JP2017142975A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】白色表示すべく異なる色の発光が得られる発光画素を駆動したときの電流比を簡素な構成で一様にすることが可能な電気光学装置及び該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置としての有機ＥＬ装置１００は、反射層１４と、半透過反射層としての対向電極３６と、反射層１４と対向電極３６との間に設けられた、光路長調整層２８及び機能層３５をそれぞれに有する第１画素としての発光画素２０Ｇ，２０Ｒ及び第２画素としての発光画素２０Ｂを備え、発光画素２０Ｇの光路長調整層２８は輝度調整層としての第４絶縁層２７ｂを含み、発光画素２０Ｂの光路長調整層２８は第３絶縁層２７ａを含まない。【選択図】図５

Description

本発明は、光共振構造を備えた自発光型の電気光学装置及び電子機器に関する。
電気光学装置として画素ごとに発光素子である有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子が設けられた有機ＥＬ装置が挙げられる。このような有機ＥＬ装置では、画素に光共振構造を導入して、共振波長の光を取り出すことにより、カラー表示を実現する提案がなされている。
例えば、特許文献１には、画素に、反射層と、光反射性及び光透過性の対向電極と、反射層と対向電極との間に、絶縁層と、画素電極と、発光層を含む機能層とを含む電気光学装置が開示されている。特許文献１の電気光学装置において、絶縁層は、反射層側から順に積層された第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層を含み、反射層と画素電極との間の絶縁層の層構成を画素ごとに変える光共振構造が提案されている。つまり、画素ごとに絶縁層の層構成を変えることによって光共振構造における光路長を調整し、所望の共振波長の光を取り出している。
特開２０１４−２３５９５９号公報
上記特許文献１に記載の電気光学装置では、各画素に設けられる機能層から白色発光が得られる例が示されている。また、各画素にカラーフィルターが配置された例が示されている。すなわち、有機ＥＬ素子の機能層から発した白色光のうち共振波長の光を光共振構造によって強め、さらにカラーフィルターを通して取り出している。
例えば、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の異なる発光色が得られる各画素において、発光強度を厳密に制御することは難しく、各画素からそれぞれ同じ発光強度の光を取り出すために、有機ＥＬ素子に流す電流の大きさをＢ，Ｇ，Ｒの画素ごとに異ならせることがある。そうすると、Ｂ，Ｇ，Ｒの画素間における電流比が異なることになる。したがって、電気光学装置を長期に亘って駆動すると、電流が最も流れる画素における有機ＥＬ素子の発光輝度が他の画素に比べて低下するおそれがある。ゆえに、Ｂ，Ｇ，Ｒの画素を発光させて例えば白色表示させたときに、いずれかの画素の発光輝度の低下による色度ずれが発生するという課題があった。
また、このような画素間における電流比を一様とするため、例えば画素ごとにトランジスターの特性を変えたり、回路構成を変えたりする方法が考えられるが、回路構成が複雑になってしまうという課題があった。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例］本適用例に係る電気光学装置は、反射層と、半透過反射層と、前記反射層と前記半透過反射層との間に設けられた、光路長調整層及び発光機能層をそれぞれに有する第１画素及び第２画素を備え、前記第１画素の前記光路長調整層は輝度調整層を含み、前記第２画素の前記光路長調整層は前記輝度調整層を含まないことを特徴とする。
本適用例によれば、第１画素と第２画素とにおいて同じ発光輝度を得ようとする場合、第１画素は輝度調整層を有していることから、第２画素に比べて電流をたくさん流す必要が生ずる。言い換えれば、第１画素と第２画素とにおいて、例えば、発光機能層を同じ発光輝度で発光させるために流す電流の大きさが異なっていたとしても、第２画素を基準として第１画素に流れる電流を増し、実質的に同じ輝度の発光を第１画素及び第２画素から取り出すことができる。つまり、第１画素と第２画素とに流す電流の大きさの差を小さくする、あるいは電流の大きさを同じにすることができる。すなわち、画素回路における回路構成を複雑にせず、簡素な構成で画素間の電流比を一様とすることが可能な電気光学装置を提供することができる。
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記光路長調整層は、透光性の画素電極を含み、前記輝度調整層は、前記反射層と前記画素電極との間に設けられていることが好ましい。
この構成によれば、画素電極と半透過反射層との間に設けられた発光機能層における発光特性に影響を及ぼすことなく、第１画素と第２画素とに流す電流の大きさの差を小さくする、あるいは電流の大きさを同じにすることができる。
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記輝度調整層は、隣接する層の屈折率よりも屈折率が小さい層を有することが好ましい。
この構成によれば、隣接する層との間の屈折率の違いによって、輝度調整層を透過する光の量を調整することができる。
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記輝度調整層は、隣接する層の屈折率よりも屈折率が小さい層と、金属層とを含むとしてもよい。
この構成によれば、金属層の界面における光反射を利用して輝度を調整することができる。
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記金属層は、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒの中から選ばれる少なくとも１種の金属または当該金属を含む合金からなることを特徴とする。
この構成によれば、これらの金属あるいは合金を用いて金属薄膜とすれば、輝度調整機能を発揮する光透過性と光反射性とを有する金属層を構成することができる。
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記隣接する層は、シリコン窒化膜からなり、前記屈折率が小さい層は、シリコン酸化膜からなることを特徴とする。
この構成によれば、輝度調整層がシリコン酸化膜からなる層を含むことから、輝度調整層を設けることによる急激な輝度の低下を防いで、細かな輝度調整が可能となる。
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第１画素及び前記第２画素は、前記反射層上に設けられた増反射層を有することが好ましい。
この構成によれば、第１画素及び第２画素において、より明るい発光輝度を実現できる。
［適用例］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする。
本適用例によれば、画素回路における回路構成を複雑にせず、簡素な構成で画素間の電流比を一様とすることが可能な電気光学装置を備えているので、見栄えのよい発光状態が実現されると共にコストパフォーマンスに優れた電子機器を提供することができる。
第１実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。 第１実施形態の有機ＥＬ装置の発光画素の電気的な構成を示す等価回路図。 第１実施形態の有機ＥＬ装置の発光画素の構成を示す概略平面図。 発光画素をＸ方向に沿って切ったときの構造を示す概略断面図。 発光画素における光共振構造を示す模式断面図。 第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。 第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。 第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。 第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。 第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。 第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。 第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。 第２実施形態の有機ＥＬ装置における光共振構造を示す模式断面図。 赤色光が得られる発光画素における反射層から金属層までの光学的な距離と輝度との関係を示すグラフ。 緑色光が得られる発光画素における反射層から金属層までの光学的な距離と輝度との関係を示すグラフ。 比較例１の有機ＥＬ装置の光共振構造を示す模式断面図。 比較例１及び実施例１並びに実施例２の評価結果を示す表。 比較例１及び実施例１並びに実施例２の発光画素における電流比を示すグラフ。 電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す模式図。
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
（第１実施形態）
＜電気光学装置＞
まず、本実施形態の電気光学装置として有機ＥＬ装置を例に挙げて、図１〜図５を参照して説明する。図１は有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図、図２は有機ＥＬ装置の発光画素の電気的な構成を示す等価回路図、図３は有機ＥＬ装置の発光画素の構成を示す概略平面図である。
図１に示すように、電気光学装置としての有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０と、素子基板１０の表示領域Ｅにマトリックス状に配置された複数の発光画素２０と、複数の発光画素２０を駆動制御する周辺回路であるデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０２と、外部回路との電気的な接続を図るための複数の外部接続用端子１０３とを備えている。本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、アクティブ駆動型、且つトップエミッション型の発光装置である。
表示領域Ｅには、青色（Ｂ）の発光が得られる発光画素２０Ｂと、緑色（Ｇ）の発光が得られる発光画素２０Ｇと、赤色（Ｒ）の発光が得られる発光画素２０Ｒとが配置されている。また、同色の発光が得られる発光画素２０が図面上において縦方向に配列し、異なる色の発光が得られる発光画素２０が、図面上において横方向にＢ，Ｇ，Ｒの順に繰り返して配置されている。このような発光画素２０の配置は、ストライプ方式と呼ばれるものであるが、これに限定されるものではない。例えば、異なる色の発光が得られる発光画素２０の横方向における配置は、Ｂ，Ｇ，Ｒの順でなくてもよく、例えば、Ｒ，Ｇ，Ｂの順としてもよい。
以降、同色の発光が得られる発光画素２０が配列した縦方向をＹ方向とし、Ｙ方向に直交する方向をＸ方向として説明する。また、発光画素２０の光の取り出し方向から素子基板１０を見ることを平面視として説明する。
発光画素２０の詳しい構成については後述するが、本実施形態における発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれは、発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と呼ぶ）と、Ｂ，Ｇ，Ｒの各色に対応するカラーフィルターとを備え、有機ＥＬ素子からの発光をＢ，Ｇ，Ｒの各色に変換してフルカラー表示を可能とするものである。また、有機ＥＬ素子からの発光波長範囲のうち特定の波長の輝度を向上させる光共振構造が発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに構築されている。
有機ＥＬ装置１００において、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒは、サブ画素として機能するものであり、Ｂ，Ｇ，Ｒに対応する発光が得られる３つの発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒにより、画像表示における１つの画素単位が構成されている。なお、画素単位の構成はこれに限定されず、Ｂ，Ｇ，Ｒ以外の発光色（白色を含む）が得られる発光画素２０が画素単位に含まれていてもよい。
素子基板１０の第１辺部に沿って、複数の外部接続用端子１０３がＸ方向に配列して設けられている。また、Ｙ方向において外部接続用端子１０３と表示領域Ｅとの間にデータ線駆動回路１０１が配置され、Ｘ方向に延在している。また、Ｘ方向において表示領域Ｅを挟んで一対の走査線駆動回路１０２が設けられている。
前述したように表示領域Ｅには、複数の発光画素２０がマトリックス状に設けられており、素子基板１０には、図２に示すように、発光画素２０に対応する信号線として、走査線１１、データ線１２、点灯制御線１３、電源線１４が設けられている。
本実施形態では、走査線１１と点灯制御線１３とがＸ方向に並行して延びており、データ線１２と電源線１４とがＹ方向に並行して延びている。
表示領域Ｅには、マトリックス状に配置された複数の発光画素２０におけるｍ行に対応して複数の走査線１１と複数の点灯制御線１３とが設けられ、それぞれ図１に示した一対の走査線駆動回路１０２に接続されている。また、マトリックス状に配置された複数の発光画素２０におけるｎ列に対応して複数のデータ線１２と複数の電源線１４とが設けられ、複数のデータ線１２は、それぞれ図１に示したデータ線駆動回路１０１に接続され、複数の電源線１４は複数の外部接続用端子１０３のうちいずれかと接続されている。
走査線１１とデータ線１２との交差部付近に、発光画素２０の画素回路を構成する第１トランジスター２１、第２トランジスター２２、第３トランジスター２３、蓄積容量２４、そして発光素子である有機ＥＬ素子３０が設けられている。
有機ＥＬ素子３０は、陽極である画素電極３１と、陰極である対向電極３６と、これらの電極間に挟まれた、発光層を含む機能層３５とを有している。対向電極３６は、複数の発光画素２０に跨って共通に設けられた電極であり、例えば、電源線１４に与えられる電源電圧Ｖｄｄに対して、低位の基準電位ＶｓｓやＧＮＤの電位が与えられる。
第１トランジスター２１及び第３トランジスター２３は、例えばｎチャネル型のトランジスターである。第２トランジスター２２は、例えばｐチャネル型のトランジスターである。
第１トランジスター２１のゲート電極は走査線１１に接続され、一方の電流端はデータ線１２に接続され、他方の電流端は第２トランジスター２２のゲート電極と、蓄積容量２４の一方の電極とに接続されている。
第２トランジスター２２の一方の電流端は、電源線１４に接続されると共に蓄積容量２４の他方の電極に接続されている。第２トランジスター２２の他方の電流端は、第３トランジスター２３の一方の電流端に接続されている。言い換えれば、第２トランジスター２２と第３トランジスター２３とは一対の電流端のうち１つの電流端を共有している。
第３トランジスター２３のゲート電極は点灯制御線１３に接続され、他方の電流端は有機ＥＬ素子３０の画素電極３１に接続されている。
第１トランジスター２１、第２トランジスター２２及び第３トランジスター２３のそれぞれにおける一対の電流端は、一方がソースであり、他方がドレインである。
このような画素回路において、走査線駆動回路１０２から走査線１１に供給される走査信号Ｙｉの電圧水準がＨｉレベルになると、ｎチャネル型の第１トランジスター２１がオン状態（ＯＮ）となる。オン状態（ＯＮ）の第１トランジスター２１を介してデータ線１２と蓄積容量２４とが電気的に接続される。そして、データ線駆動回路１０１からデータ線１２にデータ信号が供給されると、データ信号の電圧水準Ｖｄａｔａと電源線１４に与えられた電源電圧Ｖｄｄとの電位差が蓄積容量２４に蓄積される。
走査線駆動回路１０２から走査線１１に供給される走査信号Ｙｉの電圧水準がＬｏｗレベルになると、ｎチャネル型の第１トランジスター２１がオフ状態（ＯＦＦ）となり、第２トランジスター２２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、電圧水準Ｖｄａｔａが与えられたときの電圧に保持される。また、走査信号ＹｉがＬｏｗレベルになった後に、点灯制御線１３に供給される点灯制御信号Ｖｇｉの電圧水準がＨｉレベルとなり、第３トランジスター２３がオン状態（ＯＮ）となる。そうすると、第２トランジスター２２のソース・ドレイン間には、第２トランジスター２２のゲート・ソース電圧Ｖｇｓに応じた電流が流れる。この電流は、具体的には、電源線１４から第２トランジスター２２及び第３トランジスター２３を経由して、有機ＥＬ素子３０に至る経路で流れる。
有機ＥＬ素子３０は、有機ＥＬ素子３０を流れる電流の大きさに応じて発光する。有機ＥＬ素子３０を流れる電流は、第２トランジスター２２のゲート・ソース間の電圧Ｖｇｓで設定される第２トランジスター２２と有機ＥＬ素子３０の動作点によって定まる。第２トランジスター２２のゲート・ソース間の電圧Ｖｇｓは、走査信号ＹｉがＨｉレベルのときに、データ線１２の電圧水準Ｖｄａｔａと電源電圧Ｖｄｄとの電位差によって蓄積容量２４に保持された電圧である。このように、発光画素２０は、データ信号における電圧水準Ｖｄａｔａ及び第３トランジスター２３がオン状態になる期間の長さによって発光輝度が規定される。つまり、データ信号における電圧水準Ｖｄａｔａの値により、発光画素２０において画像情報に応じた輝度の階調性を与えることができ、フルカラー表示を可能としている。
なお、本実施形態において、発光画素２０の画素回路は、３つのトランジスター２１，２２，２３を有することに限定されず、スイッチング用トランジスターと駆動用トランジスターとを有する構成としてもよい。また画素回路を構成するトランジスターは、ｎチャネル型のトランジスターでもよいし、ｐチャネル型のトランジスターでもよいし、ｎチャネル型のトランジスター及びｐチャネル型のトランジスターの双方を備えるものであってもよい。また、発光画素２０の画素回路を構成するトランジスターは、半導体基板にアクティブ層を有するＭＯＳ型トランジスターであってもよいし、薄膜トランジスターであってもよいし、電界効果トランジスターであってもよい。
また、走査線１１、データ線１２以外の信号線である点灯制御線１３、電源線１４の配置は、トランジスターや蓄積容量２４の配置により左右され、これに限定されるものではない。
本実施形態では、発光画素２０の画素回路を構成するトランジスターとして、半導体基板にアクティブ層を有するＭＯＳ型トランジスターを採用した例について、以降説明する。
＜発光画素の構成＞
発光画素２０の具体的な構成について図３を参照して説明する。図３に示すように、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれは、平面視で矩形状となっており、長手方向がＹ方向に沿って配置されている。発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれには、図２に示した等価回路の有機ＥＬ素子３０が設けられている。発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに設けられた有機ＥＬ素子３０を区別するため、有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒとして説明することもある。また、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１を発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに区別するため、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒとして説明することもある。
発光画素２０Ｂには画素電極３１Ｂと、画素電極３１Ｂと第３トランジスター２３とを電気的に接続させるコンタクト部３１Ｂｃとが設けられている。同様に、発光画素２０Ｇには画素電極３１Ｇと、画素電極３１Ｇと第３トランジスター２３とを電気的に接続させるコンタクト部３１Ｇｃとが設けられている。発光画素２０Ｒには画素電極３１Ｒと、画素電極３１Ｒと第３トランジスター２３とを電気的に接続させるコンタクト部３１Ｒｃとが設けられている。
各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒも平面視で略矩形状であり、長手方向の上方側に各コンタクト部３１Ｂｃ，３１Ｇｃ，３１Ｒｃがそれぞれ配置されている。
発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれは、隣り合う画素電極３１同士を電気的に絶縁すると共に、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ上に機能層３５（図４参照）と接する領域を規定する開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒが形成された絶縁構造を有している。
また、有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒの機能層３５に対して電荷を注入する画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒとして実質的に機能するのは、上記絶縁構造における開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒによって規定され、それぞれ機能層３５と接する部分である。開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒは、後述する第５絶縁層２９（図４参照）によって規定されており、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒのそれぞれにおいて、上記各コンタクト部３１Ｂｃ，３１Ｇｃ，３１Ｒｃは第５絶縁層２９によって覆われて、相互に絶縁されている。なお、本実施形態では、開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒの形状や大きさは同じである。
次に、発光画素２０の構造について、図４を参照して説明する。図４は発光画素をＸ方向に沿って切ったときの構造を示す概略断面図である。なお、図４では画素回路のうち、第１トランジスター２１及び第２トランジスター２２と、第１トランジスター２１及び第２トランジスター２２に関連する配線などを示し、第３トランジスター２３の図示を省略している。
図４に示すように、有機ＥＬ装置１００は、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ、カラーフィルター５０などが形成された素子基板１０と、透光性の封止基板７０とを備えている。素子基板１０と封止基板７０とは、接着性と透明性とを兼ね備えた樹脂層６０によって貼り合わされている。カラーフィルター５０は、Ｂ，Ｇ，Ｒの各色に対応したフィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒを有している。各フィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒは、素子基板１０において、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれに対応して配置されている。機能層３５から発せられた光は、対応するフィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒのいずれかを透過して封止基板７０側から射出される。つまり、有機ＥＬ装置１００は、封止基板７０側から発光が取り出されるトップエミッション構造となっている。
素子基板１０の基材１０ｓは、有機ＥＬ装置１００がトップエミッション構造であることから、透明なガラス基板だけでなく、不透明なセラミック基板や半導体基板を用いることができる。
本実施形態では、基材１０ｓとして半導体基板を用いている。半導体基板は例えばシリコン基板である。
基材１０ｓには、半導体基板にイオンを注入することによって形成されたウェル部１０ｗと、ウェル部１０ｗとは異なる種類のイオンをウェル部１０ｗに注入することにより形成されたアクティブ層であるイオン注入部１０ｄとが設けられている。ウェル部１０ｗは、発光画素２０におけるトランジスター２１，２２，２３のチャネルとして機能し、イオン注入部１０ｄは、発光画素２０におけるトランジスター２１，２２，２３のソース・ドレインや配線の一部として機能するものである。
次に、イオン注入部１０ｄやウェル部１０ｗが形成された基材１０ｓの表面を覆う絶縁膜１０ａが形成される。絶縁膜１０ａはゲート絶縁膜として機能するものである。絶縁膜１０ａ上に例えばポリシリコンなどの導電膜が成膜され、これをパターニングしてゲート電極２２ｇが形成される。ゲート電極２２ｇは、第２トランジスター２２のチャネルとして機能するウェル部１０ｗに対向するように配置されている。他の第１トランジスター２１や第３トランジスター２３においても同様にゲート電極が配置されている。
次に、ゲート電極２２ｇを覆う第１層間絶縁膜１５が形成される。そして、第１層間絶縁膜１５を貫通して、例えば第１トランジスター２１のドレインや第２トランジスター２２のゲート電極２２ｇに至るコンタクトホールが形成される。このコンタクトホール内を少なくとも被覆し、第１層間絶縁膜１５の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、例えば、第１トランジスター２１のドレイン電極２１ｄと第２トランジスター２２のゲート電極２２ｇとに接続される配線が形成される。
次に、第１層間絶縁膜１５上の各種配線を覆う第２層間絶縁膜１６が形成される。そして、第２層間絶縁膜１６を貫通して、第１層間絶縁膜１５上に形成された配線に至るコンタクトホールが形成される。このコンタクトホール内を少なくとも被覆し、第２層間絶縁膜１６の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、例えば、蓄積容量２４の一方の電極２４ａと第２トランジスター２２のゲート電極２２ｇとを電気的に接続させるコンタクト部が形成される。また、一方の電極２４ａと同層にデータ線１２が形成される。データ線１２は、図４では図示省略された配線によって、第１トランジスター２１のソースに接続されている。
次に、少なくとも一方の電極２４ａを覆う誘電体層（図４では図示を省略している）が形成される。また、誘電体層を挟んで一方の電極２４ａに対向する位置に蓄積容量２４の他方の電極２４ｂが形成される。これにより、一対の電極２４ａ，２４ｂ間に誘電体層を有する蓄積容量２４が形成される。
次に、データ線１２及び蓄積容量２４を覆う第３層間絶縁膜１７が形成される。第３層間絶縁膜１７を貫通して、例えば、蓄積容量２４の他方の電極２４ｂや第２層間絶縁膜１６上に形成された配線に至るコンタクトホールが形成される。このコンタクトホール内を少なくとも被覆し、第３層間絶縁膜１７の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、電源線１４や電源線１４と他方の電極２４ｂとを接続させるコンタクト部が形成される。本実施形態では、電源線１４は光反射性と導電性とを兼ね備えた、例えばＡｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）などの金属、あるいはこれらの金属の合金を用いて形成される。また、電源線１４は、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのコンタクト部３１Ｂｃ，３１Ｇｃ，３１Ｒｃ（図３参照）と重なる部分を除いて、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒと対向し、表示領域Ｅに亘る平面を構成するように形成される。電源線１４の画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒと対向する部分が反射層として機能する。
なお、導電性を有する材料で電源線１４を形成し、電源線１４と画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒとの間に反射層を設ける構成としてもよい。
図４では図示していないが、基材１０ｓには、第２トランジスター２２と第３トランジスター２３とが共用するウェル部１０ｗが設けられている。当該ウェル部１０ｗには、３つのイオン注入部１０ｄが設けられている。３つのイオン注入部１０ｄのうち中央側に位置するイオン注入部１０ｄは、第２トランジスター２２と第３トランジスター２３とが共用するドレインとして機能するものである。当該ウェル部１０ｗを覆う絶縁膜１０ａが設けられる。そして、絶縁膜１０ａを覆って例えばポリシリコンなどの導電膜が成膜され、この導電膜をパターニングすることによって、絶縁膜１０ａ上に、第２トランジスター２２のゲート電極及び第３トランジスター２３のゲート電極が形成される。それぞれのゲート電極は、上述した中央側のイオン注入部１０ｄと端側のイオン注入部１０ｄとの間のウェル部１０ｗにおけるチャネルとして機能する部分に対向するように配置されている。
次に、第２トランジスター２２のゲート電極は、第１層間絶縁膜１５と第２層間絶縁膜１６とを貫通するコンタクトホールによって、第２層間絶縁膜１６上に設けられた蓄積容量２４の一方の電極２４ａに接続されている。第２トランジスター２２のソース電極は、第２層間絶縁膜１６及び第３層間絶縁膜１７を貫通するコンタクトホールによって、第３層間絶縁膜１７上に設けられた電源線１４に接続されている。
第３トランジスター２３のゲート電極は、第１層間絶縁膜１５を貫通するコンタクトホールによって、第１層間絶縁膜１５上に設けられた点灯制御線１３に接続されている。第１層間絶縁膜１５上には、点灯制御線１３以外に走査線１１が設けられている。走査線１１は、同じく第１層間絶縁膜１５を貫通するコンタクトホールを経由して、第１トランジスター２１のゲートに接続されている。
第３トランジスター２３のソース電極は、第２層間絶縁膜１６及び第３層間絶縁膜１７、さらに電源線１４上の絶縁層２８を貫通するコンタクトホールによって、絶縁層２８上に設けられた配線に接続されている。当該配線は、例えば、発光画素２０Ｇのコンタクト部３１Ｇｃに対応して設けられたものであり、当該コンタクト部３１Ｇｃにおいて当該配線と画素電極３１Ｇとが接することにより、電気的な接続が図られている。
発光画素２０Ｂ，２０Ｒの画素電極３１Ｂ，３１Ｒのそれぞれと対応する第３トランジスター２３のソース電極との電気的な接続は、発光画素２０Ｇと同様にコンタクト部３１Ｂｃ、コンタクト部３１Ｒｃを介して行われている（図３参照）。
有機ＥＬ素子３０は、反射層として機能する電源線１４上に設けられている。また、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに異なる共振波長の光を取り出すことができる光共振構造が電源線１４上に構築されている。電源線１４は、平面視で発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒが設けられた表示領域Ｅに亘って第３層間絶縁膜１７の表面を覆うように形成されている。また、電源線１４は、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒのそれぞれと対応する第３トランジスター２３との電気的な接続を図る上記コンタクト部３１Ｂｃ，３１Ｇｃ，３１Ｒｃが設けられる部分を除いてパターニングされている。したがって、電源線１４よりも下層に設けられた画素回路の構成による凹凸が、電源線１４よりも上層に設けられる光共振構造に影響を及ぼし難い構造となっている。
発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに設けられた有機ＥＬ素子３０を覆って封止層４０が少なくとも表示領域Ｅに亘って形成されている。封止層４０は、対向電極３６側から順に積層された第１封止膜４１と、緩衝層４２と、第２封止膜４３とを含んで構成されている。
第１封止膜４１は、水分や酸素などのガスを透過し難く（ガスバリア性）、且つ透明性が得られる、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化チタンなどの金属酸化物などの無機化合物を用いて形成される。形成方法としては、低温で緻密な膜を形成可能な気相プロセスを用いることが好ましく、例えば、プラズマＣＶＤ法やＥＣＲプラズマスパッタ法などの高密度プラズマ成膜法や、真空蒸着法、イオンプレーティング法を挙げることができる。第１封止膜４１の膜厚はおよそ２００ｎｍ〜４００ｎｍである。
第１封止膜４１の表面は、下層に設けられた有機ＥＬ素子３０などの構造体の影響を受けて凹凸が生ずる。本実施形態では、該凹凸や異物の付着などに起因する第２封止膜４３の封止機能の低下を防止するために、第１封止膜４１の表面のうち少なくとも表示領域Ｅを覆い、少なくとも表示領域Ｅにおける該凹凸を緩和して平坦化するために緩衝層４２が形成されている。
緩衝層４２は、例えば、透明性を有する有機樹脂を溶媒に溶解させた溶液を用い、印刷法やスピンコート法で該溶液を塗布して乾燥することにより形成された有機樹脂層である。有機樹脂としては、エポキシ樹脂などを挙げることができる。緩衝層４２は、第１封止膜４１の表面における該凹凸を緩和し、第１封止膜４１に付着した異物を覆って平坦化することから、その膜厚は、１μｍ〜５μｍが好ましく、本実施形態では、エポキシ樹脂を用いて膜厚がおよそ３μｍの緩衝層４２が形成されている。緩衝層４２は、平面視で少なくとも機能層３５を覆うように形成され、且つ対向電極３６を覆うように形成されることが好ましい。緩衝層４２を少なくとも機能層３５を覆うように形成することで、機能層３５の端部での凹凸を緩和することができる。なお、緩衝層４２は、表示領域Ｅに加えて、周辺回路（データ線駆動回路１０１及び一対の走査線駆動回路１０２）の表示領域Ｅ側の少なくとも一部を覆うように形成してもよい（図１参照）。
緩衝層４２を覆う第２封止膜４３は、第１封止膜４１と同様に、透明性とガスバリア性とを兼ね備え、耐水性、耐熱性に優れた無機化合物を用いて形成される。無機化合物としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンが挙げられる。第２封止膜４３は、第１封止膜４１と同じ方法を用いて形成することができる。第２封止膜４３の膜厚は、成膜時にクラックが生じないように、２００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲で成膜されることが好ましく、３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲で成膜することがより好ましい。なお、対向電極３６を覆うように緩衝層４２を形成すれば、第１封止膜４１とこれに直接積層した第２封止膜４３により、対向電極３６の端部を覆うことができる。
カラーフィルター５０は、表面が平坦な封止層４０上に形成されている。カラーフィルター５０の各フィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒは、各色に対応した顔料を含む感光性樹脂を封止層４０上に塗布して露光・現像することにより形成される。
＜光共振構造＞
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１００における光共振構造及び有機ＥＬ素子３０の構成について、図５を参照して説明する。図５は発光画素における光共振構造を示す模式断面図である。
本実施形態における有機ＥＬ素子３０は、透光性の陽極である画素電極３１と、半透過反射性の陰極である対向電極３６と、これらの電極間に挟持された機能層３５とを有している。機能層３５は、画素電極３１側から順に積層された正孔注入層（ＨＩＬ）３２、有機発光層（ＥＭＬ）３３、電子輸送層（ＥＴＬ）３４を含むものである。
画素電極３１と対向電極３６との間に駆動電位を印加することにより、画素電極３１から機能層３５に正孔が注入され、対向電極３６から機能層３５に電子が注入される。機能層３５に含まれる有機発光層３３では、注入された正孔と電子が励起子（エキシトン）を形成し、励起子（エキシトン）が消滅する際（電子と正孔とが再結合する際）にエネルギーの一部が蛍光や燐光となって放出される。
機能層３５は、正孔注入層３２、有機発光層３３、電子輸送層３４以外に、正孔や電子の有機発光層３３への注入性や輸送性を改善あるいは制御する、例えば正孔輸送層や電子注入層あるいは中間層を含んでいてもよい。
本実施形態において、機能層３５の有機発光層３３からは白色光が得られる構成となっている。したがって、機能層３５は、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに跨って共通に形成されている。なお、白色光は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の発光が得られる有機発光層を組み合わせることにより実現できる。また、青（Ｂ）と黄（Ｙ）の発光が得られる有機発光層を組み合わせても擬似白色光を得ることができる。
本実施形態では、有機ＥＬ素子３０から発せられた白色光がカラーフィルター５０を透過することで、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに所望の発光色が得られる構成となっている。加えて、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに反射層として機能する電源線１４と対向電極３６との間で光共振構造が構築されており、Ｂ，Ｇ，Ｒの各発光色に対応した共振波長において輝度が強調された発光が得られる。
発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとの共振波長は、反射層としての電源線１４と対向電極３６との間の光学的な距離Ｄ（光路長とも言う）によって決まり、具体的には、下記の数式（１）を満たすように設定される。
Ｄ＝{（２πｍ＋φＬ＋φＵ）／４π}λ・・・（１）
ｍは正の整数（ｍ＝０，１，２・・）、φＬは反射層での反射における位相シフト、φＵは対向電極３６での反射における位相シフト、λは定在波のピーク波長である。
発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの光共振構造における光学的な距離Ｄは、Ｂ，Ｇ，Ｒの順に大きくなり、電源線１４（反射層）と画素電極３１との間に配置された複数の絶縁層の構成を異ならせることによって調整されている。具体的には、電源線１４と画素電極３１Ｂとの間には第１絶縁層２５と第２絶縁層２６が存在し、電源線１４と画素電極３１Ｇとの間には第１絶縁層２５及び第２絶縁層２６に加えて第４絶縁層２７ｂが存在し、電源線１４と画素電極３１Ｒとの間には第１絶縁層２５、第２絶縁層２６、第３絶縁層２７ａ、第４絶縁層２７ｂが存在することで該光学的な距離Ｄが発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに異なっている。光共振構造における各層の光学的な距離は、光が透過する各層の膜厚（ｔ）と屈折率（ｎ）との積で表すことができる。
例えば、発光画素２０Ｂにおける輝度のピーク波長（共振波長）は、４７０ｎｍに設定されている。同じく、発光画素２０Ｇにおける輝度のピーク波長（共振波長）は、５４０ｎｍに設定され、発光画素２０Ｒにおける輝度のピーク波長（共振波長）は、６１０ｎｍに設定されている。
上記ピーク波長を実現するため、例えば、ＩＴＯなどの透明導電膜からなる画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの膜厚をおよそ２０ｎｍ、屈折率を１．８とし、機能層３５の膜厚をおよそ１１０ｎｍ、屈折率を１．８とする。そして、上記数式（１）において、ｍ＝１として、電源線１４（反射層）と対向電極３６との間の各絶縁層の膜厚を算出すると、発光画素２０Ｂでは、屈折率が１．４６であるＳｉＯ2からなる第１絶縁層２５の膜厚が３５ｎｍ、屈折率が１．８のＳｉＮからなる第２絶縁層２６の膜厚が４５ｎｍとなり、合計膜厚は８０ｎｍとなる。発光画素２０Ｇでは、屈折率が１．４６であるＳｉＯ2からなる第４絶縁層２７ｂの膜厚が４４ｎｍとなり、第１絶縁層２５と第２絶縁層２６とを加えた合計膜厚は１２４ｎｍとなる。発光画素２０Ｒでは、ＳｉＯ2からなる第３絶縁層２７ａ及び第４絶縁層２７ｂの膜厚が１００ｎｍとなり、第１絶縁層２５と第２絶縁層２６とを加えた合計膜厚は１８０ｎｍとなる。
なお、本実施形態において、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに亘って共通に設けられ、反射層として機能する電源線１４を覆う第１絶縁層２５は上述したようにＳｉＯ2を用いて形成され、本発明における光反射性を向上させる増反射層として機能するものである。したがって、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれにおける光共振構造の光学的な距離Ｄを実質的に異ならせるために設けられる第２絶縁層２６、第３絶縁層２７ａ、第４絶縁層２７ｂを含む絶縁層２８が本発明における光路長調整層として機能するものである。以降、絶縁層２８の符号を利用して、光路長調整層２８と呼ぶ。
また、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれの光共振構造において、上記ピーク波長を精度よく実現するため、光共振構造の光学的な距離Ｄは、第１絶縁層２５、第２絶縁層２６、第３絶縁層２７ａ、第４絶縁層２７ｂのそれぞれの膜厚及び屈折率、画素電極３１及び機能層３５の膜厚及び屈折率、反射層としての電源線１４及び対向電極３６の消衰係数を考慮して設定される。また、光が透過する層の屈折率は、厳密には透過する光の波長に依存する。
さらに、本実施形態の光共振構造において、光路長調整層２８は、隣接する層（第２絶縁層２６）の屈折率よりも屈折率が小さい層（第３絶縁層２７ａ及び第４絶縁層２７ｂ）を有していることから、反射層１４と第１絶縁層２５との界面だけでなく、第２絶縁層２６と第３絶縁層２７ａ及び第４絶縁層２７ｂとの界面においても光の反射が生ずる構成となっている。これにより、発光画素２０Ｇでは、第２絶縁層２６と第４絶縁層２７ｂとの界面で反射が生じない場合、つまり、第２絶縁層２６と第４絶縁層２７ｂとが同じ材料で構成される場合に比べて、発光画素２０Ｇから取り出される光の強度（輝度）が低下する。同様に、発光画素２０Ｒでは、第２絶縁層２６と第３絶縁層２７ａとの界面で反射が生じない場合、つまり、第２絶縁層２６と第３絶縁層２７ａとが同じ材料で構成される場合に比べて、発光画素２０Ｒから取り出される光の強度（輝度）が低下する。すなわち、発光画素２０Ｇでは光路長調整層２８のうち第４絶縁層２７ｂが本発明の輝度調整層として機能するものであり、発光画素２０Ｒでは光路長調整層２８のうち第３絶縁層２７ａが本発明の輝度調整層として機能するものである。なお、発光画素２０Ｒでは、ＳｉＯ2を用いて第３絶縁層２７ａと第４絶縁層２７ｂとが形成されることから、第３絶縁層２７ａ及び第４絶縁層２７ｂが輝度調整層として機能するとしてもよい。
＜電気光学装置の製造方法＞
次に、電気光学装置としての有機ＥＬ装置１００の製造方法について、図６〜図１２を参照して説明する。図６は有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート、図７〜図１２は有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。本発明の特徴部分は、主に素子基板１０における光路長調整層２８の形成工程にある。したがって、以降は、有機ＥＬ装置１００の製造方法における素子基板１０の製造方法の特徴部分について説明する。
図６に示すように、本実施形態の素子基板１０の製造方法は、増反射層形成工程（ステップＳ１）、光路長調整層形成工程（ステップＳ２）、画素電極形成工程（ステップＳ３）、機能層形成工程（ステップＳ４）、対向電極形成工程（ステップＳ５）を少なくとも備えている。なお、素子基板１０の基材１０ｓ上に前述した画素回路や画素回路に繋がる配線などを形成する方法や反射層としての電源線１４の形成方法は、前述したように公知の方法を用いることができる。以降の説明において、反射層は電源線１４の符号を用いて、反射層１４として説明する。
ステップＳ１の増反射層形成工程及びステップＳ２の光路長調整層形成工程では、まず、図７に示すように、反射層１４上に、第１絶縁層２５、第２絶縁層２６、第３絶縁層２７ａをこの順に成膜して形成する。第１絶縁層２５、第３絶縁層２７ａは例えばＳｉＯ2をＣＶＤ法などにより成膜する。第２絶縁層２６は例えばＳｉＮを同じくＣＶＤ法などにより成膜する。各絶縁層におけるねらいの膜厚は、前述したように、増反射層として機能する第１絶縁層２５が例えば３５ｎｍ、第２絶縁層２６が例えば４５ｎｍ、輝度調整層として機能する第３絶縁層２７ａが例えば５６ｎｍである。
そして、図８に示すように、第３絶縁層２７ａを覆うように感光性レジスト層を形成し、これを露光・現像して、開口部８１ａを有するレジストパターン８１を形成する。開口部８１ａは、隣り合う発光画素２０Ｂと発光画素２０Ｇとに亘って形成される。このようなレジストパターン８１を介して、第３絶縁層２７ａを例えばフッ素系の処理ガスを用いてドライエッチングすることにより、図９に示すように、第３絶縁層２７ａに開口部２７ｃを形成する。なお、ドライエッチング後にレジストパターン８１は除去される。開口部２７ｃは、図３に示すように、発光画素２０Ｂ，２０Ｇのコンタクト部３１Ｂｃ，３１Ｇｃを除いた領域において、隣り合う発光画素２０Ｂと発光画素２０Ｇとに亘って形成される。
続いて、図１０に示すように、第３絶縁層２７ａ及びその開口部２７ｃを覆うように第４絶縁層２７ｂを形成する。第４絶縁層２７ｂもまた例えばＳｉＯ2をＣＶＤ法などにより成膜する。そして、第４絶縁層２７ｂを覆うように感光性レジスト層を形成し、これを露光・現像して、開口部８２ａを有するレジストパターン８２を形成する。開口部８２ａは、発光画素２０Ｂに対応して形成される。このようなレジストパターン８２を介して、開口部８２ａで露出した第４絶縁層２７ｂを例えばフッ素系の処理ガスを用いてドライエッチングすることにより、図１１に示すように、第４絶縁層２７ｂに開口部２７ｄを形成する。なお、ＳｉＮからなる第２絶縁層２６はＳｉＯ2に比べてドライエッチングにおけるエッチングレートが遅いため、第２絶縁層２６はドライエッチングにおけるエッチングストップ膜として機能させることができる。ドライエッチング後にレジストパターン８２は除去される。開口部２７ｄは、図３に示すように、隣り合う発光画素２０Ｂと発光画素２０Ｇとに亘って形成された開口部２７ｃ内において、発光画素２０Ｂ内に対応して形成される。これにより、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒにおいて光学的な距離が異なる光路長調整層２８ができあがる。そして、ステップＳ３へ進む。
ステップＳ３の画素電極形成工程では、光路長調整層２８を覆うように例えばＩＴＯなどの透明導電膜を成膜して、これをパターニングすることにより、図１２に示すように、開口部２７ｄ内の第２絶縁層２６上に画素電極３１Ｂを形成し、開口部２７ｃ内の第４絶縁層２７ｂ上に画素電極３１Ｇを形成し、第４絶縁層２７ｂ上に画素電極３１Ｒを形成する。なお、透明導電膜のねらいの膜厚は例えばおよそ２０ｎｍである。そして、ステップＳ４へ進む。
ステップＳ４の機能層形成工程では、各発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒにおける画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ上に機能層３５を形成する。機能層３５は、前述したように、本実施形態では、正孔注入層３２、有機発光層３３、電子輸送層３４により構成されている。また、これらの層は、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに亘って共通に形成される。機能層３５の各層の構成や形成方法は特に限定されるものではなく、例えば蒸着法などの乾式成膜法やスピンコートなどの湿式成膜法などの公知の方法を用いることができる。また、用いられる機能層形成材料に応じて乾式成膜法と湿式成膜法とを組み合わせて用いてもよい。本実施形態では、蒸着法を用いて正孔注入層３２、有機発光層３３、電子輸送層３４を形成した。機能層３５における正孔注入層３２のねらいの膜厚は例えば３０ｎｍ、有機発光層３３のねらいの膜厚は例えば５５ｎｍ、電子輸送層３４のねらいの膜厚は例えば２５ｎｍである。すなわち、機能層３５のねらいの膜厚は、これらの層のねらいの膜厚の合計値である１１０ｎｍである。そして、ステップＳ５へ進む。
ステップＳ５の対向電極形成工程では、ステップＳ４で形成された機能層３５を覆うように、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに亘って対向電極３６を形成する。本実施形態では、ＭｇとＡｇとを共蒸着して、膜厚がおよそ２０ｎｍのＭｇＡｇ合金の薄膜からなる対向電極３６を形成した。
この後、前述したように対向電極３６を覆う封止層４０を形成する工程、封止層４０上にカラーフィルター５０を形成する工程を経て、素子基板１０を完成させる。さらに、樹脂層６０を介して素子基板１０と封止基板７０とを貼り合わせる工程を経て有機ＥＬ装置１００ができあがる（図４あるいは図５参照）。
上記第１実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）発光画素２０Ｇの光共振構造における光路長調整層２８は、輝度調整層として機能する第４絶縁層２７ｂを有している。同じく、発光画素２０Ｒの光共振構造における光路長調整層２８は、輝度調整層として機能する第３絶縁層２７ａ（あるいは第３絶縁層２７ａ及び第４絶縁層２７ｂ）を有している。例えば、白色表示させるときに、発光画素２０Ｂの有機ＥＬ素子３０Ｂに流す電流の大きさを、発光画素２０Ｇ，２０Ｒの有機ＥＬ素子３０Ｇ，３０Ｒに流す電流の大きさよりも増やす必要がある場合には、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ間において消費電流が異なって電流比が一様でなくなる。発光画素２０Ｇ，２０Ｒの光路長調整層２８が輝度調整層を含むことによって、白色表示をさせるときに、発光画素２０Ｇ，２０Ｒの有機ＥＬ素子３０Ｇ，３０Ｒに流す電流の大きさを増やすことになるので、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒに流す電流の大きさの差を小さくする、あるいは電流比を一様とすることができる。
（２）輝度調整層として機能する第３絶縁層２７ａ（第４絶縁層２７ｂ）は、反射層１４と画素電極３１との間に設けられている。したがって、画素電極３１上に設けられる機能層３５の発光特性に影響を及ぼすことなく、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒに流す電流の大きさの差を小さくする、あるいは電流比を一様とすることができる。
（３）輝度調整層として機能する第３絶縁層２７ａ（第４絶縁層２７ｂ）は、ＳｉＯ2からなり、ＳｉＯ2よりも屈折率が大きいＳｉＮからなる第２絶縁層２６に接して積層される。これにより、第２絶縁層２６と第３絶縁層２７ａ（第４絶縁層２７ｂ）との界面で光の反射が生じて、発光画素２０Ｇ，２０Ｒにおける発光輝度が調整される。つまり、輝度調整層として機能する第３絶縁層２７ａ（第４絶縁層２７ｂ）が光透過性のＳｉＯ2膜を用いて形成されることから、発光輝度の調整を精度よく実施することができる。
（第２実施形態）
＜他の電気光学装置＞
次に、第２実施形態の光共振構造を有する他の電気光学装置として、同じく有機ＥＬ装置を例に挙げ、図１３を参照して説明する。図１３は、第２実施形態の有機ＥＬ装置における光共振構造を示す模式断面図である。第２実施形態の有機ＥＬ装置は、上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１００に対して光共振構造における輝度調整層の形態を異ならせたものである。したがって、上記有機ＥＬ装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
図１３に示すように、本実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置２００は、異なる発光色が得られる発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒを備えた素子基板２１０と、樹脂層６０を介して素子基板２１０に対向配置された透光性の封止基板７０とを備える。素子基板２１０は、基材１０ｓ上において、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに亘って共通に形成された反射層１４及び第１絶縁層２５と、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれに対応して設けられた、光路長調整層２８と、有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒ及びカラーフィルター５０（フィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒ）とを備えている。フィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒは、各有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒを覆う封止層４０上に配置されている。
有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒのそれぞれは、陽極である画素電極３１と、陰極である対向電極３６との間に挟持された機能層３５を有する。機能層３５は、画素電極３１側から順に積層された正孔注入層３２、有機発光層３３、電子輸送層３４を含み、機能層３５からは白色光が発せられる。白色光は、フィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒを透過することで、所望の色光に変換されて封止基板７０側から取り出される。
有機ＥＬ装置２００における光共振構造は、発光画素２０Ｂにおいて反射層１４と画素電極３１Ｂとの間に、第１絶縁層２５及び第２絶縁層２６を有している。発光画素２０Ｇにおいて反射層１４と画素電極３１Ｇとの間に、第１絶縁層２５及び第２絶縁層２６に加えて金属層２７ｍ及び第４絶縁層２７ｂを有している。発光画素２０Ｒにおいて第１絶縁層２５及び第２絶縁層２６に加えて金属層２７ｍ及び第３絶縁層２７ａ並びに第４絶縁層２７ｂを有している。
つまり、本実施形態の光路長調整層２８は、第２絶縁層２６、第３絶縁層２７ａ及び第４絶縁層２７ｂ（第２絶縁層２６よりも屈折率が小さい層）に加えて金属層２７ｍを有するものである。金属層２７ｍは、例えば、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒの中から選ばれる少なくとも１種の金属または当該金属を含む合金からなり、光透過性と光反射性とを有するように、例えばスパッタ法などを用い金属薄膜として形成される。
光共振構造において、反射層１４と画素電極３１との間の層構成を発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒにおいて異ならせることにより、発光画素２０Ｂからは共振波長（ピーク波長）が例えば４７０ｎｍの光を取り出し、発光画素２０Ｇからは共振波長（ピーク波長）が例えば５７０ｎｍの光を取り出し、発光画素２０Ｒからは共振波長（ピーク波長）が例えば６１０ｎｍの光を取り出している。また、金属層２７ｍが設けられた発光画素２０Ｇ，２０Ｒにおいて輝度の調整がなされる。上記共振波長（ピーク波長）の光を取り出す場合、例えば、ＳｉＯ2を用いて形成した場合の第１絶縁層２５のねらいの膜厚は３５ｎｍ、ＳｉＮを用いて形成した場合の第２絶縁層２６のねらいの膜厚は４５ｎｍ、ＴｉＮを用いて形成した場合の金属層２７ｍのねらいの膜厚は２ｎｍ、ＳｉＯ2を用いて形成した場合の、第３絶縁層２７ａのねらいの膜厚は５６ｎｍ、第４絶縁層２７ｂのねらいの膜厚は４４ｎｍ、ＩＴＯを用いて形成した場合の画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒのねらいの膜厚は２０ｎｍである。
次に、反射層１４と画素電極３１Ｇ，３１Ｒとの間における金属層２７ｍの位置と、発光輝度（以降、単に「輝度」と言う）との関係について、図１４及び図１５を参照して説明する。図１４は赤色光が得られる発光画素における反射層から金属層までの光学的な距離と輝度との関係を示すグラフ、図１５は緑色光が得られる発光画素における反射層から金属層までの光学的な距離と輝度との関係を示すグラフである。なお、図１４及び図１５は光学シミュレーションによって得られたグラフであり、輝度は金属層２７ｍが無い場合を「１」として数値化したものである。
詳しくは後述するが、本実施形態の有機ＥＬ装置２００では、共振波長（ピーク波長）が最も長い発光画素２０Ｒにおいて輝度の調整幅が大きくなるように、発光画素２０Ｇと発光画素２０Ｒとにおいて、ＳｉＮからなる第２絶縁層２６上にＴｉＮからなる金属層２７ｍを設けている（図１３参照）。
図１４に示すように、発光画素２０Ｒにおいて、増反射層として機能する第１絶縁層２５上に金属層２７ｍを設けた場合、反射層１４から金属層２７ｍまでの光学的な距離はおよそ５２ｎｍとなる。このときの輝度は、金属層２７ｍを設けない場合に比べておよそ０．７（７０％）程度である。上述したように第２絶縁層２６上に金属層２７ｍを設けた場合、反射層１４から金属層２７ｍまでの光学的な距離はおよそ１４１ｎｍとなる。このときの輝度は、金属層２７ｍを設けない場合に比べておよそ０．５（５０％）程度である。同様に、画素電極３１の直下に金属層２７ｍを設けた場合、反射層１４から金属層２７ｍまでの光学的な距離はおよそ２８７ｎｍとなる。このときの輝度は、金属層２７ｍを設けない場合に比べておよそ０．９７（９７％）程度である。
図１５に示すように、発光画素２０Ｇにおいて、増反射層として機能する第１絶縁層２５上に金属層２７ｍを設けた場合、反射層１４から金属層２７ｍまでの光学的な距離はおよそ５２ｎｍとなり、輝度は、金属層２７ｍを設けない場合に比べておよそ０．７４（７４％）程度である。上述したように第２絶縁層２６上に金属層２７ｍを設けた場合、反射層１４から金属層２７ｍまでの光学的な距離はおよそ１４１ｎｍとなり、輝度は、金属層２７ｍを設けない場合に比べておよそ０．６７（６７％）程度である。同様に、画素電極３１の直下に金属層２７ｍを設けた場合、反射層１４から金属層２７ｍまでの光学的な距離はおよそ２０６ｎｍとなり、輝度は、金属層２７ｍを設けない場合に比べておよそ０．９４（９４％）程度である。したがって、本実施形態の有機ＥＬ装置２００では、輝度調整層として金属層２７ｍをさらに設けることで、金属層２７ｍを設けない場合に比べて、発光画素２０Ｒの輝度がおよそ５０％低下し、発光画素２０Ｇの輝度がおよそ３３％低下する。
有機ＥＬ装置２００の光共振構造において、金属層２７ｍから対向電極３６までの光学的な距離をＤ１とし、反射層１４から金属層２７ｍまでの光学的な距離をＤ２とするとき、Ｄ１及びＤ２が以下の数式（２）の条件を満たすときに、対向電極３６で反射した光と反射層１４で反射した光との位相のずれがλ／２となって最も輝度が低下すると考えられる。
（ｍ＋１／２）λ＝２Ｄ−φ ・・・・（２）
ｍは正の整数（ｍ＝０，１，２・・）、λは共振波長、Ｄは光共振構造における光学的な距離、Ｄ１の場合のφは、対向電極３６と機能層３５との界面における位相シフトと、金属層２７ｍと金属層２７ｍに隣接する層との界面における位相シフトとの合計値である。また、Ｄ２の場合のφは、反射層１４と第１絶縁層２５との界面における位相シフトと、金属層２７ｍと金属層２７ｍに隣接する層との界面における位相シフトとの合計値である。
つまり、発光画素２０における輝度を金属層２７ｍが無い場合に比べて、どの程度低下させるかにより、反射層１４と画素電極３１との間の金属層２７ｍの位置が設定される。
上記第２実施形態の有機ＥＬ装置２００によれば、以下の効果が得られる。
（１）発光画素２０Ｇの光共振構造における光路長調整層２８は、輝度調整層として機能する第４絶縁層２７ｂと金属層２７ｍとを有している。また、発光画素２０Ｒの光共振構造における光路長調整層２８は、輝度調整層として機能する第３絶縁層２７ａと金属層２７ｍとを有している。したがって、金属層２７ｍが無い場合に比べて、より効果的に輝度を低下させることができる。すなわち、白色表示をさせるときに、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒに流す電流の大きさの差をより効果的に小さくする、あるいはより効果的に電流比を一様とすることができる。
（２）金属層２７ｍは、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒの中から選ばれる少なくとも１種の金属または当該金属を含む合金からなるため、これらの金属あるいは合金を用いて金属薄膜とすれば、輝度調整機能を発揮する光透過性と光反射性とを有する金属層２７ｍを構成することができる。とりわけ、本実施形態のように金属窒化物（ＴｉＮ）を用いることで、低反射性の金属層２７ｍとすることができるため、輝度の低下が急激な状態とならず、輝度を緩やかに調整することができる。
また、特殊な金属材料を用いていないので、素子基板１０の配線構造を形成するための各種の材料及び装置を用いて金属層２７ｍを形成可能となる。
なお、上記第１実施形態及び上記第２実施形態において、発光画素２０Ｇ，２０Ｒが本発明の第１画素に相当し、発光画素２０Ｂが本発明の第２画素に相当するものである。
次に、光共振構造に輝度調整層を含む効果について、比較例を挙げて実施例と比較することにより、より具体的に説明する。図１６は比較例１の有機ＥＬ装置の光共振構造を示す模式断面図である。
（比較例１）
図１６に示すように、比較例１の有機ＥＬ装置３００は、異なる発光色が得られる発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒを備えた素子基板３１０と、樹脂層６０を介して素子基板３１０に対向配置された透光性の封止基板７０とを備える。素子基板３１０は、基材１０ｓ上において、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに亘って共通に形成された反射層１４及び絶縁層３２６と、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれに対応して設けられた、有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒ及びカラーフィルター５０（フィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒ）とを備えている。フィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒは、各有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒを覆う封止層４０上に配置されている。
有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒのそれぞれは、陽極である画素電極３１と、陰極である対向電極３６との間に挟持された機能層３５を有する。機能層３５は、画素電極３１側から順に積層された正孔注入層３２、有機発光層３３、電子輸送層３４を含み、機能層３５からは白色光が発せられる。白色光は、フィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒを透過することで、所望の色光に変換されて封止基板７０側から取り出される。
このような比較例１の有機ＥＬ装置３００における光共振構造は、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの厚みを異ならせることにより、共振波長（ピーク波長）の光を取り出している。反射層１４と画素電極３１との間の絶縁層３２６は、ＳｉＮあるいはＳｉＯ2を用いて形成することができる。上記実施形態の有機ＥＬ装置１００と同様な共振波長の光を取り出す場合、例えば、ＳｉＮを用いて絶縁層３２６を形成した場合の絶縁層３２６のねらいの膜厚は７３ｎｍ、ＩＴＯを用いて形成した場合の、画素電極３１Ｂのねらいの膜厚は２０ｎｍ、画素電極３１Ｇのねらいの膜厚は５７ｎｍ、画素電極３１Ｒのねらいの膜厚は１１２ｎｍである。つまり、比較例１の光共振構造は輝度調整層を含んでいない。
（実施例１）
実施例１の輝度調整層を含む光共振構造は、上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１００において説明したものであり、ＳｉＯ2からなる第１絶縁層２５のねらいの膜厚は３５ｎｍ、ＳｉＮからなる第２絶縁層２６のねらいの膜厚は４５ｎｍ、ＳｉＯ2からなる、第３絶縁層２７ａのねらいの膜厚は５６ｎｍ、第４絶縁層２７ｂのねらいの膜厚は４４ｎｍ、ＩＴＯからなる画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒのねらいの膜厚は２０ｎｍである。
（実施例２）
実施例２の輝度調整層を含む光共振構造は、上記第２実施形態の有機ＥＬ装置２００において説明したものであり、ＳｉＯ2からなる第１絶縁層２５のねらいの膜厚は３５ｎｍ、ＳｉＮからなる第２絶縁層２６のねらいの膜厚は４５ｎｍ、ＴｉＮからなる金属層２７ｍのねらいの膜厚は２ｎｍ、ＳｉＯ2からなる、第３絶縁層２７ａのねらいの膜厚は５６ｎｍ、第４絶縁層２７ｂのねらいの膜厚は４４ｎｍ、ＩＴＯからなる画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒのねらいの膜厚は２０ｎｍである。
なお、比較例１、実施例１、実施例２において、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒと対向電極３６との間の機能層３５の構成は同じである。
図１７は比較例１及び実施例１並びに実施例２の評価結果を示す表、図１８は比較例１及び実施例１並びに実施例２の発光画素における電流比を示すグラフである。
図１７に示すように、白色表示させたときの発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒにおける消費電流［ｍＡ］は、次の通りである。
比較例１において、青（Ｂ）は４８．５ｍＡ、緑（Ｇ）は１６．１ｍＡ、赤（Ｒ）は１５．６ｍＡであった。
実施例１において、青（Ｂ）は３９．３ｍＡ、緑（Ｇ）は１８．３ｍＡ、赤（Ｒ）は１７．９ｍＡであった。
実施例２において、青（Ｂ）は３８．８ｍＡ、緑（Ｇ）は２８．６ｍＡ、赤（Ｒ）は４２．８ｍＡであった。
つまり、所望の色度で白色表示させる場合、比較例１では他の発光画素２０Ｇ，２０Ｒに対して発光画素２０Ｂに倍以上の電流を流す必要があった。これに対して、実施例１及び実施例２では、発光画素２０Ｂに流す電流が減少して、発光画素２０Ｇ，２０Ｒに流す電流が増えた。これにより、図１８に示すように、比較例１における電流比は、Ｂ：Ｇ：Ｒ＝０．６：０．２：０．１９≒３：１：１であったが、実施例１では、Ｂ：Ｇ：Ｒ＝０．５２：０．２４：０．２４≒２：１：１、実施例２では、Ｂ：Ｇ：Ｒ＝０．３５：０．２６：０．３９≒１：１：１であった。すなわち、輝度調整層を含むように光路長調整層２８を構成することにより、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ間の消費電流の差を小さくする、あるいは電流比を一様とすることができる。
また、図１７に示すように、白色発光させたときの初期の輝度に対して輝度が８０％となる通電時間を示す輝度寿命（ＬＴ８０（Ｈ））は、比較例１と実施例１とではほぼ同等であり、実施例２は消費電流が増加することで輝度寿命が実施例１よりも短くなった。一方で、初期に対して輝度が８０％となったときにおける白色表示の色差（色度のずれ）として、ＣＩＥ１９７６ＵＣＳ色度図に基づいてΔｕ’ｖ’を求めると、比較例１が０．０４１、実施例１が０．０３０、実施例２が０．０１０となって、実施例２が最も好ましい状態であった。つまり、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒにおける電流比を一様とすることで、白色表示における輝度が低下したとしても所望の色度の白色表示を維持することができる。
（第３実施形態）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１００を適用した電子機器の例について、図１９を参照して説明する。図１９は、電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す模式図である。
ヘッドマウントディスプレイ（Head Mount Display；ＨＭＤ）１０００は、左右の眼に対応して情報を表示するための一対の光学ユニット１００１Ｌ，１００１Ｒと、一対の光学ユニット１００１Ｌ，１００１Ｒを使用者の頭部に装着するための装着部（図示省略）と、電源部及び制御部（図示省略）などを有している。ここで、一対の光学ユニット１００１Ｌ，１００１Ｒは左右対称の構成であるため、右眼用の光学ユニット１００１Ｒを例として説明する。
光学ユニット１００１Ｒは、上記実施形態の有機ＥＬ装置１００が適用された表示部１００Ｒと、集光光学系１００２と、Ｌ字状に折れ曲がった導光体１００３とを備えている。導光体１００３にはハーフミラー層１００４が設けられている。光学ユニット１００１Ｒにおいて、表示部１００Ｒから射出された表示光は、集光光学系１００２によって導光体１００３に入射し、ハーフミラー層１００４で反射して右眼に導かれる。ハーフミラー層１００４に投影された表示光（映像）は虚像である。したがって、使用者は、表示部１００Ｒによる表示（虚像）とハーフミラー層１００４の先にある外界の双方を視認することができる。つまり、ＨＭＤ１０００は、透過型（シースルー型）の投射型表示装置である。
導光体１００３はロッドレンズを組み合わせたものであって、ロッドインテグレーターを形成している。導光体１００３の光の入射側に、集光光学系１００２と表示部１００Ｒとが配置され、集光光学系１００２により集光された表示光を、上記ロッドレンズが受光する構成となっている。また、導光体１００３のハーフミラー層１００４は、集光光学系１００２で集光され、ロッドレンズ内で全反射して伝達される光束を、右眼に向って反射する角度を有している。
表示部１００Ｒは、制御部から伝送された表示信号を、文字や映像などの画像情報として表示することができる。表示された画像情報は、集光光学系１００２によって実像から虚像に変換される。
なお、上述した通り、左眼用の光学ユニット１００１Ｌについても、上記実施形態の有機ＥＬ装置１００が適用された表示部１００Ｌを有し、構成及び機能は上記右眼用の光学ユニット１００１Ｒと同じである。
本実施形態によれば、表示部１００Ｌ，１００Ｒとして上記実施形態の有機ＥＬ装置１００が適用されているので、長期間に亘る使用においても白色表示における色度ずれが生じ難い高い信頼性品質を有するシースルー型のＨＭＤ１０００を提供することができる。
なお、上記実施形態の有機ＥＬ装置１００が適用されるＨＭＤ１０００は、両眼に対応した一対の光学ユニット１００１Ｌ，１００１Ｒを備える構成に限定されず、例えば、片方の光学ユニット１００１Ｒを備える構成であってもよい。また、シースルー型に限定されず、外光を遮光した状態で表示を視認する没入型であってもよい。また、表示部１００Ｌ，１００Ｒには、上記第２実施形態の有機ＥＬ装置２００を適用してもよい。
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
（変形例１）発光画素２０Ｇにおける絶縁層２８の構成は、第２絶縁層２６に加えて第４絶縁層２７ｂを有する構成であることに限定されない。例えば、第４絶縁層２７ｂに替えて第３絶縁層２７ａを有する構成としてもよい。すなわち、第３絶縁層２７ａを発光画素２０Ｇ，２０Ｒに亘って形成し、第４絶縁層２７ｂを発光画素２０Ｒに対応して形成する構成としてもよい。
（変形例２）発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒは、機能層３５から白色光が得られる構成に限定されない。有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒのそれぞれから対応する色光が得られる構成であっても本発明を適用することができる。また、カラーフィルター５０を備えていない有機ＥＬ装置にも本発明を適用することができる。
（変形例３）上記実施形態の有機ＥＬ装置１００において、反射層は、電源線１４を用いて構成されることに限定されない。電源線１４とは別に光反射性を有する材料を用いて、電気的に独立した反射層を画素電極３１の下層に設けてもよい。これによれば、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに対して反射層を自在に配置することができる。
（変形例４）上記実施形態の有機ＥＬ装置１００が適用される電子機器は、ＨＭＤ１０００に限定されない。例えば、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、電子ビューファインダー（ＥＶＦ）、携帯型情報端末などの表示部に好適に用いることができる。
１０…素子基板、１４…反射層としての電源線、２０，２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ…発光画素、２５…増反射層としての第１絶縁層、２６…第２絶縁層、２７ａ…輝度調整層としての第３絶縁層、２７ｍ…金属層、２８…絶縁層（光路長調整層）、３０，３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒ…有機ＥＬ素子、３１，３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ…画素電極、３５…機能層、３６…半透過反射層としての対向電極、１００，２００…有機ＥＬ装置、１０００…電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）。

Claims (8)

  1. 反射層と、半透過反射層と、前記反射層と前記半透過反射層との間に設けられた、光路長調整層及び発光機能層をそれぞれに有する第１画素及び第２画素を備え、
    前記第１画素の前記光路長調整層は輝度調整層を含み、前記第２画素の前記光路長調整層は前記輝度調整層を含まないことを特徴とする電気光学装置。
  2. 前記光路長調整層は、透光性の画素電極を含み、
    前記輝度調整層は、前記反射層と前記画素電極との間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
  3. 前記輝度調整層は、隣接する層の屈折率よりも屈折率が小さい層を有することを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
  4. 前記輝度調整層は、隣接する層の屈折率よりも屈折率が小さい層と、金属層とを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
  5. 前記金属層は、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒの中から選ばれる少なくとも１種の金属または当該金属を含む合金からなることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
  6. 前記隣接する層は、シリコン窒化膜からなり、
    前記屈折率が小さい層は、シリコン酸化膜からなることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
  7. 前記第１画素及び前記第２画素は、前記反射層上に設けられた増反射層を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
  8. 請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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