JPH02291160A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置に関し、特に制御用のた子と、電
力用の素子とを有する半導体装置に関するものである。

〔従来の技術〕

第４図は従来の半Ｊｌ９体装置の構造を示す断而図であ
る。図において、（１）は上側表面に絶縁層を設けた金
属よりなるベース板で、その下側表面を放熱板に密着し
て取り付けられる。（２）はこのベース板（１）上に設
けられるパワー素子である。（３）はこのパワー素子（
２）の出力を外部に伝える出力端子、（４）は前記ベー
ス板（１）の上部に配設される絶縁材よりなる制御基板
、（５）はこの制御基板（４）上に取り付けられる能動
素子である制御素子、（６）は前記制御素子（５）に外
部からの入力信号を伝える入力端子である。（７）は前
記制御素子（５）が出力する制御信号を前記パワー素子
（２）に伝える、金属よりなる接続端子である。（８）
は前記ベース板（１）、制御塙板（４）を取り囲むよう
に形成される絶縁材よりなるケースである。（９）はこ
のケース（８）内に注入され加熱することにより硬化す
る熱硬化性の樹脂である。

このような半導体装置は、例えばモーターの駆動に用い
られるもので、入力端子（６）に入れられた入力信号に
従って、制御素子（５）が接続端子（７）を通して、制
御信号をパワー素子（２）へ出力する０この制御信号に
従ってパワー素子（２）がモーターの接続された出力端
子（３）に出力する。そして、ノぐワー素子（２）の発
生する熱をベース板（１）からこのベース板（１）が密
着して取り付けられた放熱板を通して放熱する。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の半導体装置は、以上のように構成されており能動
素子（５）がパワー素子（２）の上部にあり、このパワ
ー素子（２）の発生する熱によりノ《ワー素子（２）の
上部に載置される能動素子（５）の温度が上昇し、その
機能がベース板（１）の温度で規制されていた。

本発明は、上記のような欠点を解消するためになされた
もので、能動素子の温度上昇を抑止できる半導体装置を
得ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る半導体装置は、パワー素子を載置する第１
の基板と、この第１の基板の上部に配設され、能動素子
を載置する第２の基板と、前記第１、第２の基板を取り
囲むように形成された絶縁材よりなるグースとを備え、
前記能動素子を前記第２の基板上で前記パワー素子の上
部領域を避けて載置したものである。

また、パワー素子を載置する第１の基板と、この第１の
基板の上部に配設され、能動素子を＋ｆｆＪ記パワー素
子の上部領域を避けて載１１ｔする第２の基板と、この
第２の基板を取り囲み、前記能動素子が載置された領域
の下部に放熱手段となる凹部を設けた構造のケースとを
備えたものである。

さらに、前記第２の基板の一表面に当接され、一部が前
記ケースの外に突出する放熱手段となる放熱板を備えた
ものである。

〔作　用〕

本発明によれば、第１の基板の上部に配設される第２の
基板上で、制御素子を第１の基板上に載置されるパワー
素子の上部領域を避けて載置することにより、熱源であ
るパワー素子から遠ざけることができる。

また、ケースの前記制御素子が載置された領域の下部に
凹部を設けることによりこの凹部を外気が流れることが
できる。

そして、第２の基板の一表面に当接され、一部が前記ケ
ースの外に突出する放熱板により前記制御基板の持つ熱
を放熱できる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図に従って説明する。

なお、従来の技術と重複する部分は、適宜その説明を省
略する。

第１図は本発明の一実施例を示した断面図である。図に
おいて、（２）〜（７）及び（９）は従来のものと同じ
ものである。αＯは第１の基板となる、上側表面に絶縁
層を設けた金禎よりなるベース板、αυは前記ベース板
α０、制御基板（４）を取り囲むように形成される絶縁
材よりなるケースである。

このような半導体装置は、例えばモーターの駆動に川い
られるもので、入力端子（６）に入れられた入力信号に
従って制御素子（５）が接続端子（７）を通して制御信
号をパワー素子（２）へ出力する。この制御信号に従っ
てパワー素子（２）がモーターの接続された出力端子（
３）に出力する。そして、パワー素子（２）の発生する
熱をベース板（１）からこのベース板（１）が密着して
取り付けられた放熱板を通して放熱する、ここで、制御
素子（５）をパワー素子（２）の上部を避けて載置する
ことにより制御素子の温度上昇を低減できる。

第２図は本発明の他の実施例を示した断面図である。図
において、（２）〜（７）及び（９）は従来のものと同
じもの、００は第１図に示すものと同じものである。（
自）は前記制御基板（４）を取り囲み、前記制御素子（
５）が載置された領域の下部に凹部を設けた構造の絶縁
材よりなるケースである。

このような半導体装置は、制御素子（５）の下部に設け
られた凹部を流れる外気による空冷効果により制御素子
（５）の温度上昇．を低減できる。

第３図は本発明のさらに他の実施例を示した断面図であ
る。図において、（２）〜（７）及び（９）は従来のも
のと同じもの、００、（自）は第２図に示すものと同じ
ものである。（自）は前記制御基板（４）の一表面に当
接され一部が前記ケースａ斧の外に突出する放熱板であ
る。

このような半導体装置は、制御基板（４）の一表面に当
接され、一部がケース０斧の外に突出する放熱板α３に
よる放熱により、制御素子（５）の温度上昇を抑止でき
る。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、能動素子を、パワー素子
の上部領域を避けて載置することにより、能動素子の温
度上昇を低減でき、この半導体装置の信頼性を向上でき
る。

又、能動素子の下部に凹部を設けた構造のグースを用い
ることにより、その凹部を流れる外気による空冷効果で
、能動素子の温度上昇を低減でき、この牛導体装置の信
頼性を向上できる。

そして、制御基板に当接させて放熱板を取り付けたこと
により能動素子の温度上昇を抑えることができ、この半
導体装置の信頼性を向上できる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図は本発明の一実施例の半導体装
置の構造を示す断面図、第４図は従来の半導体装置の構
造を示す断面図である。 図において、（１）、ＱＯ・・・ベース板、（２）・・
・パワー素子、（４）・・・制御基板、（５）・制御素
子、（８）、０１）、（ｊク・・・ケース、αａ・・・
放熱板である。 なお、各図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）パワー素子を載置する第１の基板と、この第１の
   基板の上部に配設され、能動素子を載置する第２の基板
   と、前記第１、第２の基板を取り囲むように形成された
   ケースとを備え、前記能動素子を前記第２の基板上で前
   記パワー素子の上部領域を避けて載置した半導体装置。
2. （２）パワー素子を載置する第１の基板と、この第１の
   基板の上部に配設され、能動素子をパワー素子の上部領
   域を避けて載置する第２の基板と、この第２の基板を取
   り囲むケースの、前記能動素子が載置された領域の下部
   に設けた凹部よりなる、あるいは前記第２の基板の表面
   に当接してその一部が前記ケースの外に突出する放熱板
   よりなる、放熱手段を備えた半導体装置。