JPH0677366A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0677366A JPH0677366A JP4107163A JP10716392A JPH0677366A JP H0677366 A JPH0677366 A JP H0677366A JP 4107163 A JP4107163 A JP 4107163A JP 10716392 A JP10716392 A JP 10716392A JP H0677366 A JPH0677366 A JP H0677366A
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- semiconductor chip
- heat sink
- heat
- semiconductor device
- semiconductor
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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-
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】半導体チップから発生する熱の一部をヒートシ
ンクまで伝導させるのを容易にし、半導体チップを所定
の温度まで冷却する。 【構成】P型シリコン半導体チップ11a,11b,1
1c、およびN型半導体チップ10a,10b,10c
の対向する2面に各々金属板片8a,8b,8c,8
d,9a,9b,9cを具備させ、電気的に直列接続し
た吸放熱部13を有するヒートシンク12付き半導体装
置。吸放熱部13に所定の電流を流すことで発生するペ
ルチェ効果を利用して、半導体チップ3から発生する熱
をヒートシンク12へ伝導するのを容易にする。
ンクまで伝導させるのを容易にし、半導体チップを所定
の温度まで冷却する。 【構成】P型シリコン半導体チップ11a,11b,1
1c、およびN型半導体チップ10a,10b,10c
の対向する2面に各々金属板片8a,8b,8c,8
d,9a,9b,9cを具備させ、電気的に直列接続し
た吸放熱部13を有するヒートシンク12付き半導体装
置。吸放熱部13に所定の電流を流すことで発生するペ
ルチェ効果を利用して、半導体チップ3から発生する熱
をヒートシンク12へ伝導するのを容易にする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
ヒートシンク付きの半導体装置に関する。
ヒートシンク付きの半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、図2に示すように、絶縁基体1の
所定箇所の切り欠き部2に半導体チップ3をダイボンデ
ィングし、金線4にて切り欠き部2の所定電極(図示せ
ず)と半導体チップ3の所定電極とをワイヤボンディン
グ法にて電気的に接続させ、絶縁基体1内の配線導体
(図示せず)により、所定の外部端子5へ電気的に接続
し、さらにキャップ6にて封止し、ヒートシンク12を
半導体チップ3搭載面と反対側の絶縁基体1の表面へ具
備した半導体装置がある。
所定箇所の切り欠き部2に半導体チップ3をダイボンデ
ィングし、金線4にて切り欠き部2の所定電極(図示せ
ず)と半導体チップ3の所定電極とをワイヤボンディン
グ法にて電気的に接続させ、絶縁基体1内の配線導体
(図示せず)により、所定の外部端子5へ電気的に接続
し、さらにキャップ6にて封止し、ヒートシンク12を
半導体チップ3搭載面と反対側の絶縁基体1の表面へ具
備した半導体装置がある。
【0003】この半導体装置においては、半導体チップ
3より発生する熱は、主として、絶縁基体1からヒート
シンク12へ伝導し、ヒートシンク12より周囲の雰囲
気中へ放出される。
3より発生する熱は、主として、絶縁基体1からヒート
シンク12へ伝導し、ヒートシンク12より周囲の雰囲
気中へ放出される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
では、半導体チップ3より発生した熱の一部がヒートシ
ンク12まで伝導する時の熱抵抗が大きい場合、半導体
チップ3を所定の温度まで冷却できないという問題点が
あった。
では、半導体チップ3より発生した熱の一部がヒートシ
ンク12まで伝導する時の熱抵抗が大きい場合、半導体
チップ3を所定の温度まで冷却できないという問題点が
あった。
【0005】本発明の目的は、半導体チップを所定の温
度まで冷却できるヒートシンク付きの半導体装置を提供
することにある。
度まで冷却できるヒートシンク付きの半導体装置を提供
することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体チップを搭載した絶縁基体とヒートシンクとの間
に、相対向する2面に電気的に接続された金属板片を各
々具備した少なくとも1対のP型半導体チップとN型半
導体チップとを電気的に直列に接続した吸放熱部を具備
したことを特徴とする。
半導体チップを搭載した絶縁基体とヒートシンクとの間
に、相対向する2面に電気的に接続された金属板片を各
々具備した少なくとも1対のP型半導体チップとN型半
導体チップとを電気的に直列に接続した吸放熱部を具備
したことを特徴とする。
【0007】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【0008】図1は本発明の第1の実施例の断面図であ
る。
る。
【0009】第1の実施例は、図1に示すように、例え
ば、アルミナセラミックスより成る絶縁基体1の所定箇
所の切り欠き部2に半導体チップ3をダイボンディング
し、金線4にて半導体チップ3の所定の電極と切り欠き
部2の所定電極(図示せず)とをワイヤボンディング
し、絶縁基体1内の配線導体(図示せず)にて所定の外
部端子5へ電気的に接続し、キャップ6にて封止する。
ば、アルミナセラミックスより成る絶縁基体1の所定箇
所の切り欠き部2に半導体チップ3をダイボンディング
し、金線4にて半導体チップ3の所定の電極と切り欠き
部2の所定電極(図示せず)とをワイヤボンディング
し、絶縁基体1内の配線導体(図示せず)にて所定の外
部端子5へ電気的に接続し、キャップ6にて封止する。
【0010】さらに、例えば、アルミナセラミックスよ
り成る絶縁板7a,7bと絶縁板7bを介して絶縁基体
1に接続する例えば、銅より成る金属板片8a,8b,
8c,8d,9a,9b,9cと、例えば金属板片8a
と9a,8bと9b,8cと9cにて挟まれたN型シリ
コン半導体チップ10a,10b,10cと金属板片8
bと9a,8cと9b,8dと9cにて挟まれたP型シ
リコン半導体チップ11a,11b,11cとから成る
吸放熱部13を具備し、さらに、絶縁板7aを介して吸
放熱部13に接続するヒートシンク12より構成される
第1の実施例が得られる。
り成る絶縁板7a,7bと絶縁板7bを介して絶縁基体
1に接続する例えば、銅より成る金属板片8a,8b,
8c,8d,9a,9b,9cと、例えば金属板片8a
と9a,8bと9b,8cと9cにて挟まれたN型シリ
コン半導体チップ10a,10b,10cと金属板片8
bと9a,8cと9b,8dと9cにて挟まれたP型シ
リコン半導体チップ11a,11b,11cとから成る
吸放熱部13を具備し、さらに、絶縁板7aを介して吸
放熱部13に接続するヒートシンク12より構成される
第1の実施例が得られる。
【0011】次に第1の実施例の特徴である吸放熱部1
3について詳しく説明する。
3について詳しく説明する。
【0012】以下、図示していない直流電源より、電流
を金属板片8aからN型シリコン半導体チップ10aを
通り金属板片9aへ流すことを(8a→10a→9a)
というように略して示すこととする。
を金属板片8aからN型シリコン半導体チップ10aを
通り金属板片9aへ流すことを(8a→10a→9a)
というように略して示すこととする。
【0013】図1の吸放熱部13において、外部から図
示していない直流電源により、電流を (8a→10a→9a→11a→8b→10b→9b→
11b→8c→10c→9c→11c→8d) の経過で流すと、ペルチェ効果により絶縁板7b側から
吸熱し、絶縁板7a側へ放熱するという現象が起こり、
絶縁板7b側、即ち、半導体チップ3より発生した熱の
一部は、絶縁基体1を通り絶縁板7bへ到達し吸放熱部
13を通ってヒートシンク12へ達する。
示していない直流電源により、電流を (8a→10a→9a→11a→8b→10b→9b→
11b→8c→10c→9c→11c→8d) の経過で流すと、ペルチェ効果により絶縁板7b側から
吸熱し、絶縁板7a側へ放熱するという現象が起こり、
絶縁板7b側、即ち、半導体チップ3より発生した熱の
一部は、絶縁基体1を通り絶縁板7bへ到達し吸放熱部
13を通ってヒートシンク12へ達する。
【0014】第2の実施例は、半導体チップを絶縁基体
の所定の切り欠き部に少なくとも2つ具備したマルチチ
ップ構造の半導体装置に前述の吸放熱部13を適用した
例で、その効果は第1の実施例と同じである。
の所定の切り欠き部に少なくとも2つ具備したマルチチ
ップ構造の半導体装置に前述の吸放熱部13を適用した
例で、その効果は第1の実施例と同じである。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、絶縁基体
1とヒートシンク12との間に吸放熱部13を具備する
ことにより、半導体チップ3から発生した熱の一部が絶
縁基体1を通ってヒートシンク12へ到達することを容
易たろしめる効果がある。
1とヒートシンク12との間に吸放熱部13を具備する
ことにより、半導体チップ3から発生した熱の一部が絶
縁基体1を通ってヒートシンク12へ到達することを容
易たろしめる効果がある。
【0016】例えば、絶縁基体1として、50mm角で
厚さ5mmのアルミナセラミックを使い、13mm角の
半導体チップ3を図1の通り組立てた場合、図2に示す
従来構造において、半導体チップ3に許される消費電力
が、例えば、2Wであったものが、本実施例による吸放
熱部13を具備することにより、半導体チップ3に許さ
れる消費電力が3W以上にできた。
厚さ5mmのアルミナセラミックを使い、13mm角の
半導体チップ3を図1の通り組立てた場合、図2に示す
従来構造において、半導体チップ3に許される消費電力
が、例えば、2Wであったものが、本実施例による吸放
熱部13を具備することにより、半導体チップ3に許さ
れる消費電力が3W以上にできた。
【図1】本発明の第1の実施例の断面図である。
【図2】従来のヒートシンク付き半導体装置の一例の断
面図である。
面図である。
1 絶縁基体 2 切り欠き部 3 半導体チップ 4 金線 5 外部端子 6 キャップ 7a,7b 絶縁板 8a,8b,8c,8d,9a,9b,9c 金属板
片 10a,10b,10c N型シリコン半導体チップ 11a,11b,11c P型シリコン半導体チップ 12 ヒートシンク 13 吸放熱部
片 10a,10b,10c N型シリコン半導体チップ 11a,11b,11c P型シリコン半導体チップ 12 ヒートシンク 13 吸放熱部
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体チップを搭載した絶縁基体とヒー
トシンクとの間に、相対向する2面に電気的に接続され
た金属板片を各々具備した少なくとも1対のP型半導体
チップとN型半導体チップとを電気的に直列に接続した
吸放熱部を具備したことを特徴とするヒートシンク付き
の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4107163A JPH0677366A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4107163A JPH0677366A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0677366A true JPH0677366A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=14452092
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4107163A Pending JPH0677366A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0677366A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08250796A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-09-27 | Nec Corp | ペルチエクーラおよび半導体レーザモジュール |
US7022553B2 (en) * | 1998-08-31 | 2006-04-04 | Micron Technology, Inc. | Compact system module with built-in thermoelectric cooling |
CN102446878A (zh) * | 2010-10-11 | 2012-05-09 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种半导体制冷装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01295449A (ja) * | 1988-05-24 | 1989-11-29 | Toshiba Corp | 冷却型固体撮像装置 |
-
1992
- 1992-04-27 JP JP4107163A patent/JPH0677366A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01295449A (ja) * | 1988-05-24 | 1989-11-29 | Toshiba Corp | 冷却型固体撮像装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08250796A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-09-27 | Nec Corp | ペルチエクーラおよび半導体レーザモジュール |
US7022553B2 (en) * | 1998-08-31 | 2006-04-04 | Micron Technology, Inc. | Compact system module with built-in thermoelectric cooling |
CN102446878A (zh) * | 2010-10-11 | 2012-05-09 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种半导体制冷装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980602 |