KR101579975B1 - 유기발광다이오드 표시소자와 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기발광다이오드 표시소자와 그 제조방법에 관한 것이다.
이 유기발광다이오드 표시소자는 반투과 캐소드전극과 투명 애노드전극 사이에 형성되고 모든 발광셀들에서 동일한 구조와 동일한 두께로 형성되는 화이트 OLED; 및 상기 투명 애노드전극과 반사층 사이에 형성된 투명 절연층을 구비한다. 상기 반투과 캐소드전극과 상기 반사층 사이의 광학적 두께는 1㎛~5㎛ 사이의 두께이다.

Description

유기발광다이오드 표시소자와 그 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODDE DESPLAY DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF}
본 발명은 유기발광다이오드 표시소자와 그 제조방법에 관한 것이다.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display : 이하 "LCD"라 한다), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display : FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 "PDP"라 한다) 및 전계발광소자(Electroluminescence Device) 등이 있다.
전계발광소자는 발광층의 재료에 따라 무기 전계발광소자와 유기발광다이오드소자로 대별되며 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.
액티브 매트릭스 타입의 유기발광다이오드 표시소자(Active Matrix type Organic Light Emitting Diode display, AMOLED)는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor 이하, "TFT"라 함)를 이용하여 유기발광다이오드소자에 흐르는 전류를 제어하여 화상을 표시한다. 이러한 유기발광다이오드 표시소자는 유기발광다이오드소자의 구조에 따라 탑 에미션(Top emission), 보텀 에미션(bottom emission), 양면 발광 등의 형태로 화상을 표시한다.
도 1과 같은 탑 에미션 구조의 유기발광다이오드 표시소자는 적(R), 녹(G), 청(B)의 발광셀을 구현하기 위하여, 고가의 파인 메탈 마스크(Fine Metal Mask, FMM)를 이용하여 RGB 발광셀들 별로 발광층(Emission layer, EML)과 공통층 중 한 층을 개별 증착함으로써 RGB 발광셀 별로 애노드-캐소드 사이의 광학적 두께((Optical thickness)를 다르게 구현한다. 여기서, 공통층은 전자주입층(Electron injection layer, EIL), 전자수송층(Electron transport layer, ETL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 및 정공주입층(Hole injection layer, HIL)을 포함한다. 도 1에서, 애노드전극은 Mg-Ag로 형성되고 캐소드전극은 ITO(Indium Tin Oxide : ITO), Ag의 이중 적층 구조이다. 도 1의 유기발광다이오드 표시소자는 RGB 발광셀 별로 애노드-캐소드 사이의 광학적 두께를 다르게 하여 마이크로 캐비티효과(micro-cavity)를 얻을 수 있으므로 컬러화상을 구현할 수 있다. 그런데 도 1과 같은 유기발광다이오드 표시소자를 구현하기 위해서는 RGB 발광셀에서 발광층과 공통층 중 한 층의 두께를 다르게 하기 위하여 공정 수와 공정비용이 높아진다.
도 2와 같은 보텀 에미션 구조의 유기발광다이오드 표시소자는 화이트 유기발광다이오드(White OLED 이하 "화이트 OLED"라 함)와 컬러필터(Color filter)를 조합하여 컬러화상을 구현한다. 그런데, 도 2와 같은 유기발광다이오드 표시소자는 RGB 발광 스펙트럼 특성이 넓게(broad) 퍼져 있어 컬러필터를 통과하더라도 표시화상의 색재현이 높지 않고 발광효율이 낮다. 도 2와 같은 유기발광다이오드 표시소자에서 색재현율을 높이려면 투과율을 낮추어야한다.
도 3과 같은 탑 에미션 구조의 유기발광다이오드 표시소자는 SONY 사에 의해 제안되었으며 상판에 RGB 컬러필터가 형성되고 하판에 화이트 OLED가 형성된다. 이 유기발광다이오드 표시소자에서, 마이크로 캐비트 효과를 구현하기 위하여 반사전극으로 형성된 애노드전극 위에 투명전도체로써 ITO 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)를 형성하되, 그 투명전도체의 두께를 RGB 발광셀 별로 다르게 한다. 그런데, 도 3과 같은 유기발광다이오드 표시소자는 RGB 발광셀 별로 두께가 다른 투명전도체를 3회 형성하고, 포토리소그래피 공정(Photolithography)과 식각공정(etching)을 반복하여야 하므로 공정수와 공정비용이 높다. 예를 들면, 먼저 B 발광셀에서 ITO의 두께를 100Å, G 발광셀에서 ITO의 두께를 500Å, R 발광셀에서 ITO의 두께를 1000Å으로 각각 형성하는 경우에, 먼저 500Å의 두께로 ITO를 증착한 후에 R 발광셀에서만 빛을 투과하는 제1 포토 마스크를 이용한 포토리소그래피공정과 식각 공정을 진행하고, 다시 400Å의 두께로 ITO를 증착 후 R 발광셀과 G 발광셀에서만 빛을 투과하는 제2 포토마스크를 이용한 포토리소그래피공정과 식각공정을 진행한 다음, 마지막으로 100Å의 두께로 ITO를 증착 후 R, G 및 B 발광셀들 모두에서 빛을 투과하는 제3 포토마스크를 이용한 포토리소그래피공정과 식각공정을 진행한다. 도 3과 같은 ITO를 형성하기 위한 다른 방법으로는 ITO를 1000Å 의 두께로 균일하게 전면 증착하고, R, G 및 B 발광셀들 모두에서 빛을 투과하는 포토마스크를 이용한 포토리소그래피 공정과 식각공정을 진행한 후, G 및 R 발광셀들에서 ITO 상에 포토레지스트(Photerresist, PR)를 형성하여 G 및 R 발광셀들을 마스킹한 다음, B 발광셀에서 ITO를 원하는 두께 즉, 100Å의 두께로 건식 식각(dry etching)하고 B 및 R 발광셀에서 ITO를 PR로 마스킹한 후에 G 발생셀에서 ITO를 원하는 두께 즉, 500Å로 건식 식각한다. 위와 같은 방법들 필요한 포토마스크 수가 많고 공정 수가 많기 때문에 실제 양산시에 공정비용의 증가를 초래하므로 파인 메탈 마스크(FMM)을 사용하지 않는 화이트 OLED의 장점이 사라진다.
이와 같은 종래 기술은 포토마스크와 포토리소그래피공정을 포함한 공정 수가 많기 때문에 실제 양산시에 공정비용이 높다. 또한, 종래 기술은 마이크로 캐비티 효과를 이용함으로서 시야각 특성이 저하된다.
종래 기술에서 R, G 및 B 발광셀들에서 서로 다른 파장의 빛을 방출하기 위하여 마이크로 캐비티 조건을 조절할 경우 발광효율이 낮아지고 또한 개별적으로 R, G, B 파장을 제어하기가 어렵다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점들을 해결하고자 안출된 발명으로써 공정 수와 공정 비용을 줄일 수 있으며, 마이크로 캐비티 조건의 제약이 없고 발광효율과 시야각 특성을 높이도록 한 유기발광다이오드 표시소자와 그 제조방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 반투과 캐소드전극과 투명 애노드전극 사이에 형성되고 모든 발광셀들에서 동일한 구조와 동일한 두께로 형성되는 화이트 OLED; 및 상기 투명 애노드전극과 반사층 사이에 형성된 투명 절연층을 구비한다.
상기 반투과 캐소드전극과 상기 반사층 사이의 광학적 두께는 1㎛~5㎛ 사이의 두께이다.
상기 투명 절연층은 상기 반투과 캐소드전극과 상기 반사층 사이의 광학적 두께가 1㎛~5㎛를 만족하는 범위 내에서 0.01㎛ 이상의 두께로 형성된다.
상기 유기발광다이오드 표시소자는 상기 애노드전극에 접속되어 상기 화이트 OLED를 구동하는 TFT를 더 구비한다.
상기 반투과 캐소드전극과 상기 반사층 각각은 알루미늄(Al), 알루미늄계 합금, 은(Ag), 은계 합금, 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 구리(Cu) 중 어느 하나를 포함하고, 상기 반사층의 두께는 상기 반투과 캐소드전극보다 두껍다.
상기 투명 절연층은 유기 절연재료 또는 무기절연재료나, 상기 유기 절연재료와 상기 무기 절연재료의 적층 구조 또는 혼합 재료를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법은 반사층 상에 투명 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 투명 애노드전극을 형성하는 단계; 모든 발광셀들의 상기 투명 애노드전극들 상에 동일한 구조와 동일한 두께로 화이트 OLED를 형성하는 단계; 및 상기 화이트 OLED 상에 투명 캐소드전극을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예들에 따른 유기발광다이오드 표시소자와 그 제조방법은 마이크로 캐비티 조건에 제약을 받지 않는 화이트 OLED를 모든 발광셀들에 동일한 구조와 동일한 두께로 형성하고 반투과 캐소드전극과 반사층 사이의 광학적 두께를 1㎛~5㎛ 정도로 두껍게 형성하여 필요한 공정 수와 공정비용을 줄일 수 있고 나아가, 발광효율과 시야각 특성을 높일 수 있다.
이하, 도 4 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 반투과 캐소드전극(CAT)과 투명 애노드전극(ANO) 사이에 형성된 화이트 OLED(WOLED)와, 투명 애노드전극(ANO)과 반사층(REFL) 사이에 형성된 투명 절연층(ORG/INORG)을 구비한다.
화이트 OLED(WOLED)는 모든 발광셀들에서 동일한 구조와 두께로 형성되며 마이크로 캐비티 조건에 제약을 받지 않는다. 화이트 OLED(WOLED)의 발광층으로부터 방출되는 빛은 반투과 캐소드전극(CAT)을 투과하여 관찰자 쪽으로 진행한다.
반투과 캐소드전극(CAT)과 반사층(REFL) 사이의 광학적 두께(t)는 1㎛~5㎛ 정도로 두껍게 형성된다. 이는 후술하는 실험결과에서 알 수 있듯이 반투과 캐소드전극(CAT)과 반사층(REFL) 사이의 광학적 두께(t)가 1㎛~5㎛ 정도로 두꺼우면 전계발광의 파장 피크값은 R 파장, G 파장 및 B 파장 이외의 다른 가시광 대역의 파장에서도 피크값들을 포함하게 된다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드표시소자는 전계발광의 발광효율을 높일 수 있고 시야각을 확대할 수 있다.
투명 절연층(ORG/INORG)은 반투과 캐소드전극(CAT)과 반사층(REFL) 사이의 광학적 두께(t)를 두껍게 하기 위하여 그들 사이에 삽입되는 두께 조절층이다. 투명 절연층(ORG/INORG)는 반투과 캐소드전극(CAT)과 반사층(REFL) 사이의 광학적 두께(t)가 1㎛~5㎛를 만족하는 범위 내에서 0.01㎛ 이상의 두께로 형성된다. 이러한 투명 절연층(ORG/INORG)은 투명 유기재료 또는 투명 무기재료로 형성되거나, 투명 유기재료와 투명 무기재료의 적층구조 또는 혼합 구조를 포함할 수 있다.
한편, 종래 기술에서 투명 애노드전극 아래에 형성되는 투명 절연층의 두께는 200Å~300Å 정도로 비교적 얇고 최대 2000Å(0.2㎛)를 넘지 않는다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자를 상세히 나타내는 단면도이다. 도 5를 결부하여, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법을 설명하기로 한다.
도 5를 참조하면, 본 발명은 알루미늄(Al), 알루미늄 네오듐(AlNd), 몰리브 덴(Mo) 중에서 어느 한 금속 또는 2 이상의 금속이나 합금을 스퍼터링(Sputtering) 공정으로 하부 유리기판(GLS1) 상에 증착한 후에 포토리소그래피(Photolithograph) 공정과 식각공정으로 그 금속층을 패터닝하여, TFT의 게이트전극, 게이트전극에 연결된 게이트라인, 게이트라인의 끝단에 연결된 게이트 패드 등을 포함한 게이트 금속패턴을 형성한다. 이어서, 본 발명은 CVD(chemical vapor deposition) 공정으로 산화 실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)을 증착하여 게이트 금속패턴을 덮도록 하부 유리기판(GLS1) 상에 게이트 절연막(GI)을 형성한다.
본 발명은 CVD 공정으로 비정질 실리콘을 게이트 절연막(GI) 상에 증착한 후에 포토리소그래피 공정과 식각 공정으로 패터닝하여 TFT의 액티브패턴(ACT)을 형성한다. 이어서, 본 발명은 액티브패턴(ACT)을 덮도록 CVD 공정으로 산화 실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)을 증착하여 제1 버퍼층(BUF1)을 게이트 절연막(GI)과 액티브패턴(ACT) 상에 형성한 후에, 포토리소그래피 공정과 식각 공정을 통해 제1 버퍼층(BUF1)을 식각하여 TFT의 소스전극(S)과 드레인전극(D) 위치에서 액티브패턴(ACT)을 노출시키는 콘택홀들을 형성한다.
본 발명은 스퍼터링 공정으로 몰리브덴(Mo), 알루미늄 네오듐(AlNd), 크롬(Cr), 구리(Cu) 등에서 선택된 금속, 이들의 적층 또는 합금으로 이루어진 소스/드레인 금속을 제1 버퍼층(BUF1) 상에 증착한 후에 포토리소그래피 공정과 식각 공정으로 그 소스/드레인 금속을 패터닝하여 액티브패턴(ACT)에 접속되는 TFT의 소스전극(S) 및 드레인전극(D), 게이트라인들과 직교하는 데이터라인들, 데이터라인들 각각의 끝단에 연결된 데이터 패드 등을 포함한 소스/드레인 금속 패턴을 제1 버퍼층(BUF1) 상에 형성한다. TFT의 소스전극(S)과 드레인전극(D) 각각은 제1 버퍼층(BUF1)에 형성된 콘택홀들을 통해 액티브층(ACT)에 접속된다. 이어서, 본 발명은 산화 실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx) 등의 무기 절연재료를 제1 버퍼층(BUF1)과 소스/드레인 금속 패턴 상에 전면 증착하거나, 또는 아크릴(acryl)계 유기 화합물, BCB(benzo-cyclo-butene) 또는 PFCB(perfluorocyclobutane)와 같은 유기 절연재료를 제1 버퍼층(BUF1)과 소스/드레인 금속 패턴 상에 전면 도포하여 제2 퍼퍼층(BUF2)을 형성한다.
본 발명은 스퍼터링 방법으로 알루미늄(Al), 알루미늄계 합금, 은(Ag), 은계 합금, 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 구리(Cu) 등 반사율이 높은 금속을 전반사가 가능한 두께로 제2 버퍼층(BUF2) 상에 증착하여 반사층(REFL)을 형성한 후에, 그 반사층(REFL) 상에 투명 절연층(ORG/INORG)을 형성한다. 투명 절연층(ORG/INORG)은 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 인(In), 스타늄(Sn), 아연(Zn)을 함유한 질화물이나 산화물 또는 그 혼합물을 포함한 무기 절연재료를 반사층(REFL) 상에 전면 증착하는 방법으로 형성될 수 있다. 또한, 투명 절연층(ORG/INORG)은 포토레지스터(Photo resist, PR) 또는 폴리이미드(Poly-imide)와 같은 이미드계 유기 화합물, 포토 아크릴(Photo-acryl)과 같은 아크릴계 유기 화합물, 폴리카보네이트(Polycarbornate, PC), 폴리설포네이트(Polysulfonate, PS), 폴리메틸메타아크릴레이트(Poly methyl methacylate, PMMA), 폴리에틸렌(Polyethylene, PE), BCB 또는 PFCB와 같은 유기 절연재료를 전면 도포하는 방법으로 형성될 수 있다. 또한, 투명 절연층(ORG/INORG)은 상기와 같은 무기 절연재료나 투명재료의 혼합이나 적층구조로 형성될 수도 있다. 그 다음, 본 발명은 포토리소그래피 공정과 식각 공정을 통해 투명 절연층(ORG/INORG) 반사층(REFL) 및 제2 버퍼층(BUF2)을 식각하여 TFT의 소스전극, 게이트 패드, 데이터 패드 등을 노출하는 콘택홀들을 형성한다.
본 발명은 스퍼터링 방법으로 ITO와 같은 투명 도전체를 패시베이션층(PAS) 상에 전면 증착하고 포토리소그래피 공정과 식각공정을 통해 그 투명 도전체를 패터닝하여 각 발광셀들에서 투명 애노드전극(ANO)을 형성한다. 발광셀들 각각에서 투명 애노드전극(ANO)은 콘택홀을 통해 TFT의 소스전극(S)에 접속된다. 이어서, 본 발명은 CVD 공정으로 산화 실리콘(SiO2), 질화 실리콘(SiNx) 등의 무기 절연재료를 증착한 후에 포토리소그래피 공정과 식각 공정을 통해 그 무기 절연재료를 패터닝하여 발광셀들을 구획하고 콘택홀들에 매립된 뱅크패턴(BANK)을 투명 절연층(ORG/INORG)과 투명 애노드전극(AND) 상에 형성한다.
본 발명은 열 증착(thermal evaporation) 공정으로 정공주입층 재료, 정공수송층 재료, 화이트 발광층 재료, 전자수송층 재료, 전자주입층 재료를 연속 증착하여 투명 애노드전극(ANO)으로부터 순차적으로 적층된 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 전자수송층(ETL) 및 전자주입층(EIL)을 형성한다. 이어서, 본 발명은 열 증착 공정으로 알루미늄(Al), 알루미늄계 합금, 은(Ag), 은계 합금, 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 구리(Cu) 등의 금속을 반투과가 가능한 얇은 두께로 전자주입층(EIL) 상 에 증착하여 반투과 캐소드전극(CAT)을 형성한다. 반투과 캐소드전극(CAT)의 두께는 반사층(REFL)의 그것보다 얇다. 반투과 캐소드전극(CAT)은 화이트 OLED로부터 입사되는 빛의 대략 50%를 반사하고 나머지 50% 정도의 빛을 투과시킨다.
이렇게 TFT&OLED 어레이가 형성된 하부 유리기판(GLS1)이 완성되면, 본 발명은 그 하부 유리기판(GLS1)과 상부 유리기판(GLS2)을 도 5와 같이 정렬한 후에 실런트로 두 기판(GLS1, GLS2)을 봉지한다. 상부 유리기판(GLS2)에는 컬러필터(CF) 및 블랙 매트릭스 어레이(BM)가 형성된다.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자의 실험결과이다.
도 6을 참조하면, 투명 절연층(ORG/INORG)을 2㎛의 두께로 형성하여 반투과 캐소드전극(CAT)과 반사층(REFL) 사이의 광학적 두께(t)를 3㎛로 형성하여 전계발광시의 광스펙트럼을 측정한 결과, 전계발광의 광피크값들은 R 파장, G 파장 및 B 파장은 물론 그 이외의 다른 가시광 대역의 파장을 포함하였다.
도 7을 참조하면, 투명 절연층(ORG/INORG)을 4㎛의 두께로 형성하여 반투과 캐소드전극(CAT)과 반사층(REFL) 사이의 광학적 두께(t)를 5㎛로 형성하여 전계발광시의 광스펙트럼을 측정한 결과, 전계발광의 광피크값들은 R 파장, G 파장 및 B 파장은 물론 그 이외의 다른 가시광 대역의 파장을 포함하였다. 이 실험결과에 의하면, 반투과 캐소드전극(CAT)과 반사층(REFL) 사이의 광학적 두께(t)를 5㎛로 형성하면 반투과 캐소드전극(CAT)과 반사층(REFL) 사이의 광학적 두께(t)를 3㎛로 형성할 때보다도 더 넓은 파장대에서 광 피크값이 존재함을 알 수 있었다.
도 7을 참조하면, 투명 절연층(ORG/INORG)을 4㎛의 두께로 형성하여 반투과 캐소드전극(CAT)과 반사층(REFL) 사이의 광학적 두께(t)를 5㎛로 형성하여 전계발광 광스펙트럼을 측정한 결과, 전계발광의 광피크값들은 R 파장, G 파장 및 B 파장은 물론 그 이외의 다른 가시광 대역의 파장을 포함하였다. 이 실험결과에 의하면, 반투과 캐소드전극(CAT)과 반사층(REFL) 사이의 광학적 두께(t)를 두껍게 할 수록 더 넓은 파장대에서 광 피크값이 존재함을 알 수 있었다.
도 8은 투명 절연층(ORG/INORG)을 1.3㎛의 두께로 형성하였을 때의 전계발광 광스펙트럼과, 투명 절연층(ORG/INORG)을 3㎛의 두께로 형성하였을 때의 전계발광 광스펙트럼의 실험결과이다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 투명 절연층(ORG/INORG)의 두께를 두껍게 하지 않고 화이트 OLED(WOLED)를 구성하는 유기화합물 예를 들면, 전자주입층(EIL), 전자수송층(ETL), 발광층(EML), 정공수송층(HTL), 및 정공주입층(HIL) 중 어느 하나 이상의 유기화합물층를 두껍게 하여 반투과 캐소드전극(CAT)과 반사층(REFL) 사이의 광학적 두께(t)는 1㎛~5㎛ 정도로 두껍게 형성한다. 이 경우에도 전술한 실험결과와 실질적으로 동일한 효과를 얻을 수 있다. 이 실시예에서는 투명 절연층(ORG/INORG)의 두께를 두껍게 하는 경우보다 화이트 OLED(WOLED)의 구동전압이 상승될 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아 니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아 니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
도 1 내지 도 3은 종래 기술의 유기발광다이오드 표시소자들의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자의 발광셀 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자를 상세히으로 나타내는 단면도이다.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자의 실험 결과를 보여 주는 그래프들이다.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
WOLED : 화이트 OLED CAT : 반투과 캐소드전극
ANO : 투명 애노드전극 ORG/INORG : 투명 절연층
REFL : 반사층

Claims (9)

  1. 반투과 캐소드전극과 투명 애노드전극 사이에 형성되고 모든 발광셀들에서 동일한 구조와 동일한 두께로 형성되는 화이트 OLED; 및
    상기 투명 애노드전극과 반사층 사이에 형성된 투명 절연층을 구비하고;
    상기 반투과 캐소드전극과 상기 반사층 사이의 광학적 두께는 상기 모든 발광셀들에서 동일하고,
    전계발광의 광 피크값이 R 파장, G 파장 및 B 파장 이외의 다른 가시광 대역의 파장에서도 나타나도록, 상기 반투과 캐소드전극과 상기 반사층 사이의 광학적 두께는 5㎛이고, 상기 투명 절연층은 4㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시소자.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 애노드전극에 접속되어 상기 화이트 OLED를 구동하는 TFT를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 반투과 캐소드전극과 상기 반사층은 알루미늄(Al), 알루미늄계 합금, 은(Ag), 은계 합금, 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 구리(Cu) 중 어느 하나를 포함하고, 상기 반사층의 두께는 상기 반투과 캐소드전극보다 두꺼우며,
    상기 투명 절연층은 유기 절연재료 또는 무기절연재료나, 상기 유기 절연재료와 상기 무기 절연재료의 적층 구조 또는 혼합 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시소자.
  5. 버퍼층 상부 전면에 반사층을 형성하는 단계;
    반사층 상에 투명 절연층을 형성하는 단계;
    상기 절연층 상에 투명 애노드전극을 형성하는 단계;
    모든 발광셀들의 상기 투명 애노드전극들 상에 동일한 구조와 동일한 두께로 화이트 OLED를 형성하는 단계; 및
    상기 화이트 OLED 상에 반투과 캐소드전극을 형성하는 단계를 포함하고;
    상기 반투과 캐소드전극과 상기 반사층 사이의 광학적 두께는 모든 발광셀들에서 동일하고,
    전계발광의 광 피크값이 R 파장, G 파장 및 B 파장 이외의 다른 가시광 대역의 파장에서도 나타나도록, 상기 반투과 캐소드전극과 상기 반사층 사이의 광학적 두께는 5㎛이고, 상기 투명 절연층은 4㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법.
  6. 삭제
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 반사층 아래에 TFT를 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 TFT는 상기 애노드전극에 접속되어 상기 화이트 OLED를 구동하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 반투과 캐소드전극과 상기 반사층 각각은 알루미늄(Al), 알루미늄계 합금, 은(Ag), 은계 합금, 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 구리(Cu) 중 어느 하나를 포함하고, 상기 반사층의 두께는 상기 반투과 캐소드전극보다 두꺼우며,
    상기 투명 절연층은 유기 절연재료 또는 무기절연재료나, 상기 유기 절연재료와 상기 무기 절연재료의 적층 구조 또는 혼합 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사층의 폭은 상기 모든 발광셀들의 발광영역보다 넓게 위치하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시소자.
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