CN114551524A - 电光装置和电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供电光装置和电子设备,能够实现光取出效率或视角特性的提高。本发明的电光装置具有:第1发光元件,其包含电极、和与所述电极分开第1光学距离地设置的第1反射层;第2发光元件,其包含所述电极、和与所述电极分开第2光学距离地设置的第2反射层;第1微透镜,其构成为,从所述第1发光元件射出的光入射到该第1微透镜;以及第2微透镜,其构成为,从所述第2发光元件射出的光入射到该第2微透镜,与所述第1光学距离对应的第1色光的光谱的半值宽度不同于与所述第2光学距离对应的第2色光的光谱的半值宽度,所述第1微透镜的曲率小于所述第2微透镜的曲率。

Description

电光装置和电子设备
技术领域
本发明涉及电光装置和电子设备。
背景技术
已知具备有机EL(电致发光)元件等发光元件的显示装置等电光装置。
专利文献1所记载的显示装置具有多个发光元件和多个微透镜。该微透镜按每个发光元件独立地形成。各微透镜使从对应的发光元件射出的光的方向变化。此外,专利文献1所记载的全部微透镜的曲率彼此相等地形成。
专利文献1:日本特开第2012-134128号公报
如专利文献1那样,认为通过使用使光会聚的微透镜,能够提高光的取出效率。并且例如,认为通过使用使光发散的微透镜,能够提高光的视角特性。
从发光元件射出的光的半值宽度按照每个颜色而不同。并且,从发光元件射出的光例如在通过光谐振结构进行谐振时,光的配光特性按照每个颜色而不同。因此,当在不考虑光的半值宽度,而针对全部发光元件使用了相同曲率的微透镜的情况下,有可能无法充分发挥微透镜的功能。其结果,即便使用微透镜,也难以充分提高光的取出效率或视角特性。
发明内容
本发明的电光装置的一个方式具有:第1发光元件,其包含电极、和与所述电极分开第1光学距离地设置的第1反射层;第2发光元件,其包含所述电极、和与所述电极分开第2光学距离地设置的第2反射层;第1微透镜,其构成为,从所述第1发光元件射出的光入射到该第1微透镜;以及第2微透镜,其构成为,从所述第2发光元件射出的光入射到该第2微透镜,与所述第1光学距离对应的第1色光的光谱的半值宽度不同于与所述第2光学距离对应的第2色光的光谱的半值宽度,所述第1微透镜的曲率小于所述第2微透镜的曲率。
本发明的电子设备的一个方式具有:第1面板,其具有第1发光元件,并具有第1微透镜,所述第1发光元件包含第1电极、和与所述第1电极分开第1光学距离地设置的第1反射层,所述第1微透镜构成为,从所述第1发光元件射出的光入射到该第1微透镜;第2面板,其具有第2发光元件,并具有第2微透镜,所述第2发光元件包含第2电极、和与所述第2电极分开第2光学距离地设置的第2反射层,所述第2微透镜构成为,从所述第2发光元件射出的光入射到该第2微透镜;第3面板,其具有第3发光元件,并具有第3微透镜,所述第3发光元件包含第3电极、和与所述第3电极分开第3光学距离地设置的第3反射层,所述第3微透镜构成为,从所述第3发光元件射出的光入射到该第3微透镜;以及颜色合成棱镜,其射出合成光,所述合成光是对从所述第1面板、所述第2面板和所述第3面板射出的光进行合成而得的,与所述第1光学距离对应的第1色光的光谱的半值宽度不同于与所述第2光学距离对应的第2色光的光谱的半值宽度以及与所述第3光学距离对应的第3色光的光谱的半值宽度,所述第1微透镜的曲率小于所述第2微透镜和所述第3微透镜的曲率。
本发明的电子设备的一个方式具有:所述电光装置;以及控制部,其控制所述电光装置的动作。
附图说明
图1是示意性地表示第1实施方式的电光装置的俯视图。
图2是图1所示的子像素的等效电路图。
图3是表示元件基板的一部分的俯视图。
图4是图1所示的电光装置的剖视图。
图5是图1所示的电光装置的剖视图。
图6是表示具有光谐振结构的发光元件的光的光谱的图。
图7是图1所示的电光装置所具有的透镜部的概略俯视图。
图8是图1所示的电光装置的概略剖视图。
图9是表示半值宽度宽的色光的配光特性的图。
图10是表示半值宽度窄的色光的配光特性的图。
图11是表示基于半值宽度宽的色光的微透镜的高度与相对亮度的关系的图。
图12是表示基于半值宽度窄的色光的微透镜的高度与相对亮度的关系的图。
图13是表示实现了微透镜的曲率的最优化的情况下的光的光谱的图。
图14是表示第2实施方式的电光装置的剖视图。
图15是表示作为电子设备的一例的显示装置的概略图。
图16是表示第3实施方式的射出红色波段的光的面板的剖视图。
图17是表示第3实施方式的射出绿色波段的光的面板的剖视图。
图18是表示第3实施方式的射出蓝色波段的光的面板的剖视图。
图19是表示第4实施方式的射出红色波段的光的面板的剖视图。
图20是表示第4实施方式的射出绿色波段的光的面板的剖视图。
图21是表示第4实施方式的射出蓝色波段的光的面板的剖视图。
图22是表示第5实施方式的射出红色波段的光的面板的剖视图。
图23是表示第5实施方式的射出蓝色波段的光的面板的剖视图。
图24是表示基于半值宽度宽的色光的透镜间距离与相对亮度的关系的图。
图25是表示基于半值宽度窄的色光的透镜间距离与相对亮度的关系的图。
图26是表示变形例的电光装置的剖视图。
图27是表示其他变形例的电光装置的剖视图。
图28是表示其他变形例的电光装置的剖视图。
图29是表示其他变形例的电光装置的剖视图。
图30是示意性地表示作为电子设备的一例的虚像显示装置的一部分的俯视图。
图31是表示作为电子设备的一例的个人计算机的立体图。
标号说明
1:元件基板;2:发光部;4:密封层;5:滤色器;7:透光性基板;8:透镜部;10:基板;13:扫描线;14:数据线;15:供电线;16:供电线;20:发光元件;21:绝缘层;22:透光层;23:像素电极;24:有机层;25:公共电极;26:反射部;27:绝缘部;28:接触电极;29:光谐振结构;30:像素电路;31:开关用晶体管;32:驱动用晶体管;33:保持电容;41:第1密封层;42:第2密封层;43:第3密封层;50:着色层;51:绝缘层;71:准直器;72:导光体;73:第1反射型体积全息元件;74:第2反射型体积全息元件;79:控制部;80:覆盖层;81:微透镜;90:颜色合成棱镜;91:第1入射面;92:第2入射面;93:第3入射面;94:射出面;95:第1分色镜;96:第2分色镜;100:电光装置;100B:面板;100G:面板;100R:面板;101:数据线驱动电路;102:扫描线驱动电路;103:控制电路;104:外部端子;220:元件分离层;221:第1绝缘膜;222:第2绝缘膜;240:发光层;261:反射层;400:个人计算机;401:电源开关;402:键盘;403:主体部;409:控制部;700:虚像显示装置;721:面;722:面;900:显示装置;A10:显示区域;A20:外围区域;A:发光区域;EY:瞳孔;L0:光学距离;LL:影像光;P:像素;P0:子像素;S:空间;Vct:电源电位;Vel:电源电位;W:半值宽度。
具体实施方式
以下,参照附图说明本发明的优选实施方式。另外,在附图中,各部分的尺寸和比例尺与实际的尺寸和比例尺适当不同,也有为了容易理解而示意性地示出的部分。此外,在以下的说明中,只要没有特别限定本发明的记载,则本发明的范围不限于这些方式。
1.电光装置100
1A.第1实施方式
1A-1.电光装置100的整体结构
图1是示意性地表示第1实施方式的电光装置100的俯视图。另外,以下为了便于说明,适当使用相互垂直的X轴、Y轴和Z轴进行说明。另外,将沿着X轴的一个方向设为X1方向,将与X1方向相反的方向设为X2方向。同样地,将沿着Y轴的一个方向设为Y1方向,将与Y1方向相反的方向设为Y2方向。将沿着Z轴的一个方向设为Z1方向,将与Z1方向相反的方向设为Z2方向。将从Z1方向或Z2方向观察电光装置100的情况设为“俯视”。
图1所示的电光装置100是利用有机EL(电致发光)显示全彩色图像的装置。另外,在图像中包含仅显示字符信息的图像。电光装置100例如是适合用于头戴式显示器等的微型显示器。
电光装置100具有显示图像的显示区域A10、和在俯视时包围显示区域A10周围的外围区域A20。显示区域A10具有多个像素P。各像素P是图像显示中的最小单位。在图示的例子中,多个像素P在X1方向以及Y2方向上配置成矩阵状。各像素P具有:子像素PR,其获得红色波段的光;子像素PB,其获得蓝色波段的光;以及子像素PG,其获得绿色波段的光。由子像素PB、子像素PG以及子像素PR构成彩色图像的一个像素P。蓝色波段是比绿色波段短的波段,绿色波段是比红色波段短的波段。该红色波段超过580nm且为700nm以下。该绿色波段为500nm以上且580nm以下。该蓝色波段为400nm以上且小于500nm。
在本实施方式中,蓝色波段的光是“第1色光”。红色波段的光和绿色波段的光中的任意一方是“第2色光”,另一方是“第3色光”。
以下,在不区分子像素PB、子像素PG以及子像素PR的情况下,记为子像素P0。子像素P0是构成像素P的要素。子像素P0是被独立控制的最小单位。在本实施方式中,子像素P0的排列是矩形排列。在本实施方式中,像素P所具有的3个子像素P0中的子像素PG的面积最大。另外,也可以使子像素PB或PR的面积最大。
电光装置100具备元件基板1和具有透光性的透光性基板7。电光装置100是所谓的顶部发光结构,透过透光性基板7射出光。另外,透光性是指对可见光的透射性,优选可见光的透射率为50%以上。
元件基板1具有数据线驱动电路101、扫描线驱动电路102、控制电路103和多个外部端子104。数据线驱动电路101、扫描线驱动电路102、控制电路103以及多个外部端子104配置于外围区域A20。数据线驱动电路101和扫描线驱动电路102是对构成多个子像素P0的各部分的驱动进行控制的外围电路。控制电路103控制图像的显示。从未图示的上位电路向控制电路103供给图像数据。控制电路103将基于该图像数据的各种信号供给到数据线驱动电路101和扫描线驱动电路102。虽然未图示,但在外部端子104上连接有用于实现与上位电路的电连接的FPC(Flexible printed circuits:挠性印刷电路)基板等。并且,在元件基板1上电连接有未图示的电源电路。
透光性基板7是保护元件基板1所具有的后述的发光部2和滤色器5的对置基板。透光性基板7例如由玻璃基板或石英基板构成。
图2是图1所示的子像素P0的等效电路图。在元件基板1上设置有多条扫描线13、多条数据线14、多条供电线15以及多条供电线16。在图2中,代表性地图示了1个子像素P0和与其对应的要素。
扫描线13在X1方向上延伸,数据线14在Y1方向上延伸。另外,虽然未图示,但多条扫描线13和多条数据线14排列成格子状。另外,扫描线13与图1所示的扫描线驱动电路102连接,数据线14与图1所示的数据线驱动电路101连接。
如图2所示,子像素P0包含发光元件20和控制发光元件20的驱动的像素电路30。发光元件20是OLED(有机发光二极管)。发光元件20具有像素电极23、公共电极25和发光层240。公共电极25是“电极”的例示。
供电线15经由像素电路30与像素电极23电连接。另一方面,供电线16与公共电极25电连接。在此,从未图示的电源电路向供电线15供给高位侧的电源电位Vel。从未图示的电源电路向供电线16供给低位侧的电源电位Vct。像素电极23作为阳极发挥功能,公共电极25作为阴极发挥功能。在发光元件20中,从像素电极23供给的空穴和从公共电极25供给的电子在发光层240中复合,由此发光层240发出光。另外,像素电极23针对每个子像素P0而设置,像素电极23与其他像素电极23独立地被控制。
像素电路30具有开关用晶体管31、驱动用晶体管32以及保持电容33。开关用晶体管31的栅极与扫描线13电连接。另外,开关用晶体管31的源极和漏极中的一方与数据线14电连接,另一方与驱动用晶体管32的栅极电连接。另外,驱动用晶体管32的源极和漏极中的一方与供电线15电连接,另一方与像素电极23电连接。另外,保持电容33的一个电极与驱动用晶体管32的栅极连接,另一个电极与供电线15连接。
在以上的像素电路30中,当扫描线驱动电路102通过使扫描信号有效而选择扫描线13时,设置于所选择的子像素P0的开关用晶体管31导通。于是,从数据线14向与所选择的扫描线13对应的驱动用晶体管32供给数据信号。驱动用晶体管32对发光元件20供给与被供给的数据信号的电位(即、栅极与源极间的电位差)对应的电流。而且,发光元件20以与从驱动用晶体管32供给的电流的大小对应的亮度发光。另外,在扫描线驱动电路102解除扫描线13的选择而使开关用晶体管31截止的情况下,驱动用晶体管32的栅极电位由保持电容33保持。因此,发光元件20在开关用晶体管31被截止后,也能够维持发光元件20的发光。
另外,上述像素电路30的结构不限于图示的结构。例如,像素电路30还可以具有控制像素电极23与驱动用晶体管32之间的导通的晶体管。
1A-2.元件基板1
图3是表示图1所示的元件基板1的一部分的俯视图。在图3中,代表性地图示了1个像素P的要素。以下,在与子像素PR关联的要素标号的末尾附加“R”,在与子像素PG关联的要素标号的末尾附加“G”,在与子像素PB关联的要素标号的末尾附加“B”。此外,在不按每个显示颜色进行区分的情况下,省略标号末尾的“B”、“G”以及“R”。
如图3所示,元件基板1按每个像素P具有发光元件20R、20B、20G1及20G2的组。发光元件20R是设置于子像素PR的发光元件20。发光元件20B是设置于子像素PB的发光元件20。发光元件20G1和20G2分别是设置于子像素PG的发光元件20。此外,发光元件20G1和20G2按每个子像素PG共用1个像素电路30。因此,也可以将发光元件20G1和20G2视作1个发光元件20G。
在本实施方式中,子像素PB的发光元件20B是“第1发光元件”。子像素PR的发光元件20R和子像素PG的发光元件20G1中的任意一方是“第2发光元件”,另一方是“第3发光元件”。另外,也可以为,不是发光元件20G1、而是发光元件20G2为“第2发光元件”或“第3发光元件”。
发光元件20R具有发出包含红色波段在内的波段的光的发光区域AR。发光元件20B具有发出包含蓝色波段在内的波段的光的发光区域AB。发光元件20G1具有发出包含绿色波段在内的波段的光的发光区域AG1。发光元件20G2具有发出包含绿色波段在内的波段的光的发光区域AG2。
另外,在图3所示的例子中,发光区域AR、AG1、AG2以及AB各自的俯视时的形状为八边形。发光区域AR及AB在俯视时的各面积比发光区域AG1及AG2在俯视时的面积的合计小。另外,发光区域AR、AG1、AG2及AB的俯视时的形状可以彼此不同,也可以彼此相同。
图4以及图5分别是图1的电光装置100的剖视图。图4相当于子像素PR和PG的截面,图5相当于子像素PB和PG的截面。即,图4相当于沿图1中的A1-A1线的截面,图5相当于沿图1中的A2-A2线的截面。
如图4和图5所示,元件基板1具有基板10、发光部2、密封层4、滤色器5、绝缘层51、透镜部8和覆盖层80。它们按照该顺序在Z1方向上层叠。另外,发光部2具有上述多个发光元件20。另外,透光性基板7通过具有作为粘接剂的功能的填充剂60与元件基板1接合。元件基板1由于具有透镜部8,因此能够提高光取出效率。以下,对元件基板1所具有的各部分进行说明。
基板10没有详细图示,例如是在硅基板上形成有上述像素电路30的布线基板。此外,也可以代替硅基板,例如使用玻璃基板、树脂基板或陶瓷基板。并且,虽然未详细地图示,但是像素电路30具有的上述各晶体管可以是MOS型晶体管、薄膜晶体管和场效应晶体管中的任意一种。在像素电路30所具有的晶体管是具备有源层的MOS型晶体管的情况下,该有源层也可以由硅基板构成。作为像素电路30具有的各要素和各种布线的材料,例如可举出多晶硅、金属、金属硅化物和金属化合物等导电材料。
在基板10上配置有发光部2。发光部2具有反射部26、绝缘层21、透光层22、元件分离层220、多个像素电极23、有机层24以及作为“电极”的公共电极25。多个像素电极23是透光层,公共电极25是半透射反射层。发光部2通过这些要素形成上述多个发光元件20。另外,有机层24具有上述发光层240。
反射部26配置在基板10与公共电极25之间。反射部26包含具有光反射性的多个反射层261。各反射层261反射由发光层240发出的光。光反射性是指对可见光的反射性,优选可见光的反射率为50%以上。虽然未图示,但多个反射层261按照每个发光元件20进行设置。
在本实施方式中,发光元件20B所具有的反射层261B是“第1反射层”。发光元件20R所具有的反射层261R和发光元件20G1所具有的反射层261G1中任意一方是“第2反射层”,另一方是“第3反射层”。另外,也可以为,不是发光元件20G1、而是发光元件20G2为“第2反射层”或“第3反射层”。
作为反射部26的材料,例如可举出Al(铝)、Cu(铜)及Ag(银)等金属、或这些金属的合金。此外,反射部26也可以具有作为与像素电路30电连接的布线的功能。另外,虽然省略了图示,但也可以在反射部26与绝缘层21之间配置用于提高反射部26的光反射性的具有透光性以及绝缘性的反射增强膜。该反射增强膜例如为氧化硅膜。
绝缘层21配置在反射部26上,并且填埋反射部26所具有的多个反射层261之间。绝缘层21例如由氮化硅(SiN)膜构成。另外,虽未详细图示,但绝缘层21例如是多层的层叠体。
在绝缘层21上配置有多个接触电极28。接触电极28针对每个发光元件20而设置。接触电极28将像素电路30与像素电极23电连接。此外,在接触电极28与绝缘层21之间设置有由氧化硅等绝缘材料形成的绝缘部27。另外,接触电极28的材料例如是钨(W)、钛(Ti)以及氮化钛(TiN)等导电材料。
在绝缘层21上配置有透光层22。透光层22由具有绝缘性的多个膜构成。具体而言,透光层22具有第1绝缘膜221和第2绝缘膜222。第1绝缘膜221配置于子像素PR,不配置于子像素PB以及PG。在第1绝缘膜221上配置有第2绝缘膜222。第2绝缘膜222配置于子像素PR以及PG,不配置于子像素PB。作为透光层22的材料,例如可举出氧化硅及氮化硅等硅系的无机材料。
在透光层22上配置有多个像素电极23。像素电极23针对每个发光元件20而设置。虽未图示,但各像素电极23在俯视时与对应的反射层261重叠。各像素电极23是具有透光性和导电性的透明电极。作为像素电极23的材料,可举出ITO(Indium Tin Oxide:氧化铟锡)和IZO(Indium Zinc Oxide:氧化铟锌)等透明导电材料。另外,像素电极23R是设置于子像素PR的像素电极23。像素电极23B是设置于子像素PB的像素电极23。像素电极23G1和23G2是设置于子像素PG的像素电极23。另外,像素电极23G1和23G2可以是分离形成的,也可以是一体形成的。
另外,在透光层22上配置具有多个开口的元件分离层220。元件分离层220覆盖多个像素电极23的各外缘。通过元件分离层220,多个像素电极23相互电绝缘。通过元件分离层220所具有的多个开口,限定出多个发光区域A。另外,还能够将发光区域A限定为有机层24与像素电极23接触的区域。作为元件分离层220的材料,例如可举出氧化硅及氮化硅等硅系的无机材料。
在多个像素电极23上配置有机层24。有机层24在多个发光元件20中是公共的。有机层24配置在反射部26与公共电极25之间。有机层24包括含有有机发光材料的发光层240。有机发光材料是发光性的有机化合物。此外,除了发光层240之外,有机层24还包含例如空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层等。有机层24包含可得到蓝色、绿色和红色的各发光色的发光层240而实现白色发光。另外,有机层24的结构并不特别限定于上述的结构,能够应用公知的结构。
在有机层24上配置有公共电极25。公共电极25在多个发光元件20中是公共的。公共电极25配置在发光层240与滤色器5之间。公共电极25具有光反射性及透光性。另外,公共电极25具有导电性。公共电极25例如由MgAg等含有Ag的合金形成。
在以上的发光部2中,发光元件20R具有反射层261R、绝缘层21、第1绝缘膜221、第2绝缘膜222、元件分离层220、像素电极23R、有机层24以及公共电极25。发光元件20G1具有反射层261G1、绝缘层21、第2绝缘膜222、元件分离层220、像素电极23G1、有机层24以及公共电极25。发光元件20G2具有反射层261G2、绝缘层21、第2绝缘膜222、元件分离层220、像素电极23G2、有机层24以及公共电极25。发光元件20B具有反射层261B、绝缘层21、元件分离层220、像素电极23B、有机层24以及公共电极25。
另外,各发光元件20具有使规定的波段的光在反射部26与公共电极25之间谐振的光谐振结构29。关于光谐振结构29,在后面进行说明。
在多个发光元件20上配置有密封层4。密封层4保护多个发光元件20。具体而言,密封层4是为了从外部保护多个发光元件20而密封多个发光元件20的密封层。密封层4具有阻气性,例如保护各发光元件20不受外部的水分或氧等的影响。通过设置密封层4,与未设置密封层4的情况相比,能够抑制发光元件20的劣化。因此,能够提高电光装置100的品质可靠性。另外,密封层4具有透光性。
密封层4具有第1密封层41、第2密封层42和第3密封层43。第1密封层41、第2密封层42和第3密封层43按顺序朝向远离基板10的方向层叠。第1密封层41、第2密封层42和第3密封层43具有透光性及绝缘性。第1密封层41和第3密封层43的各材料例如是氮氧化硅(SiON)等无机材料。第2密封层42是用于向第3密封层43提供平坦的面的平坦化层。第2密封层42的材料例如是环氧树脂等树脂、或氧化铝(Al2O3)等无机材料。另外,密封层4具有3个层,但也可以具有1个、2个或4个以上的层。
在密封层4上配置有滤色器5。滤色器5使规定波段的光选择性地透过。该规定波段包含每个颜色的峰值波长λ0。通过具有滤色器5,与不具有滤色器5的情况相比,能够提高从各子像素P0发出的光的色纯度。滤色器5例如由含有着色材料的丙烯酸系的感光性树脂材料等树脂材料形成。该着色材料是颜料或染料。
滤色器5具有与子像素PR对应地设置的着色层50R、与子像素PB对应地设置的着色层50B和与子像素PG对应地设置的着色层50G。按每个子像素P0设置着色层50。着色层50R使来自发光元件20R的光中的红色波段的光选择性地透过。着色层50B使来自发光元件20B的光中的蓝色波段的光选择性地透过。着色层50G使来自发光元件20G1和20G2的光中的绿色波段的光选择性地透过。另外,着色层50R、50G以及50B在俯视具有相互重叠的部分,但也可以不相互重叠。
在滤色器5上配置有绝缘层51。绝缘层51具有透光性和绝缘性。绝缘层51是为了实现滤色器5的上表面的凹凸的平坦化而设置的。绝缘层51的材料例如是树脂材料或氧化硅等无机材料。另外,绝缘层51也可以省略。
在绝缘层51上配置透镜部8。透镜部8是具有多个微透镜81的微透镜阵列。另外,关于透镜部8,之后将详细叙述。
在透镜部8上配置覆盖层80。覆盖层80保护透镜部8。覆盖层80具有透光性和绝缘性。覆盖层80例如使用环氧树脂和丙烯酸树脂等树脂材料来形成。另外,也可以在覆盖层80与透镜部8之间,配置由具有透光性和绝缘性的无机材料形成的无机材料层。该情况下,该无机材料层保护透镜部8。在覆盖层80上配置填充剂60。填充剂60具有对元件基板1和透光性基板7进行接合的功能。填充剂60例如由环氧系粘接剂、丙烯酸系粘接剂形成。
1A-3.光谐振结构29
如上所述,各发光元件20具有使规定的波段的光在反射部26与公共电极25之间谐振的光谐振结构29。光谐振结构29使由有机层24所具有的发光层240发出的光在反射部26与公共电极25之间多重反射,从而选择性地增强规定的波段的光。
在本实施方式中,发光元件20R、20G以及20B具有互不相同的光谐振结构29。发光元件20R具有在反射层261R与公共电极25之间增强红色波段的光的光谐振结构29R。发光元件20G1具有在反射层261G1与公共电极25之间增强绿色波段的光的光谐振结构29G。发光元件20G2具有在反射层261G2与公共电极25之间增强绿色波段的光的光谐振结构29G。发光元件20B具有在反射层261B与公共电极25之间增强蓝色波段的光的光谐振结构29B。因此,能够通过光谐振效应而针对每个子像素P0增强期望波段的光并向外部射出。
光谐振结构29中的谐振波长由反射部26与公共电极25之间的光学距离L决定。各反射层261与公共电极25分开光学距离L而设置。光学距离L通过反射部26的与基板10相反侧的面与公共电极25的密封层4侧的面之间的距离和它们之间的折射率的乘积求出。
具体而言,在将该谐振波长设为λ0时,如下的关系式[1]成立。另外,关系式[1]中的Φ(弧度)表示在反射层261与公共电极25之间的透射和反射时产生的相移的总和。
{(2×L)/λ0+Φ}/(2π)=m0(m0为整数)·····[1]
以想要取出的波段的光的峰值波长成为波长λ0的方式,设定光学距离L。通过该设定,能够增强想取出的规定波段的光,实现该光的高强度化和光谱的窄幅化。
在本实施方式中,按照每个颜色控制光学距离L。因此,光学距离L按每个子像素P0而不同。因此,(式1)中的λ按照每个颜色而不同。具体而言,子像素PR的光学距离LR对应于红色波段来设定。子像素PG的光学距离LG1对应于绿色波段来设定。子像素PG的光学距离LG2对应于绿色波段来设定。子像素PB的光学距离LB对应于蓝色波段来设定。
在本实施方式中,子像素PB的光学距离LB是“第1光学距离”。子像素PR的光学距离LR和子像素PG的光学距离LG1中的任意一方是“第2光学距离”,另一方是“第3光学距离”。另外,也可以为,不是光学距离LG1、而是光学距离LG2为“第2光学距离”或“第3光学距离”。
另外,在本实施方式中,通过使透光层22的厚度按照每个颜色不同,来调整光学距离L。具体而言,透光层22的厚度按照子像素PR、子像素PG以及子像素PB的顺序从大到小。另外,光学距离L的调整方法并不限定于基于透光层22的厚度的调整方法。例如,也可以针对每个子像素PB、PG以及PR使有机层24的厚度不同,还可以使像素电极23的厚度不同。
图6是表示具有光谐振结构29的发光元件20的光的光谱的图。另外,图6所示的光的光谱是将发光元件20R的发光光谱、发光元件20G1和20G2的发光光谱以及发光元件20B的发光光谱相加在一起而得到的。
从各发光元件20射出的规定波段的半值宽度互不相同。半值宽度为峰值波长λ0的峰值的50%的波长宽度。从发光元件20R射出的光中的、与光学距离LR对应的红色波段的光具有半值宽度WR。从发光元件20G1射出的光中的、与光学距离LG1对应的绿色波段的光具有半值宽度WG。从发光元件20G2射出的光中的、与光学距离LG2对应的绿色波段的光具有半值宽度WG。从发光元件20B射出的光中的、与光学距离LB对应的蓝色波段的光具有半值宽度WB。半值宽度WB、WR和WG互不相同。具体而言,半值宽度WB、WR和WG依次从小到大。因此,半值宽度WB最窄,半值宽度WG最宽。
1A-4.透镜部8
图7是图1所示的电光装置100所具有的透镜部8的概略俯视图。图7所示的透镜部8具有透光性和绝缘性。透镜部8具有多个微透镜81。微透镜81针对每个子像素P0而设置。具体而言,微透镜81针对子像素P0所具有的每个发光元件20而设置。各微透镜81在俯视时与对应的发光元件20重叠。各微透镜在俯视时的面积大于发光元件20的发光区域A在俯视时的面积。因此,各微透镜81配置成在俯视时覆盖发光元件20的发光区域A。
另外,在子像素PG设置有2个微透镜81,但也可以仅设置1个微透镜81。在该情况下,1个微透镜81在俯视时与发光元件20G1以及20G2重叠。
图8是图1所示的电光装置100的概略剖视图。如图8所示,各微透镜81是从滤色器5朝向Z1方向突出的凸部。各微透镜81具有朝与滤色器5相反侧突出的曲面。该曲面作为使从发光元件20射出的光的方向变化的透镜面而发挥功能。
各微透镜81使从对应的发光元件20射出的光透过。具体而言,在本实施方式中,如上所述,由于发光元件20具有光谐振结构29,因此从与该微透镜81对应的发光元件20射出的光中的、与该发光元件20的光学距离L对应的波段的光入射到各微透镜81。更具体而言,从发光元件20R射出的光中的、与光学距离LR对应的红色波段的光入射到微透镜81R。从发光元件20G1射出的光中的、与光学距离LG1对应的绿色波段的光入射到微透镜81G1。从发光元件20G2射出的光中的、与光学距离LG2对应的绿色波段的光入射到微透镜81G2。从发光元件20B射出的光中的、与光学距离LB对应的蓝色波段的光入射到微透镜81B。
在本实施方式中,设置于子像素PB的微透镜81B是“第1微透镜”。设置于子像素PR的微透镜81R和设置于子像素PG的微透镜81G1中的任意一方是“第2微透镜”,另一方是“第3微透镜”。另外,也可以为,不是微透镜81G1、而是微透镜81G2为“第2微透镜”或“第3微透镜”。
透镜部8的材料与上述覆盖层80的材料不同。透镜部8的材料只要具有透光性即可,例如为氮化硅、氮氧化硅和氧化硅等无机材料或树脂材料。
透镜部8的折射率与覆盖层80的折射率不同。在本实施方式中,透镜部8的折射率比覆盖层80的折射率高。因此,各微透镜81作为使从发光元件20射出的光会聚的聚光透镜而发挥功能。因此,透过微透镜81的光在微透镜81的透镜面以会聚的方式折射。通过具有微透镜81,能够使从发光元件20扩散并朝向Z1方向发出的光会聚。因此,与不具有微透镜81的情况相比,能够提高光的取出效率。
微透镜81的曲率按照每个子像素P0而不同。因此,微透镜81R、81G以及81B的曲率互不相同。在本实施方式中,微透镜81B的曲率、微透镜81R的曲率以及微透镜81G1的曲率依次从小到大。另外,微透镜81G1和81G2的曲率互不相同。微透镜81的曲率例如通过微透镜81的高度和宽度等来调整。在本实施方式中,通过调整微透镜81的高度,使微透镜81的曲率按照每个子像素P0而不同。
此外,微透镜81的曲率对应于光的光谱的半值宽度W而被最优化。如上所述,从发光元件20B射出的光中的、与光学距离LB对应的蓝色波段的光的光谱的半值宽度WB与从发光元件20R射出的光中的、与光学距离LR对应的红色波段的光的光谱的半值宽度WR以及从发光元件20G1或发光元件20G2射出的光中的、与光学距离LG对应的绿色波段的光的光谱的半值宽度WG不同。对应于该半值宽度W的关系,微透镜81B的曲率与微透镜81R和微透镜81G1各自的曲率不同。
具体而言,半值宽度WB比半值宽度WR和半值宽度WG各自小。对应于该半值宽度W的关系,微透镜81B的曲率小于微透镜81R和微透镜81G1各自的曲率。通过对应于半值宽度W的关系使微透镜81的曲率最优化,能够充分发挥基于微透镜81的透镜功能。因此,相比以往能够提高向电光装置100外部的光取出效率。
图9是表示半值宽度W宽的色光的配光特性的图。例如,图9示出了从发光元件20G1射出的光的配光特性。图10是表示半值宽度W窄的色光的配光特性的图。例如,图10示出了从发光元件20B射出的光的角度和强度。如上所述,从发光元件20G1射出的光中的、与光学距离LG1对应的光的半值宽度WG比从发光元件20B射出的光中的、与光学距离LB对应的光的半值宽度WB宽。而且,在具备光谐振结构29的情况下,半值宽度W越宽,配光特性越好。配光特性是光的强度的角度分布。配光特性越优异,能够在更宽的角度范围内提高光强度。
图9所示的从发光元件20G1射出的光的配光特性比图10所示的从发光元件20B射出的光的配光特性优异。因此,从发光元件20G1射出的光与从发光元件20B射出的光相比,光的强度在更宽的角度范围内变高。另一方面,对于从发光元件20B射出的光,光的强度在角度0°及接近0°的角度范围内特别高。即,从发光元件20B射出的光相比朝向相对于元件基板1的法线方向倾斜的方向的光的强度,沿着元件基板1的法线方向的光的强度相对看来特别高。
图11是表示基于半值宽度W宽的色光的微透镜81的高度与相对亮度的关系的图。例如,图11示出了与发光元件20G1对应地配置的微透镜81G1的高度与相对亮度的关系。图12是表示基于半值宽度W窄的色光的微透镜81的高度与相对亮度的关系的图。例如,图12示出了与发光元件20B对应地配置的微透镜81B的高度与相对亮度的关系。另外,相对亮度表示在不具有微透镜81,且将沿着元件基板1的法线方向的光的亮度设为1.0时,与微透镜81的高度对应的、沿着元件基板1的法线方向的光的亮度。换言之,图11以图9中的接近角度0°的范围内的亮度为基准,示出了具有微透镜81时的接近角度0°的范围内的亮度,图12以图10中的接近角度0°的范围内的亮度为基准,示出了具有微透镜81时的接近角度0°的范围内的亮度。
如图11所示,通过对射出半值宽度WG宽的光的发光元件20G1设置微透镜81G1,与未设置微透镜81G1的情况相比,能够提高相对亮度。这是因为,从配光特性优异的发光元件20G1射出的光中的、朝向相对于元件基板1的法线方向倾斜的方向的光通过微透镜81G1的透镜功能而被会聚。
与此相对,如图12所示,即使对射出半值宽度WB窄的光的发光元件20B设置微透镜81B,与未设置微透镜81B的情况相比,也未能充分地发挥透镜功能。并且,通过提高微透镜81B的曲率,与未设置微透镜81B的情况下的相对亮度相比,设置微透镜81B的情况下的相对亮度可能稍微降低。这是因为,通过微透镜81B的透镜面,使接近角度0°的范围的光向与本来想要取出的元件基板1的法线方向不同的方向折射。因此,微透镜81B的曲率优选小于微透镜81G1的曲率。
如图11以及图12所示,通过根据从发光元件20射出的光的半值宽度W使微型透镜81的曲率最优化,能够提高从各发光元件20射出的光的取出效率。具体而言,如前所述,半值宽度WB、WR和WG依次从窄到宽。因此,半值宽度WG最宽,半值宽度WB最窄。因此,通过使微透镜81B的曲率、微透镜81R的曲率以及微透镜81G1的曲率依次从小到大,能够提高电光装置100的全部颜色的光取出效率。因此,通过使微透镜81G1的曲率最大且微透镜81B的曲率最小,能够提高光取出效率。
图13是表示实现了微透镜81的曲率的最优化的情况下的光的光谱的图。图13中的实线是根据半值宽度W而按照每种颜色使微型透镜81的曲率最优化的情况下的光的光谱。图13中的虚线是仅使微透镜81R的曲率最优化,并且使微透镜81G1、81G2和81B的各曲率与微透镜81R的曲率相同的情况下的光的光谱。即,图13所示的虚线的全部微透镜81为彼此相同的曲率。
如图13所示,可知通过按照每个颜色使微透镜81的曲率最优化,与全部微透镜81为同一曲率的情况相比,每个颜色的光强度提高。这样,通过按照每个颜色使微透镜81的曲率最优化,能够提高电光装置100中的光取出效率。
1B.第2实施方式
对第2实施方式进行说明。另外,在以下的各例示中,对于功能与第1实施方式相同的要素,沿用在第1实施方式的说明中使用的标号,适当省略各要素的详细说明。
图14是表示第2实施方式的电光装置100a的剖视图。本实施方式中的电光装置100a替代透镜部8而具有透镜部8a。以下,对于透镜部8a,说明与第1实施方式的透镜部8不同的事项,适当省略相同事项的说明。
此外,在本实施方式中,绿色波段的光是“第1色光”。在本实施方式中,红色波段的光和蓝色波段的光中的任意一方是“第2色光”,另一方是“第3色光”。此外,在本实施方式中,子像素PG的发光元件20G1和20G2分别是“第1发光元件”。子像素PR的发光元件20R和子像素PB的发光元件20B中的任意一方是“第2发光元件”,另一方是“第3发光元件”。此外,在本实施方式中,反射层261G1和反射层261G2分别是“第1反射层”。反射层261R和反射层261B中的任意一方是“第2反射层”,另一方是“第3反射层”。此外,在本实施方式中,光学距离LG1和LG2分别是“第1光学距离”。光学距离LR和光学距离LB中的任意一方是“第2光学距离”,另一方是“第3光学距离”。
图14所示的透镜部8a具有多个微透镜81a。在本实施方式中,微透镜81aG1和微透镜81aG2分别是“第1微透镜”。微透镜81aR和微透镜81aB中的任意一方是“第2微透镜”,另一方是“第3微透镜”。
透镜部8a的折射率与覆盖层80的折射率不同。在本实施方式中,透镜部8a的折射率比覆盖层80的折射率低。因此,各微透镜81a作为使从发光元件20射出的光发散的发散透镜而发挥功能。因此,透过微透镜81a的光在微透镜81a的透镜面以发散的方式折射。通过具有微透镜81a,能够使从发光元件20扩散并朝向Z1方向发出的光发散。因此,与不具有微透镜81a的情况相比,能够提高视角特性。
微透镜81aG1、81aR以及81aB的曲率互不相同。另外,微透镜81aG1和81aG2的曲率互不相同。微透镜81a的曲率对应于光的光谱的半值宽度W而被最优化。通过对应于半值宽度W的关系使微透镜81a的曲率最优化,能够充分发挥基于微透镜81a的透镜功能。
具体而言,如在第1实施方式中说明的那样,半值宽度WG、WR和WB依次从宽到窄。在本实施方式中,通过使微透镜81aG1的曲率、微透镜81aR的曲率以及微透镜81aB的曲率依次从小到大,能够提高电光装置100的全部颜色的视角特性。即,通过使微透镜81aG1的曲率最小且微透镜81aB的曲率最大,能够提高全部颜色的视角特性。
在微透镜81a是发散透镜的情况下,通过相对于射出半值宽度WB窄的光的发光元件20B提高微透镜81aB的曲率,能够增大接近元件基板1的法线方向的光的射出角度。另一方面,若相对于射出半值宽度WG宽的光的发光元件20G1提高微透镜81aG1的曲率,则光过度扩散,从而透过微透镜81aG1的光例如在填充剂60与透光性基板7的界面处发生全反射。
因此,通过按照每个颜色使微透镜81a的曲率最优化,与全部微透镜81a为同一曲率的情况相比,能够提高电光装置100a的视角特性。
2、电子设备
2-1.显示装置
图15是表示作为电子设备的一例的显示装置900的概略图。图15所示的显示装置900具有3个面板100R、100G和100R以及颜色合成棱镜90。面板100R是射出作为红色波段的光的红色光Lr的红色面板。面板100G是射出作为绿色波段的光的绿色光Lg的绿色面板。面板100B是射出作为蓝色波段的光的蓝色光Lb的蓝色面板。
颜色合成棱镜90具有第1入射面91、第2入射面92、第3入射面93、射出面94、第1分色镜95和第2分色镜96。第1入射面91与第2入射面92对置配置。第3入射面93与射出面94对置配置。第3入射面93将第1入射面91与第2入射面92连接。射出面94将第1入射面91与第2入射面92连接。从面板100R射出的红色光Lr入射到第1入射面91。从面板100B射出的蓝色光Lb入射到第2入射面92。从面板100G射出的绿色光Lg入射到第3入射面93。
第1分色镜95和第2分色镜96以相互呈45°的角度交叉的方式配置。第1分色镜95使波长约580nm以下的光透过,另一方面,反射波长超过约580nm的光。因此,第1分色镜95使红色光Lr朝向射出面94反射,使蓝色光Lb和绿色光Lg透过。第2分色镜96使波长约500nm以上的光透过,另一方面,反射波长小于约500nm的光。因此,第2分色镜96使蓝色光Lb朝向射出面94反射,使红色光Lr和绿色光Lg透过。
该颜色合成棱镜90将合成光Lx从射出面94射出,该合成光Lx是对从面板100R射出的红色光Lr、从面板100B射出的蓝色光Lb和从面板100G射出的绿色光Lg进行合成而得的。
1C.第3实施方式
对第3实施方式进行说明。另外,在以下的各例示中,对于功能与第1实施方式相同的要素,沿用在第1实施方式的说明中使用的标号,适当省略各要素的详细说明。
图16是表示第3实施方式的射出红色波段的光的面板100R的剖视图。图17是表示第3实施方式的射出绿色波段的光的面板100G的剖视图。图18是表示第3实施方式的射出蓝色波段的光的面板100B的剖视图。图16所示的面板100R、图17所示的面板100G以及图18所示的面板100B用于上述显示装置900。
本实施方式中的面板100R、100G以及100B分别射出规定波段的光。图16所示的面板100R、图17所示的面板100G以及图18所示的面板100B分别具有与第1实施方式的电光装置100相同的要素。以下,对于面板100R、100G和100B,说明与第1实施方式的电光装置100不同的事项,适当省略相同事项的说明。
图16所示的面板100R射出红色波段的光。面板100R所具有的多个发光元件20bR具有多个像素电极23bR、有机层24bR和公共电极25。另外,针对每个发光元件20bR设置像素电极23bR。因此,与第1实施方式同样,针对每个子像素PR设置发光元件20bR。此外,在发光元件20bR中,省略反射部26。各像素电极23bR具有反射性。此外,有机层24bR包含可得到红色的发光色的有机发光材料。发光元件20bR具备具有光学距离LR的光谐振结构29R。
此外,面板100R所具有的透镜部8bR具有多个微透镜81bR。各微透镜81bR针对每个发光元件20bR而设置。
图17所示的面板100G射出绿色波段的光。面板100G所具有的多个发光元件20bG具有多个像素电极23bG、有机层24bG和公共电极25。另外,针对每个发光元件20bG设置像素电极23bG。因此,与第1实施方式同样,针对每个子像素PG设置发光元件20bG。此外,在发光元件20bG中,省略反射部26。各像素电极23bG具有反射性。此外,有机层24bG包含可得到绿色的发光色的有机发光材料。发光元件20bG具备具有光学距离LG的光谐振结构29G。
此外,面板100G所具有的透镜部8bG具有多个微透镜81bG。各微透镜81bG针对每个发光元件20bG而设置。
图18所示的面板100B射出蓝色波段的光。面板100B所具有的发光元件20bB具有多个像素电极23bB、有机层24bB和公共电极25。另外,针对每个发光元件20bB设置像素电极23bB。因此,与第1实施方式同样,针对每个子像素PB设置发光元件20bB。此外,在发光元件20bB中,省略反射部26。各像素电极23bB具有反射性。此外,有机层24bB包含可得到蓝色的发光色的有机发光材料。发光元件20bB具备具有光学距离LB的光谐振结构29B。
此外,面板100B所具有的透镜部8bB具有多个微透镜81bB。各微透镜81bB针对每个发光元件20bB而设置。
此外,在本实施方式中,蓝色波段的光是“第1色光”。红色波段的光和绿色波段的光中的任意一方是“第2色光”,另一方是“第3色光”。在本实施方式中,面板100B是“第1面板”。面板100R和100G中的任意一方是“第2面板”,另一方是“第3面板”。此外,在本实施方式中,面板100B所具有的发光元件20bB是“第1发光元件”。面板100R所具有的发光元件20bR和面板100G所具有的发光元件20bG中的任意一方是“第2发光元件”,另一方是“第3发光元件”。此外,面板100B所具有的公共电极25是“第1电极”。面板100R所具有的公共电极25和面板100G所具有的公共电极25中的任意一方是“第2电极”,另一方是“第3电极”。此外,在本实施方式中,像素电极23bB是“第1反射层”。像素电极23bR和像素电极23bG中的任意一方是“第2反射层”,另一方是“第3反射层”。此外,在本实施方式中,微透镜81bB是“第1微透镜”。微透镜81bR和微透镜81bG中的任意一方是“第2微透镜”,另一方是“第3微透镜”。
在本实施方式中,也与第1实施方式同样,微透镜81b的曲率对应于光的光谱的半值宽度W而被最优化。如第1实施方式中说明的那样,从发光元件20bB射出的蓝色波段的光的光谱的半值宽度WB与从发光元件20bB射出的红色波段的光的光谱的半值宽度WR以及从发光元件20bG射出的绿色波段的光的光谱的半值宽度WG不同。对应于此,微透镜81bB的曲率与微透镜81bR和微透镜81bG的各曲率不同。
具体而言,半值宽度WB、WR和WG依次从窄到宽。因此,半值宽度WG最宽,半值宽度WB最窄。因此,通过使微透镜81bB的曲率、微透镜81bR的曲率以及微透镜81bG的曲率依次从小到大,能够比以往提高面板100R、100G以及100B各自的光取出效率。因此,通过使微透镜81bG的曲率最大且微透镜81bB的曲率最小,能够比以往提高面板100R、100G以及100B的光取出效率。因此,能够比以往提高具有面板100R、100G以及100B的显示装置900的光取出效率。
1D.第4实施方式
对第4实施方式进行说明。另外,在以下的各例示中,对于功能与第3实施方式相同的要素,沿用在第3实施方式的说明中使用的标号,适当省略各要素的详细说明。
图19是表示第4实施方式的射出红色波段的光的面板100cR的剖视图。图20是表示第4实施方式的射出绿色波段的光的面板100cG的剖视图。图21是表示第4实施方式的射出蓝色波段的光的面板100cB的剖视图。图19所示的面板100cR、图20所示的面板100cG以及图21所示的面板100cB用于上述显示装置900。
本实施方式中的面板100cR、100cG和100cB分别替代第3实施方式的透镜部8b而具有透镜部8c。以下,对于面板100cR、100cG和100cB,说明与第3实施方式的面板100R、100G和100B不同的事项,适当省略相同事项的说明。
此外,在本实施方式中,绿色波段的光是“第1色光”。红色波段的光和蓝色波段的光中的任意一方是“第2色光”,另一方是“第3色光”。在本实施方式中,面板100G是“第1面板”。面板100R和100B中的任意一方是“第2面板”,另一方是“第3面板”。此外,在本实施方式中,面板100cG所具有的发光元件20bG是“第1发光元件”。面板100cR所具有的发光元件20bR和面板100cB所具有的发光元件20bB中的任意一方是“第2发光元件”,另一方是“第3发光元件”。此外,在本实施方式中,面板100G所具有的公共电极25是“第1电极”。面板100R所具有的公共电极25和面板100B所具有的公共电极25中的任意一方是“第2电极”,另一方是“第3电极”。此外,在本实施方式中,发光元件20bG所具有的像素电极23bG是“第1反射层”。发光元件20bR所具有的像素电极23bR和发光元件20bB所具有的像素电极23bB中任意一方是“第2反射层”,另一方是“第3反射层”。此外,在本实施方式中,光学距离LG是“第1光学距离”。光学距离LR和光学距离LB中的任意一方是“第2光学距离”,另一方是“第3光学距离”。
图19所示的透镜部8cR具有多个微透镜81cR。图20所示的透镜部8cG具有多个微透镜81cG。图21所示的透镜部8cB具有多个微透镜81cB。在本实施方式中,微透镜81cG是“第1微透镜”。微透镜81cR和微透镜81cB中的任意一方是“第2微透镜”,另一方是“第3微透镜”。
图19、图20和图21分别示出的透镜部8c的折射率与覆盖层80的折射率不同。在本实施方式中,透镜部8c的折射率比覆盖层80的折射率低。因此,各微透镜81c作为使从发光元件20射出的光发散的发散透镜而发挥功能。因此,透过微透镜81c的光在微透镜81c的透镜面以发散的方式折射。通过具有微透镜81c,能够使从发光元件20扩散并朝向Z1方向发出的光发散。因此,与不具有微透镜81c的情况相比,能够提高视角特性。
图19所示的微透镜81cR、图20所示的微透镜81cG以及图21所示的微透镜81cB的曲率互不相同。各微透镜81c的曲率对应于光的光谱的半值宽度W而被最优化。通过对应于半值宽度W的关系使微透镜81c的曲率最优化,能够充分发挥基于微透镜81c的透镜功能。
具体而言,如在第1实施方式中说明的那样,半值宽度WG、WR和WB依次从宽到窄。在本实施方式中,通过使微透镜81cG的曲率、微透镜81cR的曲率以及微透镜81cB的曲率依次从小到大,能够提高全部颜色的视角特性。因此,通过使微透镜81cG1的曲率最小且微透镜81cB的曲率最大,能够提高全部颜色的视角特性。
在微透镜81c是发散透镜的情况下,通过相对于射出半值宽度WB窄的光的发光元件20bB提高微透镜81的曲率,能够增大接近元件基板1的法线方向的光的角度。另一方面,如果相对于射出半值宽度WB宽的光的发光元件20bG提高微透镜81cG的曲率,则光过度扩散,从而透过了微透镜81cG的光例如在填充剂60与透光性基板7的界面处发生全反射。
因此,通过按照每个颜色使微透镜81c的曲率最优化,与全部微透镜81c为同一曲率的情况相比,能够提高面板100cR、100cG和100cB的视角特性。因此,能够提高具有面板100cR、100cG和100cB的显示装置900的视角特性。
1E.第5实施方式
对第5实施方式进行说明。另外,在以下的各例示中,对于功能与第3实施方式相同的要素,沿用在第3实施方式的说明中使用的标号,适当省略各要素的详细说明。
图22是表示第5实施方式的射出红色波段的光的面板100dR的剖视图。图23是表示第5实施方式的射出蓝色波段的光的面板100dB的剖视图。图22所示的面板100dR、上述的图17所示的面板100G以及图23所示的面板100dB用于上述显示装置900。
本实施方式的面板100dR替代第3实施方式的透镜部8bR而具有透镜部8dR。本实施方式的面板100dB替代第3实施方式的透镜部8bB而具有透镜部8dB。以下,对于透镜部8dR和透镜部8dB,说明与第3实施方式的透镜部8bR和透镜部8bB不同的事项,适当省略相同事项的说明。
图22所示的透镜部8dR具有多个微透镜81dR。图23所示的透镜部8dB具有多个微透镜81dB。在本实施方式中,也与第3实施方式同样,微透镜81d的曲率对应于光的光谱的半值宽度W而被最优化。具体而言,半值宽度WB、WR和WG依次从小到大。因此,通过使图23所示的微透镜81dB的曲率、图22所示的微透镜81dR的曲率以及图17所示的微透镜81bG的曲率依次从小到大,能够比以往提高面板100R、100G以及100B各自的光取出效率。因此,通过使图17所示的微透镜81bG的曲率最大且图23所示的微透镜81dB的曲率最小,能够比以往提高面板100dR、100G以及100dB的光取出效率。因此,能够比以往提高具有面板100dR、100G以及100dB的显示装置900的光取出效率。
另外,图22所示的透镜部8dR所具有的多个微透镜81dR的配置密度比图17所示的多个微透镜81bG的配置密度小。另外,图23所示的透镜部8dB所具有的多个微透镜81dB的配置密度比图17所示的多个微透镜81bG的配置密度小。并且,图23所示的多个微透镜81dB的配置密度比图22所示的多个微透镜81dR小。因此,图17所示的多个微透镜81bG的配置密度、图22所示的多个微透镜81dR的配置密度、以及图23所示的多个微透镜81dB的配置密度互不相同。具体而言,多个微透镜81dB的配置密度、多个微透镜81dR的配置密度以及多个微透镜81bG的配置密度依次从小到大。因此,多个微透镜81dB的配置密度最小,多个微透镜81bG的配置密度最大。
配置密度是显示区域A10中的微透镜81d或81b的密度。各微透镜81d的平面面积越小,微透镜81d的配置密度越小。
图24是表示基于半值宽度宽的色光的透镜间距离与相对亮度的关系的图。例如,图24示出了绿色波段的光的微透镜81bG的高度与相对亮度的关系。图25是表示基于半值宽度窄的色光的透镜间距离与相对亮度的关系的图。例如,图25示出了蓝色波段的光的微透镜81dB的高度与相对亮度的关系。透镜间距离是相邻的2个微透镜81d彼此之间的距离。另外,在图24以及图25中,为了容易理解由配置密度差异带来的效果,示出了微透镜81bG和微透镜81dB的曲率相同的情况下的结果。
如图24所示,设置于射出半值宽度WG窄的光的发光元件20bG的微透镜81bG的透镜间距离越小,相对亮度越高。透镜间距离越小,越能够增大微透镜81d的宽度。因此,能够通过微透镜81G1的透镜功能,使朝向相对于元件基板1的法线方向倾斜的方向的光会聚。
与此相对,如图25所示,即使对射出半值宽度WB窄的光的发光元件20bB设置微透镜81dB,与未设置微透镜81dB的情况相比,也未能充分地发挥透镜功能。并且,通过减小微透镜81dB的透镜间距离,与未设置微透镜81dB的情况下的相对亮度相比,设置微透镜81dB的情况下的相对亮度可能稍微降低。这是因为,通过微透镜81dB的透镜面,使接近角度0°的范围的光向与本来想要取出的元件基板1的法线方向不同的方向折射。因此,优选微透镜81dB的配置密度比微透镜81bG的配置密度小。
如图24以及图25所示,通过根据半值宽度W使微型透镜81d的配置密度最优化,能够提高从各发光元件20射出的光的取出效率。具体而言,如前所述,半值宽度WB、WR和WG依次从窄到宽。因此,通过使微透镜81dB的配置密度、微透镜81dR的配置密度以及微透镜81bG的配置密度依次从小到大,能够提高面板100R、100G以及100B的全部颜色的光取出效率。因此,通过使微透镜81bG的配置密度最大,且微透镜81dB的配置密度最小,能够提高光的取出效率。
因此,特别优选微透镜81dB的曲率小于微透镜81bG的曲率,并且微透镜81dB的配置密度小于微透镜81bG的配置密度。
另外,在微透镜81d为发散透镜的情况下,通过使微透镜81bG的配置密度最小、且微透镜81dB的配置密度最大,能够提高视角特性。
1D.变形例
以上例示的各方式能够进行多种变形。以下例示可应用于上述各方式的具体变形方式。从以下的例示中任意选择的两个以上的方式可以在不相互矛盾的范围内适当合并。另外,以下的第1实施方式的变形方式能够在不矛盾的范围内应用于第2实施方式、第3实施方式、第4实施方式以及第5实施方式。
在第1实施方式中,通过调整微透镜81的高度,对微透镜81的曲率进行了调整。但例如,也可以通过调整微透镜81的折射率来调整微透镜81的曲率。
在第1实施方式中,在多个发光元件20中共用公共电极25,但也可以针对每个发光元件20设置独立的阴极。
在第1实施方式中,发光区域A的形状为八边形,但并不限定于此,也可以是四边形和圆形等其他形状。但是,通过为八边形或圆形,与为长方形的情况相比,能够使光高效地透过微透镜81的端部。因此,能够进一步提高光的取出效率。
在各实施方式中,发光区域A的排列是矩形排列,但并不限定于此,例如,也可以是拜耳排列、三角形排列或条纹排列。
“电光装置”不限于有机EL装置,也可以是使用了无机材料的无机EL装置或μLED装置。
在第1实施方式中,透镜部8和覆盖层80依次配置在滤色器5与透光性基板7之间,但透镜部8和覆盖层80的配置不限于此。图26是表示变形例的电光装置100的剖视图。如图26所示,覆盖层80和透镜部8依次配置在滤色器5与透光性基板7之间。图27是表示其他变形例的电光装置100的剖视图。如图27所示,透镜部8和覆盖层80也可以依次配置在密封层4与滤色器5之间。图28是表示其他变形例的电光装置100的剖视图。如图28所示,覆盖层80和透镜部8也可以依次配置在密封层4与滤色器5之间。
在第1实施方式中,覆盖层80例如由树脂材料形成。但是,也可以替代覆盖层80而具有空气层。图29是表示其他变形例的电光装置100的剖视图。如图29所示,透光性基板7以与透镜部8分离且覆盖透镜部8的方式配置。透光性基板7与透镜部8之间的空间S内例如被空气填充。该空间S作为空气层发挥功能。通过设置空气层来代替覆盖层80,能够提高透镜部8的透镜性能。
2.电子设备
上述实施方式的电光装置100能够应用于各种电子设备。
2-1.头戴式显示器
图30是示意性地表示作为电子设备的一例的虚像显示装置700的一部分的俯视图。图30所示的虚像显示装置700是佩戴于观察者的头部并进行图像显示的头戴式显示器(HMD)。虚像显示装置700具有上述电光装置100、准直器71、导光体72、第1反射型体积全息元件73、第2反射型体积全息元件74以及控制部79。另外,从电光装置100发出的光作为影像光LL而发出。
控制部79例如包含处理器和存储器,对电光装置100的动作进行控制。准直器71配置在电光装置100与导光体72之间。准直器71使从电光装置100射出的光成为平行光。准直器71由准直透镜等构成。由准直器71转换为平行光的光入射到导光体72。
导光体72呈平板状,在与经由准直器71入射的光的方向交叉的方向上延伸配置。导光体72在其内部反射光以进行导光。在导光体72的与准直器71对置的面721,设有光入射的光入射口和发出光的光射出口。在导光体72的与面721相反的面722上,配置有作为衍射光学元件的第1反射型体积全息元件73和作为衍射光学元件的第2反射型体积全息元件74。第2反射型体积全息元件74设置在比第1反射型体积全息元件73更靠近光射出口侧。第1反射型体积全息元件73以及第2反射型体积全息元件74具有与规定的波段对应的干涉条纹,使规定的波段的光衍射反射。
在该结构的虚像显示装置700中,从光入射口入射到导光体72内的影像光LL反复反射而前进,并从光射出口被引导至观察者的瞳孔EY,由此观察者能够观察由影像光LL形成的虚像所构成的图像。
虚像显示装置700具有上述电光装置100。上述电光装置100的光取出效率或视角特性优异,品质良好。因此,通过具有电光装置100,能够提供明亮且显示品质高的虚像显示装置700。另外,也可以替代电光装置100而使用电光装置100a。
2-2.个人计算机
图31是表示作为本发明的电子设备的一例的个人计算机400的立体图。图31所示的个人计算机400具有电光装置100、设置有电源开关401和键盘402的主体部403以及控制部409。控制部409例如包含处理器和存储器,对电光装置100的动作进行控制。个人计算机400的上述电光装置100的光取出效率或视角特性优异,品质良好。因此,通过具有电光装置100,能够提供明亮且显示品质高的个人计算机400。另外,也可以替代电光装置100而使用电光装置100a。
另外,作为具有电光装置100的“电子设备”,除了图30所例示的虚像显示装置700和图31所例示的个人计算机400之外,还可举出数字观测器、数字双筒望远镜、数字照相机、摄像机等接近眼睛配置的设备。另外,具有电光装置100的“电子设备”作为便携电话机、智能手机、PDA(Personal Digital Assistants:个人数字助理)、汽车导航装置以及车载用的显示部来应用。进而,具有电光装置100的“电子设备”作为照射光的照明来应用。
以上,基于图示的实施方式对本发明进行了说明,但本发明并不限定于此。此外,本发明的各部分的结构能够置换为发挥与上述实施方式相同功能的任意结构,此外,还能够附加任意结构。此外,本发明可以组合上述各实施方式的任意结构彼此。

Claims (11)

1.一种电光装置,其特征在于,该电光装置具有:
第1发光元件,其包含电极、和与所述电极分开第1光学距离地设置的第1反射层;
第2发光元件,其包含所述电极、和与所述电极分开第2光学距离地设置的第2反射层;
第1微透镜,其构成为,从所述第1发光元件射出的光入射到该第1微透镜;以及
第2微透镜,其构成为,从所述第2发光元件射出的光入射到该第2微透镜,
与所述第1光学距离对应的第1色光的光谱的半值宽度不同于与所述第2光学距离对应的第2色光的光谱的半值宽度,
所述第1微透镜的曲率小于所述第2微透镜的曲率。
2.根据权利要求1所述的电光装置,其特征在于,
所述第1色光的光谱的半值宽度比所述第2色光的光谱的半值宽度窄。
3.根据权利要求1所述的电光装置,其特征在于,
所述第1色光的光谱的半值宽度比所述第2色光的光谱的半值宽度宽。
4.根据权利要求2所述的电光装置,其特征在于,
所述第1色光是蓝色波段的光。
5.根据权利要求3所述的电光装置,其特征在于,
所述第1色光是绿色波段的光。
6.一种电子设备,其特征在于,该电子设备具有:
第1面板,其具有第1发光元件,并具有第1微透镜,所述第1发光元件包含第1电极、和与所述第1电极分开第1光学距离地设置的第1反射层,所述第1微透镜构成为,从所述第1发光元件射出的光入射到该第1微透镜;
第2面板,其具有第2发光元件,并具有第2微透镜,所述第2发光元件包含第2电极、和与所述第2电极分开第2光学距离地设置的第2反射层,所述第2微透镜构成为,从所述第2发光元件射出的光入射到该第2微透镜;
第3面板,其具有第3发光元件,并具有第3微透镜,所述第3发光元件包含第3电极、和与所述第3电极分开第3光学距离地设置的第3反射层,所述第3微透镜构成为,从所述第3发光元件射出的光入射到该第3微透镜;以及
颜色合成棱镜,其射出合成光,所述合成光是对从所述第1面板、所述第2面板和所述第3面板射出的光进行合成而得的,
与所述第1光学距离对应的第1色光的光谱的半值宽度不同于与所述第2光学距离对应的第2色光的光谱的半值宽度以及与所述第3光学距离对应的第3色光的光谱的半值宽度,
所述第1微透镜的曲率小于所述第2微透镜和所述第3微透镜的曲率。
7.根据权利要求6所述的电子设备,其特征在于,
所述第1色光的光谱的半值宽度比所述第2色光的光谱的半值宽度以及所述第3色光的光谱的半值宽度窄。
8.根据权利要求6所述的电子设备,其特征在于,
所述第1色光的光谱的半值宽度比所述第2色光的光谱的半值宽度以及所述第3色光的光谱的半值宽度宽。
9.根据权利要求7所述的电子设备,其特征在于,
所述第1面板是蓝色面板。
10.根据权利要求8所述的电子设备,其特征在于,
所述第1面板是绿色面板。
11.一种电子设备,其特征在于,该电子设备具有:
权利要求1~8中的任意一项所述的电光装置;以及
控制部,其控制所述电光装置的动作。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024022071A1 (zh) * 2022-07-29 2024-02-01 京东方科技集团股份有限公司 一种显示模组及其制备方法、显示面板

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114628439A (zh) * 2020-12-11 2022-06-14 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法和显示装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001287395A (ja) * 2000-04-05 2001-10-16 Fuji Photo Optical Co Ltd カラープリンタ用発光アレイユニット
CN101529307B (zh) * 2006-11-01 2012-03-28 日本电气株式会社 图像显示设备
JP5515237B2 (ja) * 2008-05-14 2014-06-11 セイコーエプソン株式会社 発光装置及び電子機器
JP2012109213A (ja) * 2010-10-27 2012-06-07 Canon Inc 表示装置
JP2012109214A (ja) * 2010-10-27 2012-06-07 Canon Inc 表示装置
TWI650580B (zh) * 2012-05-09 2019-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
KR102352283B1 (ko) * 2014-11-03 2022-01-18 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
JP6721359B2 (ja) * 2016-02-29 2020-07-15 大日本印刷株式会社 画像表示装置
WO2018083974A1 (ja) * 2016-11-04 2018-05-11 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、発光装置
KR102601880B1 (ko) * 2018-07-27 2023-11-13 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치
WO2020110665A1 (ja) * 2018-11-27 2020-06-04 ソニー株式会社 発光素子、投影型表示装置及び面発光装置
JP7047811B2 (ja) * 2019-05-09 2022-04-05 セイコーエプソン株式会社 表示装置、および電子機器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024022071A1 (zh) * 2022-07-29 2024-02-01 京东方科技集团股份有限公司 一种显示模组及其制备方法、显示面板

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