JPH04216656A - 熱電冷却器を有する集積回路パッケージ - Google Patents
熱電冷却器を有する集積回路パッケージInfo
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- JPH04216656A JPH04216656A JP3042193A JP4219391A JPH04216656A JP H04216656 A JPH04216656 A JP H04216656A JP 3042193 A JP3042193 A JP 3042193A JP 4219391 A JP4219391 A JP 4219391A JP H04216656 A JPH04216656 A JP H04216656A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、熱電冷却器(TEC
)を有する集積回路パッケージに関する。
)を有する集積回路パッケージに関する。
【0002】
【従来の技術】レーザのような半導体デバイスの動作温
度を低くするために熱電冷却器を用いることが知られて
いる。熱電冷却器は、異なる特性を有する材料から構成
された複数の熱電冷却素子を含んでいる。これらの素子
は、電気的に直列に及び熱的に並列に接続されて複数の
熱電対を構成している。各熱電対は、第1の特性を有す
る一つの素子と、第2の特性を有するもう一つの素子と
を含んでいる。これらの熱電対は、熱電冷却器の高温側
及び低温側として働く二枚の板の間に接続されている。 高温側はヒートシンクに熱的に接続され、低温側は半導
体デバイスに熱的に接続されている。
度を低くするために熱電冷却器を用いることが知られて
いる。熱電冷却器は、異なる特性を有する材料から構成
された複数の熱電冷却素子を含んでいる。これらの素子
は、電気的に直列に及び熱的に並列に接続されて複数の
熱電対を構成している。各熱電対は、第1の特性を有す
る一つの素子と、第2の特性を有するもう一つの素子と
を含んでいる。これらの熱電対は、熱電冷却器の高温側
及び低温側として働く二枚の板の間に接続されている。 高温側はヒートシンクに熱的に接続され、低温側は半導
体デバイスに熱的に接続されている。
【0003】熱電冷却は、熱電冷却器に電流を流すこと
によって行うことができる。熱エネルギは、回路を流れ
るキャリア電流と熱電対の数とに比例する割合で低温側
から高温側に吸い込まれる。高温側では、熱エネルギは
ヒートシンクによって散逸される。熱電冷却効果は、使
用される異なる導電材料が半導体材料であるときには非
常に増大される。
によって行うことができる。熱エネルギは、回路を流れ
るキャリア電流と熱電対の数とに比例する割合で低温側
から高温側に吸い込まれる。高温側では、熱エネルギは
ヒートシンクによって散逸される。熱電冷却効果は、使
用される異なる導電材料が半導体材料であるときには非
常に増大される。
【0004】熱電冷却に一般的に使用される異なる半導
体材料は、N型材料(完全な分子格子構造を完成するた
めに必要な電子数よりも多くの電子がある)とP型材料
(完全な分子格子構造を完成するために必要な電子数よ
りも電子が少なく、従って正孔がある)である。N型材
料中の過剰な電子及びP型材料中の正孔は「キャリア」
と呼ばれ、低温側から高温側に熱エネルギを移動させる
働きをする。
体材料は、N型材料(完全な分子格子構造を完成するた
めに必要な電子数よりも多くの電子がある)とP型材料
(完全な分子格子構造を完成するために必要な電子数よ
りも電子が少なく、従って正孔がある)である。N型材
料中の過剰な電子及びP型材料中の正孔は「キャリア」
と呼ばれ、低温側から高温側に熱エネルギを移動させる
働きをする。
【0005】
【課題を解決するための手段】キャビティを画成するモ
ジュールを有する集積回路パッケージを設け、集積回路
チップをモジュールのキャビティの壁に熱的に接続する
熱電冷却器を設けている。
ジュールを有する集積回路パッケージを設け、集積回路
チップをモジュールのキャビティの壁に熱的に接続する
熱電冷却器を設けている。
【0006】好ましい実施例では、熱電冷却器の熱電冷
却素子はモジュールキャビティの壁に直接に接続され、
集積回路チップはワイヤボンドまたはコントロールドチ
ップコラプス接続によって入出力ピンに電気的に接続さ
れ、熱電冷却器はモジュールキャビティ内に気密封止さ
れ、ヒートシンクは集積回路パッケージの外部に接続さ
れる。
却素子はモジュールキャビティの壁に直接に接続され、
集積回路チップはワイヤボンドまたはコントロールドチ
ップコラプス接続によって入出力ピンに電気的に接続さ
れ、熱電冷却器はモジュールキャビティ内に気密封止さ
れ、ヒートシンクは集積回路パッケージの外部に接続さ
れる。
【0007】
【実施例】図1を参照すると、第1のレベルの集積度の
集積回路パッケージ10は、多層セラミック製で電気絶
縁性及び熱伝導性のチップキャリアモジュール12(例
えば、京セラ製多層セラミック(MLC)キャリア)を
含んでおり、このチップキャリアモジュール12がキャ
ビティ14を画成する。集積回路チップ16はキャビテ
ィ14内に設けられており、熱電冷却器20を介してモ
ジュール12に熱的に及び物理的に接続されている。入
出力ピン22は、モジュール12によって画成されるチ
ャネル内を通される導体23を介して集積回路チップ1
6に電気的に接続されている。導体23は、従来のワイ
ヤボンド技術を用いて集積回路チップ16に接続された
ワイヤ24を介して集積回路チップ16に接続されてい
る。金属製の保護カバー26はキャビティ14の上方に
設けられており、接着剤でモジュール12に取り付けら
れて気密封止パッケージを構成している。さらに、ヒー
トシンク28は、熱伝導性の層30を有するモジュール
12の外部に取り付けられている。
集積回路パッケージ10は、多層セラミック製で電気絶
縁性及び熱伝導性のチップキャリアモジュール12(例
えば、京セラ製多層セラミック(MLC)キャリア)を
含んでおり、このチップキャリアモジュール12がキャ
ビティ14を画成する。集積回路チップ16はキャビテ
ィ14内に設けられており、熱電冷却器20を介してモ
ジュール12に熱的に及び物理的に接続されている。入
出力ピン22は、モジュール12によって画成されるチ
ャネル内を通される導体23を介して集積回路チップ1
6に電気的に接続されている。導体23は、従来のワイ
ヤボンド技術を用いて集積回路チップ16に接続された
ワイヤ24を介して集積回路チップ16に接続されてい
る。金属製の保護カバー26はキャビティ14の上方に
設けられており、接着剤でモジュール12に取り付けら
れて気密封止パッケージを構成している。さらに、ヒー
トシンク28は、熱伝導性の層30を有するモジュール
12の外部に取り付けられている。
【0008】電力は、導体32、34及びピン36、3
7を介して熱電冷却器20に直接供給される。導体32
、34は、モジュール12で画成されるチャネル内を通
されている。導体32、34は熱電冷却器20をそれぞ
れピン36、37に電気的に接続し、これによって入出
力(I/O)ピンから熱電冷却器へのワイヤボンドまた
はフライングリードが不要となっている。
7を介して熱電冷却器20に直接供給される。導体32
、34は、モジュール12で画成されるチャネル内を通
されている。導体32、34は熱電冷却器20をそれぞ
れピン36、37に電気的に接続し、これによって入出
力(I/O)ピンから熱電冷却器へのワイヤボンドまた
はフライングリードが不要となっている。
【0009】図2ないし図4を参照すると、熱電冷却器
20は、熱伝導性の低温板38と多層セラミックモジュ
ール12との間に接続されている複数の熱電冷却素子4
0を含んでいる。集積回路チップ16は、熱伝導性の材
料39(例えば、熱エポキシまたは金共晶)を介して低
温板38に物理的に接続されている。
20は、熱伝導性の低温板38と多層セラミックモジュ
ール12との間に接続されている複数の熱電冷却素子4
0を含んでいる。集積回路チップ16は、熱伝導性の材
料39(例えば、熱エポキシまたは金共晶)を介して低
温板38に物理的に接続されている。
【0010】各冷却素子40は、P型半導体材料または
N型半導体材料から構成されている。これらのP型及び
N型素子は、交互に、電気的に直列に及び熱的に並列に
接続されている。
N型半導体材料から構成されている。これらのP型及び
N型素子は、交互に、電気的に直列に及び熱的に並列に
接続されている。
【0011】すなわち、P型及びN型素子は、はんだ接
合部41を介して導体42及び44に電気的に直列に接
続されている。導体42は、図4に示すように低温板3
8の表面に形成された金属の回路パターンであり、導体
44は、図3に示すようにモジュール12のキャビティ
壁の表面に形成された金属の回路パターンである。従っ
て、キャビティ壁の内部は熱電冷却器の高温側として働
き、これによって熱電冷却器に必要な板の一方をなくし
ている。高温板がないので、熱抵抗がより小さくなるこ
とから、より直接的な冷却経路がある。さらに、このよ
うにして熱電冷却器を構成することにより、必要な部品
が少なくなる。また、熱電冷却器は集積回路チップから
モジュールに熱エネルギを吸い込むので、モジュールは
周囲の空気またはカードよりも温度が高いことから、周
囲の空気またはカードからの熱電冷却器への受動的な熱
負荷が除去される。
合部41を介して導体42及び44に電気的に直列に接
続されている。導体42は、図4に示すように低温板3
8の表面に形成された金属の回路パターンであり、導体
44は、図3に示すようにモジュール12のキャビティ
壁の表面に形成された金属の回路パターンである。従っ
て、キャビティ壁の内部は熱電冷却器の高温側として働
き、これによって熱電冷却器に必要な板の一方をなくし
ている。高温板がないので、熱抵抗がより小さくなるこ
とから、より直接的な冷却経路がある。さらに、このよ
うにして熱電冷却器を構成することにより、必要な部品
が少なくなる。また、熱電冷却器は集積回路チップから
モジュールに熱エネルギを吸い込むので、モジュールは
周囲の空気またはカードよりも温度が高いことから、周
囲の空気またはカードからの熱電冷却器への受動的な熱
負荷が除去される。
【0012】動作に際しては、電力がピン36、37を
介して熱電冷却器20に供給され、これによって熱電冷
却器20が低温板38を介して集積回路チップ16から
熱エネルギを吸い込む。この熱エネルギは、導体44が
その上に設けられているモジュール12のキャビティ壁
に向かって吸い込まれる。次に、この熱エネルギはモジ
ュール12及びヒートシンク28を介して散逸される。
介して熱電冷却器20に供給され、これによって熱電冷
却器20が低温板38を介して集積回路チップ16から
熱エネルギを吸い込む。この熱エネルギは、導体44が
その上に設けられているモジュール12のキャビティ壁
に向かって吸い込まれる。次に、この熱エネルギはモジ
ュール12及びヒートシンク28を介して散逸される。
【0013】すなわち、電子がP型素子の低いエネルギ
準位からN型素子のより高いエネルギ準位に導体42を
通って流れるので、各熱電対で冷却が起きる。より高い
エネルギ準位を達成するために必要なエネルギは、導体
42を介して吸収される熱エネルギから生じる。このエ
ネルギは、モジュール12のキャビティ壁に直接接続さ
れた導体44を介して散逸される。従って、熱電冷却器
20の素子40は集積回路チップ16とモジュール12
との間に直接接続されているので、パッケージ10の残
りの部分がヒートシンクとして働いている間にチップだ
けが冷却される。
準位からN型素子のより高いエネルギ準位に導体42を
通って流れるので、各熱電対で冷却が起きる。より高い
エネルギ準位を達成するために必要なエネルギは、導体
42を介して吸収される熱エネルギから生じる。このエ
ネルギは、モジュール12のキャビティ壁に直接接続さ
れた導体44を介して散逸される。従って、熱電冷却器
20の素子40は集積回路チップ16とモジュール12
との間に直接接続されているので、パッケージ10の残
りの部分がヒートシンクとして働いている間にチップだ
けが冷却される。
【0014】他の実施例は請求項に含まれている。
【0015】例えば、集積回路パッケージは、異なる方
式の接続技術(例えば、コントロールドチップコラプス
接続技術(C−4接続技術))を用いて入出力ピンに接
続されている複数の集積回路チップを含んでよい。
式の接続技術(例えば、コントロールドチップコラプス
接続技術(C−4接続技術))を用いて入出力ピンに接
続されている複数の集積回路チップを含んでよい。
【0016】すなわち、図5を参照すると、C−4接続
技術を用いる集積回路パッケージ60が示されている。 C−4接続技術については、参考のためにここに載せる
米国特許第3,429,040号及び再発行特許第27
,934号で説明されている。
技術を用いる集積回路パッケージ60が示されている。 C−4接続技術については、参考のためにここに載せる
米国特許第3,429,040号及び再発行特許第27
,934号で説明されている。
【0017】一般に、C−4接続技術は、誘電体支持基
板62上に集積回路チップ16を支持するとともにチッ
プ16を基板62上に設けられた導電部64に電気的に
接続するための、はんだのような接続材料の表面張力を
利用している。
板62上に集積回路チップ16を支持するとともにチッ
プ16を基板62上に設けられた導電部64に電気的に
接続するための、はんだのような接続材料の表面張力を
利用している。
【0018】すなわち、誘電体支持基板62には、はん
だに濡れる複数の接続部64が設けられている。これら
の接続部64の直ぐ周囲の領域は、はんだに濡れない。 次に、はんだのコーティングが、大きさが限られた接続
部に行われる。次に、そこから延びるはんだコンタクト
を有する集積回路チップ16が、あらかじめ選ばれたは
んだ接続部の上に載せられる。このはんだコンタクトに
は、チップを一時的に所定の場所に保持するために、は
んだ上にフラックスが塗られる。次に、基板62とチッ
プ16とは、はんだが溶融する温度に加熱される。接続
部に直ぐ隣接する領域がはんだに濡れないので、溶融し
たはんだは、ほぼボール状の形状に維持される。次に、
はんだ接続部は冷却されてはんだボール66が形成され
る。従って、チップ16は、はんだボール66を介して
誘電体支持基板62上の接続部64に電気的に接続され
る。接続部64は、基板62で画成されるチャネルを通
る導体68を介して入出力ピン22に電気的に接続され
る。チップ16からTEC20への熱伝達を容易にする
ために、チップ16とTEC20との間には熱グリース
または軟らかい金属が設けられる。
だに濡れる複数の接続部64が設けられている。これら
の接続部64の直ぐ周囲の領域は、はんだに濡れない。 次に、はんだのコーティングが、大きさが限られた接続
部に行われる。次に、そこから延びるはんだコンタクト
を有する集積回路チップ16が、あらかじめ選ばれたは
んだ接続部の上に載せられる。このはんだコンタクトに
は、チップを一時的に所定の場所に保持するために、は
んだ上にフラックスが塗られる。次に、基板62とチッ
プ16とは、はんだが溶融する温度に加熱される。接続
部に直ぐ隣接する領域がはんだに濡れないので、溶融し
たはんだは、ほぼボール状の形状に維持される。次に、
はんだ接続部は冷却されてはんだボール66が形成され
る。従って、チップ16は、はんだボール66を介して
誘電体支持基板62上の接続部64に電気的に接続され
る。接続部64は、基板62で画成されるチャネルを通
る導体68を介して入出力ピン22に電気的に接続され
る。チップ16からTEC20への熱伝達を容易にする
ために、チップ16とTEC20との間には熱グリース
または軟らかい金属が設けられる。
【0019】また、例えば、集積回路パッケージは、複
数の熱電冷却された集積回路チップを含んでよい。これ
らのチップは、単一の熱電冷却器または複数の熱電冷却
器によって冷却される。複数の熱電冷却器のそれぞれは
、複数の集積回路チップまたは各集積回路チップに対応
する。複数の熱電冷却器が用いられるときには、モジュ
ールキャビティ壁には、熱電冷却器のそれぞれに対して
金属の回路パターンが設けられる。
数の熱電冷却された集積回路チップを含んでよい。これ
らのチップは、単一の熱電冷却器または複数の熱電冷却
器によって冷却される。複数の熱電冷却器のそれぞれは
、複数の集積回路チップまたは各集積回路チップに対応
する。複数の熱電冷却器が用いられるときには、モジュ
ールキャビティ壁には、熱電冷却器のそれぞれに対して
金属の回路パターンが設けられる。
【発明の効果】集積回路パッケージモジュールが熱を散
逸する、熱電冷却集積回路パッケージが好適に得られる
ことが見出された。さらに、チップは集積回路パッケー
ジモジュール内に設けられているので、熱シャント及び
凝結が減少される。
逸する、熱電冷却集積回路パッケージが好適に得られる
ことが見出された。さらに、チップは集積回路パッケー
ジモジュール内に設けられているので、熱シャント及び
凝結が減少される。
【図1】内部にマウントされた熱電冷却器を含むこの発
明による集積回路パッケージの概略断面図である。
明による集積回路パッケージの概略断面図である。
【図2】図1の集積回路パッケージの熱電冷却器の一部
分の概略拡大断面図である。
分の概略拡大断面図である。
【図3】図2の集積回路パッケージの3−3線に沿って
の一部分である。
の一部分である。
【図4】図2の集積回路パッケージの低温板の4−4線
に沿っての一部分である。
に沿っての一部分である。
【図5】内部にマウントされた熱電冷却器を含むこの発
明による他の集積回路パッケージの概略断面図である。
明による他の集積回路パッケージの概略断面図である。
10 集積回路パッケージ
12 モジュール
14 キャビティ
16 集積回路チップ
20 熱電冷却器
28 ヒートシンク
36 入出力ピン
37 入出力ピン
40 熱電冷却素子
Claims (17)
- 【請求項1】 キャビティを画成する複数の壁及び複
数の入出力ピンを含む電気絶縁性のモジュールと、上記
キャビティ内に設けられ、上記入出力ピンに電気的に接
続された集積回路チップと、上記集積回路チップを冷却
するように上記集積回路チップと上記キャビティの壁と
の間に熱的に接続される熱電冷却器とを有する集積回路
パッケージ。 - 【請求項2】 上記熱電冷却器は、上記モジュールの
方を向いた第1の端と上記集積回路チップの方を向いた
第2の端とを有する複数の熱電冷却素子を含む請求項1
の集積回路パッケージ。 - 【請求項3】 上記モジュールは、上記熱電冷却器の
高温側となるように上記複数の熱電冷却素子の交互の第
1の端を電気的に接続する導体を含む請求項2の集積回
路パッケージ。 - 【請求項4】 上記集積回路チップと上記熱電冷却器
との間に設けられ、上記集積回路チップから上記熱電冷
却器に熱エネルギを伝導するように構成された低温板を
さらに有し、上記低温板は、上記熱電冷却器の低温側と
なるように上記熱電冷却素子の交互の第2の端を電気的
に接続する導体を含む請求項2の集積回路パッケージ。 - 【請求項5】 上記熱電冷却素子は半導体材料から構
成されている請求項2の集積回路パッケージ。 - 【請求項6】 上記熱電冷却素子は異なる型の複数の
上記半導体材料から構成されている請求項5の集積回路
パッケージ。 - 【請求項7】 上記異なる型の複数の半導体材料はP
型材料とN型材料とを含む請求項6の集積回路パッケー
ジ。 - 【請求項8】 上記P型材料と上記N型材料とは、交
互に、電気的に直列に及び熱的に並列に配置されている
請求項7の集積回路パッケージ。 - 【請求項9】 上記モジュールの外壁に取り付けられ
ているヒートシンクをさらに有する請求項1の集積回路
パッケージ。 - 【請求項10】 上記入出力ピンは、ワイヤボンド接
続によって上記集積回路チップに電気的に接続されてい
る請求項1の集積回路パッケージ。 - 【請求項11】 上記入出力ピンは、コントロールド
チップコラプス接続によって上記集積回路チップに電気
的に接続されている請求項1の集積回路パッケージ。 - 【請求項12】 上記熱電冷却器は上記モジュール内
に気密封止されている請求項1の集積回路パッケージ。 - 【請求項13】 上記モジュールは熱電冷却器導体の
チャネルを画成し、上記熱電冷却器導体は上記熱電冷却
器を上記入出力ピンに電気的に接続する請求項1の集積
回路パッケージ。 - 【請求項14】 上記熱電冷却器導体の部分は上記モ
ジュールのキャビティの壁に沿って設けられている請求
項13の集積回路パッケージ。 - 【請求項15】 上記熱電冷却器に熱的に接続された
複数の集積回路チップをさらに有する請求項1の集積回
路パッケージ。 - 【請求項16】 複数の集積回路チップと、上記複数
の集積回路チップを冷却するように上記複数の集積回路
チップと上記キャビティの壁との間に熱的に接続される
複数の熱電冷却器とをさらに有する請求項1の集積回路
パッケージ。 - 【請求項17】 上記複数の熱電冷却器は各集積回路
チップに対応している請求項16の集積回路パッケージ
。
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---|---|---|---|
US07/486,467 US5032897A (en) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | Integrated thermoelectric cooling |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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---|---|
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BR (1) | BR9100162A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005128185A (ja) * | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Fujitsu Ltd | 光デバイスモジュール |
JP2012104554A (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-31 | Freesia Makurosu Kk | 放熱構造 |
US9228763B2 (en) | 2011-12-01 | 2016-01-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thermoelectric cooling packages and thermal management methods thereof |
WO2023074123A1 (ja) * | 2021-10-27 | 2023-05-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置及び電子機器 |
Families Citing this family (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5107328A (en) * | 1991-02-13 | 1992-04-21 | Micron Technology, Inc. | Packaging means for a semiconductor die having particular shelf structure |
US5234445A (en) * | 1992-09-18 | 1993-08-10 | Ethicon, Inc. | Endoscopic suturing device |
US5273439A (en) * | 1993-03-11 | 1993-12-28 | Storage Technology Corporation | Thermally conductive elastomeric interposer connection system |
US5436793A (en) * | 1993-03-31 | 1995-07-25 | Ncr Corporation | Apparatus for containing and cooling an integrated circuit device having a thermally insulative positioning member |
US5343360A (en) * | 1993-03-31 | 1994-08-30 | Ncr Corporation | Containing and cooling apparatus for an integrated circuit device having a thermal insulator |
JPH0722549A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-24 | Pioneer Electron Corp | 電子冷却半導体装置 |
JPH0758254A (ja) * | 1993-08-19 | 1995-03-03 | Fujitsu Ltd | マルチチップモジュール及びその製造方法 |
US5651495A (en) * | 1993-12-14 | 1997-07-29 | Hughes Aircraft Company | Thermoelectric cooler assisted soldering |
US5461766A (en) * | 1994-01-26 | 1995-10-31 | Sun Microsystems, Inc. | Method for integrally packaging an integrated circuit with a heat transfer apparatus |
US5441102A (en) * | 1994-01-26 | 1995-08-15 | Sun Microsystems, Inc. | Heat exchanger for electronic equipment |
US5457342A (en) * | 1994-03-30 | 1995-10-10 | Herbst, Ii; Gerhardt G. | Integrated circuit cooling apparatus |
JP2986381B2 (ja) * | 1994-08-16 | 1999-12-06 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 電子チップ温度制御装置及び方法 |
US5637921A (en) * | 1995-04-21 | 1997-06-10 | Sun Microsystems, Inc. | Sub-ambient temperature electronic package |
US5918469A (en) * | 1996-01-11 | 1999-07-06 | Silicon Thermal, Inc. | Cooling system and method of cooling electronic devices |
DE19647179A1 (de) * | 1996-11-14 | 1997-12-04 | Siemens Ag | Einrichtung zur Entwärmung wenigstens eines Halbleiter-Bauelementes |
USRE41801E1 (en) | 1997-03-31 | 2010-10-05 | Nextreme Thermal Solutions, Inc. | Thin-film thermoelectric device and fabrication method of same |
US5921087A (en) * | 1997-04-22 | 1999-07-13 | Intel Corporation | Method and apparatus for cooling integrated circuits using a thermoelectric module |
US6052559A (en) * | 1997-05-02 | 2000-04-18 | Motorola, Inc. | Thermoelectrically cooled low noise amplifier and method |
US6043982A (en) * | 1998-04-01 | 2000-03-28 | Raytheon Company | Integrated circuit package having a thermoelectric cooling element therein |
US6121539A (en) | 1998-08-27 | 2000-09-19 | International Business Machines Corporation | Thermoelectric devices and methods for making the same |
US6094919A (en) * | 1999-01-04 | 2000-08-01 | Intel Corporation | Package with integrated thermoelectric module for cooling of integrated circuits |
US6196002B1 (en) * | 1999-06-24 | 2001-03-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ball grid array package having thermoelectric cooler |
US6424533B1 (en) | 2000-06-29 | 2002-07-23 | International Business Machines Corporation | Thermoelectric-enhanced heat spreader for heat generating component of an electronic device |
US6365821B1 (en) * | 2000-07-24 | 2002-04-02 | Intel Corporation | Thermoelectrically cooling electronic devices |
US6743972B2 (en) * | 2000-09-18 | 2004-06-01 | Chris Macris | Heat dissipating IC devices |
US6345507B1 (en) | 2000-09-29 | 2002-02-12 | Electrografics International Corporation | Compact thermoelectric cooling system |
WO2002086980A1 (en) * | 2001-04-24 | 2002-10-31 | Top-Cool Holding B.V. | Electric cooling device |
ATE512462T1 (de) * | 2001-08-28 | 2011-06-15 | Advanced Materials Tech | Mikroelektronische wärmeabfuhrgehäusung und deren herstellungsverfahren |
US6581388B2 (en) | 2001-11-27 | 2003-06-24 | Sun Microsystems, Inc. | Active temperature gradient reducer |
US7205675B2 (en) | 2003-01-29 | 2007-04-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-fabricated device with thermoelectric device and method of making |
US6711904B1 (en) | 2003-03-06 | 2004-03-30 | Texas Instruments Incorporated | Active thermal management of semiconductor devices |
FR2853137B1 (fr) * | 2003-03-24 | 2005-05-20 | Egide Sa | Boitier electronique ou optoelectronique thermo-regulant a fond alveolaire hautement hermetique integrant un systeme de regulation et de dissipation thermique par effet thermoelectrique (peltier) |
TWI273680B (en) * | 2003-03-27 | 2007-02-11 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Semiconductor package with embedded heat spreader abstract of the disclosure |
FR2853202B1 (fr) * | 2003-03-31 | 2006-01-27 | Egide Sa | Procede de realisation de boitiers electroniques ou optoelectroniques hautement hermetiques integrant au moins un systeme de regulation et de dissipation thermique par effet thermoelectrique |
EP1515364B1 (en) | 2003-09-15 | 2016-04-13 | Nuvotronics, LLC | Device package and methods for the fabrication and testing thereof |
US8404960B2 (en) | 2004-08-31 | 2013-03-26 | Lsi Corporation | Method for heat dissipation on semiconductor device |
US7342787B1 (en) | 2004-09-15 | 2008-03-11 | Sun Microsystems, Inc. | Integrated circuit cooling apparatus and method |
TWI254432B (en) * | 2005-01-14 | 2006-05-01 | Ind Tech Res Inst | Solid cooling structure and formation thereof with integrated package |
US7622327B2 (en) * | 2006-03-30 | 2009-11-24 | Intel Corporation | Covered devices in a semiconductor package |
US7915081B2 (en) * | 2006-03-31 | 2011-03-29 | Intel Corporation | Flexible interconnect pattern on semiconductor package |
US7870893B2 (en) * | 2006-04-06 | 2011-01-18 | Oracle America, Inc. | Multichannel cooling system with magnetohydrodynamic pump |
US7672129B1 (en) | 2006-09-19 | 2010-03-02 | Sun Microsystems, Inc. | Intelligent microchannel cooling |
US7436059B1 (en) | 2006-11-17 | 2008-10-14 | Sun Microsystems, Inc. | Thermoelectric cooling device arrays |
US7759789B2 (en) * | 2008-01-14 | 2010-07-20 | International Business Machines Corporation | Local area semiconductor cooling system |
US9360514B2 (en) * | 2012-04-05 | 2016-06-07 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Thermal reliability testing systems with thermal cycling and multidimensional heat transfer |
US9574951B2 (en) | 2013-09-09 | 2017-02-21 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensor including temperature sensor and electronic shutter function |
US9093573B2 (en) | 2013-09-09 | 2015-07-28 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensor including temperature sensor and electronic shutter function |
US9913405B2 (en) | 2015-03-25 | 2018-03-06 | Globalfoundries Inc. | Glass interposer with embedded thermoelectric devices |
US9559283B2 (en) | 2015-03-30 | 2017-01-31 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit cooling using embedded peltier micro-vias in substrate |
US9941458B2 (en) | 2015-03-30 | 2018-04-10 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit cooling using embedded peltier micro-vias in substrate |
US10319654B1 (en) | 2017-12-01 | 2019-06-11 | Cubic Corporation | Integrated chip scale packages |
JP7024870B2 (ja) * | 2018-06-27 | 2022-02-24 | 富士電機株式会社 | 冷却装置、半導体モジュールおよび車両 |
JP7147517B2 (ja) * | 2018-11-30 | 2022-10-05 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光部品、及びこれを用いた光モジュール |
US11416048B2 (en) * | 2019-07-22 | 2022-08-16 | Micron Technology, Inc. | Using a thermoelectric component to improve memory sub-system performance |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01295449A (ja) * | 1988-05-24 | 1989-11-29 | Toshiba Corp | 冷却型固体撮像装置 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3429040A (en) * | 1965-06-18 | 1969-02-25 | Ibm | Method of joining a component to a substrate |
USRE27934E (en) * | 1971-08-12 | 1974-03-05 | Circuit structure | |
US4011104A (en) * | 1973-10-05 | 1977-03-08 | Hughes Aircraft Company | Thermoelectric system |
US3994277A (en) * | 1973-12-06 | 1976-11-30 | Gerald Altman | Radiation cooling devices and processes |
US4155226A (en) * | 1973-12-06 | 1979-05-22 | Gerald Altman | Infrared cooler for restricted regions |
US4147040A (en) * | 1974-02-25 | 1979-04-03 | Gerald Altman | Radiation cooling devices and processes |
DE2542174C3 (de) * | 1974-09-21 | 1980-02-14 | Nippon Electric Co., Ltd., Tokio | Halbleiterlaservorrichtung |
DE2634274A1 (de) * | 1976-07-30 | 1978-02-02 | Detlef Mann | Taupunkt-messgeraet |
DE2737345C2 (de) * | 1976-08-20 | 1991-07-25 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Halbleiterlaser-Vorrichtung mit einem Peltier-Element |
US4034469A (en) * | 1976-09-03 | 1977-07-12 | Ibm Corporation | Method of making conduction-cooled circuit package |
US4279292A (en) * | 1978-09-29 | 1981-07-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Charge coupled device temperature gradient and moisture regulator |
US4238759A (en) * | 1978-10-20 | 1980-12-09 | University Of Delaware | Monolithic Peltier temperature controlled junction |
US4297653A (en) * | 1979-04-30 | 1981-10-27 | Xerox Corporation | Hybrid semiconductor laser/detectors |
GB2054949B (en) * | 1979-07-26 | 1983-04-07 | Standard Telephones Cables Ltd | Cooling arrangement for laser diode |
US4399541A (en) * | 1981-02-17 | 1983-08-16 | Northern Telecom Limited | Light emitting device package having combined heater/cooler |
FR2504293B1 (fr) * | 1981-04-20 | 1987-01-09 | Burr Brown Res Corp | Procede et module de regulation de temperature pour un circuit electronique |
GB2112565B (en) * | 1981-12-24 | 1985-12-18 | Ferranti Ltd | Peltier effect temperature control device |
US4402185A (en) * | 1982-01-07 | 1983-09-06 | Ncr Corporation | Thermoelectric (peltier effect) hot/cold socket for packaged I.C. microprobing |
JPS5994891A (ja) * | 1982-11-24 | 1984-05-31 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
DE3337194A1 (de) * | 1983-10-13 | 1985-04-25 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Gehaeuse fuer ein optoelektronisches halbleiterbauelement |
FR2570169B1 (fr) * | 1984-09-12 | 1987-04-10 | Air Ind | Perfectionnements apportes aux modules thermo-electriques a plusieurs thermo-elements pour installation thermo-electrique, et installation thermo-electrique comportant de tels modules thermo-electriques |
US4926227A (en) * | 1986-08-01 | 1990-05-15 | Nanometrics Inc. | Sensor devices with internal packaged coolers |
JPS63175202A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-19 | Hitachi Ltd | 磁気メモリパツケ−ジ |
US4855810A (en) * | 1987-06-02 | 1989-08-08 | Gelb Allan S | Thermoelectric heat pump |
BE1000697A6 (fr) * | 1987-10-28 | 1989-03-14 | Irish Transformers Ltd | Appareil pour tester des circuits electriques integres. |
-
1990
- 1990-02-28 US US07/486,467 patent/US5032897A/en not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-01-15 BR BR919100162A patent/BR9100162A/pt not_active Application Discontinuation
- 1991-01-18 EP EP91300420A patent/EP0447020A1/en not_active Withdrawn
- 1991-02-15 JP JP3042193A patent/JPH04216656A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01295449A (ja) * | 1988-05-24 | 1989-11-29 | Toshiba Corp | 冷却型固体撮像装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005128185A (ja) * | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Fujitsu Ltd | 光デバイスモジュール |
JP4727916B2 (ja) * | 2003-10-22 | 2011-07-20 | 富士通株式会社 | 光デバイスモジュール |
JP2012104554A (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-31 | Freesia Makurosu Kk | 放熱構造 |
US9228763B2 (en) | 2011-12-01 | 2016-01-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thermoelectric cooling packages and thermal management methods thereof |
US9671141B2 (en) | 2011-12-01 | 2017-06-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thermoelectric cooling packages and thermal management methods thereof |
US10658266B2 (en) | 2011-12-01 | 2020-05-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thermoelectric cooling packages and thermal management methods thereof |
WO2023074123A1 (ja) * | 2021-10-27 | 2023-05-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置及び電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BR9100162A (pt) | 1991-10-22 |
EP0447020A1 (en) | 1991-09-18 |
US5032897A (en) | 1991-07-16 |
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