KR20140066974A - 발광 장치의 제조 방법 및 발광 장치 - Google Patents

발광 장치의 제조 방법 및 발광 장치 Download PDF

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히로아키 야마네
고스케 사카모토
겐지 오쿠모토
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파나소닉 주식회사
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Abstract

기판 상에, 제1 전극과 발광층과 제2 전극이 적층된 발광 구조체를 복수 형성하는 공정과, 기판 상에, 각 발광 구조체를 개개로 둘러싸는 홈을 형성하는 공정과, 기판 상에, 각 발광 구조체와 그들을 개개로 둘러싸는 홈을 피복하는 봉지막을 형성하는 공정과, 봉지막이 형성된 기판을, 봉지막에 있어서의 각 홈의 발광 구조체측의 내측면을 피복하는 부분이 잔존하도록 절단함으로써, 기판을 발광 구조체별로 분리하는 공정을 포함한다.

Description

발광 장치의 제조 방법 및 발광 장치{METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT EMITTING DEVICE, AND LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은, 유기 EL(Electro Luminescence) 장치 등의 발광 장치의 제조 방법에 관한 것이며, 특히, 수분이나 산소에 의한 열화를 방지하기 위한 봉지 기술의 개량에 관한 것이다.
근년, 유기 EL 장치를 디스플레이나 조명에 응용하는 기술이 개발되고 있다. 유기 EL 장치는, 기판과, 기판 상에 형성된 양극, 발광층 및 음극의 적층 구조로 이루어지는 발광 구조체를 구비하고 있으며, 양극과 음극 사이에 전압이 인가되면 발광층에 전류가 흘러 발광하는 것이다. 통상, 발광 구조체는 다층 구조를 갖는다. 그리고, 각 층을 구성하는 재료 중에는 수분이나 산소에 의해 열화되기 쉬운 재료도 포함되어 있다. 그래서, 유기 EL 장치에서는, 외부로부터의 수분이나 산소의 침입을 방지하기 위해 기판 상에 형성된 발광 구조체를 봉지막으로 피복하는 것이 일반적이다.
특허 문헌 1에는, 수지 기판 상에 알루미나로 이루어지는 기판 보호막을 형성하고, 보호막 상에 유기 EL구조체를 형성하고, 유기 EL 구조체 상에 알루미나로 이루어지는 디바이스 보호막을 형성하는 것이 기재되어 있다(단락 0044~0059). 그리고, 이들 보호막을 형성함으로써 유기 EL 구조체의 열화를 방지할 수 있음이 기재되어 있다(단락 0064, 0067).
또, 특허 문헌 2에는, 내부에 가스 장벽을 갖는 봉지막이 형성된 주머니 형상의 플라스틱 필름에 유기 EL 패널을 삽입하고, 그 상태로 플라스틱 필름을 진공 압착하는 것이 기재되어 있다(단락 0025~0032). 그리고, 이에 의해 유기 EL 패널의 열화를 방지할 수 있음이 기재되어 있다(단락 0038).
일본국 특허 공개 2003-332042호 공보 일본국 특허 3761843호
그런데, 종래, 유기 EL 장치에 한정되지 않고, 기판 상에 다층 구조의 소자를 갖는 장치의 제조 방법에서는, 다면취 방식이 채용되는 것이 많다. 다면취 방식이란, 대형 기판 상에 복수의 소자를 동시 병행적으로 형성하고, 그 후, 기판을 소자별로 절단하는 방식이다. 유기 EL 장치에 다면취 방식을 적용하면, 대형 기판 상에 복수의 발광 구조체를 형성하고, 복수의 발광 구조체를 전체적으로 피복하는 봉지막을 형성하고, 봉지막이 형성된 기판을 발광 구조체별로 절단하게 된다. 이와 같이 하면, 발광 구조체를 형성하는 공정에서는 대형 기판을 취급하게 되므로, 유기 EL 장치의 생산성을 향상시킬 수 있다.
그러나, 그 반면, 어떠한 대책을 취하지 않고 기판을 절단하면 절단면에 있어서 기판과 봉지막의 계면이 노출되어, 이 계면으로부터 수분이나 산소가 침입하기 쉬워진다고 하는 문제가 있다. 특히, 기판을 절단할 때에는 기판과 봉지막에 응력이 걸리므로, 그들 계면에 박리가 발생하기 쉬워져 수분이나 산소의 침입 경로가 되기 쉽다. 이에 대해, 기판을 절단한 후에 봉지막을 형성함으로써, 절단 후의 개개의 기판의 절단면까지 봉지막으로 피복시키는 방법도 생각할 수 있다. 그런데, 이 방법에서는, 봉지막을 형성하는 공정에 있어서 절단 후의 기판을 개개로 취급하게 되므로 생산성의 저하를 초래한다.
그래서, 본 발명은, 생산성의 저하를 초래하지 않고 수분이나 산소가 침입하기 어려운 발광 장치를 제조하는 것이 가능한 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 양태에 따른 발광 장치의 제조 방법은, 기판 상에, 제1 전극과 발광층과 제2 전극이 적층된 발광 구조체를 복수 형성하는 공정과, 상기 기판 상에, 각 발광 구조체를 개개로 둘러싸는 홈을 형성하는 공정과, 상기 기판 상에, 각 발광 구조체와 그들을 개개로 둘러싸는 홈을 피복하는 봉지막을 형성하는 공정과, 상기 봉지막이 형성된 기판을, 상기 봉지막에 있어서의 각 홈의 발광 구조체측의 내측면을 피복하는 부분이 잔존하도록 절단함으로써, 상기 기판을 발광 구조체별로 분리하는 공정을 포함한다.
대형 기판에 형성된 각 홈의 발광 구조체측의 내측면은, 절단 후의 개개의 기판에 있어서는 외측면의 일부가 된다. 상기 발광 장치의 제조 방법에서는, 봉지막에 있어서의 각 홈의 발광 구조체측의 내측면을 피복하는 부분이 잔존하도록 절단되므로, 개개의 기판의 외측면의 일부가 봉지막으로 피복되게 된다. 따라서, 절단 후의 기판과 봉지막의 계면의 노출을 방지할 수 있어, 수분이나 산소가 침입하기 어려운 발광 장치를 제조할 수 있다. 또, 상기 발광 장치의 제조 방법에서는, 기판을 절단하기 전에 봉지막을 형성하므로, 봉지막을 형성하는 공정에서 생산성의 저하를 초래하지는 않는다. 따라서, 생산성의 저하를 초래하지 않고 수분이나 산소가 침입하기 어려운 발광 장치를 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 발광 장치의 구조를 나타내는 단면도이며, (a)는 전체도, (b)는 A부의 확대도, (c)는 B부의 확대도
도 2는 본 발명의 실시형태에 따른 발광 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도
도 3은 본 발명의 실시형태에 따른 발광 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 평면도
도 4는 본 발명의 실시형태에 따른 발광 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도
도 5는 홈 내의 봉지막의 형태에 관한 변형예를 설명하기 위한 도면
도 6은 봉지막에 의해 피복되는 영역에 관한 변형예를 설명하기 위한 도면
도 7은 홈의 레이아웃에 관한 변형예를 설명하기 위한 도면
도 8은 홈의 깊이에 관한 변형예를 설명하기 위한 도면
도 9는 절단 위치의 변형예를 설명하기 위한 도면
도 10은 절단 위치의 변형예를 설명하기 위한 도면
도 11은 홈의 형성 순서에 관한 변형예를 설명하기 위한 도면
도 12는 추가적인 봉지 구조를 설명하기 위한 도면
[본 발명의 일 양태의 개요]
본 발명의 일 양태에 따른 발광 장치의 제조 방법은, 기판 상에, 제1 전극과 발광층과 제2 전극이 적층된 발광 구조체를 복수 형성하는 공정과, 상기 기판 상에, 각 발광 구조체를 개개로 둘러싸는 홈을 형성하는 공정과, 상기 기판 상에, 각 발광 구조체와 그들을 개개로 둘러싸는 홈을 피복하는 봉지막을 형성하는 공정과, 상기 봉지막이 형성된 기판을, 상기 봉지막에 있어서의 각 홈의 발광 구조체측의 내측면을 피복하는 부분이 잔존하도록 절단함으로써, 상기 기판을 발광 구조체별로 분리하는 공정을 포함한다.
대형 기판에 형성된 각 홈의 발광 구조체측의 내측면은, 절단 후의 개개의 기판에 있어서는 외측면의 일부가 된다. 상기 발광 장치의 제조 방법에서는, 봉지막에 있어서의 각 홈의 발광 구조체의 내측면을 피복하는 부분이 잔존하도록 절단되므로, 절단 후의 기판의 외측면의 일부가 봉지막으로 피복되게 된다. 따라서, 절단 후의 기판과 봉지막의 계면의 노출을 방지할 수 있어, 수분이나 산소가 침입하기 어려운 발광 장치를 제조할 수 있다. 또, 상기 발광 장치의 제조 방법에서는, 기판을 절단하기 전에 봉지막을 형성하므로, 봉지막을 형성하는 공정에서 생산성의 저하를 초래하지 않는다. 따라서, 생산성의 저하를 초래하지 않고 수분이나 산소가 침입하기 어려운 발광 장치를 제조할 수 있다.
또, 상기 기판을 분리하는 공정에서는, 각 홈의 발광 구조체측의 내측면보다도 홈의 폭방향 중앙쪽의 위치에서 홈을 따라서 상기 기판을 절단함으로써, 각 홈의 발광 구조체측의 내측면을 피복하는 부분을 잔존시키는 것으로 해도 된다.
또, 상기 기판을 분리하는 공정에서는, 각 홈의 폭보다도 좁은 폭으로 상기 기판을 절단하는 것으로 해도 된다.
또, 상기 기판은, 수지 필름과, 상기 수지 필름 상에 형성된 가스 배리어층과, 상기 가스 배리어층 상에 형성되고 상면에 각 발광 구조체가 형성되는 하지(下地)층을 포함하고, 상기 홈을 형성하는 공정에서는, 각 홈의 바닥면이 적어도 가스 배리어층까지 도달하도록 홈의 깊이를 조정하는 것으로 해도 된다.
또, 상기 봉지막은, 원자층 퇴적법에 의해 형성되는 것으로 해도 된다.
본 발명의 일 양태에 따른 발광 장치는, 기판과, 상기 기판 상에 형성된, 제1 전극과 발광층과 제2 전극이 적층된 발광 구조체와, 상기 발광 구조체를 피복하는 봉지막을 구비하고, 상기 기판은, 상기 기판의 외측면에 바깥쪽으로 돌출한 차양부를 갖고, 상기 봉지막은, 상기 기판의 외측면의 차양부까지 확대되어 상기 외측면의 차양부보다도 상측의 영역을 피복하고 있다.
[발광 장치의 구조]
본 발명을 실시하기 위한 형태를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1은, 본 발명의 실시형태에 따른 발광 장치의 구조를 나타내는 단면도이며, (a)는 전체도, (b)는 A부의 확대도, (c)는 B부의 확대도이다.
발광 장치(100)는, 탑 에미션형의 유기 EL 디스플레이이다. 발광 장치(100)는, 기판(10)과, 기판(10) 상에 형성된 발광 구조체(20)와, 발광 구조체(20)를 봉지하는 봉지막(30)를 구비한다.
기판(10)은, 수지 필름(11)과, 가스 배리어층(12)과, TFT(Thin Film Transistor)층(13)을 구비한다. 수지 필름(11)은, 예를 들면, 폴리이미드 등의 수지로 이루어진다. 가스 배리어층(12)은, 수지 필름(11) 상에 형성되어 있고, 예를 들면, 질화 실리콘 등의 가스 장벽을 갖는 재료로 이루어진다. TFT층(13)은, 가스 배리어층(12) 상에 형성되어 있고, 화소별로 설치된 구동 회로를 갖고 있다.
발광 구조체(20)는, 양극층(21)과, 발광층(22)과, 음극층(23)과, 봉지층(24)과, 수지층(25)과, 수지 필름(26)을 구비한다. 양극층(21)은, 도전성 및 광반사성을 갖는 재료로 이루어진다. 이러한 재료로서 예를 들면, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 등을 들 수 있다. 발광층(22)은, 양극층(21)과 음극층(23) 사이에 끼워져 있고, 양극층(21)과 음극층(23) 사이에 전압이 인가된 경우에 전류가 흘러 발광하는 것이다. 도 1(b)는 A부의 확대도이며, 3개의 화소가 나타나 있다. 발광층(22)은, 적어도 유기 EL층을 포함하고, 필요에 따라서 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층, 전자 수송층 등의 각종 기능층을 포함한다. 본 실시형태에서는, 발광층(22)은, 정공 주입층(222a, 222b, 222c), 정공 수송층(223a, 223b, 223c), 유기 EL층(224a, 224b, 224c), 전자 수송층(225)을 포함하고 있다. 또, 발광층(22)에 포함되는 일부 또는 전부의 층은, 필요에 따라서 격벽으로 화소별로 구획된다. 본 실시형태에서는, 정공 주입층(222a, 222b, 222c), 정공 수송층(223a, 223b, 223c) 및 유기 EL층(224a, 224b, 224c)이 격벽(221)에 의해 구획되어 있다. 음극층(23)은, 도전성 및 광투과성을 갖는 재료로 이루어진다. 이러한 재료로서 예를 들면, ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등을 들 수 있다. 봉지층(24)은, 양극층(21), 발광층(22), 음극층(23)으로 이루어지는 적층 구조를 피복 있으며, 예를 들면, 질화 실리콘 등의 가스 장벽을 갖는 재료로 이루어진다. 수지층(25)은, 봉지층(24) 상에 형성되어 있으며, 예를 들면, 에폭시 등의 수지로 이루어진다. 수지 필름(26)은, 예를 들면, 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 시클로올레핀폴리머(COP) 등의 수지로 이루어지고, 플렉시블성 및 절연성을 갖고 있다.
봉지막(30)은, 예를 들면, 알루미나(Al2O3), 질화 실리콘 등의 가스 장벽을 갖는 재료로 이루어지고, 발광 구조체(20)를 피복함과 더불어, 기판(10)의 외측면까지 확대되어 외측면의 일부 영역을 피복하고 있다. 도 1(c)는, B부의 확대도이다. 기판(10)은, 외측면에서 전체 둘레에 걸쳐 바깥쪽으로 돌출한 차양부(10e)를 갖고 있다. 봉지막(30)은, 기판의 상면(10a)에서부터 외측면(10b)을 따라서 확대되어, 차양부(10e)의 상면(10c)까지 달하고 있다. 또한, 차양부(10e)의 외측면(10d)은, 봉지막(30)으로 피복되어 있지 않다. 상기 구성에 의하면, 기판(10)과 봉지막(30)의 계면이 노출된 면(10d)에서부터 발광 구조체(20)까지의 수분이나 산소의 침입 경로를 길게 할 수 있어 봉지성을 높일 수 있다. 또, 발광 장치(100)의 제조 방법에 다면취를 채용한 경우, 기판을 절단할 때에 절단면에 기계적 혹은 열적인 응력이 가해져, 봉지막(30)의 박리가 절단면에서 일정 거리만큼 진행되어 버리는 경우가 있다. 본 실시형태에서는, 절단면에서 발광 구조체(20)까지의 거리를 길게 할 수 있으므로, 봉지막(30)의 박리를 발광 구조체(20)까지 도달하기 어렵게 할 수 있다.
[발광 장치의 제조 방법]
다음에, 도 2, 도 3, 도 4를 이용하여 다면취를 채용한 발광 장치의 제조 방법을 설명한다.
우선, 대형 기판(110)을 준비하고, 기판(110) 상에 발광 구조체(120a, 120b, 120c, 120d…)를 형성한다(도 2(a)). 기판(110)은, 수지 필름(111), 가스 배리어층(112), TFT층(113)을 구비하고 있다. 당연히, 기판(110)은, 복수의 발광 구조체를 형성 가능한 면적을 갖고 있다. 각 발광 구조체는, 양극층(121)과, 발광층(122)과, 음극층(123)과, 봉지층(124)과, 수지층(125)과, 수지 필름(126)을 구비하고 있다. 각 층은 공지의 기술로 형성할 수 있다.
다음에, 기판(110) 상에, 발광 구조체(120a, 120b, 120c, 120d…)를 개개로 둘러싸는 홈(114a, 114b, 114c, 114d, 114e, 114f…)을 형성한다(도 2(b) 및 도 3). 도 3은, 홈이 형성된 상태의 기판(110)을 평면에서 본 도면이다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 예를 들면, 발광 구조체(120b)는, 종방향으로 연장된 홈(114a, 114b) 및 횡방향으로 연장된 홈(114d, 114e)인 4개의 홈으로 둘러싸여 있다. 또, 그 옆의 발광 구조체(120c)는, 종방향으로 연장된 홈(114b, 114c) 및 횡방향으로 연장된 홈(114d, 114e)인 4개의 홈으로 둘러싸여 있다. 이와 같이, 각 발광 구조체는, 그 주위의 4개의 홈에 의해 개개로 둘러싸여 있다. 또, 도 2(b)에 나타낸 바와 같이, 홈의 깊이는, 홈의 전역에 걸쳐 대략 일정하며, 홈의 바닥면이 수지 필름(111)에 도달하는 정도이고, 또한, 기판(110)을 관통해 버리지 않을 정도의 깊이로 설정되어 있다. 또, 홈의 폭(Wa)은, 예를 들면, 수 μm에서 수mm 정도이다. 홈의 형성은, 예를 들면, 칼날이나 레이저로의 가공과 같은 물리적 처리에서도 실시 가능하며, 에칭과 같은 화확적 처리에서도 실시 가능하다.
다음에, 기판(110) 상에, 전체면에 걸쳐 봉지막(130)을 형성한다(도 4(a)). 이에 의해, 발광 구조체(120a, 120b, 120c, 120d…)와, 그들을 개개로 둘러싸는 홈(114a, 114b, 114c, 114d, 114e, 114f…)이 봉지막(130)에 의해 피복된다. 봉지막의 막 두께는, 예를 들면, 수 nm에서 수 100nm 정도이다. 봉지막(130)은, 기판(110)의 상면에서 홈의 내측면을 따라서 홈의 바닥면까지 끊어지지 않고 성막되어 있다. 이러한 봉지막(130)의 형성은, 예를 들면, ALD(Atomic Layer Deposition)법, CVD(Chemical Vapor Deposition)법, 도포법 등에 의해 실시 가능하다. 특히, ALD법은, 단차 피복성(Step Coverage)이 좋은 성막법으로 알려져 있고, 봉지성을 높이는 데에 양호한 방법이다.
다음에, 칼날의 폭(Wb)이 홈의 폭(Wa)보다도 좁은 커터(51)를 준비하고(도 4(b)), 커터(51)를 이용하여 각 홈의 대략 중앙에서 홈을 따라 기판(110)을 절단한다(도 4(c)). 이에 의해, 개개의 발광 장치(110a, 110b, 110c, 110d…)별로 기판(110)이 분리된다. 이 절단 방법에 의하면, 봉지막(130)에 있어서의 각 홈의 발광 구조체측의 내측면(110b)을 피복하는 부분이 잔존한다.
기판(110)에 형성된 각 홈의 발광 구조체측의 내측면(110b)은, 절단 후의 개개의 기판에 있어서는 외측면의 일부가 된다. 상기 발광 장치의 제조 방법에서는, 봉지막(130)에 있어서의 각 홈의 발광 구조체의 내측면을 피복하는 부분이 잔존하도록 절단되므로, 개개의 기판의 외측면의 일부가 봉지막(130)으로 피복되게 된다. 따라서, 기판과 봉지막(130)의 계면이 노출되는 것을 방지할 수 있어, 수분이나 산소가 침입하기 어려운 발광 장치를 제조할 수 있다.
또, 상기 발광 장치의 제조 방법에서는, 기판(110)을 절단하기 전에 봉지막(130)을 형성하므로, 봉지막(130)을 형성하는 공정에서 생산성의 저하를 초래하지 않는다. 따라서, 생산성의 저하를 초래하지 않고 수분이나 산소가 침입하기 어려운 발광 장치를 제조할 수 있다.
또한, 기판(110)을 커터(51)로 절단할 때에 절단면에 기계적 혹은 열적인 응력이 가해져, 봉지막(130)의 박리가 절단면으로부터 일정 거리만큼 진행되어 버리는 경우가 있다. 그러나, 상기 발광 장치의 제조 방법에서는, 절단면에서 발광 구조체까지의 거리를 길게 할 수 있으므로, 봉지막(130)의 박리를 발광 구조체까지 도달하기 어렵게 할 수 있다.
[변형예]
(1) 홈 내의 봉지막의 형태에 관한 변형예
실시형태에서는, 봉지막은 홈의 내측면 및 바닥면을 따른 얇은 막인데, 이에 한정되지 않고, 도 5에 나타낸 바와 같이 봉지막이 홈 내에 충전되는 형태가 있다.
우선, 기판(110)에 발광 구조체(120a, 120b, 120c, 120d…)를 형성하고, 발광 구조체를 개개로 둘러싸는 홈(214a, 214b, 214c…)을 형성한다(도 5(a)). 다음에, 기판(110) 상에, 전체면에 걸쳐 봉지막(230)을 형성한다(도 5(b)). 이 때, 봉지막(230)은, 홈(214a, 214b, 214c)의 내부를 충전하도록 형성된다. 이는, 예를 들면, 홈의 폭이 비교적 좁은 경우나 봉지막이 도포에 의해 형성되는 경우 등에서 일어날 수 있다. 마지막에, 칼날의 폭(Wd)이 홈의 폭(Wc)보다도 좁은 커터(52)를 준비하고(도 5(c)), 커터(52)를 이용하여 각 홈의 대략 중앙에서 홈을 따라서 기판(110)을 절단한다(도 5(d)). 이에 의해, 개개의 발광 장치(110a, 110b, 110c, 110d…)별로 기판(110)이 분리된다. 이와 같이 하면, 봉지막(230)이 홈 내에 충전되어 있더라도, 봉지막(230)에 있어서의 각 홈의 발광 구조체의 내측면을 피복하는 부분이 잔존하도록 절단할 수 있다.
(2) 봉지막에 의해 피복되는 영역에 관한 변형예
실시형태에서는, 도 6(a)에 나타낸 바와 같이 봉지막(30)이 가스 배리어층(12)의 측면의 전체를 피복하고 있다. 그러나, 봉지막(30)이 가스 장벽이 있는 층에만 달하고 있으면, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 도 6(b)에서는, 차양부의 상면(10c)이 가스 배리어층(12)에 위치하고, 봉지막(30)이 가스 배리어층(12)에 달하고 있다. 이러한 경우에도, 봉지막(30)과 가스 배리어층(12)이 밀착되어 있으므로, 봉지성을 높일 수 있다.
또, 발광 장치가 조명 장치인 경우나 패시브형의 디스플레이인 경우, TFT층은 불필요하다. 이러한 경우는, 도 6(c)에 나타낸 바와 같은 형태가 된다. 또, 수지 필름을 대신해 유리 기판을 채용한 경우, 유리 기판 자체에 가스 장벽이 있으므로, 별도로 가스 배리어층을 설치할 필요가 없다. 이러한 경우는, 도 6(d)에 나타낸 바와 같은 형태가 된다. 즉, 기판(10)이 유리 기판(16)과 TFT층(13)으로 이루어지고, 봉지막(30)이 유리 기판(16)까지 달하고 있다. 또한, 봉지막을 가스 장벽이 있는 층까지 도달시키려면, 각 홈의 바닥면이 가스 장벽이 있는 층까지 도달시키면 된다.
(3) 홈의 레이아웃에 관한 변형예
실시형태에서는, 세로로 연장되는 홈과 가로로 연장되는 홈이 발광 구조체 사이에 1개씩 형성되어 있었는데, 개개의 발광 구조체를 둘러쌀 수 있으면, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 도 7(a)에 나타낸 바와 같이, 발광 구조체의 주위에 환형의 홈(314a, 314b, 314c, 314d, 314e, 314f, 314g, 314h…)을 형성해도 된다. 이에 따르면, 예를 들면, 발광 구조체(120b)는, 환형의 홈(314b)으로 둘러싸인다. 또, 도 7(b)에 나타낸 바와 같이, 세로로 연장되는 홈과 가로로 연장되는 홈을 발광 구조체 사이에 2개씩 형성해도 된다. 이에 따르면, 발광 구조체(120b)는, 종방향으로 연장된 홈(415a, 414b) 및 횡방향으로 연장된 홈(415d, 414e)인 4개의 홈으로 둘러싸여 있다. 또, 그 옆의 발광 구조체(120c)는, 종방향으로 연장된 홈(415b, 414c) 및 횡방향으로 연장된 홈(415d, 414e)인 4개의 홈으로 둘러싸여 있다.
(4) 홈의 깊이에 관한 변형예
실시형태에서는, 홈의 깊이는 홈의 전체에 걸쳐 대략 일정하게 기판을 관통하지 않는 정도로 하고 있는데, 대형 기판을 일괄하여 취급할 수만 있으면, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 홈의 깊이가 부분적으로 변동하여, 그 일부가 기판을 관통하고 있어도 된다. 도 8(a)의 예에서는, 홈(514a, 514b, 514c, 514d, 514e, 514f)의 곳곳에 관통 구멍(515)이 형성되어 있다. 이것은, 예를 들면, 홈을 점선 커터로 형성함으로써 실현될 수 있다. 또, 도 8(b)의 예에서는, 홈(614a, 614b, 614c, 614d, 614e, 614f) 중, 관통 구멍이 차지하는 비율이 비교적 크다.
이와 같이, 홈의 일부가 기판을 관통하고 있어도, 완전히 개개의 기판으로 분리되어 있지 않으면, 대형 기판을 일괄하여 취급할 수 있으므로 생산성의 저하를 초래하지 않는다. 또, 홈의 일부가 기판을 관통하고 있으면, 그만큼 기판의 절단 시에 절단하는 거리를 짧게 할 수 있다. 이로써, 절단 시에 가해지는 기계적 또는 열적인 응력을 저감할 수 있다.
(5) 절단 위치의 변형예
실시형태에서는, 발광 구조체 사이에 형성되는 홈이 1개뿐이므로, 홈의 내측면 중 한쪽은 하나의 발광 구조체측의 내측면이 되고, 다른쪽은 다른 발광 구조체측의 내측면이 된다. 예를 들면, 도 4(b)에서, 홈(114a)의 내측면(110b)의 한쪽은 발광 구조체(120a)측의 내측면이 되고, 다른쪽은 발광 구조체(120b)측의 내측면이 된다. 따라서, 양쪽 모두의 발광 구조체측의 내측면의 봉지막을 잔존시키려면, 각 홈의 대략 중앙에서 절단하는 것이 바람직하다. 그러나, 도 9, 도 10에 나타낸 바와 같이, 발광 구조체 사이에 형성되는 홈이 2개인 경우에는 대략 중앙에서 절단하지 않아도 된다.
기판(110)에, 발광 구조체(120a, 120b, 120c, 120d…)를 형성하고, 발광 구조체 사이에 홈(714a, 715a, 714b, 715b, 714c, 715c…)를 형성한다(도 9(a)). 발광 구조체 사이에는 폭(We)의 홈이 2개 형성되고, 2개의 홈은 폭(Wf)만큼 이격하고 있다. 다음에, 기판(110) 상에, 전체면에 걸쳐 봉지막(730)을 형성한다(도 9(b)). 그리고, 칼날의 폭(Wg)이, Wf＜Wg＜2We＋Wf와 같은 조건을 만족시키는 커터(53)를 준비하고(도 9(c)), 커터(53)를 이용하여 2개의 홈 사이에 기판(110)을 절단한다(도 9(d)).
혹은, 칼날의 폭(Wh)이 홈의 폭(We)보다도 좁은 커터(54)를 준비하고(도 10(c)), 커터(54)를 이용하여 홈의 대략 중앙에서 벗어난 위치에서 기판(110)을 절단한다(도 10(d)).
도 9, 도 10의 예에서는, 각 홈의 내측면(110b)은 발광 구조체측의 내측면인데, 내측면(110f)은 발광 구조체측의 내측면은 아니다. 이 때문에, 봉지막(730)에 있어서의 내측면(110b)을 피복하는 부분은 잔존시킬 필요가 있으나, 내측면(110f)을 피복하는 부분은 잔존시킬 필요는 없다. 이러한 경우, 각 홈의 대략 중앙에서 절단하지 않아도, 발광 구조체측의 내측면을 피복하는 봉지막을 잔존시킬 수 있다.
(6) 홈의 단면 형상의 변형예
실시형태에서는, 홈의 단면 형상이 직사각형이며, 기판의 상면과 홈의 내측면이 이루는 각도가 대략 직각인데, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 홈의 단면 형상을 V자형상, 혹은, 역사다리꼴 형상으로 함으로써, 홈의 내측면을 경사면으로 해도 된다. 이에 의해, 봉지막의 커버리지를 높일 수 있다.
(7) 홈의 절단 수단의 변형예
실시형태에서는, 홈은 칼날로 절단하는 것으로 하고 있는데, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 레이저 가공과 같은 물리적 처리나 에칭과 같은 화확적 처리에 의해 절단해도 된다.
(8) 홈의 형성 순서의 변형예
실시형태에서는, 기판 상에 발광 구조체를 형성한 후에 홈을 형성하고 있지만, 이에 한정되지 않는다. 기판에 홈을 형성한 후에 발광 구조체를 형성해도 된다. 이 경우, 우선, 기판(110) 상의 영역(140a, 140b, 140c, 140d…)을 개개로 둘러싸는 홈(114a, 114b, 114c…)을 형성한다(도 11(a)). 영역(140a, 140b, 140c, 140d…)은, 각각 발광 구조체(120a, 120b, 120c, 120d…)가 형성될 예정의 영역이다. 다음에, 기판(110) 상의 영역(140a, 140b, 140c, 140d…)에 각각, 발광 구조체(120a, 120b, 120c, 120d…)를 형성한다(도 11(b)). 그 이후의 공정은, 실시형태와 동일하다.
또, 기판 상에 발광 구조체의 일부 층을 형성한 후에 홈을 형성하고, 그 후, 발광 구조체의 나머지 층을 형성해도 된다.
(9) 추가적인 봉지 구조
실시형태에서는, 발광 구조체는 가스 배리어층(12)과 봉지막(30)으로 봉지되어 있는데, 추가적인 봉지 구조를 더 구비하는 것으로 해도 된다. 예를 들면, 도 12의 예에서는, 내부에 가스 배리어층이 형성된 주머니 형상의 수지 필름(41)에, 발광 장치(100)를 삽입하고, 그 상태로 수지 필름(41)을 진공 압착한 것이다. 발광 장치(100)로의 급전은 외부 리드(42)에 의해 이루어진다. 그리고, 터치 패널용 전극(43)이 수지 필름(41)의 상면(41a)에 형성되어 있다. 또한, 발광 장치(100)가 보텀 에미션형인 경우, 터치 패널용 전극(43)은 수지 필름(41)의 하면(41b)에 형성된다.
(10) 적용 범위
실시형태에서는, 발광 장치가 유기 EL 디스플레이로서 설명하고 있는데, 봉지를 필요로 하는 발광 장치이면 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 발광 장치가 유기 EL 조명에서도 적용 가능하다. 또, 유기 EL 디스플레이에서도, 광의 취득 방법에 따라 탑 에미션형, 보텀 에미션형, 양면 발광형 등의 타입이 있고, 또, 구동 방법에 따라 액티브 매트릭스형이나 패시브 매트릭스형 등의 타입이 있는데, 어느 타입에도 적용 가능하다.
본 발명은, 디스플레이나 조명 등에 이용 가능하다.
10:기판
10a:기판의 상면
10b:기판의 외측면
10c:차양부의 표면
10d:절단면
10e:차양부
11:수지 필름
12:가스 배리어
13:TFT층
16:유리 기판
20:발광 구조체
21:양극층
22:발광층
23:음극층
24:봉지층
25:수지층
26:수지 필름
30:봉지막
41:수지 필름
42:외부 리드
43:터치 패널용 전극
51, 52, 53, 54:커터
100:발광 장치
110:기판
120:발광 구조체
221:격벽
222a:정공 주입층
223a:정공 수송층
224a:유기 EL층
225:전자 수송층
110a~110d:발광 장치
110b:홈의 내측면
110f:홈의 내측면
111:수지 필름
112:가스 배리어층
113:TFT층
114a~114f:홈
120a~120h:발광 구조체
121:양극층
122:발광층
123:음극층
124:봉지층
125:수지층
126:수지 필름
130:봉지막
214a~214c:홈
314a~314f:홈
414a~414f:홈
415a~415f:홈
514a~514f:홈
515:관통 구멍
614a~614f:홈
714a~714c:홈
715a~715c:홈

Claims (8)

  1. 기판 상에, 제1 전극과 발광층과 제2 전극이 적층된 발광 구조체를 복수 형성하는 공정과,
    상기 기판 상에, 각 발광 구조체를 개개로 둘러싸는 홈을 형성하는 공정과,
    상기 기판 상에, 각 발광 구조체와 그들을 개개로 둘러싸는 홈을 피복하는 봉지막을 형성하는 공정과,
    상기 봉지막이 형성된 기판을, 상기 봉지막에 있어서의 각 홈의 발광 구조체측의 내측면을 피복하는 부분이 잔존하도록 절단함으로써, 상기 기판을 발광 구조체별로 분리하는 공정을 포함하는 발광 장치의 제조 방법.
  2. 복수의 영역을 개개로 둘러싸는 홈이 형성된 기판을 준비하는 공정과,
    상기 기판 상의 상기 각 영역에, 제1 전극과 발광층과 제2 영역이 적층된 발광 구조체를 형성하는 공정과,
    상기 기판 상에, 각 발광 구조체와 그들을 개개로 둘러싸는 홈을 피복하는 봉지막을 형성하는 공정과,
    상기 봉지막이 형성된 기판을, 상기 봉지막에 있어서의 각 홈의 발광 구조체측의 내측면을 피복하는 부분이 잔존하도록 절단함으로써, 상기 기판을 발광 구조체별로 분리하는 공정을 포함하는 발광 장치의 제조 방법.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 기판을 분리하는 공정에서는, 각 홈의 발광 구조체측의 내측면보다도 홈의 폭방향 중앙쪽의 위치에서 홈을 따라 상기 기판을 절단함으로써, 각 홈의 발광 구조체측의 내측면을 피복하는 부분을 잔존시키는, 발광 장치의 제조 방법.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 기판을 분리하는 공정에서는, 각 홈의 폭보다도 좁은 폭으로 상기 기판을 절단하는, 발광 장치의 제조 방법.
  5. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 기판은, 수지 필름과, 상기 수지 필름 상에 형성된 가스 배리어층과, 상기 가스 배리어층 상에 형성되고 상면에 각 발광 구조체가 형성되는 하지(下地)층을 포함하고,
    상기 홈을 형성하는 공정에서는, 각 홈의 바닥면이 적어도 가스 배리어층까지 도달하도록 홈의 깊이를 조정하는, 발광 장치의 제조 방법.
  6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 봉지막은 원자층 퇴적법에 의해 형성되는, 발광 장치의 제조 방법.
  7. 기판과,
    상기 기판 상에 형성된, 제1 전극과 발광층과 제2 전극이 적층된 발광 구조체와,
    상기 발광 구조체를 피복하는 봉지막을 구비하고,
    상기 기판의 외측면은, 상기 봉지막에 의해 피복되어 있는 부분과 피복되어 있지 않은 부분을 갖는, 발광 장치.
  8. 기판과,
    상기 기판 상에 형성된, 제1 전극과 발광층과 제2 전극이 적층된 발광 구조체와,
    상기 발광 구조체를 피복하는 봉지막을 구비하고,
    상기 기판은, 상기 기판의 외측면에 바깥쪽으로 돌출한 차양부를 갖고,
    상기 봉지막은, 상기 기판의 외측면의 차양부까지 확대되어 상기 외측면의 차양부보다도 상측의 영역을 피복하고 있는, 발광 장치.
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