JPH04329658A - リードフレーム及び半導体装置 - Google Patents
リードフレーム及び半導体装置Info
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- JPH04329658A JPH04329658A JP3128689A JP12868991A JPH04329658A JP H04329658 A JPH04329658 A JP H04329658A JP 3128689 A JP3128689 A JP 3128689A JP 12868991 A JP12868991 A JP 12868991A JP H04329658 A JPH04329658 A JP H04329658A
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Classifications
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子からの熱の除
却を有効に行うことのできるリードフレーム及びこれを
用いた半導体装置に関する。
却を有効に行うことのできるリードフレーム及びこれを
用いた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の高集積化および高出
力化にともない半導体素子からの発熱量が増大しており
、半導体素子から発生する熱を効率的に除去することが
問題となっている。樹脂封止タイプのパッケージにおい
ても熱放散性を向上させるためその材質や構造に種々の
工夫がなされている。たとえば、樹脂封止に用いるリー
ドフレームとしては、従来多く用いられている鉄−ニッ
ケル合金のかわりに熱伝導性の良い銅系の合金を用いた
り、ステージ部分の面積を大きくしたり、ステージ兼用
の放熱板を取り付けたりして熱放散性を高めることがな
されている。また、樹脂中に含まれるフィラーの量を増
やしたり、熱伝導性のよい材質を使用したりすることに
よって封止樹脂の熱伝導性を改善して熱放散性をたかめ
ることがなされている。たとえば、エポキシ系樹脂を用
いた場合には０．６〜０．７Ｗ／ｍＫ程度の熱伝導率で
あったものが材質をかえることによって１ 〜２Ｗ／ｍ
Ｋ 程度にまで熱伝導率を改善することができる。
力化にともない半導体素子からの発熱量が増大しており
、半導体素子から発生する熱を効率的に除去することが
問題となっている。樹脂封止タイプのパッケージにおい
ても熱放散性を向上させるためその材質や構造に種々の
工夫がなされている。たとえば、樹脂封止に用いるリー
ドフレームとしては、従来多く用いられている鉄−ニッ
ケル合金のかわりに熱伝導性の良い銅系の合金を用いた
り、ステージ部分の面積を大きくしたり、ステージ兼用
の放熱板を取り付けたりして熱放散性を高めることがな
されている。また、樹脂中に含まれるフィラーの量を増
やしたり、熱伝導性のよい材質を使用したりすることに
よって封止樹脂の熱伝導性を改善して熱放散性をたかめ
ることがなされている。たとえば、エポキシ系樹脂を用
いた場合には０．６〜０．７Ｗ／ｍＫ程度の熱伝導率で
あったものが材質をかえることによって１ 〜２Ｗ／ｍ
Ｋ 程度にまで熱伝導率を改善することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
熱伝導性に優れた封止樹脂を用いたり、リードフレーム
の材質や形状等を改善したとしても樹脂封止タイプのパ
ッケージでは十分な熱放散性を得ることが困難であり、
搭載できる半導体素子は約２Ｗ程度の出力までのもので
高出力素子を実装するには不向きであるという問題点が
ある。そこで、本発明は上記問題点を解消すべくなされ
たものであり、その目的とするところは、半導体素子か
ら発生した熱を能動的に熱放散させることができ、これ
によってパッケージの熱放散性を大きく改善でき、樹脂
封止タイプのパッケージでも高出力の半導体素子を容易
に搭載することのできるリードフレームおよびこれを用
いた半導体装置を提供しようとするものである。
熱伝導性に優れた封止樹脂を用いたり、リードフレーム
の材質や形状等を改善したとしても樹脂封止タイプのパ
ッケージでは十分な熱放散性を得ることが困難であり、
搭載できる半導体素子は約２Ｗ程度の出力までのもので
高出力素子を実装するには不向きであるという問題点が
ある。そこで、本発明は上記問題点を解消すべくなされ
たものであり、その目的とするところは、半導体素子か
ら発生した熱を能動的に熱放散させることができ、これ
によってパッケージの熱放散性を大きく改善でき、樹脂
封止タイプのパッケージでも高出力の半導体素子を容易
に搭載することのできるリードフレームおよびこれを用
いた半導体装置を提供しようとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、半導体素子を接
合するための高熱伝導体からなる支持基板と、該支持基
板に一端面が吸熱側として接合されるペルチェ素子部と
、該ペルチェ素子部の他端面の発熱側に接合される高熱
伝導性の放熱体とから成る放熱部を有し、該放熱部の前
記支持基板をインナーリードに接合して設けたことを特
徴とする。前記支持基板、および放熱板は窒化アルミニ
ウム、炭化ケイ素、酸化ベリリウム等の熱伝導率が１０
０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導性に優れたセラミック材料、あ
るいは窒化アルミニウム、炭化ケイ素、酸化ベリリウム
のうちのいずれかを主成分とするセラミック材料である
ものが効果的であり、前記ペルチェ素子部がゼーベック
係数が１００μＶ／Ｋ以上であり、性能指数が室温にお
いて０．７×１０−３／Ｋ以上のＰ型およびＮ型半導体
からなるものが効果的である。また、前記Ｐ型およびＮ
型半導体はＢｉ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｅ、Ｃｒ
、Ｓｉ、Ｍｎから選ばれる２種以上の金属から成る金属
間化合物であるものが効果的である。また、前記リード
フレームに半導体素子を搭載し、放熱板を封止樹脂の外
面に露出させて樹脂モールドした半導体装置が有効であ
る。
するため次の構成を備える。すなわち、半導体素子を接
合するための高熱伝導体からなる支持基板と、該支持基
板に一端面が吸熱側として接合されるペルチェ素子部と
、該ペルチェ素子部の他端面の発熱側に接合される高熱
伝導性の放熱体とから成る放熱部を有し、該放熱部の前
記支持基板をインナーリードに接合して設けたことを特
徴とする。前記支持基板、および放熱板は窒化アルミニ
ウム、炭化ケイ素、酸化ベリリウム等の熱伝導率が１０
０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導性に優れたセラミック材料、あ
るいは窒化アルミニウム、炭化ケイ素、酸化ベリリウム
のうちのいずれかを主成分とするセラミック材料である
ものが効果的であり、前記ペルチェ素子部がゼーベック
係数が１００μＶ／Ｋ以上であり、性能指数が室温にお
いて０．７×１０−３／Ｋ以上のＰ型およびＮ型半導体
からなるものが効果的である。また、前記Ｐ型およびＮ
型半導体はＢｉ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｅ、Ｃｒ
、Ｓｉ、Ｍｎから選ばれる２種以上の金属から成る金属
間化合物であるものが効果的である。また、前記リード
フレームに半導体素子を搭載し、放熱板を封止樹脂の外
面に露出させて樹脂モールドした半導体装置が有効であ
る。
【０００５】
【発明の概要】本発明に係るリードフレームは熱放散性
に優れた樹脂封止タイプのパッケージを得るために、半
導体チップを搭載するステージ兼用の放熱部にペルチェ
素子部を設けたことを特徴とする。前記ペルチェ素子部
はＰ型半導体とＮ型半導体からなるもので、Ｐ型半導体
とＮ型の半導体が直列に接続されるように電極を設定す
る。ペルチェ素子部は搭載した半導体素子から発生する
熱を吸熱してパッケージの外部に能動的に除却すること
を目的とする。有効な熱輸送を可能とするためにはゼー
ベック係数が１００μＶ／Ｋ 以上であり、性能係数が
室温において０．７ ×１０−３／Ｋ以上の熱変換材料
が必要である。 このような性能を有する材料は各種金属間化合物の中か
ら得ることができる。たとえば、Ｂｉ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｚ
ｎ、Ｐｂ、Ｓｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｍｎ等から選ばれる二種
以上の金属からなる金属間化合物が有効である。とくに
、Ｂｉ２Ｔｅ３でＴｅの量をコントロールしてＮ型およ
びＰ型半導体としたものが効果的であり、また、これら
にＳｂあるいはＳｅ等の不純物を０．１ 〜２ 重量パ
ーセント加えてゼーベック係数を向上させたものが効果
的である。 その他の金属間化合物としては、ＺｎＳｂ、Ｓｂ２Ｔｅ
３、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅなどがあり、これらを二種以上
組み合わせたり、微量のＴｅ等を添加したもの、例えば
５０％ Ｂｉ２Ｔｅ３−４０％ Ｓｂ２Ｔｅ３−１０％
Ｓｂ２Ｓｅ や、３０％ Ｂｉ２Ｔｅ３−７０％ Ｓ
ｂ２Ｔｅ３にＴｅを２重量％加えたものは、いずれも１
００μＶ／Ｋ 以上のゼーベック係数と０．７／Ｋ以上
の性能係数を持ち、熱電変換素子として有効に使用する
ことができる。
に優れた樹脂封止タイプのパッケージを得るために、半
導体チップを搭載するステージ兼用の放熱部にペルチェ
素子部を設けたことを特徴とする。前記ペルチェ素子部
はＰ型半導体とＮ型半導体からなるもので、Ｐ型半導体
とＮ型の半導体が直列に接続されるように電極を設定す
る。ペルチェ素子部は搭載した半導体素子から発生する
熱を吸熱してパッケージの外部に能動的に除却すること
を目的とする。有効な熱輸送を可能とするためにはゼー
ベック係数が１００μＶ／Ｋ 以上であり、性能係数が
室温において０．７ ×１０−３／Ｋ以上の熱変換材料
が必要である。 このような性能を有する材料は各種金属間化合物の中か
ら得ることができる。たとえば、Ｂｉ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｚ
ｎ、Ｐｂ、Ｓｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｍｎ等から選ばれる二種
以上の金属からなる金属間化合物が有効である。とくに
、Ｂｉ２Ｔｅ３でＴｅの量をコントロールしてＮ型およ
びＰ型半導体としたものが効果的であり、また、これら
にＳｂあるいはＳｅ等の不純物を０．１ 〜２ 重量パ
ーセント加えてゼーベック係数を向上させたものが効果
的である。 その他の金属間化合物としては、ＺｎＳｂ、Ｓｂ２Ｔｅ
３、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅなどがあり、これらを二種以上
組み合わせたり、微量のＴｅ等を添加したもの、例えば
５０％ Ｂｉ２Ｔｅ３−４０％ Ｓｂ２Ｔｅ３−１０％
Ｓｂ２Ｓｅ や、３０％ Ｂｉ２Ｔｅ３−７０％ Ｓ
ｂ２Ｔｅ３にＴｅを２重量％加えたものは、いずれも１
００μＶ／Ｋ 以上のゼーベック係数と０．７／Ｋ以上
の性能係数を持ち、熱電変換素子として有効に使用する
ことができる。
【０００６】本発明においては効果的に熱放散させるた
め、半導体素子を接合する支持基板に高熱伝導率を有す
る素材を用いるとともに、封止樹脂の外面に露出する放
熱板を用いる。支持基板と放熱板には１００ Ｗ／ｍｋ
以上の熱伝導率を有する材料が好適に用いられる。支持
基板および放熱板をセラミックによって形成する場合は
窒化アルミニウム、炭化ケイ素、酸化ベリリウム等の高
熱伝導率を有するセラミックが好適である。
め、半導体素子を接合する支持基板に高熱伝導率を有す
る素材を用いるとともに、封止樹脂の外面に露出する放
熱板を用いる。支持基板と放熱板には１００ Ｗ／ｍｋ
以上の熱伝導率を有する材料が好適に用いられる。支持
基板および放熱板をセラミックによって形成する場合は
窒化アルミニウム、炭化ケイ素、酸化ベリリウム等の高
熱伝導率を有するセラミックが好適である。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。図１は本発明に係るリードフレ
ームに半導体素子を搭載して樹脂封止した半導体装置を
示す断面図である。図で１０はリードフレームであり、
１２は対向するインナーリード１４の先端間にかけわた
すようにインナーリード１４の下面に接合した支持基板
である。支持基板１２は半導体素子１６を搭載する際の
支持体となるもので、熱放散性を向上させるため高熱伝
導性の材質を用いる必要がある。支持基板１２には後述
するようにペルチェ素子部を設けるから、支持基板１２
は電気的絶縁体が好ましく、したがって実施例では熱伝
導性に優れる窒化アルミニウムの板体を用いた。
づいて詳細に説明する。図１は本発明に係るリードフレ
ームに半導体素子を搭載して樹脂封止した半導体装置を
示す断面図である。図で１０はリードフレームであり、
１２は対向するインナーリード１４の先端間にかけわた
すようにインナーリード１４の下面に接合した支持基板
である。支持基板１２は半導体素子１６を搭載する際の
支持体となるもので、熱放散性を向上させるため高熱伝
導性の材質を用いる必要がある。支持基板１２には後述
するようにペルチェ素子部を設けるから、支持基板１２
は電気的絶縁体が好ましく、したがって実施例では熱伝
導性に優れる窒化アルミニウムの板体を用いた。
【０００８】前記支持基板１２の下面にはペルチェ素子
を直列に接続したペルチェ素子部１８を設置し、ペルチ
ェ素子部１８の下面にはさらに放熱板２０を設置する。 すなわち、ペルチェ素子部１８は支持基板１２と放熱板
２０との間にはさまれたかたちとなる。ペルチェ素子部
１８はＰ型半導体とＮ型半導体とを交互配置で設置する
とともに、各ペルチェ素子２２の一端を支持基板１２に
接続し他端を放熱板２０に接続する。ペルチェ素子２２
は支持基板１２の下面にほぼ全面にわたって配置するも
ので、支持基板１２と放熱板２０のそれぞれにはＰ型半
導体とＮ型半導体とを交互に直列に接続するための電極
２４、２６を設ける。
を直列に接続したペルチェ素子部１８を設置し、ペルチ
ェ素子部１８の下面にはさらに放熱板２０を設置する。 すなわち、ペルチェ素子部１８は支持基板１２と放熱板
２０との間にはさまれたかたちとなる。ペルチェ素子部
１８はＰ型半導体とＮ型半導体とを交互配置で設置する
とともに、各ペルチェ素子２２の一端を支持基板１２に
接続し他端を放熱板２０に接続する。ペルチェ素子２２
は支持基板１２の下面にほぼ全面にわたって配置するも
ので、支持基板１２と放熱板２０のそれぞれにはＰ型半
導体とＮ型半導体とを交互に直列に接続するための電極
２４、２６を設ける。
【０００９】電極２４および電極２６は矩形の微小銅板
からなるものでＰ型半導体とＮ型半導体の１単位の端面
が接合される。電極２４および電極２６の相互間、Ｐ型
とＮ型のペルチェ素子２２相互間には絶縁体２８が挿入
され、相互間を電気的に絶縁することによって、Ｐ型の
ペルチェ素子とＮ型のペルチェ素子を交互に直列に接続
している。実施例ではＰ型のペルチェ素子として微量の
セレンを添加した２５％Ｂｉ２Ｏ３ −７５％Ｓｂ２Ｔ
ｅ３ 、Ｎ型のペルチェ素子として７５％Ｂｉ２Ｔｅ３
−２５％Ｂｉ２Ｓｅ３ を用いた。ペルチェ素子部１
８の下面が接合される放熱板２０も支持基板１２と同様
に好適な熱放散性が得られるように高熱伝導体を用いる
。実施例では窒化アルミニウムの板体を用いた。
からなるものでＰ型半導体とＮ型半導体の１単位の端面
が接合される。電極２４および電極２６の相互間、Ｐ型
とＮ型のペルチェ素子２２相互間には絶縁体２８が挿入
され、相互間を電気的に絶縁することによって、Ｐ型の
ペルチェ素子とＮ型のペルチェ素子を交互に直列に接続
している。実施例ではＰ型のペルチェ素子として微量の
セレンを添加した２５％Ｂｉ２Ｏ３ −７５％Ｓｂ２Ｔ
ｅ３ 、Ｎ型のペルチェ素子として７５％Ｂｉ２Ｔｅ３
−２５％Ｂｉ２Ｓｅ３ を用いた。ペルチェ素子部１
８の下面が接合される放熱板２０も支持基板１２と同様
に好適な熱放散性が得られるように高熱伝導体を用いる
。実施例では窒化アルミニウムの板体を用いた。
【００１０】リードフレームの製造にあたっては、所定
のリードパターンを形成したリードフレームに上記のペ
ルチェ素子部１８を有する放熱部を接合することによっ
て製品とする。放熱部とリードフレームとの接合はたと
えば、熱硬化型の接着剤によることができる。こうして
、ペルチェ素子部１８を備えたリードフレームが得られ
る。このリードフレームを用いて樹脂封止タイプの半導
体装置とする場合は、支持基板１２に半導体素子１６を
搭載し、半導体素子１６とインナーリード１４との間を
ワイヤボンディング等によって接続するとともに、直列
に接続されているペルチェ素子２２の一端の電極をリー
ドフレームのプラス端子に、他端をリードフレームのマ
イナス端子にワイヤボンディング等によって接続する。 図１は半導体素子１６を搭載した後、樹脂封止した状態
を示す。樹脂封止する際には、放熱板２０が封止樹脂３
０の外面に露出するようにモールドする。
のリードパターンを形成したリードフレームに上記のペ
ルチェ素子部１８を有する放熱部を接合することによっ
て製品とする。放熱部とリードフレームとの接合はたと
えば、熱硬化型の接着剤によることができる。こうして
、ペルチェ素子部１８を備えたリードフレームが得られ
る。このリードフレームを用いて樹脂封止タイプの半導
体装置とする場合は、支持基板１２に半導体素子１６を
搭載し、半導体素子１６とインナーリード１４との間を
ワイヤボンディング等によって接続するとともに、直列
に接続されているペルチェ素子２２の一端の電極をリー
ドフレームのプラス端子に、他端をリードフレームのマ
イナス端子にワイヤボンディング等によって接続する。 図１は半導体素子１６を搭載した後、樹脂封止した状態
を示す。樹脂封止する際には、放熱板２０が封止樹脂３
０の外面に露出するようにモールドする。
【００１１】得られた半導体装置を実装して使用する場
合は、ペルチェ素子部１８で支持基板１２に接する側で
はＮ型半導体からＰ型半導体に電流が流れ、放熱板２０
側ではＰ型半導体からＮ型半導体に電流が流れるように
電位を設定して使用する。このように電流の流れを設定
することによって、支持基板１２ではペルチェ素子部１
８によって吸熱され放熱板２０側でペルチェ素子部１８
から放熱される。支持基板１２に搭載された半導体素子
１６から発生した熱は支持基板１２の熱伝導によって支
持基板１２中に拡散し、ペルチェ素子部１８によって吸
熱され、放熱板２０に輸送されて放熱板２０から放散さ
れる。このように、半導体素子１６で発生した熱はペル
チェ素子部１８によって能動的に吸熱されて外部に放散
される。本実施例では熱伝導性に優れる窒化アルミニウ
ムを支持基板１２、放熱板２０に用いることによって、
半導体素子１６からの熱放散を効果的になし得るように
している。
合は、ペルチェ素子部１８で支持基板１２に接する側で
はＮ型半導体からＰ型半導体に電流が流れ、放熱板２０
側ではＰ型半導体からＮ型半導体に電流が流れるように
電位を設定して使用する。このように電流の流れを設定
することによって、支持基板１２ではペルチェ素子部１
８によって吸熱され放熱板２０側でペルチェ素子部１８
から放熱される。支持基板１２に搭載された半導体素子
１６から発生した熱は支持基板１２の熱伝導によって支
持基板１２中に拡散し、ペルチェ素子部１８によって吸
熱され、放熱板２０に輸送されて放熱板２０から放散さ
れる。このように、半導体素子１６で発生した熱はペル
チェ素子部１８によって能動的に吸熱されて外部に放散
される。本実施例では熱伝導性に優れる窒化アルミニウ
ムを支持基板１２、放熱板２０に用いることによって、
半導体素子１６からの熱放散を効果的になし得るように
している。
【００１２】上記実施例のペルチェ素子部を設けたリー
ドフレームを使用した場合は、上記のように半導体素子
から発生する熱を積極的に吸熱して放散させることがで
きるから、従来の単なる自然的熱伝導によって熱放散さ
せる製品とくらべてはるかに効率的な熱放散をさせるこ
とができる。これによって、樹脂封止タイプの半導体装
置の場合でも、高出力の半導体素子を搭載することが可
能になる。なお、上記ペルチェ素子を組み込んだリード
フレームを有効に使用するためには、放熱板２０から効
率的に熱を放散させる必要がある。このためには、たと
えば、パッケージ本体１０にフィンを付設して空冷によ
って熱放散させる方法や、水冷あるいは空冷によって強
制的に熱放散をさせる方法が有効である。なお、上記ペ
ルチェ素子部１８を有するリードフレームは上記実施例
に限定されるものではなく、種々のパターンのリードフ
レームに適用できることはいうまでもない。
ドフレームを使用した場合は、上記のように半導体素子
から発生する熱を積極的に吸熱して放散させることがで
きるから、従来の単なる自然的熱伝導によって熱放散さ
せる製品とくらべてはるかに効率的な熱放散をさせるこ
とができる。これによって、樹脂封止タイプの半導体装
置の場合でも、高出力の半導体素子を搭載することが可
能になる。なお、上記ペルチェ素子を組み込んだリード
フレームを有効に使用するためには、放熱板２０から効
率的に熱を放散させる必要がある。このためには、たと
えば、パッケージ本体１０にフィンを付設して空冷によ
って熱放散させる方法や、水冷あるいは空冷によって強
制的に熱放散をさせる方法が有効である。なお、上記ペ
ルチェ素子部１８を有するリードフレームは上記実施例
に限定されるものではなく、種々のパターンのリードフ
レームに適用できることはいうまでもない。
【００１３】
【発明の効果】本発明に係るリードフレームおよび半導
体装置によれば、上述したように、ペルチェ素子を用い
た放熱部を設けたことによって、能動的に半導体素子か
ら熱を除却することができるから、従来搭載できなかっ
たような発熱量の大きな半導体素子であっても容易に搭
載することが可能となる等の著効を奏する。
体装置によれば、上述したように、ペルチェ素子を用い
た放熱部を設けたことによって、能動的に半導体素子か
ら熱を除却することができるから、従来搭載できなかっ
たような発熱量の大きな半導体素子であっても容易に搭
載することが可能となる等の著効を奏する。
【図１】半導体装置の一実施例を示す説明図である。
１０ リードフレーム
１２ 支持基板
１４ インナーリード
１６ 半導体素子
１８ ペルチェ素子部
２０ 放熱板
２２ ペルチェ素子
２４、２６ 電極
２８ 絶縁体
３０ 封止樹脂
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体素子を接合するための高熱伝導
体からなる支持基板と、該支持基板に一端面が吸熱側と
して接合されるペルチェ素子部と、該ペルチェ素子部の
他端面の発熱側に接合される高熱伝導性の放熱体とから
成る放熱部を有し、該放熱部の前記支持基板をインナー
リードに接合して設けたことを特徴とするリードフレー
ム。 - 【請求項２】 支持基板、および放熱板が窒化アルミ
ニウム、炭化ケイ素、酸化ベリリウム等の熱伝導率が１
００Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導性に優れたセラミック材料、
あるいは窒化アルミニウム、炭化ケイ素、酸化ベリリウ
ムのうちのいずれかを主成分とするセラミック材料であ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。 - 【請求項３】 ペルチェ素子部がゼーベック係数が１
００μＶ／Ｋ以上であり、性能指数が室温において０．
７×１０−３／Ｋ以上のＰ型およびＮ型半導体からなる
ことを特徴とする請求項１または２記載の半導体パッケ
ージ。 - 【請求項４】 前記Ｐ型およびＮ型半導体はＢｉ、Ｔ
ｅ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｍｎから選
ばれる２種以上の金属から成る金属間化合物であること
を特徴とする請求項３記載の半導体パッケージ。 - 【請求項５】 請求項１、２、３または４記載のリー
ドフレームに半導体素子を搭載し、放熱板を封止樹脂の
外面に露出させて樹脂モールドしたことを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3128689A JPH04329658A (ja) | 1991-05-01 | 1991-05-01 | リードフレーム及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3128689A JPH04329658A (ja) | 1991-05-01 | 1991-05-01 | リードフレーム及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04329658A true JPH04329658A (ja) | 1992-11-18 |
Family
ID=14990992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3128689A Pending JPH04329658A (ja) | 1991-05-01 | 1991-05-01 | リードフレーム及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04329658A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003017638A (ja) * | 2001-07-02 | 2003-01-17 | Fujitsu Ltd | 積層型マルチチップ半導体装置 |
| JP2005183658A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Fujitsu Ltd | 温度制御機能を有する半導体装置 |
| KR100759015B1 (ko) * | 2006-05-30 | 2007-09-17 | 서울반도체 주식회사 | 방열 기판과 이를 포함하는 발광 소자 |
| US20110204500A1 (en) * | 2008-03-28 | 2011-08-25 | Im Seungwon | Power device packages having thermal electric modules using peltier effect and methods of fabricating the same |
-
1991
- 1991-05-01 JP JP3128689A patent/JPH04329658A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003017638A (ja) * | 2001-07-02 | 2003-01-17 | Fujitsu Ltd | 積層型マルチチップ半導体装置 |
| JP2005183658A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Fujitsu Ltd | 温度制御機能を有する半導体装置 |
| KR100759015B1 (ko) * | 2006-05-30 | 2007-09-17 | 서울반도체 주식회사 | 방열 기판과 이를 포함하는 발광 소자 |
| US20110204500A1 (en) * | 2008-03-28 | 2011-08-25 | Im Seungwon | Power device packages having thermal electric modules using peltier effect and methods of fabricating the same |
| US8552541B2 (en) * | 2008-03-28 | 2013-10-08 | Fairchild Korea Semiconductor, Ltd. | Power device packages having thermal electric modules using peltier effect and methods of fabricating the same |
| KR101524544B1 (ko) * | 2008-03-28 | 2015-06-02 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 펠티어 효과를 이용한 열전기 모듈을 포함하는 전력 소자패키지 및 그 제조 방법 |
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