WO2017010488A1

WO2017010488A1 - 表示装置および表示装置の製造方法

Info

Publication number: WO2017010488A1
Application number: PCT/JP2016/070603
Authority: WO
Inventors: 学二星; 伸一川戸; 井上　智; 勇毅小林
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2015-07-14
Filing date: 2016-07-12
Publication date: 2017-01-19
Also published as: US20180166511A1

Abstract

生産性が高く、発光素子の色ズレおよび発光素子特性の低下を抑制できる表示装置を提供する。青色発光膜（４ｂ）上に形成されるＢ画素の電子輸送膜（４ｃ）は、緑色発光膜（６ｂ）および赤色発光膜（６ｃ）上に形成されるＧ画素およびＲ画素の電子輸送膜（６ｄ）より、レーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率が高い膜となるように厚く形成されている。

Description

表示装置および表示装置の製造方法

　本発明は、表示装置、特には、有機ＥＬ表示装置およびその製造方法に関するものである。

　近年、さまざまなフラットパネルディスプレイが開発されており、特に、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置は、低消費電力化、薄型化および高画質化などを実現できる点から、優れたフラットパネルディスプレイとして高い注目を浴びている。

　そして、表示装置の高精細化の必要性が高まる環境下で、このような有機ＥＬ表示装置の製造分野においては、赤色、緑色、及び青色を発光する発光膜を含む蒸着膜を塗り分け方式を用いて形成し、フルカラー表示を行う方式が頻繁に採用されている。

　蒸着マスクを用いて、発光膜を含む蒸着膜を塗り分け方式で形成する方法以外の方法も提案されており、例えば、特許文献１および２には、フォトリソ工程とドライエッチング工程とを用いて、発光膜を含む蒸着膜を塗り分け方式で形成する方法について記載されている。

　特許文献３には、レーザー光を用いて、ＩＴＯ薄膜上に形成された有機発光膜を選択的に除去するレーザーアブレーション加工方法について記載されている。また、特許文献４には、レジストパターンをマスクとして、有機材料層に光を照射してパターニングする光照射ドライエッチング法によってパターニングされた有機層を形成することについて記載されている。

日本国公開特許公報「特開２０１４‐１３３７２７号公報（２０１４年７月２４日公開）」日本国公開特許公報「特開２０１４‐４４８１０号公報（２０１４年３月１３日公開）」日本国公開特許公報「特開２００２‐１２４３８０号公報（２００２年４月２６日公開）」日本国公開特許公報「特開２０００‐３６３８５号公報（２０００年２月２日公開）」

　図１４の（ａ）・（ｂ）は、上記特許文献１、２および４などに記載されているフォトリソ工程で形成されたレジストとこのレジストをマスクとして用いるドライエッチング工程とを利用して、発光膜を含む蒸着膜を塗り分け方式で形成する一般的な方法を説明するための図である。

　図１４の（ａ）に図示されているように、従来は、基板１００上に、陽極１０１と、正孔注入膜／正孔輸送膜（ＨＩＬ/ＨＴＬ）１０２と、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））１０３と、正孔ブロッキング膜（ＨＢＬ）１０４と、電子輸送膜（ＥＴＬ（犠牲膜））１０５と、保護層１０６とを順に積層した後、青色画素となる部分にのみ、フォトリソ工程を用いてレジスト１０７を形成する。

　それから、ドライエッチング工程、例えば、レジスト１０７をマスクとし、紫外線や酸素プラズマ（Ｏ_２プラズマ）などで、レジスト１０７が形成されてない領域の青色発光膜を含む各膜を除去し、図１４の（ｂ）に図示する状態にする。その後、図示はしていないが、図１４の（ａ）と同様に、緑色発光膜を含む各膜を全面に形成した後、青色画素上に形成されたレジスト１０７を剥離することによって、レジスト１０７上に形成された緑色発光膜を含む各膜は除去され、青色画素以外の部分にのみ緑色発光膜を含む各膜が残る。

　そして、青色画素および緑色画素となる部分にのみ、フォトリソ工程を用いて再びレジスト１０７を形成する。それから、レジスト１０７をマスクとし、紫外線や酸素プラズマ（Ｏ_２プラズマ）で、レジスト１０７が形成されてない領域の緑色発光膜を含む各膜を除去し、青色画素には、青色発光膜を含む各膜とレジスト１０７とが、緑色画素には、緑色発光膜を含む各膜とレジスト１０７とが、形成されている状態となる。

　その後、図１４の（ａ）と同様に、赤色発光膜を含む各膜を全面に形成した後、青色画素および緑色画素上に形成されたレジスト１０７を剥離することによって、レジスト１０７上に形成された赤色発光膜を含む各膜は除去され、青色画素および緑色画素以外の部分にのみ赤色発光膜を含む各膜が残る。

　そして、青色画素、緑色画素および赤色画素となる部分にのみ、フォトリソ工程を用いて再びレジスト１０７を形成する。それから、レジスト１０７をマスクとし、紫外線や酸素プラズマ（Ｏ_２プラズマ）で、レジスト１０７が形成されてない領域の赤色発光膜を含む各膜を除去し、青色画素には、青色発光膜を含む各膜とレジスト１０７とが、緑色画素には、緑色発光膜を含む各膜とレジスト１０７とが、赤色画素には、赤色発光膜を含む各膜とレジスト１０７とが、形成されている状態となる。最後に、レジスト１０７を剥離する。

　しかしながら、以上のように、フォトリソ工程とドライエッチング工程とを用いて、発光膜を含む蒸着膜を塗り分け方式で形成する従来の方法においては、レジスト１０７を３回パターニング形成し、パターニング形成されたレジスト１０７を３回剥離する必要があるとともに、各色の発光膜を含む各膜も色画素毎に蒸着する必要があるため、製造工程が長く生産性が悪い。また、水溶性の材料や無機酸化物などの保護層１０６、電子輸送膜（ＥＴＬ（犠牲膜））１０５といった膜のプロセス加工のための膜加工も色画素毎に行う必要があるので、膜加工工程のロスも３倍以上多い。

　さらに、上記従来の方法においては、フォトリソ工程およびエッチング工程で用いる様々な剥離液やエッチング液や紫外線や酸素プラズマの影響で、発光素子特性の低下が生じてしまう。特に、保護層１０６を形成して溶剤に接触させる方法が用いられる場合には、耐湿性が乏しい素子に影響（効率低下、寿命悪化）がでる。また、紫外線や酸素プラズマなどによるドライエッチングを用いる場合には、電子輸送膜（ＥＴＬ（犠牲膜））１０５も含めた発光素子の膜厚変化による色ズレ（光学干渉の影響）や発光素子特性（発光効率、寿命）の低下を招いてしまう。

　なお、特許文献３に記載されているレーザー光を用いた有機発光膜を選択的に除去するレーザーアブレーション加工方法においては、レーザーアブレーションによる除去対象膜である有機発光膜の下層がＩＴＯ薄膜である場合について記載されており、この場合においては、レーザーアブレーションによるＩＴＯ薄膜のダメージを考慮しなくてもよいので、上記有機発光膜においては、下層を保護するための工夫はなされておらず、このような有機発光膜を積層させ、上層の有機発光膜をレーザーアブレーションで除去した場合には、下層の有機発光膜はダメージを受けることとなる。したがって、このような有機発光膜およびレーザーアブレーション加工方法を用いた場合には、発光素子の色ズレおよび発光素子特性の低下を抑制できない。

　本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、生産性が高く、発光素子の色ズレおよび発光素子特性の低下を抑制できる表示装置および表示装置の製造方法を提供することを目的とする。

　本発明の表示装置は、上記の課題を解決するために、異なるピーク波長の光を出射する第１画素および第２画素と、上記各画素に備えられた反射電極および半透過反射電極と、を含む表示装置であって、第１の発光膜は上記第１画素に、第２の発光膜は上記第２画素に形成され、上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜は、上記第２の発光膜上に形成される蒸着膜より、レーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率が高い膜であることを特徴としている。

　上記構成によれば、上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜は、上記第２の発光膜上に形成される蒸着膜より、レーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率が高い膜であるので、例えば、上記表示装置の製造工程中において、生産性の向上を図るため、上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜上に、上記第２の発光膜および上記第２の発光膜上に形成される蒸着膜を形成し、レーザー光による加熱で、上記第２の発光膜および上記第２の発光膜上に形成される蒸着膜を除去する場合でも、上記第１の発光膜および上記第１の発光膜より下に形成される蒸着膜への影響を抑制でき、生産性が高く、発光素子の色ズレおよび発光素子特性の低下を抑制できる表示装置を実現できる。

　本発明の表示装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、基板上に備えられた異なるピーク波長の光を出射する第１画素および第２画素と、上記各画素に備えられた発光膜、反射電極および半透過反射電極と、を含む表示装置の製造方法であって、該当画素の上記ピーク波長の光を上記半透過反射電極から取り出せるように、上記発光膜と上記反射電極との距離を調整する導電性光透過膜を所定の膜厚で形成する導電性光透過膜形成工程と、上記発光膜中の第１の発光膜を含む第１の蒸着膜を、上記第１画素および上記第２画素を含む上記基板上の全面に形成する第１の蒸着膜形成工程と、レーザー光を用いて、上記第１画素以外に形成された上記第１の発光膜を含む第１の蒸着膜を除去する工程と、上記発光膜中の第２の発光膜を含む第２の蒸着膜を、上記第１画素および上記第２画素を含む上記基板上の全面に形成する第２の蒸着膜形成工程と、レーザー光を用いて、上記第２画素以外に形成された上記第２の発光膜を含む第２の蒸着膜を除去する工程と、を含み、上記第１の蒸着膜形成工程において、上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜は、上記第２の蒸着膜形成工程において、上記第２の発光膜上に形成される蒸着膜より、レーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率が高い膜であることを特徴としている。

　上記方法によれば、上記第１の蒸着膜形成工程において、上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜は、上記第２の蒸着膜形成工程において、上記第２の発光膜上に形成される蒸着膜より、レーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率が高い膜であるので、レーザー光を用いて、上記第２画素以外に形成された上記第２の発光膜を含む第２の蒸着膜を除去する工程において、レーザー光による加熱で、上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜上の膜を除去する際にも、上記第１の発光膜および上記第１の発光膜より下に形成される蒸着膜への影響を抑制でき、発光素子の色ズレおよび発光素子特性の低下を抑制できる表示装置の製造方法を実現できる。

　したがって、生産性が高く、発光素子の色ズレおよび発光素子特性の低下を抑制できる表示装置の製造方法を実現できる。

　本発明の一態様によれば、生産性が高く、発光素子の色ズレおよび発光素子特性の低下を抑制できる表示装置および表示装置の製造方法を実現できる。

本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す図である。図１に図示した有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するための図である。（ａ）～（ｄ）は、図１に図示した有機ＥＬ表示装置のＢ画素に蒸着膜を形成する工程の一例を示す図である。（ａ）～（ｄ）は、図３の（ｄ）に示す工程の後工程であって、図１に図示した有機ＥＬ表示装置のＧ画素およびＲ画素に蒸着膜を形成する工程の一例を示す図である。本発明の他の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す図である。図５に図示した有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するための図である。（ａ）～（ｄ）は、図５に図示した有機ＥＬ表示装置のＧ画素に蒸着膜を形成する工程の一例を示す図である。（ａ）～（ｄ）は、図７の（ｄ）に示す工程の後工程であって、図５に図示した有機ＥＬ表示装置のＲ画素およびＢ画素に蒸着膜を形成する工程の一例を示す図である。カラーフィルタを備えた有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す図である。本発明のさらに他の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す図である。図１０に図示した有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するための図である。（ａ）～（ｄ）は、図１０に図示した有機ＥＬ表示装置のＲ画素に蒸着膜を形成する工程の一例を示す図である。（ａ）～（ｄ）は、図１２の（ｄ）に示す工程の後工程であって、図１０に図示した有機ＥＬ表示装置のＧ画素およびＢ画素に蒸着膜を形成する工程の一例を示す図である。（ａ）および（ｂ）は、フォトリソ工程とドライエッチング工程とを用いて、発光膜を含む蒸着膜を塗り分け方式で形成する従来の方法を説明するための図である。

　本発明の実施の形態について図１から図１３に基づいて説明すれば、次の通りである。以下、説明の便宜上、特定の実施形態にて説明した構成と同一の機能を有する構成については、同一の符号を付記し、その説明を省略する場合がある。

　〔実施の形態１〕
　図１から図４に基づき、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置９の製造方法およびその構成について説明する。

　図１は、有機ＥＬ表示装置９の概略構成を示す図である。

　図示されているように、Ｂ画素においては、陽極電極２（反射電極）と、ＩＺＯ膜３ａと、正孔注入膜/正孔輸送膜（ＨＩＬ/ＨＴＬ）４ａと、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））４ｂと、電子輸送膜（ＥＴＬ）４ｃと、電子注入膜（図示せず）と、陰極電極８（半透過反射電極）とが順に積層されている。なお、電子輸送膜（ＥＴＬ）４ｃは、Ｇ画素およびＲ画素における電子輸送膜（ＥＴＬ）６ｄと同じ材料で形成されており、Ｇ画素およびＲ画素における電子輸送膜（ＥＴＬ）６ｄより厚く形成されている。

　一方、Ｇ画素においては、陽極電極２（反射電極）と、ＩＺＯ膜３ｂと、正孔注入膜/正孔輸送膜（ＨＩＬ/ＨＴＬ）６ａと、緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））６ｂと、赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））６ｃと、電子輸送膜（ＥＴＬ）６ｄと、電子注入膜（図示せず）と、陰極電極８（半透過反射電極）とが順に積層されている。

　そして、Ｒ画素においては、陽極電極２（反射電極）と、ＩＺＯ膜３ｃと、正孔注入膜/正孔輸送膜（ＨＩＬ/ＨＴＬ）６ａと、緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））６ｂと、赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））６ｃと、電子輸送膜（ＥＴＬ）６ｄと、電子注入膜（図示せず）と、陰極電極８（半透過反射電極）とが順に積層されている。

　なお、各画素のＩＺＯ膜３ａ・３ｂ・３ｃの膜厚は、以下のように決めることができる。Ｂ画素、Ｇ画素およびＲ画素からは、異なるピーク波長（λ）の光が出射されるが、例えば、Ｂ画素からはピーク波長（λ）が４５０ｎｍである青色光が出射され、Ｇ画素からはピーク波長（λ）が５３０ｎｍである緑色光が出射され、Ｒ画素からはピーク波長（λ）が６００ｎｍである赤色光が出射される。そして、各画素における陽極電極２（反射電極）と発光膜との距離は、ピーク波長（λ）×１／４×（２Ｎ－１）（上記Ｎは自然数）であることが好ましい。

　したがって、Ｂ画素においては、ＩＺＯ膜３ａの膜厚と、ＩＺＯ膜３ａと青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））４ｂとの間に形成される正孔注入膜/正孔輸送膜（ＨＩＬ/ＨＴＬ）４ａの膜厚とを合わせた膜厚が、４５０ｎｍ×１／４×（２Ｎ－１）を満たせばよい。本実施の形態においては、正孔注入膜/正孔輸送膜（ＨＩＬ/ＨＴＬ）の膜厚は各画素において同じであるので、ＩＺＯ膜３ａ・３ｂ・３ｃの膜厚が、各画素で異なることとなる。同様に、Ｇ画素においては、ＩＺＯ膜３ｂの膜厚と、ＩＺＯ膜３ｂと緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））６ｂとの間に形成される正孔注入膜/正孔輸送膜（ＨＩＬ/ＨＴＬ）６ａの膜厚とを合わせた膜厚が、５３０ｎｍ×１／４×（２Ｎ－１）を満たせばよく、Ｒ画素においては、ＩＺＯ膜３ｃの膜厚と、ＩＺＯ膜３ｃと赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））６ｃとの間に形成される正孔注入膜/正孔輸送膜（ＨＩＬ/ＨＴＬ）６ａの膜厚および緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））６ｂの膜厚と、を合わせた膜厚が、６００ｎｍ×１／４×（２Ｎ－１）を満たせばよい。なお、上記各式におけるＮは、同一自然数である。

　なお、本実施の形態においては、透明導電性膜（透過膜）としてＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）膜３ａ・３ｂ・３ｃを用いた場合を例に挙げたが、これに限定されることはなく、透明導電性膜（透過膜）として例えば、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）膜などを用いてもよい。

　図２は、図１に図示した有機ＥＬ表示装置９の製造工程を説明するための図である。

　図３の（ａ）～（ｄ）は、有機ＥＬ表示装置９のＢ画素に蒸着膜を形成する工程を説明するための図である。

　図４の（ａ）～（ｄ）は、図３の（ｄ）に示す工程の後工程であって、有機ＥＬ表示装置９のＧ画素およびＲ画素に蒸着膜を形成する工程の一例を示す図である。

　先ず、陽極電極２を画素毎にパターニングしてＴＦＴ基板１上に設ける電極形成工程（図２のＳ１）について説明する。図３の（ａ）に図示するＴＦＴ基板１には、図示してないが複数のＴＦＴ素子が設けられている。また、図３の（ａ）においては、Ｂ画素二つと、Ｇ画素一つと、Ｒ画素一つのみを図示しているが、Ｂ画素、Ｇ画素、およびＲ画素の数は、有機ＥＬ表示装置９の解像度に応じて多数設けられており、互いに隣接する一つのＢ画素と、一つのＧ画素と、一つのＲ画素がフルカラー表示を行う一つの表示単位を成す。

　図３の（ａ）に図示されているように、画素（Ｂ画素、Ｇ画素、Ｒ画素）毎に備えられたＴＦＴ素子のドレイン電極（またはソース電極）に電気的に接続された陽極電極２を画素毎にパターニングしてＴＦＴ基板１上に設けた。本実施の形態においては、陽極電極２を反射電極とし、ＴＦＴ基板１とは反対側である図中上方向から光を取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置９とするため、陽極電極２をＡｌ膜で形成したが、これに限定されることはなく、陽極電極２はＡｇ膜で形成してもよい。また、有機ＥＬ表示装置９をボトムエミッション型としてもよい。

　次に、陽極電極２上に、透明導電性膜（導電性光透過膜ともいう）を画素毎にパターニングして形成する透明導電性膜形成工程（図２のＳ２）について説明する。なお、上述した電極形成工程（図２のＳ１）と透明導電性膜形成工程（図２のＳ２）とを合わせて陽極形成工程ともいう。

　図３の（ａ）に図示されているように、陽極電極２上に、すなわち、陽極電極２と電気的に接続されるように、透明導電性膜であるＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）膜３ａ・３ｂ・３ｃをパターニングして形成した。なお、陽極電極２およびＩＺＯ膜３ａ・３ｂ・３ｃのパターニングは、例えば、レジストとウェットエッチング（またはドライエッチング）を用いて行うことができる。本実施の形態においては、陽極電極２とＩＺＯ膜３ａ・３ｂ・３ｃとが電極としての役割を有する。ＩＺＯ膜３ａ・３ｂ・３ｃは、各画素（Ｂ画素、Ｇ画素、Ｒ画素）での光の干渉効果を考慮し、画素（Ｂ画素、Ｇ画素、Ｒ画素）毎に所定の膜厚で形成される。

　このように、光の干渉効果を考慮し、画素（Ｂ画素、Ｇ画素、Ｒ画素）毎にＩＺＯ膜３ａ・３ｂ・３ｃまたは透過膜を所定の膜厚で形成する方式は、マイクロキャビティ（微小共振器）方式とも称され、このマイクロキャビティ方式は、マイクロキャビティ（微小共振器）効果により発光の色度や発光効率を向上させる方式である。

　マイクロキャビティとは、発光した光が陽極電極と陰極電極との間で多重反射し、共振することで発光スペクトルが急峻になり、また、ピーク波長の発光強度が増幅される現象である。

　マイクロキャビティ効果は、例えば、陽極電極や陰極電極の反射率および膜厚、有機層の層厚等を最適に設計することで得ることができる。

　有機ＥＬ素子に、このような共振構造、つまりマイクロキャビティ構造を導入する方法としては、例えば、発光色毎の各画素における有機ＥＬ素子の光路長を変える方法が知られており、本実施の形態においては、有機ＥＬ素子の光路長を変えるため、ＩＺＯ膜３ａ・３ｂ・３ｃを画素（Ｂ画素、Ｇ画素、Ｒ画素）毎に所定の膜厚で形成した。

　次に、ＴＦＴ基板１の全面に、正孔注入膜/正孔輸送膜（ＨＩＬ/ＨＴＬ）４ａと、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））４ｂと、電子輸送膜（ＥＴＬ）４ｃとを順に蒸着する、青色発光膜を含む蒸着膜形成工程（図２のＳ３）について説明する。

　図３の（ｂ）に図示されているように、ＴＦＴ基板１の全面に、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））４ｂを含む蒸着膜４を形成した。なお、詳しくは後述するが、電子輸送膜（ＥＴＬ）４ｃは、後工程を考慮して厚く形成した。

　次に、Ｂ画素以外の青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））４ｂを含む蒸着膜４にレーザー光を照射して、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））４ｂを含む蒸着膜４を除去する、青色発光膜を含む蒸着膜除去工程（図２のＳ４）について説明する。

　図３の（ｃ）に図示されているように、遮光部５ａと開口部５ｂとを備えたマスク５を介して、レーザー光を照射する。マスク５の遮光部５ａは、ＴＦＴ基板１のＢ画素部分、すなわち、陽極電極２とＩＺＯ膜３ａとが積層されている領域上に配置され、マスク５の開口部５ｂは、ＴＦＴ基板１のＢ画素部分以外に配置される。したがって、ＴＦＴ基板１のＢ画素部分以外の全体には、レーザー光が照射されることとなる。青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））４ｂを含む蒸着膜４は有機材料であり、ＩＺＯ膜３ｂ・３ｃは無機材料であるため、レーザー光による加熱で、ＩＺＯ膜３ｂ・３ｃ上および各画素間に形成された青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））４ｂを含む蒸着膜４を選択的に除去し、図３の（ｄ）に図示されているように、Ｂ画素にのみ青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））４ｂを含む蒸着膜４を残すようにパターニングすることができる。

　なお、図３の（ｃ）に図示されているように、ＴＦＴ基板１のＢ画素上には、マスク５の遮光部５ａが配置されているので、Ｂ画素の青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））４ｂを含む蒸着膜４には、レーザー光が照射されないので、レーザー光によるダメージは生じない。

　この青色発光膜を含む蒸着膜除去工程は、真空雰囲気下や水分および酸素が例えば、１０ｐｐｍ未満と低い雰囲気下で行うことが好ましい。なお、本実施の形態においては、マスク５を介して、レーザー光を照射する場合を例に挙げたが、照射されるレーザー光の照射幅がパターニングをできる程度に小さい場合には、マスクを用いずにレーザー光を照射することもできる。

　また、この青色発光膜を含む蒸着膜除去工程において用いられるレーザー光は、レーザー光による加熱で、下層に保護する必要がある発光膜を含む蒸着膜を有さない発光膜を含む蒸着膜を除去する目的で用いられているため、このレーザー光による他の膜への熱伝導の抑制を大きく考慮する必要はないので、後述するような極短時間パルス（例えば、ＦｅｍｔｏＳｅｃｏｎｄ（１０^－１５）～ＰｉｃｏＳｅｃｏｎｄ（１０^－１２）程度の極短時間パルス）のレーザー光を用いる必要はなく、例えば、比較的長時間パルスのレーザー光を用いることができる。したがって、本実施の形態においては、工程時間の短縮を考慮し、上記青色発光膜を含む蒸着膜除去工程においては、比較的長時間パルスのレーザー光を用いたがこれに限定されることはない。

　以上のように、本実施の形態においては、レーザー光による加熱で、発光膜を含む蒸着膜のパターニングを行っているので、従来のように、レジスト膜を形成したり、剥離したりする必要がない。

　次に、ＴＦＴ基板１の全面に、正孔注入膜/正孔輸送膜（ＨＩＬ/ＨＴＬ）６ａと、緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））６ｂと、赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））６ｃと、電子輸送膜（ＥＴＬ）６ｄとを順に蒸着する、緑色発光膜および赤色発光膜を含む蒸着膜形成工程（図２のＳ５）について説明する。

　図４の（ａ）に図示されているように、ＴＦＴ基板１の全面に、緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））６ｂおよび赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））６ｃを含む蒸着膜６を形成した。

　以上のように、Ｇ画素およびＲ画素において、緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））６ｂと赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））６ｃとを積層膜として共通に形成したが、この場合には、ドーパントがリン光材料で、ホスト材料を共通化しやすく、上記緑色発光膜および赤色発光膜を含む蒸着膜形成工程で、ドーパントのみを切り替えるだけで対応できるメリットがある。

　なお、本実施の形態においては、キャリア特性、すなわち、正孔と電子の再結合バランスの観点から、緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））６ｂが下層で、赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））６ｃが上層となるように、緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））６ｂおよび赤色発光膜６ｃを含む蒸着膜６を蒸着したが、赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））６ｃが下層で、緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））６ｂが上層となるように、緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））６ｂおよび赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））６ｃを含む蒸着膜６を蒸着してもよく、この場合には、ＩＺＯ膜３ｂ・３ｃの膜厚が変わることに注意すればよい。

　次に、Ｇ画素およびＲ画素以外の緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））６ｂおよび赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））６ｃを含む蒸着膜６に、レーザー光を照射し、除去する、緑色発光膜および赤色発光膜を含む蒸着膜除去工程（図２のＳ６）について説明する。

　図４の（ｂ）に図示されているように、遮光部７ａと開口部７ｂとを備えたマスク７を介して、レーザー光を照射する。マスク７の遮光部７ａは、ＴＦＴ基板１のＧ画素部分およびＲ画素部分、すなわち、陽極電極２とＩＺＯ膜３ｂとが積層されている領域上と陽極電極２とＩＺＯ膜３ｃとが積層されている領域上とに配置され、マスク７の開口部７ｂは、ＴＦＴ基板１のＧ画素部分およびＲ画素部分以外に配置される。したがって、ＴＦＴ基板１のＧ画素部分およびＲ画素部分以外の全体には、レーザー光が照射されることとなる。緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））６ｂおよび赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））６ｃを含む蒸着膜６は有機材料であるので、レーザー光による加熱で、ＴＦＴ基板１のＢ画素部分および各画素間に形成された緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））６ｂおよび赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））６ｃを含む蒸着膜６を選択的に除去し、図４の（ｃ）に図示されているように、ＴＦＴ基板１のＢ画素部分には青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））４ｂを含む蒸着膜４が残り、ＴＦＴ基板１のＧ画素部分およびＲ画素部分には、緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））６ｂおよび赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））６ｃを含む蒸着膜６が残るようにパターニングすることができる。

　なお、図４の（ｂ）に図示されているように、ＴＦＴ基板１のＧ画素およびＲ画素上には、マスク７の遮光部７ａが配置されているので、Ｇ画素およびＲ画素における緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））６ｂおよび赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））６ｃを含む蒸着膜６には、レーザー光が照射されないので、レーザー光によるダメージは生じない。

　また、ＴＦＴ基板１のＢ画素部分に形成されている青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））４ｂを含む蒸着膜４においては、電子輸送膜（ＥＴＬ）４ｃが、上記緑色発光膜および赤色発光膜を含む蒸着膜除去工程において用いられるレーザー光が上記青色発光膜を含む蒸着膜除去工程において用いた比較的長時間パルスのレーザー光である場合を想定し、厚く形成されている。これは、Ｂ画素においては、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））４ｂを含む蒸着膜４上に形成された緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））６ｂおよび赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））６ｃを含む蒸着膜６がレーザー光の照射によって除去されるが、この工程で生じる熱が、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））４ｂや正孔注入膜/正孔輸送膜（ＨＩＬ/ＨＴＬ）４ａにできる限り影響を及ぼさないようにするためである。また、レーザー光の照射によって生じる熱を利用したパターニングであるというプロセス特性からも、Ｂ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）４ｃの膜厚にばらつき（パターニング時の損傷など）が生じやすいので、Ｂ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）４ｃの膜厚を色変化が生じにくい厚い構造とすることが好ましい。電子輸送膜（ＥＴＬ）４ｃの膜厚が厚くなると、結果的に青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））４ｂを含む蒸着膜４全体の膜厚も厚くなる。

　なお、この緑色発光膜および赤色発光膜を含む蒸着膜除去工程において、極短時間パルス（例えば、ＦｅｍｔｏＳｅｃｏｎｄ（１０^－１５）～ＰｉｃｏＳｅｃｏｎｄ（１０^－１２）程度の極短時間パルス）レーザー光を用いた場合には、レーザー光による他の膜への熱伝導を抑制できるため、上述した比較的長時間パルスのレーザー光を用いた場合に比べると、電子輸送膜（ＥＴＬ）４ｃを薄く形成できる。また、この緑色発光膜および赤色発光膜を含む蒸着膜除去工程も、真空雰囲気下または、水分および酸素が１０ｐｐｍ未満である雰囲気下で行われることが好ましい。

　最後に、電子注入膜と陰極電極８との形成工程（図２のＳ７）について説明する。

　図４の（ｄ）に図示されているように、電子注入膜（図示せず）と陰極電極８とを順にＴＦＴ基板１の全面に形成した後、パターニングした。それから、画素毎にまたは、ＴＦＴ基板１全体を封止することで、ＴＦＴ基板１上に複数の有機ＥＬ素子（発光素子）が設けられた有機ＥＬ表示装置９を完成させた。なお、本実施の形態においては、電子注入膜として、ＬｉＦを用いたがこれに限定されることはない。また、陰極電極８（半透過反射電極）としては、薄いＡｇ膜とＩＴＯ膜との積層膜を用いたがこれに限定されることはない。

　なお、上記複数の有機ＥＬ素子を駆動するための駆動回路は、ＴＦＴ基板１上に設けられていてもよく、ＴＦＴ基板１に外付けで設けられていてもよい。

　本実施形態では、上述したように２回のパターニングを行う場合に、１回目のパターニング（青色発光膜を含む蒸着膜除去工程）で残したＢ画素の蒸着膜４に２回目のパターニング（緑色発光膜および赤色発光膜を含む蒸着膜除去工程）でレーザーダメージが入ることを低減・回避するため、Ｂ画素の蒸着膜４の電子輸送膜（ＥＴＬ）４ｃを、Ｇ画素およびＲ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）６ｄよりも厚く形成した。しかしながら、Ｂ画素の蒸着膜４に緑色発光膜および赤色発光膜を含む蒸着膜除去工程でレーザーダメージが入ることを低減・回避する方法としては、上記方法に限定されない。

　例えば、図１に図示されているＢ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）４ｃの少なくとも一部には、無機材料、無機金属酸化物および結晶性有機材料の少なくとも一つが、Ｇ画素およびＲ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）６ｄより多く含まれていてもよい。

　なお、上記緑色発光膜および赤色発光膜を含む蒸着膜除去工程において、極短時間パルス（例えば、ＦｅｍｔｏＳｅｃｏｎｄ（１０^－１５）～ＰｉｃｏＳｅｃｏｎｄ（１０^－１２）程度の極短時間パルス）レーザー光を用いた場合には、レーザー光による他の膜への熱伝導を抑制できるため、上述した比較的長時間パルスのレーザー光を用いた場合に比べると、Ｂ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）４ｃにおける無機材料、無機金属酸化物および結晶性有機材料の少なくとも一つの含有量を減らすことができる。

　Ｂ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）４ｃに無機材料や無機金属酸化物（例えば、低仕事関数の無機金属酸化物（－３ｅＶ程度のアルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、あるいはこれらの酸化物を含む複合酸化物））や結晶性有機材料（フェナントロリン系材料に代表される低いガラス転移を有して容易に再結晶化する有機材料など）が多く含まれると、電子輸送膜（ＥＴＬ）４ｃのレーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率および耐熱性を向上させることができるので、上記レーザー光の照射によって生じる熱の下層への影響を抑制することができる。なお、上記結晶性有機材料とは、有機材料でも結晶化して膜密度が高い状態となった材料であり、例えば、ガラス転移点の低い有機材料（例えば、ガラス転移点１２０℃未満）を用いることにより、図４の（ｂ）に図示されている上記緑色発光膜および赤色発光膜を含む蒸着膜除去工程において、レーザー光の照射によって生じる熱によって、ガラス転移点の低い有機材料の結晶化が生じるとともにこの際熱吸収が生じるので、上記レーザー光の照射によって生じる熱の下層への影響を抑制することができる。

　また、図示はしてないが、Ｂ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）４ｃの膜厚をＧ画素およびＲ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）６ｄの膜厚以下に形成し、Ｂ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）４ｃには、無機材料、無機金属酸化物および結晶性有機材料の少なくとも一つが、Ｇ画素およびＲ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）６ｄより多く含まれていてもよい。

　つまり、Ｂ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）４ｃは、上記レーザー光の照射によってエッチングされ難いか、もしくは、エッチングされたとしても、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））４ｂや正孔注入膜/正孔輸送膜（ＨＩＬ/ＨＴＬ）４ａを十分に保護できる膜厚を有していることが望ましい。言い換えれば、Ｂ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）４ｃは、一定以上の膜厚を確保できるように、レーザー光の照射による膜の残存率が高いことが望ましい。

　電子輸送膜（ＥＴＬ）４ｃ・６ｄが同一材料で形成され、電子輸送膜（ＥＴＬ）４ｃ・６ｄの両方に同一のレーザー光が照射されると想定した場合、レーザー光の照射によって生じる熱によって除去される電子輸送膜（ＥＴＬ）４ｃ・６ｄの膜厚は一定であるため、膜厚が厚くなるとその分レーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率が高くなる。

　また、上述したようにＢ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）４ｃに無機材料や無機金属酸化物や結晶性有機材料が多く含まれている場合にも、Ｂ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）４ｃのレーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率が、Ｇ画素およびＲ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）６ｄの上記レーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率よりも高くなる。

　したがって、Ｂ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）４ｃは、レーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率が、Ｇ画素およびＲ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）６ｄの上記レーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率よりも高い膜であることが望ましい。

　なお、レーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率は、（所定期間のレーザー光照射後の膜厚）／（レーザー光照射前の初期膜厚）×１００である。

　また、本実施の形態においては、陽極電極（反射電極）と、ＩＺＯ膜と、正孔注入膜/正孔輸送膜（ＨＩＬ/ＨＴＬ）と、１層または２層の発光膜（ＥＭＬ）と、電子輸送膜（ＥＴＬ）と、電子注入膜と、陰極電極（半透過反射電極）とを備えた有機ＥＬ発光素子を例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、電子注入層やキャリアブロッキング膜としての正孔ブロッキング膜や電子ブロッキング膜などがさらに備えられていてもよい。

　図１に図示した有機ＥＬ表示装置９と、発光層より上層である電子輸送膜（ＥＴＬ）などについては、各画素において共通層として蒸着を行う従来の一般的な塗分け方法で製造された有機ＥＬ表示装置との差は、以下の通りである。従来の一般的な塗分け方法で製造された有機ＥＬ表示装置では、発光層より上層である電子輸送膜（ＥＴＬ）などについては、各画素において共通層として蒸着を行っているので、上述したように各画素において電子輸送膜（ＥＴＬ）に厚みや材料の差が生じることはない。

　また、従来のマスクやレジストを用いた塗分け方法を利用したドライエッチングによるパターニングでは、共通層として蒸着する電子輸送膜（ＥＴＬ）の膜厚設定には自由度があるものの、Ｇ画素およびＲ画素において、緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））と赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））とを共通に形成した構造は有さない。

　なお、本実施の形態においては、Ｇ画素およびＲ画素において、緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））６ｂと赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））６ｃとを積層膜として共通に形成したが、ある一画素、例えば、Ｂ画素の青色発光膜上に形成される電子輸送膜が、他の画素であるＧ画素およびＲ画素の緑色発光膜上に形成される電子輸送膜および赤色発光膜上に形成される電子輸送膜より、レーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率が高い膜であるのであれば、Ｇ画素およびＲ画素において、緑色発光膜と赤色発光膜とは積層膜として形成されず、Ｇ画素に緑色発光膜のみが形成され、Ｒ画素に赤色発光膜のみが形成されてもよい。

　〔実施の形態２〕
　次に、図５から図９に基づいて、本発明の実施の形態２について説明する。本実施の形態においては、Ｇ画素に、緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））１４ｂを含む蒸着膜１４を先に形成した後、Ｒ画素およびＢ画素に、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））１６ｂおよび赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））１６ｃを含む蒸着膜１６を形成する点において実施の形態１とは異なり、その他については実施の形態１において説明したとおりである。説明の便宜上、実施の形態１の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図５は、有機ＥＬ表示装置１９の概略構成を示す図である。

　図示されているように、Ｇ画素においては、陽極電極２（反射電極）と、ＩＺＯ膜１３ａと、正孔注入膜/正孔輸送膜（ＨＩＬ/ＨＴＬ）１４ａと、緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））１４ｂと、電子輸送膜（ＥＴＬ）１４ｃと、電子注入膜（図示せず）と、陰極電極８（半透過反射電極）とが順に積層されている。なお、電子輸送膜（ＥＴＬ）１４ｃは、Ｒ画素およびＢ画素における電子輸送膜（ＥＴＬ）１６ｄと同じ材料で形成されており、電子輸送膜（ＥＴＬ）１６ｄより厚く形成されている。

　一方、Ｒ画素においては、陽極電極２（反射電極）と、ＩＺＯ膜１３ｂと、正孔注入膜/正孔輸送膜（ＨＩＬ/ＨＴＬ）１６ａと、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））１６ｂと、赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））１６ｃと、電子輸送膜（ＥＴＬ）１６ｄと、電子注入膜（図示せず）と、陰極電極８（半透過反射電極）とが順に積層されている。

　そして、Ｂ画素においては、陽極電極２（反射電極）と、ＩＺＯ膜１３ｃと、正孔注入膜/正孔輸送膜（ＨＩＬ/ＨＴＬ）１６ａと、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））１６ｂと、赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））１６ｃと、電子輸送膜（ＥＴＬ）１６ｄと、電子注入膜（図示せず）と、陰極電極８（半透過反射電極）とが順に積層されている。

　図６は、図５に図示した有機ＥＬ表示装置１９の製造工程を説明するための図である。

　図７の（ａ）～（ｄ）は、有機ＥＬ表示装置１９のＧ画素に蒸着膜を形成する工程を説明するための図である。

　図８の（ａ）～（ｄ）は、図７の（ｄ）に示す工程の後工程であって、有機ＥＬ表示装置１９のＲ画素およびＢ画素に蒸着膜を形成する工程の一例を示す図である。

　先ず、陽極電極２を画素毎にパターニングしてＴＦＴ基板１０上に設ける電極形成工程（図６のＳ１）について説明する。図７の（ａ）に図示されているように、画素（Ｇ画素、Ｒ画素、Ｂ画素）毎に備えられたＴＦＴ素子のドレイン電極（またはソース電極）に電気的に接続された陽極電極２を画素毎にパターニングしてＴＦＴ基板１０上に設けた。

　次に、陽極電極２上に、透明導電性膜（導電性光透過膜ともいう）を画素毎にパターニングして形成する透明導電性膜形成工程（図６のＳ２）について説明する。なお、上述した電極形成工程（図６のＳ１）と透明導電性膜形成工程（図６のＳ２）とを合わせて陽極形成工程ともいう。

　図７の（ａ）に図示されているように、陽極電極２上に、すなわち、陽極電極２と電気的に接続されるように、透明導電性膜であるＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）膜１３ａ・１３ｂ・１３ｃをパターニングして形成した。ＩＺＯ膜１３ａ・１３ｂ・１３ｃは、各画素（Ｇ画素、Ｒ画素、Ｂ画素）での光の干渉効果を考慮し、画素（Ｇ画素、Ｒ画素、Ｂ画素）毎に所定の膜厚で形成される。

　次に、ＴＦＴ基板１０の全面に、正孔注入膜/正孔輸送膜（ＨＩＬ/ＨＴＬ）１４ａと、緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））１４ｂと、電子輸送膜（ＥＴＬ）と１４ｃを順に蒸着する、緑色発光膜を含む蒸着膜形成工程（図６のＳ３）について説明する。

　図７の（ｂ）に図示されているように、ＴＦＴ基板１０の全面に、緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））１４ｂを含む蒸着膜１４を形成した。なお、詳しくは後述するが、電子輸送膜（ＥＴＬ）４ｃは、後工程を考慮して厚く形成した。

　次に、Ｇ画素以外の緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））１４ｂを含む蒸着膜１４にレーザー光を照射して、Ｇ画素以外の緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））１４ｂを含む蒸着膜１４を除去する、緑色発光膜を含む蒸着膜除去工程（図６のＳ４）について説明する。

　図７の（ｃ）に図示されているように、遮光部１５ａと開口部１５ｂとを備えたマスク１５を介して、レーザー光を照射する。マスク１５の遮光部１５ａは、ＴＦＴ基板１０のＧ画素部分、すなわち、陽極電極２とＩＺＯ膜１３ａとが積層されている領域上に配置され、マスク１５の開口部１５ｂは、ＴＦＴ基板１０のＧ画素部分以外に配置される。したがって、ＴＦＴ基板１０のＧ画素部分以外の全体には、レーザー光が照射されることとなる。緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））１４ｂを含む蒸着膜１４は有機材料であり、ＩＺＯ膜１３ｂ・１３ｃは無機材料であるため、レーザー光による加熱で、ＩＺＯ膜１３ｂ・１３ｃ上および各画素間に形成された緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））１４ｂを含む蒸着膜１４を選択的に除去し、図７の（ｄ）に図示されているように、Ｇ画素にのみ緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））１４ｂを含む蒸着膜１４を残すようにパターニングすることができる。

　なお、図７の（ｃ）に図示されているように、ＴＦＴ基板１０のＧ画素上には、マスク１５の遮光部１５ａが配置されているので、Ｇ画素の緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））１４ｂを含む蒸着膜１４には、レーザー光が照射されないので、レーザー光によるダメージは生じない。

　この緑色発光膜を含む蒸着膜除去工程は、真空雰囲気下や水分および酸素が例えば、１０ｐｐｍ未満と低い雰囲気下で行うことが好ましい。

　以上のように、本実施の形態においては、レーザー光による加熱で、パターニングを行っているので、従来のように、レジスト膜を形成したり、剥離したりする必要がない。

　また、この緑色発光膜を含む蒸着膜除去工程において用いられるレーザー光は、レーザー光による加熱で、下層に保護する必要がある発光膜を含む蒸着膜を有さない発光膜を含む蒸着膜を除去する目的で用いられているため、このレーザー光による他の膜への熱伝導の抑制を大きく考慮する必要はないので、極短時間パルス（例えば、ＦｅｍｔｏＳｅｃｏｎｄ（１０^－１５）～ＰｉｃｏＳｅｃｏｎｄ（１０^－１２）程度の極短時間パルス）レーザー光を用いる必要はなく、例えば、比較的長時間パルスのレーザー光を用いることができる。したがって、本実施の形態においては、工程時間の短縮を考慮し、上記緑色発光膜を含む蒸着膜除去工程においては、比較的長時間パルスのレーザー光を用いたがこれに限定されることはない。

　次に、ＴＦＴ基板１０の全面に、正孔注入膜/正孔輸送膜（ＨＩＬ/ＨＴＬ）１６ａと、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））１６ｂと、赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））１６ｃと、電子輸送膜（ＥＴＬ）１６ｄとを順に蒸着する、青色発光膜および赤色発光膜を含む蒸着膜形成工程（図６のＳ５）について説明する。

　図８の（ａ）に図示されているように、ＴＦＴ基板１０の全面に、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））１６ｂおよび赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））１６ｃを含む蒸着膜１６を形成した。

　以上のように、Ｒ画素およびＢ画素において、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））１６ｂと赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））１６ｃとを共通に形成した。

　なお、本実施の形態においては、キャリア特性、すなわち、正孔と電子の再結合バランスの観点から、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））１６ｂが下層で、赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））１６ｃが上層となるように、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））１６ｂおよび赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））１６ｃを含む蒸着膜１６を蒸着したが、赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））１６ｃが下層で、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））１６ｂが上層となるように、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））１６ｂおよび赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））１６ｃを含む蒸着膜１６を蒸着してもよく、この場合には、ＩＺＯ膜１３ｂ・１３ｃの膜厚が変わることに注意すればよい。

　次に、Ｒ画素およびＢ画素以外の青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））１６ｂおよび赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））１６ｃを含む蒸着膜１６に、レーザー光を照射し、除去する、青色発光膜および赤色発光膜を含む蒸着膜除去工程（図６のＳ６）について説明する。

　図８の（ｂ）に図示されているように、遮光部１７ａと開口部１７ｂとを備えたマスク１７を介して、レーザー光を照射する。マスク１７の遮光部１７ａは、ＴＦＴ基板１０のＲ画素部分およびＢ画素部分、すなわち、陽極電極２とＩＺＯ膜１３ｂとが積層されている領域上と陽極電極２とＩＺＯ膜１３ｃとが積層されている領域上とに配置され、マスク１７の開口部１７ｂは、ＴＦＴ基板１０のＲ画素部分およびＢ画素部分以外に配置される。したがって、ＴＦＴ基板１０のＲ画素部分およびＢ画素部分以外の全体には、レーザー光が照射されることとなる。青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））１６ｂおよび赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））１６ｃを含む蒸着膜１６は有機材料であるので、レーザー光による加熱で、ＴＦＴ基板１０のＧ画素部分および各画素間に形成された青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））１６ｂおよび赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））１６ｃを含む蒸着膜１６を選択的に除去し、図８の（ｃ）に図示されているように、ＴＦＴ基板１０のＧ画素部分には緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））１４ｂを含む蒸着膜１４が残り、ＴＦＴ基板１０のＲ画素部分およびＢ画素部分には、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））１６ｂおよび赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））１６ｃを含む蒸着膜１６が残るようにパターニングすることができる。

　なお、図８の（ｂ）に図示されているように、ＴＦＴ基板１０のＲ画素およびＢ画素上には、マスク１７の遮光部１７ａが配置されているので、Ｒ画素およびＢ画素における青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））１６ｂおよび赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））１６ｃを含む蒸着膜１６には、レーザー光が照射されないので、レーザー光によるダメージは生じない。

　また、ＴＦＴ基板１０のＧ画素部分に形成されている緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））１４ｂを含む蒸着膜１４においては、電子輸送膜（ＥＴＬ）１４ｃが、この青色発光膜および赤色発光膜を含む蒸着膜除去工程に用いられるレーザー光が上記緑色発光膜を含む蒸着膜除去工程において用いた比較的長時間パルスのレーザー光である場合を想定し、厚く形成されている。これは、Ｇ画素においては、緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））１４ｂを含む蒸着膜１４上に形成された青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））１６ｂおよび赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））１６ｃを含む蒸着膜１６がレーザー光の照射によって除去されるが、この工程で生じる熱が、緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））１４ｂや正孔注入膜/正孔輸送膜（ＨＩＬ/ＨＴＬ）１４ａにできる限り影響を及ぼさないようにするためである。また、レーザー光の照射によって生じる熱を利用したパターニングであるというプロセス特性からも、Ｇ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）１４ｃの膜厚にばらつき（パターニング時の損傷など）が生じやすいので、Ｇ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）１４ｃの膜厚を色変化が生じにくい厚い構造とすることが好ましい。電子輸送膜（ＥＴＬ）１４ｃの膜厚が厚くなると、結果的に緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））１４ｂを含む蒸着膜１４全体の膜厚も厚くなる。

　本実施の形態においては、Ｇ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）１４ｃのレーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率を、Ｒ画素およびＢ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）１６ｄの上記レーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率より高くするため、Ｇ画素、Ｒ画素およびＢ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）を同じ材料で形成するとともに、Ｇ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）１４ｃの膜厚をＲ画素およびＢ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）１６ｄの膜厚より厚く形成した。

　なお、この青色発光膜および赤色発光膜を含む蒸着膜除去工程において、極短時間パルス（例えば、ＦｅｍｔｏＳｅｃｏｎｄ（１０^－１５）～ＰｉｃｏＳｅｃｏｎｄ（１０^－１２）程度の極短時間パルス）レーザー光を用いた場合には、レーザー光による他の膜への熱伝導を抑制できるため、上述した比較的長時間パルスのレーザー光を用いた場合に比べると、電子輸送膜（ＥＴＬ）１４ｃを薄く形成できる。また、この青色発光膜および赤色発光膜を含む蒸着膜除去工程も、真空雰囲気下または、水分および酸素が１０ｐｐｍ未満である雰囲気下で行われることが好ましい。

　最後に、電子注入膜と陰極電極８との形成工程（図６のＳ７）について説明する。

　図８の（ｄ）に図示されているように、電子注入膜（図示せず）と陰極電極８とを順にＴＦＴ基板１０の全面に形成した後、パターニングした。それから、画素毎にまたは、ＴＦＴ基板１０全体を封止することで、ＴＦＴ基板１０上に複数の有機ＥＬ素子が設けられた有機ＥＬ表示装置１９を完成させた。

　なお、以上のように、本実施の形態においては、Ｇ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）１４ｃのレーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率を、Ｒ画素およびＢ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）１６ｄの上記レーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率より高くする一例として、Ｇ画素、Ｒ画素およびＢ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）を同じ材料で形成するとともに、Ｇ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）１４ｃの膜厚をＲ画素およびＢ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）１６ｄの膜厚より厚く形成した場合を例に挙げたがこれに限定されることはなく、Ｇ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）のレーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率を、Ｒ画素およびＢ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）の上記レーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率より高くするため、以下のようにしてもよい。

　例えば、図５に図示されているＧ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）１４ｃの少なくとも一部には、無機材料、無機金属酸化物および結晶性有機材料の少なくとも一つが、Ｒ画素およびＢ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）１６ｄより多く含まれていてもよい。

　なお、上記青色発光膜および赤色発光膜を含む蒸着膜除去工程において、極短時間パルス（例えば、ＦｅｍｔｏＳｅｃｏｎｄ（１０^－１５）～ＰｉｃｏＳｅｃｏｎｄ（１０^－１２）程度の極短時間パルス）レーザー光を用いた場合には、レーザー光による他の膜への熱伝導を抑制できるため、上述した比較的長時間パルスのレーザー光を用いた場合に比べると、Ｇ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）１４ｃにおける無機材料、無機金属酸化物および結晶性有機材料の少なくとも一つの含有量を減らすことができる。

　Ｇ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）１４ｃに無機材料や無機金属酸化物（例えば、低仕事関数の無機金属酸化物（－３ｅＶ程度のアルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、あるいはこれらの酸化物を含む複合酸化物））や結晶性有機材料（フェナントロリン系材料に代表される低いガラス転移を有して容易に再結晶化する有機材料など）が多く含まれると、電子輸送膜（ＥＴＬ）１４ｃのレーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率および耐熱性を向上させることができるので、レーザー光の照射によって生じる熱の下層への影響を抑制することができる。なお、上記結晶性有機材料とは、有機材料でも結晶化して膜密度が高い状態となった材料であり、例えば、ガラス転移点の低い有機材料（例えば、ガラス転移点１２０℃未満）を用いることにより、図８の（ｂ）に図示されている上記青色発光膜および赤色発光膜を含む蒸着膜除去工程において、レーザー光の照射によって生じる熱によって、ガラス転移点の低い有機材料の結晶化が生じるとともにこの際熱吸収が生じるので、レーザー光の照射によって生じる熱の下層への影響を抑制することができる。

　また、図示はしてないが、Ｇ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）１４ｃの膜厚をＲ画素およびＢ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）１６ｄの膜厚以下に形成し、Ｇ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）１４ｃには、無機材料、無機金属酸化物および結晶性有機材料の少なくとも一つが、Ｒ画素およびＢ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）１６ｄより多く含まれていてもよい。

　図９は、カラーフィルタを備えた有機ＥＬ表示装置２３の概略構成を示す図である。

　上述したように、Ｒ画素およびＢ画素において、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））１６ｂと赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））１６ｃとを共通に形成した場合には、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））１６ｂおよび赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））１６ｃからの光学干渉設計において、赤色のピーク波長（６００ｎｍ）と青色のピーク波長（４５０ｎｍ）がほぼ１．５倍に近く、混色が生じやすい。

　したがって、図９に図示されているように、色純度を高めるため、例えば、封止工程で用いられるガラス２０におけるＢ画素およびＲ画素との対向箇所に、青色カラーフィルタ２１と赤色カラーフィルタ２２とを設けることが好ましい。本実施の形態においては、青色カラーフィルタ２１と赤色カラーフィルタ２２とをガラス２０に設けた場合を例に挙げたが、これに限定されることはなく、Ｒ画素から赤色光が出射される経路上に、赤色光の波長領域の透過率がその他の波長領域の透過率より高い赤色カラーフィルタ２２を設け、Ｂ画素から青色光が出射される経路上に、青色光の波長領域の透過率がその他の波長領域の透過率より高い青色カラーフィルタ２１を設ければよい。

　〔実施の形態３〕
　次に、図１０から図１３に基づいて、本発明の実施の形態３について説明する。本実施の形態においては、Ｒ画素に、赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））３４ｂを含む蒸着膜３４を先に形成した後、Ｇ画素およびＢ画素に、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））３６ｂおよび緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））３６ｃを含む蒸着膜３６を形成する点において実施の形態１および２とは異なり、その他については実施の形態１および２において説明したとおりである。説明の便宜上、実施の形態１の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図１０は、有機ＥＬ表示装置３９の概略構成を示す図である。

　図示されているように、Ｒ画素においては、陽極電極２（反射電極）と、ＩＺＯ膜３３ａと、正孔注入膜/正孔輸送膜（ＨＩＬ/ＨＴＬ）３４ａと、赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））３４ｂと、電子輸送膜（ＥＴＬ）３４ｃと、電子注入膜（図示せず）と、陰極電極８（半透過反射電極）とが順に積層されている。なお、電子輸送膜（ＥＴＬ）３４ｃは、Ｇ画素およびＢ画素における電子輸送膜（ＥＴＬ）３６ｄと同じ材料で形成されており、電子輸送膜（ＥＴＬ）３６ｄより厚く形成されている。

　一方、Ｇ画素においては、陽極電極２（反射電極）と、ＩＺＯ膜３３ｂと、正孔注入膜/正孔輸送膜（ＨＩＬ/ＨＴＬ）３６ａと、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））３６ｂと、緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））３６ｃと、電子輸送膜（ＥＴＬ）３６ｄと、電子注入膜（図示せず）と、陰極電極８（半透過反射電極）とが順に積層されている。

　そして、Ｂ画素においては、陽極電極２（反射電極）と、ＩＺＯ膜３３ｃと、正孔注入膜/正孔輸送膜（ＨＩＬ/ＨＴＬ）３６ａと、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））３６ｂと、緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））３６ｃと、電子輸送膜（ＥＴＬ）３６ｄと、電子注入膜（図示せず）と、陰極電極８（半透過反射電極）とが順に積層されている。

　図１１は、図１０に図示した有機ＥＬ表示装置３９の製造工程を説明するための図である。

　図１２の（ａ）～（ｄ）は、有機ＥＬ表示装置３９のＲ画素に蒸着膜を形成する工程を説明するための図である。

　図１３の（ａ）～（ｄ）は、図１２の（ｄ）に示す工程の後工程であって、有機ＥＬ表示装置３９のＧ画素およびＢ画素に蒸着膜を形成する工程の一例を示す図である。

　先ず、陽極電極２を画素毎にパターニングしてＴＦＴ基板３０上に設ける電極形成工程（図１１のＳ１）について説明する。図１２の（ａ）に図示されているように、画素（Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素）毎に備えられたＴＦＴ素子のドレイン電極（またはソース電極）に電気的に接続された陽極電極２を画素毎にパターニングしてＴＦＴ基板３０上に設けた。

　次に、陽極電極２上に、透明導電性膜（導電性光透過膜ともいう）を画素毎にパターニングして形成する透明導電性膜形成工程（図１１のＳ２）について説明する。なお、上述した電極形成工程（図１１のＳ１）と透明導電性膜形成工程（図１１のＳ２）とを合わせて陽極形成工程ともいう。

　図１２の（ａ）に図示されているように、陽極電極２上に、透明導電性膜であるＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）膜３３ａ・３３ｂ・３３ｃをパターニングして形成した。ＩＺＯ膜３３ａ・３３ｂ・３３ｃは、各画素（Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素）での光の干渉効果を考慮し、画素（Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素）毎に所定の膜厚で形成される。

　次に、ＴＦＴ基板３０の全面に、正孔注入膜/正孔輸送膜（ＨＩＬ/ＨＴＬ）３４ａと、赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））３４ｂと、電子輸送膜（ＥＴＬ）３４ｃとを順に蒸着する、赤色発光膜を含む蒸着膜形成工程（図１１のＳ３）について説明する。

　そして、図１２の（ｂ）に図示されているように、ＴＦＴ基板３０の全面に、赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））３４ｂを含む蒸着膜３４を形成した。なお、詳しくは後述するが、電子輸送膜（ＥＴＬ）３４ｃは、後工程を考慮して厚く形成した。

　次に、Ｒ画素以外の赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））３４ｂを含む蒸着膜３４にレーザー光を照射して、Ｒ画素以外の赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））３４ｂを含む蒸着膜３４を除去する、赤色発光膜を含む蒸着膜除去工程（図１１のＳ４）について説明する。

　図１２の（ｃ）に図示されているように、遮光部３５ａと開口部３５ｂとを備えたマスク３５を介して、レーザー光を照射する。マスク３５の遮光部３５ａは、ＴＦＴ基板３０のＲ画素部分、すなわち、陽極電極２とＩＺＯ膜３３ａとが積層されている領域上に配置され、マスク３５の開口部３５ｂは、ＴＦＴ基板３０のＲ画素部分以外に配置される。したがって、ＴＦＴ基板３０のＲ画素部分以外の全体には、レーザー光が照射されることとなる。赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））３４ｂを含む蒸着膜３４は有機材料であり、ＩＺＯ膜３３ｂ・３３ｃは無機材料であるため、レーザー光による加熱で、ＩＺＯ膜３３ｂ・３３ｃ上および各画素間に形成された赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））３４ｂを含む蒸着膜３４を選択的に除去し、図１２の（ｄ）に図示されているように、Ｒ画素にのみ赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））３４ｂを含む蒸着膜３４を残すようにパターニングすることができる。

　なお、図１２の（ｃ）に図示されているように、ＴＦＴ基板３０のＲ画素上には、マスク３５の遮光部３５ａが配置されているので、Ｒ画素の赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））３４ｂを含む蒸着膜３４には、レーザー光が照射されないので、レーザー光によるダメージは生じない。

　この赤色発光膜を含む蒸着膜除去工程は、真空雰囲気下や水分および酸素が例えば、１０ｐｐｍ未満と低い雰囲気下で行うことが好ましい。

　また、この赤色発光膜を含む蒸着膜除去工程において用いられるレーザー光は、レーザー光による加熱で、下層に保護する必要がある発光膜を含む蒸着膜を有さない発光膜を含む蒸着膜を除去する目的で用いられているため、このレーザー光による他の膜への熱伝導の抑制を大きく考慮する必要はないので、極短時間パルス（例えば、ＦｅｍｔｏＳｅｃｏｎｄ（１０^－１５）～ＰｉｃｏＳｅｃｏｎｄ（１０^－１２）程度の極短時間パルス）レーザー光を用いる必要はなく、例えば、比較的長時間パルスのレーザー光を用いることができる。したがって、本実施の形態においては、工程時間の短縮を考慮し、上記赤色発光膜を含む蒸着膜除去工程においては、比較的長時間パルスのレーザー光を用いたがこれに限定されることはない。

　次に、ＴＦＴ基板３０の全面に、正孔注入膜/正孔輸送膜（ＨＩＬ/ＨＴＬ）３６ａと、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））３６ｂと、緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））３６ｃと、電子輸送膜（ＥＴＬ）３６ｄとを順に蒸着する、青色発光膜および緑色発光膜を含む蒸着膜形成工程（図１１のＳ５）について説明する。

　図１３の（ａ）に図示されているように、ＴＦＴ基板３０の全面に、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））３６ｂおよび緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））３６ｃを含む蒸着膜３６を形成した。

　以上のように、Ｇ画素およびＢ画素において、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））３６ｂと緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））３６ｃとを共通に形成した。

　なお、本実施の形態においては、キャリア特性、すなわち、正孔と電子の再結合バランスの観点から、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））３６ｂが下層で、緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））３６ｃが上層となるように、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））３６ｂおよび緑色発光膜３６ｃを含む蒸着膜３６を蒸着したが、緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））３６ｃが下層で、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））３６ｂが上層となるように、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））３６ｂおよび緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））３６ｃを含む蒸着膜３６を蒸着してもよく、この場合には、ＩＺＯ膜３３ｂ・３３ｃの膜厚が変わることに注意すればよい。

　次に、Ｇ画素およびＢ画素以外の青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））３６ｂおよび緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））３６ｃを含む蒸着膜３６に、レーザー光を照射し、除去する、青色発光膜および緑色発光膜を含む蒸着膜除去工程（図１１のＳ６）について説明する。

　図１３の（ｂ）に図示されているように、遮光部３７ａと開口部３７ｂとを備えたマスク３７を介して、レーザー光を照射する。マスク３７の遮光部３７ａは、ＴＦＴ基板３０のＧ画素部分およびＢ画素部分、すなわち、陽極電極２とＩＺＯ膜３３ｂとが積層されている領域上と陽極電極２とＩＺＯ膜３３ｃとが積層されている領域上とに配置され、マスク３７の開口部３７ｂは、ＴＦＴ基板３０のＧ画素部分およびＢ画素部分以外に配置される。したがって、ＴＦＴ基板３０のＧ画素部分およびＢ画素部分以外の全体には、レーザー光が照射されることとなる。青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））３６ｂおよび緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））３６ｃを含む蒸着膜３６は有機材料であるので、レーザー光による加熱で、ＴＦＴ基板３０のＲ画素部分および各画素間に形成された青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））３６ｂおよび緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））３６ｃを含む蒸着膜３６を選択的に除去し、図１３の（ｃ）に図示されているように、ＴＦＴ基板３０のＲ画素部分には赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））３４ｂを含む蒸着膜３４が残り、ＴＦＴ基板３０のＧ画素部分およびＢ画素部分には、青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））３６ｂおよび緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））３６ｃを含む蒸着膜３６が残るようにパターニングすることができる。

　なお、図１３の（ｂ）に図示されているように、ＴＦＴ基板３０のＧ画素およびＢ画素上には、マスク３７の遮光部３７ａが配置されているので、Ｇ画素およびＢ画素における青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））３６ｂおよび緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））３６ｃを含む蒸着膜３６には、レーザー光が照射されないので、レーザー光によるダメージは生じない。

　また、ＴＦＴ基板３０のＲ画素部分に形成されている赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））３４ｂを含む蒸着膜３４においては、電子輸送膜（ＥＴＬ）３４ｃが、この青色発光膜および緑色発光膜を含む蒸着膜除去工程に用いられるレーザー光が赤色発光膜を含む蒸着膜除去工程において用いた比較的長時間パルスのレーザー光である場合を想定し、厚く形成されている。これは、Ｒ画素においては、赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））３４ｂを含む蒸着膜３４上に形成された青色発光膜（ＥＭＬ（Ｂ））３６ｂおよび緑色発光膜（ＥＭＬ（Ｇ））３６ｃを含む蒸着膜３６がレーザー光の照射によって除去されるが、この工程で生じる熱が、赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））３４ｂや正孔注入膜/正孔輸送膜（ＨＩＬ/ＨＴＬ）３４ａにできる限り影響を及ぼさないようにするためである。また、レーザー光の照射によって生じる熱を利用したパターニングであるというプロセス特性からも、Ｒ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）３４ｃの膜厚にばらつき（パターニング時の損傷など）が生じやすいので、Ｒ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）３４ｃの膜厚を色変化が生じにくい厚い構造とすることが好ましい。電子輸送膜（ＥＴＬ）３４ｃの膜厚が厚くなると、結果的に赤色発光膜（ＥＭＬ（Ｒ））３４ｂを含む蒸着膜３４全体の膜厚も厚くなる。

　本実施の形態においては、Ｒ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）３４ｃのレーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率を、Ｇ画素およびＢ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）３６ｄの上記レーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率より高くするため、Ｒ画素、Ｇ画素およびＢ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）を同じ材料で形成するとともに、Ｒ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）３４ｃの膜厚をＧ画素およびＢ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）３６ｄの膜厚より厚く形成した。

　なお、この青色発光膜および緑色発光膜を含む蒸着膜除去工程において、極短時間パルス（例えば、ＦｅｍｔｏＳｅｃｏｎｄ（１０^－１５）～ＰｉｃｏＳｅｃｏｎｄ（１０^－１２）程度の極短時間パルス）レーザー光を用いた場合には、レーザー光による他の膜への熱伝導を抑制できるため、上述した比較的長時間パルスのレーザー光を用いた場合に比べると、電子輸送膜（ＥＴＬ）３４ｃを薄く形成できる。また、この青色発光膜および緑色発光膜を含む蒸着膜除去工程も、真空雰囲気下または、水分および酸素が１０ｐｐｍ未満である雰囲気下で行われることが好ましい。

　最後に、電子注入膜と陰極電極８との形成工程（図１１のＳ７）について説明する。

　図１３の（ｄ）に図示されているように、電子注入膜（図示せず）と陰極電極８とを順にＴＦＴ基板３０全面に形成した後、パターニングした。それから、画素毎にまたは、ＴＦＴ基板３０全体を封止することで、ＴＦＴ基板３０上に複数の有機ＥＬ素子が設けられた有機ＥＬ表示装置３９を完成させた。

　なお、以上のように、本実施の形態においては、Ｒ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）３４ｃのレーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率を、Ｇ画素およびＢ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）３６ｄの上記レーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率より高くする一例として、Ｒ画素、Ｇ画素およびＢ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）を同じ材料で形成するとともに、Ｒ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）３４ｃの膜厚をＧ画素およびＢ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）３６ｄの膜厚より厚く形成した場合を例に挙げたがこれに限定されることはなく、Ｒ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）のレーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率を、Ｇ画素およびＢ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）の上記レーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率より高くするため、以下のようにしてもよい。

　例えば、図１０に図示されているＲ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）３４ｃの少なくとも一部には、無機材料、無機金属酸化物および結晶性有機材料の少なくとも一つが、Ｇ画素およびＢ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）３６ｄより多く含まれていてもよい。

　なお、上記青色発光膜および緑色発光膜を含む蒸着膜除去工程において、極短時間パルス（例えば、ＦｅｍｔｏＳｅｃｏｎｄ（１０^－１５）～ＰｉｃｏＳｅｃｏｎｄ（１０^－１２）程度の極短時間パルス）レーザー光を用いた場合には、レーザー光による他の膜への熱伝導を抑制できるため、上述した比較的長時間パルスのレーザー光を用いた場合に比べると、Ｒ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）３４ｃにおける無機材料、無機金属酸化物および結晶性有機材料の少なくとも一つの含有量を減らすことができる。

　Ｒ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）３４ｃに無機材料や無機金属酸化物（例えば、低仕事関数の無機金属酸化物（－３ｅＶ程度のアルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、あるいはこれらの酸化物を含む複合酸化物））や結晶性有機材料（フェナントロリン系材料に代表される低いガラス転移を有して容易に再結晶化する有機材料など）が多く含まれると、電子輸送膜（ＥＴＬ）３４ｃのレーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率および耐熱性を向上させることができるので、レーザー光の照射によって生じる熱の下層への影響を抑制することができる。なお、上記結晶性有機材料とは、有機材料でも結晶化して膜密度が高い状態となった材料であり、例えば、ガラス転移点の低い有機材料（例えば、ガラス転移点１２０℃未満）を用いることにより、図１３の（ｂ）に図示されている上記青色発光膜および緑色発光膜を含む蒸着膜除去工程において、レーザー光の照射によって生じる熱によって、ガラス転移点の低い有機材料の結晶化が生じるとともにこの際熱吸収が生じるので、レーザー光の照射によって生じる熱の下層への影響を抑制することができる。

　また、図示はしてないが、Ｒ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）３４ｃの膜厚をＧ画素およびＢ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）３６ｄの膜厚以下に形成し、Ｒ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）３４ｅには、無機材料、無機金属酸化物および結晶性有機材料の少なくとも一つが、Ｇ画素およびＢ画素の電子輸送膜（ＥＴＬ）３６ｄより多く含まれていてもよい。

　〔まとめ〕
　本発明の態様１に係る表示装置は、異なるピーク波長の光を出射する第１画素および第２画素と、上記各画素に備えられた反射電極および半透過反射電極と、を含む表示装置であって、第１の発光膜は上記第１画素に、第２の発光膜は上記第２画素に形成され、上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜は、上記第２の発光膜上に形成される蒸着膜より、レーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率が高い膜であることを特徴としている。

　本発明の態様２に係る表示装置は、上記態様１において、上記第１画素および上記第２画素とは異なるピーク波長の光を出射する第３画素と、上記第３画素に備えられた反射電極および半透過反射電極と、を含み、上記第２の発光膜および第３の発光膜は、上記第２画素および上記第３画素の各々に積層されて形成され、上記第２画素の上記反射電極と上記第２の発光膜との距離および上記第３画素の上記反射電極と上記第３の発光膜との距離は、該当画素の上記ピーク波長の光を上記半透過反射電極から取り出せるように設けられており、上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜は、上記第２の発光膜および上記第３の発光膜の積層膜中、上層である上記第２の発光膜上に形成される蒸着膜より、レーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率が高い膜であることが好ましい。

　上記構成によれば、上記第２の発光膜および上記第３の発光膜は共に、上記第２および上記第３画素の各々に形成されているので、上記第２画素および上記第３画素の各々における上記第２の発光膜および上記第３の発光膜は、一度の工程でパターニングできるので、生産性が高いとともに、パターニング時に生じる他の膜への悪影響を抑制できる。

　また、上記構成によれば、上記第２の発光膜および上記第３の発光膜は共に、上記第２および上記第３画素の各々に形成されているが、上記第２画素の上記反射電極と上記第２の発光膜との距離および上記第３画素の上記反射電極と上記第３の発光膜との距離は、該当画素の上記ピーク波長の光を上記半透過反射電極から取り出せるように設定されているので、該当画素から所定ピーク波長の光を取り出すことができる。

　また、上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜は、上記第２の発光膜および上記第３の発光膜の積層膜中、上層である上記第２の発光膜上に形成される蒸着膜より、レーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率が高い膜であるので、例えば、レーザー光による加熱で、上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜上の膜を除去する場合でも、上記第１の発光膜および上記第１の発光膜より下に形成される蒸着膜への影響を抑制でき、発光素子の色ズレおよび発光素子特性の低下を抑制できる表示装置を実現できる。

　本発明の態様３に係る表示装置は、上記態様１または２において、上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜は、上記第２の発光膜上に形成される蒸着膜より、厚く形成されていてもよい。

　上記構成によれば、上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜は、上記第２の発光膜上に形成される蒸着膜より、厚く形成されているので、例えば、レーザー光による加熱で、上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜上の膜を除去する場合でも、上記第１の発光膜および上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜への影響を抑制でき、発光素子の色ズレおよび発光素子特性の低下を抑制できる表示装置を実現できる。

　本発明の態様４に係る表示装置は、上記態様１から３の何れかにおいて、上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜には、無機材料、無機金属酸化物および結晶性有機材料のうち少なくとも一つが、上記第２の発光膜上に形成される蒸着膜より多く含まれていてもよい。

　上記構成によれば、上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜には、無機材料、無機金属酸化物および結晶性有機材料の少なくとも一つが、上記第２の発光膜上に形成される蒸着膜より、多く含まれているので、例えば、レーザー光による加熱で、上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜上の膜を除去する場合でも、上記第１の発光膜および上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜への影響を抑制でき、発光素子の色ズレおよび発光素子特性の低下を抑制できる表示装置を実現できる。

　本発明の態様５に係る表示装置は、上記態様２において、上記第２画素の上記反射電極と上記第２の発光膜との距離および上記第３画素の上記反射電極と上記第３の発光膜との距離は、該当画素の上記ピーク波長の１／４×（２Ｎ－１）であり、上記Ｎは自然数であることが好ましい。

　上記構成によれば、該当画素から所定ピーク波長の光を効率よく取り出すことができる。

　本発明の態様６に係る表示装置は、上記態様２または５において、上記第１の発光膜は青色発光膜であり、上記第２の発光膜は、緑色発光膜および赤色発光膜の何れか一方であり、上記第３の発光膜は、上記緑色発光膜および上記赤色発光膜の他方であってもよい。

　上記構成によれば、第２画素および第３画素において、緑色発光膜と赤色発光膜とが共通に形成されている。この場合には、ドーパントがリン光材料で、ホスト材料を共通化しやすく、蒸着工程で、ドーパントのみを切り替えるだけで対応できる。

　本発明の態様７に係る表示装置は、上記態様２または５において、上記第１の発光膜は緑色発光膜であり、上記第２の発光膜は、赤色発光膜および青色発光膜の何れか一方であり、上記第３の発光膜は、上記赤色発光膜および上記青色発光膜の他方であってもよい。

　上記構成によれば、第２画素および第３画素において、赤色発光膜と青色発光膜とが共通に形成されている表示装置を実現できる。

　本発明の態様８に係る表示装置は、上記態様２または５において、上記第１の発光膜は赤色発光膜であり、上記第２の発光膜は、緑色発光膜および青色発光膜の何れか一方であり、上記第３の発光膜は、上記緑色発光膜および上記青色発光膜の他方であってもよい。

　上記構成によれば、第２画素および第３画素において、緑色発光膜と青色発光膜とが共通に形成されている表示装置を実現できる。

　本発明の態様９に係る表示装置は、上記態様５から８の何れかにおいて、上記第２画素および上記第３画素から該当画素の上記ピーク波長の光が出射される経路上の各々には、上記該当画素の上記ピーク波長の光の波長領域の透過率が他の波長領域の透過率より高いカラーフィルタが備えられていることが好ましい。

　上記構成によれば、色純度を高い表示装置を実現できる。

　本発明の態様１０に係る表示装置の製造方法は、基板上に備えられた異なるピーク波長の光を出射する第１画素および第２画素と、上記各画素に備えられた発光膜、反射電極および半透過反射電極と、を含む表示装置の製造方法であって、該当画素の上記ピーク波長の光を上記半透過反射電極から取り出せるように、上記発光膜と上記反射電極との距離を調整する導電性光透過膜を所定の膜厚で形成する導電性光透過膜形成工程と、上記発光膜中の第１の発光膜を含む第１の蒸着膜を、上記第１画素および上記第２画素を含む上記基板上の全面に形成する第１の蒸着膜形成工程と、レーザー光を用いて、上記第１画素以外に形成された上記第１の発光膜を含む第１の蒸着膜を除去する工程と、上記発光膜中の第２の発光膜を含む第２の蒸着膜を、上記第１画素および上記第２画素を含む上記基板上の全面に形成する第２の蒸着膜形成工程と、レーザー光を用いて、上記第２画素以外に形成された上記第２の発光膜を含む第２の蒸着膜を除去する工程と、を含み、上記第１の蒸着膜形成工程において、上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜は、上記第２の蒸着膜形成工程において、上記第２の発光膜上に形成される蒸着膜より、レーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率が高い膜であることを特徴としている。

　本発明の態様１１に係る表示装置の製造方法は、上記態様１０において、上記第１画素および上記第２画素とは異なるピーク波長の光を出射する、上記基板上に備えられた第３画素と、上記第３画素に備えられた反射電極および半透過反射電極と、を含み、上記第２の蒸着膜形成工程においては、上記第２の発光膜および第３の発光膜の積層膜を含む第２の蒸着膜を、上記第１画素、上記第２画素および上記第３画素を含む上記基板上の全面に形成し、上記第２の発光膜を含む第２の蒸着膜を除去する工程においては、レーザー光を用いて、上記第２画素および上記第３画素以外に形成された上記第２の発光膜および上記第３の発光膜の積層膜を含む第２の蒸着膜を除去し、上記導電性光透過膜形成工程においては、該当画素の上記ピーク波長の光を上記半透過反射電極から取り出せるように、上記第２画素の上記反射電極と上記第２の発光膜との距離および上記第３画素の上記反射電極と上記第３の発光膜との距離を調整する導電性光透過膜を所定の膜厚で形成し、上記第１の蒸着膜形成工程において、上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜は、上記第２の蒸着膜形成工程において、上記第２の発光膜および上記第３の発光膜の積層膜中、上層である上記第２の発光膜上に形成される蒸着膜より、レーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率が高い膜であることが好ましい。

　上記方法によれば、第１の蒸着膜形成工程および第２の蒸着膜形成工程の２回の蒸着膜形成工程と、第１の蒸着膜を除去する工程および第２の蒸着膜を除去する工程の２回の蒸着膜除去工程とで、各色の発光膜を含む蒸着膜をパターニングすることができる。したがって、各色の発光膜を含む各膜を色画素毎に蒸着する必要があった従来の方法に比べると、生産性が高いとともに、パターニング時に生じる他の膜への悪影響を抑制できる。

　さらに、上記方法によれば、レーザー光を用いて、各色の発光膜を含む蒸着膜をパターニングするので、すなわち、レーザー光による加熱で各色の発光膜を含む蒸着膜を部分的に除去しパターニングする。したがって、従来のように、３回にも及ぶレジストの形成工程およびレジストの剥離工程を行う必要がなくなるので、生産性を向上させることができるとともに、レジストのフォトリソ時に生じ得る他の膜への悪影響を抑制できる。

　また、上記第１の蒸着膜形成工程において、上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜は、上記第２の蒸着膜形成工程において、上層である上記第２の発光膜上に形成される蒸着膜より、レーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率が高い膜であるので、例えば、レーザー光による加熱で、上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜上の膜を除去する場合でも、上記第１の発光膜および上記第１の発光膜より下に形成される蒸着膜への影響を抑制でき、発光素子の色ズレおよび発光素子特性の低下を抑制できる表示装置の製造方法を実現できる。

　よって、生産性が高く、発光素子の色ズレおよび発光素子特性の低下を抑制できる表示装置の製造方法を実現できる。

　本発明の態様１２に係る表示装置の製造方法は、上記態様１０または１１において、上記第１の蒸着膜形成工程において、上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜は、上記第２の蒸着膜形成工程において、上記第２の発光膜上に形成される蒸着膜より、厚く形成されていてもよい。

　上記方法によれば、上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜が、上記第２の発光膜上に形成される蒸着膜より、厚く形成されるので、例えば、レーザー光による加熱で、上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜上の膜を除去する場合でも、上記第１の発光膜および上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜への影響を抑制でき、発光素子の色ズレおよび発光素子特性の低下を抑制できる表示装置の製造方法を実現できる。

　本発明の態様１３に係る表示装置の製造方法は、上記態様１０から１２の何れかにおいて、上記第１の蒸着膜形成工程において、上記第１発光膜上に形成される蒸着膜は、上記第２の蒸着膜形成工程において、上記第２の発光膜上に形成される蒸着膜より、無機材料、無機金属酸化物および結晶性有機材料のうち少なくとも一つを多く含んでいてもよい。

　上記方法によれば、上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜には、無機材料、無機金属酸化物および結晶性有機材料の少なくとも一つが、上記第２の発光膜上に形成される蒸着膜より多く含まれているので、例えば、レーザー光による加熱で、上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜上の膜を除去する場合でも、上記第１の発光膜および上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜への影響を抑制でき、発光素子の色ズレおよび発光素子特性の低下を抑制できる表示装置の製造方法を実現できる。

　本発明の態様１４に係る表示装置の製造方法は、上記態様１０から１３の何れかにおいて、上記第１の蒸着膜を除去する工程または、上記第２の蒸着膜を除去する工程においては、上記レーザー光を部分的に遮光するマスクが用いられることが好ましい。

　上記方法によれば、マスクを用いているので、レーザー光による精度高いパターニングを行うことができるとともに、マスクが不要な部分のレーザー光を遮光するので、他の膜への悪影響を抑制できる。

　本発明の態様１５に係る表示装置の製造方法は、上記態様１０から１４の何れかにおいて、上記第１の蒸着膜を除去する工程または、上記第２の蒸着膜を除去する工程は、真空雰囲気下または、水分および酸素が１０ｐｐｍ未満である雰囲気下で行われることが好ましい。

　上記方法によれば、より効率よく、レーザー光を用いたパターニングを行うことができる。

　本発明の態様１６に係る表示装置の製造方法は、上記態様１０から１５の何れかにおいて、上記第２の蒸着膜を除去する工程においては、１０^－１５秒～１０^－１２秒の極短時間パルスレーザー光を用いることが好ましい。

　上記方法によれば、１０^－１５秒～１０^－１２秒の極短時間パルスレーザー光を用いているので、レーザー光による他の膜への熱伝導を抑制できる。

　本発明の態様１７に係る表示装置の製造方法は、上記態様１１において、上記導電性光透過膜形成工程における、上記導電性光透過膜の膜厚は、上記第２画素の上記反射電極と上記第２の発光膜との距離および上記第３画素の上記反射電極と上記第３の発光膜との距離が、該当画素の上記ピーク波長の１／４×（２Ｎ－１）（上記Ｎは自然数）となるように形成されることが好ましい。

　上記方法によれば、該当画素から所定ピーク波長の光を効率よく取り出すことができる。

　本発明の態様１８に係る表示装置の製造方法は、上記態様１１または１７において、上記第１の発光膜は青色発光膜であり、上記第２の発光膜は、緑色発光膜および赤色発光膜の何れか一方であり、上記第３の発光膜は、上記緑色発光膜および上記赤色発光膜の他方であってもよい。

　上記方法によれば、第２画素および第３画素において、赤色発光膜と青色発光膜とが共通に形成される。この場合には、ドーパントがリン光材料で、ホスト材料を共通化しやすく、蒸着工程で、ドーパントのみを切り替えるだけで対応できる。

　本発明の態様１９に係る表示装置の製造方法は、上記態様１１または１７において、上記第１の発光膜は緑色発光膜であり、上記第２の発光膜は、赤色発光膜および青色発光膜の何れか一方であり、上記第３の発光膜は、上記赤色発光膜および上記青色発光膜の他方であってもよい。

　上記方法によれば、第２画素および第３画素において、赤色発光膜と青色発光膜とが共通に形成されている表示装置を製造できる。

　本発明の態様２０に係る表示装置の製造方法は、上記態様１１または１７において、上記第１の発光膜は赤色発光膜であり、上記第２の発光膜は、緑色発光膜および青色発光膜の何れか一方であり、上記第３の発光膜は、上記緑色発光膜および上記青色発光膜の他方であってもよい。

　上記方法によれば、第２画素および第３画素において、緑色発光膜と青色発光膜とが共通に形成されている表示装置を製造できる。

　本発明の態様２１に係る表示装置の製造方法は、上記態様１７から２０の何れかにおいて、上記第２画素および上記第３画素から該当画素の上記ピーク波長の光が出射される経路上の各々に、上記該当画素の上記ピーク波長の光の波長領域の透過率が他の波長領域の透過率より高いカラーフィルタを設ける工程をさらに含むことが好ましい。

　上記方法によれば、色純度を高い表示装置の製造方法を実現できる。

　〔付記事項〕
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

　本発明は、表示装置、特には、有機ＥＬ表示装置およびその製造方法に利用することができる。

　１　　　　ＴＦＴ基板
　２　　　　陽極電極（反射電極）
　３ａ　　　ＩＺＯ膜（導電性光透過膜）
　３ｂ　　　ＩＺＯ膜（導電性光透過膜）
　３ｃ　　　ＩＺＯ膜（導電性光透過膜）
　４　　　　青色発光膜を含む蒸着膜
　４ａ　　　Ｂ画素の正孔注入膜/正孔輸送膜
　４ｂ　　　青色発光膜
　４ｃ　　　Ｂ画素の電子輸送膜
　５　　　　マスク
　５ａ　　　遮光部
　５ｂ　　　開口部
　６　　　　緑色発光膜および赤色発光膜を含む蒸着膜
　６ａ　　　Ｇ画素およびＲ画素の正孔注入膜/正孔輸送膜
　６ｂ　　　緑色発光膜
　６ｃ　　　赤色発光膜
　６ｄ　　　Ｇ画素およびＲ画素の電子輸送膜
　７　　　　マスク
　７ａ　　　遮光部
　７ｂ　　　開口部
　８　　　　陰極電極（半透過反射電極）
　９　　　　有機ＥＬ表示装置（表示装置）
　１０　　　ＴＦＴ基板
　１３ａ　　ＩＺＯ膜（導電性光透過膜）
　１３ｂ　　ＩＺＯ膜（導電性光透過膜）
　１３ｃ　　ＩＺＯ膜（導電性光透過膜）
　１４　　　緑色発光膜を含む蒸着膜
　１４ａ　　Ｇ画素の正孔注入膜/正孔輸送膜
　１４ｂ　　緑色発光膜
　１４ｃ　　Ｇ画素の電子輸送膜
　１５　　　マスク
　１５ａ　　遮光部
　１５ｂ　　開口部
　１６　　　青色発光膜および赤色発光膜を含む蒸着膜
　１６ａ　　Ｒ画素およびＢ画素の正孔注入膜/正孔輸送膜
　１６ｂ　　青色発光膜
　１６ｃ　　赤色発光膜
　１６ｄ　　Ｒ画素およびＢ画素の電子輸送膜
　１７　　　マスク
　１７ａ　　遮光部
　１７ｂ　　開口部
　１９　　　有機ＥＬ表示装置（表示装置）
　２０　　　ガラス
　２１　　　青色カラーフィルタ（青色光の波長領域の透過率が高いカラーフィルタ）
　２２　　　赤色カラーフィルタ（赤色光の波長領域の透過率が高いカラーフィルタ）
　２３　　　有機ＥＬ表示装置（表示装置）
　３０　　　ＴＦＴ基板
　３３ａ　　ＩＺＯ膜（導電性光透過膜）
　３３ｂ　　ＩＺＯ膜（導電性光透過膜）
　３３ｃ　　ＩＺＯ膜（導電性光透過膜）
　３４　　　赤色発光膜を含む蒸着膜
　３４ａ　　Ｒ画素の正孔注入膜/正孔輸送膜
　３４ｂ　　赤色発光膜
　３４ｃ　　Ｒ画素の電子輸送膜
　３５　　　マスク
　３５ａ　　遮光部
　３５ｂ　　開口部
　３６　　　青色発光膜および緑色発光膜を含む蒸着膜
　３６ａ　　Ｇ画素およびＢ画素の正孔注入膜/正孔輸送膜
　３６ｂ　　青色発光膜
　３６ｃ　　緑色発光膜
　３６ｄ　　Ｇ画素およびＢ画素の電子輸送膜
　３７　　　マスク
　３７ａ　　遮光部
　３７ｂ　　開口部
　３９　　　有機ＥＬ表示装置（表示装置）

Claims

　異なるピーク波長の光を出射する第１画素および第２画素と、上記各画素に備えられた反射電極および半透過反射電極と、を含む表示装置であって、
　第１の発光膜は上記第１画素に、第２の発光膜は上記第２画素に形成され、
　上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜は、上記第２の発光膜上に形成される蒸着膜より、レーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率が高い膜であることを特徴とする表示装置。
　上記第１画素および上記第２画素とは異なるピーク波長の光を出射する第３画素と、上記第３画素に備えられた反射電極および半透過反射電極と、を含み、
　上記第２の発光膜および第３の発光膜は、上記第２画素および上記第３画素の各々に積層されて形成され、
　上記第２画素の上記反射電極と上記第２の発光膜との距離および上記第３画素の上記反射電極と上記第３の発光膜との距離は、該当画素の上記ピーク波長の光を上記半透過反射電極から取り出せるように設けられており、
　上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜は、上記第２の発光膜および上記第３の発光膜の積層膜中、上層である上記第２の発光膜上に形成される蒸着膜より、レーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率が高い膜であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
　上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜は、上記第２の発光膜上に形成される蒸着膜より、厚く形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
　上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜には、無機材料、無機金属酸化物および結晶性有機材料のうち少なくとも一つが、上記第２の発光膜上に形成される蒸着膜より多く含まれていることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の表示装置。
　上記第２画素の上記反射電極と上記第２の発光膜との距離および上記第３画素の上記反射電極と上記第３の発光膜との距離は、該当画素の上記ピーク波長の１／４×（２Ｎ－１）であり、上記Ｎは自然数であることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
　上記第１の発光膜は青色発光膜であり、
　上記第２の発光膜は、緑色発光膜および赤色発光膜の何れか一方であり、
　上記第３の発光膜は、上記緑色発光膜および上記赤色発光膜の他方であることを特徴とする請求項２または５に記載の表示装置。
　上記第１の発光膜は緑色発光膜であり、
　上記第２の発光膜は、赤色発光膜および青色発光膜の何れか一方であり、
　上記第３の発光膜は、上記赤色発光膜および上記青色発光膜の他方であることを特徴とする請求項２または５に記載の表示装置。
　上記第１の発光膜は赤色発光膜であり、
　上記第２の発光膜は、緑色発光膜および青色発光膜の何れか一方であり、
　上記第３の発光膜は、上記緑色発光膜および上記青色発光膜の他方であることを特徴とする請求項２または５に記載の表示装置。
　上記第２画素および上記第３画素から該当画素の上記ピーク波長の光が出射される経路上の各々には、上記該当画素の上記ピーク波長の光の波長領域の透過率が他の波長領域の透過率より高いカラーフィルタが備えられていることを特徴とする請求項５から８の何れか１項に記載の表示装置。
　基板上に備えられた異なるピーク波長の光を出射する第１画素および第２画素と、上記各画素に備えられた発光膜、反射電極および半透過反射電極と、を含む表示装置の製造方法であって、
　該当画素の上記ピーク波長の光を上記半透過反射電極から取り出せるように、上記発光膜と上記反射電極との距離を調整する導電性光透過膜を所定の膜厚で形成する導電性光透過膜形成工程と、
　上記発光膜中の第１の発光膜を含む第１の蒸着膜を、上記第１画素および上記第２画素を含む上記基板上の全面に形成する第１の蒸着膜形成工程と、
　レーザー光を用いて、上記第１画素以外に形成された上記第１の発光膜を含む第１の蒸着膜を除去する工程と、
　上記発光膜中の第２の発光膜を含む第２の蒸着膜を、上記第１画素および上記第２画素を含む上記基板上の全面に形成する第２の蒸着膜形成工程と、
　レーザー光を用いて、上記第２画素以外に形成された上記第２の発光膜を含む第２の蒸着膜を除去する工程と、を含み、
　上記第１の蒸着膜形成工程において、上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜は、上記第２の蒸着膜形成工程において、上記第２の発光膜上に形成される蒸着膜より、レーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率が高い膜であることを特徴とする表示装置の製造方法。
　上記第１画素および上記第２画素とは異なるピーク波長の光を出射する、上記基板上に備えられた第３画素と、上記第３画素に備えられた反射電極および半透過反射電極と、を含み、
　上記第２の蒸着膜形成工程においては、上記第２の発光膜および第３の発光膜の積層膜を含む第２の蒸着膜を、上記第１画素、上記第２画素および上記第３画素を含む上記基板上の全面に形成し、
　上記第２の発光膜を含む第２の蒸着膜を除去する工程においては、レーザー光を用いて、上記第２画素および上記第３画素以外に形成された上記第２の発光膜および上記第３の発光膜の積層膜を含む第２の蒸着膜を除去し、
　上記導電性光透過膜形成工程においては、該当画素の上記ピーク波長の光を上記半透過反射電極から取り出せるように、上記第２画素の上記反射電極と上記第２の発光膜との距離および上記第３画素の上記反射電極と上記第３の発光膜との距離を調整する導電性光透過膜を所定の膜厚で形成し、
　上記第１の蒸着膜形成工程において、上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜は、上記第２の蒸着膜形成工程において、上記第２の発光膜および上記第３の発光膜の積層膜中、上層である上記第２の発光膜上に形成される蒸着膜より、レーザー光の照射によって生じる熱に対する膜の残存率が高い膜であることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
　上記第１の蒸着膜形成工程において、上記第１の発光膜上に形成される蒸着膜は、上記第２の蒸着膜形成工程において、上記第２の発光膜上に形成される蒸着膜より、厚く形成されていることを特徴とする請求項１０または１１に記載の表示装置の製造方法。
　上記第１の蒸着膜形成工程において、上記第１発光膜上に形成される蒸着膜は、上記第２の蒸着膜形成工程において、上記第２の発光膜上に形成される蒸着膜より、無機材料、無機金属酸化物および結晶性有機材料のうち少なくとも一つを多く含んでいることを特徴とする請求項１０から１２の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
　上記第１の蒸着膜を除去する工程または、上記第２の蒸着膜を除去する工程においては、上記レーザー光を部分的に遮光するマスクが用いられることを特徴とする請求項１０から１３の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
　上記第１の蒸着膜を除去する工程または、上記第２の蒸着膜を除去する工程は、真空雰囲気下または、水分および酸素が１０ｐｐｍ未満である雰囲気下で行われることを特徴とする請求項１０から１４の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
　上記第２の蒸着膜を除去する工程においては、１０^－１５秒～１０^－１２秒の極短時間パルスレーザー光を用いることを特徴とする請求項１０から１５の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
　上記導電性光透過膜形成工程における、上記導電性光透過膜の膜厚は、上記第２画素の上記反射電極と上記第２の発光膜との距離および上記第３画素の上記反射電極と上記第３の発光膜との距離が、該当画素の上記ピーク波長の１／４×（２Ｎ－１）（上記Ｎは自然数）となるように形成されることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
　上記第１の発光膜は青色発光膜であり、
　上記第２の発光膜は、緑色発光膜および赤色発光膜の何れか一方であり、
　上記第３の発光膜は、上記緑色発光膜および上記赤色発光膜の他方であることを特徴とする請求項１１または１７記載の表示装置の製造方法。
　上記第１の発光膜は緑色発光膜であり、
　上記第２の発光膜は、赤色発光膜および青色発光膜の何れか一方であり、
　上記第３の発光膜は、上記赤色発光膜および上記青色発光膜の他方であることを特徴とする請求項１１または１７に記載の表示装置の製造方法。
　上記第１の発光膜は赤色発光膜であり、
　上記第２の発光膜は、緑色発光膜および青色発光膜の何れか一方であり、
　上記第３の発光膜は、上記緑色発光膜および上記青色発光膜の他方であることを特徴とする請求項１１または１７に記載の表示装置の製造方法。
　上記第２画素および上記第３画素から該当画素の上記ピーク波長の光が出射される経路上の各々に、上記該当画素の上記ピーク波長の光の波長領域の透過率が他の波長領域の透過率より高いカラーフィルタを設ける工程をさらに含むことを特徴とする請求項１７から２０の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。