JP4946971B2 - 有機発光装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、有機発光装置および電子機器に関するものである。

有機半導体材料を使用したエレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示装置が備える発光素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている（例えば、特許文献１参照）。
一般に、有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に発光層（有機半導体層）を有する構成であり、陰極と陽極との間に電界を印加すると、発光層に陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。

そして、注入された電子と正孔とが発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際の励起エネルギーを光エネルギーとして放出することにより、発光層が発光する。
例えば、特許文献２には、図１２に示すように、基板９００上に画素電極９０１、発光層９０２および透明な対向電極９０３がこの順で設けられ、基板９００と反対側（対向電極９０３側）から、発光層９０２の発光光ｌ_１〜ｌ_８を取り出すトップエミッション構造の有機ＥＬ素子（有機発光素子）９１０が提案されている。

このトップエミッション構造の有機ＥＬ素子９１０は、電極間の通電のＯＮ／ＯＦＦを制御するスイッチング素子や配線を基板９００側に設けることができることから、発光層９０２の開口率を高めて、消費電力の低電力化等を図ることができることから、着目され、実用化に向けて種々の研究がなされている。
ここで、このような有機ＥＬ素子９１０を複数備える表示装置（有機発光装置）９２０では、カラーフィルター９１２を備えるカラーフィルター基板９１１を対向電極９０３側に設け、発光光ｌ_１〜ｌ_８がカラーフィルター９１２を透過することにより、色調が変化（色変調）し、これにより、フルカラー画像表示を実現している。

また、カラーフィルター基板９１１と、対向電極９０３とは、端部に配置された図示しないスペーサを介して接合されている。この接合方法としては、例えば、接着剤での接着による方法を用いることができる。
しかしながら、スペーサを介し、接着剤により、カラーフィルター基板９１１と、対向電極９０３とを接合する場合、スペーサと対向電極９０３の間や、スペーサとカラーフィルター基板９１１の間に接着剤を供給する際の当該接着剤の供給量を厳密に制御することは極めて困難である。このため、供給する接着剤の量を均一にすることができず、接着剤層の厚さが不均一になる、すなわち、寸法精度が悪くなると言う問題が生じる。また、表示装置９２０が設置される（使用される）環境によっては、接着剤に変質・劣化が生じる。このため、接合強度が低下するという問題もある。

また、この表示装置９２０では、各有機ＥＬ素子９１０からの発光光ｌ_１〜ｌ_８が四方八方に向かって発せられる。そして、前記のように寸法精度が悪いので、カラーフィルター９１２同士を区画するブラックマトリクス９１３のサイズを大きくしないと、発光光ｌ_２、ｌ_４のように、隣接する有機ＥＬ素子９１０からの発光光が混ざり合う現象（すなわち、クロストーク現象）により、色ムラやコントラストの低下が生じるという問題がある。逆に、ブラックマトリクス９１３のサイズを大きくすると、そのサイズを大きくするのに依存して、各カラーフィルター９１２のサイズ、すなわち、各カラーフィルター（画素）９１２の開口率が小さくなり、その結果、表示装置９２０の特性（表示特性）が低下してしまう。

特開平１０−１５３９６７号公報 特開２００５−６２４８０号公報

本発明の目的は、各有機発光素子を区画するようにバンクを設けることにより、隣接する有機発光素子同士の発光光が互いに混ざり合うのを防止し、電極とバンクとを接合した際の接合強度および寸法精度が高い有機発光装置、および、かかる有機発光装置を有する電子機器を提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の有機発光装置は、互いに対向するように配置された第１の電極および第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられ、発光層を含む有機半導体層とを備える複数の有機発光素子と、
前記各有機発光素子を区画するように設けられたバンクと、
前記各有機発光素子に対応するように設けられたカラーフィルターを備えるカラーフィルター基板とを有し、
前記第２の電極は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
前記第２の電極は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記第２の電極の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記第２の電極の表面の前記領域に接着性が発現し、その接着性によって、前記バンクと接合していることを特徴とする。
これにより、隣接する有機発光素子同士の発光光が互いに混ざり合うのを防止でき、電極とバンクとを接合した際の接合強度および寸法精度が高い有機発光装置が得られる。
また、有機半導体層で発生した熱を、第２の電極およびバンクを介して、確実かつ効率良く放熱することができる。
また、カラーフィルター基板を有しているので、各有機発光素子が同色に発光するものである場合でも、フルカラー表示が可能となる。

本発明の有機発光装置では、前記第２の電極中の前記金属原子は、インジウム、スズ、亜鉛、アンチモンおよびアルミニウムのうちの少なくとも１種であることが好ましい。
これにより、第２の電極が優れた透明性（光透過性（透光性））および導電性を有する。よって、当該有機発光装置が、第１の電極を陽極、第２の電極を陰極とし、該陰極側から光を取り出すトップエミッション構造の装置である場合、第２の電極は、電極としての機能と、光を出射する機能とを発揮することができる。

本発明の有機発光装置では、前記第２の電極中の前記脱離基は、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種であることが好ましい。
これにより、脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れたものとなる。

本発明の有機発光装置では、前記第２の電極は、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムティンオキサイド（ＦＩＴＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、フッ素含有インジウムオキサイド（ＦＩＯ）またはインジウムオキサイド（ＩＯ）に、前記脱離基として水素原子が導入されたものであることが好ましい。
これにより、第２の電極が優れた透明性（光透過性（透光性））および導電性を有する。よって、当該有機発光装置が、第１の電極を陽極、第２の電極を陰極とし、該陰極側から光を取り出すトップエミッション構造の装置である場合、第２の電極は、電極としての機能と、光を出射する機能とを発揮することができる。

本発明の有機発光装置では、前記第２の電極中の前記金属原子と前記酸素原子の存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
これにより、第２の電極の安定性が高くなり、バンクをより強固に接合することができる。
本発明の有機発光装置では、前記第２の電極中の前記脱離基は、前記第２の電極の表面付近に偏在していることが好ましい。
これにより、第２の電極に、接合を担う機能の他に、導電性に優れた金属酸化物としての機能を好適に付与することができる。

本発明の有機発光装置では、前記エネルギーの付与は、前記第２の電極にエネルギー線を照射する方法により行われることが好ましい。
これにより、第２の電極に接着性が確実に発現する。
本発明の有機発光装置では、前記第２の電極は、その平均厚さが１００〜３０００ｎｍのものであることが好ましい。
これにより、十分な導電性および光透過性を確保することができる。

本発明の有機発光装置では、前記第２の電極と前記バンクとの間には、中間層が形成されていることが好ましい。
これにより、第２の電極とバンクとの間の接合強度が高まる。
本発明の有機発光装置では、前記第１の電極は、前記各有機発光素子毎に設けられ、
前記第２の電極は、平面視で前記各第１の電極を包含するように設けられた共通電極であることが好ましい。
これにより、個別に第２の電極を設けるのが省略され、有機発光装置の構造を簡単なものとすることができる。また、第２の電極のバンクに対する接合箇所を比較的多く確保することができ、よって、バンクとの接合強度が向上する。

本発明の有機発光装置では、前記バンクの少なくとも一部を導電性材料で構成し、
前記バンクの前記導電性材料で構成された部位を前記第２の電極に接触させることにより、前記第２の電極の電気伝導度を向上させるよう構成したことが好ましい。
これにより、有機発光装置をより低電圧で駆動することが可能となる。
本発明の有機発光装置では、前記導電性材料は、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇおよびこれらを含む合金のうちの少なくとも１種を主成分とするものであることが好ましい。
バンクをかかる材料を主材料として構成することにより、バンクに優れた導電性を付与することができる。

本発明の有機発光装置では、前記バンクは、基部が前記カラーフィルター基板側に接合され、頂部が前記第２の電極に接合されていることが好ましい。
これにより、第２の電極とバンクの頂部とを接合した際の接合強度および寸法精度が高い有機発光装置が得られる。
本発明の有機発光装置では、前記バンクは、平面視での形状が格子状をなすものであることが好ましい。
これにより、隣接する有機発光素子同士の発光光が互いに混ざり合うのをより確実に防止できる。
また、バンクの第２の電極に対する接合箇所を比較的多く確保することができ、よって、第２の電極との接合強度が高まり、有機発光装置の長寿命化を確実に図ることができる。

本発明の有機発光装置では、前記各有機発光素子は、同色に発光するものであることが好ましい。
これにより、構成を簡素化することができる。
本発明の有機発光装置では、前記カラーフィルター基板は、前記バンクの前記各有機発光素子と反対側に設けられ、光の透過を阻止するブラックマトリクスを有することが好ましい。
これにより、ブラックマトリクスが設けられている領域から、有機発光素子からの光を、ブラックマトリクスの有機発光素子と反対側に取り出されるのを確実に防止することができる。これにより、有機発光装置により表示される画像または映像のコントラストの増大を図ることができる。

本発明の有機発光装置では、前記第１の電極は、陽極であり、前記第２の電極は、陰極であることが好ましい。
これにより、陰極を構成する第２の電極とバンクとを接合した際の接合強度および寸法精度が高い有機発光装置が得られる。
本発明の有機発光装置は、前記第２の電極側から光を取り出すトップエミッション構造の装置であることが好ましい。
かかる構成の有機発光装置に適用することにより、有機発光装置が備える有機発光素子の消費電力が確実に低減して、さらには、有機発光素子の長寿命化を確実に図ることができる。

本発明の電子機器は、有機発光装置を備えることを特徴とする。
これにより、隣接する有機発光素子同士の発光光が互いに混ざり合うのを防止でき、電極とバンクとを接合した際の接合強度および寸法精度が高く、有機半導体層で発生した熱を、第２の電極およびバンクを介して、確実かつ効率良く放熱することができ、また、各有機発光素子が同色に発光するものである場合でもフルカラー表示が可能となる有機発光装置を有する電子機器が得られる。

以下、本発明の有機発光装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。
＜有機発光装置＞
まず、本発明の有機発光装置の好適な実施形態について説明する。
＜＜第１実施形態＞＞
まず、本発明の有機発光装置の第１実施形態について説明する。

図１は、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第１実施形態を示す縦断面図、図２は、図１に示すアクティブマトリクス型表示装置の主要部を示す分解斜視図、図３は、本発明の有機発光装置における第２の電極のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図４は、本発明の有機発光装置における第２の電極のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図、図５は、本実施形態にかかる陰極（第２の電極）の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図、図６は、図５に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図、図７は、図１に示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。

なお、以下の説明では、図１、図３および図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１に示すアクティブマトリクス型表示装置（有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置）（以下、単に「表示装置」と言う。）１０は、ＴＦＴ回路基板（対向基板）２０と、このＴＦＴ回路基板２０上に設けられた複数の有機ＥＬ素子（有機発光素子）１と、ＴＦＴ回路基板２０に対向して設けられたカラーフィルター基板９と、ＴＦＴ回路基板２０とカラーフィルター基板９との間に設けられたバンク３１とを有している。
ＴＦＴ回路基板２０は、基板２１と、この基板２１上に形成された回路部２２とを有している。

以下、このＴＦＴ回路基板２０について説明する。
基板２１は、表示装置１０を構成する各部の支持体となるものである。
また、本実施形態の表示装置１０は、カラーフィルター基板９（後述する陰極５）側から光を取り出す構成（トップエミッション型）であるため、基板２１は、特に、透明性は要求されない。
このような基板２１には、各種ガラス材料基板および各種樹脂基板が用いられ、これらの中でも比較的硬度の高いものが好適に用いられる。

基板２１の平均厚さは、特に限定されないが、１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、５〜２０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
回路部２２は、各有機ＥＬ素子１が備える陽極３と陰極５における通電のＯＮ／ＯＦＦを切り替える機能を有するものであり、基板２１上に形成された下地保護層２３と、下地保護層２３上に形成された駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）２４と、第１層間絶縁層２５と、第２層間絶縁層２６とを有している。

駆動用ＴＦＴ２４は、半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。
このような回路部２２上に、互いに対向するように配置された一対の電極（陽極３および陰極５）と、これらの電極間に設けられ、発光層を含む有機半導体層４とを備える有機ＥＬ素子（有機発光素子）１が、それぞれ、各駆動用ＴＦＴ２４に対応して複数設けられている。

本実施形態では、各有機ＥＬ素子１の陽極３は、個別電極（画素電極）を構成し、各駆動用ＴＦＴ２４のドレイン電極２４５に配線（導電部）２７により電気的に接続されている。
また、各有機ＥＬ素子１の有機半導体層４は、一体的に形成されており、陰極５は、共通電極とされている。

以下、この有機ＥＬ素子１について説明する。
図１に示すように、有機ＥＬ素子１は、各有機ＥＬ素子１毎に設けられた個別の陽極（第１の電極）３と、これらの陽極３を平面視で包含するように設けられた共通の陰極（第２の電極）５と、陽極３と陰極５との間に設けられた共通の有機半導体層４とを有している。
陽極３は、有機半導体層（後述する発光層）４に正孔を注入する電極である。

この陽極３の構成材料（陽極材料）としては、導電性を有するものであればよく、特に限定されないが、仕事関数が大きく、導電性に優れた材料を用いるのが好ましい。
このような陽極材料としては、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムと酸化亜鉛との複合物）、ＳｎＯ_２、Ｓｂ含有ＳｎＯ_２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。

陽極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。陽極３の厚さが薄すぎると、陽極３としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陽極３が厚過ぎると、後述する正孔と電子との再結合を有機半導体層４において行うことができず、有機ＥＬ素子１の発光効率等の特性が低下するおそれがある。
なお、陽極材料には、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂材料を用いることもできる。

このような陽極３は、光反射性を有するのが好ましい。これにより、後述する有機半導体層４で発光した光が陽極３（有機ＥＬ素子１の後述するブラックマトリクス７と反対側の電極）側で吸収（吸光）されることなく、陰極５（後述するバンク３１）側に反射されて、カラーフィルター６を通過する光の量を増大させることができる。その結果、有機ＥＬ素子１の発光効率や光の取り出し効率等の特性が向上をすることとなる。
かかる構成の陽極３は、前述したような陽極材料のうち、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇまたはこれらを含む合金で、少なくとも陽極３の表面を構成することにより形成することができる。

一方、陰極５は、有機半導体層４に電子を注入する電極である。
表示装置１０では、陰極５は、それにエネルギーを付与する前の状態で、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子と、これら金属原子および酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基３０３とを含むものである。換言すれば、エネルギー付与前の各陰極５は、金属酸化物で構成される金属酸化物膜に脱離基３０３を導入したもの（層）であると言うことができる。

このような陰極５は、その少なくとも一部の領域にエネルギーが付与されると、脱離基３０３が金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離し、陰極５の少なくとも表面５０付近に、活性手３０４が生じるものである（図３、図４参照）。これにより、陰極５の表面５０に接着性が発現する。このようにして接着性が発現した陰極５と後述するバンク３１とが接合されている。

ここで、陰極５がバンク３１と接合されるメカニズムについて説明する。
例えば、バンク３１の陰極５との接合に供される領域に、水酸基が露出している場合を例に説明すると、陰極５とバンク３１とが接触するように、陰極５とバンク３１とを貼り合わせたとき、陰極５の表面５０に存在する水酸基（図４参照）と、第バンク３１の前記領域に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、陰極５とバンク３１とが接合されると推察される。

また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、陰極５とバンク３１との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、陰極５とバンク３１とがより強固に接合されると推察される。
陰極５は、前述したように金属原子とこの金属原子と結合する酸素原子とで構成されるもの（金属酸化物）に脱離基３０３が結合したものであることから、変形し難い強固なものとなる。このため、陰極５自体が寸法精度の高いものとなり、最終的に得られる表示装置１０においても、寸法精度が高いものが得られる。

これに対し、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤を介して陰極とバンクとを接合した場合に比べて、表示装置１０では陰極５とバンク３１との間隔がほとんど変化しない。したがって、接着剤層を介さずに、陰極５とバンク３１とが直接接合した表示装置１０の寸法精度は、従来のものに比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。また、このような接合により、接着剤がはみ出すといった問題が生じることが防止される。したがって、はみ出した接着剤を除去する手間も省略できるという利点もある。

なお、脱離基３０３は、少なくとも陰極５の表面５０付近に存在していればよく、陰極５のほぼ全体に存在していてもよいし、陰極５の表面５０付近に偏在していてもよい。脱離基３０３が表面５０付近に偏在する構成とすることにより、陰極５に金属酸化物としての機能を好適に発揮させることができる。すなわち、陰極５に、接合を担う機能の他に、導電性等の特性に優れた金属酸化物としての機能を好適に付与することができるという利点も得られる。換言すれば、脱離基３０３が、陰極５の導電性特性を阻害してしまうのを確実に防止することができる。

以上のような陰極５としての機能が好適に発揮されるように、金属原子が選択される。
具体的には、金属原子としては、例えば、インジウム、スズ、亜鉛、アンチモンおよびアルミニウムのうちの少なくとも１種が好適に用いられる。陰極５を、これらの金属原子を含むもの、すなわちこれらの金属原子を含む金属酸化物に脱離基３０３を導入したものとすることにより、陰極５は、有機半導体層４に電子を効率良く注入し得るものとなる。

より具体的には、金属酸化物としては、例えば、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムティンオキサイド（ＦＩＴＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、フッ素含有インジウムオキサイド（ＦＩＯ）またはインジウムオキサイド（ＩＯ）等が挙げられる。このような金属酸化物は、前述したように、陰極５としての機能を確実に発揮することができる。また、表示装置１０は陰極５側から光を取り出すトップエミッション構造であるため、陰極５としては、優れた透明性（光透過性（透光性））を備えるものが好ましく用いられる。かかる金属酸化物は、透明性にも優れており、この点からも陰極５の構成材料として好適に用いられる。

また、陰極５中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と酸素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、陰極５の安定性が高くなり、バンク３１とより強固に接合することができる。
また、脱離基３０３は、前述したように、金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、陰極５に活性手３０４を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう陰極５に確実に結合しているものが好適に選択される。

かかる観点から、脱離基３０３には、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種が好適に用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、バンク３１との接着性をより高度なものとすることができる。なお、上記の各原子で構成される原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基、アミノ基およびスルホン酸基等が挙げられる。

以上のような各原子および原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、水素原子であるのが好ましい。水素原子で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３として水素原子を備える陰極５は、耐候性に優れたものとなる。
陰極５の平均厚さは、特に限定されないが、１００〜３０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５００〜２０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。陰極５の厚さが薄すぎると、陰極５としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陰極５が厚過ぎると、陰極材料の種類等によっては、光の透過率が低下して、トップエミッション型の構造を有する有機ＥＬ素子１として、実用に適さなくなるおそれがある。

このような陰極５は、その光（可視光領域）の透過率が好ましくは６０％以上、より好ましくは８０％以上となっている。これにより、光を効率よく陰極５側から取り出すことができる。
また、陰極５は、優れた導電性および伝熱性（熱伝導性）を有している。
前述したように、陰極５は、エネルギーを付与することにより接着性を発現するものである。陰極５に付与するエネルギーは、いかなる方法で付与されてもよく、例えば、（Ｉ）陰極５にエネルギー線を照射する方法、（II）陰極５を加熱する方法、（III）陰極５に圧縮力を付与する（物理的エネルギーを付与する）方法が代表的に挙げられ、この他、プラズマに曝す（プラズマエネルギーを付与する）方法、オゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。

このうち、陰極５にエネルギーを付与する方法として、特に、上記（Ｉ）、（II）、（III）の各方法のうち、少なくとも１つの方法を用いるのが好ましい。これらの方法は、陰極５に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギー付与方法として好適である。
以下、上記（Ｉ）、（II）、（III）の各方法について詳述する。

（Ｉ）陰極５にエネルギー線を照射する場合、エネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザ光のような光、Ｘ線、γ線、電子線、イオンビームのような粒子線等、またはこれらのエネルギー線を組み合わせたものが挙げられる。
これらのエネルギー線の中でも、特に、波長１５０〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい。かかる紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、陰極５中の金属原子と酸素原子との結合が切断されるのを防止しつつ、脱離基３０３と間の結合を選択的に切断することができる。これにより、陰極５の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、陰極５に接着性を発現させることができる。

また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、脱離基３０３の脱離を効率よく行わせることができる。さらに、紫外線には、例えば、ＵＶランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１６０〜２００ｎｍ程度とされる。
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、陰極５の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ^２〜１Ｗ／ｃｍ^２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ^２〜５０ｍＷ／ｃｍ^２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと陰極５との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。

また、紫外線を照射する時間は、陰極５の表面付近の脱離基３０３を脱離し得る程度の時間、すなわち、陰極５の内部の脱離基３０３を多量に脱離させない程度の時間とするのが好ましい。具体的には、紫外線の光量、陰極５の構成材料等に応じて若干異なるものの、０．５〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１０分程度であるのがより好ましい。
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。

一方、レーザ光としては、例えば、エキシマレーザ（フェムト秒レーザ）、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、Ａｒレーザ、ＣＯ_２レーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等が挙げられる。
また、陰極５に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、特に大気雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。

このように、エネルギー線を照射する方法によれば、陰極５に対して選択的にエネルギーを付与することが容易に行えるため、例えば、エネルギーの付与による有機半導体層４やＴＦＴ回路基板２０等の変質・劣化を防止することができる。
また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与するエネルギーの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、陰極５から脱離する脱離基３０３の脱離量を調整することが可能となる。このように脱離基３０３の脱離量を調整することにより、陰極５とバンク３１との間の接合強度を容易に制御することができる。

すなわち、脱離基３０３の脱離量を多くすることにより、陰極５の表面５０および内部に、より多くの活性手３０４が生じるため、陰極５に発現する接着性をより高めることができる。一方、脱離基３０３の脱離量を少なくすることにより、陰極５の表面５０および内部に生じる活性手３０４を少なくし、陰極５に発現する接着性を抑えることができる。
なお、付与するエネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。
さらに、エネルギー線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギーを付与することができるので、エネルギーの付与をより効率よく行うことができる。

（II）陰極５を加熱する場合、加熱温度を２５〜１００℃程度に設定するのが好ましく、５０〜１００℃程度に設定するのがより好ましい。かかる範囲の温度で加熱すれば、ＴＦＴ回路基板２０等が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、陰極５を確実に活性化させることができる。
また、加熱時間は、陰極５中の金属原子と酸素原子との結合を切断し得る程度の時間であればよく、具体的には、加熱温度が前記範囲内であれば、１〜３０分程度であるのが好ましい。
また、陰極５は、いかなる方法で加熱されてもよいが、例えば、ヒータを用いる方法、赤外線を照射する方法、火炎に接触させる方法等の各種加熱方法で加熱することができる。

（III）本実施形態では、陰極５とバンク３１とを貼り合わせる前に、陰極５に対してエネルギーを付与する場合について説明しているが、かかるエネルギーの付与は、陰極５とバンク３１とを重ね合わせた後に行われるようにしてもよい。すなわち、有機半導体層４上に陰極５を形成した後、エネルギーを付与する前に、陰極５とバンク３１とが密着するように、これらを重ね合わせて、仮接合体とする。そして、この仮接合体中の陰極５に対してエネルギーを付与することにより、陰極５に接着性が発現し、バンク３１と接合（接着）される。

この場合、仮接合体中の陰極５に対するエネルギーの付与は、前述した（Ｉ）、（II）の方法でもよいが、陰極５に圧縮力を付与する方法を用いてもよい。
この場合、陰極５とバンク３１とが互いに近づく方向に、０．２〜１０ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのがより好ましい。これにより、単に圧縮するのみで、陰極５に対して適度なエネルギーを簡単に付与することができ、陰極５に十分な接着性が発現する。

また、圧縮力を付与する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、圧縮力を付与する時間は、圧縮力の大きさに応じて適宜変更すればよい。具体的には、圧縮力の大きさが大きいほど、圧縮力を付与する時間を短くすることができる。
なお、仮接合体の状態では、陰極５とバンク３１とが接合されていないので、これらの相対的な位置を容易に調整する（ずらす）ことができる。したがって、一旦、仮接合体を得た後、陰極５とバンク３１との相対位置を微調整することにより、最終的に得られる表示装置１０の組み立て精度（寸法精度）を確実に高めることができる。
以上のような（Ｉ）、（II）、（III）の各方法により、陰極５にエネルギーを付与することができる。

なお、陰極５の全面にエネルギーを付与するようにしてもよいが、一部の領域のみに付与するようにしてもよい。このようにすれば、陰極５の接着性が発現する領域を制御することができ、この領域の面積・形状等を適宜調整することによって、接合界面に発生する応力の局所集中を緩和することができる。これにより、例えば、陰極５とバンク３１との熱膨張率差が大きい場合でも、これらを確実に接合することができる。

また、陰極５の全面にエネルギーを付与した場合、接着性は、陰極５の表面５０の全体に発現する、すなわち、陰極５のバンク３１との接合に供される領域の他、有機半導体層４との接合に供される領域にも発現する。これにより、陰極５は、バンク３１と接合するとともに、有機半導体層４とも接合する。よって、陰極５全体としての接合強度が高まり、よって、表示装置１０の長寿命化を図ることができる。

また、陰極５の一部の領域、すなわち、バンク３１との接合に供される領域のみにエネルギーを付与した場合、陰極５は、前述したようにバンク３１と接合する。この場合、有機半導体層４が発光するとそれによる熱により、陰極５の有機半導体層４と接する領域が加熱され（エネルギーが付与され）、当該領域に接着性が発現する。これにより、陰極５は、有機半導体層４とも接合する。なお、陰極５の全面にエネルギーを付与して、既に陰極５が有機半導体層４と接合している場合には、有機半導体層４が発する熱により、その接合強度がさらに向上する。

また、前述したように、脱離基３０３は、陰極５のほぼ全体に存在していてもよいし、陰極５の表面５０付近に偏在していてもよい。陰極５のほぼ全体に脱離基３０３を存在させる場合には、例えば、Ａ：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成することができる。また、脱離基３０３を陰極５の表面５０付近に偏在させる場合には、例えば、Ｂ：金属原子と前記酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成することができる。
以下、ＡおよびＢの方法を用いて、陰極５を例えば有機半導体層４上に成膜する場合について、詳述する。

＜Ａ＞ Ａの方法では、陰極５は、上記のように、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法（ＰＶＤ法）により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成される。このようにＰＶＤ法を用いる構成とすれば、金属酸化物材料を有機半導体層４に向かって飛来させる際に、比較的容易に金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することができる。このため、陰極５のほぼ全体にわたって脱離基３０３を導入することができる。

さらに、ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な陰極５を効率よく成膜することができる。これにより、ＰＶＤ法で成膜された陰極５は、バンク３１に対して特に強固に接合し得るものとなる。さらに、ＰＶＤ法で成膜された陰極５は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、表示装置１０の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。

また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気中に、金属酸化物の粒子を叩き出すことができる。そして、金属酸化物の粒子が叩き出された状態で、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスと接触させることができるため、金属酸化物（金属原子または酸素原子）への脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。

以下、ＰＶＤ法により陰極５を成膜する方法として、スパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により、陰極５を成膜する場合を代表に説明する。
まず、陰極５の成膜方法を説明するのに先立って、図５および図６に基づき、有機半導体層４上にイオンビームスパッタリング法により陰極５を成膜する（形成する）際に用いられる成膜装置８００について説明する。

図５に示す成膜装置８００は、イオンビームスパッタリング法による陰極５の形成がチャンバー（装置）内で行えるように構成されている。
具体的には、成膜装置８００は、チャンバー（真空チャンバー）８１１と、このチャンバー８１１内に設置され、陽極３および有機半導体層４が形成されたＴＦＴ回路基板２０（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）８１２と、チャンバー８１１内に設置され、チャンバー８１１内に向かってイオンビームＢを照射するイオン源（イオン供給部）８１５と、イオンビームＢの照射により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）を発生させるターゲット（金属酸化物材料）８１６を保持するターゲットホルダー（ターゲット保持部）８１７とを有している。

また、チャンバー８１１には、チャンバー８１１内に、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を供給するガス供給手段８６０と、チャンバー８１１内の排気をして圧力を制御する排気手段８３０とを有している。
なお、本実施形態では、基板ホルダー８１２は、チャンバー８１１の天井部に取り付けられている。この基板ホルダー８１２は、回動可能となっている。これにより、有機半導体層４上に陰極５を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。

図６に示すように、イオン源（イオン銃）８１５は、開口（照射口）８５０が形成されたイオン発生室８５６と、イオン発生室８５６内に設けられたフィラメント８５７と、グリッド８５３、８５４と、イオン発生室８５６の外側に設置された磁石８５５とを有している。
また、図５に示すように、イオン発生室８５６には、その内部にガス（スパッタリング用ガス）を供給するガス供給源８１９が接続されている。

このイオン源８１５では、イオン発生室８５６内に、ガス供給源８１９からガスを供給した状態で、フィラメント８５７を通電加熱すると、フィラメント８５７から電子が放出され、放出された電子が磁石８５５の磁場によって運動し、イオン発生室８５６内に供給されたガス分子と衝突する。これにより、ガス分子がイオン化する。このガスのイオンＩ^＋は、グリッド８５３とグリッド８５４との間の電圧勾配により、イオン発生室８５６内から引き出されるとともに加速され、開口８５０を介してイオンビームＢとしてイオン源８１５から放出（照射）される。

イオン源８１５から照射されたイオンビームＢは、ターゲット８１６の表面に衝突し、ターゲット８１６からは粒子（スパッタ粒子）が叩き出される。このターゲット８１６は、前述したような金属酸化物材料で構成されている。
この成膜装置８００では、イオン源８１５は、その開口８５０がチャンバー８１１内に位置するように、チャンバー８１１の側壁に固定（設置）されている。なお、イオン源８１５は、チャンバー８１１から離間した位置に配置し、接続部を介してチャンバー８１１に接続した構成とすることもできるが、本実施形態のような構成とすることにより、成膜装置８００の小型化を図ることができる。

また、イオン源８１５は、その開口８５０が、基板ホルダー８１２と異なる方向、本実施形態では、チャンバー８１１の底部側を向くように設置されている。
なお、イオン源８１５の設置個数は、１つに限定されるものではなく、複数とすることもできる。イオン源８１５を複数設置することにより、陰極５の成膜速度をより速くすることができる。

また、ターゲットホルダー８１７および基板ホルダー８１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができる第１のシャッター８２０および第２のシャッター８２１が配設されている。
これらシャッター８２０、２２１は、それぞれ、ターゲット８１６、陰極５、有機半導体層４およびＴＦＴ回路基板２０が、不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。

また、排気手段８３０は、ポンプ８３２と、ポンプ８３２とチャンバー８１１とを連通する排気ライン８３１と、排気ライン８３１の途中に設けられたバルブ８３３とで構成されており、チャンバー８１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
さらに、ガス供給手段８６０は、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を貯留するガスボンベ８６４と、ガスボンベ８６４からこのガスをチャンバー８１１に導くガス供給ライン８６１と、ガス供給ライン８６１の途中に設けられたポンプ８６２およびバルブ８６３とで構成されており、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスをチャンバー８１１内に供給し得るようになっている。

以上のような構成の成膜装置８００を用いて、以下のようにして陰極５が形成される。
ここでは、有機半導体層４上に陰極５を成膜する方法について説明する。
まず、陽極３および有機半導体層４が形成されたＴＦＴ回路基板２０を用意し、このＴＦＴ回路基板２０を成膜装置８００のチャンバー８１１内に搬入し、基板ホルダー８１２に装着（セット）する。

次に、排気手段８３０を動作させ、すなわちポンプ８３２を作動させた状態でバルブ８３３を開くことにより、チャンバー８１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０^−７〜１×１０^−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０^−６〜１×１０^−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
さらに、ガス供給手段８６０を動作させ、すなわちポンプ８６２を作動させた状態でバルブ８６３を開くことにより、チャンバー８１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー８１１内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。

脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
また、チャンバー８１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、金属原子または酸素原子と、前記原子成分を含むガスとの反応が効率良く行われ、金属原子および酸素原子に確実に、前記原子成分を含むガスを導入することができる。

次に、第２のシャッター８２１を開き、さらに第１のシャッター８２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源８１５のイオン発生室８５６内にガスを導入するとともに、フィラメント８５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント８５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。

このガスのイオンＩ^＋は、グリッド８５３とグリッド８５４とにより加速されて、イオン源８１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット８１６に衝突する。これにより、ターゲット８１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出される。このとき、チャンバー８１１内が脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）であることから、チャンバー８１１内に叩き出された粒子に含まれる金属原子および酸素原子に脱離基３０３が導入される。そして、この脱離基３０３が導入された金属酸化物が有機半導体層４上に堆積することにより、陰極５が形成される。

なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源８１５のイオン発生室８５６内で、放電が行われ、電子ｅ⁻が発生するが、この電子ｅ⁻は、グリッド８５３により遮蔽され、チャンバー８１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源８１５の開口８５０）がターゲット８１６（チャンバー８１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室８５６内で発生した紫外線が、成膜された陰極５に照射されるのがより確実に防止されて、陰極５の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
以上のようにして、ほぼ全体にわたって脱離基３０３が存在する陰極５を成膜することができる。

＜Ｂ＞ 一方、Ｂの方法では、陰極５は、上記のように、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成される。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を偏在させた状態で導入することができ、接合膜および金属酸化物膜としての双方の特性に優れた陰極５を形成することができる。

ここで、金属酸化物膜は、いかなる方法で成膜されたものでもよく、例えば、ＰＶＤ法（物理的気相成膜法）、ＣＶＤ法（化学的気相成膜法）、プラズマ重合法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により成膜することができるが、中でも、特に、ＰＶＤ法により成膜するのが好ましい。ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な金属酸化物膜を効率よく成膜することができる。

また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびレーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、雰囲気中に金属酸化物の粒子を叩き出して、有機半導体層４上に供給することができるため、特性に優れた金属酸化物膜を成膜することができる。

さらに、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を導入する方法としては、各種方法が用いられ、例えば、Ｂ１：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で金属酸化物膜を熱処理（アニーリング）する方法、Ｂ２：イオン・インプランテーション等が挙げられるが、中でも、特に、Ｂ１の方法を用いるのが好ましい。Ｂ１の方法によれば、比較的容易に、脱離基３０３を金属酸化物膜の表面付近に選択的に導入することができる。また、熱処理を施す際の、雰囲気温度や処理時間等の処理条件を適宜設定することにより、導入する脱離基３０３の量、さらには脱離基３０３が導入される金属酸化物膜の厚さの制御を的確に行うことができる。

以下、金属酸化物膜をスパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により成膜し、次に、得られた金属酸化物膜を、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で熱処理（アニーリング）することにより、陰極５を得る場合を代表に説明する。
なお、Ｂの方法を用いて陰極５の成膜する場合も、Ａの方法を用いて陰極５を成膜する際に用いられる成膜装置８００と同様の成膜装置が用いられるため、成膜装置に関する説明は省略する。

［ｉ］ まず、陽極３および有機半導体層４が形成されたＴＦＴ回路基板２０を用意する。そして、このＴＦＴ回路基板２０を成膜装置８００のチャンバー８１１内に搬入し、基板ホルダー８１２に装着（セット）する。
［ii］ 次に、排気手段８３０を動作させ、すなわちポンプ８３２を作動させた状態でバルブ８３３を開くことにより、チャンバー８１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０^−７〜１×１０^−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０^−６〜１×１０^−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、このとき、加熱手段を動作させ、チャンバー８１１内を加熱する。チャンバー８１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、膜密度の高い金属酸化物膜を成膜することができる。

［iii］ 次に、第２のシャッター８２１を開き、さらに第１のシャッター８２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源８１５のイオン発生室８５６内にガスを導入するとともに、フィラメント８５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント８５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。

このガスのイオンＩ^＋は、グリッド８５３とグリッド８５４とにより加速されて、イオン源８１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット８１６に衝突する。これにより、ターゲット８１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出され、有機半導体層４上に堆積して、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子とを含む金属酸化物膜が形成される。

なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源８１５のイオン発生室８５６内で、放電が行われ、電子ｅ⁻が発生するが、この電子ｅ⁻は、グリッド８５３により遮蔽され、チャンバー８１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源８１５の開口８５０）がターゲット８１６（チャンバー８１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室８５６内で発生した紫外線が、成膜された陰極５に照射されるのがより確実に防止されて、陰極５の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。

［iv］ 次に、第２のシャッター８２１を開いた状態で、第１のシャッター８２０を閉じる。
この状態で、加熱手段を動作させ、チャンバー８１１内をさらに加熱する。チャンバー８１１内の温度は、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３が導入される温度に設定され、１００〜６００℃程度であるのが好ましく、１５０〜３００℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、次工程［v］において、陽極３、有機半導体層４、ＴＦＴ回路基板２０および金属酸化物膜を変質・劣化させることなく、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３を導入することができる。

［v］ 次に、ガス供給手段８６０を動作させ、すなわちポンプ８６２を作動させた状態でバルブ８６３を開くことにより、チャンバー８１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー８１１内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
このように、前記工程［iv］でチャンバー８１１内が加熱された状態で、チャンバー８１１内を、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）とすると、金属酸化物膜の表面付近に存在する金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３が導入されて、陰極５が形成される。

脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
なお、チャンバー８１１内は、前記工程［ii］において、排気手段８３０を動作させることにより調整された減圧状態を維持しているのが好ましい。これにより、金属酸化物膜の表面付近に対する脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。また、前記工程
［ii］の減圧状態を維持したまま、本工程においてチャンバー８１１内を減圧する構成とすることにより、再度減圧する手間が省けることから、成膜時間および成膜コスト等の削減を図ることができるという利点も得られる。
この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０^−７〜１×１０^−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０^−６〜１×１０^−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。

また、熱処理を施す時間は、１５〜１２０分程度であるのが好ましく、３０〜６０分程度であるのがより好ましい。
導入する脱離基３０３の種類等によっても異なるが、熱処理を施す際の条件（チャンバー８１１内の温度、真空度、ガス流量、処理時間）を上記範囲内に設定することにより、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を選択的に導入することができる。
以上のようにして、表面８０付近に脱離基３０３が偏在する陰極５を成膜することができる。

前記陽極３と陰極５との間には、有機半導体層４が設けられている。本実施形態では、この有機半導体層４は、発光層で構成される単層体となっている。
ここで、個別の陽極３と共通の陰極５との間に通電（電圧を印加）すると、陽極３から発光層（有機半導体層４）に正孔が注入され、また、陰極５から電子が発光層に注入され、この発光層の個別に設けられた陽極３に対応する領域において正孔と電子とが再結合する。そして、発光層の前記領域ではエキシトン（励起子）が生成し、このエキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。すなわち、各有機ＥＬ素子１（陽極３）の形状に対応して、有機半導体層（発光層）４が光を発光する。

発光層の構成材料（発光材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、トリス（８−ヒドロキシキノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ_３）、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）のような低分子系のものや、オキサジアゾール系高分子、トリアゾール系高分子、カルバゾール系高分子のような高分子系のものが挙げられ、これらの１種または２種以上を組み合わせて、目的とする発光色を得ることができる。

なお、発光層は、このような発光材料のうちの１種または２種以上で構成される単層体であってもよいし、複層体であってもよい。
本実施形態では、各有機ＥＬ素子１がいずれも白色光を発光するように構成され（同色に発光するように構成され）、この白色光を後述するカラーフィルター（色素層）６Ｒ、６Ｇ、６Ｂにそれぞれ透過させて、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の光に色調を変換させ、表示装置１０のフルカラー表示が可能となっている。

ここで、白色光を発光する有機半導体層４としては、例えば、青色発光する１、１、４、４−テトラフェニル−１、３−ブタジエン（ＴＰＢ）と、赤色発光する（４−ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（パラジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）およびナイルレッドと、緑色発光するクマリン６とを組み合わせて構成したもの等が挙げられる。

発光層の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、有機半導体層４は、本実施形態で示したような単層体の他、発光層を含む複数の層が積層された積層体であってもよい。
有機半導体層４をかかる構成とする場合、陽極３と発光層との間には、例えば、陽極３から注入された正孔を発光層まで輸送する機能を有する正孔輸送層を設けるようにすればよい。さらには、この正孔輸送層と陽極３との間に、陽極３から正孔輸送層への正孔の注入効率を向上させる正孔注入層を設けるようにしてもよい。
また、陰極５と発光層との間には、例えば、陰極５から注入された電子を発光層まで輸送する機能を有する電子輸送層を設けるようにすればよい。さらには、この電子輸送層と陰極５との間に、陰極５から電子輸送層への電子の注入効率を向上させる電子注入層を設けるようにしてもよい。

この正孔輸送層の構成材料（正孔輸送材料）としては、例えば、ポリアリールアミン、フルオレン−アリールアミン共重合体、フルオレン−ビチオフェン共重合体、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂またはその誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、前記化合物は、他の化合物との混合物として用いることもできる。一例として、ポリチオフェンを含有する混合物としては、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等が挙げられる。
このような正孔輸送層の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
正孔注入層の構成材料（正孔注入材料）としては、例えば、銅フタロシアニンや、４，４‘，４‘‘−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。

電子輸送層の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物、ナフタレン系化合物、フェナントレン系化合物、クリセン系化合物、ペリレン系化合物、アントラセン系化合物、ピレン系化合物、アクリジン系化合物、スチルベン系化合物、ＢＢＯＴのようなチオフェン系化合物、ブタジエン系化合物、クマリン系化合物、キノリン系化合物、ビスチリル系化合物、ジスチリルピラジンのようなピラジン系化合物、キノキサリン系化合物、２，５−ジフェニル−パラ−ベンゾキノンのようなベンゾキノン系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）のようなオキサジアゾール系化合物、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、アントロン系化合物、１，３，８−トリニトロ−フルオレノン（ＴＮＦ）のようなフルオレノン系化合物、ＭＢＤＱのようなジフェノキノン系化合物、ＭＢＳＱのようなスチルベンキノン系化合物、アントラキノジメタン系化合物、チオピランジオキシド系化合物、フルオレニリデンメタン系化合物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フローレン系化合物、８−ヒドロキシキノリン アルミニウム（Ａｌｑ_３）、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする錯体のような各種金属錯体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

電子輸送層の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、電子注入層の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、８−ヒドロキシキノリン、オキサジアゾール、または、これらの誘導体（例えば、８−ヒドロキシキノリンを含む金属キレートオキシノイド化合物）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
さて、カラーフィルター基板９は、上基板８と、この上基板８上に設けられたカラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂと、各カラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ同士を区画するブラックマトリクス７とで構成されている。

上基板８は、例えば、有機ＥＬ素子１を保護する保護層等として機能するものである。
このような上基板８を設けることにより、有機ＥＬ素子１が酸素や水分に接触するのをより好適に防止または低減できることから、有機ＥＬ素子１の信頼性の向上や、変質・劣化の防止等の効果をより確実に得ることができる。
また、本実施形態の表示装置１０は、カラーフィルター基板９すなわち上基板８側から光を取り出す構成（トップエミッション型）であるため、上基板８は、実質的に透明（無色透明、着色透明、半透明）とされる。

このような上基板８には、各種ガラス材料基板および各種樹脂基板のうち透明なものが選択され、例えば、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料や、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料等を主材料として構成される基板を用いることができる。

上基板８の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
この上基板８の下には、各有機ＥＬ素子１に対応するように、それぞれ、カラーフィルター（色素層）６Ｒ、６Ｇ、６Ｂが設けられている。
複数のカラーフィルター（色素層）６Ｒ、６Ｇ、６Ｂは、赤色のカラーフィルター６Ｒと、緑色のカラーフィルター６Ｇと、青色のカラーフィルター６Ｂとで構成され、図２に示すように、マトリクス状に配設された３つのカラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ（三原色）が１組となって１画素（ピクセル）を構成する。

ここで、有機ＥＬ素子１から発光された光（白色光）は、カラーフィルター（色素層）６Ｒ、６Ｇ、６Ｂを透過して、上基板８の有機ＥＬ素子１と反対側に取り出されるが、この際、各白色光は、各カラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂに対応した色に色調が変換されることとなる。
なお、以下では、カラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂを総称してカラーフィルター６ということもある。
このようなカラーフィルター６には、例えば、前述したような透明な樹脂材料やレジスト材料を主材料として構成され、この主材料を着色する着色剤を含む（添加した）ものを用いることができる。

レジスト材料としては、ロジン−重クロム酸塩、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）−重クロム酸塩、セラック−重クロム酸塩、カゼイン−重クロム酸塩、ＰＶＡ−ジアゾ、アクリル系フォトレジスト等のような水溶性フォトレジスト、ポリケイ皮酸ビニル、環化ゴム−アジド、ポリビニルシンナミリデンアセタート、ポリケイ皮酸β−ビニロキシエチルエステル等のような油溶性フォトレジスト等のネガ型フォトレジストや、ｏ−ナフトキノンジアジド等のような油溶性フォトレジスト等のポジ型フォトレジストが挙げられる。
また、着色剤としては、例えば、染料または顔料を用いることができるが、耐光性および耐候性の観点から、微粒子状の顔料を用いることが好ましい。

カラーフィルター６Ｒに用いられる赤色の顔料としては、例えば、ペリレン系顔料、レーキ顔料、アゾ系顔料、キナクリドン系顔料、アントラキノン系顔料、アントラセン系顔料およびイソインドリン系顔料等が、カラーフィルター６Ｇに用いられる緑色の顔料としては、例えば、ハロゲン多置換フタロシアニン系顔料、ハロゲン多置換銅フタロシアニン系顔料、トリフェニルメタン系塩基性染料、イソインドリン系顔料およびイソインドリノン系の顔料等が、カラーフィルター６Ｂに用いられる青色の顔料としては、例えば、銅フタロシアニン系顔料、インダンスレン系顔料、インドフェノール系顔料、シアニン系顔料およびジオキサジン系顔料等がそれぞれ挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

カラーフィルター６の平均厚さは、特に限定されないが、０．５〜１０μｍ程度であるのが好ましく、０．５〜３μｍ程度であるのがより好ましい。
また、隣接するカラーフィルター６同士の間（バンク３１の各有機ＥＬ素子１と反対側）には、ブラックマトリクス７が設けられている。ブラックマトリクス７の平面視での形状は、格子状をなしており、隣接するカラーフィルター６同士は、このブラックマトリクス７により区画されている。

ブラックマトリクス７は、光の透過を阻止する（遮光）機能を有している。そのため、カラーフィルター基板９を、ブラックマトリクス７を備える構成とすることより、ブラックマトリクス７が設けられている領域から、有機ＥＬ素子１からの光を、上基板８（ブラックマトリクス７）の有機ＥＬ素子１と反対側に取り出される（出射する）のを確実に防止することができる。これにより、表示装置１０により表示される画像または映像のコントラストの増大を図ることができる。

このようなブラックマトリクス７は、例えば、カーボンやチタン等を分散させた透明な樹脂またはレジスト層の他、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ、ＺｎおよびＴｉ等で構成されている。
ブラックマトリクス７は、カラーフィルター６と連続した平滑面で構成されているのが好ましく、その平均厚さは、カラーフィルター６と同様に、０．５〜１０μｍ程度であるのが好ましく、０．５〜２μｍ程度であるのがより好ましい。
また、カラーフィルター基板９（ブラックマトリクス７）とＴＦＴ回路基板２０（有機ＥＬ素子１）との間には、バンク３１が設けられている。

図１に示すように、本実施形態では、バンク３１は、ブラックマトリクス７のパターンとほぼ等しいパターンをなし（バンク３１の平面視での形状は、格子状をなし）、ブラックマトリクス７と陰極５との双方に接触するように設けられている。すなわち、バンク３１は、その基部３１１がブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）に接合され、頂部３１２が陰極５に接合されている。これにより、有機ＥＬ素子１とカラーフィルター６との間には、バンク３１により区画される空間３６が形成されている。

ここで、仮にバンク３１を設けない場合、隣接する有機ＥＬ素子からの光が混ざり合うクロストーク現象が生じ、これに起因して、表示装置により表示される画像に色ムラが生じてしまう。
これに対して、表示装置１０では、バンク３１を設けたので、このバンク３１が各有機ＥＬ素子１を区画する遮光板として機能して、特定の空間３６から隣接する空間３６への光の漏れ出しを確実に防止することができる。その結果、表示装置１０では、クロストーク現象の発生を防止して、画像にムラが生じるのを防止することができる。
また、バンク３１を設けることにより、カラーフィルター６を有機ＥＬ素子１に対して近づけることや、ブラックマトリクス７の形成領域を大きくする必要がなくなるので、カラーフィルター６の開口率を大きく設定することが可能となる。

また、本実施形態では、バンク３１の内側の面を、有機ＥＬ素子１からの光を反射し得る反射面で構成した。そのため、図１に示すように、有機ＥＬ素子１からの光のうち、対応するカラーフィルター（開口部）６から外れた方向に向かう光Ｌ_１を、バンク３１の内面（反射面）で反射して、カラーフィルター６内に誘導する（導く）ことができる。その結果、光Ｌ_２とともにカラーフィルター６を透過させて、上基板８の有機ＥＬ素子１と反対側に取り出すことができるようになる。これにより、有機ＥＬ素子１の発光輝度、光の取り出し効率の向上を図ることとができるとともに、表示装置１０の低消費電力化および長寿命化を実現することができる。

本実施形態では、バンク３１は、図２に示すように、それぞれ、枠状（四角形の環状）をなしており、隣り合うバンク３１同士と一体的に設けられている。
なお、バンク３１は、有機ＥＬ素子１を取り囲むように設けられていればよく、その枠の形状は、本実施形態のような四角形の環状の他、例えば、円形、楕円形、五角形、六角形等の多角形等の環状ように、いかなるものであってもよい。

また、本実施形態では、バンク３１は、有機ＥＬ素子１側に向かって（基部３１１から頂部３１２に向かって）、その幅が小さくなる部分を有している。すなわち、バンク３１の厚さ方向に垂直な方向の断面積が小さくなる部分を有している。これにより、後述する表示装置１０の製造方法において、アライメントの精度が低い場合においても、比較的容易に、有機ＥＬ素子１と接触することなく、有機ＥＬ素子１を取り囲むようにバンク３１により区画することができる。

具体的には、バンク３１の有機ＥＬ素子１と反対側の面と、バンク３１の内面とのなす角度（図１に示す角度θ）は、６０°以上、９０°未満であるのが好ましく、７０°以上、９０°未満であるのがより好ましい。かかる関係を満足することにより、前述したような効果を確実に発揮させることができる。
また、バンク３１は、その内面の反射率が、好ましくは６０〜９９．８％程度、より好ましくは９０〜９９．８％程度となっている。これにより、バンク３１に入射（到達）した光Ｌ_１がその内面で吸収されるのを好適に防止または抑制することができる。その結果、光Ｌ_１がバンク３１の内面で反射して、カラーフィルター６を確実に透過することとなる。

かかる関係を満足するバンク３１とするには、その内面の表面粗さＲａをできるだけ小さく設定するのが好ましい。
具体的には、バンク３１は、その構成材料の種類によっても若干異なるが、内面の表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定）が１００ｎｍ以下であるのが好ましく、８０〜３０ｎｍ程度であるのがより好ましい。これにより、バンク３１の内面は、特に高い反射率を有するものとなる。

また、本実施形態では、カラーフィルター（開口部）６の面積（開口面積）は、陽極３および陰極５（有機ＥＬ素子１が備える一対の電極）のうち、その面積が小さい陽極３よりも大きくなっている。これにより、有機ＥＬ素子１からの光を、空間３６内で反射させることなく確実に上基板８の上側（バンク３１と反対側）に取り出すことができる。
具体的には、陽極３の平面積（平面積が小さい方の平面積）をＡ［μｍ^２］とし、カラーフィルター６の面積（開口面積）をＢ［μｍ^２］としたとき、Ｂ／Ａが１．０〜１．５なる関係を満足するのが好ましく、１．０〜１．２なる関係を満足するのがより好ましい。これにより、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。

バンク３１の平均高さは、特に限定されないが、１〜３５μｍ程度とするのが好ましく、５〜１５μｍ程度とするのがより好ましい。これにより、表示装置１０の大型化を防止しつつ、有機ＥＬ素子１からの光を、確実に上基板８の上側に取り出すことができる。
また、本実施形態のように、カラーフィルター６が平面視で四角形状をなす場合には、このバンク３１の平均高さをＣ［μｍ］とし、カラーフィルター（開口部）６の平均幅をＤ［μｍ］としたとき、Ｄ／Ｃが０．２〜５なる関係を満足するのが好ましく、０．３３〜３なる関係を満足するのがより好ましい。かかる関係を満足することにより、表示装置１０の大型化を防止しつつ、上基板８の上側に出射される光の方向を、有機ＥＬ素子１の厚さ方向に対して平行に近づけることができる。

さらに、有機ＥＬ素子１とブラックマトリクス７との間の空間３６が封止されており、この空間３６には、窒素、ヘリウムおよびアルゴン等の不活性ガスが充填されているのが好ましい。これにより、例えば、有機ＥＬ素子１が備える有機半導体層４等が変質・劣化するのを好適に防止または抑制することができる。
ここで、バンク３１は、導電性材料、半導体材料および絶縁材料のうちのいずれで構成してもよいが、特に、導電性材料で構成されるのが好ましい。

前述したように、本実施形態では、一対の電極のうちカラーフィルター基板９（ブラックマトリクス７）側の陰極５を共通電極で構成し、この陰極（共通電極）５にバンク３１を接触するように設けている。これにより、陰極５全体として抵抗値の低減（電気伝導度の向上）を図ることができ、発光装置１０をより低電圧で駆動することが可能となる。
かかる構成は、陰極５を比較的抵抗値の大きい導電性材料で構成した場合に、特に有効である。

このような導電性材料としては、各種の金属材料や導電性樹脂材料等が挙げられるが、これらの中でも、特に、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇおよびこれらを含む合金のうちの少なくとも１種を主成分とするものが好ましい。バンク３１をかかる材料を主材料として構成することにより、バンク３１に優れた導電性を付与することができるとともに、その内面の光反射性をも優れたものとすることができる。

なお、バンク３１の一部、例えば、内面付近を選択的に導電性材料、特に、前記金属材料で構成し、その導電性材料（金属材料）で構成された部位を陰極５に接触させるようにしてもよい。かかる構成によっても、前記と同様の効果が得られる。
以上のように、バンク３１に陰極５全体としての抵抗値を低減させる機能を付与することにより、このような機能を有する補助陰極を、陽極３の間で露出する第２層間絶縁層２６上に形成する必要がないことから、後述する表示装置１０の製造方法（工程［２−Ｂ］）で示すように、マスクを用いることなく１回の工程で、有機半導体層４を一体的に形成することができる。その結果、有機半導体層４を形成するための工程数の削減を図ることができる。

ここで、バンク３１は、優れた伝熱性を有しており、特に、導電性材料で構成した場合は、優れた導電性および伝熱性を有している。しかしながら、接着剤を介して陰極とバンクとを接合した場合は、接着剤層により導電性および伝熱性が低下してしまうが、この表示装置１０では、バンク３１は、陰極５に対し、その陰極５に発現した接着性により接合されているので、バンク３１と陰極５との間において導電性および伝熱性が低下してしまうのを防止することができる（バンク３１および陰極５の導電性および伝熱性が保持される）。これにより、確実に、陰極５全体として抵抗値の低減を図ることができ、発光装置１０をより低電圧で駆動することができる。また、有機ＥＬ素子１で発生した熱を、陰極５およびバンク３１を介して、確実かつ効率良く放熱することができる。

なお、本実施形態では、バンク３１は、ブラックマトリクス７のパターンとほぼ等しいパターンをなす場合について説明したが、このような場合に限定されず、隣接するカラーフィルター６のうち同一のカラーフィルター同士（例えば、カラーフィルター６Ｂ同士）の間に対応する位置において、バンクの形成を省略するようにしてもよい。
また、バンク３１を、陰極５と同様に、エネルギーを付与することにより接着性が発現するように構成してもよい。

また、バンク３１の下面３１３には、予め、図示しない中間層を形成しておくのが好ましい。
この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、例えば、陰極５との密着性を高める機能、クッション性（緩衝機能）、応力集中を緩和する機能等を有するものが好ましい。このような中間層を設けることにより、バンク３１と陰極５との接合強度を高め、信頼性の高い接合体としての表示装置１０を得ることができる。

かかる中間層の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタンのような金属系材料、金属酸化物、シリコン酸化物のような酸化物系材料、金属窒化物、シリコン窒化物のような窒化物系材料、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素系材料、シランカップリング剤、チオール系化合物、金属アルコキシド、金属−ハロゲン化合物のような自己組織化膜材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、導電性の高いものが好ましい。
このような本実施形態の表示装置１０は、例えば、次のような製造方法により製造することができる。

［１］まず、ＴＦＴ回路基板２０を用意する。
［１−Ａ］まず、基板２１を用意し、基板２１上に、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガス等を原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約２００〜５００ｎｍの酸化シリコンを主材料として構成される下地保護層２３を形成する。
［１−Ｂ］次に、下地保護層２３上に、駆動用ＴＦＴ２４を形成する。

［１−Ｂａ］まず、基板２１を約３５０℃に加熱した状態で、下地保護層２３上に、例えばプラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコンを主材料として構成される半導体膜を形成する。
［１−Ｂｂ］次いで、半導体膜に対して、レーザアニールまたは固相成長法等により結晶化処理を行い、アモルファスシリコンをポリシリコンに変化させる。
ここで、レーザアニール法では、例えば、エキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は、例えば２００ｍＪ／ｃｍ^２程度に設定される。また、ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザー強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。

［１−Ｂｃ］次いで、半導体膜をパターニングして島状とし、各島状の半導体膜２４１を覆うように、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約６０〜１５０ｎｍの酸化シリコンまたは窒化シリコン等を主材料として構成されるゲート絶縁層２４２を形成する。
［１−Ｂｄ］次いで、ゲート絶縁層２４２上に、例えば、スパッタ法等により、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングし、ゲート電極２４３を形成する。
［１−Ｂｅ］次いで、この状態で、高濃度のリンイオンを打ち込んで、ゲート電極２４３に対して自己整合的にソース・ドレイン領域を形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域となる。

［１−Ｃ］次に、駆動用ＴＦＴ２４に電気的に接続されるソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。
［１−Ｃａ］まず、ゲート電極２４３を覆うように、第１層間絶縁層２５を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｃｂ］次いで、コンタクトホール内にソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。

［１−Ｄ］次に、ドレイン電極２４５と陽極３とを電気的に接続する配線（中継電極）２７を形成する。
［１−Ｄａ］まず、第１層間絶縁層２５上に、第２層間絶縁層２６を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｄｂ］次いで、コンタクトホール内に配線２７を形成する。
以上のようにして、ＴＦＴ回路基板２０が得られる。

［２］次に、ＴＦＴ回路基板２０上に有機ＥＬ素子１を形成する。
［２−Ａ］まず、ＴＦＴ回路基板２０が備える第２層間絶縁層２６上に、配線２７に接触するように、陽極（画素電極）３を形成する。
この陽極３は、第２層間絶縁層２６上に、例えば、真空蒸着法やスパッタ法のような気相成膜法等により、前述したような陽極３の構成材料を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングすることにより得ることができる。

［２−Ｂ］次に、各陽極３、および、各陽極３の間で露出する第２相関絶縁層２６を覆うように、有機半導体層（発光層）４を一体的に形成する。
この有機半導体層４は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等を用いた気相プロセスや、スピンコート法（パイロゾル法）、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等を用いた液相プロセス等で形成することができる。これらの中でも、有機半導体層４の構成材料の熱安定性や、溶媒への溶解性等の物理的特性および／または化学的特性を考慮して、有機半導体層４は、液相プロセスにより形成するのが好ましい。

具体的には、有機半導体層形成用の液状材料を、液相プロセスを用いて、有機半導体層４を形成する領域、すなわち、各陽極３、および、各陽極３の間で露出する第２相関絶縁層２６上に供給し、脱溶媒または脱分散媒した後、必要に応じて、１５０℃程度で短時間の加熱処理を施す。
この脱溶媒または脱分散媒は、減圧雰囲気に放置する方法、熱処理(例えば５０〜６０℃程度)による方法、窒素ガスのような不活性ガスのフローによる方法等が挙げられる。さらに、追加の熱処理（１５０℃程度で短時間）で行うことにより、残存溶媒を除去する。
用いる液状材料は、前述したような発光材料を溶媒または分散媒に溶解または分散することにより調製される。

また、液状材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の各種無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。

なお、本実施形態では、各有機ＥＬ素子１が白色光を発光し、カラーフィルター６により、その光の色調を変換する構成となっていることから、各陽極３および各陽極３の間で露出する第２相関絶縁層２６の全面に、有機半導体層４を一体的に形成することができる。
そのため、マスクを用いる必要がないため、これらの形成には、スピンコート法（パイロゾル法）、スプレーコート法等を用いた液相プロセス等が好適に用いられる。
また、このように本実施形態では、マスクを用いる必要がないことから、例えば、マスクの形成工程および除去工程等を省略できるため、表示装置１０の製造工程の簡略化および製造コストの削減を図ることができる。

［２−Ｃ］次に、有機半導体層（発光層）４上に、すなわち、有機半導体層４の陽極３と反対側に、前述したように成膜装置８００を用いて、各陽極３に共通の陰極５を形成する。
［３］次に、バンク３１が設けられたカラーフィルター基板９を用意する。
［３−Ａ］まず、上基板８を用意し、図７（ａ）に示すように、上基板８上に、カラーフィルター６を形成する。
［３−Ａａ］まず、上基板８上に、例えば、フォトリソグラフィー法を用いて、カラーフィルター６を形成する領域に開口部を有するレジスト層を形成する。

このレジスト層は、上基板８上に、レジスト材料を液相プロセスにより供給した後に、このレジスト材料を形成するカラーフィルター６の形状に対応するフォトマスクを介してｉ線、紫外線、電子線等により露光・現像することにより得ることができる。
用いるレジスト材料は、ネガ型のレジスト材料およびポジ型のレジスト材料のいずれであってもよく、カラーフィルター６の構成材料で説明したのと同様のものを用いることができる。

［３−Ａｂ］次に、このレジスト層をマスクとして用いて、開口部にカラーフィルター形成用の液状材料を前述したような液相プロセスを用いて供給して乾燥した後、レジスト層を除去することによりカラーフィルター６を形成することができる。
また、カラーフィルター形成用の液状材料は、前述したようなカラーフィルター６の構成材料を溶媒または分散媒に溶解または分散することにより調製される。

液状材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、前記工程［２−Ｂ］で説明したのと同様のものを用いることができる。
前記液状材料を開口部に供給する方法としては、インクジェット法（液滴吐出法）を選択するのが好ましい。インクジェット法によれば、開口部の内側に液状材料を選択的に供給することができる。そのため、カラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂに対応する各色毎の液状材料を容易に塗り分けすることができる。
なお、レジスト層の除去は、例えば、大気圧または減圧下における酸素プラズマやオゾン蒸気により行うことができる。

［３−Ｂ］次に、図７（ｂ）に示すように、各カラーフィルター６同士の間、すなわち、上基板８が露出する領域に、ブラックマトリクス７を形成する。
このブラックマトリクス７は、例えば、上基板８が露出する領域に、ブラックマトリクス形成用の液状材料を前述したような液相プロセスを用いて供給した後、乾燥することにより得ることができる。
また、ブラックマトリクス形成用の液状材料は、前述したようなブラックマトリクス７の構成材料を溶媒または分散媒に溶解または分散することにより調製される。

液状材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、前記工程［２−Ｂ］で説明したのと同様のものを用いることができる。
前記液状材料を上基板８が露出する領域に供給する方法としては、インクジェット法（液滴吐出法）を選択するのが好ましい。インクジェット法によれば、上基板８が露出する領域の内側に液状材料を選択的に供給することができる。そのため、液状材料のムダを省くことができるとともに、カラーフィルター６の上面にブラックマトリクス７の構成材料が付着するのを確実に防止することができる。

［３−Ｃ］次に、ブラックマトリクス７上に、このブラックマトリクス７とほぼ同じパターンとなるように、すなわち、カラーフィルター６が露出するように、バンク３１を形成する。
［３−Ｃａ］まず、図７（ｃ）に示すように、カラーフィルター６およびブラックマトリクス７を覆うように、前述したような気相プロセスおよび液相プロセス等により、バンク３１の構成材料により主として構成されるバンク形成膜３１’を形成する。
なお、これらの方法は、バンク３１の構成材料の熱安定性や、溶媒への溶解性等の物理的特性および／または化学的特性を考慮して選択される。例えば、バンク３１を前述したような導電性材料を主材料として構成する場合、バンク形成膜３１’を形成する方法としては、スパッタ法、真空蒸着法等を用いた気相プロセスが好適に選択される。

［３−Ｃｂ］次に、図７（ｄ）に示すように、バンク３１を形成する領域、すなわち、ブラックマトリクス７が設けられた領域に対応するレジスト層３８をバンク形成膜上に形成する。
このレジスト層３８は、バンク３１の形状に対応するフォトマスクを用いて、前記工程［３−Ａａ］で説明したのと同様にして得ることができる。
［３−Ｃｃ］次に、図７（ｅ）に示すように、レジスト層３８をマスクとして用いて、ウェットエッチング法によりバンク形成膜の不要部分を除去して、カラーフィルター６を露出させる。その後、図７（ｆ）に示すように、レジスト層３８を除去することによりバンク３１を形成する。

ここで、ウェットエッチング法によれば、バンク形成膜の不要部分を除去する際に、サイドエッチング現象が生じることから、バンク形成膜をその厚さ方向に向かって除去することができるとともに、上基板８の面方向に対しても除去することができる。そのため、形成されるバンク３１を、上基板８側に向かって、バンク３１の厚さ方向に垂直な方向の断面積が大きくなる形状、すなわち、テーパー形状のものとすることができる。

なお、ウェットエッチング法に用いるエッチング液としては、特に限定されないが、例えば、ＮａＯＨ、ＫＯＨのようなアルカリ金属水酸化物の水溶液、Ｍｇ（ＯＨ）_２のようなアルカリ土類金属水酸化物の水溶液、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの水溶液、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系有機溶媒等が挙げられ、これらを単独または混合して用いることができる。
また、レジスト層の除去は、例えば、大気圧または減圧下における酸素プラズマやオゾン蒸気により行うことができる。

［４］次に、有機ＥＬ素子１が設けられたＴＦＴ回路基板２０と、バンク３１が設けられたカラーフィルター基板９とを接合させて表示装置１０を得る。
［４−Ａ］まず、陰極５に向かって、前述したようにエネルギーを付与する。これにより、陰極５の表面５０に接着性が発現する。
［４−Ｂ］次に、ＴＦＴ回路基板２０の有機ＥＬ素子１が設けられている側の面と、カラーフィルター基板９のバンク３１が設けられている側の面とを対向させる。

［４−Ｃ］次に、各有機ＥＬ素子１と、各カラーフィルター６とが対応するようにした状態で、バンク３１と陰極５とが接触するまで、ＴＦＴ回路基板２０とカラーフィルター基板９とを接近させる。これにより、前記陰極５の表面５０に発現した接着性によって、バンク３１と陰極５とが接合される。そして、各有機ＥＬ素子１がバンク３１により取り囲まれるような形態となり、空間３６が形成される。
なお、この工程は、不活性ガス雰囲気下で行うのが好ましい。これにより、空間３６内に不活性ガスを確実に充填することができる。

各有機ＥＬ素子１と、各カラーフィルター６とが対応した状態で、バンク３１と陰極５とを確実に接触させるには、アライメントマーク（図示せず）を双方の基板に予め形成して、これらのアライメントマーク同士が一致するように位置合わせすることにより、比較的容易に行うことができる。
なお、本実施形態では、バンク３１が前述したようなテーパー形状をなしていることから、アライメントの精度が低い場合においても、比較的容易に、有機ＥＬ素子１を取り囲むようして、バンク３１を陰極５に接触させることができる。

［４−Ｄ］次に、ＴＦＴ回路基板２０およびカラーフィルター基板９の縁部に、これらの縁部において形成される間隙を封止する封止部（図示せず）を形成する。
封止部は、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂のような有機材料またはその前駆体を含有する液状の封止部形成用材料を、インクジェット法のような液相プロセス等により封止部を形成する領域に供給した後、乾燥させることにより形成することができる。
以上のような工程を経て、表示装置１０を製造することができる。

なお、本実施形態では、光Ｌ_１および光Ｌ_２を陰極５側から取り出すトップエミッション構造の有機ＥＬ素子１を備える表示装置１０に本発明の有機発光装置を適用した場合について説明したが、本発明では、このような場合に限定されず、例えば、光Ｌ_１および光Ｌ_２を陽極３（ＴＦＴ回路基板２０）側から取り出すボトムエミッション構造の有機ＥＬ素子を備える表示装置に本発明の有機発光装置を適用することもできる。

＜＜第２実施形態＞＞
次に、本発明の有機発光装置の第２実施形態について説明する。
図８は、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第１実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第２実施形態について、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

図８に示すアクティブマトリクス型表示装置（有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置）（以下、単に「表示装置」と言う。）１０は、ブラックマトリクスが省略され、バンク３１がそのブラックマトリクスの機能も有していること以外は、前記第１実施形態の表示装置１０と同様である。
この表示装置１０の製造方法では、バンク３１が設けられたカラーフィルター基板９を製造（用意）する際、まず、上基板８の図８中下側に、バンク３１を形成する。このバンク３１の形成には、例えば、前記第１実施形態と同様の方法を用いることができる。

次に、インクジェット法（液滴吐出法）により、カラーフィルター形成用の液状材料を、バンク３１により区画された各領域に供給（付与）し、その液状材料を乾燥ささせる。これにより、各カラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂが、それぞれ形成され、バンク３１が設けられたカラーフィルター基板９が得られる。
本実施形態では、表示装置１０（バンク３１が設けられたカラーフィルター基板９）の製造が容易であるとともに、各カラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂを精度良く形成することができ、表示装置１０により表示される画像または映像のコントラストの増大を図ることができる。

＜電子機器＞
このような表示装置１０は、各種の電子機器に組み込むことができる。
図９は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述の表示装置１０で構成されている。

図１０は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述の表示装置１０で構成されている。

図１１は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。

ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述の表示装置１０で構成されている。

ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。

また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。

なお、本発明の電子機器は、図９のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図１０の携帯電話機、図１１のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
以上、本発明の有機発光装置および電子機器を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、有機発光装置および電子機器を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。

なお、本発明では、陽極の位置と陰極との位置とを、前記実施形態と逆にしてもよい。すなわち、本発明は、基板上に陰極、有機半導体層、陽極がこの順で積層されている構成の有機ＥＬ素子（有機発光素子）を備える有機発光装置に適用してもよい。この場合は、例えば、陽極を共通電極、陰極を個別電極とする。また、陽極の構成材料として、前記実施形態における陰極と同様の構成材料が用いられ、陽極は、その接着性によって、バンクと接合する。

本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第１実施形態を示す縦断面図である。 図１に示すアクティブマトリクス型表示装置の主要部を示す分解斜視図である。 本発明の有機発光装置における第２の電極のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。 本発明の有機発光装置における第２の電極のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。 陰極（第２の電極）の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。 図５に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。 図１に示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。 本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第２実施形態を示す縦断面図である。 本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。 従来の有機発光装置の一例を示す縦断面図である。

符号の説明

１……有機ＥＬ素子 ３……陽極 ３１……バンク ３１１……基部 ３１２……頂部 ３１３……下面 ３１’……バンク形成膜 ３６……空間 ３８……レジスト層 ４……有機半導体層 ５……陰極 ５０……表面 ６、６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ……カラーフィルター ７……ブラックマトリクス ８……上基板 ９……カラーフィルター基板 １０……表示装置 ２０……ＴＦＴ回路基板 ２１……基板 ２２……回路部 ２３……下地保護層 ２４……駆動用ＴＦＴ ２４１……半導体層 ２４２……ゲート絶縁層 ２４３……ゲート電極 ２４４……ソース電極 ２４５……ドレイン電極 ２５……第１層間絶縁層 ２６……第２層間絶縁層 ２７……配線 ３０３……脱離基 ３０４……活性手 ８００…成膜装置 ８１１…チャンバー ８１２…基板ホルダー ８１５…イオン源 ８１６…ターゲット ８１７…ターゲットホルダー ８１９…ガス供給源 ８２０…第１のシャッター ８２１…第２のシャッター ８３０…排気手段 ８３１…排気ライン ８３２…ポンプ ８３３…バルブ ８５０…開口 ８５３、８５４…グリッド ８５５…磁石 ８５６…イオン発生室 ８５７…フィラメント ８６０…ガス供給手段 ８６１…ガス供給ライン ８６２…ポンプ ８６３…バルブ ８６４…ガスボンベ １１００……パーソナルコンピュータ １１０２……キーボード １１０４……本体部 １１０６……表示ユニット １２００……携帯電話機 １２０２……操作ボタン １２０４……受話口 １２０６……送話口 １３００……ディジタルスチルカメラ １３０２……ケース（ボディー） １３０４……受光ユニット １３０６…………シャッタボタン １３０８……回路基板 １３１２……ビデオ信号出力端子 １３１４……データ通信用の入出力端子 １４３０……テレビモニタ １４４０……パーソナルコンピュータ ９００……基板 ９０１……画素電極 ９０２……発光層 ９０３……対向電極 ９１０……有機ＥＬ素子 ９１１……カラーフィルター基板 ９１２……カラーフィルター ９１３……ブラックマトリクス ９１５……空間 ９２０……表示装置 Ｌ_１、Ｌ_２、ｌ_１〜ｌ_８……光

Claims (19)

1. 互いに対向するように配置された第１の電極および第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられ、発光層を含む有機半導体層とを備える複数の有機発光素子と、
   前記各有機発光素子を区画するように設けられたバンクと、
   前記各有機発光素子に対応するように設けられたカラーフィルターを備えるカラーフィルター基板とを有し、
   前記第２の電極は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
   前記第２の電極は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記第２の電極の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記第２の電極の表面の前記領域に接着性が発現し、その接着性によって、前記バンクと接合していることを特徴とする有機発光装置。
2. 前記第２の電極中の前記金属原子は、インジウム、スズ、亜鉛、アンチモンおよびアルミニウムのうちの少なくとも１種である請求項１に記載の有機発光装置。
3. 前記第２の電極中の前記脱離基は、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種である請求項１または２に記載の有機発光装置。
4. 前記第２の電極は、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムティンオキサイド（ＦＩＴＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、フッ素含有インジウムオキサイド（ＦＩＯ）またはインジウムオキサイド（ＩＯ）に、前記脱離基として水素原子が導入されたものである請求項１ないし３のいずれかに記載の有機発光装置。
5. 前記第２の電極中の前記金属原子と前記酸素原子の存在比は、３：７〜７：３である請求項１ないし４のいずれかに記載の有機発光装置。
6. 前記第２の電極中の前記脱離基は、前記第２の電極の表面付近に偏在している請求項１ないし５のいずれかに記載の有機発光装置。
7. 前記エネルギーの付与は、前記第２の電極にエネルギー線を照射する方法により行われる請求項１ないし６のいずれかに記載の有機発光装置。
8. 前記第２の電極は、その平均厚さが１００〜３０００ｎｍのものである請求項１ないし７のいずれかに記載の有機発光装置。
9. 前記第２の電極と前記バンクとの間には、中間層が形成されている請求項１ないし８のいずれかに記載の有機発光装置。
10. 前記第１の電極は、前記各有機発光素子毎に設けられ、
    前記第２の電極は、平面視で前記各第１の電極を包含するように設けられた共通電極である請求項１ないし９のいずれかに記載の有機発光装置。
11. 前記バンクの少なくとも一部を導電性材料で構成し、
    前記バンクの前記導電性材料で構成された部位を前記第２の電極に接触させることにより、前記第２の電極の電気伝導度を向上させるよう構成した請求項１０に記載の有機発光装置。
12. 前記導電性材料は、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇおよびこれらを含む合金のうちの少なくとも１種を主成分とするものである請求項１１に記載の有機発光装置。
13. 前記バンクは、基部が前記カラーフィルター基板側に接合され、頂部が前記第２の電極に接合されている請求項１ないし１２のいずれかに記載の有機発光装置。
14. 前記バンクは、平面視での形状が格子状をなすものである請求項１ないし１３のいずれかに記載の有機発光装置。
15. 前記各有機発光素子は、同色に発光するものである請求項１ないし１４のいずれかに記載の有機発光装置。
16. 前記カラーフィルター基板は、前記バンクの前記各有機発光素子と反対側に設けられ、光の透過を阻止するブラックマトリクスを有する請求項１ないし１５のいずれかに記載の有機発光装置。
17. 前記第１の電極は、陽極であり、前記第２の電極は、陰極である請求項１ないし１６のいずれかに記載の有機発光装置。
18. 当該有機発光装置は、前記第２の電極側から光を取り出すトップエミッション構造の装置である請求項１ないし１７のいずれかに記載の有機発光装置。
19. 請求項１ないし１８のいずれかに記載の有機発光装置を備えることを特徴とする電子機器。

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