JPH02276265A - 半導体装置の放熱構造 - Google Patents
半導体装置の放熱構造Info
- Publication number
- JPH02276265A JPH02276265A JP1097774A JP9777489A JPH02276265A JP H02276265 A JPH02276265 A JP H02276265A JP 1097774 A JP1097774 A JP 1097774A JP 9777489 A JP9777489 A JP 9777489A JP H02276265 A JPH02276265 A JP H02276265A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- semiconductor device
- metal
- plate piece
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 15
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 10
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 abstract description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
半導体装置の放熱構造に関する。
［発明の概要］
本発明は、フレキシブル基板にＩＣチップを実装（以下
ＴＡＢ実装−と称す。）したものを、リジッド基板のパ
ターンへ半田付にてアウターリードボンディングした当
該ＩＣの放熱方法において、熱伝導性の良い金属または
、上２ミック類の平板片をシリコン系の接着剤を用いて
、ＩＣ裏面に接着し、ＩＣから出る熱をこの平板片、あ
るいは平板片を通し、ケース等に放熱させることを特徴
としたものである。
ＴＡＢ実装−と称す。）したものを、リジッド基板のパ
ターンへ半田付にてアウターリードボンディングした当
該ＩＣの放熱方法において、熱伝導性の良い金属または
、上２ミック類の平板片をシリコン系の接着剤を用いて
、ＩＣ裏面に接着し、ＩＣから出る熱をこの平板片、あ
るいは平板片を通し、ケース等に放熱させることを特徴
としたものである。
［従来の技術］
第４図（α）に示すように、フレキシブル基板にＩＣを
ＴＡＢ実装したものに７のモールド塗布し、さらに８の
リードを切断したＴＡＢ実装モールド品（α）を、同図
（ｂ）に示すように２のリジッド基板のパターンへ９の
半田付けによるアクタ−リードボンディングしたＩＣの
放熱は、従来８のリードを通して基板パターンに放熱す
るか、あるいは工Ｏの裏面から空気中に放熱するという
方法であった。
ＴＡＢ実装したものに７のモールド塗布し、さらに８の
リードを切断したＴＡＢ実装モールド品（α）を、同図
（ｂ）に示すように２のリジッド基板のパターンへ９の
半田付けによるアクタ−リードボンディングしたＩＣの
放熱は、従来８のリードを通して基板パターンに放熱す
るか、あるいは工Ｏの裏面から空気中に放熱するという
方法であった。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、前述の従来技術では、パワーエ０のように発熱
量が多いＩＣでは、リジッド基板のパターンによる放熱
あるいは工ａ１４面からの放熱では不充分で、これらパ
ワーエ０の放熱に関しては、対応出来ないという問題を
有する。
量が多いＩＣでは、リジッド基板のパターンによる放熱
あるいは工ａ１４面からの放熱では不充分で、これらパ
ワーエ０の放熱に関しては、対応出来ないという問題を
有する。
そこで、本発明はかかる問題点を解決するもので、その
目的とするところは、上記パワーエ０でも充分放熱が出
来、かつ安価で容易に実装が出来る半導体装置の放熱構
造を提供するところにある［課題を解決するための手段
］ 本発明の半導体装置の放熱構造はフレキシブル基板に１
０チツプをＴＡＢ実装したものを、リジッド基板のパタ
ーンへ半田付にてアラタムリードポンディングした当該
ＩＣの放熱方法において、熱伝導性の良い金属またはセ
ラミック系の平板片をシリコン系の接着剤を用いて、Ｉ
Ｃの裏面に接着し、ＩＣから出る熱をこの平板片、ある
いは平板片を通し、ケース等に放熱させることを特徴と
する。
目的とするところは、上記パワーエ０でも充分放熱が出
来、かつ安価で容易に実装が出来る半導体装置の放熱構
造を提供するところにある［課題を解決するための手段
］ 本発明の半導体装置の放熱構造はフレキシブル基板に１
０チツプをＴＡＢ実装したものを、リジッド基板のパタ
ーンへ半田付にてアラタムリードポンディングした当該
ＩＣの放熱方法において、熱伝導性の良い金属またはセ
ラミック系の平板片をシリコン系の接着剤を用いて、Ｉ
Ｃの裏面に接着し、ＩＣから出る熱をこの平板片、ある
いは平板片を通し、ケース等に放熱させることを特徴と
する。
［実施例］
第１〜第５図は本発明の実施例を示すものである。第１
図は、２のリジッド基板にＴＡＢ実装したＩＣを半田付
によりアウターリードボンディングし、工ａの裏面にシ
リコンの接着剤３を塗布し、セラミックあるいは金属の
平板片１を接着し、ｘＯからの放熱をシリコンの接着剤
を通してセラミックあるいは金属平板の放熱板に熱を逃
がすものである。
図は、２のリジッド基板にＴＡＢ実装したＩＣを半田付
によりアウターリードボンディングし、工ａの裏面にシ
リコンの接着剤３を塗布し、セラミックあるいは金属の
平板片１を接着し、ｘＯからの放熱をシリコンの接着剤
を通してセラミックあるいは金属平板の放熱板に熱を逃
がすものである。
第２図は、第１図のセラミックあるいは金属の平板１枚
で４のＴＡＢ実装置Ｃ４個の放熱をカバーするようにし
たものである。このように数個あるいは数十個のＩＣの
放熱板を１つでカバーすることＫより、放熱板を個々に
実装する場合に比ベニ数の低減がはかれるばかりでなく
、発熱量の異なるＩＣがある場合には、温度上昇の均一
化がはかれ、温度コントロールしやすくなる。第２図は
、拳なる平板片であるが、さらにファンなどによる強制
空冷を行なう場合には、空気の流通性を良くするために
、セラミックあるいは金属の平板片１０所々に穴を明け
、空気の流通性を良＜し、放熱性を向上させることも可
能である。第５図は、セラミックあるいは金属の放熱板
１による放熱だけでな（、金属ケース６に工Ｏからの熱
を放熱板１とシリコンの接着剤５を通して放熱するもの
である。シリコンの接着剤５の代わりに単なる放熱板と
金属ケースの接触、あるいは放熱シートを用いることも
可能である。
で４のＴＡＢ実装置Ｃ４個の放熱をカバーするようにし
たものである。このように数個あるいは数十個のＩＣの
放熱板を１つでカバーすることＫより、放熱板を個々に
実装する場合に比ベニ数の低減がはかれるばかりでなく
、発熱量の異なるＩＣがある場合には、温度上昇の均一
化がはかれ、温度コントロールしやすくなる。第２図は
、拳なる平板片であるが、さらにファンなどによる強制
空冷を行なう場合には、空気の流通性を良くするために
、セラミックあるいは金属の平板片１０所々に穴を明け
、空気の流通性を良＜し、放熱性を向上させることも可
能である。第５図は、セラミックあるいは金属の放熱板
１による放熱だけでな（、金属ケース６に工Ｏからの熱
を放熱板１とシリコンの接着剤５を通して放熱するもの
である。シリコンの接着剤５の代わりに単なる放熱板と
金属ケースの接触、あるいは放熱シートを用いることも
可能である。
［発明の効果コ
従来、ＴＡＢ実装したＩＣをリジッド基板のパターンに
半田付にてアウターリードボンディングした場合の放熱
は、リジッド基板のパ゛ターンからの放熱のみであった
為、発熱量の大きいパワーエ０は上述のようなＴＡＢ実
装したものをリジッド基板に実装して用いることが出来
なかった。
半田付にてアウターリードボンディングした場合の放熱
は、リジッド基板のパ゛ターンからの放熱のみであった
為、発熱量の大きいパワーエ０は上述のようなＴＡＢ実
装したものをリジッド基板に実装して用いることが出来
なかった。
しかし本発明の半導体装置の放熱構造を用いることで、
パワーエ０のＴＡＢ実装したものもリジッド基板へ実装
が可能となるばかりでな（、パワーエ０の発熱量に応じ
て、放熱板のみあるいは、ファン等による強制空冷さら
に金属ケースへの放熱というように用途展開を容易に行
なうことが出来る。また構造もシンプルでコストも安価
で済み経済性の面でも充分メリットがある。
パワーエ０のＴＡＢ実装したものもリジッド基板へ実装
が可能となるばかりでな（、パワーエ０の発熱量に応じ
て、放熱板のみあるいは、ファン等による強制空冷さら
に金属ケースへの放熱というように用途展開を容易に行
なうことが出来る。また構造もシンプルでコストも安価
で済み経済性の面でも充分メリットがある。
第１図は本発明における半導体装置の放熱構造の実施例
を示す断面図。 第２図は、第１図の平面図。 第３図は、本発明の他の実施例を示す断面図。 第４図（ａ）は従来技術のＴＡＢ実装実装置基施例を示
す断面図。 第４図（ｂ）は、従来技術のＴＡＢ実装実装置基板実装
後の断面図。 １・・・・・・・・・セラミックあるいは金属の平板片
２・・・・・・・・・リジッド基板 ５・・・・・・・・・シリコンの接着剤４・・・・・・
・・・ＴＡＢ実装ＩＣ ５・・・・・・・・・シリコン接着剤 ６・・・・・・・・・金属ケース ７・・・・・・・・・モールド剤 ８・・・・・・・・・リード ９、・・・・・・・・・半 田
を示す断面図。 第２図は、第１図の平面図。 第３図は、本発明の他の実施例を示す断面図。 第４図（ａ）は従来技術のＴＡＢ実装実装置基施例を示
す断面図。 第４図（ｂ）は、従来技術のＴＡＢ実装実装置基板実装
後の断面図。 １・・・・・・・・・セラミックあるいは金属の平板片
２・・・・・・・・・リジッド基板 ５・・・・・・・・・シリコンの接着剤４・・・・・・
・・・ＴＡＢ実装ＩＣ ５・・・・・・・・・シリコン接着剤 ６・・・・・・・・・金属ケース ７・・・・・・・・・モールド剤 ８・・・・・・・・・リード ９、・・・・・・・・・半 田
Claims (1)
- フレキシブル基板にＩＣチップを実装し通称ＴＡＢ実装
）し、それをリジッド基板のパターンへ半田付にてアウ
ターリードボンディングした当該ＩＣの放熱方法におい
て、熱伝導性の良い金属またはセラミック系の平板片を
シリコン系の接着剤を用いて、ＩＣ裏面に接着し、ＩＣ
から出る熱をこの平板片、あるいは、平板片を通し、ケ
ース等に放熱させることを特徴とする半導体装置の放熱
構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1097774A JPH02276265A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 半導体装置の放熱構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1097774A JPH02276265A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 半導体装置の放熱構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02276265A true JPH02276265A (ja) | 1990-11-13 |
Family
ID=14201189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1097774A Pending JPH02276265A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 半導体装置の放熱構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02276265A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992010000A1 (de) * | 1990-11-24 | 1992-06-11 | Robert Bosch Gmbh | Leistungsbausteine mit elektrisch isolierender thermischer ankopplung |
-
1989
- 1989-04-18 JP JP1097774A patent/JPH02276265A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992010000A1 (de) * | 1990-11-24 | 1992-06-11 | Robert Bosch Gmbh | Leistungsbausteine mit elektrisch isolierender thermischer ankopplung |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0294545A (ja) | 集積回路実装体及びヒートシンク構造体 | |
| KR20060101400A (ko) | 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 | |
| JPH02276265A (ja) | 半導体装置の放熱構造 | |
| JPS59219942A (ja) | チツプキヤリア | |
| JPH02291160A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03174749A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6063952A (ja) | レジン封止半導体装置の実装方法 | |
| JPH11312770A (ja) | 薄型ｉｃの放熱フィン | |
| JP2745786B2 (ja) | Ｔａｂ半導体装置 | |
| JPH06252299A (ja) | 半導体装置及びこの半導体装置を実装した基板 | |
| JPH0922970A (ja) | 電子部品 | |
| JPH0982883A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3119569B2 (ja) | 発熱素子の放熱構造 | |
| JPH07336009A (ja) | 半導体素子の放熱構造 | |
| JPS6111469B2 (ja) | ||
| JPH0650397U (ja) | 電気部品実装装置 | |
| JPH01282846A (ja) | 混成集積回路 | |
| JP3608542B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08264910A (ja) | 放熱板付きプリント配線板の作製方法及びプリント配線板へのハイパワー部品の実装方法 | |
| JPH1187576A (ja) | 基 板 | |
| KR20000039152A (ko) | 반도체패키지용 인쇄회로기판 및 그 제조방법 | |
| JPH01220889A (ja) | 電子装置 | |
| JP2878846B2 (ja) | パッケージ | |
| JPH06181395A (ja) | 放熱形プリント配線板 | |
| JPH04162457A (ja) | 混成集積回路装置 |