JP2012078845A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数のソース信号線と、複数のゲート信号線と、複数の電源供給線と、複数の電源制御線と、複数の画素とを有する電気光学装置であって、複数の画素はスイッチング用TFTと、EL駆動用TFTと、電源制御用TFTと、EL素子とをそれぞれ有しており、電源制御用TFTは、EL素子が有する陰極と陽極との間の電位差を制御することを特徴とする発光装置。
【選択図】図2
Description
(図10(A))
(T.Tsutsui, C.Adachi, S.Saito, Photochemical Processes in Organized Molecular Systems, ed.K.Honda, (Elsevier Sci.Pub., Tokyo,1991) p.437.)
Claims (6)
- 第1のTFTと、第2のTFTと、第3のTFTと、OLEDと、をそれぞれ有する画素を複数有し、
前記第1のTFTは、ソース及びドレインの一方が、前記第2のTFTのゲートに電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が、ソース信号線に電気的に接続され、
前記第2のTFTは、ソース及びドレインの一方が、電源供給線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が、前記第3のTFTのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、
前記第3のTFTは、ソース及びドレインの他方が、前記OLEDに電気的に接続され、
複数の前記画素のうち、1ラインを構成する画素において、前記第1のTFTのゲートは、複数の第1のゲート信号線の一つに電気的に接続され、且つ、前記第3のTFTのゲートは、複数の第2のゲート信号線の一つに電気的に接続され、
1フレーム期間は、n(nは3以上)個の書き込み期間Ta1、Ta2、…、Tanと、(m−1)個の消去期間Te1、Te2、…、Te(m−1)(mは2からnまでの任意の数)と、を有し、
前記n個の書き込み期間Ta1、Ta2、…、Tanにおいて、前記複数の第1のゲート信号線が順次選択されることにより、前記ソース信号線から前記画素にデジタルデータ信号が入力され、
前記(m−1)個の消去期間Te1、Te2、…、Te(m−1)において、前記複数の第2のゲート信号線の選択が順次終了することにより、前記画素において前記第3のTFTがオフになり、
前記n個の書き込み期間Ta1、Ta2、…、Tanのうちの書き込み期間Ta1、Ta2、…、Ta(m−1)のそれぞれが開始されてから、前記(m−1)個の消去期間Te1、Te2、…、Te(m−1)のそれぞれが開始されるまでの期間が、表示期間Tr1、Tr2、…、Tr(m−1)であり、
前記(m−1)個の消去期間Te1、Te2、…、Te(m−1)のそれぞれが開始されてから、前記n個の書き込み期間Ta1、Ta2、…、Tanのうちの書き込み期間Ta2、Ta3、…、Tamのそれぞれが開始されるまでの期間が、非表示期間Td1、Td2、…、Td(m−1)であり、
前記n個の書き込み期間Ta1、Ta2、…、Tanのうちの書き込み期間Tam、Ta(m+1)、…、Ta(n−1)のそれぞれが開始されてから、前記書き込み期間Tam、Ta(m+1)、…、Ta(n−1)の次の書き込み期間のそれぞれが開始されるまでの期間が、表示期間Trm、Tr(m+1)、…、Tr(n−1)であることを特徴とする発光装置。 - 第1のTFTと、第2のTFTと、第3のTFTと、OLEDと、をそれぞれ有する画素を複数有し、
前記第1のTFTは、ソース及びドレインの一方が、前記第2のTFTのゲートに電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が、ソース信号線に電気的に接続され、
前記第2のTFTは、ソース及びドレインの一方が、前記OLEDに電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が、前記第3のTFTのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、
前記第3のTFTは、ソース及びドレインの他方が、電源供給線に電気的に接続され、 複数の前記画素のうち、1ラインを構成する画素において、前記第1のTFTのゲートは、複数の第1のゲート信号線の一つに電気的に接続され、且つ、前記第3のTFTのゲートは、複数の第2のゲート信号線の一つに電気的に接続され、
1フレーム期間は、n(nは3以上)個の書き込み期間Ta1、Ta2、…、Tanと、(m−1)個の消去期間Te1、Te2、…、Te(m−1)(mは2からnまでの任意の数)と、を有し、
前記n個の書き込み期間Ta1、Ta2、…、Tanにおいて、前記複数の第1のゲート信号線が順次選択されることにより、前記ソース信号線から前記画素にデジタルデータ信号が入力され、
前記(m−1)個の消去期間Te1、Te2、…、Te(m−1)において、前記複数の第2のゲート信号線の選択が順次終了することにより、前記画素において前記第3のTFTがオフになり、
前記n個の書き込み期間Ta1、Ta2、…、Tanのうちの書き込み期間Ta1、Ta2、…、Ta(m−1)のそれぞれが開始されてから、前記(m−1)個の消去期間Te1、Te2、…、Te(m−1)のそれぞれが開始されるまでの期間が、表示期間Tr1、Tr2、…、Tr(m−1)であり、
前記(m−1)個の消去期間Te1、Te2、…、Te(m−1)のそれぞれが開始されてから、前記n個の書き込み期間Ta1、Ta2、…、Tanのうちの書き込み期間Ta2、Ta3、…、Tamのそれぞれが開始されるまでの期間が、非表示期間Td1、Td2、…、Td(m−1)であり、
前記n個の書き込み期間Ta1、Ta2、…、Tanのうちの書き込み期間Tam、Ta(m+1)、…、Ta(n−1)のそれぞれが開始されてから、前記書き込み期間Tam、Ta(m+1)、…、Ta(n−1)の次の書き込み期間のそれぞれが開始されるまでの期間が、表示期間Trm、Tr(m+1)、…、Tr(n−1)であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1または2において、
前記複数の第1のゲート信号線は第1のゲート信号側駆動回路に電気的に接続され、
前記複数の第2のゲート信号線は第2のゲート信号側駆動回路に電気的に接続されることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至3のいずれか1項において、
前記第2のTFTと前記第3のTFTは極性が同じであることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至4のいずれか1項において、
前記表示期間Tr1、Tr2、…、Tr(m−1)及び前記表示期間Trm、Tr(m+1)、…、Trnの長さの比は、20:21:…:2(n−1)で表されることを特徴とする発光装置。 - 請求項5において、
前記1フレーム期間とは1/60s以下であることを特徴とする発光装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015046239A (ja) * | 2013-08-27 | 2015-03-12 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、電子機器 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05127614A (ja) * | 1991-11-05 | 1993-05-25 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 中間調画像表示方法 |
JPH05127636A (ja) * | 1991-11-05 | 1993-05-25 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 中間調画像表示方法 |
JPH07191626A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nec Corp | プラズマディスプレイパネルの駆動方法 |
JPH09146491A (ja) * | 1995-11-17 | 1997-06-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 直流型気体放電パネルの駆動方法 |
JPH1055151A (ja) * | 1996-05-13 | 1998-02-24 | Hitachi Ltd | ディスプレイ装置 |
JPH1063221A (ja) * | 1996-08-22 | 1998-03-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | ガス放電型表示装置の駆動方法、その駆動方法を用いた表示方法、及びその装置 |
JPH113048A (ja) * | 1997-06-10 | 1999-01-06 | Canon Inc | エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法 |
JP2000112426A (ja) * | 1998-10-06 | 2000-04-21 | Sharp Corp | 表示装置の動作方法 |
JP2000353811A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-12-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置およびその作製方法 |
JP2001036408A (ja) * | 1999-05-17 | 2001-02-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | D/a変換回路および半導体装置 |
JP2001042822A (ja) * | 1999-08-03 | 2001-02-16 | Pioneer Electronic Corp | アクティブマトリクス型表示装置 |
JP2001060076A (ja) * | 1999-06-17 | 2001-03-06 | Sony Corp | 画像表示装置 |
-
2011
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Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05127614A (ja) * | 1991-11-05 | 1993-05-25 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 中間調画像表示方法 |
JPH05127636A (ja) * | 1991-11-05 | 1993-05-25 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 中間調画像表示方法 |
JPH07191626A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nec Corp | プラズマディスプレイパネルの駆動方法 |
JPH09146491A (ja) * | 1995-11-17 | 1997-06-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 直流型気体放電パネルの駆動方法 |
JPH1055151A (ja) * | 1996-05-13 | 1998-02-24 | Hitachi Ltd | ディスプレイ装置 |
JPH1063221A (ja) * | 1996-08-22 | 1998-03-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | ガス放電型表示装置の駆動方法、その駆動方法を用いた表示方法、及びその装置 |
JPH113048A (ja) * | 1997-06-10 | 1999-01-06 | Canon Inc | エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法 |
JP2000112426A (ja) * | 1998-10-06 | 2000-04-21 | Sharp Corp | 表示装置の動作方法 |
JP2000353811A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-12-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置およびその作製方法 |
JP2001036408A (ja) * | 1999-05-17 | 2001-02-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | D/a変換回路および半導体装置 |
JP2001060076A (ja) * | 1999-06-17 | 2001-03-06 | Sony Corp | 画像表示装置 |
JP2001042822A (ja) * | 1999-08-03 | 2001-02-16 | Pioneer Electronic Corp | アクティブマトリクス型表示装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015046239A (ja) * | 2013-08-27 | 2015-03-12 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、電子機器 |
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