KR100430699B1 - 풀 칼라 유기 발광 다이오드 어레이 - Google Patents
풀 칼라 유기 발광 다이오드 어레이 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100430699B1 KR100430699B1 KR1019960055879A KR19960055879A KR100430699B1 KR 100430699 B1 KR100430699 B1 KR 100430699B1 KR 1019960055879 A KR1019960055879 A KR 1019960055879A KR 19960055879 A KR19960055879 A KR 19960055879A KR 100430699 B1 KR100430699 B1 KR 100430699B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- cavity structures
- dielectric
- electrically conductive
- strips
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 18
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 abstract description 6
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000003491 array Methods 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229920005548 perfluoropolymer Polymers 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000008447 perception Effects 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000006163 transport media Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
반도체 기판상에 형성된 복수의 이격되고 전기적으로 도전성인 스트립들과, 상기 스트립들의 상부상에서 정의된 복수의 공동들과 3 가지 다른 색들을 발광하도록 설계되는 3 개의 전자 발광 매체(electroluminescent media)를 포함하는 유기 풀 칼라 발광 다이오드 어레이(organic full color light emitting diode array)는 상기 공동들에서 광 투과성인 전기적 도체들을 따라 증착된다. 투명 유전 재료는 상기 공동들의 각각을 밀봉하기 위해 형성된다. 반도체 기판은 예를 들어 CMOS 기판이며, 다이오드 어레이를 위한 구동기들은 기판에 형성된다.
Description
본 발명은 유기(organic) 발광 다이오드를 이용한 영상 표시 장치와 영상표시장치를 위한 풀 칼라 유기 발광 다이오드(LED) 어레이의 새로운 제조방법에 관한 것이다.
영상 표시 응용들을 위한 유기 발광 다이오드 어레이는 행들과 열들로 배열된 복수의 유기 발광 화소로 이루어진다. 박막 전자 발광(electroluminescent)(EL)어레이에서 풀 칼라를 발생시키기는 방법에는 종래의 두 가지 주요한 기술이 공지되어 왔다. 풀 칼라 어레이는 한 화소에 세 개의 부화소(sub-pixels)를 구성하여 이루어지며, 각각의 부화소는 적색, 녹색 또는 청색을 발광한다. 이 기술은 일반적으로 음극선관 칼라 표시장치들(diplays)에서 이용된다. 대안적인 풀 칼라 어레이는 적색, 녹색 및, 청색 부화소로 패터닝된 화소들을 포함하는 칼라 필터 어레이와 함께 백라이트(backlight)로서 백색 에미터를 이용한다. 풀 칼라를 발생시키는 제 2 기술은 풀 칼라 액정표시장치들에서 광범위하게 이용되어 왔다.
풀 칼라 유기 전자 발광 표시장치에서, 색 필터에 기초한 기술은 일반적으로 대부분의 유기 발광 다이오드 디바이스들의 발광 효율 제한들로 인해 덜 유리하다.
풀 칼라 어레이에서, 각각의 개별 유기 발광화소는 적색, 녹색 및, 청색 부화소들로 나누어진다. 각각의 부화소는 광 투과성인 제 1 전극, 제 1 전극상에 증착된 유기 전자 발광 매체(medium) 및, 유기 전자 발광 매체의 상부상의 금속성 전극으로 일반적으로 구성된다. 부화소의 칼라는 이용되는 전자 발광 매체에 의해 결정된다. 전극들은 2차원 X-Y 어드레싱 패턴을 형성하기 위해 상기 화소들과 접속한다. 실제로, X-Y 어드레싱 패턴은 X방향에는 광 투과성인 전극들을 패터닝하고, Y방향에는 금속성 전극들을 패터닝하여 X와 Y 방향들이 서로 수직이 되도록 함으로써 이루어진다. 전극들의 패터닝은 대개 섀도우(shadow) 마스크나 에칭 기술에 의해 행하여진다. 섀도 마스크들의 기술적 제한들로 인해, 단지 에칭처리만이 영상표시들을 위해 이용되고 있으며, 이것은 일반적으로 0.2 mm이하의 부화소의 피치(pitch)이다.
에칭처리에 이용되는 상기 매체에 의존하여, 상기 에칭기술은 2개의 카테고리들(웨트(wet)에칭과 드라이(dry)에칭)로 분류된다. 웨트에칭은 산성 용액 매체에서 수행되는 반면, 드라이에칭은 대개 플라즈마분위기에서 실행된다.
스코자파바(Scozzafava)는, 유럽 특허 제 349,265 호에서, 유기 전자 발광 영상 표시 디바이스와 웨트에칭기술에 기초한 그 공정을 개시하였다. 유기 발광 다이오드들에서 캐소드 접접들에 이용되는 금속성 전극들은 대개 산 에칭 공정들에서 남아있을 수 없는 높은 반응성 금속(일함수가 4eV이하)과 안정한 금속을 포함한다.
유기 발광 다이오드 어레이에서 금속전극들에 대한 드라이 에칭공정들은 또한 문제가 된다. 드라이 에칭공정에서 요구되는 고온(200 ℃이상) 및 반응성 이온 분위기는 유기 발광 다이오드 어레이에서 금속성 전극들에 포함되는 활성 금속뿐만 아니라 유기재료들의 완전한 본래모습(integrity)에 영향을 줄 수 있다.
탱(tang)은 미국 특허 제 5,276,380 호에서, 금속전극들의 에칭의 필요없이 이차원 어레이를 제조하기 위한 섀도우 월(shadow wall)방법을 개시한다. 이 섀도우 월 방법은, 투명전극을 먼저 패터닝하는 단계와, 상기 투명전극들과 직교이고, 인접한 화소 영역을 섀도윙할 수 있고, 유기 매체의 두께를 초과하는 높이를 지닌 유전체 벽들을 형성하는 단계와, 유기 전자 발광 매체를 증착하는 단계와, 중착 표면에 대해 15˚ 내지 45˚의 각도에서 캐소드 금속들을 증착하는 단계를 포함한다. 유전체 벽들의 높이가 유기 매체의 두께를 초과하기 때문에, 분리된 평행한 금속 줄무늬들(dtripes)이 형성된다. 따라서, X-Y 어드레싱가능(addressable) 어레이는 금속 에칭의 필요없이 이루어진다. 이 방법이 비록 금속 패터닝에 대해 실행가능한 것으로 보이지만, 어떤 피치 치수들에 제한되고, 잠재적으로는 어레이에서 화소내에 누설(leakage)을 도입할 수 있다.
광 투과성 기판상에 풀 칼라 다이오드 어레이를 제조하는 새로운 방법은 1995년 3월 22일에 공동출원된, 발명의 명칭이 "풀 칼라 유기 발광 다이오드 어레이"인 미국 특허 출원 제 08/409,129 호에 개시되어 있다. 그러나, 몇몇 응용들에서는, 구동기(driver)들 등이 직접 어레이와 집적될 수 있도록 반도체 기판상에 다이오드 어레이들을 제조하는 것이 바람직하다. 발광된 광에 대해 반도체 기판들이 일반적으로 투명하지 않으므로, 어레이와 제조 공정에서는 어떤 중요한 수정들이 이루어져야 한다.
따라서, 이러한 문제점들을 극복하는 풀 칼라 유기 발광 다이오드 어레이를 제공하는 것이 유리할 것이다.
따라서, 본 발명의 목적은 영상 표시 응용들을 위한 풀 칼라 유기 발광 다이오드 어레이의 신규 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 반도체 기판상에 제조된 풀 칼라 유기 발광 다이오드 어레이와 그 제조를 수행하기 위한 신규 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 풀 칼라 유기 발광 다이오드 어레이가 구성되는 공동(cavity)구조를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 개선된 신뢰도를 지닌 영상표시 응용들을 위해 패시베이션된 풀 칼라 유기 발광 다이오드 어레이를 제공하는 것이다.
평면인 표면을 갖는 반도체 기판을 포함하는 풀 칼라 유기 발광 다이오드 어레이에서, 상기 문제들과 다른 문제들이 부분적으로 해결되고, 상기 목적들과 다른 목적들이 구현된다. 복수의 측면으로 이격되고(laterally spaced) 전기적으로 도전성인 스트립들(strips)은 기판의 표면상에 행들로 배열되고, 기판의 표면의 일부분들은 상기 행들사이에 노출되며, 유전 매체의 층은 기판의 표면의 일부분들과 도전성 스트립들위에 증착된다. 유전 매체는 복수의 공동 구조들을 정의하도록 에칭되고, 각각의 공동 구조는 부화소를 정의하고, 복수의 공동 구조들은 복수의 도전성 스트립들 위에 놓이는 관계로 행들로 위치되며, 개별 공동 구조들은 도전성 스트립의 일부분을 노출시키도록 연관된 도전성 스트립 위에 놓이는 관계로 위치된다. 활성 에미터 재료의 층과 광 투과성이고 전기적으로 도전성인 재료의 층을 적어도 각각 포함하는, 3 개의 전자 발광 매체는, 상기 노출되고 연관된 도전성 스트립상의 공동 구조들에 측면으로 그리고 교대로 증착되며, 각각의 개별 행내의 모든 공동 구조들은 3개의 전자 발광 매체중 한 종류만을 포함한다. 투명한 유전체 재료가 공동 구조들에 대해 밀봉 구조(sealing engagement)로 위치되고, 전기적으로 도전성인 재료는 어레이를 완성하기 위해 도전성 스트립들과 직교인 열들에서 접속된다.
풀 칼라 유기 발광 다이오드 어레이의 제조 방법이 또한 개시되며, 여기서,상기 단계들중 몇몇은 2 개 또는 3 개 그룹의 부화소들을 형성하기 위해 반복된다.
도 1은 디멘젼의 차이를 예시하기 위해 동일한 기판상에 의도적으로 표시된 서로다른 공동구조들의 평면도.
도 2 내지 도 5는 본 발명을 구체화하는 유기 발광 다이오드 어레이의 3개의 부화소들을 지닌 한 화소의 연속적인 제조단계에서의 단면도들.
도 6은 시각상의 편의를 의한 해체된 일부분들을 지닌 유기 발광 다이오드 어레이의 상부 평면도.
도 7은 본 발명에 따라 발광 다이오드 어레이의 일부분을 예시하는, 그 일부분이 해체된, 상부 평면도의 간략화된 도면.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ※
10 : 트렌치 20 : 웰
100 : 반도체기판
디바이스 최소배선폭 치수는 종종 서브마이크론 범위에 있으므로, 도면들은 치수의 정확성보다는 시각상 편의를 위해 스케일링된다. 특히 도 1을 언급하면, 트렌치들(10)과 웰들(20)의 평면도는 그들의 치수 차이를 예시하고자 동일 기판상에 의도적으로 도시되었다. 트렌치와 웰 구조들 모두는, 이제 서술되는 바와같이, 아래에 있는 반도체 기판(100)에 의해 차례차례 지지되는, 편리한 금속 등의, 전기적으로 도전성인 스트립들(101)의 상부상에 중착된 유전체 층(103)(도2)을 포토리소그래피로 패터닝하여 일반적으로 형성된다.
각각의 트렌치(10)는, 유전체 층(103)에 형성된 4개의 상대적인 가파른(실질적으로 수직인) 측면들을 지닌 길고, 좁으며, 직선인 깊은 함몰부로서 정의된다. 각각의 트렌치(10)는 통상적으로 도 1에 도시된 바와같이 직사각형인 평행육면체의 모양을 취한다. 트렌치(10)는 일반적으로, 아래에 놓이는 전기적으로 도전성인 스트립들(101)과 수직이거나(예를들어, 도 6), 또는 아래에 놓이는 전기적으로 도전성인 스트립들(101)과 평행하고 상부상에 있는 방향으로 기판(100)을 가로질러 확장된다. 본 특정 실시예에서, 트렌치(10)는 X-Y 어드레싱가능 행렬을 형성하도록 아래에 있는 전기적으로 도전성인 스트립들(101)과 양호하게 수직을 이룬다. 복수의 화소들은 각각의 단일 트렌치(10)에 구성될 수 있다.
각각의 웰(20)은 직사각형, 정사각형 또는 원형의 개구(opening)와 가파른(실질적으로 수직인) 측벽들을 지닌 유전체 층(103)내에 형성된 구멍(hole)으로서정의된다. 웰(20)들은 그 형상이 작고 거의 등방성인 모양의 개구인 것으로 특징지워진다. 복수의 웰(20)들은 전기적으로 도전성인 스트립들(101)과 위에 놓이는 관계로 기판(100)에 걸친 행으로 구성된다(예를 들어, 도 6). 각각의 웰(20)은 어레이에서 부화소의 모양을 정의한다. 트렌치(10)들 또는 웰(20)들은, 이제 기술되는 바와같이, 영상 표시를 위한 풀 칼라 유기 발광 다이오드 어레이의 제조에 이용될 수 있다. 다른 개시의 편의를 위해, 트렌치들(10)과 웰(20)들은 이후에 일반적으로 공동 구조들로서 언급하고, 이러한 항목은 또한 이들 구조들상의 다른 변화를 포함한다.
서술될 발광 다이오드 어레이는 어레이가 풀 칼라 영상 표시가 가능하다는 것을 특징으로 하고 있다. 각각의 화소는 3개의 부화소들로 구성되고, 각각은 양호하게 적색 또는 녹색 또는 청색인 서로다른 색의 광을 발광할 수 있는 특정 전자 발광 매체를 갖는다. 각각의 부화소는 바닥에 전기적으로 도전성인 스트립들(101), 측벽들상에 유전 매체 및, 상부상에 투명한 유전체 재료를 갖는 공동구조로 구성된다. 본 발명에 따라, 영상 표시 응용들을 위한 풀 칼라 유기 발광 다이오드 어레이의 제조 방법이 본 명세서에 개시된다. 도 2 내지 도 5는 연속적인 제조 단계들에서 발광 다이오드 어레이의 3개의 부화소들을 지닌 단일 화소를 예시하는 단면도들이다.
도 2를 언급하면, 화소의 제조는, 예를 들어, 통상적인 CMOS 기판일 수 있는, 상대적으로 평형한, 반도체 기판(100)에서 시작된다(이제 더 상세히 설명된다). 임의의 반도체 재료들로 이루어진 기판들이 일반적으로 이용될 수 있으나, CMOS 기판은 통합(incorporated)될 수 있는 저 전력 구동기 때문에 바람직하다. 일반적으로, 구동기 회로들과 다른 집적 회로들은 유기 발광 다이오드 어레이전에 형성될 것이며, 기판상에서 발전되는 임의의 높은 계단(step)들 등은 종래의 평탄화에 의해 극복될 수 있다. 전기적으로 도전성인 재료의 층은 기판(100)의 상부 표면상에 증착되고, 이 층은 알루미늄, 은, 구리, 또는 금과 같은 다양한 안정한 금속들, 유기 또는 무기(inorganic) 도체들로부터 선택된다. 그다음에, 이 층은 종래의 리소그래피 기술들에 의해 패터닝되어, 행 방식으로(또는, 원한다면, 반대로 열 방식으로) 어드레싱될 수 있고 최종 어레이에서 애노드 또는 캐소드 전극(본 특정 실시예에서는 캐소드전극)으로 작용할, 복수와 평행한 도전성 스트립(101)들을 형성한다.
유전 매체(103)의 층은 예를 들어 열 증착(thermal evaporation), 스퍼터링(sputtering) 또는 플라즈마 향상된 화학적 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition)과 같은 기술들에 의해 도전성 스트립들(101)의 상부와 기판(100)의 노출된 부분상에 증착된다. 공동 구조들의 구성에 이용된 유전 매체(103)는 유기 중합체 또는 무기 재료들일 수 있다. 실리콘 이산화물, 질화 질화물, 또는 알루미나와 같은 무기 유전 재료를 이용하는 것이 바람직하며, 무기 유전 재료는 대개 유기 중합체 재료들보다 산소와 수분에 더 좋은 장벽이다. 유전 매체(103)의 두께는 공동 구조들의 깊이를 결정하고, 10 ㎛ 내지 0.1 ㎛에서 변할 수 있다. 쉬운 프로세싱을 위해서, 1 ㎛ 이하인 두께가 바람직하다.
포토레지스트의 층(105)은 유전 매체(103)의 상부에서 스핀-코팅되고, 마스크를 통해 광원으로 패터닝된다(도시되지 않음). 포지티브 및 네거티브 레지스트가 이용될 수 있지만, 우수한 드라이 에칭 저항과 높은 해상도를 위해 포지티브 레지스트를 이용하는 것이 바람직하다. 열 처리이후, 포토레지스트의 층(105)은 아래놓이는 유전 매체(103)를 노출시키기 위해 현상된다. 그다음에, 유전 매체(103)는 공동 구조 또는 구조들(112)을 형성하도록 종래의 웨트 에칭 또는 드라이 에칭 기술에 의해 패터닝된다. 드라이 에칭이 일반적으로, 상대적으로 직선이거나 실질적으로 수직인 측벽들로 만드는 그 비등방성 특성에 대해 바람직하다.
현재, 4.0 eV 이하인 일함수를 지닌 금속, 예를들어 리튬, 마그네슘, 인듐, 칼슘 등은 일반적으로 캐소드 재료로서 이용되어, 효율적인 발광 다이오드 표시를 달성한다. 가까운 미래에는 4.0 eV 보다 큰 일함수를 지닌 금속들이 또한 캐소드 재료로서 이용될 수 있어, 전자 발광 매체에 이용된 재료들의 전자 주입 및 수송 능력들이 개선됨에 따라 효율적인 발광 다이오드를 산출할 것이다. 1994년 9월 12일자로 출원된, 발명의 명칭이 "개선된 효율을 지닌 유기 발광 다이오드(Organic LED With Improved Efficienicy)"인 공동출원된 미국 대응 특허출원 제 08/304,454호에서 설명된 바와 같이, 최상의 효율이 발광 다이오드의 유기 재료의 전자 친화도(electron affinity)와 실질적으로 매칭하는(matching) 일함수를 지닌 재료를 포함하는 전기적으로 도전성인 층를 이용하여 얻어질 수 있다. 본 실시예에서, 매칭하는 일 함수와 도전성 재료의 층이 도전성 스트립들(101)의 일부분으로서 공동(112)내에, 또는 도전성 스트립들의 표면상에 직접적으로 위치되고, 유사한 재료가 설명될 공동들 각각에 위치한다. 본 개시의 목적을 위해, 매칭하는 일함수의도전성인 재료가 도전성 스트립들(101)의 일부로서 고려된다.
전자 발광 매체(202)는 공동 구조의 안쪽에 증착되고, 복수의 도전성 스트립들(101)중 한나의 단일 도전성 스트립과 위에 놓이는 관계로 증착된다. 전자 발광 매체(202)는 일반적으로 전자 수송 재료의 층, 제 1 색(hue)을 발광할 수 있는 활성 에미터 재료의 층 및, 홀(hole) 수송 재료의 층으로 구성된다(예시의 목적만을 위해). 전자 발광 재료(202)의 층들의 다양하고 개별 결합들이 알려져 있으므로, 각각의 개별 층은 상세히 설명되지 않는다. 도전성 폴리아닐린(PANI) 또는 인듐-주석-산화물과 같은 투명한 도전성 재료의 층(202A)이 제 2 전극(예를들어, 애노드)으로서 공동 구조(112)의 안쪽에 증착된다. 층(202A)은, 전자 발광 재료(202)를 손상시키지 않고서, 증착(evaporation) 또는 주조(casting)와 같은 임의의 편리한 처리에 의해 공동 구조(112)내에 위치되거나 증착될 수 있다. 본 개시의 목적들을 위해, 층(203A)은 전자 발광 재료(203)의 일부로서 고려될 수 있다.
그다음에, 공동 구조(112)의 상부 단부(upper end) 또는 개구(opening)는, 공동 구조(112)에 대한 캡(cap)으로서, 예를 들어, SiO2, 저온 PECVD 에 의해 증착된 실리콘 질화물, 또는 페르플루오르 중합체(perfluoro polymer)(예를들어, 테프론-AF)와 같은, 투명한 유전 재료의 두꺼운 층(106)의 증착에 의해 밀봉된다. 층(106)의 두께는 공동 구조(112)가 유전 매체(103)의 높이로 채워지도록 제어된다. 포토레지스트 층(105)의 제거(lift-off)는 제 1 색(본 특정 실시예에서는 적색)을 발광할 수 있는 제 1 부화소를 화소에서 완성하도록 수행된다.
도 3을 참조하여 제 2 부화소의 형성을 서술한다. 포토레지스트의 층(107)은, 일반적으로 상기에 서술된 바와같이, 제 1 부화소와 유전 매체(103)의 상부상에서 스핀 코팅되고 패터닝되고 현상된다. 그다음에, 노출된 유전 매체(103)는 제 1 부화소와 인접한 제 2 공동 구조 또는 구조들(113)을 형성하도록 패터닝된다. 전자 발광 매체(203)는 공동 구조(113)에서 증착되고, 복수의 도전성 스트립들(101)중 단일 도전성 스트립과 위에 놓이는 관계로 증착된다. 전자 발광 매체(202)와 관련하여 설명한 바와같이, 전자 발광 매체(203)는 일반적으로 전자 수송 재료의 층, 제 2 색을 발광할 수 있는 활성 에미터 재료로 이루어진 층 및, 홀 수송 재료의 층으로 구성된다. 그다음에, 투명한 도전성 재료로 이루어진 층(203A)이 제 2 전극(예를들어, 캐소드 전극)으로서 증착된다. 층(203A)은, 전자 발광 재료(203)를 손상시키지 않고서, 증착 또는 주조와 같은, 임의의 편리한 처리에 의해 공동 구조(113)에 위치되거나 증착될 수 있다. 본 개시의 목적들을 위해, 층(203A)은 전자 발광 재료(203)의 일부로 고려될 수 있다.
그다음에, 공동 구조(113)의 상부 단부 또는 개구는, 공동 구조(113)를 위한 캡으로서, SiO2, 저온 PECVD에 의해 증착된 실리콘질화물, 또는 투명한 페르플루오르 중합체(예를들어, 테프론-AF)와 같은 투명한 유전 재료의 두꺼운 층(108)의 증착에 의해 밀봉된다. 층(108)의 두께는 공동구조(113)가 유전 매체(103)의 높이로 채워지도록 제어된다. 포토레지스트 층(107)의 제거(lift-off)는 제 2 색(본 특정 실시예에서는 녹색)을 발광할 수 있는 화소내의 제 2 부화소의 구성이 완료되는 것을 완성하도록 수행된다.
도 4를 참조하여 제 3 부화소의 형성을 서술한다. 포토레지스트의 층(109)은, 일반적으로 상기에 서술된 바와같이, 제 1 및 제 2 부화소들과 유전 매체(103)상에서 스핀 코딩되고 패터닝되고 현상된다. 그다음에, 노출된 유전 매체(103)는 제 1 및 제 2 부화소들과 인접하여 제 3 공동 구조 또는 구조들(114)을 형성하도록 패터닝된다. 전자 발광 매체(204)는 공동 구조(113)에서 증착되고 복수의 도전성 스트립(101)들중 단일 도전성 스트립과 위에 놓이는 관계로 증착된다. 전자 발광 매체(202와 203)와 연결하여 설명된 바와 같이, 전자 발광 매체(204)는 일반적으로 전자수송 재료의 층, 제 3 색을 발광할 수 있는 활성 에미터 재료의 층 및, 홀 수송 재료의 층으로 구성된다. 그다음에, 투명한 도전성 재료의 층(204A)은 제 2 전극(예를들어, 캐소드 전극)으로서 증착된다. 층(204A)은, 전자 발광 재료(204)를 손상시키지 않고서, 증착 또는 주조와 같은 임의의 편리한 처리에 의해 공동 구조(114)에 위치되거나 증착될 수 있다. 본 개시의 목적들을 위하여, 층(204A)은 전자 발광 재료(204)의 일부분으로서 고려될 수 있다.
그다음에, 공동 구조(114)의 상부 단부 또는 개구는, 공동 구조(114)를 위한 캡으로서, SiO2, 저온 PECVD 에 의해 증착된 실리콘질화물, 또는 투명한 페르플루오르 중합체(예를들어, 테프론-AF)와 같은 투명한 유전 재료의 두꺼운 층(110)의 증착에 의해 밀봉된다. 층(110)의 두께는 공동구조(114)가 유전 매체(103)의 높이로 채워지도록 제어된다. 포토레지스트 층(109)의 제거(lift-off)는, 제 3 색(본 특정 실시예에서는 청색)을 발광할 수 있는, 화소내의 제 3 부화소의 구성이 완성되는 것을 완성하도록 수행된다.
도 5에서는 3가지 주요 칼라들을 발광할 수 있는 완성된 화소가 예시된다.마지막 포토레지스트 층(109)의 제거후에, 그다음에, 부화소들은 열들의 단부에 인접한 투명한 도전성 스트립들(202A, 203A 및 204A)과 접촉하는 금속 스트립들(도시되지 않음)에 의해 일반적으로 접속된다. 금속 스트립들은, 증착된 금속의 전면피복(blanket) 층을 리소그래피로 패터닝하거나 제거(lift-off) 처리전에 레지스트-마스킹된 패턴(resist-masked pattern)위에 금속을 증착함으로써 형성될 수 있다.
도 6은, 제조의 3가지 서로다른 단계들을 예시하기 위해, 해체된 일부분들을 지닌 유기 발광 다이오드 어레이의 평면도이다. 도 6 에서, 좌측에서 우측으로 진행하면, 영역(121)은, 패터닝된 전기적으로 도전성인 스트립들(101)이 반도체 기판(100)상에 형성된 단계에서의 발광 다이오드 어레이를 예시한다. 도 6에서 중앙 영역(122)은, 3가지 색(본 실시예에서는 주요 칼라들인 적색, 녹색 및, 청색)을 발광할 수 있는 전자 발광 매체들(202, 203 및, 204)의 개별 부화소들이 공동 구조들(112, 113 및, 114)에 각각 증착된 단계를 예시한다. 비록 부화소들이 개별 정사각형들(우물들: wells)로서 예시되었지만, 전체적인 공동 구조들은 전자 발광 재료를 포함할 수 있고 전극들(202A, 203A, 또는 204A) 사이의 전자 발광 재료만이 활성화될 것이라는 점이 이해될 것이다.
영역(123)은 투명한 도전성 스트립들(202A, 203A 및, 204A)이 공동 구조들(112, 113 및 114)내에 증착된 후의 어레이를 예시한다. 본 실시예에서, 투명한 도전성 스트립들(202A, 203A 및 204A)은, 애노드 전극들로서 열들(또는 행들)로 모든 화소들의 부화소들을 편리하게 접속하기 위해, 공동 구조들(112, 113 및, 114)의 길이를 기판(100)의 엣지로 확장한다. 물론, 투명한 도전성 스트립들(202A,203A 및 204A)은 많은 다른 처리들을 이용하여 열들 또는 행들로 접속될 수 있지만, 서술된 처리는 가장 편리한 것이며 다양한 공동 구조들의 밀봉을 유지한다는 것이 본 기술 분야에 익숙한 기술인에게는 이해될 것이다.
특히 도 7 을 참조하여, 본 발명에 따른 완성된 발광 다이오드 어레이의 상부 평면에서의 간략화된 도면이 예시된다. 특히, 도전성 스트립들(101)의 단부들은 행 구동기들(225)에 접속된 것으로 예시되고, 이것들은 CMOS 구동기들로서 기판(100)에 형성된다. 외부 접속 패드들(226)은 다른 외부 회로와의 접속을 위해 기판(100)의 엣지에 위치한다. 유사하게, 투명한 도전성 스트립들(202A, 203A 및, 204A)의 단부들은 열 구동기들(230)에 접속된 것으로 예시되며, 이것들은 CMOS 구동기들로서 기판(100)에 형성된다. 외부 접속 패드들(231)은 또다른 외부 회로와의 접속을 위해 기판(100)의 엣지에 위치된다. 구동기들(225와 230)의 특정한 상세부분들은, 구동(driving), 어드레싱 등의 특정 타입에 의존하여, 크게 다양한 특정 구동기 회로들이 이용될 수 있으므로, 도시되지 않는다.
상술한 공동구조(112, 113 및 114)가 트랜치들로서 서술되고 있지만, 웰 구조들의 어레이는, 도 7 에 예시된 x-y 어드레싱가능 행렬을 형성하도록 트랜치 구조들의 배향이 모든 도전성 스트립들(101)과 바람직하게 수직이고 그에 걸쳐있다는 것을 제외하고는, 유사한 방식으로 제조될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
화소들의 수와 부화소 피치, 즉 어레이에서 영상 표시 응용을 위해 필요한 공동 구조의 폭은, 특정 응용을 위해 요구되는 표시 장치(display)의 해상도와 크기에 의존한다. 예를 들어, 3 개의 부화소들을 각각 갖고 부화소 피치는 0.1 mm 이하인 640 x 480 화소들의 최소치는 13 인치 대각선 칼라 VGA 타입의 표시장치에서의 만족스러운 해상도를 위해 필요하다. 화소 피치는 리소그래피 기술의 한계에 의해서만 제한되며, 이것은 현재의 제조 기술에서 약 0.5/m 이다.
본 실시예에서 개시된 어레이는 종래 기술에서 개시된 어레이들중 어느것보다도 본질적으로 우수한 안정성을 갖는다. 각각의 부화소(웰 구조) 또는 부화소들의 행(트랜치 구조)내의 유기 전자 발광 매체는 바닥에서의 제 1 전극, 측면상의 유전 매체 및, 상부상의 투명한 유전체 캡에 의해 웰 또는 트랜치에서 둘러싸여 있다. 개시된 공동 구조들은 표시 소자들의 환경(산소와 수분)의 열화(degradation)를 현저히 감소시킨다.
본 발명에서 개시된 어레이에서 전자 발광 매체로서 이용된 재료들은 종래기술에서 개시된 유기 전자 발광 디바이스들의 형태들중 어느것도 취할 수 있다. 전자 발광 매체는 일반적으로 전자 수송 재료의 층, 활성 에미터의 층 및, 홀 수송 재료의 층으로 구성된다. 유기의, 유기 금속의, 중합체의 또는 이들 재료들의 임의의 결합은 홀 수송 재료들, 활성 에미터들 및, 전자 수송 재료들로서 이용될 수 있다. 물론, 몇몇 특별한 응용들에서 홀 수송 재료와 전자 수송 재료의 어느 하나 또는 모두는, 비록 열악한 광 방출을 일으킬지라도, 제거될 수 있다.
3가지 주요 칼라 방출들, 즉 적색, 녹색 및, 청색을 이루기 위하여, 한 화소에서 원하는 칼라 방출들을 발생시킬 3개의 서로다른 활성 에미터들이 이용될 수 있다. 각각의 활성 에미터 층에서, 한 부화소내에 각각의 개별 칼라에 대한 발광 효율의 향상을 위해 이용된 형광 도펀트(fluorescent dopant)가 또한 혼합될 수 있다. 대안으로, 청색 발광을 할 수 있는 단일 에미터는 모든 3개의 부화소들에서 호스트(host) 에미터들로서 이용된다. 3가지 주요 칼라 발광들을 이루기 위하여, 그다음에 3 개의 부화소들은 각각 적색, 녹색 및, 청색 발광을 할 수 있는 효율적인 형광 염료들(dyes)의 3개의 게스트(guest), 도펀트로 도핑된다. 게스트 도펀트들은, 호스트 에미터가 여기된(excited) 에너지 수송 매체로서 작용하는 동안, 실제의 4 미터(real emitter)들로서 작용한다.
유기 전자 발광 매체들은 승화가능한(sublimable) 재료들이 이용될 때 진공 증착에 의해 증착된다. 또한, 상기 매체들은, 중합체 재료가 이용될 때, 주입-채움(injection-fill), 스핀-코팅, 롤-코팅(roll-coating), 딥-코팅(dip-coating) 또는 닥터 블레이딩(doctor- blading)과 같은 다른 기술들에 의해, 적합한 용액으로부터 증착될 수 있다. 상술한 기술들의 혼합은 승화가능한 재료들과 중합체들로 구성된 헤테로구조(heterostructure) 에러이가 제조될 경우들에서 필요할 수 있다.
동작에서, 발광 다이오드 어레이로부터의 발광 패턴은 발광 다이오드 어레이의 상부 표면으로부터 보여질 수 있다. 발광 다이오드 어레이는 전자 구동기를 (225 와 230)을 프로그래핑하여 빛을 방줄하도록 구성되며, 이것은 순차적으로 한번에 부화소들의 한 행을 어드레싱하고, 동일한 행의 반복된 어드레싱사이의 간격이 사람 눈의 검출 한계(통상적으로 1초의 1/60이하) 이하가 되는 속도로 어드레싱 순차를 반복한다. 임의의 순간에 디바이스가 단지 한 행으로부터 발광하더라도, 눈은 어드레싱된 행들로부터의 발광에 의해 형성된 영상을 보게된다.
영상을 위한 칼라들은 각각의 화소내의 부화소들의 결합을 일반적으로 다음과 같이 어드레싱함으로써 발생된다.
(1) 적색광을 방출하기 위해 한 부화소를 어드레싱하고,
(2) 녹색광을 방출하기 위해 한 부화소를 어드레싱하고,
(3) 청색광을 방출하기 위해 한 부화소를 어드레싱하고,
(4) 황색의 인식(prception)을 발생시키기 위해 적색과 녹색을 발광하는 2개의 부화소들을 동시에 어드레싱하고,
(5) 자주색의 인식을 발생시키기 위해 적색과 청색을 발광하는 2개의 부화소들을 동시에 어드레싱하고,
(6) 청녹색의 인식을 발생시키기 위해 청색과 녹색을 발광하는 2개의 부화소들을 동시에 어드레싱하고,
(7) 백색광을 발생시키기 위해 모든 부화소들을 동시에 어드레싱하고,
(8) 흑색 배경을 발생시키기 위해서는 어느 부화소들도 어드레싱하지 않는다.
풀 칼라를 생성할 수 있는 유기 발광 다이오드 어레이에 관한 본 발명에서 개시된 제조 방법들은 단색(monochrome) 또는 다중 칼라(multicolor: 풀 칼라와는 다름) 영상을 위한 어레이의 제조에 또한 적용될 수 있다. 한 화소에서 단색 또는 다중 칼라 전자 발광 매체의 선택으로, 단색 또는 다중 칼라 영상 표시 응용을 위한 어레이가 앞서 개시된 동일한 방법들로 제조될 수 있다.
따라서, 영상 표시를 위한 풀 칼라 유기 발광 다이오드 어레이와 그 제조방법들이 개시되어 있다. 본 발명의 특정 실시예들을 도시하고 서술하였지만, 또다른 수정들 및 개선들이 그 분야에 숙련된 자들에게 일어날 것이다. 그러므로, 본 발명은 도시된 특정 형태들에 제한되지 않으며, 첨부된 청구항들에서는 본 발명의 정신과 범위를 벗어나지 않는 모든 수정들을 커버하고자 한다는 것이 이해되기를 바란다.
발광된 광에 대해 반도체 기판들이 일반적으로 투명하지 않은 문제를 해결하고, 구동기들 등이 직접 어레이와 집적될 수 있도록 반도체 기판상에 다이오드 어레이들이 제조되는 풀 칼라 유기 발광 다이오드 어레이의 새로운 제조 방법이 제공된다.
Claims (3)
- 풀 칼라 유기 발광 다이오드 어레이에 있어서,평면인 표면을 갖는 반도체 기판복수의 측면으로 이격되고 전기적으로 도전성인 스트립(strip)들로서, 상기 기판의 표면상에 행들로 배열되며, 상기 행들사이의 상기 기판의 상기 표면의 일부분들이 노출되는, 상기 스트립들과,상기 기판의 표면의 일부분들과 상기 도전성 스트립들 위에 증착된 유전 매체의 층과,상기 유전 매체에 의해 정의된 복수의 공동(cavity) 구조들로서, 각각의 공동 구조는 하나의 부화소(sub-pixel)를 정의하며, 상기 복수의 공동 구조들은 상기 복수의 도전성 스트립들 위에 놓이는 관계로 행들로 위치되며 개별 공동 구조들은 연관된 도전성 스트립 위에 놓이는 관계로 위치되어 상기 도전성 스트립의 일부분을 노출시키는, 상기 고동 구조들과,3개의 전자 발광(electroluminescent) 매체들로서, 그 각각은 상기 노출되고 연관된 도전성 스트립들상의 공동 구조들내에 측면으로 교대로 증착된 투명한 도전성 재료의 층과 활성 에미터 재료의 층을 적어도 포함하며, 각각의 개별 행내의 모든 공동 구조들은 상기 3개의 전자 발광 매체들중 한 종류만을 포함하고, 상기 투명한 도전성 재료는 상기 도전성 스트립들과 직교하는 열들에 배열된 복수의, 측면으로 이격되고, 평행하며, 금속성인 스트립들을 형성하도록 접속되는, 상기 3개의전자 발광 매체들과,상기 공동 구조들 위에 밀봉 상태(sealing engagement)로 위치하는 투명 유전 재료를 포함하는, 풀 칼라 유기 발광 다이오드 어레이.
- 칼라 유기 발광 다이오드 어레이를 제조하는 방법에 있어서,평면인 표면을 갖는 상대적으로 평평한 반도체 기판을 제공하는 단계와,상기 기판의 평면인 표면상에 전기적으로 도전성인 재료의 층을 형성하는 단계로서, 전기적으로 도전성인 재료의 상기 층은 복수의 측면으로 이격되고 도전성인 스트립들로 패터닝되며, 상기 기판의 일부분들은 상기 스트립들사이에 노출되는, 상기 형성 단계와,상기 기판의 일부분들과 상기 도전성 스트립들의 상부상에 유전 매체의 층을 증착하는 단계와,상기 유전 매체의 상부상에 포토레지스트의 층을 증착하는 단계와,상기 유전 매체의 일부분들을 노출시키기 위해 포토레지스트의 상기 층을 패터닝하는 단계와,상기 도전성 스트립들 위에 놓이는 관계로 측면으로 이격된 공동 구조들을 정의하기 위해 상기 유전 매체의 노출된 일부분들을 에칭하는 단계로서, 각각의 공동 구조는 연관된 도전성 스트립의 일부분을 노출시키는, 상기 에칭 단계와,상기 공동 구조들내에, 선택된 색(hue)의 발광을 위해 선택된 활성 에미터 재료의 층과 전기적으로 도전성이고 광 투과성인 재료의 층을 적어도 포함하는 전자 발광 매체를 증착하는 단계로서, 상기 전기적으로 도전성이고 광 투과성인 재료는 상기 공동 구조들에서 전기적 접점을 형성하는, 상기 증착 단계와,상기 공동 구조들을 밀봉하기 위해 상기 각각의 공동 구조들에서 상기 전기적으로 도전성이고 광 투과성인 재료상에 광 투과성인 유전 재료의 층을 증착하는 단계와,상기 선택된 색을 발광하도록 구성된 화소들의 세트를 완성하기 위해 포토레지스트의 상기 층을 제거하는 단계를 포함하는, 칼라 유기 발광 다이오드 어레이 제조 방법.
- 다중 칼라 유기 발광 다이오드 어레이를 제조하는 방법에 있어서,평면인 표면을 갖는 상대적으로 평평한 반도체 기판을 제공하는 단계와,상기 기판의 상부 표면상에 전기적으로 도전성인 재료의 층을 형성하는 단계로서, 전기적으로 도전성인 재료의 상기 층은 복수의 측면으로 이격되고 도전성인 스트립들을 형성하도록 패터닝되며 상기 기판의 일부분들은 상기 도전성 스트립들사이에 노출되는, 상기 형성 단계와,상기 기판의 일부분들과 상기 도전성 스트립들의 상부상에 유전 매체의 층을 증착하는 단계와,상기 유전 매체의 상부상에 포토레지스트의 제 1 층을 증착하는 단계와,상기 유전 매체의 제 1 부분들을 노출시키도록 포토레지스트의 상기 제 1 층을 패터닝하는 단계와,상기 도전성 스트립들 위에 놓이는 관계로 측면으로 이격된 공동 구조들의 제 1 그룹을 정의하도록 상기 유전 매체의 상기 노출된 제 1 부분들을 에칭하는 단계로서, 각각의 공동 구조는 연관된 도전성 스트립의 일부분을 노출시키는, 상기 에칭 단계와,상기 공동 구조들의 상기 제 1 그룹에서, 제 1 색의 발광을 위해 선택된 활성 에미터 재료의 층과 광 투과성이고 전기적으로 도전성인 재료의 층을 적어도 포함하는 제 1 전자 발광 매체를 증착하는 단계로서, 상기 광 투과성이고 전기적으로 도전성인 재료는 상기 공동 구조들의 상기 제 1 그룹과 전기적 접점을 형성하는, 상기 증착 단계와,공동 구조들의 상기 제 1 그룹을 밀봉하도록 공동 구조들의 상기 제 1 그룹 각각에서 광 투과성인 유전 재료의 층을 증착하는 단계와,상기 제 1 색을 발광하도록 구성된 부화소들의 제 1 세트를 완성하기 위해 포토레지스트의 상기 제 1 층을 제거하는 단계와,상기 유전 매체의 상부상에 포토레지스트의 제 2 층을 증착하는 단계와,상기 유전 매체의 제 2 부분들을 노출시키도록 포토레지스트의 상기 제 2 층을 패터닝하는 단계와,상기 도전성인 스트립들 위에 놓이는 관계로 측면으로 이격된 공동 구조들의 제 2 그룹을 정의하도록 상기 유전 매체의 노출된 제 2 부분들을 에칭하는 단계로서, 각각의 공동 구조는 연관된 도전성 스트립의 일부분을 노출하는, 상기 에칭 단계와,공동 구조들의 상기 제 2 그룹에서, 제 2 색의 발광을 위해 선택된 활성 에미터 재료의 층과 광 투과성이고 전기적으로 도전성인 재료의 층을 적어도 포함하는 제 2 전자 발광 매체를 증착하는 단계로서, 상기 광 투과성이고 전기적으로 도전성인 재료는 공동 구조들의 상기 제 2 그룹과 전기적 접점을 형성하는, 상기 증착 단계와,공동 구조들의 상기 제 2 그룹을 밀봉하도록 공동 구조들의 각각의 제 2 그룹에서 광 투과성인 유전 재료의 층을 증착하는 단계와,상기 제 2 색을 발광하도록 구성된 부화소들의 제 2 세트를 완성하기 위해 포토레지스트의 상기 제 2 층을 제거하는 단계를 포함하는, 다중 칼라 유기 발광 다이오드 어레이 제조 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/560,457 US5736754A (en) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | Full color organic light emitting diode array |
| US560,457 | 1995-11-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970030943A KR970030943A (ko) | 1997-06-26 |
| KR100430699B1 true KR100430699B1 (ko) | 2004-07-22 |
Family
ID=24237903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960055879A KR100430699B1 (ko) | 1995-11-17 | 1996-11-18 | 풀 칼라 유기 발광 다이오드 어레이 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5736754A (ko) |
| EP (1) | EP0774787B1 (ko) |
| KR (1) | KR100430699B1 (ko) |
| DE (1) | DE69631635T2 (ko) |
| TW (1) | TW318966B (ko) |
Families Citing this family (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0890832A (ja) * | 1994-09-27 | 1996-04-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発光素子アレイおよび光学ヘッド |
| DE69739564D1 (de) * | 1996-04-10 | 2009-10-15 | Cambridge Display Tech Ltd | Farbanzeigevorrichtung mit organischen leuchtdioded |
| US6459199B1 (en) * | 1996-05-15 | 2002-10-01 | Chemipro Kasei Kaisha, Limited | Multicolor organic EL element having plurality of organic dyes, method of manufacturing the same, and display using the same |
| JP3928823B2 (ja) * | 1997-05-09 | 2007-06-13 | パイオニア株式会社 | 発光ディスプレイパネル、その製造方法、及びその第２電極製造用マスク |
| US6069443A (en) * | 1997-06-23 | 2000-05-30 | Fed Corporation | Passive matrix OLED display |
| WO1998059382A1 (en) * | 1997-06-23 | 1998-12-30 | Fed Corporation | Voltage controlled color organic light emitting device and method of producing the same |
| WO1999002277A1 (en) * | 1997-07-11 | 1999-01-21 | Fed Corporation | Sealing structure for organic light emitting devices |
| US6198220B1 (en) * | 1997-07-11 | 2001-03-06 | Emagin Corporation | Sealing structure for organic light emitting devices |
| GB9818092D0 (en) | 1998-08-19 | 1998-10-14 | Cambridge Display Tech Ltd | Display devices |
| KR100533451B1 (ko) * | 1998-09-02 | 2005-12-06 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 광원 및 표시 장치 |
| WO2000014777A1 (en) * | 1998-09-04 | 2000-03-16 | Fed Corporation | Fabrication method for high resolution full color organic led displays |
| JP2000113982A (ja) * | 1998-10-08 | 2000-04-21 | Sony Corp | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
| GB9907931D0 (en) * | 1999-04-07 | 1999-06-02 | Univ Edinburgh | An optoelectronic display |
| DE19916745A1 (de) * | 1999-04-13 | 2000-10-19 | Mannesmann Vdo Ag | Lichtemittierende Diode mit organischen lichtemittierenden Stoffen zur Erzeugung von Licht mit Mischfarben |
| US6366017B1 (en) | 1999-07-14 | 2002-04-02 | Agilent Technologies, Inc/ | Organic light emitting diodes with distributed bragg reflector |
| TW468283B (en) * | 1999-10-12 | 2001-12-11 | Semiconductor Energy Lab | EL display device and a method of manufacturing the same |
| TW471011B (en) | 1999-10-13 | 2002-01-01 | Semiconductor Energy Lab | Thin film forming apparatus |
| US6392617B1 (en) | 1999-10-27 | 2002-05-21 | Agilent Technologies, Inc. | Active matrix light emitting diode display |
| JP2001155850A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Taiyo Yuden Co Ltd | 有機発光素子アレイ |
| EP1257600B1 (en) | 2000-02-16 | 2005-10-19 | Sicpa Holding S.A. | Pigments having a viewing angle dependent shift of color, method of making, use and coating composition of said pigments |
| JP2001296819A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Nec Corp | 有機薄膜ｅｌデバイス及びその製造方法 |
| EP1158775A1 (en) | 2000-05-15 | 2001-11-28 | EASTMAN KODAK COMPANY (a New Jersey corporation) | Self-illuminating colour imaging device |
| US6570584B1 (en) * | 2000-05-15 | 2003-05-27 | Eastman Kodak Company | Broad color gamut display |
| JP2002110344A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Tdk Corp | 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法 |
| KR100370030B1 (ko) * | 2000-10-06 | 2003-01-30 | 엘지전자 주식회사 | 평판표시소자 및 그 제조 방법 |
| GB0024804D0 (en) * | 2000-10-10 | 2000-11-22 | Microemissive Displays Ltd | An optoelectronic device |
| TW522752B (en) * | 2000-10-20 | 2003-03-01 | Toshiba Corp | Self-luminous display panel and method of manufacturing the same |
| JP2002304136A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-10-18 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置を備えた電子機器 |
| GB0104961D0 (en) * | 2001-02-28 | 2001-04-18 | Microemissive Displays Ltd | An encapsulated electrode |
| US7714824B2 (en) * | 2001-06-11 | 2010-05-11 | Genoa Color Technologies Ltd. | Multi-primary display with spectrally adapted back-illumination |
| US8289266B2 (en) * | 2001-06-11 | 2012-10-16 | Genoa Color Technologies Ltd. | Method, device and system for multi-color sequential LCD panel |
| EP1419497A4 (en) | 2001-06-11 | 2005-11-16 | Genoa Color Technologies Ltd | DEVICE, SYSTEM AND METHOD FOR COLOR DISPLAY |
| US7999823B2 (en) * | 2002-01-07 | 2011-08-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Device and method for projection device based soft proofing |
| WO2003088203A1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-10-23 | Genoa Color Technologies Ltd. | Color display devices and methods with enhanced attributes |
| AU2003281594A1 (en) * | 2002-07-24 | 2004-02-09 | Moshe Ben-Chorin | High brightness wide gamut display |
| US8228275B2 (en) | 2003-01-28 | 2012-07-24 | Genoa Color Technologies Ltd. | Optimal subpixel arrangement for displays with more than three primary colors |
| GB2400483B (en) * | 2003-04-09 | 2006-04-12 | One2See Ltd | Segmented electroluminescent panel |
| WO2005013193A2 (en) * | 2003-08-04 | 2005-02-10 | Genoa Color Technologies Ltd. | Multi-primary color display |
| WO2007060672A2 (en) * | 2005-11-28 | 2007-05-31 | Genoa Color Technologies Ltd. | Sub-pixel rendering of a multiprimary image |
| US8835941B2 (en) | 2006-02-09 | 2014-09-16 | Qd Vision, Inc. | Displays including semiconductor nanocrystals and methods of making same |
| WO2007143197A2 (en) | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Qd Vision, Inc. | Light-emitting devices and displays with improved performance |
| US9525148B2 (en) | 2008-04-03 | 2016-12-20 | Qd Vision, Inc. | Device including quantum dots |
| CN102047098B (zh) | 2008-04-03 | 2016-05-04 | Qd视光有限公司 | 包括量子点的发光器件 |
| DE102009018111A1 (de) * | 2009-04-20 | 2010-10-28 | Airbus Deutschland Gmbh | Einfach konfigurierbares Multifunktionsmodul für einen Passagierversorgungskanal |
| CN101984487B (zh) * | 2010-11-02 | 2013-05-22 | 友达光电股份有限公司 | 主动式矩阵有机发光二极管显示面板的驱动方法 |
| US8574934B2 (en) * | 2011-09-19 | 2013-11-05 | The Regents Of The University Of Michigan | OVJP patterning of electronic devices |
| US10191360B2 (en) * | 2016-12-30 | 2019-01-29 | Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited | Microarray LED flash |
| CN110636944B (zh) * | 2017-05-25 | 2021-07-30 | 索尼半导体解决方案公司 | 光学头、光学头扫描装置和驱动光学头扫描装置的方法 |
| KR102606282B1 (ko) | 2017-06-19 | 2023-11-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3766447A (en) * | 1971-10-20 | 1973-10-16 | Harris Intertype Corp | Heteroepitaxial structure |
| US4015166A (en) * | 1972-09-06 | 1977-03-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | X-Y matrix type electroluminescent display panel |
| US4720432A (en) * | 1987-02-11 | 1988-01-19 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with organic luminescent medium |
| EP0349265A3 (en) | 1988-06-27 | 1990-03-14 | EASTMAN KODAK COMPANY (a New Jersey corporation) | Electroluminescent devices |
| JPH02244673A (ja) * | 1989-03-16 | 1990-09-28 | Olympus Optical Co Ltd | 有機半導体を用いた電子素子及びその製造方法 |
| JP2911552B2 (ja) * | 1990-06-18 | 1999-06-23 | パイオニア株式会社 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| US5276380A (en) | 1991-12-30 | 1994-01-04 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent image display device |
| JP3451291B2 (ja) * | 1993-11-25 | 2003-09-29 | カシオ計算機株式会社 | 電界発光素子とその製造方法 |
| US5663573A (en) * | 1995-03-17 | 1997-09-02 | The Ohio State University | Bipolar electroluminescent device |
| US5587589A (en) * | 1995-03-22 | 1996-12-24 | Motorola | Two dimensional organic light emitting diode array for high density information image manifestation apparatus |
-
1995
- 1995-11-17 US US08/560,457 patent/US5736754A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-08-28 TW TW085110476A patent/TW318966B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-11-07 DE DE69631635T patent/DE69631635T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-07 EP EP96117868A patent/EP0774787B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-18 KR KR1019960055879A patent/KR100430699B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0774787A3 (en) | 1998-05-13 |
| DE69631635D1 (de) | 2004-04-01 |
| EP0774787A2 (en) | 1997-05-21 |
| EP0774787B1 (en) | 2004-02-25 |
| US5736754A (en) | 1998-04-07 |
| DE69631635T2 (de) | 2005-01-05 |
| KR970030943A (ko) | 1997-06-26 |
| TW318966B (ko) | 1997-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100430699B1 (ko) | 풀 칼라 유기 발광 다이오드 어레이 | |
| JP4283900B2 (ja) | フルカラー有機発光ダイオード・アレイおよびその製造方法 | |
| EP0734082B1 (en) | Two dimensional organic light emitting diode array | |
| JP5175837B2 (ja) | 光電子ディスプレイ及びその製造方法 | |
| JP3537591B2 (ja) | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 | |
| JP2009533810A5 (ko) | ||
| CN112510068A (zh) | 一种硅基有机电致发光微显示器及其制备方法 | |
| KR100696445B1 (ko) | 발광다이오드 디스플레이소자 및 그 제조 방법 | |
| EP1735854B1 (en) | Method of patterning a functional material on to a substrate | |
| KR100269390B1 (ko) | 유기전계발광 디스플레이 패널 및 그 제조방법 | |
| WO2000016938A1 (en) | Color organic light-emitting device structure and method of fabrication | |
| JP2007220431A (ja) | 多色発光デバイス及びその製造方法 | |
| KR100311140B1 (ko) | 유기 전기 발광 소자의 제조 방법 | |
| CN118660531A (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
| CN118139473A (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| KR20010091234A (ko) | 유기 전계발광 디스플레이 패널 제조방법 | |
| KR20020080203A (ko) | 유기 전계발광 디바이스 | |
| KR20010083502A (ko) | 풀-컬러 유기전계발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR20010029056A (ko) | 풀칼라 유기 전기 발광 소자의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120409 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130410 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |