TWI720951B

TWI720951B - 發光裝置、電子裝置及照明裝置

Info

Publication number: TWI720951B
Application number: TW104132202A
Authority: TW
Inventors: 瀬尾哲史; 山岡諒平; 上坂正吾
Original assignee: 日商半導體能源研究所股份有限公司
Priority date: 2014-09-30
Filing date: 2015-09-30
Publication date: 2021-03-11
Also published as: US9935292B2; US9577222B2; JP2021073641A; TW201624789A; US20170155092A1; US20160093678A1; JP2016072250A

Abstract

本發明提供一種生產率高的新穎的發光裝置，該發光裝置包括第一發光元件、第二發光元件及第三發光元件。在第一發光元件中，依次層疊有第一下部電極、第一透明導電層、第一發光層、第二發光層及上部電極。在第二發光元件中，依次層疊有第二下部電極、第二透明導電層、第一發光層、第二發光層及上部電極。在第三發光元件中，依次層疊有第三下部電極、第三透明導電層、第二發光層及上部電極。第一透明導電層包括第一區域。第二透明導電層包括其厚度與第三透明導電層相同的第二區域。第一區域比第二區域厚。

Description

發光裝置、電子裝置及照明裝置

本發明的一個實施方式係關於一種包括將藉由施加電場得到發光的發光層夾在一對電極之間而成的發光元件的發光裝置、電子裝置及照明設備。

注意，本發明的一個實施方式不侷限於上述技術領域。本說明書等所公開的發明的一個實施方式的技術領域係關於一種物體、方法或製造方法。或者，本發明的一個實施方式係關於一種程式(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或者組合物(composition of matter)。因此，更具體地，作為本說明書所公開的本發明的一個實施方式的技術領域的例子，可以舉出半導體裝置、顯示裝置、液晶顯示裝置、發光裝置、照明設備、蓄電裝置、記憶體裝置、它們的驅動方法或它們的製造方法。

近年來，對在一對電極之間包括有機化合物作為發光層的發光元件(例如為有機EL元件)的開發日益火熱。另外，製造並銷售安裝有將該發光元件配置為矩陣狀的發光裝置的電子裝置(例如為智慧手機等)。

在有機EL元件中，藉由將發光層夾在一對電極之間而施加電壓，從各電極注入的電子及電洞再結合而使作為有機化合物的發光物質成為激發態，在該激發態回到基態時發光。發光物質所發射的光的光譜是該發光物質特有的，並且藉由將不同種類的有機化合物用作發光物質，可以得到呈現各種顏色的光的發光元件。

在採用用來顯示影像的發光裝置時，為了再現全彩色影像，至少需要得到紅、綠、藍的三種顏色的光。並且，為了獲得良好的顏色再現性而提高影像品質，藉由使用微腔結構或濾色片，可以提高發光的色純度。

另外，作為全彩色化的方法之一，例如有對各像素分別塗布發光層的方法。使用陰影遮罩只在所需要的像素蒸鍍該發光層。在此情況下，為了減少製程來降低成本，在多個像素中共同形成除發光層之外的層，例如，一個電洞傳輸層、一個電子傳輸層及一個陰極的結構已被公開(例如參照專利文獻1)。

[專利文獻1]日本專利申請公開第2004-6362號公報

在採用專利文獻1所記載的結構的情況下，需要對各像素分別塗布發光層，因此對將陰影遮罩的開口部配置在所希望的位置(還稱為對準)的精度的要求較高。當發光裝置的高清晰化進展時，被要求更高的對準精度，所以有在製造發光裝置時產品率下降的問題。

鑒於上述問題，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種新穎的發光裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種生產率高且功耗得到降低的新穎的發光裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種新穎的發光裝置的製造方法。

注意，上述目的的記載不妨礙其他目的的存在。此外，本發明的一個實施方式並不需要實現所有上述目的。上述目的以外的目的從說明書等的描述中是顯而易見的，並可以從所述描述中抽取。

本發明的一個實施方式是一種發光裝置，包括：第一發光元件；第二發光元件；以及第三發光元件，其中，第一發光元件包括：第一下部電極；第一下部電極上的第一透明導電層；第一透明導電層上的第一發光層；第一發光層上的第二發光層；以及第二發光層上的上部電極，第二發光元件包括：第二下部電極；第二下部電極上的第二透明導電層；第二透明導電層上的第一發光層；第一發光層上的第二發光層；以及第二發光層上的上部電極，第三發光元件包括：第三下部電極；第三下部電極上的第三透明導電層；第三透明導電層上的第二發光層；以及第二發光層上的上部電極，第一透明導電層具有第一區域，第二透明導電層具有其厚度與第三透明導電層相同的第二區域，並且，第一區域比第二區域厚。

本發明的另一個實施方式是一種發光裝置，包括：第一發光元件；第二發光元件；以及第三發光元件，其中，第一發光元件包括：第一下部電極；第一下部電極上的第一透明導電層；第一透明導電層上的電洞注入層；電洞注入層上的電洞傳輸層；電洞傳輸層上的第一發光層；第一發光層上的第二發光層；第二發光層上的電子傳輸層；電子傳輸層上的電子注入層；以及電子注入層上的上部電極，第二發光元件包括：第二下部電極；第二下部電極上的第二透明導電層；第二透明導電層上的電洞注入層；電洞注入層上的電洞傳輸層；電洞傳輸層上的第一發光層；第一發光層上的第二發光層；第二發光層上的電子傳輸層；電子傳輸層上的電子注入層；以及電子注入層上的上部電極，第三發光元件包括：第三下部電極；第三下部電極上的第三透明導電層；第三透明導電層上的電洞注入層；電洞注入層上的電洞傳輸層；電洞傳輸層上的第二發光層；第二發光層上的電子傳輸層；電子傳輸層上的電子注入層；以及電子注入層上的上部電極，第一透明導電層具有第一區域，第二透明導電層具有其厚度與第三透明導電層相同的第二區域，並且，第一區域比第二區域厚。

本發明的另一個實施方式是一種發光裝置，包括：第一發光元件；第二發光元件；以及第三發光元件，其中，第一發光元件包括：第一下部電極；第一下部電極上的第一透明導電層；第一透明導電層上的光學調整層；光學調整層上的第一發光層；第一發光層上的第二發光層；以及第二發光層上的上部電極，第二發光元件包括：第二下部電極；第二下部電極上的第二透明導電層；第二透明導電層上的光學調整層；光學調整層上的第一發光層；第一發光層上的第二發光層；以及第二發光層上的上部電極，第三發光元件包括：第三下部電極；第三下部電極上的第三透明導電層；第三透明導電層上的第二發光層；以及第二發光層上的上部電極，第一透明導電層具有第一區域，第二透明導電層具有其厚度與第三透明導電層相同的第二區域，並且，第一區域比第二區域厚。

本發明的另一個實施方式是一種發光裝置，包括：第一發光元件；第二發光元件；以及第三發光元件，其中，第一發光元件包括：第一下部電極；第一下部電極上的第一透明導電層；第一透明導電層上的電洞注入層；電洞注入層上的電洞傳輸層；電洞傳輸層上的光學調整層；光學調整層上的第一發光層；第一發光層上的第二發光層；第二發光層上的電子傳輸層；電子傳輸層上的電子注入層；以及電子注入層上的上部電極，第二發光元件包括：第二下部電極；第二下部電極上的第二透明導電層；第二透明導電層上的電洞注入層；電洞注入層上的電洞傳輸層；電洞傳輸層上的光學調整層；光學調整層上的第一發光層；第一發光層上的第二發光層；第二發光層上的電子傳輸層；電子傳輸層上的電子注入層；以及電子注入層上的上部電極，第三發光元件包括：第三下部電極；第三下部電極上的第三透明導電層；第三透明導電層上的電洞注入層；電洞注入層上的電洞傳輸層；電洞傳輸層上的第二發光層；第二發光層上的電子傳輸層；電子傳輸層上的電子注入層；以及電子注入層上的上部電極，第一透明導電層具有第一區域，第二透明導電層具有其厚度與第三透明導電層相同的第二區域，並且，第一區域比第二區域厚。

在上述各方式中，較佳的是，由第一發光元件的發射光譜在發光波長為600nm以上且740nm以下的波長區內至少具有一個峰值，由第二發光元件的發射光譜在發光波長為480nm以上且小於600nm的波長區內至少具有一個峰值，並且，由第三發光元件的發射光譜在發光波長為400nm以上且小於480nm的波長區內至少具有一個峰值。

在上述各方式中，較佳的是，第一下部電極與第一發光層的間隔大於第二下部電極與第一發光層的間隔，並且，第二下部電極與第二發光層的間隔大於第三下部電極與第二發光層的間隔。

在上述各方式中，較佳的是，第一下部電極與第一發光層之間的光學距離為3λ_R/4(λ_R表示紅色波長)，第二下部電極與第一發光層之間的光學距離為3λ_G/4(λ_G表示綠色波長)，並且，第三下部電極與第二發光層之間的光學距離為3λ_B/4(λ_B表示藍色波長)。

在上述各方式中，光學調整層較佳為具有電洞傳輸性。

在上述各方式中，較佳的是，第一發光層包含磷光材料，第二發光層包含螢光材料。

另外，本發明的另一個實施方式是一種發光裝置，包括：第一發光元件；第二發光元件；以及第三發光元件，其中，第一發光元件包括：第一下部電極；第一下部電極上的第一透明導電層；第一透明導電層上的電子注入層；電子注入層上的電子傳輸層；電子傳輸層上的第一發光層；第一發光層上的第二發光層；第二發光層上的電洞傳輸層；電洞傳輸層上的電洞注入層；以及電洞注入層上的上部電極，第二發光元件包括：第二下部電極；第二下部電極上的第二透明導電層；第二透明導電層上的電子注入層；電子注入層上的電子傳輸層；電子傳輸層上的第一發光層；第一發光層上的第二發光層；第二發光層上的電洞傳輸層；電洞傳輸層上的電洞注入層；以及電洞注入層上的上部電極，第三發光元件包括：第三下部電極；第三下部電極上的第三透明導電層；第三透明導電層上的電子注入層；電子注入層上的電子傳輸層；電子傳輸層上的第二發光層；第二發光層上的電洞傳輸層；電洞傳輸層上的電洞注入層；以及電洞注入層上的上部電極，第一透明導電層具有第一區域，第二透明導電層具有其厚度與第三透明導電層相同的第二區域，並且，第一區域比第二區域厚。

本發明的另一個實施方式是一種發光裝置，包括：第一發光元件；第二發光元件；以及第三發光元件，其中，第一發光元件包括：第一下部電極；第一下部電極上的第一透明導電層；第一透明導電層上的電子注入層；電子注入層上的電子傳輸層；電子傳輸層上的光學調整層；光學調整層上的第一發光層；第一發光層上的第二發光層；第二發光層上的電洞傳輸層；電洞傳輸層上的電洞注入層；以及電洞注入層上的上部電極，第二發光元件包括：第二下部電極；第二下部電極上的第二透明導電層；第二透明導電層上的電子注入層；電子注入層上的電子傳輸層；電子傳輸層上的光學調整層；光學調整層上的第一發光層；第一發光層上的第二發光層；第二發光層上的電洞傳輸層；電洞傳輸層上的電洞注入層；以及電洞注入層上的上部電極，第三發光元件包括：第三下部電極；第三下部電極上的第三透明導電層；第三透明導電層上的電子注入層；電子注入層上的電子傳輸層；電子傳輸層上的第二發光層；第二發光層上的電洞傳輸層；電洞傳輸層上的電洞注入層；以及電洞注入層上的上部電極，第一透明導電層具有第一區域，第二透明導電層具有其厚度與第三透明導電層相同的第二區域，並且，第一區域比第二區域厚。

在上述各方式中，光學調整層較佳為具有電子傳輸性。

此外，本發明的一個實施方式在其範疇內還包括：包括上述各方式的發光裝置且具有觸控感測器功能的電子裝置；或者包括上述各方式的發光裝置及外殼的照明設備。注意，本說明書中的發光裝置是指影像顯示裝置或光源(包括照明設備)。另外，發光裝置在其範疇內還包括如下模組：將連接器諸如FPC(Flexible printed circuit：撓性印刷電路)或TCP(Tape Carrier Package：捲帶式封裝)安裝到發光裝置的模組；將印刷線路板設置於TCP的端部的模組；或者將IC(積體電路)藉由COG(Chip On Glass：晶粒玻璃接合)方式直接安裝到發光元件的模組。

藉由本發明的一個實施方式，能夠提供一種新穎的發光裝置。藉由本發明的一個實施方式，能夠提供一種生產率高且功耗得到降低的新穎的發光裝置。藉由本發明的一個實施方式，能夠提供一種新穎的發光裝置的製造方法。

注意，上述效果的記載並不妨礙其他效果的存在。此外，本發明的一個實施方式並不需要具有所有上述效果。此外，除了上述效果以外的效果從說明書、圖式、申請專利範圍等的描述中是顯而易見的，並可以從所述描述中抽取。

100‧‧‧發光裝置

100A‧‧‧發光裝置

101‧‧‧發光元件

101B‧‧‧發光元件

101G‧‧‧發光元件

101R‧‧‧發光元件

102‧‧‧基板

104B‧‧‧下部電極

104G‧‧‧下部電極

104R‧‧‧下部電極

106B‧‧‧透明導電層

106G‧‧‧透明導電層

106R‧‧‧透明導電層

108‧‧‧光學調整層

110‧‧‧發光層

112‧‧‧發光層

114‧‧‧上部電極

131‧‧‧電洞注入層

132‧‧‧電洞傳輸層

133‧‧‧電子傳輸層

134‧‧‧電子注入層

136‧‧‧分隔壁

150‧‧‧發光裝置

150A‧‧‧發光裝置

151G‧‧‧發光元件

151R‧‧‧發光元件

152‧‧‧基板

154‧‧‧遮光層

156B‧‧‧光學元件

156G‧‧‧光學元件

156R‧‧‧光學元件

170‧‧‧電晶體

172‧‧‧閘極電極

174‧‧‧閘極絕緣層

176‧‧‧半導體層

178‧‧‧源極電極

180‧‧‧汲極電極

182‧‧‧絕緣層

184‧‧‧絕緣層

186‧‧‧絕緣層

190‧‧‧陰影遮罩

191‧‧‧開口部

192‧‧‧有機化合物

301_1‧‧‧佈線

301_5‧‧‧佈線

301_6‧‧‧佈線

301_7‧‧‧佈線

302_1‧‧‧佈線

302_2‧‧‧佈線

303_1‧‧‧電晶體

303_6‧‧‧電晶體

303_7‧‧‧電晶體

304‧‧‧電容器

304_1‧‧‧電容器

304_2‧‧‧電容器

305‧‧‧發光元件

306_1‧‧‧佈線

306_3‧‧‧佈線

307_1‧‧‧佈線

307_3‧‧‧佈線

308_1‧‧‧電晶體

308_6‧‧‧電晶體

309_1‧‧‧電晶體

309_2‧‧‧電晶體

311_1‧‧‧佈線

311_3‧‧‧佈線

312_1‧‧‧佈線

312_2‧‧‧佈線

502‧‧‧基板

504‧‧‧下部電極

506‧‧‧透明導電層

508‧‧‧光學調整層

510‧‧‧發光層

512‧‧‧發光層

514‧‧‧上部電極

531‧‧‧電洞注入層

532‧‧‧電洞傳輸層

533‧‧‧電子傳輸層

534‧‧‧電子注入層

550‧‧‧密封基板

556‧‧‧彩色層

801‧‧‧像素電路

802‧‧‧像素部

804‧‧‧驅動電路部

804a‧‧‧閘極驅動器

804b‧‧‧源極驅動器

806‧‧‧保護電路

807‧‧‧端子部

852‧‧‧電晶體

854‧‧‧電晶體

862‧‧‧電容器

872‧‧‧發光元件

2000‧‧‧觸控面板

2001‧‧‧觸控面板

2501‧‧‧顯示面板

2502‧‧‧像素

2502t‧‧‧電晶體

2503c‧‧‧電容器

2503g‧‧‧掃描線驅動電路

2503t‧‧‧電晶體

2509‧‧‧FPC

2510‧‧‧基板

2510a‧‧‧絕緣層

2510b‧‧‧撓性基板

2510c‧‧‧黏合層

2511‧‧‧佈線

2519‧‧‧端子

2521‧‧‧絕緣層

2528‧‧‧分隔壁

2550‧‧‧發光元件

2560‧‧‧密封層

2567BM‧‧‧遮光層

2567p‧‧‧抗反射層

2567R‧‧‧彩色層

2570‧‧‧基板

2570a‧‧‧絕緣層

2570b‧‧‧撓性基板

2570c‧‧‧黏合層

2580‧‧‧發光模組

2590‧‧‧基板

2591‧‧‧電極

2592‧‧‧電極

2593‧‧‧絕緣層

2594‧‧‧佈線

2595‧‧‧觸控感測器

2597‧‧‧黏合層

2598‧‧‧佈線

2599‧‧‧連接層

2601‧‧‧脈衝電壓輸出電路

2602‧‧‧電流檢測電路

2603‧‧‧電容器

2611‧‧‧電晶體

2612‧‧‧電晶體

2613‧‧‧電晶體

2621‧‧‧電極

2622‧‧‧電極

3000‧‧‧發光裝置

3001‧‧‧基板

3003‧‧‧基板

3005‧‧‧發光元件

3007‧‧‧密封區域

3009‧‧‧密封區域

3011‧‧‧區域

3013‧‧‧區域

3014‧‧‧區域

3015‧‧‧基板

3016‧‧‧基板

3018‧‧‧乾燥劑

3054‧‧‧顯示部

3500‧‧‧多功能終端

3502‧‧‧外殼

3504‧‧‧顯示部

3506‧‧‧照相機

3508‧‧‧照明

3600‧‧‧安全燈

3602‧‧‧外殼

3608‧‧‧照明

3610‧‧‧揚聲器

8000‧‧‧顯示模組

8001‧‧‧上蓋

8002‧‧‧下蓋

8003‧‧‧FPC

8004‧‧‧觸控感測器

8005‧‧‧FPC

8006‧‧‧顯示面板

8009‧‧‧框架

8010‧‧‧印刷電路板

8011‧‧‧電池

9000‧‧‧外殼

9001‧‧‧顯示部

9003‧‧‧揚聲器

9005‧‧‧操作鍵

9006‧‧‧連接端子

9007‧‧‧感測器

9008‧‧‧麥克風

9050‧‧‧操作按鈕

9051‧‧‧資訊

9052‧‧‧資訊

9053‧‧‧資訊

9054‧‧‧資訊

9055‧‧‧鉸鏈

9100‧‧‧可攜式資訊終端

9101‧‧‧可攜式資訊終端

9102‧‧‧可攜式資訊終端

9200‧‧‧可攜式資訊終端

9201‧‧‧可攜式資訊終端

在圖式中：圖1A及圖1B是說明發光裝置的俯視圖及剖面圖；圖2是說明發光裝置的剖面圖；圖3A及圖3B是說明發光裝置的剖面圖；圖4是說明發光裝置的俯視圖；圖5是說明發光裝置的剖面圖；圖6是說明發光裝置的剖面圖；圖7是說明發光裝置的剖面圖；圖8是說明發光裝置的剖面圖；圖9A至圖9C是說明發光裝置的俯視圖；圖10是說明發光裝置的剖面圖；圖11是說明發光裝置的剖面圖；圖12是說明發光裝置的剖面圖；圖13是說明發光裝置的剖面圖；圖14是說明發光裝置的剖面圖；圖15是說明發光裝置的剖面圖；圖16是說明發光裝置的剖面圖；圖17是說明發光裝置的剖面圖；圖18是說明發光裝置的剖面圖；圖19是說明發光裝置的剖面圖；圖20是說明電晶體的剖面圖；圖21是說明發光裝置的剖面圖；圖22是說明發光裝置的剖面圖；圖23A及圖23B是說明發光裝置的製造方法的剖面圖；圖24A及圖24B是說明發光裝置的製造方法的剖面圖；圖25A及圖25B是說明發光裝置的製造方法的剖面圖；圖26A及圖26B是說明發光裝置的製造方法的剖面圖；圖27A及圖27B是說明發光裝置的製造方法的剖面圖；圖28A及圖28B是說明發光裝置的製造方法的剖面圖；圖29A及圖29B是說明發光裝置的剖面圖；圖30A及圖30B是說明發光裝置的剖面圖；圖31是說明發光裝置的剖面圖；圖32是說明發光裝置的剖面圖；圖33是說明發光裝置的剖面圖；圖34是說明發光裝置的剖面圖；圖35A及圖35B是說明顯示裝置的方塊圖及電路圖；圖36A及圖36B是說明顯示裝置的像素電路的電路圖；圖37A及圖37B是說明顯示裝置的像素電路的電路圖；圖38A及圖38B是示出觸控面板的一個例子的透視圖；圖39A至圖39C是示出顯示面板及觸控感測器的一個例子的剖面圖；圖40A及圖40B是示出觸控面板的一個例子的剖面圖；圖41A及圖41B是觸控感測器的方塊圖及時序圖；圖42是觸控感測器的電路圖；圖43是說明顯示模組的透視圖；圖44A至圖44G是說明電子裝置的圖；圖45A至圖45C是說明發光裝置的透視圖及剖面圖；圖46A至圖46D是說明發光裝置的剖面圖；圖47A至圖47C是說明照明設備及電子裝置的圖；圖48A至圖48D是說明根據實施例1至3的發光元件的剖面圖；圖49A及圖49B是說明根據實施例1的發光元件的亮度-電流密度特性及亮度-電壓特性的圖；圖50A及圖50B是說明根據實施例1的發光元件的電流效率-亮度特性及發射光譜的圖；圖51A及圖51B是說明根據實施例2的發光元件的亮度-電流密度特性及亮度-電壓特性的圖；圖52A及圖52B是說明根據實施例2的發光元件的電流效率-亮度特性及發射光譜的圖；圖53A及圖53B是說明根據實施例3的發光元件的亮度-電流密度特性及亮度-電壓特性的圖；圖54A及圖54B是說明根據實施例3的發光元件的電流效率-亮度特性及發射光譜的圖；圖55是說明根據實施例3的發光元件的正規化亮度-時間特性的圖；圖56A至圖56D是說明根據參考實例1至3的發光元件的剖面圖；圖57A及圖57B是說明根據參考實例1的發光元件的亮度-電流密度特性及亮度-電壓特性的圖；圖58A及圖58B是說明根據參考實例1的發光元件的電流效率-亮度特性及發射光譜的圖；圖59A及圖59B是說明根據參考實例2的發光元件的亮度-電流密度特性及亮度-電壓特性的圖；圖60A及圖60B是說明根據參考實例2的發光元件的電流效率-亮度特性及發射光譜的圖；圖61A及圖61B是說明根據參考實例3的發光元件的亮度-電流密度特性及亮度-電壓特性的圖；圖62A及圖62B是說明根據參考實例3的發光元件的電流效率-亮度特性及發射光譜的圖；圖63是說明根據參考實例3的發光元件的正規化亮度-時間特性的圖；圖64是示出Ir(iBu5bpm)₂(acac)的¹H NMR譜的圖；圖65是示出Ir(iBu5bpm)₂(acac)的二氯甲烷溶液中的紫外可見吸收光譜及發射光譜的圖；圖66是示出Ir(iBu5bpm)₂(acac)的失重率的圖。

下面，參照圖式詳細地說明本發明的實施方式。注意，本發明不侷限於以下說明，其方式及詳細內容在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在下面所示的實施方式所記載的內容中。

另外，為了容易理解，圖式等所示的各構成要素的位置、大小、範圍等有時不表示實際上的位置、大小、範圍等。因此，所公開的發明不一定侷限於圖式等所公開的位置、大小、範圍等。

此外，在本說明書等中，為了方便起見，附加了第一、第二等序數詞，而其並不表示製程順序或疊層順序。因此，例如可以將“第一”適當地替換為“第二”或“第三”等來進行說明。另外，本說明書等所記載的序數詞與用於特定本發明的一個實施方式的序數詞有時不一致。

注意，在本說明書等中，當利用圖式說明發明的結構時，在不同的圖式中共同使用表示相同的部分的符號。

實施方式1

在本實施方式中，參照圖1A至圖34說明本發明的一個實施方式的發光裝置及該發光裝置的製造方法。

<發光裝置的結構實例1>

圖1A是示出本發明的一個實施方式的發光裝置的一個例子的俯視圖，圖1B是沿著圖1A所示的點劃線X1-Y1切斷的剖面圖。

圖1A及圖1B所示的發光裝置100包括第一發光元件101R、第二發光元件101G以及第三發光元件 101B。另外，第一發光元件101R包括：第一下部電極104R；第一下部電極104R上的第一透明導電層106R；第一透明導電層106R上的第一發光層110；第一發光層110上的第二發光層112；以及第二發光層112上的上部電極114。此外，第二發光元件101G包括：第二下部電極104G；第二下部電極104G上的第二透明導電層106G；第二透明導電層106G上的第一發光層110；第一發光層110上的第二發光層112；以及第二發光層112上的上部電極114。另外，第三發光元件101B包括：第三下部電極104B；第三下部電極104B上的第三透明導電層106B；第三透明導電層106B上的第二發光層112；以及第二發光層112上的上部電極114。

注意，在發光裝置100中，將下部電極(第一下部電極104R、第二下部電極104G及第三下部電極104B)用作陽極，並將上部電極114用作陰極。此外，下部電極具有反射光的功能。注意，下部電極及上部電極的結構不侷限於此，例如，可以將下部電極用作陰極，並將上部電極用作陽極。

另外，第二透明導電層106G和第三透明導電層106B以大致相同的厚度形成。例如，當對同一透明導電膜進行加工而形成第二透明導電層106G和第三透明導電層106B時，該兩者具有大致相同的厚度或者具有厚度大致相同的區域。在本說明書等中，“大致相同的厚度”包括如下情況：在進行比較的兩個膜之間，相對於一個膜的厚度的另一個膜的厚度為-20%以上且+20%以下或-10%以上且+10%以下的情況。此外，第一透明導電層106R比第二透明導電層106G及第三透明導電層106B厚。換言之，第一透明導電層106R具有第一區域，第二透明導電層106G具有其厚度與第三透明導電層106B相同的第二區域，並且，第一區域比第二區域厚。藉由採用這種結構，能夠調整各發光元件的下部電極與發光層的間隔或下部電極與發光層之間的光學距離。

明確而言，第一下部電極104R與第一發光層110的間隔大於第二下部電極104G與第一發光層110的間隔，並且，第二下部電極104G與第二發光層112的間隔大於第三下部電極104B與第二發光層112的間隔。

在下部電極與發光層的間隔為上述關係的情況下，較佳的是，第一下部電極104R與第一發光層110之間的光學距離為3λ_R/4(λ_R表示紅色波長)，第二下部電極104G與第一發光層110之間的光學距離為3λ_G/4(λ_G表示綠色波長)，並且，第三下部電極104B與第二發光層112之間的光學距離為3λ_B/4(λ_B表示藍色波長)。

在發光裝置100中，使第二透明導電層106G的厚度與第三透明導電層106B的厚度相同，並使第一透明導電層106R的厚度比第二透明導電層106G及第三透明導電層106B厚。另外，在第三發光元件101B中，因為沒有設置第一發光層110，所以可以實現上述光學距離。此外，藉由實現上述光學距離，可以高效地從第一發光元件101R、第二發光元件101G及第三發光元件101B分別提取紅色波長區的光、綠色波長區的光及藍色波長區的光。

注意，嚴格而言，下部電極(第一下部電極104R及第二下部電極104G)與第一發光層110之間的光學距離可以被表示為下部電極中的從反射區域到第一發光層110的厚度和折射率的乘積。但是，難以嚴格地決定下部電極中的反射區域或第一發光層110中的發光區域，所以藉由將下部電極的任意的位置假設為反射區域且將第一發光層110的任意的位置假設為發光區域，能夠充分地得到上述效果。注意，關於第三下部電極104B與第二發光層112之間的光學距離也是同樣的。

另外，由第一發光元件101R的發射光譜在紅色波長區內至少具有一個峰值，由第二發光元件101G的發射光譜在綠色波長區內至少具有一個峰值，並且，由第三發光元件101B的發射光譜在藍色波長區內至少具有一個峰值。因此，藉由利用第一發光元件101R、第二發光元件101G及第三發光元件101B，能夠進行全彩色顯示。注意，在本說明書等中，紅色波長區是發光波長為600nm以上且740nm以下的區域，綠色波長區是發光波長為480nm以上且小於600nm的區域，藍色波長區是發光波長為400nm以上且低於480nm的區域。

此外，在圖1B中，以虛線的箭頭示意性地分別示出被射出到外部的紅色(R)波長範圍內的光、綠色(G)波長範圍內的光及藍色(B)波長範圍內的光。另外，後述的發光裝置也是同樣的。如此，圖1A及圖1B所示的發光裝置100是使各發光元件所發射的光被提取到與形成有發光元件的基板102相反一側的頂面發射型(還稱為頂部發射型)。注意，本發明的一個實施方式不侷限於此，也可以為使各發光元件所發射的光被提取到形成有發光元件的基板一側的底面發射型(還稱為底部發射型)或者使各發光元件所發射的光被提取到形成有發光元件的基板102的上方和下方的雙面發射(dual-emission)型。

另外，在圖1A及圖1B所示的發光裝置100中，在第一發光元件101R和第二發光元件101G之間共同使用一個第一發光層110，在第一發光元件101R、第二發光元件101G及第三發光元件101B之間共同使用一個第二發光層112。藉由在各發光元件之間共同使用一個第一發光層110或第二發光層112，可以在形成發光元件時提高生產率。明確而言，在發光裝置100的各發光元件的製造中，分別塗布製程只需要一次(在這裡只需要沉積第一發光層110的製程)，由此能夠提高生產率。

注意，在第一發光元件101R及第二發光元件101G中，第二發光層112無助於發光。例如，第二發光層112可以使用電子傳輸性高且電洞傳輸性低的材料，或者HOMO(最高佔據分子軌域：Highest Occupied Molecular Orbital)能階比用於第一發光層110的材料低的材料。亦即，在第一發光元件101R及第二發光元件101G中，第二發光層112被用作電子傳輸層。

此外，第一發光層110包含磷光材料。另外，第二發光層112包含螢光材料。藉由採用這種結構，能夠提供一種發光效率高且可靠性高的新穎的發光裝置。例如，可以將射出綠色波長範圍內的光的磷光材料用於第一發光層110，並將射出藍色波長範圍內的光的螢光材料用於第二發光層112。注意，可用於第一發光層110及第二發光層112的材料不侷限於上述材料。例如，可以將磷光材料用於第二發光層112。

此外，在圖1A中，雖然作為第一發光元件101R、第二發光元件101G及第三發光元件101B的配置結構的例子示出了條紋排列，但不侷限於此。例如，作為各發光元件的配置結構，可以採用圖9A所示的三角狀排列、圖9B所示的PenTile排列或圖9C所示的像素排列。注意，圖9A至圖9C是示出發光裝置的一個例子的俯視圖。

藉由採用上述結構，形成各發光元件時的分別塗布製程變少，由此能夠提供一種生產率得到提高的發光裝置。另外，在該發光裝置所包括的各發光元件中，因為發光效率高，所以其功耗得到降低。此外，該發光元件的可靠性高。因此，能夠提供一種生產率高且功耗得到降低的新穎的發光裝置。

接著，參照圖2對與圖1A及圖1B所示的發光裝置100不同的方式進行說明。圖2是沿著圖1A所示的點劃線X1-Y1切斷的剖面圖。

圖2所示的發光裝置100包括第一發光元件101R、第二發光元件101G以及第三發光元件101B。另外，第一發光元件101R包括：第一下部電極104R；第一下部電極104R上的第一透明導電層106R；第一透明導電層106R上的電洞注入層131；電洞注入層131上的電洞傳輸層132；電洞傳輸層132上的第一發光層110；第一發光層110上的第二發光層112；第二發光層112上的電子傳輸層133；電子傳輸層133上的電子注入層134；以及電子注入層134上的上部電極114。此外，第二發光元件101G包括：第二下部電極104G；第二下部電極104G上的第二透明導電層106G；第二透明導電層106G上的電洞注入層131；電洞注入層131上的電洞傳輸層132；電洞傳輸層132上的第一發光層110；第一發光層110上的第二發光層112；第二發光層112上的電子傳輸層133；電子傳輸層133上的電子注入層134；以及電子注入層134上的上部電極114。另外，第三發光元件101B包括：第三下部電極104B；第三下部電極104B上的第三透明導電層106B；第三透明導電層106B上的電洞注入層131；電洞注入層131上的電洞傳輸層132；電洞傳輸層132上的第二發光層112；第二發光層112上的電子傳輸層133；電子傳輸層133上的電子注入層134；以及電子注入層134上的上部電極114。

如圖2所示的發光裝置100那樣，可以在透明導電層(第一透明導電層106R、第二透明導電層106G及第三透明導電層106B)與第一發光層110或第二發光層112之間設置電洞注入層131、電洞傳輸層132，並在第二發光層112與上部電極114之間設置電子傳輸層133、電子注入層134。注意，不侷限於圖2所示的結構，可以採用包括選自電洞注入層131、電洞傳輸層132、電子傳輸層133和電子注入層134中的至少一個的結構。或者，雖然在圖2中未圖示，但也可以設置具有降低載子注入能障的功能的功能層。

在此，在第一發光元件101R及第二發光元件101G中，為了在第一發光層110中高效地使載子再結合，第二發光層112較佳為具有電子傳輸性。亦即，在由主體材料和客體材料(發光材料)構成第二發光層112的情況下，該主體材料較佳為具有電子傳輸性，並且，該客體材料較佳為具有電洞俘獲性。另外，從同樣的觀點來看，第一發光層110較佳為具有電子傳輸性，但若再結合區域偏於電洞傳輸層132一側，則難以使光學距離最佳化(這是因為，第一發光層110的光學厚度大概為λ_G-λ_B，此時，從第一發光層110與電洞傳輸層132的介面至下部電極104G的光學距離偏離3λ_G/4)。為了使該偏差最佳化，第一發光層110除了需要具有電子傳輸性之外，還需要以能夠防止電洞穿過第二發光層112的程度適當地具有電洞傳輸性。亦即，第一發光層110較佳為具有雙極性。因此，例如，較佳的是，第一發光層110至少包含電洞傳輸性材料、電子傳輸性材料及發光材料。

接著，參照圖3A及圖3B對與圖1A及圖1B所示的發光裝置100不同的方式進行說明。圖3A及圖3B是沿著圖1A所示的點劃線X1-Y1切斷的剖面圖。

在圖3A所示的發光裝置100中，除了圖1B所示的發光裝置100的結構之外還設置有光學調整層108。明確而言，第一發光元件101R在第一透明導電層106R與第一發光層110之間包括光學調整層108。另外，第二發光元件101G在第二透明導電層106G與第一發光層110之間包括光學調整層108。

在圖3B所示的發光裝置100中，除了圖2所示的發光裝置100的結構之外還設置有光學調整層108。明確而言，第一發光元件101R在電洞傳輸層132與第一發光層110之間包括光學調整層108。此外，第二發光元件101G在電洞傳輸層132與第一發光層110之間包括光學調整層108。

如圖3A所示，藉由設置光學調整層108，能夠調整下部電極(第一下部電極104R及第二下部電極104G)與第一發光層110之間的光學距離。另外，如圖3B所示，藉由設置光學調整層108，能夠調整下部電極(第一下部電極104R及第二下部電極104G)與上部電極114之間的光學距離。注意，在可以藉由透明導電層(第一透明導電層106R、第二透明導電層106G及第三透明導電層106B)、第一發光層110及/或第二發光層112來調整下部電極與上部電極114之間的光學距離的情況下，也可以不設置光學調整層108。但是，當設置光學調整層108時，可以更容易地調整光學距離，所以較佳為設置光學調整層108。

另外，在圖3A及圖3B所示的發光裝置100的製造中，當連續地形成光學調整層108和第一發光層110時，分別塗布製程只需要一次。亦即，隨著光學調整層108的追加不會增加分別塗布製程數。

此外，光學調整層108較佳為具有電洞傳輸性。例如，當使用電洞傳輸性高的材料形成光學調整層108時，可以適當地使電洞傳輸到第一發光層110，所以能夠提高第一發光層110的發光效率。

接著，參照圖4至圖8對與圖1A及圖1B所示的發光裝置100不同的方式進行說明。圖4是示出本發明的一個實施方式的發光裝置的一個例子的俯視圖。圖5至圖8是沿著圖4所示的點劃線X2-Y2切斷的剖面圖。

圖5所示的發光裝置100除了圖3B所示的發光裝置100的結構之外還包括分隔壁136及基板152。分隔壁136被設置於各發光元件的外周部，並具有覆蓋各發光元件的下部電極和透明導電層中的一個或兩個的端部的功能。另外，基板152形成有遮光層154、第一光學元件156R、第二光學元件156G及第三光學元件156B。此外，遮光層154被設置在與分隔壁136重疊的位置。另外，第一光學元件156R被設置在與第一發光元件101R重疊的位置，第二光學元件156G被設置在與第二發光元件101G重疊的位置，並且，第三光學元件156B被設置在與第三發光元件101B重疊的位置。

在圖6所示的發光裝置100中．不設置圖5所示的發光裝置100的第二光學元件156G及第三光學元件156B。此外，在圖7所示的發光裝置100中，不設置圖5所示的發光裝置100的第三光學元件156B。另外，圖8所示的發光裝置100是不設置圖5所示的發光裝置100的第二光學元件156G的結構。

藉由將射出綠色波長範圍的光的磷光材料用於第一發光層110，並將射出藍色波長範圍的光的螢光材料用於第二發光層112，由此可以在與第二發光元件101G重疊的區域及與第三發光元件101B重疊的區域中的至少一個區域上不設置光學元件。藉由在與第二發光元件101G重疊的區域及與第三發光元件101B重疊的區域中的至少一個區域上不設置光學元件，能夠降低發光裝置100的功耗。尤其在將射出藍色波長範圍內的光的螢光材料用於第三發光元件101B時，若不設置第三光學元件156G，功耗降低的效果則更顯著。注意，為了防止外光反射，如圖5所示，較佳為在所有發光元件設置光學元件。

<發光裝置的結構實例2>

接著，參照圖1A及圖1B、圖4和圖10至圖15對與上述發光裝置不同的結構進行說明。

圖1A是示出本發明的一個實施方式的發光裝置的一個例子的俯視圖，圖10是沿著圖1A所示的點劃線X1-Y1切斷的剖面圖。

發光裝置100A包括第一發光元件101R、第二發光元件101G及第三發光元件101B。另外，第一發光元件101R包括：第一下部電極104R；第一下部電極104R上的第一透明導電層106R；第一透明導電層106R上的電子注入層134；電子注入層134上的電子傳輸層133；電子傳輸層133上的第一發光層110；第一發光層110上的第二發光層112；第二發光層112上的電洞傳輸層132；電洞傳輸層132上的電洞注入層131；以及電洞注入層131上的上部電極114。此外，第二發光元件101G包括：第二下部電極104G；第二下部電極104G上的第二透明導電層106G；第二透明導電層106G上的電子注入層134；電子注入層134上的電子傳輸層133；電子傳輸層133上的第一發光層110；第一發光層110上的第二發光層112；第二發光層112上的電洞傳輸層132；電洞傳輸層132上的電洞注入層131；以及電洞注入層131上的上部電極114。另外，第三發光元件101B包括：第三下部電極104B；第三下部電極104B上的第三透明導電層106B；第三透明導電層106B上的電子注入層134；電子注入層134上的電子傳輸層133；電子傳輸層133上的第二發光層112；第二發光層112上的電洞傳輸層132；電洞傳輸層132上的電洞注入層131；以及電洞注入層131上的上部電極114。

注意，在發光裝置100A中，將下部電極(第一下部電極104R、第二下部電極104G及第三下部電極104B)用作陰極，並將上部電極114用作陽極。此外，下部電極具有反射光的功能。

在發光裝置100A中，使第二透明導電層106G的厚度與第三透明導電層106B的厚度相同，並使第一透明導電層106R的厚度比第二透明導電層106G及第三透明導電層106B厚。另外，在第三發光元件101B中，因為沒有設置第一發光層110，所以可以實現上述光學距離。此外，藉由實現上述的光學距離，可以高效地從第一發光元件101R、第二發光元件101G及第三發光元件101B分別提取紅色波長區的光、綠色波長區的光及藍色波長區的光。

此外，在圖10中，以虛線的箭頭示意性地分別示出被射出到外部的紅色(R)波長範圍內的光、綠色(G)波長範圍內的光及藍色(B)波長範圍內的光。另外，後述的發光裝置也是同樣的。如此，圖1A及圖1B所示的發光裝置100和圖10所示的發光裝置100A是使各發光元件所發射的光被提取到與形成有發光元件的基板102相反一側的頂面發射型(還稱為頂部發射型)。注意，本發明的一個實施方式不侷限於此，也可以為使各發光元件所發射的光被提取到形成有發光元件的基板一側的底面發射型(還稱為底部發射型)或者使各發光元件所發射的光被提取到形成有發光元件的基板102的上方和下方的雙面發射(dual-emission)型。

另外，在發光裝置100A中，在第一發光元件 101R和第二發光元件101G之間共同使用一個第一發光層110，在第一發光元件101R、第二發光元件101G及第三發光元件101B之間共同使用一個第二發光層112。藉由在各發光元件之間共同使用一個第一發光層110或第二發光層112，可以在形成發光元件時提高生產率。明確而言，在發光裝置100A的各發光元件的製造中，分別塗布製程只需要一次(在這裡只需要沉積第一發光層110的製程)，由此能夠提高生產率。

注意，在第一發光元件101R及第二發光元件101G中，第二發光層112無助於發光。例如，第二發光層112可以使用電洞傳輸性高且電子傳輸性低的材料，或者HOMO能階比用於第一發光層110的材料高的材料。亦即，在第一發光元件101R及第二發光元件101G中，第二發光層112被用作電洞傳輸層。因此，第二發光層112較佳為具有電洞傳輸性。亦即，在由主體材料和客體材料(發光材料)構成第二發光層112的情況下，該主體材料較佳為具有電洞傳輸性，並且，該客體材料較佳為具有電子俘獲性。另外，從同樣的觀點來看，第一發光層110較佳為具有電洞傳輸性，但若再結合區域偏於電子傳輸層133一側，則難以使光學距離最佳化(這是因為，第一發光層110的光學厚度大概為λ_G-λ_B，此時，從第一發光層110與電子傳輸層133的介面至下部電極104G的光學距離偏離3λ_G/4)。為了使該偏差最佳化，第一發光層110除了需要具有電洞傳輸性之外，還需要以能夠防止電子穿過第二發光層112的程度適當地具有電子傳輸性。亦即，第一發光層110較佳為具有雙極性。因此，例如，較佳的是，第一發光層110至少包含電洞傳輸性材料、電子傳輸性材料及發光材料。

接著，參照圖11對與圖10所示的發光裝置100A不同的方式進行說明。圖11是沿著圖1A所示的點劃線X1-Y1切斷的剖面圖。

圖11所示的發光裝置100A是除了圖10所示的發光裝置100A的結構之外還設置了光學調整層108的結構。明確而言，第一發光元件101R在電子傳輸層133 與第一發光層110之間包括光學調整層108。另外，第二發光元件101G在電子傳輸層133與第一發光層110之間包括光學調整層108。

如圖11所示，藉由設置光學調整層108，能夠調整下部電極(第一下部電極104R及第二下部電極104G)與第一發光層110之間的光學距離。注意，在可以藉由透明導電層(第一透明導電層106R、第二透明導電層106G及第三透明導電層106B)、第一發光層110及/或第二發光層112來調整下部電極與上部電極114之間的光學距離的情況下，也可以不設置光學調整層108。但是，當設置光學調整層108時，可以更容易地調整光學距離，所以較佳為設置光學調整層108。

另外，在圖11所示的發光裝置100A製造中，當連續地形成光學調整層108和第一發光層110時，分別塗布製程只需要一次。亦即，隨著光學調整層108的追加不會增加分別塗布製程數。

此外，在圖11所示的發光裝置100A中，光學調整層108較佳為具有電子傳輸性。例如，當使用電子傳輸性高的材料形成光學調整層108時，可以適當地使電子傳輸到第一發光層110，所以能夠提高第一發光層110的發光效率。

接著，參照圖4以及圖12至圖15對與圖10所示的發光裝置100A不同的方式進行說明。圖12至圖15是沿著圖4所示的點劃線X2-Y2切斷的剖面圖。注意，圖4是發光裝置100的俯視圖，但有時還被用作發光裝置100A的俯視圖。

圖12所示的發光裝置100A除了圖11所示的發光裝置100A的結構之外還包括分隔壁136及基板152。分隔壁136被設置於各發光元件的外周部，並具有覆蓋各發光元件的下部電極和透明導電層中的一個或兩個的端部的功能。另外，基板152形成有遮光層154、第一光學元件156R、第二光學元件156G及第三光學元件156B。此外，遮光層154被設置在與分隔壁136重疊的位置。另外，第一光學元件156R被設置在與第一發光元件101R重疊的位置，第二光學元件156G被設置在與第二發光元件101G重疊的位置，並且，第三光學元件156B被設置在與第三發光元件101B重疊的位置。

在圖13所示的發光裝置100A中，不設置圖12所示的發光裝置100A的第二光學元件156G及第三光學元件156B構。此外，在圖14所示的發光裝置100A中，不設置圖12所示的發光裝置100A的第三光學元件156B。另外，圖15所示的發光裝置100A是不設置圖12所示的發光裝置100A的第二光學元件156G的結構。

藉由將射出綠色波長範圍的光的磷光材料用於第一發光層110，並將射出藍色波長範圍的光的螢光材料用於第二發光層112，由此可以在與第二發光元件101G重疊的區域及與第三發光元件101B重疊的區域中的至少一個區域上不設置光學元件。藉由在與第二發光元件 101G重疊的區域及與第三發光元件101B重疊的區域中的至少一個區域中不設置光學元件，能夠降低發光裝置100A的功耗。尤其在將射出藍色波長範圍內的光的螢光材料用於第三發光元件101B時，若不設置第三光學元件156G，功耗降低的效果則更顯著。注意，為了防止外光反射，如圖12所示，較佳為在所有發光元件設置光學元件。

<發光裝置的結構實例3>

接著，參照圖16至圖20對與上述發光裝置不同的結構進行說明。

圖16及圖18是使電晶體連接於前面已說明的發光裝置100及發光裝置100A的結構的剖面圖。在圖16所示的發光裝置100中，各發光元件的下部電極與電晶體170電連接，而在圖18所示的發光裝置100A中，各發光元件的下部電極與電晶體170電連接。

另外，圖17示出在圖16所示的發光裝置100的電晶體170與下部電極之間設置光學元件(第一光學元件156R、第二光學元件156G及第三光學元件156B)的結構的發光裝置100。此外，圖19示出在圖18所示的發光裝置100A的電晶體170與下部電極之間設置光學元件(第一光學元件156R、第二光學元件156G及第三光學元件156B)的結構的發光裝置100A。

在採用圖17所示的發光裝置100或圖19所示的發光裝置100A的情況下，從下部電極射出的光經過光學元件(第一光學元件156R、第二光學元件156G及第三光學元件156B)而射出到基板102一側。注意，藉由採用圖17或圖19所示的結構，可以在基板152一側不設置光學元件等。因此，能夠降低製造成本，所以是較佳的。

另外，參照圖20說明圖16至圖19所示的電晶體170的詳細內容。圖20是電晶體170的剖面圖。

電晶體170包括：基板102上的閘極電極172；基板102及閘極電極172上的閘極絕緣層174；閘極絕緣層174上的半導體層176；閘極絕緣層174及半導體層176上的源極電極178；以及閘極絕緣層174及半導體層176上的汲極電極180。另外，在電晶體170上設置有絕緣層182，在絕緣層182上設置有絕緣層184，並在絕緣層184上設置有絕緣層186。

絕緣層182與半導體層176接觸。絕緣層182例如可以使用氧化物絕緣材料形成。此外，絕緣層184具有抑制雜質進入電晶體170的功能。絕緣層184例如可以使用氮化物絕緣材料形成。另外，絕緣層186具有使起因於電晶體170等的凹凸等平坦的功能。絕緣層186例如可以使用有機樹脂絕緣材料形成。

此外，絕緣層182、絕緣層184及絕緣層186設置有開口部，並且，藉由該開口部使電晶體170的汲極電極180與下部電極(在此是第一下部電極104G)電連接。藉由驅動電晶體170，能夠控制流過下部電極的電流或電壓。

在此，下面對上述發光裝置100及發光裝置100A的各構成要素的詳細內容進行說明。

[基板]

基板102被用作發光元件的支撐物。另外，基板152被用作光學元件的支撐物。作為基板102、152，例如可以使用玻璃、石英或塑膠等。或者，可以使用撓性基板。撓性基板是指可以彎曲的基板，例如由聚碳酸酯、聚芳酯或者聚醚碸製成的塑膠基板等。此外，可以使用由聚丙烯、聚酯、聚氟乙烯、聚氯乙烯等構成的薄膜、藉由蒸鍍形成的無機薄膜等。注意，可以使用其它材料，只要是在發光元件及光學元件的製程中被用作支撐物的材料即可。

例如，可以使用各種基板形成發光元件及光學元件。對基板的種類沒有特別的限制。作為該基板的例子，例如可以舉出半導體基板(例如，單晶基板或矽基板)、SOI基板、玻璃基板、石英基板、塑膠基板、金屬基板、不鏽鋼基板、具有不鏽鋼箔的基板、鎢基板、具有鎢箔的基板、撓性基板、貼合薄膜、包含纖維狀的材料的紙或者基材薄膜等。作為玻璃基板的例子，可以舉出鋇硼矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃或者鈉鈣玻璃等。作為撓性基板、貼合薄膜、基材薄膜等，可以舉出如下例子。例如可以舉出以聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚碸(PES)、聚四氟乙烯(PTFE)為代表的塑膠。或者，作為一個例子，可以舉出丙烯酸樹脂等合成樹脂等。作為其他例子，可以舉出聚丙烯、聚酯、聚氟化乙烯或聚氯乙烯等。作為其他例子，可以舉出聚醯胺、聚醯亞胺、芳族聚醯胺、環氧樹脂、藉由蒸鍍形成的無機薄膜或者紙等。

另外，作為基板可以使用撓性基板，並在撓性基板上直接形成發光元件及光學元件。或者，也可以在基板與發光元件之間設置剝離層。此外，也可以在基板與光學元件之間設置剝離層。剝離層可以在如下情況下使用：在剝離層上製造發光元件及光學元件的一部分或全部，然後將其從基板分離並轉置到其他基板上的情況。此時，也可以將發光元件及光學元件轉置到耐熱性低的基板或撓性基板上。另外，作為上述剝離層，例如可以使用鎢膜與氧化矽膜的無機膜的疊層結構或在基板上形成有聚醯亞胺等有機樹脂薄膜的結構等。

換言之，可以在使用某一個基板來形成發光元件及光學元件之後，將該發光元件及光學元件轉置到另一個基板上。作為發光元件及光學元件被轉置的基板的例子，除了上述基板之外還可以使用紙基板、玻璃紙基板、芳族聚醯胺薄膜基板、聚醯亞胺薄膜基板、石材基板、木材基板、布基板(包括天然纖維(絲、棉、麻)、合成纖維(尼龍、聚氨酯、聚酯)或再生纖維(醋酯纖維、銅氨纖維、人造纖維、再生聚酯)等)、皮革基板或橡皮基板等。藉由使用這些基板，能夠提供一種不易損壞的發光元件及光學元件、耐熱性高的發光元件及光學元件、輕量化了的發光元件及光學元件或薄型化了的發光元件及光學元件。

[下部電極]

下部電極(第一下部電極104R、第二下部電極104G及第三下部電極104B)具有各發光元件的陽極或陰極的功能。注意，下部電極較佳為使用具有反射性的導電材料形成。作為該導電材料，可以舉出可見光的反射率為40%以上且100%以下，較佳為70%以上且100%以下，並且其電阻率為1×10^-2Ωcm以下的導電材料。明確而言，下部電極可以使用銀、鋁、含有銀或鋁的合金等。作為含有鋁的合金，例如可以舉出含有鋁和鎳和鑭的合金。另外，作為含有銀的合金，例如可以舉出含有銀和鈀和銅的合金。下部電極可以藉由利用濺射法、蒸鍍法、印刷法或塗佈法等形成。

[透明導電層]

透明導電層(第一透明導電層106R、第二透明導電層106G及第三透明導電層106B)具有各發光元件的下部電極的一部分或者各發光元件的陽極或陰極的功能。或者，透明導電層根據所希望的光的波長調整下部電極與上部電極之間的光學距離以便使來自各發光層的所希望的光產生諧振而增強該波長的光的強度。例如，藉由調整透明導電層的厚度，可以使電極之間的光學距離為mλ/2(m為自然數)，其中λ為所希望的光的波長。

透明導電層(第一透明導電層106R、第二透明導電層106G及第三透明導電層106B)例如可以使用氧化銦-氧化錫(Indium Tin Oxide，以下記載為ITO)、含有矽或氧化矽的氧化銦-氧化錫、氧化銦-氧化鋅(Indium Zinc Oxide)、含有氧化鎢及氧化鋅的氧化銦等。尤其是作為透明導電層，較佳為使用功函數大(4.0eV以上)的材料形成。透明導電層可以藉由利用濺射法、蒸鍍法、印刷法或塗佈法等形成。

[上部電極]

上部電極114具有各發光元件的陽極或陰極的功能。注意，上部電極114較佳為使用具有反射性的導電材料及具有透光性的導電材料形成。作為該導電材料，可以舉出可見光的反射率為20%以上且80%以下，較佳為40%以上且70%以下，並且其電阻率為1×10^-2Ωcm以下的導電材料。上部電極114可以使用導電金屬、導電合金及導電化合物等的一種或多種形成。尤其較佳為使用功函數小(3.8eV以下)的材料。例如，可以使用屬於元素週期表中的第1族或第2族的元素(例如，鋰或銫等鹼金屬、鈣或鍶等鹼土金屬、鎂等)、含有上述元素的合金(例如，Mg-Ag或Al-Li)、銪或鐿等稀土金屬、含有上述稀土金屬的合金、鋁、銀等。上部電極114可以藉由利用濺射法、蒸鍍法、印刷法或塗佈法等形成。

此外，藉由將用於下部電極和上部電極的材料相互調換，可以實現底部發射型發光裝置。在底部發射型發光裝置中，使用具有反射性的導電材料和具有透光性的導電材料形成下部電極，而使用具有反射性的導電材料形成上部電極。圖21及圖22示出底部發射型發光裝置的一個例子。圖21是使圖5所示的發光裝置100為底部發射型發光裝置時的剖面圖。圖22是使圖12所示的發光裝置100A為底部發射型發光裝置時的剖面圖。在底部發射型發光裝置中，如圖21及圖22所示，可以在光從各發光元件被射出的一側配置設置有第一光學元件156R、第二光學元件156G及第三光學元件156B的基板152。

[分隔壁]

分隔壁136只要具有絕緣性即可，使用無機材料或有機材料形成。作為該無機材料，可以舉出氧化矽膜、氧氮化矽膜、氮氧化矽膜、氮化矽膜、氧化鋁膜、氮化鋁膜等。作為該有機材料，例如可以舉出丙烯酸樹脂或聚醯亞胺樹脂等感光性樹脂材料。

[發光層]

第一發光層110包含磷光材料，該磷光材料在480nm以上且600nm以下的範圍內具有光譜峰值，並且，第二發光層112包含螢光材料，該螢光材料在400nm以上且小於480nm的範圍內具有光譜峰值。另外，第一發光層110除了磷光材料之外還包含電子傳輸性材料和電洞傳輸性材料中的一個或兩個。此外，第二發光層112除了螢光材料之外還包含電子傳輸性材料和電洞傳輸性材料中的一個或兩個。

另外，作為磷光材料，可以使用將三重激發能轉換為發光的發光物質。此外，作為螢光材料，可以使用將單重激發能轉換為發光的發光物質。注意，作為上述發光物質，例如可以舉出如下。

在將磷光材料用於第一發光層110的情況下，作為在發光波長為480nm至600nm內具有發光峰值的發光物質，例如可以舉出：三(4-甲基-6-苯基嘧啶)銥(III)(簡稱：Ir(mppm)₃)、三(4-三級丁基-6-苯基嘧啶)銥(III)(簡稱：Ir(tBuppm)₃)、(乙醯丙酮根)雙(6-甲基-4-苯基嘧啶)銥(III)(簡稱：Ir(mppm)₂(acac))、(乙醯丙酮根)雙(6-三級丁基-4-苯基嘧啶)銥(III)(簡稱：Ir(tBuppm)₂(acac))、(乙醯丙酮根)雙[4-(2-降莰基)-6-苯基嘧啶]銥(III)(內型、外型混合物)(簡稱：Ir(nbppm)₂(acac))、(乙醯丙酮根)雙[5-甲基-6-(2-甲基苯基)-4-苯基嘧啶]銥(III)(簡稱：Ir(mpmppm)₂(acac))、(乙醯丙酮根)雙(4,6-二苯基嘧啶)銥(III)(簡稱：Ir(dppm)₂(acac))等具有嘧啶骨架的有機金屬銥錯合物；(乙醯丙酮根)雙(3,5-二甲基-2-苯基吡嗪)銥(III)(簡稱：Ir(mppr-Me)₂(acac))、(乙醯丙酮根)雙(5-異丙基-3-甲基-2-苯基吡嗪)銥(III)(簡稱：Ir(mppr-iPr)₂(acac))等具有吡嗪骨架的有機金屬銥錯合物；三(2-苯基吡啶-N,C^2’)銥(III)(簡稱：Ir(ppy)₃)、(乙醯丙酮)雙(2-苯基吡啶-N,C^2’)銥(III)(簡稱：Ir(ppy)₂(acac))、(乙醯丙酮)雙(苯并[h]喹啉)銥(III)(簡稱：Ir(bzq)₂(acac))、三(苯并[h]喹啉)銥(III)(簡稱：Ir(bzq)₃)、三(2-苯基喹啉-N,C^2’)銥(III)(簡稱：Ir(pq)₃)、(乙醯丙酮)雙(2-苯基喹啉-N,C^2’)銥(III)(簡稱：Ir(pq)₃(acac))等具有吡啶骨架的有機金屬銥錯合物；以及三(乙醯丙酮根)(單啡啉)鋱(III)(簡稱：Tb(acac)₃(Phen))等稀土金屬錯合物。在上述金屬錯合物中，由於具有嘧啶骨架的有機金屬銥錯合物具有優異的可靠性及發光效率，所以是特別較佳的。

在將螢光材料用於第二發光層112的情況下，作為在發光波長為400nm至480nm內具有發光峰值的發光物質，例如可以舉出：N,N’-雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N,N’-二苯基芪-4,4’-二胺(簡稱：YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(簡稱：YGAPA)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(9,10-二苯基-2-蒽基)三苯胺(簡稱：2YGAPPA)、N,9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡稱：PCAPA)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBAPA)、4-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBAPBA)、苝、2,5,8,11-四-三級丁基苝(簡稱：TBP)、N,N’-雙[4-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基]-N,N’-二苯基-芘-1,6- 二胺(簡稱：1,6FLPAPrn)、N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-雙[3-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基]芘-1,6-二胺(簡稱：1,6mMemFLPAPrn)等。

另外，也可以將磷光材料用於第二發光層112。在將磷光材料用於第二發光層112的情況下，作為在480nm至600nm內具有發光峰值的發光物質，例如可以舉出：雙[2-(4’,6’-二氟苯基)吡啶-N,C^2’]銥(III)四(1-吡唑基)硼酸鹽(簡稱：FIr6)、雙[2-(4’,6’-二氟苯基)吡啶-N,C^2’]銥(III)吡啶甲酸(簡稱：FIrpic)、三{2-[5-(2-甲基苯基)-4-(2,6-二甲基苯基)-4H-1,2,4-三唑-3-基-κN2]苯基-κC}銥(III)(簡稱：Ir(mpptz-dmp)₃)、三[3-(5-聯苯)-5-異丙基-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(triazolato)]銥(III)(簡稱：Ir(iPr5btz)₃)、三[3-甲基-1-(2-甲基苯基)-5-苯基-1H-1,2,4-三唑(triazolato)]銥(III)(簡稱：Ir(Mptz1-mp)₃)、三(1-甲基-5-苯基-3-丙基-1H-1,2,4-三唑(triazolato))銥(III)(簡稱：Ir(Prptz1-Me)₃)、fac-三[1-(2,6-二異丙基苯基)-2-苯基-1H-咪唑]銥(III)(簡稱：Ir(iPrpmi)₃)、三[3-(2,6-二甲基苯基)-7-甲基咪唑并[1,2-f]菲啶根(phenanthridinato)]銥(III)(簡稱：Ir(dmpimpt-Me)₃)等。

此外，作為用於第一發光層110及第二發光層112的電子傳輸性材料，較佳為使用缺π電子型雜芳族化合物諸如含氮雜芳族化合物。作為該電子傳輸性材料，可以使用缺π電子型雜芳族化合物或金屬錯合物等。明確而言，可以舉出：雙(10-羥基苯并[h]喹啉)鈹(II)(簡稱： BeBq₂)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚)鋁(III)(簡稱：BAlq)、雙(8-羥基喹啉)鋅(II)(簡稱：Znq)、雙[2-(2-苯并

唑基)苯酚]鋅(II)(簡稱：ZnPBO)、雙[2-(2-苯并噻唑基)苯酚]鋅(II)(簡稱：ZnBTZ)等金屬錯合物；2-(4-聯苯基)-5-(4-三級丁基苯基)-1,3,4-

二唑(簡稱：PBD)、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-三級丁基苯基)-1,2,4-三唑(簡稱：TAZ)、1,3-雙[5-(對三級丁基苯基)-1,3,4-

二唑-2-基]苯(簡稱：OXD-7)、9-[4-(5-苯基-1,3,4-

二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：CO11)、2,2’,2”-(1,3,5-苯三基)三(1-苯基-1H-苯并咪唑)(簡稱：TPBI)、2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-1-苯基-1H-苯并咪唑(簡稱：mDBTBIm-II)等具有多唑骨架的雜環化合物；2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f,h]喹

啉(簡稱：2mDBTPDBq-II)、2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)聯苯-3-基]二苯并[f,h]喹

啉(簡稱：2mDBTBPDBq-II)、2-[3’-(9H-咔唑-9-基)聯苯-3-基]二苯并[f,h]喹

啉(簡稱：2mCzBPDBq)、4,6-雙[3-(菲-9-基)苯基]嘧啶(簡稱：4,6mPnP2Pm)、4,6-雙[3-(4-二苯并噻吩基)苯基]嘧啶(簡稱：4,6mDBTP2Pm-II)等具有二嗪骨架的雜環化合物；2-{4-[3-(N-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(簡稱：PCCzPTzn)等具有三嗪骨架的雜環化合物；以及3,5-雙[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]吡啶(簡稱：35DCzPPy)、1,3,5-三[3-(3-吡啶基)苯基]苯(簡稱：TmPyPB)等具有吡啶骨架的雜環化合物。其中，具有二嗪骨架及三嗪骨架的雜環化合物和具有吡啶骨架的雜環化合物具有高可靠性，所以是較佳的。尤其是，具有二嗪(嘧啶或吡嗪)骨架及三嗪骨架的雜環化合物具有高電子傳輸性，還有助於降低驅動電壓。

另外，作為用於第一發光層110及第二發光層112的電洞傳輸性材料，較佳為使用富π電子型雜芳族化合物或芳香胺化合物。作為該電洞傳輸性材料，可以適當地使用富π電子型雜芳族化合物或芳香胺化合物等。明確而言，可以舉出：2-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基胺基]螺-9,9’-聯茀(簡稱：PCASF)、4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯(簡稱：NPB)、N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-聯苯]-4,4’-二胺(簡稱：TPD)、4,4’-雙[N-(螺-9,9’-聯茀-2-基)-N-苯基胺基]聯苯(簡稱：BSPB)、4-苯基-4’-(9-苯基茀-9-基)三苯胺(簡稱：BPAFLP)、4-苯基-3’-(9-苯基茀-9-基)三苯胺(簡稱：mBPAFLP)、4-苯基-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBA1BP)、4,4’-二苯基-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBBi1BP)、4-(1-萘基)-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBANB)、4,4’-二(1-萘基)-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBNBB)、9,9-二甲基-N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-茀-2-胺(簡稱：PCBAF)、N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-螺-9,9’-聯茀-2-胺(簡稱：PCBASF)、N-(1,1’-聯苯-4-基)-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9,9-二甲基-9H-茀-2-胺(簡稱：PCBBiF)等具有芳香胺骨架的化合物；1,3-雙(N-咔唑基)苯(簡稱：mCP)、 4,4’-二(N-咔唑基)聯苯(簡稱：CBP)、3,6-雙(3,5-二苯基苯基)-9-苯基咔唑(簡稱：CzTP)、9-苯基-9H-3-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)咔唑(簡稱：PCCP)等具有咔唑骨架的化合物；4,4’,4”-(苯-1,3,5-三基)三(二苯并噻吩)(簡稱：DBT3P-II)、2,8-二苯基-4-[4-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基]二苯并噻吩(簡稱：DBTFLP-III)、4-[4-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基]-6-苯基二苯并噻吩(簡稱：DBTFLP-IV)等具有噻吩骨架的化合物；以及4,4’,4”-(苯-1，3,5-三基)三(二苯并呋喃)(簡稱：DBF3P-II)、4-{3-[3-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基]苯基}二苯并呋喃(簡稱：mmDBFFLBi-II)等具有呋喃骨架的化合物。其中，具有芳香胺骨架的化合物和具有咔唑骨架的化合物具有高可靠性和高電洞傳輸性，還有助於降低驅動電壓，所以是較佳的。

此外，作為用於第一發光層110及第二發光層112的電洞傳輸材料，可以使用聚(N-乙烯基咔唑)(簡稱：PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(簡稱：PVTPA)、聚[N-(4-{N’-[4-(4-二苯基胺基)苯基]苯基-N’-苯基胺基}苯基)甲基丙烯醯胺](簡稱：PTPDMA)、聚[N,N’-雙(4-丁基苯基)-N,N’-雙(苯基)聯苯胺](簡稱：Poly-TPD)等高分子化合物。

[電洞注入層、電洞傳輸層]

電洞注入層131是將電洞經過電洞傳輸性高的電洞傳輸層132注入到第一發光層110及第二發光層112的層，且是包含電洞傳輸性材料及受體材料的層。藉由包含電洞傳輸性材料及受體材料，由於受體材料而從電洞傳輸性材料抽出電子來發生電洞，該電洞經過電洞傳輸層132注入到第一發光層110及第二發光層112。另外，電洞傳輸層132使用電洞傳輸性材料形成。

作為用於電洞注入層131及電洞傳輸層132的電洞傳輸性材料，可以使用與前述用於第一發光層110及第二發光層112的電洞傳輸性材料同樣的材料。

此外，作為用於電洞注入層131的受體材料，可以舉出屬於元素週期表中的第四族至第八族的金屬的氧化物。明確而言，氧化鉬是特別較佳的。

另外，作為電洞注入層131及電洞傳輸層132，根據情況，可以在各發光元件之間使用不同的材料形成，或者，其厚度可以不同。

[電子傳輸層]

作為用於電子傳輸層133的電子傳輸性材料，可以使用與前述用於第一發光層110及第二發光層112的電子傳輸性材料同樣的材料。

[電子注入層]

電子注入層134是包含電子傳輸性高的物質的層。作為電子注入層134，可以使用氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF₂)及鋰氧化物(LiO_x)等鹼金屬、鹼土金屬或這些金屬的化合物形成。還可以使用諸如氟化鉺(ErF₃)等稀土金屬化合物。另外，也可以將電子鹽用於電子注入層134。作為該電子鹽，例如可以舉出對氧化鈣-氧化鋁以高濃度添加電子而成的物質等。

此外，也可以將混合有機化合物與電子予體(施體)而成的複合材料用於電子注入層134。這種複合材料的電子注入性及電子傳輸性高，因為由於電子予體而使電子產生在有機化合物中。在此情況下，作為有機化合物較佳的是在傳輸所產生的電子方面優異的材料，明確而言，例如可以使用上述構成電子注入層133的物質(金屬錯合物或雜芳族化合物等)。明確而言，較佳為使用鹼金屬、鹼土金屬和稀土金屬，並且，可以舉出鋰、銫、鎂、鈣、鉺、鐿等。另外，較佳為使用鹼金屬氧化物或鹼土金屬氧化物，並且，可以舉出鋰氧化物、鈣氧化物、鋇氧化物等。此外，還可以使用氧化鎂等路易士鹼。或者，也可以使用四硫富瓦烯(簡稱：TTF)等有機化合物。

另外，作為電子注入層134及電子傳輸層133，根據情況，可以在各發光元件之間使用不同的材料形成，或者，其厚度可以不同。

[光學調整層]

光學調整層108是具有調整下部電極與發光層之間的光學距離的功能的層。光學調整層108例如可以使用電洞傳輸性材料或電子傳輸性材料。作為上述電洞傳輸性材料，可以使用與前述用於第一發光層110及第二發光層112的電洞傳輸性材料同樣的材料。此外，作為上述電子傳輸性材料，可以使用與前述用於第一發光層110及第二發光層112的電子傳輸性材料同樣的材料。

[遮光層]

遮光層154具有抑制外光反射的功能。此外，遮光層154具有防止從相鄰的發光元件射出的光混合的功能。遮光層154可以使用金屬、包含黑色顏料的樹脂、碳黑、金屬氧化物、包含多種金屬氧化物的固溶體的複合氧化物等。

[光學元件]

第一光學元件156R、第二光學元件156G以及第三光學元件156B為選擇性地使入射的光之中呈現特定顏色的光透過的元件。例如，可以採用濾色片、帶通濾光片、多層膜濾光片等。另外，可以將顏色轉換元件應用於光學元件。顏色轉換元件是將所入射的光轉換為具有比該光的波長長的波長的光的光學元件。作為顏色轉換元件，較佳為使用利用量子點方式的元件。藉由利用量子點方式，可以提高發光裝置的色彩再現性。

第一光學元件156R使第一發光元件101R所發射的光之中紅色波長範圍內的光透過。第二光學元件156G使第二發光元件101G所發射的光之中綠色波長範圍內的光透過。第三光學元件156B使第三發光元件101B所發射的光之中藍色波長範圍內的光透過。

另外，也可以以與第一發光元件101R、第二發光元件101G以及第三發光元件101B重疊的方式設置與上述光學元件不同的光學元件。作為其他光學元件，例如可以舉出圓偏光板或抗反射膜等。此外，藉由將圓偏光板設置在發光裝置的發光元件所發射的光被提取的一側，可以防止從發光裝置的外部入射的光在發光裝置的內部被反射而射出到外部的現象。另外，藉由設置抗反射膜，可以減弱在發光裝置的表面被反射的外光。由此，可以清晰地觀察到發光裝置所發射的光。

<發光裝置的製造方法1>

接著，參照圖23A至圖25B對本發明的一個實施方式的發光裝置的製造方法進行說明。注意，在此，說明圖5所示的發光裝置100的製造方法。

圖23A至圖25B是說明本發明的一個實施方式的發光裝置的製造方法的剖面圖。

作為以下說明的發光裝置100的製造方法，包括第一至第七步驟。

[第一步驟]

作為第一步驟，形成各發光元件的下部電極(第一下部電極104R、第二下部電極104G及第三下部電極 104B)、各發光元件的透明導電層(第一透明導電層106R、第二透明導電層106G及第三透明導電層106B)以及覆蓋各發光元件的下部電極的端部和透明導電層的端部的分隔壁136(參照圖23A)。

在第一步驟中，沒有對包含有機化合物的發光層造成損傷的擔憂，所以可以採用各種微細加工技術。在本實施方式中，利用濺射法形成反射導電膜，利用光微影法對該導電膜進行圖案化，然後利用乾蝕刻法將該導電膜加工為島狀，由此，形成第一下部電極104R、第二下部電極104G及第三下部電極104B。

接著，在第一下部電極104R上形成透光導電膜，利用光微影法對該導電膜進行圖案化，然後利用濕蝕刻法將該導電膜加工為島狀，由此，形成第一透明導電層106R。然後，在第二下部電極104G及第三下部電極104B上形成透光導電膜，利用光微影法對該導電膜進行圖案化，然後利用濕蝕刻法將該導電膜加工為島狀，由此，形成第二透明導電層106G及第三透明導電層106B。

接著，以覆蓋島狀下部電極的端部及島狀透明導電層的端部的方式形成分隔壁136。注意，分隔壁136包括與下部電極重疊的開口部。由於該開口部而露出的透明導電層被用作發光元件的下部電極。

在第一步驟中，作為反射導電膜使用銀和鈀和銅的合金膜，作為透光導電膜使用ITO膜，並作為分隔壁136使用丙烯酸樹脂。

注意，可以在第一步驟之前在基板102上形成電晶體。另外，可以使該電晶體與下部電極(第一下部電極104R、第二下部電極104G及第三下部電極104B)電連接。

[第二步驟]

作為第二步驟，在透明導電層(第一透明導電層106R、第二透明導電層106G及第三透明導電層106B)以及分隔壁136上形成電洞注入層131及電洞傳輸層132(參照圖23B)。

在第二步驟中，藉由蒸鍍有機化合物，形成電洞注入層131及電洞傳輸層132。注意，可以在各發光元件之間共同使用一個電洞注入層131及一個電洞傳輸層132。因此，能夠實現一種製造成本得到抑制且生產率得到提高的發光元件。

[第三步驟]

作為第三步驟，使用陰影遮罩190形成光學調整層108及第一發光層110(參照圖24A)。

在第三步驟中，以重疊於第三透明導電層106B的方式配置具有開口部191的陰影遮罩190，從配置有陰影遮罩190的一側蒸鍍有機化合物192，由此形成光學調整層108及第一發光層110。

在第三步驟中，將基板102引入蒸鍍裝置內，並將陰影遮罩190配置於蒸鍍源(未圖示)一側。然後，進行對準以使陰影遮罩190的開口部191配置於所希望的位置。注意，陰影遮罩190是設置有開口部191且由厚度為幾十μm以上的金屬等的箔或厚度為幾百μm以上的金屬等的板形成的遮蔽板。

光學調整層108使用電洞傳輸性材料形成。作為該電洞傳輸性材料，可以使用前述有機化合物。

第一發光層110包含發光材料，該發光材料在480nm以上且低於600nm的範圍內具有光譜峰值。作為該發光材料，可以使用射出綠色波長範圍內的光的磷光有機化合物。另外，該磷光有機化合物可以單獨蒸鍍，也可以與其他材料混合而進行蒸鍍。例如，可以以磷光有機化合物為客體材料，並將該客體材料分散在激發能大於客體材料的主體材料中而進行蒸鍍。

例如，當連續地蒸鍍光學調整層108和第一發光層110時，分別塗布製程只需要一次。注意，根據情況，也可以藉由不同的製程蒸鍍光學調整層108和第一發光層110。

[第四步驟]

作為第四步驟，在電洞傳輸層132及第一發光層110上形成第二發光層112、電子傳輸層133、電子注入層134及上部電極114(參照圖24B)。

第二發光層112發光材料，該發光材料包含在400nm以上且小於480nm的範圍內具有光譜峰值。作為該發光材料，可以使用射出藍色波長範圍內的光的螢光有機化合物。此外，該螢光有機化合物可以單獨蒸鍍，也可以與其他材料混合而進行蒸鍍。例如，可以以螢光有機化合物為客體材料，並將該客體材料分散在激發能大於客體材料的主體材料中而進行蒸鍍。

在第四步驟中，藉由蒸鍍有機化合物，形成第二發光層112、電子傳輸層133、電子注入層134及上部電極114。注意，可以在各發光元件之間共同使用一個第二發光層112、一個電子傳輸層133、一個電子注入層134及一個上部電極114。因此，能夠實現一種製造成本得到抑制且生產率得到提高的發光元件。

藉由上述製程，在基板102上形成第一發光元件101R、第二發光元件101G及第三發光元件101B。

[第五步驟]

作為第五步驟，在基板152上形成遮光層154(參照圖25A)。

在第五步驟中，作為遮光層154，將含有黑色顏料的有機樹脂膜形成於所希望的區域中。

[第六步驟]

作為第六步驟，在基板152及遮光層154上形成第一光學元件156R、第二光學元件156G及第三光學元件 156B(參照圖25B)。

在第六步驟中，作為第一光學元件156R，將含有紅色顏料的有機樹脂膜形成於所希望的區域中。另外，作為第二光學元件156G，將含有綠色顏料的有機樹脂膜形成於所希望的區域中。此外，作為第三光學元件156B，將含有藍色顏料的有機樹脂膜形成於所希望的區域中。

[第七步驟]

作為第七步驟，將形成在基板102上的第一發光元件101R、第二發光元件101G及第三發光元件101B與形成在基板152上的遮光層154、第一光學元件156R、第二光學元件156G及第三光學元件156B貼合在一起，而使用密封材料進行密封(未圖示)。

藉由上述製程，可以形成圖5所示的發光裝置100。注意，在本實施方式中，在發光元件的製造中，分別塗布製程只需要一次(在這裡只需要沉積光學調整層108及第一發光層110的製程)，由此能夠提供一種生產率高的發光裝置的製造方法。其結果，能夠提供一種起因於高清晰化的開口率的下降得到抑制的新穎的發光裝置的製造方法。或者，能夠提供一種容易生產的新穎的發光裝置。

<發光裝置的製造方法2>

接著，參照圖26A至圖28B對本發明的一個實施方式的發光裝置的製造方法進行說明。注意，在此，說明圖12所示的發光裝置100A的製造方法。

圖26A至圖28B是說明本發明的一個實施方式的發光裝置的製造方法的剖面圖。

作為以下說明的發光裝置100A的製造方法，包括第一至第七步驟。

[第一步驟]

作為第一步驟，形成各發光元件的下部電極(第一下部電極104R、第二下部電極104G及第三下部電極104B)、各發光元件的透明導電層(第一透明導電層106R、第二透明導電層106G及第三透明導電層106B)以及覆蓋各發光元件的下部電極的端部和透明導電層的端部的分隔壁136(參照圖26A)。

接著，在第一下部電極104R上形成透光導電膜，利用光微影法對該導電膜進行圖案化，然後利用濕蝕刻法將該導電膜加工為島狀，由此，形成第一透明導電層 106R。然後，在第二下部電極104G及第三下部電極104B上形成透光導電膜，利用光微影法對該導電膜進行圖案化，然後利用濕蝕刻法將該導電膜加工為島狀，由此，形成第二透明導電層106G及第三透明導電層106B。

[第二步驟]

作為第二步驟，在透明導電層(第一透明導電層106R、第二透明導電層106G及第三透明導電層106B)以及分隔壁136上形成電子注入層134及電子傳輸層133(參照圖26B)。

在第二步驟中，藉由蒸鍍有機化合物，形成電子注入層134及電子傳輸層133。注意，可以在各發光元件之間共同使用一個電子注入層134及一個電子傳輸層 133。因此，能夠實現一種製造成本得到抑制且生產率得到提高的發光元件。

[第三步驟]

作為第三步驟，使用陰影遮罩190形成光學調整層108及第一發光層110(參照圖27A)。

光學調整層108使用電子傳輸性材料形成。作為該電子傳輸性材料，可以使用前述有機化合物。

例如，藉由連續地蒸鍍光學調整層108和第一發光層110，分別塗布製程只需要一次。注意，根據情況，也可以藉由不同的製程蒸鍍光學調整層108和第一發光層110。

[第四步驟]

作為第四步驟，在電子傳輸層133及第一發光層110上形成第二發光層112、電洞傳輸層132、電洞注入層131及上部電極114(參照圖27B)。

第二發光層112包含發光材料，該發光材料在400nm以上且小於480nm的範圍內具有光譜峰值。作為該發光材料，可以使用射出藍色波長範圍內的光的螢光有機化合物。此外，該螢光有機化合物可以單獨蒸鍍，也可以與其他材料混合而進行蒸鍍。例如，可以以螢光有機化合物為客體材料，並將該客體材料分散在激發能大於客體材料的主體材料中而進行蒸鍍。

在第四步驟中，藉由蒸鍍有機化合物，形成第二發光層112、電洞傳輸層132、電洞注入層131及上部電極114。注意，可以在各發光元件之間共同使用一個第二發光層112、一個電洞傳輸層132、一個電洞注入層131及一個上部電極114。因此，能夠實現一種製造成本得到抑制且生產率得到提高的發光元件。

[第五步驟]

作為第五步驟，在基板152上形成遮光層154(參照圖28A)。

[第六步驟]

作為第六步驟，在基板152及遮光層154上形成第一光學元件156R、第二光學元件156G及第三光學元件156B(參照圖28B)。

[第七步驟]

藉由上述製程，可以形成圖12所示的發光裝置100A。注意，在本實施方式中的發光元件的製造中，分別塗布製程只需要一次(在這裡只需要沉積光學調整層108及第一發光層110的製程，由此能夠提供一種生產率高的發光裝置的製造方法。其結果，能夠提供一種起因於高清晰化的開口率下降得到抑制的新穎的發光裝置的製造方法。或者，能夠提供一種容易生產的新穎的發光裝置。

本實施方式所示的結構可以與其他實施方式或實施例所示的結構適當地組合而實施。

實施方式2

在本實施方式中，參照圖29A至圖34說明與實施方式1不同的方式的本發明的一個實施方式的發光裝置。注意，具有與實施方式1所說明的功能同樣的功能的結構以同樣的元件符號表示，有時省略其詳細說明。

<發光裝置的結構實例4>

圖29A至圖31是示出本發明的一個實施方式的發光裝置的一個例子的剖面圖。此外，圖29A至圖30B所示的發光裝置的俯視圖與圖1A所示的發光裝置100的俯視圖是同樣的，並且圖31所示的發光裝置的俯視圖與圖4所示的發光裝置100的俯視圖是同樣的，所以在這裡省略其記載。

圖29A所示的發光裝置150包括第一發光元件151R、第二發光元件151G及第三發光元件101B。另外，第一發光元件151R包括：第一下部電極104R；第一下部電極104R上的第一透明導電層106R；第一透明導電層106R上的第二發光層112；第二發光層112上的第一發光層110；以及第一發光層110上的上部電極114。此外，第二發光元件151G包括：第二下部電極104G；第二下部電極104G上的第二透明導電層106G；第二透明導電層106G上的第二發光層112；第二發光層112上的第一發光層110；以及第一發光層110上的上部電極114。另外，第三發光元件101B包括：第三下部電極104B；第三下部電極104B上的第三透明導電層106B；第三透明導電層106B上的第二發光層112；以及第二發光層112上的上部電極114。

另外，圖29B所示的發光裝置150包括第一發光元件151R、第二發光元件151G以及第三發光元件101B。此外，第一發光元件151R包括：第一下部電極104R；第一下部電極104R上的第一透明導電層106R；第一透明導電層106R上的電洞注入層131；電洞注入層131上的電洞傳輸層132；電洞傳輸層132上的第二發光層112；第二發光層112上的第一發光層110；第一發光層110上的電子傳輸層133；電子傳輸層133上的電子注入層134；以及電子注入層134上的上部電極114。另外，第二發光元件151G包括：第二下部電極104G；第二下部電極104G上的第二透明導電層106G；第二透明導電層106G上的電洞注入層131；電洞注入層131上的電洞傳輸層132；電洞傳輸層132上的第二發光層112；第二發光層112上的第一發光層110；第一發光層110上的電子傳輸層133；電子傳輸層133上的電子注入層134；以及電子注入層134上的上部電極114。此外，第三發光元件101B包括：第三下部電極104B；第三下部電極104B上的第三透明導電層106B；第三透明導電層106B上的電洞注入層131；電洞注入層131上的電洞傳輸層132；電洞傳輸層132上的第二發光層112；第二發光層112上的電子傳輸層133；電子傳輸層133上的電子注入層134；以及電子注入層134上的上部電極114。

亦即，圖29A及圖29B所示的發光裝置150包括第一發光元件151R代替發光裝置100所包括的第一發光元件101R，並包括第二發光元件151G代替發光裝置100所包括的第二發光元件101G。第一發光元件151R與第一發光元件101R的不同之處是發光層的疊層順序。另外，第二發光元件151G與第二發光元件101G的不同之處是發光層的疊層順序。明確而言，在第一發光元件151R及第二發光元件151G中，在第二發光層112上設置有第一發光層110。

此外，圖30A所示的發光裝置150除了圖29A所示的發光裝置150的結構之外還設置有光學調整層108。明確而言，第一發光元件151R在第一發光層110與上部電極114之間包括光學調整層108。另外，第二發光元件151G在第一發光層110與上部電極114之間包括光學調整層108。

在圖30B所示的發光裝置150中，除了圖29B所示的發光裝置150的結構之外還設置有光學調整層108。明確而言，第一發光元件151R在第一發光層110與電子傳輸層133之間包括光學調整層108。此外，第二發光元件151G在第一發光層110與電子傳輸層133之間包括光學調整層108。

如圖30A及圖30B所示，藉由設置光學調整層108，能夠調整下部電極(第一下部電極104R及第二下部電極104G)與上部電極114之間的光學距離。另外，在圖30A及圖30B所示的發光裝置150中，光學調整層108被設置於第一發光層110的上方。

此外，圖31所示的發光裝置150除了圖30B所示的發光裝置150的結構之外還包括分隔壁136及基板152。分隔壁136被設置於各發光元件的外周部，並具有覆蓋各發光元件的下部電極和透明導電層中的一個或兩個的端部的功能。另外，基板152形成有遮光層154、第一光學元件156R、第二光學元件156G及第三光學元件156B。此外，遮光層154被設置在與分隔壁136重疊的位置。另外，第一光學元件156R被設置在與第一發光元件151R重疊的位置，第二光學元件156G被設置在與第二發光元件151G重疊的位置，並且，第三光學元件156B被設置在與第三發光元件101B重疊的位置。

如上所述，發光裝置150與發光裝置100的不同之處是，第一發光層110、第二發光層112和光學調整層108的疊層順序。由於改變第一發光層110、第二發光層112和光學調整層108的疊層順序，因此需要考慮到各層的材料的載子平衡。作為一個例子，使用其電洞傳輸性高於第一發光層110的材料形成第二發光層112，並使用電子傳輸性材料形成光學調整層108，即可。

藉由採用上述結構，在第一發光元件151R及第二發光元件151G中，第二發光層112無助於發光。例如，第二發光層112可以使用電洞傳輸性高且電子傳輸性低的材料，或者HOMO能階比用於第一發光層110的材料高的材料。

其他結構與實施方式1所示的發光裝置100是同樣的，並具有同樣的效果。注意，上面例示出的發光裝置的各結構可以適當地組合而使用。

<發光裝置的結構實例5>

圖32至圖34是示出本發明的一個實施方式的發光裝置的一個例子的剖面圖。此外，圖32及圖33所示的發光裝置的俯視圖與圖1A所示的發光裝置100的俯視圖是同樣的，並且圖34所示的發光裝置的俯視圖與圖4所示的發光裝置100的俯視圖是同樣的，所以在這裡省略其記載。

另外，圖32所示的發光裝置150A包括第一發光元件151R、第二發光元件151G及第三發光元件101B。此外，第一發光元件151R包括：第一下部電極104R；第一下部電極104R上的第一透明導電層106R；第一透明導電層106R上的電子注入層134；電子注入層134上的電子傳輸層133；電子傳輸層133上的第二發光層112；第二發光層112上的第一發光層110；第一發光層110上的電洞傳輸層132；電洞傳輸層132上的電洞注入層131；以及電洞注入層131上的上部電極114。另外，第二發光元件151G包括：第二下部電極104G；第二下部電極104G上的第二透明導電層106G；第二透明導電層106G上的電子注入層134；電子注入層134上的電子傳輸層133；電子傳輸層133上的第二發光層112；第二發光層112上的第一發光層110；第一發光層110上的電洞傳輸層132；電洞傳輸層132上的電洞注入層131；以及電洞注入層131上的上部電極114。此外，第三發光元件101B包括：第三下部電極104B；第三下部電極104B上的第三透明導電層106B；第三透明導電層106B上的電子注入層134；電子注入層134上的電子傳輸層133；電子傳輸層133上的第二發光層112；第二發光層112上的電洞傳輸層132；電洞傳輸層132上的電洞注入層131；以及電洞注入層131上的上部電極114。

亦即，圖32所示的發光裝置150A包括第一發光元件151R代替發光裝置100A所包括的第一發光元件101R，並包括第二發光元件151G代替發光裝置100A所包括的第二發光元件101G。第一發光元件151R與第一發光元件101R的不同之處是發光層的疊層順序。另外，第二發光元件151G與第二發光元件101G的不同之處是發光層的疊層順序。明確而言，在第一發光元件151R及第二發光元件151G中，在第二發光層112上設置有第一發光層110。

此外，圖33所示的發光裝置150A除了圖32所示的發光裝置150A的結構之外還設置有光學調整層108。明確而言，第一發光元件151R在第一發光層110與電洞傳輸層132之間包括光學調整層108。另外，第二發光元件151G在第一發光層110與電洞傳輸層132之間包括光學調整層108。

如圖33所示，藉由設置光學調整層108，能夠調整下部電極(第一下部電極104R及第二下部電極104G)與上部電極114之間的光學距離。另外，在圖33所示的發光裝置150A中，光學調整層108被設置於第一發光層110的上方。

此外，圖34所示的發光裝置150A除了圖33所示的發光裝置150A的結構之外還包括分隔壁136及基板152。分隔壁136被設置於各發光元件的外周部，並具有覆蓋各發光元件的下部電極和透明導電層中的一個或兩個的端部的功能。另外，基板152形成有遮光層154、第一光學元件156R、第二光學元件156G及第三光學元件 156B。此外，遮光層154被設置在與分隔壁136重疊的位置。另外，第一光學元件156R被設置在與第一發光元件151R重疊的位置，第二光學元件156G被設置在與第二發光元件151G重疊的位置，並且，第三光學元件156B被設置在與第三發光元件101B重疊的位置。

如上所述，發光裝置150A與發光裝置100的不同之處是，第一發光層110、第二發光層112和光學調整層108的疊層順序。由於改變第一發光層110、第二發光層112和光學調整層108的疊層順序，因此需要考慮到各層的材料的載子平衡。作為一個例子，使用其電子傳輸性高於第一發光層110的材料形成第二發光層112，並使用電洞傳輸性材料形成光學調整層108，即可。

藉由採用上述結構，在第一發光元件151R及第二發光元件151G中，第二發光層112無助於發光。例如，第二發光層112可以使用電子傳輸性高且電洞傳輸性低的材料，或者HOMO能階比用於第一發光層110的材料低的材料。

其他結構與實施方式1所示的發光裝置100A是同樣的，並具有同樣的效果。注意，上面例示出的發光裝置的各結構可以適當地組合而使用。

實施方式3

在本實施方式中，參照圖35A及圖35B說明包括本發明的一個實施方式的發光裝置的顯示裝置。

注意，圖35A是說明本發明的一個實施方式的顯示裝置的方塊圖，圖35B是說明本發明的一個實施方式的顯示裝置所包括的像素電路的電路圖。

圖35A所示的顯示裝置包括：包含顯示元件的像素的區域(以下稱為像素部802)；配置在像素部802外側並包含用來驅動像素的電路的電路部(以下稱為驅動電路部804)；具有保護元件的功能的電路(以下稱為保護電路806)；以及端子部807。此外，也可以不設置保護電路806。

驅動電路部804的一部分或全部較佳為與像素部802形成在同一基板上。由此，可以減少構件的數量或端子的數量。當驅動電路部804的一部分或全部不與像素部802形成在同一基板上時，驅動電路部804的一部分或全部可以藉由COG或TAB(Tape Automated Bonding：捲帶自動接合)安裝。

像素部802包括用來驅動配置為X行(X為2以上的自然數)Y列(Y為2以上的自然數)的多個顯示元件的電路(以下稱為像素電路801)，驅動電路部804包括輸出選擇像素的信號(掃描信號)的電路(以下稱為閘極驅動器804a)以及用來供應用於驅動像素的顯示元件的信號(資料信號)的電路(以下稱為源極驅動器804b)等驅動電路。

閘極驅動器804a具有移位暫存器等。閘極驅動器804a藉由端子部807接收用來驅動移位暫存器的信號並輸出信號。例如，閘極驅動器804a接收起動脈衝信號、時脈信號等並輸出脈衝信號。閘極驅動器804a具有控制被供應掃描信號的佈線(以下稱為掃描線GL_1至GL_X)的電位的功能。另外，也可以設置多個閘極驅動器804a，並藉由多個閘極驅動器804a分別控制掃描線GL_1至GL_X。或者，閘極驅動器804a具有能夠供應初始化信號的功能。但是，不侷限於此，閘極驅動器804a也可以供應其他信號。

源極驅動器804b具有移位暫存器等。源極驅動器804b藉由端子部807接收用來驅動移位暫存器的信號和從其中得出資料信號的信號(影像信號)。源極驅動器804b具有根據影像信號生成寫入到像素電路801的資料信號的功能。此外，源極驅動器804b具有響應於由於起動脈衝信號、時脈信號等的輸入產生的脈衝信號而控制資料信號的輸出的功能。另外，源極驅動器804b具有控制被供應資料信號的佈線(以下稱為資料線DL_1至DL_Y)的電位的功能。或者，源極驅動器804b具有能夠供應初始化信號的功能。但是，不侷限於此，源極驅動器804b可以供應其他信號。

源極驅動器804b例如使用多個類比開關等來構成。源極驅動器804b藉由依次使多個類比開關開啟而可以輸出對影像信號進行時間分割所得到的信號作為資料信號。此外，也可以使用移位暫存器等構成源極驅動器804b。

脈衝信號及資料信號分別藉由被供應掃描信號的多個掃描線GL之一及被供應資料信號的多個資料線DL之一被輸入到多個像素電路801中的每一個。另外，多個像素電路801的每一個藉由閘極驅動器804a來控制資料信號的寫入及保持。例如，藉由掃描線GL_m(m是X以下的自然數)從閘極驅動器804a對第m行第n列的像素電路801輸入脈衝信號，並根據掃描線GL_m的電位而藉由資料線DL_n(n是Y以下的自然數)從源極驅動器804b對第m行第n列的像素電路801輸入資料信號。

圖35A所示的保護電路806例如連接於與作為閘極驅動器804a和像素電路801之間的佈線的掃描線GL。或者，保護電路806連接於作為源極驅動器804b和像素電路801之間的佈線的資料線DL。或者，保護電路806可以連接於閘極驅動器804a和端子部807之間的佈線。或者，保護電路806可以連接於源極驅動器804b和端子部807之間的佈線。此外，端子部807是指設置有用來從外部的電路對顯示裝置輸入電源、控制信號及影像信號的端子的部分。

保護電路806是在對與其連接的佈線供應一定範圍之外的電位時使該佈線與其他佈線之間導通的電路。

如圖35A所示，藉由對像素部802和驅動電路部804分別設置保護電路806，可以提高顯示裝置對因ESD(Electro Static Discharge：靜電放電)等而產生的過電流的耐性。但是，保護電路806的結構不侷限於此，例如，也可以採用將閘極驅動器804a與保護電路806連接的結構或將源極驅動器804b與保護電路806連接的結構。或者，也可以採用將端子部807與保護電路806連接的結構。

另外，雖然在圖35A中示出由閘極驅動器804a和源極驅動器804b形成驅動電路部804的例子，但不侷限於此。例如，也可以只形成閘極驅動器804a並安裝形成有另外準備的源極驅動電路的基板(例如，由單晶半導體膜或多晶半導體膜形成的驅動電路基板)。

另外，圖35A所示的多個像素電路801例如可以採用圖35B所示的結構。

圖35B所示的像素電路801包括電晶體852、854、電容器862以及發光元件872。

電晶體852的源極電極和汲極電極中的一個電連接於被供應資料信號的佈線(以下，稱為資料線DL_n)。並且，電晶體852的閘極電極電連接於被供應閘極信號的佈線(以下，稱為掃描線GL_m)。

電晶體852具有藉由被開啟或關閉而控制資料信號的寫入的功能。

電容器862的一對電極中的一個電連接於被供應電位的佈線(以下，稱為電位供應線VL_a)，另一個電連接於電晶體852的源極電極和汲極電極中的另一個。

電容器862具有作為儲存被寫入的資料的儲存電容器的功能。

電晶體854的源極電極和汲極電極中的一個電連接於電位供應線VL_a。並且，電晶體854的閘極電極電連接於電晶體852的源極電極和汲極電極中的另一個。

發光元件872的陽極和陰極中的一個電連接於電位供應線VL_b，另一個電連接於電晶體854的源極電極和汲極電極中的另一個。

作為發光元件872，可以使用實施方式1所示的發光元件。

此外，對電位供應線VL_a和電位供應線VL_b中的一個施加高電源電位VDD，對另一個施加低電源電位VSS。

例如，在具有圖35B的像素電路801的顯示裝置中，藉由圖35A所示的閘極驅動器804a依次選擇各行的像素電路801，並使電晶體852開啟而寫入資料信號。

當電晶體852被關閉時，被寫入資料的像素電路801成為保持狀態。並且，流過電晶體854的源極電極與汲極電極之間的電流量根據寫入的資料信號的電位被控制，發光元件872以對應於流過的電流量的亮度進行發光。藉由按行依次進行上述步驟，可以顯示影像。

另外，可以使像素電路具有校正電晶體的臨界電壓等的變動的影響的功能。圖36A及圖36B和圖37A及圖37B示出像素電路的一個例子。

圖36A所示的像素電路包括六個電晶體(電晶體303_1至303_6)、電容器304以及發光元件305。此外，佈線301_1至301_5、佈線302_1及佈線302_2電連接到圖36A所示的像素電路。注意，作為電晶體303_1至303_6，例如可以使用p通道電晶體。

圖36B所示的像素電路是除圖36A所示的像素電路之外還包括電晶體303_7的結構。另外，佈線301_6及佈線301_7電連接到圖36B所示的像素電路。在此，佈線301_5與佈線301_6可以相互電連接。注意，作為電晶體303_7，例如可以使用p通道電晶體。

圖37A所示的像素電路包括六個電晶體(電晶體308_1至308_6)、電容器304以及發光元件305。此外，佈線306_1至306_3及佈線307_1至307_3電連接到圖37A所示的像素電路。在此，佈線306_1與佈線306_3可以相互電連接。注意，作為電晶體308_1至308_6，例如可以使用p通道電晶體。

圖37B所示的像素電路包括兩個電晶體(電晶體309_1及電晶體309_2)、兩個電容器(電容器304_1及電容器304_2)以及發光元件305。另外，佈線311_1至佈線311_3、佈線312_1及佈線312_2電連接到圖37B所示的像素電路。此外，藉由採用圖37B所示的像素電路的結構，可以以恆壓恆流(Constant Voltage Constant Current：CVCC)驅動發光元件305。注意，作為電晶體309_1及309_2，例如可以使用p通道電晶體。

另外，本發明的一個實施方式的發光元件可以用於在顯示裝置的像素中包括主動元件的主動矩陣方式或在顯示裝置的像素中沒有包括主動元件的被動矩陣方式。

在主動矩陣方式中，作為主動元件(非線性元件)除電晶體外還可以使用各種主動元件(非線性元件)。例如，也可以使用MIM(Metal InsulatorMetal：金屬-絕緣體-金屬)或TFD(Thin Film Diode：薄膜二極體)等。由於這些元件的製程少，因此能夠降低製造成本或者提高良率。另外，由於這些元件的尺寸小，所以可以提高開口率，從而能夠實現低功耗或高亮度化。

作為除了主動矩陣方式以外的方式，也可以採用不使用主動元件(非線性元件)的被動矩陣方式。由於不使用主動元件(非線性元件)，所以製程少，從而可以降低製造成本或者提高良率。另外，由於不使用主動元件(非線性元件)，所以可以提高開口率，從而能夠實現低功耗或高亮度化等。

實施方式4

在本實施方式中，參照圖38A至圖42說明包括本發明的一個實施方式的發光裝置的顯示面板以及在該顯示面板安裝輸入裝置的電子裝置。

<關於觸控面板的說明1>

注意，在本實施方式中，作為電子裝置的一個例子，對組合顯示面板與輸入裝置的觸控面板2000進行說明。另外，作為輸入裝置的一個例子，對使用觸控感測器的情況進行說明。此外，可以將本發明的一個實施方式的發光裝置用於顯示面板的像素。

圖38A及圖38B是觸控面板2000的透視圖。另外，在圖38A及圖38B中，為了明確起見，示出觸控面板2000的典型的構成要素。

觸控面板2000包括顯示面板2501及觸控感測器2595(參照圖38B)。此外，觸控面板2000包括基板2510、基板2570以及基板2590。另外，基板2510、基板2570以及基板2590都具有撓性。注意，基板2510、基板2570和基板2590中的任一個或全部可以不具有撓性。

顯示面板2501包括基板2510上的多個像素以及能夠向該像素供應信號的多個佈線2511。多個佈線2511被引導在基板2510的外周部，其一部分構成端子2519。端子2519與FPC2509(1)電連接。

基板2590包括觸控感測器2595以及與觸控感測器2595電連接的多個佈線2598。多個佈線2598被引導在基板2590的外周部，其一部分構成端子。並且，該端子與FPC2509(2)電連接。另外，為了明確起見，在圖38B中以實線示出設置在基板2590的背面一側(與基板2510相對的面一側)的觸控感測器2595的電極以及佈線等。

作為觸控感測器2595，例如可以適用電容式觸控感測器。作為電容式，可以舉出表面型電容式、投影型電容式等。

作為投影型電容式，主要根據驅動方法的不同而分為自電容式、互電容式等。當採用互電容式時，可以同時檢測出多個點，所以是較佳的。

注意，圖38B所示的觸控感測器2595是採用了投影型電容式觸控感測器的結構。

另外，作為觸控感測器2595可以適用可檢測出手指等檢測物件的接近或接觸的各種感測器。

投影型電容式觸控感測器2595包括電極2591及電極2592。電極2591電連接於多個佈線2598之中的任何一個，而電極2592電連接於多個佈線2598之中的任何其他一個。

如圖38A及圖38B所示，電極2592具有在一個方向上配置的多個四邊形在角部相互連接的形狀。

電極2591是四邊形且在與電極2592延伸的方向交叉的方向上反復地配置。

佈線2594與其間夾著電極2592的兩個電極2591電連接。此時，電極2592與佈線2594的交叉部面積較佳為儘可能小。由此，可以減少沒有設置電極的區域的面積，從而可以降低穿透率的偏差。其結果，可以降低透過觸控感測器2595的光的亮度偏差。

注意，電極2591及電極2592的形狀不侷限於此，可以具有各種形狀。例如，也可以採用如下結構：將多個電極2591配置為其間儘量沒有間隙，並隔著絕緣層間隔開地設置多個電極2592，以形成不重疊於電極2591的區域。此時，藉由在相鄰的兩個電極2592之間設置與這些電極電絕緣的虛擬電極，可以減少穿透率不同的區域的面積，所以是較佳的。

注意，作為可用於電極2591、電極2592、佈線2598等的導電膜，亦即為可用於構成觸控面板的佈線及電極的材料，可以舉出含有氧化銦、氧化錫或氧化鋅等的透明導電膜(例如，ITO膜等)。另外，作為可用於構成觸控面板的佈線及電極的材料，例如較佳為使用低電阻材料。例如，可以使用銀、銅、鋁、碳奈米管、石墨烯、鹵化金屬(鹵化銀等)等。並且，也可以使用由多個極細(例如，直徑為幾nm)的導電體構成的金屬奈米線。或者，也可以使用使導電體為網狀的金屬絲網(metal mesh)。例如，可以使用Ag奈米線、Cu奈米線、Al奈米線、Ag絲網、Cu絲網以及Al絲網等。例如，在將Ag 奈米線用於構成觸控面板的佈線及電極的情況下，可見光穿透率可以為89%以上，片電阻值可以為40Ω/cm²以上且100Ω/cm²以下。此外，作為可用於上述構成觸控面板的佈線及電極的材料的例子舉出的金屬奈米線、金屬絲網、碳奈米管、石墨烯等具有較高的可見光穿透率，所以可以用作用於顯示元件的電極(例如，像素電極或共用電極等)。

<關於顯示面板的說明>

接著，參照圖39A說明顯示面板2501的詳細內容。圖39A是沿著圖38B所示的點劃線X1-X2切斷的剖面圖。

顯示面板2501包括多個配置為矩陣狀的像素。該像素包括顯示元件以及驅動該顯示元件的像素電路。

作為基板2510及基板2570，例如，可以適當地使用水蒸氣穿透率為10^-5g/(m²．day)以下，較佳為10^-6g/(m²．day)以下的具有撓性的材料。或者，較佳為將其熱膨脹率大致相同的材料用於基板2510及基板2570。例如，線性膨脹係數較佳為1×10^-3/K以下，更佳為5×10^-5/K以下，進一步較佳為1×10^-5/K以下。

注意，基板2510是疊層體，其中包括防止雜質擴散到發光元件的絕緣層2510a、撓性基板2510b以及貼合絕緣層2510a與撓性基板2510b的黏合層2510c。另外，基板2570是疊層體，其中包括防止雜質擴散到發光元件的絕緣層2570a、撓性基板2570b以及貼合絕緣層2570a與撓性基板2570b的黏合層2570c。

黏合層2510c及黏合層2570c例如可以使用包含聚酯、聚烯烴、聚醯胺(尼龍、芳族聚醯胺等)、聚醯亞胺、聚碳酸酯、聚氨酯、丙烯酸樹脂、環氧樹脂或具有矽氧烷鍵合的樹脂的材料。

此外，在基板2510與基板2570之間包括密封層2560。密封層2560較佳為具有比空氣大的折射率。此外，如圖39A所示，當在密封層2560一側提取光時，密封層2560可以兼作光學層。

另外，可以在密封層2560的外周部形成密封材料。藉由使用該密封材料，可以在由基板2510、基板2570、密封層2560及密封材料圍繞的區域中配置發光元件2550。注意，作為密封層2560，可以填充惰性氣體(氮或氬等)。此外，可以在該惰性氣體內設置乾燥劑而吸收水分等。另外，作為上述密封材料，例如較佳為使用環氧類樹脂或玻璃粉。此外，作為用於密封材料的材料，較佳為使用不使水分或氧透過的材料。

另外，顯示面板2501包括像素2502。此外，像素2502包括發光模組2580。

像素2502包括發光元件2550以及可以向該發光元件2550供應電力的電晶體2502t。注意，將電晶體2502t用作像素電路的一部分。此外，發光模組2580包括發光元件2550以及彩色層2567R。

發光元件2550包括下部電極、上部電極以及下部電極與上部電極之間的EL層。作為發光元件2550，例如可以使用實施方式1至3所示的發光元件。注意，在圖式中，雖然示出了一個發光元件2550，但是如實施方式1所示那樣可以包括第一發光元件至第三發光元件的三個發光元件。

另外，在密封層2560被設置於提取光一側的情況下，密封層2560接觸於發光元件2550及彩色層2567R。

彩色層2567R位於與發光元件2550重疊的位置。由此，發光元件2550所發射的光的一部分透過彩色層2567R，而如圖39A中的箭頭所示那樣被射出到發光模組2580的外部。

此外，在顯示面板2501中，在發射光的方向上設置遮光層2567BM。遮光層2567BM以圍繞彩色層2567R的方式設置。

彩色層2567R具有使特定波長區的光透過的功能即可，例如，可以使用使紅色波長區的光透過的濾色片、使綠色波長區的光透過的濾色片、使藍色波長區的光透過的濾色片以及使黃色波長區的光透過的濾色片等。每個濾色片可以藉由印刷法、噴墨法、利用光微影技術的蝕刻法等並使用各種材料形成。

另外，在顯示面板2501中設置有絕緣層 2521。絕緣層2521覆蓋電晶體2502t。此外，絕緣層2521具有使起因於像素電路的凹凸平坦的功能。另外，可以使絕緣層2521具有能夠抑制雜質擴散的功能。由此，能夠抑制由於雜質擴散而導致的電晶體2502t等的可靠性的降低。

此外，發光元件2550被形成於絕緣層2521的上方。另外，以與發光元件2550所包括的下部電極的端部重疊的方式設置分隔壁2528。此外，可以在分隔壁2528上形成控制基板2510與基板2570的間隔的間隔物。

掃描線驅動電路2503g包括電晶體2503t及電容器2503c。注意，可以將驅動電路與像素電路經同一製程形成在同一基板上。

另外，在基板2510上設置有能夠供應信號的佈線2511。此外，在佈線2511上設置有端子2519。另外，FPC2509(1)電連接到端子2519。此外，FPC2509(1)具有供應視訊信號、時脈信號、啟動信號、重設信號等的功能。另外，FPC2509(1)也可以安裝有印刷線路板(PWB)。

此外，可以將各種結構的電晶體適用於顯示面板2501。在圖39A中，雖然示出了使用底閘極型電晶體的情況，但不侷限於此，例如可以將圖39B所示的頂閘極型電晶體適用於顯示面板2501。

另外，對電晶體2502t及電晶體2503t的極性沒有特別的限制，例如，可以使用n通道電晶體及p通道電晶體，或者可以使用n通道電晶體或p通道電晶體。此外，對用於電晶體2502t及2503t的半導體膜的結晶性也沒有特別的限制。例如，可以使用非晶半導體膜、結晶半導體膜。另外，作為半導體材料，可以使用第13族半導體(例如，含有鎵的半導體)、第14族半導體(例如，含有矽的半導體)、化合物半導體(包括氧化物半導體)、有機半導體等。藉由將能隙為2eV以上，較佳為2.5eV以上，更佳為3eV以上的氧化物半導體用於電晶體2502t和電晶體2503t中的任一個或兩個，能夠降低電晶體的關態電流(off-state current)，所以是較佳的。作為該氧化物半導體，可以舉出In-Ga氧化物、In-M-Zn氧化物(M表示Al、Ga、Y、Zr、La、Ce、Sn或Nd)等。

<關於觸控感測器的說明>

接著，參照圖39C說明觸控感測器2595的詳細內容。圖39C是沿著圖38B所示的點劃線X3-X4切斷的剖面圖。

觸控感測器2595包括：在基板2590上配置為交錯形狀的電極2591及電極2592；覆蓋電極2591及電極2592的絕緣層2593；以及使相鄰的電極2591電連接的佈線2594。

電極2591及電極2592使用具有透光性的導電材料形成。作為具有透光性的導電材料，可以使用氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等導電氧化物。此外，還可以使用含有石墨烯的膜。含有石墨烯的膜例如可以藉由使包含氧化石墨烯的膜還原而形成。作為還原方法，可以舉出進行加熱的方法等。

例如，在藉由濺射法將具有透光性的導電材料形成在基板2590上之後，可以藉由光微影法等各種圖案化技術去除無需的部分來形成電極2591及電極2592。

另外，作為用於絕緣層2593的材料，例如除了丙烯酸樹脂、環氧樹脂等樹脂、具有矽氧烷鍵的樹脂之外，還可以使用氧化矽、氧氮化矽、氧化鋁等無機絕緣材料。

另外，達到電極2591的開口設置在絕緣層2593中，並且佈線2594與相鄰的電極2591電連接。由於透光導電材料可以提高觸控面板的開口率，因此可以適用於佈線2594。另外，因為其導電性高於電極2591及電極2592的材料可以減少電阻，所以可以適用於佈線2594。

電極2592延在一個方向上，多個電極2592設置為條紋狀。此外，佈線2594以與電極2592交叉的方式設置。

夾著一個電極2592設置有一對電極2591。另外，佈線2594電連接一對電極2591。

另外，多個電極2591並不一定要在與一個電極2592正交的方向上設置，也可以設置為形成大於0°且小於90°的角。

此外，一個佈線2598與電極2591或電極2592電連接。另外，將佈線2598的一部分用作端子。作為佈線2598，例如可以使用金屬材料諸如鋁、金、鉑、銀、鎳、鈦、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅或鈀等或者包含該金屬材料的合金材料。

另外，藉由設置覆蓋絕緣層2593及佈線2594的絕緣層，可以保護觸控感測器2595。

此外，連接層2599電連接佈線2598與FPC2509(2)。

作為連接層2599，可以使用異方性導電膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)或異方性導電膏(ACP：Anisotropic Conductive Paste)等。

<關於觸控面板的說明2>

接著，參照圖40A說明觸控面板2000的詳細內容。圖40A是沿著圖38A所示的點劃線X5-X6切斷的剖面圖。

在圖40A所示的觸控面板2000中，將圖39A所說明的顯示面板2501與圖39C所說明的觸控感測器2595貼合在一起。

另外，圖40A所示的觸控面板2000除了圖39A及圖39C所說明的結構之外還包括黏合層2597及抗反射層2567p。

黏合層2597以與佈線2594接觸的方式設置。注意，黏合層2597以使觸控感測器2595重疊於顯示面板2501的方式將基板2590貼合到基板2570。此外，黏合層2597較佳為具有透光性。另外，作為黏合層2597，可以使用熱固性樹脂或紫外線硬化性樹脂。例如，可以使用丙烯酸類樹脂、氨酯類樹脂、環氧類樹脂或矽氧烷類樹脂。

抗反射層2567p設置在重疊於像素的位置上。作為抗反射層2567p，例如可以使用圓偏光板。

接著，參照圖40B對與圖40A所示的結構不同的結構的觸控面板進行說明。

圖40B是觸控面板2001的剖面圖。圖40B所示的觸控面板2001與圖40A所示的觸控面板2000的不同之處是相對於顯示面板2501的觸控感測器2595的位置。在這裡對不同的結構進行詳細的說明，而對可以使用同樣的結構的部分援用觸控面板2000的說明。

彩色層2567R位於與發光元件2550重疊的位置。此外，圖40B所示的發光元件2550將光射出到設置有電晶體2502t的一側。由此，發光元件2550所發射的光的一部分透過彩色層2567R，而如圖40B中的箭頭所示那樣被射出到發光模組2580的外部。

另外，觸控感測器2595被設置於顯示面板2501的基板2510一側。

黏合層2597位於基板2510與基板2590之間，並將顯示面板2501和觸控感測器2595貼合在一起。

如圖40A及圖40B所示，發光元件所發射的光可以射出到基板的頂面和底面中的任一面或雙面。

<關於觸控面板的驅動方法的說明>

接著，參照圖41A及圖41B對觸控面板的驅動方法的一個例子進行說明。

圖41A是示出互電容式觸控感測器的結構的方塊圖。在圖41A中，示出脈衝電壓輸出電路2601、電流檢測電路2602。另外，在圖41A中，以X1至X6的6個佈線表示被施加有脈衝電壓的電極2621，並以Y1至Y6的6個佈線表示檢測電流的變化的電極2622。此外，圖41A還示出形成在電極2621與電極2622重疊的區域的電容器2603。注意，電極2621與電極2622的功能可以互相調換。

脈衝電壓輸出電路2601是用來依次將脈衝電壓施加到X1至X6的佈線的電路。藉由對X1至X6的佈線施加脈衝電壓，在形成電容器2603的電極2621與電極2622之間產生電場。例如，當該產生於電極之間的電場被遮蔽時，電容器2603的互電容發生變化。藉由利用該變化，可以檢測出被檢測物體的接近或接觸。

電流檢測電路2602是用來檢測電容器2603的互電容變化所引起的Y1至Y6的佈線的電流變化的電路。在Y1至Y6的佈線中，如果沒有被檢測物體的接近或接觸，所檢測的電流值則沒有變化，而另一方面，在由於所檢測的被檢測物體的接近或接觸而互電容減少的情況下，檢測到電流值的下降。另外，藉由積分電路等檢測電流即可。

接著，圖41B示出圖41A所示的互電容式觸控感測器中的輸入/輸出波形的時序圖。在圖41B中，在一個圖框期間進行各行列中的被檢測物體的檢測。另外，在圖41B中，示出沒有檢測出被檢測物體(未觸摸)和檢測出被檢測物體(觸摸)的兩種情況。此外，關於Y1至Y6的佈線，示出對應於所檢測出的電流值的電壓值的波形。

依次對X1至X6的佈線施加脈衝電壓，Y1至Y6的佈線的波形根據該脈衝電壓變化。當沒有被檢測物體的接近或接觸時，Y1至Y6的波形根據X1至X6的佈線的電壓變化產生變化。另一方面，在有被檢測物體接近或接觸的地方電流值減少，因而與其相應的電壓值的波形也產生變化。

如此，藉由檢測互電容的變化，可以檢測出被檢測物體的接近或接觸。

<關於感測器電路的說明>

另外，作為觸控感測器，圖41A雖然示出在佈線的交叉部只設置電容器2603的無源方式觸控感測器的結構，但是也可以採用包括電晶體和電容器的有源方式觸控感測器。圖42示出有源方式觸控感測器所包括的感測器電路的一個例子。

圖42所示的感測器電路包括電容器2603、電晶體2611、電晶體2612及電晶體2613。

對電晶體2613的閘極施加信號G2，對源極和汲極中的一個施加電壓VRES，另一個與電容器2603的一個電極及電晶體2611的閘極電連接。電晶體2611的源極和汲極中的一個與電晶體2612的源極和汲極中的一個電連接，對另一個施加電壓VSS。對電晶體2612的閘極施加信號G1，源極和汲極中的另一個與佈線ML電連接。對電容器2603的另一個電極施加電壓VSS。

接下來，對圖42所述的感測器電路的工作進行說明。首先，藉由作為信號G2施加使電晶體2613成為開啟狀態的電位，由此對應於電壓VRES的電位被施加到與電晶體2611的閘極連接的節點n。接著，藉由作為信號G2施加使電晶體2613成為關閉狀態的電位，節點n的電位被保持。

接著，由於手指等被檢測物體的接近或接觸，電容器2603的互電容產生變化，而節點n的電位隨其由VRES變化。

在讀出工作中，作為信號G1施加使電晶體2612成為開啟狀態的電位。流過電晶體2611的電流，亦即流過佈線ML的電流根據節點n的電位而產生變化。藉由檢測該電流，可以檢測出被檢測物體的接近或接觸。

在電晶體2611、電晶體2612及電晶體2613中，較佳為將氧化物半導體層用於形成有其通道區的半導體層。尤其是藉由將這種電晶體用於電晶體2613，能夠長期間保持節點n的電位，由此可以減少對節點n再次供應VRES的工作(更新工作)的頻率。

實施方式5

在本實施方式中，參照圖43以及圖44A至圖44G對包括本發明的一個實施方式的發光裝置的顯示模組及電子裝置進行說明。

圖43所示的顯示模組8000在上蓋8001與下蓋8002之間包括連接於FPC8003的觸控感測器8004、連接於FPC8005的顯示面板8006、框架8009、印刷電路板8010、電池8011。

例如可以將本發明的一個實施方式的發光裝置用於顯示面板8006。

上蓋8001及下蓋8002可以根據觸控感測器8004及顯示面板8006的尺寸可以適當地改變形狀或尺寸。

觸控感測器8004能夠是電阻膜式觸控感測器或電容式觸控感測器，並且能夠被形成為與顯示面板8006重疊。此外，也可以使顯示面板8006的相對基板 (密封基板)具有觸控感測器的功能。另外，也可以在顯示面板8006的各像素內設置光感測器，而形成光學觸控感測器。

框架8009除了具有保護顯示面板8006的功能以外還具有用來遮斷因印刷電路板8010的工作而產生的電磁波的電磁屏蔽的功能。此外，框架8009也可以具有作為放熱板的功能。

印刷電路板8010具有電源電路以及用來輸出視訊信號及時脈信號的信號處理電路。作為對電源電路供應電力的電源，既可以採用外部的商業電源，又可以採用另行設置的電池8011的電源。當使用商業電源時，可以省略電池8011。

此外，在顯示模組8000中還可以設置偏光板、相位差板、稜鏡片等構件。

圖44A至圖44G是示出電子裝置的圖。這些電子裝置可以包括外殼9000、顯示部9001、揚聲器9003、操作鍵9005、連接端子9006、感測器9007、麥克風9008等。

圖44A至圖44G所示的電子裝置可以具有各種功能。例如，可以具有如下功能：將各種資訊(靜態影像、動態影像、文字影像等)顯示在顯示部上的功能；觸控感測器的功能；顯示日曆、日期或時間等的功能；藉由利用各種軟體(程式)控制處理的功能；進行無線通訊的功能；藉由利用無線通訊功能來連接到各種電腦網路的功能；藉由利用無線通訊功能，進行各種資料的發送或接收的功能；讀出儲存在儲存介質中的程式或資料來將其顯示在顯示部上的功能；等。注意，圖44A至圖44G所示的電子裝置可具有的功能不侷限於上述功能，而可以具有各種功能。另外，雖然在圖44A至圖44G中未圖示，但是電子裝置可以包括多個顯示部。此外，也可以在該電子裝置中設置照相機等而使其具有如下功能：拍攝靜態影像的功能；拍攝動態影像的功能；將所拍攝的影像儲存在儲存介質(外部儲存介質或內置於照相機的儲存介質)中的功能；將所拍攝的影像顯示在顯示部上的功能；等。

下面，詳細地說明圖44A至圖44G所示的電子裝置。

圖44A是示出可攜式資訊終端9100的透視圖。可攜式資訊終端9100所包括的顯示部9001具有撓性。因此，可以沿著所彎曲的外殼9000的彎曲面組裝顯示部9001。另外，顯示部9001具備觸控感測器，而可以用手指或觸控筆等觸摸螢幕來進行操作。例如，藉由觸摸顯示於顯示部9001上的圖示，可以啟動應用程式。

圖44B是示出可攜式資訊終端9101的透視圖。可攜式資訊終端9101例如具有電話機、電子筆記本和資訊閱讀裝置等中的一種或多種的功能。明確而言，可以將其用作智慧手機。注意，揚聲器9003、連接端子9006、感測器9007等在可攜式資訊終端9101中未圖示，但可以設置在與圖44A所示的可攜式資訊終端9100同樣的位置上。另外，可攜式資訊終端9101可以將文字或影像資訊顯示在其多個面上。例如，可以將三個操作按鈕9050(還稱為操作圖示或只稱為圖示)顯示在顯示部9001的一個面上。另外，可以將由虛線矩形表示的資訊9051顯示在顯示部9001的另一個面上。此外，作為資訊9051的一個例子，可以舉出提示收到來自電子郵件、SNS(Social Networking Services：社交網路服務)或電話等的資訊的顯示；電子郵件或SNS等的標題；電子郵件或SNS等的發送者姓名；日期；時間；電池餘量；以及天線接收的強度等。或者，可以在顯示有資訊9051的位置上顯示操作按鈕9050等代替資訊9051。

圖44C是示出可攜式資訊終端9102的透視圖。可攜式資訊終端9102具有將資訊顯示在顯示部9001的三個以上的面上的功能。在此，示出資訊9052、資訊9053、資訊9054分別顯示於不同的面上的例子。例如，可攜式資訊終端9102的使用者能夠在將可攜式資訊終端9102放在上衣口袋裡的狀態下確認其顯示(這裡是資訊9053)。明確而言，將打來電話的人的電話號碼或姓名等顯示在能夠從可攜式資訊終端9102的上方觀看這些資訊的位置。使用者可以確認到該顯示而無需從口袋裡拿出可攜式資訊終端9102，由此能夠判斷是否接電話。

圖44D是示出手錶型可攜式資訊終端9200的透視圖。可攜式資訊終端9200可以執行行動電話、電子郵件、文章的閱讀及編輯、音樂播放、網路通信、電腦遊戲等各種應用程式。此外，顯示部9001的顯示面被彎曲，能夠在所彎曲的顯示面上進行顯示。另外，可攜式資訊終端9200可以進行被通信標準化的近距離無線通訊。例如，藉由與可進行無線通訊的耳麥相互通信，可以進行免提通話。此外，可攜式資訊終端9200包括連接端子9006，可以藉由連接器直接與其他資訊終端進行資料的交換。另外，也可以藉由連接端子9006進行充電。此外，充電工作也可以利用無線供電進行，而不藉由連接端子9006。

圖44E至圖44G是示出能夠折疊的可攜式資訊終端9201的透視圖。另外，圖44E是展開狀態的可攜式資訊終端9201的透視圖，圖44F是從展開狀態和折疊狀態中的一個狀態變為另一個狀態的中途的狀態的可攜式資訊終端9201的透視圖，圖44G是折疊狀態的可攜式資訊終端9201的透視圖。可攜式資訊終端9201在折疊狀態下可攜性好，在展開狀態下因為具有無縫拼接的較大的顯示區域而其顯示的一覽性強。可攜式資訊終端9201所包括的顯示部9001由鉸鏈9055所連接的三個外殼9000來支撐。藉由鉸鏈9055使兩個外殼9000之間彎折，可以從可攜式資訊終端9201的展開狀態可逆性地變為折疊狀態。例如，可以以1mm以上且150mm以下的曲率半徑使可攜式資訊終端9201彎曲。

本實施方式所示的電子裝置的特徵在於具有用來顯示某些資訊的顯示部。注意，本發明的一個實施方式的發光裝置也可以應用於不包括顯示部的電子裝置。另外，雖然在本實施方式中示出了電子裝置的顯示部具有撓性且可以在所彎曲的顯示面上進行顯示的結構或能夠使其顯示部折疊的結構，但不侷限於此，也可以採用不具有撓性且在平面部上進行顯示的結構。

實施方式6

在本實施方式中，參照圖45A至圖45C對本發明的一個實施方式的發光裝置進行說明。

圖45A是本實施方式所示的發光裝置3000的透視圖，圖45B是沿著圖45A所示的點劃線E-F切斷的剖面圖。注意，在圖45A中，為了避免繁雜而以虛線表示構成要素的一部分。

圖45A及圖45B所示的發光裝置3000包括基板3001、基板3001上的發光元件3005、設置於發光元件3005的外周的第一密封區域3007以及設置於第一密封區域3007的外周的第二密封區域3009。

另外，來自發光元件3005的發光從基板3001和基板3003中的任一個或兩個射出。在圖45A及圖45B中，說明來自發光元件3005的發光射出到下方一側(基板3001一側)的結構。

此外，如圖45A及圖45B所示，發光裝置 3000具有以被第一密封區域3007及第二密封區域3007包圍的方式配置發光元件3005的雙密封結構。藉由採用雙密封結構，能夠適當地抑制來自外部的雜質(例如，水、氧等)侵入發光元件3005一側。但是，並不一定必須要設置第一密封區域3007及第二密封區域3009。例如，可以只設置第一密封區域3007。

注意，在圖45B中，第一密封區域3007及第二密封區域3009以與基板3001及基板3003接觸的方式設置。但是，不侷限於此，例如，第一密封區域3007和第二密封區域3009中的一個或兩個可以以與形成在基板3001的上方的絕緣膜或導電膜接觸的方式設置。或者，第一密封區域3007和第二密封區域3009中的一個或兩個可以以與形成在基板3003的下方的絕緣膜或導電膜接觸的方式設置。

作為基板3001及基板3003的結構，分別採用與上述實施方式1所記載的基板102及基板152同樣的結構，即可。作為發光元件3005的結構，採用與上述實施方式1所記載的第一發光元件至第三發光元件中的任一個同樣的結構，即可。

第一密封區域3007可以使用包含玻璃的材料(例如，玻璃粉、玻璃帶等)。另外，第二密封區域3009可以使用包含樹脂的材料。藉由將包含玻璃的材料用於第一密封區域3007，可以提高生產率及密封性。此外，藉由將包含樹脂的材料用於第二密封區域3009，可以提高抗衝擊性及耐熱性。但是，用於第一密封區域3007及第二密封區域3009的材料不侷限於此，第一密封區域3007可以使用包含樹脂的材料形成，而第二密封區域3009可以使用包含玻璃的材料形成。

另外，作為上述玻璃粉，例如可以舉出氧化鎂、氧化鈣、氧化鍶、氧化鋇、氧化銫、氧化鈉、氧化鉀、氧化硼、氧化釩、氧化鋅、氧化碲、氧化鋁、二氧化矽、氧化鉛、氧化錫、氧化磷、氧化釕、氧化銠、氧化鐵、氧化銅、二氧化錳、氧化鉬、氧化鈮、氧化鈦、氧化鎢、氧化鉍、氧化鋯、氧化鋰、氧化銻、硼酸鉛玻璃、磷酸錫玻璃、釩酸鹽玻璃或硼矽酸鹽玻璃等。為了吸收紅外光，玻璃粉較佳為包含一種以上的過渡金屬。

此外，作為上述玻璃粉，例如，在基板上塗佈玻璃粉漿料並對其進行加熱或照射雷射等。玻璃粉漿料包含上述玻璃粉及使用有機溶劑稀釋的樹脂(也稱為黏合劑)。注意，也可以使用在玻璃粉中添加有吸收雷射光束的波長的光的吸收劑的玻璃粉漿料。此外，作為雷射，例如較佳為使用Nd：YAG雷射或半導體雷射等。另外，雷射照射形狀既可以為圓形又可以為四角形。

此外，作為上述包含樹脂的材料，例如可以使用包含聚酯、聚烯烴、聚醯胺(尼龍、芳族聚醯胺等)、聚醯亞胺、聚碳酸酯、聚氨酯、丙烯酸樹脂、環氧樹脂或具有矽氧烷鍵合的樹脂的材料。

注意，當第一密封區域3007和第二密封區域 3009中的任一個或兩個使用包含玻璃的材料時，該包含玻璃的材料的熱膨脹率較佳為近於基板3001的熱膨脹率。藉由採用上述結構，可以抑制由於熱應力而在包含玻璃的材料或基板3001中產生裂縫。

例如，在將包含玻璃的材料用於第一密封區域3007並將包含樹脂的材料用於第二密封區域3009的情況下，具有如下優異的效果。

第二密封區域3009被設置得比第一密封區域3007更靠近發光裝置3000的外周部一側。在發光裝置3000中，越接近外周部，起因於外力等的應變越大。因此，使用包含樹脂的材料對產生更大的應變的發光裝置3000的外周部一側，亦即為第二密封區域3009進行密封，並且使用包含玻璃的材料對設置於第二密封區域3009的內側的第一密封區域3007進行密封，由此，即便發生起因於外力等的應變，發光裝置3000也不容易損壞。

另外，如圖45B所示，被基板3001、基板3003、第一密封區域3007及第二密封區域3009包圍的區域相當於第一區域3011。此外，被基板3001、基板3003、發光元件3005及第一密封區域3007包圍的區域相當於第二區域3013。

第一區域3011及第二區域3013例如較佳為填充有稀有氣體或氮氣體等惰性氣體。注意，作為第一區域3011及第二區域3013，與大氣壓狀態相比，更佳為減壓狀態。

另外，圖45C示出圖45B所示的結構的變形實例。圖45C是示出發光裝置3000的變形實例的剖面圖。

在圖45C所示的結構中，基板3003的一部分設置有凹部，並且，該凹部設置有乾燥劑3018。其他結構與圖45B所示的結構相同。

作為乾燥劑3018，可以使用藉由化學吸附來吸附水分等的物質或者藉由物理吸附來吸附水分等的物質。作為可用作乾燥劑3018的物質，例如可以舉出鹼金屬的氧化物、鹼土金屬的氧化物(氧化鈣或氧化鋇等)、硫酸鹽、金屬鹵化物、過氯酸鹽、沸石或矽膠等。

接著，參照圖46A至圖46D對圖45B所示的發光裝置3000的變形實例進行說明。注意，圖46A至圖46D是說明圖45B所示的發光裝置3000的變形實例的剖面圖。

在圖46A所示的發光裝置中，不設置第二密封區域3009，而只設置第一密封區域3007。此外，在圖46A所示的發光裝置中，具有區域3014代替圖45B所示的第二區域3013。

區域3014例如可以使用包含聚酯、聚烯烴、聚醯胺(尼龍、芳族聚醯胺等)、聚醯亞胺、聚碳酸酯、或者聚氨酯、丙烯酸樹脂、環氧樹脂或具有矽氧烷鍵合的樹脂的材料。

藉由將上述材料用於區域3014，可以實現所謂的固體密封的發光裝置。

另外，在圖46B所示的發光裝置中，在圖46A所示的發光裝置的基板3001一側設置基板3015。

如圖46B所示，基板3015具有凹凸。藉由將具有凹凸的基板3015設置於發光元件3005的提取光一側，可以提高來自發光元件3005的光的光提取效率。注意，可以設置用作擴散板的基板代替如圖46B所示那樣的具有凹凸的結構。

此外，圖46A所示的發光裝置具有從基板3001一側提取光的結構，而另一方面，圖46C所示的發光裝置具有從基板3003一側提取光的結構。

圖46C所示的發光裝置在基板3003一側包括基板3015。其他結構是與圖46B所示的發光裝置同樣的結構。

另外，在圖46D所示的發光裝置中，不設置圖46C所示的發光裝置的基板3003、3015，而只設置基板3016。

基板3016包括位於離發光元件3005近的一側的第一凹凸以及位於離發光元件3005遠的一側的第二凹凸。藉由採用圖46D所示的結構，可以進一步提高來自發光元件3005的光的光提取效率。

因此，藉由使用本實施方式所示的結構，能夠實現由於水分或氧等雜質而導致的發光元件的劣化得到抑制的發光裝置。或者，藉由使用本實施方式所示的結構，能夠實現光提取效率高的發光裝置。

注意，本實施方式所示的結構可以與其他實施方式或實施例所示的結構適當地組合而實施。

實施方式7

在本實施方式中，參照圖47A至圖47C說明將本發明的一個實施方式的發光裝置適用於各種照明設備及電子裝置的情況的例子。

藉由將本發明的一個實施方式的發光裝置形成在具有撓性的基板上，能夠實現包括具有曲面的發光區域的電子裝置或照明設備。

此外，還可以將應用了本發明的一個實施方式的發光裝置適用於汽車的照明，其中該照明例如被設置於儀表板、擋風玻璃、天花板等。

圖47A示出多功能終端3500的一個面的透視圖，圖47B示出多功能終端3500的另一個面的透視圖。在多功能終端3500中，外殼3502組裝有顯示部3504、照相機3506、照明3508等。可以將本發明的一個實施方式的發光裝置用於照明3508。

將包括本發明的一個實施方式的發光裝置的照明3508用作面光源。因此，不同於以LED為代表的點光源，能夠得到指向性低的發光。例如，在將照明3508和照相機3506組合使用的情況下，可以在使照明3508點亮或閃爍的同時使用照相機3506來進行拍攝。因為照明3508具有面光源的功能，可以獲得仿佛在自然光下拍攝般的照片。

注意，圖47A及圖47B所示的多功能終端3500與圖44A至圖44G所示的電子裝置同樣地可以具有各種各樣的功能。

另外，可以在外殼3502的內部設置揚聲器、感測器(該感測器具有測量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉速、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)、麥克風等。此外，藉由在多功能終端3500內部設置具有陀螺儀和加速度感測器等檢測傾斜度的感測器的檢測裝置，可以判斷多功能終端3500的方向(縱或橫)而自動進行顯示部3504的螢幕顯示的切換。

也可以將顯示部3504用作影像感測器。例如，藉由用手掌或手指觸摸顯示部3504，來拍攝掌紋、指紋等，能夠進行個人識別。另外，藉由在顯示部3504中設置發射近紅外光的背光或感測光源，也能夠拍攝手指靜脈、手掌靜脈等。注意，可以將本發明的一個實施方式的發光裝置適用於顯示部3504。

圖47C示出安全燈(security light)3600的透視圖。安全燈3600在外殼3602的外側包括照明3608，並且，外殼3602組裝有揚聲器3610等。可以將本發明的一個實施方式的發光裝置用於照明3608。

安全燈3600例如在抓住或握住照明3608時進行發光。另外，可以在外殼3602的內部設置有能夠控制安全燈3600的發光方式的電子電路。作為該電子電路，例如可以為能夠一次或間歇地多次進行發光的電路或藉由控制發光的電流值能夠調整發光的光量的電路。此外，也可以組裝在照明3608進行發光的同時從揚聲器3610發出很大的警報音的電路。

安全燈3600因為能夠向所有方向發射光，所以可以發射光或發出光和聲音來恐嚇歹徒等。另外，安全燈3600可以包括具有攝像功能的數碼靜態相機等照相機。

如上所述，藉由應用本發明的一個實施方式的發光裝置，能夠得到照明設備及電子裝置。注意，不侷限於本實施方式所示的照明設備及電子裝置，該發光裝置可以應用於各種領域的照明設備及電子裝置。

實施例1

在本實施例中，示出本發明的一個實施方式的發光元件的製造實例。注意，在本實施例中，製造了發光元件1至發光元件3。

圖48C示出發光元件1的剖面示意圖，圖 48A示出發光元件2的剖面示意圖，圖48B示出發光元件3的剖面示意圖，表1示出發光元件1至發光元件3的元件結構的詳細內容，並且，下面示出這裡所使用的化合物的結構及簡稱。

<1-1.發光元件1、2的製造>

首先，作為下部電極504，在基板502上利用濺射法形成銀(Ag)、鈀(Pd)和銅(Cu)的合金膜(簡稱：APC)。另外，將下部電極504的厚度設定為100nm，將下部電極504的面積設定為4mm²(2mm×2mm)。

接著，作為透明導電層506，在下部電極504上利用濺射法形成包含氧化矽的銦錫氧化物(簡稱：ITSO)膜。注意，將發光元件1的透明導電層506的厚度設定為110nm，將發光元件2的透明導電層506的厚度設定為85nm。

接著，作為蒸鍍有機化合物層的預處理，使用水對形成有下部電極504及透明導電層506的基板502的透明導電層506一側進行洗滌，以200℃進行焙燒1小時，然後對透明導電層506的表面進行UV臭氧處理370秒。

然後，將基板502放入其內部被減壓到10^-4Pa左右的真空蒸鍍裝置中，並在真空蒸鍍裝置內的加熱室中以170℃進行真空焙燒60分鐘，然後對基板502進行冷卻30分鐘左右。

接著，以形成有透明導電層506的面朝下方的方式將基板502固定於設置在真空蒸鍍裝置內的支架上。在本實施例中，藉由真空蒸鍍法依次形成電洞注入層531、電洞傳輸層532、光學調整層508、第一發光層510 (1)、第一發光層510(2)、第二發光層512、電子傳輸層533(1)、電子傳輸層533(2)、電子注入層534、上部電極514(1)及上部電極514(2)。下面，示出詳細的製造方法。

首先，將真空蒸鍍裝置內部減壓到10^-4Pa，然後作為電洞注入層531，在透明導電層506上以PcPPn：氧化鉬=2：1(重量比)的比例共蒸鍍3-[4-(9-菲基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(簡稱：PcPPn)和氧化鉬。另外，將發光元件1的電洞注入層531的厚度設定為35nm，將發光元件2的電洞注入層531的厚度設定為25nm。

接著，在電洞注入層531上形成電洞傳輸層532。作為電洞傳輸層532蒸鍍PCPPn。此外，將電洞傳輸層532的厚度設定為22.5nm。

接著，在電洞傳輸層532上形成光學調整層508。作為光學調整層508蒸鍍PCPPn。另外，將光學調整層508的厚度設定為22.5nm。

接著，在光學調整層508上形成第一發光層510(1)。作為第一發光層510(1)，以2mDBTBPDBq-II：PCBBiF：Ir(tBuppm)₂(acac)=0.8：0.2：0.06(重量比)的比例共蒸鍍2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)聯苯-3-基]二苯并[f,h]喹

啉(簡稱：2mDBTBPDBq-II)、N-(1,1’-聯苯-4-基)-9,9-二甲基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9H-茀-2-胺(簡稱：PCBBiF)和(乙醯丙酮根)雙(6-三級丁基-4-苯基嘧啶)銥(III)(簡稱：Ir(tBuppm)₂(acac))。此外，將第一發光層510(1)的厚度設定為20nm。另外，在第一發光層510(1)中，2mDBTBPDBq-II是主體材料，PCBBiF是輔助材料，Ir(tBuppm)₂(acac)是磷光材料(客體材料)。

接著，在第一發光層510(1)上形成第一發光層510(2)。作為第一發光層510(2)，以2mDBTBPDBq-II：Ir(tBuppm)₂(acac)=1：0.06(重量比)的比例共蒸鍍2mDBTBPDBq-II和Ir(tBuppm)₂(acac)。另外，將第一發光層510(2)的厚度設定為10nm。此外，在第一發光層510(2)中，2mDBTBPDBq-II是主體材料，Ir(tBuppm)₂(acac)是磷光材料(客體材料)。

接著，在第一發光層510(2)上形成第二發光層512。作為第二發光層512，以cgDBCzPA：1,6BnfAPrn-03=1：0.05(重量比)的比例共蒸鍍7-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-7H-二苯并[c,g]咔唑(簡稱：cgDBCzPA)和N,N’-(芘-1,6-二基)雙[(6,N-二苯基苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃)-8-胺](簡稱：1,6BnfAPrn-03)。另外，將第二發光層512的厚度設定為25nm。此外，在第二發光層512中，cgDBCzPA是主體材料，1,6BnfAPrn-03是螢光材料(客體材料)。

接著，作為電子傳輸層533(1)，在第二發光層512上以厚度為5nm的方式蒸鍍cgDBCzPA。接著，作為電子傳輸層533(2)，在電子傳輸層533(1)上以厚度為15nm的方式蒸鍍2,9-雙(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-啡啉(簡稱：NBphen)。接著，作為電子注入層 534，在電子傳輸層533(2)上以厚度為1nm的方式蒸鍍氟化鋰(LiF)。

接著，作為上部電極514(1)，在電子注入層534上以銀：鎂=1：0.1(體積比)的比例共蒸鍍銀(Ag)和鎂(Mg)。另外，將上部電極514(1)的厚度設定為15nm。接著，作為上部電極514(2)，在上部電極514(1)上藉由濺射法形成厚度為70nm的銦錫氧化物(ITO)。

接著，準備密封基板550。此外，如圖48C及表1所示，發光元件1的密封基板550設置有彩色層556。在本實施例中，作為發光元件1的彩色層556，形成紅色(R)濾色片。注意，在發光元件2的密封基板550沒有設置彩色層556。

在氮氛圍的手套箱中，以不使其暴露於大氣的方式將藉由上述步驟製造的基板502上的發光元件和密封基板550貼合在一起，由此進行密封(明確而言，將密封材料塗佈在該元件的周圍，以6J/cm²對該密封材料照射波長為365nm的紫外光，並以80℃對其進行熱處理1小時)。

藉由上述製程，製造了發光元件1及發光元件2。

<1-2.發光元件3的製造>

首先，作為下部電極504，在基板502上利用濺射法形成APC膜。另外，將下部電極504的厚度設定為100nm，將下部電極504的面積設定為4mm²。

接著，作為透明導電層506，在下部電極504上利用濺射法形成ITSO膜。將透明導電層506的厚度設定為85nm。

接著，以形成有透明導電層506的面朝下方的方式將基板502固定於設置在真空蒸鍍裝置內的支架上。在本實施例中，藉由真空蒸鍍法依次形成電洞注入層531、電洞傳輸層532、第二發光層512、電子傳輸層533(1)、電子傳輸層533(2)、電子注入層534、上部電極514(1)及上部電極514(2)。亦即，與發光元件1及發光元件2相比，發光元件3的結構是沒有形成有光學調整層508、第一發光層510(1)及第一發光層510(2)的結構。下面，示出詳細的製造方法。

首先，將真空蒸鍍裝置內部減壓到10^-4Pa，然後作為電洞注入層531，在透明導電層506上以PcPPn：氧化鉬=2：1(重量比)的比例共蒸鍍PcPPn和氧化鉬。另外，將電洞注入層531的厚度設定為25nm。

接著，在電洞傳輸層532上形成第二發光層512。作為第二發光層512，以cgDBCzPA：1,6BnfAPrn-03=1：0.05(重量比)的比例共蒸鍍cgDBCzPA和1,6BnfAPrn-03。另外，將第二發光層512的厚度設定為25nm。

接著，作為電子傳輸層533(1)，在第二發光層512上以厚度為5nm的方式蒸鍍cgDBCzPA。接著，作為電子傳輸層533(2)，在電子傳輸層533(1)上以厚度為15nm的方式蒸鍍NBphen。接著，作為電子注入層534，在電子傳輸層533(2)上以厚度為1nm的方式蒸鍍LiF。

接著，作為上部電極514(1)，在電子注入層534上以Ag：Mg=1：0.1(體積比)的比例共蒸鍍Ag和Mg。另外，將上部電極514(1)的厚度設定為15nm。接著，作為上部電極514(2)，在上部電極514(1)上藉由濺射法形成厚度為70nm的ITO膜。

接著，準備密封基板550。

在氮氛圍的手套箱中，以不使其暴露於大氣的方式將藉由上述步驟製造的基板502上的發光元件和密封基板550貼合在一起，由此進行密封。此外，作為密封方法，採用與發光元件1及發光元件2相同的方法。

藉由上述製程，製造了發光元件3。

注意，在上述發光元件1至發光元件3的蒸鍍過程中，作為蒸鍍方法採用電阻加熱法。

<1-3.發光元件1至發光元件3的特性>

圖49A示出發光元件1至發光元件3的亮度-電流密度特性。另外，圖49B示出發光元件1至發光元件3的亮度-電壓特性。此外，圖50A示出發光元件1至發光元件3的電流效率-亮度特性。注意，各發光元件的測定在室溫(保持為25℃的氛圍)下進行。

另外，表2示出1000cd/m²附近的發光元件1至發光元件3的元件特性。

此外，圖50B示出以2.5mA/cm²的電流密度對發光元件1至發光元件3施加電流時的發射光譜。如圖50B所示，發光元件1在紅色波長區內具有發射光譜峰值，發光元件2在綠色波長區內具有發射光譜峰值，發光元件3在藍色波長區內具有發射光譜峰值。注意，如表1所示，在發光元件1至發光元件3中，每個下部電極與發光層的間隔被調整。明確而言，發光元件1的下部電極504與發光元件1的第一發光層510(1)的間隔為190nm，發光元件2的下部電極504與發光元件2的第一發光層510(1)的間隔為155nm，發光元件3的下部電極504與發光元件3的第二發光層512的間隔為132.5nm。

另外，如表2、圖49A及圖49B和圖50A及圖50B所示，在發光元件1至發光元件3中，能夠得到高效率的元件特性，並得到所希望的波長範圍內的發光。此外，可知：在發光元件1及發光元件2中，雖然採用了設置有第二發光層512的結構，但是第二發光層512中的客體材料無助於發光。

本實施例所示的結構可以與其他實施例及實施方式所示的結構適當地組合而實施。

實施例2

在本實施例中，示出本發明的一個實施方式的發光元件的製造實例。注意，在本實施例中，製造了發光元件4至發光元件6。

圖48C示出發光元件4及發光元件5的剖面示意圖，圖48D示出發光元件6的剖面示意圖，並且，表 3示出發光元件4至發光元件6的元件結構的詳細內容。注意，關於所使用的化合物的結構及簡稱與實施例1相同。

<2-1.發光元件4至發光元件6的製造>

發光元件4及發光元件5與上面實施例1所示的發光元件1及發光元件2的不同之處是第一發光層510(2)的厚度。將發光元件4及發光元件5的第一發光層510(2)的厚度設定為15nm。另外，發光元件5及發光元件6與上面實施例1所示的發光元件2及發光元件3的不同之處是密封基板550的結構。明確而言，如圖48C及圖48D和表3所示，發光元件5及發光元件6的密封基板550設置有彩色層556。在本實施例中，作為發光元件5的彩色層556形成綠色(G)濾色片，作為發光元件6的彩色層556形成藍色(B)濾色片。

注意，發光元件4除了第一發光層510(2)之外其他結構與發光元件1相同，發光元件5除了第一發光層510(2)及彩色層556之外其他結構與發光元件2相同，並且，發光元件6除了彩色層556之外其他結構與發光元件3相同。

在氮氛圍的手套箱中，以不使其暴露於大氣的方式將藉由上述步驟製造的基板502上的發光元件和密封基板550貼合在一起，由此進行密封。此外，作為密封方法，採用與實施例1相同的方法。

藉由上述製程，製造了發光元件4至發光元件6。

注意，在上述發光元件4至發光元件6的蒸鍍過程中，作為蒸鍍方法採用電阻加熱法。

<2-2.發光元件4至發光元件6的特性>

圖51A示出發光元件4至發光元件6的亮度-電流密度特性。另外，圖51B示出發光元件4至發光元件6的亮度-電壓特性。此外，圖52A示出發光元件4至發光元件6的電流效率-亮度特性。注意，各發光元件的測定在室溫(保持為25℃的氛圍)下進行。

另外，表4示出1000cd/m²附近的發光元件4至發光元件6的元件特性。

此外，圖52B示出以2.5mA/cm²的電流密度對發光元件4至發光元件6施加電流時的發射光譜。如圖52B所示，發光元件4在紅色波長區內具有發射光譜峰值，發光元件5在綠色波長區內具有發射光譜峰值，發光元件6在藍色波長區內具有發射光譜峰值。

另外，如表4、圖51A及圖51B和圖52A及圖52B所示，在發光元件4至發光元件6中，能夠得到高效率的元件特性，並得到所希望的波長範圍內的發光。此外，與實施例1的發光元件2及發光元件3相比，發光元件5及發光元件6是設置彩色層556的結構，因此色純度良好。

實施例3

在本實施例中，示出本發明的一個實施方式的發光元件的製造實例。注意，在本實施例中，製造了發光元件7至發光元件9。

圖48C示出發光元件7及發光元件8的剖面示意圖，圖48D示出發光元件9的剖面示意圖，表5示出發光元件7至發光元件9的元件結構的詳細內容。另外，下面示出這裡所使用的化合物的結構及簡稱。注意，除下述之外的化合物與前面的實施例1及實施例2相同。

<3-1.發光元件7、8的製造>

首先，作為下部電極504，在基板502上利用濺射法形成APC膜。另外，將下部電極504的厚度設定為100nm，將下部電極504的面積設定為4mm²(2mm×2mm)。

接著，作為透明導電層506，在下部電極504上利用濺射法形成ITSO膜。注意，將發光元件7的透明導電層506的厚度設定為110nm，將發光元件8的透明導電層506的厚度設定為85nm。

接著，以形成有透明導電層506的面朝下方的方式將基板502固定於設置在真空蒸鍍裝置內的支架上。在本實施例中，藉由真空蒸鍍法依次形成電洞注入層531、電洞傳輸層532、光學調整層508、第一發光層510(1)、第一發光層510(2)、第二發光層512、電子傳輸層533(1)、電子傳輸層533(2)、電子注入層534、上部電極514(1)及上部電極514(2)。下面，示出詳細的製造方法。

首先，將真空蒸鍍裝置內部減壓到10^-4Pa，然後作為電洞注入層531在透明導電層506上以PcPPn：氧化鉬=2：1(重量比)的比例共蒸鍍PcPPn和氧化鉬。另外，將發光元件7的電洞注入層531的厚度設定為40nm，將發光元件8的電洞注入層531的厚度設定為30nm。

接著，在電洞注入層531上形成電洞傳輸層532。作為電洞傳輸層532蒸鍍PCPPn。此外，將電洞傳輸層532的厚度設定為15nm。

接著，在電洞傳輸層532上形成光學調整層508。作為光學調整層508蒸鍍PCBBiF。另外，將光學調整層508的厚度設定為25nm。

接著，在光學調整層508上形成第一發光層510(1)。作為第一發光層510(1)，以2mDBTBPDBq-II：PCBBiF：Ir(iBu5bpm)₂(acac)=0.8：0.2：0.04(重量比)的比例共蒸鍍2mDBTBPDBq-II、PCBBiF和雙{3-[6-異丁基-4-嘧啶基-κN3]聯苯-κC4}(2,4-戊二酮根-κ2O,O’)銥(III)(簡稱：Ir(iBu5bpm)₂(acac))。此外，將第一發光層510(1)的厚度設定為20nm。此外，在第一發光層510(1)中，2mDBTBPDBq-II是主體材料，PCBBiF是輔助材料，Ir(iBu5bpm)₂(acac)是磷光材料(客體材料)。

注意，在本實施例中，作為磷光材料使用Ir(iBu5bpm)₂(acac)，但不侷限於此，可以使用其它磷光材料。作為該磷光材料，例如可以舉出Ir(mppm)₂(acac)或Ir(tBuppm)₂(acac)等。下面示出Ir(mppm)₂(acac)及Ir(tBuppm)₂(acac)的化學式。

Ir(mppm)₂(acac)在配位於銥金屬的嘧啶環的4位具有苯基，並在配位於銥金屬的嘧啶環的6位具有甲基。另外，Ir(tBuppm)₂(acac)在配位於銥金屬的嘧啶環的4 位具有苯基，並在配位於銥金屬的嘧啶環的6位具有三級丁基。另一方面，本實施例所使用的Ir(iBu5bpm)₂(acac)在配位於銥金屬的嘧啶環的4位具有聯苯基，並在配位於銥金屬的嘧啶環的6位具有異丁基。

此外，如本實施例所製造的發光元件，藉由將新穎的化合物的Ir(iBu5bpm)₂(acac)用作磷光材料，與例如將Ir(mppm)₂(acac)用作磷光材料的發光元件相比，有時能夠提高發光效率，所以是較佳的。另外，與Ir(mppm)₂(acac)及Ir(tBuppm)₂(acac)相比，Ir(iBu5bpm)₂(acac)具有聯苯基代替苯基，並有時可以實現長壽命，所以Ir(iBu5bpm)₂(acac)是較佳的。另外，由於Ir(iBu5bpm)₂(acac)具有綠色光及紅色光的光譜成分，因此作為用於本發明的一個實施方式的發光元件的發光材料較佳為使用Ir(iBu5bpm)₂(acac)。

接著，在第一發光層510(1)上形成第一發光層510(2)。作為第一發光層510(2)，以2mDBTBPDBq-II：Ir(iBu5bpm)₂(acac)=1：0.04(重量比)的比例共蒸鍍2mDBTBPDBq-II和Ir(iBu5bpm)₂(acac)。此外，將第一發光層510(2)的厚度設定為15nm。另外，在第一發光層510(2)中，2mDBTBPDBq-II是主體材料，Ir(iBu5bpm)₂(acac)是磷光材料(客體材料)。

接著，在第一發光層510(2)上形成第二發光層512。作為第二發光層512，以cgDBCzPA：1,6BnfAPrn-03=1：0.03(重量比)的比例共蒸鍍 cgDBCzPA和1,6BnfAPrn-03。此外，將第二發光層512的厚度設定為25nm。另外，在第二發光層512中，cgDBCzPA是主體材料，1,6BnfAPrn-03是螢光材料(客體材料)。

接著，準備密封基板550。此外，如圖48C及表4所示，發光元件7及發光元件8的密封基板550設置有彩色層556。在本實施例中，作為發光元件7的彩色層556形成紅色(R)濾色片，作為發光元件8的彩色層556形成綠色(G)濾色片。

在氮氛圍的手套箱中，以不使其暴露於大氣的方式將藉由上述步驟製造的基板502上的發光元件和密封基板550貼合在一起，由此進行密封。注意，作為密封方法，採用與實施例1相同的方法。

藉由上述製程，製造了發光元件7及發光元件8。

<3-2.發光元件9的製造>

接著，以形成有透明導電層506的面朝下方的方式將基板502固定於設置在真空蒸鍍裝置內的支架上。在本實施例中，藉由真空蒸鍍法依次形成電洞注入層531、電洞傳輸層532、第二發光層512、電子傳輸層533(1)、電子傳輸層533(2)、電子注入層534、上部電極514(1)及上部電極514(2)。亦即，與發光元件7及發光元件8相比，發光元件9的結構是沒有形成有光學調整層508、第一發光層510(1)及第一發光層510(2)的結構。下面，示出詳細的製造方法。

首先，將真空蒸鍍裝置內部減壓到10^-4Pa，然後作為電洞注入層531，在透明導電層506上以PcPPn：氧化鉬=2：1(重量比)的比例共蒸鍍PcPPn和氧化鉬。另外，將電洞注入層531的厚度設定為30nm。

接著，在電洞傳輸層532上形成第二發光層512。作為第二發光層512，以cgDBCzPA：1,6BnfAPrn-03=1：0.03(重量比)的比例共蒸鍍cgDBCzPA和1,6BnfAPrn-03。另外，將第二發光層512的厚度設定為25nm。

接著，作為上部電極514(1)，在電子注入層534上以Ag：Mg=1：0.1(體積比)的比例共蒸鍍Ag和 Mg。另外，將上部電極514(1)的厚度設定為15nm。接著，作為上部電極514(2)，在上部電極514(1)上藉由濺射法形成厚度為70nm的ITO膜。

接著，準備密封基板550。

此外，如圖48D及表5所示，發光元件9的密封基板550設置有彩色層556。在本實施例中，作為發光元件9的彩色層556形成藍色(B)濾色片。

在氮氛圍的手套箱中，以不使其暴露於大氣的方式將藉由上述步驟製造的基板502上的發光元件和密封基板550貼合在一起，由此進行密封。此外，作為密封方法，採用與發光元件7及發光元件8相同的方法。

藉由上述製程，製造了發光元件9。

注意，在上述發光元件7至發光元件9的蒸鍍過程中，作為蒸鍍方法採用電阻加熱法。

<3-3.發光元件7至發光元件9的特性>

圖53A示出發光元件7至發光元件9的亮度-電流密度特性。另外，圖53B示出發光元件7至發光元件9的亮度-電壓特性。此外，圖54A示出發光元件7至發光元件9的電流效率-亮度特性。注意，各發光元件的測定在室溫(保持為25℃的氛圍)下進行。

另外，表6示出1000cd/m²附近的發光元件7至發光元件9的元件特性。

此外，圖54B示出以2.5mA/cm²的電流密度對發光元件7至發光元件9施加電流時的發射光譜。如圖54B所示，發光元件7在紅色波長區內具有發射光譜峰值，發光元件8在綠色波長區內具有發射光譜峰值，發光元件9在藍色波長區內具有發射光譜峰值。注意，如表5所示，在發光元件7至發光元件9中，每個下部電極與發光層的間隔被調整。明確而言，發光元件7的下部電極504與發光元件7的第一發光層510(1)的間隔為190nm，發光元件8的下部電極504與發光元件8的第一發光層510(1)的間隔為155nm，發光元件9的下部電極504與發光元件9的第二發光層512的間隔為130nm。

另外，如表6、圖53A及圖53B和圖54A及圖54B所示，在發光元件7至發光元件9中，能夠得到高效率的元件特性，並得到所希望的波長範圍內的發光。此外，可知：在發光元件7及發光元件8中，雖然採用了設置有第二發光層512的結構，但是第二發光層512中的客體材料無助於發光。

接著，對發光元件7至發光元件9進行可靠性試驗。圖55示出該可靠性試驗的結果。

在圖55中，作為可靠性試驗的測定方法，將初始亮度設定為5000cd/m²，在電流密度恆定的條件下驅動發光元件7至發光元件9。縱軸表示初始亮度為100%時的正規化亮度(%)，橫軸表示元件的驅動時間(h)。從圖55所示的結果可知：在發光元件7中，過了1074小時後的正規化亮度為89%；在發光元件8中，過了1074小時後的正規化亮度為95%；在發光元件9中，過了1642小時後的正規化亮度為91%。

從圖53A至圖55所示的結果可知：本發明的一個實施方式的發光元件7至發光元件9具有良好的元件特性(電壓-亮度特性、亮度-電流效率特性及電壓-電流特性)以及高可靠性(正規化亮度-時間特性)。

(參考實例1)

下面，製造與實施例1至實施例3所示的發光元件不同的方式的發光元件(發光元件10至發光元件12)而進行評價。

圖56C示出發光元件10的剖面示意圖，圖56A示出發光元件11的剖面示意圖，圖56B示出發光元件12的剖面示意圖，表7示出發光元件10至發光元件12的元件結構的詳細內容，並且，下面示出所使用的化合物的結構及簡稱。注意，除了下面所示的化合物以外，使用與實施例1相同的化合物。

<4-1.發光元件10、11的製造>

接著，作為透明導電層506，在下部電極504上利用濺射法形成ITSO膜。注意，將發光元件10的透明導電層506的厚度設定為110nm，將發光元件11的透明導電層506的厚度設定為85nm。

接著，以形成有透明導電層506的面朝下方的方式將基板502固定於設置在真空蒸鍍裝置內的支架上。在本參考實例中，藉由真空蒸鍍法依次形成電洞注入層531、電洞傳輸層532、光學調整層508、第一發光層510、第二發光層512、電子傳輸層533(1)、電子傳輸層533(2)、電子注入層534、上部電極514(1)及上部電極514(2)。下面，示出詳細的製造方法。

首先，將真空蒸鍍裝置內部減壓到10^-4Pa，然後作為電洞注入層531在透明導電層506上以PcPPn：氧化鉬=2：1(重量比)的比例共蒸鍍PcPPn和氧化鉬。另外，將發光元件10的電洞注入層531的厚度設定為55nm，將發光元件11的電洞注入層531的厚度設定為45nm。

接著，在電洞傳輸層532上形成光學調整層508。作為光學調整層508以厚度為20nm的方式蒸鍍4-苯基-4’-(9-苯基茀-9-基)三苯胺(簡稱：BPAFLP)。

接著，在光學調整層508上形成第一發光層510。作為第一發光層510，以2mDBTBPDBq-II：PCBBiF：Ir(tBuppm)₂(acac)=0.8：0.2：0.06(重量比)的比例共蒸鍍2mDBTBPDBq-II、PCBBiF和Ir(tBuppm)₂(acac)。此外，將第一發光層510的厚度設定為25nm。另外，在第一發光層510中，2mDBTBPDBq-II是主體材料，PCBBiF是輔助材料，Ir(tBuppm)₂(acac)是磷光材料(客體材料)。

接著，在第一發光層510上形成第二發光層512。作為第二發光層512，以cgDBCzPA：1,6BnfAPrn-03=1：0.05(重量比)的比例共蒸鍍cgDBCzPA和1,6BnfAPrn-03。另外，將第二發光層512的厚度設定為25nm。此外，在第二發光層512中，cgDBCzPA是主體材料，1,6BnfAPrn-03是螢光材料(客體材料)。

接著，準備密封基板550。此外，如圖56C及表7所示，發光元件10的密封基板550設置有彩色層556。在本參考實例中，作為彩色層556，形成紅色(R)濾色片。

在氮氛圍的手套箱中，以不使其暴露於大氣的方式將藉由上述步驟製造的基板502上的發光元件和密封基板550貼合在一起，由此進行密封。作為密封方法，採用與實施例1相同的方法。

藉由上述製程，製造了發光元件10及發光元件11。

<4-2.發光元件12的製造>

接著，作為透明導電層506，在下部電極504上利用濺射法形成ITSO膜。將透明導電層506的厚度設定為10nm。

接著，以形成有透明導電層506的面朝下方的方式將基板502固定於設置在真空蒸鍍裝置內的支架上。在本參考實例中，藉由真空蒸鍍法依次形成電洞注入層531、電洞傳輸層532、第二發光層512、電子傳輸層533(1)、電子傳輸層533(2)、電子注入層534、上部電極514(1)及上部電極514(2)。亦即，與發光元件10及發光元件11相比，沒有形成有光學調整層508及第一發光層510。下面，示出詳細的製造方法。

首先，將真空蒸鍍裝置內部減壓到10^-4Pa，然後作為電洞注入層531，在透明導電層506上以PcPPn：氧化鉬=2：1(重量比)的比例共蒸鍍PcPPn和氧化鉬。另外，將電洞注入層531的厚度設定為102.5nm。

接著，準備密封基板550。

藉由上述製程，製造了發光元件12。

注意，在上述發光元件10至發光元件12的蒸鍍過程中，作為蒸鍍方法採用電阻加熱法。

<4-3.發光元件10至發光元件12的特性>

圖57A示出發光元件10至發光元件12的亮度-電流密度特性。另外，圖57B示出發光元件10至發光元件12的亮度-電壓特性。此外，圖58A示出發光元件10至發光元件12的電流效率-亮度特性。注意，各發光元件的測定在室溫(保持為25℃的氛圍)下進行。

另外，表8示出1000cd/m²附近的發光元件10至發光元件12的元件特性。

此外，圖58B示出以2.5mA/cm²的電流密度對發光元件10至發光元件12施加電流時的發射光譜。如圖58B所示，發光元件10在紅色波長區內具有發射光譜峰值，發光元件11在綠色波長區內具有發射光譜峰值，發光元件12在藍色波長區內具有發射光譜峰值。注意，如表7所示，在發光元件10至發光元件12中，每個下部電極與發光層的間隔被調整。明確而言，發光元件10的下部電極504與發光元件10的第一發光層510的間隔為200nm，發光元件11的下部電極504與發光元件11的第一發光層510的間隔為165nm，發光元件12的下部電極504與發光元件12的第二發光層512的間隔為127.5nm。

另外，如表8、圖57A及圖57B和圖58A及圖58B所示，在發光元件10至發光元件12中，能夠得到高效率的元件特性，並得到所希望的波長範圍內的發光。此外，可知：在發光元件10及發光元件11中，雖然採用了設置有第二發光層512的結構，但是第二發光層512中的客體材料無助於發光。

(參考實例2)

下面，製造與實施例1至實施例3及參考實例1所示的元件不同的方式的發光元件(發光元件13至發光元件15)而進行評價。注意，發光元件13是與參考實例1所示的發光元件10相同的元件。因此，省略關於發光元件13的製造方法的說明。

圖56C示出發光元件13及發光元件14的剖面示意圖，圖56D示出發光元件15的剖面示意圖，表9示出發光元件13至發光元件15的元件結構的詳細內容。另外，關於所使用的化合物，採用與參考實例1相同的化合物。

<5-1.發光元件13、14的製造>

接著，作為透明導電層506，在下部電極504上利用濺射法形成ITSO膜。注意，將發光元件13的透明導電層506的厚度設定為110nm，將發光元件14的透明導電層506的厚度設定為85nm。

首先，將真空蒸鍍裝置內部減壓到10^-4Pa，然後作為電洞注入層531，在透明導電層506上以PcPPn：氧化鉬=2：1(重量比)的比例共蒸鍍PcPPn和氧化鉬。另外，將發光元件13的電洞注入層531的厚度設定為55nm，將發光元件14的電洞注入層531的厚度設定為40nm。

接著，在電洞傳輸層532上形成光學調整層508。作為光學調整層508，以厚度為20nm的方式蒸鍍BPAFLP。

接著，在光學調整層508上形成第一發光層510。作為第一發光層510，以2mDBTBPDBq-II：PCBBiF：Ir(tBuppm)₂(acac)=0.8：0.2：0.06(重量比)的比例共蒸鍍2mDBTBPDBq-II、PCBBiF和Ir(tBuppm)₂(acac)。此外，將第一發光層510的厚度設定為25nm。

接著，在第一發光層510上形成第二發光層512。作為第二發光層512，以cgDBCzPA：1,6BnfAPrn-03=1：0.05(重量比)的比例共蒸鍍cgDBCzPA和1,6BnfAPrn-03。另外，將第二發光層512的厚度設定為25nm。

此外，如圖56C及表9所示，發光元件13及發光元件14的密封基板550設置有彩色層556。在本參考實例中，作為發光元件13的彩色層556形成紅色(R)濾色片，作為發光元件14的彩色層556形成綠色(G)濾色片。

在氮氛圍的手套箱中，以不使其暴露於大氣的方式將藉由上述步驟製造的基板502上的發光元件和藉由上述步驟製造的密封基板550貼合在一起，由此進行密封。作為密封方法，採用與實施例1的發光元件相同的方法。

藉由上述製程，製造了發光元件13及發光元件14。

<5-2.發光元件15的製造>

接著，以形成有透明導電層506的面朝下方的方式將基板502固定於設置在真空蒸鍍裝置內的支架上。在本參考實例中，藉由真空蒸鍍法依次形成電洞注入層531、電洞傳輸層532、第二發光層512、電子傳輸層533(1)、電子傳輸層533(2)、電子注入層534、上部電極514(1)及上部電極514(2)。亦即，與發光元件13及發光元件14相比，沒有形成有光學調整層508及第一發光層510。下面，示出詳細的製造方法。

另外，如圖56D及表9所示，發光元件15的密封基板550設置有彩色層556。在本參考實例中，作為發光元件15的彩色層556，形成藍色(B)濾色片。

在氮氛圍的手套箱中，以不使其暴露於大氣的方式將藉由上述步驟製造的基板502上的發光元件和藉由上述步驟製造的密封基板550貼合在一起，由此進行密封。此外，作為密封方法，採用與實施例1的發光元件相同的方法。

藉由上述製程，製造了發光元件15。

注意，在上述發光元件13至發光元件15的蒸鍍過程中，作為蒸鍍方法採用電阻加熱法。

<5-3.發光元件13至發光元件15的特性>

圖59A示出發光元件13至發光元件15的亮度-電流密度特性。另外，圖59B示出發光元件13至發光元件15的亮度-電壓特性。此外，圖60A示出發光元件13至發光元件15的電流效率-亮度特性。注意，各發光元件的測定在室溫(保持為25℃的氛圍)下進行。

另外，表10示出1000cd/m²附近的發光元件13至發光元件15的元件特性。

此外，圖60B示出以2.5mA/cm²的電流密度對發光元件13至發光元件15施加電流時的發射光譜。如圖60B所示，發光元件13在紅色波長區內具有發射光譜峰值，發光元件14在綠色波長區內具有發射光譜峰值，發光元件15在藍色波長區內具有發射光譜峰值。

另外，如表10、圖59A及圖59B和圖60A及圖60B所示，在發光元件13至發光元件15中，能夠得到高效率的元件特性，並得到所希望的波長範圍內的發光。此外，與參考實例1的發光元件11及發光元件12相比，發光元件14及發光元件15是設置彩色層556的結構，所以色純度良好。

(參考實例3)

下面，製造與實施例1至實施例3、參考實例1及參考實例2所示的元件不同的方式的發光元件(發光元件16至發光元件18)而進行評價。

圖56C示出發光元件16及發光元件17的剖面示意圖，圖56D示出發光元件18的剖面示意圖，表11示出發光元件16至發光元件18的元件結構的詳細內容。另外，關於所使用的化合物，採用與參考實例1相同的化合物。

<6-1.發光元件16、17的製造>

接著，作為透明導電層506，在下部電極504上利用濺射法形成ITSO膜。注意，將發光元件16的透明導電層506的厚度設定為110nm，將發光元件17的透明導電層506的厚度設定為85nm。

首先，將真空蒸鍍裝置內部減壓到10^-4Pa，然後作為電洞注入層531，在透明導電層506上以PcPPn：氧化鉬=2：1(重量比)的比例共蒸鍍PcPPn和氧化鉬。另外，將發光元件16的電洞注入層531的厚度設定為40nm，將發光元件17的電洞注入層531的厚度設定為32.5nm。

接著，在電洞傳輸層532上形成光學調整層508。作為光學調整層508，以厚度為25nm的方式蒸鍍PCBBiF。

接著，在光學調整層508上形成第一發光層510(1)。作為第一發光層510(1)，以2mDBTBPDBq-II：PCBBiF：Ir(tBuppm)₂(acac)=0.8：0.2：0.06(重量比)的比例共蒸鍍2mDBTBPDBq-II、PCBBiF和Ir(tBuppm)₂(acac)。此外，將第一發光層510(1)的厚度設定為20nm。

接著，在第一發光層510(1)上形成第一發光層510(2)。作為第一發光層510(2)，以2mDBTBPDBq-II：Ir(tBuppm)₂(acac)=1：0.06(重量比)的比例共蒸鍍2mDBTBPDBq-II和Ir(tBuppm)₂(acac)。另外，將第一發光層510(2)的厚度設定為15nm。

接著，在第一發光層510(2)上形成第二發光層512。作為第二發光層512，以cgDBCzPA：1,6BnfAPrn-03=1：0.02(重量比)的比例共蒸鍍cgDBCzPA和1,6BnfAPrn-03。另外，將第二發光層512的厚度設定為25nm。

此外，如圖56C及表11所示，發光元件16及發光元件17的密封基板550設置有彩色層556。在本參考實例中，作為發光元件16的彩色層556形成紅色(R)濾色片，作為發光元件17的彩色層556形成綠色(G)濾色片。

藉由上述製程，製造了發光元件16及發光元件17。

<6-2.發光元件18的製造>

接著，以形成有透明導電層506的面朝下方的方式將基板502固定於設置在真空蒸鍍裝置內的支架上。在本參考實例中，藉由真空蒸鍍法依次形成電洞注入層531、電洞傳輸層532、第二發光層512、電子傳輸層 533(1)、電子傳輸層533(2)、電子注入層534、上部電極514(1)及上部電極514(2)。亦即，與發光元件16及發光元件17相比，沒有形成有光學調整層508及第一發光層510。下面，示出詳細的製造方法。

接著，在電洞傳輸層532上形成第二發光層512。作為第二發光層512，以cgDBCzPA：1,6BnfAPrn-03=1：0.02(重量比)的比例共蒸鍍cgDBCzPA和1,6BnfAPrn-03。另外，將第二發光層512的厚度設定為25nm。

另外，如圖56D及表11所示，發光元件18的密封基板550設置有彩色層556。在本參考實例中，作為發光元件18的彩色層556，形成藍色(B)濾色片。

藉由上述製程，製造了發光元件18。

注意，在上述發光元件16至發光元件18的蒸鍍過程中，作為蒸鍍方法採用電阻加熱法。

<6-3.發光元件16至發光元件18的特性>

圖61A示出發光元件16至發光元件18的亮度-電流密度特性。另外，圖61B示出發光元件16至發光元件18的亮度-電壓特性。此外，圖62A示出發光元件16至發光元件18的電流效率-亮度特性。注意，各發光元件的測定在室溫(保持為25℃的氛圍)下進行。

另外，表12示出1000cd/m²附近的發光元件16至發光元件18的元件特性。

此外，圖62B示出以2.5mA/cm²的電流密度對發光元件16至發光元件18施加電流時的發射光譜。如圖62B所示，發光元件16在紅色波長區內具有發射光譜峰值，發光元件17在綠色波長區內具有發射光譜峰值，發光元件18在藍色波長區內具有發射光譜峰值。

另外，如表12、圖61A及圖61B和圖62A及圖62B所示，在發光元件16至發光元件18中，能夠得到高效率的元件特性，並得到所希望的波長範圍內的發光。

接著，對發光元件16至發光元件18進行可靠性試驗。圖63示出該可靠性試驗的結果。

在圖63中，作為可靠性試驗的測定方法，將初始亮度設定為5000cd/m²，並在電流密度恆定的條件下驅動發光元件16至發光元件18。縱軸表示初始亮度為100%時的正規化亮度(%)，橫軸表示元件的驅動時間(h)。從圖63所示的結果可知：在發光元件16中，過了831小時後的正規化亮度為88%；在發光元件17中，過了2013小時後的正規化亮度為91%；在發光元件18中，過了1850小時後的正規化亮度為85%。

從圖61A至圖63所示的結果可知：本參考實例的發光元件16至發光元件18具有良好的元件特性(電壓-亮度特性、亮度-電流效率特性及電壓-電流特性)以及高可靠性(正規化亮度-時間特性)。注意，與實施例3所示的本發明的一個實施方式的發光元件7至發光元件9相比，發光元件16至發光元件18在可靠性方面還稍有改善的餘地。

(參考實例4)

下面，對上面的實施例及參考實例所使用的有機化合物1,6BnfAPrn-03的合成方法進行說明。以下示出1,6BnfAPrn-03的結構。

<步驟1：6-碘苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃的合成>

將8.5g(39mmol)的苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃放入500mL三頸燒瓶中，對燒瓶內進行氮氣置換，然後添加 195mL的四氫呋喃(THF)。將該溶液冷卻到-75℃，然後將25mL(40mmol)的正丁基鋰(1.59mol/L正己烷溶液)滴加到該溶液中。在滴加之後，在室溫下攪拌所得到的溶液1小時。

在經過規定時間後，將該溶液冷卻到-75℃，對該溶液滴加將10g(40mmol)的碘溶解於40mL的THF。在滴加之後，在將所得到的溶液回升至室溫的同時攪拌17小時。在經過規定時間後，對該混合物添加硫代硫酸鈉水溶液而攪拌1小時，然後使用水洗滌該混合物的有機層，使用硫酸鎂使有機層乾燥。在乾燥之後，對該混合物進行自然過濾，藉由將所得到的溶液經過矽藻土(日本和光純藥工業公司製造，目錄號碼：531-16855)、矽酸鎂(日本和光純藥工業公司製造，目錄號碼：540-00135)進行吸引過濾。使用甲苯對使所得到的濾液濃縮而得到的固體進行再結晶，以45%的產率得到6.0g(18mmol)的目的物的白色粉末。以下(a-1)示出步驟1的合成方案。

<步驟2：6-苯基苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃的合成>

將6.0g(18mmol)的6-碘苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃、2.4g(19mmol)的苯硼酸、70mL的甲苯、20mL的乙醇及22mL的碳酸鉀水溶液(2.0mol/L)放入200mL三頸燒瓶中。在對該混合物進行減壓的同時攪拌該混合物而使其脫氣。在脫氣之後，利用氮氣取代燒瓶內的空氣，添加480mg(0.42mmol)的四(三苯基膦)鈀(0)。在氮氣流下以90℃攪拌該混合物12小時。

在經過規定時間後，將水添加到該混合物中，使用甲苯對水層進行萃取。混合所得到的萃取溶液和有機層，使用水進行洗滌，然後使用硫酸鎂進行乾燥。對該混合物進行自然過濾，將使所得到的濾液濃縮而得到的固體溶解於甲苯。藉由將所得到的溶液經過矽藻土(日本和光純藥工業公司製造，目錄號碼：531-16855)、矽酸鎂(日本和光純藥工業公司製造，目錄號碼：540-00135)、礬土進行吸引過濾。使用甲苯對使所得到的濾液濃縮而得到的固體進行再結晶，以93%的產率得到4.9g(17mmol)的目的物的白色固體。以下(a-2)示出步驟2的合成方案。

<步驟3：8-碘-6-苯基苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃的合成>

將4.9g(17mmol)的6-苯基苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃放入300mL三頸燒瓶中，對燒瓶內進行氮氣置換，然後添加87mL的四氫呋喃(THF)。將該溶液冷卻到-75℃，然後將11mL(18mmol)的正丁基鋰(1.59mol/L正己烷溶液)滴加到該溶液中。在滴加之後，在室溫下攪拌該溶液1小時。在經過規定時間後，將該溶液冷卻到-75℃，對該溶液滴加將4.6g(18mmol)的碘溶解於18mL的THF的溶液。

在將所得到的溶液回升至室溫的同時攪拌17小時。在經過規定時間後，對該混合物添加硫代硫酸鈉水溶液而攪拌1小時，然後使用水洗滌該混合物的有機層，使用硫酸鎂使有機層乾燥。對該混合物進行自然過濾，藉由將所得到的溶液經過矽藻土(日本和光純藥工業公司、目錄號碼：531-16855)、矽酸鎂(日本和光純藥工業公司、目錄號碼：540-00135)及礬土進行吸引過濾。使用甲苯對使所得到的濾液濃縮而得到的固體進行再結晶，以53%的產率得到3.7g(8.8mmol)的目的物的白色固體。以下(a-3)示出步驟3的合成方案。

<步驟4：1,6BnfAPrn-03的合成>

將0.71g(2.0mmol)的1,6-二溴芘、1.0g(10.4mmol)的三級丁醇鈉、10mL的甲苯、0.36mL(4.0mmol)的苯胺及0.3mL的三(三級丁基)膦(10wt%己烷溶液)放入100mL三頸燒瓶中，對燒瓶內進行氮氣置換。對該混合物添加50mg(85μmol)的雙(二亞苄基丙酮)鈀(0)，以80℃攪拌2小時。

在經過規定時間後，對所得到的混合物添加1.7g(4.0mmol)的8-碘-6-苯基苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃、180mg(0.44mmol)的2-二環己基膦基-2’,6’-二甲氧基聯苯(簡稱：S-Phos)及50mg(85μmol)的雙(二亞苄基丙酮)鈀(0)，以100℃攪拌該混合物15小時。在經過規定時間後，藉由將所得到的混合物經過矽藻土(日本和光純藥工業公司製造，目錄號碼：531-16855)進行過濾。使用乙醇對使所得到的濾液濃縮而得到的固體進行洗滌並使用甲苯進行再結晶，以71%的產率得到1.38g(1.4mmol)的目的物的黃色固體。

藉由利用梯度昇華方法(train sublimation method)對所得到的1.37g(1.4mmol)的黃色固體進行昇華提純。在昇華提純中，在氬流量為10mL/min且壓力為2.3Pa的條件下，以370℃對黃色固體進行加熱。在進行昇華提純之後，以50%的收集率得到0.68g(0.70mmol)的黃色固體。以下(a-4)示出步驟4的合成方案。

下面，示出利用核磁共振波譜法(¹H NMR)對藉由上述步驟4得到的黃色固體進行分析的結果。

¹H NMR(二氯甲烷-d2、500MHz)：δ=6.88(t、J=7.7Hz、4H)、7.03-7.06(m、6H)、7.11(t、J=7.5Hz、2H)、7.13(d、J=8.0Hz、2H)、7.28-7.32(m、8H)、7.37(t、J=8.0Hz、2H)、7.59(t、 J=7.2Hz、2H)、7.75(t、J=7.7Hz、2H)、7.84(d、J=9.0Hz、2H)、7.88(d、J=8.0Hz、2H)、8.01(s、2H)、8.07(d、J=8.0Hz、4H)、8.14(d、J=9.0Hz、2H)、8.21(d、J=8.0Hz、2H)、8.69(d、J=8.5Hz、2H)。

(參考實例5)

下面，對上面的實施例所使用的新穎的化合物Ir(iBu5bpm)₂(acac)的合成方法的一個例子進行說明。此外，下面示出Ir(iBu5bpm)₂(acac)的結構。

<步驟1：4-氯-6-(2-甲基丙基)嘧啶的合成>

首先，將1.02g的4,6-二氯嘧啶、0.14g的三(2,4-戊二酮根)鐵(III)(簡稱：Fe(acac)₃)、67mL的dry THF以及5.6mL的1-甲基-2-吡咯烷酮(簡稱：NMP)放入200mL的三頸燒瓶，對燒瓶內進行氮氣置換。在用冰冷卻燒瓶後，對該燒瓶添加6.7mL的異丁鎂溴化物(簡稱：iBuMgBr)的1M THF溶液，並在室溫下攪拌20小時。然後，在該溶液中添加1M鹽酸，使用乙酸乙酯萃取有機層。使用飽和碳酸氫鈉水溶液及飽和食鹽水對得到的萃取溶液進行洗滌，並使用硫酸鎂進行乾燥。對乾燥之後的溶液進行過濾。在蒸餾去除該溶液的溶劑後，利用作為展開溶劑使用二氯甲烷和乙酸乙酯(體積比為二氯甲烷：乙酸乙酯=10：1)的快速管柱層析法來對所得到的殘渣進行精煉，由此得到目的物(黃色油，產率為65%)。如下(b-1)示出步驟1的合成方案。

<步驟2：4-異丁基-6-(聯苯-3-基)嘧啶(簡稱：HiBu5bpm)的合成>

接著，將藉由上述步驟1得到的1.50g的4-氯-6-(2-甲基丙基)嘧啶、2.57g的3-聯苯硼酸、4.06g的碳酸鈉、0.077g的雙(三苯基膦)二氯化鈀(II)(簡稱：PdCl₂(PPh₃)₂)、20mL的水以及20mL的DMF放入安裝有回流管的茄形燒瓶，對該燒瓶內部進行氬氣置換。對該反應容器照射微波(2.45GHz，100W)2小時來進行加熱。此外，使用微波合成裝置(CEM公司製造，Discover)照射微波。然後，在該溶液中添加水，使用二氯甲烷萃取有機層。使用水以及飽和食鹽水對所得到的有機層進行洗滌，然後使用硫酸鎂進行乾燥。對乾燥之後的溶液進行過濾。在蒸餾去除該溶液的溶劑後，利用作為展開溶劑使用己烷和乙酸乙酯(體積比為己烷：乙酸乙酯=2：1)的快速管柱層析法來對所得到的殘渣進行精煉，由此得到目的物的嘧啶衍生物HiBu5bpm(簡稱)(淡黃色油，產率為95%)。如下(b-2)示出步驟2的合成方案。

<步驟3：二-μ-氯-四{4-苯基-2-[6-(2-甲基丙基)-4-嘧啶基-κN3]苯基-κC}二銥(III)(簡稱：[Ir(iBu5bpm)₂Cl]₂)的合成>

接著，將30mL的2-乙氧基乙醇、10mL的水、藉由上述步驟2得到的2.38g的HiBu5bpm(簡稱)以及1.17g的氯化銥水合物(IrCl₃．nH₂O)(日本古屋金屬公司製造)放入安裝有回流管的茄形燒瓶，對該燒瓶內進行氬氣置換。然後，對其照射微波(2.45GHz，100W)1小時以引起反應。在蒸餾去除溶劑之後，使用甲醇對所得到的殘渣進行吸引過濾及洗滌，由此得到雙核錯合物[Ir(iBu5bpm)₂Cl]₂(簡稱)(綠色粉末，產率為34%)。如下(b-3)示出步驟3的合成方案。

<步驟4：雙{4-苯基-2-[6-(2-甲基丙基)-4-嘧啶基-κN3]苯基-κC}(2,4-戊二酮根-κ²O,O’)銥(III)(簡稱：Ir(iBu5bpm)₂(acac))的合成>

再者，將20mL的2-乙氧基乙醇、1.10g的藉由上述步驟3得到的雙核錯合物的[Ir(iBu5bpm)₂Cl]₂(簡稱)、0.21g的乙醯丙酮(簡稱：Hacac)以及0.73g的碳酸鈉放入安裝有回流管的茄形燒瓶，對該燒瓶內進行氬氣置換。然後，對其照射微波(2.45GHz，120W)60分鐘來進行加熱。並且，添加0.21g的Hacac(簡稱)，並對該反應容器照射微波(2.45GHz，120W)60分鐘來進行加熱。在蒸餾去除溶劑之後，使用甲醇對所得到的殘渣進行吸引過濾，並使用水、甲醇進行洗滌。利用作為展開溶劑使用二氯甲烷和乙酸乙酯(體積比為二氯甲烷：乙酸乙酯=10：1)的快速管柱層析法來對所得到的固體進行精煉，然後使用二氯甲烷和甲醇的混合溶劑進行再結晶，由此得到新穎的化合物的Ir(iBu5bpm)₂(acac)作為黃橙色粉末(產率為27%)。利用梯度昇華方法對所得到的0.32g的黃橙色粉末固體進行昇華提純。在昇華提純中，在壓力為2.7Pa、氬流量為5mL/min的條件下，以285℃對固體進行加熱。在該昇華提純之後，以88%的產率得到目的物的黃橙色固體。如下(b-4)示出步驟4的合成方案。

下面，示出利用核磁共振波譜法(¹H NMR)對藉由上述步驟4得到的黃色粉末進行分析的結果。另外，圖64示出¹H NMR譜。

¹H NMR.δ(CD₂Cl₂)：1.06(t,12H)，1.83(s,6H)，2.27-2.32(m,2H)，2.89(d,4H)，5.36(s,1H)，6.49(d,2H)，7.08(d,2H)，7.30(t,2H)，7.40(t,4H)，7.55(d,4H)，7.74(s,2H)，7.91(s,2H)，9.03(s,2H)。

接著，測定Ir(iBu5bpm)₂(acac)的二氯甲烷溶液的紫外可見吸收光譜(以下只稱為“吸收光譜”)及發射光譜。當測定吸收光譜時，使用紫外-可見分光光度計(日本分光公司製造，V550型)，將二氯甲烷溶液(9.6μmol/L)放在石英皿，並在室溫下進行測定。此外，當測定發射光譜時，使用絕對PL量子產率測定裝置(日本濱松光子學公司製造，C11347-01)，在手套箱(日本Bright公司製造，LABstarM13(1250/780))中，在氮氛圍下將二氯甲烷去氧溶液(9.6μmol/L)放在石英皿，密封，並在室溫下進行測定。圖65示出所得到的吸收光譜及發射光譜的測定結果。在圖65中，橫軸表示波長，縱軸表示吸收強度及發射強度。此外，在圖65中表示兩個實線，其中細線表示吸收光譜，粗線表示發射光譜。另外，圖65所示的吸收光譜表示從將二氯甲烷溶液(9.6μmol/L)放在石英皿測定的吸收光譜減去只將二氯甲烷放在石英皿測定的吸收光譜而得到的結果。

如圖65所示，Ir(iBu5bpm)₂(acac)在555nm處具有發射峰值，並且在二氯甲烷溶液中觀察到黃色的發光。

再者，使用高真空差動式差熱天平(high vacuum differential type differential thermal balance)(布魯克AXS公司製造，TG-DTA2410SA)測定所得到的Ir(iBu5bpm)₂(acac)的失重率。在10Pa的真空度下以10℃/min的升溫速率將溫度上升。其結果，如圖66所示，可知：Ir(iBu5bpm)₂(acac)在低於300℃的溫度下失重率為100%，並且呈現良好的昇華性。

100‧‧‧發光裝置

101B‧‧‧發光元件

101G‧‧‧發光元件

101R‧‧‧發光元件

102‧‧‧基板

104B‧‧‧下部電極

104G‧‧‧下部電極

104R‧‧‧下部電極

106B‧‧‧透明導電層

106G‧‧‧透明導電層

106R‧‧‧透明導電層

110‧‧‧發光層

112‧‧‧發光層

114‧‧‧上部電極

Claims

一種發光裝置，包括：第一發光元件，包括：第一下部電極；該第一下部電極上的第一透明導電層；該第一透明導電層上的第一發光層；該第一發光層上的第二發光層；該第二發光層上及接觸該第二發光層的電子傳輸層；以及該第二發光層上的上部電極；第二發光元件，包括：第二下部電極；該第二下部電極上的第二透明導電層；該第二透明導電層上的該第一發光層；該第一發光層上的該第二發光層；該第二發光層上及接觸該第二發光層的該電子傳輸層；以及該第二發光層上的該上部電極；以及第三發光元件，包括：第三下部電極；該第三下部電極上的第三透明導電層；該第三透明導電層上的該第二發光層；該第二發光層上及接觸該第二發光層的該電子傳輸層；以及該第二發光層上的該上部電極，其中，該第一透明導電層的厚度大於該第二透明導電層的厚度，該第二透明導電層的該厚度與該第三透明導電層的厚度大致相同，該第一至第三發光元件的發射光譜峰值具有不同波長，該第一發光層包括具有第一主體材料、第二主體材料、及客體材料之第一層與第二層，並且當λ_R是紅色光波長時，該第一下部電極與該第一發光層的該第一層之間的光學距離為3λ_R/4。
一種發光裝置，包括：第一發光元件，包括：第一下部電極；該第一下部電極上的第一透明導電層；該第一透明導電層上的光學調整層；該光學調整層上的第一發光層；該第一發光層上的第二發光層；該第二發光層上及接觸該第二發光層的電子傳輸層；以及該第二發光層上的上部電極；第二發光元件，包括：第二下部電極；該第二下部電極上的第二透明導電層；該第二透明導電層上的該光學調整層；該光學調整層上的該第一發光層；該第一發光層上的該第二發光層；該第二發光層上及接觸該第二發光層的該電子傳輸層；以及該第二發光層上的該上部電極；以及第三發光元件，包括：第三下部電極；該第三下部電極上的第三透明導電層；該第三透明導電層上的該第二發光層；該第二發光層上及接觸該第二發光層的該電子傳輸層；以及該第二發光層上的該上部電極，其中，該第一透明導電層的厚度大於該第二透明導電層的厚度，該第二透明導電層的該厚度與該第三透明導電層的厚度大致相同，該第一至第三發光元件的發射光譜峰值具有不同波長，該第一發光層包括具有第一主體材料、第二主體材料、及客體材料之第一層與第二層，並且當λ_R是紅色光波長時，該第一下部電極與該第一發光層的該第一層之間的光學距離為3λ_R/4。
一種發光裝置，包括：第一發光元件，包括：電連接於第一電晶體的第一下部電極；該第一下部電極上的第一透明導電層；該第一透明導電層上的第一發光層；該第一發光層上的第二發光層；該第二發光層上及接觸該第二發光層的電子傳輸層；以及該第二發光層上的上部電極；第二發光元件，包括：電連接於第二電晶體的第二下部電極；該第二下部電極上的第二透明導電層；該第二透明導電層上的該第一發光層；該第一發光層上的該第二發光層；該第二發光層上及接觸該第二發光層的該電子傳輸層；以及該第二發光層上的該上部電極；以及第三發光元件，包括：電連接於第三電晶體的第三下部電極；該第三下部電極上的第三透明導電層；該第三透明導電層上的該第二發光層；該第二發光層上及接觸該第二發光層的該電子傳輸層；以及該第二發光層上的該上部電極，其中，該第一透明導電層的厚度大於該第二透明導電層的厚度，該第二透明導電層的該厚度與該第三透明導電層的厚度大致相同，該第一至第三發光元件的發射光譜峰值具有不同波長，該第一發光層包括具有第一主體材料、第二主體材料、及客體材料之第一層與第二層，並且當λ_R是紅色光波長時，該第一下部電極與該第一發光層的該第一層之間的光學距離為3λ_R/4。
根據申請專利範圍第1至3項中任一項之發光裝置，其中該第一發光元件還包括該第一透明導電層上的電洞注入層、該電洞注入層上的電洞傳輸層、以及該電子傳輸層上的電子注入層，該第二發光元件還包括該第二透明導電層上的該電洞注入層、該電洞注入層上的該電洞傳輸層、以及該電子傳輸層上的該電子注入層，並且該第三發光元件還包括該第三透明導電層上的該電洞注入層、該電洞注入層上的該電洞傳輸層、以及該電子傳輸層上的該電子注入層。
根據申請專利範圍第1至3項中任一項之發光裝置，其中該第一發光元件的發射光譜在600nm以上且740nm以下的波長範圍內包括峰值，該第二發光元件的發射光譜在480nm以上且小於600nm的波長範圍內包括峰值，並且該第三發光元件的發射光譜在400nm以上且小於480nm的波長範圍內包括峰值。
根據申請專利範圍第1至3項中任一項之發光裝置，其中該第一下部電極與該第一發光層之間的距離大於該第二下部電極與該第一發光層之間的距離，並且該第二下部電極與該第二發光層之間的距離大於該第三下部電極與該第二發光層之間的距離。
根據申請專利範圍第1至3項中任一項之發光裝置，當λ_G是綠色光波長時，該第二下部電極與該第一發光層之間的光學距離為3λ_G/4，並且當λ_B是藍色光波長時，該第三下部電極與該第二發光層之間的光學距離為3λ_B/4。
根據申請專利範圍第1至3項中任一項之發光裝置，其中該第一發光層包括磷光材料作為該客體材料，並且該第二發光層包括螢光材料。
根據申請專利範圍第2項之發光裝置，其中該光學調整層具有電洞傳輸性。