CN114759074A - 显示装置及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开一种显示装置及其制作方法。在一具体实施方式中,该显示装置包括显示面板及设置于显示面板的出光侧的透镜结构阵列,显示面板包括基板及设置在基板上的阵列排布的子像素,透镜结构阵列包括与各子像素一一对应的透镜结构;透镜结构为平凸透镜结构,包括层叠设置的第一透镜层、间隔层和第二透镜层,第一透镜层和第二透镜层分别为有机透镜层,间隔层为无机间隔层。该实施方式通过将透镜设计为层叠设置的有机透镜层、无机间隔层和有机透镜层的结构,使得在将透镜的拱高提升至3μm以上从而匹配显示面板的像素尺寸的同时实现相邻透镜完全密接从而获得更优的显示效果成为可能。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域。更具体地,涉及一种显示装置及其制作方法。
背景技术
目前,在3D显示的光学结构设计中,透镜(具体为平凸透镜)的制作大部分采用的是热回流工艺,具体而言,受制于曝光工艺的限制,形成的透镜(Lens)在显影后通常呈柱状体,再利用热回流工艺通过加热使柱状体热熔融,并在表面张力的作用下形成具有曲面的透镜,得到例如整体呈半球体的透镜。其中,一方面,对于3D显示,相邻透镜需要完全密接才能获得更优的显示效果;另一方面,为了匹配当前主流显示面板的像素尺寸(Pixel CD),则需要将透镜的拱高提升至3μm以上。然而,发明人发现,目前使用的热回流胶材厚度普遍只有2μm,加之热回流效应会造成底面积膨胀,因此要保证相邻透镜密接则透镜拱高只能在1.0μm以下,与可匹配像素尺寸的3μm以上的透镜拱高差距很大,即,相邻透镜需要密接与3μm以上的透镜拱高难以兼顾。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示装置及其制作方法,以解决现有技术存在的问题中的至少一个。
为达到上述目的,本发明采用下述技术方案:
本发明第一方面提供了一种显示装置,包括:显示面板及设置于所述显示面板的出光侧的透镜结构阵列,所述显示面板包括基板及设置在所述基板上的阵列排布的子像素,所述透镜结构阵列包括与各子像素一一对应的透镜结构;
所述透镜结构为平凸透镜结构,包括层叠设置的第一透镜层、间隔层和第二透镜层,所述第一透镜层和所述第二透镜层分别为有机透镜层,所述间隔层为无机间隔层。
可选地,在垂直于所述基板的方向,所述透镜结构的曲面与平面之间的最大距离大于3μm。
可选地,所述透镜结构阵列中,相邻透镜结构的曲面抵接。
可选地,所述第一透镜层与所述第二透镜层的折射率相同;且对于红光波段、绿光波段和蓝光波段,所述间隔层的折射率与所述第一透镜层的折射率差小于预设阈值。
可选地,所述间隔层的材料为氮氧化硅、氮化硅、氧化硅中的一种或任意组合。
可选地,所述间隔层的厚度为0.2μm-0.3μm。
本发明第二方面提供一种显示装置的制作方法,包括:
提供显示面板,所述显示面板包括基板及设置在所述基板上的阵列排布的子像素;
在所述显示面板的出光侧形成透镜结构阵列,所述透镜结构阵列包括与各子像素一一对应的透镜结构;所述透镜结构为平凸透镜结构,包括层叠设置的第一透镜层、间隔层和第二透镜层,所述第一透镜层和所述第二透镜层分别为有机透镜层,所述间隔层为无机间隔层。
可选地,在所述显示面板的出光侧形成透镜结构阵列包括:
在所述显示面板的出光侧形成第一透镜层阵列,所述第一透镜层阵列包括与各子像素一一对应的第一透镜层;
形成覆盖所述第一透镜层阵列的间隔层;
在所述间隔层上形成与各第一透镜层一一对应的第二透镜层,得到透镜结构阵列。
可选地,所述在所述显示面板的出光侧形成第一透镜层阵列包括:
在所述显示面板的出光侧涂覆第一有机材料层,对所述第一有机材料层进行图案化,并对图案化后的第一有机材料层进行热回流工艺或干刻工艺,得到第一透镜层阵列,其中,第一透镜层为平凸透镜层。
可选地,所述形成覆盖所述第一透镜层阵列的间隔层包括:利用沉积工艺形成覆盖所述第一透镜层阵列的间隔层。
可选地,所述利用沉积工艺形成覆盖所述第一透镜层阵列的间隔层进一步包括:通过调节沉积工艺的工艺参数,使得对于红光波段、绿光波段和蓝光波段,所述间隔层的折射率与所述第一透镜层的折射率差小于预设阈值。
可选地,在垂直于所述基板的方向,所述透镜结构的曲面与平面之间的最大距离大于3μm。
可选地,所述间隔层的材料为氮氧化硅、氮化硅、氧化硅中的一种或任意组合。
可选地,所述间隔层的厚度为0.2μm-0.3μm。
可选地,所述间隔层的材料为氮氧化硅、氮化硅、氧化硅中的一种或任意组合。
可选地,所述在所述间隔层上的形成与各第一透镜层一一对应的第二透镜层包括:
在所述间隔层上涂覆第二有机材料层,对所述第二有机材料层进行图案化,并对图案化后的第二有机材料层进行热回流工艺,得到与各第一透镜层一一对应的第二透镜层。
可选地,所述第二有机材料层与所述第一有机材料层的有机材料相同。
可选地,所述透镜结构阵列中,相邻透镜结构的第二透镜层抵接。
本发明的有益效果如下:
本发明所述技术方案,通过将透镜设计为层叠设置的有机透镜层、无机间隔层和有机透镜层的结构,使得在将透镜的拱高提升至3μm以上从而匹配显示面板的像素尺寸的同时实现相邻透镜完全密接从而获得更优的显示效果成为可能。
附图说明
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。
图1示出本发明实施例提供的OLED显示装置的截面示意图。
图2示出氮氧化硅与透镜层材料的N/K曲线对比图。
图3-图9示出本发明实施例提供的OLED显示装置的制作过程中对应各阶段的截面示意图。
具体实施方式
本发明中所述的“在……上”、“在……上形成”和“设置在……上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上,也可以表示一层间接形成或设置在另一层上,即两层之间还存在其它的层。
需要说明的是,虽然术语“第一”、“第二”等可以在此用于描述各种部件、构件、元件、区域、层和/或部分,但是这些部件、构件、元件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。而是,这些术语用于将一个部件、构件、元件、区域、层和/或部分与另一个相区分。因而,例如,下面讨论的第一部件、第一构件、第一元件、第一区域、第一层和/或第一部分可以被称为第二部件、第二构件、第二元件、第二区域、第二层和/或第二部分,而不背离本发明的教导。
在本发明中,除非另有说明,所采用的术语“同层设置”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过相同制备工艺(例如构图工艺等)形成,并且,这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。例如两个或更多个功能层同层设置指的是这些同层设置的功能层可以采用相同的材料层并利用相同制备工艺形成,从而可以简化显示基板的制备工艺。
在本发明中,除非另有说明,表述“构图工艺”一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。表述“一次构图工艺”意指使用一块掩模板形成图案化的层、部件、构件等的工艺。
目前,在3D显示的光学结构设计中,透镜(具体为平凸透镜)的制作大部分采用的是热回流工艺,具体而言,受制于曝光工艺的限制,形成的透镜(Lens)在显影后通常呈柱状体,再利用热回流工艺通过加热使柱状体热熔融,并在表面张力的作用下形成具有曲面的透镜,得到例如整体呈半球体的透镜。其中,一方面,对于3D显示,相邻透镜需要完全密接才能获得更优的显示效果;另一方面,为了匹配当前主流显示面板的像素尺寸(Pixel CD),则需要将透镜的拱高提升至3μm以上。然而,发明人发现,目前使用的热回流胶材厚度普遍只有2μm,加之热回流效应会造成底面积膨胀,因此要保证相邻透镜密接则透镜拱高只能在1.0μm以下,与可匹配像素尺寸的3μm以上的透镜拱高差距很大,即,相邻透镜需要密接与3μm以上的透镜拱高难以兼顾。进一步,发明人发现,如果采用二次涂覆热回流胶材并进行二次热回流以期提升透镜的拱高,则二次热回流会导致第一次热回流形成的透镜继续热熔融而出现胶材互溶,实际上对透镜拱高无明显提升作用。
有鉴于此,本发明的一个实施例提供了一种OLED显示装置,如图1所示,该OLED显示装置包括显示面板100及设置于显示面板100的出光侧的透镜结构阵列。
其中,
显示面板100包括基板101及设置在基板101上的阵列排布的子像素。
在一个具体示例中,显示面板100包括基板101及在基板101上依次形成的阻挡层、缓冲层、驱动电路层(或者说薄膜晶体管层)、平坦化层、发光器件层、封装层106和彩膜层107。下面结合图1对显示面板100的各膜层及其制作方式做出简要介绍,其中,需要说明的是,图1仅示出了这些膜层中便于体现出子像素的部分。
对于基板101,其可以为玻璃、石英等材料。
对于阻挡层和缓冲层,例如,阻挡层和缓冲层可以整面形成在基板上。例如,阻挡层可以采用氧化硅、氮化硅、或者氮氧化硅等无机绝缘材料,缓冲层也可以采用氧化硅、氮化硅、或者氮氧化硅等无机绝缘材料。阻挡层有利于从底部阻挡水、氧进入之后形成的膜层中。缓冲层有利于后续的材料沉积质量。
对于驱动电路层,可采用构图工艺在缓冲层上形成有源层;在有源层上通过沉积等方式形成栅绝缘层;在栅绝缘层上采用构图工艺形成栅极;在栅极上通过沉积等方式形成层间介电层;然后,刻蚀层间介电层以形成暴露有源层的过孔。在层间介电层中的过孔形成后,形成源极和漏极以及与源极或漏极之一电连接的信号线。其中,有源层可以采用多晶硅和金属氧化物等材料,栅绝缘层可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料,层间介电层可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料。栅极材料包括铝、钛、钴等金属或者合金材料。在制作时,首先采用溅射或者蒸镀等方式形成一层栅极材料层,然后对栅极材料层进行构图工艺,以形成图案化的栅极。本领域技术人员能够理解,上述薄膜晶体管以顶栅结构为例,但本发明不限于此,底栅结构也包括在本发明的范围内。
对于平坦化层,可沉积一层平坦化层材料,例如有机材料,厚度为1μm-3μm左右,覆盖驱动电路层,然后,利用构图工艺,对其进行图案化,在对应上述源极和漏极中的另一个(图中为源极)的位置形成开孔。
对于发光器件层,可先在平坦化层的开孔中沉积OLED的阳极层金属并图案化形成阳极102(阳极102与源极连接),其中,示例性的,阳极102的材料包括ITO、IZO等金属氧化物或者Ag、Al、Mo等金属或其合金。然后,可利用构图工艺形成围绕阳极102的像素界定层103,具体地,沉积一层像素界定层材料,例如厚度为1μm-2μm左右,利用构图工艺形成像素界定层103,示例性的,像素界定层103的材料可以包括负性光刻胶、聚酰亚胺、环氧树脂等有机绝缘材料。然后通过打印或者蒸镀等方式形成覆盖阳极102、像素界定层103及露出的平坦化层的发光层104,其中发光层的材料为有机材料;最后,形成阴极105,阴极105例如整面形成,阴极105的材料可以包括Mg、Ca、Li或Al等金属或其合金,或者IZO、ZTO等金属氧化物,又或者PEDOT/PSS(聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐)等具有导电性能有机材料。其中,对应于各个子像素的阳极彼此隔离、而对应于各个子像素的阴极彼此相连。还可以在阳极102与发光层104之间以及发光层104与阴极105之间形成有助于发光层104发光的辅助发光层,例如包括电子传输层、电子注入层、空穴传输层以及空穴注入层中的一种或多种。辅助发光层例如为有机材料层。
对于封装层106,在发光器件层形成后,可以形成封装层106。例如,封装层106可以包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。例如,第一无机封装层和第二无机封装层采用沉积等方式形成。有机封装层采用喷墨打印的方式形成。例如,第一无机封装层和第二无机封装层可以采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等无机材料形成,有机封装层可以采用聚酰亚胺(PI)、环氧树脂等有机材料形成。由此,第一无机封装层,有机封装层以及第二无机封装层形成为复合封装层,该复合封装层可以对显示区的功能结构形成多重保护,具有更好的封装效果。
对于彩膜层107,其黑矩阵1071,以及由黑矩阵1071限定的、与阵列排布的阳极102一一对应的多个滤光层1072,例如,与阳极102对应的发光层发出白光,彩膜层107中的滤光层1072用于将入射的白光形成彩色光,彩膜层107中的滤光层1072通常包括红光滤光层、绿光滤光层和蓝光滤光层,白光入射到彩膜层107,经过RGB的滤光处理形成RGB单色光,实现了OLED显示面板的彩色显示功能。在实际应用中,为了避免相邻滤光层1072之间,即避免不同单色光之间的干涉现象,彩膜层107中相邻滤光层1072之间设置有黑矩阵(BlackMatrix,BM)1071。直观上看,一个滤光层1072的在垂直于基板101方向上的投影区域即为显示面板100的一个子像素区域。
另外,对于显示面板100,其还可以形成其他必要的功能膜层,例如存储电容等,这些膜层可采用常规方法形成,在此不再赘述。
下面介绍的是透镜结构阵列的结构。
如图1所示,透镜结构阵列包括与显示面板100的各子像素一一对应的透镜结构200,透镜结构200为平凸透镜结构,包括层叠设置的第一透镜层201、间隔层202和第二透镜层203,第一透镜层201和第二透镜层203分别为有机透镜层,间隔层202为无机间隔层。
由此,本实施提供的OLED显示装置中,通过将整体作为透镜的透镜结构200设计为层叠设置的有机材料的第一透镜层201、无机材料的间隔层202和有机材料的第二透镜层203,使得在将整体作为透镜的透镜结构200的拱高提升至3μm以上从而匹配显示面板100的像素尺寸的同时实现相邻透镜结构200完全密接从而获得更优的显示效果成为可能。
在一种可能的实现方式中,在垂直于所述基板101的方向,透镜结构200的曲面与平面之间的最大距离大于3μm,即,由第一透镜层201、间隔层202和第二透镜层203构成的平凸透镜的拱高大于3μm,这样,可实现透镜与显示面板100的像素尺寸的匹配。
在一个具体示例中,透镜结构200的曲面为球面的一部分、椭球面的一部分或锥面的一部分,例如图1所示,透镜结构200的靠近显示面板100的一面为平面、远离显示面板100的一面为向远离显示面板100的方向凸起的曲面,例如图1所示,该曲面可以为半球形曲面。另外,如图1所示,透镜结构200中,第一透镜层201为例如半球体透镜层的平凸透镜层,而依次形成在第一透镜层201上的间隔层202和第二透镜层203分别为厚度大致均匀的膜层,这样,即使得透镜结构200形成例如半球体透镜结构的平凸透镜结构。
在一种可能的实现方式中,在透镜结构阵列中,相邻透镜结构200的曲面抵接,即,相邻透镜结构200完全密接,从而获得更优的显示效果。可理解的是,作为平凸透镜结构的透镜结构200,如图1所示,相邻透镜结构200的曲面抵接即相邻透镜结构200的第二透镜层203抵接。
在一种可能的实现方式中,第一透镜层201与第二透镜层203的折射率相同;且对于红光波段、绿光波段和蓝光波段,间隔层202的折射率与第一透镜层201的折射率差小于预设阈值。
理想情况是,透镜结构200的第一透镜层201、间隔层202和第二透镜层203的折射率完全相同,以完全消除透镜结构200的截面效应,优化显示效果。但是实际中,第一透镜层201和第二透镜层203都是有机材料制成,可以通过材料一致来实现折射率相同,间隔层202由于要起到制备第一透镜层201和第二透镜层203时的间隔作用而采用无机材料制成,难以实现与第一透镜层201和第二透镜层203的折射率完成相同,因此,本实现方式通过限定对间隔层202的折射率与第一透镜层201的折射率差的限定来尽可能避免透镜结构200的截面效应,对于具体的限定方式,可通过对间隔层202的材料选择、制作工艺参数的设定等几个方面来调整间隔层202的折射率,使其尽可能贴近第一透镜层201的折射率。另外,由于显示面板200出射的是红光、绿光和蓝光,因此,使得间隔层202的折射率在红光波段(红光波长范围590nm-660nm)、绿光波段(绿光波长范围500nm-570nm)和蓝光波段(蓝光波长范围310nm-340nm)贴近第一透镜层201的折射率即可,其余波段是否贴近对显示效果影响不大。
进一步,预设阈值为0.02,即,对于红光波段、绿光波段和蓝光波段,间隔层202的折射率与第一透镜层201的折射率差小于0.02。
在一种可能的实现方式中,间隔层202的材料为氮氧化硅(SiONx)、氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)中的一种或任意组合。其中,以间隔层202的材料为氮氧化硅(SiONx)为例,氮氧化硅(SiONx)折射率比较接近第一透镜层201的有机材料的折射率,氮氧化硅(SiONx)和第一透镜层201的有机材料均为低波段折射率高、高波段折射率低的趋势。进一步,还可通过对沉积氮氧化硅(SiONx)采用的例如等离子体增强化学的气相沉积法(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition,PECVD)工艺的气体流量参数的调节,使得间隔层202的氮氧化硅(SiONx)的折射率更加接近第一透镜层201的有机材料,如图2所示,两者在380nm-880nm的波段的折射率N几乎相同,差值可小于0.01。另外,两者的消光系数K在380nm-880nm的波段分别小于0.0001,即,两者的透过率均很高,可以满足作为透镜材料的要求。
在一种可能的实现方式中,间隔层202的厚度为0.2μm-0.3μm。一方面,虽然间隔层202的折射率与第一透镜层201和第二透镜层203很接近但也不能实现完全相同,因此,如果间隔层202太厚则不利于消除截面效应。另一方面,如果间隔层202太薄则无法有效起到制备第一透镜层201和第二透镜层203时的间隔作用及无法起到支撑作用。综上,本实现方式将间隔层202的厚度设置为0.2μm-0.3μm,以兼顾消除截面效应及有效间隔、支撑功能。
在一个具体示例中,第一透镜层201为例如半球体透镜层的平凸透镜层,在垂直于所述基板101的方向上其曲面与平面之间的最大距离(即拱高)约为1.9μm,其平面的直径约为3.8μm,而形成在第一透镜层201上的间隔层202的厚度为0.2μm-0.3μm,第二透镜层203的厚度为1.2μm-1.3μm,在垂直于所述基板101的方向上透镜结构200的曲面与平面之间的最大距离(即拱高)约为3.5μm,且可实现相邻透镜结构200的曲面抵接(即相邻透镜结构200的第二透镜层203抵接)。
可理解的是,基于本实施例提供的有机透镜层和无机间隔层交替的透镜结构的发明构思,在需要的情况下,可以不仅限于本实施例提供的三叠层(第一透镜层、间隔层和第二透镜层)的透镜结构,而是可以四叠层、五叠层甚至更多叠层,理论上在控制透镜结构的底面(平面)尺寸的情况下可以将透镜结构的拱高提升至任意高度。
本发明的另一个实施例提供了一种OLED显示装置的制作方法,该制作方法可以制作上述实施例提供的OLED显示装置。
该制作方法包括如下步骤:
首先,制作显示面板100,得到如图3所示的结构。其中,显示面板100包括基板101及设置在基板101上的阵列排布的子像素。关于显示面板100中各膜层的具体制作流程,可参考前述实施例中对显示面板100的各膜层及其制作方式的简要介绍部分,在此不再赘述。
然后,在显示面板100的出光侧涂覆第一有机材料层201``,得到如图4所示的结构。
然后,对第一有机材料层201``进行例如曝光、显影的图案化,形成与各子像素一一对应的阵列排布的第一有机材料图案201`,得到如图5所示的结构。
然后,对阵列排布的第一有机材料图案201`进行热回流工艺或干刻工艺,得到第一透镜层阵列,其中,第一透镜层阵列包括与各子像素一一对应的第一透镜层201,第一透镜层201为例如半球体的平凸透镜层,例如,其拱高为约为1.9μm、平面的直径约为3.8μm,得到如图6所示的结构。
然后,利用沉积2μm-0.3μm工艺形成覆盖第一透镜层阵列的间隔层202,得到如图7所示的结构。其中,间隔层202的厚度为0.,材料例如为氮氧化硅(SiONx),在例如使用等离子体增强化学的气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)工艺形成间隔层202时,可通过调节PECVD的气体流量使得间隔层202的氮氧化硅(SiONx)的折射率更加接近第一透镜层201的有机材料,另外,还应调节PECVD的功率、压力等工艺参数,例如采用压力大、功率小的PECVD工艺,以避免损伤第一透镜层201。
然后,在间隔层202上涂覆第二有机材料层203``,得到如图8所示的结构,其中,例如第二有机材料层203``与第一有机材料层201``使用相同的有机材料,以保证折射率相同。
然后,对第二有机材料层203``进行例如曝光、显影的图案化,形成与各第一透镜层201一一对应的阵列排布的第二有机材料图案203`,得到如图9所示的结构。
最后,对阵列排布的第二有机材料图案203`进行热回流工艺,得到与各第一透镜层201一一对应的第二透镜层203,得到如图1所示的结构,形成阵列排布的拱高约为3.5μm的透镜结构200,其中,可实现相邻透镜结构200的第二透镜层203抵接,从而实现邻透镜结构200完全密接。
综上,本实施例提供的制作方法,通过先制作有机的第一透镜层201,然后沉积无机的间隔层202,最后再在无机的间隔层202上制作有机的第二透镜层203来制作得到透镜结构200,可在将透镜结构200的拱高提升至3μm以上的同时实现相邻透镜结构200的完全密接,且可通过间隔层202的无机材料的选择及沉积工艺参数的调节可实现有机层和无机层的拟合,基本可消除截面效应。
显然,本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例,而并非是对本发明的实施方式的限定,对于本领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动,这里无法对所有的实施方式予以穷举,凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。
Claims (17)
1.一种显示装置,其特征在于,包括:显示面板及设置于所述显示面板的出光侧的透镜结构阵列,所述显示面板包括基板及设置在所述基板上的阵列排布的子像素,所述透镜结构阵列包括与各子像素一一对应的透镜结构;
所述透镜结构为平凸透镜结构,包括层叠设置的第一透镜层、间隔层和第二透镜层,所述第一透镜层和所述第二透镜层分别为有机透镜层,所述间隔层为无机间隔层。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,在垂直于所述基板的方向,所述透镜结构的曲面与平面之间的最大距离大于3μm。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置,其特征在于,所述透镜结构阵列中,相邻透镜结构的曲面抵接。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一透镜层与所述第二透镜层的折射率相同;且对于红光波段、绿光波段和蓝光波段,所述间隔层的折射率与所述第一透镜层的折射率差小于预设阈值。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于,所述间隔层的材料为氮氧化硅、氮化硅、氧化硅中的一种或任意组合。
6.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述间隔层的厚度为0.2μm-0.3μm。
7.一种显示装置的制作方法,其特征在于,包括:
提供显示面板,所述显示面板包括基板及设置在所述基板上的阵列排布的子像素;
在所述显示面板的出光侧形成透镜结构阵列,所述透镜结构阵列包括与各子像素一一对应的透镜结构;所述透镜结构为平凸透镜结构,包括层叠设置的第一透镜层、间隔层和第二透镜层,所述第一透镜层和所述第二透镜层分别为有机透镜层,所述间隔层为无机间隔层。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在所述显示面板的出光侧形成透镜结构阵列包括:
在所述显示面板的出光侧形成第一透镜层阵列,所述第一透镜层阵列包括与各子像素一一对应的第一透镜层;
形成覆盖所述第一透镜层阵列的间隔层;
在所述间隔层上形成与各第一透镜层一一对应的第二透镜层,得到透镜结构阵列。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述在所述显示面板的出光侧形成第一透镜层阵列包括:
在所述显示面板的出光侧涂覆第一有机材料层,对所述第一有机材料层进行图案化,并对图案化后的第一有机材料层进行热回流工艺或干刻工艺,得到第一透镜层阵列,其中,第一透镜层为平凸透镜层。
10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述形成覆盖所述第一透镜层阵列的间隔层包括:利用沉积工艺形成覆盖所述第一透镜层阵列的间隔层。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述利用沉积工艺形成覆盖所述第一透镜层阵列的间隔层进一步包括:通过调节沉积工艺的工艺参数,使得对于红光波段、绿光波段和蓝光波段,所述间隔层的折射率与所述第一透镜层的折射率差小于预设阈值。
12.根据权利要求7-11中任一项所述的方法,其特征在于,在垂直于所述基板的方向,所述透镜结构的曲面与平面之间的最大距离大于3μm。
13.根据权利要求11中任一项所述的方法,其特征在于,所述间隔层的材料为氮氧化硅、氮化硅、氧化硅中的一种或任意组合。
14.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述间隔层的厚度为0.2μm-0.3μm。
15.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述在所述间隔层上的形成与各第一透镜层一一对应的第二透镜层包括:
在所述间隔层上涂覆第二有机材料层,对所述第二有机材料层进行图案化,并对图案化后的第二有机材料层进行热回流工艺,得到与各第一透镜层一一对应的第二透镜层。
16.根据权利要求15所述的方法,其特征在于,所述第二有机材料层与所述第一有机材料层的有机材料相同。
17.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述透镜结构阵列中,相邻透镜结构的第二透镜层抵接。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210420600.8A CN114759074A (zh) | 2022-04-21 | 2022-04-21 | 显示装置及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN202210420600.8A CN114759074A (zh) | 2022-04-21 | 2022-04-21 | 显示装置及其制作方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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Family
ID=82331728
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210420600.8A Pending CN114759074A (zh) | 2022-04-21 | 2022-04-21 | 显示装置及其制作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
WO2024022071A1 (zh) * | 2022-07-29 | 2024-02-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示模组及其制备方法、显示面板 |
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2022
- 2022-04-21 CN CN202210420600.8A patent/CN114759074A/zh active Pending
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WO2024022071A1 (zh) * | 2022-07-29 | 2024-02-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示模组及其制备方法、显示面板 |
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