CN112106445A - 显示装置、用于驱动显示装置的方法以及电子设备 - Google Patents

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film
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Abstract

在显示装置中，像素以二维矩阵状态布置在电路板上，每个像素包括通过堆叠第一电极、有机层和第二电极而形成的发光部分，其中，第一电极被布置用于每个发光单元，并且分隔部形成在第一电极与邻近第一电极之间，有机层和第二电极堆叠在包括第一电极和分隔部的整个表面上，第一电极形成在层间绝缘膜上，并且在第一电极下方形成反射膜以具有被布置成与层间绝缘膜中的彼此接触的不同绝缘材料的边界平面齐平的光反射表面。

Description

显示装置、用于驱动显示装置的方法以及电子设备
技术领域
本公开涉及一种显示装置、用于驱动显示装置的方法以及电子设备。
背景技术
近年来，采用基于有机材料的EL的有机电致发光(EL)显示装置作为液晶显示装置的替代显示装置受到关注。此外，有机EL显示装置不仅应用于诸如监视器的直视式显示器，而且应用于需要精细至几微米的像素间距的微型显示器。
一种用于在有机EL显示装置上实现颜色显示的方法包括：使用用于多种颜色的发光的掩模(包括例如发出红光、发出绿光和发出蓝光)来形成用于每个像素的有机EL材料层。该方法通常用于直视式有机EL显示装置。此外，除了上述方法之外，还有一种方法，该方法包括形成用于所有共用像素的用于发出白光的有机EL材料层并且布置用于每个像素的滤色片。随着像素间距变得更精细，在对准精度等方面，使用掩模为每个像素形成有机EL材料层更加困难。因此，对于具有精细至几微米的像素间距的有机EL显示装置，优选的方法可以是结合使用滤色片来形成用于所有共同像素的发出白光的有机EL材料层。
然而，由于白光是由滤色片分离的颜色，涉及用于发出白光的有机EL材料层与滤色片组合的方法受到发光效率降低的影响。因此，已知有通过采用谐振器结构来实现发光效率和颜色再现性的改善的技术，该共振器结构用于通过谐振效应增强具有特定波长的光(例如，参见专利文献1)。
引用列表
专利文件
专利文件1：日本专利申请公开号2006-278257
发明内容
本发明待解决的问题
为了通过谐振效应增强具有目标波长的光，需要高精度地设定谐振器结构的光路长度。此外，即使在采用具有宽波长范围的光的情况下，由于有机层与反射膜之间的位置关系的变化，也会发生颜色等的变化。因此，需要具有能够高精度地设定有机层与反射膜之间的位置关系的结构的显示装置以及制造这种显示装置的方法。
因此，本公开的目的是提供一种具有能够高精度地设定有机层与反射膜之间的位置关系的结构的显示装置、配备有该显示装置的电子设备以及用于制造该显示装置的方法。
问题的解决方法
为了实现上述目的，根据本公开的显示装置是
一种显示装置，其中，多于一个的像素以二维矩阵布置在电路板上，像素包括发光单元，发光单元包括堆叠的第一电极、有机层和第二电极，其中，
第一电极被布置用于每个发光单元，并且分隔部形成在第一电极与邻近第一电极之间，
有机层和第二电极堆叠在包括第一电极和分隔部的整个表面上，
第一电极形成在层间绝缘膜上，并且
反射膜形成在第一电极下方，反射膜包括被布置成与层间绝缘膜中的彼此接触的不同绝缘材料的边界平面齐平的光反射表面。
为了实现上述目的，根据本公开的用于制造显示装置的方法是
一种用于制造显示装置的方法，其中，多于一个的像素以二维矩阵布置在电路板上，像素包括发光单元，发光单元包括堆叠的第一电极、有机层和第二电极，该方法包括以下步骤：
在衬底上形成层间绝缘膜，其中，不同类型的绝缘材料的层堆叠为彼此接触；
在层间绝缘膜的区域形成开口，区域对应于第一电极，使得层间绝缘膜中的与不同的绝缘材料接触的边界平面齐平的平面暴露于底部；
在开口中嵌入反射膜；
将嵌入式反射膜的表面与电路板结合，并且然后，去除衬底；以及
在层间绝缘膜上形成包括堆叠的第一电极、有机层和第二电极的发光单元。
为了实现上述目的，根据本公开的电子设备是：
一种电子设备，包括显示装置，其中，多于一个的像素以二维矩阵布置在电路板上，像素包括发光单元，发光单元包括堆叠的第一电极、有机层和第二电极，其中，
在显示装置中，
第一电极被布置用于每个发光单元，并且分隔部形成在第一电极与邻近第一电极之间，
有机层和第二电极堆叠在包括第一电极和分隔部的整个表面上，
第一电极形成在层间绝缘膜上，并且
反射膜形成在第一电极下方，反射膜包括被布置成与层间绝缘膜中的彼此接触的不同的绝缘材料的边界平面齐平的光反射表面。
附图说明
图1是根据本公开的第一实施方式的显示装置的示意性平面图。
图2是根据第一实施方式的显示装置的示意性局部截面图。
图3A和图3B是用于说明用于制造根据第一实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图4A和图4B是接着图3B的用于说明用于制造根据第一实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图5是接着图4B的用于说明用于制造根据第一实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图6是接着图5的用于说明用于制造根据第一实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图7是接着图6的用于说明用于制造根据第一实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图8是接着图7的用于说明用于制造根据第一实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图9是接着图8的用于说明用于制造根据第一实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图10是接着图9的用于说明用于制造根据第一实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图11是接着图10的用于说明用于制造根据第一实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图12是接着图11的用于说明用于制造根据第一实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图13是根据第二实施方式的显示装置的示意性局部截面图。
图14A和图14B是用于说明用于制造根据第二实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图15A和图15B是接着图14B的用于说明用于制造根据第二实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图16是接着图15B的用于说明用于制造根据第二实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图17是接着图16的用于说明用于制造根据第二实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图18是接着图17的用于说明用于制造根据第二实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图19是接着图18的用于说明用于制造根据第二实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图20是接着图19的用于说明用于制造根据第二实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图21是接着图20的用于说明用于制造根据第二实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图22是接着图21的用于说明用于制造根据第二实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图23是接着图22的用于说明用于制造根据第二实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图24是接着图23的用于说明用于制造根据第二实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图25是根据第三实施方式的显示装置的示意性局部截面图。
图26A和图26B是用于说明用于制造根据第三实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图27是接着图26B的用于说明用于制造根据第三实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图28是接着图27的用于说明用于制造根据第三实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图29是接着图28的用于说明用于制造根据第三实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图30是接着图29的用于说明用于制造根据第三实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图31是接着图30的用于说明用于制造根据第三实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图32是接着图31的用于说明用于制造根据第三实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图33是接着图32的用于说明用于制造根据第三实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图34是接着图33的用于说明用于制造根据第三实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
图35是用于说明根据第三实施方式的显示装置中的谐振器结构的示意性局部端面图。
图36是可更换镜头的单镜头反射型数字静态相机的外观图；图36A示出其前视图，以及图34B示出其后视图。
图37是头戴式显示器的外观图。
图38是透视头戴式显示器的外观图。
具体实施方式
参考附图，现在将基于实施方式来描述本公开。本公开并不局限于实施方式，并且实施方式中的各个数值和材料均是实例。在以下描述中，相同的元件或具有相同功能的元件将由相同的参考符号表示，并且将省略冗余的描述。注意，将按照以下顺序提供描述。
1.本公开的显示装置、用于制造显示装置的方法以及电子设备的总体描述
2.第一实施方式
3.第二实施方式
4.第三实施方式
5.电子设备及其他的描述
[本公开的显示装置、用于制造显示装置的方法以及电子设备的总体描述]
根据本公开的显示装置、用于根据本公开的电子设备的显示装置以及通过根据本公开的用于制造显示装置的方法获得的显示装置(在下文中，可以简称为“本公开的显示装置”)可以具有其中层间绝缘膜包括堆叠为彼此接触的不同类型的两种或更多种绝缘材料的配置。
在这种情况下，例如，层间绝缘膜可以包括无机绝缘材料，诸如，氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiOxNy)。层间绝缘膜可以形成为包括选自氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层中的至少两种类型的层。而且，层间绝缘膜可以由交替堆叠的两种类型的层形成。
在包括上述各种优选配置的本公开的显示装置中，位于反射膜与第一电极之间的层间绝缘膜中的层数可以根据像素的显示颜色而不同。
在包括上述各种优选配置的本公开的显示装置中，位于反射膜与第一电极之间的层间绝缘膜的膜厚度可以设定为根据像素的显示颜色而不同的光学距离。而且，光学距离L可以需要满足以下条件：
2L/λ+Φ/2π＝m(m是整数)
其中，符号Φ表示在第一电极和反射膜中生成的反射光的相移，符号L表示第一电极与反射膜之间的光学距离，并且符号λ表示取自像素的光的光谱的峰值波长。
在包括上述优选配置的本公开的显示装置中，反射膜可以嵌入在层间绝缘膜中设置的开口中。该结构具有如下优点：光反射面不暴露于外部，因此不会由于反射膜中包含的材料的氧化而导致反射率降低。例如，开口能够通过执行蚀刻处理来形成，使得层间绝缘膜中的不同的绝缘材料彼此接触的边界平面用作阻挡件(stoper)。具体地，仅需要通过选择包含在层间绝缘膜中的材料与蚀刻剂的适当组合来执行该处理，使得某个的绝缘材料用作阻挡件。
在包括上述优选配置的本公开的显示装置中，反射膜可以包括金属材料，诸如，银(Ag)、银合金、铝(Al)、铝合金、铂(Pt)、金(Au)、铬(Cr)、钨(W)等。在这种情况下，从获得高反射率的观点，反射膜优选地包括银或银合金。假设充分抑制由于氧化而引起的反射率的降低，则包含银的反射膜在可见光区域中表现出约90％或更高的反射率。反射膜的厚度优选地设定在100至300纳米的范围内。
在替代配置中，反射膜可以具有上层部分和下层部分，上层部分包括银或银合金，并且下层部分包括铜或铜合金。在电路板的面向反射膜的部分中形成电极等的情况下，电极通常包括铜或铜合金。在这种情况下，使用铜或铜合金形成反射膜的下层部分能够改善电路板侧与反射膜侧之间的接合性。
在包括上述优选配置的本公开的显示装置中，电路板可以包括用于驱动像素的驱动电路，并且第一电极和驱动电路可以电连接。第一电极和驱动电路可以通过包括例如在层间绝缘膜中设置的通孔等的导电部分直接连接。替代性地，第一电极和驱动电路可以通过反射膜电连接。
在本公开的显示装置中，发光单元可以是所谓的顶部发光型。通过将包括空穴传输层、发光层、电子传输层等的有机层夹在第一电极与第二电极之间来形成发光单元。在共享阴极的情况下，第二电极是阴极电极，并且第一电极是阳极电极。
包括上述优选配置的本公开的显示装置可以被配置为具有颜色显示。在颜色显示的情况下，可以通过使用例如包含颜料或染料的树脂材料来形成滤色片。注意，在某些情况下，显示装置可以被配置为提供所谓的单色显示。
在颜色显示配置的情况下，单个像素可以包括多个子像素。具体地，单个像素可以包括三个子像素：红色显示子像素、绿色显示子像素和蓝色显示子像素。而且，单个像素可以包括其中一种或多种类型的子像素被添加至这三种类型的子像素的子像素集合(例如，其中添加发出用于更高亮度的白光的子像素的集合、其中添加发出用于扩展颜色再现范围的互补色光的子像素的集合、其中添加发出用于扩展颜色再现范围的黄色光的子像素的集合、或者其中添加发出用于扩展颜色再现范围的黄色光和青色光的子像素的集合)。
显示装置的像素值的实例可以包括(但不限于)用于图像显示的一些分辨率，例如，VGA(640、480)、S-VGA(800、600)、XGA(1024、768)、APRC(1152、900)、S-XGA(1280、1024)、U-XGA(1600、1200)、HD-TV(1920、1080)、Q-XGA(2048、1536)以及(1920、1035)、(720、480)、(1280，960)等。
分隔部能够通过使用适当地选自已知无机材料和有机材料的材料来形成，并且例如能够通过例如公知的成膜方法的组合(诸如以真空蒸镀法和溅射法例示的物理气相沉积法(PVD法)、各种化学气相沉积法(CVD法)等、剥离法等)以及公知的图案化法(诸如蚀刻法和剥离法等)来形成。
在根据本公开的显示装置中，控制来自发光单元的发光的驱动电路等的配置不受特别限制。发光单元可以形成在电路板上的某个平面上，并且例如经由层间绝缘层布置在驱动发光单元的驱动电路上方。在驱动电路中包括的晶体管的配置不受特别限制。晶体管可以是p沟道型场效应晶体管或n沟道型场效应晶体管。
在电路板中包括的材料的实例可以包括半导体材料、玻璃材料或塑料材料。例如，在驱动电路包括在半导体衬底上形成的晶体管的情况下，阱区域仅需要布置在包括硅的半导体衬底上并且晶体管仅需要形成在阱中。另一方面，在驱动电路包括薄膜晶体管等的情况下，驱动电路能够通过在包括玻璃材料或塑料材料的衬底上形成半导体薄膜来形成。各种类型的导线可以具有公知的配置和结构。
第一电极布置在每个发光单元的电路板上。在共享阴极的情况下，第一电极用作发光单元的阳极电极。例如，第一电极可以包括透明导电材料，诸如，氧化铟锌、氧化铟锡等。替代性地，第一电极可以包括金属、合金等以形成为足够薄以具有光透射性。
有机层包括有机发光材料，并且作为共用连续膜布置在第一电极和分隔部上。当在第一电极与第二电极之间施加电压时，有机层发光。有机层可以具有这样的结构，其中，例如，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层从第一电极侧以所提及的顺序堆叠。在有机层中包括的空穴传输材料、空穴传输材料、电子传输材料和有机发光材料不受特别限制并且可以使用众所周知的材料。
有机层可以具有所谓的串联结构，其中，多个发光层经由电荷生成层或中间电极连接。例如，发出白光的发光单元能够通过堆叠发出红光、绿光和蓝光的发光层、或者通过堆叠发出黄光和蓝光的发光层来形成。
第二电极作为共用连续膜布置在有机层上。第二电极优选地包括具有高透光率和低功率函数(work function)的材料。例如，第二电极能够通过使用透明导电材料(诸如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌、铝掺杂的氧化锌或镓掺杂的氧化锌)来形成。替代性地，第二电极可以包括镁(Mg)、银(Ag)、其合金等，以形成为足够薄以具有光透射性。第二电极的厚度优选地设定为约3至15纳米的范围。此外，在一些情况下，第二电极可以包括多层膜。例如，第一层可以包括钙(Ca)、钡(Ba)、锂(Li)、铯(Cs)、铟(In)、镁(Mg)、银(Ag)等，而第二层可以包括镁(Mg)、银(Ag)、其合金等。
不仅在数学上精确地满足公式的情况下，而且在实质上满足公式的情况下，都满足本文中的各种公式中的每一个公式中示出的条件。对于要满足的公式，允许在显示元件、显示面板等的设计或制造中出现的各种变型。此外，在以下描述中参考的附图是示意图。例如，后面描述的图2示出了显示装置的截面结构，但是不示出宽度、高度、厚度等的比例。
第一实施方式
第一实施方式涉及根据本公开的第一方面的显示装置、用于制造显示装置的方法以及电子设备。
图1是根据本公开的第一实施方式的显示装置的示意性平面图。显示装置1包括显示区域11，其中，各自包括发光单元ELP和驱动发光单元ELP的驱动电路的像素10以二维矩阵布置，同时连接至沿着行方向(图1中的X方向)延伸的扫描线SCL和沿着列方向(图1中的Y方向)延伸的数据线DTL，并且还包括将电压供应至电源线PS1的电源单元100、将扫描信号供应至扫描线SCL的扫描单元101以及将信号电压供应至数据线DTL的数据驱动器102。注意，为了便于说明，图1示出了单个像素10，或更具体地，图1示出了如稍后描述的第(q，p)像素10中的连接关系。
显示装置1还包括连接至所有共用像素10的共用电源线PS2。预定的驱动电压从电源单元100供应至电源线PS1，同时共用电压(例如，接地电位)供应至共用电源线PS2。
尽管图1中未示出，但是显示区域11包括以二维矩阵布置的总共Q×P个像素(显示元件)10，即，沿着行方向的Q个像素和沿着列方向的P个像素。在显示区域中，像素10的行数为P，并且构成各行的像素10的数量为Q。
此外，扫描线SCL和电源线PS1的数量均为P。第p行(其中，p＝1，2，…，P)的像素10连接至第p扫描线SCLp和第p电源线PS1p以构成一个显示元件行。注意，图1仅示出扫描线SCLp和电源线PS1p。
此外，数据线DTL的数量为Q。第q列(其中，q＝1，2，…，Q)中的像素10连接至第q数据线DTLq。注意，图1仅示出了数据线DTLq。
例如，显示装置1是颜色显示装置。单个像素10构成单个子像素。响应于来自扫描单元101的扫描信号，显示装置1逐行地按行顺序扫描。位于第p行和第q列的像素10在下文中被称为第(q，p)像素10或第(q，p)像素10。
在显示装置1中，在第p行中布置的Q个像素10同时驱动。换句话说，在沿行方向布置的Q个像素10中，对于像素所属的每行，控制发光/不发光的定时。假设显示装置1的显示帧率由FR(次/秒)表示，当显示装置1被逐行按行扫描时的每行的扫描周期(所谓的水平扫描周期)小于(1/FR)×(1/P)秒。
像素10包括发光单元ELP和驱动发光单元ELP的驱动电路。发光单元ELP包括有机电致发光发光单元。驱动电路包括写入晶体管TRW、驱动晶体管TRD和电容单元C1。当电流经由驱动晶体管TRD流过发光单元ELP时，发光单元ELP发光。每个晶体管包括p沟道型场效应晶体管。
在像素10中，驱动晶体管TRD的一个源极/漏极区域连接至电容单元C1的一端并且连接至电源线PS1，而另一源极/漏极区域连接至发光单元ELP的一端(具体地，阳极电极)。驱动晶体管TRD的栅极电极连接至写入晶体管TRW的另一源极/漏极区域并且还连接至电容单元C1的另一端。
此外，在写入晶体管TRW中，一个源极/漏极区域连接至数据线DTL并且栅极电极连接至扫描线SCL。
发光单元ELP的另一端(具体地，阴极电极)连接至共用电源线PS2。预定的阴极电压VCat被供应至共用电源线PS2。注意，发光单元ELP的电容由符号CEL表示。
下面概述像素10的驱动。当写入晶体管TRW通过来自扫描单元101的扫描信号而导通，同时对应于待显示的图像的亮度的电压从数据驱动器102供应至数据线DTL时，将对应于待显示的图像的亮度的电压写入电容单元C1。在使写入晶体管TRW进入非导通之后，电流根据保持在电容单元C1中的电压流过驱动晶体管TRD，从而发光单元ELP发光。
注意，在本公开中，控制像素10的发光的驱动电路的配置不受特别限制。因此，图中1所示的配置仅是实例，根据本实施方式的显示装置可以具有各种配置。
下面描述显示装置1的详细结构。
图2是根据第一实施方式的显示装置的示意性局部截面图。
在显示装置1中，发光单元ELP包括堆叠在一起的第一电极41、有机层60和第二电极70。第一电极41被布置用于每个发光单元ELP，并且分隔部51形成在相邻的第一电极41之间。此外，有机层60和第二电极70堆叠在包括第一电极41和分隔部51的整个表面上。而且，保护膜80布置在包括第二电极70的整个表面上，并且滤色片90放置在保护膜80上。附图标记91表示遮光区域的一部分，并且附图标记92表示滤光器区域的一部分。
第一电极41形成在层间绝缘膜30上。在第一电极41的下方，形成反射膜31，该反射膜具有设置为与层间绝缘膜30中的不同绝缘材料彼此接触的边界平面齐平的光反射表面。
位于反射膜31与第一电极41之间的层间绝缘膜30的膜厚度被设定为使得具有从蓝色到红色的宽波长范围的光能够从像素中取出。
现在将参考图2详细描述不同组件。
电路板20包括：衬底材料21；形成在衬底材料21上的栅极电极22；形成为覆盖栅极电极22的整个表面的栅极绝缘膜23；半导体材料层24；形成为覆盖包括半导体材料层24的整个表面的平坦化膜25；连接至在半导体材料层24中形成的晶体管的源极/漏极区域的源极/漏极电极26；形成为覆盖包括源极/漏极电极26的整个表面的平坦化膜27；以及设置在平坦化膜27中的开口中并且连接至驱动晶体管的源极/漏极26的接触插塞28。
电路板20配备有包括上述晶体管和其他晶体管的用于驱动像素10的驱动电路。此外，第一电极41和驱动电路电连接。更具体地，第一电极41经由连接至接触插塞28的导电部分33来连接至在半导体材料层24中形成的晶体管的源极/漏极电极26。
例如，衬底材料21可以包括玻璃材料、半导体材料、塑料材料等。包括控制发光单元ELP的发光的薄膜晶体管的驱动电路形成在衬底材料21上。
用于驱动电路中包括的各种晶体管的栅极电极22可以通过使用例如铝(Al)或一些其他金属、多晶硅等来形成。栅极绝缘膜23布置在衬底材料21的整个表面上以覆盖栅极电极22。例如，栅极绝缘膜23能够通过使用氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等来形成。
例如，半导体材料层24能够使用非晶硅、多晶硅或氧化物半导体等形成在栅极绝缘膜23上。此外，半导体材料层24的一些区域掺杂有杂质以形成源极/漏极区域。而且，半导体材料层24包括位于一个源极/漏极区域与另一源极/漏极区域之间并且在栅极电极22上方的区域以形成沟道区域。利用这些部件，底栅型薄膜晶体管布置在衬底材料21上。注意，在图2中省略了源极/漏极区域和沟道区域的图示。
平坦化膜25布置在半导体材料层24上。例如，平坦化膜25包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)等。源极电极/漏极电极26经由在平坦化膜25中设置的接触孔来连接至半导体材料层24。源极/漏极电极26包括金属(诸如，例如铝(Al))。
平坦化膜27是为了覆盖驱动电路等并且使其平坦化而形成的。例如，平坦化膜27能够使用有机绝缘膜(诸如，聚酰亚胺系树脂、丙烯酸系树脂、酚醛清漆系树脂)或无机绝缘膜(诸如，氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SixNy))来形成。
例如，接触插塞28包括金属材料(诸如，例如，铜(Cu)、铜合金等)，并且形成在平坦化膜27中设置的开口中。第一电极41和接触插塞28通过在后述的层间绝缘膜30中设置的开口部中形成的导电部分33电连接。
层间绝缘膜30包括堆叠为彼此接触的不同类型的多个绝缘材料。在图2所示的实例中，层间绝缘膜30通过堆叠第一层30A、第二层30B和第三层30C来形成。
层间绝缘膜30可以使用无机绝缘材料等形成。例如，层间绝缘膜30可以形成为包括选自氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层的至少两种类型的层，或者可以形成为具有交替堆叠的两种类型的层。以下描述是基于层间绝缘膜30包括氧化硅层和氮化硅层的假设而提供的。
布置在第一电极41下方的反射膜31形成为具有光反射面，该光反射面布置为与层间绝缘膜30中的不同绝缘材料彼此接触的边界平面齐平。更具体地，反射膜31的光反射面形成为与在层间绝缘膜30中第一层30A和第二层30B彼此接触的边界平面齐平。
反射膜31嵌入在层间绝缘膜30中设置的开口中。反射膜31包括金属材料。描述是基于反射膜31包括银或银合金的假设而提供的。注意，参考标记32表示是填充反射膜31的电路板20侧的开口的填充构件。从与电路板20的接合性的观点出发，填充构件32通过使用与平坦化膜27的材料相同的材料来形成。
更具体地，反射膜31嵌入在使用第一层30A作为阻挡膜的层间绝缘膜30中具有的开口中。由此，反射膜31的光反射面的位置由层间绝缘膜30中包括的层的厚度来限定。层间绝缘膜30中包括的层的膜厚度和有机层60的膜厚度能够通过成膜处理高精度地控制。由此，反射膜31的光反射面与第二电极70之间的尺寸(图2的箭头部分)能够高精度地设定。
此外，例如，通过调整层间绝缘膜30中的第二层30B的组合物使得遮光率被设定为相对于第一层30A更高的值，可以减少到邻近的像素的杂散光。
第一电极41形成在层间绝缘膜30上。例如，第一电极41包括透明导电材料(诸如，ITO)。第一电极41的厚度优选地设定为20至200纳米的范围。
有机层60形成在包括第一电极41和分隔部51的整个表面上。例如，有机层60是发出白光的白光发出功能层，并且可以具有在其中依次堆叠空穴注入层、空穴传输层、红光发出层、发光分离层、蓝光发出层、绿光发出层和电子传输层的结构，其包括有机材料。替代性地，有机层60可以具有其中从底层依次堆叠空穴注入层、空穴传输层、蓝光发出层、电子传输层、电荷生成层、空穴注入层、空穴传输层、黄光发出层和电子传输层的结构。注意，有机层60具有多层结构，但是在图中示出为单层。
第二电极70形成在包括有机层60的整个表面上。第二电极70包括具有高透光率和低功率函数的材料。这里描述是基于第二电极70包括ITO的假设而提供的。
保护膜80形成在包括第二电极70的整个表面上。旨在防止湿气进入有机层60的保护膜80包括具有低透水性的材料并且形成为具有约1至8微米的厚度。作为保护膜80的材料，使用氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化铝(A10x)、氧化钛(TiOx)或它们的组合。
例如，滤色片90形成在对置衬底侧(未示出)，并且用紫外线固化树脂、热固性树脂等粘附在保护膜80上。由发光单元ELP发出的光被滤色片90分色并且取出。
前述已经描述了显示装置1的详细结构。上述显示装置1能够如下制造。
以下描述用于制造上述显示装置1的方法。用于制造显示装置1的方法包括以下步骤：
在衬底上形成层间绝缘膜，其中，不同类型的绝缘材料的层堆叠为彼此接触；
在对应于第一电极的层间绝缘膜的区域形成开口，使得层间绝缘膜中的与不同的绝缘材料接触的边界平面齐平的平面暴露于底部；
在开口中嵌入反射膜；
将嵌入反射膜的表面与电路板结合，并且然后，去除衬底；以及
在层间绝缘膜上形成堆叠有第一电极、有机层和第二电极的发光单元。这同样适用于稍后描述的其他实施方式。
图3至图12是用于说明用于制造根据第一实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
现在将参考这些附图详细描述用于制造显示装置1的方法。
[步骤-100](参见图3A)
首先，制备在其上形成有驱动电路的电路板20。制备衬底材料21，并且然后对衬底材料21进行预定的成膜和图案化处理，从而形成包括薄膜晶体管的驱动电路。然后，通过旋涂法、狭缝涂覆法、溅射法、CVD法等在驱动电路的整个表面上形成平坦化膜27。接着，开口形成在平坦化膜27中，并且然后，接触插塞28形成在开口中，从而能够获得图3A所示的电路板20。
接着，具有在其中形成有反射膜31的层间绝缘膜30按照图3B至图7所示的工序在电路板20上布置。
[步骤-110](参见图3B)
制备硅晶圆的衬底39，并且通过交替二种类型的层(诸如，堆叠氧化硅层和氮化硅层)在其上形成层间绝缘膜30(参见图3B)。在图中所示的实例中，第一层30A和第三层30C是氧化硅层，并且第二层30B是氮化硅层。
[步骤-120](参见图4A)
然后，开口OP31形成在层间绝缘膜30中的对应于反射膜31的部分中，使得第一层30A与第二层30B之间的边界平面暴露于底部(参见图4A)。例如，开口OP31能够通过在第一层30A用作阻挡膜的条件下进行干法蚀刻来形成。此外，同时，开口部OP33形成在层间绝缘膜30中的对应于导电部33的部分中，以贯通层间绝缘膜30。例如，开口OP33能够通过在衬底39用作阻挡件的条件下进行干法蚀刻来形成。
[步骤-130](参见图4B)
然后，反射膜31等形成在开口部OP31中，同时导电部33形成在开口部OP33中。例如，银薄膜通过溅射法形成在包括开口的整个表面上，并且然后，形成填充反射膜31的开口的填充构件32，随后通过使用例如CMP法进行平坦化。
[步骤-140](参见图5、图6和图7)
接着，使层间绝缘膜30和电路板20彼此面对(参见图5)，层间绝缘膜30和电路板20结合在一起。例如，通过在超高真空下用能量波(诸如，等离子体或加速离子束)辐射惰性层去除每个表面上的惰性层来活化层间绝缘膜30和电路板20的面对表面。然后，通过使表面活性物质彼此紧密紧贴，从而层间绝缘膜30和电路板20能够通过原子力结合在一起(参见图6)。然后，去除衬底39(参见图7)。
接着，发光单元ELP等通过图8至图12所示的工序形成在层间绝缘膜30上。
[步骤-150](参见图8)
首先，第一电极41形成在层间绝缘膜30上。例如，第一电极41能够通过在层间绝缘膜30上形成ITO膜并且对ITO膜进行图案化来获得。
[步骤-160](参见图9)
接着，用作像素间绝缘膜的分隔部51形成在第一电极41与第一电极41之间。通过溅射法、CVD法等在包括第一电极41的整个表面上形成无机绝缘膜(诸如，氧氮化硅)。随后，像素开口通过光刻法和干法蚀刻法进行图案化，使得形成的无机绝缘膜具有预定的凹部，由此能够形成分隔部51。
[步骤-170](参见图10)
接着，例如，通过依次形成空穴注入层、空穴传输层、红色发光层、发光分离层、蓝色发光层、绿色发光层、以及电子传输层，在包括用作阳极电极的第一电极41的整个表面上形成发出白光的有机层60。
[步骤-180](参见图11和12)
接着，用作阴极电极的第二电极70形成在有机层60的整个表面上。例如，第二电极70能够通过气相沉积法在整个表面上形成银-镁合金的膜来获得(参见图11)。在此之后，保护膜80形成在整个表面上，并且然后，将其上形成有滤色片90的对置衬底粘贴到其上，由此能够获得显示装置1(参见图12)。
反射膜31的光反射面与第二电极70之间的距离由有机层60、第一电极41和层间绝缘膜30的第一层30A的厚度来限定。由于这些部件的处理过程，这些膜厚度能够高精度地控制。因此，由于有机层与反射膜之间的位置关系能够高精度地设定，因此能够抑制颜色变化等。
此外，反射膜31的光反射面通过在层间绝缘膜30中嵌入金属材料而形成。因此，光反射面不暴露于外部空气。因此，具有高反射率但易于氧化的材料(诸如，银或银合金)能够毫无困难地用作反射膜31的形成材料等。
注意，在一些情况下，能够执行以下模式：其中在层间绝缘膜30中设置的开口中形成诸如ITO的透明导电材料的薄膜，并且然后嵌入金属材料。
第二实施方式
第二实施方式是第一实施方式的变形。在第一实施方式中，第一电极41经由连接至接触插塞28的导电部分33来连接至驱动像素10的驱动电路。在第二实施方式中，第一电极和驱动电路经由反射膜电连接，这是主要的差异。
图13是根据第二实施方式的显示装置的示意性局部截面图。注意，通过将显示装置1替换为显示装置2，在图1中得到根据第二实施方式的显示装置的示意性平面图。
显示装置2与显示装置1的不同之处在于接触插塞228、反射膜231、填充构件232、导电部233的形状和构造。
接触插塞228形成为具有面向反射膜231的表面，该表面被成形为覆盖反射膜231。此外，反射膜231经由接触插塞228连接至驱动晶体管的源极/漏极26。
布置在第一电极41下方的反射膜231形成为具有光反射面，该光反射面布置为与层间绝缘膜30中的不同绝缘材料彼此接触的边界平面齐平。如在第一实施方式中，反射膜231的光反射面形成为与在层间绝缘膜30中第一层30A和第二层30B彼此接触的边界平面齐平。
反射膜231嵌入在层间绝缘膜30中设置的开口中。注意，参考标记232表示是填充反射膜231的电路板20侧上的开口的填充构件。从与电路板20的接合性的观点出发，填充构件232通过使用与接触插塞228的材料相同的材料来形成。因此，填充构件232实质上形成反射膜的下层部分。反射膜具有上层部分和下层部分，上层部分包括银或银合金，并且下层部分包括铜或铜合金。
在图13所示的配置中，反射膜231和接触插塞228电连接。此外，第一电极41和反射膜231通过在层间绝缘膜30中设置的开口部中形成的导电部分233电连接。这样，第一电极41和驱动电路经由反射膜231电连接。
前述已经描述了显示装置2的详细结构。上述显示装置2能够如下制造。
图14A至图24是用于说明用于制造根据第二实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
[步骤-200](参见图14A)
首先，制备在其上形成有驱动电路的电路板220。制备衬底材料21，并且然后对衬底材料21进行预定的成膜和图案化处理，从而形成包括薄膜晶体管的驱动电路。然后，平坦化膜27通过旋涂法、狭缝涂覆法、溅射法、CVD法等在驱动电路的整个表面上形成。接着，开口形成在平坦化膜27中，并且然后，接触插塞228形成在开口中，从而能够获得图14A所示的电路板220。
接着，按照图14B至图18所示的工序在电路板220上布置反射膜231中。
[步骤-210](参见图14B)
制备硅晶圆的衬底39，并且层间绝缘膜30通过交替二种类型的层(诸如，堆叠氧化硅层和氮化硅层)在其上形成(参见图14B)。层间绝缘膜30的组合物类似于上述[步骤-110]中描述的组合物，因此省略其描述。
[步骤-220](参见图15A)
然后，开口OP231形成在层间绝缘膜30中的对应于反射膜231的部分中，使得第一层30A与第二层30B之间的边界平面暴露于底部(参见图15A)。例如，开口OP231能够通过在第一层30A用作阻挡膜的条件下进行干法蚀刻来形成。
[步骤-230](参见图15B)
在此之后，反射膜231等形成在开口部OP231中。例如，银薄膜通过溅射法形成在包括开口OP231的整个表面上，并且然后，形成填充反射膜231的开口的填充构件232，随后通过使用例如CMP法进行平坦化。
[步骤-240](参见图16、17和18)
接着，使层间绝缘膜30和电路板220彼此面对(参见图16)，层间绝缘膜30和电路板220结合在一起。例如，通过在超高真空下用能量波(诸如，等离子体或加速离子束)辐射惰性层去除每个表面上的惰性层来活化层间绝缘膜30和电路板220的面对表面。然后，通过使表面活性物质彼此紧密紧贴，从而层间绝缘膜30和电路板220能够通过原子力结合在一起(参见图17)。然后，去除衬底39(参见图18)。
[步骤-250](参见图19和图20)
接着，开口部OP233形成在层间绝缘膜30中的对应于导电部233的部分中。例如，开口部OP233能够通过在反射膜231用作阻挡件的条件下进行干法蚀刻来形成(参见图19)。在此之后，导电部233形成在开口OP233中。例如，导电部233能够通过在整个表面上形成导电膜，并且然后通过使用例如CMP方法(参见图20)进行平坦化来形成。
接着，发光单元ELP等通过图21至图24所示的工序形成在层间绝缘膜30上。
[步骤-260](参见图21)
首先，第一电极41形成在层间绝缘膜30上。例如，第一电极41能够通过在层间绝缘膜30上形成ITO膜并且对ITO膜进行图案化来获得。第一电极41和反射膜231经由导电部233电连接。
[步骤-270](参见图22)
接着，用作像素间绝缘膜的分隔部51形成在第一电极41与第一电极41之间。该步骤类似于以上[步骤-160]中描述的步骤，因此省略其描述。
[步骤-280](参见图23)
接着，例如，通过依次形成空穴注入层、空穴传输层、红色发光层、发光分离层、蓝色发光层、绿色发光层、以及电子传输层，在包括用作阳极电极的第一电极41的整个表面上形成发出白光的有机层60。
[步骤-290](参见图24)
接着，用作阴极电极的第二电极70形成在有机层60的整个表面上。例如，能够通过气相沉积法在整个表面上形成银-镁合金的膜来获得第二电极70。在此之后，保护膜80形成在整个表面上，并且然后，将其上形成有滤色片90的对置衬底粘贴到其上，由此能够获得图13中所示的显示装置2。
在显示装置2中，反射膜231的光反射面与第二电极70之间的距离也由有机层60、第一电极41和层间绝缘膜30的第一层30A的厚度来限定。由于这些部件的处理过程，可以进行高精度地膜厚度控制。因此，由于能够高精度地设定有机层与反射膜之间的位置关系，因此能够抑制颜色变化等。
此外，反射膜231的光反射面通过在层间绝缘膜30中嵌入金属材料而形成。因此，光反射面不暴露于外部空气。因此，具有高反射率但易于氧化的材料(诸如，银或银合金)可以毫无困难地用作反射膜231的形成材料等。
因此，反射膜231中的填充构件232和接触插塞228通过使用相同的材料制成。因此，在层间绝缘膜30和电路板220结合在一起时，接触插塞228和反射膜231良好地电接合。
[第三实施方式]
第三实施方式也是第一实施方式的变形。在第三实施方式中，位于反射膜与第一电极之间的层间绝缘膜中的层数根据像素的显示颜色而不同，这是主要的差异。
图25是根据第三实施方式的显示装置的示意性局部截面图。注意，通过将显示装置1替换为显示装置3，在图1中得到根据第三实施方式的显示装置的示意性平面图。
显示装置3与显示装置1的不同之处在于层间绝缘膜330、反射膜331和导电部分333的形状和构造。
如在第一实施方式中，层间绝缘膜330包括堆叠为彼此接触的不同类型的多个绝缘材料。在图25所示的实例中，层间绝缘膜330通过堆叠第一层330A、第二层330B、第三层330C、第四层330D和第五层330E来形成。
层间绝缘膜330可以使用无机绝缘材料等形成。例如，层间绝缘膜330可以形成为包括选自氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层的至少两种类型的层，或者可以形成为具有交替堆叠的两种类型的层。以下描述是基于层间绝缘膜330包括氧化硅层和氮化硅层的假设而提供的。
布置在第一电极41下方的反射膜331形成为具有光反射面，该光反射面布置为与层间绝缘膜330中的不同绝缘材料彼此接触的边界平面齐平。此外，位于反射膜331与第一电极41之间的层间绝缘膜330中的层数根据像素10的显示颜色而不同。
具体地，用于蓝色显示的像素10的反射膜331A的光反射表面形成为与层间绝缘膜330中的第一层330A和第二层330B彼此接触的边界平面齐平。因此，位于反射膜331A与第一电极41之间的层间绝缘膜330中的层数是一层。反射膜331A嵌入在使用第一层330A用作阻挡膜的层间绝缘膜330中设置的开口中。
用于绿色显示的像素10的反射膜331B的光反射表面形成为与层间绝缘膜330中的第二层330B和第三层330C彼此接触的边界平面齐平。因此，位于反射膜331B与第一电极41之间的层间绝缘膜330中的层数是两层。反射膜331B嵌入在使用第二层330B用作阻挡膜的层间绝缘膜330中设置的开口中。
用于红色显示的像素10的反射膜331C的光反射表面形成为与层间绝缘膜330中的第三层330C和第四层330D彼此接触的边界平面齐平。因此，位于反射膜331C与第一电极41之间的层间绝缘膜330中的层数是三层。反射膜331C嵌入在使用第二层330C作为阻挡膜的层间绝缘膜330中设置的开口中。
位于反射膜331与第一电极41之间的层间绝缘膜330的膜厚度被设定为根据像素10的显示颜色的光学距离。设定光学距离L以满足以下条件：
2L/λ+Φ/2π＝m(m是整数)
其中，符号Φ表示在第一电极41和反射膜330中生成的反射光的相移，符号L表示第一电极41与反射膜331之间的光学距离，并且符号λ表示取自像素10的光的光谱的峰值波长。
如上所描述的，反射膜331嵌入在层间绝缘膜330中设置的开口中。反射膜331包括金属材料。注意，参考标记332表示是填充反射膜331的电路板20侧的开口的填充构件。从与电路板20的接合性的观点出发，填充构件332通过使用与平坦化膜27的材料相同的材料来形成。
反射膜331的光反射面的位置由层间绝缘膜330中包括的层的厚度来限定。层间绝缘膜330中包括的层的膜厚度和有机层60的膜厚度能够通过成膜处理高精度地控制。因此，反射膜331A、331B、331C的光反射面与第二电极70之间的尺寸(图25的箭头部分)能够高精度地设定。
第一电极41经由连接至接触插塞28的导电部分333来连接至驱动像素10的驱动电路。
前述已经描述了显示装置3的详细结构。上述显示装置3能够如下制造。
图26至图35是用于说明用于制造根据第三实施方式的显示装置的方法的示意性局部端面图。
[步骤-300]
首先，制备在其上形成有驱动电路的电路板20。电路板20的构造类似于以上[步骤-100]中描述的配置，并且因此省略其描述。
接着，按照图26至图35所示的工序在电路板20上布置具有在其中形成有反射膜331的层间绝缘膜330。
[步骤-310](参见图26A)
制备硅晶圆的衬底39，并且在其上通过交替二种类型的层(诸如，堆叠氧化硅层和氮化硅层)来形成层间绝缘膜330(参见图26B)。在图中所示的实例中，第一层330A、第三层330C和第五层330E是氧化硅层，而第二层330B和第四层330D是氮化硅层。
[步骤-320](参见图26B)
然后，在层间绝缘膜330中，开口OP331A形成在对应于反射膜331A的部分中，使得第一层330A与第二层330B之间的边界平面暴露于底部，并且开口OP331B形成在对应于反射膜331B的部分中使得第二层330B与第三层330C之间的边界平面暴露于底部，并且开口OP331C形成在对应于反射膜331C的部分中，使得第三层330C与第四层330D之间的边界平面暴露于底部。
可以通过在第一层330A用作阻挡膜的条件下进行干法蚀刻来形成开口OP331A，可以通过在第二层330B用作阻挡膜的条件下进行干法蚀刻来形成开口OP331B，并且可以通过在第三层330C用作阻挡膜的条件下进行干法蚀刻来形成开口OP331C。注意，仅在需要蚀刻的区域中需要蚀刻，并且因此不被蚀刻的部分能够通过例如在该部分上适当地形成掩模等来处理。
此外，同时，开口部OP333形成在层间绝缘膜30中的对应于导电部330的部分中，以贯通层间绝缘膜330。例如，开口OP333可以通过在衬底39用作阻挡件的条件下进行干法蚀刻来形成。
[步骤-330](参见图27)
然后，反射膜331等形成在开口部OP331中，同时导电部333形成在开口部OP333中。例如，银薄膜通过溅射法形成在包括开口的整个表面上，并且然后，形成填充反射膜331的开口的填充构件32，随后通过使用例如CMP法进行平坦化。
[步骤-340](参见图28、图29和图30)
接着，使层间绝缘膜330和电路板20彼此面对(参见图28)，层间绝缘膜330和电路板20结合在一起。使层间绝缘膜330的表面和电路板20的表面活化，并且然后，使表面活性物质紧贴，从而层间绝缘膜330和电路板20能够通过原子力结合在一起(参考图29)。然后，去除衬底39(参见图30)。
接着，发光单元ELP等通过图31至图34所示的工序形成在层间绝缘膜330上。
[步骤-350](参见图31)
首先，第一电极41形成在层间绝缘膜330上。第一电极41的配置类似于以上[步骤-150]中描述的配置，并且因此省略其描述。
[步骤-360](参见图32)
接着，用作像素间绝缘膜的分隔部51形成在第一电极41与第一电极41之间。分隔部51的构造类似于以上[步骤-160]中描述的配置，并且因此省略其描述。
[步骤-370](参见图33)
接着，例如，通过依次形成空穴注入层、空穴传输层、红色发光层、发光分离层、蓝色发光层、绿色发光层、以及电子传输层，在包括用作阳极电极的第一电极41的整个表面上形成发出白光的有机层60。
[步骤-380](参见图34和图35)
接着，用作阴极电极的第二电极70形成在有机层60的整个表面上。例如，可以通过气相沉积法在整个表面上形成银-镁合金的膜来获得第二电极70(参见图34)。在此之后，保护膜80形成在整个表面上，并且然后，将其上形成有滤色片90的对置衬底粘贴到其上，由此能够获得图25中所示的显示装置3。
另外，谐振器结构(图35中的箭头所示的部分)也形成在反射膜331的光反射面与第二电极70之间的显示装置3中。该部分中的距离由有机层60、第一电极41和层间绝缘膜330中包括的每层的厚度来限定。由于这些部件的处理过程，这些膜厚度能够高精度地控制。因此，可以抑制由谐振器结构的变化引起的发光效率和发光颜色的变化。
此外，反射膜331的光反射面通过在层间绝缘膜330中嵌入金属材料而形成。因此，光反射面不暴露于外部空气。因此，具有高反射率但易于氧化的材料(诸如，银或银合金)可以毫无困难地用作反射膜331的形成材料。
此外，反射膜331与第一电极41之间的距离越长的像素在层间绝缘膜330中具有越多的层循环(layer cycles)，并且因此，像素能够减少光的横向逸出。另一方面，反射膜331与第一电极41之间的距离越短的像素由于界面衰减被抑制而可以提供更高的效率。因此，对于具有较高发光效率的颜色像素，通过增加堆叠层的数量来减少由于横向逸出的光损失，并且对于具有较低发光效率的颜色像素，通过减少堆叠层的数量来减少混色，从而实现作为整体的多个发光像素的最佳发光效率。
在根据上述本公开的各种显示装置的每一个中，第一电极形成在层间绝缘膜上，并且形成在第一电极下方的反射膜形成为具有设置为与层间绝缘膜中的不同绝缘材料彼此接触的边界平面齐平的光反射面。此外，堆叠第一电极、有机层和第二电极。因此，有机层和反射膜之间的位置关系能够通过适当地设定层间绝缘膜的厚度来高精度地设定。
[电子设备]
上述本公开的显示装置能够用作任何领域中的电子设备的显示单元(显示装置)，用于将输入至电子设备的视频信号或电子设备中生成的视频信号显示为图像或视频。例如，显示装置能够用作电视机、数字静态相机、笔记本个人计算机、诸如移动电话的移动终端装置、摄像机、头戴式显示器(附接某人头上的显示器)等中的显示单元。
本公开的显示装置甚至可以包括密封配置中的模块形装置。实例可以是通过将包括透明玻璃等的相对单元附接至像素阵列单元而形成的显示模块。注意，显示模块可以设置有用于从外部向像素阵列单元输入和输出信号等的电路单元、柔性印刷电路(FPC)等。作为采用本公开的显示装置的电子设备的具体实例，下面示出数字静态相机和头戴式显示器。然而，注意，这里示出的具体实例不是限制性的，而仅是实例。
(具体实例1)
图36是可更换镜头的单镜头反射型数字静态相机的外观图；图36A示出其前视图，以及图36B示出其后视图。例如，可更换镜头的单镜头反射型数字静态相机包括相机主体(照相机主体)411的右前侧上的可更换拍摄镜头单元(可更换镜头)412和左前侧上由拍摄者要握持的握持部413。
此外，监视器414基本上布置在相机主体411的后表面的中心中。取景器(目镜窗)415布置在监视器414的上方。通过取景器415进行观察，拍摄者能够在视觉上识别从拍摄镜头单元412引导的被摄体的光学图像以确定构图。
在如上所配置的镜头可更换的单镜头反射型数字静态相机中，本公开的显示装置能够用作取景器415。即，根据本实例的镜头可更换的单镜头反射型数字静态相机通过使用本公开的显示装置作为取景器415来生产。
(具体实例2)
图37是头戴式显示器的外部视图。例如，头戴式显示器包括位于眼镜形显示部分511两侧上的耳钩部分512，使得头戴式显示器附接在用户的头上。在头戴式显示器中，本公开的显示装置能够用作显示部分511。即，根据本实例的头戴式显示器通过使用本公开的显示装置作为显示部分511来制造。
(具体实例3)
图38是透视头戴式显示器的外观图。透视头戴式显示器611包括主体612、臂613和镜筒614。
主体612连接至臂613和眼镜600。具体地，主体612的相对于长侧方向的一端连接至臂613，并且主体612的侧表面经由连接构件连接至眼镜600。注意，主体612可以直接附接在人体的头部。
主体612包括用于控制透视头戴式显示器611的操作的控制板，并且还包括显示单元。臂613连接主体612和透镜镜筒614并且支撑透镜镜筒614。具体地，臂613耦接至主体612的一端和透镜镜筒614的一端以固定透镜镜筒614。此外，臂613包括用于将关于通过主体612设置的图像的数据交换至镜筒614的信号线。
镜筒614通过目镜将由主体612经由臂613设置的图像光投影到佩戴透视头戴式显示器611的用户的眼睛上。在透视头戴式显示器611中，本公开的显示装置能够用作主体612中的显示单元。
[其他]
应当注意，本公开的技术可以具有以下配置。
[A1]一种显示装置，其中，多于一个的像素以二维矩阵布置在电路板上，像素包括发光单元，发光单元包括堆叠的第一电极、有机层和第二电极，其中，
第一电极被布置用于每个发光单元，并且分隔部形成在第一电极与邻近第一电极之间，
有机层和第二电极堆叠在包括第一电极和分隔部的整个表面上，
第一电极形成在层间绝缘膜上，并且
反射膜形成在第一电极下方，反射膜包括被布置成与层间绝缘膜中的彼此接触的不同的绝缘材料的边界平面齐平的光反射表面。
[A2]根据[A1]的显示装置，其中，
层间绝缘膜包括堆叠为彼此接触的不同类型的多种绝缘材料。
[A3]根据[A2]的显示装置，其中，
层间绝缘膜包括选自氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层中的至少两种层。
[A4]根据[A3]的显示装置，其中，
层间绝缘膜由交替堆叠的两种类型的层形成。
[A5]根据[A2]至[A4]中任一项的图像显示装置，其中，
位于反射膜与第一电极之间的层间绝缘膜中的层数根据像素的显示颜色而不同。
[A6]根据[A2]至[A5]中任一项的图像显示装置，其中，
位于反射膜与第一电极之间的层间绝缘膜的膜厚度被设定为根据像素的显示颜色的光学距离。
[A7]根据[A6]的显示装置，其中，
光学距离L满足条件：
2L/λ+Φ/2π＝m(m是整数)
其中，符号Φ表示在第一电极和反射膜中生成的反射光的相移，符号L表示第一电极与反射膜之间的光学距离，并且符号λ表示取自像素的光的光谱的峰值波长。
[A8]根据[A1]至[A7]中任一项的图像显示装置，其中，
反射膜被嵌入在层间绝缘膜中设置的开口中。
[A9]根据[A1]至[A8]中任一项的图像显示装置，其中，
反射膜包括金属材料。
[A10]根据[A9]的显示装置，其中，
反射膜包括银或银合金。
[A11]根据[A9]的显示装置，其中，
反射膜包括上层部分和下层部分，上层部分包括银或银合金，并且下层部分包括铜或铜合金。
[A12]根据[A1]至[A11]中任一项的图像显示装置，其中，
电路板包括用于驱动像素的驱动电路，并且
第一电极和驱动电路电连接。
[A13]根据[A12]的显示装置，其中，
第一电极和驱动电路经由反射膜电连接。
[B1]一种用于制造显示装置的方法，其中，多于一个像素以二维矩阵布置在电路板上，像素包括发光单元，发光单元包括堆叠的第一电极、有机层和第二电极，方法包括以下步骤：
在衬底上形成层间绝缘膜，其中，不同类型的绝缘材料的层堆叠为彼此接触；
在层间绝缘膜的区域形成开口，该区域对应于第一电极，使得层间绝缘膜中的彼此接触的不同的绝缘材料的边界平面齐平的平面暴露于底部；
在开口中嵌入反射膜；
将嵌入有反射膜的表面与电路板结合，并且然后，去除衬底；以及
在层间绝缘膜上形成包括堆叠的第一电极、有机层和第二电极的发光单元。
[B2]根据[B1]的用于制造显示装置的方法，其中，
层间绝缘膜包括堆叠为彼此接触的不同类型的多种绝缘材料。
[B3]根据[B2]的用于制造显示装置的方法，其中，
层间绝缘膜包括选自氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层中的至少两种层。
[B4]根据[B3]的用于制造显示装置的方法，其中，
层间绝缘膜由交替堆叠的两种类型的层形成。
[B5]根据[B2]至[B4]中任一项的用于制造显示装置的方法，其中，
位于反射膜与第一电极之间的层间绝缘膜中的层数根据像素的显示颜色而不同。
[B6]根据[B2]至[B5]中任一项的用于制造显示装置的方法，其中，
位于反射膜与第一电极之间的层间绝缘膜的膜厚度被设定为根据像素的显示颜色的光学距离。
[B7]根据[B6]用于制造显示装置的方法，其中，
光学距离L满足条件：
2L/λ+Φ/2π＝m(m是整数)
其中，符号Φ表示在第一电极和反射膜中生成的反射光的相移，符号L表示第一电极与反射膜之间的光学距离，并且符号λ表示取自像素的光的光谱的峰值波长。
[B8]根据[B1]至[B7]中任一项的用于制造显示装置的方法，其中，
反射膜被嵌入在层间绝缘膜中设置的开口中。
[B9]根据[B1]至[B8]中任一项的用于制造显示装置的方法，其中，
反射膜包括金属材料。
[B10]根据[B9]用于制造显示装置的方法，其中，
反射膜包括银或银合金。
[B11]根据[B9]用于制造显示装置的方法，其中，
反射膜包括上层部分和下层部分，上层部分包括银或银合金，并且下层部分包括铜或铜合金。
[B12]根据[B1]至[B11]中任一项的用于制造显示装置的方法，其中，
电路板包括用于驱动像素的驱动电路，并且
第一电极和驱动电路电连接。
[B13]根据[B12]用于制造显示装置的方法，其中，
第一电极和驱动电路经由反射膜电连接。
[C1]一种包括显示装置的电子设备，其中，多于一个像素以二维矩阵布置在电路板上，像素包括发光单元，发光单元包括堆叠的第一电极、有机层和第二电极，其中，
在显示装置中，
第一电极被布置用于每个发光单元，并且分隔部形成在第一电极与邻近第一电极之间，
有机层和第二电极堆叠在包括第一电极和分隔部的整个表面上，
第一电极形成在层间绝缘膜上，并且
反射膜形成在第一电极下方，反射膜包括被布置成与层间绝缘膜中彼此接触的不同绝缘材料的边界平面齐平的光反射表面。
[C2]根据[C1]的电子设备，其中，
层间绝缘膜包括堆叠为彼此接触的不同类型的多种绝缘材料。
[C3]根据[C2]的电子设备，其中，
层间绝缘膜包括选自氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层中的至少两种层。
[C4]根据[C3]的电子设备，其中，
层间绝缘膜由交替堆叠的两种类型的层形成。
[C5]根据[C2]至[C4]中任一项的电子设备，其中，
位于反射膜与第一电极之间的层间绝缘膜中的层数根据像素的显示颜色而不同。
[C6]根据[C2]至[C5]中任一项的电子设备，其中，
位于反射膜与第一电极之间的层间绝缘膜的膜厚度被设定为根据像素的显示颜色的光学距离。
[C7]根据[C6]的电子设备，其中，
光学距离L满足条件：
2L/λ+Φ/2π＝m(m是整数)
其中，符号Φ表示在第一电极和反射膜中生成的反射光的相移，符号L表示第一电极与反射膜之间的光学距离，并且符号λ表示取自像素的光的光谱的峰值波长。
[C8]根据[C1]至[C7]中任一项的电子设备，其中，
反射膜被嵌入在层间绝缘膜中设置的开口中。
[C9]根据[C1]至[C8]中任一项的电子设备，其中，
反射膜包括金属材料。
[C10]根据[C9]的电子设备，其中，
反射膜包括银或银合金。
[C11]根据[C9]的电子设备，其中，
反射膜包括上层部分和下层部分，上层部分包括银或银合金，并且下层部分包括铜或铜合金。
[C12]根据[C1]至[C11]中任一项的电子设备，其中，
电路板包括用于驱动像素的驱动电路，并且
第一电极和驱动电路电连接。
[C13]根据[C12]的电子设备，其中，
第一电极和驱动电路经由反射膜电连接。
参考符号列表
1、2、3 显示装置
10 像素
11 显示区域
20、220 电路板
21 基础材料
22 栅极电极
23 栅极绝缘膜
24 半导体材料层
25 平坦化膜
26 源极/漏极区域
27 平坦化膜
28、228 接触插塞
30、330 层间绝缘膜
30A 第一层
30A 第二层
30C 第三层
330A 第一层
330B 第二层
330C 第三层
330D 第四层
330E 第五层
31、331、331A、331B、331C 反射膜
32、232 填充构件
33、333 导电部分
39 衬底(硅晶圆)
41 第一电极
51 分隔部
60 有机层
70 第二电极
80 保护膜
90 滤色片
91 遮光区域
92 过滤区域
100 电源单元
101 扫描单元
102 数据驱动器
411 相机主体
412 拍摄镜头单元
413 握持部
414 监测器
415 取景器
511 眼镜型显示部分
512 耳钩部分
600 眼镜(隐形眼镜(eyewear))
611 透视头戴式显示器
612 主体
613 臂
614 透镜镜筒

Claims (15)

1.一种显示装置，其中，多个像素以二维矩阵布置在电路板上，所述像素包括发光单元，所述发光单元包括堆叠的第一电极、有机层和第二电极，其中，
所述第一电极被布置用于每个发光单元，并且分隔部形成在所述第一电极与邻近第一电极之间，
所述有机层和所述第二电极堆叠在包括所述第一电极和所述分隔部的整个表面上，
所述第一电极形成在层间绝缘膜上，并且
反射膜形成在所述第一电极下方，所述反射膜包括被布置成与所述层间绝缘膜中的彼此接触的不同绝缘材料的边界平面齐平的光反射表面。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述层间绝缘膜包括堆叠为彼此接触的不同类型的多种绝缘材料。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述层间绝缘膜包括选自氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层中的至少两种类型的层。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述层间绝缘膜由交替堆叠的两种类型的层形成。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
位于所述反射膜与所述第一电极之间的所述层间绝缘膜中的层数根据所述像素的显示颜色而不同。
6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
位于所述反射膜与所述第一电极之间的所述层间绝缘膜的膜厚度被设定为根据所述像素的显示颜色的光学距离。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述光学距离L满足条件：
2L/λ+Φ/2π＝m(m是整数)
其中，符号Φ表示在所述第一电极和所述反射膜中生成的反射光的相移，符号L表示所述第一电极与所述反射膜之间的光学距离，并且符号λ表示取自所述像素的光的光谱的峰值波长。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述反射膜嵌入在所述层间绝缘膜中设置的开口中。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述反射膜包括金属材料。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，
所述反射膜包括银或银合金。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，
所述反射膜包括上层部分和下层部分，所述上层部分包括银或银合金，并且所述下层部分包括铜或铜合金。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述电路板包括用于驱动所述像素的驱动电路，并且
所述第一电极和所述驱动电路电连接。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述第一电极和所述驱动电路经由所述反射膜电连接。
14.一种用于制造显示装置的方法，其中，多个像素以二维矩阵布置在电路板上，所述像素包括发光单元，所述发光单元包括堆叠的第一电极、有机层和第二电极，所述方法包括以下步骤：
在衬底上形成层间绝缘膜，其中，不同类型的绝缘材料的层堆叠为彼此接触；
在所述层间绝缘膜的区域形成开口，所述区域对应于所述第一电极，使得与所述层间绝缘膜中的彼此接触的不同的绝缘材料的边界平面齐平的平面暴露于底部；
在所述开口中嵌入反射膜；
将所述嵌入有反射膜的表面与所述电路板结合，并且然后，去除所述衬底；以及
在所述层间绝缘膜上形成包括堆叠的第一电极、有机层和第二电极的发光单元。
15.一种包括显示装置的电子设备，其中，多个像素以二维矩阵布置在电路板上，所述像素包括发光单元，所述发光单元包括堆叠的第一电极、有机层和第二电极，其中，
在所述显示装置中，
所述第一电极被布置用于每个发光单元，并且分隔部形成在所述第一电极与邻近第一电极之间，
所述有机层和所述第二电极堆叠在包括所述第一电极和所述分隔部的整个表面上，
所述第一电极形成在层间绝缘膜上，并且
反射膜形成在所述第一电极下方，所述反射膜包括被布置成与所述层间绝缘膜中的彼此接触的不同绝缘材料的边界平面齐平的光反射表面。
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