WO2007060854A1

WO2007060854A1 - 有機発光装置の製造方法、有機発光装置および電子機器

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Publication number: WO2007060854A1
Application number: PCT/JP2006/322604
Authority: WO
Inventors: Keiichi Inoue; Yuzuru Sato; Koichi Terao
Original assignee: Seiko Epson Corporation
Priority date: 2005-11-28
Filing date: 2006-11-14
Publication date: 2007-05-31
Also published as: JPWO2007060854A1

Abstract

　発光層を固形状の発光材料に限らず、液状または半固形状の発光材料によっても構成し得る有機発光素子を備える有機発光装置の製造方法、かかる有機発光装置の製造方法により製造され特性の高い有機発光装置および信頼性の高い電子機器を提供することにある。表示装置（有機発光装置）は、陰極、電子輸送層、発光層、正孔輸送層および陽極を有する有機発光素子（有機ＥＬ素子）を複数備える。この表示装置は、上基板に陽極および正孔輸送層を、ＴＦＴ回路基板に陰極および電子輸送層を、それぞれ液相成膜法または気相成膜法により形成した後、上基板およびＴＦＴ回路基板をそれらの間に間隙が形成されるように接合し、次いで、発光材料を間隙に注入して発光層を設けて有機ＥＬ素子を形成することにより得られる。

Description

明細書

有機発光装置の製造方法、有機発光装置および電子機器

技術分野

[0001] 本発明は、有機発光装置の製造方法、有機発光装置および電子機器に関するものである。

背景技術

[0002] 有機 EL (エレクト口ルミネッセンス）素子 (有機発光素子）は、陰極と陽極との間に少なくとも蛍光性有機化合物を含む薄膜 (発光層）を含む有機層を挟んだ構成を有しており、この薄膜に電子および正孔 (ホール)を注入して再結合させることにより励起子 (エキシトン)を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光 ·燐光)を利用して発光させる素子である。

[0003] この有機 EL素子は、 10V以下の低電圧で、 100〜100000cdZm²程度の高輝度の面発光が可能であること、また、蛍光物質の種類を選択することにより、青色から赤色までの発光が可能なこと等の特徴を有し、安価で大面積フルカラー表示を実現し得る素子として注目を集めてヽる。

[0004] EL現象は、単層の有機薄膜を電極で挟んだ構造でも得られる力より低、電圧印加で高輝度を得るためには電極力発光層へのキャリア（電子および正孔）の注入効率を向上させる必要がある。このため、電極と発光層とのエネルギー障壁を減じ、発光層へのキャリア移動を容易にすることを目的として、電極と発光層との間にキャリア輸送層を付加した積層構造が提案されている（例えば、特許文献 1：特開 2002— 17 5885号公報参照)。

[0005] ところで、この有機 EL素子は、従来、真空蒸着法およびィ匕学的気相成膜 (CVD) 法のような各種気相成膜法や、キャスト法、スピンコート法およびインクジェット法のような各種液相成膜法等を用いて、単一基板の上に陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、陰極をこの順で積層することにより製造されている。

[0006] ところが、各層を順次積層して形成する際には、先に形成した下層が固化または硬化した状態でないと、上層の構成材料が下層の構成材料と混ざり合うこととなり、均一な界面を有する上層と下層とを形成することができず、液状または半固形状の下層に、上層を積層するのは困難であった。そのため、各層に用いる材料の選択の幅が狭くなるという問題がある。

[0007] このことは、特に、発光層において問題となっている。

発明の開示

[0008] 本発明の目的は、発光層を固形状の発光材料に限らず、液状または半固形状の発光材料によっても構成し得る有機発光素子を備える有機発光装置の製造方法、か力る有機発光装置の製造方法により製造され特性の高い有機発光装置および信頼性の高い電子機器を提供することにある。

[0009] 本発明の有機発光装置の製造方法は、第 1の基板と第 2の基板とに挟持された有機発光素子を構成する複数の層のうち、発光層以外の層を液相成膜法または気相成膜法により形成し、発光材料で構成される前記発光層を他の方法により形成することにより積層構造の前記有機発光素子を形成する有機発光装置の製造方法であって、

前記第 1の基板および Zまたは前記第 2の基板の内面側に前記発光層以外の層を液相成膜法または気相成膜法により形成した後、

前記第 1の基板および前記第 2の基板をそれらの間に間隙が形成されるように接合し、

次いで、第 1の液体注入部より前記発光材料を前記間隙に注入して前記発光層を形成することを特徴とする。

[0010] これにより、発光層を液状または半固形状の発光材料によっても構成し得る有機発光素子を備える有機発光装置を製造することができる。

[0011] 本発明の有機発光装置の製造方法では、前記第 1の液体注入部は、前記第 1の基板または前記第 2の基板に形成された孔であることが好ましい。

[0012] これにより、所望の位置に第 1の液体注入部を形成することができることから、発光材料を目的とする間隙の位置に確実に注入することができる。

[0013] 本発明の有機発光装置の製造方法では、前記孔は、前記発光層を形成する領域と重ならな、ように設けられて、ることが好まし、。 [0014] これにより、この孔が設けられた領域で有機発光素子の発光輝度が低下するのを確実に防止することができる。

[0015] 本発明の有機発光装置の製造方法では、前記孔は、その周囲に撥液処理が施されていることが好ましい。

[0016] これにより、孔に供給された発光材料を、前記孔が形成された基板上に濡れ広がるのを確実に防止することができ、その結果、発光材料を、孔より間隙に確実に注入することがでさる。

[0017] 本発明の有機発光装置の製造方法では、前記第 1の基板または前記第 2の基板の前記孔を形成する領域を包含する領域に撥液処理を施した後、前記孔を形成することが好ましい。

[0018] これにより、第 1の基板または第 2の基板の形成される孔を取り囲む領域に確実に撥液性を付与することができる。

[0019] 本発明の有機発光装置の製造方法では、前記孔の内側には、親液処理が施されていることが好ましい。

[0020] これにより、孔の内側の親液性を向上させることができることから、孔を塞ぐように供給された前記発光材料を、孔内に確実に保持することができる。

[0021] 本発明の有機発光装置の製造方法では、前記孔は、第 1の孔と、前記間隙側で前記第 1の孔に連通し、前記第 1の孔の横断面よりも小さい第 2の孔とにより構成されることが好ましい。

[0022] これにより、孔に供給された前記発光材料を、第 1の孔内に確実に保持することができる。

[0023] 本発明の有機発光装置の製造方法では、前記発光材料は、前記第 1の孔を満たすように供給されることが好ま、。

[0024] このように、前記発光材料が前記第 1の孔を満たすように供給されたとしても、前記孔の周囲には撥液処理が施されていることから、前記孔が形成されている基板側に前記発光材料が移行することを確実に阻止することができる。

[0025] 本発明の有機発光装置の製造方法では、前記第 1の基板または前記第 2の基板の前記撥液処理が施された領域における前記発光材料の接触角を A[° ]とし、前記第 1の孔における前記発光材料の接触角を B[° ]としたとき、 A—B≥15° なる関係を満足することが好ましい。

[0026] 力かる関係を満足することにより、前記第 1の孔を満たすように前記発光材料が供給されたとしても、前記孔が形成されている基板側に前記発光材料が移行することをより確実に阻止することができる。

[0027] 本発明の有機発光装置の製造方法では、前記孔を形成した後、前記発光層以外の層を形成することが好ましい。

[0028] これにより、第 1の基板または第 2の基板に孔を形成する際に生じる熱等の影響が各層におよぶようになるのを確実に防止することができる。

[0029] 本発明の有機発光装置の製造方法では、前記発光層以外の層を形成した後、前記第 1の基板および前記第 2の基板を接合する前に前記孔を形成することが好ましい。

[0030] これにより、孔を形成する際に生じる第 1の基板または第 2の基板力の除去物が間隙内に残存するのを確実に防止または抑制することができる。

[0031] 本発明の有機発光装置の製造方法では、前記第 1の基板および前記第 2の基板を接合した後に前記孔を形成することが好ま、。

[0032] これにより、孔を目的とする領域により精度よく形成することができる。

[0033] 本発明の有機発光装置の製造方法では、前記間隙は、スぺーサによって形成されることが好ましい。

[0034] これにより、第 1の基板の厚さ方向に対する間隙の幅をほぼ一定なものとした状態で、第 1の基板と第 2の基板とを接合することができる。

[0035] 本発明の有機発光装置の製造方法では、前記スぺーサは、前記発光層を形成する領域の外周部に沿って形成された突起で構成され、

該突起には、前記第 1の液体注入部より注入された前記発光材料を前記間隙に注入する第 2の液体注入部が設けられて、ることが好ま、。

[0036] スぺーサを力かる構成のものとすることにより、スぺーサとしての機能を確実に発揮させることができるとともに、発光材料の有機発光素子外への流出を防止するバリア層としての機能を発揮させることができる。 [0037] 本発明の有機発光装置の製造方法では、前記突起は、前記第 1の基板側に設けられた第 1の突起と、前記第 2の基板側に設けられた第 2の突起とを接触させることにより形成され、

前記第 2の液体注入部は、前記第 1の突起の一部の高さおよび Zまたは前記第 2 の突起の一部の高さを低くし、前記第 1の突起と前記第 2の突起とを接触させることにより得られたものであることが好ましい。

[0038] これにより、第 2の液体注入部を備える突起を得ることができる。

[0039] 本発明の有機発光装置の製造方法では、前記突起は、前記第 1の基板側に設けられた第 1の突起と、前記第 2の基板側に設けられた第 2の突起とを接触させることにより形成され、

前記第 2の液体注入部は、前記第 1の突起および前記第 2の突起のうちのいずれか一方に設けられた貫通孔であることが好ましい。

[0040] これにより、第 2の液体注入部を備える突起を得ることができる。

[0041] 本発明の有機発光装置の製造方法では、前記スぺーサは、粒子で構成されることが好ましい。

[0042] スぺーサを力かる構成のものとすることにより、スぺーサとしての機能を確実に発揮させることがでさる。

[0043] 本発明の有機発光装置の製造方法では、前記粒子は、前記間隙に配設されていることが好ましい。

[0044] これにより、形成される空隙の第 1の基板の厚さ方向に対する幅をほぼ一定なものとすることができる。

[0045] 本発明の有機発光装置の製造方法では、インクジェット法を用いて、前記発光材料を前記第 1の液体注入部に供給することが好ましい。

[0046] インクジェット法を用いることにより、発光材料によって各第 1の液体注入部を選択的に塞ぐようにすることができるため、発光材料のムダを省くことができる。

[0047] 本発明の有機発光装置の製造方法では、前記間隙の雰囲気を減圧し、前記第 1の液体注入部を塞ぐように前記発光材料を供給した後、前記間隙の圧力と大気圧との圧力の差を利用して、前記発光材料を前記間隙に注入することが好ましい。 [0048] これにより、発光材料を空隙に注入して、この発光材料で構成される発光層を形成することができる。

[0049] 本発明の有機発光装置の製造方法では、前記大気圧と前記間隙との圧力差は、 1

. 0 X 10— ⁴〜1. 0 X 10¹²Pa程度であることが好ましい。

[0050] これにより、空隙に発光材料を確実に注入することができる。

[0051] 本発明の有機発光装置の製造方法では、前記第 1の液体注入部を塞ぐように供給された前記発光材料を前記間隙に注入するのに先立って、

前記発光材料を加熱することにより、当該発光材料の粘度を低減させることが好ましい。

[0052] これにより、発光材料として固形状のものや比較的粘度の高い半固形状のものを用いた場合においても、空隙に発光材料を確実に注入することができる。

[0053] 本発明の有機発光装置の製造方法では、前記発光材料の加熱は、前記第 1の基板および前記第 2の基板のいずれか一方または双方を加熱することにより行われることが好ましい。

[0054] これにより、発光材料を加熱して、この発光材料の粘度を確実に低下させることができる。

[0055] 本発明の有機発光装置の製造方法は、第 1の基板と第 2の基板とに挟持された有機発光素子を構成する陰極、陽極、発光層、正孔輸送層および電子輸送層のうち発光層以外の層を液相成膜法または気相成膜法により形成し、発光材料で構成される前記発光層を他の方法により形成することにより積層構造の前記有機発光素子を製造する有機発光装置の製造方法であって、

前記第 1の基板上に前記陽極を形成する工程と、

前記陽極上に、前記発光層を形成する領域の外周部に沿って、かつ、その高さの一部が低くなるように第 1の突起を形成する工程と、

前記第 1の突起の内側に露出する前記陽極上に、前記正孔輸送層を形成するェ程と、

前記第 2の基板上に、前記発光層を形成する領域の外周部に沿って第 2の突起を形成する工程と、前記第 2の突起の内側に露出する前記第 2の基板上に、前記陰極および前記電子輸送層をこの順で形成する工程と、

前記第 1の基板と前記第 2の基板との間に間隙が、前記第 1の突起と前記第 2の突起との間に前記発光材料を前記間隙に注入するための第 2の液体注入部が、それぞれ形成されるように前記第 1の突起と前記第 2の突起とを接触させる工程と、前記第 1の基板と前記第 2の基板とを、これらの縁部において前記間隙を封止する封止部を形成することにより接合する工程と、

前記第 1の基板に、前記発光層を形成する領域と重ならないように、その厚さ方向に向力つて孔を設けることにより第 1の液体注入部を形成する工程と、

前記間隙を減圧する工程と、

前記第 1の液体注入部を塞ぐように、前記発光材料を供給する工程と、前記間隙の圧力と大気圧との圧力の差を利用して、前記発光材料を前記間隙に注入することにより前記発光層を形成する工程と、

前記第 1の液体注入部を密封する工程とを有することを特徴とする。

[0056] これにより、発光層を固形状の発光材料に限らず液状または半固形状の発光材料によっても構成し得る有機発光素子を備える有機発光装置を製造することができる。

[0057] 本発明の有機発光装置の製造方法は、第 1の基板と第 2の基板とに挟持された有機発光素子を構成する陰極、陽極、発光層、正孔輸送層および電子輸送層のうち発光層以外の層を液相成膜法または気相成膜法により形成し、発光材料で構成される前記発光層を他の方法により形成することにより積層構造の前記有機発光素子を製造する有機発光装置の製造方法であって、

前記第 1の基板上に前記陽極を形成する工程と、

前記第 1の基板の前記陽極と反対側の面に、撥液処理を施す工程と、前記撥液処理が施された前記第 1の基板に、前記発光層を形成する領域と重ならないように、その厚さ方向に向力つて孔を設けることにより第 1の液体注入部を形成する工程と、前記第 1の突起の内側に露出する前記陽極上に、前記正孔輸送層を形成するェ程と、

前記第 2の基板上に、前記発光層を形成する領域の外周部に沿って第 2の突起を形成する工程と、

前記第 2の突起の内側に露出する前記第 2の基板上に、前記陰極および前記電子輸送層をこの順で形成する工程と、

前記第 1の基板と前記第 2の基板との間に間隙が、前記第 1の突起と前記第 2の突起との間に、前記発光材料を前記間隙に注入するための第 2の液体注入部が、それぞれ形成されるように前記第 1の突起と前記第 2の突起とを接触させる工程と、前記第 1の基板と前記第 2の基板とを、これらの縁部において前記間隙を封止する封止部を形成することにより接合する工程と、

前記間隙を減圧する工程と、

[0058] これにより、発光層を固形状の発光材料に限らず液状または半固形状の発光材料によっても構成し得る有機発光素子を備える有機発光装置を製造することができる。

[0059] 本発明の有機発光装置の製造方法では、前記有機発光素子を複数備えることが好ましい。

[0060] 力かる構成の有機発光装置を製造する際においても、発光層を固形状の発光材料に限らず液状または半固形状の発光材料によっても構成し得る有機発光素子を備えるものを製造することができる。

[0061] 本発明の有機発光装置は、本発明の有機発光装置の製造方法により製造されたことを特徴とする。

[0062] これにより、特性に優れる発光装置が得られる。

[0063] 本発明の電子機器は、本発明の有機発光装置を備えることを特徴とする。

[0064] これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。図面の簡単な説明

[図 1]図 1は、本発明の発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第 1実施形態を示す縦断面図である。

[図 2]図 2は、本発明の発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第 1実施形態を示す斜視図である。

[図 3]図 3は、図 1に示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図である。

[図 4]図 4は、図 1に示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図である。

[図 5]図 5は、図 1に示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図である。

[図 6]図 6は、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第 2実施形態を示す縦断面図である。

[図 7]図 7は、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第 2実施形態を示す斜視図である。

[図 8]図 8は、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第 2実施形態を示す平面図である。

[図 9]図 9は、図 6に示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図である。

[図 10]図 10は、図 6に示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図である。

[図 11]図 11は、図 6に示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図である。

[図 12]図 12は、本発明の発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第 3 実施形態を示す縦断面図である。

[図 13]図 13は、本発明の電子機器を適用したモパイル型 (またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。

[図 14]図 14は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機 (PHSも含む)の構成を示す斜視図である。

[図 15]図 15は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。

発明を実施するための最良の形態

[0066] 以下、本発明の有機発光装置の製造方法、有機発光装置および電子機器について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。

[0067] <第 1実施形態 >

まず、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第 1実施形態について説明する。なお、本実施形態では、発光層 5が各有機 EL素子 1の形状に対応するように設けられている場合、すなわち、発光層 5が各有機 EL素子 1に対して個別に設けられて、る場合にっ、て説明する。

[0068] 図 1および図 2は、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第 1実施形態を示す図であり、図 1は、縦断面図、図 2は、斜視図である。図 3〜 5は、図 1および図 2に示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図である。なお、図 2では、説明の都合上、図 1の表示装置と上下逆に示しており、基板 20および封止部 74の記載を省略している。また、以下の説明では、図 1〜図 5中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

[0069] 図 1および図 2に示すアクティブマトリクス型表示装置（以下、単に「表示装置」と言う。） 10は、 TFT回路基板 (対向基板) 20と、この基体 20上に設けられた有機発光素子 1と、 TFT回路基板 20 (第 2の基板）に対向する上基板 9 (第 1の基板)とを有している。

[0070] TFT回路基板 20は、基板 21と、この基板 21上に形成された回路部 22とを有している。

[0071] 基板 21は、表示装置 10を構成する各部の支持体となるものであり、上基板 9は、例えば、有機発光素子 1を保護する保護層等として機能するものである。

[0072] また、本実施形態の表示装置 10は、上基板 9側力光を取り出す構成（トップェミツシヨン型)であるため、上基板 9は、実質的に透明（無色透明、着色透明、半透明）とされ、一方、基板 21は、特に、透明性は要求されない。 [0073] このような基板 21には、各種ガラス材料基板および各種榭脂基板のうち比較的硬度の高、ものが好適に用いられる。

[0074] 一方、上基板 9には、各種ガラス材料基板および各種榭脂基板のうち透明なものが選択され、例えば、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料や、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロォレフインポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタタリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような榭脂材料等を主材料として構成される基板を用いることができる。

[0075] 基板 21の平均厚さは、特に限定されないが、 0. 1〜 30mm程度であるのが好ましぐ 0. 5〜2. Omm程度であるのがより好ましい。一方、上基板 9の平均厚さも、特に限定されないが、 0. 1〜 30mm程度であるのが好ましぐ 0. 1〜： LOmm程度であるのがより好ましい。

[0076] 回路部 22は、基板 21上に形成された下地保護層 23と、下地保護層 23上に形成された駆動用 TFT (スイッチング素子) 24と、第 1層間絶縁層 25と、第 2層間絶縁層 26 とを有している。

[0077] 駆動用 TFT24は、半導体層 241と、半導体層 241上に形成されたゲート絶縁層 2

42と、ゲート絶縁層 242上に形成されたゲート電極 243と、ソース電極 244と、ドレイン電極 245とを有して!/、る。

[0078] このような回路部 22上に、各駆動用 TFT24に対応して、それぞれ、有機 EL素子 1 が設けられている。また、隣接する有機 EL素子 1同士は、突起 (バンク） 7により区画されている。

[0079] 本実施形態では、各有機発光素子 1の陰極 3は、画素電極を構成し、各駆動用 TF T24のドレイン電極 245に配線 27により電気的に接続されている。また、電子輸送層 4、発光層 5および正孔輸送層 6で構成される有機半導体層は個別に形成され、この有機半導体層に含まれる発光層 5が液状または半固形状の発光材料によっても構成され得る。さら〖こ、陽極 8は、共通電極とされている。

[0080] なお、表示装置 10は、単色表示であってもよぐ各有機発光素子 1が備える発光層 5に用いる発光材料を選択すること、すなわち、有機発光素子 1毎に、発光層 5に用いる発光材料として、例えば、赤色の発光材料、緑色の発光材料および青色の発光材料のうちのいずれかを適宜選択することにより、カラー表示も可能である。

[0081] 以下、有機発光素子 1について詳述する。

[0082] 図 1に示すように、有機発光素子 1は、陰極 3と、陽極 8と、陰極 3と陽極 8との間に、陰極 3側から順に、電子輸送層 4、発光層 5および正孔輸送層 6がこの順で積層された有機半導体層とを有している。

[0083] 陰極 3は、電子輸送層 4に電子を注入する電極である。

[0084] この陰極 3の構成材料（陰極材料）としては、仕事関数の小さ!/、材料を用いるのが好ましい。

[0085] このような陰極材料としては、 Li、 Mg、 Ca、 Sr、 La、 Ce、 Er、 Eu、 Sc、 Y、 Yb、 Ag 、 Cu、 Al、 Cs、 Rbまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも 1 種を用いることができる。

[0086] 特に、陰極材料として合金を用いる場合には、 Ag、 Al、 Cu等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、 MgAg、 AlLi、 CuLi等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極材料として用いることにより、陰極 3の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。

[0087] 陰極 3の平均厚さは、特に限定されないが、 10〜500nm程度であるのが好ましぐ 50〜200nm程度であるのがより好ましい。陰極 3の厚さが薄すぎると、陰極 3の機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陰極 3が厚過ぎると、有機 EL素子 1 の発光効率等の特性が低下するおそれがある。

[0088] 一方、陽極 8は、正孔輸送層 6に正孔を注入する電極である。

[0089] この陽極 8の構成材料（陽極材料）としては、表示装置 10が陽極 8側から光を取り出すトップェミッション構造であるため透光性を有する導電性材料が選択され、特に

、仕事関数が大きぐ優れた導電性を有するものが好適に用いられる。

[0090] このような陽極材料としては、例えば、 ITO (酸化インジウムと酸ィ匕亜鉛との複合物）、 SnO、 Sb含有 SnO、 A1含有 ZnO等の酸化物、 Au、 Pt、 Ag、 Cuまたはこれらを

2 2

含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも 1種を用いることができる。

[0091] 陽極 8の平均厚さは、特に限定されないが、 10〜2000nm程度であるのが好ましく、 100〜1000nm程度であるのがより好ましい。陽極 8の厚さが薄すぎると、陽極 8としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陽極 8が厚過ぎると、陽極材料の種類等によっては、光の透過率が低下して、トップェミッション型の構造を有する有機 EL素子 1として、実用に適さなくなるおそれがある。

[0092] なお、陽極材料には、例えば、ポリチォフェン、ポリピロール等の導電性榭脂材料を用いることちでさる。

[0093] 陰極 3と陽極 8との間には、陰極 3側から電子輸送層 4、発光層 5および正孔輸送層

6がこの順で設けられた有機半導体層が形成されている。

[0094] 電子輸送層 4は、陰極 3から注入された電子を発光層 5まで輸送する機能を有する層である。

[0095] 電子輸送層 4の構成材料 (電子輸送材料）としては、例えば、 1, 3, 5 トリス [ (3— フエ-ルー 6 トリ一フルォロメチル）キノキサリン一 2—ィル]ベンゼン（TPQ1)、 1, 3 , 5—トリス [{3— (4— t—ブチルフエ-ル） 6—トリスフルォロメチル }キノキサリン一 2—ィル]ベンゼン (TPQ2)のようなベンゼン系化合物（スターバースト系化合物）、ナフタレンのようなナフタレン系化合物、フエナントレンのようなフエナントレン系化合物、タリセンのようなタリセン系化合物、ペリレンのようなペリレン系化合物、アントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、アタリジンのようなァクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、 BBOTのようなチォフェン系化合物、ブタジエンのようなブタジエン系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、キノリンのようなキノリン系化合物、ビスチリルのようなビスチリル系化合物、ピラジン、ジスチリルビラジンのようなピラジン系化合物、キノキサリンのようなキノキサリン系化合物、ベンゾキノン、 2, 5 ジフエ-ルーパラ一ベンゾキノンのようなベンゾキノン系化合物、ナフトキノンのようなナフトキノン系化合物、アントラキノンのようなアントラキノン系化合物、ォキサジァゾール、 2—（4ービフエ-リル）ー5—（4— tーブチルフェ-ル） 1, 3, 4 ォキサジァゾール（PBD)ゝ TPOBゝ BMD、 BND、 BDD、 BAP Dのようなォキサジァゾ一ル系ィ匕合物、トリァゾール、 3, 4, 5 トリフエ-ル— 1, 2, 4 —トリアゾールのようなトリァゾール系化合物、ォキサゾール系化合物、アントロンのようなアントロン系化合物、フルォレノン、 1, 3, 8 トリ-トローフルォレノン（TNF)のようなフルォレノン系化合物、ジフエノキノン、 MBDQのようなジフエノキノン系化合物、スチルペンキノン、 MBSQのようなスチルベンキノン系化合物、アントラキノジメタン系化合物、チォピランジオキシド系化合物、フルォレニリデンメタン系化合物、ジフエ- ルジシァノエチレン系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、フタロシア- ン、銅フタロシアニン、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、 8—ヒドロキシキノリンアルミニウム（Alq )、ベンゾォキサゾールやべンゾ

3

チアゾールを配位子とする錯体のような各種金属錯体等が挙げられる。

[0096] その他、電子輸送層 4の構成材料 (電子輸送材料）としては、例えば、ォキサジァゾール系高分子（ポリオキサジァゾール）、トリァゾール系高分子（ポリトリァゾール)等の高分子系の材料を用いることもできる。

[0097] 電子輸送層 4の平均厚さは、特に限定されないが、 1〜： LOOnm程度であるのが好ましぐ 20〜50nm程度であるのがより好ましい。

[0098] なお、電子輸送層 4と陰極 3との間には、例えば、陰極 3からの電子注入効率を向上させる電子注入層を設けるようにしてもよ!ヽ。

[0099] この電子注入層の構成材料 (電子注入材料）としては、例えば、 8—ヒドロキシキノリン、ォキサジァゾール、または、これらの誘導体 (例えば、 8—ヒドロキシキノリンを含む金属キレートォキシノイド化合物）等が挙げられ、これらのうちの 1種または 2種以上組み合わせて (例えば、複数層の積層体等として)用いることができる他、各種の無機絶縁材料や、各種の無機半導体材料等を用いることができる。

[0100] 無機絶縁材料や無機半導体材料を主材料として電子注入層を構成することにより、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることや、耐久性の向上を図ることができる。

[0101] このような無機絶縁材料としては、例えば、アルカリ金属カルコゲナイド (酸ィ匕物、硫化物、セレン化物、テルル化物）、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの

1種または 2種以上を組み合わせて用いることができる。これらを主材料として電子注入層を構成することにより、電子注入性をより向上させることができる。

[0102] アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、 Li 0、 LiO、 Na S、 Na Se、 NaO等

2 2 2 が挙げられる。 [0103] アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、 CaO、 BaO、 SrO、 BeO、 BaS

、 MgO、 CaSe等が挙げられる。

[0104] アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、 CsF、 LiF、 NaF、 KF、 LiCl、 KC1

、 NaCl等が挙げられる。

[0105] アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、 CaF 、 BaF 、 SrF 、 MgF 、 B

2 2 2 2 eF等が挙げられる。

2

[0106] また、無機半導体材料としては、例えば、 Ba、 Ca、 Sr、 Yb、 Al、 Ga、 In、 Li、 Na、 Cd、 Mg、 Si、 Ta、 Sbおよび Znのうちの少なくとも 1つの元素を含む酸化物、窒化物または酸ィ匕窒化物等が挙げられ、これらのうちの 1種または 2種以上を組み合わせて用!/、ることができる。

[0107] また、このような無機材料で電子注入層を構成する場合、この無機材料は、微結晶または非晶質であることが好ましい。これにより、電子注入層は、より均質なものとなるため、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。

[0108] 正孔輸送層 6は、陽極 8から注入された正孔を発光層 5まで輸送する機能を有するものである。

[0109] 正孔輸送層 6の構成材料 (正孔輸送材料）としては、以下に示すような化合物（モノマー）を主鎖または側鎖に有する高分子 (プレボリマーやポリマー）のうちの 1種または 2種以上を組み合わせて用いられる。

[0110] この化合物（モノマー）としては、例えば、 3, 4 エチレンジォキシチォフェン Zスチレンスノレホン酸のようなチ才フェン Zスチレンスノレホン酸系ィ匕合物、 1, 1—ビス（4— ジ一パラ一トリァミノフエ-ル）シクロへキサン、 1, 1，一ビス（4 ジ一パラ一トリルアミノフエ-ル） 4 フエ-ルーシクロへキサンのようなァリールシクロアルカン系化合物、 4, 4，， 4，，一トリメチルトリフエニルァミン、 N, N, Ν' , Ν，一テトラフエニル一 1, 1， —ビフエ-ルー 4, 4'—ジァミン、 Ν, Ν，一ジフエ-ルー Ν, Ν，一ビス（3—メチルフエ二ノレ） 1, 1，ービフエニノレー 4, 4，ージァミン（TPD1)、 Ν, N，ージフエニノレー N, N ，一ビス（4—メトキシフエ-ル）一 1, 1，一ビフエ-ルー 4, 4，一ジァミン（TPD2)、 N, N, Ν' , Ν，一テトラキス（4—メトキシフエ-ル）一 1, 1，一ビフエ-ル一 4, 4，一ジアミン（TPD3)、N, N，一ジ（1—ナフチル） N, N，一ジフエ-ルー 1, 1，一ビフエ-ル -4, 4，—ジァミン（α— NPD)、 TPTEのようなァリールアミン系化合物、 N, N, N， , Ν'—テトラフエニル一パラ一フエ二レンジァミン、 Ν, Ν, Ν' , Ν'—テトラ（パラ一トリル）一パラ一フエ-レンジァミン、 Ν, Ν, Ν' , Ν，一テトラ（メタ一トリル）一メタ一フエ- レンジァミン（PDA)のようなフエ-レンジアミン系化合物、カルバゾール、 N—イソプ口ピルカルバゾール、 N フエ-ルカルバゾールのような力ルバゾール系化合物、スチルベン、 4ージ—パラートリルアミノスチルベンのようなスチルベン系化合物、 O Z のようなォキサゾール系化合物、トリフエ-ルメタン m—MTDATAのようなトリフエ- ルメタン系化合物、 1—フエ-ルー 3— (パラ一ジメチルァミノフエ-ル）ピラゾリンのようなピラゾリン系化合物、ベンジン（シクロへキサジェン）系化合物、トリァゾールのようなトリァゾール系化合物、イミダゾールのようなイミダゾール系化合物、 1, 3, 4ーォキサジァゾール、 2, 5 ジ（4ージメチルァミノフエ-ル） 1, 3, 4, ォキサジァゾ一ルのようなォキサジァゾール系化合物、アントラセン、 9一（4ージェチルアミノスチリル）アントラセンのようなアントラセン系化合物、フルォレノン、 2, 4, 7, トリ-トロー 9 フルォレノン、 2, 7 ビス（2 ヒドロキシ一 3— (2 クロ口フエ-ルカルバモイル）ァ-リン系化合物、シラン系化合物、ポリチォフェン、ポリ（チォフェンビ-レン）のようなチォフェン系化合物、ポリ（2, 2，一チエ-ルビロール）、 1, 4ージチオケトー 3, 6 —ジフエ-ルーピロロ—（3, 4— c)ピロロピロールのようなピロール系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、ポルフィリン、金属テトラフエ-ルポルフィリンのようなポルフィリン系化合物、キナクリドンのようなキナクリドン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン、テトラ（t—ブチル)銅フタロシアニン、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、銅ナフタロシアニン、バナジルナフタ口シァニン、モノクロ口ガリウムナフタロシアニンのような金属または無金属のナフタロシァ-ン系化合物、 N, N，一ジ（ナフタレン一 1—ィル） N, N，一ジフエ-ルーベンジジン、 N, N, Ν' , Ν，ーテトラフエ-ルペンジジンのようなベンジジン系化合物等が挙げられる。これらの化合物の高分子は、いずれも、高い正孔輸送能力を有している。このような正孔輸送層 6の平均厚さは、特に限定されないが、 10〜150nm程度であるのが好ましぐ 50〜： LOOnm程度であるのがより好ましい。 [0112] なお、陽極 8と正孔輸送層 6との間には、例えば、陽極 8からの正孔注入効率を向上させる正孔注入層を設けるようにしてもよ!、。

[0113] この正孔注入層の構成材料 (正孔注入材料）としては、例えば、銅フタロシアニンや、 4, 4，， 4，，—トリス（N, N-フエ-ル- 3-メチルフエ-ルァミノ）トリフエ-ルァミン（m MTDATA)等が挙げられる。

[0114] ここで、陽極 8と陰極 3との間に通電 (電圧を印カロ）すると、正孔輸送層 6中を正孔が、また、電子輸送層 4中を電子が移動し、発光層 5において正孔と電子とが再結合する。そして、発光層 5ではエキシトン (励起子）が生成し、このエキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー (蛍光やりん光)を放出 (発光)する。

[0115] 表示装置 10は、以下で説明する本発明の有機発光装置の製造方法を適用して製造されることから、この発光層 5を、固形状の発光材料に限定されることなぐ液状または半固形状の発光材料によっても構成することができる。

[0116] 発光材料 (発光層 5の構成材料）としては、例えば、 1, 3, 5 トリス [ (3—フエ-ル —6—トリ—フルォロメチル）キノキサリン— 2—ィル]ベンゼン (TPQ1)、 1, 3, 5 トリス [{3— (4— t—ブチルフエ-ル）—6 トリスフルォロメチル }キノキサリン— 2—ィル ]ベンゼン (TPQ2)のようなベンゼン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン（C uPc)、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、トリス (8 ヒドロキシキノリノレート）アルミニウム（Alq )、ファクトリス（2—フエ-ルビリジン）

3

イリジウム (Ir (ppy) )のような金属錯体等の低分子系のものや、ォキサジァゾール系

3

化合物、トリァゾール系化合物、力ルバゾール系化合物、フルオレン系化合物のような化合物の低分子 (モノマーまたはオリゴマー）および高分子 (ポリマー）が挙げられ

、これらのうち 1種または 2種以上を組み合わせて用いることができる。すなわち、各種の低分子材料や、各種の高分子材料を単独または組み合わせて用いることができる。

[0117] これらのうち、常温で液状または半固形状の発光材料としては、例えば、青色の発光材料として、ィ匕 1で表されるペンタ [9, 9 ビス（2—メチルブチル)フルオレン] (以下、「F (MB) 5」と略す。）等が挙げられ、緑色の発光材料として、化 2で表される 4, 7 —ビス [9, 9 ビス（2 ェチルへキシル）—9，， 9' , 9" , 9" , 9" ' , 9，，，—へキサキスー（2 メチルブチル）ー 7, 2' ;7', 2" ;7", 2，，，ーテトラフルオレン 2—ィル ]ー2, 1, 3 べンゾチアジアゾール（以下、「OF—l」と略す。）等が挙げられ、赤色の発光材料として、化 3で表される 4, 7 ビス [5—（9, 9 ビス（2 ェチルへキシル） 9，， 9', 9", 9", 9"', 9，，，—へキサキス—（2—メチルブチル）—7, 2，；7 ', 2" ;7", 2，，，一テトラフルオレン一 2—ィル）一チォフェン一 2—ィル]—2, 1, 3 —ベンゾチアジアゾール（以下、「OF— 2」と略す。）等が挙げられる。

[化 1]

また、常温で固形状の発光材料としては、例えば、青色の発光材料として、 4, 4' - ビス（9 ェチル 3—力ルバゾビ-レン）一 1, 1，一ビフエ-ル、ポリ [(9.9 ジォクチルフルオレン— 2, 7 ジィル）—コ—（2, 5 ジメトキシベンゼン— 1, 4 ジィル）] 、ポリ [(9, 9 ジへキシルォキシフルオレン一 2, 7 ジィル）一オルト一コ一（2—メトキシ一 5— {2 エトキシへキシルォキシ }フエ-レン一 1, 4 ジィル）]、ポリ [ (9, 9— ジォクチルフルオレン 2, 7 ジィル）ーコー（ェチル-ルベンゼン）]等が挙げられ、緑色の発光材料として、 9, 10 ビス [ (9 ェチル—3—カルバゾール）—ビユレ- ル]—アントラセン、ポリ（9, 9 ジへキシル一 2, 7 ビ-レンフルォレニレン）、ポリ [ ( 9, 9 ジォクチルフルオレン一 2, 7 ジィル）一コ一（1, 4 ジフエ二レン一ビニレン 2—メトキシー5—{2 ェチルへキシルォキシ }ベンゼン）]、ポリ [ (9, 9ージォクチルー 2, 7 ジビ-レンフルォレ-レン）一オルト一コ一（2—メトキシ一 5— (2 ェトキシルへキシルォキシ）—1, 4ーフヱ-レン）]等が挙げられ、赤色の発光材料として、トリス（1—フエ-ルイソキノリン）イリジウム（111)、ポリ [2, 5 ビス（3、 7 ジメチルォクチ口キシ） 1, 4 フエ-レンビ-レン]、ポリ [2—メトキシ一 5— (2，一ェチルへキシルォキシ） 1, 4— (1—シァノビ-レン）フエ-レン]、ポリ [2—メトキシ一 5— (3, 7 ージメチルォクチルォキシ） 1, 4 フエ-レンビ-レン]等が挙げられる。

[0122] さらに、本発明では、発光材料として、低分子 (モノマーやオリゴマー）の際には常温で液状または半固形状であるが、この低分子同士を重合反応させて高分子化することにより固形状となるものも用いることができる。このような発光材料を用いれば、後述する発光装置 10の製造方法において、発光層 5を形成する際に、液状または半固形状 (低分子)の状態で発光材料を第 1の液体注入部 77から間隙 76に注入し、この発光材料を高分子化 (硬化)することにより間隙 76内に固形状の発光層 5を形成することができる。このように発光材料を高分子化することにより、発光材料の耐熱性の向上を図ることができる。さらに、発光材料 (低分子)の電子輸送層 4および正孔輸送層 6中への拡散を好適に防止することができる。

[0123] 具体的には、このような発光材料としては、例えば、赤色の発光材料として、下記化 4で表される化合物、緑色の発光材料として、下記化 5で表される化合物、青色の発光材料として、下記化 6で表される化合物が挙げられる。

[0124] [化 4] 73z002i1d OS/ O isio/-ooiAV.

[0127] なお、ここで示した化 4〜化 6で表される化合物は、光照射のような所定の処理を施すことにより、ベンゼン環に連結する置換基の末端に存在するエポキシ基同士が重合反応することにより、隣接する化合物 (発光材料)同士が連結して高分子化するものである。

[0128] なお、ィ匕 4〜化 6で表される化合物では、これらの化合物同士を連結する重合性基としてエポキシ基を備える場合を示した力重合性基としては、このような場合に限定されず、例えば、ォキセタン基、（メタ）アタリロイル基、ビュルエーテル基およびビ- ルベンジルエーテル基等であってもよ、。

[0129] 発光層 5の平均厚さは、特に限定されないが、 10〜150nm程度であるのが好ましく、 50〜： LOOnm程度であるのがより好ましい。

[0130] 上述したような本実施形態の表示装置 10は、上基板 9 (第 1の基板)の内面側に、陽極 8および正孔輸送層 6を形成し、 TFT回路基板 20の内面側に、陰極 3および電子輸送層 4を形成した後、これら上基板 9および TFT回路基板 20を、それらの間に間隙 76が形成されるように接合し、次いで、第 1の液体注入部 77より、発光材料を間隙 76に注入して発光層 5を形成することにより製造される。カゝかる方法を用いて有機 EL素子 1 (表示装置 10)を製造することにより、発光層 5を、固形の発光材料で構成する場合のみならず、液状または半固形状の発光材料で構成することができることから、発光層 5に用いる発光材料の選択の幅が広がるという利点が得られる。

[0131] 以下、この表示装置 10の製造方法について詳述する。 [0132] [1A]まず、上基板 (第 1の基板) 9および TFT回路基板 (第 2の基板) 20を用意する。

[0133] 1A— A:まず、上基板 9を用意する。

[0134] 1A— B :次に、基板 21を用意し、基板 21上に、例えば、 TEOS (テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとして、プラズマ CVD法等により、平均厚さが約 200 〜500nmの酸ィ匕シリコンを主材料として構成される下地保護層 23を形成する。

[0135] 1A— C :次に、下地保護層 23上に、駆動用 TFT24を形成する。

[0136] まず、基板 21を約 350°Cに加熱した状態で、下地保護層 23上に、例えばプラズマ CVD法等により、平均厚さが約 30〜70nmのアモルファスシリコンを主材料として構成される半導体膜を形成する。

[0137] 次いで、半導体膜に対して、レーザァニールまたは固相成長法等により結晶化処理を行い、アモルファスシリコンをポリシリコンに変化させる。

[0138] ここで、レーザァニール法では、例えば、エキシマレーザでビームの長寸が 400m mのラインビームを用い、その出力強度は、例えば 200miZcm²程度に設定される。また、ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の 90 %に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。

[0139] 次いで、半導体膜をパターユングして島状とし、各島状の半導体膜 241を覆うように、例えば、 TEOS (テトラエトキシシラン)や酸素ガスなどを原料ガスとして、プラズマ C VD法等により、平均厚さが約 60〜150nmの酸ィ匕シリコンまたは窒化シリコン等を主材料として構成されるゲート絶縁層 242を形成する。

[0140] 次いで、ゲート絶縁層上に、例えば、スパッタ法等により、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターユングし、ゲート電極 243を形成する。

[0141] 次いで、この状態で、高濃度のリンイオンを打ち込んで、ゲート電極 243に対して自己整合的にソース'ドレイン領域を形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域となる。

[0142] 1A— D :次に、駆動用 TFT24に電気的に接続されるソース電極 244およびドレイン電極 245を形成する。 [0143] まず、ゲート電極 243を覆うように、第 1層間絶縁層 25を形成した後、コンタクトホールを形成する。

[0144] 次いで、コンタクトホール内にソース電極 244およびドレイン電極 245を形成する。

[0145] 1A— E :次に、ドレイン電極 245と陽極 8とを電気的に接続する配線（中継電極） 27 を形成する。

[0146] まず、第 1層間絶縁層 25上に、第 2層間絶縁層 26を形成した後、コンタクトホールを形成する。

[0147] 次いで、コンタクトホール内に配線 27を形成する。

[0148] 以上のようにして、 TFT回路基板 (第 2の基板） 20が得られる。

[0149] [2A]次に、上基板 (第 1の基板) 9上に陽極 8を形成する。

[0150] この陽極 8は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法および化学的気相成膜 (CVD法）法のような気相成膜法や、スピンコート法 (パイロゾル法）、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法およびインクジェット印刷法のような液相成膜法を用いて形成することができる。

[0151] なお、これらの方法は、陽極 8の構成材料の熱安定性や、溶媒への溶解性等の物理的特性および Zまたは化学的特性を考慮して選択される。

[0152] なお、本実施形態では、上基板 9の全面に、陽極 8を形成することから、マスクを用いる必要がないため、これらの形成には、真空蒸着法等の気相成膜法が好適に用いられる。

[0153] [3A]次に、図 3 (a)に示すように、陽極 8上に、後工程 [12A]で形成する発光層 5 すなわち有機 EL素子 1を形成する領域の外周部に沿って、かつ、その高さの一部が低くなるように第 1の突起 71を形成する。

[0154] 本実施形態では、各第 1の突起 71を、それぞれ、枠状（四角形の環状)をなし、この四角形の 4辺のうちの 1辺 711の高さが他の辺の高さよりも低くなるように形成する。このとき、隣り合う第 1の突起 71同士を一体的に形成する。

[0155] 具体的には、図 2に示すように、太幅の凸条（リブ） 71aを、 x軸方向に沿ってほぼ一定の間隔離間して形成し、この凸条 71aとほぼ直交するように (y軸方向に沿って）、凸条 71aより細幅の凸条（リブ） 71b、 71cを交互に形成する。なお、凸条 71bの高さは、凸条 71aの高さとほぼ等しぐ凸条 71cの高さは、凸条 71aの高さより低く形成する。また、凸条 71bと凸条 71cとは、第 1のピッチと、この第 1のピッチより狭い第 2のピツチとが順に繰り返されるように形成する。

[0156] このような構成により、第 1の突起 71に囲まれる内側の空間（有機 EL素子 1を構成する層の一部を形成する空間） 712の他、各第 1の突起 71の辺 711側の側部には、それぞれ、後工程において上基板 9および陽極 8を貫通して形成される第 1の液体注入部 77と空間 712との双方に連通し、発光材料の供給路の一部として機能する空間 713が形成される。

[0157] なお、第 1の突起 71と後述する第 2の突起 72とを接触させたとき、辺 711と第 2の突起 72との間に形成される間隙 (空間）が、第 2の液体注入部 75を構成する。

[0158] また、空間 712すなわち形成する有機 EL素子 1の形状は、本実施形態のような四角形の他、例えば、円形、楕円形、三角形、六角形等の多角形等、いかなるものであつてもよい。

[0159] なお、第 1の突起 71の開口の形状を多角形とする場合には、角部は丸みを帯びているのが好ましい。これにより、発光材料を、第 1の突起 71の内側の空間の隅々にまで確実に供給することができる。

[0160] このような第 1の突起 71は、陽極 8のほぼ全体に亘つて、絶縁膜を形成した後、パタ一-ングすること等により形成することができる。

[0161] 絶縁膜 (第 1の突起 71)の構成材料は、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、下地層との密着性等を考慮して選択される。

[0162] このような材料としては、例えば、アクリル系榭脂、ポリイミド系榭脂のような有機材料や、 SiOのような無機材料が挙げられる。

2

[0163] 特に、陽極 8が酸ィ匕物材料を主材料として構成される場合には、第 1の突起 71の構成材料としては、 SiOを用いるのが好ましい。これにより、陽極 8と第 1の突起 71との

2

密着性の向上を図ることができる。

[0164] また、撥液性を示す第 1の突起 71は、例えば、フッ素系榭脂を用いて形成することや、第 1の突起 71の表面にフッ素プラズマ処理を施すこと等により得ることができる。

[0165] また、発光層 5および正孔輸送層 6の厚さは、第 1の突起 71の高さを適宜設定することにより容易に制御することができる。

[0166] 具体的には、第 1の突起 71の高さは、形成する発光層 5および正孔輸送層 6の合計の厚さに応じて適宜設定され、特に限定されないが、 20〜300nm程度とするのが好ましい。力かる高さとすることにより、後工程 [7A]において、第 1の突起 71と第 2の突起 72とを接触させることにより得られる突起 7に、スぺーサとしての機能を十分に発揮させることができる。

[0167] [4A]次に、図 3 (b)に示すように、空間 712の内側に露出する陽極 8上に、正孔輸送層 6を形成する。

[0168] この正孔輸送層 6は、前述したような気相成膜法や液相成膜法を用いて形成することができるが、中でも、インクジェット法 (液滴吐出法)を用いて形成するのが好まヽ。インクジェット法を用いることにより、正孔輸送層 6の薄膜化、画素サイズの微小化を図ることができる。また、液状の正孔輸送層形成用材料を、空間 712内に選択的に供給することができるため、正孔輸送層形成用材料のムダを省くことができる。

[0169] 具体的には、正孔輸送層形成用材料を、インクジェットプリント装置のヘッドから吐出し、空間 712内で露出する陽極 8上に供給し、脱溶媒または脱分散媒した後、必要に応じて、 150°C程度で短時間の加熱処理を施す。

[0170] この脱溶媒または脱分散媒は、減圧雰囲気に放置する方法、熱処理 (例えば 50〜 60°C程度)による方法、窒素ガスのような不活性ガスのフローによる方法等が挙げられる。さらに、追加の熱処理（150°C程度で短時間）で行うことにより、残存溶媒を除去する。

[0171] また、用いる正孔輸送層形成用材料は、前述したような正孔輸送材料を溶媒または分散媒に溶解または分散することにより調製される。

[0172] 正孔輸送層形成用材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の各種無機溶媒や、メチルェチルケトン (MEK)、アセトン、ジェチルケトン、メチルイソブチルケトン（MIBK)、メチルイソプロピルケトン（MIPK)、シクロへキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（DEG)、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジェチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、 1, 2—ジメトキシェタン（DME)、 1, 4—ジォキサン、テトラヒドロフラン (THF)、テトラヒドロピラン (THP)、ァ-ノール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールェチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセ口ソルブ、ェチルセ口ソルブ、フエ-ルセ口ソルブ等のセロソルブ系溶媒、へキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロへキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チォフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、 N, N—ジメチルホルムアミド（DMF)、 N, N—ジメチルァセトアミド（DMA)等のァミド系溶媒、ジクロロメタン、クロ口ホルム、 1, 2—ジクロロェタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸ェチル、酢酸メチル、ギ酸ェチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド (DMSO)、スルホラン等の硫黄ィ匕合物系溶媒、ァセトニトリル、プロピオ-トリル、アクリロニトリル等の-トリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロ口酢酸、トリフルォロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。

[0173] なお、空間 712内に供給された正孔輸送層形成用材料として、流動性が高い (粘度が低い)ものを選択した場合、この正孔輸送層形成用材料は、空間 712内で露出する陽極 8上を水平方向（面方向）に広がろうとするが、陽極 8が第 1の突起 71により囲まれているため、所定の領域以外に広がることが阻止され、正孔輸送層 6 (有機 EL 素子 1)の輪郭形状が正確に規定される。

[0174] [5A]次に、図 3 (c)に示すように、 TFT回路基板 (第 2の基板) 20上に、後工程 [1 2A]で形成する発光層 5すなわち有機 EL素子 1を形成する領域の外周部に沿って第 2の突起 72を形成する。

[0175] 本実施形態では、各第 2の突起 72を、それぞれ、枠状（四角形の環状)をなすように形成する。このとき、空間 722に配線 27の上端部が露出するように第 2の突起 72 を形成するとともに、隣り合う第 2の突起 72同士を一体的に形成する。

[0176] 具体的には、図 2に示すように、凸条（リブ） 72aを、 x軸方向に沿ってほぼ一定の間隔離間して形成し、この凸条 72aとほぼ直交するように (y軸方向に沿って）凸条 (リブ ) 72b、 71cを一定の間隔離間して形成する。なお、凸条 72aの高さと凸条 71bの高さとは、ほぼ等しくなるように形成する。

[0177] このような第 2の突起 72は、第 1の突起 71で説明したのと同様にして形成することができる。

[0178] 第 2の突起 72の高さは、形成する陰極 3および電子輸送層 4の合計の厚さに応じて適宜設定され、特に限定されないが、 10〜300nm程度とするのが好ましい。かかる高さとすることにより、後工程 [7A]において、第 1の突起 71と第 2の突起 72とを接触させることにより得られる突起 7に、スぺーサとしての機能を十分に発揮させることができる。

[0179] [6A]次に、図 3 (d)に示すように、空間 722の内側に露出する TFT回路基板 (第 2 の基板） 20上に、陰極 3および電子輸送層 4をこの順で形成する。

[0180] 6A— A:まず、各空間 722の内側に露出する TFT回路基板 20すなわち第 2層間絶縁層 26上に、配線 27に接触するように陰極 (画素電極） 3を形成する。

[0181] この陰極 3は、前述したような気相成膜法や液相成膜法を用いて形成することができるが、中でも、インクジェット法 (液滴吐出法)を用いて陰極形成用材料を供給し、この陰極形成用材料を用いて無電解メツキ法で形成するのが好ま、。かかる方法を用いることにより、陰極 3の薄膜化、画素サイズの微小化を図ることができる。

[0182] 具体的には、以下のようにして陰極 3を形成することができる。

[0183] 6A— AI :まず、各空間 722の内側に露出する TFT回路基板 20上に、触媒を吸着させる。

[0184] 触媒としては、 Ni、 Cu、 Co、 Pd、 Ptのうちの 1種または 2種以上を組み合わせて用いることがでさる。

[0185] このうち、触媒として Pdを用いる場合には、 Sn— Pd等の Pd合金のコロイド液、または塩ィ匕パラジウム等のイオン系 Pd触媒の溶液を、インクジェット法を用いて空間 722 内に選択的に供給することにより、 Pd合金、またはイオン系 Pd触媒を TFT回路基板 20上に吸着させる。その後、触媒に関与しない元素を除去することにより、 Pdを TFT 回路基板 20上に露出させる。 [0186] 例えば、 Sn— Pdコロイド液を用いる場合には、 TFT回路基板 20上にコロイド液に供給した後、酸溶液を供給する。これにより、 Pdに配位している Snが溶解'除去され、 TFT回路基板 20に Pdが露出した状態になる。

[0187] 酸溶液としては、例えば、 HBF等の酸と、ブドウ糖等の還元剤とを含む溶液や、こ

4

れに、さらに硫酸を添加した溶液等を用いることができる。

[0188] 6A— ΑΠ :次に、触媒が吸着した TFT回路基板 20上に、インクジェット法を用いて主として金属塩と還元剤とにより構成されるメツキ液 (陰極形成用材料)を供給し、空間 722内に、金属元素を析出させることより陰極 3を形成する。

[0189] 金属塩としては、例えば、硫酸塩、硝酸塩等が好適に用いられる。

[0190] 還元剤としては、例えば、ヒドラジン、次亜隣酸アンモ-ゥム、次亜燐酸ナトリウム等が挙げられるが、これらの中でも、ヒドラジンおよび次亜隣酸アンモ-ゥムの少なくとも一方を主成分とするものが好ましい。還元剤としてこれらのものを用いることにより、陰極 3の成膜速度が適正なものとなり、陰極 3の膜厚を比較的容易に制御できるようになる。

[0191] メツキ液における金属塩の含有量 (溶媒への金属塩の添加量）は、 l〜50gZL程度であるのが好ましぐ 5〜25gZL程度であるのがより好ましい。金属塩の含有量が少な過ぎると、陰極 3を形成するのに長時間を要するおそれがある。一方、金属塩の含有量を前記上限値を超えて多くしても、それ以上の効果の増大が期待できない。

[0192] また、メツキ液における還元剤の含有量 (溶媒への還元剤の添加量）は、 10〜200 gZL程度であるのが好ましぐ 50〜150gZL程度であるのが好ましい。還元剤の含有量が少な過ぎると、還元剤の種類等によっては、金属イオンの効率のよい還元が困難になるおそれがある。一方、還元剤の含有量を前記上限値を超えて多くしても、それ以上の効果の増大が期待できな!/、。

[0193] このようなメツキ液には、さらに pH調整剤 (pH緩衝剤）を混合 (添加）するのが好ましい。これにより、無電解メツキの進行に伴って、メツキ液の pHが低下するのを防止または抑制することができ、その結果、成膜速度の低下や、陰極 3の組成、性状の変化を効果的に防止することができる。

[0194] この pH調整剤としては、各種のものが挙げられる力アンモニア水、トリメチルアンモ -ゥムハイドライド、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウムおよび硫ィ匕アンモ-ゥムのうちの少なくとも 1種を主成分とするものであるが好ましい。これらのものは、緩衝作用に優れるため、これらのものを pH調整剤として用いることにより、前記効果がより顕著に発揮される。

[0195] 6A—B :次に、各陰極 3上に、それぞれ、電子輸送層 4を形成する。

[0196] この電子輸送層 4も、気相成膜法や液相成膜法を用いて形成することができるが、前記工程 [4A]で説明したのと同様の理由から、インクジェット法 (液滴吐出法)を用

V、て形成するのが好まし!/、。

[0197] また、図 3 (d)に示すように、電子輸送層 4は、第 2の突起 72の上面力も突出しなヽように、第 2の突起 72の高さより若干低くなるように形成するのが好ましい。これにより

、後工程 [12A]において、発光材料を間隙 76内に比較的容易に注入することができる。

[0198] [7A]次に、図 3 (e)に示すように、第 1の突起 71と第 2の突起 72とを、空間 712と空間 722とが対応するように、接触させて突起 7を形成する。これにより、上基板 9 (第 1 の基板)と TFT回路基板 20 (第 2の基板)との間に、空間 712と空間 722とにより構成される間隙 76が形成されるとともに、第 1の突起 71と第 2の突起 72との間において、第 2の液体注入部 75が形成される。

[0199] また、本実施形態では、前述したように第 1の液体注入部 77が空間 713と連通するように形成されることから、各間隙 76に対応して第 2の液体注入部 75、空間 713および第 1の液体注入部 77がこの順で連通することとなり、後工程 [12A]において、発光材料を間隙 76に注入するための供給路が形成されることとなる。

[0200] 第 1の突起 71と第 2の突起 72とを確実に接触させるには、ァライメントマーク（図示せず)を双方の基板に予め形成して、これらのァライメントマーク同士が一致するように位置合わせすることにより、比較的容易に行うことができる。

[0201] なお、第 2の液体注入部 75は、本実施形態のように第 1の突起 71の一部の高さを低くすることにより形成できる他、第 2の突起 72の一部の高さを低くすることにより形成してもよいし、双方の一部の高さを低くすることにより形成してもよい。その他、第 2 の液体注入部 75は、第 1の突起 71および第 2の突起 72のうちのいずれか一方に設けられた貫通孔であってもよ、。

[0202] また、第 2の液体注入部 75の形状は、本実施形態のような四角形の他、例えば、半円形、楕円形、三角形、六角形等の多角形等、いかなるものであってもよい。

[0203] [8A]次に、図 4 (a)に示すように、上基板 9 (第 1の基板)と TFT回路基板 20 (第 2 の基板）とを、これらの縁部において間隙 76を封止する封止部 74を形成することにより接合する。

[0204] 封止部 74は、例えば、アクリル系榭脂、ポリイミド系榭脂、エポキシ系榭脂のような有機材料またはその前駆体を含有する液状の封止部形成用材料を、前述したインクジェット法のような液相成膜法等を用いて封止部 74を形成する領域に供給した後、乾燥させること〖こより形成することができる。

[0205] ここで、上基板 9と TFT回路基板 20との接合は、前記工程 [7A]で説明したように第 1の突起 71と第 2の突起 72とを接触させて突起 7を形成した状態、すなわちスぺーサを介した状態で行われる。これにより、前記工程 [7A]で形成された間隙 76の上基板 9の厚さ方向に対する幅をほぼ一定なものとした状態で、上基板 9と TFT回路基板 20とを接合することができる。

[0206] [9A]次に、上基板 9 (第 1の基板）に、発光層 5を形成する領域と重ならないように、形成する有機 EL素子 1毎にその厚さ方向に向かって孔を設けることにより、第 1の液体注入部 77を形成する。

[0207] 本実施形態では、この液体注入部 77は、空間 713と連通するように形成されることから、各間隙 76に対応して第 2の液体注入部 75、空間 713および第 1の液体注入部 77がこの順で連通することとなり、後工程 [12A]において、発光材料を間隙 76に注入するための供給路が形成されることとなる。

[0208] 第 1の液体注入部 77を形成する方法、すなわち上基板 9の一部を除去して、その厚さ方向に向力つて孔を形成する方法としては、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エツチング法のうちの 1種または 2種以上を組み合わせて用いることができる。

[0209] また、本実施形態では、第 1の液体注入部 77は、上基板 9に孔を設けることにより形成される構成となっている。これにより、所望の位置に第 1の液体注入部 77を形成することができること力、発光材料を目的とする間隙 76の位置に確実に供給 (注入 )し得るよう〖こすることがでさる。

[0210] なお、 TFT回路基板 20が比較的薄く形成されている場合には、この TFT回路基板 20側に孔を設けるようにしてもよ!ヽ。

[0211] また、この孔は、発光層 5を形成する領域すなわち有機 EL素子 1を形成する領域と重ならないように設けられている。これにより、有機 EL素子 1の発光輝度がこの孔が設けられた領域で低下するのを確実に防止することができる。

[0212] なお、本実施形態では、上述したように、上基板 9および TFT回路基板 20を接合した後に孔 (第 1の液体注入部 77)を形成する。力かる構成とすることにより、形成された第 2の液体注入部 75の位置に対応するように第 1の液体注入部 77を確実に形成することができる。すなわち、第 1の液体注入部 77を目的とする領域により精度よく形成することができる。その結果、後工程 [12A]において第 1の液体注入部 77を塞ぐように供給された発光材料をより確実に間隙 76内に注入されることとなる。

[0213] また、孔は、本実施形態で説明したような順で形成されるものの他、例えば、発光層 5以外の層を形成するのに先立って形成されたものであってもよい。これにより、上基板 9に孔を形成する際に生じる熱等の影響が各層におよぶようになるのを確実に防止することができる。

[0214] また、孔は、例えば、発光層 5以外の層を形成した後、上基板 9および TFT回路基板 20を接合するのに先立って形成されたものであってもよい。これにより、上基板 9 に孔を形成する際に生じる除去物が間隙 76内に残存 (付着)するのを確実に防止または抑制することができる。その結果、有機 EL素子 1の特性の低下を確実に防止することがでさる。

[0215] [10A]次に、間隙 76を減圧する。

[0216] 間隙 76を減圧する方法としては、特に限定されないが、例えば、減圧可能なチャンノ（図示せず）内に、前記工程 [1A]〜[9A]を経た上基板 9と TFT回路基板 20との接合体を設置した後に、減圧する方法を用いることができる。

[0217] [11A]次に、図 5 (a)に示すように、間隙 76内を減圧した状態で、第 1の液体注入部 77を塞ぐように、発光材料を供給する。 [0218] ここで、発光材料として、液状または半固形状のものを用いる場合、この発光材料の第 1の液体注入部 77への供給は、前述したような液相成膜法を用いて供給することができるが、中でも、インクジェット法 (液滴吐出法)を用いて供給するのが好まヽ。インクジェット法を用いることにより、前記発光材料を、各第 1の液体注入部 77を選択的に塞ぐように供給することができるため、発光材料のムダを省くことができる。また、複数色の発光層 5を備える有機 EL素子 1を形成する場合には、各色毎の発光材料を第 1の液体注入部 77に容易に供給 (塗り分け)し得ると!、う利点もある。

[0219] また、発光材料として、固形状のものを用いる場合、この発光材料を加熱して溶融状態とすることにより、液状または半固形状の発光材料を用いる場合と同様に、各種液相成膜法を用いて、発光材料を第 1の液体注入部 77に供給することができる。また、これらの方法の他、例えば、第 1の液体注入部 77の横断面よりも大きな塊状の発光材料を、第 1の液体注入部 77に配置することによつても行うことができる。

[0220] なお、溶融状態で第 1の液体注入部 77に供給された発光材料は、次工程 [12A] を行うのに先立って、放熱により固化に至っていてもよいし、溶融状態を維持しているものであってもよい。

[0221] [12A]次に、図 5 (b)に示すように、間隙 76の圧力と大気圧との圧力の差を利用して、発光材料を間隙 76に注入することにより発光層 5を形成する。

[0222] これは、例えば、上基板 9と TFT回路基板 20との接合体が設置されたチャンバ内の圧力を大気圧に復帰させることにより行うことができる。

[0223] すなわち、減圧されたチャンバ内の圧力を大気圧に復帰させると、間隙 76内の圧力は、間隙 76外の圧力に対して低くなる。その結果、図 5 (a)に示すように、間隙 76 内の圧力を大気圧に復帰させる力が働くことから、間隙 76内と間隙 76外とを連通する供給路 (第 1の液体注入部 77、空間 713および第 2の液体注入部 75)において、間隙 76外から間隙 76内への引力が生じることとなる。これにより、第 1の液体注入部 77を塞ぐように供給されている発光材料が間隙 76内に引き込まれ、その結果、発光層 5が形成されることとなる。

[0224] ここで、突起 7は、発光層 5を形成する領域の外周部に沿って形成され、この突起 7 の側面には、第 1の液体注入部 77より注入された発光材料を、空間 713を介して間隙 76内に注入する第 2の液体注入部 75が設けられた構成となっている。これにより、突起 7の内側すなわち間隙 76内に発光材料を注入させることができ、さらに、突起 7 力の発光材料の間隙 76からの流出を防止するバリア層としての機能を発揮することから、発光層 5を各有機 EL素子 1の形状に対応して形成することができる。すなわち、各有機 EL素子 1に対応して個別の発光層 5を形成することができる。

[0225] また、前記工程 [8A]において、上基板 9と TFT回路基板 20とが、突起 (スぺーサ） 7を介することにより、間隙 76の上基板 9の厚さ方向に対する幅をほぼ一定な状態を維持して接合されている。そのため、本工程において、この間隙 76に発光材料を注入することにより、均一な膜厚の発光層 5を得ることができる。

[0226] さらに、発光層 5の厚さは、突起 7の高さを適宜設定することにより、発光材料の粘度等の物理的性質に影響を受けることなく所望の厚さとすることができる。

[0227] 表示装置 10をフルカラーディスプレイとする場合、各色に発光する発光層 5の発光輝度は、均一化される必要が有るが、このような発光輝度の均一化 (調整）は、各色に発光する発光層 5 (有機発光素子 1)毎に電子輸送層 4、発光層 5および正孔輸送層 6の膜厚を設定することにより行うことができる。

[0228] このような各層の膜厚の設定は、本発明のように、まず各有機発光素子 1に共通の大きさの間隙 76を形成し、次いで各色に発光する有機発光素子 1毎に異なる膜厚の発光層 5以外の層を間隙 76内に形成した後、各色に発光する発光材料を注入することにより発光層 5を形成する構成とすることにより、比較的容易に行うことができる。

[0229] 大気圧と間隙 76の圧力との圧力差は、発光材料が間隙 76に注入されるように設定すればよぐ特に限定されるものではないが、 1. 0 X 10— ⁴〜1. 0 X 10¹²Pa程度であるのが好ましぐ 1. O X IO¹ :!. 0 X 10⁵Pa程度であるのがより好ましい。圧力差が、前記下限値未満の場合には、発光材料の粘度によっては、間隙 76内に発光材料を注入できなくなるおそれがある。また、圧力差を、前記上限値を超えて大きくすると、発光材料の他、雰囲気中のガスが間隙 76に注入され、発光材料中に気泡が混入するおそれがあり、好ましくない。

[0230] ここで、第 1の液体注入部 77を塞ぐように供給された発光材料を間隙 76に注入する際に、この発光材料を第 1の液体注入部 77から間隙 76までの前記供給路内を円滑に通過させるためには、発光材料は、液状または半固形状であり、かつ、その粘度が低く設定されて、る必要がある。

[0231] そこで、発光材料として、 I：半固形状のもので、常温でその粘度が高いもの、 II：前記工程 [11A]の後、溶融状態 (半固形状)を維持しているが、その粘度が高いもの、 III：固形状のものを用いる場合には、第 1の液体注入部 77を塞ぐように供給された発光材料を間隙 76に注入するのに先立って、発光材料を加熱する必要がある。これにより、半固形状のものは、その粘度が低下し、また、固形状のものは、溶融した後、半固形状のものと同様に、その粘度が低下する。その結果、その粘度が低下した発光材料は、前記供給路内を円滑に通過して、間隙 76に注入されることとなる。なお、これらの発光材料は、間隙 76に注入後、放熱により固化またはその粘度が上昇して、固形状または半固形状の発光層 5を構成することとなる。

[0232] このような発光材料の加熱は、例えば、上基板 9および TFT回路基板 20のいずれか一方または双方を加熱することにより行うことができる。これにより、固形状または半固形状の発光材料を加熱して、これらの発光材料の粘度を確実に低下させることができる。

[0233] 具体的には、例えば、 TFT回路基板 20の上基板 9と反対の面に図示しない加熱手段 (例えば、ヒーター等)を設けることにより行うことができる。

[0234] なお、発光材料として、液状または粘度が低い半固形状のものを用いた場合には、以上説明したような発光材料の加熱を省略でき、発光材料を間隙 76に注入する際の手間が省けることから、製造コストの削減を図ることができる。なお、これらの発光材料は、間隙 76に注入後も、常温で液状または半固形状の状態を維持することから、液状または半固形状の発光層 5を構成することとなる。

[0235] また、発光材料の粘度が低ぐ前記工程 [11A]において、第 1の液体注入部 77を塞ぐように供給した発光材料を、大気圧と間隙 76の圧力との圧力差を利用することなぐ間隙 76内に注入し得る場合には、前記工程 [10A]および本工程 [12A]を省略して、発光層 5を形成するようにしてもよい。

[0236] なお、発光材料として、低分子の際には常温で液状または半固形状であるが、高分子化することにより固形状となるものを用いる場合には、低分子の状態で発光材料を第 1の液体注入部 77から間隙 76に注入した後に、これらの発光材料を光照射して高分子化することにより、固形状の発光層 5を形成することができる。

[0237] また、力かる発光材料を用いて固形状の発光層 5を形成する場合には、前記発光材料に重合開始剤を添加するのが好まし、。

[0238] 重合開始剤としては、特に限定されないが、例えば、光ラジカル重合開始剤や光力チオン重合開始剤のような光重合開始剤等が挙げられるが、発光材料として、前記ィ匕 4〜前記化 6で表される化合物を用いる場合には、光力チオン重合開始剤を用いるのが好ましい。

[0239] 光力チオン重合開始剤としては、各種の光力チオン重合開始剤を用いることができる力例えば、芳香族スルホ -ゥム塩系、芳香族ョードニゥム塩系、芳香族ジァゾユウム塩系、ピリジゥム塩系および芳香族ホスホ-ゥム塩系等のォ-ゥム塩系の光力チォン重合開始剤や、鉄アレーン錯体およびスルホン酸エステル等の非イオン系の光力チオン重合開始剤を用いることができる。

[0240] 光照射する光としては、例えば、赤外線、可視光線、紫外線および X線等が挙げられ、これらのうちの 1種または 2種以上を組み合わせて用いることができる力中でも、特に、紫外線を用いるのが好ましい。これにより、前記化合物同士の重合反応を容易かつ確実に進行させることができる。

[0241] なお、発光材料は、図 1に示すように、そのほぼ全てが間隙 76内に存在するものであってもよいが、第 2の液体注入部 75や空間 713にその一部が存在しているようなものであってもよい。このような発光材料の存在させる位置および量の選択は、発光材料の供給量および粘度等を調整することにより容易に行うことができる。

[0242] [13A]次に、図 5 (c)に示すように、第 1の液体注入部 77を密封する。

[0243] 第 1の液体注入部 77の密封は、例えば、前記工程 [8A]で説明した、封止部形成用材料を用いて封止部 74を形成するのと同様にして行うことができる。

[0244] 以上のような工程を経て、有機 EL素子 1を複数備える表示装置 10を形成することができる。

[0245] なお、本実施形態では、上基板 (第 1の基板) 9側に陽極 8および正孔輸送層 6を、 TFT回路基板 (第 2の基板) 20側に陰極 3および電子輸送層 4を形成する場合について説明したが、このような場合に限定されず、例えば、上基板 (第 1の基板) 9側に陰極 3および電子輸送層 4を、 TFT回路基板 (第 2の基板) 20側に陽極 8および正孔輸送層 6を形成するようにしてもょヽ。

[0246] また、陽極 8は、本実施形態のように、共通電極とされる場合すなわち一体的に形成される場合の他、陰極 3と同様に各有機 EL素子 1に対応するように個別に形成されるものであってもよい。

[0247] また、本実施形態では、各有機 EL素子 1に対応して個別に発光層 5が形成される場合について説明したが、このような場合に限定されず、例えば、同一の発光色を発光する複数の有機 EL素子 1に共通の発光層 5を形成するようにしてもょ、。

[0248] このような発光層 5は、例えば、隣接する間隙 76双方に発光材料を供給することができるように、共通の発光層 5を形成する有機 EL素子 1に対応する第 1の突起 71の凸条 71bを凸条 71cの高さと同様に形成することにより得ることができる。

[0249] また、本実施形態では、有機半導体層として、電子輸送層 4および正孔輸送層 6の双方を有している力これらの双方を省略してもよいし、これらのうちの何れか一方を省略するようにしてもよヽ。

[0250] <第 2実施形態 >

[0251] 次に、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第 2実施形態について説明する。

[0252] 図 6〜図 8は、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第 2実施形態を示す図であり、図 6は、縦断面図、図 7は、斜視図、図 8は、平面図である。図 9〜： L 1は、図 6〜図 8に示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図である。なお、図 7では、説明の都合上、図 6の表示装置と上下逆に示しており、基板 20および封止部 74の記載を省略している。また、以下の説明では、図 6および図 9〜図 11中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

[0253] 以下、第 2実施形態について、前記第 1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

[0254] 図 6〜図 8に示す表示装置 10は、上基板 9が下地基板 91と榭脂層 92とで構成され、この上基板 9の面上に撥液処理が施されており、さらには、上基板 9が備える第 1の液体注入部 77が第 1の孔 771と、この第 1の孔 771の横断面よりも小さい第 2の孔 77 2とにより構成されている以外は、前記第 1実施形態の表示装置 10と同様である。上基板 9の第 1の液体注入部 77が形成されている周囲には、撥液処理が施されていることから、第 1の液体注入部 77に供給された発光材料を上基板 9上に濡れ広がるのを確実に防止することができ、その結果、発光材料を、第 1の液体注入部 77より間隙 76に確実に注入することができる。また、上側に第 2の孔 772よりもその横断面積が大きい第 1の孔 771を設けることにより、発光材料を第 1の孔 771内に貯留することができる。

[0255] 上基板 9は、前記第 1実施形態と同様に、有機発光素子 1を保護する保護層等として機能するものであり、本実施形態では、下地基板 91と、この下地基板 91上に設けられた榭脂層 92とで構成される。

[0256] 下地基板 91には、各種ガラス材料基板および各種榭脂基板のうち透明なものが選択され、例えば、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料や、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロォレフインポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタタリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような榭脂材料等を主材料として構成される基板を用いることができる。

[0257] また、榭脂層 92の構成材料としては、例えば、ポリイミド系榭脂、ポリエステル系榭脂、ポリアミド系榭脂、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルフォンのようなポリエーテル系榭脂等が挙げられる。これらの中でも、ポリイミド系榭脂は、熱膨張率や熱収縮率が小さいため、榭脂層 92を、ポリイミド系榭脂を主材料として構成することにより、榭脂層 92の熱収縮率を低く抑えることができる。また、表示装置 10の製造方法で説明する工程 [4B]で施す撥液処理により、榭脂層 92の上面に比較的容易に撥液性を付与できると、う利点もある。

[0258] さらに、このような榭脂材料に充填材、繊維を入れて積層したり、前熱処理や架橋度を調整することにより、榭脂層 92の収縮率を低下させて、寸法安定性を向上させることちでさる。

[0259] 下地基板 91の平均厚さは、特に限定されないが、 0. 1〜 30mm程度であるのが好ましぐ 0. 5〜2. Omm程度であるのがより好ましい。また、榭脂層 92の厚さも、特に限定されないが、 1〜： LOO m程度であるのが好ましぐ 10〜30 m程度であるのがより好まし、。

[0260] 次に、上述したような構成の上基板 9を備える本実施形態の表示装置 10の製造方法について詳述する。

[0261] [1B]まず、上基板 (第 1の基板) 9および TFT回路基板 (第 2の基板) 20を用意する。

[0262] 1B—A:まず、下地基板 91を用意し、下地基板 91上に、前述したような榭脂材料またはその前駆体を含有する液状の榭脂層形成用材料を供給 (塗布)して、乾燥することにより固ィ匕 '硬化させて榭脂層 92を形成する。これにより、下地基板 91上に、榭脂層 92が設けられた上基板 (第 1の基板) 9が得られる。

[0263] なお、榭脂層形成用材料の下地基板 91上への供給は、前記工程 [2A]で説明した液相成膜法を用いて行うことができ、榭脂層形成用材料を調製する際に用いる溶媒または分散剤としては、前記工程 [4A]で説明したのと同様のものを用いることができる。

[0264] 1— B:次に、前記工程 1A— B〜1A— Eと同様にすることにより、 TFT回路基板 (第 2の基板） 20を得る。

[0265] [2B]次に、前記工程 [2A]と同様にして、上基板 (第 1の基板) 9の榭脂層 92と反対側の面上に陽極 8を形成する。

[0266] [3B]次に、前記工程 [3A]と同様にして、図 9 (a)に示すように、陽極 8上に、後ェ程 [13B]で形成する発光層 5すなわち有機 EL素子 1を形成する領域の外周部に沿つて、かつ、その高さの一部が低くなるように第 1の突起 71を形成する。

[0267] [4B]次に、図 9 (b)に示すように、上基板 (第 1の基板） 9の榭脂層 92側の面上に、撥液処理を施す。

[0268] この撥液処理としては、例えば、榭脂層 92の上面に対して、撥液性を有する材料を供給することにより撥液膜を形成する方法、フッ素プラズマを照射するフッ素プラズマ処理法等を用いることができる力これらの中でも、フッ素プラズマ処理法を用いるのが好ましい。

[0269] このフッ素プラズマ処理法は、フッ素プラズマを発生させる放電領域にフッ素を含有するガスを導入し、この放電領域で生じたフッ素プラズマを、榭脂層 92の上面に入射させることで、このフッ素プラズマが入射された領域に撥液性を付与するものである

[0270] 力かる処理法によれば、榭脂層 92の上面をほぼ全体に亘つて均一にフッ化すること、すなわち、榭脂層 92の上面に均一に (ムラなく)撥液性を付与することができる。

[0271] フッ素原子を含有するガス種としては、例えば、四フッ化メタン (CF )、四フッ化工

4

チレン (C F )、六フッ化プロピレン（C F )、八フッ化ブチレン (C F )等が挙げられ、

2 4 3 6 4 8 これらの中でも、特に四フッ化メタンを主成分とするものが好ましい。

[0272] フッ素原子を含有するガスの流量は、 10〜500sccm程度であるのが好ましぐ 50 〜400sccm程度であるのがより好まし!/ヽ。

[0273] RFパワーは、 0. 005〜0. 2WZcm²程度であるのが好ましぐ 0. 05〜0. lW/c m²程度であるのがより好ましい。

[0274] なお、この際の圧力は、大気圧下であるのが好ましい。これにより、チャンバや減圧手段等の使用を不要にでき、低エネルギー、低コストで処理することができる。

[0275] なお、撥液処理は、本実施形態のように、榭脂層 92のほぼ全面に亘つて施すものであってもよいし、次工程 [5B]において形成される第 1の液体注入部 77 (第 1の孔 7 71)が設けられる領域を取り囲むように局所的に施すものであってもよい。撥液処理を力かる領域に施すようにした場合においても、上基板 9の上面すなわち榭脂層 92 の上面の少なくとも第 1の液体注入部 77を取り囲む領域に確実に撥液性を付与することができる。

[0276] [5B]次に、上基板 9 (第 1の基板）に、発光層 5を形成する領域と重ならないように、形成する有機 EL素子 1毎にその厚さ方向に向カゝつて第 1の液体注入部 77を形成する。

[0277] 本実施形態では、図 8および図 10に示すように、この第 1の液体注入部 77は、第 1 の孔 771と第 2の孔 772とにより構成されている。第 2の孔 772の横断面は、第 1の孔 771の横断面よりも小さぐ第 2の孔 772は第 1の孔 771と後工程 [9B]で形成される空間 713とを連結する。第 1の液体注入部 77を力かる構成のものとすることにより、後工程 [12B]において、第 1の液体注入部 77を塞ぐように供給された発光材料を、第 1の孔 771内で保持 (貯留)することができる。

[0278] なお、第 1の孔 771および第 2の孔 772は、本実施形態では、図 8に示すように、その横断面が円形となっているが、このような形状に限定されず、例えば、楕円形、三角形、四角形、六角形等の多角形等、いかなるものであってもよい。

[0279] このような第 1の液体注入部 77を形成する方法としては、特に限定されないが、例えば、次のようにして行うことができる。

[0280] まず、図 9 (c)に示すように、上基板 9の厚さ方向に向力つて榭脂層 92および下地基板 91の一部を除去して、後に形成する第 1の孔 771の横断面よりも小さくなるように第 2の孔 772を形成する。なお、本実施形態では、この第 2の孔 772が空間 713と連通するように形成される。

[0281] 次に、図 9 (d)に示すように、先に形成した第 2の孔 772と連通するように、上基板 9 の厚さ方向に向力つて榭脂層 92の一部を除去して、第 2の孔 772の横断面よりも大きい第 1の孔 771を形成する。これにより、第 1の孔 771と第 2の孔 772とで構成される第 1の液体注入部 77を得ることができる。

[0282] なお、比較的多くの発光材料を第 1の孔 771内に保持する必要がある場合、第 1の孔 771は、榭脂層 92の他、第 2の孔 772が残存するように下地基板 91の一部を上基板 9の厚さ方向に向力つて除去することにより形成したものであってもよい。

[0283] 第 1の孔 771および第 2の孔 772を形成する方法すなわち下地基板 91および榭脂層 92の一部を除去する方法としては、例えば、前記工程 [9A]で説明した物理的ェツチング法のうちの 1種または 2種以上を組み合わせて用いることができる。

[0284] また、第 1の液体注入部 77の内側には、親液処理を施すようにしてもよい。これにより、第 1の液体注入部 77 (特に、第 1の孔 771)の内側の親液性を向上させることができること力、後工程 [12B]において、第 1の液体注入部 77を塞ぐように供給された発光材料を、第 1の孔 771内に確実に保持することができる。

[0285] この親液処理としては、例えば、第 1の液体注入部 77の内側に対して、酸素含有雰囲気中で紫外線および Zまたは赤外線を照射する方法、酸素プラズマを照射する酸素プラズマ処理法を用いることができる力これらの中でも、酸素プラズマ処理法を用いるのが好ましい。 [0286] この酸素プラズマ処理法は、酸素プラズマを発生させる放電領域に酸素を含有するガスを導入し、この放電領域で生じた酸素プラズマを、第 1の液体注入部 77の内側に入射させることで、親液性を付与するものである。

[0287] 力かる処理法によれば、第 1の液体注入部 77の内側に、特に、第 1の孔 771の内側に、容易かつ確実に親液性を付与することができる。

[0288] また、酸素ガスを含有するガスとしては、典型的には、純酸素ガスが用いられるが、酸素ガスとフッ化炭素ガス (例えば、四フッ化メタンガス）との混合ガスを用いるのが好ましい。これにより、酸素プラズマが維持される時間が長くなり、第 1の液体注入部 77 の内側まで酸素プラズマの状態で確実に到達させることができる。

[0289] この混合ガス中の酸素ガス濃度 (含有率）は、 60〜90vol%程度であるのが好ましく、 65〜80vol%程度であるのがより好ましい。

[0290] 酸素ガスの濃度を前記範囲内とすることにより、酸素プラズマを、第 1の液体注入部

77の内側までより効率よく到達させることができる。

[0291] 酸素ガスを含有するガスの流量は、 10〜500sccm程度であるのが好ましぐ 50〜

400sccm程度であるのがより好まし!/ヽ。

[0292] また、 RFパワーは、 0. 005〜0. 2WZcm²程度であるのが好ましぐ 0. 05〜0. 1

WZcm²程度であるのがより好まし、。

[0293] この際の圧力は、大気圧下であるのが好ましい。これにより、チャンバや減圧手段等の使用を不要にでき、低エネルギー、低コストで処理することができる。

[0294] なお、この第 1の液体注入部 77は、発光層 5を形成する領域すなわち有機 EL素子

1を形成する領域と重ならないように設けられている。これにより、有機 EL素子 1の発光輝度がこの第 1の液体注入部 77が設けられた領域で低下するのを確実に防止することがでさる。

[0295] また、本実施形態では、上述したように、発光層 5以外の電子輸送層 4ゃ正孔輸送層 6を形成するのに先立って第 1の液体注入部 77を形成する。カゝかる構成とすることにより、上基板 9に第 1の液体注入部 77を形成する際に生じる熱等の影響が各層におよぶようになるのを確実に防止することができる。

[0296] また、孔 (第 1の液体注入部 77)は、本実施形態で説明したような工程において形成されるものの他、例えば、上基板 9および TFT回路基板 20を接合した後に形成されたものであってもよい。これにより、後工程 [9B]において形成される液体注入部の位置に対応するように孔を確実に形成することができる。すなわち、孔を目的とする領域により精度よく形成することができる。その結果、後工程 [13B]において第 1の液体注入部 77を塞ぐように供給された発光材料をより確実に間隙内に注入することができる。

[0297] また、孔は、例えば、発光層以外の層を形成した後、上基板 9および TFT回路基板 20を接合するのに先立って形成されたものであってもよい。これにより、上基板 9に孔を形成する際に生じる除去物が間隙 76内に残存 (付着)するのを確実に防止または抑制することができる。有機 EL素子 1の特性の低下を確実に防止することができる

[0298] なお、 TFT回路基板 20が比較的薄く形成されている場合には、 TFT回路基板 20 側にこのような孔を設けるようにしてもよ!、。

[0299] また、第 1の液体注入部 77は、本実施形態のように、第 1の孔 771と第 2の孔 772とにより構成されるものの他、例えば、第 1の孔 771の形成を省略したもの、すなわち、図 9 (c)に示したような、第 2の孔 772のような構成のものであってもよい。なお、この場合、榭脂層 92の上面のうち、省略した第 1の孔 771に対応する領域に親液処理を施し、その領域を取り囲むように撥液処理を施すようにすればょ、。

[0300] [6B]次に、前記工程 [4A]と同様にして、図 9 (e)に示すように、空間 712の内側に露出する陽極 8上に、正孔輸送層 6を形成する。

[0301] [7B]次に、前記工程 [5A]と同様にして、図 10 (a)に示すように、 TFT回路基板（第 2の基板) 20上に、後工程 [13B]で形成する発光層 5すなわち有機 EL素子 1を形成する領域の外周部に沿って第 2の突起 72を形成する。

[0302] [8B]次に、前記工程 [6A]と同様にして、図 10 (b)に示すように、空間 722の内側に露出する TFT回路基板 (第 2の基板) 20上に、陰極 3および電子輸送層 4をこの順で形成する。

[0303] [9B]次に、前記工程 [7A]と同様にして、図 10 (c)に示すように、第 1の突起 71と第 2の突起 72とを、空間 712と空間 722とが対応するように、接触させて突起 7を形成する。これにより、上基板 9 (第 1の基板)と TFT回路基板 20 (第 2の基板)との間に、空間 712と空間 722とにより構成される間隙 76が形成されるとともに、第 1の突起 7 1と第 2の突起 72との間において、第 2の液体注入部 75が形成される。

[0304] [10B]次に、前記工程 [8A]と同様にして、図 10 (d)に示すように、上基板 9 (第 1 の基板)と TFT回路基板 20 (第 2の基板)とを、これらの縁部にぉヽて間隙 76を封止する封止部 74を形成することにより接合する。

[0305] [11B]次に、前記工程 [10A]と同様にして、間隙 76を減圧する。

[12B]次に、前記工程 [11A]と同様にして、図 11 (a)に示すように、間隙 76内を減圧した状態で、第 1の液体注入部 77を塞ぐように、発光材料を供給する。

[0306] なお、本実施形態では、前述したように、第 1の液体注入部 77は、第 1の孔 771と、第 1の孔 771と空間 713とを連結し、第 1の孔 771の横断面よりも小さい第 2の孔 772 とにより構成されている。そのため、各第 1の液体注入部 77を塞ぐように供給された液体または半固形状の発光材料を、第 1の孔 771内に、確実に保持 (貯留)することができる。

[0307] また、図 11 (a)に示すように、第 1の孔 771を満たすように前記発光材料が供給されたとしても、本発明の有機発光装置の製造方法では、上基板 (第 1の基板) 9の上面、すなわち、本実施形態では、榭脂層 92の上面に撥液処理が施されていることから、榭脂層 92の前記発光材料に対する撥液性は、第 1の孔 771の内面の撥液性よりも高くなつている。そのため、前記発光材料が榭脂層 92の上面に移行することが阻止される。これにより、隣接する第 1の液体注入部 77に供給された前記発光材料同士が榭脂層 92上で混ざり合うようになるのを確実に防止して、前記発光材料を、第 1 の孔 771が形成された領域内に、確実に保持 (貯留)することができる。その結果、次工程 [13B]おいて、前記発光材料を間隙 76内に確実に移行 (注入)させることができる。このような構成は、隣接する有機 EL素子 1同士間で異なる発光色の発光材料を供給する際に特に有効である。

[0308] さらに、第 1の孔 771が設けられていることにより、発光材料の液滴が第 2の孔 772 力離れた位置に供給されたとしても、この第 1の孔 771により前記液滴が濡れ広がるのを規制して、第 2の孔 772を塞ぐように第 1の孔 771内で発光材料を貯留することができる。その結果、次工程 [13B]において、榭脂層 92上に発光材料を残存させることなぐ発光材料を間隙 76に注入できることから、発光材料の注入効率の向上を図ることがでさる。

[0309] また、この榭脂層 92の上面と第 1の孔 771 (第 1の液体注入部 77)の内面との撥液性の程度の違いは、各種の指標により表すことができるが、接触角を用いて好適に表すことができる。

[0310] 具体的には、榭脂層 92の上面に対する前記発光材料の接触角を A[° ]とし、第 1 の孔 771の内面に対する前記発光材料の接触角を B[° ]としたとき、 A— B≥15° なる関係を満足するのが好ましぐ A— B≥30° なる関係を満足するのがより好ましい。このような関係を満足することにより、榭脂層 92 (第 1の孔 771)の厚さよりも厚くなるように、すなわち第 1の孔 771を満たすように、発光材料が供給されたとしても、榭脂層 92の上面への拡散 (移行)することをより確実に阻止することができる。

[0311] また、発光材料として、固形状のものを用いる場合、この発光材料を加熱して溶融状態とすることにより、液状または半固形状の発光材料を用いる場合と同様に、各種液相成膜法を用いて、溶融状態の発光材料を第 1の液体注入部 77に供給することができる。また、これらの方法の他、例えば、第 2の孔 772の横断面よりも大きな塊状の発光材料を、第 1の液体注入部 77 (第 1の孔 771内）に配置することによつても行うことができる。

[0312] なお、溶融状態で第 1の液体注入部 77に供給された発光材料は、次工程 [13B] を行うのに先立って、放熱により固化に至っていてもよいし、溶融状態を維持しているものであってもよい。

[0313] [13B]次に、前記工程 [12A]と同様にして、図 11 (b)に示すように、間隙 76の圧力と大気圧との圧力の差を利用して、発光材料を間隙 76に注入することにより発光層 5を形成する。

[0314] [14B]次に、前記工程 [13A]と同様にして、図 11 (c)に示すように、第 1の液体注入部 77を密封する。

[0315] 以上のような工程を経て、上基板 9の面上に撥液処理が施された表示装置 10を形成することができる。 [0316] なお、間隙 76に比較的多くの発光材料を注入する必要がある際には、本実施形態のように、 1つの間隙 76に対応して 1つの第 1の液体注入部 77を設ける場合に限定することなく、 1つの間隙 76に対応して複数個の第 1の液体注入部 77を設けるようにしてちよい。

[0317] <第 3実施形態 >

[0318] 次に、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第 3実施形態について説明する。

[0319] 図 12は、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第 3 実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図 12中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

[0320] 以下、第 3実施形態について、前記第 1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

[0321] 図 12に示す表示装置 10は、突起 7に代えて粒子 78がスぺーサとして用いられ、発光層 5がー体的にすなわち全ての有機 EL素子 1に対して共通に設けられて、る以外は、前記第 1実施形態の表示装置 10と同様である。スぺーサとして粒子 78を用いた場合においても、突起 7を用いた場合と同様に、空隙の厚さの制御を容易かつ確実に行うことができる。

[0322] このように本実施形態の表示装置 10では、発光層 5がー体的に形成されることから、単色発光型の有機発光装置を製造する場合に適用することができる。

[0323] なお、本実施形態では、封止部 74が発光材料の有機 EL素子 1外への流出を防止するバリア層としての機能を発揮する。

[0324] このような本実施形態の表示装置 10は、前記第 1実施形態の表示装置 10で説明した製造方法を、以下のように変更することにより製造することができる。

[0325] まず、前記工程 [4A]における第 1の突起 71の形成と、前記工程 [5A]における第 2の突起 72の形成とを省略する。

[0326] 次に、前記工程 [7A]において、上基板 9と TFT回路基板 20との間の空隙を形成する際に、正孔輸送層 6と電子輸送層 4との間に粒子 78を介在 (配設）させる。これにより、スぺーサとしての機能を粒子 78に発揮させることができ、形成される空隙の上基板 9の厚さ方向に対する幅をほぼ一定なものとすることができる。

[0327] 粒子 78の平均粒径は、発光層 5の厚さに応じて適宜設定され、特に限定されない力 10〜150nm程度とするのが好ましい。これにより、粒子 78に、目的とする発光層

5の厚さを得ることができるスぺーサとしての機能を確実に発揮させることができる。

[0328] このような粒子 78の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、第 1の突起 7

1の構成材料で説明したのと同様のものを用いるのが好ましい。これにより、発光層 5 の発光効率が低減するのを好適に抑制することができる。

[0329] そして、前記工程 [12A]において、間隙の圧力と大気圧との圧力の差を利用して、発光材料を間隙のほぼ全体に亘つて注入することにより、発光層 5を一体的に形成することができる。

[0330] なお、発光材料を第 1の液体注入部 77から注入するのに代えて、空間 713の側方力も注入するようにしてもよい。これにより、第 1の液体注入部 77の形成が省略でき、工程数の削減を図ることができる。

[0331] <電子機器 >

このような表示装置 (本発明の有機発光装置） 10は、各種の電子機器に組み込むことができる。

[0332] 図 13は、本発明の電子機器を適用したモパイル型 (またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。

[0333] この図において、パーソナルコンピュータ 1100は、キーボード 1102を備えた本体部 1104と、表示部を備える表示ユニット 1106とにより構成され、表示ユニット 1106 は、本体部 1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。

[0334] このパーソナルコンピュータ 1100において、表示ユニット 1106が備える表示部が前述の表示装置 10で構成されてヽる。

[0335] 図 14は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機 (PHSも含む)の構成を示す斜視図である。

[0336] この図において、携帯電話機 1200は、複数の操作ボタン 1202、受話ロ 1204および送話口 1206とともに、表示部を備えている。

[0337] 携帯電話機 1200において、この表示部が前述の表示装置 10で構成されている。 [0338] 図 15は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。

[0339] ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ 1300は、被写体の光像を CCD (Charge Coupled Device) などの撮像素子により光電変換して撮像信号 (画像信号)を生成する。

[0340] ディジタルスチルカメラ 1300におけるケース（ボディー） 1302の背面には、表示部が設けられ、 CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。

[0341] ディジタルスチルカメラ 1300において、この表示部が前述の表示装置 10で構成されている。

[0342] ケースの内部には、回路基板 1308が設置されている。この回路基板 1308は、撮像信号を格納 (記憶）し得るメモリが設置されて、る。

[0343] また、ケース 1302の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ (撮像光学系）や CCDなどを含む受光ユニット 1304が設けられている。

[0344] 撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャツタボタン 1306を押下すると、その時点における CCDの撮像信号力回路基板 1308のメモリに転送'格納される。

[0345] また、このディジタルスチルカメラ 1300においては、ケース 1302の側面に、ビデオ信号出力端子 1312と、データ通信用の入出力端子 1314とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子 1312にはテレビモニタ 1430が、デ―タ通信用の入出力端子 1314にはパーソナルコンピュータ 1440が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板 1308のメモリに格納された撮像信号力テレビモニタ 1430や、パーソナルコンピュータ 1440に出力される構成になつている。

[0346] なお、本発明の電子機器は、図 13のパーソナルコンピュータ（モパイル型パーソナルコンピュータ）、図 14の携帯電話機、図 15のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーシヨン装置、ページャ、電子手帳 (通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、 POS端末、タツチパネルを備えた機器 (例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器 (例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置)、魚群探知機、各種測定機器、計器類 (例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシユミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクタ一等の投射型表示装置等に適用することができる。

[0347] 以上、本発明の有機発光装置の製造方法、有機発光装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明した力本発明はこれらに限定されるものでない。

[0348] 例えば、本発明の有機発光装置の製造方法は、任意の目的の工程が 1または 2以上追加されていてもよい。

[0349] また、本発明の有機発光装置は、各前記実施形態のうち任意の 2以上の構成 (特徴)を組み合わせたものであってもよ、。

[0350] さらに、本発明の有機発光装置の各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。実施例

[0351] 次に、本発明の具体的実施例について説明する。

[0352] (実施例 1)

< 1A> まず、平均厚さ 0. 5mmのポリアミド基板と、平均厚さ 5mmの透明なガラス基板を用意した。そして、このガラス基板上に、前述したようにして回路部を形成した。

[0353] < 2A> 次に、このポリアミド基板上に、真空蒸着法により、平均厚さ 150nmの IT O膜を形成して陽極を得た。

[0354] < 3A> 次に、陽極を覆うように、ポリイミド (絶縁性の感光性榭脂）塗布した後、発光層を形成する領域の外周部に沿って、かつ、その高さの一部が低くなるように、塗布したポリイミドを露光することにより、図 2に示すような第 1の突起を形成した。

[0355] また、このとき、ァライメントマークを形成した。

[0356] <4A> 次に、第 1の突起の内側の陽極上に、インクジェット法により、 TPD1のキシレン溶液を供給した後、乾燥して、平均厚さ 50nmの正孔輸送層を形成した。

[0357] < 5A> 次に、ガラス基板に設けられた回路部を覆うように、ポリイミド (絶縁性の感光性榭脂)塗布した後、発光層を形成する領域の外周部に沿うように、塗布したポリイミドを露光することにより、図 2に示すような第 2の突起を形成した。

[0358] < 6A> 次に、第 2の突起の内側の回路部上に、無電解メツキ法により、平均厚さ

50nmの Cu層を形成して、陰極を得た。

[0359] < 7A> 次に、第 2の突起の内側の陰極上に、インクジェット法により、 8—ヒドロキシキノリンアルミニウム (Alq )のポリマー錯体のキシレン溶液を供給した後、乾燥し

3

て、平均厚さ 50nmの電子輸送層を形成した。

[0360] また、このとき、ァライメントマークを形成した。

[0361] < 8A> 次に、図 3 (e)に示すようにして、第 1の突起と第 2の突起とを接触させて突起を形成した。これにより、発光材料を注入する間隙と第 2の液体注入部とを形成した。

[0362] < 9A> 次に、図 4 (a)に示すように、ガラス基板とポリアミド基板の縁部において間隙をエポキシ系の接着剤により封止して、これら基板同士を接合した。

[0363] < 10A> 次に、図 4 (b)に示すように、すなわち、発光層が形成される領域と重ならないように、各有機 EL素子に対応して、プラズマエッチング法によりポリアミド基板にその厚さ方向に向力つて孔を設けた。

[0364] < 11A> 次に、前記工程く 1A>〜< 10A>を経て得られたガラス基板とポリアミド基板との接合体をチャンバ内に設置した後、減圧した。

[0365] なお、このときのチャンバ内の圧力は、 10²Paとした。

[0366] < 12A> 次に、各有機 EL素子に対応するようにポリアミド基板に設けられた孔毎に、これらの孔を塞ぐように、各有機 EL素子に発光させる発光色の発光材料をインクジェット法によりを供給した。

[0367] なお、青色の光を発光させる有機 EL素子には、青色の発光材料として、 F (MB) 5 を、緑色の光を発光させる有機 EL素子には、緑色の発光材料として、 OF— 1を、赤色の光を発光させる有機 EL素子には、赤色の発光材料として、 OF— 2を、それぞれ用いた。 [0368] < 13A> 次に、ヒーターを用いて、ポリアミド基板を 120°Cに加熱して各発光材料の粘度を低下させた後、チャンバ内の圧力を大気圧に復帰させることにより、ポリアミド基板上の各孔を塞ぐように供給された発光材料を、図 5 (b)に示すように空隙に注入することにより平均厚さ 50nmの発光層を形成した。

[0369] < 14A> 次に、ポリアミド基板に設けられた孔をエポキシ系の接着剤により密封した。

[0370] 以上のような工程を経て表示装置を形成した。

[0371] (実施例 2)

< 1B> まず、平均厚さ 0. 5mmの透明な第 1のガラス基板と、平均厚さ 0. 5mm の第 2のガラス基板を用意した。

[0372] そして、第 1のガラス基板上に、ポリイミド (絶縁性の感光性榭脂)塗布した後、露光することにより、平均厚さ 10 mのポリイミド層を形成した。

[0373] また、第 2のガラス基板上に、前述したようにして回路部を形成した。

[0374] < 2B> 次に、第 1のガラス基板の、ポリイミド層を形成していない面に真空蒸着法により、平均厚さ 150nmの ITO膜を形成して陽極を得た。

[0375] < 3B> 次に、陽極を覆うように、ポリイミド (絶縁性の感光性榭脂）塗布した後、発光層を形成する領域の外周部に沿って、かつ、その高さの一部が低くなるように、塗布したポリイミドを露光することにより、図 7に示すような第 1の突起を形成した。

[0376] また、このとき、ァライメントマークを形成した。

[0377] <4B> 次に、図 9 (b)に示すように、第 1のガラス基板のポリイミド層側の面に、撥液処理を施した。

[0378] なお、撥液処理 (フッ素プラズマ処理)の各種条件は、以下のとおりである。

[0379] ·フッ素を含有するガス：四フッ化メタンガス

•ガス流量：350sccm

•RFパワー：0. 05W/cm²

•フッ素プラズマの照射時間： 30秒

< 5B> 次に、図 9 (d)に示すように、すなわち、発光層が形成される領域と重ならなヽように、プラズマエッチング法によりポリイミド層が形成された第 1のガラス基板にその厚さ方向に向力つて第 1の孔とこの第 1の孔よりも横断面が小さい第 2の孔とを備える子しを設けた。

[0380] < 6B> 次に、第 1の突起の内側の陽極上に、インクジェット法により、 TPD1のキシレン溶液を供給した後、乾燥して、平均厚さ 50nmの正孔輸送層を形成した。

[0381] < 7B> 次に、第 2のガラス基板に設けられた回路部を覆うように、ポリイミド (絶縁性の感光性榭脂)塗布した後、発光層を形成する領域の外周部に沿うように、塗布したポリイミドを露光することにより、図 7に示すような第 2の突起を形成した。

[0382] < 8B> 次に、第 2の突起の内側の回路部上に、無電解メツキ法により、平均厚さ 50nmの Cu層を形成して、陰極を得た。

[0383] < 9B> 次に、第 2の突起の内側の陰極上に、インクジェット法により、 8—ヒドロキシキノリンアルミニウム (Alq )のポリマー錯体のキシレン溶液を供給した後、乾燥し

3

て、平均厚さ 50nmの電子輸送層を形成した。

[0384] また、このとき、ァライメントマークを形成した。

[0385] < 10B> 次に、図 10 (c)に示すようにして、第 1の突起と第 2の突起とを接触させて突起を形成した。これにより、発光材料を注入する間隙と液体注入部とを形成した

[0386] < 11B> 次に、第 1のガラス基板と第 2の基板の縁部において間隙をエポキシ系の接着剤により封止して、これら基板同士を接合した。

[0387] < 12B> 次に、前記工程く 1B>〜< 11B>を経て得られた第 1のガラス基板と第 2のガラス基板との接合体をチャンバ内に設置した後、減圧した。

[0388] なお、このときのチャンバ内の圧力は、 10²Paとした。

[0389] < 13B> 次に、各有機 EL素子に対応するように第 1のガラス基板側に設けられた孔毎に、これらの孔を塞ぐように、各有機 EL素子に発光させる発光色の発光材料をインクジェット法により供給した。

[0390] なお、青色の光を発光させる有機 EL素子には、青色の発光材料として、 F (MB) 5 を、緑色の光を発光させる有機 EL素子には、緑色の発光材料として、 OF— 1を、赤色の光を発光させる有機 EL素子には、赤色の発光材料として、 OF— 2を、それぞれ用いた。 [0391] < 14B> 次に、ヒーターを用いて、第 1のガラス基板を 120°Cに加熱して各発光材料の粘度を低下させた後、チャンバ内の圧力を大気圧に復帰させることにより、第 1のガラス基板側の各孔を塞ぐように供給された発光材料を、図 11 (b)に示すように空隙〖こ注入することにより平均厚さ 50nmの発光層を形成した。

[0392] < 15B> 次に、第 1のガラス基板側に設けられた孔をエポキシ系の接着剤により密封した。

[0393] これらの実施例 1および実施例 2の表示装置について、陽極と陰極との間に 6Vの電圧を印カロして、電流密度 (mAZcm²)、発光輝度 (cdZm²)、最大発光効率 (lm /W)を測定するとともに、発光輝度が初期値の半分になる時間（半減期）を測定したが、いずれの表示装置についても、各測定値は優れた結果を示した。

産業上の利用可能性

[0394] 本発明によれば、第 1の基板および第 2の基板を用意し、前記第 1の基板および Z または前記第 2の基板の内面側に前記発光層以外の層を液相成膜法または気相成膜法により形成した後、前記第 1の基板および前記第 2の基板をそれらの間に間隙が形成されるように接合し、次いで、第 1の液体注入部より前記発光材料を前記間隙に注入して前記発光層を形成することにより製造される。かかる有機発光装置の製造方法を用いて有機発光装置を製造することにより、発光層を、固形状の発光材料で構成する場合のみならず、液状または半固形状の発光材料で構成することができるため、発光層に用いる発光材料の選択の幅が広がるという利点が得られる。また、かかる有機発光装置の製造方法により製造された有機発光装置を備える電子機器は、信頼性の高いものとなる。したがって、産業上の利用可能性を有する。

Claims

請求の範囲

[1] 第 1の基板と第 2の基板とに挟持された有機発光素子を構成する複数の層のうち、発光層以外の層を液相成膜法または気相成膜法により形成し、発光材料で構成される前記発光層を他の方法により形成することにより積層構造の前記有機発光素子を形成する有機発光装置の製造方法であって、

次いで、第 1の液体注入部より前記発光材料を前記間隙に注入して前記発光層を形成することを特徴とする有機発光装置の製造方法。

[2] 前記第 1の液体注入部は、前記第 1の基板または前記第 2の基板に形成された孔である請求の範囲第 1項に記載の有機発光装置の製造方法。

[3] 前記孔は、前記発光層を形成する領域と重ならな、ように設けられて、る請求の範囲第 2項に記載の有機発光装置の製造方法。

[4] 前記孔は、その周囲に撥液処理が施されている請求の範囲第 2項に記載の有機発光装置の製造方法。

[5] 前記第 1の基板または前記第 2の基板の前記孔を形成する領域を包含する領域に撥液処理を施した後、前記孔を形成する請求の範囲第 2項に記載の有機発光装置の製造方法。

[6] 前記孔の内側には、親液処理が施されている請求の範囲第 2項に記載の有機発光装置の製造方法。

[7] 前記孔は、第 1の孔と、前記間隙側で前記第 1の孔に連通し、前記第 1の孔の横断面よりも小さい第 2の孔とにより構成される請求の範囲第 2項に記載の有機発光装置の製造方法。

[8] 前記発光材料は、前記第 1の孔を満たすように供給される請求の範囲第 7項に記載の有機発光装置の製造方法。

[9] 前記第 1の基板または前記第 2の基板の前記撥液処理が施された領域における前記発光材料の接触角を A[° ]とし、前記第 1の孔における前記発光材料の接触角を B[° ]としたとき、 A— B≥15° なる関係を満足する請求の範囲第 8項に記載の有機発光装置の製造方法。

[10] 前記孔を形成した後、前記発光層以外の層を形成する請求の範囲第 2項に記載の有機発光装置の製造方法。

[11] 前記発光層以外の層を形成した後、前記第 1の基板および前記第 2の基板を接合する前に前記孔を形成する請求の範囲第 2項に記載の有機発光装置の製造方法。

[12] 前記第 1の基板および前記第 2の基板を接合した後に前記孔を形成する請求の範囲第 2項に記載の有機発光装置の製造方法。

[13] 前記間隙は、スぺーサによって形成される請求の範囲第 1項に記載の有機発光装置の製造方法。

[14] 前記スぺーサは、前記発光層を形成する領域の外周部に沿って形成された突起で構成され、

該突起には、前記第 1の液体注入部より注入された前記発光材料を前記間隙に注入する第 2の液体注入部が設けられている請求の範囲第 13項に記載の有機発光装置の製造方法。

[15] 前記突起は、前記第 1の基板側に設けられた第 1の突起と、前記第 2の基板側に設けられた第 2の突起とを接触させることにより形成され、

前記第 2の液体注入部は、前記第 1の突起の一部の高さおよび Zまたは前記第 2 の突起の一部の高さを低くし、前記第 1の突起と前記第 2の突起とを接触させることにより得られたものである請求の範囲第 14項に記載の有機発光装置の製造方法。

[16] 前記突起は、前記第 1の基板側に設けられた第 1の突起と、前記第 2の基板側に設けられた第 2の突起とを接触させることにより形成され、

前記第 2の液体注入部は、前記第 1の突起および前記第 2の突起のうちのいずれか一方に設けられた貫通孔である請求の範囲第 14項に記載の有機発光装置の製造方法。

[17] 前記スぺーサは、粒子で構成される請求の範囲第 13項に記載の有機発光装置の製造方法。 [18] 前記粒子は、前記間隙に配設されている請求の範囲第 17項に記載の有機発光装置の製造方法。

[19] インクジェット法を用いて、前記発光材料を前記第 1の液体注入部に供給する請求の範囲第 1項に記載の有機発光装置の製造方法。

[20] 前記間隙の雰囲気を減圧し、前記第 1の液体注入部を塞ぐように前記発光材料を供給した後、前記間隙の圧力と大気圧との圧力の差を利用して、前記発光材料を前記間隙に注入する請求の範囲第 1項に記載の有機発光装置の製造方法。

[21] 前記大気圧と前記間隙との圧力差は、 1. O X 10— ⁴〜1. O X 10¹²Pa程度である請求の範囲第 20項に記載の有機発光装置の製造方法。

[22] 前記第 1の液体注入部を塞ぐように供給された前記発光材料を前記間隙に注入するのに先立って、

前記発光材料を加熱することにより、当該発光材料の粘度を低減させる請求の範囲第 20項に記載の有機発光装置の製造方法。

[23] 前記発光材料の加熱は、前記第 1の基板および前記第 2の基板のいずれか一方または双方を加熱することにより行われる請求の範囲第 22項に記載の有機発光装置の製造方法。

[24] 第 1の基板と第 2の基板とに挟持された有機発光素子を構成する陰極、陽極、発光層、正孔輸送層および電子輸送層のうち発光層以外の層を液相成膜法または気相成膜法により形成し、発光材料で構成される前記発光層を他の方法により形成することにより積層構造の前記有機発光素子を製造する有機発光装置の製造方法であつて、

前記第 1の基板上に前記陽極を形成する工程と、

前記間隙を減圧する工程と、

前記第 1の液体注入部を密封する工程とを有することを特徴とする有機発光装置の製造方法。

第 1の基板と第 2の基板とに挟持された有機発光素子を構成する陰極、陽極、発光層、正孔輸送層および電子輸送層のうち発光層以外の層を液相成膜法または気相成膜法により形成し、発光材料で構成される前記発光層を他の方法により形成することにより積層構造の前記有機発光素子を製造する有機発光装置の製造方法であつて、

前記第 1の基板上に前記陽極を形成する工程と、

前記第 1の基板の前記陽極と反対側の面に、撥液処理を施す工程と、

前記撥液処理が施された前記第 1の基板に、前記発光層を形成する領域と重ならないように、その厚さ方向に向力つて孔を設けることにより第 1の液体注入部を形成する工程と、

前記間隙を減圧する工程と、

[26] 前記有機発光素子を複数備える請求の範囲第 1項に記載の有機発光装置の製造方法。

[27] 請求の範囲第 1項に記載の有機発光装置の製造方法により製造されたことを特徴とする有機発光装置。

[28] 請求の範囲第 27項に記載の有機発光装置を備えることを特徴とする電子機器。