JPH04162457A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
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- JPH04162457A JPH04162457A JP2286106A JP28610690A JPH04162457A JP H04162457 A JPH04162457 A JP H04162457A JP 2286106 A JP2286106 A JP 2286106A JP 28610690 A JP28610690 A JP 28610690A JP H04162457 A JPH04162457 A JP H04162457A
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、混成集積回路装置に関し、特に、ガラスエポ
キシ基板上にパワー用半導体ＩＣペレットを搭載し、放
熱板を取り付けて形成される混成集積回路装置に関する
。
キシ基板上にパワー用半導体ＩＣペレットを搭載し、放
熱板を取り付けて形成される混成集積回路装置に関する
。
従来、パワー用の混成集積回路装置は、パターンの形成
されたセラミック基板又はガラスエポキシ基板上に半導
体ＩＣペレットを搭載し、Ａｕワイヤ又はＡｌワイヤに
よってボンディングを行い、樹脂により半導体ＩＣペレ
ットを覆い、その後、チップコンデンサ、チップ抵抗等
の部品を搭載し半田付けを行い放熱板を取り付けて形成
する方法と、絶縁層を介してパターンが形成されたアル
ミ等の金属基板上に半導体ＩＣペレットを搭載し、Ａｕ
ワイヤ又はＡ１ワイヤによってボンディングを行い樹脂
により半導体ＩＣペレットを覆い、その後、チップコン
デンサ、チップ抵抗等の部品を搭載し、半田付けを行っ
て形成する方法とがある。
されたセラミック基板又はガラスエポキシ基板上に半導
体ＩＣペレットを搭載し、Ａｕワイヤ又はＡｌワイヤに
よってボンディングを行い、樹脂により半導体ＩＣペレ
ットを覆い、その後、チップコンデンサ、チップ抵抗等
の部品を搭載し半田付けを行い放熱板を取り付けて形成
する方法と、絶縁層を介してパターンが形成されたアル
ミ等の金属基板上に半導体ＩＣペレットを搭載し、Ａｕ
ワイヤ又はＡ１ワイヤによってボンディングを行い樹脂
により半導体ＩＣペレットを覆い、その後、チップコン
デンサ、チップ抵抗等の部品を搭載し、半田付けを行っ
て形成する方法とがある。
この従来のセラミック基板又はガラスエポキシ基板では
、熱伝導率が悪いため、放熱板を付けたものとしてもあ
る程度のパワー以上の半導体ＩＣペレットは搭載できな
くなるという問題点がある。しかし、この場合は、金属
基板を使用すればパワーの問題は解決するのであるが、
パワー用の半導体ＩＣペレットが多ピンの場合、金属基
板では微細パターン化が困難のため金属基板上にパター
ンが形成できないという問題点が生じる。
、熱伝導率が悪いため、放熱板を付けたものとしてもあ
る程度のパワー以上の半導体ＩＣペレットは搭載できな
くなるという問題点がある。しかし、この場合は、金属
基板を使用すればパワーの問題は解決するのであるが、
パワー用の半導体ＩＣペレットが多ピンの場合、金属基
板では微細パターン化が困難のため金属基板上にパター
ンが形成できないという問題点が生じる。
本発明の混成集積回路装置は、パワー用半導体ＩＣペレ
ットを搭載される部分がくりぬかれたガラスエポシ基板
の裏面に金属製の放熱板を貼り合わせて、前記放熱板上
に直接パワー用半導体ＩＣペレットを搭載し、前記ガラ
スエポキシ基板上のパターンとパワー用半導体ＩＣペレ
ットのボンディングパッドとをＡｕワイヤで接続して形
成している。
ットを搭載される部分がくりぬかれたガラスエポシ基板
の裏面に金属製の放熱板を貼り合わせて、前記放熱板上
に直接パワー用半導体ＩＣペレットを搭載し、前記ガラ
スエポキシ基板上のパターンとパワー用半導体ＩＣペレ
ットのボンディングパッドとをＡｕワイヤで接続して形
成している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の第１の実施例を示す平面図で、第２
図はそのＸ−Ｘにおける断面図である。
図はそのＸ−Ｘにおける断面図である。
先ず、図のようにパワー用半導体ＩＣペレット３が搭載
される部分が、ペレットサイズより上下左右０．５ｍｍ
づつ大きくくり抜かれたガラスエポキシ基板１の裏面に
アルミ製放熱板２を接着剤６により貼り合わせる。次に
、アルミ製放熱板２上に直接接着剤６でパワー用半導体
ＩＣペレット３をマウントする。次、Ａｕワイヤ４によ
りガラスエポキシ基板１上のパターンとパワー用半導体
ＩＣペレット３上のボンディングパッドを接続して、そ
の後、Ａｕワイヤ４とパワー用半導体ＩＣペレットを保
護するためにエポキシ樹脂５で覆う。
される部分が、ペレットサイズより上下左右０．５ｍｍ
づつ大きくくり抜かれたガラスエポキシ基板１の裏面に
アルミ製放熱板２を接着剤６により貼り合わせる。次に
、アルミ製放熱板２上に直接接着剤６でパワー用半導体
ＩＣペレット３をマウントする。次、Ａｕワイヤ４によ
りガラスエポキシ基板１上のパターンとパワー用半導体
ＩＣペレット３上のボンディングパッドを接続して、そ
の後、Ａｕワイヤ４とパワー用半導体ＩＣペレットを保
護するためにエポキシ樹脂５で覆う。
上記実施例により、多ピンのパワー用半導体ＩＣペレッ
ｌ〜を搭載することが可能になると共にパワー用半導体
ＩＣペレット発熱を抑えることができる。
ｌ〜を搭載することが可能になると共にパワー用半導体
ＩＣペレット発熱を抑えることができる。
第３図は、本発明の第２の実施例を示す平面図て、第４
図はそのＸ−Ｘにおける断面図である。
図はそのＸ−Ｘにおける断面図である。
この第２の実施例は、第１の実施例に使用している放熱
板の替わりに、凹凸を有するアルミ製放熱板７を使用す
ることにより、放熱するための表面積が増えて放熱効果
が上がり、よりパワーの大きい半導体ＩＣペレットを搭
載することが可能となる。
板の替わりに、凹凸を有するアルミ製放熱板７を使用す
ることにより、放熱するための表面積が増えて放熱効果
が上がり、よりパワーの大きい半導体ＩＣペレットを搭
載することが可能となる。
以上説明したように本発明は、ガラスエポキシ基板と金
属製の放熱板を貼り合せて、放熱板の上に直接パワー用
半導体ＩＣペレットを搭載することにより放熱効果を上
げることができると共に、パターンはガラスエポキシ基
板上に形成するので、微細パターンが可能となり、多ピ
ンのパワー用半導体ＩＣペレットの搭載ができるという
効果を有する。
属製の放熱板を貼り合せて、放熱板の上に直接パワー用
半導体ＩＣペレットを搭載することにより放熱効果を上
げることができると共に、パターンはガラスエポキシ基
板上に形成するので、微細パターンが可能となり、多ピ
ンのパワー用半導体ＩＣペレットの搭載ができるという
効果を有する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す平面図、第２図は
、第１図のＸ−Ｘ断面図、第３図は本発明の第２の実施
例を示す平面図、第４図は第３図のＸ−Ｘ断面図である
。 １・・ガラスエポキシ基板、２・・・アルミ製放熱板、
３・・・パワー用半導体ＩＣペレット、４・・・Ａｕワ
イヤ、５・・・エポキシ樹脂、６・・・接着剤、７・・
・凹凸を有するアルミ製放熱板。
、第１図のＸ−Ｘ断面図、第３図は本発明の第２の実施
例を示す平面図、第４図は第３図のＸ−Ｘ断面図である
。 １・・ガラスエポキシ基板、２・・・アルミ製放熱板、
３・・・パワー用半導体ＩＣペレット、４・・・Ａｕワ
イヤ、５・・・エポキシ樹脂、６・・・接着剤、７・・
・凹凸を有するアルミ製放熱板。
Claims (1)
- パワー用半導体ＩＣペレットを搭載される部分がくり
抜かれたガラスエポキシ基板の裏面に金属製の放熱板を
貼り合わせて、前記ガラスエポキシ基板のくり抜かれた
部分の前記放熱板上に直接パワー用半導体ＩＣペレット
を接着剤でマウントし、前記ガラスエポキシ基板上のパ
ターンと前記パワー用半導体ＩＣペレットのボンディン
グパッドとをＡｕワイヤで接続して形成したことを特徴
する混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2286106A JPH04162457A (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2286106A JPH04162457A (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04162457A true JPH04162457A (ja) | 1992-06-05 |
Family
ID=17700014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2286106A Pending JPH04162457A (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04162457A (ja) |
-
1990
- 1990-10-24 JP JP2286106A patent/JPH04162457A/ja active Pending
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