JP2006302795A - 発光装置の製造方法、発光装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】各有機物層への熱的ダメージを低減しつつ、接合界面における気泡の発生や位置ズレを防止し得る発光装置の製造方法、かかる発光装置の製造方法により製造された特性に優れる発光装置、および、信頼性の高い電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の発光装置の製造方法は、陰極８を備えた上基板（可撓性基板）９と、陽極３を備えたＴＦＴ回路基板（対向基板）２０とを用意し、陰極８の上基板９と反対側に電子輸送層（第１の有機物層）６を形成するとともに、陽極３のＴＦＴ回路基板２０と反対側に発光層（第２の有機物層）５を形成する第１の工程と、上基板９を撓ませた状態で、電子輸送層６の下面と発光層５の上面とを所定の箇所において接触させ、当該箇所から上基板９およびＴＦＴ回路基板２０を順に加熱および加圧することにより、電子輸送層６と発光層５とを接合する第２の工程とを有する。
【選択図】図２

Description

本発明は、発光装置の製造方法、発光装置および電子機器に関するものである。

有機ＥＬ素子（発光装置）は、陰極と陽極との間に少なくとも蛍光性有機化合物を含む薄膜（発光層）を含む有機層を挟んだ構成を有しており、この薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。
この有機ＥＬ素子は、１０Ｖ以下の低電圧で、１００〜１０００００ｃｄ／ｍ²程度の高輝度の面発光が可能であこと、また、蛍光物質の種類を選択することにより、青色から赤色までの発光が可能なこと等の特徴を有し、安価で大面積フルカラー表示を実現し得る素子として注目を集めている。

ＥＬ現象は、単層の有機薄膜を電極で挟んだ構造でも得られるが、より低い電圧印加で高輝度を得るためには電極から発光層へのキャリアの注入効率を向上させる必要がある。このため、電極と発光層とのエネルギー障壁を減じ、発光層へのキャリア移動を容易にすることを目的として、電極と発光層との間に正孔輸送層を付加した積層構造が提案されている。

ところで、この有機ＥＬ素子は、従来、単一基板の上に電極、正孔輸送層、発光層、電極を順次形成することにより製造されることが多い。
ところが、この方法では、一般に有機薄膜を均一に形成することが困難であることに加え、経時や温度によっても膜表面の平坦性が変化するため、有機薄膜を形成した後に金属膜を均一に形成するのは困難であるという問題がある。

また、この方法では、最後に形成する金属膜は、成膜時のエネルギーが高いので有機薄膜の膜厚のバラツキやピンホールの発生を招き、有機ＥＬ素子の発光品位が低下するという問題がある。
そこで、かかる問題を解決するものとして、例えば特許文献１には、印刷用基材（プラスチックフィルム）上に背面電極、発光層を積層したものと、透明電極用基材（例えば、透明なプラスチックシート）とを重ね合わせた状態で熱圧着ロールに供給し、上下から加熱下で押圧し、電極と有機層とを貼り合せる方法が開示されている。

また、例えば特許文献２には、発光効率や輝度の安定化、さらに消費電力の低下を目的に、同一有機層同士の接合と適正な加熱温度により貼り合せる方法が開示されている。
ところが、これらのいずれの方法においても、基材をあらかじめ重ね合わせた状態で加熱圧着を行うため、一対の基材の位置合わせが困難であることや、貼り合せ界面に気泡が入りやすい等の問題がある。

特開平６−２８３２６５号公報 特開２００２−２０３６７５号公報

本発明の目的は、各有機物層への熱的ダメージを低減しつつ、接合界面における気泡の発生や位置ズレを防止し得る発光装置の製造方法、かかる発光装置の製造方法により製造された特性に優れる発光装置、および、信頼性の高い電子機器を提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の発光装置の製造方法は、第１の電極を備えた可撓性基板と、第２の電極を備えた対向基板とを用意し、前記第１の電極の前記可撓性基板と反対側に第１の有機物層を形成するとともに、前記第２の電極の前記対向基板と反対側に第２の有機物層を形成する第１の工程と、
前記可撓性基板を撓ませた状態で、前記第１の有機物層の前記可撓性基板と反対側の面と、前記第２の有機物層の前記対向基板と反対側の面とを、所定の箇所において接触させ、当該箇所から前記可撓性基板および前記対向基板を順に加熱および加圧することにより、前記第１の有機物層と前記第２の有機物層とを接合して接合体を得る第２の工程とを有することを特徴とする。
これにより、各有機物層への熱的ダメージを低減しつつ、接合界面における気泡の発生や位置ズレを防止することができる。

本発明の発光装置の製造方法では、前記第２の工程において、前記第１の有機物層を、その一端側から他端側に向かって順に、前記第２の有機層に接合することが好ましい。
これにより、接合界面における気泡の発生や位置ズレを確実に防止することができる。
本発明の発光装置の製造方法では、前記第２の工程において、前記可撓性基板の他端部を、一端側に向かって押圧した状態で、前記第１の有機物層と前記第２の有機物層を接合することが好ましい。
これにより、第１の有機物層と第２の有機物層との界面（接合界面）における歪応力の発生をより確実に防止することができる。

本発明の発光装置の製造方法では、前記第２の工程における加熱の温度は、前記第１の有機物層および前記第２の有機物層のうちのいずれか軟化点温度の低い層の軟化点温度か、または、それより低い温度であることが好ましい。
これにより、各有機物層に変質・劣化が生じるのを防止しつつ、第１の有機物層と第２の有機物層とを確実に接合することができる。

本発明の発光装置の製造方法では、前記第２の工程における加圧の圧力は、０．１〜１０ｋｇｆ／ｃｍ^２であることが好ましい。
これにより、第１の有機物層と第２の有機物層とを確実に接合することができる。
本発明の発光装置の製造方法では、前記第２の工程において、前記第１の有機物層と前記第２の有機物層とを接合する速度は、５〜５０ｍｍ／秒であることが好ましい。
これにより、第１の有機物層と第２の有機物層とを確実に接合することができる。

本発明の発光装置の製造方法では、前記第１の有機物層を構成する有機材料、および、前記第２の有機物層を構成する有機材料は、いずれも、重合性基を有するものであることが好ましい。
これにより、第１の有機物層の接合面に存在する重合性基と第２の有機物層の接合面に存在する重合性基とを反応させることにより、第１の有機物層と第２の有機物層との間により高い密着性が得られる。

本発明の発光装置の製造方法では、前記可撓性基板側に形成された層は、いずれも、有機高分子材料を主材料として構成されていることが好ましい。
可撓性基板を撓ませた際に、第１の有機物層が剥離することや、第１の有機物層の内部にクラック等の欠陥が生じるのを防止することができる。
本発明の発光装置の製造方法では、前記対向基板側に形成された層は、いずれも、有機高分子材料を主材料として構成されていることが好ましい。
第１の有機物層と第２の有機物層との接合に際して、不要に大きい圧力が与えられた場合でも、各層の内部にクラック等の欠陥が生じるのを防止することができる。

本発明の発光装置の製造方法では、前記第２の工程の後、前記接合体に対して加熱を施す第３の工程を有することが好ましい。
これにより、第１の有機物層と第２の有機物層との接合に際して、第１の有機物層および第２の有機物層に内部応力が生じた場合でも、この内部応力を緩和することができ、第１の有機物層と第２の有機物層との界面において容易に剥離が生じるのを防止することができる。

本発明の発光装置の製造方法では、前記第３の工程における加熱の温度は、前記接合体が備える有機物層の構成材料のうち、最もガラス転移温度が低い構成材料の当該ガラス転移温度より低いことが好ましい。
これにより、各有機物層への熱的ダメージが生じるのを防止しつつ、内部応力を確実に緩和することができる。

本発明の発光装置の製造方法では、前記第３の工程における加熱の時間は、１０〜１２０分であることが好ましい。
これにより、各有機物層への熱的ダメージが生じるのを防止しつつ、内部応力を確実に緩和することができる。
本発明の発光装置は、本発明の発光装置の製造方法により製造されたことを特徴とする。
これにより、特性に優れる発光装置が得られる。
本発明の電子機器は、本発明の発光装置を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。

以下、本発明の発光装置の製造方法、発光装置および電子機器について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明の発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第１実施形態について説明する。

図１は、本発明の発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第１実施形態を示す縦断面図、図２は、図１に示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図である。なお、以下の説明では、図１および図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１に示すアクティブマトリクス型表示装置（以下、単に「表示装置」と言う。）１０は、ＴＦＴ回路基板（対向基板）２０と、この基体２０上に設けられた発光素子１と、ＴＦＴ回路基板２０に対向する上基板９とを有している。
ＴＦＴ回路基板２０は、基板２１と、この基板２１上に形成された回路部２２とを有している。

基板２１は、表示装置１０を構成する各部の支持体となるものであり、上基板９は、例えば、発光素子１を保護する保護層等として機能するものである。
また、本実施形態の表示装置１０は、基板２１側から光を取り出す構成（ボトムエミッション型）であるため、基板２１は、実質的に透明（無色透明、着色透明、半透明）とされ、一方、上基板９は、特に、透明性は要求されない。
基板２１および上基板９は、いずれも、可撓性基板で構成されていてもよいが、本実施形態では、基板２１が硬質基板で構成され、上基板９が可撓性基板で構成されている。
このような基板２１には、各種ガラス材料基板が好適であるが、各種高硬度の樹脂基板を用いることもできる。

一方、上基板９には、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルフォンのようなポリエーテル系樹脂等を主材料として構成される基板を用いることができる。中でも、ポリイミド系樹脂は、熱膨張率や熱収縮率が小さいため、ポリイミド系樹脂を主材料とする基板は、熱収縮率を低く抑えることができる。また、ポリエステル系樹脂を主材料として構成される基板は、寸法安定性が良いという利点がある。

さらに、このような樹脂材料に充填材、繊維を入れて積層したり、前熱処理や架橋度を調整することにより、上基板９の収縮率を低下させて、寸法安定性を向上させることもできる。
なお、上基板９を構成する可撓性基板は、樹脂材料の他、例えば、セラミックス材料、金属材料、炭素繊維等のような炭素系材料を主材料として構成することもできる。

基板２１の平均厚さは、特に限定されないが、１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、５〜２０ｍｍ程度であるのがより好ましい。一方、上基板９の平均厚さも、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
回路部２２は、基板２１上に形成された下地保護層２３と、下地保護層２３上に形成された駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）２４と、第１層間絶縁層２５と、第２層間絶縁層２６とを有している。

駆動用ＴＦＴ２４は、半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。
このような回路部２２上に、各駆動用ＴＦＴ２４に対応して、それぞれ、発光素子１が設けられている。また、隣接する発光素子１同士は、隔壁部（バンク）３１により区画されている。

本実施形態では、各発光素子１の陽極３は、画素電極を構成し、各駆動用ＴＦＴ２４のドレイン電極２４５に配線２７により電気的に接続されている。また、各発光素子１の電子輸送層６は、一体的に形成されており、陰極８は、共通電極とされている。
表示装置１０は、単色表示であってもよく、各発光素子１に用いる発光材料を選択することにより、カラー表示も可能である。

以下、発光素子１について詳述する。
図１に示すように、発光素子１は、陽極３と、陰極８と、陽極３と陰極８との間に、陽極３側から順に、正孔輸送層４、発光層５および電子輸送層６が介挿されている。
陽極（第２の電極）３は、正孔輸送層４に正孔を注入する電極である。
この陽極３の構成材料（陽極材料）としては、仕事関数が大きく、導電性に優れ、また透光性を有する材料を用いるのが好ましい。
このような陽極材料としては、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムと酸化亜鉛との複合物）、ＳｎＯ₂、Ｓｂ含有ＳｎＯ₂、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。

陽極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。陽極３の厚さが薄すぎると、陽極３としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陽極３が厚過ぎると、陽極材料の種類等によっては、光の透過率が著しく低下し、有機ＥＬ素子１の構成がボトムエミッション型の場合、実用に適さなくなるおそれがある。

なお、陽極材料には、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂材料を用いることもできる。
一方、陰極（第１の電極）８は、電子輸送層６に電子を注入する電極である。
本実施形態では、陰極８は、上基板９側の基部（陰極本体）７１と、電子輸送層６側の補助陰極７２とで構成されている。

この基部７１の構成材料（陰極材料）としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。
このような陰極材料としては、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。

特に、陰極材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極材料として用いることにより、陰極８（基部７１）の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
基部７１の平均厚さは、特に限定されないが、１００ｎｍ〜３０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５００〜２０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。基部７１の厚さが薄すぎると、陰極８の機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、基部７１が厚過ぎると、後述する第１の積層体１０１の可撓性が低下するおそれがある。

また、基部７１を積層構造とする場合には、電子輸送層６（発光層５）に近い側の層を、より仕事関数が低い陰極材料で構成するのが好ましい。例えば、基部７１を２層の積層構成とする場合、上基板９側の層をＣａを主材料として構成し、電子輸送層６側の層を、Ａｌ、Ａｇまたはこれらを含む合金を主材料として構成することができる。
この場合、上基板９側の層の平均厚さは、５０〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、電子輸送層６側の層の平均厚さは、１０００〜２０００ｎｍ程度であるのが好ましい。

また、かかる構成の基部７１では、電子輸送層６側の層を、発光層５から発せられた光をＴＦＴ回路基板２０側に反射させる光反射層として機能させることもできる。これにより、表示装置１０（発光素子１）の発光効率（光の取り出し効率）を向上させることができる。
また、補助陰極７２は、例えば、水分や金属物質等が電子輸送層６や発光層５に拡散するのを防止することや、基部７１（陰極８）の機能を補完すること等を目的として設けられる。

補助陰極７２の構成材料としては、周期律表の第１Ａ族または第２Ａ族に属する金属元素のフッ化物を主材料として構成されるものが好ましく、その具体例としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＲｂＦ、ＣｓＦ、ＢａＦ_２、ＣａＦ_２、ＳｒＦ_２、ＭｇＦ_２等が挙げられる。
補助陰極７２の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜１０ｎｍ程度であるのが好ましく、０．１〜５ｎｍ程度であるのがより好ましい。

なお、補助陰極７２は、必要に応じて省略することができる。すなわち、陰極８を基部７１単独で構成するようにしてもよい。
正孔輸送層４は、陽極３から注入された正孔を発光層５まで輸送する機能を有するものである。
この正孔輸送層４の構成材料（正孔輸送材料）としては、各種の高分子材料や、各種の低分子材料を単独または組み合わせて用いることができる。

高分子の正孔輸送材料としては、例えば、ポリアリールアミンのようなアリールアミン骨格を有するもの、フルオレン−ビチオフェン共重合体のようなフルオレン骨格を有するもの、フルオレン−アリールアミン共重合体のようなアリールアミン骨格およびフルオレン骨格の双方を有するもの、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂またはその誘導体等が挙げられる。
また、前記化合物は、他の化合物との混合物として用いることもできる。一例として、ポリチオフェンを含有する混合物としては、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等が挙げられる。

一方、低分子の正孔輸送材料としては、例えば、１，１−ビス（４−ジ−パラ−トリアミノフェニル）シクロへキサン、１，１’−ビス（４−ジ−パラ−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサンのようなアリールシクロアルカン系化合物、４，４’，４’’−トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ１）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メトキシフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メトキシフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ３）、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）、ＴＰＴＥ、４，４’，４’’ −トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴＡ）のようなアリールアミン系化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−パラ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（パラ−トリル）−パラ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（メタ−トリル）−メタ−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）のようなフェニレンジアミン系化合物、カルバゾール、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、Ｎ−フェニルカルバゾールのようなカルバゾール系化合物、スチルベン、４−ジ−パラ−トリルアミノスチルベンのようなスチルベン系化合物、Ｏ_ｘＺのようなオキサゾール系化合物、トリフェニルメタン、ｍ−ＭＴＤＡＴＡのようなトリフェニルメタン系化合物、１−フェニル−３−（パラ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリンのようなピラゾリン系化合物、ベンジン（シクロヘキサジエン）系化合物、トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、イミダゾールのようなイミダゾール系化合物、１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ジ（４−ジメチルアミノフェニル）−１，３，４，−オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アントラセン、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセンのようなアントラセン系化合物、フルオレノン、２，４，７，−トリニトロ−９−フルオレノン、２，７−ビス（２−ヒドロキシ−３−（２−クロロフェニルカルバモイル）−１−ナフチルアゾ）フルオレノンのようなフルオレノン系化合物、ポリアニリンのようなアニリン系化合物、シラン系化合物、１，４−ジチオケト−３，６−ジフェニル−ピロロ−（３，４−ｃ）ピロロピロールのようなピロール系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリンのようなポルフィリン系化合物、キナクリドンのようなキナクリドン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン、テトラ（ｔ−ブチル）銅フタロシアニン、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、銅ナフタロシアニン、バナジルナフタロシアニン、モノクロロガリウムナフタロシアニンのような金属または無金属のナフタロシアニン系化合物、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルベンジジンのようなベンジジン系化合物等が挙げられる。

このような正孔輸送層４の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、陽極３と正孔輸送層４との間には、例えば、陽極３からの正孔注入効率を向上させる正孔注入層を設けるようにしてもよい。
この正孔注入層の構成材料（正孔注入材料）としては、例えば、銅フタロシアニンや、４，４‘，４‘‘−トリス（Ｎ，Ｎ‐フェニル‐３‐メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。

電子輸送層６は、陰極８から注入された電子を発光層５まで輸送する機能を有する層である。
電子輸送層６の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物（スターバースト系化合物）、ナフタレンのようなナフタレン系化合物、フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、クリセンのようなクリセン系化合物、ペリレンのようなペリレン系化合物、アントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、ＢＢＯＴのようなチオフェン系化合物、ブタジエンのようなブタジエン系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、キノリンのようなキノリン系化合物、ビスチリルのようなビスチリル系化合物、ピラジン、ジスチリルピラジンのようなピラジン系化合物、キノキサリンのようなキノキサリン系化合物、ベンゾキノン、２，５−ジフェニル−パラ−ベンゾキノンのようなベンゾキノン系化合物、ナフトキノンのようなナフトキノン系化合物、アントラキノンのようなアントラキノン系化合物、オキサジアゾール、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、ＢＭＤ、ＢＮＤ、ＢＤＤ、ＢＡＰＤのようなオキサジアゾール系化合物、トリアゾール、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、アントロンのようなアントロン系化合物、フルオレノン、１，３，８−トリニトロ−フルオレノン（ＴＮＦ）のようなフルオレノン系化合物、ジフェノキノン、ＭＢＤＱのようなジフェノキノン系化合物、スチルベンキノン、ＭＢＳＱのようなスチルベンキノン系化合物、アントラキノジメタン系化合物、チオピランジオキシド系化合物、フルオレニリデンメタン系化合物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、８−ヒドロキシキノリン アルミニウム（Ａｌｑ_３）、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする錯体のような各種金属錯体等が挙げられる。

その他、電子輸送層６の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、オキサジアゾール系高分子（ポリオキサジアゾール）、トリアゾール系高分子（ポリトリアゾール）等の高分子系の材料を用いることもできる。
電子輸送層６の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。

なお、電子輸送層６と陰極８（補助陰極７２）との間には、例えば、陰極８からの電子注入効率を向上させる電子注入層を設けるようにしてもよい。
この電子注入層の構成材料（電子注入材料）としては、後述する第２実施形態で挙げる有機材料の他、例えば、各種の無機絶縁材料や、各種の無機半導体材料等が挙げられる。
無機絶縁材料や無機半導体材料を主材料として電子注入層を構成することにより、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることや、耐久性の向上を図ることができる。

このような無機絶縁材料としては、例えば、アルカリ金属カルコゲナイド（酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物）、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらを主材料として電子注入層を構成することにより、電子注入性をより向上させることができる。

アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ_２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ_２Ｓ、Ｎａ_２Ｓｅ、ＮａＯ等が挙げられる。
アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＭｇＯ、ＣａＳｅ等が挙げられる。
アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣｓＦ、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ等が挙げられる。
アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＳｒＦ_２、ＭｇＦ_２、ＢｅＦ_２等が挙げられる。

また、無機半導体材料としては、例えば、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎのうちの少なくとも１つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、このような無機材料で電子注入層を構成する場合、この無機材料は、微結晶または非晶質であることが好ましい。これにより、電子注入層は、より均質なものとなるため、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。

陽極３と陰極８との間に通電（電圧を印加）すると、正孔輸送層４中を正孔が、また、電子輸送層６中を電子が移動し、発光層５において正孔と電子とが再結合する。そして、発光層５ではエキシトン（励起子）が生成し、このエキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。
発光層５の構成材料（発光材料）としては、各種の高分子材料や、各種の低分子材料を単独または組み合わせて用いることができる。

高分子の発光材料としては、例えば、トランス型ポリアセチレン、シス型ポリアセチレン、ポリ（ジ−フェニルアセチレン）（ＰＤＰＡ）、ポリ（アルキル，フェニルアセチレン）（ＰＡＰＡ）のようなポリアセチレン系化合物、ポリ（パラ−フェンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（２，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレンビニレン）（ＲＯ−ＰＰＶ）、シアノ−置換−ポリ（パラ−フェンビニレン）（ＣＮ−ＰＰＶ）、ポリ（２−ジメチルオクチルシリル−パラ−フェニレンビニレン）（ＤＭＯＳ−ＰＰＶ）、ポリ（２−メトキシ，５−（２’−エチルヘキソキシ）−パラ−フェニレンビニレン）（ＭＥＨ−ＰＰＶ）のようなポリパラフェニレンビニレン系化合物、ポリ（３−アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）、ポリ（オキシプロピレン）トリオール（ＰＯＰＴ）のようなポリチオフェン系化合物、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）、α，ω−ビス［Ｎ，Ｎ’−ジ（メチルフェニル）アミノフェニル］−ポリ［９，９−ビス（２−エチルヘキシル）フルオレン−２，７−ジル］（ＰＦ２／６ａｍ４）、ポリ（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ（アントラセン−９，１０−ジイル）のようなポリフルオレン系化合物、ポリ（パラ−フェニレン）（ＰＰＰ）、ポリ（１，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレン）（ＲＯ−ＰＰＰ）のようなポリパラフェニレン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）のようなポリカルバゾール系化合物、ポリ（メチルフェニルシラン）（ＰＭＰＳ）、ポリ（ナフチルフェニルシラン）（ＰＮＰＳ）、ポリ（ビフェニリルフェニルシラン）（ＰＢＰＳ）のようなポリシラン系化合物等が挙げられる。

一方、低分子の発光材料としては、例えば、ジスチリルベンゼン（ＤＳＢ）、ジアミノジスチリルベンゼン（ＤＡＤＳＢ）のようなベンゼン系化合物、ナフタレン、ナイルレッドのようなナフタレン系化合物、フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、クリセン、６−ニトロクリセンのようなクリセン系化合物、ペリレン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−３，４，９，１０−ペリレン−ジ−カルボキシイミド（ＢＰＰＣ）のようなペリレン系化合物、コロネンのようなコロネン系化合物、アントラセン、ビススチリルアントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、４−（ジ−シアノメチレン）−２−メチル−６−（パラ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）のようなピラン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、２，５−ジベンゾオキサゾールチオフェンのようなチオフェン系化合物、ベンゾオキサゾールのようなベンゾオキサゾール系化合物、ベンゾイミダゾールのようなベンゾイミダゾール系化合物、２，２’−（パラ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾールのようなベンゾチアゾール系化合物、ビスチリル（１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン）、テトラフェニルブタジエンのようなブタジエン系化合物、ナフタルイミドのようなナフタルイミド系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、ペリノンのようなペリノン系化合物、オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アルダジン系化合物、１，２，３，４，５−ペンタフェニル−１，３−シクロペンタジエン（ＰＰＣＰ）のようなシクロペンタジエン系化合物、キナクリドン、キナクリドンレッドのようなキナクリドン系化合物、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジンのようなピリジン系化合物、２，２’，７，７’−テトラフェニル−９，９’−スピロビフルオレンのようなスピロ化合物、フタロシアニン（Ｈ_２Ｐｃ）、銅フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、８−ヒドロキシキノリン アルミニウム（Ａｌｑ_３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート） アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ_３）、８−ヒドロキシキノリン 亜鉛（Ｚｎｑ_２）、（１，１０−フェナントロリン）−トリス−（４，４，４−トリフルオロ−１−（２−チエニル）−ブタン−１，３−ジオネート）ユーロピウム（III）（Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（ｐｈｅｎ））、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン プラチナム（II）のような各種金属錯体等が挙げられる。

発光層５の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
本実施形態の表示装置１０は、上基板９上に、陰極（第１の電極）８および電子輸送層（第１の有機物層）６を順次形成した第１の積層体１０１と、ＴＦＴ回路基板２０上に、陽極（第２の電極）４および発光層（第２の有機物層）５を形成した第２の積層体１０２とを接合することにより製造される。

以下、表示装置１０の製造方法（本発明の発光装置の製造方法）について説明する。
［１］第１の積層体および第２の積層体の作製工程（第１の工程）
［１−１］第１の積層体の作製
Ａ：まず、上基板９を用意し、この上基板９上に基部（陰極本体）７１を形成する。
この基部７１は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等を用いた気相プロセスや、スピンコート法（パイロゾル法）、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等を用いた液相プロセス等で形成することができる。
なお、これらの方法は、基部７１の構成材料の熱安定性や、溶媒への溶解性等の物理的特性および／または化学的特性を考慮して選択される。

Ｂ：次に、基部７１上に、補助陰極７２を形成する。
この補助陰極７２は、基部７１と同様にして形成することができる。これにより、陰極８が得られる。
Ｃ：次に、陰極８上（陰極８の上基板９との反対側）に、電子輸送層６を形成する。
この電子輸送層６も、陰極８（基部７１、補助陰極７２）と同様にして形成することができる。
なお、本実施形態では、上基板９の全面に、陰極８および電子輸送層６を形成することから、マスクを用いる必要がないため、これらの形成には、真空蒸着法を用いた気相プロセス等が好適に用いられる。
以上のようにして、第１の積層体１０１が得られる。

［１−２］第２の積層体の作製
Ｄ：まず、基板２１を用意し、基板２１上に、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約２００〜５００ｎｍの酸化シリコンを主材料として構成される下地保護層２３を形成する。
Ｅ：次に、下地保護層２３上に、駆動用ＴＦＴ２４を形成する。

まず、基板２１を約３５０℃に加熱した状態で、下地保護層２３上に、例えばプラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコンを主材料として構成される半導体膜を形成する。
次いで、半導体膜に対して、レーザアニールまたは固相成長法等により結晶化処理を行い、アモルファスシリコンをポリシリコンに変化させる。

ここで、レーザアニール法では、例えば、エキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は、例えば２００ｍＪ／ｃｍ^２程度に設定される。また、ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。
次いで、半導体膜をパターニングして島状とし、各島状の半導体膜２４１を覆うように、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約６０〜１５０ｎｍの酸化シリコンまたは窒化シリコン等を主材料として構成されるゲート絶縁層２４２を形成する。

次いで、ゲート絶縁層上に、例えば、スパッタ法等により、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングし、ゲート電極２４３を形成する。
次いで、この状態で、高濃度のリンイオンを打ち込んで、ゲート電極２４３に対して自己整合的にソース・ドレイン領域を形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域となる。

Ｆ：次に、駆動用ＴＦＴ２４に電気的に接続されるソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。
まず、ゲート電極２４３を覆うように、第１層間絶縁層２５を形成した後、コンタクトホールを形成する。
次いで、コンタクトホール内にソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。

Ｇ：次に、ドレイン電極２４５と陽極３とを電気的に接続する配線（中継電極）２７を形成する。
まず、第１層間絶縁層２５上に、第２層間絶縁層２６を形成した後、コンタクトホールを形成する。
次いで、コンタクトホール内に配線２７を形成する。

Ｈ：次に、第２層間絶縁層２６上に、配線２７に接触するように陽極（画素電極）３を形成する。
この陽極３は、ゲート電極２４３と同様にして形成することができる。
Ｉ：次に、第２層間絶縁層２６上に、各陽極３を区画するように、隔壁部３１を形成する。

隔壁部３１は、絶縁膜を形成した後、パターニングすること等により形成することができる。
絶縁膜（隔壁部３１）の構成材料は、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、下地層との密着性等を考慮して選択される。
このような材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂のような有機材料や、ＳｉＯ_２のような無機材料が挙げられる。

特に、陽極３が酸化物材料を主材料として構成される場合には、隔壁部３１の構成材料としては、ＳｉＯ_２を用いるのが好ましい。これにより、陽極３と隔壁部３１との密着性の向上を図ることができる。
また、撥液性を示す隔壁部３１は、例えば、フッ素系樹脂を用いて形成することや、隔壁部３１の表面にフッ素プラズマ処理を施すこと等により得ることができる。

また、隔壁部３１の開口の形状は、例えば、円形、楕円形、四角形、六角形等の多角形等、いかなるものであってもよい。
なお、隔壁部３１の開口の形状を多角形とする場合には、角部は丸みを帯びているのが好ましい。これにより、正孔輸送層４、発光層５および電子輸送層６を、液状材料を用いて形成する場合には、この液状材料を、隔壁部３１の内側の空間の隅々にまで確実に供給することができる。
このような隔壁部３１の高さは、正孔輸送層４、発光層５および電子輸送層６の合計の厚さに応じて適宜設定され、特に限定されないが、１〜２μｍ程度とするのが好ましい。かかる高さとすることにより、十分に隔壁としての機能が発揮される。

Ｊ：次に、各陽極３上に、それぞれ、正孔輸送層４を形成する。
この正孔輸送層４は、前述したような気相プロセスや液相プロセスにより形成することができるが、中でも、インクジェット法（液滴吐出法）を用いた液相プロセスにより形成するのが好ましい。インクジェット法を用いることにより、正孔輸送層４の薄膜化、画素サイズの微小化を図ることができる。また、正孔輸送層形成用の液状材料を、隔壁部３１の内側に選択的に供給することができるため、液状材料のムダを省くことができる。

具体的には、正孔輸送層形成用の液状材料を、インクジェットプリント装置のヘッドから吐出し、各陽極３上に供給し、脱溶媒または脱分散媒した後、必要に応じて、１５０℃程度で短時間の加熱処理を施す。
この脱溶媒または脱分散媒は、減圧雰囲気に放置する方法、熱処理(例えば５０〜６０℃程度)による方法、窒素ガスのような不活性ガスのフローによる方法等が挙げられる。さらに、追加の熱処理（１５０℃程度で短時間）で行なうことにより、残存溶媒を除去する。
用いる液状材料は、前述したような正孔輸送材料を溶媒または分散媒に溶解または分散することにより調製される。

また、液状材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の各種無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
なお、陽極３上に供給された液状材料は、流動性が高く（粘性が低く）、水平方向（面方向）に広がろうとするが、陽極３が隔壁部３１により囲まれているため、所定の領域以外に広がることが阻止され、正孔輸送層４（発光素子１）の輪郭形状が正確に規定される。

Ｋ：次に、各正孔輸送層４上（陽極３のＴＦＴ回路基板２０と反対側）に、発光層５を形成する。
この発光層５も、気相プロセスや液相プロセスにより形成することができるが、前述したのと同様の理由から、インクジェット法（液滴吐出法）を用いた液相プロセスにより形成するのが好ましい。また、インクジェット法を用いることにより、複数色の発光層５を設ける場合には、各色毎にパターンの塗り分けを容易に行うことができるという利点もある。

また、図１および図２に示すように、発光層５は、隔壁部３１の上面から突出し、かつ、隔壁部３１の開口から若干はみ出すように形成するのが好ましい。これにより、第１の積層体１０１が第２の積層体１０２との接合に際して、発光層５と電子輸送層６との界面における接合をより容易かつ確実に行うことができる。また、接合の際に生じる歪の逃げ部とすることができる。

［２］第１の積層体と第２の積層体との接合工程（第２の工程）
次に、第１の積層体１０１と第２の積層体１０２とを接合する。
まず、第１の積層体１０１と第２の積層体１０２とを、予め形成したアライメントマーク（図示せず）同士が一致するように位置合わして、一端側（図２中右側）において、第１の積層体１０１の下面と第２の積層体１０２の上面とを接触させる。

次に、この状態で、第１の積層体１０１および第２の積層体１０２を、第１の積層体１０１の下面と第２の積層体１０２の上面とを接触させた箇所において、一対のローラ９００ａ、９００ｂ間に挟持されるように接合装置に設置する。これにより、第１の積層体１０１（上基板９）および第２の積層体１０２（基板２１）が加圧される。
また、このとき、第１の積層体１０１の他端部を、接合装置のローラ９００ａより上方において移動可能に設けられた支持部９１０に固定する。これにより、第１の積層体１０１は、撓んだ状態で、接合装置に設置（セット）される。
また、各ローラ９００ａ、９００ｂには、それぞれ、図示しない加熱手段（例えばヒータ等）が設けられており、第１の積層体１０１および第２の積層体１０２は、一対のローラ９００ａ、９００ｂで挟持された部分が加熱される。

次に、図２（ｂ）および（ｃ）に示すように、各ローラ９００ａ、９００ｂを他端側（図２中左側）に向かって移動する。
これにより、一対のローラ９００ａ、９００ｂで挟持された部分において、発光層５と電子輸送層６とが順次接合され、接合体が得られる。
この際の加熱の温度は、接合する層（本実施形態では、発光層５および電子輸送層６）のうちのいずれか軟化点温度の低い層の軟化点温度か、または、それより低い温度程度とするのが好ましく、これらの層の構成材料等によっても若干異なり、特に限定されないが、０〜１２０℃程度であるのが好ましく、４０〜１００℃程度であるのがより好ましい。加熱の温度が低過ぎると、発光層５と電子輸送層６とを十分に接合できないおそれがあり、一方、加熱の温度が高過ぎると、各層に変質・劣化が生じるおそれがある。

また、この際の加圧の圧力は、前記加熱の温度等によっても若干異なり、特に限定されないが、０．１〜１０ｋｇｆ／ｃｍ^２程度であるのが好ましく、０．２〜５ｋｇｆ／ｃｍ^２程度であるのがより好ましい。加圧の圧力が小さ過ぎると、発光層５と電子輸送層６とを十分に接合できないおそれがあり、一方、加圧の圧力を前記上限値を超えて大きくしても、圧力を大きくするのに見合う効果の増大が期待できない。
また、発光層（第２の有機物層）５と電子輸送層（第１の有機物層）６とを接合する速度、すなわち、各ローラ９００ａ、９００ｂの移動速度も、特に限定されないが、５〜５０ｍｍ／秒程度であるのが好ましく、１０〜４０ｍｍ／秒程度であるのがより好ましい。これにより、発光層５と電子輸送層６とを確実に接合することができる。

以上のような方法によれば、第１の積層体１０１が第２の積層体１０２に対して、一端側から他端側に向かって順に接合されるため、発光層５と電子輸送層６との境界部から空気を排除することができ、これらの界面に気泡が残存することを防止することができる。また、界面における歪応力の発生を防止することもできる。
このようなことから、発光層５と電子輸送層６との高い密着性が得られ、発光素子１（表示装置１０）の発光効率等の特性の向上を図ることができる。

特に、第１の積層体１０１が第２の積層体１０２との接合に際して、支持部９１０により、第１の積層体１０１（上基板９）の他端部を、一端側に向かって押圧した状態で、第１の積層体１０１を第２の積層体１０２に接合するようにするのが好ましい。これにより、発光層５と電子輸送層６との界面における歪応力の発生をより確実に防止することができる。

また、第１の積層体１０１が第２の積層体１０２との接合に際して、基板２１および上基板９は、いずれも、ローラ９００ａ、９００ｂに接触する部分が選択的に加熱および加圧されることになる。このため、不必要な箇所が加熱されるのを防止することができ、各層（特に、有機物層）への熱的ダメージが生じるのを軽減することができる。これにより、発光素子１の特性の低下を防止することができる。

また、第１の積層体１０１が第２の積層体１０２に対して、一端側から他端側に向かって順に接合するため、この操作を発光層５と電子輸送層６との位置関係を確認しつつ行なうことができる。これにより、第１の積層体１０１と第２の積層体１０２との位置合わせを簡便かつ正確に行うことができる。
特に、第１の積層体１０１（可撓性基板）側の層（本実施形態では、電子輸送層６）は、有機高分子材料を主材料として構成されているのが好ましい。これにより、第１の積層体１０１を撓ませた際に、電子輸送層６が剥離することや、電子輸送層６の内部にクラック等の欠陥が生じるのを防止することができる。
さらに、第２の積層体１０２（対向基板）側の層（本実施形態では、正孔輸送層４および発光層５）も、有機高分子材料を主材料として構成されているのが好ましい。第１の積層体１０１が第２の積層体１０２との接合に際して、不要に大きい圧力が与えられた場合でも、各層の内部にクラック等の欠陥が生じるのを防止することができる。

［３］熱処理工程（第３の工程）
次に、必要に応じて、得られた接合体に対して熱処理（ポストベーク処理）を施す。
これにより、第１の積層体１０１と第２の積層体１０２との接合に際して、第１の積層体１０１および第２の積層体１０２に内部応力が生じた場合でも、この内部応力を緩和することができ、各層同士の界面において容易に剥離が生じるのを防止することができる。
この際の加熱の温度は、接合体が備える有機物層の構成材料のうち、最もガラス転移温度が低い構成材料の当該ガラス転移温度より低い温度に設定するのが好ましい。これにより、各層への熱的ダメージが生じるのを防止しつつ、内部応力を確実に緩和することができる。

また、この際の加熱の時間は、前記加熱の温度等によっても若干異なるが、１０〜１２０分程度であるのが好ましく、３０〜９０分程度であるのがより好ましい。これにより、各層への熱的ダメージが生じるのを防止しつつ、内部応力を確実に緩和することができる。
なお、本工程［３］を省略して、接合体をそのまま完成品とすることもできる。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第２実施形態について説明する。
図３は、本発明の発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第１実施形態を示す縦断面図、図４は、図３に示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図、図５は、図３に示すアクティブマトリクス型表示装置の他の製造方法を説明するための図である。なお、以下の説明では、図３〜図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、第２実施形態について、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図３に示す表示装置１０は、隔壁部３１が省略され、陰極８（補助陰極７２）と電子輸送層６との間に電子注入層１１が設けられていること以外は、前記第１実施形態の表示装置１０と同様である。

電子注入層１１の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、８−ヒドロキシキノリン、オキサジアゾール、または、これらの誘導体（例えば、８−ヒドロキシキノリンを含む金属キレートオキシノイド化合物）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上組み合わせて（例えば、複数層の積層体等として）用いることができる。
電子注入層１１の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、０．５〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１〜５０ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。これにより、電子注入層１１の機械的強度が低下することや、成膜時間が不要に長くなるのを防止しつつ、電子注入層１１の低抵抗化を図り、発光素子１（表示装置１０）の高速応答を実現することができる。

本実施形態の表示装置１０は、上基板９上に、陰極（第１の電極）８および電子注入層（第１の有機物層）１１を順次形成した第１の積層体１０１と、ＴＦＴ回路基板２０上に、陽極（第２の電極）４から順に電子輸送層（第２の有機物層）６まで形成した第２の積層体１０２とを、図４（ａ）〜（ｃ）に示すようにして、接合することにより製造される。

電子注入層１１は、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、スパッタ法等の方法により形成することができる。かかる方法を用いることにより、均一な膜厚の電子注入層１１を得ることができる。
また、この電子注入層１１の平面積は、電子輸送層６の平面積より大きく形成するのが好ましい。これにより、第１の積層体１０１が第２の積層体１０２との接合に際して、これらの位置合わせがより容易となる。

また、本実施形態では、隔壁部３１を形成しないので、正孔輸送層４、発光層５および電子輸送層６は、それぞれ、好ましくは気相プロセスや、インクジェット法を用いた液相プロセスにより形成される。
また、本実施形態の表示装置１０は、上基板９上に、陰極（第１の電極）８から順に、接合により正孔輸送層４となる第１の有機物層４１を順次形成した第１の積層体１０１と、ＴＦＴ回路基板２０上に、陽極（第２の電極）４および接合により正孔輸送層４となる第２の有機物層４２を形成した第２の積層体１０２とを、図５（ａ）〜（ｃ）に示すようにして、接合することにより製造される。

図５に示す構成では、第１の有機物層４１の平面積および第２の有機物層４２の平面積は、ほぼ等しいが、本発明によれば、第１の積層体１０１を撓ませた状態で、第１の有機物層４１と第２の有機物層４２との位置関係を確認しつつ、第１の積層体１０１を第２の積層体１０２に接合していくので、正確な位置合わせが可能である。
なお、正孔輸送層４を接合して形成するのに代わり、発光層５を接合して形成するようにしてもよく、電子輸送層６を接合して形成するようにしてもよく、正孔輸送層４と発光層５とを接合するようにしてもよく、発光層５と電子輸送層６とを接合するようにしてもよい。

これらの場合、各層４〜６の構成材料として、それぞれ、前述したような化合物に対して重合性基Ｘを導入したものを用いるのが好ましい。これにより、２つの層の表面（接合面）に存在する重合性基Ｘ同士を重合反応させると、接合した２つの層の間においてさらに高い密着性が得られる。その結果、これらの層の界面における剥離をより確実に防止することができ、また、発光素子１（表示装置１０）の発光効率等の特性のさらなる向上を図ることができる。

ここで、重合性基Ｘとしては、これらのもの同士が重合（連結）し得るものであれば、特に限定されないが、光重合性または熱重合性を有するものであるのが好ましい。
光重合性を有する重合性基Ｘを用いた場合、光を照射することにより重合性基Ｘ同士を容易に重合させることができる。
このような重合性基Ｘとしては、例えば、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、エポキシ基等の置換基を末端に備えるものが挙げられる。これらの置換基は、特に優れた光重合性を有するものである。

熱重合性を有する重合性基Ｘを用いた場合、加熱より重合性基Ｘ同士を容易に重合させることができる。
このような重合性基Ｘとしては、例えば、エポキシ基等の置換基を末端に備えるものが挙げられる。これらの置換基は、特に優れた熱重合性を有するものである。
また、これらの化合物は、重合性基Ｘ同士を重合させて高分子化した化合物として用いることができる。
その他、正孔輸送層４、発光層５および電子輸送層６の構成材料としては、それぞれ、例えば、下記一般式（Ａ１）または下記一般式（Ａ２）で表される化合物のうち、正孔輸送能、発光能および電子輸送能を有するものを選択して用いることもできる。

［式中、２つのＲ^１は、それぞれ独立して、炭素数２〜８の直鎖アルキル基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。４つのＲ^２は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。２つのＸ^１は、下記一般式（Ｂ１）〜下記一般式（Ｂ３）で表される置換基のうちのいずれかを示す。ただし、２つのＸ^１は、同種の置換基であるが、その炭素数は、同一であっても異なっていてもよい。Ｙは、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環、または、置換もしくは無置換の複素環を少なくとも１つ含む基を表す。］

［式中、８つのＲ^２は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４およびＸ^５は、下記一般式（Ｂ１）〜下記一般式（Ｂ３）で表される置換基のうちのいずれかを示す。ただし、これらＸ^２、Ｘ^３、Ｘ^４およびＸ^５は、同種の置換基であるが、その炭素数は、同一であっても、異なっていてもよい。Ｙは、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環、または、置換もしくは無置換の複素環を少なくとも１つ含む基を表す。］

［これらの式中、ｎ^１は、２〜８の整数を表す。ｎ^２は、３〜８の整数を表し、ｍは、０〜３の整数を表す。Ｚ^１は、水素原子またはメチル基を表し、Ｚ^２は、水素原子、メチル基またはエチル基を表す。］

ここで、上記一般式（Ａ１）で表される化合物（以下、「化合物（Ａ１）」と言う。）において、重合性基Ｘは、置換基Ｘ^１を表し、上記一般式（Ａ２）で表される化合物（以下、「化合物（Ａ２）」と言う。）において、重合性基Ｘは、置換基Ｘ^２、置換基Ｘ^３、置換基Ｘ^４および置換基Ｘ^５（以下、これらのものを総称して「置換基Ｘ^２〜５」と言うこともある。）を表す。

また、化合物（Ａ１）および化合物（Ａ２）は、それぞれが備える重合性基Ｘにおいて重合していない状態でも優れたキャリア輸送能を発揮するが、それぞれの化合物同士を重合性基Ｘにおいて重合させた高分子は、より優れたキャリア輸送能を発揮するものとなる。
そのため、化合物（Ａ１）または化合物（Ａ２）を重合させた高分子を各層４〜６の主材料として用いることにより、各層４〜６は、それぞれ、より優れた特性（キャリア輸送能や発光能等）を発揮するものとなる。

以下、これらの高分子の特徴について説明する。
これらの高分子（ポリマー）は、化合物（Ａ１）または化合物（Ａ２）（ジフェニルアミン誘導体）同士を、それぞれが有する重合性基Ｘにおいて重合反応させて得られたもの、すなわち、重合性基以外の主骨格（ジフェニルアミン骨格）同士を、重合性基を反応させて得られた化学構造（以下、この化学構造を「連結構造」という。）により連結してなるものである。

まず、化合物（Ａ１）により得られた高分子について説明する。
ここで、化合物（Ａ１）同士を、置換基Ｘ^１において重合反応させて得られた高分子では、連結構造を介して前記主骨格が繰り返して結合する構成、すなわち、主骨格が所定の距離を離間して繰り返し存在している構成となっていることから、隣接する主骨格同士の相互作用が低減する。

また、前記主骨格は、共役系の化学構造を有し、その特有な電子雲の広がりにより、高分子における円滑なキャリア輸送に寄与する。
このようなことから、この高分子は、優れたキャリア輸送能を発揮し、かかる高分子を主材料として得られた各層４〜６は、それぞれ、特性に優れたものとなる。
なお、このような高分子において、主骨格同士の離間距離が短くなり過ぎると、隣接する主骨格同士の相互作用が大きくなる傾向を示し、主骨格の離間距離が長くなり過ぎると、主骨格同士間におけるキャリアの受け渡しが困難となり、高分子のキャリア輸送能が低減する傾向を示す。

かかる観点から、置換基Ｘ^１の構造を設定するのが好ましく、置換基Ｘ^１として上記一般式（Ｂ１）または（Ｂ２）のものを選択した場合には、ｎ^１が２〜８、特に３〜６の直鎖状の炭素−炭素結合のものが好ましく、上記一般式（Ｂ３）のものを選択した場合には、ｎ^２が３〜８、および、ｍが０〜３の直鎖状の炭素−炭素結合のものが好ましく、特にｎ^２が４〜６、および、ｍが１または２の直鎖状の炭素−炭素結合のものが好ましい。

かかる関係を満足するより、主骨格同士の距離を適度に保つことが可能となり、高分子中において、隣接する主骨格同士の相互作用をより確実に低減することができるとともに、主骨格同士間におけるキャリアの受け渡しがより確実に行われることから、高分子のキャリア輸送能が優れたものとなる。
ここで、置換基Ｘ^１として（Ｂ１）および（Ｂ２）のものを選択した場合には、その末端に、それぞれ、（メタ）アクリロイル基およびエポキシ基が存在する。（メタ）アクリロイル基およびエポキシ基は、高い反応性および結合安定性を有することから、比較的容易に置換基Ｘ^１同士を重合反応させて、鎖長の長い高分子を形成することができる。

さらに、（メタ）アクリロイル基を用いて重合反応させることにより生じた連結構造中には、酸素原子と炭素原子との内に二重結合（π結合）が２つ存在することとなる。これにより、主骨格同士の距離が比較的長くなった場合においても、この２つのπ結合（共役系の結合）を介して、主骨格同士間におけるキャリアの受け渡しを確実に行うことができる。

また、２つのπ結合と主骨格との間には直鎖状の炭素−炭素結合（アルキレン基）が存在することから、主骨格同士の相互作用の増強を防止することができる。
また、エポキシ基を用いて重合反応させることにより生じた連結構造中には、エーテル結合と、直鎖状の炭素−炭素結合（アルキレン基）とが存在することとなる。このような構造を有する連結構造中においては、電子の移動が抑制されることとなる。これにより、主骨格同士の距離が比較的短くなった場合においても、主骨格同士の相互作用が増強するのを防止または抑制することができる。

なお、例えば、ベンゼン環のように、π結合の中でも共役系の結合が多い構造が存在すると、この構造を介して隣接する主骨格同士が相互作用を及ぼすようになり、主骨格同士を離間することによる効果が相殺されてしまう。
ところで、置換基Ｘ^１として（Ｂ３）のものを選択した場合には、置換基Ｘ^１が、上記一般式（Ｂ３）に示すように、その末端に官能基として、スチレン基に置換基Ｚを導入したスチレン誘導体基を有していることから、連結構造中には、ベンゼン環が存在することとなる。

そのため、ベンゼン環と共役系の化学構造を有する主骨格とが接近しすぎる場合、例えば、ベンゼン環と主骨格とがエーテル結合により結合している場合や、ｎ^２とｍとの合計数が２の場合等では、このベンゼン環を介して隣接する主骨格同士が相互作用を及ぼすようになる。
ところが、この高分子では、主骨格とこのベンゼン環との結合がｎ^２とｍとの合計数が３以上、すなわち３つ以上のメチレン基とエーテル結合とを介して形成される。これにより、主骨格とベンゼン環との離間距離が好適な状態に保たれることとなる。その結果、隣接する主骨格同士が相互作用を及ぼしあうのを好適に抑制または防止にすることができる。

また、置換基Ｚ^２は、水素原子、メチル基またはエチル基であるが、置換基Ｚ^２は、ｎ^２とｍとの合計数、すなわちメチレン基の合計数に応じて選択するようにすればよい。
例えば、前記合計数が小さい場合には、置換基Ｚ^２としては、メチル基もしくはエチル基を選択するようにすればよい。ここで、メチル基とエチル基が電子供与性の置換基であることから、置換基Ｚ^２として、メチル基およびエチル基を選択することにより、電子を主骨格側に偏らせることができる。その結果、ベンゼン環を介して隣接する主骨格同士が相互作用を及ぼすようになるのを好適に防止することができる。

また、２つの置換基Ｘ^１は、ほぼ同一の炭素数のものであるのが好ましく、同一の炭素数のものであるのがより好ましい。これにより、隣接する主骨格同士の離間距離をほぼ一定とすることができる。その結果、この高分子中において電子密度に偏りが生じるのを好適に防止することができる。これにより、高分子のキャリア輸送能を向上させることができる。
また、置換基Ｘ^１は、ベンゼン環の２位から６位のいかなる位置に結合してもよいが、特に、３位、４位または５位のうちのいずれかに結合しているのが好ましい。これにより、隣接する主骨格同士の結合を置換基Ｘ^１を介して行うことの効果をより顕著に発揮させることができる。すなわち、隣接する主骨格同士をより確実に離間させることができる。

次に、置換基Ｒ^１は、炭素数２〜８の直鎖アルキル基であるが、特に、炭素数３〜６の直鎖アルキル基であるのが好ましい。その結果、この置換基Ｒ^１による立体障害により、隣接する高分子同士が接近しすぎるのを阻止して、これらの距離を適度に保つことができる。その結果、形成される正孔輸送層４および発光層５中において、異なる高分子が有する主骨格同士の間での相互作用を確実に低減することができ、各層４〜６の特性を優れたものにすることができる。

また、２つの置換基Ｒ^１は、ほぼ同一の炭素数のものであるのが好ましく、同一の炭素数のものであるのがより好ましい。これにより、形成される各層４〜６中において、隣接する高分子同士の距離をほぼ一定の間隔に保つことができる。その結果、各層４〜６中における高分子の密度が均一なものとなる。
また、置換基Ｒ^１は、ベンゼン環の２位から６位のいかなる位置に結合してもよいが、特に、４位に結合しているのが好ましい。これにより、置換基Ｒ^１を導入することの効果をより顕著に発揮させることができる。すなわち、隣接する高分子同士が接近しすぎるのをより確実に阻止することができる。

さらに、置換基Ｒ^２は、水素原子、メチル基またはエチル基であり、置換基Ｒ^２は、置換基Ｒ^１の炭素数に応じて選択するようにすればよい。すなわち、置換基Ｒ^１の炭素数が大きい場合には、置換基Ｒ^２としては、水素原子を選択し、置換基Ｒ^１の炭素数が小さい場合には、置換基Ｒ^２としては、メチル基もしくはエチル基を選択するようにすればよい。

ここで、この化合物（Ａ１）において、基（結合基）Ｙの化学構造を適宜設定することにより、高分子のキャリア輸送能の特性を変化させることができる。
これは、キャリア輸送に寄与する主骨格における電子雲の広がり（電子の分布状態）が変化することに伴って、高分子において、例えば、その価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等が変化することに起因すると考えられる。

化合物（Ａ１）では、基Ｙに置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環、または、置換もしくは無置換の複素環が少なくとも１つ含まれており、これらの芳香族炭化水素環および／または複素環の種類を適宜選択することにより、高分子におけるキャリア輸送能の特性を比較的容易に調整することができる。
例えば、基（結合基）Ｙとして、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環により構成されるものを選択することにより、得られる高分子が優れた正孔輸送能を発揮するものとなることから、このような基Ｙを有する化合物（Ａ１）を前述した正孔輸送材料として用いることができる。

具体的には、無置換の芳香族炭化水素環により構成される構造としては、例えば、下記化学式（Ｃ１）〜（Ｃ１７）で表されるものが挙げられる。

また、基Ｙの総炭素数は、６〜３０であるのが好ましく、１０〜２５であるのがより好ましく、１０〜２０であるのがさらに好ましい。
さらに、基Ｙにおいて、芳香族炭化水素環の数は、１〜５であるのが好ましく、２〜５であるのがより好ましく、２または３であるのがさらに好ましい。
これらのことを考慮すると、化合物（Ａ１）において、基Ｙとしては、前記化学式（Ｃ１）で表されるビフェニレン基またはその誘導体が特に好ましい構造である。
かかる基を選択することにより、高分子の正孔輸送能がより優れたものとなり、形成される正孔輸送層４は、正孔輸送能により優れたものとなる。

次に、基（結合基）Ｙとして、置換もしくは無置換の複素環により構成されるものを選択することにより、得られる高分子におけるキャリア輸送能の特性をより容易に調整することができる。
このような複素環としては、特に、窒素、酸素、硫黄、セレンおよびテルルのうちの少なくとも１種のヘテロ原子を含有するものを選択するのが好ましい。かかる種類のヘテロ原子を含有する複素環を選択することにより、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等を変化させることが特に容易となる。

また、複素環は、芳香族系および非芳香族系のいずれであってもよいが、芳香族系のものであるのが好ましい。これにより、主骨格の共役系の化学構造における電子密度の偏り、すなわち、π電子の局在化を好適に防止して、高分子のキャリア輸送能の低下を防止することができる。
基Ｙは、同一または異なる複素環を１〜５つ含むものが好ましく、１〜３つ含むものがより好ましい。基Ｙにこのような数の複素環が存在すれば、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等を十分に変化させることができる。

また、基Ｙの総炭素数は、２〜７５であるのが好ましく、２〜５０であるのがより好ましい。基Ｙの総炭素数が多すぎると、置換基Ｘ^１の種類によっては、化合物（Ａ１）の溶媒に対する溶解度が低下する傾向を示すおそれがある。
また、基Ｙの総炭素数をかかる範囲内とすることにより、主骨格における平面性が保たれることから、高分子におけるキャリア輸送能が低下するのを確実に防止することができる。
これらのことを考慮すると、無置換の複素環により構成される構造としては、例えば、下記化学式（Ｄ１）〜（Ｄ１７）で表されるものが特に好ましい構造である。

［これらの式中、各Ｑ^１は、それぞれ独立して、Ｎ−Ｔ^１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ^１は、Ｈ、ＣＨ_３またはＰｈを表す。）を表し、同一であっても、異なっていてもよい。各Ｑ^２は、それぞれ独立して、ＳまたはＯを表し、同一であっても、異なっていてもよい。Ｑ^３は、Ｎ−Ｔ^３、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ^３は、Ｈ、ＣＨ_３、Ｃ_２Ｈ_５またはＰｈを表す。）を表す。］

さらに、基（結合基）Ｙとして、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環および置換もしくは無置換の複素環により構成されるものを選択することにより、前述したようなそれぞれの特性を相乗的に付与することができる。
このような基Ｙは、化合物（Ａ１）中の各Ｎにそれぞれ、直接結合する芳香族炭化水素環と、これらの芳香族炭化水素環の間に存在する少なくとも１つの複素環とを含むものであるのが、特に好ましい。これにより、高分子中における電子密度に偏りが生じるのを確実に防止することができる。その結果、高分子のキャリア輸送能が均一なものとなる。
このことを考慮すると、無置換の芳香族炭化水素環および無置換の複素環により構成される構造としては、例えば、下記化学式（Ｅ１）〜（Ｅ３）で表されるものが特に好ましい構造である。

［これらの式中、各Ｑ^１は、それぞれ独立して、Ｎ−Ｔ^１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ^１は、Ｈ、ＣＨ_３またはＰｈを表す。）を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］

このように、基Ｙの化学構造を適宜設定することにより、例えば、基Ｙとして前記化学式（Ｄ２）、（Ｄ１６）、（Ｅ１）および（Ｅ３）を選択して得られる高分子は、前記化学式（Ｄ１７）を選択して得られる高分子に対して優れた正孔輸送能を発揮し、前記化学式（Ｄ８）および（Ｅ２）を選択して得られる高分子に対して特に優れた正孔輸送能を発揮するものとなる。

これとは逆に、基Ｙとして前記化学式（Ｄ８）、（Ｄ１７）および（Ｅ２）を選択して得られる高分子は、前記化学式（Ｄ２）および（Ｄ１６）を選択して得られる高分子に対して優れた電子輸送能を発揮し、前記化学式（Ｅ１）および（Ｅ３）を選択して得られる高分子に対して特に優れた電子輸送能を発揮するものとなる。
これらのことから、例えば、基Ｙが前記化学式（Ｄ２）、（Ｄ１６）、（Ｅ１）および（Ｅ３）のものを、正孔輸送材料として選択して用いた場合には、基Ｙが前記化学式（Ｅ２）、（Ｄ８）および（Ｄ１７）のものを電子輸送材料として用いることができる。
なお、正孔輸送材料と電子輸送材料との組み合わせによっては、発光材料としても用いることもできる。

例えば、正孔輸送材料として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）のようなポリ（チオフェン／スチレンスルホン酸）、Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（α−ＮＰＤ）のようなアリールアミン化合物等を用い、電子輸送材料として３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−５−（ビフェニル−４−イル）−１，３，５−オキサジアゾール（ＰＢＤ）のようなオキサジアゾール化合物等を用いた場合には、基Ｙが前記化学式（Ｄ１２）および（Ｄ１４）のものを発光材料として用いることができる。
また、基Ｙに含まれる無置換の芳香族炭化水素環や無置換の複素環には、主骨格における平面性が大きく阻害されないような置換基が導入されていてもよい。このような置換基としては、例えば、メチル基またはエチル基のような比較的炭素数の少ないアルキル基やハロゲン基等が挙げられる。

次に、化合物（Ａ２）により得られた高分子について説明する。
以下、化合物（Ａ１）により得られた高分子との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
化合物（Ａ１）では、置換基Ｘ^１と置換基Ｒ^１とをそれぞれ２つ有し、置換基Ｒ^２を４つ有するのに対して、化合物（Ａ２）では、置換基Ｘ^２〜５を４つ有し、置換基Ｒ^３を８つ有する点が異なりそれ以外は、化合物（Ａ２）は、化合物（Ａ１）と同様である。

置換基Ｘ^２〜５としては、前述した置換基Ｘ^１と同様の構造を有するものが選択され、化合物（Ａ２）では、この置換基Ｘ^２〜５を４つ有することから、２次元的なネットワークが形成されやすくなる。
置換基Ｘ^２と置換基Ｘ^４とは、ほぼ同一の炭素数のものであるのが好ましく、同一の炭素数のものであるのがより好ましい。これにより、この置換基Ｘ^２〜５（置換基Ｘ^２または置換基Ｘ^４）の重合反応により連結される主骨格同士の離間距離のばらつきを小さくすることができる。すなわち、高分子中における主骨格同士の離間距離のばらつきを小さくすることができる。その結果、この高分子中の電子密度に偏りが生じるのを好適に防止できる。これにより、高分子のキャリア輸送能を向上させることができる。
かかる観点から、置換基Ｘ^３と置換基Ｘ^５とも、ほぼ同一の炭素数のものであるのが好ましく、同一の炭素数のものであるのがより好ましい。これにより、前記効果がより向上し、高分子のキャリア輸送能をより向上させることができる。

さらには、置換基Ｘ^２、置換基Ｘ^３、置換基Ｘ^４および置換基Ｘ^５を、好ましくは、ほぼ同一の炭素数、より好ましくは、同一の炭素数とすることにより、前記効果が特に顕著に発揮される。また、主骨格から突出している置換基Ｘ^２〜５の長さがほぼ同一（特に同一）となることから、置換基Ｘ^２〜５による立体障害が生じる可能性を低減させることができる。これにより、置換基Ｘ^２〜５同士の重合反応を確実に行うことができる。すなわち、高分子の形成を確実に行うことができる。その結果、高分子のキャリア輸送能をさらに向上させることができる。

置換基Ｒ^３は、水素原子、メチル基またはエチル基であり、この置換基Ｒ^３は、置換基Ｘ^２〜５の炭素数に応じて選択するようにすればよい。例えば、置換基Ｘ^２〜５の炭素数が大きい場合には、置換基Ｒ^３としては、水素原子を選択し、置換基Ｘ^２〜５の炭素数が小さい場合には、置換基Ｒ^２としては、メチル基もしくはエチル基を選択するようにすればよい。

ところで、置換基Ｘ^１または置換基Ｘ^２〜５（以下、これらを総称して「置換基Ｘ」という。）として、前記一般式（Ｂ１）〜前記一般式（Ｂ３）で表されるものに代えて、下記一般式（Ｂ４）で表されるものを選択することもできる。この場合、置換基Ｘにおいて重合反応させて高分子を得るには、置換基Ｘと置換基Ｘとの間に、化学式ＣＯＣｌ_２で表されるホスゲンおよび／またはその誘導体を介在させた状態で、重縮合反応させて下記一般式（Ｂ５）で表される化学構造を形成することにより行うことができる。

［これらの式中、各ｎ^１は、それぞれ独立して、２〜８の整数を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］

このような高分子は、前記一般式（Ｂ５）で表される化学構造、すなわち２つの直鎖状の炭素−炭素結合（アルキレン基）がカーボネート結合により連結する化学構造を介して前記主骨格が繰り返して存在する構成となっている。この化学構造の存在により、置換基Ｘとして、前記一般式（Ｂ１）〜前記一般式（Ｂ３）で表されるものを用いた場合と同様に、主骨格同士を所定の距離離間して存在させることができ、隣接する主骨格同士の相互作用が低減することとなる。
また、ホスゲンおよび／またはその誘導体としては、置換基Ｘの末端の水酸基と重縮合反応することにより、前記一般式（Ｂ５）で表される化学構造が形成されるものであれば、特に限定されないが、特に、ホスゲンおよび／または下記一般式（Ｂ６）で表される化合物を主成分とするものを用いるのが好ましい。

［式中、２つのＺ^３は、それぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基またはベンジル基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］

ここで、置換基Ｘ（水酸化アルキル基）とホスゲンおよび／またはその誘導体とが重縮合反応すると、副生成物が生成することとなる。このような重縮合反応において、ホスゲンおよび／または前記化合物（Ｂ６）を用いることにより、形成された各層４〜６中から前記副生成物を比較的容易に除去することができる。これにより、各層４〜６中において前記副生成物によりキャリア（正孔や電子）が捕捉されるのを確実に阻止することができる。その結果、各層４〜６の特性が低減することを好適に防止することができる。

さて、以上のような化合物（Ａ１）または化合物（Ａ２）から得られた高分子には、必要に応じて架橋剤が添加されていてもよい。
すなわち、化合物（Ａ１）または化合物（Ａ２）が備える置換基Ｘ同士の重合反応を架橋剤を介して行うようにしてもよい。
このような架橋剤としては、例えば、アクリル系架橋剤やジビニルベンゼンのようなビニル化合物およびエポキシ架橋剤等が挙げられる。

ここで、置換基Ｘとして、前記一般式（Ｂ１）〜前記一般式（Ｂ３）で表されるものを選択する場合、置換基Ｘ同士の重合反応を架橋剤を介在させた状態で行うことは、特に有効である。これにより、置換基Ｘとして、その炭素数が比較的小さいもの、換言すれば、その鎖長が比較的短いものを選択した場合においても、主骨格同士の離間距離が小さくなりすぎるのを好適に防止することができる。その結果、主骨格同士の離間距離が適切な大きさに保たれて、主骨格同士の相互作用が増強するのを確実に防止することができる。

置換基Ｘとして、前記一般式（Ｂ１）で表されるものを選択した場合、架橋剤としては、例えば、ポリエステル（メタ）アクリレート架橋剤、エポキシ（メタ）アクリレート架橋剤およびポリウレタン（メタ）アクリレート架橋剤等のアクリル系架橋剤のうちの少なくとも１種を用いるのが好ましい。
なお、ポリエステル（メタ）アクリレート架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｆ１）〜（Ｆ３）で表される化合物が挙げられる。
エポキシ（メタ）アクリレート架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｆ４）〜（Ｆ８）で表される化合物が挙げられる。
ポリウレタン（メタ）アクリレート架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｆ９）で表される化合物が挙げられる。

［これらの式中、ｎ^３は、４５００以下の整数を表す。ｎ^４は、１〜３の整数を表す。ｎ^５は、０〜１５００の整数を表す。各ｎ^６は、それぞれ独立して、１〜１０の整数を表し、同一であっても、異なっていてもよい。ｎ^７は、１〜４０の整数を表す。ｎ^８は、１〜１００の整数を表す。各Ｒ^３は、それぞれ独立して、炭素数が１〜１０のアルキレン基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。Ｒ^４は、炭素数が１〜１００のアルキレン基を表す。各Ａ^１は、それぞれ独立して、水素原子またはメチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。各Ａ^２は、それぞれ独立して、ジイソシアネート化合物から２つのイソシアネート基を除いた基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］

また、前記一般式（Ｂ２）で表されるものを選択した場合、架橋剤としては、例えば、（メタ）アクリル酸エステル系エポキシ架橋剤、ビスフェノール型エポキシ架橋剤、グリシジルエステル系エポキシ架橋剤、脂環式系エポキシ架橋剤、ウレタン変性エポキシ架橋剤、ケイ素含有エポキシ架橋剤、多官能性フェノール系エポキシ架橋剤およびグリシジルアミン系エポキシ架橋剤等のエポキシ架橋剤のうちの少なくとも１種を用いるのが好ましい。

なお、（メタ）アクリル酸エステル系エポキシ架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｇ１）で表される化合物が挙げられる。
ビスフェノール型エポキシ架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｇ２）〜（Ｇ６）で表される化合物が挙げられる。
グリシジルエステル系エポキシ架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｇ７）〜（Ｇ８）で表される化合物が挙げられる。

脂環式系エポキシ架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｇ９）〜（Ｇ１２）で表される化合物が挙げられる。
ウレタン変性エポキシ架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｇ１３）で表される化合物が挙げられる。
ケイ素含有エポキシ架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｇ１４）で表される化合物が挙げられる。
多官能性フェノール系エポキシ架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｇ１５）〜（Ｇ２２）で表される化合物が挙げられる。
グリシジルアミン系エポキシ架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｇ２３）〜（Ｇ２５）で表される化合物が挙げられる。

［これらの式中、Ａ^１は、水素原子またはメチル基を表す。各ｎ^６は、それぞれ独立して、０〜１０の整数を表し、同一であっても、異なっていてもよい。各ｎ^９は、それぞれ独立して、１〜２０の整数を表し、同一であっても、異なっていてもよい。ｎ^１０は、１〜３０の整数を表す。ｎ^１１は、０〜８の整数を表す。Ａ^２は、ジイソシアネート化合物から２つのイソシアネート基を取り除いた基を表し、各Ａ^１は、それぞれ独立して、ジオール化合物から２つの水酸基を取り除いた基を表し、同一であっても異なっていてもよい。］

さらに、前記一般式（Ｂ３）で表されるものを選択した場合、架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｈ１）で表されるポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレートやジビニルベンゼンのようなビニル化合物のうちの少なくとも１種を用いるのが好ましい。

［式中、ｎ^１２は、５〜１５の整数を表し、各Ａ^１は、それぞれ独立して、水素原子またはメチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］

なお、重合性基Ｘ同士を重合させる方法としては、例えば、加熱や光照射による方法が挙げられる。
加熱による方法を用いる場合、加熱温度は、特に限定されないが、接合体が備える各有機物層の構成材料のうち、最もガラス転移温度が低い構成材料の当該ガラス転移温度より低く設定するのが好ましい。これにより、重合性基Ｘ同士を重合させる際に、各有機物層が溶融し、その後の除熱の際に、前記構成材料が結晶化して、各有機物層の特性が低下するのを防止することができる。
具体的には、加熱温度は、５０〜２００℃程度であるのが好ましく、７０〜１５０℃程度であるのがより好ましい。
加熱時間は、５〜９０分程度であるのが好ましく、５〜６０分程度であるのがより好ましい。

なお、光照射による方法を用いる場合、照射する光としては、例えば、赤外線、可視光線、紫外線およびＸ線等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、照射する光としては、紫外線を用いるのが特に好ましい。これにより、重合性基Ｘ同士の重合反応を容易かつ確実に進行させることができる。

光照射する紫外線の波長は、２００〜４２０ｎｍ程度であるのが好ましく、２５０〜４００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、紫外線の照射強度は、１０〜５０００ｍＷ／ｃｍ^２程度であるのが好ましく、２０〜１０００ｍＷ／ｃｍ^２程度であるのがより好ましい。
さらに、紫外線の照射時間は、５〜３００秒程度であるのが好ましく、１０〜１５０秒程度であるのがより好ましい。
このような第２実施形態によっても、前記第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。

以上説明したように、本発明の発光装置の製造方法において、接合する第１の有機物層と第２の有機物層とは、いずれも有機物層、いずれも無機物層、いずれか一方が有機物層であり他方が無機物層である組み合わせが挙げられるが、特に、いずれも有機物層である場合への適用に適する。この場合において、本発明の効果がより顕著に発揮される。
また、前記実施形態では、第１の積層体の第１の有機物層と第２の積層体の第２の有機物層とを、それらの一端側において接触させ、他端側に向かって順に接合する場合について説明したが、第１の有機物層と第２の有機物層とは、それらの中央部において接触させ、縁側に向かって順に接合するようにしてもよい。

＜電子機器＞
このような表示装置（本発明の発光装置）１０は、各種の電子機器に組み込むことができる。
図６は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述のディスプレイ装置１０で構成されている。

図７は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述のディスプレイ装置１０で構成されている。

図８は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。

ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述のディスプレイ装置１０で構成されている。

ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。

また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。

なお、本発明の電子機器は、図６のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図７の携帯電話機、図８のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
以上、本発明の発光装置の製造方法、発光装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．表示装置の製造
以下の各実施例および各比較例では、それぞれ、１０個の表示装置を製造した。
（実施例１）
＜１＞ まず、平均厚さ５ｍｍの透明なガラス基板を用意し、このガラス基板上に、前述したようにして回路部を形成した。

＜２＞ 次に、回路部上に、真空蒸着法により、平均厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法により、陽極（画素電極）を得た。
また、このとき、アライメントマークを形成した。
＜３＞ 次に、各陽極の縁部を覆うように、ポリイミド（絶縁性の感光性樹脂）塗布した後、露光することにより、隔壁部を形成した。

＜４＞ 次に、隔壁部の内側に、真空蒸着法により、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）を供給して、陽極層上に平均厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
＜５＞ 次に、隔壁部の内側に、真空蒸着法により、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）を供給して、正孔輸送層上に平均厚さ５０ｎｍの発光層を形成した。

＜６＞ また、平均厚さ０．５ｍｍのポリイミド基板（可撓性基板）を用意し、このポリイミド基板上に、真空蒸着法により、平均厚さ５０ｎｍのＣａ層および平均厚さ１５００ｎｍのＡｌ層を積層して、基部（陰極本体）を形成した。
また、このとき、アライメントマークを形成した。
＜７＞ 次に、基部上に、真空蒸着法により、平均厚さ０．５ｎｍのＬｉＦ層（補助陰極）を形成した。これにより、陰極を得た。

＜８＞ 次に、ＬｉＦ層上に、真空蒸着法により、８−ヒドロキシキノリン アルミニウム（Ａｌｑ_３）を供給して、平均厚さ５０ｎｍの電子輸送層を形成した。
＜９＞ 次に、発光層と電子輸送層とを、一端側において接触させ、これらを、図２に示すようにして、他端側に向かって順に接合して、図１に示すのと同様の接合体を得、これを表示装置の完成品とした。
なお、このときの条件は、加熱の温度：８０℃、加圧の圧力：１．５ｋｇｆ／ｃｍ^２、ローラの移動速度：１０ｍｍ／秒とした。
また、この接合は、支持部により、ポリイミド基板の他端部を、一端側に向かって押圧した状態で行った。

（実施例２）
前記工程＜９＞の後、接合体に対して、７０℃×５０分の熱処理を施した以外は、前記実施例１と同様にして、表示装置を製造した。
なお、この加熱温度は、最もガラス転移温度の低いＮＰＢ材料（ガラス転移温度：９５℃）より低い温度である。

（実施例３）
正孔輸送層、発光層および電子輸送層を、それぞれ、インクジェット法を用いた液相プロセスにより形成した以外は、前記実施例１と同様にして、表示装置を製造した。
なお、正孔輸送材料には、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を用い、発光材料には、ポリ（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ（アントラセン−９，１０−ジイル）を用い、電子輸送材料には、ポリトリアゾールを用いた。

（実施例４）
隔壁部を省略し、電子注入層を設けた以外は、前記実施例３と同様にして、図３に示す表示装置を製造した。
なお、電子注入層は、ポリイミド基板側の陰極上に、８−ヒドロキシキノリンを真空蒸着法により、平均厚さ３０ｎｍで被着させて形成した。

（実施例５）
接合により正孔輸送層となる第１の有機物層をポリイミド基板側に形成し、接合により正孔輸送層となる第２の有機物層をガラス基板側に形成し、第１の有機物層と第２の有機物層とを接合して正孔輸送層を得た以外は、前記実施例４と同様にして、表示装置を製造した。

（実施例６）
第１の有機物層および第２の有機物層を構成する正孔輸送材料として、それぞれ、下記化合物（Ａ）の重合体を用い、前記工程＜９＞の後、接合体に対して、７０℃×６０分の熱処理を施した以外は、前記実施例６と同様にして、表示装置を製造した。
なお、この加熱温度は、最もガラス転移温度の低い下記化合物（Ａ）の重合体（ガラス転移温度：１０５℃）より低い温度である。

（比較例１）
接合を一括して行った以外は、前記実施例１と同様にして、図１に示す表示装置を製造した。
（比較例２）
接合を一括して行った以外は、前記実施例４と同様にして、図３に示す表示装置を製造した。

２．評価
２−１．気泡の有無
各実施例および各比較例の表示装置において、接合界面に気泡が存在するか否かを確認し、以下の２段階の基準に従って評価した。
○；気泡なし
×；気泡あり

２−２．位置ズレの有無
各実施例および各比較例の表示装置において、接合界面の位置ズレが存在するか否かを確認し、以下の３段階の基準に従って評価した。
◎：位置ズレなし
○：目立った位置ズレなし
△：若干の位置ズレあり
×：目立った位置ズレあり

２−３．特性評価
各実施例および各比較例の表示装置について、それぞれ、電流密度（ｍＡ／ｃｍ^２）、発光輝度（ｃｄ／ｍ^２）、最大発光効率（ｌｍ／Ｗ）を測定するとともに、発光輝度が初期値の半分になる時間（半減期）を測定した。
なお、電流密度および発光輝度の測定は、陽極と陰極との間に６Ｖの電圧を印加することで行った。
そして、対照とする発光装置で測定された各測定値（電流密度、発光輝度、最大発光効率、半減期）を基準値として、各実施例の発光装置で測定された各測定値を、それぞれ、以下の４段階の基準に従って評価した。

◎：対照とする発光装置の測定値に対し、１．５０倍以上である
○：対照とする発光装置の測定値に対し、１．２５倍以上、１．５０倍未満である
△：対照とする発光装置の測定値に対し、１．００倍以上、１．２５倍未満である
×：対照とする発光装置の測定値に対し、０．７５倍以上、１．００倍未満である
これらの評価結果を、それぞれ、以下の表１に示す。
なお、実施例１〜３の発光装置では、比較例１の発光装置を対象とし、実施例４〜６の発光装置では、比較例２の発光装置を対象とした。

表１に示すように、各実施例の発光装置では、いずれも、接合界面において気泡や位置ズレが認められず、また、対照となる比較例の発光装置と比較して、電流密度、発光輝度、最大発光効率および半減期ともに、優れた結果が得られた。
この結果は、各実施例の発光装置では、いずれも、接合界面に気泡や位置ズレが存在せず、高い密着性が得られていることを示唆するものである。
また、この特性の向上は、有機物層同士を接合することにより、より上昇し、さらに有機高分子で構成される層同士を接合することにより、さらに上昇する傾向を示した。

本発明の発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第１実施形態を示す縦断面図である。 図１に示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図である。 本発明の発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第１実施形態を示す縦断面図である。 図３に示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図である。 図３に示すアクティブマトリクス型表示装置の他の製造方法を説明するための図である。 本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。

符号の説明

１……発光素子 ３……陽極 ４……正孔輸送層 ４１……第１の有機物層 ４２……第２の有機物層 ５……発光層 ６……電子輸送層 ７１……基部 ７２……補助陰極 ８……陰極 ９……上基板 １１……電子注入層 １０……表示装置 ２０……ＴＦＴ回路基板 ２１……基板 ２２……回路部 ２３……下地保護層 ２４……駆動用ＴＦＴ ２４１……半導体層 ２４２……ゲート絶縁層 ２４３……ゲート電極 ２４４……ソース電極 ２４５……ドレイン電極 ２５……第１層間絶縁層 ２６……第２層間絶縁層 ２７……配線 ３１……隔壁部 １０１……第１の積層体 １０２……第２の積層体 ９００ａ、９００ｂ……ローラ ９１０……支持部 １１００……パーソナルコンピュータ １１０２……キーボード １１０４……本体部 １１０６……表示ユニット １２００……携帯電話機 １２０２……操作ボタン １２０４……受話口 １２０６……送話口 １３００……ディジタルスチルカメラ １３０２……ケース（ボディー） １３０４……受光ユニット １３０６…………シャッタボタン １３０８……回路基板 １３１２……ビデオ信号出力端子 １３１４……データ通信用の入出力端子 １４３０……テレビモニタ １４４０……パーソナルコンピュータ

Claims (14)

1. 第１の電極を備えた可撓性基板と、第２の電極を備えた対向基板とを用意し、前記第１の電極の前記可撓性基板と反対側に第１の有機物層を形成するとともに、前記第２の電極の前記対向基板と反対側に第２の有機物層を形成する第１の工程と、
   前記可撓性基板を撓ませた状態で、前記第１の有機物層の前記可撓性基板と反対側の面と、前記第２の有機物層の前記対向基板と反対側の面とを、所定の箇所において接触させ、当該箇所から前記可撓性基板および前記対向基板を順に加熱および加圧することにより、前記第１の有機物層と前記第２の有機物層とを接合して接合体を得る第２の工程とを有することを特徴とする発光装置の製造方法。
2. 前記第２の工程において、前記第１の有機物層を、その一端側から他端側に向かって順に、前記第２の有機層に接合する請求項１に記載の発光装置の製造方法。
3. 前記第２の工程において、前記可撓性基板の他端部を、一端側に向かって押圧した状態で、前記第１の有機物層と前記第２の有機物層を接合する請求項２に記載の発光装置の製造方法。
4. 前記第２の工程における加熱の温度は、前記第１の有機物層および前記第２の有機物層のうちのいずれか軟化点温度の低い層の軟化点温度か、または、それより低い温度である請求項１ないし３のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
5. 前記第２の工程における加圧の圧力は、０．１〜１０ｋｇｆ／ｃｍ^２である請求項１ないし４のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
6. 前記第２の工程において、前記第１の有機物層と前記第２の有機物層とを接合する速度は、５〜５０ｍｍ／秒である請求項１ないし５のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
7. 前記第１の有機物層を構成する有機材料、および、前記第２の有機物層を構成する有機材料は、いずれも、重合性基を有するものである請求項１ないし６のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
8. 前記可撓性基板側に形成された層は、いずれも、有機高分子材料を主材料として構成されている請求項１ないし７のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
9. 前記対向基板側に形成された層は、いずれも、有機高分子材料を主材料として構成されている請求項１ないし８のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
10. 前記第２の工程の後、前記接合体に対して加熱を施す第３の工程を有する請求項１ないし９のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
11. 前記第３の工程における加熱の温度は、前記接合体が備える有機物層の構成材料のうち、最もガラス転移温度が低い構成材料の当該ガラス転移温度より低い請求項１０に記載の発光装置の製造方法。
12. 前記第３の工程における加熱の時間は、１０〜１２０分である請求項１０または１１に記載の発光装置の製造方法。
13. 請求項１ないし１２のいずれかに記載の発光装置の製造方法により製造されたことを特徴とする発光装置。
14. 請求項１３に記載の発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
    

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