JPH08264828A - フルカラー有機発光ダイオード・アレイ - Google Patents
フルカラー有機発光ダイオード・アレイInfo
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- JPH08264828A JPH08264828A JP8899696A JP8899696A JPH08264828A JP H08264828 A JPH08264828 A JP H08264828A JP 8899696 A JP8899696 A JP 8899696A JP 8899696 A JP8899696 A JP 8899696A JP H08264828 A JPH08264828 A JP H08264828A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
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-
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板１００上に形成された複数の離間された
光透過電極１０１と、電極１０１の上に画定された複数
のキャビティ１０，２０と、キャビティ１０，２０内に
被着され、３つの異なる色相を発光するように設計され
た３つのエレクトロルミネセンス媒体２０２，２０３，
２０４とを含む、フルカラー有機発光ダイオード・アレ
イを提供する。 【解決手段】 複数の離間された金属電極１０６，１０
８，１１０，１１５は、透過電極１０１と直交に配列さ
れ、各キャビティ１０，２０を密封するように形成さ
れ、それにより各キャビティ１０，２０の底面における
光透過アノード電極と、各キャビティ１０，２０の上部
における雰囲気安定カソード金属電極１０６，１０８，
１１０，１１５とによって、キャビティ１０，２０内に
エレクトロルミネセンス媒体２０２，２０２，２０４を
密封する。フルから有機発光ダイオード・アレイを製造
する方法も開示される。
光透過電極１０１と、電極１０１の上に画定された複数
のキャビティ１０，２０と、キャビティ１０，２０内に
被着され、３つの異なる色相を発光するように設計され
た３つのエレクトロルミネセンス媒体２０２，２０３，
２０４とを含む、フルカラー有機発光ダイオード・アレ
イを提供する。 【解決手段】 複数の離間された金属電極１０６，１０
８，１１０，１１５は、透過電極１０１と直交に配列さ
れ、各キャビティ１０，２０を密封するように形成さ
れ、それにより各キャビティ１０，２０の底面における
光透過アノード電極と、各キャビティ１０，２０の上部
における雰囲気安定カソード金属電極１０６，１０８，
１１０，１１５とによって、キャビティ１０，２０内に
エレクトロルミネセンス媒体２０２，２０２，２０４を
密封する。フルから有機発光ダイオード・アレイを製造
する方法も開示される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機発光ダイオード表
示装置に関し、画像表示装置用のフルカラー有機発光ダ
イオード（ＬＥＤ）アレイの新規な製造方法に関する。
示装置に関し、画像表示装置用のフルカラー有機発光ダ
イオード（ＬＥＤ）アレイの新規な製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】画像表示用途用の有機ＬＥＤアレイは、
行(rows)および列(columns) に配列された複数の有機発
光ピクセルからなる。薄膜エレクトロルミネセンス・ア
レイからフルカラー表示を行うためには、従来技術では
２つの主要な技術が知られている。各サブピクセルが
赤，緑または青を発光する３つのサブピクセルを１つの
ピクセルにおいて構成することによって、フルカラー・
アレイを達成できる。この技術は、陰極管カラー・ディ
スプレイで一般に利用される。別のフルカラー・アレイ
は、赤，緑および青サブピクセルにパターニングされた
ピクセルを含むカラー・フィルタ・アレイとともに、白
色エミッタをバックライトとして利用する。フルカラー
を生成する第２の技術は、フルカラー液晶ディスプレイ
で広く利用される。
行(rows)および列(columns) に配列された複数の有機発
光ピクセルからなる。薄膜エレクトロルミネセンス・ア
レイからフルカラー表示を行うためには、従来技術では
２つの主要な技術が知られている。各サブピクセルが
赤，緑または青を発光する３つのサブピクセルを１つの
ピクセルにおいて構成することによって、フルカラー・
アレイを達成できる。この技術は、陰極管カラー・ディ
スプレイで一般に利用される。別のフルカラー・アレイ
は、赤，緑および青サブピクセルにパターニングされた
ピクセルを含むカラー・フィルタ・アレイとともに、白
色エミッタをバックライトとして利用する。フルカラー
を生成する第２の技術は、フルカラー液晶ディスプレイ
で広く利用される。
【０００３】フルカラー有機エレクトロルミネセンス・
ディスプレイでは、カラー・フィルタ方式の技術は、ほ
とんどの有機ＬＥＤデバイスのルミネセンス効率制限の
ため、一般にあまり好ましくないと思われる。
ディスプレイでは、カラー・フィルタ方式の技術は、ほ
とんどの有機ＬＥＤデバイスのルミネセンス効率制限の
ため、一般にあまり好ましくないと思われる。
【０００４】フルカラー・アレイでは、各個別の有機発
光ピクセルは、赤，緑および青サブピクセルに分割され
る。各サブピクセルは、一般に、光透過第１電極と、こ
の第１電極上に被着された有機エレクトロルミネセンス
媒体と、この有機エレクトロルミネセンス媒体上の金属
電極とによって構成される。サブピクセルのカラーは、
採用されるエレクトロルミネセンス媒体によって決定さ
れる。電極はピクセルを接続して、二次元Ｘ−Ｙアドレ
ス指定パターンを形成する。実際には、Ｘ−Ｙアドレス
指定パターンは、Ｘ方向およびＹ方向が互いに直交する
ように、光透過電極をＸ方向にパターニングし、金属電
極をＹ方向にパターニングすることによって達成され
る。電極のパターニングは、シャドー・マスクまたはエ
ッチング方法のいずれかによって一般に行われる。シャ
ドー・マスクの技術的な制限のため、一般に０．２ｍｍ
以下のサブピクセル・ピッチを有する画像ディスプレイ
では、エッチング・プロセスのみが利用される。
光ピクセルは、赤，緑および青サブピクセルに分割され
る。各サブピクセルは、一般に、光透過第１電極と、こ
の第１電極上に被着された有機エレクトロルミネセンス
媒体と、この有機エレクトロルミネセンス媒体上の金属
電極とによって構成される。サブピクセルのカラーは、
採用されるエレクトロルミネセンス媒体によって決定さ
れる。電極はピクセルを接続して、二次元Ｘ−Ｙアドレ
ス指定パターンを形成する。実際には、Ｘ−Ｙアドレス
指定パターンは、Ｘ方向およびＹ方向が互いに直交する
ように、光透過電極をＸ方向にパターニングし、金属電
極をＹ方向にパターニングすることによって達成され
る。電極のパターニングは、シャドー・マスクまたはエ
ッチング方法のいずれかによって一般に行われる。シャ
ドー・マスクの技術的な制限のため、一般に０．２ｍｍ
以下のサブピクセル・ピッチを有する画像ディスプレイ
では、エッチング・プロセスのみが利用される。
【０００５】エッチング・プロセスで用いられる媒体に
応じて、エッチング方法は二種類、すなわち湿式と乾式
とに分類される。湿式エッチングは酸性液体媒体で施さ
れるが、乾式エッチングは一般にプラズマ雰囲気で行わ
れる。
応じて、エッチング方法は二種類、すなわち湿式と乾式
とに分類される。湿式エッチングは酸性液体媒体で施さ
れるが、乾式エッチングは一般にプラズマ雰囲気で行わ
れる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】Scozzafazaは、ＥＰ３
４９，２６５において、有機エレクトロルミネセンス画
像表示装置および湿式エッチング技術に基づくその製造
方法を開示した。有機ＬＥＤにおいてカソード・コンタ
クトとして用いられる金属電極は、一般に、安定金属
と、酸性エッチング・プロセスでは耐えられない高反応
性金属（仕事関数が４ｅＶ以下）とを含む。
４９，２６５において、有機エレクトロルミネセンス画
像表示装置および湿式エッチング技術に基づくその製造
方法を開示した。有機ＬＥＤにおいてカソード・コンタ
クトとして用いられる金属電極は、一般に、安定金属
と、酸性エッチング・プロセスでは耐えられない高反応
性金属（仕事関数が４ｅＶ以下）とを含む。
【０００７】有機ＬＥＤアレイにおける金属電極用の乾
式エッチング・プロセスにも問題がある。乾式エッチン
グ・プロセスで必要とされる高温（＞２００゜）および
反応性イオン雰囲気は、有機材料の健全性や、二次元有
機ＬＥＤアレイにおいて金属電極に含まれる活性金属の
健全性に影響を与えることがある。
式エッチング・プロセスにも問題がある。乾式エッチン
グ・プロセスで必要とされる高温（＞２００゜）および
反応性イオン雰囲気は、有機材料の健全性や、二次元有
機ＬＥＤアレイにおいて金属電極に含まれる活性金属の
健全性に影響を与えることがある。
【０００８】米国特許第５，２７６，３８０号における
Tangは、金属電極のエッチングを必要とせずに、二次元
アレイを製造するシャドー・ウォール(shadow wall) 方
法を開示している。シャドー・ウォール方法は、透過電
極を最初にパターニングし、透過電極に直交し、隣接ピ
クセル領域を影にでき、有機媒体の厚さを越える高さを
有する誘電壁を形成し、有機エレクトロルミネセンス媒
体を被着し、被着表面に対して１５゜〜４５゜の角度で
カソード金属を被着することを含む。誘電壁の高さは有
機媒体の厚さを越えるので、分離された平行金属ストリ
ップが形成される。よって、金属エッチングの必要なし
に、Ｘ−Ｙアドレス指定可能なアレイが達成される。こ
の方法は金属パターニングに適すると思われるが、特定
のピッチ寸法に制限され、アレイのピクセルにリークを
発生する可能性がある。
Tangは、金属電極のエッチングを必要とせずに、二次元
アレイを製造するシャドー・ウォール(shadow wall) 方
法を開示している。シャドー・ウォール方法は、透過電
極を最初にパターニングし、透過電極に直交し、隣接ピ
クセル領域を影にでき、有機媒体の厚さを越える高さを
有する誘電壁を形成し、有機エレクトロルミネセンス媒
体を被着し、被着表面に対して１５゜〜４５゜の角度で
カソード金属を被着することを含む。誘電壁の高さは有
機媒体の厚さを越えるので、分離された平行金属ストリ
ップが形成される。よって、金属エッチングの必要なし
に、Ｘ−Ｙアドレス指定可能なアレイが達成される。こ
の方法は金属パターニングに適すると思われるが、特定
のピッチ寸法に制限され、アレイのピクセルにリークを
発生する可能性がある。
【０００９】よって、これらの問題を克服するフルカラ
ー有機ＬＥＤアレイを提供することは有利である。
ー有機ＬＥＤアレイを提供することは有利である。
【００１０】従って、本発明の目的は、画像表示用途用
のフルカラー有機ＬＥＤアレイの新規な製造方法を提供
することである。
のフルカラー有機ＬＥＤアレイの新規な製造方法を提供
することである。
【００１１】本発明の別の目的は、フルカラー有機ＬＥ
Ｄアレイが構成されるキャビティ構造を提供することで
ある。
Ｄアレイが構成されるキャビティ構造を提供することで
ある。
【００１２】本発明のさらに別の目的は、改善された信
頼性を有する画像表示用途用の不活性化フルカラー有機
ＬＥＤアレイを提供することである。
頼性を有する画像表示用途用の不活性化フルカラー有機
ＬＥＤアレイを提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の問題等は、平坦な
表面を有する光透過絶縁基板を含む、フルカラー有機発
光ダイオード・アレイにおいて少なくとも部分的に解決
され、上記の目的等は実現される。複数の横方向に離間
された光透過導電ストリップは、基板の表面上で行単位
に配列され、基板の表面の部分はその間で露出され、誘
電媒体の層は、導電ストリップと、基板の表面のその部
分の上に被着される。誘電媒体はエッチングされ、複数
のキャビティ構造を画定し、各キャビティ構造は、サブ
ピクセルを定め、複数のキャビティ構造は、複数の導電
ストリップに対して上になる関係で行単位に配置され、
個々のキャビティ構造は、導電ストリップの一部を露出
するように関連する導電ストリップに対して上になる関
係で配置される。それぞれが少なくとも活性エミッタ材
料の層および低仕事関数金属の層を含む、３つのエレク
トロルミネセンス媒体は、露出された関連導電ストリッ
プ上のキャビティ構造内に横方向かつ交互に被着され、
各個別の行におけるすべてのキャビティ構造は、３つの
エレクトロルミネセンス媒体の１つの種類しか含まな
い。雰囲気安定金属(ambient stable metal)は、キャビ
ティ構造上に密封配置され、接続されて、導電ストリッ
プに直交する列単位に配列された複数の横方向に離間さ
れた平行な金属ストリップを形成して、アレイを完成す
る。
表面を有する光透過絶縁基板を含む、フルカラー有機発
光ダイオード・アレイにおいて少なくとも部分的に解決
され、上記の目的等は実現される。複数の横方向に離間
された光透過導電ストリップは、基板の表面上で行単位
に配列され、基板の表面の部分はその間で露出され、誘
電媒体の層は、導電ストリップと、基板の表面のその部
分の上に被着される。誘電媒体はエッチングされ、複数
のキャビティ構造を画定し、各キャビティ構造は、サブ
ピクセルを定め、複数のキャビティ構造は、複数の導電
ストリップに対して上になる関係で行単位に配置され、
個々のキャビティ構造は、導電ストリップの一部を露出
するように関連する導電ストリップに対して上になる関
係で配置される。それぞれが少なくとも活性エミッタ材
料の層および低仕事関数金属の層を含む、３つのエレク
トロルミネセンス媒体は、露出された関連導電ストリッ
プ上のキャビティ構造内に横方向かつ交互に被着され、
各個別の行におけるすべてのキャビティ構造は、３つの
エレクトロルミネセンス媒体の１つの種類しか含まな
い。雰囲気安定金属(ambient stable metal)は、キャビ
ティ構造上に密封配置され、接続されて、導電ストリッ
プに直交する列単位に配列された複数の横方向に離間さ
れた平行な金属ストリップを形成して、アレイを完成す
る。
【００１４】フルカラー有機発光ダイオード・アレイの
製造方法も開示され、ここで上記の段階の一部は反復さ
れ、２つまたは３つのグループのサブピクセルを形成す
る。
製造方法も開示され、ここで上記の段階の一部は反復さ
れ、２つまたは３つのグループのサブピクセルを形成す
る。
【００１５】
【実施例】デバイスの形状寸法はサブミクロン範囲であ
る場合が多いので、図面は寸法的な正確さではなく、見
やすいように縮尺されている。図１を参照して、寸法差
を示すため、トレンチ１０およびウェル２０を同一基板
上に意図的に図示した平面図を示す。トレンチおよびウ
ェルはともに、光透過導電ストリップの上に被着された
誘電層１０３をフォトリソグラフィでパターニングする
ことによって一般に形成され、光透過導電ストリップ
は、以下で説明するように下の透明絶縁基板によって支
持される。
る場合が多いので、図面は寸法的な正確さではなく、見
やすいように縮尺されている。図１を参照して、寸法差
を示すため、トレンチ１０およびウェル２０を同一基板
上に意図的に図示した平面図を示す。トレンチおよびウ
ェルはともに、光透過導電ストリップの上に被着された
誘電層１０３をフォトリソグラフィでパターニングする
ことによって一般に形成され、光透過導電ストリップ
は、以下で説明するように下の透明絶縁基板によって支
持される。
【００１６】各トレンチ１０は、誘電層１０３に形成さ
れた４つの比較的急峻な（実質的に垂直な）側面を有す
る、長く、狭い直線的な深い凹部として定められる。一
般に、各トレンチ１０は、図１に示すように、長方形平
行パイプの形状である。トレンチ１０は、下の光透過導
電ストリップ１０１（例えば、図６参照）に対して直交
するか、あるいは下の光透過導電ストリップ１０１に平
行かつその上にある方向で、基板１００に延在する。こ
の特定の実施例では、トレンチ１０はｘ−ｙアドレス指
定可能な行列を形成するため、下の光透過導電ストリッ
プ１０１に対して好ましくは直交する。複数のピクセル
を各一つのトレンチ１０に形成できる。各ウェル２０
は、長方形，正方形または円形の開口部と、急峻な（実
質的に垂直な）側壁を有する、誘電層１０３に形成され
た穴として定められる。ウェル２０は、小さい寸法と、
開口部のほぼ等方形によって特徴づけられる。複数のウ
ェル２０は、光透過導電ストリップ１０１に対して上に
なる関係で（例えば、図６参照）基板１００に行単位で
形成される。各ウェル２０は、アレイにおけるサブピク
セルの形状を定める。以下で説明するように、トレンチ
１０またはウェル２０のいずれかを画像ディスプレイ用
のフルカラー有機ＬＥＤアレイの製造で利用できる。以
下の説明では便宜上、トレンチ１０およびウェル２０の
双方を以下では概してキャビティ(cavity)と呼び、この
用語はこれらの構造の他の変形例も含む。
れた４つの比較的急峻な（実質的に垂直な）側面を有す
る、長く、狭い直線的な深い凹部として定められる。一
般に、各トレンチ１０は、図１に示すように、長方形平
行パイプの形状である。トレンチ１０は、下の光透過導
電ストリップ１０１（例えば、図６参照）に対して直交
するか、あるいは下の光透過導電ストリップ１０１に平
行かつその上にある方向で、基板１００に延在する。こ
の特定の実施例では、トレンチ１０はｘ−ｙアドレス指
定可能な行列を形成するため、下の光透過導電ストリッ
プ１０１に対して好ましくは直交する。複数のピクセル
を各一つのトレンチ１０に形成できる。各ウェル２０
は、長方形，正方形または円形の開口部と、急峻な（実
質的に垂直な）側壁を有する、誘電層１０３に形成され
た穴として定められる。ウェル２０は、小さい寸法と、
開口部のほぼ等方形によって特徴づけられる。複数のウ
ェル２０は、光透過導電ストリップ１０１に対して上に
なる関係で（例えば、図６参照）基板１００に行単位で
形成される。各ウェル２０は、アレイにおけるサブピク
セルの形状を定める。以下で説明するように、トレンチ
１０またはウェル２０のいずれかを画像ディスプレイ用
のフルカラー有機ＬＥＤアレイの製造で利用できる。以
下の説明では便宜上、トレンチ１０およびウェル２０の
双方を以下では概してキャビティ(cavity)と呼び、この
用語はこれらの構造の他の変形例も含む。
【００１７】説明するＬＥＤアレイは、フルカラー画像
表示が可能であるという特徴がある。各ピクセルは、３
つのサブピクセルからなり、各サブピクセルは、異なる
色相(hue) 、好ましくは赤または緑または青の光を発光
できる固有のエレクトロルミネセンス媒体を有する。各
サブピクセルは、底部における光透過導電ストリップ１
０１と、側壁における誘電媒体と、上部における雰囲気
安定金属とを有するキャビティ構造で構成される。本発
明による画像表示用途用のフルカラー有機ＬＥＤアレイ
の製造方法について以下で説明する。図２，図３，図４
および図５は、製造の連続的な段階におけるＬＥＤアレ
イの３つのサブピクセルを有する１つのピクセルを示す
断面図である。
表示が可能であるという特徴がある。各ピクセルは、３
つのサブピクセルからなり、各サブピクセルは、異なる
色相(hue) 、好ましくは赤または緑または青の光を発光
できる固有のエレクトロルミネセンス媒体を有する。各
サブピクセルは、底部における光透過導電ストリップ１
０１と、側壁における誘電媒体と、上部における雰囲気
安定金属とを有するキャビティ構造で構成される。本発
明による画像表示用途用のフルカラー有機ＬＥＤアレイ
の製造方法について以下で説明する。図２，図３，図４
および図５は、製造の連続的な段階におけるＬＥＤアレ
イの３つのサブピクセルを有する１つのピクセルを示す
断面図である。
【００１８】図２を参照して、ピクセルの構造は、比較
的平坦で、光を透過し、好ましくは透明で、絶縁性の基
板１００から開始する。ガラスおよび／またはポリマ材
料からなる基板を一般に利用できるが、ガラスが好まし
い。基板１００の上面に、光透過導電材料の層が被着さ
れ、この層は導電ポリアニリン（ＰＡＮＩ）または酸化
インジウム錫（ＩＴＯ）など、さまざまな有機または非
有機導体から選択される。次に、この層は従来のリソグ
ラフィ方法でパターニングされ、行単位に（あるいは、
望ましければ、逆に列単位に）アドレス指定可能で、最
終的なアレイにおいてアノード電極として機能する複数
の平行な導電ストリップ１０１を形成する。
的平坦で、光を透過し、好ましくは透明で、絶縁性の基
板１００から開始する。ガラスおよび／またはポリマ材
料からなる基板を一般に利用できるが、ガラスが好まし
い。基板１００の上面に、光透過導電材料の層が被着さ
れ、この層は導電ポリアニリン（ＰＡＮＩ）または酸化
インジウム錫（ＩＴＯ）など、さまざまな有機または非
有機導体から選択される。次に、この層は従来のリソグ
ラフィ方法でパターニングされ、行単位に（あるいは、
望ましければ、逆に列単位に）アドレス指定可能で、最
終的なアレイにおいてアノード電極として機能する複数
の平行な導電ストリップ１０１を形成する。
【００１９】導電ストリップ１０１および基板１００の
露出部分の上には、熱蒸着，スパッタリングまたはプラ
ズマ・エンハンスト化学蒸着方法によって、誘電媒体１
０３の層が被着される。キャビティ構造の製造で用いら
れる誘電媒体１０３は、有機ポリマでも非有機材料でも
よい。有機ポリマ材料に比べて一般によく酸素および水
分を遮断する二酸化シリコン，窒化シリコン，アルミナ
など非有機誘電材料を利用することが好ましい。誘電媒
体１０３の厚さはキャビティ構造の深さを決定し、１０
μｍから０．１μｍの範囲でもよい。処理しやすいよう
に、１μｍ以下の厚さが好ましい。
露出部分の上には、熱蒸着，スパッタリングまたはプラ
ズマ・エンハンスト化学蒸着方法によって、誘電媒体１
０３の層が被着される。キャビティ構造の製造で用いら
れる誘電媒体１０３は、有機ポリマでも非有機材料でも
よい。有機ポリマ材料に比べて一般によく酸素および水
分を遮断する二酸化シリコン，窒化シリコン，アルミナ
など非有機誘電材料を利用することが好ましい。誘電媒
体１０３の厚さはキャビティ構造の深さを決定し、１０
μｍから０．１μｍの範囲でもよい。処理しやすいよう
に、１μｍ以下の厚さが好ましい。
【００２０】フォトレジストの層１０５は、誘電媒体１
０３の上にスピン・コーティングされ、マスク（図示せ
ず）を介して光源によりパターニングされる。ポジおよ
びネガ・レジストの両方を利用できるが、高解像度およ
び良好な乾式エッチング抵抗のためポジ・レジストを利
用するほうが好ましい。熱処理の次に、フォトレジスト
の層１０５は現像され、下の誘電媒体１０３を露光す
る。次に、誘電媒体１０３は従来の湿式または乾式エッ
チング方法によってパターニングされ、キャビティ構造
１１２を形成する。側壁を相対的に直線的あるいは実質
的に垂直にする異方性のため、乾式エッチングが一般に
好ましい。
０３の上にスピン・コーティングされ、マスク（図示せ
ず）を介して光源によりパターニングされる。ポジおよ
びネガ・レジストの両方を利用できるが、高解像度およ
び良好な乾式エッチング抵抗のためポジ・レジストを利
用するほうが好ましい。熱処理の次に、フォトレジスト
の層１０５は現像され、下の誘電媒体１０３を露光す
る。次に、誘電媒体１０３は従来の湿式または乾式エッ
チング方法によってパターニングされ、キャビティ構造
１１２を形成する。側壁を相対的に直線的あるいは実質
的に垂直にする異方性のため、乾式エッチングが一般に
好ましい。
【００２１】エレクトロルミネセンス媒体２０２は、キ
ャビティ構造１１２内および複数の導電ストリップ１０
１の一つの導電ストリップに対して上になる関係で被着
される。エレクトロルミネセンス媒体２０２は、正孔移
動材料の層と、第１色相を発光できる活性エミッタ材料
の層と、電子移動材料の層と、カソードとしての低仕事
関数金属の層とによって一般に構成される。エレクトロ
ルミネセンス材料２０２のこれらの個別の層は周知であ
るので、各個別の層についてはここでは詳しく説明しな
い。
ャビティ構造１１２内および複数の導電ストリップ１０
１の一つの導電ストリップに対して上になる関係で被着
される。エレクトロルミネセンス媒体２０２は、正孔移
動材料の層と、第１色相を発光できる活性エミッタ材料
の層と、電子移動材料の層と、カソードとしての低仕事
関数金属の層とによって一般に構成される。エレクトロ
ルミネセンス材料２０２のこれらの個別の層は周知であ
るので、各個別の層についてはここでは詳しく説明しな
い。
【００２２】次に、キャビティ構造１１２の上端部また
は開口部は、アルミニウム，銀，銅または金などの雰囲
気安定金属の厚層１０６をキャビティ構造１１２のキャ
ップとして被着することによって密封される。層１０６
の厚さは、キャビティ構造１１２が誘電媒体１０３の高
さまで埋められるように制御される。ピクセルにおいて
第１色相、すなわちこの特定の実施例では赤を発光でき
る第１サブピクセルを完成するため、フォトレジスト層
１０５のリフトオフが行われる。
は開口部は、アルミニウム，銀，銅または金などの雰囲
気安定金属の厚層１０６をキャビティ構造１１２のキャ
ップとして被着することによって密封される。層１０６
の厚さは、キャビティ構造１１２が誘電媒体１０３の高
さまで埋められるように制御される。ピクセルにおいて
第１色相、すなわちこの特定の実施例では赤を発光でき
る第１サブピクセルを完成するため、フォトレジスト層
１０５のリフトオフが行われる。
【００２３】図３を参照して、第２サブピクセルの形成
を示す。フォトレジストの層１０７は、一般に上記のよ
うに、第１サブピクセルおよび誘電媒体１０３の上にス
ピン・コーティングされ、パターニングされ、現像され
る。次に、露出された誘電媒体１０３はパターニングさ
れ、第１サブピクセルに隣接して第２キャビティ構造１
１３を形成する。エレクトロルミネセンス媒体２０３
は、キャビティ構造１１３内および複数の導電ストリッ
プ１０１の一つの導電ストリップに対して上になる関係
で被着される。エレクトロルミネセンス媒体２０２につ
いて説明したように、エレクトロルミネセンス媒体２０
３は、正孔移動材料の層と、第２色相を発光できる活性
エミッタ材料の層と、電子移動材料の層と、カソードと
しての低仕事関数金属の層とによって一般に構成され
る。キャビティ構造１１３の上端部は、アルミニウム，
銀，銅または金などの雰囲気安定金属の厚層１０８を誘
電媒体１０３の高さまで被着することによって密封され
る。フォトレジスト１０７に対してリフトオフを施した
後、本実施例では緑である第２色相を発光できる、ピク
セルにおける第２サブピクセルの構造は完成する。
を示す。フォトレジストの層１０７は、一般に上記のよ
うに、第１サブピクセルおよび誘電媒体１０３の上にス
ピン・コーティングされ、パターニングされ、現像され
る。次に、露出された誘電媒体１０３はパターニングさ
れ、第１サブピクセルに隣接して第２キャビティ構造１
１３を形成する。エレクトロルミネセンス媒体２０３
は、キャビティ構造１１３内および複数の導電ストリッ
プ１０１の一つの導電ストリップに対して上になる関係
で被着される。エレクトロルミネセンス媒体２０２につ
いて説明したように、エレクトロルミネセンス媒体２０
３は、正孔移動材料の層と、第２色相を発光できる活性
エミッタ材料の層と、電子移動材料の層と、カソードと
しての低仕事関数金属の層とによって一般に構成され
る。キャビティ構造１１３の上端部は、アルミニウム，
銀，銅または金などの雰囲気安定金属の厚層１０８を誘
電媒体１０３の高さまで被着することによって密封され
る。フォトレジスト１０７に対してリフトオフを施した
後、本実施例では緑である第２色相を発光できる、ピク
セルにおける第２サブピクセルの構造は完成する。
【００２４】図４を参照して、第３サブピクセルの形成
を示す。フォトレジストの層１０９は、一般に上記のよ
うに、第１および第２サブピクセルと誘電媒体１０３の
上にスピン・コーティングされ、パターニングされ、現
像される。次に、露出された誘電媒体１０３はパターニ
ングされ、第１および第２サブピクセルに隣接して第３
キャビティ構造１１４を形成する。エレクトロルミネセ
ンス媒体２０４は、キャビティ１１４内および複数の導
電ストリップ１０１の一つの導電ストリップに対して上
になる関係で被着される。エレクトロルミネセンス媒体
２０２，２０３について説明したように、エレクトロル
ミネセンス媒体２０４は、正孔移動材料の層と、第３色
相を発光できる活性エミッタ材料の層と、電子移動材料
の層と、カソードとしての低仕事関数金属の層とによっ
て一般に構成される。キャビティ構造１１４の上端部
は、、アルミニウム，銀，銅または金などの雰囲気安定
金属の厚層１１０を誘電媒体１０３の高さまで被着する
ことによって密封される。フォトレジスト１０９に対し
てリフトオフを施した後、本実施例では青である第３色
相を発光できる、ピクセルにおける第３サブピクセルの
構造は完成する。
を示す。フォトレジストの層１０９は、一般に上記のよ
うに、第１および第２サブピクセルと誘電媒体１０３の
上にスピン・コーティングされ、パターニングされ、現
像される。次に、露出された誘電媒体１０３はパターニ
ングされ、第１および第２サブピクセルに隣接して第３
キャビティ構造１１４を形成する。エレクトロルミネセ
ンス媒体２０４は、キャビティ１１４内および複数の導
電ストリップ１０１の一つの導電ストリップに対して上
になる関係で被着される。エレクトロルミネセンス媒体
２０２，２０３について説明したように、エレクトロル
ミネセンス媒体２０４は、正孔移動材料の層と、第３色
相を発光できる活性エミッタ材料の層と、電子移動材料
の層と、カソードとしての低仕事関数金属の層とによっ
て一般に構成される。キャビティ構造１１４の上端部
は、、アルミニウム，銀，銅または金などの雰囲気安定
金属の厚層１１０を誘電媒体１０３の高さまで被着する
ことによって密封される。フォトレジスト１０９に対し
てリフトオフを施した後、本実施例では青である第３色
相を発光できる、ピクセルにおける第３サブピクセルの
構造は完成する。
【００２５】３原色を発光できる完成したピクセルを図
５に示す。最後のフォトレジスト層１０９のリフトオフ
の次に、サブピクセルは、金属ストリップ１１５によっ
て、導電ストリップ１０１と直交する方向で接続され
る。金属ストリップは、被着金属のブランケット層をリ
ソグラフィでパターニングすることにより、あるいはレ
ジストでマスクされたパターン上に金属を被着し、つい
でリフトオフ・プロセスを施すことによって形成でき
る。
５に示す。最後のフォトレジスト層１０９のリフトオフ
の次に、サブピクセルは、金属ストリップ１１５によっ
て、導電ストリップ１０１と直交する方向で接続され
る。金属ストリップは、被着金属のブランケット層をリ
ソグラフィでパターニングすることにより、あるいはレ
ジストでマスクされたパターン上に金属を被着し、つい
でリフトオフ・プロセスを施すことによって形成でき
る。
【００２６】図６は、製造の３つの異なる段階を示すた
め、一部を切り欠いた完成した有機ＬＥＤアレイの平面
図である。図６において左から右に、領域１２１は、パ
ターニングされた光透過導電ストリップ１０１が光透過
絶縁基板１００上に形成された段階におけるＬＥＤアレ
イを示す。図６における中央領域１２２は、本実施例で
は３原色の赤，緑および青である３つの色相を発光でき
るエレクトロルミネセンス媒体２０２，２０３，２０４
の個別サブピクセルがキャビティ構造１１２，１１３，
１１４にそれぞれ被着された段階を示す。領域１２３
は、複数の平行な横方向に離間された雰囲気安定金属ス
トリップ１１５がキャビティ構造１１２，１１３，１１
４の上に選択的に被着され、列におけるサブピクセルを
カソード電極として接続した後のアレイを示す。
め、一部を切り欠いた完成した有機ＬＥＤアレイの平面
図である。図６において左から右に、領域１２１は、パ
ターニングされた光透過導電ストリップ１０１が光透過
絶縁基板１００上に形成された段階におけるＬＥＤアレ
イを示す。図６における中央領域１２２は、本実施例で
は３原色の赤，緑および青である３つの色相を発光でき
るエレクトロルミネセンス媒体２０２，２０３，２０４
の個別サブピクセルがキャビティ構造１１２，１１３，
１１４にそれぞれ被着された段階を示す。領域１２３
は、複数の平行な横方向に離間された雰囲気安定金属ス
トリップ１１５がキャビティ構造１１２，１１３，１１
４の上に選択的に被着され、列におけるサブピクセルを
カソード電極として接続した後のアレイを示す。
【００２７】上記のキャビティ構造１１２，１１３，１
１４はウェルとして図示したが、トレンチ構造のアレイ
も同様に製造できるが、トレンチ構造の方向は、ｘ−ｙ
アドレス指定可能な行列を形成するためにすべての導電
ストリップ１０１に対して好ましくは直交かつ横断する
点を除く。
１４はウェルとして図示したが、トレンチ構造のアレイ
も同様に製造できるが、トレンチ構造の方向は、ｘ−ｙ
アドレス指定可能な行列を形成するためにすべての導電
ストリップ１０１に対して好ましくは直交かつ横断する
点を除く。
【００２８】画像表示用途用に必要なアレイにおけるピ
クセルの数およびサブピクセル・ピッチ、すなわちキャ
ビティ構造の幅は、特定用途に必要なディスプレイの解
像度および寸法に依存する。例えば、対角サイズが１３
インチのカラーＶＧＡタイプのディスプレイでは、十分
な改造のために、各ピクセルが３つのサブピクセルを有
し、かつサブピクセル・ピッチが０．１ｍｍ以下の最小
限で６４０ｘ４８０のピクセルが必要とされる。ピクセ
ル・ピッチは、リソグラフィ技術の制限によってのみ制
限され、これは現在の製造技術では約０．５μｍであ
る。
クセルの数およびサブピクセル・ピッチ、すなわちキャ
ビティ構造の幅は、特定用途に必要なディスプレイの解
像度および寸法に依存する。例えば、対角サイズが１３
インチのカラーＶＧＡタイプのディスプレイでは、十分
な改造のために、各ピクセルが３つのサブピクセルを有
し、かつサブピクセル・ピッチが０．１ｍｍ以下の最小
限で６４０ｘ４８０のピクセルが必要とされる。ピクセ
ル・ピッチは、リソグラフィ技術の制限によってのみ制
限され、これは現在の製造技術では約０．５μｍであ
る。
【００２９】本実施例で開示されるアレイは、従来技術
で開示されたどのアレイに比べても固有の優れた安定性
を有する。各サブピクセル（ウェル構造）またはサブピ
クセルの行（トレンチ構造）における有機エレクトロル
ミネセンス媒体および低仕事関数金属のカソード・コン
タクトは、底部における光透過第１電極と、側面におけ
る誘電媒体と、上部における雰囲気安定金属とによっ
て、ウェルまたはトレンチ内に封入される。開示される
キャビティ構造は、ディスプレイ素子の環境（酸素およ
び水分）劣化を大幅に低減する。
で開示されたどのアレイに比べても固有の優れた安定性
を有する。各サブピクセル（ウェル構造）またはサブピ
クセルの行（トレンチ構造）における有機エレクトロル
ミネセンス媒体および低仕事関数金属のカソード・コン
タクトは、底部における光透過第１電極と、側面におけ
る誘電媒体と、上部における雰囲気安定金属とによっ
て、ウェルまたはトレンチ内に封入される。開示される
キャビティ構造は、ディスプレイ素子の環境（酸素およ
び水分）劣化を大幅に低減する。
【００３０】本発明で開示されるアレイにおいてエレク
トロルミネセンス媒体として用いられる材料は、従来技
術で開示された有機ＥＬデバイスの任意の形状をとるこ
とができる。エレクトロルミネセンス媒体は、正孔移動
材料の層と、活性エミッタの層と、電子移動材料の層
と、カソードとしての低仕事関数金属の層とによって一
般に構成される。有機材料，有機金属材料，ポリマ材料
またはこれらの材料の任意の組み合わせは、正孔移動材
料，活性エミッタおよび電子移動材料として利用でき
る。もちろん、ある特定の用途では、正孔移動材料およ
び電子移動材料のいずれかまたは両方を省略できるが、
それにより、一般に発光性能は劣化する。
トロルミネセンス媒体として用いられる材料は、従来技
術で開示された有機ＥＬデバイスの任意の形状をとるこ
とができる。エレクトロルミネセンス媒体は、正孔移動
材料の層と、活性エミッタの層と、電子移動材料の層
と、カソードとしての低仕事関数金属の層とによって一
般に構成される。有機材料，有機金属材料，ポリマ材料
またはこれらの材料の任意の組み合わせは、正孔移動材
料，活性エミッタおよび電子移動材料として利用でき
る。もちろん、ある特定の用途では、正孔移動材料およ
び電子移動材料のいずれかまたは両方を省略できるが、
それにより、一般に発光性能は劣化する。
【００３１】３原色発光、すなわち、赤，緑および青を
達成するためには、ピクセルにおいて所望のカラー発光
を生成する３つの異なる活性エミッタを利用できる。各
活性エミッタ層において、サブピクセルにおける各個別
のカラーの発光効率を向上するために用いられる蛍光ド
ーパントも取り入れることができる。あるいは、青色発
光が可能な単一エミッタがすべての３つのサブピクセル
におけるホスト・エミッタとして用いられる。三原色発
光を達成するため、３つのサブピクセルは、それぞれ
赤，緑および青色発光が可能な効率的な蛍光染色の３つ
のゲスト・ドーパント(guest dopants) でドーピングさ
れる。ゲスト・ドーパントは、実際のエミッタとして機
能し、一方ホスト・エミッタは励起エネルギ移動媒体(e
xcited energy transporting medium)として機能する。
達成するためには、ピクセルにおいて所望のカラー発光
を生成する３つの異なる活性エミッタを利用できる。各
活性エミッタ層において、サブピクセルにおける各個別
のカラーの発光効率を向上するために用いられる蛍光ド
ーパントも取り入れることができる。あるいは、青色発
光が可能な単一エミッタがすべての３つのサブピクセル
におけるホスト・エミッタとして用いられる。三原色発
光を達成するため、３つのサブピクセルは、それぞれ
赤，緑および青色発光が可能な効率的な蛍光染色の３つ
のゲスト・ドーパント(guest dopants) でドーピングさ
れる。ゲスト・ドーパントは、実際のエミッタとして機
能し、一方ホスト・エミッタは励起エネルギ移動媒体(e
xcited energy transporting medium)として機能する。
【００３２】有機エレクトロルミネセンス媒体は、昇華
可能な材料を用いる場合には、真空蒸着によって被着さ
れる。また、有機エレクトロルミネセンス媒体は、ポリ
マ材料を利用する場合には、適切な溶液からの注入／フ
ィル，スピン・コーティング，ロール・コーティング，
ディップ・コーティングまたはドクタ・ブレーディング
(doctor-blading)などの他の方法によって被着できる。
昇華可能な材料とポリマの両方からなるヘテロ構造アレ
イを作る場合には、上記の方法の組み合わせを必要とす
ることがある。
可能な材料を用いる場合には、真空蒸着によって被着さ
れる。また、有機エレクトロルミネセンス媒体は、ポリ
マ材料を利用する場合には、適切な溶液からの注入／フ
ィル，スピン・コーティング，ロール・コーティング，
ディップ・コーティングまたはドクタ・ブレーディング
(doctor-blading)などの他の方法によって被着できる。
昇華可能な材料とポリマの両方からなるヘテロ構造アレ
イを作る場合には、上記の方法の組み合わせを必要とす
ることがある。
【００３３】現在、効率的なＬＥＤディスプレイを実現
するためには、例えば、リチウム，マグネシウム，イン
ジウム，カルシウムなど、仕事関数が４．０ｅＶ以下の
金属がカソード材料として一般に利用される。近い将来
には、エレクトロルミネセンス媒体で用いられる材料の
電子注入および移動能力が改善すると、４．０ｅＶ以上
の仕事関数を有する金属もカソード材料として利用し
て、効率的なＬＥＤディスプレイを製造できると考えら
れる。
するためには、例えば、リチウム，マグネシウム，イン
ジウム，カルシウムなど、仕事関数が４．０ｅＶ以下の
金属がカソード材料として一般に利用される。近い将来
には、エレクトロルミネセンス媒体で用いられる材料の
電子注入および移動能力が改善すると、４．０ｅＶ以上
の仕事関数を有する金属もカソード材料として利用し
て、効率的なＬＥＤディスプレイを製造できると考えら
れる。
【００３４】動作中、ＬＥＤアレイからの発光のパター
ンは、透明基板１００の底面から見ることができる。Ｌ
ＥＤアレイは、プログラムされた電子ドライバによって
発光するように駆動され、このプログラムされた電子ド
ライバは一度にサブピクセルの一つの行を順次アドレス
指定し、同一行の反復アドレス指定の間の間隔が、一般
に６０分の１秒以下である人間の目の検出制限以下とな
るようなレートでアドレス指定シーケンスを反復する。
目はすべてのアドレス指定された行からの発光によって
形成される画像を見るが、装置は任意の瞬間において１
つの行からのみ発光する。
ンは、透明基板１００の底面から見ることができる。Ｌ
ＥＤアレイは、プログラムされた電子ドライバによって
発光するように駆動され、このプログラムされた電子ド
ライバは一度にサブピクセルの一つの行を順次アドレス
指定し、同一行の反復アドレス指定の間の間隔が、一般
に６０分の１秒以下である人間の目の検出制限以下とな
るようなレートでアドレス指定シーケンスを反復する。
目はすべてのアドレス指定された行からの発光によって
形成される画像を見るが、装置は任意の瞬間において１
つの行からのみ発光する。
【００３５】画像のカラーは、各ピクセルにおけるサブ
ピクセルの組み合わせをアドレス指定することによって
生成され、一般に次の通りである： （１）１つのサブピクセルをアドレス指定して、赤色光
を発光する； （２）１つのサブピクセルをアドレス指定して、緑色光
を発光する； （３）１つのサブピクセルをアドレス指定して、青色光
を発光する； （４）赤および緑を発光する２つのサブピクセルを同時
にアドレス指定して、黄色の知覚を生成する； （５）赤および青を発光する２つのサブピクセルを同時
にアドレス指定して、紫色の知覚を生成する （６）青および緑を発光する２つのサブピクセルを同時
にアドレス指定して、青緑色の知覚を生成する （７）すべてのサブピクセルを同時にアドレス指定し
て、白色光を生成する；および （８）どのサブピクセルもアドレス指定せずに、黒色バ
ックグランドを生成する。
ピクセルの組み合わせをアドレス指定することによって
生成され、一般に次の通りである： （１）１つのサブピクセルをアドレス指定して、赤色光
を発光する； （２）１つのサブピクセルをアドレス指定して、緑色光
を発光する； （３）１つのサブピクセルをアドレス指定して、青色光
を発光する； （４）赤および緑を発光する２つのサブピクセルを同時
にアドレス指定して、黄色の知覚を生成する； （５）赤および青を発光する２つのサブピクセルを同時
にアドレス指定して、紫色の知覚を生成する （６）青および緑を発光する２つのサブピクセルを同時
にアドレス指定して、青緑色の知覚を生成する （７）すべてのサブピクセルを同時にアドレス指定し
て、白色光を生成する；および （８）どのサブピクセルもアドレス指定せずに、黒色バ
ックグランドを生成する。
【００３６】本発明において開示されるフルカラーが可
能な有機ＬＥＤアレイの製造方法は、モノクロまたはマ
ルチカラー（フルカラー以外）の画像用のアレイの製造
にも適用できることに留意されたい。ピクセルにおいて
モノクロまたはマルチカラー・エレクロトロルミネセン
ス媒体のいずれかを選択することにより、モノクロまた
はマルチカラー画像表示用途用のアレイを開示した同じ
方法によって製造できる。
能な有機ＬＥＤアレイの製造方法は、モノクロまたはマ
ルチカラー（フルカラー以外）の画像用のアレイの製造
にも適用できることに留意されたい。ピクセルにおいて
モノクロまたはマルチカラー・エレクロトロルミネセン
ス媒体のいずれかを選択することにより、モノクロまた
はマルチカラー画像表示用途用のアレイを開示した同じ
方法によって製造できる。
【００３７】以上、画像ディスプレイ用フルカラー有機
ＬＥＤアレイおよびその製造方法について説明した。本
発明の特定の実施例について図説してきたが、更なる修
正および改善は当業者に想起される。従って、本発明は
図示の特定の形式に限定されず、特許請求の範囲は本発
明の精神および範囲から逸脱しない一切の修正を網羅す
るものと理解されたい。
ＬＥＤアレイおよびその製造方法について説明した。本
発明の特定の実施例について図説してきたが、更なる修
正および改善は当業者に想起される。従って、本発明は
図示の特定の形式に限定されず、特許請求の範囲は本発
明の精神および範囲から逸脱しない一切の修正を網羅す
るものと理解されたい。
【図１】寸法差を示すため同一基板上に意図的に図示さ
れた異なるキャビティ構造の平面図である。
れた異なるキャビティ構造の平面図である。
【図２】本発明を具現する有機ＬＥＤアレイの３つのサ
ブピクセルを有するピクセルの製造の連続的な段階にお
ける断面図である。
ブピクセルを有するピクセルの製造の連続的な段階にお
ける断面図である。
【図３】本発明を具現する有機ＬＥＤアレイの３つのサ
ブピクセルを有するピクセルの製造の連続的な段階にお
ける断面図である。
ブピクセルを有するピクセルの製造の連続的な段階にお
ける断面図である。
【図４】本発明を具現する有機ＬＥＤアレイの３つのサ
ブピクセルを有するピクセルの製造の連続的な段階にお
ける断面図である。
ブピクセルを有するピクセルの製造の連続的な段階にお
ける断面図である。
【図５】本発明を具現する有機ＬＥＤアレイの３つのサ
ブピクセルを有するピクセルの製造の連続的な段階にお
ける断面図である。
ブピクセルを有するピクセルの製造の連続的な段階にお
ける断面図である。
【図６】見やすいように一部を切り欠いた、有機ＬＥＤ
アレイの上面図である。
アレイの上面図である。
１０ トレンチ ２０ ウェル １００ 基板 １０１ 光透過導電ストリップ １０３ 誘電層 １０５ フォトレジストの層 １０６ 雰囲気安定金属の厚層 １０７ フォトレジストの層 １０８ 雰囲気安定金属の厚層 １０９ フォトレジストの層 １１０ 雰囲気安定金属の厚層 １１２ キャビティ構造 １１３ 第２キャビティ構造 １１４ 第３キャビティ構造 １１５ 金属ストリップ １２１，１２２，１２３ 領域 ２０２，２０３，２０４ エレクトロルミネセンス媒体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０５Ｂ 33/10 (72)発明者 フランキー・ソ アメリカ合衆国アリゾナ州テンピ、ウエス ト・コール・デ・カバロス195
Claims (3)
- 【請求項１】 フルカラー有機発光ダイオード・アレイ
であって：平坦な表面を有する、絶縁性の光透過基板
（１００）；前記基板（１００）の表面上に行単位に配
列された複数の横方向に離間された光透過導電ストリッ
プ（１０１）であって、前記基板（１００）の前記表面
の部分がその間で露出された、複数の光透過導電ストリ
ップ（１０１）；前記導電ストリップ（１０１）および
前記基板（１００）の前記表面の前記部分上に被着され
た誘電媒体（１０３）の層；前記誘電媒体（１０３）に
よって画定される複数のキャビティ構造（１０，２０）
であって、各キャビティ構造（１０，２０）はサブピク
セルを定め、複数のキャビティ構造（１０，２０）は、
前記複数の導電ストリップ（１０１）に対して上になる
関係で行単位に配置され、個別のキャビティ構造（１
０，２０）は、前記導電ストリップ（１０１）の一部を
露出するように関連する導電ストリップ（１０１）に対
して上になる関係で配置される、複数のキャビティ構造
（１０，２０）；３つのエレクトロルミネセンス媒体
（２０２，２０３，２０４）であって、それぞれが、前
記露出された関連する導電ストリップ（１０１）上で前
記キャビティ（１０，２０）内に横方向に、交互に被着
された少なくとも活性エミッタ材料の層と低仕事関数金
属の層とを含み、各個別の行におけるすべてのキャビテ
ィ構造（１０，２０）が３つのエレクトロルミネセンス
媒体（２０２，２０３，２０４）のうち一種類のみを含
む、３つのエレクトロルミネセンス媒体（２０２，２０
３，２０４）；および前記キャビティ構造（１０，２
０）の上に密封配置され、接続されて、前記導電ストリ
ップ（１０１）に直交する列単位に配置される複数の横
方向に離間された平行な金属ストリップ（１１５）を形
成する、雰囲気安定金属（１０６，１０８，１１０）；
によって構成されることを特徴とするフルカラー有機発
光ダイオード・アレイ。 - 【請求項２】 カラー有機発光ダイオード・アレイを製
造する方法であって：平坦な表面を有する比較的平坦な
光透過絶縁基板（１００）を設ける段階；前記基板（１
００）の上面に光透過導電材料（１０１）の層を被着さ
せる段階；前記光透過導電材料の層をパターニングし
て、複数の横方向に離間された導電ストリップ（１０
１）を、その間で基板（１００）の部分を露出して、形
成する段階；前記導電ストリップおよび前記基板の前記
部分の上に誘電媒体（１０３）の層を被着させる段階；
前記誘電媒体（１０３）の上にフォトレジストの層をス
ピン・コーティングする段階；ウェル構造マスクを介し
て前記フォトレジストの層をパターニングして、前記誘
電媒体（１０３）の部分を露出する段階；前記誘電媒体
（１０３）の前記露出部分をエッチングして、前記導電
ストリップ（１０１）に対して上になる関係で、横方向
に離間されたキャビティ構造（１０，２０）を画定する
段階であって、各キャビティ構造（１０，２０）が関連
する導電ストリップ（１０１）の一部を露出する、段
階；少なくとも選択された色相を発光するために選択さ
れた活性エミッタ材料の層と、低仕事関数金属の層とを
含むエレクトロルミネセンス媒体（２０２，２０３，２
０４）を前記キャビティ構造（１０，２０）内に被着さ
せる段階；各前記キャビティ（１０，２０）内に雰囲気
安定金属（１０６，１０８，１１０）の層を被着させ
て、前記キャビティ構造（１０，２０）を密封し、かつ
前記キャビティ構造（１０，２０）において低仕事関数
金属との電気コンタクトを形成する段階；前記フォトレ
ジストの層をリフトオフし、選択された色相を発光する
ように構成されたピクセルのセットを完成する段階；お
よび前記ピクセルに対して上になる関係で金属ストリッ
プ（１１５）を配置する段階であって、前記金属ストリ
ップ（１１５）は、ピクセルにおける各キャビティ構造
（１０，２０）内の雰囲気安定金属（１０６，１０８，
１１０）を行に接続し、前記行が前記金属ストリップ
（１０１）に直交する方向に延在する、段階；によって
構成されることを特徴とする方法。 - 【請求項３】 マルチカラー有機発光ダイオード・アレ
イを製造する方法であって：平坦な表面を有する比較的
平坦な光透過絶縁基板を設ける段階；前記基板の上面に
光透過導電材料の層を被着させる段階；前記光透過導電
材料の層をパターニングして、複数の横方向に離間され
た導電ストリップを、その間で前記基板の部分を露出し
て、形成する段階；前記導電ストリップおよび前記基板
の前記部分の上に誘電媒体の層を被着させる段階；前記
誘電媒体の上にフォトレジストの第１層をスピン・コー
ティングする段階；第１ウェル構造マスクを介して前記
フォトレジストの第１層をパターニングして、前記誘電
媒体の第１部分を露出する段階；前記誘電媒体の前記露
出第１部分をエッチングして、前記導電ストリップに対
して上になる関係で、横方向に離間されたキャビティ構
造の第１グループを画定する段階であって、各キャビテ
ィ構造が関連する導電ストリップの一部を露出する、段
階；少なくとも第１色相を発光するために選択された活
性エミッタ材料の層と、低仕事関数金属の層とを含むエ
レクトロルミネセンス媒体を前記第１グループのキャビ
ティ構造内に被着させる段階；各前記第１グループのキ
ャビティ構造内に雰囲気安定金属の層を被着させて、前
記第１グループのキャビティ構造を密封し、かつ前記第
１グループのキャビティ構造において低仕事関数金属と
の電気コンタクトを形成する段階；前記フォトレジスト
の第１層をリフトオフし、第１色相を発光するように構
成されたサブピクセルの第１セットを完成する段階；前
記誘電媒体の上にフォトレジストの第２層をスピン・コ
ーティングする段階；第２ウェル構造マスクを介して前
記フォトレジストの第２層をパターニングして、前記誘
電媒体の第２部分を露出する段階；前記誘電媒体の前記
露出第２部分をエッチングして、前記導電ストリップに
対して上になる関係で、横方向に離間されたキャビティ
構造の第２グループを画定する段階であって、各キャビ
ティ構造が関連する導電ストリップの一部を露出する、
段階；少なくとも第２色相を発光するために選択された
活性エミッタ材料の層と、低仕事関数金属の層とを含む
エレクトロルミネセンス媒体を前記第２グループのキャ
ビティ構造内に被着させる段階；各前記第２グループの
キャビティ構造内に雰囲気安定金属の層を被着させて、
前記第２グループのキャビティ構造を密封し、かつ前記
第２グループのキャビティ構造において低仕事関数金属
との電気コンタクトを形成する段階；前記フォトレジス
トの第２層をリフトオフし、第２色相を発光するように
構成されたサブピクセルの第２セットを完成する段階；
前記第１および第２セットのサブピクセルに対して上に
なる関係で金属ストリップ（１１５）を配置する段階で
あって、前記金属ストリップは、前記第１セットのサブ
ピクセルにおける各キャビティ構造内の雰囲気安定金属
を第１セットの行に接続し、前記第２セットのサブピク
セルにおける各キャビティ構造内の雰囲気安定金属を第
２セットの行に接続し、前記第１セットおよび第２セッ
トの行が前記金属ストリップ（１０１）に直交する方向
に延在する、段階によって構成されることを特徴とする
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/409,129 US5693962A (en) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | Full color organic light emitting diode array |
| US409129 | 1995-03-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264828A true JPH08264828A (ja) | 1996-10-11 |
| JP4283900B2 JP4283900B2 (ja) | 2009-06-24 |
Family
ID=23619170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8899696A Expired - Lifetime JP4283900B2 (ja) | 1995-03-22 | 1996-03-19 | フルカラー有機発光ダイオード・アレイおよびその製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5693962A (ja) |
| EP (1) | EP0734078B1 (ja) |
| JP (1) | JP4283900B2 (ja) |
| KR (1) | KR100389975B1 (ja) |
| CN (1) | CN1093987C (ja) |
| DE (1) | DE69631352T2 (ja) |
| TW (1) | TW301802B (ja) |
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