JPH0982883A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH0982883A JPH0982883A JP23117395A JP23117395A JPH0982883A JP H0982883 A JPH0982883 A JP H0982883A JP 23117395 A JP23117395 A JP 23117395A JP 23117395 A JP23117395 A JP 23117395A JP H0982883 A JPH0982883 A JP H0982883A
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 半導体装置、特に、比較的発熱量の少ないマ
ルチチップモジュールにおける冷却構造に関し、装置全
体を軽量化すると共に、装置内に不純物が侵入しないよ
うにする。 【解決手段】 回路素子を形成しチップ部品４−１，４
−２を搭載した基板３の所要部に熱伝導性のナット２２
（またはおねじ部品２５）の一方の端面が接着され、該
ナット２２の他方の端面（または該おねじ部品のねじ部
の一部）が露呈するように該基板を封入する樹脂パッケ
ージ２がモールド形成されたのち、該ナット（または該
おねじ部品）に嵌合するおねじ部品（またはナット）を
用いて該ナット（または該おねじ部品）に放熱フィン２
４が装着されている。
ルチチップモジュールにおける冷却構造に関し、装置全
体を軽量化すると共に、装置内に不純物が侵入しないよ
うにする。 【解決手段】 回路素子を形成しチップ部品４−１，４
−２を搭載した基板３の所要部に熱伝導性のナット２２
（またはおねじ部品２５）の一方の端面が接着され、該
ナット２２の他方の端面（または該おねじ部品のねじ部
の一部）が露呈するように該基板を封入する樹脂パッケ
ージ２がモールド形成されたのち、該ナット（または該
おねじ部品）に嵌合するおねじ部品（またはナット）を
用いて該ナット（または該おねじ部品）に放熱フィン２
４が装着されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置、特に、
アルミナまたはシリコンまたはガラスエポキシ等にてな
る基板に回路素子を形成し、さらに半導体チップ等のチ
ップ部品を搭載したのち、それらをパッケージに収容し
たマルチチップモジュール（以下ＭＣＭとする）の放熱
構造に関する。
アルミナまたはシリコンまたはガラスエポキシ等にてな
る基板に回路素子を形成し、さらに半導体チップ等のチ
ップ部品を搭載したのち、それらをパッケージに収容し
たマルチチップモジュール（以下ＭＣＭとする）の放熱
構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、回路素子を形成した多層基板に
複数のチップ部品を搭載し、その基板をパッケージに収
容したＭＣＭ、特に、大電力チップを基板に実装したＭ
ＣＭにおいては、回路から発生する熱、特に大電力チッ
プからの発熱を装置外に放出させる必要がある。
複数のチップ部品を搭載し、その基板をパッケージに収
容したＭＣＭ、特に、大電力チップを基板に実装したＭ
ＣＭにおいては、回路から発生する熱、特に大電力チッ
プからの発熱を装置外に放出させる必要がある。
【０００３】図４は従来のＭＣＭの概略構成を示す断面
図である。図４(a) において、トランスファモールドに
よって樹脂パッケージ２を形成したＭＣＭ１は、アルミ
ナ等にてなる基板３に配線パターン等の回路素子を形成
し、その表面と裏面にチップ部品、例えば複数の半導体
チップ４-1とチップ抵抗やチップコンデンサ等４-2を搭
載してなり、アルミニウム等にてなる放熱フィン６は、
多数のリード端子５が導出されたパッケージ２の上面
に、接着剤７にて接着され、基板３および基板３に形成
された回路素子および基板３に搭載されたチップ部品
(半導体チップおよびチップ抵抗等)4-1,4-2は、樹脂パ
ッケージ２内に密封されている。
図である。図４(a) において、トランスファモールドに
よって樹脂パッケージ２を形成したＭＣＭ１は、アルミ
ナ等にてなる基板３に配線パターン等の回路素子を形成
し、その表面と裏面にチップ部品、例えば複数の半導体
チップ４-1とチップ抵抗やチップコンデンサ等４-2を搭
載してなり、アルミニウム等にてなる放熱フィン６は、
多数のリード端子５が導出されたパッケージ２の上面
に、接着剤７にて接着され、基板３および基板３に形成
された回路素子および基板３に搭載されたチップ部品
(半導体チップおよびチップ抵抗等)4-1,4-2は、樹脂パ
ッケージ２内に密封されている。
【０００４】このような従来のＭＣＭ１において、放熱
効果を高めるため発熱量の大きいチップ部品は基板３の
上面に搭載され、それらから発生した熱は主として樹脂
パッケージ２を通って放熱フィン６に伝播し、放熱フィ
ン６から放出されるようになる。
効果を高めるため発熱量の大きいチップ部品は基板３の
上面に搭載され、それらから発生した熱は主として樹脂
パッケージ２を通って放熱フィン６に伝播し、放熱フィ
ン６から放出されるようになる。
【０００５】図４(b) において、トランスファモールド
によって樹脂パッケージ２を形成したＭＣＭ８は、アル
ミナ等にてなる基板３に配線パターン等の回路素子を形
成し、基板３にチップ部品、例えば複数の半導体チップ
４-1とチップ抵抗等４-2を搭載し、基板３の上面には放
熱ブロック９を搭載し、アルミニウム等にてなる放熱フ
ィン10は放熱ブロック９の上面に、例えばねじ11によっ
て固着され、基板３および基板３に形成された回路素子
および基板３に搭載されたチップ部品４-1,4-2は樹脂パ
ッケージ２に密封されている。
によって樹脂パッケージ２を形成したＭＣＭ８は、アル
ミナ等にてなる基板３に配線パターン等の回路素子を形
成し、基板３にチップ部品、例えば複数の半導体チップ
４-1とチップ抵抗等４-2を搭載し、基板３の上面には放
熱ブロック９を搭載し、アルミニウム等にてなる放熱フ
ィン10は放熱ブロック９の上面に、例えばねじ11によっ
て固着され、基板３および基板３に形成された回路素子
および基板３に搭載されたチップ部品４-1,4-2は樹脂パ
ッケージ２に密封されている。
【０００６】このようなＭＣＭ８において、チップ部品
４-1,4-2等から発生した熱は、主として放熱ブロック９
を通って放熱フィン10に伝播し、放熱フィン10から放出
されるようになる。
４-1,4-2等から発生した熱は、主として放熱ブロック９
を通って放熱フィン10に伝播し、放熱フィン10から放出
されるようになる。
【０００７】なお、図４(a),(b) において、12は半導体
チップ４-1を基板３の回路に接続するワイヤ、13は基板
３の回路と外部リード５とを接続するワイヤであり、基
板３の下面に形成された回路素子および搭載されたチッ
プ部品４-1, ４-2は、基板３に形成されたスルーホール
を介して基板３の上面に形成された導体パターンに接続
されている。
チップ４-1を基板３の回路に接続するワイヤ、13は基板
３の回路と外部リード５とを接続するワイヤであり、基
板３の下面に形成された回路素子および搭載されたチッ
プ部品４-1, ４-2は、基板３に形成されたスルーホール
を介して基板３の上面に形成された導体パターンに接続
されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したようにＭ
ＣＭ１は、樹脂パッケージ２を伝播した熱が放熱フィン
７に伝播し、しかるのち大気中に放出する構成であり、
冷却効率があまり良くない。
ＣＭ１は、樹脂パッケージ２を伝播した熱が放熱フィン
７に伝播し、しかるのち大気中に放出する構成であり、
冷却効率があまり良くない。
【０００９】そこで登場したＭＣＭ８は、樹脂パッケー
ジ２より熱伝導に優れる放熱ブロック９を伝播した熱が
放熱フィン７に伝播し、しかるのち大気中に放出される
構成のため、冷却効率はＭＣＭ１より優れる。
ジ２より熱伝導に優れる放熱ブロック９を伝播した熱が
放熱フィン７に伝播し、しかるのち大気中に放出される
構成のため、冷却効率はＭＣＭ１より優れる。
【００１０】かかるＭＣＭ８において放熱ブロック９
は、成るべく大形のものを使用して冷却効率をよくする
構成である。しかし、熱膨張係数がパッケージ２のそれ
に近い材料例えばコバールを放熱ブロック９に使用して
も、パッケージ２と放熱ブロック９との境界には、熱膨
張係数の差による隙間のできることが不可避であり、そ
の隙間を通った不純物が基板３に到達し、基板３に形成
した配線等の回路素子を腐蝕させることがあった。
は、成るべく大形のものを使用して冷却効率をよくする
構成である。しかし、熱膨張係数がパッケージ２のそれ
に近い材料例えばコバールを放熱ブロック９に使用して
も、パッケージ２と放熱ブロック９との境界には、熱膨
張係数の差による隙間のできることが不可避であり、そ
の隙間を通った不純物が基板３に到達し、基板３に形成
した配線等の回路素子を腐蝕させることがあった。
【００１１】さらに、発熱量が比較的少ない回路構成の
ＭＣＭにあっては、放熱ブロック９によって重くなり過
ぎ、特に、従来のＭＣＭ１では接着された放熱フィン６
が邪魔になって自動機によるマザーボード等へ搭載およ
びリフローによるはんだ付けが困難になる、という欠点
があった。
ＭＣＭにあっては、放熱ブロック９によって重くなり過
ぎ、特に、従来のＭＣＭ１では接着された放熱フィン６
が邪魔になって自動機によるマザーボード等へ搭載およ
びリフローによるはんだ付けが困難になる、という欠点
があった。
【００１２】
【課題を解決するための手段】基板と放熱フィンとの間
に配設した部材の周囲に隙間が生じないようにし、か
つ、軽量化を目的とした本発明は、回路素子を形成しチ
ップ部品を搭載した基板の所要部に熱伝導性のナットの
一方の端面が接着され、該ナットの他方の端面が露呈す
るように該基板を封入する樹脂パッケージをモールド形
成したのち、おねじ部品を用いて該ナットに放熱フィン
が装着されてなること、または、回路素子を形成しチッ
プ部品を搭載した基板の所要部に熱伝導性のおねじ部品
の一方の端面を接着し、該おねじ部品のねじ部の少なく
とも一部が露呈するように該基板を封入する樹脂パッケ
ージをモールド形成したのち、ナットを用いて該おねじ
部品に放熱フィンが装着されてなることを特徴とし、さ
らには、前記基板に接着されるナットまたはおねじ部品
の側面に樹脂パッケージが係合形成される凹凸またはフ
ランジを設ける、前記基板に接着したナットまたはおね
じ部品が、該基板に搭載した所望のチップ部品とその基
板を挟んで対向する位置に接着されてなること、を特徴
とする。
に配設した部材の周囲に隙間が生じないようにし、か
つ、軽量化を目的とした本発明は、回路素子を形成しチ
ップ部品を搭載した基板の所要部に熱伝導性のナットの
一方の端面が接着され、該ナットの他方の端面が露呈す
るように該基板を封入する樹脂パッケージをモールド形
成したのち、おねじ部品を用いて該ナットに放熱フィン
が装着されてなること、または、回路素子を形成しチッ
プ部品を搭載した基板の所要部に熱伝導性のおねじ部品
の一方の端面を接着し、該おねじ部品のねじ部の少なく
とも一部が露呈するように該基板を封入する樹脂パッケ
ージをモールド形成したのち、ナットを用いて該おねじ
部品に放熱フィンが装着されてなることを特徴とし、さ
らには、前記基板に接着されるナットまたはおねじ部品
の側面に樹脂パッケージが係合形成される凹凸またはフ
ランジを設ける、前記基板に接着したナットまたはおね
じ部品が、該基板に搭載した所望のチップ部品とその基
板を挟んで対向する位置に接着されてなること、を特徴
とする。
【００１３】以上説明したように、ナットまたはおねじ
部品を基板に接着し、樹脂パッケージを形成したのち該
ナットまたはおねじ部品に放熱フィンを装着した半導体
装置において、回路内に発生した熱は、該ナットまたは
おねじ部品を介して装置内の熱が放熱フィンに伝播して
その放熱フィンから放出されるようになる。
部品を基板に接着し、樹脂パッケージを形成したのち該
ナットまたはおねじ部品に放熱フィンを装着した半導体
装置において、回路内に発生した熱は、該ナットまたは
おねじ部品を介して装置内の熱が放熱フィンに伝播して
その放熱フィンから放出されるようになる。
【００１４】また、基板に接着したナットまたはおねじ
部品の側面に凹凸またはフランジを設けることで、放熱
フィンを取付けるときの抜去力に前記接着力が耐えるよ
うになり、基板に接着したナットまたはおねじ部品の位
置を基板に搭載した所望のチップ部品とその基板を挟ん
で対向するように設定することで、良好な冷却効率が確
保されるようになる。
部品の側面に凹凸またはフランジを設けることで、放熱
フィンを取付けるときの抜去力に前記接着力が耐えるよ
うになり、基板に接着したナットまたはおねじ部品の位
置を基板に搭載した所望のチップ部品とその基板を挟ん
で対向するように設定することで、良好な冷却効率が確
保されるようになる。
【００１５】かかる半導体装置において、放熱フィン装
着のため基板に接着した前記ナットまたはおねじ部品
は、従来の放熱ブロックに比べ小型かつ軽量であり、パ
ッケージ用樹脂との熱膨張係数の差によって生じる隙間
がきわめて小さくなる。そのため、半導体装置が軽量と
なってその取扱いが容易になると共に、装置内に不純物
が侵入して発生する機能障害を防止可能にする。
着のため基板に接着した前記ナットまたはおねじ部品
は、従来の放熱ブロックに比べ小型かつ軽量であり、パ
ッケージ用樹脂との熱膨張係数の差によって生じる隙間
がきわめて小さくなる。そのため、半導体装置が軽量と
なってその取扱いが容易になると共に、装置内に不純物
が侵入して発生する機能障害を防止可能にする。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施例によるＭＣ
Ｍの断面図であり、図２は図１のＭＣＭに使用したナッ
トの構成例を示す断面図、図３は本発明の他の実施例に
よるＭＣＭの断面図である。
Ｍの断面図であり、図２は図１のＭＣＭに使用したナッ
トの構成例を示す断面図、図３は本発明の他の実施例に
よるＭＣＭの断面図である。
【００１７】図１において、トランスファモールドによ
って樹脂パッケージ２を形成したＭＣＭ21は、アルミ
ナ, シリコン, ガラスエポキシ等にてなる基板３に配線
パターン等の回路素子を形成し、その基板３にチップ部
品例えば複数の半導体チップ４ -1とチップ抵抗等４-2を
搭載し、複数の放熱ナット22の下端面を接着剤23で基板
３に接着し、樹脂パッケージ２を形成したのち、アルミ
ニウム等にてなる放熱フィン24は、放熱ナット22に嵌合
するおねじ部品（小ねじ）25によって、放熱フィン24の
下面がパッケージ２の上面に当接するように、固着され
ている。
って樹脂パッケージ２を形成したＭＣＭ21は、アルミ
ナ, シリコン, ガラスエポキシ等にてなる基板３に配線
パターン等の回路素子を形成し、その基板３にチップ部
品例えば複数の半導体チップ４ -1とチップ抵抗等４-2を
搭載し、複数の放熱ナット22の下端面を接着剤23で基板
３に接着し、樹脂パッケージ２を形成したのち、アルミ
ニウム等にてなる放熱フィン24は、放熱ナット22に嵌合
するおねじ部品（小ねじ）25によって、放熱フィン24の
下面がパッケージ２の上面に当接するように、固着され
ている。
【００１８】熱伝播の媒体となるため熱伝導性が必要な
ナット22は、コバール, 鉄 アルミニウム, 銅, アルミ
ナ, 窒化アルミ等にて作成したもの、好ましくはパッケ
ージ２との熱膨張係数差の少ないコバールにて作成した
ものを使用し、さらに好ましくは放熱フィン24の装着に
先立って、放熱フィン24が接するパッケージ２の上面
に、熱伝導のよい接着剤を塗布し、パッケージ２と放熱
フィン24との隙間をなくすようにする。
ナット22は、コバール, 鉄 アルミニウム, 銅, アルミ
ナ, 窒化アルミ等にて作成したもの、好ましくはパッケ
ージ２との熱膨張係数差の少ないコバールにて作成した
ものを使用し、さらに好ましくは放熱フィン24の装着に
先立って、放熱フィン24が接するパッケージ２の上面
に、熱伝導のよい接着剤を塗布し、パッケージ２と放熱
フィン24との隙間をなくすようにする。
【００１９】放熱フィン24を装着するため放熱ナット22
にねじ25を嵌合させると、ナット22には引き抜かれる方
向の力が発生する。そこで、パッケージ２と放熱ナット
22との間には、パッケージ２をモールド形成したとき前
記引き抜き力に抗する係合手段を設けることが望まし
い。
にねじ25を嵌合させると、ナット22には引き抜かれる方
向の力が発生する。そこで、パッケージ２と放熱ナット
22との間には、パッケージ２をモールド形成したとき前
記引き抜き力に抗する係合手段を設けることが望まし
い。
【００２０】そこで本発明では、図２に示す如く、放熱
ナット22-1では外筒面に複数のリング状の凹凸または渦
巻き状の凹凸を形成し、放熱ナット22-2では外方に突出
するフランジを形成し、放熱ナット22-3では上端面径よ
り下端面径が大きい台形状に形成し、放熱ナット22-4で
は高さ方向の中央部で膨らむ太鼓形状に形成し、放熱ナ
ット22-5では高さ方向の中央部で窄まる鼓形状に形成し
たものを使用し、何れも良好な結果が得られた。
ナット22-1では外筒面に複数のリング状の凹凸または渦
巻き状の凹凸を形成し、放熱ナット22-2では外方に突出
するフランジを形成し、放熱ナット22-3では上端面径よ
り下端面径が大きい台形状に形成し、放熱ナット22-4で
は高さ方向の中央部で膨らむ太鼓形状に形成し、放熱ナ
ット22-5では高さ方向の中央部で窄まる鼓形状に形成し
たものを使用し、何れも良好な結果が得られた。
【００２１】なお、図１において、26はナット22の下端
面を基板３に接着する接着剤、27はねじ25の頭と放熱フ
ィン24との間に嵌挿された座金、12は半導体チップ４-1
を基板３の回路に接続するワイヤ、13は基板３の回路と
パッケージ２から導出される外部リード５とを接続する
ワイヤである。
面を基板３に接着する接着剤、27はねじ25の頭と放熱フ
ィン24との間に嵌挿された座金、12は半導体チップ４-1
を基板３の回路に接続するワイヤ、13は基板３の回路と
パッケージ２から導出される外部リード５とを接続する
ワイヤである。
【００２２】図３において、トランスファモールドによ
って樹脂パッケージ２を形成したＭＣＭ31は、アルミ
ナ, シリコン, ガラスエポキシ等にてなる基板３に配線
パターン等の回路素子を形成し、その基板３にチップ部
品例えば複数の半導体チップ４ -1とチップ抵抗等４-2を
搭載し、複数のおねじ部品32の下端面を接着剤23で基板
３に接着し、樹脂パッケージ２を形成したのち、アルミ
ニウム等にてなる放熱フィン24は、おねじ部品32に嵌合
するナット33によって、放熱フィン24の下面がパッケー
ジ２の上端面に当接するように、固着されている。
って樹脂パッケージ２を形成したＭＣＭ31は、アルミ
ナ, シリコン, ガラスエポキシ等にてなる基板３に配線
パターン等の回路素子を形成し、その基板３にチップ部
品例えば複数の半導体チップ４ -1とチップ抵抗等４-2を
搭載し、複数のおねじ部品32の下端面を接着剤23で基板
３に接着し、樹脂パッケージ２を形成したのち、アルミ
ニウム等にてなる放熱フィン24は、おねじ部品32に嵌合
するナット33によって、放熱フィン24の下面がパッケー
ジ２の上端面に当接するように、固着されている。
【００２３】熱伝播の媒体となるため熱伝導性が必要な
おねじ部品32は、コバール, 鉄 アルミニウム, 銅, ア
ルミナ, 窒化アルミ等にて作成したもの、好ましくはパ
ッケージ２との熱膨張係数差の少ないコバールにて作成
したものを使用し、さらに好ましくは放熱フィン24の装
着に先立って、放熱フィン24が接するパッケージ２の上
面に、熱伝導のよい接着剤またはを塗布し、パッケージ
２と放熱フィン24との隙間をなくすようにする。
おねじ部品32は、コバール, 鉄 アルミニウム, 銅, ア
ルミナ, 窒化アルミ等にて作成したもの、好ましくはパ
ッケージ２との熱膨張係数差の少ないコバールにて作成
したものを使用し、さらに好ましくは放熱フィン24の装
着に先立って、放熱フィン24が接するパッケージ２の上
面に、熱伝導のよい接着剤またはを塗布し、パッケージ
２と放熱フィン24との隙間をなくすようにする。
【００２４】放熱フィン24を装着するためおねじ部品32
にナット33を嵌合させると、おねじ部品32には引き抜か
れる方向の力が発生する。そこで、パッケージ２とおね
じ部品32との間には、パッケージ２をモールド形成した
とき前記引き抜き力に抗する係合手段を設けることが望
ましい。
にナット33を嵌合させると、おねじ部品32には引き抜か
れる方向の力が発生する。そこで、パッケージ２とおね
じ部品32との間には、パッケージ２をモールド形成した
とき前記引き抜き力に抗する係合手段を設けることが望
ましい。
【００２５】かかる係合手段としてはおねじ部品32のね
じ長を長くする、即ちねじの下部にパッケージ２の樹脂
が食い込むようにしてもよい。しかし、図３のＭＣＭ31
ではねじ部品32の下端にフランジを設けた構造としてい
る。
じ長を長くする、即ちねじの下部にパッケージ２の樹脂
が食い込むようにしてもよい。しかし、図３のＭＣＭ31
ではねじ部品32の下端にフランジを設けた構造としてい
る。
【００２６】なお、図３において、34はナット22の下端
面を基板３に接着する接着剤、35はナット33と放熱フィ
ン24との間に嵌挿された座金、12は半導体チップ４-1を
基板３の回路に接続するワイヤ、13は基板３の回路とパ
ッケージ２から導出される外部リード５とを接続するワ
イヤである。
面を基板３に接着する接着剤、35はナット33と放熱フィ
ン24との間に嵌挿された座金、12は半導体チップ４-1を
基板３の回路に接続するワイヤ、13は基板３の回路とパ
ッケージ２から導出される外部リード５とを接続するワ
イヤである。
【００２７】前記実施例のＭＣＭ21および31において、
放熱媒体となるナット22またはおねじ部品32は、基板３
を挟んで発熱量の大きい搭載チップ部品４-1，４-2と対
向するように接着し、冷却効率が高められるようにして
ある。
放熱媒体となるナット22またはおねじ部品32は、基板３
を挟んで発熱量の大きい搭載チップ部品４-1，４-2と対
向するように接着し、冷却効率が高められるようにして
ある。
【００２８】このように、発熱量の大きい搭載チップ部
品４-1，４-2とナット22またはおねじ部品32とを対向さ
せるためには、そのチップ部品４-1，４-2の配設位置
を、ナット22またはおねじ部品32が配設し易いまたは好
ましい位置となるように、配慮することも必要になる。
品４-1，４-2とナット22またはおねじ部品32とを対向さ
せるためには、そのチップ部品４-1，４-2の配設位置
を、ナット22またはおねじ部品32が配設し易いまたは好
ましい位置となるように、配慮することも必要になる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では比較的
発熱量の少ないＭＣＭにおいて、従来の放熱ブロックを
有する装置より軽量で、取扱いが容易になると共に、所
要の冷却効果が得られるようになり、かつ、本発明の放
熱フィンはパッケージをマザーボード等へ搭載したのち
ユーザーサイドで装着可能であるため、放熱フィンが接
着された従来のＭＣＭにおける自動搭載およびリフロー
はんだ接続に対する問題点が解決される。
発熱量の少ないＭＣＭにおいて、従来の放熱ブロックを
有する装置より軽量で、取扱いが容易になると共に、所
要の冷却効果が得られるようになり、かつ、本発明の放
熱フィンはパッケージをマザーボード等へ搭載したのち
ユーザーサイドで装着可能であるため、放熱フィンが接
着された従来のＭＣＭにおける自動搭載およびリフロー
はんだ接続に対する問題点が解決される。
【図１】 本発明の実施例によるＭＣＭの断面図
【図２】 図１のＭＣＭに使用したナットの構成例を示
す断面図
す断面図
【図３】 本発明の他の実施例によるＭＣＭの断面図
【図４】 従来のＭＣＭの概略構成を示す断面図
２ 樹脂パッケージ ３ 基板 ４-1 基板に搭載された半導体チップ ４-2 基板に搭載されたチップ抵抗やチップコンデンサ
等 21,31 ＭＣＭ（マルチチップモジュール） 22 ナット 24 放熱フィン 25 放熱フィン装着用おねじ部品 32 おねじ部品 33 放熱フィン装着用ナット
等 21,31 ＭＣＭ（マルチチップモジュール） 22 ナット 24 放熱フィン 25 放熱フィン装着用おねじ部品 32 おねじ部品 33 放熱フィン装着用ナット
Claims (5)
- 【請求項１】 回路素子を形成しチップ部品を搭載した
基板の所要部に熱伝導性のナットの一方の端面が接着さ
れ、該ナットの他方の端面が露呈するように該基板を封
入する樹脂パッケージがモールド形成されたのち、該ナ
ットに嵌合するおねじ部品を用いて該ナットに放熱フィ
ンが装着されてなること、を特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記ナットの側面には前記樹脂パッケー
ジが係合形成される凹凸またはフランジが形成されてな
ること、を特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 回路素子を形成しチップ部品を搭載した
基板の所要部に熱伝導性のおねじ部品の一方の端面を接
着し、該おねじ部品のねじ部の少なくとも一部が露呈す
るように該基板を封入する樹脂パッケージがモールド形
成されたのち、該おねじ部品に嵌合するナットを用いて
該おねじ部品に放熱フィンが装着されてなること、を特
徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 前記おねじ部品の側面には前記樹脂パッ
ケージが係合形成されるフランジが形成されてなるこ
と、を特徴とする請求項３記載の半導体装置。 - 【請求項５】 請求項１記載のナットまたは請求項３記
載のおねじ部品が、請求項１または３記載の基板に搭載
した所望のチップ部品と該基板を挟んで対向する位置に
接着されてなること、を特徴とする請求項１または３記
載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23117395A JPH0982883A (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23117395A JPH0982883A (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0982883A true JPH0982883A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=16919468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23117395A Withdrawn JPH0982883A (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0982883A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007109794A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Sony Computer Entertainment Inc | 半導体装置、半導体装置の作成方法 |
| JP2009164615A (ja) * | 2008-01-09 | 2009-07-23 | Walton Chaintech Corp | メモリ放熱構造 |
| JP2009164564A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-23 | Denso Corp | 電子装置およびその製造方法 |
| US8207607B2 (en) | 2007-12-14 | 2012-06-26 | Denso Corporation | Semiconductor device with resin mold |
| CN105493275A (zh) * | 2013-09-06 | 2016-04-13 | 丰田自动车株式会社 | 半导体装置 |
| JP6065973B2 (ja) * | 2013-05-09 | 2017-01-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール |
| JP2020004893A (ja) * | 2018-06-29 | 2020-01-09 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体モジュール、電力変換装置、およびパワー半導体モジュールの製造方法 |
-
1995
- 1995-09-08 JP JP23117395A patent/JPH0982883A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US9087924B2 (en) | 2007-12-14 | 2015-07-21 | Denso Corporation | Semiconductor device with resin mold |
| DE102008061636B4 (de) | 2007-12-14 | 2020-06-25 | Denso Corporation | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
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| Date | Code | Title | Description |
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