JPH043505Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH043505Y2 JPH043505Y2 JP5723286U JP5723286U JPH043505Y2 JP H043505 Y2 JPH043505 Y2 JP H043505Y2 JP 5723286 U JP5723286 U JP 5723286U JP 5723286 U JP5723286 U JP 5723286U JP H043505 Y2 JPH043505 Y2 JP H043505Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- substrate
- support
- chip
- semiconductor
- Prior art date
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- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
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- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
本考案は、半導体チツプがその一面に設けられ
た突起状電極を絶縁基板上の配線導体と結合す
る、いわゆるフエイスダウンボンデイング法によ
り実装された半導体装置に関する。
た突起状電極を絶縁基板上の配線導体と結合す
る、いわゆるフエイスダウンボンデイング法によ
り実装された半導体装置に関する。
半導体チツプは通常パツケージに組立て、その
パツケージを多数プリント板等に実装して電子装
置が構成される。このようにプリント板等に多数
ICを実装した場合、個々のICからの発熱が問題
となる。半導体チツプに許容されるチツプ内発熱
量は、チツプ内の接合からパツケージに至る熱抵
抗によつて制限される。通常のセラミツクパツケ
ージでは、大気への熱抵抗がほぼ40〜70℃／Ｗで
ある。しかしこれは、チツプ裏面をパツケージに
全面的に接着できる半導体チツプの場合である。
本考案の対象であるフエイスダウンボンデイング
により実装された半導体チツプでは、裏面が基板
と反対側に来るから、基板への放熱が期待できな
いので、熱抵抗はさらに大きくなる。フエイスダ
ウンボンデイング法はチツプ実装上高密度化が達
成できる利点があるが、放熱の点では不利であ
り、冷却方法に改善が見られなければ、今後進展
する高集積度化、高密度実装化に対応できなくな
る問題点があつた。
パツケージを多数プリント板等に実装して電子装
置が構成される。このようにプリント板等に多数
ICを実装した場合、個々のICからの発熱が問題
となる。半導体チツプに許容されるチツプ内発熱
量は、チツプ内の接合からパツケージに至る熱抵
抗によつて制限される。通常のセラミツクパツケ
ージでは、大気への熱抵抗がほぼ40〜70℃／Ｗで
ある。しかしこれは、チツプ裏面をパツケージに
全面的に接着できる半導体チツプの場合である。
本考案の対象であるフエイスダウンボンデイング
により実装された半導体チツプでは、裏面が基板
と反対側に来るから、基板への放熱が期待できな
いので、熱抵抗はさらに大きくなる。フエイスダ
ウンボンデイング法はチツプ実装上高密度化が達
成できる利点があるが、放熱の点では不利であ
り、冷却方法に改善が見られなければ、今後進展
する高集積度化、高密度実装化に対応できなくな
る問題点があつた。
本考案は、半導体チツプを裏面を直接ヒートシ
ンク等へ接触させにくいフエイスダウンボンデイ
ング法によりながら放熱が十分に行えるように実
装して高集積度化、高密度実装化を可能にする半
導体装置を提供することを目的とする。
ンク等へ接触させにくいフエイスダウンボンデイ
ング法によりながら放熱が十分に行えるように実
装して高集積度化、高密度実装化を可能にする半
導体装置を提供することを目的とする。
本考案は、絶縁基板上の半導体チツプを絶縁物
よりなる支持体が囲み、ほぼ同一平面をなすその
スペーサの上面および半導体チツプの反基板側の
面に接触する放熱体を備えるもので、これにより
半導体チツプの裏面から直接放熱されるので上記
の目的が達成される。
よりなる支持体が囲み、ほぼ同一平面をなすその
スペーサの上面および半導体チツプの反基板側の
面に接触する放熱体を備えるもので、これにより
半導体チツプの裏面から直接放熱されるので上記
の目的が達成される。
第１図に示したのが、本考案の一実施例であ
る。第１図ａに示すごとく、あらかじめ配線パタ
ーン４が形成されている絶縁基板１に、バンプ等
の突起電極を設けた半導体チツプ２をフエイスダ
ウンボンデイング法により取り付ける。一方、第
１図ｂに示したようなチツプのはまるところだけ
穴３１を開けた支持体３を硬質シリコーンゴムま
たはシリコーン樹脂にて注型加工し、それとチツ
プ２が実装された基板１とを合わせて第１図ｃの
ように固着する。こうすることにより、基板１上
の配線パターンおよび半導体チツプ２のバンプ電
極等を保護することができる。 第２図に示したのは、第１図ｃのＸ−Ｘ線部断
面図である。支持体３はチツプ２とチツプ３との
間隙に埋設されチツプ裏面はむき出しになつてい
る。しかも、支持体３の厚さが基板１の裏面から
半導体チツプ２の裏面までの距離とほぼ同じとな
つている。このことにより、チツプ２の裏面がむ
き出しになつている面が平坦化される。 第３図に示したのが具体的な冷却方法である。
支持体３を設けた基板１に冷却媒体を通すための
カバー５を固着し、入口５１より出口５２に向け
純水あるいはフレオンガス（米国デユポン社商品
名）のような冷却媒体を強制的に流すことにより
半導体チツプ２の裏面から直接放熱することがで
き、従来放熱が困難であつたフエイスダウンボン
デイング法により実装された半導体チツプをも熱
抵抗を最小にして効率よく冷却できる。なお、カ
バー５を用いないで半導体チツプを支持体に埋設
し、裏面に直接冷却媒体を接触させてもよい。 第４図に示した例は、ヒートシンク６を直接チ
ツプ２の裏面に接触させた場合の例であり、これ
は支持体３がヒートシンク取付けのための圧着応
力を主に受け、チツプ２に過大な力が加わらなく
なるので可能となるものである。
る。第１図ａに示すごとく、あらかじめ配線パタ
ーン４が形成されている絶縁基板１に、バンプ等
の突起電極を設けた半導体チツプ２をフエイスダ
ウンボンデイング法により取り付ける。一方、第
１図ｂに示したようなチツプのはまるところだけ
穴３１を開けた支持体３を硬質シリコーンゴムま
たはシリコーン樹脂にて注型加工し、それとチツ
プ２が実装された基板１とを合わせて第１図ｃの
ように固着する。こうすることにより、基板１上
の配線パターンおよび半導体チツプ２のバンプ電
極等を保護することができる。 第２図に示したのは、第１図ｃのＸ−Ｘ線部断
面図である。支持体３はチツプ２とチツプ３との
間隙に埋設されチツプ裏面はむき出しになつてい
る。しかも、支持体３の厚さが基板１の裏面から
半導体チツプ２の裏面までの距離とほぼ同じとな
つている。このことにより、チツプ２の裏面がむ
き出しになつている面が平坦化される。 第３図に示したのが具体的な冷却方法である。
支持体３を設けた基板１に冷却媒体を通すための
カバー５を固着し、入口５１より出口５２に向け
純水あるいはフレオンガス（米国デユポン社商品
名）のような冷却媒体を強制的に流すことにより
半導体チツプ２の裏面から直接放熱することがで
き、従来放熱が困難であつたフエイスダウンボン
デイング法により実装された半導体チツプをも熱
抵抗を最小にして効率よく冷却できる。なお、カ
バー５を用いないで半導体チツプを支持体に埋設
し、裏面に直接冷却媒体を接触させてもよい。 第４図に示した例は、ヒートシンク６を直接チ
ツプ２の裏面に接触させた場合の例であり、これ
は支持体３がヒートシンク取付けのための圧着応
力を主に受け、チツプ２に過大な力が加わらなく
なるので可能となるものである。
本考案によれば、フエイスダウンボンデイング
法で絶縁基板上に実装される半導体チツプと共に
半導体チツプ裏面とほぼ同一平面を形成する支持
体を装着することにより、半導体チツプ裏面に直
接冷却媒体の通路あるいはヒートシンクのような
放熱体を接触させて冷却することができるため放
熱効果が十分得られる。この結果、従来困難とさ
れていた消費電力の大きいICチツプのフエイス
ダウンボンデイングが可能となるため、高密度実
装化された半導体装置が得られる。
法で絶縁基板上に実装される半導体チツプと共に
半導体チツプ裏面とほぼ同一平面を形成する支持
体を装着することにより、半導体チツプ裏面に直
接冷却媒体の通路あるいはヒートシンクのような
放熱体を接触させて冷却することができるため放
熱効果が十分得られる。この結果、従来困難とさ
れていた消費電力の大きいICチツプのフエイス
ダウンボンデイングが可能となるため、高密度実
装化された半導体装置が得られる。
第１図は本考案の一実施例の組立工程を順次示
す斜視図、第２図は第１図ａのＸ−Ｘ線部断面
図、第３図は放熱体の一実施例の断面図、第４図
は放熱体の別の実施例の断面図である。 １……絶縁基板、２……半導体チツプ、３……
支持体、４……配線パターン、５……カバー、６
……ヒートシンク。
す斜視図、第２図は第１図ａのＸ−Ｘ線部断面
図、第３図は放熱体の一実施例の断面図、第４図
は放熱体の別の実施例の断面図である。 １……絶縁基板、２……半導体チツプ、３……
支持体、４……配線パターン、５……カバー、６
……ヒートシンク。
Claims (1)
- 半導体チツプがその一面に設けられた突起状電
極を絶縁基板上の配線導体と結合することによつ
て実装されるものにおいて、半導体チツプが絶縁
物よりなる支持体により囲まれ、ほぼ同一平面を
なす支持体の上面および半導体チツプの反基板側
の面に接触する放熱体を備えたことを特徴とする
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5723286U JPH043505Y2 (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5723286U JPH043505Y2 (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62168649U JPS62168649U (ja) | 1987-10-26 |
| JPH043505Y2 true JPH043505Y2 (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=30886752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5723286U Expired JPH043505Y2 (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH043505Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-04-16 JP JP5723286U patent/JPH043505Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62168649U (ja) | 1987-10-26 |
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