正孔輸送層の役割も担うことができるため、発光ユニットは正孔輸送層を設けなくとも良い。

なお、電荷発生層１４３は、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と他の材料により構成される層を組み合わせた積層構造として形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電膜とを組み合わせて形成してもよい。

なお、第１の発光ユニット１４１と第２の発光ユニット１４２に挟まれる電荷発生層１４３は、下部電極１０４と上部電極１１４に電圧を印加したときに、一方の発光ユニットに電子を注入し、他方の発光ユニットに正孔を注入するものであれば良い。例えば、図５において、下部電極１０４の電位の方が上部電極１１４の電位よりも高くなるように電圧を印加した場合、電荷発生層１４３は、第１の発光ユニット１４１に電子を注入し、第２の発光ユニット１４２に正孔を注入するものであればよい。

また、図５においては、２つの発光ユニットを有する発光素子について説明したが、３つ以上の発光ユニットを積層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。発光素子１５０のように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度発光を可能とし、さらに長寿命な素子を実現できる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置を実現することができる。

なお、複数のユニットのうち、少なくとも一つのユニットに、実施の形態１に示すＥＬ層１０８または発光層１１０を有することによって、信頼性の高い発光素子とすることができる。

また、第１の発光ユニット１４１及び第２の発光ユニット１４２のいずれか一方に、発光物質として蛍光材料を用いてもよい。例えば、第１の発光ユニット１４１及び第２の発光ユニット１４２のいずれか一方の発光層は、ホスト材料と蛍光材料とを有する。

第１の発光ユニット１４１及び第２の発光ユニット１４２のいずれか一方の発光層において、ホスト材料が重量比で最も多く存在し、蛍光材料はホスト材料中に分散される。ホスト材料のＳ_１準位は、蛍光材料のＳ_１準位よりも大きく、ホスト材料のＴ_１準位は、蛍光材料のＴ_１準位よりも小さいことが好ましい。

上記ホスト材料としては、アントラセン誘導体、あるいはテトラセン誘導体が好ましい。これらの誘導体はＳ_１準位が大きく、Ｔ_１準位が小さいからである。具体的には、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、３−［４−（１−ナフチル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、７−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、６−［３−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９−フェニル−１０−｛４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ビフェニル−４’−イル｝アントラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）などが挙げられる。あるいは、５，１２−ジフェニルテトラセン、５，１２−ビス（ビフェニル−２−イル）テトラセンなどが挙げられる。

蛍光材料としては、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。特にピレン誘導体は発光量子収率が高いので好ましい。ピレン誘導体の具体例としては、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジベンゾフラン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦｒＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジベンゾチオフェン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＴｈＡＰｒｎ）などが挙げられる。

なお、上記構成は、他の実施の形態や本実施の形態中の他の構成と適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を有する表示装置について、図６を用いて説明を行う。

なお、図６（Ａ）は、本発明の一態様の表示装置を説明するブロック図であり、図６（Ｂ）は、本発明の一態様の表示装置が有する画素回路を説明する回路図である。

図６（Ａ）に示す表示装置は、表示素子の画素を有する領域（以下、画素部８０２という）と、画素部８０２の外側に配置され、画素を駆動するための回路を有する回路部（以下、駆動回路部８０４という）と、素子の保護機能を有する回路（以下、保護回路８０６という）と、端子部８０７と、を有する。なお、保護回路８０６は、設けない構成としてもよい。

駆動回路部８０４の一部、または全部は、画素部８０２と同一基板上に形成されていることが望ましい。これにより、部品数や端子数を減らすことが出来る。駆動回路部８０４の一部、または全部が、画素部８０２と同一基板上に形成されていない場合には、駆動回路部８０４の一部、または全部は、ＣＯＧやＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）によって、実装することができる。

画素部８０２は、Ｘ行（Ｘは２以上の自然数）Ｙ列（Ｙは２以上の自然数）に配置された複数の表示素子を駆動するための回路（以下、画素回路８０１という）を有し、駆動回路部８０４は、画素を選択する信号（走査信号）を出力する回路（以下、ゲートドライバ８０４ａという）、画素の表示素子を駆動するための信号（データ信号）を供給するための回路（以下、ソースドライバ８０４ｂ）などの駆動回路を有する。

ゲートドライバ８０４ａは、シフトレジスタ等を有する。ゲートドライバ８０４ａは、端子部８０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号が入力され、信号を出力する。例えば、ゲートドライバ８０４ａは、スタートパルス信号、クロック信号等が入力され、パルス信号を出力する。ゲートドライバ８０４ａは、走査信号が与えられる配線（以下、走査線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘという）の電位を制御する機能を有する。なお、ゲートドライバ８０４ａを複数設け、複数のゲートドライバ８０４ａにより、走査線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘを分割して制御してもよい。または、ゲートドライバ８０４ａは、初期化信号を供給することができる機能を有する。ただし、これに限定されず、ゲートドライバ８０４ａは、別の信号を供給することも可能である。

ソースドライバ８０４ｂは、シフトレジスタ等を有する。ソースドライバ８０４ｂは、端子部８０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号の他、データ信号の元となる信号（画像信号）が入力される。ソースドライバ８０４ｂは、画像信号を元に画素回路８０１に書き込むデータ信号を生成する機能を有する。また、ソースドライバ８０４ｂは、スタートパルス、クロック信号等が入力されて得られるパルス信号に従って、データ信号の出力を制御する機能を有する。また、ソースドライバ８０４ｂは、データ信号が与えられる配線（以下、データ線ＤＬ＿１乃至ＤＬ＿Ｙという）の電位を制御する機能を有する。または、ソースドライバ８０４ｂは、初期化信号を供給することができる機能を有する。ただし、これに限定されず、ソースドライバ８０４ｂは、別の信号を供給することも可能である。

ソースドライバ８０４ｂは、例えば複数のアナログスイッチなどを用いて構成される。ソースドライバ８０４ｂは、複数のアナログスイッチを順次オン状態にすることにより、画像信号を時分割した信号をデータ信号として出力できる。また、シフトレジスタなどを用いてソースドライバ８０４ｂを構成してもよい。

複数の画素回路８０１のそれぞれは、走査信号が与えられる複数の走査線ＧＬの一つを介してパルス信号が入力され、データ信号が与えられる複数のデータ線ＤＬの一つを介してデータ信号が入力される。また、複数の画素回路８０１のそれぞれは、ゲートドライバ８０４ａによりデータ信号のデータの書き込み及び保持が制御される。例えば、ｍ行ｎ列目の画素回路８０１は、走査線ＧＬ＿ｍ（ｍはＸ以下の自然数）を介してゲートドライバ８０４ａからパルス信号が入力され、走査線ＧＬ＿ｍの電位に応じてデータ線ＤＬ＿ｎ（ｎはＹ以下の自然数）を介してソースドライバ８０４ｂからデータ信号が入力される。

図６（Ａ）に示す保護回路８０６は、例えば、ゲートドライバ８０４ａと画素回路８０１の間の配線である走査線ＧＬに接続される。または、保護回路８０６は、ソースドライバ８０４ｂと画素回路８０１の間の配線であるデータ線ＤＬに接続される。または、保護回路８０６は、ゲートドライバ８０４ａと端子部８０７との間の配線に接続することができる。または、保護回路８０６は、ソースドライバ８０４ｂと端子部８０７との間の配線に接続することができる。なお、端子部８０７は、外部の回路から表示装置に電源及び制御信号、及び画像信号を入力するための端子が設けられた部分をいう。

保護回路８０６は、自身が接続する配線に一定の範囲外の電位が与えられたときに、該配線と別の配線とを導通状態にする回路である。

図６（Ａ）に示すように、画素部８０２と駆動回路部８０４にそれぞれ保護回路８０６を設けることにより、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：静電気放電）などにより発生する過電流に対する表示装置の耐性を高めることができる。ただし、保護回路８０６の構成はこれに限定されず、例えば、ゲートドライバ８０４ａに保護回路８０６を接続した構成、またはソースドライバ８０４ｂに保護回路８０６を接続した構成とすることもできる。あるいは、端子部８０７に保護回路８０６を接続した構成とすることもできる。

また、図６（Ａ）においては、ゲートドライバ８０４ａとソースドライバ８０４ｂによって駆動回路部８０４を形成している例を示しているが、この構成に限定されない。例えば、ゲートドライバ８０４ａのみを形成し、別途用意されたソースドライバ回路が形成された基板（例えば、単結晶半導体膜、多結晶半導体膜で形成された駆動回路基板）を実装する構成としても良い。

また、図６（Ａ）に示す複数の画素回路８０１は、例えば、図６（Ｂ）に示す構成とすることができる。

図６（Ｂ）に示す画素回路８０１は、トランジスタ８５２、８５４と、容量素子８６２と、発光素子８７２と、を有する。

トランジスタ８５２のソース電極及びドレイン電極の一方は、データ信号が与えられる配線（以下、信号線ＤＬ＿ｎという）に電気的に接続される。さらに、トランジスタ８５２のゲート電極は、ゲート信号が与えられる配線（以下、走査線ＧＬ＿ｍという）に電気的に接続される。

トランジスタ８５２は、オン状態またはオフ状態になることにより、データ信号のデータの書き込みを制御する機能を有する。

容量素子８６２の一対の電極の一方は、電位が与えられる配線（以下、電位供給線ＶＬ＿ａという）に電気的に接続され、他方は、トランジスタ８５２のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。

容量素子８６２は、書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有する。

トランジスタ８５４のソース電極及びドレイン電極の一方は、電位供給線ＶＬ＿ａに電気的に接続される。さらに、トランジスタ８５４のゲート電極は、トランジスタ８５２のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。

発光素子８７２のアノード及びカソードの一方は、電位供給線ＶＬ＿ｂに電気的に接続され、他方は、トランジスタ８５４のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。

発光素子８７２としては、実施の形態１に示す発光素子１００を用いることができる。

なお、電位供給線ＶＬ＿ａ及び電位供給線ＶＬ＿ｂの一方には、高電源電位ＶＤＤが与えられ、他方には、低電源電位ＶＳＳが与えられる。

図６（Ｂ）の画素回路８０１を有する表示装置では、例えば、図６（Ａ）に示すゲートドライバ８０４ａにより各行の画素回路８０１を順次選択し、トランジスタ８５２をオン状態にしてデータ信号のデータを書き込む。

データが書き込まれた画素回路８０１は、トランジスタ８５２がオフ状態になることで保持状態になる。さらに、書き込まれたデータ信号の電位に応じてトランジスタ８５４のソース電極とドレイン電極の間に流れる電流量が制御され、発光素子８７２は、流れる電流量に応じた輝度で発光する。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。

また、画素回路に、トランジスタのしきい値電圧等の変動の影響を補正する機能を持たせてもよい。図７（Ａ）（Ｂ）及び図８（Ａ）（Ｂ）に画素回路の一例を示す。

図７（Ａ）に示す画素回路は、６つのトランジスタ（トランジスタ３０３＿１乃至３０３＿６）と、容量素子３０４と、発光素子３０５と、を有する。また、図７（Ａ）に示す画素回路には、配線３０１＿１乃至３０１＿５、並びに配線３０２＿１及び配線３０２＿２が電気的に接続されている。なお、トランジスタ３０３＿１乃至３０３＿６については、例えばＰ型の極性のトランジスタを用いることができる。

図７（Ｂ）に示す画素回路は、図７（Ａ）に示す画素回路に、トランジスタ３０３＿７を追加した構成である。また、図７（Ｂ）に示す画素回路には、配線３０１＿６及び配線３０１＿７が電気的に接続されている。ここで、配線３０１＿５と配線３０１＿６とは、それぞれ電気的に接続されていてもよい。なお、トランジスタ３０３＿７については、例えばＰ型の極性のトランジスタを用いることができる。

図８（Ａ）に示す画素回路は、６つのトランジスタ（トランジスタ３０８＿１乃至３０８＿６）と、容量素子３０４と、発光素子３０５と、を有する。また、図８（Ａ）に示す画素回路には、配線３０６＿１乃至３０６＿３、並びに配線３０７＿１乃至３０７＿３が電気的に接続されている。ここで配線３０６＿１と配線３０６＿３とは、それぞれ電気的に接続されていてもよい。なお、トランジスタ３０８＿１乃至３０８＿６については、例えばＰ型の極性のトランジスタを用いることができる。

図８（Ｂ）に示す画素回路は、２つのトランジスタ（トランジスタ３０９＿１及びトランジスタ３０９＿２）と、２つの容量素子（容量素子３０４＿１及び容量素子３０４＿２）と、発光素子３０５と、を有する。また、図８（Ｂ）に示す画素回路には、配線３１１＿１乃至配線３１１＿３、配線３１２＿１、及び配線３１２＿２が電気的に接続されている。また、図８（Ｂ）に示す画素回路の構成とすることで、例えば、発光素子３０５を定電圧定電流（Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ：ＣＶＣＣ）駆動することができる。なお、トランジスタ３０９＿１及び３０９＿２については、例えばＰ型の極性のトランジスタを用いることができる。

また、本発明の一態様の発光素子は、表示装置の画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、または、表示装置の画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式のそれぞれの方式に適用することができる。

アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、トランジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いることが出来る。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）、又はＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。

アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ることが出来る。

本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態においては、本発明の一態様の発光装置を有する表示パネル、及び該表示パネルに入力装置を取り付けた電子機器について、図９乃至図１３を用いて説明を行う。

＜タッチパネルに関する説明１＞
なお、本実施の形態において、電子機器の一例として、表示パネルと、入力装置とを合わせたタッチパネル２０００について説明する。また、入力装置の一例として、タッチセンサを用いる場合について説明する。なお、本発明の一態様の発光装置を表示パネルの画素に用いることができる。

図９（Ａ）（Ｂ）は、タッチパネル２０００の斜視図である。なお、図９（Ａ）（Ｂ）において、明瞭化のため、タッチパネル２０００の代表的な構成要素を示す。

タッチパネル２０００は、表示パネル２５０１とタッチセンサ２５９５とを有する（図９（Ｂ）参照）。また、タッチパネル２０００は、基板２５１０、基板２５７０、及び基板２５９０を有する。なお、基板２５１０、基板２５７０、及び基板２５９０はいずれも可撓性を有する。ただし、基板２５１０、基板２５７０、及び基板２５９０のいずれか一つまたは全てが可撓性を有さない構成としてもよい。

表示パネル２５０１は、基板２５１０上に複数の画素及び該画素に信号を供給することができる複数の配線２５１１を有する。複数の配線２５１１は、基板２５１０の外周部にまで引き回され、その一部が端子２５１９を構成している。端子２５１９はＦＰＣ２５０９（１）と電気的に接続する。

基板２５９０は、タッチセンサ２５９５と、タッチセンサ２５９５と電気的に接続する複数の配線２５９８とを有する。複数の配線２５９８は、基板２５９０の外周部に引き回され、その一部は端子を構成する。そして、該端子はＦＰＣ２５０９（２）と電気的に接続される。なお、図９（Ｂ）では明瞭化のため、基板２５９０の裏面側（基板２５１０と対向する面側）に設けられるタッチセンサ２５９５の電極や配線等を実線で示している。

タッチセンサ２５９５として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。

投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式などがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。

なお、図９（Ｂ）に示すタッチセンサ２５９５は、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用した構成である。

なお、タッチセンサ２５９５には、指等の検知対象の近接または接触を検知することができる、様々なセンサを適用することができる。

投影型静電容量方式のタッチセンサ２５９５は、電極２５９１と電極２５９２とを有する。電極２５９１は、複数の配線２５９８のいずれかと電気的に接続し、電極２５９２は複数の配線２５９８の他のいずれかと電気的に接続する。

電極２５９２は、図９（Ａ）（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置された複数の四辺形が角部で接続される形状を有する。

電極２５９１は四辺形であり、電極２５９２が延在する方向と交差する方向に繰り返し配置されている。

配線２５９４は、電極２５９２を挟む二つの電極２５９１と電気的に接続する。このとき、電極２５９２と配線２５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のバラツキを低減できる。その結果、タッチセンサ２５９５を透過する光の輝度のバラツキを低減することができる。

なお、電極２５９１及び電極２５９２の形状はこれに限定されず、様々な形状を取りうる。例えば、複数の電極２５９１をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介して電極２５９２を、電極２５９１と重ならない領域ができるように離間して複数設ける構成としてもよい。このとき、隣接する２つの電極２５９２の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい。

なお、電極２５９１、電極２５９２、配線２５９８などの導電膜、つまり、タッチパネルを構成する配線や電極に用いることのできる材料として、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛等を有する透明導電膜（例えば、ＩＴＯなど）が挙げられる。また、タッチパネルを構成する配線や電極に用いることのできる材料として、例えば、抵抗値が低い方が好ましい。一例として、銀、銅、アルミニウム、カーボンナノチューブ、グラフェン、ハロゲン化金属（ハロゲン化銀など）などを用いてもよい。さらに、非常に細くした（例えば、直径が数ナノメール）複数の導電体を用いて構成されるような金属ナノワイヤを用いてもよい。または、導電体を網目状にした金属メッシュを用いてもよい。一例としては、Ａｇナノワイヤ、Ｃｕナノワイヤ、Ａｌナノワイヤ、Ａｇメッシュ、Ｃｕメッシュ、Ａｌメッシュなどを用いてもよい。例えば、タッチパネルを構成する配線や電極にＡｇナノワイヤを用いる場合、可視光において透過率を８９％以上、シート抵抗値を４０Ω／ｃｍ^２以上１００Ω／ｃｍ^２以下とすることができる。また、上述したタッチパネルを構成する配線や電極に用いることのできる材料の一例である、金属ナノワイヤ、金属メッシュ、カーボンナノチューブ、グラフェンなどは、可視光において透過率が高いため、表示素子に用いる電極（例えば、画素電極または共通電極など）として用いてもよい。

＜表示パネルに関する説明＞
次に、図１０（Ａ）を用いて、表示パネル２５０１の詳細について説明する。図１０（Ａ）は、図９（Ｂ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図に相当する。

表示パネル２５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素を有する。該画素は表示素子と、該表示素子を駆動する画素回路とを有する。

基板２５１０及び基板２５７０としては、例えば、水蒸気の透過率が１０^−５ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下、好ましくは１０^−６ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下である可撓性を有する材料を好適に用いることができる。または、基板２５１０の熱膨張率と、基板２５７０の熱膨張率とが、およそ等しい材料を用いると好適である。例えば、線膨張率が１×１０^−３／Ｋ以下、好ましくは５×１０^−５／Ｋ以下、より好ましくは１×１０^−５／Ｋ以下である材料を好適に用いることができる。

なお、基板２５１０は、発光素子への不純物の拡散を防ぐ絶縁層２５１０ａと、可撓性基板２５１０ｂと、絶縁層２５１０ａ及び可撓性基板２５１０ｂを貼り合わせる接着層２５１０ｃと、を有する積層体である。また、基板２５７０は、発光素子への不純物の拡散を防ぐ絶縁層２５７０ａと、可撓性基板２５７０ｂと、絶縁層２５７０ａ及び可撓性基板２５７０ｂを貼り合わせる接着層２５７０ｃと、を有する積層体である。

接着層２５１０ｃ及び接着層２５７０ｃとしては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、もしくはシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を用いることができる。

また、基板２５１０と基板２５７０との間に封止層２５６０を有する。封止層２５６０は、空気より大きい屈折率を有すると好ましい。また、図１０（Ａ）に示すように、封止層２５６０側に光を取り出す場合は、封止層２５６０は光学素子を兼ねることができる。

また、封止層２５６０の外周部にシール材を形成してもよい。当該シール材を用いることにより、基板２５１０、基板２５７０、封止層２５６０、及びシール材で囲まれた領域に発光素子２５５０Ｒを有する構成とすることができる。なお、封止層２５６０として、不活性気体（窒素やアルゴン等）を充填してもよい。また、当該不活性気体内に、乾燥材を設けて、水分等を吸着させる構成としてもよい。また、上述のシール材としては、例えば、エポキシ系樹脂やガラスフリットを用いるのが好ましい。また、シール材に用いる材料としては、水分や酸素を透過しない材料を用いると好適である。

また、表示パネル２５０１は、画素２５０２を有する。また、画素２５０２は発光モジュール２５８０を有する。

画素２５０２は、発光素子２５５０Ｒと、発光素子２５５０Ｒに電力を供給することができるトランジスタ２５０２ｔとを有する。なお、トランジスタ２５０２ｔは、画素回路の一部として機能する。また、発光モジュール２５８０は、発光素子２５５０Ｒと、着色層２５６７Ｒとを有する。

発光素子２５５０は、下部電極と、上部電極と、下部電極と上部電極の間にＥＬ層とを有する。発光素子２５５０として、例えば、実施の形態１に示す発光素子１００を適用することができる。なお、図面においては、発光素子２５５０を１つしか図示していないが、２つ以上の発光素子を有する構成としてもよい。

また、封止層２５６０が光を取り出す側に設けられている場合、封止層２５６０は、発光素子２５５０と着色層２５６７Ｒに接する。

着色層２５６７Ｒは、発光素子２５５０と重なる位置にある。これにより、発光素子２５５０が発する光の一部は着色層２５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール２５８０の外部に射出される。

また、表示パネル２５０１には、光を射出する方向に遮光層２５６７ＢＭが設けられる。遮光層２５６７ＢＭは、着色層２５６７Ｒを囲むように設けられている。

着色層２５６７Ｒとしては、特定の波長帯域の光を透過する機能を有していればよく、例えば、赤色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタ、黄色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタなどを用いることができる。各カラーフィルタは、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング方法などで形成することができる。

また、表示パネル２５０１には、絶縁層２５２１が設けられる。絶縁層２５２１はトランジスタ２５０２ｔを覆う。なお、絶縁層２５２１は、画素回路に起因する凹凸を平坦化するための機能を有する。また、絶縁層２５２１に不純物の拡散を抑制できる機能を付与してもよい。これにより、不純物の拡散によるトランジスタ２５０２ｔ等の信頼性の低下を抑制できる。

また、発光素子２５５０Ｒは、絶縁層２５２１の上方に形成される。また、発光素子２５５０Ｒが有する下部電極には、該下部電極の端部に重なる隔壁２５２８が設けられる。なお、基板２５１０と、基板２５７０との間隔を制御するスペーサを、隔壁２５２８上に形成してもよい。

走査線駆動回路２５０３ｇは、トランジスタ２５０３ｔと、容量素子２５０３ｃとを有する。なお、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。

また、基板２５１０上には、信号を供給することができる配線２５１１が設けられる。また、配線２５１１上には、端子２５１９が設けられる。また、端子２５１９には、ＦＰＣ２５０９（１）が電気的に接続される。また、ＦＰＣ２５０９（１）は、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を供給する機能を有する。なお、ＦＰＣ２５０９（１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。

また、表示パネル２５０１には、様々な構造のトランジスタを適用することができる。図１０（Ａ）においては、ボトムゲート型のトランジスタを適用する場合について、例示しているが、これに限定されず、例えば、図１０（Ｂ）に示す、トップゲート型のトランジスタを表示パネル２５０１に適用する構成としてもよい。

また、トランジスタ２５０２ｔ及びトランジスタ２５０３ｔの極性については、特に限定はなく、Ｎ型およびＰ型のトランジスタを有する構造、Ｎ型のトランジスタまたはＰ型のトランジスタのいずれか一方のみからなる構造を用いてもよい。また、トランジスタ２５０２ｔ及び２５０３ｔに用いられる半導体膜の結晶性についても特に限定はない。例えば、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜を用いることができる。また、半導体材料としては、１３族の半導体（例えば、ガリウムを有する半導体）、１４族の半導体（例えば、ケイ素を有する半導体）、化合物半導体（酸化物半導体を含む）、有機半導体等を用いることができる。トランジスタ２５０２ｔ及びトランジスタ２５０３ｔのいずれか一方または双方に、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、さらに好ましくは３ｅＶ以上の酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができるため好ましい。当該酸化物半導体としては、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｓｎ、またはＮｄを表す）等が挙げられる。

＜タッチセンサに関する説明＞
次に、図１０（Ｃ）を用いて、タッチセンサ２５９５の詳細について説明する。図１０（Ｃ）は、図９（Ｂ）に示す一点鎖線Ｘ３−Ｘ４間の断面図に相当する。

タッチセンサ２５９５は、基板２５９０上に千鳥状に配置された電極２５９１及び電極２５９２と、電極２５９１及び電極２５９２を覆う絶縁層２５９３と、隣り合う電極２５９１を電気的に接続する配線２５９４とを有する。

電極２５９１及び電極２５９２は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法等を挙げることができる。

例えば、透光性を有する導電性材料を基板２５９０上にスパッタリング法により成膜した後、フォトリソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して、電極２５９１及び電極２５９２を形成することができる。

また、絶縁層２５９３に用いる材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。

また、電極２５９１に達する開口が絶縁層２５９３に設けられ、配線２５９４が隣接する電極２５９１と電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を高めることができるため、配線２５９４に好適に用いることができる。また、電極２５９１及び電極２５９２より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線２５９４に好適に用いることができる。

電極２５９２は、一方向に延在し、複数の電極２５９２がストライプ状に設けられている。また、配線２５９４は電極２５９２と交差して設けられている。

一対の電極２５９１が１つの電極２５９２を挟んで設けられる。また、配線２５９４は一対の電極２５９１を電気的に接続している。

なお、複数の電極２５９１は、１つの電極２５９２と必ずしも直交する方向に配置される必要はなく、０度を超えて９０度未満の角度をなすように配置されてもよい。

また、配線２５９８は、電極２５９１または電極２５９２と電気的に接続される。また、配線２５９８の一部は、端子として機能する。配線２５９８としては、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、またはパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。

なお、絶縁層２５９３及び配線２５９４を覆う絶縁層を設けて、タッチセンサ２５９５を保護してもよい。

また、接続層２５９９は、配線２５９８とＦＰＣ２５０９（２）を電気的に接続させる。

接続層２５９９としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

＜タッチパネルに関する説明２＞
次に、図１１（Ａ）を用いて、タッチパネル２０００の詳細について説明する。図１１（Ａ）は、図９（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ５−Ｘ６間の断面図に相当する。

図１１（Ａ）に示すタッチパネル２０００は、図１０（Ａ）で説明した表示パネル２５０１と、図１０（Ｃ）で説明したタッチセンサ２５９５と、を貼り合わせた構成である。

また、図１１（Ａ）に示すタッチパネル２０００は、図１０（Ａ）及び図１０（Ｃ）で説明した構成の他、接着層２５９７と、反射防止層２５６７ｐと、を有する。

接着層２５９７は、配線２５９４と接して設けられる。なお、接着層２５９７は、タッチセンサ２５９５が表示パネル２５０１に重なるように、基板２５９０を基板２５７０に貼り合わせている。また、接着層２５９７は、透光性を有すると好ましい。また、接着層２５９７としては、熱硬化性樹脂、または紫外線硬化樹脂を用いることができる。例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、またはシロキサン系樹脂を用いることができる。

反射防止層２５６７ｐは、画素に重なる位置に設けられる。反射防止層２５６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。

次に、図１１（Ａ）に示す構成と異なる構成のタッチパネルについて、図１１（Ｂ）を用いて説明する。

図１１（Ｂ）は、タッチパネル２００１の断面図である。図１１（Ｂ）に示すタッチパネル２００１は、図１１（Ａ）に示すタッチパネル２０００と、表示パネル２５０１に対するタッチセンサ２５９５の位置が異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、タッチパネル２０００の説明を援用する。

着色層２５６７Ｒは、発光素子２５５０Ｒと重なる位置にある。また、図１１（Ｂ）に示す発光素子２５５０Ｒは、トランジスタ２５０２ｔが設けられている側に光を射出する。これにより、発光素子２５５０Ｒが発する光の一部は、着色層２５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール２５８０の外部に射出される。

また、タッチセンサ２５９５は、表示パネル２５０１の基板２５１０側に設けられている。

接着層２５９７は、基板２５１０と基板２５９０の間にあり、表示パネル２５０１とタッチセンサ２５９５を貼り合わせる。

図１１（Ａ）（Ｂ）に示すように、発光素子から射出される光は、基板の上面及び下面のいずれか一方または双方に射出されればよい。

＜タッチパネルの駆動方法に関する説明＞
次に、タッチパネルの駆動方法の一例について、図１２を用いて説明を行う。

図１２（Ａ）は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図１２（Ａ）では、パルス電圧出力回路２６０１、電流検出回路２６０２を示している。なお、図１２（Ａ）では、パルス電圧が与えられる電極２６２１をＸ１−Ｘ６として、電流の変化を検知する電極２６２２をＹ１−Ｙ６として、それぞれ６本の配線で例示している。また、図１２（Ａ）は、電極２６２１と、電極２６２２とが重畳することで形成される容量２６０３を示している。なお、電極２６２１と電極２６２２とはその機能を互いに置き換えてもよい。

パルス電圧出力回路２６０１は、Ｘ１−Ｘ６の配線に順にパルスを印加するための回路である。Ｘ１−Ｘ６の配線にパルス電圧が印加されることで、容量２６０３を形成する電極２６２１と電極２６２２との間に電界が生じる。この電極間に生じる電界が遮蔽等により容量２６０３の相互容量に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、または接触を検出することができる。

電流検出回路２６０２は、容量２６０３での相互容量の変化による、Ｙ１−Ｙ６の配線での電流の変化を検出するための回路である。Ｙ１−Ｙ６の配線では、被検知体の近接、または接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、または接触により相互容量が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検出は、積分回路等を用いて行えばよい。

次に、図１２（Ｂ）には、図１２（Ａ）で示す相互容量方式のタッチセンサにおける入出力波形のタイミングチャートを示す。図１２（Ｂ）では、１フレーム期間で各行列での被検知体の検出を行うものとする。また図１２（Ｂ）では、被検知体を検出しない場合（非タッチ）と被検知体を検出する場合（タッチ）との２つの場合について示している。なおＹ１−Ｙ６の配線については、検出される電流値に対応する電圧値とした波形を示している。

Ｘ１−Ｘ６の配線には、順にパルス電圧が与えられ、該パルス電圧にしたがってＹ１−Ｙ６の配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、Ｘ１−Ｘ６の配線の電圧の変化に応じてＹ１−Ｙ６の波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接または接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化する。

このように、相互容量の変化を検出することにより、被検知体の近接または接触を検知することができる。

＜センサ回路に関する説明＞
また、図１２（Ａ）ではタッチセンサとして配線の交差部に容量２６０３のみを設けるパッシブ型のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを有するアクティブ型のタッチセンサとしてもよい。アクティブ型のタッチセンサに含まれるセンサ回路の一例を図１３に示す。

図１３に示すセンサ回路は、容量２６０３と、トランジスタ２６１１と、トランジスタ２６１２と、トランジスタ２６１３とを有する。

トランジスタ２６１３はゲートに信号Ｇ２が与えられ、ソースまたはドレインの一方に電圧ＶＲＥＳが与えられ、他方が容量２６０３の一方の電極およびトランジスタ２６１１のゲートと電気的に接続する。トランジスタ２６１１は、ソースまたはドレインの一方がトランジスタ２６１２のソースまたはドレインの一方と電気的に接続し、他方に電圧ＶＳＳが与えられる。トランジスタ２６１２は、ゲートに信号Ｇ１が与えられ、ソースまたはドレインの他方が配線ＭＬと電気的に接続する。容量２６０３の他方の電極には電圧ＶＳＳが与えられる。

次に、図１３に示すセンサ回路の動作について説明する。まず、信号Ｇ２としてトランジスタ２６１３をオン状態とする電位が与えられることで、トランジスタ２６１１のゲートが接続されるノードｎに電圧ＶＲＥＳに対応した電位が与えられる。次に、信号Ｇ２としてトランジスタ２６１３をオフ状態とする電位が与えられることで、ノードｎの電位が保持される。

続いて、指等の被検知体の近接または接触により、容量２６０３の相互容量が変化することに伴い、ノードｎの電位がＶＲＥＳから変化する。

読み出し動作は、信号Ｇ１にトランジスタ２６１２をオン状態とする電位を与える。ノードｎの電位に応じてトランジスタ２６１１に流れる電流、すなわち配線ＭＬに流れる電流が変化する。この電流を検出することにより、被検知体の近接または接触を検出することができる。

トランジスタ２６１１、トランジスタ２６１２、及びトランジスタ２６１３としては、酸化物半導体層をチャネル領域が形成される半導体層に用いることが好ましい。とくにトランジスタ２６１３にこのようなトランジスタを適用することにより、ノードｎの電位を長期間に亘って保持することが可能となり、ノードｎにＶＲＥＳを供給しなおす動作（リフレッシュ動作）の頻度を減らすことができる。

本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を有する表示モジュール及び電子機器について、図１４及び図１５を用いて説明を行う。

図１４に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２との間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチセンサ８００４、ＦＰＣ８００５に接続された表示パネル８００６、フレーム８００９、プリント基板８０１０、バッテリ８０１１を有する。

本発明の一態様の発光装置は、例えば、表示パネル８００６に用いることができる。

上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチセンサ８００４及び表示パネル８００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。

タッチセンサ８００４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを表示パネル８００６に重畳して用いることができる。また、表示パネル８００６の対向基板（封止基板）に、タッチセンサ機能を持たせるようにすることも可能である。また、表示パネル８００６の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチセンサとすることも可能である。

フレーム８００９は、表示パネル８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。

プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても良いし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。バッテリ８０１１は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。

また、表示モジュール８０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追加して設けてもよい。

図１５（Ａ）乃至図１５（Ｇ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５、接続端子９００６、センサ９００７、マイクロフォン９００８、等を有することができる。

図１５（Ａ）乃至図１５（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチセンサ機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信または受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図１５（Ａ）乃至図１５（Ｇ）に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。また、図１５（Ａ）乃至図１５（Ｇ）には図示していないが、電子機器には、複数の表示部を有する構成としてもよい。また、該電子機器にカメラ等を設け、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を記録媒体（外部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。

図１５（Ａ）乃至図１５（Ｇ）に示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。

図１５（Ａ）は、携帯情報端末９１００を示す斜視図である。携帯情報端末９１００が有する表示部９００１は、可撓性を有する。そのため、湾曲した筐体９０００の湾曲面に沿って表示部９００１を組み込むことが可能である。また、表示部９００１はタッチセンサを備え、指やスタイラスなどで画面に触れることで操作することができる。例えば、表示部９００１に表示されたアイコンに触れることで、アプリケーションを起動することができる。

図１５（Ｂ）は、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えば電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を省略して図示しているが、図１５（Ａ）に示す携帯情報端末９１００と同様の位置に設けることができる。また、携帯情報端末９１０１は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、３つの操作ボタン９０５０（操作アイコンまたは単にアイコンともいう）を表示部９００１の一の面に表示することができる。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することができる。なお、情報９０５１の一例としては、電子メールやＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）や電話などの着信を知らせる表示、電子メールやＳＮＳなどの題名、電子メールやＳＮＳなどの送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、受信信号の強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置に、情報９０５１の代わりに、操作ボタン９０５０などを表示してもよい。

図１５（Ｃ）は、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば、携帯情報端末９１０２の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、その表示（ここでは情報９０５３）を確認することができる。具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。

図１５（Ｄ）は、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６を有し、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うことができる。また接続端子９００６を介して充電を行うこともできる。なお、充電動作は接続端子９００６を介さずに無線給電により行ってもよい。

図１５（Ｅ）（Ｆ）（Ｇ）は、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図１５（Ｅ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態の斜視図であり、図１５（Ｆ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態または折り畳んだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の斜視図であり、図１５（Ｇ）が携帯情報端末９２０１を折り畳んだ状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。ヒンジ９０５５を介して２つの筐体９０００間を屈曲させることにより、携帯情報端末９２０１を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。例えば、携帯情報端末９２０１は、曲率半径１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。

本実施の形態において述べた電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有することを特徴とする。ただし、本発明の一態様の発光装置は、表示部を有さない電子機器にも適用することができる。また、本実施の形態において述べた電子機器の表示部においては、可撓性を有し、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる構成、または折り畳み可能な表示部の構成について例示したが、これに限定されず、可撓性を有さず、平面部に表示を行う構成としてもよい。

本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について、図１６を用いて説明する。

本実施の形態で示す、発光装置３０００の斜視図を図１６（Ａ）に、図１６（Ａ）に示す一点鎖線Ｅ−Ｆ間に相当する断面図を図１６（Ｂ）に、それぞれ示す。なお、図１６（Ａ）において、図面の煩雑さを避けるために、構成要素の一部を破線で表示している。

図１６（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置３０００は、基板３００１と、基板３００１上の発光素子３００５と、発光素子３００５の外周に設けられた第１の封止領域３００７と、第１の封止領域３００７の外周に設けられた第２の封止領域３００９と、を有する。

また、発光素子３００５からの発光は、基板３００１及び基板３００３のいずれか一方または双方から射出される。図１６（Ａ）（Ｂ）においては、発光素子３００５からの発光が下方側（基板３００１側）に射出される構成について説明する。

また、図１６（Ａ）（Ｂ）に示すように、発光装置３０００は、発光素子３００５が第１の封止領域３００７と、第２の封止領域３００９とに、囲まれて配置される二重封止構造である。二重封止構造とすることで、発光素子３００５側に入り込む外部の不純物（例えば、水、酸素など）を、好適に抑制することができる。ただし、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９を、必ずしも設ける必要はない。例えば、第１封止領域３００７のみの構成としてもよい。

なお、図１６（Ｂ）において、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９は、基板３００１及び基板３００３と接して設けられる。ただし、これに限定されず、例えば、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９の一方または双方は、基板３００１の上方に形成される絶縁膜、あるいは導電膜と接して設けられる構成としてもよい。または、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９の一方または双方は、基板３００３の下方に形成される絶縁膜、あるいは導電膜と接して設けられる構成としてもよい。

基板３００１及び基板３００３としては、それぞれ先の実施の形態１に記載の基板１０２と、基板１５２と同様の構成とすればよい。発光素子３００５としては、先の実施の形態に記載の発光素子のいずれか一つと同様の構成とすればよい。

第１の封止領域３００７としては、ガラスを含む材料（例えば、ガラスフリット、ガラスリボン等）を用いればよい。また、第２の封止領域３００９としては、樹脂を含む材料を用いればよい。第１の封止領域３００７として、ガラスを含む材料を用いることで、生産性や封止性を高めることができる。また、第２の封止領域３００９として、樹脂を含む材料を用いることで、耐衝撃性や耐熱性を高めることができる。ただし、第１の封止領域３００７と、第２の封止領域３００９とは、これに限定されず、第１の封止領域３００７が樹脂を含む材料で形成され、第２の封止領域３００９がガラスを含む材料で形成されてもよい。

また、上述のガラスフリットとしては、例えば、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、酸化セシウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化テルル、酸化アルミニウム、二酸化珪素、酸化鉛、酸化スズ、酸化リン、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化鉄、酸化銅、二酸化マンガン、酸化モリブデン、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化タングステン、酸化ビスマス、酸化ジルコニウム、酸化リチウム、酸化アンチモン、ホウ酸鉛ガラス、リン酸スズガラス、バナジン酸塩ガラス又はホウケイ酸ガラス等を含む。赤外光を吸収させるため、少なくとも一種類以上の遷移金属を含むことが好ましい。

また、上述のガラスフリットとしては、例えば、基板上にフリットペーストを塗布し、これに加熱処理、またはレーザ照射などを行う。フリットペーストには、上記ガラスフリットと、有機溶媒で希釈した樹脂（バインダとも呼ぶ）とが含まれる。また、ガラスフリットにレーザ光の波長の光を吸収する吸収剤を添加したものを用いても良い。また、レーザとして、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザや半導体レーザなどを用いることが好ましい。また、レーザ照射の際のレーザの照射形状は、円形でも四角形でもよい。

また、上述の樹脂を含む材料としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、もしくはシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を用いることができる。

なお、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９のいずれか一方または双方にガラスを含む材料を用いる場合、当該ガラスを含む材料と、基板３００１との熱膨張率が近いことが好ましい。上記構成とすることで、熱応力によりガラスを含む材料または基板３００１にクラックが入るのを抑制することができる。

例えば、第１の封止領域３００７にガラスを含む材料を用い、第２の封止領域３００９に樹脂を含む材料を用いる場合、以下の優れた効果を有する。

第２の封止領域３００９は、第１の封止領域３００７よりも、発光装置３０００の外周部に近い側に設けられる。発光装置３０００は、外周部に向かうにつれ、外力等による歪みが大きくなる。よって、歪みが大きくなる発光装置３０００の外周部側、すなわち第２の封止領域３００９に、樹脂を含む材料によって封止し、第２の封止領域３００９よりも内側に設けられる第１の封止領域３００７にガラスを含む材料を用いて封止することで、外力等の歪みが生じても発光装置３０００が壊れにくくなる。

また、図１６（Ｂ）に示すように、基板３００１、基板３００３、第１の封止領域３００７、及び第２の封止領域３００９に囲まれた領域は、第１の領域３０１１となる。また、基板３００１、基板３００３、発光素子３００５、及び第１の封止領域３００７に囲まれた領域は、第２の領域３０１３となる。

第１の領域３０１１及び第２の領域３０１３としては、例えば、希ガスまたは窒素ガス等の不活性ガスが充填されていると好ましい。なお、第１の領域３０１１及び第２の領域３０１３としては、大気圧状態よりも減圧状態であると好ましい。

また、図１６（Ｂ）に示す構成の変形例を図１６（Ｃ）に示す。図１６（Ｃ）は、発光装置３０００の変形例を示す断面図である。

図１６（Ｃ）は、基板３００３の一部に凹部を設け、該凹部に乾燥剤３０１８を設ける構成である。それ以外の構成については、図１６（Ｂ）に示す構成と同じである。

乾燥剤３０１８としては、化学吸着によって水分等を吸着する物質、または物理吸着によって水分等を吸着する物質を用いることができる。例えば、乾燥剤３０１８として用いることができる物質としては、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）、硫酸塩、金属ハロゲン化物、過塩素酸塩、ゼオライト、シリカゲル等が挙げられる。

次に、図１６（Ｂ）に示す発光装置３０００の変形例について、図１７（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）を用いて説明する。なお、図１７（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）は、図１６（Ｂ）に示す発光装置３０００の変形例を説明する断面図である。

図１７（Ａ）に示す発光装置は、第２の封止領域３００９を設けずに、第１の封止領域３００７とした構成である。また、図１７（Ａ）に示す発光装置は、図１６（Ｂ）に示す第２の領域３０１３の代わりに領域３０１４を有する。

領域３０１４としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、もしくはシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を用いることができる。

領域３０１４として、上述の材料を用いることで、いわゆる固体封止の発光装置とすることができる。

また、図１７（Ｂ）に示す発光装置は、図１７（Ａ）に示す発光装置の基板３００１側に、基板３０１５を設ける構成である。

基板３０１５は、図１７（Ｂ）に示すように凹凸を有する。凹凸を有する基板３０１５を、発光素子３００５の光を取り出す側に設ける構成とすることで、発光素子３００５からの光の取出し効率を向上させることができる。なお、図１７（Ｂ）に示すような凹凸を有する構造の代わりに、拡散板として機能する基板を設けてもよい。

また、図１７（Ｃ）に示す発光装置は、図１７（Ａ）に示す発光装置が基板３００１側から光を取り出す構造であったのに対し、基板３００３側から光を取り出す構造である。

図１７（Ｃ）に示す発光装置は、基板３００３側に基板３０１５を有する。それ以外の構成は、図１７（Ｂ）に示す発光装置と同様である。

また、図１７（Ｄ）に示す発光装置は、図１７（Ｃ）に示す発光装置の基板３００３、３０１５を設けずに、基板３０１６を設ける構成である。

基板３０１６は、発光素子３００５の近い側に位置する第１の凹凸と、発光素子３００５の遠い側に位置する第２の凹凸と、を有する。図１７（Ｄ）に示す構成とすることで、発光素子３００５からの光の取出し効率をさらに、向上させることができる。

したがって、本実施の形態に示す構成を実施することにより、水分や酸素などの不純物による発光素子の劣化が抑制された発光装置を実現することができる。または、本実施の形態に示す構成を実施することにより、光取出し効率の高い発光装置を実現することができる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態、または実施例に示す構成と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を様々な照明装置及び電子機器に適用する一例について、図１８を用いて説明する。

本発明の一態様の発光装置を、可撓性を有する基板上に作製することで、曲面を有する発光領域を有する電子機器、照明装置を実現することができる。

また、本発明の一態様を適用した発光装置は、自動車の照明にも適用することができ、例えば、ダッシュボードや、フロントガラス、天井等に照明を設置することもできる。

図１８（Ａ）は、多機能端末３５００の一方の面の斜視図を示し、図１８（Ｂ）は、多機能端末３５００の他方の面の斜視図を示している。多機能端末３５００は、筐体３５０２に表示部３５０４、カメラ３５０６、照明３５０８等が組み込まれている。本発明の一態様の発光装置を照明３５０８に用いることができる。

照明３５０８は、本発明の一態様の発光装置を用いることで、面光源として機能する。したがって、ＬＥＤに代表される点光源と異なり、指向性が少ない発光が得られる。例えば、照明３５０８とカメラ３５０６とを組み合わせて用いる場合、照明３５０８を点灯または点滅させて、カメラ３５０６により撮像することができる。照明３５０８としては、面光源としての機能を有するため、自然光の下で撮影したような写真を撮影することができる。

なお、図１８（Ａ）、（Ｂ）に示す多機能端末３５００は、図１５（Ａ）乃至図１５（Ｇ）に示す電子機器と同様に、様々な機能を有することができる。

また、筐体３５０２の内部に、スピーカ、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン等を有することができる。また、多機能端末３５００の内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、多機能端末３５００の向き（縦か横か）を判断して、表示部３５０４の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。

表示部３５０４は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部３５０４に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部３５０４に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。なお、表示部３５０４に本発明の一態様の発光装置を適用してもよい。

図１８（Ｃ）は、防犯用のライト３６００の斜視図を示している。ライト３６００は、筐体３６０２の外側に照明３６０８を有し、筐体３６０２には、スピーカ３６１０等が組み込まれている。本発明の一態様の発光装置を照明３６０８に用いることができる。

ライト３６００としては、例えば、照明３６０８を握持する、掴持する、または保持することで発光することができる。また、筐体３６０２の内部には、ライト３６００からの発光方法を制御できる電子回路を備えていてもよい。該電子回路としては、例えば、１回または間欠的に複数回、発光が可能なような回路としてもよいし、発光の電流値を制御することで発光の光量が調整可能なような回路としてもよい。また、照明３６０８の発光と同時に、スピーカ３６１０から大音量の警報音が出力されるような回路を組み込んでもよい。

ライト３６００としては、あらゆる方向に発光することが可能なため、例えば、暴漢等に向けて光、または光と音で威嚇することができる。また、ライト３６００にデジタルスチルカメラ等のカメラ、撮影機能を有する機能を備えてもよい。

以上のようにして、本発明の一態様の発光装置を適用して照明装置及び電子機器を得ることができる。なお、適用できる照明装置及び電子機器は、本実施の形態に示したものに限らず、あらゆる分野の照明装置及び電子機器に適用することが可能である。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態、または実施例に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。

本実施例では、本発明の一態様である発光素子の作製例を示す。なお、本実施例においては、本発明の一態様である発光素子（発光素子１及び発光素子２）、並びに比較用の発光素子（発光素子３）を作製した。

発光素子１乃至発光素子３の断面模式図を図１９に、発光素子１乃至発光素子３の素子構造の詳細を表４に、使用した化合物の構造と略称を以下に示す。なお、以下に示す化合物以外については、実施の形態１に示す化合物と同様の材料を用いた。

＜１−１．発光素子１乃至発光素子３の作製方法＞
まず、基板５０２上に下部電極５０４として、ＩＴＳＯをスパッタリング法により成膜した。なお、下部電極５０４の膜厚を１００ｎｍとし、下部電極５０４の面積を４ｍｍ^２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。

次に、有機化合物層の蒸着前の前処理として、下部電極５０４が形成された基板５０２の下部電極５０４側を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、下部電極５０４の表面に対し、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板５０２を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で６０分間の真空焼成を行った後、基板５０２を３０分程度放冷した。

次に、下部電極５０４が形成された面が下方となるように、基板５０２を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。本実施例では、真空蒸着法により、正孔注入層５３１、正孔輸送層５３２、発光層５１０（１）、発光層５１０（２）、電子輸送層５３３（１）、電子輸送層５３３（２）、電子注入層５３４、上部電極５１４を順次形成した。詳細な作製方法を以下に記す。

まず、真空装置内を１０^−４Ｐａに減圧した後、下部電極５０４上に、正孔注入層５３１として、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩと酸化モリブデンとを、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：酸化モリブデン＝２：１（重量比）となるように共蒸着した。なお、正孔注入層５３１の膜厚を２０ｎｍとした。

次に、正孔注入層５３１上に正孔輸送層５３２を形成した。正孔輸送層５３２としては、ＢＰＡＦＬＰを蒸着した。なお、正孔輸送層５３２の膜厚を２０ｎｍとした。

次に、正孔輸送層５３２上に発光層５１０（１）を形成した。発光層５１０（１）として、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−９，９−ジメチル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）と、（アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））とを、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）＝０．７：０．３：０．０５（重量比）となるよう共蒸着した。なお、発光層５１０（１）の膜厚を２０ｎｍとした。

次に、発光層５１０（１）上に発光層５１０（２）を形成した。発光層５１０（２）として、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、ＰＣＢＢｉＦと、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）とを、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）＝０．８：０．２：０．０５（重量比）となるよう共蒸着した。なお、発光層５１０（２）の膜厚を２０ｎｍとした。

なお、発光層５１０（１）及び発光層５１０（２）において、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩがホスト材料であり、ＰＣＢＢｉＦがアシスト材料であり、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）がゲスト材料として機能するイリジウム錯体である。

なお、発光素子１乃至発光素子３の発光層は、それぞれ純度が異なるイリジウム錯体を用いて蒸着した。発光素子１の発光層の蒸着の際には材料Ｙ１のイリジウム錯体を用い、発光素子２の蒸着の際には材料Ｙ２のイリジウム錯体を用い、発光素子３の蒸着の際には材料Ｙ３のイリジウム錯体を用いた。材料Ｙ１乃至Ｙ３のイリジウム錯体の純度を表５に示す。

なお、表５に示す、材料Ｙ１乃至Ｙ３の純度は、ＬＣ／ＭＳ分析によって分析した結果である。ＬＣ／ＭＳ分析としては、ＬＣ分離条件以外は、実施の形態１に示す方法と同様とした。材料Ｙ１乃至Ｙ３のＬＣ分離には、移動相の組成を変化させるグラジエント法を用いた。組成を変化させる方法としては、測定開始から１分経過後までを、移動相Ａ：移動相Ｂ＝６０：４０の組成とし、そのあと組成をリニアに変化させ、測定開始から３０分経過後に移動相Ａ：移動相Ｂ＝９５：５の組成となるようにした。つまり、測定時間は３０分である。

ＬＣ／ＭＳ分析の結果、材料Ｙ１乃至Ｙ３中には、表５に示すｍ１乃至ｍ８のピークが確認された。なお、ｍ１乃至ｍ３はｍ／ｚ＝８１１に相当し、ｍ４及びｍ５はｍ／ｚ＝７９７に相当し、ｍ６はｍ／ｚ＝７８３に相当し、ｍ７はｍ／ｚ＝７１１、７５２に相当し、ｍ８はｍ／ｚ＝６９７、７３８に相当した。また、ＭＳクロマトグラフを用いて解析した結果、ｍ１はＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）に、ｍ２及びｍ３はＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）の構造異性体に、帰属された。

表５に示すように、材料Ｙ１は、イリジウム錯体であるｍ１乃至ｍ３を除く物質のピーク面積の比の合計が９．４％であり、材料Ｙ２は、イリジウム錯体であるｍ１乃至ｍ３を除く物質のピーク面積の合計が２０．８％であり、材料Ｙ３は、イリジウム錯体であるｍ１乃至ｍ３を除く物質のピーク面積の合計が２９％であった。

次に、発光層５１０（２）上に電子輸送層５３３（１）として、膜厚５ｎｍの２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩを蒸着した。次に、電子輸送層５３３（１）上に電子輸送層５３３（２）として、膜厚１０ｎｍのＢｐｈｅｎを蒸着した。次に、電子輸送層５３３（２）上に電子注入層５３４として、膜厚１ｎｍのＬｉＦを蒸着した。

次に、電子注入層５３４上に上部電極５１４として、膜厚２００ｎｍのＡｌを蒸着した。

次に、封止基板５５２を準備した。

上記により作製した基板５０２上の各発光素子と、封止基板５５２とを大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において貼り合わせることにより封止した。封止方法としては、シール材を素子の周囲に塗布し、シール材に３６５ｎｍの紫外光を６Ｊ／ｃｍ^２照射し、その後８０℃にて１時間熱処理した。

以上の工程により、発光素子１乃至発光素子３を作製した。

なお、上述の発光素子１乃至発光素子３の蒸着過程において、蒸着方法としては抵抗加熱法を用いた。

＜１−２．発光素子１乃至発光素子３の初期特性＞
発光素子１乃至発光素子３の輝度−電流密度特性を図２０（Ａ）に示す。また、発光素子１乃至発光素子３の輝度−電圧特性を図２０（Ｂ）に示す。また、発光素子１乃至発光素子３の電流効率−輝度特性を図２１（Ａ）に示す。なお、各発光素子の測定環境としては、室温（２５℃に保たれた雰囲気）とした。また、１０００ｃｄ／ｍ^２付近における発光素子１乃至発光素子３の素子特性を表６に示す。

また、発光素子１乃至発光素子３に、それぞれ２．５ｍＡ／ｃｍ^２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを図２１（Ｂ）に示す。図２０、図２１、及び表６に示す通り、本発明の一態様である発光素子１及び発光素子２と、比較用の発光素子である発光素子３と、で初期特性に明確な差が認められなかった。この結果から、発光層５１０（１）及び発光層５１０（２）の燐光材料である、イリジウム錯体の純度が異なる材料を用いても、初期特性に大きな影響がないと示唆される。

＜１−３．発光素子１乃至発光素子３の信頼性評価＞
次に、発光素子１乃至発光素子３の信頼性試験を行った。信頼性試験の測定方法としては、初期輝度を５０００ｃｄ／ｍ^２に設定し、電流密度を一定の条件で発光素子１乃至発光素子３を駆動した。信頼性試験結果を図２２に示す。図２２において、縦軸は初期輝度を１００％とした場合の相対輝度（％）を、横軸は駆動時間（ｈ）を、それぞれ表す。

図２２に示す結果から、発光素子２の５６２時間経過後の相対輝度は８９．８％であり、発光素子１の５６２時間経過後の相対輝度は８７．３％であり、発光素子３の５６２時間経過後の相対輝度は８２．８％であった。

図２２に示す結果から、本発明の一態様である発光素子１及び発光素子２は、比較用の発光素子３と比べ長寿命な発光素子であった。

＜１−４．発光素子１乃至発光素子３の液体クロマトグラフィー質量分析＞
次に、本発明の一態様である発光素子１及び発光素子２と、比較用の発光素子である発光素子３とで、信頼性に差が認められたため、発光素子１、発光素子２、及び発光素子３の分析を行った。当該分析方法としては、ＬＣ／ＭＳ分析を用いて、各発光素子中に含まれる不純物分析を行った。

なお、発光素子１の不純物分析としては、発光素子１と同じ基板上に作製した発光素子１とは異なる発光素子であり、発光素子２の不純物分析としては、発光素子２と同じ基板上に作製した発光素子２とは異なる発光素子であり、発光素子３の不純物分析としては、発光素子３と同じ基板上に作製した発光素子３とは異なる発光素子である。また、不純物分析用の発光素子としては、下部電極５０４の面積を約１２ｃｍ^２（３．５ｃｍ×３．３ｃｍ）とした。すなわち、不純物分析用の発光素子は、発光素子１乃至発光素子３と、それぞれ材料及び構造等は同一であるが、下部電極５０４の面積が異なり、且つ駆動させていない素子である。よって、不純物分析の結果については、駆動により生成した劣化物を分析したものではなく、駆動前から含まれる不純物を対象として行ったものである。ここでは、便宜的に発光素子１と同じ基板上に作製した不純物分析用の発光素子を発光素子１として扱う。発光素子２及び発光素子３についても同様である。

なお、ＬＣ／ＭＳ分析の分析サンプルとしては、発光素子１乃至発光素子３の上部電極５１４であるアルミニウムを、カプトンテープを用いて剥がした後、基板５０２上に残った物質をクロロホルムに溶解しクロロホルム溶液を得た。得られたクロロホルム溶液をアセトニトリルで任意の濃度に希釈し、分析サンプルを得た。なお、分析サンプルの注入量を５．０μＬとして、ＬＣ／ＭＳ分析を行った。

ＬＣ／ＭＳ分析方法としては、実施の形態１に示す方法と同様とした。ただし、測定時間を、移動相Ａ：移動相Ｂ＝９５：５の組成となったあと１５分とした。つまり、測定時間は３０分である。

発光素子１乃至発光素子３の分析結果を図２３に示す。なお、図２３は、発光素子１乃至発光素子３のＬＣ／ＭＳのＰＤＡクロマトグラムである。

また、分析サンプル作製と同様に、サンプル作製に用いたクロロホルムを、アセトニトリルで希釈した溶液の分析を行い、ベースライン（または、バックグラウンド：ＢＧともいう）のクロマトグラムを得た。図２３において、ベースラインの結果をＢＧとして示す。

図２３に示す結果より、発光素子１乃至発光素子３に、それぞれｂ１乃至ｂ６で表されるピークが確認された。ｂ１乃至ｂ６のピークについて、ＭＳスペクトルを用いて解析した結果、ｂ２はＢｐｈｅｎに、ｂ３はＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）、ｂ４はＢＰＡＦＬＰと２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩに、ｂ５はＤＢＴ３Ｐ−ＩＩに、ｂ６はＰＣＢＢｉＦに、それぞれ帰属された。また、ＢＧとの比較によりｂ１は溶媒として用いたクロロホルム及び当該クロロホルムに含まれる不純物に帰属された。

図２３に示すように、素子作製に用いた物質以外の目立った不純物ピークは認められなかった。

次に、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）に着目してＰＤＡクロマトグラムの解析を行った。なお、ＰＤＡクロマトグラムの解析としては、ベースラインを差し引いて行った。発光素子１乃至発光素子３のＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）に着目した解析結果を図２４に示す。なお、図２４は、図２３のｂ３近傍である分析時間５乃至２０分を拡大した図である。

図２４に示す結果より、発光素子１乃至発光素子３には、それぞれｂ７乃至ｂ１２で表されるピークと、ｂ３で表されるピークとが確認された。なお、ｂ３で表されるピークは、図２３のｂ３と同じピークであり、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）に帰属される。なお、図２４において、ｂ３、ｂ７、及びｂ８がイリジウム錯体のプレカーサーイオンに相当し、ｂ９乃至ｂ１２がイリジウム錯体のフラグメントイオンに相当する。

また、ｂ７乃至ｂ１２のピークについて、ＭＳクロマトグラフを用いて解析した結果、ｂ７はＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）の構造異性体（便宜的に、構造異性体１とする）に、ｂ８はＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）の構造異性体（便宜的に、構造異性体２とする）に、ｂ９はＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）の配位子であるｍｐｍｐｐｍ骨格から１つのＭｅ基が外れた構造の物質に、ｂ１０はＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）の配位子であるｍｐｍｐｐｍ骨格から１つのＭｅ基が外れた構造の構造異性体に、ｂ１１はＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）からａｃａｃ配位子が外れたＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２構造を有する物質に、ｂ１２はＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）の配位子であるｍｐｍｐｐｍに、それぞれ帰属された。

なお、上述のＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２構造を有する物質は、ＬＣ／ＭＳ分析において質量電荷比（ｍ／ｚ）が７５３のＭＳスペクトルを示した。Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２にアセトニトリルが配位した構造のプロトン付加体の質量数が、７５３と一致する。したがって、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２は、ＬＣ分離中にアセトニトリルが配位した構造となっている事が示唆された。

また、本分析で用いたウォーターズ社製Ｘｅｖｏ Ｇ２ Ｔｏｆ ＭＳ検出器の測定範囲は、ｍ／ｚ＝１００以上となっている。そのため、配位子であるａｃａｃは、ＭＳ検出器の測定範囲外となっているため検出されなかった。また、ＰＤＡ検出器においても、配位子であるａｃａｃは、検出されなかった。

次に、図２４に示すＬＣ／ＭＳ分析結果を用い、発光素子１乃至発光素子３に含まれるＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）の純度を求めた。分析結果を表７に示す。なお、表７は、図２４に示すｂ３及びｂ７乃至ｂ１２の７つのピーク面積、すなわちイリジウム錯体に起因する物質の合計のピーク面積を１００％とした場合の結果である。したがって、発光素子１乃至発光素子３に含まれるＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）以外の材料については、純度検定に用いていない。

表７に示すように、発光素子１においては、イリジウム錯体であるＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）に起因する物質の合計のピーク面積を１００％とした場合、イリジウム錯体のピーク面積（ここではｂ３、ｂ７及びｂ８）に対する、イリジウム金属に配位結合していない配位子のピーク面積（ここではｂ１２）の比が１．０％であった。また、発光素子２においては、イリジウム錯体であるＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）に起因する物質の合計のピーク面積を１００％とした場合、イリジウム錯体のピーク面積（ここではｂ３、ｂ７及びｂ８）に対する、イリジウム金属に配位結合していない配位子のピーク面積（ここではｂ１２）の比が０．８％であった。また、発光素子３においては、イリジウム錯体であるＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）に起因する物質の合計のピーク面積を１００％とした場合、イリジウム錯体のピーク面積（ここではｂ３、ｂ７及びｂ８）に対する、イリジウム金属に配位結合していない配位子のピーク面積（ここではｂ１２）の比が６．７％であった。

よって、本発明の一態様である発光素子１及び発光素子２は、比較用の発光素子３と比べ、イリジウム錯体に起因する物質の合計のピーク面積を１００％とした場合、イリジウム金属に配位結合していない配位子のピーク面積の比が５％以下であるため、長寿命な発光素子であった。

また、本発明の一態様の発光素子１及び発光素子２は、イリジウム錯体に起因する物質の合計のピーク面積を１００％とした場合、イリジウム金属に配位結合していない配位子のピーク面積の比が１％以下であった。なお、発光素子１と発光素子２とを比較した場合、発光素子２は、イリジウム錯体に起因する物質の合計のピーク面積を１００％とした場合、イリジウム金属に配位結合していない配位子のピーク面積の比が発光素子１よりも小さいため、発光素子１よりも長寿命な発光素子であった。したがって、イリジウム錯体に起因する物質の合計のピーク面積を１００％とした場合、イリジウム金属に配位結合していない配位子のピーク面積の比が小さいほど、信頼性が向上すると示唆される。

以上のように、本発明の一態様の発光素子は、発光層５１０（１）、５１０（２）中の発光物質である、イリジウム錯体に起因する不純物濃度を抑制することによって、信頼性が高い発光素子を実現することができた。

また、表７に示す結果から、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）は、蒸着中に分解し配位子であるａｃａｃが外れた物質が蒸着されていることが示唆された。また、蒸着後の膜は、主成分としてＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）を最も含有しており、また、ｍｐｍｐｐｍ配位子の向き違いと示唆される構造異性体１及び構造異性体２が含まれていた。Ｍｅ基が外れた不純物の割合は、蒸着の前後で増えていないため、蒸着中に分解してＭｅ基が外れているという可能性は低いことが考えられる。蒸着後に増加する分解物としては、配位子であるｍｐｍｐｐｍと、配位子であるａｃａｃが外れたＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２が確認された。

また、図２２に示す信頼性試験の結果と、表７に示す各発光素子中のＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）に由来する物質のみから求めた純度検定結果から、配位子であるｍｐｍｐｐｍの含有量が多い素子ほど信頼性試験において輝度劣化が加速されている。また、構造異性体１、構造異性体２、Ｍｅ基外れの不純物、及び分解生成物であるＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２については、素子中の含有量と信頼性試験との結果に相関は認められなかったため、輝度劣化を加速する主な原因物質では無いと示唆される。ただし、配位子である、ｍｐｍｐｐｍの含有量が極めて少ない場合は、これらの物質が輝度劣化を加速する主な原因物質となりえる可能性がある。

以上、本実施例に示す構成は、他の実施例及び実施の形態と適宜組み合わせて用いる事ができる。

本実施例では、本発明の一態様である発光素子の作製例を示す。なお、本実施例においては、本発明の一態様である発光素子（発光素子４及び発光素子５）を作製した。

発光素子４及び発光素子５の断面模式図を図１９に、発光素子４及び発光素子５の素子構造の詳細を表８に、それぞれ示す。なお、使用した化合物については、実施例１と同様である。

＜２−１．発光素子４及び発光素子５の作製方法＞
まず、基板５０２上に下部電極５０４として、ＩＴＳＯをスパッタリング法により成膜した。なお、下部電極５０４の膜厚を１００ｎｍとし、下部電極５０４の面積を４ｍｍ^２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。

次に、有機化合物層の蒸着前の前処理として、下部電極５０４が形成された基板５０２の下部電極５０４側を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、下部電極５０４の表面に対し、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板５０２を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で６０分間の真空焼成を行った後、基板５０２を３０分程度放冷した。

次に、下部電極５０４が形成された面が下方となるように、基板５０２を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。本実施例では、真空蒸着法により、正孔注入層５３１、正孔輸送層５３２、発光層５１０（１）、発光層５１０（２）、電子輸送層５３３（１）、電子輸送層５３３（２）、電子注入層５３４、上部電極５１４を順次形成した。詳細な作製方法を以下に記す。

まず、真空装置内を１０^−４Ｐａに減圧した後、下部電極５０４上に、正孔注入層５３１として、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩと酸化モリブデンとを、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：酸化モリブデン＝２：１（重量比）となるように共蒸着した。なお、正孔注入層５３１の膜厚を２０ｎｍとした。

次に、正孔注入層５３１上に正孔輸送層５３２として、ＢＰＡＦＬＰを蒸着した。なお、正孔輸送層５３２の膜厚を２０ｎｍとした。

次に、正孔輸送層５３２上に発光層５１０（１）を形成した。発光層５１０（１）として、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、ＰＣＢＢｉＦと、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）とを、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）＝０．７：０．３：０．０５（重量比）となるよう共蒸着した。なお、発光層５１０（１）の膜厚を２０ｎｍとした。

次に、発光層５１０（１）上に発光層５１０（２）を形成した。発光層５１０（２）として、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、ＰＣＢＢｉＦと、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）とを、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）＝０．８：０．２：０．０５（重量比）となるよう共蒸着した。なお、発光層５１０（２）の膜厚を２０ｎｍとした。

なお、発光層５１０（１）及び発光層５１０（２）において、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩがホスト材料であり、ＰＣＢＢｉＦがアシスト材料であり、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）が燐光材料（ゲスト材料）である。

なお、発光素子４と、発光素子５の発光層とは、それぞれ純度の異なるイリジウム錯体を用いて蒸着した。発光素子４の発光層の蒸着の際には材料Ｚ１のイリジウム錯体を用い、発光素子５の発光層の蒸着の際には材料Ｚ２のイリジウム錯体を用いた。材料Ｚ１及び材料Ｚ２のイリジウム錯体の純度を表９に示す。

なお、材料Ｚ１及び材料Ｚ２の純度としては、ＬＣ／ＭＳ分析によって分析した。ＬＣ／ＭＳ分析としては、実施例１に示す方法と同様とした。ＬＣ／ＭＳ分析の結果、材料Ｚ１及び材料Ｚ２中には、表９に示すｍ１、ｍ２、及びｍ４乃至ｍ８のピークが確認された。なお、ｍ１乃至ｍ８に示すピークとしては、実施例１の材料Ｙ１乃至Ｙ３と同じである。

また、表９に示すように、材料Ｚ１は、イリジウム錯体であるｍ１及びｍ２を除く物質のピーク面積の比の合計が２０．８％であり、材料Ｚ２は、イリジウム錯体であるｍ１及びｍ２を除く物質のピーク面積の比の合計が７．８％であった。

次に、発光層５１０（２）上に電子輸送層５３３（１）として、膜厚５ｎｍの２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩを蒸着した。次に、電子輸送層５３３（１）上に電子輸送層５３３（２）として、膜厚１０ｎｍのＢｐｈｅｎを蒸着した。次に、電子輸送層５３３（２）上に電子注入層５３４として、膜厚１ｎｍのＬｉＦを蒸着した。

次に、電子注入層５３４上に上部電極５１４として、膜厚２００ｎｍのＡｌを蒸着した。

次に、封止基板５５２を準備した。

上記により作製した基板５０２上の各発光素子と、封止基板５５２とを大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において貼り合わせることにより封止した。封止方法としては、実施例１の発光素子１乃至発光素子３と同様とした。

以上の工程により、発光素子４及び発光素子５を作製した。

なお、上述の発光素子４及び発光素子５の蒸着過程において、蒸着方法としては抵抗加熱法を用いた。

＜２−２．発光素子４及び発光素子５の初期特性＞
発光素子４及び発光素子５の輝度−電流密度特性を図２５（Ａ）に示す。また、発光素子４及び発光素子５の輝度−電圧特性を図２５（Ｂ）に示す。また、発光素子４及び発光素子５の電流効率−輝度特性を図２６（Ａ）に示す。なお、各発光素子の測定環境としては、室温（２５℃に保たれた雰囲気）とした。また、１０００ｃｄ／ｍ^２付近における発光素子４及び発光素子５の素子特性を表１０に示す。

また、発光素子４及び発光素子５に、それぞれ２．５ｍＡ／ｃｍ^２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを図２６（Ｂ）に示す。図２５、図２６、及び表１０に示す通り、発光素子４と発光素子５とで初期特性に明確な差が認められなかった。発光層５１０（１）及び発光層５１０（２）の燐光材料として用いたイリジウム錯体の純度が異なる材料を用いても、初期特性に大きな影響がないと示唆される。

＜２−３．発光素子４及び発光素子５の信頼性評価＞
次に、発光素子４及び発光素子５の信頼性試験を行った。信頼性試験の測定方法としては、初期輝度を５０００ｃｄ／ｍ^２に設定し、電流密度を一定の条件で発光素子４及び発光素子５を駆動した。信頼性試験結果を図２７に示す。図２７において、縦軸は初期輝度を１００％とした場合の相対輝度（％）を、横軸は駆動時間（ｈ）を、それぞれ表す。

図２７に示す結果から、発光素子４の４４４時間経過後の相対輝度は９３．２％であり、発光素子５の４４４時間経過後の相対輝度は８７．３％であった。

図２７に示す結果から、発光素子４及び発光素子５は、概ね同等の劣化曲線であり、高い信頼性を有する発光素子であった。

＜２−４．発光素子４及び発光素子５の液体クロマトグラフィー質量分析＞
次に、発光素子４及び発光素子５の分析を行った。当該分析方法としては、ＬＣ／ＭＳ分析を用いて、各発光素子中に含まれる不純物分析を行った。

なお、発光素子４の不純物分析としては、発光素子４と同じ基板上に作製した発光素子４とは異なる発光素子であり、発光素子５の不純物分析としては、発光素子５と同じ基板上に作製した発光素子５とは異なる発光素子である。また、不純物分析用の発光素子としては、下部電極５０４の面積を１２ｃｍ^２（３．５ｃｍ×３．３ｃｍ）とした。すなわち、不純物分析用の発光素子は、発光素子４及び発光素子５と、それぞれ材料及び構造等は同一であるが、下部電極５０４の面積が異なり、且つ駆動させていない素子である。よって、不純物分析の結果については、駆動により生成した劣化物を分析したものではなく、駆動前から含まれる不純物を対象として行ったものである。ここでは、便宜的に発光素子４と同じ基板上に作製した不純物分析用の発光素子を発光素子４として扱う。発光素子５についても同様である。

ＬＣ／ＭＳ分析方法としては、実施例１に示す方法と同様とした。

発光素子４及び発光素子５の分析結果を図２８に示す。なお、図２８は、発光素子４及び発光素子５のＬＣ／ＭＳのＰＤＡクロマトグラムである。

また、分析サンプル作製と同様に、分析サンプル作製に用いたクロロホルムを、アセトニトリルで希釈した溶液の分析を行い、ベースライン（または、バックグラウンド：ＢＧともいう）のクロマトグラムを得た。図２８において、ベースラインの結果をＢＧとして示す。

図２８に示す結果より、発光素子４及び発光素子５に、それぞれｃ１乃至ｃ６で表されるピークが確認された。ｃ１乃至ｃ６のピークについて、ＭＳスペクトルを用いて解析した結果、ｃ２はＢｐｈｅｎに、ｃ３はＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）、ｃ４はＢＰＡＦＬＰと２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩに、ｃ５はＤＢＴ３Ｐ−ＩＩに、ｃ６はＰＣＢＢｉＦに、それぞれ帰属された。また、ＢＧとの比較によりｃ１は溶媒として用いたクロロホルム及び当該クロロホルムに含まれる不純物に帰属された。

図２８に示すように、素子作製に用いた物質以外の目立った不純物ピークは認められなかった。

次に、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）に着目してＰＤＡクロマトグラムの解析を行った。なお、ＰＤＡクロマトグラムの解析としては、ベースラインを差し引いて行った。発光素子４及び発光素子５のＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）に着目した解析結果を図２９に示す。なお、図２９は、図２８のｃ３近傍である分析時間５乃至２０分を拡大した図である。

図２９に示す結果より、発光素子４及び発光素子５には、それぞれｃ３及びｃ７乃至ｃ１２で表されるピークが確認された。なお、ｃ３で表されるピークは、図２８のｃ３と同じピークであり、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）に帰属される。なお、図２９において、ｃ３、ｃ７、及びｃ８がイリジウム錯体のプレカーサーイオンに相当し、ｃ９乃至ｃ１２がイリジウム錯体のフラグメントイオンに相当する。

また、ｃ７乃至ｃ１２のピークについて、ＭＳクロマトグラフを用いて解析した結果、ｃ７はＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）の構造異性体（便宜的に、構造異性体１とする）に、ｃ８はＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）の構造異性体（便宜的に、構造異性体２とする）に、ｃ９はＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）の配位子であるｍｐｍｐｐｍ骨格から１つのＭｅ基が外れた構造の物質に、ｃ１０はＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）から配位子であるａｃａｃが外れた、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２構造を有する物質に、ｃ１１はＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）から配位子であるａｃａｃと、Ｍｅ基が外れた構造の物質に、ｃ１２はＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）の配位子であるｍｐｍｐｐｍに、それぞれ帰属された。

なお、上述のＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２構造を有する物質は、ＬＣ／ＭＳ分析において質量電荷比（ｍ／ｚ）が７５３のＭＳスペクトルを示した。Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２にアセトニトリルが配位した構造のプロトン付加体の質量数が、７５３と一致する。したがって、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２は、ＬＣ分離中にアセトニトリルが配位した構造となっている事が示唆された。

また、本分析で用いたウォーターズ社製Ｘｅｖｏ Ｇ２ Ｔｏｆ ＭＳ検出器の測定範囲は、ｍ／ｚ＝１００以上となっている。そのため、配位子であるａｃａｃは、ＭＳ検出器の測定範囲外となっているため検出されなかった。また、ＰＤＡ検出器においても、配位子であるａｃａｃは、検出されなかった。

次に、図２９に示すＬＣ／ＭＳ分析結果を用い、発光素子４及び発光素子５に含まれる不純物の濃度を求めた。分析結果を表１１に示す。なお、表１１は、図２９に示すｃ３及びｃ７乃至ｃ１２の７つのピーク面積、すなわちイリジウム錯体に起因する物質の合計のピーク面積を１００％とした場合の結果である。したがって、発光素子４及び発光素子５に含まれるＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）以外の材料については、純度検定に用いていない。また、表１１中において、図２９でみられなかったｍ／ｚ＝２６１に相当する、ｃ１３を便宜的に記載してある。

表１１に示すように、発光素子４及び発光素子５においては、イリジウム金属に配位結合していない配位子のピーク面積（ここではｃ１３）の比が検出下限の０．１％未満（表１１中においては、「−」で表記）であった。

よって、本発明の一態様である発光素子４及び発光素子５は、イリジウム錯体に起因する物質の合計のピーク面積を１００％とした場合、イリジウム金属に配位結合していない配位子のピーク面積の比が１％以下であるため、長寿命な発光素子であった。

以上のように、本発明の一態様の発光素子は、発光層５１０（１）、５１０（２）中の発光物質である、イリジウム錯体に起因する不純物の内、配位子であるｍｐｍｐｐｍの濃度を抑制することによって、信頼性が高い発光素子を実現することができた。

また、表１１に示す結果から、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）は、蒸着中に分解し配位子であるａｃａｃが外れた物質が蒸着されていることが示唆された。また、蒸着後の膜は、主成分としてＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）を最も含有しており、また、ｍｐｍｐｐｍ配位子の向き違いと示唆される構造異性体１及び構造異性体２が含まれていた。Ｍｅ基が外れた不純物の割合は、蒸着の前後で増えていないため、蒸着中に分解してＭｅ基が外れているという可能性は低いことが考えられる。蒸着後に増加する分解物としては、配位子であるａｃａｃが外れたＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２が確認された。また、配位子であるａｃａｃは、検出されなかった。

図２７に示す信頼性試験の結果と、表１１に示す各発光素子中のＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）に由来する物質のみから求めた純度検定結果から、発光素子４及び発光素子５はＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）の素子中の純度が違うにもかかわらず、駆動寿命は同等であった。一方、表１１に示した結果から、発光素子４及び発光素子５はどちらも配位子であるｍｐｍｐｐｍは含有していなかった。したがって、ｍｐｍｐｐｍの含有が認められなかったため、どちらの発光素子も長寿命であることが明らかとなった。また、構造異性体１、構造異性体２、Ｍｅ基外れの不純物、及び分解生成物であるＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２については、素子中の含有量と信頼性試験との結果に相関は認められなかったため、輝度劣化を加速する主な原因物質では無いと示唆される。

以上、本実施例に示す構成は、他の実施例及び実施の形態と適宜組み合わせて用いる事ができる。

本実施例では、本発明の一態様である発光素子の作製例を示す。なお、本実施例においては、本発明の一態様である発光素子（発光素子６及び発光素子７）を作製した。

発光素子６及び発光素子７の断面模式図を図１９に、発光素子６及び発光素子７の素子構造の詳細を表１２に、それぞれ示す。なお、使用した化合物については、実施例１及び実施例２と同様である。

＜３−１．発光素子６及び発光素子７の作製方法＞
まず、基板５０２上に下部電極５０４として、ＩＴＳＯをスパッタリング法により成膜した。なお、下部電極５０４の膜厚を１００ｎｍとし、下部電極５０４の面積を４ｍｍ^２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。

次に、有機化合物層の蒸着前の前処理として、下部電極５０４が形成された基板５０２の下部電極５０４側を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、下部電極５０４の表面に対し、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板５０２を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で６０分間の真空焼成を行った後、基板５０２を３０分程度放冷した。

次に、下部電極５０４が形成された面が下方となるように、基板５０２を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。本実施例では、真空蒸着法により、正孔注入層５３１、正孔輸送層５３２、発光層５１０（１）、発光層５１０（２）、電子輸送層５３３（１）、電子輸送層５３３（２）、電子注入層５３４、上部電極５１４を順次形成した。詳細な作製方法を以下に記す。

まず、真空装置内を１０^−４Ｐａに減圧した後、下部電極５０４上に、正孔注入層５３１として、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩと酸化モリブデンとを、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：酸化モリブデン＝２：１（重量比）となるように共蒸着した。なお、正孔注入層５３１の膜厚を２０ｎｍとした。

次に、正孔注入層５３１上に正孔輸送層５３２として、ＢＰＡＦＬＰを蒸着した。なお、正孔輸送層５３２の膜厚を２０ｎｍとした。

次に、正孔輸送層５３２上に発光層５１０（１）を形成した。発光層５１０（１）として、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、ＰＣＢＢｉＦと、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）とを、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）＝０．７：０．３：０．０５（重量比）となるよう共蒸着した。なお、発光層５１０（１）の膜厚を２０ｎｍとした。

次に、発光層５１０（１）上に発光層５１０（２）を形成した。発光層５１０（２）として、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、ＰＣＢＢｉＦと、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）とを、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）＝０．８：０．２：０．０５（重量比）となるよう共蒸着した。なお、発光層５１０（２）の膜厚を２０ｎｍとした。

なお、発光層５１０（１）及び発光層５１０（２）において、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩがホスト材料であり、ＰＣＢＢｉＦがアシスト材料であり、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）が燐光材料（ゲスト材料）である。

なお、発光素子６と、発光素子７の発光層とは、それぞれ純度の異なるイリジウム錯体を用いて蒸着した。発光素子６の発光層の蒸着の際には材料Ｚ１のイリジウム錯体を用い、発光素子７の発光層の蒸着の際には材料Ｚ３のイリジウム錯体を用いた。材料Ｚ１及び材料Ｚ３のイリジウム錯体の純度を表１３に示す。なお、材料Ｚ１は、実施例２に示す材料Ｚ１と同一の材料である。

なお、表１３に示す、材料Ｚ１及び材料Ｚ３の純度としては、ＬＣ／ＭＳ分析によって分析した。ＬＣ／ＭＳ分析としては、実施例１に示す方法と同様とした。ＬＣ／ＭＳ分析の結果、材料Ｚ１及び材料Ｚ３中には、表１３に示すｍ１乃至ｍ８のピークが確認された。なお、ｍ１乃至ｍ８に示すピークとしては、実施例１の材料Ｙ１乃至Ｙ３と同じである。

表１３に示すように、材料Ｚ１は、イリジウム錯体であるｍ１及びｍ２を除く物質のピーク面積の比の合計が２０．８％であり、材料Ｚ３は、イリジウム錯体であるｍ１乃至ｍ３を除く物質のピーク面積の比の合計が２９％であった。

次に、発光層５１０（２）上に電子輸送層５３３（１）として、膜厚５ｎｍの２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩを蒸着した。次に、電子輸送層５３３（１）上に電子輸送層５３３（２）として、膜厚１０ｎｍのＢｐｈｅｎを蒸着した。次に、電子輸送層５３３（２）上に電子注入層５３４として、膜厚１ｎｍのＬｉＦを蒸着した。

次に、電子注入層５３４上に上部電極５１４として、膜厚２００ｎｍのＡｌを蒸着した。

次に、封止基板５５２を準備した。

上記により作製した基板５０２上の各発光素子と、封止基板５５２とを大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において貼り合わせることにより封止した。封止方法としては、実施例１と同様とした。

以上の工程により、発光素子６及び発光素子７を作製した。

なお、上述の発光素子６及び発光素子７の蒸着過程において、蒸着方法としては抵抗加熱法を用いた。

＜３−２．発光素子６及び発光素子７の初期特性＞
発光素子６及び発光素子７の輝度−電流密度特性を図３０（Ａ）に示す。また、発光素子６及び発光素子７の輝度−電圧特性を図３０（Ｂ）に示す。また、発光素子６及び発光素子７の電流効率−輝度特性を図３１（Ａ）に示す。なお、各発光素子の測定環境としては、室温（２５℃に保たれた雰囲気）とした。また、１０００ｃｄ／ｍ^２付近における発光素子６及び発光素子７の素子特性を表１４に示す。

また、発光素子６及び発光素子７に、それぞれ２．５ｍＡ／ｃｍ^２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを図３１（Ｂ）に示す。図３０、図３１、及び表１４に示す通り、発光素子６と発光素子７とで初期特性に明確な差が認められなかった。発光層５１０（１）及び発光層５１０（２）の燐光材料として用いたイリジウム錯体の純度が異なる材料を用いても、初期特性に大きな影響がないと示唆される。

＜３−３．発光素子６及び発光素子７の信頼性評価＞
次に、発光素子６及び発光素子７の信頼性試験を行った。信頼性試験の測定方法としては、初期輝度を５０００ｃｄ／ｍ^２に設定し、電流密度を一定の条件で発光素子６及び発光素子７を駆動した。信頼性試験結果を図３２に示す。図３２において、縦軸は初期輝度を１００％とした場合の相対輝度（％）を、横軸は駆動時間（ｈ）を、それぞれ表す。

図３２に示す結果から、発光素子６の２０５時間経過後の相対輝度は９５．１％であり、発光素子７の２０５時間経過後の相対輝度は９３．３％であった。

図３２に示す結果から、発光素子６及び発光素子７は、概ね同等の劣化曲線であり、高い信頼性を有する発光素子であった。

＜３−４．発光素子６及び発光素子７の液体クロマトグラフィー質量分析＞
次に、発光素子６及び発光素子７の分析を行った。当該分析方法としては、ＬＣ／ＭＳ分析を用いて、各発光素子中に含まれる不純物分析を行った。

なお、発光素子６の不純物分析としては、発光素子６と同じ基板上に作製した発光素子６とは異なる発光素子であり、発光素子７の不純物分析としては、発光素子７と同じ基板上に作製した発光素子７とは異なる発光素子である。また、不純物分析用の発光素子としては、下部電極５０４の面積を１２ｃｍ^２（３．５ｃｍ×３．３ｃｍ）とした。すなわち、不純物分析用の発光素子は、発光素子６及び発光素子７と、それぞれ材料及び構造等は同一であるが、下部電極５０４の面積が異なり、且つ駆動させていない素子である。よって、不純物分析の結果については、駆動により生成した劣化物を分析したものではなく、駆動前から含まれる不純物を対象として行ったものである。ここでは、便宜的に発光素子６と同じ基板上に作製した不純物分析用の発光素子を発光素子６として扱う。発光素子７についても同様である。

ＬＣ／ＭＳ分析方法としては、実施例１に示す方法と同様とした。

発光素子６及び発光素子７の分析結果を図３３に示す。なお、図３３は、発光素子６及び発光素子７のＬＣ／ＭＳのＰＤＡクロマトグラムである。

また、分析サンプル作製と同様に、分析サンプル作製に用いたクロロホルムを、アセトニトリルで希釈した溶液の分析を行い、ベースライン（または、バックグラウンド：ＢＧともいう）のクロマトグラムを得た。図３３において、ベースラインの結果をＢＧとして示す。

図３３に示す結果より、発光素子６及び発光素子７に、それぞれｄ１乃至ｄ６で表されるピークが確認された。ｄ１乃至ｄ６のピークについて、ＭＳスペクトルによる解析を行ったところ、ｄ２はＢｐｈｅｎに、ｄ３はＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）に、ｄ４はＢＰＡＦＬＰ及び２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩに、ｄ５はＤＢＴ３Ｐ−ＩＩに、ｄ６はＰＣＢＢｉＦに、それぞれ帰属された。また、ＢＧとの比較によりｄ１は溶媒として用いたクロロホルム及び当該クロロホルムに含まれる不純物に帰属された。

図３３に示すように、素子作製に用いた物質以外の目立った不純物ピークは認められなかった。

次に、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）に着目してＰＤＡクロマトグラムの解析を行った。なお、ＰＤＡクロマトグラムの解析としては、ベースラインを差し引いて行った。発光素子６及び発光素子７のＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）に着目した解析結果を図３４に示す。なお、図３４は、図３３のｄ３近傍である分析時間５乃至２０分を拡大した図である。

図３４に示す結果より、発光素子６及び発光素子７には、それぞれｄ３及びｄ７乃至ｄ１３で表されるピークが確認された。なお、ｄ３で表されるピークは、図３３のｄ３と同じピークであり、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）に帰属される。なお、図３４において、ｄ３、ｄ７、及びｄ８がイリジウム錯体のプレカーサーイオンに相当し、ｄ９乃至ｄ１３がイリジウム錯体のフラグメントイオンに相当する。

また、ｄ７乃至ｄ１３のピークについて、ＭＳクロマトグラフを用いて解析した結果、ｄ７はＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）の構造異性体（便宜的に、構造異性体１とする）に、ｄ８はＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）の構造異性体（便宜的に、構造異性体２とする）に、ｄ９及びｄ１０はＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）の配位子であるｍｐｍｐｐｍ骨格から１つのＭｅ基が外れた構造の物質に、ｄ１１はＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）から配位子であるａｃａｃが外れたＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２構造を有する物質に、ｄ１２はＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）から配位子であるａｃａｃと、Ｍｅ基が外れた構造の物質に、ｄ１３はＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）の配位子であるｍｐｍｐｐｍに、それぞれ帰属された。

なお、上述のＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２構造を有する物質は、ＬＣ／ＭＳ分析において質量電荷比（ｍ／ｚ）が７５３のＭＳスペクトルを示した。Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２にアセトニトリルが配位した構造のプロトン付加体の質量数が、７５３と一致する。したがって、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２は、ＬＣ分離中にアセトニトリルが配位した構造となっている事が示唆された。

また、本分析で用いたウォーターズ社製Ｘｅｖｏ Ｇ２ Ｔｏｆ ＭＳ検出器の測定範囲は、ｍ／ｚ＝１００以上となっている。そのため、配位子であるａｃａｃは、ＭＳ検出器の測定範囲外となっているため検出されなかった。また、ＰＤＡ検出器においても、配位子であるａｃａｃは、検出されなかった。

次に、図３４に示すＬＣ／ＭＳ分析結果を用い、発光素子６及び発光素子７に含まれる不純物の濃度を求めた。分析結果を表１５に示す。なお、表１５は、図３４に示すｄ３及びｄ７乃至ｄ１３の８つのピーク面積、すなわちイリジウム錯体に起因する物質の合計のピーク面積を１００％とした場合の結果である。したがって、発光素子６及び発光素子７に含まれるＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）以外の材料については、純度検定に用いていない。

表１５に示すように、発光素子６においては、イリジウム金属に配位結合していない配位子のピーク面積（ここではｄ１３）が検出されなかった。また、発光素子７においては、イリジウム錯体であるＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）に起因する物質の合計のピーク面積を１００％とした場合、イリジウム錯体のピーク面積（ここではｄ３、ｄ７及びｄ８）に対する、イリジウム金属に配位結合していない配位子のピーク面積（ここではｄ１３）の比が０．４％であった。

よって、本発明の一態様である発光素子６及び発光素子７は、イリジウム錯体に起因する物質の合計のピーク面積を１００％とした場合、イリジウム金属に配位結合していない配位子のピーク面積の比が１％以下であるため、長寿命な発光素子であった。また、発光素子６は、イリジウム金属に配位結合していない配位子のピーク面積（ここではｄ１３）の比が、検出下限である０．１％未満であったため、図３２に示すように発光素子７よりも信頼性が高い結果であった。したがって、発光層５１０（１）、発光層５１０（２）においては、イリジウム金属に配位結合していない配位子としては、含まれない、または検出下限未満が好ましい。

以上のように、本発明の一態様の発光素子は、発光層５１０（１）、５１０（２）中の発光物質である、イリジウム錯体に起因する不純物濃度を抑制することによって、信頼性が高い発光素子を実現することができた。

また、表１５に示す結果から、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）は、蒸着中に分解し配位子であるａｃａｃが外れた物質が蒸着されていることが示唆された。また、蒸着後の膜は、主成分としてＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）を最も含有しており、また、ｍｐｍｐｐｍ配位子の向き違いと示唆される構造異性体１及び構造異性体２が含まれていた。Ｍｅ基が外れた不純物の割合は、蒸着の前後で増えていないため、蒸着中に分解してＭｅ基が外れているという可能性は低いことが考えられる。蒸着後に増加する分解物としては、配位子であるａｃａｃが外れたＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２が確認された。また、配位子であるａｃａｃは、検出されなかった。

図３２に示す信頼性試験の結果と、表１５に示す各発光素子中のＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）に由来する物質のみから求めた純度検定結果から、発光素子６及び発光素子７はＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）の素子中の純度が違うにもかかわらず、駆動寿命にはわずかな差しか認められなかった。一方、表１５に示した結果から、発光素子６及び発光素子７はどちらも配位子であるｍｐｍｐｐｍのＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）に対する面積比は１％未満であった。したがって、ｍｐｍｐｐｍのＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）に対する面積比が１％未満であったため、どちらの発光素子も長寿命であることが明らかとなった。ただし、発光素子６と発光素子７において、配位子の含有量のわずかな差により、信頼性にわずかに差が生じた。したがって、イリジウム金属に配位結合していない配位子としては、発光素子中に含まれないまたは検出下限未満が好ましい。

以上、本実施例に示す構成は、他の実施例及び実施の形態と適宜組み合わせて用いる事ができる。

１００ 発光素子
１０２ 基板
１０４ 下部電極
１０８ ＥＬ層
１１０ 発光層
１１１ 正孔注入層
１１４ 上部電極
１３１ 正孔注入層
１３２ 正孔輸送層
１３３ 電子輸送層
１３４ 電子注入層
１４１ 発光ユニット
１４２ 発光ユニット
１４３ 電荷発生層
１５０ 発光素子
１５２ 基板
３０１＿１ 配線
３０１＿５ 配線
３０１＿６ 配線
３０１＿７ 配線
３０２＿１ 配線
３０２＿２ 配線
３０３＿１ トランジスタ
３０３＿６ トランジスタ
３０３＿７ トランジスタ
３０４ 容量素子
３０４＿１ 容量素子
３０４＿２ 容量素子
３０５ 発光素子
３０６＿１ 配線
３０６＿３ 配線
３０７＿１ 配線
３０７＿３ 配線
３０８＿１ トランジスタ
３０８＿６ トランジスタ
３０９＿１ トランジスタ
３０９＿２ トランジスタ
３１１＿１ 配線
３１１＿３ 配線
３１２＿１ 配線
３１２＿２ 配線
５０２ 基板
５０４ 下部電極
５１０ 発光層
５１４ 上部電極
５３１ 正孔注入層
５３２ 正孔輸送層
５３３ 電子輸送層
５３４ 電子注入層
５５２ 封止基板
８０１ 画素回路
８０２ 画素部
８０４ 駆動回路部
８０４ａ ゲートドライバ
８０４ｂ ソースドライバ
８０６ 保護回路
８０７ 端子部
８５２ トランジスタ
８５４ トランジスタ
８６２ 容量素子
８７２ 発光素子
２０００ タッチパネル
２００１ タッチパネル
２５０１ 表示パネル
２５０２ 画素
２５０２ｔ トランジスタ
２５０３ｃ 容量素子
２５０３ｇ 走査線駆動回路
２５０３ｔ トランジスタ
２５０９ ＦＰＣ
２５１０ 基板
２５１０ａ 絶縁層
２５１０ｂ 可撓性基板
２５１０ｃ 接着層
２５１１ 配線
２５１９ 端子
２５２１ 絶縁層
２５２８ 隔壁
２５５０ 発光素子
２５５０Ｒ 発光素子
２５６０ 封止層
２５６７ＢＭ 遮光層
２５６７ｐ 反射防止層
２５６７Ｒ 着色層
２５７０ 基板
２５７０ａ 絶縁層
２５７０ｂ 可撓性基板
２５７０ｃ 接着層
２５８０ 発光モジュール
２５９０ 基板
２５９１ 電極
２５９２ 電極
２５９３ 絶縁層
２５９４ 配線
２５９５ タッチセンサ
２５９７ 接着層
２５９８ 配線
２５９９ 接続層
２６０１ パルス電圧出力回路
２６０２ 電流検出回路
２６０３ 容量
２６１１ トランジスタ
２６１２ トランジスタ
２６１３ トランジスタ
２６２１ 電極
２６２２ 電極
３０００ 発光装置
３００１ 基板
３００３ 基板
３００５ 発光素子
３００７ 封止領域
３００９ 封止領域
３０１１ 領域
３０１３ 領域
３０１４ 領域
３０１５ 基板
３０１６ 基板
３０１８ 乾燥剤
３５００ 多機能端末
３５０２ 筐体
３５０４ 表示部
３５０６ カメラ
３５０８ 照明
３６００ ライト
３６０２ 筐体
３６０８ 照明
３６１０ スピーカ
８０００ 表示モジュール
８００１ 上部カバー
８００２ 下部カバー
８００３ ＦＰＣ
８００４ タッチセンサ
８００５ ＦＰＣ
８００６ 表示パネル
８００９ フレーム
８０１０ プリント基板
８０１１ バッテリ
９０００ 筐体
９００１ 表示部
９００３ スピーカ
９００５ 操作キー
９００６ 接続端子
９００７ センサ
９００８ マイクロフォン
９０５０ 操作ボタン
９０５１ 情報
９０５２ 情報
９０５３ 情報
９０５４ 情報
９０５５ ヒンジ
９１００ 携帯情報端末
９１０１ 携帯情報端末
９１０２ 携帯情報端末
９２００ 携帯情報端末
９２０１ 携帯情報端末

Claims (9)

1. イリジウム錯体を有する発光素子であって、
   前記イリジウム錯体は、
   イリジウム金属と、
   前記イリジウム金属に配位結合する配位子と、を有し、
   前記発光素子を液体クロマトグラフィー質量分析した際に、
   フォトダイオードアレイ検出器のクロマトグラフにおいて、
   前記イリジウム錯体のピーク面積に対する、前記イリジウム金属に配位結合していない配位子のピーク面積の比が０％以上１０％以下である、
   ことを特徴とする発光素子。
2. イリジウム錯体を有する発光素子であって、
   前記イリジウム錯体は、
   イリジウム金属と、
   前記イリジウム金属に配位結合する配位子と、を有し、
   前記発光素子を液体クロマトグラフィー質量分析した際に、
   前記イリジウム錯体のプレカーサーイオンと、
   前記イリジウム錯体の第１のフラグメントイオンと、
   前記イリジウム錯体の第２のフラグメントイオンと、が質量分析検出器及びフォトダイオードアレイ検出器により検出され、
   前記質量分析検出器により検出された、前記第１のフラグメントイオンは、
   前記イリジウム金属を含み、
   前記質量分析検出器により検出された、前記第２のフラグメントイオンは、
   前記イリジウム金属を含まず、
   前記フォトダイオードアレイ検出器のクロマトグラフは、
   前記プレカーサーイオンに対応する第１のピークと、
   前記第１のフラグメントイオンに対応する第２のピークと、
   前記第２のフラグメントイオンに対応する第３のピークと、を有し、
   前記第１のピークに対する、前記第３のピークの面積の比が０％以上１０％以下である、
   ことを特徴とする発光素子。
3. イリジウム錯体を有する発光素子であって、
   前記イリジウム錯体は、
   イリジウム金属と、
   前記イリジウム金属に配位結合する配位子と、を有し、
   前記発光素子を液体クロマトグラフィー質量分析した際に、
   フォトダイオードアレイ検出器のクロマトグラフにおいて、
   前記イリジウム錯体のピーク面積に対する、前記イリジウム金属に配位結合していない配位子のピーク面積の比が０％以上５％以下である、
   ことを特徴とする発光素子。
4. イリジウム錯体を有する発光素子であって、
   前記イリジウム錯体は、
   イリジウム金属と、
   前記イリジウム金属に配位結合する配位子と、を有し、
   前記発光素子を液体クロマトグラフィー質量分析した際に、
   前記イリジウム錯体のプレカーサーイオンと、
   前記イリジウム錯体の第１のフラグメントイオンと、
   前記イリジウム錯体の第２のフラグメントイオンと、が質量分析検出器及びフォトダイオードアレイ検出器により検出され、
   前記質量分析検出器により検出された、前記第１のフラグメントイオンは、
   前記イリジウム金属を含み、
   前記質量分析検出器により検出された、前記第２のフラグメントイオンは、
   前記イリジウム金属を含まず、
   前記フォトダイオードアレイ検出器のクロマトグラフは、
   前記プレカーサーイオンに対応する第１のピークと、
   前記第１のフラグメントイオンに対応する第２のピークと、
   前記第２のフラグメントイオンに対応する第３のピークと、を有し、
   前記第１のピークに対する、前記第３のピークの面積の比が０％以上５％以下である、
   ことを特徴とする発光素子。
5. イリジウム錯体を有する発光素子であって、
   前記イリジウム錯体は、
   イリジウム金属と、
   前記イリジウム金属に配位結合する配位子と、を有し、
   前記発光素子を液体クロマトグラフィー質量分析した際に、
   フォトダイオードアレイ検出器のクロマトグラフにおいて、
   前記イリジウム錯体のピーク面積に対する、前記イリジウム金属に配位結合していない配位子のピーク面積の比が０％以上１％以下である、
   ことを特徴とする発光素子。
6. イリジウム錯体を有する発光素子であって、
   前記イリジウム錯体は、
   イリジウム金属と、
   前記イリジウム金属に配位結合する配位子と、を有し、
   前記発光素子を液体クロマトグラフィー質量分析した際に、
   前記イリジウム錯体のプレカーサーイオンと、
   前記イリジウム錯体の第１のフラグメントイオンと、
   前記イリジウム錯体の第２のフラグメントイオンと、が質量分析検出器及びフォトダイオードアレイ検出器により検出され、
   前記質量分析検出器により検出された、前記第１のフラグメントイオンは、
   前記イリジウム金属を含み、
   前記質量分析検出器により検出された、前記第２のフラグメントイオンは、
   前記イリジウム金属を含まず、
   前記フォトダイオードアレイ検出器のクロマトグラフは、
   前記プレカーサーイオンに対応する第１のピークと、
   前記第１のフラグメントイオンに対応する第２のピークと、
   前記第２のフラグメントイオンに対応する第３のピークと、を有し、
   前記第１のピークに対する、前記第３のピークの面積の比が０％以上１％以下である、
   ことを特徴とする発光素子。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の発光素子と、
   カラーフィルタと、
   を有する発光装置。
8. 請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の発光素子、あるいは請求項７に記載の発光装置と、
   筐体またはタッチセンサ機能と、
   を有する電子機器。
9. 請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の発光素子、あるいは請求項７に記載の発光装置と、
   筐体と、
   を有する照明装置。