CN113287369A - 显示设备、显示设备的制造方法以及电子仪器 - Google Patents

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Abstract

本发明包括均包括像素，每个像素包括具有彼此层压的第一电极、有机层以及第二电极的发光单元，其中，像素以二维矩阵设置。有机层包括多个不同类型的发光层和发光分离层，其中，多个不同类型的发光层中的每个发光层被层压为在像素上连续延伸的共同层。发光分离层布置在两个相邻的发光层之间并且根据像素的显示颜色而形成为具有不同的配置。

Description

显示设备、显示设备的制造方法以及电子仪器
技术领域
本公开涉及一种显示设备、显示设备的制造方法以及电子仪器。
背景技术
近年来，使用作为有机材料的电致发光(EL)的有机EL显示设备，已经作为替代液晶显示设备的显示设备引起关注。因此，有机EL显示设备不仅应用于诸如监视器等直视型显示设备，而且还应用于需要约若干微米的精细像素节距的超小显示设备。
在有机EL显示设备中，作为实现色彩显示的方法，存在一种例如通过使用掩模而形成诸如各个像素的红色发光、绿色发光、以及蓝色发光等多种色彩的有机EL材料层的方法。在下文中，可以将该方法称为RGB像素化方法。RGB像素化方法具有优良的发光效率并且通常用于直视型显示设备。
然而，就对准准确性等而言，像素节距越精细，通过使用掩模形成各个像素的有机EL发光层则越难。相应地，在具有约若干微米的精细像素节距的有机EL显示设备中，优选共同形成所有像素的白色发光有机EL材料层并且对滤色器进行组合的方法。在下文中，可以将该方法称为白色方法。
例如，通过对红色发光、绿色发光、以及蓝色发光发射层进行层压能够形成白色发光有机EL材料层。然后，为了获得平衡良好的白光，需要保持每种色彩的发光层中的光发射强度的良好平衡。出于此原因，已知一种在发光层之间形成中间层(发光分离层)并且使各个发光层以平衡良好的方式发射光的技术(例如，见专利文献1)。
引用列表
专利文献
专利文献：日本专利申请特开公开号2013-258022。
发明内容
本发明解决的问题
如上所述，白色方法是一种适合于具有精细像素节距的有机EL显示设备的方法。然而，在白色方法中，将由于载流子重组而发射的光分配给多个发光层。出于此原因，红色显示像素中的绿色和蓝色发光、绿色显示像素中的红色和蓝色发光、以及蓝色显示像素中的红色和绿色发光并不对显示作出贡献。换言之，因为白色方法具有较低的内部发光效率，所以存在的问题在于需要更大的功率来获得高亮度。因此，需要一种能够在保留白色方法的优点的同时进一步改善发光效率的技术。
相应地，本公开的目的是提供一种能够在保留白色方法的优点的同时进一步改善发光效率的显示设备、包括显示设备的电子仪器、以及显示设备的制造方法。
问题的解决方案
用于实现上述目的的根据本公开的显示设备如下：
一种显示设备，其中均包括通过对第一电极、有机层、以及第二电极进行层压而形成的发光单元的像素被布置成二维矩阵，其中：
有机层包括多个不同类型的发光层和发光分离层；
多个不同类型的发光层中的每个发光层被层压为在像素上连续延伸的共同层；并且
发光分离层布置在两个相邻的发光层之间，并且根据像素的显示颜色而形成为具有不同的配置。
用于实现上述目的的根据本公开的显示设备的制造方法如下：
一种显示设备的制造方法，其中，均包括通过对第一电极、有机层以及第二电极进行层压而形成的发光单元的像素被布置成二维矩阵，方法包括下列步骤：
形成第一电极，以与各个像素对应；并且
包括第一电极的整个表面上层压多个不同类型的发光层中的每个发光层作为连续的共同层，并且形成布置在两个相邻的发光层之间的发光分离层，以使得发光分离层的配置根据像素的显示颜色而不同。
用于实现上述目的的根据本公开的电子仪器如下：
一种电子仪器，包括：
显示设备，其中，均包括通过对第一电极、有机层以及第二电极进行层压而形成的发光单元的像素被布置成二维矩阵，其中：
有机层包括发光分离层和多个不同类型的发光层；
多个不同类型的发光层中的每个发光层被层压为在像素上连续延伸的共同层；并且
发光分离层布置在两个相邻的发光层之间，并且根据像素的显示颜色而形成为具有不同的配置。
附图说明
图1是根据第一实施方式的显示设备的示意性平面图。
图2是用于描述显示区域中的像素的布置的示意性平面图。
图3是显示设备的示意性局部横截面图。
图4是用于描述发光单元中的第一电极、有机层以及第二电极的层压关系的示意性横截面图。
图5是用于描述通过加色混合而发射白光的发光单元中的载流子重组的示意性横截面图。
图6是用于描述通过滤色器从发射包含大量红色成分的白光的发光单元中滤出红色光的情况的示意性横截面图。
图7是用于描述通过滤色器从发射包含大量蓝色成分的白光的发光单元中滤出蓝色光的情况的示意性横截面图。
图8是用于描述通过滤色器从发射包含大量绿色成分的白光的发光单元中滤出绿色光的情况的示意性横截面图。
图9是用于描述当发光分离层包括电子传输材料时的发光单元中的第一电极、有机层以及第二电极的层压关系的示意性横截面图。
图10是用于描述其中在相邻的第一电极之间形成分隔壁的基板的示意性横截面图。
图11是用于描述发光层与发光分离层的真空沉积过程的示意图。
图12是用于描述其中在相邻的第一电极之间形成分隔壁的基板的变形的示意性横截面图。
图13是用于描述根据第二实施方式的显示设备的发光单元中的第一电极、有机层以及第二电极的层压关系的示意性横截面图。
图14是用于描述根据第二实施方式的变形的显示设备的发光单元中的第一电极、有机层以及第二电极的层压关系的示意性横截面图。
图15是用于描述根据第三实施方式的显示设备的发光单元中的第一电极、有机层、以及第二电极的层压关系的示意性横截面图。
图16是用于描述根据第四实施方式的显示设备的发光单元中的第一电极、有机层以及第二电极的层压关系的示意性横截面图。
图17是用于描述根据第五实施方式的显示设备中的像素的布置的示意性平面图。
图18是用于描述发光单元中的第一电极、有机层以及第二电极的层压关系的示意性横截面图。
图19是用于描述制造根据第五实施方式的显示设备所使用的基板的配置例的示意性横截面图。
图20A是用于描述共振器结构的第一实施例的示意性横截面图。图20B是用于描述共振器结构的第二实施例的示意性横截面图。
图21A是用于描述共振器结构的第三实施例的示意性横截面图。图21B是用于描述共振器结构的第四实施例的示意性横截面图。
图22A是用于描述共振器结构的第五实施例的示意性横截面图。图22B是用于描述共振器结构的第六实施例的示意性横截面图。
图23是用于描述共振器结构的第七实施例的示意性横截面图。
图24是可更换镜头的单镜头反射型数字静态摄相机的外观图，在图24A中示出了其正视图并且在图24B中示出了其后视图。
图25是头戴显示器的外观图。
图26是透视式头戴显示器的外观图。
具体实施方式
在下文中，将基于参考附图的实施方式对本公开进行描述。本公开并不局限于实施方式，并且实施方式中的各个数字值和材料是示例性的。在下列描述中，以相同的参考标号表示相同的元件或具有相同功能的相同元件，而不进行多余的描述。应注意，将按照下列顺序进行描述。
1.本公开的显示设备、显示设备的制造方法以及电子仪器的整体描述
2.第一实施方式
3.第二实施方式
4.第三实施方式
5.第四实施方式
6.第五实施方式
7.应用于各个实施方式的共振器结构的实施例
8.电子仪器及其他的描述
[本公开的显示设备、显示设备的制造方法以及电子仪器的整体描述]
如上所述，在根据本公开的显示设备、用于根据本公开的电子仪器的显示设备以及通过根据本公开的显示设备的制造方法而获得的显示设备(以下可以将这些简称为“本公开的显示设备”)中，
均包括通过对第一电极、有机层以及第二电极进行层压而形成的发光单元的像素被布置成二维矩阵；
有机层包括发光分离层和多个不同类型的发光层；
多个不同类型的发光层中的每个发光层被层压为在像素上连续延伸的共同层；并且
发光分离层布置在两个相邻的发光层之间，并且根据像素的显示颜色而形成为具有不同的配置。在这种情况下，发光分离层可以形成为使得膜厚度根据像素的显示颜色而不同。
在这种情况下，可以通过使用空穴传输材料、电子传输材料或双极电荷传输材料中的至少一种形成发光分离层。
可替代地，在本公开的显示设备中，可以通过使用根据像素的显示颜色而具有不同成分的材料形成发光分离层。
通过共沉积多种不同类型的材料能够形成发光分离层。然后，发光分离层可以形成为使得多种不同类型的材料的浓度关系根据像素的显示颜色而不同。此外，通过共沉积空穴传输材料、电子传输材料和双极电荷传输材料中的至少两个可以形成发光分离层。
可替代地，在本公开的显示设备中，通过对多种不同类型的材料进行层压可以形成发光分离层。然后，发光分离层形成为使得多种不同类型的材料的层压比根据像素的显示颜色而不同。可替代地，通过对空穴传输材料、电子传输材料和双极电荷传输材料中的至少两个进行层压可以形成发光分离层。
可替代地，在本公开的显示设备中，有机层可以包括第一发光层、第二发光层以及第三发光层，每个发光层的类型不同；
发光层可以按照第一发光层、第二发光层以及第三发光层的顺序进行布置，每个发光层被布置为在像素上连续延伸的共同层；并且
发光分离层可以包括布置在第一发光层与第二发光层之间的第一发光分离层和布置在第二发光层与第三发光层之间的第二发光分离层。在这种情况下，第一发光分离层和第二发光分离层中的至少一个可以形成为根据像素的显示颜色而具有不同的配置。通过使用空穴传输材料、电子传输材料和双极电荷传输材料中的至少一个可以形成第一发光分离层和第二发光分离层。
在包括上述各种优选配置的本公开的显示设备中，有机层可以包括红色发光层、蓝色发光层以及绿色发光层；并且
发光层可以按照红色发光层、蓝色发光层以及绿色发光层的顺序进行层压，每个发光层被层压为在像素上连续延伸的共同层。
在包括上述各种优选配置的本公开的显示设备中，与待显示的颜色对应的滤色器可以布置在各个像素的上表面上。例如，在彩色显示器的情况下，能够布置红色、蓝色和绿色滤色器。通过对包含公知颜料或染料的层进行适当地图案化能够形成滤色器。应注意，除红色、蓝色以及绿色之外，还可以布置透明的滤色器。在该配置中，能够使用除红色、蓝色以及绿色像素之外的白色像素显示图像，因此，能够改善亮度。
在包括上述所述各种优选配置的本公开的显示设备中，像素可以包括使发光单元中产生的光发生共振的共振器结构。通过提供与待显示的颜色的光对应的共振器结构，能够改善颜色纯度和峰值强度。各种共振器结构能够应用于本公开的显示设备。
如上所述，根据本公开的显示设备的制造方法包括下列步骤：
形成第一电极，以与各个像素对应；并且
在包括第一电极的整个表面上层压多个不同类型的发光层中的每个发光层作为连续的共同层，并且形成布置在两个相邻的发光层之间的发光分离层，以使得发光分离层的配置根据像素的显示颜色而不同。
在这种情况下，
制造方法可以进一步包括下列步骤：
在相邻的第一电极之间形成分隔壁；并且
在包围第一电极的分隔壁的高度与第一电极的宽度之间的比根据为根据像素的发射颜色而不同的情况下，使可以以预定的膜形成宽度线性沉积发光层，并且可以以比发光层的膜形成宽度宽的膜形成宽度线性沉积发光分离层。
根据该配置，可以解决较细的像素节距，并且利用诸如对发光分离层进行线性沉积等简单的方法，发光分离层能够布置在两个相邻的发光层之间并且能够根据像素的显示颜色而形成为具有不同的配置。
例如，在显示设备、显示设备的制造方法、以及电子仪器(以下这些可以被简称为本公开)中，可以通过使用诸如铝(Al)、铝合金、铂(Pt)、金(Au)、铬(Cr)以及钨(W)等反光导电材料形成第一电极。可替代地，能够使用诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)以及氧化锌(ZnO)等公知的透明导电材料。在这种情况下，优选为利用由发光材料制成的反光层对结构进行层压。通过诸如溅射方法等公知的膜形成方法和诸如蚀刻方法或剥离方法等公知的图案化方法的组合能够形成第一电极。
在本公开中，第二电极优选为包括具有良好透光性和小的功函数的材料。例如，可以通过使用诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等透明导电材料，或者诸如镁(Mg)、银(Ag)或其合金等金属材料形成第二电极。第二电极的厚度优选设置为约3至100纳米。此外，第二电极可以被配置为多层膜。第二电极可以形成为像素的共同电极并且能够通过诸如溅射方法等膜形成方法而形成。
发光层中所包括的发光材料可以是荧光材料或磷光材料。发光材料的成分不受具体限制，并且能够使用诸如4,4-二(2,2-二苯基双宁)联苯基(DPVBi)与2,6-二[(4'-甲氧基二苯基氨基)苯乙烯基]-1,5-二氰基萘(BSN)的混合物(红光发射)、DPVBi与4,4'-二[2-{4-(N,N-二苯基氨基)苯基}乙烯基]联苯基(DPAVBi)的混合物(蓝光发射)、或者DPVBi与香豆素6的混合物(绿光发射)等公知材料。此外，除上述所述发光材料之外，每种颜色的发光层能够通过适当地添加诸如电子和空穴等载流子的传输材料而形成。
空穴传输材料还用于辅助将空穴注入到发光层中的空穴注入层等，并且其实施例包括诸如酞菁铜、六氮杂三亚苯基(HAT)、以及α-NPD[N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-[1,1'-二苯基]-4,4'-二胺等公知材料。此外，电子传输材料还用于辅助将电子注入到发光层中的电子注入层，并且其实施例包括诸如BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、以及含氮杂环衍生物(例如，三(8-喹啉醇)铝络合物、苯并咪唑衍生物、菲咯啉衍生物、咪唑吡啶衍生物)等公知材料。双极电荷传输材料的实施例包括诸如氨基苯乙烯基化合物等材料及通过对空穴传输材料和电子传输材料进行共沉积而获得的材料。
作为显示设备的像素值，图像显示分辨率的实施例包括VGA(640,480)、S-VGA(800,600)、XGA(1024,768)、APRC(1152,900)、S-XGA(1280,1024)、U-XGA(1600,1200)、HD-TV(1920,1080)、Q-XGA(2048,1536)、以及(1920,1035)、(720,480)、(1280,960)。然而，值并不局限于上述情况。
能够通过使用从已知的无机材料和有机材料中适当选择的材料形成显示设备中所使用的绝缘膜，并且例如，能够通过由真空气相沉积法和溅射法或各种化学气相沉积法(CVD方法)例证的诸如物理气相沉积方法(PVD方法)等公知的膜形成方法形成绝缘膜。此外，当这些被图案化时，能够通过对诸如蚀刻方法和剥离方法等公知的图案方法进行组合执行此操作。
在根据本公开的显示设备中，用于控制发光单元的光发射的驱动电路的配置等不受具体限制。发光单元可以形成在例如基板的特定平面上，并且可以布置在例如通过层间绝缘层驱动发光单元的驱动电路上方。驱动电路中所包括的晶体管的配置不受具体限制。晶体管可以是p-沟道场效应晶体管或n-沟道场效应晶体管。
基板的材料的实施例包括半导体材料、玻璃材料以及塑料材料。例如，在驱动电路包括形成于半导体基板上的晶体管的情况下，阱区可以设置在包括硅的半导体基板上，并且晶体管可以形成于阱中。另一方面，在驱动电路包括薄膜晶体管等的情况下，半导体薄膜能够形成于包括玻璃材料或塑料材料的基板上而形成驱动电路。各种布线能够具有公知的配置和结构。
不仅在条件严格成立的情况下满足、而且在条件基本成立的情况下也满足本说明书的各种条件。允许由于设计或制造而产生的不同变化。此外，下列描述中所使用的图是示意性的。例如，后面所述的图2示出了显示设备的横截面结构，而且还示出了宽度、高度、厚度等之比。
[第一实施方式]
第一实施方式涉及根据本公开的显示设备、显示设备的制造方法以及电子仪器。
图1是根据本公开的第一实施方式的显示设备的示意性平面图。显示设备1包括通过将像素10以二维矩阵布置而形成的显示区域11、将电压供应至电源线PS1的电源单元100、将扫描信号供应至扫描线SCL的扫描单元101、以及将信号电压供应至数据线DTL的数据驱动器102，像素10包括发光单元ELP及驱动发光单元ELP并且连接至在行方向(图1中的方向X)上延伸的扫描线SCL和在列方向(图1中的方向Y)上延伸的数据线DTL的驱动电路。应注意，为便于示出，图1示出了一个像素10的布线关系，更具体地，后面所述的第(q,p)个像素10。
显示设备1进一步包括共同连接至所有像素10的共同电源线PS2。将预定驱动电压从电源单元100供应至电源线PS1并且将共同电压(例如，接地电势)供应至共同的电源线PS2。
尽管图1中未示出，然而，在显示区域11中，总共Q×P个像素(显示元件)10(行方向上Q个像素10和列方向上P个像素10)布置成二维矩阵。在显示区域中，存在P行像素10，并且每行存在Q个像素10。
此外，存在P条扫描线SCL和P条电源线PS1。第p行(其中，p＝1、2、...、P)中的像素10连接至第p条扫描线SCLp和第p条电源线PS1p、并且包括在一个显示元素行中。应注意，图1仅示出了扫描线SCLp和电源线PS1p。
此外，存在Q条数据线DTL。第q列(其中，q＝1、2、...、Q)中的像素10连接至第q条数据线DTLq。应注意，图1仅示出了数据线DTLq。
图2是用于描述像素在显示区域中的布置的示意性平面图。例如，显示设备1是彩色显示设备。一个像素10形成一个子像素。在下列描述中，可以以参考标号10R表示红色显示像素，可以以参考标号10B表示蓝色显示像素，并且可以以参考标号10G表示绿色显示像素。此外，在不限于像素的类型的情况下，这些被统一表示成像素10。
显示设备1通过来自扫描单元101的扫描信号被逐行线性顺序扫描。以下将位于第p行和第q列中的像素10称为第(q,p)像素10或第(q,p)像素10。
在显示设备1中，同时驱动布置在第p行中的Q个像素10。换言之，对于沿着行方向布置的Q个像素10，针对其所属的每行控制光的发射和非发射时刻。当将显示设备1的显示帧率表达为FR(次数/秒)时，对显示设备1逐行进行线性顺序扫描时的每行的扫描周期(所谓水平扫描周期)小于(1/FR)×(1/P)秒。
如图1中所示，像素10包括发光单元ELP和驱动发光单元ELP的驱动电路。发光单元ELP包括有机电致发光发光单元。驱动电路包括写入晶体管TRW、驱动晶体管TRD以及电容部C1。当电流通过驱动晶体管TRD流经发光单元ELP时，发光单元ELP发射光。每个晶体管包括P-沟道场效应晶体管。
在像素10中，驱动晶体管TRD的一个源极/漏极区连接至电容部C1的一端和电源线PS1，并且驱动晶体管TRD的另一源极/漏极区连接至发光单元ELP的一端(具体地，另一电极)。驱动晶体管TRD的栅电极连接至写入晶体管TRW的另一源极/漏极区并且连接至电容部C1的另一端。
此外，在写入晶体管TRW中，一个源极/漏极区连接至数据线DTL，并且栅电极连接至扫描线SCL。
发光单元ELP的另一端(具体地，阴极电极)连接至共同的电源线PS2。将预定的阴极电压VCat供应至共同的电源线PS2。应注意，以参考标号CEL表示发光单元ELP的电容。
将对像素10的驱动的整体概况进行描述。当通过来自扫描单元101的扫描信号使得写入晶体管TRW导通时，且将与待显示的图像的亮度对应的电压从数据驱动器102供应至数据线DTL时，将与待显示的图像的亮度对应的电压写至电容部C1。在写入晶体管TRW非导通之后，当根据电容部C1中保持的电压使电流流经驱动晶体管TRD时，发光单元ELP发射光。
应注意，在本公开中，控制像素10的光发射的驱动电路的配置不受具体限制。相应地，图1中示出的配置仅是实施例，并且根据本实施方式的显示设备可以具有各种配置。
接着，将对显示设备1的基本结构进行描述。
图3是根据第一实施方式的显示设备的示意性局部横截面图。
通过将像素10以二维矩阵布置而形成显示设备1，像素10包括通过对第一电极31、有机层40以及第二电极61进行层压而形成的发光单元50。发光单元50与图1中的发光单元ELP对应。
有机层40包括发光分离层IL和多个不同类型的发光层。然后，发光分离层IL布置在两个相邻的发光层之间并且根据像素10的显示颜色而形成为具有不同的配置。应注意，为便于示出，在图3中以简化方式示出有机层40的配置。
如后面参考图4及其他附图详细描述的，多个不同类型的发光层中的每个发光层被层压为在像素10上连续延伸的共同层。然后，发光分离层IL布置在两个相邻的发光层之间并且根据像素10的显示颜色而形成为具有不同的配置。
通过对第一电极31、有机层40以及第二电极61进行层压而形成发光单元50。在下列描述中，由参考标号50R表示与红色显示像素10R对应的发光单元，由参考标号50B表示与蓝色显示像素10B对应的发光单元，并且由参考标号50G表示与绿色显示像素10G对应的发光单元。此外，当发光单元的类型不受限制时，将发光单元统称为发光单元50。同样适用于其他参考标号。
第一电极31形成为与每个像素10对应。间隔壁32作为像素间绝缘膜形成在相邻的第一电极之间。然后，有机层40和第二电极61被层压在包括第一电极31和间隔壁32的整个表面上。滤色器63通过保护膜62插入其间的方式布置在第二电极61的顶部上，并且进一步地，透明的前基板64布置在滤色器63上。
第一电极31形成在平坦化膜27上，以与每个像素10对应，并且用作阳极电极。另一方面，第二电极61形成为像素10的共同电极并且用作阴极电极。
基板20包括基材21、形成在基材21上的栅电极22、形成为覆盖包括栅电极22的整个表面的栅极绝缘膜23、半导体材料层24、形成为覆盖包括半导体材料层24的整个表面的层间绝缘膜25、连接至形成于半导体材料层24中的晶体管的源极/漏极区的源/漏电极26、以及形成为覆盖包括源/漏电极26的整个表面的平坦化膜27。
基板20包括用于驱动像素10的驱动电路，其包括上述晶体管等。然后，第一电极31与驱动电路电连接。更具体地，第一电极31通过接触插塞28连接至形成于半导体材料层24中的晶体管的源/漏电极26。例如，接触插塞28包括诸如铜(Cu)或铜合金等金属材料并且形成在设置于平坦化膜27中的开口中。
例如，基材21可以包括玻璃材料、半导体材料、塑料材料等。包括控制发光单元50的光发射的薄膜晶体管的驱动电路形成在基材21上。
例如，可以通过使用诸如铝(Al)、多晶硅等金属形成驱动电路中所包括的各种晶体管的栅电极22。栅极绝缘膜23设置在基材21的整个表面上，以覆盖栅电极22。例如，可以通过使用氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等形成栅极绝缘膜23。
例如，可以通过使用非晶硅、多晶硅、氧化物半导体等在栅极绝缘膜23上形成半导体材料层24。此外，半导体材料层24的一部分掺杂有杂质，以形成源极/漏极区。而且，在位于一个源极/漏极区域与另一源极/漏极区域之间的半导体材料层24且位于栅电极22上方的区域中形成沟道区域。因此，底部栅极型薄膜晶体管设置在基材21上。应注意，在图3中，省去了源极/漏极区域和沟道区域。
层间绝缘膜25设置在半导体材料层24上。例如，层间绝缘膜25包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)等。源/漏电极26通过设置在层间绝缘膜25中的接触孔而连接至半导体材料层24。源/漏电极26包括诸如铝(Al)等金属。
平坦化膜27形成为覆盖并使驱动电路等平坦化。例如，可以通过使用诸如聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、或酚醛清漆树脂等有机绝缘膜、或者诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)等无机绝缘膜形成平坦化膜27。
例如，接触插塞28包括诸如铜(Cu)或铜合金等金属材料，并且形成在设置于平坦化膜27中的开口中。第一电极31与驱动晶体管的源/漏电极26通过接触插塞28而电连接。
第一电极31包括诸如铝(Al)等反光材料。应注意，在一些情况下，可以通过对透明导电材料和上述反光材料进行层压形成第一电极31。第一电极31的厚度优选设置为在约100至300纳米的范围内。
有机层40形成在包括第一电极31和间隔壁32的整个表面上。有机层40的发光层共同形成于像素10之上并且基本发射白光。第二电极61形成在包括有机层40的整个表面上。第二电极61包括诸如氧化锌铟(IZO)等具有良好透光性和小的功函数的材料。
保护膜62形成在包括第二电极61的整个表面上。保护膜62用于防止水进入有机层40中并且通过使用具有低透水性的材料而形成。作为保护膜62的材料，使用氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化铝(AlOx)、氧化钛(TiOx)或其组合。
与待显示的颜色对应的滤色器布置在每个像素的上表面上。即，布置在保护膜62上的滤色器63包括与红色显示像素10R对应的滤色器63R、与蓝色显示像素10B对应的滤色器63B以及与绿色显示像素10G对应的滤色器63G。来自发光单元50的光通过滤色器63和前基板64发射并且被观察为图像。
上面已经对显示设备1的基本结构进行了描述。接着，将对发光单元中的层压关系进行详细描述。
图4是用于描述发光单元中的下电极、有机层以及上电极的层压关系的示意性横截面图。
如图4中所示，通过对第一电极31、有机层40以及第二电极61进行层压而形成发光单元50。有机层40包括诸如第一发光层(以下称为红色发光层)43、第二发光层(以下称为蓝色发光层)44以及第三发光层(以下称为绿色发光层)45等不同类型的发光层，并且进一步包括发光分离层IL。有机层40进一步包括空穴注入层41、空穴传输层42以及电子传输层46。按照红色发光层43、蓝色发光层44以及绿色发光层45的顺序对发光层进行层压，每个发光层被层压为在像素上连续延伸的共同层。同样适用于空穴注入层41、空穴传输层42以及电子传输层46。
发光分离层IL布置在两个相邻的发光层之间，更具体地，布置在红色发光层43与蓝色发光层44之间。可以通过使用空穴传输材料、电子传输材料和双极电荷传输材料中的至少一种形成发光分离层IL。图4示出了发光分离层IL包括空穴传输材料的情况。
如图4中所示，通过对第一电极31、空穴注入层41、空穴传输层42、红色发光层43、发光分离层IL、蓝色发光层44、绿色发光层45、电子传输层46以及第二电极61进行层压而形成发光单元50。根据所包括的材料的类型，优选为将空穴注入层41设置在1至20纳米的范围内，将空穴传输层42设置在10至200纳米的范围内，将发光层设置在5至50纳米的范围内，并且将电子传输层43设置在10至200纳米的范围内。
在显示设备1中，发光分离层IL根据像素10的显示颜色而形成为具有不同的配置。更具体地，发光分离层Il被形成为使得膜厚度根据像素的显示颜色而不同。在下列描述中，由参考标号ILR表示与红色显示像素10R对应的发光单元50R的发光分离层，由参考标号ILB表示与蓝色显示像素10B对应的发光单元50B的发光分离层，并且由参考标号ILG表示与绿色显示像素10G对应的发光单元50G的发光分离层。
在发光分离层IL包括空穴传输材料的情况下，这些膜的厚度之间的关系如下。
发光分离层ILR<发光分离层ILB<发光分离层ILG
发光分离层IL的膜厚度优选设置在约0至20纳米的范围内，并且希望将厚度设置为保持该膜厚度范围内的上述大小关系。
此处，将参考图5、图6、图7以及图8对取决于发光分离层IL的厚度的发射颜色的变化进行描述。
图5是用于描述通过加色混合而发射白光的发光单元中的载流子重组的示意性横截面图。
在将来自红色发光层43、蓝色发光层44以及绿色发光层45的光相加混合而发射无色度偏差的白光的情况下，需要平衡每个发光层中的光发射强度。通过使发光分离层IL夹持在发光层之间，能够对每个发光层中的载流子重组的程度进行调整。图5示出了其中对每个发光层中的光发射强度进行平衡并且发射无色度偏差的白光的状态。由参考标号ILW表示此时的发光分离层。
在发光分离层IL包括空穴传输材料的情况下，当使得发光分离层IL较薄时，将空穴注入到发光层中的效果变得相对较低。相应地，如图6中所示，当使比发光分离层ILW更薄的发光分离层ILR夹持在发光层之间时，载流子重组的中心相对低移位至第一电极31侧。因此，红色发光层43的光发射强度变得相对较强。相应地，当将通过红色滤光片从图5中所示的白光中提取红光的情况与通过红色滤光片从图6中所示的白光中提取红光的情况相比较时，在后者情况下能够提取更强的红光。
另一方面，当使得发光分离层IL较厚时，空穴注入效果变得相对强大。相应地，当使比发光分离层ILW更厚的发光分离层夹持在发光层之间时，载流子重组的中心相对地移位至第二电极61侧。相应地，通过适当地设置发光分离层ILB的膜厚度，能够使得载流子重组的中心更接近于蓝色发光层44(见图7)。与图6中的描述相似，当将从图5中示出的白光中提取蓝光的情况与从图7中示出的白光中提取蓝光的情况相比较时，在后者情况下能够提取更强的蓝光。
进一步地，通过适当地设置满足发光分离层ILB<发光分离层ILG的关系的发光分离层ILG的膜厚度，能够使得载流子重组的中心更接近于绿色发光层45(见图8)。与图6中的描述相似，当将从图5中示出的白光中提取绿光的情况与从图8中示出的白光中提取绿光的情况相比较时，在后者情况下能够提取更强的绿光。
尽管在上述描述中已经将发光分离层IL描述为包括空穴传输材料，然而，也能够使用电子传输材料或双极电荷传输材料。
在发光分离层IL包括电子传输材料的情况下，将电子注入到发光层中的效果发生改变。相应地，由于发光分离层IL变得更厚，载流子重组的中心相对地移位至第一电极31侧。如图9中所示，在发光分离层IL包括电子传输材料的情况下，膜厚度之间的关系如下。
发光分离层ILR>发光分离层ILB>发光分离层ILG
在发光分离层IL包括双极电荷传输材料的情况下，如果空穴传输能力在致力于光发射方面占主导，则层压关系如图4中所示。另一方面，如果电子传输能力在致力于光发射方面占主导，则层压关系如图9中所示。
上面已经对显示设备1的细节结构进行了描述。通过包括下列步骤的制造方法能够制造上述显示设备1：
形成第一电极31，以与每个像素10对应；并且
在包括第一电极31的整个表面上将多个不同类型的发光层中的每个发光层层压为连续的共同层，并且形成布置在两个相邻的发光层之间的发光分离层IL，以使得发光分离层IL的配置根据像素10的显示颜色而不同。
具体地，例如，能够在下列过程中制造显示设备1。准备基材21，并且在基材21上执行预定的膜成形和图案化过程，以形成包括薄膜晶体管的驱动电路。接着，在包括驱动电路的整个表面上形成图案化膜27。之后，执行图案化以设置开口，并且将接触插塞28嵌入到开口中。接着，通过膜成形和图案化而形成第一电极31。
之后，在包括第一电极31的整个表面上形成诸如氮氧化硅(SiON)等无机绝缘材料。随后，通过执行图案化而形成间隔壁32，以使得通过光刻法、干蚀刻法等而暴露第一电极31。
接着，按照空穴注入层41、空穴传输层42以及红色发光层43的顺序在包括第一电极31和间隔壁32的整个表面上形成各层。之后，通过掩模气相沉积法或转移法等形成发光分离层IL，以使得发光分离层IL的配置根据像素10的显示颜色而不同。接着，按照蓝色发光层44、绿色发光层45以及电子传输层46的顺序在整个表面上形成各层。
之后，在整个表面上形成第二电极61，并且进一步地，形成保护膜62。接着，将滤色器63和前基板64布置在保护膜62上，以获得显示设备1。
应注意，尽管通过上述方法中的掩模气相沉积法或转移法而形成发光分离层IL，然而，能够从过程中省去掩模气相沉积等。具体地，在包围第一电极31的间隔壁32的高度与第一电极31的宽度之比被设置成根据像素10的发射颜色而不同的情况下，以预定的膜形成宽度线性沉积发光层，并且以比发光层的膜形成宽度宽的膜形成宽度线性沉积发光分离层IL。
图10是用于描述其中在相邻的第一电极之间形成间隔壁的基板的示意性横截面图。图11是用于描述发光层和发光分离层的气相沉积过程的示意图。
在图11中所示的基板20上，形成第一电极31和布置在相邻的第一电极之间的间隔壁32。在下列描述中，由参考标号WR表示与红色发光单元50R对应的第一电极31的宽度，由参考标号HR表示包围与红色发光单元50R对应的第一电极31的间隔壁32的高度，由参考标号WB表示与蓝色发光单元50B对应的第一电极31的宽度，由参考标号HB表示包围与蓝色发光单元50B对应的第一电极31的间隔壁32的高度，由参考标号WG表示与绿色发光单元50G对应的第一电极31的宽度，并且由参考标号HG表示包围与绿色发光单元50G对应的第一电极31的间隔壁32的高度。
此处，与发光单元50对应的第一电极31的宽度WR、WB、以及WG相同，而包围第一电极31的间隔壁32的高度则根据像素的发射颜色而形成为不同。因此，包围第一电极31的间隔壁32的高度与第一电极31的宽度之比被设置为根据像素10的发射颜色而不同。具体地，关系如下。
HR/WR>HB/WB>HG/WG
然后，如图11中所示，使用该基板20，以预定的膜形成宽度线性沉积发光层，并且以比发光层的膜形成宽度宽的膜形成宽度线性沉积发光分离层IL。在膜形成宽度较窄的情况下，即使包围第一电极31的间隔壁32的高度与第一电极31的宽度之比发生改变，基板20上的膜厚度也仅受到较小程度的影响。另一方面，在膜形成宽度较宽的情况下，基板20上的膜厚度受到极大影响。具体地，当包围第一电极31的间隔壁32的高度大于第一电极31的宽度时，膜厚度变得相对较薄。相应地，在图11示出的实施例中，尽管发光层等形成为具有大致相同的膜厚度，然而，发光分离层IL形成为使得膜厚度满足关系：发光单元50R<发光单元50B<发光单元50G。
应注意，如图12中所示，可以固定布置在相邻的第一电极之间的间隔壁32的高度HR、WB、WG，而与发光单元50对应的第一电极31的宽度可以根据像素的发射颜色而形成为不同。同样在该配置中，包围第一电极31的间隔壁32的高度与第一电极31的宽度之比被设置为根据像素10的发射颜色而不同。具体地，关系如下。
HR/WR>HB/WB>HG/WG
还是通过使用图12中所示的基板执行图11中所示的线性沉积，发光分离层IL形成为使得膜厚度满足关系：发光单元50R<发光单元50B<发光单元50G。
应注意，像素可以包括使发光单元中产生的光发生共振的共振器结构。这也适用于后面所述的其他实施方式。通过提供与待显示的颜色的光对应的共振器结构，能够改善颜色纯度和峰值强度。后面将参考图20至图23对所适用的共振器结构的实施例进行详细描述。
[第二实施方式]
第二实施方式也涉及根据本公开的显示设备、显示设备的制造方法以及电子仪器。
通过将显示设备1改变成显示设备2，能够将图1和图3称为根据第二实施方式的显示设备2的示意性平面图和示意性局部横截面图。有机层的层压顺序与第一实施方式中的层压顺序相似。
图13是用于描述根据第二实施方式的显示设备的发光单元中的第一电极、有机层以及第二电极的层压关系的示意性横截面图。
在显示设备2中，同样地，发光分离层IL被形成为根据像素10的显示颜色而具有不同的配置。更具体地，通过使用根据像素的显示颜色而具有不同配置的空穴传输材料或电子传输材料而形成发光分离层IL。
在显示设备2中，通过使用根据像素的显示颜色而具有不同配置的材料而形成发光分离层。更具体地，通过共沉积多种不同类型的材料而形成发光分离层。通过共沉积空穴传输材料、电子传输材料和双极电荷传输材料中的至少两种而形成发光分离层。此处，将发光分离层描述为包括通过使空穴传输材料掺杂有电子传输材料而获得的共沉积膜。
发光分离层IL形成为使得多种不同类型的材料的浓度关系根据像素的显示颜色而不同。即，例如，将电子传输材料在发光分离层ILR、发光分离层ILB以及发光分离层ILG中的浓度设置在0至80重量百分比的范围内，以满足下列大小关系：
发光分离层ILR<发光分离层ILB<发光分离层ILG。
接着，将描述变形。
图14是用于描述根据第二实施方式的变形的显示设备的发光单元中的第一电极、有机层以及第二电极的层压关系的示意性横截面图。
在该配置中，同样地，将发光分离层描述为包括通过使空穴传输材料掺杂有电子传输材料而获得的共沉积膜。然而，应注意，实施例与图13的不同在于，在发光分离层中，层压方向上的浓度分布不同。例如，电子传输材料在发光分离层IL中的浓度朝向第二电极61侧减少，并且浓度分布的程度变化如下。
发光分离层ILR<发光分离层ILB<发光分离层ILG
例如，通过掩模气相沉积法或转移法，第二实施方式的发光分离层IL可以被形成为根据像素10的显示颜色具有不同的配置。
[第三实施方式]
第三实施方式也涉及根据本公开的显示设备、显示设备的制造方法以及电子仪器。
通过将显示设备1改变成显示设备3，能够将图1和图3称为根据第三实施方式的显示设备3的示意性平面图和示意性局部横截面图。有机层的层压顺序与第一实施方式中的层压顺序相似。
图15是用于描述根据第三实施方式的显示设备的发光单元中的第一电极、有机层以及第二电极的层压关系的示意性横截面图。
在显示设备3中，同样地，发光分离层IL被形成为根据像素10的显示颜色而具有不同的配置。更具体地，通过使用根据像素的显示颜色而具有不同配置的空穴传输材料或电子传输材料而形成发光分离层IL。
在显示设备3中，通过使用根据像素的显示颜色而具有不同配置的材料而形成发光分离层IL。更具体地，通过对多种不同类型的材料进行层压而形成发光分离层IL。通过对空穴传输材料、电子传输材料和双极电荷传输材料中的至少两个进行层压而形成发光分离层IL。此处，将发光分离层IL描述为通过对空穴传输材料和电子传输材料进行层压而形成。
发光分离层IL形成为使得多种不同类型的材料的层压比根据像素的显示颜色而不同。通过对包括位于第一电极31侧上的空穴传输材料的层IL1和包括位于第二电极61侧上的电子传输材料的层IL2进行层压而形成发光分离层IL。然后，将层IL1与层IL2的膜厚度比设置为满足下列大小关系。
发光分离层ILR<发光分离层ILB<发光分离层ILG。应注意，将每个膜厚度优选设置在约0至20纳米的范围内。
例如，通过掩模气相沉积法或转移法，第三实施方式的发光分离层IL能够根据像素10的显示颜色而形成为具有不同的配置。
[第四实施方式]
第四实施方式也涉及根据本公开的显示设备、显示设备的制造方法以及电子仪器。
通过将显示设备1改变成显示设备4，能够将图1和图3称为根据第四实施方式的显示设备4的示意性平面图和示意性局部横截面图。
在第四实施方式中，多个发光分离层布置在发光层之间。更具体地，发光分离层包括布置在第一发光层与第二发光层之间的第一发光分离层、和布置在第二发光层与第三发光层之间的第二发光分离层。
在显示设备4中，同样地，发光分离层IL被形成为根据像素10的显示颜色而具有不同的配置。更具体地，第一发光分离层和第二发光分离层中的至少一个根据像素的显示颜色而形成为具有不同的配置。
图16是用于描述根据第四实施方式的显示设备的发光单元中的第一电极、有机层以及第二电极的层压关系的示意性横截面图。
在图16所示的实施例中，第一发光分离层IL1布置在红色发光层43与蓝色发光层44之间，并且第二发光分离层IL2布置在蓝色发光层44与绿色发光层45之间。发光分离层IL包括第一发光分离层IL1与第二发光分离层IL2的组合。
通过使用空穴传输材料、电子传输材料和双极电荷传输材料中的至少一各而形成第一发光分离层IL1与第二发光分离层IL2。此处，将第一发光分离层IL1描述为包括空穴传输材料并且将第二发光分离层IL2描述为包括电子传输材料。
将第一发光分离层IL1与第二发光分离层IL2的膜厚度比设置为满足下列大小关系。
发光分离层ILR<发光分离层ILB<发光分离层ILG。应注意，将每个膜厚度优选设置在约0至20纳米的范围内。
例如，通过掩模沉积法或转移法，第四实施方式的第一发光分离层IL1与第二发光分离层IL2能够根据像素10的显示颜色而形成为具有不同的配置。
[第五实施方式]
第五实施方式也涉及根据本公开的显示设备、显示设备的制造方法以及电子仪器。
通过将显示设备1改变成显示设备5，能够将图1和图3称为根据第五实施方式的显示设备5的示意性平面图和示意性局部横截面图。有机层的层压顺序与第一实施方式中的层压顺序相似。
图17是用于描述根据第五实施方式的显示设备中的像素的布置的示意性平面图。
显示设备5是其中除红色、蓝色以及绿色像素之外还包括白色像素的显示设备。通过添加白色像素，可以进一步改善亮度。
图18是用于描述发光单元中的第一电极、有机层以及第二电极的层压关系的示意性横截面图。
在显示设备5中，同样地，发光分离层IL被形成为根据像素10的显示颜色而具有不同的配置。更具体地，发光分离层IL被形成为膜厚度根据像素的显示颜色而不同。
在发光分离层IL包括空穴传输材料的情况下，膜厚度之间的关系如下。
发光分离层ILR<发光分离层ILW<发光分离层ILB<发光分离层ILG。将发光分离层IL的膜厚度优选设置在约0至20纳米的范围内，并且期望将厚度设置为保持该膜厚度范围内的上述大小关系。
可以通过与第一实施方式中的描述相似的制造方法制造显示设备5。在执行线性沉积的情况下，间隔壁可以形成为具有如图10中所示的不同高度，或与发光单元50对应的第一电极31可以被形成为根据像素的发射颜色而具有不同的宽度，如图12中所示。图19中示出了后者的实施例。
根据上述本公开的显示设备，有机层包括多个不同类型的发光层和布置在发光层之间的发光分离层，多个不同类型的发光层均作为在像素上连续延伸的共同层被层压，并且发光分离层被形成为根据像素的显示颜色而具有不同的配置。例如，因为针对每种颜色的像素而布置具有不同配置的发光分离层，所以可以将红色显示像素设置为强烈地发射红光、将蓝色显示像素设置为强烈地发射蓝光、并且将绿色显示像素设置为强烈地发射绿光。相应地，在保持白色方法的同时，能够在一定程度上从与待显示的颜色对应的发光层中采集用于发射显示器中所不涉及的颜色的载流子。因此，能够提高内部发光效率。
[应用于各个实施方式的共振器结构的实施例]
根据上述本公开的显示设备中所使用的像素能够包括使发光单元中产生的光发生共振的共振器结构。在下文中，将参考附图对共振器结构进行描述。
(共振器结构：第一实施例)
图20A是用于描述共振器结构的第一实施例的示意性横截面图。
在第一实施例中，第一电极31在每个发光单元50中形成有共同的膜厚度。同样适用于第二电极61。
反射器71通过光学调整层72插入在反射器71和第一电极31之间的方式布置在发光单元50的第一电极31下方。使通过有机层40产生的光发生共振的共振器结构形成在反射器71与第二电极61之间。
反射器71在每个发光单元50中形成有共同的膜厚度。光学调整层72的膜厚度根据由像素显示的颜色而不同。因为光学调整层72R、72G以及72B具有不同的膜厚度，所以可以根据待显示的颜色设置产生光的波长的最佳共振的光学距离。
在图20A所示的实施例中，发光单元50R、50G以及50B中的反射器71的上表面布置成对齐。如上所述，因为光学调整层72的膜厚度根据由像素显示的颜色而不同，所以第二电极61的上表面的位置根据发光单元50R、50G或50B的类型而不同。
例如，可以通过使用诸如铝(Al)、银(Ag)、或铜(Cu)或包含这些的合金等金属作为主要成分形成反射器71。
可以通过使用诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、或氮氧化硅(SiOxNy)等无机绝缘材料、或者诸如丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂等有机树脂材料形成光学调整层72。光学调整层72可以是单层或包括多种这些材料的层压膜。此外，层的数量可以根据发光单元50的类型而不同。
可以通过使用诸如氧化锡铟(ITO)、氧化锌铟(IZO)或氧化锌(ZnO)等透明的导电材料形成第一电极31。
第二电极61需要用作透反膜。可以通过使用镁(Mg)或银(Ag)、包含这些的镁-银合金(MgAg)作为主要成分、或包含碱金属或碱土金属的合金形成第二电极61。
(共振器结构：第二实施例)
图20B是用于描述共振器结构的第二实施例的示意性横截面图。
在第二实施例中，同样地，第一电极31与第二电极61在每个发光单元50中形成有共同的膜厚度。
然后，在第二实施例中，同样地，使反射器71通过光学调整层72插在反射器71和第一电极31之间的方式布置在发光单元50的第一电极31的下方。使通过有机层40产生的光发生共振的共振器结构形成在反射器71与第二电极61之间。与第一实施例相似，反射器71在每个发光单元50中形成有共同的膜厚度，并且光学调整层72的膜厚度根据由像素显示的颜色而不同。
在图20A所示的第一实施例中，发光单元50R、50G以及50B中的反射器71的上表面布置成对齐，并且第二电极61的上表面的位置根据发光单元50R、50G以及50B的类型而不同。
另一方面，在图20B所示的第二实施例中，第二电极61的上表面布置成在发光单元50R、50G以及50B中对齐。为了使第二电极61的上表面对齐，发光单元50R、50G以及50B中的反射器71的上表面布置成根据发光单元50R、50G以及50B的类型而不同。出于此原因，反射器71的下表面(换言之，以图20B中的参考标号73表示的基部73的表面)根据发光单元50的类型而具有阶梯形形状。
反射器71、光学调整层72、第一电极31以及第二电极61的材料等与第一实施例中所描述的材料相似，并且由此将省去其描述。
(共振器结构：第三实施例)
图21A是用于描述共振器结构的第三实施例的示意性横截面图。
在第三实施例中，同样地，第一电极31与第二电极61在每个发光单元50中形成有共同的膜厚度。
然后，在第三实施例中，同样地，反射器71通过光学调整层72插入在反射器71和第一电极31之间的方式布置在发光单元50的第一电极31的下方。使通过有机层40产生的光发生共振的共振器结构形成在反射器71与第二电极61之间。与第一和第二实施例相似，光学调整层72的膜厚度根据由像素显示的颜色而不同。因此，与第二实施例相似，第二电极61的上表面的位置布置成使得发光单元50R、50G以及50B对齐。
在图20B所示的第二实施例中，反射器71的下表面根据发光单元50的类型具有阶梯形形状，以使第二电极61的上表面对齐。
另一方面，在图21A所示的第三实施例中，反射器71的膜厚度被设置为根据发光单元50R、50G以及50B的类型而不同。更具体地，膜厚度被设置为使得反射器71R、71G以及71B的下表面对齐。
反射器71、光学调整层72、第一电极31以及第二电极61的材料等与第一实施例中所描述的材料相似，并且由此将省去其描述。
(共振器结构：第四实施例)
图21B是用于描述共振器结构的第四实施例的示意性横截面图。
在图20A所示的第一实施例中，每个发光单元50的第一电极31与第二电极61形成有共同的膜厚度。因此，反射器71通过光学调整层72插入在反射器71和第一电极31之间的方式布置在发光单元50的第一电极31的下方。
另一方面，在图21B所示的第四实施例中，省去了光学调整层72，并且第一电极31的膜厚度被设置为根据发光单元50R、50G以及50B的类型而不同。
反射器71在每个发光单元50中形成有共同的膜厚度。第一电极31的膜厚度根据由像素显示的颜色而不同。因为第一电极31R、31G以及31B具有不同的膜厚度，所以可以根据待显示的颜色设置产生光的波长的最佳共振的光学距离。
反射器71、光学调整层72、第一电极31以及第二电极61的材料等与第一实施例中所描述的材料相似，并且由此将省去其描述。
(共振器结构：第五实施例)
图22A是用于描述共振器结构的第五实施例的示意性横截面图。
在图20A所示的第一实施例中，第一电极31与第二电极61在每个发光单元50中形成为具有共同的膜厚度。然后，反射器71通过光学调整层72插入在反射器71和第一电极31之间的方式布置在发光单元50的第一电极31的下方。
另一方面，在图22A所示的第五实施例中，省去了光学调整层72，并且代替为在反射器71的表面上形成氧化膜74。氧化膜74的膜厚度被设置为根据发光单元50R、50G以及50B的类型而不同。
氧化膜74的膜厚度根据由像素显示的颜色而不同。因为氧化膜74R、74G以及74B具有不同的膜厚度，所以可以根据待显示的颜色设置产生光的波长的最佳共振的光学距离。
氧化膜74是通过对反射器71的表面进行氧化而获得的膜并且包括例如氧化铝、氧化钽、氧化钛、氧化镁、氧化锆等。氧化膜74用作用于调整反射器71与第二电极61之间的光学路径长度(光学距离)的绝缘膜。
例如，能够按照下列方式形成根据发光单元50R、50G以及50B的类型而具有不同的膜厚度的氧化膜74。
首先，将容器用电介质溶液填充，并且使其上形成反射器71的基板浸渍到电介质溶液中。此外，电极被布置成面向反射器71。
然后，将正电压施加至反射器71，使得电极作为对反射器71进行阳极化的参考。氧化膜的膜厚度由于阳极化而与施加给电极的电压值成比例。因此，在对反射器71R、71G以及71B中的每个反射器施加与发光单元50的类型对应的电压的状态下执行阳极化。因此，能够统一形成具有不同膜厚度的氧化膜74。
反射器71、第一电极31以及第二电极61的材料等与第一实施例中所描述的材料相似，并且由此将省去其描述。
(共振器结构：第六实施例)
图22B是用于描述共振器结构的第六实施例的示意性横截面图。
在第六实施例中，通过对第一电极31、有机层40以及第二电极61进行层压而形成发光单元50。然而，应注意，在第六实施例中，第一电极31被形成为具有电极和反射器的功能。第一电极(和反射器)31包括具有根据发光单元50R、50G以及50B的类型而选择的光学常数的材料。因为第一电极(和反射器)31具有不同的相移，所以可以根据待显示的颜色而设置产生光的波长的最佳共振的光学距离。
第一电极(和反射器)31可以包括诸如铝(Al)、银(Ag)、金(Au)或铜(Cu)等单一金属、或包含这些作为主要成分的合金。例如，发光单元50R的第一电极(和反射器)31R可以包括铜(Cu)，并且发光单元50G的第一电极(和反射器)31G和发光单元50B的第一电极(和反射器)31B可以包括铝。
第二电极61的材料等与第一实施例中所描述的材料相似，并且由此将省去其描述。
(共振器结构：第七实施例)
图23是用于描述共振器结构的第七实施例的示意性横截面图。
第七实施例基本上是其中将第六实施例应用于发光单元50R和50G，并且将第一实施例应用于发光单元50B的配置。在该配置中，同样地，可以根据待显示的颜色设置产生光的波长的最佳共振的光学距离。
用于发光单元50R和50G的第一电极(和反射器)31R和31G可以包括诸如铝(Al)、银(Ag)、金(Au)或铜(Cu)等单一金属、或包含这些作为主要成分的合金。
用于发光单元50B的反射器71B、光学调整层72B以及第一电极31B的材料等与第一实施例中所描述的材料相似，并且由此将省去其描述。
[电子仪器]
上述所述本公开的显示设备可以用作显示被输入至电子仪器的视频信号或电子仪器中所产生的视频信号作为图像或视频的所有技术领域中的电子仪器的显示单元(显示设备)。作为实施例，本公开的显示设备能够用作例如电视机、数字静态摄像机、笔记本个人电脑、诸如移动电话、摄影仪、头戴显示器等移动终端设备的显示单元。
本公开的显示设备还包括具有密封配置的模块化类型。一个实施例是通过将诸如透明玻璃等面向部分附接至像素阵列单元而形成的显示模块。应注意，显示模块可以设置有用于将信号从外面输入并且输出至像素阵列单元的电路单元、柔性印刷电路(FPC)等。在下文中，数字静态摄像机和头戴显示器被示出为使用本公开的显示设备的电子仪器的具体实施例。然而，应注意，此处示出的具体实施例仅是实施例，并且电子仪器并不局限于这些。
(具体实施例1)
图24是可更换镜头的单镜头反射型数字静态摄相机的外观图，在图24A中示出了其正视图并且在图24B中示出了其后视图。例如，可更换镜头的单镜头反射型数字静态摄相机具有位于摄像机主体部(摄像机本体)411的右前侧上的可更换成像透镜单元(可更换透镜)412,、并且具有使得图像捕获人员抓握摄像机主体部411的左前侧的抓握部413。
然后，将监视器414大致设置在摄像机主体部411的背面的中心处。取景器(目镜窗口)415设置在监视器414的上方。通过查看取景器415，图像捕获人员能够可视地识别通过成像透镜单元412引导的对象的光学图像并且确定构图。
在具有上述配置的可更换镜头的单镜头反射型数字静态摄相机中，能够使用本公开的显示设备作为取景器415。即，通过使用本公开的显示设备作为其取景器415而制造根据本实施例的可更换镜头的单镜头反射型数字静态摄相。
(具体实施例2)
图25是头戴显示器的外观图。例如，头戴显示器具有用于从眼镜形显示单元511的两侧佩戴在用户的头部上的耳钩512。在该头戴显示器中，能够使用本公开的显示设备作为显示单元511。即，通过使用本公开的显示设备作为显示单元511而制造根据本实施例的头戴显示器。
(具体实施例3)
图26是透视式头戴显示器的外观图。透视式头戴显示器611包括主体部612、臂613以及镜筒614。
主体部612连接至臂613和眼镜600。具体地，主体部612在长边方向上的一端连接至臂613，并且主体部612的侧面的一侧通过连接元件连接至眼镜600。应注意，主体部612可以直接安装在人体的头部上。
主体部612对用于控制透视式头戴显示器611的操作的控制板和显示单元进行整合。臂613连接主体部612和镜筒614，以支持镜筒614。具体地，臂613耦合至主体部612的一端和镜筒614的一端中的每个来固定镜筒614。此外，臂613对用于通信与从主体部612被提供至镜筒614的图像有关的数据的信号线进行整合。
镜筒614通过目镜透镜朝向佩戴透视式头戴显示器611的用户的眼睛投射经由臂613从主体部612提供的图像光。在该透视式头戴显示器611中，本公开的显示设备能够用于主体部612的显示单元。
[其他]
应注意，本公开的技术还能够按照下列方式进行配置。
[A1]一种显示设备，其中，均包括通过对第一电极、有机层以及第二电极进行层压而形成的发光单元的像素被布置成二维矩阵，其中：
有机层包括多个不同类型的发光层和发光分离层；
多个不同类型的发光层中的每个发光层被层压为在像素上连续延伸的共同层；并且
发光分离层布置在两个相邻的发光层之间，并且被形成为根据像素的显示颜色而具有不同的配置。
[A2]根据上面[A1]所述的显示设备，其中，
发光分离层形成为使得膜厚度根据像素的显示颜色而不同。
[A3]根据上面[A2]所述的显示设备，其中，
通过使用空穴传输材料、电子传输材料和双极电荷传输材料中的至少一个形成发光分离层。
[A4]根据上面[A1]所述的显示设备，其中，
通过使用根据像素的显示颜色而具有不同成分的材料形成发光分离层。
[A5]根据上面[A1]所述的显示设备，其中，
通过共沉积多种不同类型的材料而形成发光分离层。
[A6]根据上面[A5]所述的显示设备，其中，
发光分离层形成为使得多种不同类型的材料的浓度关系根据像素的显示颜色而不同。
[A7]根据上面[A5]或[A6]所述的显示设备，其中，
通过共沉积空穴传输材料、电子传输材料和双极电荷传输材料中的至少两个而形成发光分离层。
[A8]根据上面[A1]所述的显示设备，其中，
通过对多种不同类型的材料进行层压而形成发光分离层。
[A9]根据上面[A8]所述的显示设备，其中，
发光分离层形成为使得多种不同类型的材料的层压比根据像素的显示颜色而不同。
[A10]根据上面[A8]或[A9]所述的显示设备，其中，
通过对空穴传输材料、电子传输材料和双极电荷传输材料中的至少两个进行层压而形成发光分离层。
[A11]根据上面[A1]所述的显示设备，其中，
有机层包括第一发光层、第二发光层以及第三发光层，每个发光层的类型不同；
发光层按照第一发光层、第二发光层、以及第三发光层的顺序进行布置，每个发光层被布置为在像素上连续延伸的共同层；并且
发光分离层包括布置在第一发光层与第二发光层之间的第一发光分离层和布置在第二发光层与第三发光层之间的第二发光分离层。
[A12]根据上面[A11]所述的显示设备，其中，
第一发光分离层和第二发光分离层中的至少一个根据像素的显示颜色而形成为具有不同的配置。
[A13]根据上面[A11]或[A12]所述的显示设备，其中，
通过使用空穴传输材料、电子传输材料和双极电荷传输材料中的至少一个形成第一发光分离层和第二发光分离层。
[A14]根据上面[A1]至[A13]中任一项所述的显示设备，其中，
有机层包括红色发光层、蓝色发光层以及绿色发光层；并且
发光层按照红色发光层、蓝色发光层以及绿色发光层的顺序进行层压，每个发光层被层压为在像素上连续延伸的共同层。
[A15]根据上面[A1]至[A14]中任一项所述的显示设备，其中，
与待显示的颜色对应的滤色器布置在各个像素的上表面上。
[A16]根据上面[A1]至[A15]中任一项所述的显示设备，其中，
像素具有使发光单元中产生的光发生共振的共振器结构。
[B1]一种显示设备的制造方法，其中，均包括通过对第一电极、有机层以及第二电极进行层压而形成的发光单元的像素被布置成二维矩阵，方法包括下列步骤：
形成第一电极，以与各个像素对应；并且
在包括第一电极的整个表面上层压多个不同类型的发光层中的每个发光层作为连续的共同层，并且形成布置在两个相邻的发光层之间的发光分离层，以使得发光分离层的配置根据像素的显示颜色而不同。
[B2]根据上面[B1]所述的显示设备的制造方法，进一步包括下列步骤：
在相邻的第一电极之间形成分隔壁；其中，
在包围第一电极的分隔壁的高度与第一电极的宽度之间的比根据像素的发射颜色被设置为不同的情况下，以预定的膜形成宽度线性沉积发光层，并且以比发光层的膜形成宽度宽的膜形成宽度线性沉积发光分离层。
[C1]一种电子仪器，包括：
显示设备，其中，均包括通过对第一电极、有机层以及第二电极进行层压而形成的发光单元的像素被布置成二维矩阵，其中：
有机层包括发光分离层和多个不同类型的发光层；
多个不同类型的发光层中的每个发光层被层压为在像素上连续延伸的共同层；并且
发光分离层布置在两个相邻的发光层之间，且被形成为根据像素的显示颜色而具有不同的配置。
[C2]根据上面[C1]所述的电子仪器，其中，
发光分离层形成为使得膜厚度根据像素的显示颜色而不同。
[C3]根据上面[C2]所述的电子仪器，其中，
通过使用空穴传输材料、电子传输材料和双极电荷传输材料中的至少一个而形成发光分离层。
[C4]根据上面[C1]所述的电子仪器，其中，
通过使用根据像素的显示颜色而具有不同成分的材料形成发光分离层。
[C5]根据上面[C1]所述的电子仪器，其中，
通过共沉积多种不同类型的材料而形成发光分离层。
[C6]根据上面[C5]所述的电子仪器，其中，
发光分离层形成为使得多种不同类型的材料的浓度关系根据像素的显示颜色而不同。
[C7]根据上面[C5]或[C6]所述的电子仪器，其中，
通过共沉积空穴传输材料、电子传输材料和双极电荷传输材料中的至少两个而形成发光分离层。
[C8]根据上面[C1]所述的电子仪器，其中，
通过对多种不同类型的材料进行层压而形成发光分离层。
[C9]根据上面[C8]所述的电子仪器，其中，
发光分离层形成为使得多种不同类型的材料的层压比根据像素的显示颜色而不同。
[C10]根据上面[C8]或[C9]所述的电子仪器，其中，
通过对空穴传输材料、电子传输材料和双极电荷传输材料中的至少两个进行层压而形成发光分离层。
[C11]根据上面[C1]所述的电子仪器，其中，
有机层包括第一发光层、第二发光层以及第三发光层，每个发光层的类型不同；
发光层按照第一发光层、第二发光层以及第三发光层的顺序进行布置，每个发光层被布置为在像素上连续延伸的共同层；并且
发光分离层包括布置在第一发光层与第二发光层之间的第一发光分离层和布置在第二发光层与第三发光层之间的第二发光分离层。
[C12]根据上面[C11]所述的电子仪器，其中，
第一发光分离层和第二发光分离层中的至少一个被形成为根据像素的显示颜色而具有不同的配置。
[C13]根据上面[C11]或[C12]所述的电子仪器，其中，
通过使用空穴传输材料、电子传输材料和双极电荷传输材料中的至少一个而形成第一发光分离层和第二发光分离层。
[C14]根据上面[C1]至[C13]中任一项所述的电子仪器，其中，
有机层包括红色发光层、蓝色发光层以及绿色发光层；并且
发光层按照红色发光层、蓝色发光层以及绿色发光层的顺序进行层压，每个发光层被层压为在像素上连续延伸的共同层。
[C15]根据上面[C1]至[C14]中任一项所述的电子仪器，其中，
与待显示的颜色对应的滤色器布置在各个像素的上表面上。
[C16]根据上面[C1]至[C15]中任一项所述的电子仪器，其中，
像素具有使发光单元中产生的光发生共振的共振器结构。
参考标号列表
1 显示设备
10 像素
11 显示区域
20 基板
21 基材
22 栅电极
23 栅极绝缘材料
24 半导体材料层
25 平坦化膜
26 源/漏电极
27 平坦化膜
28 接触插塞
31,31R,31G,31B 第一电极
32 间隔壁
40,40R,40G,40B 有机层
41 空穴注入层
42 空穴传输层
43 第一发光层(红色发光层)
44 第二发光层(蓝色发光层)
45 第三发光层(绿色发光层)
46 电子传输层
50 发光单元
61 第二电极
62 保护膜
63 滤色器
64 前基板
71,71R,71G,71B 反射器
72R,72G,72B 光学调整层
73 基部表面
74R,74G,74B 氧化膜
IL 发光分离层
100 电源单元
101 扫描单元
102 数据驱动器
411 摄像机主体部
412 成像透镜单元
413 抓握部
414 监视器
415 取景器
511 眼镜形显示单元
512 耳钩
600 眼镜(护目镜)
611 透视式头戴显示器
612 主体部
613 臂
614 镜筒。

Claims (19)

1.一种显示设备，其中，均包括通过对第一电极、有机层以及第二电极进行层压而形成的发光单元的像素被布置成二维矩阵，其中：
所述有机层包括发光分离层和多个不同类型的发光层；
所述多个不同类型的发光层中的每个发光层被层压为在所述像素上连续延伸的共同层；并且
所述发光分离层布置在两个相邻的发光层之间，并且被形成为根据所述像素的显示颜色而具有不同的配置。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述发光分离层形成为使得膜厚度根据所述像素的所述显示颜色而不同。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，
使用空穴传输材料、电子传输材料和双极电荷传输材料中的至少一个形成所述发光分离层。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
通过使用根据所述像素的所述显示颜色而具有不同成分的材料形成所述发光分离层。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
通过共沉积多种不同类型的材料而形成所述发光分离层。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，
所述发光分离层形成为使得多种不同类型的材料的浓度关系根据所述像素的所述显示颜色而不同。
7.根据权利要求5所述的显示设备，其中，
通过共沉积空穴传输材料、电子传输材料和双极电荷传输材料中的至少两个而形成所述发光分离层。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
通过对多种不同类型的材料进行层压而形成所述发光分离层。
9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，
所述发光分离层形成为使得多种不同类型的材料的层压比根据所述像素的所述显示颜色而不同。
10.根据权利要求8所述的显示设备，其中，
通过对空穴传输材料、电子传输材料和双极电荷传输材料中的至少两个进行层压而形成所述发光分离层。
11.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述有机层包括第一发光层、第二发光层以及第三发光层，每个发光层的类型不同；
所述发光层按照所述第一发光层、所述第二发光层以及所述第三发光层的顺序进行布置，每个发光层被布置为在所述像素上连续延伸的共同层；并且
所述发光分离层包括布置在所述第一发光层与所述第二发光层之间的第一发光分离层和布置在所述第二发光层与所述第三发光层之间的第二发光分离层。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，
所述第一发光分离层和所述第二发光分离层中的至少一个被形成为根据所述像素的所述显示颜色而具有不同的配置。
13.根据权利要求11所述的显示设备，其中，
通过使用空穴传输材料、电子传输材料和双极电荷传输材料中的至少一个形成所述第一发光分离层和所述第二发光分离层。
14.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述有机层包括红色发光层、蓝色发光层以及绿色发光层；并且
所述发光层按照所述红色发光层、所述蓝色发光层以及所述绿色发光层的顺序进行层压，每个发光层被层压为在所述像素上连续延伸的共同层。
15.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
与待显示的颜色对应的滤色器布置在各个像素的上表面上。
16.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述像素具有使所述发光单元中产生的光发生共振的共振器结构。
17.一种显示设备的制造方法，在所述显示设备中，均包括通过对第一电极、有机层以及第二电极进行层压而形成的发光单元的像素被布置成二维矩阵，所述方法包括下列步骤：
形成所述第一电极，以与各个像素对应；并且
在包括所述第一电极的整个表面上层压多个不同类型的发光层中的每个发光层作为连续的共同层、并且形成布置在两个相邻的发光层之间的发光分离层，以使得所述发光分离层的配置根据所述像素的显示颜色而不同。
18.根据权利要求17所述的显示设备的制造方法，进一步包括下列步骤：
在相邻的第一电极之间形成分隔壁；其中，
在包围所述第一电极的所述分隔壁的高度与所述第一电极的宽度之间的比根据所述像素的发射颜色而设置为不同的情况下，以预定的膜形成宽度线性沉积所述发光层，并且以比所述发光层的膜形成宽度宽的膜形成宽度线性沉积所述发光分离层。
19.一种电子仪器，包括：
显示设备，在所述显示设备中，均包括通过对第一电极、有机层以及第二电极进行层压而形成的发光单元的像素被布置成二维矩阵，其中：
所述有机层包括发光分离层和多个不同类型的发光层；
所述多个不同类型的发光层中的每个发光层被层压为在所述像素上连续延伸的共同层；并且
所述发光分离层布置在两个相邻的发光层之间，并且被形成为根据所述像素的显示颜色而具有不同的配置。
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