JP2014067522A - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】実施形態は、信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る表示装置の製造方法は、第1基板と、前記第1基板の上に設けられたnチャネル型の薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された陰極と、を有する第1基板部に、第2基板と、前記第2基板の上に設けられた陽極と、を有する第2基板部を、中間層を介して対向させ、前記陽極および前記陰極の間に前記中間層を介在させて前記第1基板部に前記第2基板部を接合する。
【選択図】図1
【解決手段】実施形態に係る表示装置の製造方法は、第1基板と、前記第1基板の上に設けられたnチャネル型の薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された陰極と、を有する第1基板部に、第2基板と、前記第2基板の上に設けられた陽極と、を有する第2基板部を、中間層を介して対向させ、前記陽極および前記陰極の間に前記中間層を介在させて前記第1基板部に前記第2基板部を接合する。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、表示装置およびその製造方法に関する。
有機電界発光(Electroluminescence:EL)ディスプレイは、広い色再現域と優れた動画表示能力とを有し、スマートフォンやタブレット端末、テレビなど幅広い用途に用いることが可能である。
また、有機ELディスプレイは、その形状の自由度が大きい。例えば、基板上に樹脂層を介して薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:TFT)と有機EL層とを形成し基板を除去することにより、可撓性を有する表示装置を実現することができる。
しかしながら、有機EL層は水や酸素と反応して劣化するため、有機EL層と、水および酸素と、の接触を防ぐ技術が重要である。また、有機ELディスプレイでは、有機EL層の劣化および駆動回路の経時変化により輝度の低下を生じることがある。
実施形態は、信頼性の高い表示装置を提供する。
実施形態に係る表示装置の製造方法は、第1基板と、前記第1基板の上に設けられたnチャネル型の薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された陰極と、を有する第1基板部に、第2基板と、前記第2基板の上に設けられた陽極と、を有する第2基板部を、中間層を介して対向させ、前記陽極および前記陰極の間に前記中間層を介在させて前記第1基板部に前記第2基板部を接合する。
以下に、各実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る表示装置を例示する模式断面図である。
図2(a)は、第1実施形態に係る表示装置を例示する等価回路である。
図2(b)は、比較例に係る表示装置の等価回路である。
図1は、第1実施形態に係る表示装置を例示する模式断面図である。
図2(a)は、第1実施形態に係る表示装置を例示する等価回路である。
図2(b)は、比較例に係る表示装置の等価回路である。
図1に表したように、本実施形態に係る表示装置100は、第1基板部20と、第2基板部30と、中間層40と、を含む。
第1基板部20は、第1基板3と、第1基板の上に設けられたnチャネル型の薄膜トランジスタ10と、薄膜トランジスタ10に接続された陰極29と、を有する。
第2基板部30は、第2基板31と、第2基板の上に設けられた陽極35と、を有する。
第1基板部20は、第1基板3と、第1基板の上に設けられたnチャネル型の薄膜トランジスタ10と、薄膜トランジスタ10に接続された陰極29と、を有する。
第2基板部30は、第2基板31と、第2基板の上に設けられた陽極35と、を有する。
表示装置100は、その製造過程において、第1基板部20に中間層40を介して第2基板部30を対向させる。そして、陰極29と陽極35との間に中間層40を介在させて、第1基板部20と第2基板部30とを接合する。
以下、図1を参照しつつ、各部の構成例を説明する。
第1基板部20は、第1基板3と、アンダーコート層5と、薄膜トランジスタ10と、カラーフィルタ(CF)層23と、平坦化層25と、陰極29と、を含む。
第1基板部20は、第1基板3と、アンダーコート層5と、薄膜トランジスタ10と、カラーフィルタ(CF)層23と、平坦化層25と、陰極29と、を含む。
薄膜トランジスタ10は、ゲート電極7と、ゲート絶縁膜9と、チャネル層13と、ソース電極17と、ドレイン電極19と、を含む。
ゲート電極7は、アンダーコート層5の上に選択的に設けられる。ゲート絶縁膜9は、ゲート電極7を覆いアンダーコート層5の上に設けられる。
チャネル層13は、ゲート絶縁膜9の上に選択的に設けられ、ゲート電極7に対向する。そして、チャネル保護層15が、ゲート絶縁膜9の上にチャネル層13を覆って設けられる。
ソース電極17は、チャネル保護層15の上に設けられ、チャネル保護層15に形成されたコンタクトホール17aを介してチャネル層13に電気的に接続される。
ドレイン電極19も、チャネル保護層15の上に設けられ、チャネル保護層15に形成されたコンタクトホール19aを介してチャネル層13に電気的に接続される。
チャネル保護層15の上には、保護層21と、カラーフィルタ層23と、平坦化層25と、が順に積層される。保護層21は、薄膜トランジスタ10を保護するために、ドレイン電極19のドレインコンタクト部19bを除いて薄膜トランジスタ10を覆う。
さらに、陰極29は、平坦化層25の上に選択的に設けられる。陰極29は、平坦化層25の上面25aからドレインコンタクト部19bに連通するコンタクトホール27を介して、薄膜トランジスタ10に電気的に接続される。すなわち、陰極29は、中間層40に接する第1の部分29aと、コンタクトホール27を介してドレインコンタクト部19b接する第2の部分29bと、を含む。
中間層40は少なくとも発光層45を有し、発光層45は可視光の波長の成分を含む光を放出する。発光層45は、例えば有機発光材料を有する有機層である。実施形態においては、中間層40は、正孔注入層41と、正孔輸送層43と、発光層45と、電子輸送層47と、を含む。陰極29は、第1の部分29aにおいて、電子輸送層47に接する。
第2基板部30は、第2基板31と、反射電極33と、陽極35と、を含む。そして、陽極35は、中間層40の正孔注入層41に接する。
中間層40には、陽極35から正孔が注入され、陰極29から電子が注入される。そして、正孔注入層41及び正孔輸送層43を介して発光層45に到達した正孔と、電子輸送層47を介して発光層45に到達した電子と、が発光再結合する。これにより、中間層40から光が放射される。
本実施形態では、第2基板部30の方向に放射された光は、反射電極33により、第1基板部20の方向に反射される。すなわち、表示装置100は、第1基板部20の側に表示面を有する。
また、反射電極33に水分や酸素のバリア性に優れた金属を用いることにより、第2基板部30を通して中間層40、すなわち、発光層や電子注入層、正孔注入層、およびそれらと電極との間に浸入する水、または、酸素の浸入を効果的に抑制することが可能である。
さらに、第1基板部20と中間層40との間において、発光層45と、陰極29の第1の部分29aと、の間の間隔は、発光層45と、陰極29の第2の部分29bとの間の間隔よりも狭い。そして、第2の部分29bと、発光層45と、の間に、気体を含むスペース27aを有する。このスペース27aに水分をトラップすることにより、中間層40に侵入する水を減らすことができる。
このように、本実施形態では、水や酸素など、外部環境に起因する中間層40の劣化を抑制することが可能であり、表示装置100の信頼性を向上させることができる。
また、本実施形態では、陰極29は薄膜トランジスタ10のドレイン側に接続される。このため、表示装置100では、1つの画素における等価回路は、図2(a)に示す構成となる。すなわち、中間層40と、画素を駆動する薄膜トランジスタ10と、が直列に接続され、駆動電流Idsは、中間層40から薄膜トランジスタ10へ流れる。薄膜トランジスタ10のゲートには、書き込みトランジスタ51を介して信号電圧Vsigが供給される。
このような、回路構成とすることにより、中間層40の劣化による輝度変化を抑制することができる。例えば、中間層40の抵抗が変化し、薄膜トランジスタ10のドレイン電圧が変化したとしても、ゲート・ソース間の電圧VGSは変化しない。このため、中間層40に流れる駆動電流Idsの変化は、その劣化に起因する変動だけに抑えることができる。
これに対し、図2(b)に示す比較例に係る等価回路では、薄膜トランジスタ10のソース側に中間層40が接続される。そして、駆動電流Idsは、薄膜トランジスタ10の側から中間層40へ流れる。中間層40の抵抗が変化すると、薄膜トランジスタ10のソース電圧が変化し、ゲート・ソース間電圧VGSが変化する。このため、中間層40の劣化に加えて、ゲート電圧の変化によるトランジスタの動作点の変動が生じ、駆動電流Idsの変動が大きくなる。すなわち、中間層40における輝度変化が増幅される。また、Vsig電圧はゲート・ソース間電圧VGSと中間層40で消費される電圧VOLEDの和となるため、高耐圧のドライバが必要となり高コスト、高消費電力となる。
このように、本実施形態では、中間層40の陰極側を薄膜トランジスタ10のドレインに接続することにより、中間層40の特性劣化に伴う輝度変化を抑制することができ、コストおよび消費電力の低減を実現できる。
図3(a)〜図3(d)および図4は、第1実施形態に係る表示装置100の製造方法を例示する模式断面図である。
図5(a)および図5(c)は、第1実施形態に係る表示装置100の一部を例示する模式平面図である。
図6(a)および図6(b)は、第1実施形態に係る表示装置100の一部を例示する模式断面図である。
図5(a)および図5(c)は、第1実施形態に係る表示装置100の一部を例示する模式平面図である。
図6(a)および図6(b)は、第1実施形態に係る表示装置100の一部を例示する模式断面図である。
図3(a)〜図3(d)は、第1基板部20の製造過程を表す模式断面図である。
まず、図3(a)に表すように、第1基板3の上にアンダーコート層5を形成する。第1基板3には、例えば、無アルカリガラスなどの光透過性の材料を用いる。また、石英ガラスやソーダ石灰ガラスも使用可能である。アンダーコート層5としては、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、またはシリコン酸窒化膜などの絶縁材料を用いることができる。また、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜でも良い。これらの膜は、例えば、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法を用いて形成できる。アンダーコート層5の厚さは、例えば、200ナノメートル(nm)程度である。
まず、図3(a)に表すように、第1基板3の上にアンダーコート層5を形成する。第1基板3には、例えば、無アルカリガラスなどの光透過性の材料を用いる。また、石英ガラスやソーダ石灰ガラスも使用可能である。アンダーコート層5としては、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、またはシリコン酸窒化膜などの絶縁材料を用いることができる。また、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜でも良い。これらの膜は、例えば、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法を用いて形成できる。アンダーコート層5の厚さは、例えば、200ナノメートル(nm)程度である。
次に、薄膜トランジスタ10の形成を行う。この例に示す薄膜トランジスタ10は、ボトムゲート構造のアモルファスシリコンTFTであるが、これに限定される訳ではない。後述するように、別の材料および構造を用いても良い。
アンダーコート層5の上に、例えば、スパッタ法を用いて金属薄膜を全面に形成する。続いて、フォトリソグラフィでレジストマスクを形成し、ゲート線等の配線およびゲート電極7をパターニングする。金属薄膜は、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、また、これらの合金の単層あるいは積層膜である。
次に、ゲート電極7および図示しない配線が形成されたアンダーコート層5の上に、ゲート絶縁膜9、チャネル層13およびチャネル保護層15を連続して形成する。
ゲート絶縁膜9は、例えば、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜などの絶縁性の材料である。また、ゲート絶縁膜の厚さは、例えば、50〜500nmの範囲である。
チャネル層13には、例えば、IGZO(InGaZnO)、ITO(Indium Tin Oxide)、ITZO(InSnZnO)、IZO(InZnO)、ZnOなどの酸化物半導体層を用いることができる。
チャネル保護層15は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはシリコン酸窒化膜であり、50〜500nmの範囲の厚さに形成する。
次に、チャネル層13およびチャネル保護層15を所定の形状にパターニングし、チャネル層13に接するソース電極17およびドレイン電極19を形成する。ソース電極17およびドレイン電極19は導電性の材料で形成される。また、2種類以上の導電性の材料を積層することにより形成しても良い。そして、ソース電極17、ドレイン電極19およびチャネル保護層15を覆う保護層21を形成する。
保護層21は、例えば、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、酸化アルミニウム膜を含む絶縁性の材料である。そして、その厚さは、50〜500nmの範囲に形成する。
また、チャネル層13に、例えば、水素化アモルファスシリコン層を用いても良い。その場合、ソースおよびドレイン電極とチャネル層13との間に、n+層としてリンドープした水素化アモルファスシリコン(n+a−Si:H)を形成する。n+層は、チャネル層13のエッチングと同時にパターニングしても良い。
なお、ゲート絶縁膜9にコンタクトホールを形成し、ゲート配線をソース/ドレイン電極と同じ金属で配線することも可能である。
次に、図3(b)に表すように、保護層21の上にカラーフィルタ層23および平坦化層25を形成する。例えば、RGBの各カラーレジストをフォトリソグラフィを用いてパターニングする。カラーフィルタ層23は、例えば、アクリル樹脂であり、500〜5000nmの厚さに形成する。単色表示用のディスプレイの場合は、カラーフィルタ層23を形成しない構成でも良い。
第1基板部20の上には、複数の画素(ピクセル)65が設けられ、各画素に薄膜トランジスタ10と陰極29とが設けられる。消費電力を低減するために、RGBWの4つのサブピクセルを形成しても良い。Wの画素には、カラーフィルタ層23として透明樹脂層を形成しても良い。
続いて、平坦化層25を形成する。平坦化層25には、例えば、アクリルまたはポリイミド等の感光性樹脂を用いる。平坦化層25は、例えば、500〜5000nmの厚さに形成する。さらに、平坦化層25の上面25aから薄膜トランジスタ10のドレイン電極19に連通するコンタクトホール27を形成する。
なお、平坦化層25とカラーフィルタ層23の積層順は逆でも良いし、平坦化層25を設けない構造も可能である。
次に、図3(c)に表すように、平坦化層25の上、および、コンタクトホール27の内面に陰極29を形成する。陰極29は、画素65ごとに形成される。そして、陰極29のパターニングに際しては、後述するように、その表面の酸化を抑制する製造方法を用いることが好ましい。
陰極29には、例えば、マグネシウム銀合金(MgAg)、アルミニウム(Al)または銀(Ag)などの導電性材料を用いる。本実施形態では、第1基板部20の側に表示面が設けられるため、陰極29を通して中間層40の光を外に取り出す。したがって、陰極29の膜厚は薄い方が望ましく、例えば、20nm以下とする。また、キャリアの注入効率を向上させるために、陰極29の上にフッ化リチウム(LiF)やフッ化セシウム(CsF)等の注入層を形成してもよい。
次に、図3(d)に表すように、陰極29の上、および、平坦化層25の上に電子輸送層47の一部47aを形成する。電子輸送層47は、例えば、真空蒸着法を用いて形成できる。
次に、図4に表すように、第1基板部20に中間層40を介して第2基板部30を対向させ、第1基板部20に第2基板部30を接合する。
第2基板部30は、第2基板31と、反射電極33と、陽極35と、を含む。第2基板31の材料には、例えば、プラスチック、ガラス等の絶縁材料またはステンレス綱(SUS)等を用いることが可能である。反射電極33は、例えば、スパッタ法を用いて第2基板31の上に形成する。反射電極33には、例えば、反射率の高いアルミニウムや銀などの光反射性の材料を用いる。また、アルミ箔や銀箔を貼り付けても良い。
基板2側からも光を取り出す場合は、反射電極33が局所的に形成されていたり、反射電極33がない構成でもよい。
第2基板31と反射電極33との間にバリア層を形成しても良い。バリア層は、例えば、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜、アクリル、エポキシ、酸化アルミニウムまたはパリレン等の単層の絶縁材料、あるいは、これらの内の2以上を含む積層膜を用いる。
続いて、反射電極33の上に陽極35を形成する。陽極35は、例えば、ITO膜などの導電性材料である。ITO膜は、例えば、スパッタ法を用いて形成することができる。そして、ITO膜の表面を酸素プラズマで処理することが好ましい。これにより、陽極35から中間層40へのキャリアの注入効率を上げ、中間層40の発光効率を向上させることができる。
本実施形態では、陽極35の上に中間層40を形成する。すなわち、中間層40は、正孔注入層41と、正孔輸送層43と、発光層45と、電子輸送層47と、を含み、例えば、真空蒸着法を用いて陽極35の上に順に形成される。
図5(a)のように、第1基板20上に複数の表示領域(図中の29)を形成できる。第2基板30は、図5(b)に示すように、第2基板部30の全面に中間層40を形成しても良いし、図5(c)に表すように、画素65に合わせて中間層40をパターニングしても良い。図5(b)の場合は、第1基板部20に設けられる画素65と、中間層40を形成した第2基板との位置合わせを省くことができ製造が容易になる。
次に、第1基板部20と、第2基板部30と、を中間層40を介在させて貼り合せる。この工程は、接合界面に気泡などが残らないように、真空中で行うことが好ましい。具体的には、第1基板部20を80℃〜130℃に加熱し、第1基板部20に設けられた電子輸送層47の一部47aと、第2基板部30に設けられた電子輸送層47の他の一部47bと、を接触させ、圧力を加えて貼り合せる。これにより、陰極29と、陽極35と、の間に中間層40を介在させた接合構造が完成する。
陽極35と、第1基板部20の配線と、の間の接続部には、カーボンや銀(Ag)ペーストによる接続の他に、図6(a)および図6(b)に示すような方式も可能である。
図6(a)に示すように、接続部50aは、例えば、保護層21、カラーフィルタ層23および平坦化層25をパターニングしたベース54と、その上に設けられた突起55と、を有する。突起55は、例えば、感光性のアクリル樹脂またはポリイミドを用いて形成される。そして、突起55およびベース54の表面には、導電層57が設けられる。
図6(b)に表す接続部50bのように、ベース54の上に導電性樹脂または金属ペーストを用いた突起61を設けても良い。
接続部50a、50bは、第1基板部20に設けられる。そして、第1基板部20と第2基板部30とを接合する際に、突起55または突起61は、中間層40を貫通し、その先端が陽極35に接する。これにより、例えば、チャネル保護層15の上に設けられた給電線59と、陽極35と、を電気的に接続することができる。
また、図15(a)および図15(b)のように陽極へ外部から信号を入力することも可能である。
図15(a)に示すように、接続部60aは、例えば、フレキシブルプリント基板(FPC)であり、第1基板部20hに接続する面にACF(Anisotropic Conductive Film)62を有し、第2基板部30に接続する面に導電性樹脂64が設けられている。
図15(b)に表す接続部60bのように導電性樹脂64に外部接続配線66がつながっても良い。
上記の工程により、図1に表した表示装置100を製作することができる。中間層40と、第1基板部と、の間には、コンタクトホール27が気体を含むスペースとして残る。
本実施形態では、中間層40を第2基板部30の上に形成する。そして、中間層40はパターニングが不要であるため、第2基板31としてプラスチック基板を用いることが可能である。また、第2基板部30と第1基板部20との貼り合わせの際に、プラスチック基板の伸縮が発生してもずれの問題がなく、高精細のディスプレイを実現できる。
さらに、上記の製造過程では、中間層40の形成後に薄膜封止層を設ける必要がなく工程の削減にもつながる。また、バリア層形成時に成膜温度を中間層40の耐熱温度以下に抑える必要がないため封止性能が向上する。
また、反射電極33を設けることにより、中間層40からの光取出し効率が向上するだけでなく、中間層40の封止効果が向上し寿命を伸ばすことが可能となる。
さらに、第2基板31にプラスチック、または、薄ガラスなど可撓性を有する材料を用いれば、Roll to Rollの製造過程を採用することが可能となり、材料の仕様効率を向上し、製造コストを低減することができる。
本実施形態においては、第2の基板20上に設けた電子輸送層47の一部47bと第1基板10上に設けた電子輸送層47の一部47aを張り合わせることとしたが、中間層40を形成する他の層同士を張り合わせることとしても良い。
また、本実施形態においては、中間層40は発光層45の他に正孔注入層41、正孔輸送層43、電子輸送層47を設けることとしたが、これらの層は任意に設けられる。中間層40は、電子注入層を有していても良い。
すなわち、中間層は第1の層および発光層を有する。発光層および第1の層の一部は陰極の上に設けられ、第1の層の他の一部は陽極の上に設けられるか、あるいは、第1の層の一部は陰極の上に設けられ、発光層および第1の層の他の一部は陽極の上に設けられる。第1の層の一部と第1の層の他の一部とを互いに接続することにより、陰極と陽極は中間層を介して接合される。
あるいは、中間層は全部が陰極の上に設けられており、陽極が中間層を介して接合されても良い。
あるいは、中間層は全部が陽極の上に設けられており、陰極が中間層を介して接合されても良い。
あるいは、中間層は全部が陰極の上に設けられており、陽極が中間層を介して接合されても良い。
あるいは、中間層は全部が陽極の上に設けられており、陰極が中間層を介して接合されても良い。
中間層40を構成する発光層45以外の層は、有機材料で形成されていても無機材料で形成されていても良い。有機材料で形成されている層の方が無機材料で形成されている層よりも張り合わせやすい。
図7は、第1実施形態の第1変形例に係る表示装置の製造方法を例示する模式断面図である。本変形例では、第1基板部20aは、カラーフィルタ層23を含まない。薄膜トランジスタ10を覆う保護層21の上に、平坦化層25が直接設けられる。また、中間層40は、第2基板部30において、陽極35の上に設けられる。そして、第1基板部20に設けられた電子輸送層47の一部47aと、第2基板部30の側に設けられた電子輸送層の他の一部47bと、を接触させて、第1基板部20と第2基板部30とを接合する。このような構成は、例えば、モノクロの表示装置に用いられる。
図8は、第1実施形態の第2変形例に係る表示装置の製造方法を例示する模式断面図である。本変形例では、第1基板部20bは、平坦化層25を含まない。陰極29は、カラーフィルタ層23の上に直接設けられる。中間層40は、第2基板部30において、陽極35の上に設けられる。そして、第1基板部20に設けられた電子輸送層47の一部47aと、第2基板部30の側に設けられた電子輸送層の他の一部47bと、を接触させて、第1基板部20と第2基板部30とを接合する。
図9は、第1実施形態の第3変形例に係る表示装置の製造方法を例示する模式断面図である。本変形例では、陰極29の端に保護膜67が設けられる。保護膜67には、例えば、ポリイミド膜、アクリル樹脂、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜などの絶縁膜を用いる。保護層67を設けることで陰極端を起因とする陰極29と陽極35とのショートを防ぐことが可能となる。
中間層40は、第2基板部30において、陽極35の上に設けられる。そして、第1基板部20に設けられた電子輸送層47の一部47aと、第2基板部30の側に設けられた電子輸送層の他の一部47bと、を接触させて、第1基板部20と第2基板部30とを接合する。
図10は、第1実施形態の第4変形例に係る表示装置の製造方法を例示する模式断面図である。本変形例では、中間層40のうちの正孔注入層41、正孔輸送層43および発光層45が陽極35の上に設けられる。一方、第1基板部20の陰極29および平坦化層25の上に電子輸送層47が設けられる。そして、第1基板部20に設けられた電子輸送層47と、第2基板部30の側に設けられた発光層45と、を接触させて、第1基板部20と第2基板部30とを接合する。
図11は、第1実施形態の第5変形例に係る表示装置の製造方法を例示する模式断面図である。本変形例では、中間層40のうちの正孔注入層41および正孔輸送層43が陽極35の上に設けられる。一方、第1基板部20の陰極29および平坦化層25の上に電子輸送層47および発光層45が設けられる。そして、第1基板部20に設けられた発光層45と、第2基板部30の側に設けられた正孔輸送層43と、を接触させて、第1基板部20と第2基板部30とを接合する。
図12は、第1実施形態の第6変形例に係る表示装置の製造方法を例示する模式断面図である。本変形例では、中間層40は、第2基板部30において陽極35の上に設けられる。そして、第1基板部20の陰極29と、第2基板部30の側に設けられた電子輸送層47と、を接触させて、第1基板部20と第2基板部30とを接合する。
図13は、第1実施形態の第7変形例に係る表示装置の製造方法を例示する模式断面図である。本変形例では、中間層40は、第1基板部30において陰極29の上に設けられる。そして、第1基板部20の側に設けられた正孔注入層41と、第2基板部30の陽極35と、を接触させて、第1基板部20と第2基板部30とを接合する。
また、本実施形態は、図7〜図13に示した変形例に限定される訳ではなく、中間層40の発光層45を除く任意の層を分割し、それぞれを第1基板部20および第2基板部30に設けることにより両者を接合することができる。
全面で均一に貼り合せるためには、貼り合せ界面の層の少なくとも一方を厚く形成することが望ましい。しかし、その層の抵抗が増加するため必要以上に膜厚を厚くすると中間層40の発光効率が低下する場合がある。そのため、接合界面の少なくとも一方の側の層にドーピングを行い、移動度を向上させることで、中間層40の効率維持と均一な貼り合せとを同時に実現することも可能である。
(第2実施形態)
図14は、第2実施形態に係る表示装置200を例示する模式断面図である。
図15は、第2実施形態に係る表示装置200の一部を例示する模式断面図である。
図14は、第2実施形態に係る表示装置200を例示する模式断面図である。
図15は、第2実施形態に係る表示装置200の一部を例示する模式断面図である。
図14に表したように、本実施形態に係る表示装置200は、第1基板部20hと、第2基板部30と、中間層40と、を含む。
第1基板部20hは、樹脂層4と、樹脂層4の上に設けられたバリア層6と、バリア層6の上に設けられたnチャネルの薄膜トランジスタ10と、薄膜トランジスタに接続された陰極29と、を有する。
第2基板部30は、第2基板31と、第2基板31の上に設けられた陽極35と、を有する。本実施形態に係る第2基板31は、可撓性を有する基板であり、例えば、プラスチック基板を用いる。
表示装置200の製造過程では、第1基板部20hに中間層40を介して第2基板部30を対向させる。そして、陰極29と陽極35との間に中間層40を介在させて、第1基板部20hと第2基板部30とを接合する。
第1基板部20hの側では、図示しない第1基板3の上に樹脂層4とバリア層6とを形成する。樹脂層4には、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド、アラミドまたはシクロオレフィンポリマー等を使用できる。例えば、耐熱性の高いポリイミドを第1基板3にコートし、400℃で焼成することにより樹脂層4を形成できる。樹脂層4の厚さは、例えば、1〜10μmである。
次に、例えば、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法やスパッタ法、または、ALD(Atomic-layer Deposiion)法を用いてバリア層6を形成する。バリア層は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、アルミナの単層あるいは積層構造を有する。
続いて、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストのパターニングを行い、RIE(Reactive Ion Etching)法を用いてバリア層6をエッチングし、図示しない貫通孔を形成する。この時、樹脂層4にも掘れ込みが発生するが、エッチング時間を調整することによりその深さを制御する。貫通孔のサイズは、例えば、エッチング制御の観点、および、配線接続のために100nm以上であることが望ましい。後述するフレキシブルプリント基板の固定の観点からは、20mm以下にすることが望ましい。
そして、薄膜トランジスタ10のゲート電極7および貫通孔の内部を埋める貫通電極を形成する。ゲート電極7と貫通電極とは、別々に形成することも可能である。
続いて、ゲート酸化膜9、チャネル層13およびソース/ドレイン電極を形成して薄膜トランジスタ10を完成させる。さらに、カラーフィルタ層23、平坦化層25および陰極29を形成した後、第1実施形態に示すいずれかの方法を用いて第1基板部20hと第2基板部30とを接合する。
外部からの信号の入力にはACF等を用いてフレキシブルプリント基板FPCを接続して行うことが可能である。
次に、第1基板部20h側において、第1基板3を樹脂層4から剥離する。例えば、ガラス基板である第1基板3と、樹脂層4と、の間の密着力を制御することにより、両者の界面においてメカニカルに分離することが可能である。また、ガラス基板側から、ガラスを透過し樹脂層で吸収される光、例えば、紫外線のエキシマレーザを照射することにより、第1基板3を樹脂層4から剥離しても良い。これにより、可撓性を有するフレキシブルディスプレイを製造することができる。
(第3実施形態)
図16(a)〜図16(c)は、第3実施形態に係る表示装置の製造方法を例示する模式断面図である。本実施形態は、第1基板部20における陰極29のパターニング方法を表している。
図16(a)〜図16(c)は、第3実施形態に係る表示装置の製造方法を例示する模式断面図である。本実施形態は、第1基板部20における陰極29のパターニング方法を表している。
図16(a)に示すように、平坦化層25の上に陰極29を形成し、さらに、陰極29の上にキャップ層71を形成する。キャップ層71は、例えば、シリコン窒化膜である。陰極29とキャップ層71は、酸素を低減した雰囲気中、例えば、真空中で連続して形成することが望ましい。
続いて、図16(b)に示すように、キャップ層71と陰極29とを、例えば、フォトリソグラフィにより形成したエッチングマスクを用いてドライエッチングする。
次に、図16(c)に示すように、第1基板部20をチャンバー70の内部に搬入し、例えば、チャンバー70の内部を減圧する。続いて、CF4を用いたRIEによりキャップ層71を除去し、大気中に出さずに蒸着チャンバーへ移動し、例えば、陰極29の上に電子輸送層47を形成する。また、中間層40を介して第2基板部30に接合しても良い。これにより、陰極29の表面を酸化させずに、電子輸送層47に接続することができる。
図17(a)〜図17(c)は、第3実施形態の第1変形例に係る表示装置の製造方法を例示する模式断面図である。
図17(a)に示すように、平坦化層25の上に陰極29を形成する。
続いて、図17(b)に示すように、陰極29を、例えば、フォトリソグラフィにより形成したエッチングマスクを用いてウェットエッチングする。この間、陰極29の表面に酸化層29fが形成される。
続いて、図17(b)に示すように、陰極29を、例えば、フォトリソグラフィにより形成したエッチングマスクを用いてウェットエッチングする。この間、陰極29の表面に酸化層29fが形成される。
次に、図17(c)に示すように、第1基板部20をチャンバー70の内部に搬入し、例えば、チャンバー70の内部を減圧する。続いて、CF4を励起したプラズマに陰極29を曝し、酸化層29f除去する。続いて、例えば、陰極29の上に電子輸送層47を形成する。中間層40を介して第2基板部30に接合しても良い。また、酸化層29fの除去後、酸素を低減した雰囲気中において第1基板部20を別のチャンバーに搬送して実施することが望ましい。これにより、酸化層29fを介在させずに、陰極29と電子輸送層47とを接続することができる。
図18は、第3実施形態の第2変形例に係る表示装置の製造方法を例示する模式断面図である。
図18(a)に示すように、平坦化層25の上にスペーサ膜73を選択的に形成する。スペーサ膜73は、例えば、シリコン酸化膜である。
続いて、図18(b)に示すように、スペーサ膜73を、マスクとして平坦化層25をエッチングし、アンダーカット部73aを形成する。このエッチングは、例えば、RIE(Reactive Ion Etching)、アッシング、CDE(Chemical Dry Etching)などのドライエッチングを用いることができる。
次に、図18(c)に示すように、第1基板部20をチャンバー70の内部に搬入し、例えば、チャンバー70の内部を減圧する。続いて、陰極29となるMgAg膜を蒸着する。この際、MgAg膜は、アンダーカット部73aにより分離され、スペーサ膜73の上に陰極29が形成される。
続いて、陰極29の上に電子輸送層47を形成する。また、第1基板部20を中間層40を介して第2基板部30に接合しても良い。真空中や酸素を低減した雰囲気中において第1基板部20を別のチャンバーに搬送して実施することが望ましい。これにより、陰極29の酸化を抑制して電子輸送層47に接続することができる。
図19は、第3実施形態の第3変形例に係る表示装置の製造方法を例示する模式断面図である。
図19(a)に示すように、平坦化層25まで形成した第1基板部20を準備する。
次に、図19(b)に示すように、第1基板部20をチャンバー70の内部に搬入し、例えば、チャンバー70の内部を減圧する。続いて、陰極29となる金属膜、例えば、MgAgを蒸着する。
続いて、金属膜にレーザ光を照射し選択的に除去する。この工程に使用するレーザは、短パルスレーザが向いており、フェムト秒やピコ秒のパルス幅を持つレーザ光で金属膜のパターニングが可能である。
続いて、金属膜のパターニングにより形成された陰極29の上に電子輸送層47を形成する。また、第1基板部20を中間層40を介して第2基板部30に接合しても良い。これらの工程は、電子輸送層47を形成後、真空中や酸素を低減した雰囲気中において第1基板部20を別のチャンバーに搬送して実施することが望ましい。これにより、陰極29の酸化を抑制して電子輸送層47に接続することができる。
(第4実施形態)
図20(a)〜図20(e)は、第4実施形態に係る表示装置の一部を例示する模式断面図である。それぞれ、薄膜トランジスタ10a〜10eを表している。
図20(a)〜図20(e)は、第4実施形態に係る表示装置の一部を例示する模式断面図である。それぞれ、薄膜トランジスタ10a〜10eを表している。
図20(a)に示すように、裏面露光を用いたセルフアライン方式のチャネル保護層を用いた薄膜トランジスタ10aを用いることも可能である。チャネル層は、IGZOやa−Si:H(コンタクト用のn+層は図示せず)を用いることができる。
図20(b)に表す薄膜トランジスタ10bは、図20(a)の薄膜トランジスタ10aよりもチャネル長が短く、チャネル層13がゲート電極の上部に完全に収まっている。
図20(c)に表す薄膜トランジスタ10cのように、ソースドレイン電極とチャネル層とを同時にエッチングした構造でも適用可能である。
図20(d)に表す薄膜トランジスタ10dは、ソース電極17とドレイン電極19との間にチャネル保護層15が設けられていない。このように、バックチャネルカットでも良い。チャネル層13には、IGZOまたはn+層(図示せず)を形成したa−Si:Hを用いることができる。
図20(e)に表す薄膜トランジスタ10eは、トップゲート型TFTである。アンダーコート層5の上にチャネル層13が設けられ、チャネル層13を覆うゲート絶縁膜9の上にゲート電極7が設けられている。ソース電極17とドレイン電極19とは、ゲート電極7を覆う絶縁膜9bの上に設けられ、絶縁膜9bとゲート絶縁膜9とを貫通してチャネル層13に接続される。
また、薄膜トランジスタ10には、ポリシリコンやIGZO等を用いた酸化物TFTを用いることができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
3・・・第1基板、 4・・・樹脂層、 5・・・アンダーコート層、 6・・・バリア層、 7・・・ゲート電極、 9・・・ゲート絶縁膜、 9b・・・絶縁膜、 10、10a〜10e・・・薄膜トランジスタ、 13・・・チャネル層、 15・・・チャネル保護層、 17・・・ソース電極、 17a、19a・・・コンタクトホール、 19・・・ドレイン電極、 19b・・・ドレインコンタクト部、 20、20a〜20h・・・第1基板部、 21・・・保護層、 23・・・カラーフィルタ層、 25・・・平坦化層、 25a・・・上面、 27・・・コンタクトホール、 27a・・・スペース、 29・・・陰極、 29a・・・第1の部分、 29b・・・第2の部分、 29f・・・酸化層、 30・・・第2基板部、 31・・・第1基板、 33・・・反射電極、 35・・・陽極、 40・・・中間層、 41・・・正孔注入層、 43・・・正孔輸送層、 45・・・発光層、 47・・・電子輸送層、 47a、47b・・・電子輸送層の一部、 50a、50b、60a、60b・・・接続部、 51・・・書き込みトランジスタ、 54・・・ベース、 55、61・・・突起、 57・・・導電層、 59・・・給電線、 62・・・ACF、 64・・・導電性樹脂、 65・・・画素、 66・・・外部接続配線、 67・・・保護膜、 70・・・チャンバー、 71・・・キャップ層、 73・・・スペーサ膜、 73a・・・アンダーカット部、 100、200・・・表示装置
Claims (12)
- 第1基板と、前記第1基板の上に設けられたnチャネル型の薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された陰極と、を有する第1基板部の前記陰極と、第2基板と、前記第2基板の上に設けられた陽極と、を有する第2基板部の前記陽極と、を、中間層を介して対向させ、
前記陰極と前記陽極とを前記中間層を介して接合する表示装置の製造方法。 - 前記中間層は、前記陽極の上に設けられる請求項1記載の表示装置の製造方法。
- 前記中間層は、前記陰極の上に設けられる請求項1記載の表示装置の製造方法。
- 前記中間層の一部は、前記陰極の上に設けられ、
前記中間層の他の一部は、前記陽極の上に設けられ、
前記接合は、前記中間層の前記一部と前記中間層の前記他の一部とを互いに接続することを含む請求項1記載の表示装置の製造方法。 - 前記中間層は第1の層および発光層を有し、
前記発光層および前記第1の層の一部は前記陰極の上に設けられ、
前記第1の層の他の一部は前記陽極の上に設けられ、
前記接合は、前記第1の層の前記一部と前記第1の層の前記他の一部とを互いに接続することを含む請求項1記載の表示装置の製造方法。 - 前記中間層は第1の層および発光層を有し、
前記第1の層の一部は前記陰極の上に設けられ、
前記発光層および前記第1の層の他の一部は前記陽極の上に設けられ、
前記接合は、前記第1の層の前記一部と前記第1の層の前記他の一部とを互いに接続することを含む請求項1記載の表示装置の製造方法。 - 前記第1の層は電子輸送層である請求項5または6に記載の表示装置の製造方法。
- 前記薄膜トランジスタは、前記陰極と接続されたコンタクト部を有し、
前記第1基板部は、前記第1基板上において前記コンタクト部を除いて前記薄膜トランジスタを覆う保護層をさらに含む請求項1〜7のいずれか1つに記載の表示装置の製造方法。 - 前記薄膜トランジスタは、前記陰極と接続されたコンタクト部を有し、
前記第1基板部は、前記第1基板上において前記コンタクト部を除いて前記薄膜トランジスタを覆うカラーフィルター層をさらに含む請求項1〜8のいずれか1つに記載の表示装置の製造方法。 - 陽極と、
積層された正孔輸送層と発光層と電子輸送層とを含む中間層と、
前記中間層を介して前記陽極に接合された陰極と、
前記陰極に接続されたnチャネル型の薄膜トランジスタと、
を備えた表示装置。 - 前記陰極は、前記電子輸送層に接する第1の部分と、前記薄膜トランジスタのドレインコンタクト部に接する第2の部分と、を含み、
前記発光層と前記第1の部分との間の間隔は、前記発光層と前記第2の部分との間の間隔よりも狭い請求項10記載の表示装置。 - 前記第2の部分と前記発光層とは、前記第2の部分と前記発光層との間に気体を含むスペースを形成する請求項11記載の表示装置。
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US11133491B2 (en) * | 2017-03-16 | 2021-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Fabrication method of semiconductor device and semiconductor device |
JP6387214B1 (ja) * | 2017-12-22 | 2018-09-05 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法 |
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US20210376282A1 (en) * | 2020-05-27 | 2021-12-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming an isolation structure having multiple thicknesses to mitigate damage to a display device |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000173770A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-06-23 | Sony Internatl Europ Gmbh | アクティブマトリクス方式表示装置及びその製造方法 |
JP2001217072A (ja) * | 1999-09-17 | 2001-08-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El表示装置及びその作製方法 |
JP2006302795A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Seiko Epson Corp | 発光装置の製造方法、発光装置および電子機器 |
JP2006302556A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Seiko Epson Corp | 半導体素子の製造方法、半導体素子、電子デバイスおよび電子機器 |
JP2009123690A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-06-04 | Konica Minolta Holdings Inc | 塗布層形成後或いは対電極層形成後に乾燥剤フィルムを貼合して巻き取る有機エレクトロニクス素子とその製造方法 |
JP2011054941A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-03-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
US20130032831A1 (en) * | 2011-08-03 | 2013-02-07 | Ignis Innovation Inc. | Organic light emitting diode and method of manufacturing |
Family Cites Families (5)
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---|---|---|---|---|
TW516244B (en) * | 1999-09-17 | 2003-01-01 | Semiconductor Energy Lab | EL display device and method for manufacturing the same |
KR101362135B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2014-02-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시장치의 제조장치 및 제조방법 |
KR101621810B1 (ko) * | 2009-12-29 | 2016-05-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 |
KR101788285B1 (ko) * | 2010-10-22 | 2017-10-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20120067644A (ko) * | 2010-12-16 | 2012-06-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000173770A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-06-23 | Sony Internatl Europ Gmbh | アクティブマトリクス方式表示装置及びその製造方法 |
JP2001217072A (ja) * | 1999-09-17 | 2001-08-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El表示装置及びその作製方法 |
JP2006302556A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Seiko Epson Corp | 半導体素子の製造方法、半導体素子、電子デバイスおよび電子機器 |
JP2006302795A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Seiko Epson Corp | 発光装置の製造方法、発光装置および電子機器 |
JP2009123690A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-06-04 | Konica Minolta Holdings Inc | 塗布層形成後或いは対電極層形成後に乾燥剤フィルムを貼合して巻き取る有機エレクトロニクス素子とその製造方法 |
JP2011054941A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-03-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
US20130032831A1 (en) * | 2011-08-03 | 2013-02-07 | Ignis Innovation Inc. | Organic light emitting diode and method of manufacturing |
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