KR20130058732A - 전계발광 소자, 전계발광 소자의 제조 방법, 표시 장치 및 조명 장치 - Google Patents

전계발광 소자, 전계발광 소자의 제조 방법, 표시 장치 및 조명 장치 Download PDF

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KR20130058732A
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간지로 사코
마사루 다지마
가츠마사 히로세
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쇼와 덴코 가부시키가이샤
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Abstract

양극층(12)과, 양극층(12)에 대향하여 배치되는 음극층(14)과, 양극층(12)과 음극층(14)에 끼워진 공간에 형성되는 충전재(13)와, 충전재(13)가 형성되는 개소 이외의 개소에 있어서 형성되는 발광층(17)을 구비하고, 충전재(13)는 이하의 (1)~(2)를 95% 이상의 비율로 만족하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전계발광 소자(10)이다. 이에 의해 발광 얼룩짐이나 단락 등이 생기기 어렵고, 높은 내구성을 가지는 전계발광 소자 등을 제공한다.
(1) 양극층(12)의 표면 상의 임의의 위치를 중심으로 하는 직경 10㎛의 원형 영역 내에 충전재(13)의 적어도 일부가 포함된다.
(2) 양극층(12)의 표면 상의 임의의 위치를 중심으로 하는 직경 20㎛의 원형 영역 내에 발광층(17)의 적어도 일부가 포함된다.

Description

전계발광 소자, 전계발광 소자의 제조 방법, 표시 장치 및 조명 장치{ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MANUFACTURING METHOD, DISPLAY DEVICE, AND ILLUMINATION DEVICE}
본 발명은, 예를 들면 표시 장치나 조명 장치에 이용되는 전계발광(EL : Electro-Luminescence) 소자 등에 관한 것이다.
근년, 전계발광 현상을 이용한 디바이스가 중요도를 더하고 있다. 이러한 디바이스로서 발광 재료를 층 형상으로 형성하고, 이 발광층에 양극과 음극으로 이루어지는 한 쌍의 전극을 설치하여 전압을 인가함으로써 발광을 행하게 하는 전계발광(EL : Electro-Luminescence) 소자가 주목을 끌고 있다. 이러한 전계발광 소자는 양극과 음극의 사이에 전압을 인가함으로써, 양극과 음극으로부터 각각 정공과 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공이 발광층에서 결합함으로써 생기는 에너지를 이용하여 발광을 행한다. 즉, 전계발광 소자는 이 결합에 의한 에너지로 발광층의 발광 재료가 여기되고, 여기 상태로부터 다시 기저 상태로 되돌아올 때에 광을 발생하는 현상을 이용한 디바이스이다.
이 전계발광 소자를 표시 장치로서 사용한 경우, 발광 재료가 자기 발광이기 때문에, 표시 장치로서의 응답 속도가 빠르고, 시야각이 넓다고 하는 특징을 가진다. 또한, 전계발광 소자의 구조상, 표시 장치의 박형화가 용이하게 된다고 하는 이점도 있다. 또, 발광 재료로서 예를 들면 유기물질을 이용한 유기 전계발광 소자의 경우는, 유기물질의 선택에 의해 색순도가 높은 광을 발생시키기 쉽고, 그 때문에 색재현 영역을 넓게 취하는 것이 가능하다고 하는 특징이 있다.
또한, 전계발광 소자는 백색에서의 발광도 가능하고, 면발광이기 때문에 이 전계발광 소자를 조명 장치에 조립해 넣어 이용하는 용도도 제안되어 있다.
특허 문헌 1에는, 양극, 유기 발광층을 포함하여 적어도 1층으로 이루어지는 유기층, 및 음극을 구비한 유기 전계발광 소자에 있어서, 양극의 적어도 유기층과 접합하는 면은, 일본공업규격(JIS)에서 정해진 표면 거칠기의 정의와 표시(JIS B 0601-2001)에 있어서 정의되는 표면 거칠기의 최대 높이(Rmax)가 50옹스트롬(angstrom) 이하로 형성되는 것이 개시되어 있다.
또, 특허 문헌 2에는, 투명한 유리 지지체 상에 차례로 적층된 적어도 하나 이상의 양극과, 유기 화합물층으로 이루어지는 정공 수송층과 발광층 등과,음극을 가지는 유기 박막 전계발광 소자로서, 양극의 표면 거칠기의 최대치 Rmax가 50㎚ 미만 또는 양극의 표면 거칠기의 평균치 Ra가 5㎚ 미만이거나 양극의 표면의 물에 대한 접촉각이 20도 미만인 구성을 가지고 있는 것이 개시되어 있다.
일본국 특허공개 1997-245965호 공보 일본국 특허공개 1997-7770호 공보
여기서 일반적으로 전계발광 소자의 전극층에 요철이 존재하면 미시적으로 본 경우에 전극층과 발광층의 접촉 면적은 증가한다. 이 때문에 발광 효율이 향상되기 쉬워진다. 그런데, 전극층의 요철에 기인하여 전류의 집중이나 단락을 일으키는 개소가 생기고, 이에 의해 전계발광 소자의 내구성이 저하하는 경우가 있었다. 이를 억제하기 위해 표면 평활도성이 높은 기판을 이용하는 방법은, 통상, 전극층 표면 혹은 유리 기판 표면을 연마하는 연마 공정이 별도로 필요하게 된다. 그리고, 연마에 즈음하여 사용하는 연마제가 전극층 표면에 잔류하기 쉽기 때문에, 고알칼리 세제 등에 의한 가혹한 조건에 의한 정밀 세정 공정이 더 필요하다. 이 때문에 이러한 공정의 추가에 의해 전계발광 소자의 제조비용이 증대함과 아울러, 정밀 세정 공정에 의해 전극층이 열화하는 경우가 있었다.
상기 과제를 해결하기 위해 본 발명은 이하의 수단을 구비한다.
본 발명의 전계발광 소자는 제1 전극층과, 제1 전극층에 대향하여 배치되는 제2 전극층과, 제1 전극층과 제2 전극층에 끼워진 공간에 형성되는 충전재와, 충전재가 형성되는 개소 이외의 개소에 있어서 형성되는 발광층을 구비하고, 충전재는, 이하의 (1)~(2)를 95% 이상의 비율로 만족하도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
(1) 제1 전극층의 표면 상의 임의의 위치를 중심으로 하는 직경 10㎛의 원형 영역 내에 충전재의 적어도 일부가 포함된다.
(2) 제1 전극층의 표면 상의 임의의 위치를 중심으로 하는 직경 20㎛의 원형 영역 내에 발광층의 적어도 일부가 포함된다.
여기서, 제1 전극층은, 충전재가 형성되는 측의 면의 표면 거칠기(Rmax)가 기준 길이 L을 50㎛로 했을 때에 10㎚ 이상인 것이 바람직하다.
또, 충전재는, 높이가 50㎚~300㎚인 것이 바람직하고, 대략 원기둥 형상을 이루는 것이 더 바람직하다.
또한, 발광층은, 인광 발광하는 유기 재료를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 전계발광 소자의 제조 방법은, 지지체 상에 제1 전극층을 형성하고, 제1 전극층 상에 이하의 (1)~(2)를 95% 이상의 비율로 만족하도록 충전재를 형성하고, 충전재가 형성되는 개소 이외의 개소에 발광층을 도포법으로 형성하고, 충전재 및 발광층 상에 제2 전극층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
(1) 제1 전극층의 표면 상의 임의의 위치를 중심으로 하는 직경 10㎛의 원형 영역 내에 충전재의 적어도 일부가 포함된다.
(2) 제1 전극층의 표면 상의 임의의 위치를 중심으로 하는 직경 20㎛의 원형 영역 내에 발광층의 적어도 일부가 포함된다.
여기서, 도포법은, 스핀 코팅법, 잉크젯법, 인쇄법, 슬릿 코팅법의 어느 하나인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 표시 장치는, 상기의 전계발광 소자를 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 조명 장치는, 상기의 전계발광 소자를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 발광 얼룩짐이나 단락 등이 생기기 어렵고, 높은 내구성을 가지는 전계발광 소자 등을 제공할 수 있다.
도 1(a)는 본 실시의 형태가 적용되는 전계발광 소자의 일례를 설명한 부분 단면도이고, 도 1(b)는 도 1(a)의 일부를 확대한 도이다.
도 2(a)~도 2(b)는 도 1의 II방향으로부터 전계발광 소자를 본 도이고 충전재의 분포의 여러 가지의 형태에 대해 설명한 도이다.
도 3(a)~도 3(f)는 본 실시의 형태가 적용되는 전계발광 소자의 제조 방법에 대해 설명한 도이다.
도 4는 본 실시의 형태에 있어서의 전계발광 소자를 이용한 표시 장치의 일례를 설명한 도이다.
도 5는 본 실시의 형태에 있어서의 전계발광 소자를 구비하는 조명 장치의 일례를 설명한 도이다.
도 6은 표면 거칠기(Rmax)와 단락 등의 관계를 나타낸 도이다.
도 7(a)는 충전재를 설치하지 않은 경우의 전계발광 소자에 대해 설명한 부분 단면도이고, 또 도 7(b)는 도 7(a)의 일부를 확대한 도이다.
(전계발광 소자)
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시의 형태에 대해 상세하게 설명한다.
도 1(a)는 본 실시의 형태가 적용되는 전계발광 소자의 일례를 설명한 부분 단면도이고, 또 도 1(b)는 도 1(a)의 일부를 확대한 도이다.
도 1(a)에 나타낸 전계발광 소자(10)는 지지체(11)와, 지지체(11)측을 하측으로 한 경우에 지지체(11) 상에 형성되고 정공을 주입하기 위한 제1 전극층으로서의 양극층(12)과, 양극층(12)에 대향하여 배치되고 전자를 주입하기 위한 제2 전극층으로서의 음극층(14)과, 양극층(12)과 음극층(14)에 끼워진 공간에 형성되고, 전압을 인가함으로써 발광하는 발광 재료를 포함하는 발광층(17)이 적층된 구조를 취한다. 또, 발광층(17)에는 미리 정해진 분포로 배치되는 절연성의 충전재(13)가 발광층(17)을 관통하는 형태로 형성되어 있다. 즉, 발광층(17)은 양극층(12)과 음극층(14)의 사이의 충전재(13)가 형성되는 개소 이외의 개소에 형성되어 있다.
지지체(11)는 양극층(12), 충전재(13), 음극층(14), 발광층(17)을 형성하는 기판이 되는 것이다. 지지체(11)에는 전계발광 소자(10)에 요구되는 기계적 강도를 만족하는 재료가 이용된다.
지지체(11)의 재료로서는 전계발광 소자(10)의 지지체(11)측으로부터 광을 취출하고 싶은 경우는, 발광하는 광의 파장에 대해서 투명한 재료를 이용한다. 구체적으로는, 사파이어 유리, 라임소다 유리, 석영 유리 등의 유리류; 아크릴 수지, 메타크릴 수지, 폴리카보네이트(polycarbonate) 수지, 폴리에스테르 수지, 나일론 수지 등의 투명 수지; 실리콘 수지; 질화알루미늄, 알루미나 등의 투명 금속산화물 등을 들 수 있다. 또한, 지지체(11)로서 상기 투명 수지로 이루어지는 수지 필름 등을 사용하는 경우는, 물, 산소 등의 가스에 대한 가스 투과성이 낮은 것이 바람직하다. 가스 투과성이 높은 수지 필름 등을 사용하는 경우는, 광의 투과성을 해치지 않는 범위에서 가스의 투과를 억제하는 차폐성 박막을 형성하는 것이 바람직하다.
전계발광 소자(10)의 지지체(11)측으로부터 광을 취출할 필요가 없는 경우는, 지지체(11)의 재료로서는 투명한 재료에 한정되지 않고, 불투명한 재료도 사용할 수 있다. 구체적으로는, 상기 재료에 더하여 [i] 실리콘(Si), 동(Cu), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 탄탈룸(Ta), 혹은 니오븀(Nb)의 단체, 또는 이들의 합금, [ii] 스테인리스강, [iii] SiO2나 Al2O3 등의 산화물, 및 [iv] n-Si 등의 반도체 등으로부터 선택되는 재료도 사용할 수가 있다.
지지체(11)의 두께는 요구되는 기계적 강도에도 의하지만, 바람직하게는 0.1㎜~10㎜, 보다 바람직하게는 0.25㎜~2㎜이다.
양극층(12)은 음극층(14)과의 사이에서 전압을 인가하고, 양극층(12)으로부터 발광층(17)에 정공을 주입한다. 양극층(12)에 사용되는 재료로서는 전기 전도성을 가지는 것인 것이 필요하다. 구체적으로는 일함수(work function)가 낮은 것이고, 일함수는 -4.5eV 이하인 것이 바람직하다. 또한, 알칼리성 수용액에 대해 전기 저항이 현저하게 변화하지 않는 것이 바람직하다.
이러한 조건을 만족하는 재료로서 금속, 합금, 또는, 금속산화물을 사용할 수 있다. 여기서, 금속산화물로서는, 예를 들면 ITO(산화인듐주석), IZO(인듐-아연산화물)를 들 수 있다. 또, 금속으로서는 동(Cu), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 탄탈룸(Ta), 니오븀(Nb) 등을 들 수 있다. 그리고, 이들 금속을 포함하는 스테인리스강 등의 합금도 사용할 수 있다. 양극층(12)의 두께는, 예를 들면 2㎚~2㎛로 형성할 수가 있다. 또한, 일함수는 예를 들면, 자외선 광전자 분광 분석법에 의해 측정할 수가 있다.
또 양극층(12)의 음극층(14)측의 표면(이후, 특히 언급이 없는 한 단지 「양극층(12)의 표면」이라고 함)에는, 미시적으로 어느 정도의 범위를 본 경우, 요철이 존재하고, 또한 그 범위 내에서 가장 볼록한 부분인 돌기부가 존재한다. 자세하게는 후술하지만 본 실시의 형태에 있어서, 설명의 형편상, 도 1(b)에 있어서 이 요철을 강조하여 도시하였다.
충전재(13)는 양극층(12)과 음극층(14)의 사이에 설치되어 미리 정해진 분포로 배치된다. 이 때문에 충전재(13)가 형성된 개소에 있어서 양극층(12)과 음극층(14)은 소정의 간격으로 유지된다.
도 7(a)는 충전재(13)를 설치하지 않은 경우의 전계발광 소자에 대해 설명한 부분 단면도이고, 또 도 7(b)는 도 7(a)의 일부를 확대한 도이다.
도 7(a)~도 7(b)에 나타낸 전계발광 소자(50)는 도 1(a)~도 1(b)에 나타낸 전계발광 소자(10)와 비교하여 충전재(13)를 설치하지 않은 것이 다르다. 즉, 지지체(11)와, 지지체(11) 상에 형성되는 양극층(12), 발광층(17), 음극층(14)의 3개의 층으로 이루어진다. 또한, 설명의 편의상, 도 7(b)에 있어서 양극층(12)의 요철을 강조하여 도시하고 있다.
전계발광 소자(50)에 있어서 양극층(12)과 음극층(14)의 사이에 전압을 인가하면, 양극층(12)으로부터 정공이 주입되고, 음극층(14)으로부터 전자가 주입된다. 그리고, 전계발광 소자(50)는 정공과 전자가 발광층(17)에 있어서 재결합함으로써 발광을 행한다. 여기서, 양극층(12)의 돌기부는, 예를 들면 기준 길이 L을 50㎛로 했을 때의 표면 거칠기(Rmax)로 나타낼 수가 있고, 10㎚ 이상 200㎚ 이하이다. 이 정도의 크기의 돌기부가 양극층(12)의 표면에 존재하면, 이 부분에 있어서 음극층(14)으로 전류가 보다 흐르기 쉬워진다. 즉, 양극층(12)과 음극층(14)의 사이의 거리가 돌기부에 있어서 보다 접근하기 때문에 발광층(17)에 의한 저항이 작아진다. 이 때문에 보다 큰 전류가 이 개소에 있어서 흐르게 된다. 도 7(b)에서는 이러한 개소를 영역 B로서 예시하고 있다. 그리고, 이 개소에서는 다른 영역에서 발광층(17)을 구성하는 발광 재료가 열화하기 쉬워진다. 이 때문에 전계발광 소자(50)의 수명이 짧아지기 쉽다. 즉, 전계발광 소자(50)의 내구성이 낮아지기 쉽다. 또, 더 돌기부가 커져 양극층(12)과 음극층(14)의 거리가 더 접근하면 단락이 발생하는 경우가 있다. 도 7(b)에서는 이러한 개소를 영역 C로서 예시하고 있다. 이 단락이 생기면, 이 개소에서는 발광이 생기지 않는다. 또, 단락에 의해 전류 누설이 발생한다. 그 결과, 전계발광 소자(50)에는 발광을 행하기 위해서 사용되지 않는 전류가 흐르게 되어 발광 효율의 저하가 발생한다. 또한, 이하, 이러한 전류가 커지는 경우나 단락이 발생하는 경우를 합해서 「단락 등」이라고 하는 경우가 있다.
본 실시의 형태의 전계발광 소자(10)를 적용하면, Rmax가 200㎚ 이하에서는 이 단락 등이 현저하게 되지 않는다. 또한, Rmax의 산출은 AFM 혹은 촉침 평활도계로 양극층(12) 표면을 측정함으로써 구할 수가 있다. 또, 충전재(13)를 형성한 후에 있어서는, 지지체(11)를 파단하고, 그 단면을 SEM으로 관찰하고, 이에 의해 양극층(12) 표면의 형상을 얻을 수 있으므로, 이로부터 Rmax를 산출하는 것이 가능하다.
이러한 단락 등이 발생하는 문제를 해결하기 위해 본 실시의 형태에서는 미리 정해진 분포로 배치되는 충전재(13)를 설치하고 있다. 이하, 도 1(a)~(b)로 되돌아와 충전재(13)를 설치하지 않은 경우와 설치한 경우에 양극층(12)과 음극층(14)의 거리의 차이에 대해 더 설명을 한다.
도 1(b)에 있어서 충전재(13)를 설치하지 않은 경우는, 이 도 1(b)에 나타낸 단면 영역에 있어서 양극층(12)의 요철의 돌기부와 오목부의 최대의 거리로서의 표면 거칠기(Rmax)는 h0이다. 그에 대해, 충전재(13)를 설치한 경우, 발광층(17a)이 형성되는 단면 영역에서의 양극층(12)의 표면 거칠기(Rmax)는 h1이다. 또한, 발광층(17b)이 형성되는 단면 영역에서의 양극층(12)의 표면 거칠기(Rmax)는 h3이다. 본 실시의 형태의 경우, h1 및 h3이 h0보다 작다(h1 ＜ h0, h3 ＜ h0). 즉 충전재(13)를 설치함으로써, 발광층(17)(17a, 17b)에 있어서의 양극층(12)의 표면 거칠기(Rmax)는 작아지기 쉽다. 상술한 것 같은 단락 등은 양극층(12)과 음극층(14)의 거리가 접근한 경우에 보다 생기기 쉬워진다. 이 때문에 본 실시의 형태와 같이 충전재(13)를 설치하면 단락 등이 생기기 어려워진다. 이 때문에 전계발광 소자(10)의 발광 효율이 향상되기 쉬워져 내구성이 높아지기 쉽다. 또, 본 실시의 형태의 경우, 양극층(12)을 연마하지 않고 사용할 수도 있기 때문에, 연마재의 양극층(12)의 표면에의 잔류의 문제도 생기기 어렵다.
만약, 돌기부가 작은 양극층(12)을 얻는 데는, 예를 들면 특허 문헌 1에 개시되듯이 그 베이스인 지지체(11)의 표면 및/또는 양극층(12) 표면을 연마할 필요가 있다. 단, 양극층(12)의 표면 전체를 연마하는 것만으로 한결같이 표면 거칠기(Rmax)의 조정을 행하는 것은, 실제로는 곤란하다. 한편, 본 실시의 형태에서는 충전재(13)의 분포의 조정을 행함으로써 표면 거칠기(Rmax)의 조정을 행할 수 있다. 그리고, 자세하게는 후술하지만, 충전재(13)의 분포의 조정은 리소그래피(lithography) 등을 행할 때의 마스크의 패턴의 조정에 의해 용이하게 행할 수가 있다. 이 때문에 본 실시의 형태에서는 양극층(12)의 돌기부를 작게 하는 공정을 필수로 하지 않고 단락 등이 발생하는 개소를 감소시키는 것을 용이하게 할 수 있다.
충전재(13)의 분포를 조정함으로써 양극층(12)의 표면의 미시적으로 본 Rmax를 충분히 작게 할 수가 있다. 이를 위해서는,
(1) 양극층(12)의 표면 상의 임의의 위치를 중심으로 하는 직경 10㎛의 원형 영역 내에 충전재(13)의 적어도 일부가 포함되도록 충전재(13)를 형성한다.
또, 이 원형 영역의 직경은 3㎛인 것이 보다 바람직하고, 1㎛인 것이 더 바람직하다.
또, 충전재(13)는 반드시 발광에 관여하지 않기 때문에, 이것이 양극층(12)의 표면에 차지하는 면적("충전재 면적")이 크면 발광층(17)이 차지하는 면적("발광층 면적")의 비율이 작아진다. 한편, 이 면적이 너무 작으면, 충전재(13)의 충분한 기계적 강도를 얻을 수 없기 때문에 특별한 소자 제작 공정이 필요하다. 구체적으로는, 전체(즉, 발광층(17)이 차지하는 면적 및 충전재(13)가 차지하는 면적의 합계)에 대한 충전재(13)가 차지하는 면적은, 3%~80%가 바람직하고, 6%~70%가 보다 바람직하고, 10%~60%가 가장 바람직하다.
또한, 충전재(13)가 차지하는 면적이 높은 부분이 편재하면, 이 부분에서의 전계발광의 발광 강도가 다른 부분보다 약해지기 때문에, 전계발광의 발광 얼룩짐의 원인으로 되기 쉽다. 따라서, 충전재(13)는,
(2) 양극층(12)의 표면 상의 임의의 위치를 중심으로 하는 직경 20㎛의 원형 영역 내에 발광층(17)의 적어도 일부가 포함되도록 형성한다.
또, 이 원형 영역의 직경은 6㎛인 것이 보다 바람직하고, 2㎛인 것이 더 바람직하다.
충전재(13)는 발광면 전체에 걸쳐 위의 조건을 만족하도록 복수의 충전재(13)가 배치되어 있는 것이 이상이지만, 복수의 충전재(13) 중에서 그 일부에 결손, 파손, 비대한 충전재(13)를 포함하는 경우에 있어서, 이것이 발광면 전체에 대해서 차지하는 비율이 작은 경우이면 문제가 없이 사용할 수 있다. 구체적으로는, 충전재(13)는 상기(1)~(2)를 95% 이상의 비율로 만족하도록 형성된다. 또, 이 비율은, 예를 들면 후술하는 충전재 형상 정상도(正常度)에 의해 평가할 수 있다.
또한, 충전재(13)는 개개로 독립하고 있어도 좋고, 이 구조의 일부가 서로 이웃하는 충전재(13)와 서로 겹쳐져 있어도 좋다.
도 2(a)~도 2(b)는 도 1의 II방향으로부터 전계발광 소자(10)를 본 도이고 충전재(13)의 분포의 여러 가지의 형태에 대해 설명한 도이다. 또한, 설명의 편의상, 도 2(a)~도 2(b)에서는 음극층(14)을 없앤 상태에 대해 도시하고 있다.
여기서 도 2(a)에 나타낸 전계발광 소자(10)는 충전재(13)가 도 1(a)의 II방향으로부터 본 경우에 원형상으로 되는 경우를 나타내고 있다. 즉, 충전재(13)는 이 경우, 대략 원기둥 형상으로 된다. 그리고, 충전재(13)는 규칙성을 가지고 배열되어 있고, 이른바 지그재그 형상의 배열로 되어 있다. 또한, 도 1(b)는 도 2(a)에 있어서의 Ib-Ib 단면도라고 파악할 수가 있다.
또, 도 2(b)에 나타낸 전계발광 소자(10)는 충전재(13)가 도 1(a)의 II방향으로부터 본 경우에 원형상으로 된다고 하는 점에서는 도 2(a)에 나타낸 전계발광 소자(10)와 마찬가지이지만 배열에 규칙성이 없다고 하는 점에서 다르다.
또한, 도 2(a)~도 2(b)에서는 충전재(13)는 도 1(a)의 II방향으로부터 본 경우에 원형상으로 되는 경우에 대해 설명을 하였지만 이에 한정되는 것은 아니고, 형상에 대해서는 특히 제한은 없다. 예를 들면, 도 1(a)의 II방향으로부터 본 경우에, 충전재(13)가 타원형상, 4각형상, 3각형 형상, 부정형상으로 되는 등 여러 가지의 형상을 취할 수가 있다.
또, 발광층(17)은 음극층(14)측의 면이 양극층(12)의 요철에 대응한 경사면인 것이 바람직하다. 본 실시의 형태에서는 이 경사면으로서 1개의 충전재(13)가 양극층(12) 및 발광층(17)과 접촉하는 개소와 인접하는 충전재(13)의 양극층(12) 및 발광층(17)과 접촉하는 개소를 묶은 선과 평행하게 되는 것 같은 형태를 채용하고 있다. 도 1(b)에 있어서 이 선은 발광층(17a)의 영역에 대해서는 점선 T1로 도시하고 있고, 발광층(17b)의 영역에 대해서는 점선 T2로 도시하고 있다.
이와 같이 함으로써, 양극층(12)의 표면 거칠기(Rmax)를 더욱 작게 할 수가 있다. 즉, 도 1(b)에 있어서 점선 T1을 기준으로 한 표면 거칠기(Rmax)는 h2이다. 또, 점선 T2를 기준으로 한 경우의 양극층(12)의 표면 거칠기(Rmax)는 h4로 된다. 그리고, h2는 h1보다 작은 값을 취하고(h2 ＜ h1), 마찬가지로 하여 h4는 h3보다 작은 값을 취한다(h4 ＜ h3). 여기서 발광층(17a, 17b)의 표면은 상술한 바와 같이 점선 T1, T2에 대응하여 경사져 있다. 이 경우, 발광층(17a)의 표면은 점선 T1과 평행이고, 또 발광층(17b)의 표면은 점선 T2와 평행이다. 발광층(17a, 17b) 상에 형성되는 음극층(14)의 하면도 마찬가지로 경사지는 경사면으로 된다. 그 결과, 양극층(12)과 음극층(14)의 거리는 미시적으로 보아 보다 균일화하게 되어 단락 등을 더욱 생기기 어렵게 할 수가 있다.
충전재(13)의 높이로서는 전계발광 소자(10) 전체의 두께를 억제하기 위해서 1㎛를 넘지 않는 것이 바람직하다. 또, 양극층(12)과 음극층(14)의 간격이 좁은 쪽이 발광을 위해서 필요한 전압이 낮아서 족하므로, 이 전압에 대해 절연 내력이 충분히 얻어지는 한, 충전재(13)는 낮은 쪽이 보다 바람직하다. 여기서 상기 절연 내력을 가진다고 간주할 수 있는 지표로서는 충전재(13)를 경유하여 양극층(12)과 음극층(14)의 사이에 흐르는 전류의 전류 밀도가 0.1㎃/㎝2 이하인 것이 바람직하고, 0.01㎃/㎝2 이하인 것이 보다 바람직하다. 이 전류 밀도는, 예를 들면 대상으로 되는 전계발광 소자와 동일한 조건으로 제작된 충전재 면적 100%의 소자에 흐르는 전류로부터 추정할 수 있다. 또, 전계발광 소자(10)는 그 구동 전압보다 2V 이상 높은 전압에 견디는 것이 바람직하다. 예를 들면, 구동 전압이 5V인 경우는, 양극층(12)과 음극층(14)의 사이에 약 7V의 전압을 인가한 경우에 상기의 전류 밀도를 만족하는 것이 필요하다. 이를 만족하는 충전재(13)의 높이로서는, 바람직하게는 50㎚~300㎚, 더 바람직하게는 50㎚~200㎚로 제작하는 것이 좋다.
충전재(13)를 형성하는 재료로서는 양극층(12)과 음극층(14)의 사이에 존재하기 때문에 발광층(17)과 동일한 정도이든지, 그것보다 높은 전기 저항을 가지는 것이면 좋다. 전기 저항이 발광층(17)보다 낮은 경우, 주된 전류가 충전재(13)를 통해서 흐르기 때문에, 발광층(17)에는 전계발광의 발광을 행하기 위해서 흐르는 전류가 그만큼 적게 된다. 이 때문에 고저항율 재료인 것이 바람직하고, 절연 재료인 것이 보다 바람직하다. 전기 저항율로서는 108Ω㎝ 이상, 보다 바람직하게는 1012Ω㎝ 이상인 것이 바람직하다. 구체적인 재료로서는 질화규소, 질화붕소, 질화알루미늄 등의 금속질화물; 산화규소(이산화규소), 산화알루미늄 등의 금속산화물, 불화나트륨, 불화리튬, 불화마그네슘, 불화칼슘, 불화바륨 등의 금속불화물을 들 수 있지만, 그 밖에 폴리이미드, 폴리불화비닐리덴, 파릴렌 등의 고분자 화합물, 폴리페닐실세스퀴옥산(Poly(phenylsilsesquioxane)) 등의 도포형 실리콘도 사용이 가능하다.
음극층(14)은 양극층(12)과의 사이에서 전압을 인가하고, 발광층(17)에 전자를 주입한다. 음극층(14)에 사용되는 재료로서는 양극층(12)과 마찬가지로 전기 전도성을 가지는 것이면, 특히 한정되는 것은 아니지만, 일함수가 낮고, 또한 화학적으로 안정된 것이 바람직하다. 일함수는 화확적 안정성을 고려하면 -2.9eV 이하인 것이 바람직하다. 구체적으로는, Al, MgAg 합금, AlLi나 AlCa 등의 Al과 알칼리 금속의 합금 등의 재료를 예시할 수가 있다. 음극층(14)의 두께는 10㎚~1㎛가 바람직하고, 50㎚~500㎚가 보다 바람직하다. 본 실시의 형태의 전계발광 소자(10)의 경우는, 지지체(11)측으로부터 발광층(17)으로부터 발한 광을 취출한다. 이 때문에 음극층(14)은 불투명 재료에 의해 형성되어 있어도 좋다. 또한, 본 실시의 형태와 같이 음극층(14)이 베타막으로서 발광층(17)을 덮고 있는 형태에 있어서, 지지체(11)측으로부터만이 아니라 음극층(14)측으로부터도 광을 취출하고 싶은 경우는, 음극층(14)은 ITO 등의 투명 재료에 의해 형성할 필요가 있다.
또, 음극층(14)으로부터 발광층(17)으로의 전자의 주입 장벽을 내려 전자의 주입 효율을 올릴 목적으로 도시하지 않는 음극 버퍼층을 음극층(14)에 인접하여 설치해도 좋다. 음극 버퍼층은 음극층(14)보다 일함수가 낮은 것이 필요하고, 금속 재료가 매우 적합하게 이용된다. 예를 들면, 알칼리 금속(Na, K, Rb, Cs), 알칼리토류 금속(Sr, Ba, Ca, Mg), 희토류 금속(Pr, Sm, Eu, Yb), 혹은 이들 금속의 불화물, 염화물, 산화물로부터 선택되는 단체 혹은 2개 이상의 혼합물을 사용할 수가 있다. 음극 버퍼층의 두께는 0.05㎚~50㎚가 바람직하고, 0.1㎚~20㎚가 보다 바람직하고, 0.5㎚~10㎚가 더 바람직하다.
또, 음극층(14)으로부터 발광층(17)으로의 전자의 주입 장벽을 내려 전자의 주입 효율을 올릴 목적으로 음극 버퍼층과 발광층(17)과의 사이에 유기물로 이루어지는 재료를 포함하는 유기 반도체층으로서의 전자 수송층(도시하지 않음)을 더 설치할 수도 있다.
전자 수송층에 이용할 수가 있는 재료로서는 퀴놀린 유도체, 옥사디아졸 유도체, 페릴렌 유도체, 피리딘 유도체, 피리미딘 유도체, 퀴녹실린 유도체, 디페닐퀴논 유도체, 니트로 치환 플루오렌 유도체 등을 들 수 있다.
또한, 정공보다 전자의 수송성이 높은 물질이면, 상기 이외의 물질을 전자 수송층으로서 이용해도 상관없다. 또, 전자 수송층은 단층의 것뿐만이 아니라, 상기 물질로 이루어지는 층이 2층 이상 적층한 것으로 해도 좋다. 전자 수송층의 막 두께는 너무 얇은 경우는 전자 주입 효율을 높이는 효과가 발현되지 않는다. 또, 너무 두꺼운 경우는 전자 수송층에 인가되는 전압이 높아지기 때문에, 소자 전체로서의 구동 전압이 상승하여 전력 효율의 저하가 되기 때문에 바람직하지 않다. 따라서, 이러한 조건을 만족하는 전자 수송층의 막 두께는 구체적으로는 0.5㎚~50㎚인 것이 바람직하고, 1㎚~10㎚인 것이 보다 바람직하다.
전자 수송층을 형성하는 수법으로서는 일반적으로 이용되는 진공 증착 장치를 이용한 저항 가열 방식에 의해 진공하의 증착 방법을 이용할 수가 있다.
발광층(17)은 전압을 인가하고, 전류를 공급함으로써 광을 발하는 발광 재료를 포함하는 층이다. 발광층(17)에 있어서 양극층(12)으로부터 주입된 정공과 음극층(14)으로부터 주입된 전자가 재결합하여 발광이 생긴다.
발광층(17)의 재료로서는 유기 재료 및 무기 재료의 어느 쪽도 사용할 수가 있다. 이 경우, 유기 재료를 이용한 전계발광 소자(10)는 유기 전계발광 소자로서 파악할 수가 있다.
여기서 유기 재료를 발광 재료로서 이용하는 경우는, 저분자 화합물 및 고분자 화합물의 어느 쪽도 사용할 수가 있다. 예를 들면, 오오모리 히로시 : 응용물리, 제70권, 제12호, 1419-1425페이지(2001년)에 기재되어 있는 발광성 저분자 화합물 및 발광성 고분자 화합물 등을 예시할 수가 있다.
본 실시의 형태에서는 충전재(13)가 존재하기 때문에 발광층(17)은 충전재(13)의 두정부(頭頂部)를 따라 성막되기 쉽다. 이 때문에 성막된 발광층(17)의 표면은 양극층(12)의 요철이 반영된다. 특히, 이 요철이 반영되는 성질을 보다 바람직하게 얻으려면, 도포법에 의해 발광층(17)을 형성하고, 그 도포 재료는 충전재(13)를 형성하는 재료에 대해서도 젖음성이 좋고, 도포성이 뛰어난 재료가 바람직하다.
이러한 재료를 이용함으로써, 본 실시의 형태에 있어서의 전계발광 소자(10)의 구조에서는 발광층(17)이 충전재(13) 사이에 균일하게 또한 막 두께가 균등하게 성막되는 것, 즉 커버리지(coverage)성이 향상함으로써 발광층(17)이 충전재(13) 사이에서 안정되게 발광하고, 출사하는 광의 휘도의 균일성이 높아진다. 또, 충전재(13)의 형성 후에 UV-오존 처리나 산소 플라스마 처리 등을 행하는 것에 의해서도 도포 표면의 젖음성이 높아지는 결과, 커버리지(coverage)성을 향상시킬 수가 있다.
도포법에 있어서 도포성을 향상시킬 목적으로 주로 중량 평균 분자량으로 1,000~2,000,000인 재료가 매우 적합하게 이용된다. 또, 도포성을 향상시키기 위해 레벨링(leveling)제, 탈포제 등의 도포성 향상 첨가제를 첨가하거나 전하 트랩(trap) 능력이 적은 바인더(binder) 수지를 첨가할 수도 있다.
또, 도포법에 대해 사용하는 도포 용액의 점도는 10cps(센티푸아즈) 이하인 것이 바람직하고, 8cps인 것이 보다 바람직하고, 5cps인 것이 더 바람직하다. 이 범위의 점도를 가지는 도포 용액이면, 액유동성이 높기 때문에, 선택적으로 충전재(13) 사이에 흐르기 쉬워져 성막되기 쉽다. 10cps를 넘는 점도를 가지는 도포 용액의 경우는 유동성 저하에 의해 충전재(13) 사이 이외에도 발광 재료가 성막되기 쉬워지므로 주의를 필요로 한다.
구체적으로, 도포성이 뛰어난 재료로서는, 예를 들면 일본국 특허공개 2007-86639호 공보에 거론되어 있는 소정의 구조를 가지는 분자량 1500 이상 6000 이하의 아릴아민 화합물이나, 일본국 특허공개 2000-034476호 공보에 거론되어 있는 소정의 고분자 형광체 등을 들 수 있다.
여기서, 도포성이 뛰어난 재료 중에서도 전계발광 소자(10)의 제조의 프로세스가 간소화된다고 하는 점에서 발광성 고분자 화합물이 바람직하고, 발광 효율이 높은 점에서 인광 발광성 화합물이 바람직하다. 따라서, 특히 인광 발광성 고분자 화합물이 바람직하다. 또한, 복수의 재료끼리를 혼합, 혹은 도포성을 해치지 않는 범위에서 저분자 발광 재료(예를 들면, 분자량 1000 이하)를 첨가하는 일도 가능하다. 이 때의 저분자 발광 재료의 첨가량은 30wt% 이하가 바람직하다.
또, 발광성 고분자 화합물은 공액 발광성 고분자 화합물과 비공액 발광성 고분자 화합물로 분류할 수도 있지만, 그 중에서 비공액 발광성 고분자 화합물이 바람직하다.
상기의 이유로부터 본 실시의 형태에서 이용되는 발광 재료로서는 인광 발광성 비공액 고분자 화합물(인광 발광성 고분자이며, 또한 비공액 발광성 고분자 화합물이기도 한 발광 재료)이 특히 바람직하다.
본 발명의 전계발광 소자(10)에 있어서의 발광층(17)은 바람직하게는 인광을 발광하는 인광 발광성 단위와 캐리어를 수송하는 캐리어 수송성 단위를 하나의 분자 내에 구비한 인광 발광성 고분자(인광 발광하는 유기 재료)를 적어도 포함한다. 인광 발광성 고분자는 중합성 치환기를 가지는 인광 발광성 화합물과 중합성 치환기를 가지는 캐리어 수송성 화합물을 공중합 함으로써 얻어진다. 인광 발광성 화합물은 이리듐(Ir), 백금(Pt) 및 금(Au) 중으로부터 1개 선택되는 금속 원소를 포함하는 금속 착체이며, 그 중에서 이리듐 착체가 바람직하다.
인광 발광성 고분자의 더 구체적인 예와 합성법은, 예를 들면 일본국 특허공개 2003-342325호 공보, 일본국 특허공개 2003-119179호 공보, 일본국 특허공개 2003-113246호 공보, 일본국 특허공개 2003-206320호 공보, 일본국 특허공개 2003-147021호 공보, 일본국 특허공개 2003-171391호 공보, 일본국 특허공개 2004-346312호 공보, 일본국 특허공개 2005-97589호 공보, 일본국 특허공개 2007-305734호 공보에 개시되어 있다.
본 실시의 형태에 있어서의 전계발광 소자(10)의 발광층(17)은 바람직하게는 전술한 인광 발광성 화합물을 포함하지만, 발광층(17)의 캐리어 수송성을 보충할 목적으로 정공 수송성 화합물이나 전자 수송성 화합물이 포함되어 있어도 좋다.
또, 발광층(17)에 사용하는 발광 재료로서 상술한 발광성 고분자 화합물이 아니라 발광성 저분자 화합물을 사용하는 경우에서도 발광층(17)의 형성은 가능하다. 그리고, 발광 재료로서 상술한 발광성 고분자 화합물을 첨가하는 일도 가능하고, 정공 수송성 화합물, 전자 수송성 화합물을 첨가하는 일도 가능하다.
본 실시의 형태에 있어서의 전계발광 소자(10)는 상술한 바와 같이 발광체로서 무기 재료를 이용할 수도 있다. 무기 재료를 이용한 전계발광 소자(10)는 무기 전계발광 소자로서 파악할 수가 있다. 무기 재료로서는, 예를 들면 무기 형광체를 이용할 수가 있다. 이 무기 형광체의 구체적인 예, 및 전계발광 소자의 구성, 제조 방법은, 예를 들면 일본국 특허공개 2008-251531호 공보에 기재된 것을 공지의 기술로서 들 수가 있다.
(전계발광 소자의 제조 방법)
다음에, 본 실시의 형태가 적용되는 전계발광 소자의 제조 방법에 대해 도 1에서 설명을 한 전계발광 소자(10)의 경우를 예로 취하여 설명을 한다.
도 3(a)~도 3(f)는 본 실시의 형태가 적용되는 전계발광 소자(10)의 제조 방법에 대해 설명한 도이다.
우선, 지지체(11) 상에 제1 전극층인 양극층(12), 및 충전재(13)를 차례로 적층하여 형성한다(도 3(a) : 적층 공정). 본 실시의 형태에서는 지지체(11)로서 유리 지지체를 사용하였다. 또, 양극층(12)을 형성하는 재료로서 ITO를 사용하고, 또 충전재(13)를 형성하는 재료로서 이산화규소(SiO2)를 사용하였다.
이러한 층을 지지체(11) 상에 형성하는 데는 저항 가열 증착법, 전자빔 증착법, 스퍼터링법, 이온 도금법, CVD법 등을 이용할 수가 있다. 또, 도포 성막 방법, 즉 목적으로 하는 재료를 용제에 용해시킨 상태로 지지체(11)에 도포하여 건조하는 방법이 가능한 경우는, 스핀 코팅법, 딥 코팅법, 잉크젯법, 인쇄법, 스프레이법, 디스펜서법 등의 방법을 이용하여 성막하는 것도 가능하다.
또한, 지지체(11)에 양극층(12)로서 ITO가 이미 형성되어 있는 이른바 전극 부착 기판을 이용함으로써, 양극층(12)을 형성하는 공정을 생략할 수가 있다.
또한, 양극층(12)의 표면 처리를 행하는 대신에, 혹은 표면 처리에 추가하여 양극 버퍼층을 형성하는 처리(도시하지 않는다)를 함으로써 표면 처리와 같은 효과를 기대해도 좋다. 그리고, 양극 버퍼층을 웨트(wet) 프로세스로 도포하여 제작하는 경우에는, 스핀 코팅법, 캐스팅법, 마이크로 그라비아 코팅법, 그라비아 코팅법, 바 코팅법, 롤 코팅법, 와이어-바 코팅법, 딥 코팅법, 스프레이 코팅법, 스크린 인쇄법, 후렉소 인쇄법, 오프셋(offset) 인쇄법, 잉크젯 프린트법 등의 도포법 등을 이용하여 성막할 수가 있다.
상기 웨트 프로세스에 의한 성막으로 사용할 수 있는 화합물은 양극층(12)과 발광층(17)에 포함되는 발광성 화합물에 양호한 부착성을 가진 화합물이면 특히 제한은 없다. 예를 들면, 폴리(3, 4)-에틸렌디옥시티오펜과 폴리스티렌술폰산염과의 혼합물인 PEDOT, 폴리아닐린과 폴리스티렌술폰산염과의 혼합물인 PANI 등의 도전성 폴리머를 들 수가 있다. 또한, 이들 도전성 폴리머에 톨루엔, 이소프로필 알코올 등의 유기용제를 첨가하여 이용해도 좋다. 또, 계면활성제 등의 제3 성분을 포함하는 도전성 폴리머라도 좋다. 계면활성제로서는, 예를 들면 알킬기, 알킬아릴기, 플루오로알킬기, 알킬실록산기, 황산염, 술폰산염, 카르복실레이트, 아미드, 베타인 구조, 및 제4급화 암모늄기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종의 기를 포함하는 계면활성제가 이용되지만, 불화물 베이스의 비이온성 계면활성제도 사용할 수 있다.
또, 양극 버퍼층을 드라이 프로세스로 제작하는 경우는, 일본국 특허공개 2006-303412호 공보에 예시의 플라스마 처리 등을 이용하여 성막할 수가 있다. 이 외에도 금속 단체 혹은 금속산화물, 금속질화물 등을 성막하는 방법을 들 수 있고, 구체적인 성막 방법으로서는 전자빔 증착법, 스퍼터링법, 화학반응법, 코팅법, 진공 증착법 등을 이용할 수가 있다.
다음에, 도 3(a)의 공정으로 형성한 충전재(13)의 일부를 제거한다. 이를 위해서는 예를 들면 리소그래피를 이용한 방법을 사용할 수 있다. 이를 행하는 데는 우선 충전재(13) 상에 레지스트액을 도포하고, 스핀 코팅 등에 의해 여분의 레지스트액을 제거하여 레지스트층(71)을 형성한다(도 3(b)).
그리고, 소정의 패턴이 묘화된 마스크(도시하지 않음)를 씌워 자외선(UV : Ultra-Violet), 전자선(EB : Electron Beam) 등에 의해 노광을 행하면, 레지스트층(71)에 소정의 패턴이 노광된다. 그리고, 현상액을 이용하여 레지스트층(71)의 노광 부분을 제거하면, 노광된 패턴의 부분의 레지스트층(71)이 제거된다(도 3(c)). 이에 의해 노광된 패턴의 부분에 대응하여 충전재(13)의 표면이 노출된다.
다음에, 잔존하는 레지스트층(71)을 마스크로 하여 노출된 충전재(13)의 부분을 에칭 제거한다(도 3(d)). 에칭 방법으로서는 드라이 에칭(dry etching)과 웨트 에칭(wet etching)의 어느 쪽도 사용할 수가 있다. 또, 이 때에 등방성 에칭과 이방성 에칭을 조합함으로써 제거하는 개소의 형상의 제어를 행할 수가 있다. 드라이 에칭으로서는 반응성 이온 에칭(RIE : Reactive Ion Etching)이나 유도 결합 플라스마 에칭을 이용할 수 있고, 또 웨트 에칭으로서는 묽은 염산이나 묽은 황산에의 침지를 행하는 방법 등을 이용할 수 있다. 이 에칭에 의해 상기 패턴에 대응하여 양극층(12)의 표면이 노출된다. 또한, 도 3(b)~도 3(d)에서 설명한 각 공정은 충전재(13) 사이의 간극을 형성하는 간극부 형성 공정으로서 파악할 수가 있다. 또, 이 때에 마스크의 패턴의 조정에 의해 충전재(13)의 분포의 조정을 행할 수가 있다.
다음에, 잔존하는 레지스트층(71)을 제거하여 발광층(17)을 형성한다(도 3(e) : 발광층 형성 공정). 발광층(17)의 형성에는 전술의 도포법이 이용된다. 구체적으로는, 우선 발광층(17)을 구성하는 발광 재료를 유기 용매나 물 등의 소정의 용매에 분산시킨 발광 재료 용액을 도포한다. 도포를 행하는 데는 스핀 코팅법, 스프레이 코팅법, 딥 코팅법, 잉크젯법, 슬릿 코팅법, 디스펜서법, 인쇄법 등의 여러 가지의 방법을 사용할 수가 있다. 도포를 행한 후는, 가열 혹은 진공흡입을 행함으로써 발광 재료 용액을 건조시킴으로써 발광층(17)이 형성된다. 그리고, 이 때에 도포 조건의 설정에 의해 충전재(13) 사이의 간극부를 메우는 형태로 발광층(17)을 형성할 수가 있다. 또, 아울러 충전재(13)의 상단에 맞추어 발광층(17)을 형성할 수가 있기 때문에 발광층(17)은 이에 의해 충전재(13) 사이에 있어서 경사면을 가지도록 형성하는 것도 가능하다.
그리고, 제2 전극층인 음극층(14)을 발광층(17) 상에 적층하는 형태로 형성한다(도 3(f) : 제2 전극층 형성 공정). 음극층(14)을 형성하는 데는 양극층(12)을 형성하는 방법과 마찬가지의 방법으로 행할 수가 있다.
이상의 공정에 의해 전계발광 소자(10)를 제조할 수가 있다. 또, 이들 일련의 공정 후, 전계발광 소자(10)를 장기간 안정적으로 이용하고 전계발광 소자(10)를 외부로부터 보호하기 위한 보호층이나 보호 커버(도시하지 않음)를 장착하는 것이 바람직하다. 보호층으로서는 고분자 화합물, 금속산화물, 금속불화물, 금속붕화물, 질화규소, 산화규소 등의 실리콘 화합물 등을 이용할 수가 있다. 그리고, 이들의 적층체도 이용할 수가 있다. 또, 보호 커버로서는 유리판, 표면에 저투수율 처리를 한 플라스틱판, 금속 등을 이용할 수가 있다. 이 보호 커버는 열경화성 수지나 광경화성 수지로 지지체(11)와 첩합(貼合) 하여 밀폐하는 방법을 취하는 것이 바람직하다. 또, 이 때에 스페이서(spacer)를 이용함으로써 소정의 공간을 유지할 수가 있고, 전계발광 소자(10)가 손상되는 것을 방지할 수 있기 때문에 바람직하다. 그리고, 이 공간에 질소, 아르곤, 헬륨과 같은 불활성인 가스를 봉입하면, 상측의 음극층(14)의 산화를 방지하기 쉬워진다. 특히, 헬륨을 이용한 경우, 열전도가 높기 때문에, 전압 인가시에 전계발광 소자(10)로부터 발생하는 열을 효과적으로 보호 커버에 전할 수가 있기 때문에 바람직하다. 또한, 산화바륨 등의 건조제를 이 공간 내에 설치함으로써 상기 일련의 제조 공정에서 흡착한 수분이 전계발광 소자(10)에 손상을 주는 것을 억제하기 쉬워진다.
(표시 장치)
다음에, 이상 상술한 전계발광 소자를 구비하는 표시 장치에 대해 설명을 한다.
도 4는 본 실시의 형태에 있어서의 전계발광 소자를 이용한 표시 장치의 일례를 설명한 도이다.
도 4에 나타낸 표시 장치(200)는 이른바 패시브(passive) 매트릭스형의 표시 장치이며, 표시 장치 지지체(202), 양극 배선(204), 양극 보조 배선(206), 음극 배선(208), 절연막(210), 음극 격벽(212), 전계발광 소자(214), 봉지 플레이트(plate)(216), 씰재(seal material)(218)를 구비하고 있다.
표시 장치 지지체(202)로서는, 예를 들면 직사각형상의 유리 지지체 등의 투명 지지체를 이용할 수가 있다. 표시 장치 지지체(202)의 두께는, 특히 한정되지 않지만, 예를 들면 0.1㎜~1㎜의 것을 이용할 수가 있다.
표시 장치 지지체(202) 상에는 복수의 양극 배선(204)이 형성되어 있다. 양극 배선(204)은 일정한 간격을 띄워 평행하게 배치된다. 양극 배선(204)은 투명 도전막에 의해 구성되고, 예를 들면 ITO(Indium Tin Oxide)를 이용할 수가 있다. 또, 양극 배선(204)의 두께는, 예를 들면 100㎚~150㎚로 할 수가 있다. 그리고, 각각의 양극 배선(204)의 단부 상에는 양극 보조 배선(206)이 형성된다. 양극 보조 배선(206)은 양극 배선(204)과 전기적으로 접속되어 있다. 이와 같이 구성함으로써, 양극 보조 배선(206)은 표시 장치 지지체(202)의 단부 측에 있어서 외부 배선과 접속하기 위한 단자로서 기능하고, 외부에 설치된 도시하지 않는 구동 회로로부터 양극 보조 배선(206)을 통해 양극 배선(204)에 전류를 공급할 수가 있다. 양극 보조 배선(206)은, 예를 들면 두께 500㎚~600㎚의 금속막에 의해 구성된다.
또, 전계발광 소자(214) 상에는 복수의 음극 배선(208)이 설치되어 있다. 복수의 음극 배선(208)은 각각이 평행하게 되도록 배설(配設)되어 있고, 또한 양극 배선(204)과 직교하도록 배설되어 있다. 음극 배선(208)에는 Al 또는 Al합금을 사용할 수가 있다. 음극 배선(208)의 두께는, 예를 들면 100㎚~150㎚이다. 또, 음극 배선(208)의 단부에는 양극 배선(204)에 대한 양극 보조 배선(206)과 마찬가지로 도시하지 않는 음극 보조 배선이 설치되고, 음극 배선(208)과 전기적으로 접속되어 있다. 따라서, 음극 배선(208)과 음극 보조 배선의 사이에 전류를 흘릴 수가 있다.
표시 장치 지지체(202) 상에는 양극 배선(204)을 덮도록 절연막(210)이 형성된다. 절연막(210)에는 양극 배선(204)의 일부를 노출하도록 직사각형상의 개구부(220)가 설치되어 있다. 복수의 개구부(220)는 양극 배선(204) 상에 매트릭스 형상으로 배치되어 있다. 이 개구부(220)에 있어서 후술하듯이 양극 배선(204)과 음극 배선(208)의 사이에 전계발광 소자(214)가 설치된다. 즉, 각각의 개구부(220)가 화소로 된다. 따라서, 개구부(220)에 대응하여 표시 영역이 형성된다. 여기서, 절연막(210)의 막 두께는, 예를 들면 200㎚~300㎚로 할 수가 있고, 개구부(220)의 크기는, 예를 들면 300㎛×300㎛로 할 수가 있다.
양극 배선(204) 상의 개구부(220)의 위치에 대응한 개소에 전계발광 소자(214)가 형성되어 있다. 또한, 여기서 전계발광 소자(214)는 양극 배선(204)이 지지체(11)의 대신으로 되기 때문에, 양극 배선(204) 상에 직접, 양극층(12), 충전재(13), 음극층(14), 발광층(17)(도 1 참조)이 형성되어 있다. 전계발광 소자(214)는 개구부(220)에 있어서 양극 배선(204)과 음극 배선(208)에 협지(挾持)되어 있다. 즉, 전계발광 소자(214)의 양극층(12)이 양극 배선(204)과 접촉하고, 음극층(14)이 음극 배선(208)과 접촉한다. 전계발광 소자(214)의 두께는, 예를 들면 150㎚~200㎚로 할 수가 있다.
절연막(210) 상에는 복수의 음극 격벽(212)이 양극 배선(204)과 수직인 방향을 따라 형성되어 있다. 음극 격벽(212)은 음극 배선(208)의 배선끼리가 도통하지 않게 복수의 음극 배선(208)을 공간적으로 분리하기 위한 역할을 담당하고 있다. 따라서, 인접하는 음극 격벽(212)의 사이에 각각 음극 배선(208)이 배치된다. 음극 격벽(212)의 크기로서는, 예를 들면 높이가 2㎛~3㎛, 폭이 10㎛의 것을 이용할 수가 있다.
표시 장치 지지체(202)는 봉지 플레이트(216)와 씰재(218)를 통해 첩합되어 있다. 이에 의해 전계발광 소자(214)가 설치된 공간을 봉지할 수가 있고, 전계발광 소자(214)가 공기 중의 수분에 의해 열화하는 것을 방지할 수가 있다. 봉지 플레이트(216)로서는, 예를 들면 두께가 0.7㎜~1.1㎜의 유리 플레이트를 지지체로서 사용할 수가 있다.
이러한 구조의 표시 장치(200)에 있어서 도시하지 않는 구동 장치에 의해 양극 보조 배선(206), 도시하지 않는 음극 보조 배선을 통해 전계발광 소자(214)에 전류를 공급하고, 발광층(17)을 발광시켜 각 충전재(13)(도 1 참조) 사이로부터 광을 출사시킬 수가 있다. 그리고, 상술의 화소에 대응한 전계발광 소자(214)의 발광, 비발광을 제어함으로써, 표시 장치(200)에 화상을 표시시킬 수가 있다.
이러한 표시 장치(200)는 각 화소가 독립하여 점멸함으로써 화상이나 그림문자를 표시하지만, 본 실시의 형태의 전계발광 소자를 이용하지 않는 경우, 각 화소가 단락 등에 의해 점등하지 않게 되기 쉬워 표시 장치로서의 기능이 손상된다. 이 때문에 단락 등을 억제할 수가 있는 본 실시의 형태의 전계발광 소자는 유용하다.
(조명 장치)
다음에, 전계발광 소자(10)를 이용한 조명 장치에 대해 설명을 한다.
도 5는 본 실시의 형태에 있어서의 전계발광 소자를 구비하는 조명 장치의 일례를 설명한 도이다.
도 5에 나타낸 조명 장치(300)는 상술한 전계발광 소자(10)와 전계발광 소자(10)의 지지체(11)(도 1 참조)에 인접하여 설치되고 양극층(12)(도 1 참조)에 접속되는 단자(302)와, 지지체(11)(도 1 참조)에 인접하여 설치되고 전계발광 소자(10)의 음극층(14)(도 1 참조)에 접속되는 단자(303)와, 단자(302)와 단자(303)에 접속하여 전계발광 소자(10)를 구동하기 위한 점등 회로(301)로 구성된다.
점등 회로(301)는 도시하지 않는 직류 전원과 도시하지 않는 제어 회로를 내부에 가지고, 단자(302)와 단자(303)를 통해 전계발광 소자(10)의 양극층(12)과 음극층(14)의 사이에 전류를 공급한다. 그리고, 전계발광 소자(10)를 구동하여 발광층(17)(도 1 참조)을 발광시키고, 지지체(11)를 통해 광을 출사시켜 조명광으로서 이용한다. 발광층(17)은 백색광을 출사하는 발광 재료로 구성되어 있어도 좋고 또 녹색광(G), 청색광(B), 적색광(R)을 출사하는 발광 재료를 사용한 전계발광 소자(10)를 각각 복수개 설치하고, 그 합성광이 백색으로 되도록 해도 좋다. 또한, 본 실시의 형태의 조명 장치(300)에서는 각 충전재(13)(도 1 참조)의 간격을 작게 하여 발광시킨 경우, 인간의 눈에는 면발광하고 있는 것처럼 보인다.
이러한 조명 장치(300)는 면적이 큰 단일의 소자를 점등시킴으로써 광을 제공하지만, 본 실시의 형태의 전계발광 소자를 이용하지 않는 경우, 발광면의 한 개소가 단락 등에 의해 점등하지 않게 됨으로써 표시 장치(300) 전체가 점등하지 않게 되어 기능이 손상된다. 이 때문에 단락 등을 억제할 수가 있는 본 실시의 형태의 전계발광 소자는 유용하다.
<실시예>
［평가］
(단락 등의 평가)
전계발광 소자에 역바이어스로 전압을 인가(즉, 음극층(14)측에 플러스, 양극층(12)측에 마이너스의 전압을 인가) 하고, 그 때의 전류치를 측정하는 방법으로 단락 등의 평가를 행하였다. 즉, 역바이어스 상태에서는 통상은 전계발광 소자에는 전류는 흐르지 않지만 단락 등이 있는 경우는 전류가 흐른다. 그리고, 그 전류치가 큰만큼 보다 많은 단락 등이 생기게 된다. 본 실시의 형태에서는 발광 면적이 10㎜×10㎜의 면적을 가지는 전계발광 소자에 15V의 전압을 역바이어스로 인가하고, 그 경우의 전류치(단락 전류)를 측정하였다.
(내구성의 평가)
전계발광 소자에 전류를 흘려 발광시키고 경시적으로 휘도를 측정한다. 그리고, 휘도가 점등 초기의 반에 도달했을 때의 시간, 또는 비점등으로 되었을 때의 시간의 어느 쪽인가 짧은 쪽의 시간을 전계발광 소자의 수명으로 하고, 이에 의해 내구성을 평가하였다. 본 실시의 형태에서는 10㎜×10㎜의 발광면을 가지는 전계발광 소자에 10㎃의 전류를 흘림으로써 평가를 행하였다.
(충전재 형상 정상도의 산출)
전계발광 소자를 클로로포름 중에 침지하고 24시간 방치함으로써, 지지체(11), 양극층(12), 충전재(13)로 이루어지는 시료를 얻었다(즉, 발광층(17), 음극층(14)은 제거되었다). 이 시료의 표면을 AFM(키엔스제, VN8010)를 이용하여 한 변 100㎛의 정방형으로 둘러싸이는 부분의 컴퓨터 화상을 얻었다. 그리고, 이 화상에 대해서 난수표를 이용하여 임의의 X, Y좌표를 추출하고, 여기에 본래 있어야 할 충전재(13) 사이의 거리(이 전계발광 소자의 사양상의 충전재(13) 사이의 거리)를 직경(S)으로 하는 원을 묘화하고, 이 원 내의 충전재(13)의 존재의 유무를 확인하였다(존재하는 경우는 1, 존재하지 않는 경우는 0으로 카운트). 또, 같은 점을 중심으로 하는 직경 2S㎛의 원을 묘화하고, 발광층(17)의 유무를 확인하였다. 각각 300점의 측정을 행한 결과의 카운트수 A(사양상은 600)를 산출하고, A/600을 충전재 형상 정상도로 하였다.
(실시예 A-1)
［인광 발광성 고분자 화합물의 제작］
하기의 식 E-2로 나타내어지는 화합물(중합성 치환기를 가지는 이리듐 착체), 식 E-54로 나타내어지는 화합물(정공 수송성 화합물), 및 식 E-66으로 나타내어지는 화합물(전자 수송성 화합물)을 E-2 : E-54 : E-66=1 : 4 : 5(질량비)의 비율로 탈수 톨루엔에 용해시키고, 또한 중합 개시제로서V-601(와코순약공업 주식회사제)을 용해시켰다. 그리고, 동결 탈기 조작을 행한 후에 진공 밀폐하고 70℃에서 100시간 교반하여 중합 반응을 행하였다. 반응 후, 반응액을 아세톤 중에 적하하여 침전을 일으키게 하고, 또한 이 탈수 톨루엔-아세톤에서의 재침전 정제를 3회 반복하여 인광 발광성 고분자 화합물을 정제하였다. 여기서, 탈수 톨루엔 및 아세톤으로서는 와코순약공업 주식회사제의 고순도 등급(grade)의 것을 더 증류한 것을 이용하였다.
3번째의 재침전 정제 후의 용제를 고속 액체 크로마토그래피로 분석했는데, 용제 중에 400㎚ 이상에서의 흡수를 가지는 물질이 검출되지 않는 것을 확인하였다. 즉, 이것은 용제 중에 불순물이 거의 포함되지 않는다는 것이고, 인광 발광성 고분자 화합물을 충분히 정제할 수 있는 것을 의미한다. 그리고, 정제된 인광 발광성 고분자 화합물을 실온에서 2일간에 걸쳐 진공 건조시켰다. 그 결과 얻어진 인광 발광성 고분자 화합물(ELP)은 순도가 99.9%를 넘는 것을 고속 액체 크로마토그래피(검출 파장 254㎚)에 의해 확인하였다.
Figure pct00001

［발광 재료 용액의 조제］
이와 같이 제조한 발광성 고분자 화합물(중량 평균 분자량=52000) 3중량부를 97중량부의 톨루엔에 용해시켜 발광 재료 용액(이하, 「용액 A」라고도 함)을 조제하였다.
［전계발광 소자의 제작］
전계발광 소자로서 도 1 및 도 2(a)에서 나타낸 전계발광 소자(10)를 도 3에서 설명한 방법으로 제작하였다.
구체적으로는, 우선 지지체(11)로서 표면 연마를 행한 두께 0.7㎜의 소다 유리판(Rmax=3㎚(기준 길이 L은 50㎛), 25㎜x25㎜)을 이용하였다. 그리고, 이 소다 유리판 상에 스퍼터 장치(캐논아네르바 주식회사제 E-401s)에 의해 양극층(12)로서 표면에 막 두께 50㎚의 ITO(Indium Tin Oxide)막을 형성하였다. 이 ITO막 표면의 Rmax를 측정하였는데 50㎚였다. 또한, 이 ITO막상에 스퍼터 장치(캐논아네르바 주식회사제 E-401s)를 이용하여 이산화규소(SiO2)층을 100㎚ 성막하였다.
다음에, 포토레지스트(photoresist)(AZ 일렉트로닉머티리얼즈 주식회사제 AZ1500)를 스핀 코팅법에 의해 약 1㎛ 성막하였다. 자외선에 의한 노광 후, TMAH(Tetra methyl ammonium hydroxide : (CH3)4NOH) 1.2%액에 의해 현상하고 레지스트층(71)을 패턴화하였다.
다음에, 반응성 이온 에칭 장치(삼코 주식회사제 RIE-200iP)를 이용하여 드라이 에칭함으로써 이산화규소층의 패턴화를 도 2(a)와 같이 하였다. 여기서 에칭 조건으로서는 반응 가스로서 CHF3을 사용하고, 압력 0.3Pa, 출력 Bias/ICP=60/100(W)로 16분간 반응시켰다.
이상의 드라이 에칭 처리에 의해 충전재(13) 사이에 형성되는 간극부가 형성되었다. 그리고, 간극부를 형성함으로써, 충전재(13)는 반경 0.5㎛, 깊이 100㎚의 원기둥 형상으로 되었다. 또, 각 충전재(13) 사이의 거리(충전재 사이의 거리)는 0.5㎛였다(즉, 충전재(13)의 중심 위치는 서로 1㎛ 띄웠다).
다음에 순수한 물을 내뿜으로써 세정을 행하고 스핀 건조 장치를 이용하여 건조시켰다.
다음에, 용액 A를 스핀 코팅법(회전수 : 3000rpm)에 의해 도포하고, 그 다음에 질소 분위기 하에서 120℃에서 1시간 방치하여 발광층(17)을 형성하였다.
그리고, 진공 증착실에 투입하고, 진공 증착 장치로 발광층(17) 상에 음극 버퍼층으로서 두께 2.0㎚의 나트륨(Na)막을 형성하였다. 이어서 음극층(14)으로서 두께 150㎚의 알루미늄(Al)막을 형성하였다. 이상의 공정에 의해 전계발광 소자(10)를 제작할 수가 있었다.
(실시예 A-2~A-6, 비교예 A-1)
충전재 사이의 거리를 표 1에 나타내듯이 변경한 것 이외는 실시예 A-1과 마찬가지로 하여 전계발광 소자(10)를 제작하였다.
(비교예 A-2)
도 7에 나타내는 전계발광 소자(50)를 제작하였다. 여기서 전계발광 소자(50)는 지지체(11) 상에 양극층(12), 발광층(17), 및 음극층(14)을 차례로 적층함으로써 제조할 수가 있다. 또, 이 때에 발광층(17) 및 음극층(14)의 재료나 두께는 실시예 A-1과 마찬가지로 하였다.
(실시예 A-7~A-8, 비교예 A-3~A-4)
충전재(13)의 높이를 표 1에 나타내듯이 변경한 것 이외는 실시예 A-1과 마찬가지로 하여 전계발광 소자(10)를 제작하였다.
이상의 평가 결과를 표 1에 정리하여 나타낸다.
Figure pct00002
실시예 A-1~A-8 및 비교예 A-1을 비교하면, 단락 등의 평가, 내구성의 평가의 어느 쪽에 대해서도 충전재(13) 사이의 거리가 작을수록 양호한 결과로 되어 있다. 또, 비교예 A-1의 충전재(13) 사이의 거리를 10㎛를 넘어 20㎛로 한 경우, 및 비교예 A-2의 충전재(13)를 설치하지 않은 경우에서는 내구성의 평가에 있어서 도중에서 비점등으로 되었다. 이에 의해 충전재(13) 사이의 거리는 10㎛ 이하인 것이 필요한 것을 알 수 있다. 바꾸어 말하면, 충전재(13)는 양극층(12)과 음극층(14)의 사이의 임의의 직경 10㎛의 원형 영역 내에 적어도 그 일부가 포함되도록 형성되는 것이 필요하다.
실시예 A-2, A-7, A-8과 비교예 A-3~A-4를 비교하면, 충전재(13)의 높이가 50㎚를 하회한 경우, 단락 등의 억제 효과가 저하하였다. 또, 300㎚를 상회한 경우, 단락 등은 억제할 수 있어 바람직하지만, 내구성의 상승 효과가 작았다. 이것은 충전재(13)가 너무 낮으면, 단락 등을 억제하는 효과가 저하하고, 또한 너무 높으면, 단락 등의 억제에는 유효하지만, 양극층(12)과 음극층(14)의 간격이 전계발광 소자로서 기능하는 데는 너무 넓기 때문에 내구성이 저하했기 때문이라고 생각된다.
(실시예 B-1~B-10)
충전재(13)를 직경 1㎛로 하고, 충전재 사이의 거리를 표 2에 나타내듯이 변화시킴으로써 충전재(13)의 점유 면적율을 변화시킨 전계발광 소자(10)를 제작하였다. 충전재(13)의 점유 면적율은 충전재(13)의 가공에 이용한 포토마스크(photo㎃sk)의 패턴으로부터 산출하였다. 또한, 그 외는 실시예 A-1과 마찬가지로 하였다.
이상의 평가 결과를 표 2에 정리하여 나타낸다.
Figure pct00003
표 2로부터 알 수 있듯이, 충전재 점유 면적율이 10%~60%인 범위에서 단락 등의 평가와 내구성의 평가에 대해 모두 매우 양호하였다. 또, 충전재 점유 면적율이 5%~10% 및 60%~70%인 범위에서 매우 양호하였다. 또한, 충전재 점유 면적율이 3%~5% 및 70%~80%인 범위에서 양호하였다.
한편, 충전재 점유 면적율이 5% 미만 및 80%보다 크면 단락 등의 평가와 내구성의 평가가 모두 나빠지는 경향이 있다.
(실시예 C-1~C-3)
실시예 A-2의 방법으로 제작한 전계발광 소자(10)를 30매 제작하고, 각각에 대해 충전재 형상 정상도를 측정하고, 이 중에서 가장 수치가 높은 것과 평균인 것, 가장 수치가 낮은 것을 취출하였다. 각각 100%(실시예 C-1)와 97%(실시예 C-2), 95%(실시예 C-3)였다.
이상의 평가 결과를 표 3에 정리하여 나타낸다.
Figure pct00004
표 3으로부터 알 수 있듯이, 충전재(13)에 결함이 존재해도 충전재 형상 정상도가 95%까지는 단락 등 내구성에 주는 변동은 적다.
(Rmax와 단락 등과의 관계)
양극층(12)의 표면 거칠기(Rmax)(기준 길이 L은 50㎛)가 표 4에 나타내는 것 같은 것을 준비하고 실시예 A-1의 방법으로 전계발광 소자(10)와 비교예 A-2의 방법으로 전계발광 소자(50)를 각각 제작하였다. 그리고, 상술한 방법으로 단락 등의 평가를 행하였다.
여기서 실시예 A-1에 대해 ITO(Indium Tin Oxide)막의 두께는 30㎚~150㎚의 범위로 변경하였다. 그리고, 이와 아울러 스퍼터 가스인 아르곤(Ar)의 압력, 및 유량, 스퍼터 전압, ITO 타겟(target)과 지지체(11)의 거리, 온도를 조정함으로써, 여러 가지의 표면 거칠기(Rmax)를 가지는 ITO막을 제작할 수 있다.
결과를 표 4에 나타낸다.
또, 도 6은 표면 거칠기(Rmax)와 단락 등의 관계를 나타낸 도이다.
도 6에 나타내듯이 비교예 A-2의 전계발광 소자(50)에서는 표면 거칠기(Rmax)가 커짐에 따라 단락 등이 현저하게 증대한다. 한편, 실시예 A-1의 전계발광 소자(10)에서는 그다지 증대하지 않는다. 이로부터 본 실시의 형태의 전계발광 소자(10)의 구조를 취함으로써 단락 등을 효과적으로 억제할 수 있는 것을 알 수 있다.
다만, 양극층(12)의 표면 거칠기(Rmax)가 10㎚ 미만에서는 비교예 A-2의 전계발광 소자(50)에 있어서도 단락 등이 작고, 실시예 A-1의 전계발광 소자(10)에 의한 단락 등의 효과는 비교적 작다. 이로부터 양극층(12)의 표면 거칠기(Rmax)가 10㎚ 이상에서 단락 등의 억제를 행하고 싶은 경우에, 본 실시의 형태의 전계발광 소자(10)의 구조는 보다 효과적인 것을 알 수 있다.
Figure pct00005
10…전계발광 소자 11…지지체
12…양극층 13…충전재
14…음극층 17…발광층
200…표시 장치 300…조명 장치

Claims (9)

  1. 제1 전극층과,
    상기 제1 전극층에 대향하여 배치되는 제2 전극층과,
    상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층에 끼워진 공간에 형성되는 충전재와,
    상기 충전재가 형성되는 개소 이외의 개소에 있어서 형성되는 발광층을 구비하고,
    상기 충전재는, 이하의 (1)~(2)를 95% 이상의 비율로 만족하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전계발광 소자.
    (1) 상기 제1 전극층의 표면 상의 임의의 위치를 중심으로 하는 직경 10㎛의 원형 영역 내에, 상기 충전재의 적어도 일부가 포함된다.
    (2) 상기 제1 전극층의 표면 상의 임의의 위치를 중심으로 하는 직경 20㎛의 원형 영역 내에, 상기 발광층의 적어도 일부가 포함된다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극층은, 상기 충전재가 형성되는 측의 면의 표면 거칠기(Rmax)가 기준 길이 L을 50㎛로 했을 때에 10㎚ 이상인 것을 특징으로 하는 전계발광 소자.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 충전재는, 높이가 50㎚~300㎚인 것을 특징으로 하는 전계발광 소자.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 충전재는, 대략 원기둥 형상을 이루는 것을 특징으로 하는 전계발광 소자.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광층은, 인광 발광하는 유기 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계발광 소자.
  6. 지지체 상에 제1 전극층을 형성하고,
    상기 제1 전극층 상에 이하의 (1)~(2)를 95% 이상의 비율로 만족하도록 충전재를 형성하고,
    상기 충전재가 형성되는 개소 이외의 개소에 발광층을 도포법으로 형성하고,
    상기 충전재 및 상기 발광층 상에 제2 전극층을 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광 소자의 제조 방법.
    (1) 상기 제1 전극층의 표면 상의 임의의 위치를 중심으로 하는 직경 10㎛의 원형 영역 내에, 상기 충전재의 적어도 일부가 포함된다.
    (2) 상기 제1 전극층의 표면 상의 임의의 위치를 중심으로 하는 직경 20㎛의 원형 영역 내에, 상기 발광층의 적어도 일부가 포함된다.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 도포법은, 스핀 코팅법, 잉크젯법, 인쇄법, 슬릿 코팅법의 어느 하나인 전계발광 소자의 제조 방법.
  8. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재의 전계발광 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재의 전계발광 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
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