KR20130061108A - 소자 접속용 기판, 그 제조 방법 및 발광 다이오드 장치 - Google Patents

소자 접속용 기판, 그 제조 방법 및 발광 다이오드 장치 Download PDF

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야스나리 오오야부
가즈히로 후케
다이스케 츠카하라
다카시 곤도
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

소자 접속용 기판은, 발광 다이오드 소자가 두께 방향 한쪽에 접속되기 위한 리드 프레임이다. 소자 접속용 기판은, 서로 틈을 사이에 두고 배치되는 복수의 리드를 구비하는 리드 프레임과, 틈에 충전되는 광반사성의 제 1 절연 수지부를 구비한다.

Description

소자 접속용 기판, 그 제조 방법 및 발광 다이오드 장치{ELEMENT-CONNECTING BOARD, PRODUCING METHOD THEREOF, AND LIGHT EMITTING DIODE DEVICE}
본 출원은, 2011년 11월 30일에 출원된 일본 특허 출원 No. 2011-261702의 우선권을 주장하는 것이며, 그 개시 내용은, 그대로 본원에 포함되는 것으로 한다.
본 발명은, 소자 접속용 기판, 그 제조 방법 및 발광 다이오드 장치, 자세하게는, 발광 다이오드 소자가 접속되는 소자 접속용 기판, 그 제조 방법 및 발광 다이오드 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드 장치는, 도체 패턴과, 그것에 전기적으로 접속되는 발광 다이오드 소자와, 그것의 주위에 배치되는 반사벽을 구비하고 있다. 그리고, 그러한 발광 다이오드 장치에서는, 도체 패턴으로부터 전력이 발광 다이오드 소자에 공급되어, 발광 다이오드 소자가 발광함과 아울러, 발광한 빛의 일부가, 반사벽의 내면에서 반사하는 것에 의해, 발광 다이오드의 발광 효율을 향상시키고 있다.
예컨대, 기판과, 그 위에 형성되는 도전체층과, 그 위에 접속되는 LED 칩과, 기판 위에, LED 칩의 주위를 포위하도록 형성되는 커버재와, 커버재의 안쪽에 있어서 LED 칩을 봉지하는 수지 몰드를 구비하는 LED 디스플레이가 제안되어 있다(예컨대, 일본 특허 공개 평7-288341호 공보 참조).
또한, 최근, 봉지 시트에 의해, 광반도체 소자를 매설하여, 광반도체 소자를 봉지하는 방법이 제안되어 있다(예컨대, 일본 특허 공개 2011-159874호 공보 참조).
그런데, 일본 특허 공개 평7-288341호 공보의 LED 디스플레이의 LED 칩을, 일본 특허 공개 2011-159874호 공보의 봉지 시트에 의해 봉지하는 경우에는, 봉지 시트를, LED 칩을 피복하도록 붙이면, LED 칩의 주위에 커버재가 배치되어 있기 때문에, 봉지 시트와 LED 칩의 사이에 공기가 혼입되기 쉽고, 그 때문에, LED 칩을 확실히 봉지할 수 없다고 하는 문제가 있다.
한편, 일본 특허 공개 평 7-288341호 공보의 커버재를 제외한 기판에, 봉지 시트를, LED 칩을 피복하도록 붙이면, 봉지 시트와 LED 칩의 사이에 공기가 혼입되는 것을 억제할 수 있는 한편, LED 디스플레이의 발광 효율을 충분히 향상시킬 수 없다고 하는 문제가 있다.
본 발명의 목적은, 접속되는 발광 다이오드 소자를 봉지 시트에 의해 확실히 봉지할 수 있으면서, 광반사성이 우수한, 소자 접속용 기판, 그 제조 방법, 및, 발광 효율이 우수한 발광 다이오드 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 소자 접속용 기판은, 발광 다이오드 소자가 두께 방향 한쪽에 접속되기 위한 리드 프레임으로서, 서로 틈을 사이에 두고 배치되는 복수의 리드를 구비하는 상기 리드 프레임과, 상기 틈에 충전되는 광반사성의 제 1 절연 수지부를 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 본 발명의 소자 접속용 기판에서는, 상기 제 1 절연 수지부는, 봉지 수지 조성물과 광반사 성분을 함유하는 반사 수지 조성물로 형성되어 있는 것이 적합하다.
또한, 본 발명의 소자 접속용 기판은, 상기 리드 프레임의 상기 두께 방향 다른 쪽 면 및/또는 측면에 마련되는 제 2 절연 수지부를 더 구비하는 것이 적합하다.
또한, 본 발명의 발광 다이오드 장치는, 서로 틈을 사이에 두고 배치되는 복수의 리드를 구비하는 상기 리드 프레임과, 상기 틈에 충전되는 광반사성의 제 1 절연 수지부를 구비하는 소자 접속용 기판과, 상기 리드 프레임의 상기 두께 방향 한쪽 면에 접속되는 발광 다이오드 소자를 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 본 발명의 발광 다이오드 장치는, 상기 소자 접속용 기판의 상기 두께 방향 한쪽에 형성되어, 상기 발광 다이오드 소자를 봉지하는 봉지 시트를 더 구비하는 것이 적합하다.
또한, 본 발명의 소자 접속용 기판의 제조 방법은, 서로 틈을 사이에 두고 배치되는 복수의 리드와, 상기 복수의 리드를 연결하는 조인트를 구비하는 리드 프레임을 준비하는 공정, 광반사성의 제 1 절연 수지부를 상기 틈에 충전하는 공정, 및, 상기 조인트를 절단하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명의 소자 접속용 기판의 제조 방법에 의해 얻을 수 있는 본 발명의 소자 접속용 기판에서는, 제 1 절연 수지부가 리드 프레임의 틈에 충전되어 있으므로, 리드 프레임의 두께 방향 한쪽 면과, 제 1 절연 수지부의 두께 방향 한쪽 면을, 함께 노출시킬 수 있다.
그 때문에, 발광 다이오드 소자를 리드 프레임의 두께 방향 한쪽에 접속하면, 그 후, 봉지 시트에 의해 발광 다이오드 소자를 용이하고 확실하게 피복하여, 발광 다이오드 소자를 용이하고 확실하게 봉지할 수 있다.
또한, 제 1 절연 수지부가 광반사성을 가지므로, 본 발명의 소자 접속용 기판은, 광반사성이 우수하다. 그 때문에, 본 발명의 소자 접속용 기판을 구비하는 발광 다이오드 장치에서는, 발광 다이오드 소자로부터 발광되는 빛을 반사시킬 수 있고, 그 때문에, 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 소자 접속용 기판에서는, 복수의 리드를 사이에 두는 틈에 제 1 절연 수지부가 충전되어 있으므로, 복수의 리드를 확실히 지지할 수 있다.
또한, 본 발명의 발광 다이오드 장치에서는, 상기한 봉지 시트에 의해, 소자 접속용 기판에 접속되는 발광 다이오드 소자를 용이하고 확실하게 봉지할 수 있다. 그 때문에, 발광 다이오드 장치의 신뢰성을 용이하고 확실하게 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 소자 접속용 기판의 제조 방법에서는, 복수의 리드가, 조인트에 의해 연결된 리드 프레임의 형상을 유지하면서, 이러한 리드 프레임의 틈에 제 1 절연 수지부를 확실히 충전하여, 복수의 리드를 확실히 지지할 수 있다.
그리고, 조인트를 절단하는 것에 의해, 복수의 리드로 이루어지는 소망하는 회로를 형성할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 소자 접속용 기판의 일 실시 형태이며,
(a)는, 평면도,
(b)는, A-A선을 따른 정단면도를 나타낸다.
도 2는, 도 1에 나타내는 소자 접속용 기판의 제조 방법에 이용되는 조인트 부착 리드 프레임이며,
(a)는, 평면도,
(b)는, B-B선을 따른 정단면도를 나타낸다.
도 3은, 도 1에 나타내는 소자 접속용 기판의 제조 방법에 이용되고, 틈에 제 1 절연 수지부가 충전된 조인트 부착 리드 프레임이며,
(a)는, 평면도,
(b)는, C-C선을 따른 정단면도를 나타낸다.
도 4는, 본 발명의 발광 다이오드 장치의 일 실시 형태이며,
(a)는, 평면도,
(b)는, D-D선을 따른 정단면도를 나타낸다.
도 5는, 소자 접속용 기판에 봉지 시트를 붙이는 공정을 설명하는 정단면도를 나타낸다.
도 6은, 본 발명의 소자 접속용 기판의 다른 실시 형태(리드 프레임의 측면이 노출되는 상태)의 정단면도를 나타낸다.
도 7은, 본 발명의 소자 접속용 기판의 다른 실시 형태(리드 프레임의 아랫면에 제 2 절연 수지부가 형성되는 상태)의 정단면도를 나타낸다.
도 8은, 본 발명의 소자 접속용 기판의 다른 실시 형태이며,
(a)는, 평면도,
(b)는, E-E선을 따른 정단면도를 나타낸다.
도 9는, 도 8에 나타내는 소자 접속용 기판의 제조 방법에 이용되는 리드 프레임이며,
(a)는, 평면도,
(b)는, F-F선을 따른 정단면도를 나타낸다.
도 10은, 본 발명의 발광 다이오드 장치의 다른 실시 형태이며,
(a)는, 평면도,
(b)는, G-G선을 따른 정단면도를 나타낸다.
도 11은, 도 8에 나타내는 소자 접속용 기판을 2개로 분할하는 상태이며,
(a)는, 절단선이 나타나는 소자 접속용 기판의 평면도,
(b)는, 2개로 분할된 소자 접속용 기판의 평면도를 나타낸다.
도 1은, 본 발명의 소자 접속용 기판의 일 실시 형태, 도 2는, 도 1에 나타내는 소자 접속용 기판의 제조 방법에 이용되는 조인트 부착 리드 프레임, 도 3은, 도 1에 나타내는 소자 접속용 기판의 제조 방법에 이용되고, 틈에 제 1 절연 수지부가 충전된 조인트 부착 리드 프레임을 나타낸다.
소자 접속용 기판(1)에 관하여, 방향에 대하여 언급하는 경우에는, 각 도면에 나타낸 방향 화살표를 기준으로 한다.
도 1(a) 및 도 1(b)에 있어서, 소자 접속용 기판(1)은, 평면에서 볼 때 대략 직사각형 평판 형상으로 형성되어 있다.
소자 접속용 기판(1)은, 서로 틈(2)(도 2(a) 및 도 2(b) 참조)을 사이에 두고 배치되는 복수의 리드(3)를 구비하는 리드 프레임(4)과, 틈(2)에 충전되는 광반사성의 제 1 절연 수지부(5)를 구비하고 있다. 또한, 소자 접속용 기판(1)의 측면에는, 제 2 절연 수지부(6)가 마련되어 있다.
리드 프레임(4)은, 후술하는 발광 다이오드 소자(17)(도 4(a) 및 도 4(b) 참조)가 윗면(두께 방향 한쪽 면)에 접속되기 위한 도전 부재이다.
리드 프레임(4)을 형성하는 재료로서는, 예컨대, 동, 니켈, 금, 42 알로이 등의 도전 재료를 들 수 있다.
복수의 리드(3)는, 전후 방향(두께 방향에 직교하는 방향, 이하 동일)을 따라 연장되는 틈(2)에 의해 구획되어 있다. 즉, 복수의 리드(3)는, 전후 방향으로 연장되는 평면에서 볼 때 대략 직사각형 형상을 이루고, 폭 방향(좌우 방향)으로 서로 간격을 두고 정렬 배치되어 있다.
구체적으로는, 복수의 리드(3)는, 제 1 리드(8)와, 제 1 리드(8)와 폭 방향으로 인접하는 제 2 리드(9)를 구비하고 있다.
제 1 리드(8)는, 후방을 향해 개방되는 평면에서 볼 때 대략 コ자 형상을 이루고, 구체적으로는, 폭 방향으로 서로 간격을 두고 복수(2개) 정렬 배치되는 제 1 직선부(10)와, 제 1 직선부(10)의 전단부(일단부)를 접속하는 제 1 접속부(11)를 일체적으로 구비하고 있다.
2개의 제 1 직선부(10)는, 전후 방향으로 평행 형상으로 연장되는 대략 평판 형상으로 형성되어 있다.
또한, 우측의 제 1 직선부(10B)는, 폭 방향으로 투영했을 때에, 좌측의 제 1 직선부(10A)보다 약간 앞쪽으로 돌출하여 있다.
좌측의 제 1 직선부(10A)에는, 그 전후 방향 도중의 폭 방향 양 단면으로부터 폭 방향 양측으로 돌출하는 제 1 패드(12)가 마련되어 있다. 또한, 우측의 제 1 직선부(10B)에는, 그 전후 방향 도중의 좌단면으로부터 좌측으로 돌출하는 제 1 패드(12)가 마련되어 있다.
제 1 패드(12)는, 전후 방향으로 서로 간격을 두고 정렬 배치되어 있다. 각 제 1 패드(12)는, 폭 방향으로 연장되는 평면에서 볼 때 대략 직사각형 형상으로 형성되어 있다.
제 1 접속부(11)는, 소자 접속용 기판(1)의 전단부에 배치되고, 좌우 방향으로 연장되는 평면에서 볼 때 대략 직사각형 형상으로 형성되어 있다.
제 2 리드(9)는, 제 1 리드(8)를 소자 접속용 기판(1)에 있어서 180도 회전시킨 점대칭 형상을 이루고, 구체적으로는, 전방을 향해 개방되는 평면에서 볼 때 대략 コ자 형상으로 형성되어 있다. 제 2 리드(9)는, 폭 방향으로 서로 간격을 두고 복수(2개) 정렬 배치되는 제 2 직선부(13)와, 제 2 직선부(13)의 후단부(타단부)를 접속하는 제 2 접속부(14)가 일체적으로 형성되어 있다.
2개의 제 2 직선부(13)는, 전후 방향으로 평행 형상으로 연장되는 대략 평판 형상으로 형성되어 있다. 좌측의 제 2 직선부(13B)는, 폭 방향으로 투영했을 때에, 우측의 제 2 직선부(13A)에 대하여, 앞쪽으로 약간 돌출하여 있다. 우측의 제 2 직선부(13A)에는, 그 전후 방향 도중의 폭 방향 양 단면으로부터 폭 방향 양측으로 돌출하는 제 2 패드(15)가 마련되어 있다. 또한, 좌측의 제 2 직선부(13A)에는, 그 전후 방향 도중의 우단면으로부터 우측으로 돌출하는 제 2 패드(15)가 마련되어 있다.
제 2 패드(15)는, 전후 방향으로 서로 간격을 두고 정렬 배치되어 있다. 각 제 2 패드(15)는, 폭 방향으로 연장되는 평면에서 볼 때 대략 직사각형 형상으로 형성되어 있다.
제 2 접속부(14)는, 소자 접속용 기판(1)의 후단부에 배치되어, 좌우 방향으로 연장되는 평면에서 볼 때 대략 직사각형 형상으로 형성되어 있다.
그리고, 제 1 리드(8)와 제 2 리드(9)는, 폭 방향에 있어서, 제 1 직선부(10)와 제 2 직선부(13)가, 서로 간격을 두고 대향 배치되어 있다. 구체적으로는, 2개의 제 1 직선부(10)와, 2개의 제 2 직선부(13)가, 우측으로부터 좌측을 향해, 교대로(번갈아) 배열되어 있다. 자세하게는, 제 1 리드(8)와 제 2 리드(9)는, 제 1 직선부(10)와 제 2 직선부(13)가 서로 어긋나는 형상으로 틈(2)을 사이에 두고 맞물리도록(감합(嵌合)하도록), 배치되어 있다. 이에 의해, 제 1 패드(12)와 제 2 패드(15)는, 폭 방향으로 서로 틈(2)을 사이에 두고 대향 배치되어 있다.
또한, 제 1 리드(8)에 있어서의 좌측의 제 1 직선부(10A)와, 제 2 리드(9)에 있어서의 제 2 접속부(14)는, 전후 방향으로 틈(2)을 사이에 두고 배치되어 있다. 제 2 리드(9)에 있어서의 우측의 제 2 직선부(13A)와, 제 1 리드(8)에 있어서의 제 1 접속부(11)는, 전후 방향으로 간격을 두고 틈(2)을 사이에 두고 배치되어 있다.
리드 프레임(4)의 치수 및 틈(2)은, 용도 및 목적에 따라, 적절히 선택된다. 리드 프레임(4)의 두께 T1은, 예컨대, 35~2000㎛, 바람직하게는, 200~1000㎛이다. 또한, 각 제 1 직선부(10) 및 각 제 2 직선부(13)의 폭 L1은, 예컨대, 300~1800㎛, 바람직하게는, 800~1200㎛이다. 또한, 각 제 1 패드(12) 및 각 제 2 패드(15)의 전후 방향 길이 L2는, 예컨대, 500~3500㎛, 바람직하게는, 1000~3000㎛이며, 각 제 1 패드(12) 및 각 제 2 패드(15)의 폭 L3은, 예컨대, 1000~5000㎛, 바람직하게는, 3500~4500㎛이다. 각 제 1 패드(12) 사이의 전후 방향 간격 L4, 및, 각 제 2 패드(15) 사이의 전후 방향 간격 L4는, 예컨대, 3000~9000㎛, 바람직하게는, 5000~7000㎛이다.
제 1 접속부(11) 및 제 2 접속부(14)의 폭 방향 길이 L5, 및, 제 1 접속부(11) 및 제 2 접속부(14)의 전후 방향 길이 L7은, 예컨대, 15000~27000㎛, 바람직하게는, 18000~24000㎛이다.
폭 방향으로 대향하는 제 1 패드(12) 및 제 2 패드(15)의 사이의 틈(2)의 폭(폭 방향 길이) L8은, 예컨대, 50~1000㎛, 바람직하게는, 100~400㎛이다. 또한, 전후 방향으로 인접하는 제 1 패드(12) 사이의 제 1 직선부(10)와, 전후 방향으로 인접하는 제 2 패드(15) 사이의 제 2 직선부(13)의 사이의 틈(2)의 폭(폭 방향 길이) L9는, 예컨대, 500~8000㎛, 바람직하게는, 1000~4000㎛이다.
제 1 절연 수지부(5)는, 예컨대, 광반사성을 얻는 관점으로부터, 반사 수지 조성물로 형성되어 있다.
반사 수지 조성물은, 예컨대, 봉지 수지 조성물과, 광반사 성분을 함유하고 있다.
봉지 수지 조성물로서는, 예컨대, 실리콘 수지 조성물, 에폭시 수지 조성물을 들 수 있다.
실리콘 수지 조성물은, 축합 반응 및 부가 반응(구체적으로는, 하이드로실릴화 반응)을 할 수 있는 축합ㆍ부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물이다. 보다 구체적으로는, 실리콘 수지 조성물은, 가열에 의해, 축합 반응하여, 반경화(B 스테이지) 상태가 될 수가 있고, 이어서, 더욱 가열하는 것에 의해, 부가 반응하여, 경화(완전 경화) 상태가 될 수 있다.
실리콘 수지 조성물은, 예컨대, 실라놀기 양말단 폴리실록산, 에틸렌계 규소 화합물, 에폭시기 함유 규소 화합물, 오르가노하이드로젠실록산, 축합 촉매 및 부가 촉매를 함유한다.
또, 실라놀기 양말단 폴리실록산, 에틸렌계 규소 화합물 및 에폭시기 함유 규소 화합물은, 축합 원료(축합 반응에 제공되는 원료)이며, 에틸렌계 규소 화합물 및 오르가노하이드로젠실록산은, 부가 원료(부가 반응에 제공되는 원료)이다.
실라놀기 양말단 폴리실록산은, 분자의 양말단에 실라놀기(SiOH기)를 함유하는 오르가노 실록산이며, 구체적으로는, 하기 일반식 (1)에 나타난다.
일반식 (1) :
Figure pat00001
(일반식 (1) 중, R1은, 포화 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기로부터 선택되는 1가의 탄화수소기를 나타낸다. 또한, n은, 1 이상의 정수를 나타낸다.)
상기 일반식 (1) 중, R1로 나타나는 1가의 탄화수소기에 있어서, 포화 탄화수소기로서는, 예컨대, 탄소수 1~6의 직쇄 또는 분기 알킬기(메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, 펜틸기, 헥실기 등), 예컨대, 탄소수 3~6의 사이클로알킬기(사이클로펜틸기, 사이클로헥실기 등) 등을 들 수 있다.
또한, 상기 일반식 (1) 중, R1로 나타나는 1가의 탄화수소기에 있어서, 방향족 탄화수소기로서는, 예컨대, 탄소수 6~10의 알릴기(페닐기, 나프틸기) 등을 들 수 있다.
상기 일반식 (1)에 있어서, R1은, 동일하거나 또는 서로 다르더라도 좋고, 바람직하게는, 동일하다.
1가의 탄화수소기로서는, 바람직하게는, 탄소수 1~6의 알킬기, 및 탄소수 6~10의 알릴기를 들 수 있고, 투명성, 내열성 및 내광성의 관점으로부터, 더 바람직하게는, 메틸기를 들 수 있다.
상기 일반식 (1)에 있어서, n은, 바람직하게는, 안정성 및/또는 취급성의 관점으로부터, 1~10,000의 정수, 더 바람직하게는, 1~1,000의 정수이다.
또, 상기 일반식 (1)에 있어서의 n은, 평균치로서 산출된다.
실라놀기 양말단 폴리실록산으로서는, 구체적으로는, 실라놀기 양말단 폴리다이메틸실록산, 실라놀기 양말단 폴리메틸페닐실록산, 실라놀기 양말단 폴리다이페닐실록산 등을 들 수 있다.
이러한 실라놀기 양말단 폴리실록산은, 단독으로 사용하더라도 좋고, 혹은, 병용할 수도 있다.
또한, 이러한 실라놀기 양말단 폴리실록산 중에서는, 바람직하게는, 실라놀기 양말단 폴리다이메틸실록산을 들 수 있다.
실라놀기 양말단 폴리실록산은, 시판품을 이용할 수 있고, 또한, 공지의 방법에 따라 합성한 것을 이용할 수도 있다.
실라놀기 양말단 폴리실록산의 수 평균 분자량은, 안정성 및/또는 취급성의 관점으로부터, 예컨대, 100~1,000,000, 바람직하게는, 200~100,000이다. 수 평균 분자량은, 겔퍼미에이션 크로마토그래피(gel permeation chromatography)에 의해, 표준 폴리스티렌으로 환산되어 산출된다. 후술하는 실라놀기 양말단 폴리실록산 이외의 원료의 수 평균 분자량에 대해서도, 상기와 같게 하여 산출된다.
이러한 실라놀기 양말단 폴리실록산에 있어서의, 실라놀기 함량은, 예컨대, 0.002~25mmol/g, 바람직하게는, 0.02~25mmol/g이다. 또, 실라놀기 함량은, 1H-NMR에 의한 실라놀기와 메틸기의 피크의 적분비로부터 산출된다.
실라놀기 양말단 폴리실록산의 배합 비율은, 축합 원료 100질량부에 대하여, 예컨대, 1~99.99질량부, 바람직하게는, 50~99.9질량부, 더 바람직하게는, 80~99.5질량부이다.
에틸렌계 규소 화합물은, 에틸렌계 불포화 탄화수소기 및 실라놀 축합 반응에 있어서의 이탈기를 아울러 갖는 실란 화합물이며, 구체적으로는, 하기 일반식 (2)에 나타난다.
일반식 (2) :
Figure pat00002
(일반식 (2) 중, R2는, 1가의 에틸렌계 불포화 탄화수소기를 나타내고, X1은, 할로겐 원자, 알콕시기, 페녹시기, 또는 아세톡시기를 나타낸다. 단, X1은, 동일하거나 또는 서로 다르더라도 좋다.
상기 일반식 (2)에 있어서, R2로 나타나는 에틸렌계 불포화 탄화수소기로서는, 치환 또는 비치환의 에틸렌계 불포화 탄화수소기를 들 수 있고, 예컨대, 알케닐기, 사이클로알케닐기 등을 들 수 있다.
알케닐기로서는, 예컨대, 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기, 헵테닐기, 옥테닐기 등의 탄소수 2~10의 알케닐기를 들 수 있다.
사이클로알케닐기로서는, 예컨대, 사이클로헥세닐기, 노보네닐기 등의 탄소수 3~10의 사이클로알케닐기를 들 수 있다.
에틸렌계 불포화 탄화수소기로서는, 오르가노하이드로젠실록산의 하이드로실릴기와의 반응성의 관점으로부터, 바람직하게는, 알케닐기, 더 바람직하게는, 탄소수 2~5의 알케닐기, 특히 바람직하게는, 비닐기를 들 수 있다.
상기 일반식 (2)에 있어서의 X1은, 실라놀 축합 반응에 있어서의 이탈기이며, 상기 일반식 (2)에 있어서의 SiX1기는, 실라놀 축합 반응에 있어서의 반응성 관능기이다.
상기 일반식 (2)에 있어서, X1로 나타나는 할로겐 원자로서는, 예컨대, 브롬, 염소, 불소, 아이오딘 등을 들 수 있다.
상기 일반식 (2)에 있어서, X1로 나타나는 알콕시기로서는, 예컨대, 탄소수 1~6의 직쇄 또는 분기 알킬기를 갖는 알콕시기(메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로폭시기, 부톡시기, 이소부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기 등), 예컨대, 탄소수 3~6의 사이클로알킬기를 갖는 알콕시기(사이클로펜틸옥시기, 사이클로헥실옥시기 등) 등을 들 수 있다.
상기 일반식 (2)에 있어서, X1은, 동일하거나 또는 서로 다르더라도 좋고, 바람직하게는, 동일하다.
이러한 상기 일반식 (2)의 X1 중에서는, 바람직하게는, 알콕시기를 들 수 있고, 더 바람직하게는, 메톡시기를 들 수 있다.
이러한 에틸렌계 규소 화합물로서는, 예컨대, 에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 트리알콕시실란, 에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 트리할로겐화실란, 에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 트리페녹시실란, 에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 트리아세톡시실란 등을 들 수 있다.
이러한 에틸렌계 규소 화합물은, 단독으로 사용하더라도 좋고, 혹은, 병용할 수도 있다.
이러한 에틸렌계 규소 화합물 중에서는, 바람직하게는, 에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 트리알콕시실란을 들 수 있다.
에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 트리알콕시실란으로서는, 구체적으로는, 예컨대, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리프로폭시실란 등의 비닐트리알콕시실란, 예컨대, 알릴트리메톡시실란 등의 알릴트리알콕시실란, 예컨대, 프로페닐트리메톡시실란 등의 프로페닐트리알콕시실란, 예컨대, 부테닐트리메톡시실란 등의 부테닐트리알콕시실란, 예컨대, 사이클로헥세닐트리메톡시실란 등의 사이클로헥세닐트리알콕시실란 등을 들 수 있다.
또한, 이러한 에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 트리알콕시실란 중에서는, 바람직하게는, 비닐트리알콕시실란, 더 바람직하게는, 비닐트리메톡시실란을 들 수 있다.
에틸렌계 규소 화합물의 배합 비율은, 축합 원료 100질량부에 대하여, 예컨대, 0.01~90질량부, 바람직하게는, 0.01~50질량부, 더 바람직하게는, 0.01~10질량부이다.
에틸렌계 규소 화합물은, 시판품을 이용할 수 있고, 또한, 공지의 방법에 따라 합성한 것을 이용할 수도 있다.
에폭시기 함유 규소 화합물은, 에폭시기 및 실라놀 축합 반응에 있어서의 이탈기를 아울러 갖는 실란 화합물로서, 구체적으로는, 하기 일반식 (3)에 나타난다.
일반식 (3) :
Figure pat00003
(일반식 (3) 중, R3은, 에폭시 구조 함유기를 나타내고, X2는, 할로겐 원자, 알콕시기, 페녹시기, 또는 아세톡시기를 나타낸다. 단, X2는, 동일하거나 또는 서로 다르더라도 좋다.)
일반식 (3)에 있어서, R3으로 나타나는 에폭시 구조 함유기로서는, 예컨대, 에폭시기, 예컨대, 글리시딜에테르기, 예컨대, 에폭시사이클로헥실기 등의 에폭시사이클로알킬기 등을 들 수 있다.
이러한 에폭시 구조 함유기 중에서는, 바람직하게는, 글리시딜에테르기를 들 수 있다. 글리시딜에테르기는, 구체적으로는, 하기 일반식 (4)에 나타나는 글리시독시알킬기이다.
일반식 (4) :
Figure pat00004
(일반식 (4) 중, R4는, 포화 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기로부터 선택되는 2가의 탄화수소기를 나타낸다.)
상기 일반식 (4) 중, R4로 나타나는 2가의 탄화수소기에 있어서, 포화 탄화수소기로서는, 예컨대, 탄소수 1~6의 알킬렌기(메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기 등), 예컨대, 탄소수 3~8의 사이클로알킬렌기(사이클로펜틸렌기, 사이클로헥실렌기 등) 등을 들 수 있다.
또한, 상기 일반식 (4) 중, R4로 나타나는 2가의 탄화수소기에 있어서, 방향족 탄화수소기로서는, 예컨대, 탄소수 6~10의 알릴렌기(페닐렌기, 나프틸렌기 등) 등을 들 수 있다.
이러한 2가의 탄화수소기로서는, 바람직하게는, 탄소수 1~6의 알킬렌기, 더 바람직하게는, 프로필렌기를 들 수 있다.
글리시딜에테르기로서는, 구체적으로는, 글리시독시메틸기, 글리시독시에틸기, 글리시독시프로필기, 글리시독시사이클로헥실기, 글리시독시페닐기 등을 들 수 있다.
이러한 글리시딜에테르기 중에서는, 바람직하게는, 글리시독시프로필기를 들 수 있다.
상기 일반식 (3)에 있어서의 X2는, 실라놀 축합 반응에 있어서의 이탈기이며, 상기 일반식 (3)에 있어서의 SiX2기는, 실라놀 축합 반응에 있어서의 반응성 관능기이다.
상기 일반식 (3)에 있어서, X2로 나타나는 할로겐 원자로서는, 상기 일반식 (2)의 X1로 나타나는 할로겐 원자와 같은 것을 들 수 있다.
상기 일반식 (3)에 있어서, X2로 나타나는 알콕시기로서는, 상기 일반식 (2)의 X1로 나타나는 알콕시기와 같은 것을 들 수 있다.
상기 일반식 (3)에 있어서, X2는, 동일하거나 또는 서로 다르더라도 좋고, 바람직하게는, 동일하다.
이러한 상기 일반식 (3)의 X2로서는, 바람직하게는, 알콕시기를 들 수 있고, 더 바람직하게는, 메톡시기를 들 수 있다.
이러한 에폭시기 함유 규소 화합물로서는, 예컨대, 에폭시기 함유 트리알콕시실란, 에폭시기 함유 트리할로겐화실란, 에폭시기 함유 트리페녹시실란, 에폭시기 함유 트리아세톡시실란 등을 들 수 있다.
이러한 에폭시기 함유 규소 화합물은, 단독으로 사용하더라도 좋고, 혹은, 병용할 수도 있다.
또한, 이러한 에틸렌계 규소 화합물 중에서는, 바람직하게는, 에폭시기 함유 트리알콕시실란을 들 수 있다.
에폭시기 함유 트리알콕시실란으로서는, 구체적으로는, 예컨대, 글리시독시메틸트리메톡시실란, (2-글리시독시에틸)트리메톡시실란, (3-글리시독시프로필)트리메톡시실란 등의 글리시독시알킬트리메톡시실란, 예컨대, (3-글리시독시프로필)트리에톡시실란 등의 글리시독시알킬트리에톡시실란, 예컨대, (3-글리시독시프로필)트리프로폭시실란 등의 글리시독시알킬트리프로폭시실란, (3-글리시독시프로필)트리이소프로폭시실란 등의 글리시독시알킬트리이소프로폭시실란 등을 들 수 있다.
또한, 이러한 에폭시기 함유 트리알콕시실란 중에서는, 바람직하게는, 글리시독시메틸트리알콕시실란, 더 바람직하게는, (3-글리시독시프로필)트리메톡시실란을 들 수 있다.
에폭시기 함유 규소 화합물의 배합 비율은, 축합 원료 100질량부에 대하여, 예컨대, 0.01~90질량부, 바람직하게는, 0.01~50질량부, 더 바람직하게는, 0.01~1질량부이다.
에폭시기 함유 규소 화합물은, 시판품을 이용할 수 있고, 또한, 공지의 방법에 따라 합성한 것을 이용할 수도 있다.
에틸렌계 규소 화합물 및 에폭시기 함유 규소 화합물의 반응성 관능기(SiX1기 및 SiX2기)에 대한, 실라놀기 양말단 폴리실록산의 실라놀기(SiOH기)의 몰비(SiOH/(SiX1+SiX2))는, 예컨대, 20/1~0.2/1, 바람직하게는, 10/1~0.5/1, 더 바람직하게는, 실질적으로 1/1이다.
몰비가 상기 범위를 넘는 경우에는, 실리콘 수지 조성물을 반경화 상태로 할 때에, 적당한 인성(靭性)을 갖는 반경화물을 얻을 수 없는 경우가 있으며, 한편, 몰비가 상기 범위에 미치지 않는 경우에는, 에틸렌계 규소 화합물 및 에폭시기 함유 규소 화합물의 배합 비율이 과도하게 많고, 그 때문에, 제 1 절연 수지부(5)의 내열성이 저하되는 경우가 있다.
또한, 몰비가 상기 범위 내(바람직하게는, 실질적으로 1/1)이면, 실라놀기 양말단 폴리실록산의 실라놀기(SiOH기)와, 에틸렌계 규소 화합물의 반응성 관능기(SiX1기) 및 에폭시기 함유 규소 화합물의 반응성 관능기(SiX2기)를 과부족 없이 축합 반응시킬 수 있다.
에폭시기 함유 규소 화합물에 대한, 에틸렌계 규소 화합물의 몰비는, 예컨대, 10/90~99/1, 바람직하게는, 50/50~97/3, 더 바람직하게는, 80/20~95/5이다.
몰비가 상기한 범위 내이면, 경화물의 강도를 확보하면서, 접착성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
오르가노하이드로젠실록산은, 에틸렌계 불포화 탄화수소기를 포함하지 않고, 적어도 2개의 하이드로실릴기(SiH기)를 1분자 중에 갖는 오르가노실록산이다.
오르가노하이드로젠실록산은, 구체적으로는, 수소 측쇄 함유 오르가노폴리실록산, 수소 양말단 오르가노폴리실록산 등의 오르가노폴리실록산을 들 수 있다.
수소 측쇄 함유 오르가노폴리실록산은, 주쇄로부터 분기하는 측쇄로서 수소 원자를 갖는 오르가노하이드로젠폴리실록산으로서, 식 (5)에 나타난다.
Figure pat00005
(식 중, A~D는, 구성 단위를 나타내고, A 및 D는, 말단 단위를 나타내고, B 및 C는, 반복 단위를 나타낸다. R5는, 포화 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기로부터 선택되는 1가의 탄화수소기를 나타낸다. 또한, b는, 0 이상의 정수를 나타내고, c는, 1 이상의 정수를 나타낸다.)
A~D는, 수소 측쇄 함유 오르가노폴리실록산을 구성한다.
식 (5)에 있어서 R5로 나타나는 1가의 탄화수소기는, 동일하거나 또는 상이하더라도 좋고, 바람직하게는, 동일하다.
R5로 나타나는 1가의 탄화수소기에 있어서, 포화 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기는, 상기 식 (1)의 R1로 예시한 포화 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기와 같은 것을 들 수 있다. 1가의 탄화수소기로서, 바람직하게는, 메틸, 페닐, 더 바람직하게는, 메틸을 들 수 있다.
b는, 반응성 및 안정성의 관점으로부터, 바람직하게는, 1~10,000의 정수, 더 바람직하게는, 2~5,000의 정수, 특히 바람직하게는, 5~100의 정수를 나타낸다.
c는, 바람직하게는, 2 이상, 또한, 반응성 및 안정성의 관점으로부터, 바람직하게는, 1~10,000의 정수, 더 바람직하게는, 2~1,000의 정수, 특히 바람직하게는, 5~100의 정수를 나타낸다.
수소 측쇄 함유 오르가노폴리실록산으로서는, 예컨대, 메틸하이드로젠폴리실록산, 다이메틸폴리실록산-co-메틸하이드로젠폴리실록산, 에틸하이드로젠폴리실록산, 메틸하이드로젠폴리실록산-co-메틸페닐폴리실록산 등을 들 수 있다.
수소 측쇄 함유 오르가노폴리실록산의 수 평균 분자량은, 예컨대, 100~1,000,000이다.
또한, 수소 양말단 오르가노폴리실록산은, 주쇄의 양말단에 수소 원자를 갖는 오르가노하이드로젠폴리실록산으로서, 식 (6)에 나타난다.
Figure pat00006
(식 중, R6은, 포화 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기로부터 선택되는 1가의 탄화수소기를 나타낸다. 또한, d는, 1 이상의 정수를 나타낸다.)
R6으로 나타나는 1가의 탄화수소기에 있어서, 포화 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기는, 상기 식 (1)의 R1로 예시한 포화 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기와 같은 것을 들 수 있다. 1가의 탄화수소기로서, 바람직하게는, 메틸, 페닐, 더 바람직하게는, 메틸을 들 수 있다.
d는, 반응성 및 안정성의 관점으로부터, 바람직하게는, 1~10,000의 정수, 더 바람직하게는, 1~5,000의 정수를 나타낸다.
수소 양말단 오르가노폴리실록산으로서는, 예컨대, 하이드로실릴기 양말단 폴리다이메틸실록산, 하이드로실릴기 양말단 폴리메틸페닐실록산, 하이드로실릴기 양말단 폴리다이페닐실록산 등을 들 수 있다.
수소 양말단 오르가노폴리실록산의 수 평균 분자량은, 안정성 및/또는 취급성의 관점으로부터, 예컨대, 100~1,000,000, 더 바람직하게는, 100~100,000이다.
이러한 오르가노하이드로젠실록산은, 단독으로 사용하더라도 좋고, 혹은, 병용할 수도 있다.
또한, 이러한 오르가노하이드로젠실록산 중에서는, 바람직하게는, 수소 측쇄 함유 오르가노폴리실록산을 들 수 있고, 더 바람직하게는, 다이메틸폴리실록산-co-메틸하이드로젠폴리실록산을 들 수 있다.
오르가노하이드로젠실록산의 25℃에 있어서의 점도는, 예컨대, 10~100,000m㎩ㆍs, 바람직하게는, 20~50,000m㎩ㆍs이다. 또, 점도는, B형 점토계에 의해 측정된다.
이러한 오르가노하이드로젠실록산에 있어서의 하이드로실릴기 함량은, 예컨대, 0.1~15mmol/g, 바람직하게는, 0.5~10mmol/g이다. 또, 하이드로실릴기 함량은, 1H-NMR에 의한 하이드로실릴기와 메틸기의 피크의 적분비로부터 산출된다.
오르가노하이드로젠실록산은, 시판품을 이용할 수 있고, 또한, 공지의 방법에 따라 합성한 것을 이용할 수도 있다.
오르가노하이드로젠실록산의 배합 비율은, 에틸렌계 규소 화합물의 에틸렌계 불포화 탄화수소기(상기 일반식 (2)의 R2)와 오르가노하이드로젠실록산의 하이드로실릴기(SiH기)의 몰비에도 의존하지만, 예컨대, 에틸렌계 규소 화합물 100질량부에 대하여, 예컨대, 10~10,000 질량부, 바람직하게는, 100~1,000 질량부이다.
또한, 오르가노하이드로젠실록산의 하이드로실릴기(SiH기)에 대한, 에틸렌계 규소 화합물의 에틸렌계 불포화 탄화수소기(상기 일반식 (2)의 R2)의 몰비(R2/SiH)는, 예컨대, 20/1~0.05/1, 바람직하게는, 20/1~0.1/1, 더 바람직하게는, 10/1~0.1/1, 특히 바람직하게는, 10/1~0.2/1, 가장 바람직하게는, 5/1~0.2/1이다. 또한, 예컨대, 1/1 미만, 0.05/1 이상으로 설정할 수도 있다.
몰비가 20/1을 넘는 경우에는, 실리콘 수지 조성물을 반경화 상태로 할 때에, 적당한 인성을 갖는 반경화물을 얻을 수 없는 경우가 있으며, 몰비가 0.05/1에 미치지 않는 경우에는, 오르가노하이드로젠실록산의 배합 비율이 과도하게 많고, 그 때문에, 제 1 절연 수지부(5)의 내열성 및 인성이 불충분하게 되는 경우가 있다.
또한, 몰비가 1/1 미만, 0.05/1 이상이면, 실리콘 수지 조성물을 반경화 상태로 할 때에, 몰비가 20/1~1/1인 실리콘 수지 조성물에 비하여, 반경화 상태로 신속히 이행시킬 수 있다.
축합 촉매는, 실라놀기와 반응성 관능기(상기 일반식 (2)의 SiX1기 및 상기 일반식 (3)의 SiX2기)의 축합 반응의 반응 속도를 향상시키는 물질이면 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 염산, 아세트산, 포름산, 황산 등의 산, 예컨대, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 탄산칼륨, 수산화테트라메틸암모늄 등의 염기, 예컨대, 알루미늄, 티탄, 아연, 주석 등의 금속 등을 들 수 있다.
이러한 축합 촉매는, 단독으로 사용하더라도 좋고, 혹은, 병용할 수도 있다.
또한, 이러한 축합 촉매 중에서는, 상용성 및 열분해성의 관점으로부터, 바람직하게는, 염기, 더 바람직하게는, 수산화테트라메틸암모늄을 들 수 있다.
이러한 축합 촉매의 배합 비율은, 실라놀기 양말단 폴리실록산 100몰에 대하여, 예컨대, 0.1~50몰, 바람직하게는, 0.25~5몰이다.
부가 촉매는, 부가 반응, 다시 말해, 에틸렌계 불포화 탄화수소기와 하이드로실릴기(SiH기)의 하이드로실릴화 반응의 반응 속도를 향상시키는 물질(하이드로실릴화 촉매)이면, 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 금속 촉매를 들 수 있고, 그러한 금속 촉매로서는, 예컨대, 백금흑, 염화백금, 염화백금산, 백금-올레핀 착체, 백금-카르보닐 착체, 백금-아세틸아세테이트 등의 백금 촉매, 예컨대, 파라듐 촉매, 예컨대, 로듐 촉매 등을 들 수 있다.
이들 부가 촉매 중, 바람직하게는, 상용성 및 투명성의 관점으로부터, 백금 촉매, 더 바람직하게는, 백금 올레핀 착체를 들 수 있고, 구체적으로는, 백금-1,3-다이비닐-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산 착체 등의 백금-다이비닐실록산 착체 등을 들 수 있다.
이러한 부가 촉매는, 단독으로 사용하더라도 좋고, 혹은, 병용할 수도 있다.
또한, 이러한 부가 촉매 중에서는, 상용성, 투명성 및 촉매 활성의 관점으로부터, 바람직하게는, 백금 촉매, 더 바람직하게는, 백금-카르보닐 착체를 들 수 있다.
부가 촉매의 배합 비율은, 부가 촉매의 금속량의 질량부 수로서, 오르가노하이드로젠실록산 100질량부에 대하여, 예컨대, 1.0×10-4~1.0질량부, 바람직하게는, 1.0×10-4~0.5질량부, 더 바람직하게는, 1.0×10-4~0.05질량부이다.
또, 상기한 축합 촉매 및 부가 촉매는, 고체 상태의 것을 그대로 이용하더라도 좋고, 혹은, 취급성의 관점으로부터, 용매에 용해 또는 분산시킨 용액 또는 분산액으로서 이용할 수도 있다.
용매로서는, 예컨대, 물, 예컨대, 메탄올, 에탄올 등의 알코올, 예컨대, 톨루엔 등의 방향족 탄화수소를 들 수 있다.
실리콘 수지 조성물은, 실라놀기 양말단 폴리실록산, 에틸렌계 규소 화합물, 에폭시기 함유 규소 화합물, 오르가노하이드로젠실록산, 축합 촉매 및 부가 촉매를 배합하여, 교반 혼합하는 것에 의해 조제된다.
실리콘 수지 조성물을 조제하기 위해서는, 예컨대, 상기한 원료(축합 원료 및 부가 원료)와, 촉매를 한 번에 배합하더라도 좋고, 혹은, 각 원료 및 각 촉매를 다른 타이밍에 각각 배합할 수도 있다. 또한, 일부의 성분을 한 번에 가하고, 나머지 각 성분을, 다른 타이밍에 각각 배합할 수도 있다.
이러한 실리콘 수지 조성물의 조제 방법 중에서는, 바람직하게는, 우선, 축합 원료를 조제하고, 그 후, 조제한 축합 원료에 축합 촉매를 배합하여, 혼합물을 조제한다. 이어서, 조제한 혼합물에, 부가 원료를 배합하고, 그 후, 부가 촉매를 배합하는 방법을 들 수 있다.
구체적으로는, 실라놀기 양말단 폴리실록산, 에틸렌계 규소 화합물 및 에폭시기 함유 규소 화합물(다시 말해, 축합 원료)을, 상기한 비율로 교반 혼합한 후, 축합 촉매를 배합라고, 그것들을, 예컨대, 5분간~24시간 교반 혼합하여, 혼합물을 조제한다.
또한, 배합 및 교반시에는, 축합 원료의 상용성 및 취급성을 향상시키기 위해, 예컨대, 0~60℃로 온도 조정할 수도 있다.
또, 상기 혼합에 의해, 실라놀기 양말단 폴리실록산의 SiOH기와, 에틸렌계 규소 화합물의 SiX1기 및 에폭시기 함유 규소 화합물의 SiX2기의 축합 반응의 일부가 개시되더라도 좋고, 축합 반응의 진행도는, 1H-NMR 측정에 의해, SiOH기에 유래하는 피크의 소실 정도에 의해 확인할 수 있다.
그 후, 계를, 필요에 따라 감압하는 것에 의해, 휘발 성분(용매 등)을 제거한다.
이어서, 조제한 축합 원료 및 축합 촉매의 혼합물에, 오르가노하이드로젠실록산을 배합하여, 예컨대, 1~120분간 교반한다.
배합 및 교반시에는, 혼합물 및 오르가노하이드로젠실록산의 상용성 및 취급성을 향상시키기 위해, 예컨대, 0~60℃로 온도 조정할 수도 있다.
그 후, 계에, 부가 촉매를 배합하여, 예컨대, 1~60분간 교반한다.
이에 의해, 실리콘 수지 조성물을 조제한다.
실리콘 수지 조성물은, 예컨대, 액체 형상(오일 형상)으로서, 후술하지만, 조제 후에, 광반사 성분 등이 배합되어, 봉지 수지 조성물로서 조제된 후에 있어서도, 액체 형상 또는 반고체 형상의 봉지 수지 조성물이, 틈(2)에 충전된 후, 가열하는 것에 의해, 축합 원료가 축합 반응하고, B 스테이지 상태(반경화 상태)가 된다. 그 후, 더 가열하는 것에 의해, 부가 원료가 부가 반응하여, C 스테이지 상태(완전 경화)가 된다.
에폭시 수지 조성물은, 가열에 의해 열경화할 수 있는 수지 조성물이다.
에폭시 수지 조성물로서는, 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 일본 특허 공개 2011-119393호 공보에 기재된 에폭시 수지, 경화제 및 경화 촉진제를 함유하는 열강화성 수지, 예컨대, 일본 특허 공개 2011-60819호 공보에 기재되는 에폭시 수지 및 산무수물계 경화제를 함유하는 절연 수지층 형성 재료 등을 들 수 있다.
열강화성 수지에 있어서의 에폭시 수지, 경화제 및 경화 촉진제의 배합 비율은, 예컨대, 일본 특허 공개 2011-119393호 공보의 기재에 준거하여 설정된다. 또한, 절연 수지층 형성 재료에 있어서의 에폭시 수지 및 산무수물계 경화제의 배합 비율은, 예컨대, 일본 특허 공개 2011-60819호 공보의 기재에 준거하여 설정된다.
이들 봉지 수지 조성물의 함유 비율은, 반사 수지 조성물에 대하여, 예컨대, 10~99.5질량%, 바람직하게는, 착색성 및 반사 수지 조성물의 핸들링성의 관점으로부터, 30~98.5질량%, 더 바람직하게는, 40~60질량%이다.
봉지 수지 조성물은, 단독 사용 또는 병용할 수 있다.
봉지 수지 조성물로서, 바람직하게는, 실리콘 수지 조성물을 들 수 있다.
광반사 성분은, 예컨대, 백색의 화합물로서, 그러한 백색의 화합물로서는, 구체적으로는, 백색 안료를 들 수 있다.
백색 안료로서는, 예컨대, 백색 무기 안료를 들 수 있고, 그러한 백색 무기 안료로서는, 예컨대, 산화티탄, 산화아연, 산화지르코늄 등의 산화물, 예컨대, 연백(탄산납), 탄산칼슘 등의 탄산염, 예컨대, 카올린(카올리나이트) 등의 점토 광물 등을 들 수 있다.
백색 무기 안료로서, 바람직하게는, 산화물, 더 바람직하게는, 산화티탄을 들 수 있다.
산화티탄이면, 높은 백색도, 높은 광반사성, 우수한 은폐성(은폐력), 우수한 착색성(착색력), 높은 분산성, 우수한 내후성, 높은 화학적 안정성 등의 특성을 얻을 수 있다.
그러한 산화티탄은, 구체적으로는, TiO2(산화티탄(Ⅳ), 이산화티탄)이다.
산화티탄의 결정 구조는, 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 루틸형, 브루카이트형(판티탄석), 아나타제(예추석) 등이며, 바람직하게는, 루틸형이다.
또한, 산화티탄의 결정계는, 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 정방정계, 사방정계 등이며, 바람직하게는, 정방정계이다.
산화티탄의 결정 구조 및 결정계가, 루틸형 및 정방정계이면, 제 1 절연 수지부(5)가 장기간 고온에 노출되는 경우에도, 빛(구체적으로는, 가시광선, 특히, 파장 450㎚ 부근의 빛)에 대한 반사율이 저하되는 것을 유효하게 방지할 수 있다.
광반사 성분은, 입자 형상이며, 그 형상은 한정되지 않고, 예컨대, 구 형상, 판 형상, 침 형상 등을 들 수 있다. 광반사 성분의 최대 길이의 평균치(구 형상인 경우에는, 그 평균 입경)는, 예컨대, 1~1,000㎚, 바람직하게는, 100~500㎚이다. 최대 길이의 평균치는, 레이저 회절 산란식 입도 분포계를 이용하여 측정된다.
광반사 성분의 함유 비율은, 반사 수지 조성물에 대하여, 예컨대, 0.5~90질량%, 바람직하게는, 착색성, 광반사성 및 반사 수지 조성물의 핸들링성의 관점으로부터, 1.5~70질량%, 더 바람직하게는, 10~40질량%, 특히 바람직하게는, 25~35질량%이다.
또한, 광반사 성분의 배합 비율은, 봉지 수지 조성물 100질량부에 대하여, 예컨대, 2~200질량부, 바람직하게는, 10~90질량부, 더 바람직하게는, 25~75질량부이다.
그리고, 반사 수지 조성물은, 봉지 수지 조성물과, 광반사 성분을 배합하여, 균일 혼합하는 것에 의해 조제된다.
이에 의해, 광반사 성분은, 봉지 수지 조성물 중에 균일하게 분산 혼합된다.
또한, 반사 수지 조성물에는, 무기 충전제를 더 함유시킬 수 있다.
무기 충전제로서는, 예컨대, 실리카(이산화규소), 황산바륨, 탄산바륨, 티탄산바륨, 산화마그네슘, 산화철, 수산화알루미늄, 탄산칼슘, 층상 운모, 카본블랙, 규조토, 유리 섬유 등을 들 수 있다.
이러한 무기 충전제는, 단독으로 사용하더라도 좋고, 혹은, 병용할 수도 있다.
또한, 이러한 충전제 중에서는, 바람직하게는, 실리카(이산화규소)를 들 수 있다.
무기 충전제는, 입자 형상이며, 그 형상은 한정되지 않고, 예컨대, 구 형상, 판 형상, 침 형상 등을 들 수 있다. 무기 충전제의 최대 길이의 평균치(구 형상인 경우에는, 그 평균 입경)는, 예컨대, 1~1,000㎚, 바람직하게는, 100~500㎚이다. 최대 길이의 평균치는, 레이저 회절 산란식 입도 분포계를 이용하여 측정된다.
무기 충전제의 평균 입경은, 예컨대, 1~1,000㎛, 바람직하게는, 10~100㎛이다. 최대 길이의 평균치는, 레이저 회절 산란식 입도 분포계를 이용하여 측정된다.
무기 충전제의 함유 비율은, 반사 수지 조성물에 대하여, 예컨대, 1~50질량%, 바람직하게는, 5~40질량%, 더 바람직하게는, 15~30질량%이다.
또한, 반사 수지 조성물에 있어서, 무기 충전제가 배합되는 경우에는, 봉지 수지 조성물 100질량부에 대하여, 광반사 성분 및 무기 충전제의 총 질량부 수가, 예컨대, 50~300질량부, 바람직하게는, 100~200질량부이며, 또한, 광반사 성분의, 광반사 성분 및 무기 충전제의 총 질량부 수에 대한 질량 비율(광반사 성분 질량/(광반사 성분 질량+무기 충전제 질량))은, 예컨대, 0.0001~1, 바람직하게는, 0.01~1이다.
또한, 광반사 성분의 무기 충전제에 대한 질량 비율(광반사 성분 질량/무기 충전제 질량)은, 예컨대, 0.2~3.0, 바람직하게는, 0.5~2.0이다. 특히, 봉지 수지 조성물이 에폭시 수지 조성물인 경우에는, 광반사 성분의 무기 충전제에 대한 질량 비율(광반사 성분 질량/무기 충전제 질량)은, 예컨대, 0.26~3.0이다.
상기한 무기 충전제는, 광반사 성분과 함께 봉지 수지 조성물 중에 균일하게 분산 혼합된다.
이와 같이 하여 조제되는 반사 수지 조성물은, 액체 형상 또는 반고체 형상이 된다.
그리고, 제 1 절연 수지부(5)는, 복수의 리드(3) 전부의 윗면과 아랫면을 노출하도록 형성되어 있다.
구체적으로는, 제 1 절연 수지부(5)는, 폭 방향으로 대향하는 제 1 패드(12) 및 제 2 패드(15)에 의해 폭 방향으로 구획되는 틈(2)에 충전되어 있다. 또한, 제 1 절연 수지부(5)는, 전후 방향으로 인접하는 각 제 1 패드(12) 사이의 제 1 직선부(10)와, 전후 방향으로 인접하는 각 제 2 패드(15) 사이의 제 2 직선부(13)에 의해 폭 방향으로 구획되는 틈(2)에도 충전되어 있다.
한편, 제 1 절연 수지부(5)는, 제 1 리드(8)의 제 1 접속부(11)와, 그 후방에 대향 배치되는 제 1 패드(12) 및 제 2 패드(15)에 구획되는 틈(2)에는 충전되지 않고, 이러한 틈(2)은, 공간으로서 구획되어 있다. 또한, 제 1 절연 수지부(5)는, 제 2 리드(9)의 제 2 접속부(14)와, 그 전방에 대향 배치되는 제 1 패드(12) 및 제 2 패드(15)에 구획되는 틈(2)에도 충전되지 않고, 이러한 틈(2)은, 공간으로서 구획되어 있다.
제 1 절연 수지부(5)의 두께 T2는, 리드 프레임(4)의 두께 T1과 실질적으로 동일하다.
제 2 절연 수지부(6)는, 예컨대, 제 1 절연 수지부(5)와 같은 반사 수지 조성물로 형성되어 있다. 또한, 제 2 절연 수지부(6)를, 예컨대, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지 등으로 형성할 수도 있다. 제조 공정의 공정수를 저감하는 관점으로부터, 바람직하게는, 제 2 절연 수지부(6)를 제 1 절연 수지부(5)와 같은 반사 수지 조성물로 형성한다.
제 2 절연 수지부(6)은, 전후 방향으로 연장되는 평면에서 볼 때 대략 평판 형상으로 형성되어 있다. 구체적으로는, 제 2 절연 수지부(6)는, 제 1 리드(8)의 우측의 제 1 직선부(10A)의 우측면을 따라 형성됨과 아울러, 제 2 리드(9)의 좌측의 제 2 직선부(13B)의 좌측면을 따라 형성되어 있다.
제 2 절연 수지부(6)의 두께 T3은, 리드 프레임(4)의 두께 T1과 실질적으로 동일하다.
이에 의해, 리드 프레임(4)과 제 1 절연 수지부(5)와 제 2 절연 수지부(6)는, 윗면 및 아랫면에 있어서, 같은 면에 형성되어 있다.
다음으로, 이 소자 접속용 기판(1)을 제조하는 방법에 대하여 설명한다.
우선, 이 방법에서는, 도 2(a) 및 도 2(b)에 나타내는 바와 같이, 복수의 리드(3)가 조인트(16)에 의해 연결되는 리드 프레임으로서의 조인트 부착 리드 프레임(4')을 준비한다.
다시 말해, 조인트 부착 리드 프레임(4')은, 상기한 복수의 리드(3)와, 복수의 리드(3)를 연결하는 조인트(16)을 일체적으로 구비하고 있다.
조인트(16)는, 제 1 리드(8)와 제 2 리드(9)를 연결하고 있으며, 구체적으로는, 각 제 1 직선부(10)의 후단부와, 제 2 접속부(14)를 연결함과 아울러, 각 제 2 직선부(13)의 전단부와 제 1 접속부(11)를 연결하고 있다.
이 조인트 부착 리드 프레임(4')에는, 상기한 틈(2)이 형성되어 있다.
조인트 부착 리드 프레임(4')은, 평면에서 볼 때 대략 직사각형 평판 형상을 이루는, 상기한 도체 재료로 이루어지는 평판(금속판)을, 틈(2)에 대응하는 금형을 이용하는 스탬핑에 의한 타발(打拔) 가공, 혹은, 에칭 등에 의해 틈(2)을 형성하는 것에 의해 준비한다.
이어서, 이 방법에서는, 도 3(a) 및 도 3(b)에 나타내는 바와 같이, 광반사성의 제 1 절연 수지부(5)를 틈(2)에 충전한다. 이와 동시에, 제 2 절연 수지부(6)를 소자 접속용 기판(1)의 측면에 형성한다.
예컨대, 제 1 절연 수지부(5) 및 제 2 절연 수지부(6)가 동일한 반사 수지 조성물로 형성되는 경우에는, 트랜스퍼 성형, 컴프레션 성형, 열프레스 성형, 래미네이트 성형 등의 성형 가공에 의해, 상기한 반사 수지 조성물을 틈(2)에 충전하여, 제 1 절연 수지부(5)를 형성함과 아울러, 반사 수지 조성물을 리드 프레임(4)의 측면에 도포하여, 제 2 절연 수지부(6)를 형성한다.
또, 상기한 성형에서는, 반사 수지 조성물을 가열하는 것으로부터, 반사 수지 조성물은, 실리콘 수지 조성물을 함유하는 경우에는, B 스테이지 상태(반경화 상태)가 된다.
또, 조인트 부착 리드 프레임(4')과, 조인트 부착 리드 프레임(4')의 틈(2)에 충전되는 제 1 절연 수지부(5)와, 조인트 부착 리드 프레임(4')의 측면에 형성되는 제 2 절연 수지부(6)를 구비하는 구조물을, 조인트(16)가 절단되기 전의 소자 접속용 기판(1)으로서 얻을 수도 있다.
그 후, 도 3(a) 및 도 3(b)의 절단선 CL1로 나타내는 바와 같이, 조인트(16)를 절단한다.
조인트(16)를 절단하기 위해서는, 예컨대, 타발 가공, 에칭에 의해, 조인트(16)를 제거한다.
조인트(16)의 절단에 의해, 도 1(a) 및 도 1(b)에 나타내는 바와 같이, 제 1 리드(8) 및 제 2 리드(9)를 구비하는 리드 프레임(4)이 형성된다. 다시 말해, 제 1 리드(8) 및 제 2 리드(9)가 서로 전기적으로 절연되는 회로가 형성된다.
이에 의해, 소자 접속용 기판(1)을 얻을 수 있다.
도 4는, 본 발명의 발광 다이오드 장치의 일 실시 형태, 도 5는, 소자 접속용 기판에 봉지 시트를 붙이는 공정을 설명하는 정단면도를 나타낸다.
또, 도 4(a)에 있어서, 봉지 시트(19)는, 리드 프레임(4) 및 발광 다이오드 소자(17)의 상대 배치를 명확하게 나타내기 위해 생략하고 있다.
이 소자 접속용 기판(1)에는, 발광 다이오드 소자(17)가 접속된다.
다음으로, 발광 다이오드 소자(17)가 소자 접속용 기판(1)에 접속되는 발광 다이오드 장치(18)에 대하여 설명한다.
도 4(a) 및 도 4(b)에 나타내는 바와 같이, 발광 다이오드 장치(18)는, 소자 접속용 기판(1)과, 소자 접속용 기판(1)의 윗면(두께 방향 한쪽 면)에 접속되는 발광 다이오드 소자(17)와, 발광 다이오드 소자(17)를 봉지하는 봉지 시트(19)(도 4(b) 참조)를 구비한다.
발광 다이오드 소자(17)는, 복수 마련되고, 구체적으로는, 제 2 리드(9)의 제 2 패드(15)의 윗면(두께 방향 한쪽 면)에 탑재되어 있다. 자세하게는, 발광 다이오드 소자(17)의 아랫면은, 도시하지 않는 도전성 접착제층을 사이에 두고, 제 2 패드(15)의 윗면에 접착되어 있다. 다시 말해, 발광 다이오드 소자(17)의 아랫면은, 제 2 리드(9)의 윗면에 전기적으로 접속되어 있다.
한편, 발광 다이오드 소자(17)는, 그 윗면에 접속되는 와이어(22)를 통해, 제 1 리드(8)의 제 1 패드(12)의 윗면에 전기적으로 접속되어 있다. 다시 말해, 발광 다이오드 소자(17)의 윗면은, 발광 다이오드 소자(17)가 탑재되는 제 2 패드(15)에 폭 방향으로 대향 배치되는 제 1 패드(12)와 전기적으로 접속되어 있다. 즉, 발광 다이오드 소자(17)의 윗면은, 제 1 리드(8)의 윗면에 전기적으로 접속되어 있다.
봉지 시트(19)는, 평면에서 볼 때 대략 직사각형 형상을 이루고, 소자 접속용 기판(1)의 위(두께 방향 한쪽)에 형성되어 있다. 봉지 시트(19)로서는, 예컨대, 일본 특허 공개 2011-159874호 공보에 기재된 봉지 시트를 들 수 있다.
이 발광 다이오드 장치(18)을 제조하기 위해서는, 도 1(a) 및 도 1(b)에 나타내는 소자 접속용 기판(1)을 준비하고, 이어서, 도 4(a) 및 도 4(b)에 나타내는 바와 같이, 발광 다이오드 소자(17)를 복수의 리드(3)에 접속한다. 그 후, 도 5에 나타내는 바와 같이, 봉지 시트(19)를, 두께 방향으로 투영했을 때에, 적어도 발광 다이오드 소자(17) 및 와이어(22)와 중복되도록, 그들의 위쪽에 배치하고, 이어서, 도 5의 화살표로 나타내는 바와 같이, 봉지 시트(19)를, 발광 다이오드 소자(17) 및 와이어(22)를 매설하도록, 소자 접속용 기판(1)에 붙이고, 그 후, 가열한다. 이 가열에 의해, 제 1 수지 절연부(5) 및 제 2 수지 절연부(6)가, 반사성 수지 조성물(봉지 수지 조성물)로 이루어지는 경우에는, 제 1 수지 절연부(5) 및 제 2 수지 절연부(6)가 C 스테이지 상태(완전 경화)가 된다.
그 후, 도 4(a)에 나타내는 바와 같이, 제 1 리드(8) 및 제 2 리드(9)의 각각을, 전원 배선(20)을 통해 전원(21)에 접속한다.
이에 의해, 발광 다이오드 장치(18)를 얻는다.
그리고, 상기한 방법에 의해 얻을 수 있는 소자 접속용 기판(1)에서는, 제 1 절연 수지부(5)가 리드 프레임(4)의 틈(2)에 충전되어 있으므로, 리드 프레임(4)의 윗면과, 제 1 절연 수지부(5)의 윗면을, 함께 노출시킬 수 있다.
그 때문에, 발광 다이오드 소자(17)를 리드 프레임(4)의 위쪽에 접속하면, 그 후, 봉지 시트(19)에 의해 발광 다이오드 소자(17)를 용이하고 확실하게 피복하여, 발광 다이오드 소자(17)를 용이하고 확실하게 봉지할 수 있다.
또한, 제 1 절연 수지부(5)가 광반사성을 가지므로, 소자 접속용 기판(1)은, 광반사성이 우수하다. 그 때문에, 소자 접속용 기판(1)을 구비하는 발광 다이오드 장치(18)에서는, 발광 다이오드 소자(17)로부터 발광되는 빛을 반사시킬 수 있고, 그 때문에, 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 소자 접속용 기판(1)에서는, 복수의 리드(3)를 사이에 두는 틈(2)에 제 1 절연 수지부(5)가 충전되어 있으므로, 복수의 리드(3)를 확실하게 지지하여 보강할 수 있다.
또한, 제 2 절연 수지부(6)에 의해, 리드 프레임(4)의 측면을 측방으로부터 지지하여 보강할 수 있다.
또한, 발광 다이오드 장치(18)에서는, 상기한 봉지 시트(19)에 의해, 소자 접속용 기판(1)에 접속되는 발광 다이오드 소자(17)를 용이하고 확실하게 봉지할 수 있다. 그 때문에, 발광 다이오드 장치(18)의 신뢰성을 용이하고 확실하게 향상시킬 수 있다.
또한, 상기한 방법에서는, 복수의 리드(3)가, 조인트(16)에 의해 연결된 조인트 부착 리드 프레임(4')의 형상을 유지하면서, 이러한 조인트 부착 리드 프레임(4')의 틈(2)에 제 1 절연 수지부(5)를 확실하게 충전하여, 복수의 리드(3)를 확실하게 지지할 수 있다.
그리고, 조인트(16)를 절단하는 것에 의해, 복수의 리드(3)로 이루어지는 소망하는 회로를 형성할 수 있다.
도 6은, 본 발명의 소자 접속용 기판의 다른 실시 형태(리드 프레임의 측면이 노출되는 형태)의 정단면도, 도 7은, 본 발명의 소자 접속용 기판의 다른 실시 형태(리드 프레임의 아랫면에 제 2 절연 수지부가 형성되는 형태)의 정단면도, 도 8은, 본 발명의 소자 접속용 기판의 다른 실시 형태, 도 9는, 도 8에 나타내는 소자 접속용 기판의 제조 방법에 이용되는 리드 프레임, 도 10은, 본 발명의 발광 다이오드 장치의 다른 실시 형태, 도 11은, 도 8에 나타내는 소자 접속용 기판을 2개로 분할하는 상태를 나타낸다.
이후의 도면에 있어서, 상기와 같은 부재에는, 동일한 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
도 1의 실시 형태에서는, 제 2 절연 수지부(6)를, 리드 프레임(4)의 측면에 형성하고 있지만, 예컨대, 도 6에 나타내는 바와 같이, 제 2 절연 수지부(6)를 리드 프레임(4)의 측면에 형성하지 않고, 리드 프레임(4)의 측면을 노출시킬 수도 있다.
도 6에 있어서, 제 1 리드(8)의 우측의 제 1 직선부(10B)의 우측면 및 제 2 리드(9)의 좌측의 제 2 직선부(13B)의 좌측면은 노출되어 있다.
또한, 도 1 및 도 6의 실시 형태에서는, 리드 프레임(4)의 아랫면(두께 방향 다른 쪽 면)을 노출시키고 있지만, 도 7에 나타내는 바와 같이, 리드 프레임(4)의 아랫면을 제 2 절연 수지부(6)로 피복할 수도 있다.
도 7에 있어서, 제 2 절연 수지부(6)는, 리드 프레임(4)의 측면에 더하여, 아랫면에도 마련되어 있다. 즉, 제 2 절연 수지부(6)는, 폭 방향 양단부의 리드 프레임(4)의 아랫면에 마련되어 있다.
구체적으로는, 리드 프레임(4)의 아랫면에 마련되는 제 2 절연 수지부(6)는, 우측의 제 1 직선부(10B)의 아랫면과, 우측의 제 2 직선부(13A)의 아랫면과, 우측의 제 1 직선부(10B) 및 우측의 제 2 직선부(13A)의 사이의 틈(2)에 충전되는 제 2 절연 수지부(6)의 아랫면에 연속하여 형성되어 있다. 또한, 리드 프레임(4)의 아랫면에 마련되는 제 2 절연 수지부(6)는, 좌측의 제 2 직선부(13B)의 아랫면과, 좌측의 제 1 직선부(10A)의 아랫면과, 좌측의 제 2 직선부(13B) 및 좌측의 제 1 직선부(10A)의 사이의 틈(2)에 충전되는 제 2 절연 수지부(6)의 아랫면에 연속하여 형성되어 있다.
리드 프레임(4)의 아랫면에 마련되는 제 2 절연 수지부(6)의 두께 T4는, 예컨대, 50~2000㎛, 바람직하게는, 100~300㎛이다.
도 7의 실시 형태는, 도 1과 같은 작용 효과를 나타낼 수 있고, 또한, 리드 프레임(4)의 아랫면에 마련되는 제 2 절연 수지부(6)에 의해, 리드 프레임(4)을 아래쪽으로부터 지지하여 보강할 수도 있다.
도 1(a) 및 도 1(b)의 실시 형태에서는, 제 1 리드(8) 및 제 2 리드(9)의 각각에, 제 1 패드(12) 및 제 2 패드(15)의 각각을 마련하고 있지만, 예컨대, 도 8(a) 및 도 8(b)에 나타내는 바와 같이, 제 1 패드(12) 및 제 2 패드(15)를 마련하는 일 없이, 제 1 리드(8) 및 제 2 리드(9)를 형성할 수도 있다.
도 8(a) 및 도 8(b)에 있어서, 소자 접속용 기판(1)은, 복수의 리드(3)를 구비하는 리드 프레임(4)과, 틈(2)에 충전되는 광반사성을 갖는 제 1 절연 수지부(5)와, 리드 프레임(4)의 측면에 형성되는 제 2 절연 수지부(6)를 구비하고 있다.
복수의 리드(3)는, 폭 방향 중앙에 배치되는 제 1 리드(8)와, 제 1 리드(8)의 폭 방향 양 바깥쪽에 틈(2)을 사이에 두고 대향 배치되는 제 2 리드(9)를 구비하고 있다.
제 1 리드(8)는, 전후 방향으로 연장되는 평면에서 볼 때 대략 직사각형 형상으로 형성되어 있다.
제 2 리드(9)는, 제 1 리드(8)보다 폭이 좁으며, 전후 방향으로 길게 연장되는 평면에서 볼 때 대략 직사각형 형상으로 형성되어 있다.
제 1 절연 수지부(5)는, 제 1 리드(8) 및 제 2 리드(9)의 사이에 형성되는 틈(2)에 충전되어 있다.
제 2 절연 수지부(6)는, 제 2 리드(9)의 폭 방향 바깥쪽 면에 형성되어 있다.
도 8의 소자 접속용 기판(1)을 얻기 위해서는, 예컨대, 우선, 도 9(a) 및 도 9(b)에 나타내는 리드 프레임(4)을 준비한다. 또, 리드 프레임(4)은, 제 1 리드(8)의 전후 방향 양단부의 각각과, 제 2 리드(9)의 전후 방향 양단부의 각각이, 도시하지 않는 조인트에 의해 연결되어 있으며, 조인트 부착 프레임(4')으로 되어 있다.
이어서, 도 8(a) 및 도 8(b)에 나타내는 바와 같이, 제 1 절연 수지부(5) 및 제 2 절연 수지부(6)를 반사 수지 조성물로 형성한다.
이에 의해, 소자 접속용 기판(1)을 얻는다.
그리고, 이 소자 접속용 기판(1)에는, 도 10(a) 및 도 10(b)에 나타내는 바와 같이, 발광 다이오드 소자(17)가 접속되어 있으며, 발광 다이오드 장치(18)를 구성한다.
발광 다이오드 장치(18)에 있어서, 발광 다이오드 소자(17)는, 제 1 리드(8)의 폭 방향 양단부에 마련되고, 제 1 리드(8)의 전후 방향을 따라 서로 간격을 두고 배치되어 있다.
발광 다이오드 소자(17)는, 도시하지 않는 도전성 접착제층을 사이에 두고, 제 1 리드(8)의 윗면에 접착되어 있으며, 이에 의해, 제 1 리드(8)의 윗면에 전기적으로 접속되어 있다.
한편, 발광 다이오드 소자(17)는, 그 윗면에 접속되는 와이어(22)를 통해, 제 2 리드(9)의 윗면에 전기적으로 접속되어 있다. 다시 말해, 발광 다이오드 소자(17)의 윗면은, 제 2 리드(9)의 윗면과 전기적으로 접속되어 있다.
도 10(a) 및 도 10(b)에 나타내는 실시 형태는, 도 4에 나타내는 실시 형태와 같은 작용 효과를 나타낼 수 있고, 또한, 발광 다이오드 소자(17) 및 와이어(22)의 각각을, 제 1 리드(8) 및 제 2 리드(9)의 각각의 윗면에 접속할 수도 있다. 그 때문에, 발광 다이오드 장치(18)에서는, 리드 프레임(4)이, 상기한 형상의 제 1 리드(8) 및 제 2 리드(9)를 구비하므로, 간단하고 쉬운 구성으로 할 수 있다.
또, 도 8의 소자 접속용 기판(1)의 치수는 적절히 선택할 수 있고, 예컨대, 도 11에 나타내는 바와 같이, 소자 접속용 기판(1)을, 도 11(a)의 1점쇄선으로 나타나는 절단선 CL2를 따라, 소자 접속용 기판(1)을, 전후 방향으로 분단되도록, 다이싱 등의 절단 가공에 의해, 복수(2개)로 분할할 수도 있다.
또, 상기 설명은, 본 발명의 예시의 실시 형태로서 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 지나지 않고, 한정적으로 해석해서는 안 된다. 해당 기술 분야의 당업자에 의해 분명한 본 발명의 변형예는, 후기의 특허청구범위에 포함되는 것이다.

Claims (6)

  1. 발광 다이오드 소자가 두께 방향 한쪽에 접속되기 위한 리드 프레임으로서, 서로 틈을 사이에 두고 배치되는 복수의 리드를 구비하는 상기 리드 프레임과,
    상기 틈에 충전되는 광반사성의 제 1 절연 수지부
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 소자 접속용 기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 절연 수지부는, 봉지 수지 조성물과 광반사 성분을 함유하는 반사 수지 조성물로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 소자 접속용 기판.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 리드 프레임의 상기 두께 방향 다른 쪽 면 및/또는 측면에 마련되는 제 2 절연 수지부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 소자 접속용 기판.
  4. 서로 틈을 사이에 두고 배치되는 복수의 리드를 구비하는 리드 프레임과, 상기 틈에 충전되는 광반사성의 제 1 절연 수지부를 구비하는 소자 접속용 기판과,
    상기 리드 프레임의 두께 방향 한쪽 면에 접속되는 발광 다이오드 소자
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 소자 접속용 기판의 상기 두께 방향 한쪽에 형성되고, 상기 발광 다이오드 소자를 봉지하는 봉지 시트를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 장치.
  6. 서로 틈을 사이에 두고 배치되는 복수의 리드와, 상기 복수의 리드를 연결하는 조인트를 구비하는 리드 프레임을 준비하는 공정과,
    광반사성의 제 1 절연 수지부를 상기 틈에 충전하는 공정과,
    상기 조인트를 절단하는 공정
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 소자 접속용 기판의 제조 방법.
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