JPH01268157A - ヒートシンク付セラミックパッケージ基板の製造方法 - Google Patents
ヒートシンク付セラミックパッケージ基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH01268157A JPH01268157A JP9574088A JP9574088A JPH01268157A JP H01268157 A JPH01268157 A JP H01268157A JP 9574088 A JP9574088 A JP 9574088A JP 9574088 A JP9574088 A JP 9574088A JP H01268157 A JPH01268157 A JP H01268157A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- inorganic powder
- face
- ceramics
- sink
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 abstract description 14
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical group [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 etc. Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000010310 metallurgical process Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はＩＣチップやＬＳＩチップなどのチップを搭載
するヒートシンク付セラミックパッケージに関するもの
である。
するヒートシンク付セラミックパッケージに関するもの
である。
（従来の技術）
近年、コンピュータ装置をはじめとする種々の電子機器
に実装されるＩＣは、半導体素子技術の発展による素子
の高集積化および動作の高速化に伴い、発生熱量が大き
く増大している。
に実装されるＩＣは、半導体素子技術の発展による素子
の高集積化および動作の高速化に伴い、発生熱量が大き
く増大している。
ところが一般にＩＣなどにとっては、信転性の高い装置
を得るためにはＩＣの内部温度を規定温度以下に抑える
必要がある。このため、装置内に冷気を供給したり、Ｉ
Ｃチップを搭載するパンケージの構造自身の放熱特性の
改善にも種々の考案がなされている。
を得るためにはＩＣの内部温度を規定温度以下に抑える
必要がある。このため、装置内に冷気を供給したり、Ｉ
Ｃチップを搭載するパンケージの構造自身の放熱特性の
改善にも種々の考案がなされている。
そしてこのような改良によって放熱特性の向上がはかれ
ない場合においては、アルミニウムまたは銅製等金属の
ヒートシンクをＩＣチップを固着しているアルミナ基板
に熱伝導率が高い接着剤やロウ材によって接合して一体
構造とすることにより、放熱能力を向上させるようにし
ている。
ない場合においては、アルミニウムまたは銅製等金属の
ヒートシンクをＩＣチップを固着しているアルミナ基板
に熱伝導率が高い接着剤やロウ材によって接合して一体
構造とすることにより、放熱能力を向上させるようにし
ている。
（発明が解決すべき課題）
従来は第３図に示す如く、セラミックからなるＩＣパッ
ケージのセラミック２の下面にＵ字状突起を有するコバ
ール製ヒートシンク材１を銀ロウ等のロウ材３により接
合しているが、ヒートシンク材のダイアタッチ面１ａの
上にも余剰ロウ材が流れ出し、図示の如くダイアタッチ
面１ａの周縁上で斜面を形成してしまい、ＩＣチップの
搭載が不可能となることがあった。
ケージのセラミック２の下面にＵ字状突起を有するコバ
ール製ヒートシンク材１を銀ロウ等のロウ材３により接
合しているが、ヒートシンク材のダイアタッチ面１ａの
上にも余剰ロウ材が流れ出し、図示の如くダイアタッチ
面１ａの周縁上で斜面を形成してしまい、ＩＣチップの
搭載が不可能となることがあった。
（課題を解決するための手段）
本発明は上記の如き課題を解決する方法にしてその概要
は以下のとおりである。
は以下のとおりである。
セラミックパッケージを構成するセラミックにヒートシ
ンク材を接合するに当り、予めヒートシンク上のダイア
タッチ面にヒートシンク材と加熱反応しない無機質粉末
を被覆した後、次にパッケージを構成するセラミックと
ヒートシンク材の接合面をロウ付けするヒートシンク付
基板の製造方法に存する。
ンク材を接合するに当り、予めヒートシンク上のダイア
タッチ面にヒートシンク材と加熱反応しない無機質粉末
を被覆した後、次にパッケージを構成するセラミックと
ヒートシンク材の接合面をロウ付けするヒートシンク付
基板の製造方法に存する。
（作 用）
セラミックパッケージに用いられるセラミックは特に限
定するものではないが、通常アルミナや＾ＩＮ等が用い
られる。
定するものではないが、通常アルミナや＾ＩＮ等が用い
られる。
又、ヒートシンク材は金属もしくは準するもので、例え
ば銅−タングステン、モリブデン、コバール、銅又はア
ルミニウム及びそれらの合金、ＡＩＮ等があげられ、必
要に応じＮｉめっき等が施される。
ば銅−タングステン、モリブデン、コバール、銅又はア
ルミニウム及びそれらの合金、ＡＩＮ等があげられ、必
要に応じＮｉめっき等が施される。
次に本発明で用いられる無機質粉末としては、八１２０
３＋ＳｉＯ□、Ｃａｂ、 Ｍｇｏ、Ｍｎ０ｚ、ＫｚＯ，
ＢｚＯａ＋５ｉＪ４．ＢＮ＋ＳｉＣ，Ｂ４Ｃ等があげら
れるが、ヒートシンク材料とは加熱によっても反応しな
いものを選択する必要がある。
３＋ＳｉＯ□、Ｃａｂ、 Ｍｇｏ、Ｍｎ０ｚ、ＫｚＯ，
ＢｚＯａ＋５ｉＪ４．ＢＮ＋ＳｉＣ，Ｂ４Ｃ等があげら
れるが、ヒートシンク材料とは加熱によっても反応しな
いものを選択する必要がある。
このように無機質粉末を以てヒートシンクのダイアタッ
チ面を被覆してからセラミックとヒートシンクとを銀ロ
ウ付けすることにより、銀ロウはダイアタッチ面に流れ
て行く余地がないので、後に無機質粉末を除去すればダ
イアタッチ面の平面性が保持され容易にＩＣチップを搭
載することができる。
チ面を被覆してからセラミックとヒートシンクとを銀ロ
ウ付けすることにより、銀ロウはダイアタッチ面に流れ
て行く余地がないので、後に無機質粉末を除去すればダ
イアタッチ面の平面性が保持され容易にＩＣチップを搭
載することができる。
実施例
例１ コバール板（ヒートジンクキわ付フラットパッケ
ージの製造 第１図に示すようにＵ字型の壁体を有するコバールヒー
トシンク材１をセラミック２に接合する場合、予めダイ
アタッチ面１ａにヒートシンク材と反応し難いＡ１□０
３の如き無機質粉末４を水又は有機溶剤の助けをかりて
塗布乾燥し、ついでセラミック２とヒートシンク材１と
をロウ付け３した後、この無機質粉末を除去して目的と
する基板を製造した。
ージの製造 第１図に示すようにＵ字型の壁体を有するコバールヒー
トシンク材１をセラミック２に接合する場合、予めダイ
アタッチ面１ａにヒートシンク材と反応し難いＡ１□０
３の如き無機質粉末４を水又は有機溶剤の助けをかりて
塗布乾燥し、ついでセラミック２とヒートシンク材１と
をロウ付け３した後、この無機質粉末を除去して目的と
する基板を製造した。
ロウ付けでもロウ材はダイアタッチ面に流れ出さなかっ
た。
た。
因みにダイアタッチ面上への銀ロツ流れ発生率をのべれ
ば、実施例１ （本発明）の場合Ｏ／１０００であるの
に対し、無機質粉末を用いない従来の製造法では８５６
／１０００発住した。
ば、実施例１ （本発明）の場合Ｏ／１０００であるの
に対し、無機質粉末を用いない従来の製造法では８５６
／１０００発住した。
例２ 銅タングステン（ヒートシンク材）付フラットパ
ッケージの製造 第２図に示すように段差部はあるが、はソ゛板状の銅タ
ングステンヒートシンク材１を用いてセラミック２に接
合する場合、予めダイアタッチ面１ａにＡＩＪ３の如き
ヒートシンク材と反応し難い無機質粉末４を水又は有機
溶剤を用いて塗布乾燥し、ついでセラミック２とヒート
シンク材１とをロウ材によりロウ付け３して接続した後
、この無機質粉末４を除去して目的とする基板を製造し
た。
ッケージの製造 第２図に示すように段差部はあるが、はソ゛板状の銅タ
ングステンヒートシンク材１を用いてセラミック２に接
合する場合、予めダイアタッチ面１ａにＡＩＪ３の如き
ヒートシンク材と反応し難い無機質粉末４を水又は有機
溶剤を用いて塗布乾燥し、ついでセラミック２とヒート
シンク材１とをロウ材によりロウ付け３して接続した後
、この無機質粉末４を除去して目的とする基板を製造し
た。
ロウ付けでロウ材がダイアタッチ面１ａに流れ出さなか
った。
った。
例１２例２において無機質粉末は、水流噴霧或いは超音
波洗滌等により除去することができる。又これにより容
易に目的とする基板を得ることができる。
波洗滌等により除去することができる。又これにより容
易に目的とする基板を得ることができる。
無機質粉末を除去後は通常のメソキ工程により表面処理
がなされる。
がなされる。
（発明の効果）
本発明によればダイアタッチ面を被覆しロウ付は作業を
行なうので、ロウ材がダイアタッチ面に流れ出さず、Ｉ
Ｃチップの搭載が容易となり、信頼性の高い半導体装置
を製造することができる。
行なうので、ロウ材がダイアタッチ面に流れ出さず、Ｉ
Ｃチップの搭載が容易となり、信頼性の高い半導体装置
を製造することができる。
第１図、第２図は本発明の方法のロウ付直後の状態の各
側を示すための断面図、第３図は従来の技術によりロウ
付した状態を示す断面図である。 １・・・セラミック ２・・・ヒートシンク材３・・
・ロウ付け ４・・・無機質粉末代理人 弁理士
竹 内 守
側を示すための断面図、第３図は従来の技術によりロウ
付した状態を示す断面図である。 １・・・セラミック ２・・・ヒートシンク材３・・
・ロウ付け ４・・・無機質粉末代理人 弁理士
竹 内 守
Claims (1)
- セラミックパッケージを構成するセラミックにヒート
シンクを接合するに当り、ヒートシンク上のダイアタッ
チ面にヒートシンクを構成している材料と加熱反応しな
い無機質粉末を被覆した後、前記セラミックとヒートシ
ンクとの接合面をロウ付けすることを特徴とするヒート
シンク付セラミックパッケージ基板の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9574088A JPH01268157A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | ヒートシンク付セラミックパッケージ基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9574088A JPH01268157A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | ヒートシンク付セラミックパッケージ基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01268157A true JPH01268157A (ja) | 1989-10-25 |
Family
ID=14145887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9574088A Pending JPH01268157A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | ヒートシンク付セラミックパッケージ基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01268157A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5444025A (en) * | 1991-10-23 | 1995-08-22 | Fujitsu Limited | Process for encapsulating a semiconductor package having a heat sink using a jig |
-
1988
- 1988-04-20 JP JP9574088A patent/JPH01268157A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5444025A (en) * | 1991-10-23 | 1995-08-22 | Fujitsu Limited | Process for encapsulating a semiconductor package having a heat sink using a jig |
| US5659200A (en) * | 1991-10-23 | 1997-08-19 | Fujitsu, Ltd. | Semiconductor device having radiator structure |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6797797B2 (ja) | セラミックス金属回路基板およびそれを用いた半導体装置 | |
| JP3063299B2 (ja) | 半導体装置実装用基板 | |
| US6770513B1 (en) | Thermally enhanced flip chip packaging arrangement | |
| JPH03248541A (ja) | 半導体パッケージ | |
| JPH01268157A (ja) | ヒートシンク付セラミックパッケージ基板の製造方法 | |
| JP2002359453A (ja) | 回路基板及びその製造方法 | |
| JP6966556B2 (ja) | 光学部品の製造方法及び透明封止部材の製造方法 | |
| JP3036291B2 (ja) | 半導体装置の実装構造 | |
| JPH07235633A (ja) | マルチチップモジュール | |
| JPH0661368A (ja) | フリップチップ型半導体装置 | |
| JPH0618242B2 (ja) | ハイブリツド集積回路 | |
| JP3463790B2 (ja) | 配線基板 | |
| JPS6384124A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01270337A (ja) | 半導体装置用放熱板 | |
| JPH05235219A (ja) | 高放熱性集積回路パッケージ | |
| JPH0140514B2 (ja) | ||
| JPH0428255A (ja) | 半導体冷却装置 | |
| JPS61292942A (ja) | 半導体用基板 | |
| JPH098188A (ja) | ヒートスプレッダー | |
| JPS6086840A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6351690A (ja) | セラミツク配線基板の製法 | |
| JPH02276265A (ja) | 半導体装置の放熱構造 | |
| JPH03241859A (ja) | 半導体装置 | |
| Baudrand | The Role of Electroless Nickel in Multi-Chip Module (MCM-C) Fabrication | |
| JPS62130283A (ja) | セラミツク基板へのＣｕコ−テイング方法 |