JP2002359453A - 回路基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】絶縁基板上に残る例えば導電性反応層等のエッ
チング残査を簡単に除去するようにして、外観上及び特
性的にも良好な回路基板を提供する。 【解決手段】金属板４０に対して所定の回路パターンに
沿ってエッチング処理を施して回路３６を形成する。そ
の後、金属板４０に対してエッチング処理を施して、回
路３６を形成する。その後、回路３６を含む全面に対し
てサンドブラスト処理を行って、回路３６の金属除去部
分３６ａに残存する導電性反応層７０を除去する。これ
によって、回路３６の金属除去部分３６ａから下層の絶
縁基板３２が露出することになる。サンドブラスト処理
は、回路３６の金属除去部分３６ａに残存する導電性反
応層７０を除去した段階で、回路３６上にＮｉメッキ層
３８が残存する条件で行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁基板上に回路
を有する回路基板及びその製造方法に関し、例えば半導
体等で構成された電子回路チップを冷却するために使用
される回路基板に用いて好適な回路基板及びその製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体装置が実装される回路基
板においては、半導体装置から発する熱を外部に効率よ
く伝達させることが肝要である。つまり、半導体装置に
とって熱は大敵であり、内部温度が最大許容接合温度を
超えないようにしなければならない。また、パワートラ
ンジスタや半導体整流素子等の半導体装置では、動作面
積当たりの消費電力が大きいため、半導体装置のケース
（パッケージ）やリードから放出される熱量だけでは、
発生熱量を放出しきれず、装置の内部温度が上昇して熱
破壊を引き起こすおそれがある。

【０００３】この現象は、ＣＰＵを搭載した半導体装置
においても同じであり、クロック周波数の向上に伴って
動作時の発熱量が多くなり、放熱を考慮した熱設計が重
要な事項となってきている。

【０００４】前記熱破壊の防止等を考慮した熱設計にお
いては、半導体装置のケース（パッケージ）に放熱面積
の大きいヒートシンクを固着することを前提にした回路
基板の設計や実装設計が行われている。

【０００５】ここで、熱対策を施した従来の回路基板２
００を図３６を参照しながら説明する（例えば特開平１
１−３０７６９６号公報参照）。

【０００６】この回路基板２００は、図３６に示すよう
に、半導体チップで発生する熱を放熱するための金属ベ
ース板２０２と、半導体チップ２０４を金属ベース板２
０２から絶縁するためのセラミック板２０６と、該セラ
ミック板２０６の上面にろう材２０８を介して設けられ
た金属板２２４による回路２１０と、セラミック板２０
６の下面にろう材２１２を介して設けられた下部電極板
２１４と、金属ベース板２０２とセラミック板２０６と
の間隔を広げるための金属スペーサ２１６と、金属ベー
ス板２０２に金属スペーサ２１６を固着するためのろう
材２１８と、回路２１０上に半導体チップ２０４を固着
するための半田層２２０と、金属スペーサ２１６上に下
部電極板２１４を固着するための半田層２２２とを有し
て構成されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図３６に示
す従来の回路基板２００において、セラミック板２０６
上に回路２１０を形成する場合、まず、セラミック板２
０６上に金属板２２４をろう材２０８を介して接合し、
その後、金属板２２４を選択的にエッチング処理して所
定の回路パターンに沿った形状の回路２１０を形成する
ようにしている。金属板２２４をエッチング処理して回
路２１０を形成する手法については、例えば特開平８−
９７５５４号公報、特開平９−１８１４２３号公報及び
特開平７−２３５７５０号公報等に開示されている。

【０００８】そして、セラミック板２０６上に金属板２
２４を接合するろう材２０８として、活性金属を含むろ
う材を使用することが考えられる。この場合、セラミッ
ク板２０６と回路２１０との接合強度の向上を図ること
ができる。

【０００９】しかし、図３６に示すように、セラミック
板２０６と金属板２２４とを前記ろう材２０８を介して
接合した際に、図３７に示すように、セラミック板２０
６と金属板２２４との間に導電性反応層２２６が形成さ
れる。この導電性反応層２２６は金属板２２４に対する
エッチング処理、即ち、銅をエッチングするために標準
的に用いられる塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液に
よるエッチング処理では除去することができず、セラミ
ック板２０６上に残存することとなる。セラミック板２
０６上に導電性反応層２２６が残存すると、回路２１０
間で短絡現象が生じるおそれがある。

【００１０】これを解決するために、上記の塩化第二鉄
水溶液や塩化第二銅水溶液による回路エッチングにおい
て残留する活性金属の窒化物層を含む不要ろう（エッチ
ング残査）を、その工程に続く別の酸処理で除去する方
法が提案されている。

【００１１】例えば、特許第２５９４４７５号公報に
は、不要ろうを、ふっ酸単独、もしくは無機酸とふっ酸
の混酸で除去する方法が開示され、特開平４−３２２４
９１号公報には、不要ろうをハロゲン化アンモニウムで
除去する方法が開示され、特開平５−１３９２０号公報
には、不要ろうをハロゲン化水素かハロゲン化アンモニ
ウムで処理後、無機酸と過酸化水素で除去する方法が開
示されている。

【００１２】また、特開平７−２３５７５０号公報に
は、不要ろうをふっ素化合物と過酸化水素を含むが、無
機酸を含まない溶液で除去する方法が開示され、特開平
１０−１５４８６６号公報には、不要ろうをふっ化アン
モニウム＋過酸化水素で処理後、アルカリ＋過酸化水素
の溶液で処理する工程で除去する方法が開示されてい
る。

【００１３】しかし、これらの手法では、ふっ酸系溶液
を使用するため、作業安全性への配慮が必要であること
など、工程管理が難しかったり、活性金属の窒化物層を
完全に除去できないなどの不都合がある。

【００１４】また、これらの不要ろうを、機械的に除去
する手法としては、ホーニング・レーザ加工にて除去す
る手法（例えば特開平７−９９３８０号公報参照）が考
えられるが、装置構成が大きくなり、製造コスト的にも
不利になるおそれがある。

【００１５】本発明はこのような課題を考慮してなされ
たものであり、絶縁基板上に残る例えば導電性反応層等
のエッチング残査を簡単に除去することができ、外観上
及び特性的にも良好な回路基板及びその製造方法を提供
することを目的とする。

【００１６】また、本発明の他の目的は、上述の条件に
加えて、金属製の冷却用フィン等を強固に固定すること
ができるように接合体全体の反りを制御することができ
る回路基板及びその製造方法を提供することにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明に係る回路基板
は、絶縁基板上に回路を有する回路基板において、前記
回路を、前記絶縁基板上に接合された金属板に対するエ
ッチング処理とサンドブラスト処理により形成すること
を特徴とする。

【００１８】また、本発明に係る回路基板は、絶縁基板
上に回路を有する回路基板において、前記回路は、前記
絶縁基板上に接合され、かつ、予め回路パターンが形成
された金属板に対するサンドブラスト処理により形成さ
れていることを特徴とする。

【００１９】本発明者らは、各種材料にサンドブラスト
処理を行った場合において、銅、アルミ、銀ろう等の金
属材料と、窒化物、酸化物等の硬度の高い非金属材料の
除去速度が異なることに注目した。後者の除去速度は前
者の除去速度の数倍から数１０倍であった。

【００２０】本発明者らは、活性金属ろうで絶縁基板に
銅板等の金属板を接合して、回路を形成した後、形成さ
れた回路間に金属材料の残留物を残さなければ、即ち、
絶縁基板（絶縁材料）上に形成された活性金属の窒化物
層のみを残すようにすれば、金属材料及び絶縁材料に対
して同一条件で全面にサンドブラスト処理を行っても、
上述したように、サンドブラスト処理における除去速度
の遅い金属材料による回路にほとんど影響を与えること
なく、サンドブラスト処理における除去速度の速い活性
金属の窒化物層のみを効果的に除去することができるこ
とを見出して本発明を完成させたものである。

【００２１】金属板から回路を形成する手法としては、
上述したように、金属板に対するエッチング処理や金属
板に対するプレス加工等が挙げられる。また、前記金属
による回路上にメッキ層が積層されていてもよい。

【００２２】この場合に、前記金属による回路の表面粗
さあるいは前記回路上におけるメッキ層の表面粗さがＲ
ａ＝１以下であることが好ましい。Ｒａ＝１を超える
と、その後の配線工程において、例えばボンディングワ
イヤが密着しにくいという問題が生じるからである。

【００２３】そして、前記絶縁基板上に活性元素を含む
硬ろう材を介して前記金属による回路が接合されていて
もよい。この場合、硬ろう材の厚さは１０μｍ以下であ
ることが好ましい。サンドブラスト処理にて除去する対
象物質は、前記絶縁基板と前記硬ろう材中の活性元素と
の反応によって生成される導電性反応層のうち、少なく
とも前記回路の金属除去部分に存在する導電性反応層で
ある。

【００２４】前記硬ろう材に含まれる活性元素として
は、周期律表第２Ａ族、第３Ａ族、第４Ａ族、第５Ａ族
又は第４Ｂ族のいずれかに属する元素の少なくとも１つ
を用いることができる。

【００２５】また、絶縁基板の下部にヒートスプレッダ
材あるいはヒートシンク材を接合するようにしてもよ
い。この場合、ヒートスプレッダ材あるいはヒートシン
ク材としては、ＳｉＣ、ＡｌＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＢｅＯ、Ａ
ｌ₂Ｏ₃、Ｂｅ₂Ｃ、Ｃ、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ、Ａｌ合
金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｓｉからなる群から選択された少
なくとも１つを構成材料とすることが好ましい。特に、
ヒートスプレッダ材としては、ＳｉＣ母材にＣｕ又はＣ
ｕ合金が含浸された複合材料、あるいはＣ母材にＣｕ又
はＣｕ合金が含浸された複合材料で構成されていること
が好ましい。なお、前記絶縁基板は、ＡｌＮ又はＳｉ₃
Ｎ₄で構成することができる。

【００２６】絶縁基板の下部にヒートスプレッダ材を接
合した構成を採用した場合は、前記絶縁基板と前記ヒー
トスプレッダ材との間に金属による緩衝板をそれぞれ活
性元素を含む硬ろう材を介して接合し、前記金属による
回路と前記絶縁基板と前記緩衝板と前記ヒートスプレッ
ダ材による第１の接合体を有するようにしてもよい。

【００２７】この場合、前記第１の接合体における前記
絶縁基板の熱膨張係数が、前記ヒートスプレッダ材に用
いられる材料の熱膨張係数より小さい場合には、前記金
属による回路の厚さが、前記緩衝板と前記ヒートスプレ
ッダ材あるいはヒートシンク材の合計との厚みの比が
１：０．５〜１：３であることが好ましい。これによ
り、前記第１の接合体が、前記金属板の下面側が外方に
向かって凸形状となるように反り、金属板の下面にヒー
トスプレッダ材を接合しあるいは固定する際にその接触
を良好に保つことができる。

【００２８】また、前記ヒートスプレッダ材の下面にヒ
ートシンク材を活性元素を含む硬ろう材を介して接合
し、あるいはヒートシンク材と接合するための金属板を
活性元素を含む硬ろう材を介して接合し、前記金属によ
る回路と前記絶縁基板と前記緩衝板と前記ヒートスプレ
ッダ材ならびにヒートシンク材、あるいは前記金属板と
ヒートシンク材による第２の接合体を有するようにして
もよい。この場合、前記ヒートシンク材がフィン形状に
形成されていてもよい。

【００２９】前記緩衝板の厚みを適宜変更することで、
第１の接合体あるいは第２の接合体の反り状態を制御す
ることができるが、該緩衝板の厚みとしては、０．０３
〜０．５ｍｍであることが好ましい。

【００３０】また、絶縁基板の厚みを適宜変更すること
で、第１の接合体あるいは第２の接合体の熱衝撃特性並
びに熱伝導率を制御することができるが、特に、前記絶
縁基板がＳｉ₃Ｎ₄で構成される場合に、該絶縁基板の厚
みが０．５ｍｍ以下であることが好ましい。なお、前記
第１又は第２の接合体としての熱伝導率は２００Ｗ／ｍ
以上であることが好ましい。

【００３１】前記硬ろう材としては、融点が７００℃以
下である材料やＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ−Ｔｉにて構成されて
いるものを使用することが好ましい。

【００３２】少なくとも前記金属による回路と絶縁基板
との接合に用いられる前記硬ろう材に含まれる活性元素
の量は０．０５〜２％であることが好ましい。

【００３３】前記緩衝板と前記ヒートスプレッダ材ある
いはヒートシンク材との接合に用いられる前記硬ろう材
に含まれる活性元素の量は、０．５〜１０％であること
が好ましい。

【００３４】前記ヒートスプレッダ材あるいはヒートシ
ンク材と前記緩衝板との接合に用いられる硬ろう材の厚
み又は前記ヒートスプレッダ材あるいはヒートシンク材
と前記金属板の接合に用いられる硬ろう材の厚みは、前
記緩衝板厚みの２５％以下であることが好ましい。これ
により、第１の接合体あるいは第２の接合体の剥離強度
を高めることができる。

【００３５】前記絶縁基板と前記金属による回路との接
合に用いられる硬ろう材の厚み又は前記絶縁基板と前記
緩衝板の接合に用いられる硬ろう材の厚みは、前記緩衝
板の厚みの１０％以下であることが好ましい。例えば前
記硬ろう材の厚みは１０μｍ以下であることが好まし
い。これにより、接合時にろう材が大量にはみ出すなど
の不具合を防止することができると共に、回路の汚染
（合金化）を抑えることができる。これは、その後の工
程の簡略化につながり、歩留まりの向上並びに製造コス
トの低廉化に有利となる。

【００３６】次に、本発明に係る回路基板の製造方法
（第１の製造方法）は、絶縁基板上に金属板を活性金属
を含む硬ろう材を介して接合する第１の工程と、前記金
属板をエッチング処理して前記絶縁基板上に回路パター
ンを形成する第２の工程と、少なくとも前記回路パター
ンの金属除去部分から露出する導電性反応層を除去して
前記絶縁基板を露出させて、前記絶縁基板上に回路を有
する回路基板とする第３の工程とを有することを特徴と
する。

【００３７】また、本発明に係る回路基板の製造方法
（第２の製造方法）は、金属板に対して回路パターンを
形成する第１の工程と、絶縁基板上に前記金属板を活性
金属を含む硬ろう材を介して接合する第２の工程と、少
なくとも前記回路パターンの金属除去部分を通じて露出
する導電性反応層を除去して前記絶縁基板を露出させ
て、前記絶縁基板上に回路を有する回路基板とする第３
の工程を有することを特徴とする。

【００３８】前記第２の製造方法において、前記第１の
工程は、金属板に対してプレス加工を行って、該金属板
に回路パターンを成形する処理を含むようにしてもよ
い。この場合、前記回路間を連結するブリッジも併せて
成形し、前記絶縁基板上に前記金属板を接合した後に、
前記ブリッジを切断する処理を含めるようにしてもよ
い。ここで、前記ブリッジは、前記金属板に対する半抜
き加工によって成形されるようにしてもよいし、前記金
属板に対するエッチング加工によって形成されるように
してもよい。

【００３９】前記絶縁基板上への金属板の接合は、前記
硬ろう材の液相線以上の温度で接合してもよいが、前記
硬ろう材の固相線以上、液相線以下の温度で接合しても
よい。どちらの方法を採用しても熱衝撃特性並びに熱伝
導率に影響はない。

【００４０】これらの製造方法においては、絶縁基板上
のうち、回路の金属除去部分に残る例えば導電性反応層
等を除去するようにしているため、外観上及び特性的に
も良好な回路基板を得ることができる。

【００４１】特に、第１及び第２の製造方法における前
記第３の工程において、前記回路パターンを含む全面に
対してサンドブラスト処理を行って前記回路パターンの
金属除去部分から露出する導電性反応層を除去して絶縁
基板を露出させるようにすれば、絶縁基板上に残る例え
ば導電性反応層等のエッチング残査を簡単に除去するこ
とができ、外観上及び特性的にも良好な回路基板を得る
ことができる。

【００４２】また、前記第３の工程においては、マスク
を通じて選択的にサンドブラスト処理を行って前記回路
パターンの金属除去部分から露出する導電性反応層を除
去して絶縁基板を露出させるようにしてもよい。あるい
は、複数のマスクを使用し、それぞれマスクを通じて選
択的にサンドブラスト処理を行った後、使用しているマ
スクの窓から露出し、かつ、前記回路パターンの金属除
去部分から露出する導電性反応層を除去する処理を、複
数のマスクについて繰り返し行うようにしてもよい。

【００４３】マスクを使用することで、回路パターンの
表面がブラスト砥粒によって削られることがないため、
回路パターンの表面を鏡面に維持することができ、その
後の配線工程で例えばボンディングワイヤを良好に接合
させることができる。

【００４４】前記金属板は、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ又は
Ａｌ合金にて構成するようにしてもよい。また、前記金
属板上にメッキ層を形成するようにしてもよい。この場
合、回路上に実装される例えば半導体装置などを半田付
けする場合に、該半田層の濡れ性が良好となり、半導体
装置を回路上に確実に実装させることができる。前記メ
ッキ層としてはＮｉメッキ層が好ましい。

【００４５】また、第１及び第２の製造方法における前
記第１の工程において、前記絶縁基板上に活性元素を含
む硬ろう材を介して前記金属板を接合するが、この場
合、前記活性元素は、周期律表第２Ａ族、第３Ａ族、第
４Ａ族、第５Ａ族又は第４Ｂ族のいずれかに属する元素
の少なくとも１つを選ぶことができる。

【００４６】前記第３の工程におけるサンドブラスト処
理は、前記絶縁基板が露出された段階で、前記絶縁基板
上に少なくとも前記回路パターンが残存する条件で行う
ことが好ましい。また、前記回路上にメッキ層が形成さ
れている場合に、前記第３の工程におけるサンドブラス
ト処理は、前記絶縁基板が露出された段階で、前記回路
パターン上にメッキ層が残存する条件で行うことが好ま
しい。

【００４７】また、前記第３の工程において、前記絶縁
基板と前記硬ろう材中の活性元素との反応によって生成
される導電性反応層のうち、前記回路パターンの金属除
去部分に対応する導電性反応層をサンドブラスト処理に
て除去することが必要である。この場合、前記回路パタ
ーンの金属除去部分における導電性反応層を除去した段
階で、前記絶縁基板上に少なくとも前記回路パターンが
残存する条件で行うことが好ましく、前記回路パターン
上にメッキ層が形成されている場合においては、前記回
路パターンの金属除去部分における導電性反応層を除去
した段階で、前記回路パターン上にメッキ層が残存する
条件で行うことが好ましい。

【００４８】前記サンドブラスト処理は、メッシュ＃１
８０より小さい粒子を用いることが好ましく、前記粒子
は、Ａｌ₂Ｏ₃あるいはＳｉＣであることが好ましい。ま
た、サンドブラスト処理でのエア圧力は、０．１ＭＰａ
〜０．２５ＭＰａであることが好ましい。

【００４９】形成された例えば銅の回路パターン間に金
属材料の残留物を残さないためには、銅をエッチングす
る場合に標準的に用いられる塩化第二鉄水溶液や塩化第
二銅水溶液によるエッチングを行った後、ろう材成分を
効果的にエッチングする溶液により処理することが好ま
しい。

【００５０】この接合においては、Ａｇを主成分とし、
活性元素を含む硬ろう材、あるいはＡｇを主成分とした
ろう材を活性金属の箔と共に、好適に用いることができ
るので、これらの場合においては、Ａｇをエッチングす
るための硝酸第二鉄水溶液による処理が好ましい。

【００５１】また、このろう材屑を薄く管理することは
処理上重要である。加圧下での接合を行うこと等でこれ
らの厚さを１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下に
制御することは、上記のろう材成分の除去工程を省くこ
とができるので好ましい。

【００５２】接合時に加圧を行うのであれば、ろう材溶
融時に被接合物の平坦性を保つと共に、余剰のろう材を
外部に押し出すのに足る応力をかけてやればよい。絶縁
材を破壊させない配慮から０．１ＭＰａ〜２０ＭＰａ、
より好ましくは０．５ＭＰａ〜１０ＭＰａの応力下での
接合が適切である。

【００５３】ろう材成分と銅回路成分はブラスト処理に
おける除去速度は近似であるが、前記以下の厚さであれ
ば、ろう材屑は塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液に
よるエッチングで残留していても、銅回路が必要以上に
除去されることはなく、当該ろう材成分層と活性金属の
窒化物層を除去することが可能である。

【００５４】また、この金属板の回路上には、メッキ層
を積層してもよいが、この場合においても当該メッキ層
の厚さを上記の残余のろう材屑と活性金属の窒化物層を
除去するために必要なブラスト処理で失われない厚さに
制御すれば、同様の処理でメッキ層をもった銅回路を形
成することが可能である。

【００５５】Ｎｉメッキを行う場合は、上記のろう材の
残留を勘案して、２μｍ以上、より好ましくは５μｍ以
上の厚さが好ましい。

【００５６】また、この接合においてＣｕを主成分と
し、活性金属を含む硬ろう材、あるいはＣｕを主成分と
したろう材を活性金属の箔と共に用いることができ、こ
の場合には、上記の塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶
液によるエッチングのみで硬ろう材成分を残すことなく
エッチングが可能である。

【００５７】なお、絶縁基板の下部にヒートスプレッダ
材あるいはヒートシンク材を接合するようにしてもよ
い。この場合、前記絶縁基板の下面に硬ろう材を介して
金属による緩衝板を接合し、該緩衝板下面に硬ろう材を
介して前記ヒートスプレッダ材あるいはヒートシンク材
を接合するようにしてもよい。更に、前記ヒートスプレ
ッダ材あるいはヒートシンク材の下面に硬ろう材を介し
て金属板を接合するようにしてもよい。

【００５８】絶縁基板の下部に緩衝板ヒートスプレッダ
材あるいはヒートシンク材並びに金属板それぞれ硬ろう
材を介して接合する場合においては、硬ろう材としてＡ
ｇ−Ｃｕ−Ｉｎ−Ｔｉを使用する場合、合金化による回
路の汚染を抑止するためにろう材量を低減させることが
望ましいが、その際に接合に必要なＴｉの絶対量が不足
する場合がある。この場合は必要量に応じてＴｉ箔を混
入させ、Ｔｉ濃度を上げて接合することがより望まし
い。これにより、剥離強度をＴｉ箔を混入させない場合
よりも向上させることができる。必要なＴｉ濃度は、接
合される材料にもよるが、本発明のＣｕとＡｌＮあるい
はＳｉ３Ｎ４の接合では、０．０５ｍｇ／ｃｍ²以上、
ＣｕとＳｉＣ母材にＣｕ又はＣｕ合金が含浸された複合
材料、あるいはＣ母材にＣｕ又はＣｕ合金が含浸された
複合材料を接合する際には、１．５ｍｇ／ｃｍ²以上の
濃度とすることが望ましい。

【００５９】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る回路基板及び
その製造方法の実施の形態例を図１〜図３５を参照しな
がら説明する。

【００６０】まず、第１の実施の形態に係る回路基板１
０Ａを有する電子部品１２Ａは、図１に示すように、第
１の実施の形態に係る回路基板１０Ａに半田層１４を介
して半導体装置１６が実装され、更に、回路基板１０Ａ
の下面に金属板１８を介してヒートシンク材２０が固定
されて構成されている。

【００６１】そして、第１の実施の形態に係る回路基板
１０Ａは、ヒートスプレッダ材２２上に熱伝導層２４を
有して構成されている。

【００６２】熱伝導層２４は、ヒートスプレッダ材２２
上に活性元素を含む第１のろう材２６を介して接合され
た金属製の緩衝板（Ｃｕ等）２８と、該緩衝板２８上に
活性元素を含む第２のろう材３０を介して接合された絶
縁基板３２と、該絶縁基板３２上に活性元素を含む第３
のろう材３４を介して接合された回路用金属板４０によ
る回路３６とを有して構成されている。また、ヒートス
プレッダ材２２の下面には第４のろう材１００を介して
前記金属板１８（Ｃｕ等）が接合される。

【００６３】ここで、回路３６は、上面にＮｉメッキ層
３８が形成されたＣｕ又はＡｌ等から構成される回路用
金属板４０を所定の回路パターンに沿ってエッチング処
理、あるいはプレス加工によって作製される。

【００６４】また、絶縁基板３２は、ＡｌＮ層又はＳｉ
₃Ｎ₄層を用いることができる。絶縁基板３２としてＡｌ
Ｎ層を用いた場合、該ＡｌＮ層の熱膨張率は、ＡｌとＮ
のモル組成比に依存して変化するが、概ね３．０×１０
^-6〜１．０×１０^-5／Ｋの範囲内である。従って、ヒー
トスプレッダ材２２の熱膨張率は、３．０×１０^-6〜
１．０×１０^-5／Ｋであることが好ましい。例えば、絶
縁基板３２の熱膨張率が３．０×１０^-6／Ｋであり、か
つヒートスプレッダ材２２の熱膨張率が１．０×１０^-5
／Ｋを超える熱膨張率を有するものである場合には、電
子部品１２Ａが使用されることに伴って該電子部品１２
Ａの温度が上昇した際、ヒートスプレッダ材２２と絶縁
基板３２とが互いに剥離するおそれがあるからである。

【００６５】絶縁基板３２におけるＡｌとＮとのモル組
成比は、Ａｌ：Ｎ＝０．８：１．２〜１．２：０．８で
あることが好ましい。この場合、絶縁基板３２は、確実
に３．０×１０^-6〜１．０×１０^-5／Ｋの熱膨張率と１
５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を示すからである。

【００６６】また、ヒートスプレッダ材２２の熱伝導率
は、１５０Ｗ／ｍＫ以上であることが好ましい。１５０
Ｗ／ｍＫ未満であると、電子部品１２Ａが使用されるこ
とに伴って半導体装置１６が発した熱を電子部品１２Ａ
の外部へと伝達させる速度が遅くなるので、該電子部品
１２Ａの温度を一定に保持する効果に乏しくなるからで
ある。

【００６７】ヒートスプレッダ材２２の構成材料は、熱
伝導率や熱膨張率が上記した範囲内となるようなもので
あれば特に限定されないが、ＳｉＣ、ＡｌＮ、Ｓｉ
₃Ｎ₄、ＢｅＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｂｅ₂Ｃ、Ｃ、Ｃｕ、Ｃｕ合
金、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｓｉからなる群
から選択された少なくとも１つを好適な例として挙げる
ことができる。即ち、ヒートスプレッダ材２２は、これ
らの中から選定された単体または２つ以上からなる複合
材から構成することができる。複合材としては、ＳｉＣ
／Ｃｕ複合材２２Ａ（図２参照）やＣ／Ｃｕ複合材２２
Ｂ（図３参照）を例示することができる。

【００６８】ＳｉＣ／Ｃｕ複合材２２Ａは、図２に示す
ように、ＳｉＣで構成された多孔質焼結体５０の開気孔
５２内に溶融したＣｕ又はＣｕ合金５４を含浸し、次い
で、このＣｕ又はＣｕ合金５４を固化することにより得
られる。

【００６９】Ｃ／Ｃｕ複合材２２Ｂは、図３に示すよう
に、カーボン又はその同素体を予備焼成してネットワー
ク化することによって得られる多孔質焼結体６０の開気
孔６２内に溶融したＣｕ又はＣｕ合金６４を含浸し、次
いで、このＣｕ又はＣｕ合金６４を固化することにより
得られるものであって、例えば特願２０００−８０８３
３号に示される部材である。

【００７０】ヒートシンク材２２が上述した複合材料や
合金からなる場合、熱膨張率や熱伝導率は、構成成分の
組成比を設定することにより、上記した範囲内（熱膨張
率３．０×１０^-6〜１．０×１０^-5／Ｋ：、熱伝導率：
１５０Ｗ／ｍＫ以上）に制御することができる。

【００７１】第１〜第４のろう材２６、３０、３４及び
１００は、活性元素を含む硬ろう材であることが好まし
い。この場合、活性元素は、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、
Ｂｅ等の周期律表第２Ａ族、Ｃｅ等の第３Ａ族、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｈｆ等の第４Ａ族、又は、Ｎｂ、Ｔａ等の第５Ａ
族、Ｂ、Ｓｉ等の第４Ｂ族に属する元素の少なくとも１
つを使用することができる。第１の実施の形態では、前
記第１〜第３のろう材２６、３０及び３４として、Ａｇ
−Ｃｕ−Ｔｉの硬ろう材又はＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ−Ｔｉ又
はＣｕ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｔｉの硬ろう材を使用した。この
場合、活性元素はＴｉである。

【００７２】そして、第１の実施の形態に係る回路基板
１０Ａを使用する場合は、金属板１８の下面に、例えば
ＡｌやＣｕで構成されたヒートシンク材２０が例えばネ
ジ止め（図示せず）によって固定されることとなる。ヒ
ートシンク材２０は、冷却フィンを設けることが一般的
であり、水冷もしくは空冷により熱を放散する部材であ
る。

【００７３】そして、この第１の実施の形態に係る回路
基板１０Ａにおいては、図４の拡大図に示すように、回
路３６が、以下の２種類の方法で形成されている。即
ち、第１の方法は、絶縁基板３２上に第３のろう材３４
を介して接合された回路用金属板４０に対するエッチン
グ処理とサンドブラスト処理により回路３６を形成す
る。第２の方法は、予め回路パターン（回路３６以外の
金属部分が完全に除去されたものではなく、後に回路３
６となる部分がパターンとして表出されていることを示
す）が形成された回路用金属板４０を第３のろう材３４
を介して絶縁基板３２上に接合した後、該回路用金属板
４０に対してサンドブラスト処理を行って回路３６を形
成する。

【００７４】前記回路３６のうち、金属除去部分３６ａ
は、下層の絶縁基板３２が露出されて構成されている。
なお、絶縁基板３２と回路３６間には、互いの接合によ
り、第３のろう材３４と絶縁基板３２との反応によって
導電性反応層７０が生成されることになる。従って、図
４においては、第３のろう材を示す符号３４をカッコ書
きで示す。

【００７５】ここで、第１の実施の形態に係る回路基板
１０Ａのいくつかの製造方法について図５Ａ〜図１４Ｄ
を参照しながら説明する。

【００７６】まず、第１の製造方法は、図５Ａに示すセ
ッティング工程において、治具７２上に、金属板１８、
第４のろう材１００、ヒートスプレッダ材２２、第１の
ろう材２６、緩衝板２８、第２のろう材３０、絶縁基板
３２、第３のろう材３４及び上面にＮｉメッキ層３８が
形成された回路用金属板４０の順に載置（セッティン
グ）し、治具７２上に固定する。このセッティングは、
例えば大気中で行われる。

【００７７】次に、図５Ｂに示す接合工程において、治
具７２上に固定された金属板１８、第４のろう材１０
０、ヒートスプレッダ材２２、第１のろう材２６、緩衝
板２８、第２のろう材３０、絶縁基板３２、第３のろう
材３４及び回路用金属板４０を、例えば１．０×１０^-5
Ｔｏｒｒ以下の真空中にて、上方から加圧を行いなが
ら、昇温・降温を行って接合する。この接合処理によっ
て、回路用金属板４０、絶縁基板３２、緩衝板２６、ヒ
ートスプレッダ材２２及び金属板が一体化された接合体
が得られる。

【００７８】前記接合工程での加圧は、０．１ＭＰａ以
上、２０ＭＰａ以下、より好ましくは、０．５ＭＰａ以
上、１０ＭＰａ以下の力で加圧することが好ましい。こ
の応力以下の場合、ろう材層が残留して、エッチングで
除去する際の障害となることがあり、また、この応力以
上の場合は、絶縁基板３２に多大な荷重がかかるおそれ
があるからである。また、この接合時においては、特
に、例えば図６Ａに示すように、第３のろう材３４の活
性金属（この場合、Ｔｉ）と絶縁基板３２（ＡｌＮやＳ
ｉ₃Ｎ₄）との反応によって、金属板４０と絶縁基板３２
との間に導電性反応層７０（ＴｉＮ層）が生成される。

【００７９】その後、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、
回路用金属板４０に対して所定の回路パターンに沿って
エッチング処理を施して回路３６を形成する。具体的に
は、図６Ａに示すように、回路用金属板４０の全面に回
路形成用のレジスト８０を印刷し、該レジスト８０に対
してエッチングしない部分のみを選択的に硬化した後、
非硬化部分を除去して窓８０ａを形成する（レジスト形
成工程）。このレジスト８０が残った部分が回路パター
ンとなる。

【００８０】その後、図６Ｂに示すように、金属板４０
の上面に形成されたＮｉメッキ層３８のうち、レジスト
８０の窓８０ａから露出した部分であるＮｉめっき３８
並びに金属板４０を塩化第二鉄水溶液もしくは塩化第二
銅水溶液でエッチング処理して、回路３６を形成する。
その後、Ａｇを主成分とするろう材を使用している場合
には、硝酸第二鉄水溶液でエッチングすることは、回路
３６間に残留するろう材を完全に除去する上で好ましい
（エッチング処理工程）。

【００８１】その後、図７に示すように、回路３６上の
レジスト８０を除去した後、回路３６を含む全面に対し
てサンドブラスト処理を行って、回路３６の金属除去部
分３６ａに残存する導電性反応層７０を除去する。これ
によって、回路３６の金属除去部分３６ａから下層の絶
縁基板３２が露出することになる。

【００８２】この場合、前記サンドブラスト処理は、回
路３６の金属除去部分３６ａに残存する導電性反応層７
０を除去した段階で、回路３６上にＮｉメッキ層３８が
残存する条件で行うことが好ましい。

【００８３】この実施の形態では、サンドブラスト処理
として、メッシュ＃１８０より細かいＡｌ₂Ｏ₃あるいは
ＳｉＣの粒子を用い、エア圧力は、０．１ＭＰａ〜０．
２５ＭＰａである。また、Ｎｉメッキ層３８の厚みとし
ては２μｍ以上の厚さである。なお、メッシュ＃１８０
に対応する粒子の径は、メッシュ＃１８０を通過する最
大粒子径で表すことができ、この場合、８５μｍであ
る。従って、粒子径が８５μｍ以下の粒子を使用するこ
とが好ましい。

【００８４】ここで、具体的に、サンドブラスト処理の
各種材料に対するエッチングレートについて説明する。
まず、サンドブラスト処理に用いる粒子としてメッシュ
＃２４０の細かさを有するＡｌ₂Ｏ₃の粒子を使用し、エ
ア圧力として０．１ＭＰａ及び０．２５ＭＰａとしたと
きのエッチングレートを測定すると、図８に示すような
結果となった。

【００８５】つまり、エア圧力を０．２５ＭＰａとした
場合、絶縁基板３２の構成材料であるＡｌＮに対するエ
ッチングレートは１３μｍ／ｓｅｃであり、同じく絶縁
基板３２の構成材料であるＳｉ₃Ｎ₄は２．７μｍ／ｓｅ
ｃであった。同様に、回路３６の構成材料であるＣｕに
対するエッチングレートは１．５μｍ／ｓｅｃであり、
回路３６上のＮｉメッキ層３８の構成材料であるＮｉは
２μｍ／ｓｅｃであり、ろう材であるＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ
は１．６μｍであり、導電性反応層７０の構成材料であ
るＴｉＮは１０μｍ／ｓｅｃであった。

【００８６】金属板４０と絶縁基板３２との間に生成さ
れる導電性反応層７０の厚みとしては、せいぜい２〜５
μｍ程度であるから、金属板４０上のＮｉメッキ層３８
として２μｍ以上の厚みをもたせれば、１秒間のサンド
ブラスト処理によって、回路３６の金属除去部分３６ａ
に残存する導電性反応層７０を確実に除去できると共
に、回路３６上にＮｉメッキ層３８を残すことができ
る。作業安定性を勘案してＮｉメッキ層３８の厚みを５
μｍ以上とすることが好ましい。

【００８７】同様に、エア圧力を０．１ＭＰａとした場
合、絶縁基板３２の構成材料であるＡｌＮに対するエッ
チングレートは４．８μｍ／ｓｅｃであり、同じく絶縁
基板３２の構成材料であるＳｉ₃Ｎ₄は１．４μｍ／ｓｅ
ｃであった。同様に、回路３６の構成材料であるＣｕに
対するエッチングレートは０．８μｍ／ｓｅｃであり、
回路３６上のＮｉメッキ層３８の構成材料であるＮｉは
１．２μｍ／ｓｅｃであり、ろう材であるＡｇ−Ｃｕ−
Ｔｉは０．９μｍであり、導電性反応層７０の構成材料
であるＴｉＮは３μｍ／ｓｅｃであった。

【００８８】この場合も、２秒程度のサンドブラスト処
理にて、回路３６の金属除去部分３６ａに残存する導電
性反応層７０を確実に除去できると共に、回路３６上に
Ｎｉメッキ層３８を残すことができる。

【００８９】もちろん、図９に示すように、回路３６上
にマスク８２を設置し、該マスク８２を通して露出する
部分、即ち、回路３６の金属除去部分３６ａに残存する
導電性反応層７０をサンドブラスト処理にて除去するよ
うにしてもよい。

【００９０】この場合、例えば図１０Ａ及び図１０Ｂに
示すように、複数のマスク８２Ａ及び８２Ｂを使用し、
それぞれマスク８２Ａ及び８２Ｂを通じて選択的にサン
ドブラスト処理を行うようにしてもよい。図１０Ａの第
１のマスク８２Ａは、例えば横罫に沿った窓８３ａを有
し、図１０Ｂの第２のマスク８２Ｂは、例えば縦罫に沿
った窓８３ｂを有する。

【００９１】具体的に説明すると、エッチング処理後の
回路３６の平面パターンとして図１１Ａに示すパターン
を想定する。この図１１Ａにおいて、斜線で示す領域
は、導電性反応層７０が露出している領域を示す。

【００９２】そして、まず、図１０Ａの第１のマスク８
２Ａを使用してサンドブラスト処理を行う。この処理に
よって、図１１Ｂに示すように、前記露出する導電性反
応層７０のうち、例えば第１のマスク８２Ａの窓８３ａ
に対応する部分が除去される。このとき、回路３６の部
分への粒子（サンドブラスト処理で使用される粒子）の
衝突は第１のマスク８２Ａによって遮られる。

【００９３】その後、図１０Ｂの第２のマスク８２Ｂを
使用してサンドブラスト処理を行うことによって、第２
のマスク８２Ｂの窓８３ｂに対応する部分が除去され
る。即ち、図１１Ｃに示すように、回路３６の金属除去
部分３６ａから露出していた導電性反応層７０がすべて
除去され、回路３６の金属除去部分３６ａから絶縁基板
が露出することになる。この場合も、回路３６の部分へ
の粒子（サンドブラスト処理で使用される粒子）の衝突
は第２のマスク８２Ｂによって遮られる。

【００９４】第１及び第２のマスク８２Ａ及び８２Ｂ
は、その材質として、例えばステンレスが好ましく、厚
みは、０．３〜１．０ｍｍであることが好ましい。これ
により、第１及び第２のマスク８２Ａ及び８２Ｂは、サ
ンドブラスト処理が終了した時点でも当初の平面形状を
維持し、サンドブラスト用のマスクとして十分機能させ
ることができる。

【００９５】このようにマスクを使用してサンドブラス
ト処理を行うことで、回路３６の金属除去部分３６ａに
残存する導電性反応層７０を確実に除去できると共に、
回路３６上のＮｉメッキ層３８にはサンドブラスト処理
の影響を与えずにその表面粗さを維持することができ
る。

【００９６】次いで、図１に示すように、回路３６上に
半田層１４を介して半導体装置１６を実装することによ
って、電子部品１２Ａを得る。この第１の実施の形態で
は、市販の例えばシリコン系ＩＧＢＴ（パワー半導体素
子）を低温半田により接合した。更に、図示しないが、
ワイヤボンディングにより、半導体装置１６の端子に金
属ワイヤ（ボンディングワイヤ）を電気的に接続すると
共に、回路３６にも同様に金属ワイヤを接続した。

【００９７】その後、前記半導体装置１６が接合された
回路基板１０Ａをパッケージ内に収容し、該パッケージ
の内部に、市販のポッティング用シリコーンゲルを注入
し、硬化した。これにより、前記回路基板１０Ａの電気
的絶縁性が高められ、機械的信頼性が確保されることに
なる。

【００９８】次に、第２の製造方法について図１２Ａ〜
図１４Ｄを参照しながら説明する。この第２の製造方法
は、絶縁基板３２上に予め回路パターンが形成された回
路用金属板４０を接合する点で上述の第１の製造方法と
異なる。回路用金属板４０に予め回路パターンを形成す
る方法としては、プレス成形による方法とエッチングに
よる方法がある。なお、図１２Ａ〜図１４Ｄでは、回路
用金属板４０上に形成されるメッキ層３８の表示を省略
する。

【００９９】最初に、プレス成形による方法について説
明すると、図１２Ａに示すように、回路用金属板４０を
用意した後、図１２Ｂに示すように、前記回路用金属板
４０に対して半抜き加工を行うことによって、回路パタ
ーン１０２を形成すると共に、後に回路となる部分１０
４の間を連結する円弧状のブリッジ１０６を成形する。

【０１００】この際、図１２Ｂに示すように、回路用金
属板４０のうち、後に回路となる部分の下面にろう材３
４を塗布しておいてもよい。この際にろう材の塗布は、
ろう材のペーストを塗布してもよいし、接着材によって
板状もしくは粉体状のろう材を塗布もしくは貼付したも
のであってもよい。

【０１０１】その後、図１２Ｃに示すように（図５Ａ参
照）、治具７２上に、金属板１８、第４のろう材１０
０、ヒートスプレッダ材２２、第１のろう材２６、緩衝
板２８、第２のろう材３０、絶縁基板３２、第３のろう
材３４及び回路用金属板４０の順に載置（セッティン
グ）し、治具上に固定する。

【０１０２】この際に、図１２Ｂのように、後に回路と
なる部分の下面にろう材３４を塗布してある場合は、図
１２Ｃのように、あらためて第３のろう材３４を用意す
る必要はなく、直接絶縁基板３２上に下面にろう材３４
を塗布した回路用金属板４０を載置すればよい。

【０１０３】図１２Ｃでは、絶縁基板３２上に第３のろ
う材３４を介して、後に回路となる部分の下面にろう材
３４を塗布していない回路用金属板４０を載置固定した
状態を示す。

【０１０４】その後、回路用金属板４０の上にブリッジ
１０６を保護するための治具１１０（保護用治具）を載
置する。この保護用治具１１０は、平面的に回路用金属
板４０を覆う程度の面積を有する例えば直方体あるいは
立方体の形状を有する。そして、円弧状のブリッジ１０
６に対応した個所に下面開口の凹部１１２を有し、か
つ、凹部１１２以外の部分１１４が回路となる部分１０
４に接する形状とされている。

【０１０５】その後、治具７２（図５参照）上に固定さ
れた金属板１８、第４のろう材１００、ヒートスプレッ
ダ材２２、第１のろう材２６、緩衝板２８、第２のろう
材３０、絶縁基板３２、第３のろう材３４及び回路用金
属板４０を、例えば１．０×１０^-5Ｔｏｒｒ以下の真空
中にて、上方から加圧を行いながら、昇温・降温を行っ
て接合する。このとき、回路用金属板４０上に保護用治
具１１０をかぶせるようにしたので、加圧時において、
ブリッジ１０６が変形、切断するということがなく、回
路用金属板４０を絶縁基板３２に確実に密着させるとと
もに、回路用金属板４０で後に回路となる各部分の位置
ずれの発生を防止することができる。

【０１０６】その後、図１２Ｄに示すように、保護用治
具１１０を取り外した後、図１２Ｅに示すように、ブリ
ッジ１０６を例えばニッパー等を用いて切断除去するこ
とで、絶縁基板３２上には回路用金属板４０による回路
３６が形成されることになる。上記の目的を達するため
には、ブリッジ１０６は、回路用金属板４０で後に回路
となる各部分の位置ずれが起こらない必要部位に設けて
おけばよく、後に回路となる各部分以外の全ての部位が
当該ブリッジ形状でなくてもよいことは言うまでもな
い。

【０１０７】その後は、上述した第１の製造方法と同様
に、回路３６を含む全面に対して、あるいはマスク８２
を通してサンドブラスト処理を行うことにより、回路３
６の金属除去部分３６ａから露出する導電性反応層７０
を除去する。

【０１０８】次に、上述した第２の製造方法についての
いくつかの変形例を図１３Ａ〜図１４Ｄを参照しながら
説明する。

【０１０９】まず、第１の変形例に係る製造方法は、図
１３Ａに示すように、回路用金属板４０を用意した後、
図１３Ｂに示すように、回路用金属板４０に対するプレ
ス加工によって回路を成形する際に、まず、前記回路用
金属板４０に対して半抜き加工を行う。この半抜き加工
によって回路パターン１０２が形成されると共に、後に
回路となる部分１０４の間を連結するブリッジ１０６が
成形される。図１３Ｂの例では、ブリッジ１０６が回路
となる部分１０４よりも上方に浮いた状態となってい
る。その後、回路用金属板のうち、後に回路となる部分
の下面に接着剤を塗布する。

【０１１０】次いで、図１３Ｃに示すように（図５Ａ参
照）、治具７２上に、金属板１８、第４のろう材１０
０、ヒートスプレッダ材２２、第１のろう材２６、緩衝
板２８、第２のろう材３０、絶縁基板３２、第３のろう
材３４及び上面にＮｉメッキ層３８が形成された回路用
金属板４０の順に載置（セッティング）し、治具７２上
に固定する。このとき、回路用金属板４０のうち、後に
回路となる部分１０４の下面が第３のろう材３４上に貼
着される。図１３Ｃでは、絶縁基板３２上に第３のろう
材３４を介して、回路用金属板４０を載置固定した状態
を示す。

【０１１１】その後、図１３Ｄに示すように（図５Ｂ参
照）、例えば下面が平坦に形成されたパンチ（図示せ
ず）で回路用金属板４０の上方から押圧する。このと
き、ブリッジ１０６が前記パンチの押圧よって下方に移
動し、これにより、ブリッジ１０６はせん断されること
になる。せん断されたブリッジ１０６は、前記パンチに
よる押圧によってせん断される位置まで押し下げられる
が、図１３Ｄに示すように、完全にろう材３４に接触す
るまで押し下げられても、接着されることはない。

【０１１２】その後、図１３Ｅに示すように、第３のろ
う材３４上に載置されていたブリッジ１０６を外部に排
出する。排出は当該ブリッジに接着材を塗布したテープ
等を押し付けて抜き取る手法、機械的に挟んで抜き取る
手法等のいずれを行ってもよい。これにより、絶縁基板
３２上には回路用金属板４０による回路３６が形成され
ることになる。

【０１１３】その後、図５Ｂに示すように、治具７２上
に固定された金属板１８、第４のろう材１００、ヒート
スプレッダ材２２、第１のろう材２６、緩衝板２８、第
２のろう材３０、絶縁基板３２、第３のろう材３４及び
回路用金属板４０を、例えば１．０×１０^-5Ｔｏｒｒ以
下の真空中にて、上方から加圧を行いながら、昇温・降
温を行って接合する。

【０１１４】その後は、上述した第１の製造方法と同様
に、回路３６を含む全面に対して、あるいはマスク８２
を通してサンドブラスト処理を行うことにより、回路３
６の金属除去部分３６ａから露出する導電性反応層７０
を除去する。

【０１１５】次に、第２の変形例に係る製造方法は、図
１４Ａに示すように、回路用金属板４０を用意した後、
図１４Ｂに示すように、前記回路用金属板４０に対して
後に回路となる部分１０４以外の部分をエッチングし
て、該部分の厚みを薄くする。この段階で、回路用金属
板４０にエッチング処理による回路パターン１０２が形
成される。

【０１１６】その後、図１４Ｃに示すように（図５Ａ参
照）、治具７２上に、金属板１８、第４のろう材１０
０、ヒートスプレッダ材２２、第１のろう材２６、緩衝
板２８、第２のろう材３０、絶縁基板３２、第３のろう
材３４及び回路用金属板４０の順に載置（セッティン
グ）し、治具７２上に固定する。このとき、回路用金属
板４０は、エッチングによって凸凹になった面を第３の
ろう材３４に対向させて載置固定する。これにより、回
路用金属板４０のうち、厚みの薄い部分が回路間を連結
するブリッジ１０６として機能する。

【０１１７】その後、治具７２（図５Ｂ参照）上に固定
された金属板１８、第４のろう材１００、ヒートスプレ
ッダ材２２、第１のろう材２６、緩衝板２８、第２のろ
う材３０、絶縁基板３２、第３のろう材３４及び回路用
金属板４０を、例えば１．０×１０^-5Ｔｏｒｒ以下の真
空中にて、上方から加圧を行いながら、昇温・降温を行
って接合する。

【０１１８】その後、図１４Ｄに示すように、ブリッジ
１０６を例えばニッパー等を用いて切断除去すること
で、絶縁基板３２上には回路用金属板４０による回路３
６が形成されることになる。この際、ブリッジ１０６
は、回路用金属板４０で後に回路となる各部分の位置ず
れが起こらない必要部位に設けられていればよく、後に
回路となる各部分以外の全ての部位が当該ブリッジ形状
でなくてよいことはいうまでもないことは前例と同様で
ある。

【０１１９】その後は、上述した製造方法と同様に、回
路３６を含む全面に対して、あるいはマスク８２を通し
てサンドブラスト処理を行うことにより、回路３６の金
属除去部分３６ａから露出する導電性反応層７０を除去
する。

【０１２０】ここで、第１の実施の形態に係る回路基板
１０Ａの好ましい具体的態様について以下に説明する。

【０１２１】まず、図１に示すように、絶縁基板３２と
ヒートシンク材２２との間に緩衝板２８があることが好
ましい。この緩衝板２８の存在により、回路基板１０Ａ
の熱サイクル特性を改善することができる。

【０１２２】ここで、第１の実験例を示す。この第１の
実験例は、比較例１と実施例１〜３について、熱サイク
ル試験を行ったものである。比較例１は、第１の実施の
形態に係る回路基板１０Ａにおいて緩衝板２８を省略し
た構造を有し、実施例１〜３は、第１の実施の形態に係
る回路基板１０Ａとほぼ同様の構成を有する。具体的な
接合構造を図１５に示す。

【０１２３】そして、この熱サイクル試験における１サ
イクルの熱衝撃条件は、温度−６５℃を１５分間かけた
後、温度１５０℃を１５分間かけるというものである
（ＵＳＡのＭＩＬ規格、ＭＩＬ−ＳＴＤ−８３３Ｃ １
０１０．６Ｃの試験条件に準拠する）。この第１の実験
例では、比較例１と実施例１〜３について、５００サイ
クルと３０００サイクルの熱サイクル試験を行い、それ
ぞれの接合構造の剥離状態を見た。

【０１２４】実験結果を図１５に示す。比較例１では、
５００サイクルの段階ですでに絶縁基板３２とヒートシ
ンク材２２との間で剥離が生じていたが、実施例１〜３
は、３０００サイクル後でも剥離していないことがわか
った。

【０１２５】緩衝板２８の厚みとしては０．０３ｍｍ以
上あることが好ましい。０．０３ｍｍ未満であると、上
述した緩衝板２８としての機能を発揮できなくなるおそ
れがあるからである。

【０１２６】次に、絶縁基板３２については、該絶縁基
板３２がＳｉ₃Ｎ₄で構成される場合、該絶縁基板３２の
厚みは０．３ｍｍ以下であることが好ましい。これによ
り、絶縁基板３２自体の熱伝導率が４０Ｗ／ｍＫと低く
ても、回路基板１０Ａとした場合に該回路基板１０Ａの
熱伝導率を２００Ｗ／ｍＫ以上にすることができる。

【０１２７】ここで、第２及び第３の実験例を示す。第
２の実験例は、比較例２〜４及び実施例４について、絶
縁基板３２（Ｓｉ₃Ｎ₄）の熱伝導率（４０Ｗ／ｍＫ、６
０Ｗ／ｍＫ、８０Ｗ／ｍＫ、１００Ｗ／ｍＫ）による回
路基板１０Ａの熱伝導率の変化をみたものである。実施
例２は絶縁基板３２の厚みが０．３ｍｍ、比較例２は絶
縁基板３２の厚みが０．６ｍｍ、比較例３は絶縁基板３
２の厚みが０．９ｍｍ、比較例４は絶縁基板３２の厚み
が１．２ｍｍである。実験結果を図１６〜図１９に示
す。

【０１２８】これら図１６〜図１９において、実施例４
の結果を図１６で示し、比較例２の結果を図１７に示
し、比較例３の結果を図１８に示し、比較例４の結果を
図１９に示す。

【０１２９】これらの結果から、実施例２は、絶縁基板
３２自体の熱伝達率が４０Ｗ／ｍＫと低い場合でも、回
路基板１０Ａとした場合の熱伝達率が２２１．５Ｗ／ｍ
Ｋと高くなっていることがわかる。

【０１３０】一方、第３の実験例は、比較例５と実施例
３〜６について、熱サイクル、回路基板１０Ａの熱伝導
率及び絶縁基板３２の絶縁性をみたものである。使用し
た絶縁基板３２はいずれも熱伝導率が１００Ｗ／ｍＫで
ある。

【０１３１】そして、比較例５は第１の実施の形態に係
る回路基板１０Ａにおいて絶縁基板３２の厚みを０．６
３５ｍｍとした構造を有し、実施例５〜８は第１の実施
の形態に係る回路基板１０Ａにおいて絶縁基板３２の厚
みをそれぞれ０．３ｍｍ、０．１５ｍｍ、０．１０ｍｍ
及び０．０７ｍｍとした構造を有する。具体的な接合構
造と実験結果を図２０に示す。

【０１３２】比較例５並びに実施例５〜８は、３０００
サイクルの熱サイクル試験においては、共に剥離はなか
った。また、絶縁性も良好であった。熱伝導率に関して
は、実施例５〜８が２９０Ｗ／ｍＫ、３０８Ｗ／ｍＫ、
３２５Ｗ／ｍＫ、３４０Ｗ／ｍＫというように、比較例
５の２５０Ｗ／ｍＫよりも大幅に高くなっていることが
わかる。

【０１３３】特に、絶縁基板（Ｓｉ₃Ｎ₄）の厚みを０．
１ｍｍとした場合における回路基板１０Ａの熱伝達率の
変化は、図２１の実験結果（第４の実験例）から、ほと
んど変化がないことがわかる。この第４の実験例は、回
路３６の厚みを０．３ｍｍ、緩衝板２８の厚みを０．２
５ｍｍ、ヒートシンク材２２の厚みを３．０ｍｍとし、
絶縁基板３２自体の熱伝導率を４０Ｗ／ｍＫ（実施例
９）、６０Ｗ／ｍＫ（実施例１０）、８０Ｗ／ｍＫ（実
施例１１）、１００Ｗ／ｍＫ（実施例１２）とした際の
回路基板１０Ａの熱伝達率の変化をみたものである。

【０１３４】また、第１の実施の形態に係る回路基板１
０Ａは、回路３６の緩衝板２８とヒートスプレッダ材２
２と金属板１８の合計の厚みとの比が１:０．５〜１：
３であることが好ましい。これにより、金属板１８の下
面側が外方に向かって凸形状となるように反り、金属板
１８の下面に例えばヒートスプレッダ材２２を接合しあ
るいは固定する場合に、その密着性を高めることができ
る。

【０１３５】ここで、回路３６、緩衝板２８及び金属板
１８の厚みによる回路基板１０Ａの反りに関する実験例
（第５〜第８の実験例）ついて説明する。

【０１３６】まず、第５の実験例は、回路３６の厚みに
よる回路基板１０Ａの反り量の変化をみたものである。
絶縁基板３２（Ｓｉ₃Ｎ₄）の厚みを０．３ｍｍ、緩衝板
２８の厚みを０．３ｍｍ、ヒートスプレッダ材２２の厚
みを３．０ｍｍ、金属板１８の厚みを０．３ｍｍとし、
そして、回路３６の厚みを０．３ｍｍ（比較例６）、
１．０ｍｍ（比較例７）、３．０ｍｍ（実施例１３）及
び１０．０ｍｍ（実施例１４）とした場合の回路基板１
０Ａの反り量を測定した。測定機は、株式会社キーエン
ス製のレーザフォーカス変位計（ＬＴ−８１１０）を用
いた。

【０１３７】実験結果を図２２及び図２３に示す。図２
３において、比較例６のプロットを○、比較例６のプロ
ットを△、実施例１３のプロットを●、実施例１４のプ
ロットを▲で示す。

【０１３８】これらの結果から、比較例６及び７は共に
回路３６の表面側を凸（金属板１８の下面を凹）とする
反りとなっているが、実施例１３及び１４は共に回路３
６の表面側を凹（金属板１８の下面側を凸）とする反り
となっている。しかも、これらの反り量は、図２３の仮
想線ｍ（比較例６、７並びに実施例１３、１４のプロッ
トに対して最小二乗法にて近似させて描いた直線）に示
すように、回路３６の厚みを変えることで制御できるこ
とがわかる。また、回路３６の厚みを制御することで反
り量を０にすることも可能である。

【０１３９】次に、第６の実験例は、緩衝板２８の厚み
による回路基板１０Ａの反り量の変化をみたものであ
る。この第６の実験例では、回路３６の厚みを０．３ｍ
ｍ、絶縁基板３２の厚みを０．３ｍｍ、ヒートスプレッ
ダ材２２の厚みを３．０ｍｍ、金属板１８の厚みを０ｍ
ｍ（金属板１８の形成を省略）、接合圧力を２．５ｋｇ
ｆ／ｃｍ²とした。そして、実施例１５〜２６につい
て、絶縁基板３２の種類と緩衝板２８の厚みを変えて回
路基板１０Ａの反り量を測定した。実験結果を図２４及
び図２５に示す。

【０１４０】この結果から、絶縁基板３２としてＡｌＮ
を用いた実施例１５及び１６が、回路３６の表面側を凹
（ヒートシンク材２２の下面側を凸）とする反りとなっ
ている。一方、絶縁基板３２としてＳｉ₃Ｎ₄を用いた実
施例１７〜２６が、回路３６の表面側を凸（ヒートシン
ク材２２の下面側を凹）とする反りとなっている。

【０１４１】特に、図２５は、絶縁基板３２としてＡｌ
Ｎを用いた実施例１５及び１６のプロットに対して最小
二乗法にて近似させて描いた直線ｎ１と、実施例１７〜
２６のプロットに対して最小二乗法にて近似させて描い
た直線ｎ２を示す。

【０１４２】そして、実施例１５及び１６の結果から、
緩衝板２８の厚みを大きくするにつれて、回路３６の表
面側を凹とする反り量が徐々に小さくなっており、ま
た、実施例１７〜２６の結果から、緩衝板２８の厚みを
大きくするにつれて、回路３６の表面側を凸とする反り
量が徐々に大きくなっている。

【０１４３】このことから、緩衝板２８の厚みを変える
ことによっても、回路基板１０Ａの反り量を制御できる
ことがわかる。但し、緩衝板２８の厚みを０．５ｍｍよ
りも超えた厚みにすると、絶縁基板３２としてＡｌＮを
用いた場合は、回路基板１０Ａにおける回路３６の表面
側を凹とする反り量がほとんどなくなり、金属板１８の
下面に冷却フィンを密着させることが困難になるおそれ
がある。このようなことから、緩衝板２８の厚みは、
０．０３〜０．５ｍｍであることが好ましい。

【０１４４】なお、緩衝板２８の厚みを変えた場合の回
路基板１０Ａの熱伝達率の変化は、図２６の実験結果
（第７の実験例）から、ほとんど変化がないことがわか
る。この第７の実験例は、絶縁基板３２（Ｓｉ₃Ｎ₄）自
体の熱伝導率を９０Ｗ／ｍＫとし、緩衝板２８の厚みを
０．１ｍｍ（実施例２７）、０．３ｍｍ（実施例２
８）、０．６ｍｍ（実施例２９）、０．９ｍｍ（実施例
３０）とした際の回路基板１０Ａの熱伝達率の変化をみ
たものである。ちなみに回路３６の厚みは０．３ｍｍ、
絶縁基板３２の厚みは０．３ｍｍ、ヒートスプレッダ材
２２の厚みは３．０ｍｍである。

【０１４５】次に、第８の実験例は、金属板１８の厚み
による回路基板１０Ａの反り量の変化をみたものであ
る。この第８の実験例では、回路３６の厚みを０．３ｍ
ｍ、緩衝板２８の厚みを０．３ｍｍ、ヒートスプレッダ
材２２の厚みを３．０ｍｍとした。そして、実施例３１
〜３３について、金属板１８の厚みを変えて回路基板１
０Ａの反り量を測定した。実施例３１は、絶縁基板３２
（Ｓｉ₃Ｎ₄）の厚みを０．３ｍｍとした場合であり、実
施例３２は、絶縁基板３２（ＡｌＮ）の厚みを０．３ｍ
ｍとした場合であり、実施例３３は、絶縁基板３２（Ａ
ｌＮ）の厚みを０．５ｍｍとした場合である。

【０１４６】実験結果を図２７に示す。図２７におい
て、実施例３１を実線Ｄ３１で示し、実施例３２を実線
Ｄ３２で示し、実施例３３を実線Ｄ３３で示す。

【０１４７】実施例３１においては、金属板１８の厚み
が０ｍｍ〜０．５ｍｍにわたって、回路３６の表面側を
凸（金属板１８の下面側を凹）とする反りとなってお
り、金属板１８の厚みを大きくするにつれて回路３６の
表面側を凸とする反り量も徐々に大きくなっている。

【０１４８】実施例３２においては、金属板１８の厚み
が０ｍｍ〜０．１２ｍｍにわたって、回路３６の表面側
を凹（金属板１８の下面側を凸）とする反りとなってお
り、金属板１８の厚みを大きくするにつれて回路３６の
表面側を凹とする反り量が徐々に小さくなっている。ま
た、この実施例３２においては、金属板１８の厚みが
０．１２ｍｍ〜０．５ｍｍにわたって、回路３６の表面
側を凸（金属板１８の下面側を凹）とする反りとなって
おり、金属板１８の厚みを大きくするにつれて回路３６
の表面側を凸とする反り量も徐々に大きくなっている。

【０１４９】実施例３３においては、金属板１８の厚み
が０ｍｍ〜０．１９ｍｍにわたって、回路３６の表面側
を凹（金属板１８の下面側を凸）とする反りとなってお
り、金属板１８の厚みを大きくするにつれて回路３６の
表面側を凹とする反り量が徐々に小さくなっている。ま
た、この実施例３３においては、金属板１８の厚みが
０．１９ｍｍ〜０．５ｍｍにわたって、回路３６の表面
側を凸（金属板１８の下面側を凹）とする反りとなって
おり、金属板１８の厚みを大きくするにつれて回路３６
の表面側を凸とする反り量も徐々に大きくなっている。

【０１５０】このことから、金属板１８の厚みを変える
ことによっても、回路基板１０Ａの反り量を制御できる
ことがわかる。

【０１５１】更に、この第１の実施の形態に係る回路基
板１０Ａにおいては、第１〜第４のろう材２６、３０、
３４及び１００として、組成がＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ−Ｔｉ
の硬ろう材を用いることが好ましい。また、第２及び第
３のろう材３０及び３４に含まれる活性元素（Ｔｉ）の
量が０．０５〜２％であることが好ましく、第１及び第
４のろう材２６及び１００に含まれる活性元素（Ｔｉ）
の量が０．５〜１０％であることが好ましい。

【０１５２】また、第２及び第３のろう材３０及び３４
の厚みは、緩衝板２８の厚みの１０％以下であることが
好ましく、具体的には、１０μｍ以下であることが好ま
しい。一方、第１及び第４のろう材２６及び１００の厚
みは、緩衝板２８の厚みの２５％以下であることが好ま
しい。

【０１５３】次に、第１〜第４のろう材２６、３０、３
４及び１００に関する実験例（第９〜第１１の実験例）
について説明する。

【０１５４】まず、第９の実験例は、実施例３４〜３６
について、接合温度による熱サイクル及び熱伝導率の違
いをみたものである。ここで、実施例３４〜３６は、共
に第１〜第４のろう材２６、３０、３４及び１００とし
て、以下の組成及び性質を有するろう材を使用し、厚み
５０μｍとした。

【０１５５】 組成：Ag(59)-Cu(27.25)-In(12.5)-Ti(1.25) 融点（液相）：７１５℃ 融点（固相）：６０５℃ 熱伝導：７０Ｗ／ｍＫ 比重：９．７ｇ／ｃｍ³ また、実施例３４及び３５は、接合温度と接合時間をそ
れぞれ６８０℃（固相と液相の間の温度）及び１０分と
し、実施例３６は、接合温度と接合時間をそれぞれ７８
０℃（液相以上の温度）及び１０分とした。

【０１５６】実験結果を図２８に示す。この実験結果か
らわかることは、接合温度を固相と液相の間の温度に設
定しても、熱サイクル試験並びに熱伝導率の結果は、接
合温度を液相以上の温度に設定した場合とほとんど変わ
らないことである。つまり、第１〜第４のろう材２６、
３０、３４及び１００を液状にしなくても、回路３６、
絶縁基板３２、緩衝板２８、ヒートシンク材２２及び金
属板１８を強固に接合することができ、回路基板１０Ａ
の熱伝導率も良好なものとなっている。

【０１５７】なお、接合温度をろう材の固相と液相の間
の温度に設定した場合、回路基板１０Ａにはろう材が残
留することになる。しかし、回路基板１０Ａに残留する
ろう材の厚みを変えても熱伝導率に違いはほとんどない
ことが、以下に示す第１０の実験例によってわかった。
この第１０の実験例は、実施例３７〜４０について、第
１及び第２のろう材２６及び３０の残留厚みによる回路
基板１０Ａの熱伝導率の違いをみたものである。実施例
３７は第１及び第２のろう材２６及び３０の残留厚みを
１５０μｍとし、実施例３８は残留厚みを５０μｍ、実
施例３９は１０μｍ、実施例４０は１μｍとしたもので
ある。また、絶縁基板３２（Ｓｉ₃Ｎ₄）の熱伝導率を９
０Ｗ／ｍＫとした。この実験結果を図２９に示す。

【０１５８】この実験結果から、第１及び第２のろう材
２６及び３０の残留厚みを１μｍ〜１５０μｍに変化さ
せても、回路基板１０Ａの熱伝導率はほとんど変化はな
いことがわかる。

【０１５９】次に、第１１の実験例は、比較例８〜１０
及び実施例４１〜４３について、第１〜第４のろう材２
６、３０、３４及び１００の厚みによる回路３６の汚染
状態、剥離強度、熱サイクル及び熱伝導率の違いをみた
ものである。実験結果を図３０に示す。この図３０にお
いて、「ろう材厚み」は、第２及び第３のろう材３０
及び３４の厚みを示し、「ろう材厚み」は、第１及び
第４のろう材２６及び１００の厚みを示す。

【０１６０】実験で用いた第１〜第４のろう材２６、３
０、３４及び１００の組成は、Ａｇ（５９）−Ｃｕ（２
７．２５）−Ｉｎ（１２．５）−Ｔｉ（１．２５）であ
り、接合温度は７８０℃、接合時間は１０分とした。

【０１６１】また、回路３６の厚みを０．３ｍｍ、絶縁
基板３２（Ｓｉ₃Ｎ₄）の厚みを０．３ｍｍ、緩衝板２８
の厚みを０．３ｍｍ、ヒートシンク材２２の厚みを２．
７ｍｍ、金属板１８の厚みを０．３ｍｍとした。

【０１６２】この実験結果から、第２及び第３のろう材
３０及び３４の厚みを３０μｍ以上に設定すると、比較
例８、比較例９及び実施例４１に示すように、回路３
６、絶縁基板３２、緩衝板２８、ヒートスプレッダ材２
２及び金属板１８の接合時に第２及び第３のろう材３０
及び３４の不要部分が外方に流出し、回路３６を汚染す
るという現象が生じている。特に、比較例８及び比較例
９のように、第２及び第３のろう材３０及び３４の厚み
を５０μｍに設定すると、前記接合時にろう材３０及び
３４の不要部分が大量にはみ出し、回路３６の汚染状態
が激しいものとなっている。

【０１６３】一方、実施例４２、４３及び比較例１０に
示すように、第２及び第３のろう材３０及び３４の厚み
を１０μｍに設定すると、回路３６の汚染はほとんどな
いことがわかった。

【０１６４】次に、比較例８及び実施例４３のように、
第１及び第４のろう材２６及び１００の厚みを５０μｍ
に設定すると、回路基板１０Ａの剥離強度は８５ｋｇｆ
／ｃｍ²や９０ｋｇｆ／ｃｍ²であり、実施例４１及び４
２のように、第１及び第４のろう材２６及び１００の厚
みを３０μｍに設定すると、回路基板１０Ａの剥離強度
は５２ｋｇｆ／ｃｍ²や５５ｋｇｆ／ｃｍ²であった。ま
た、比較例９及び１０のように、第１及び第４のろう材
２６及び１００の厚みを１０μｍに設定すると、回路基
板１０Ａの剥離強度は３２ｋｇｆ／ｃｍ²や３０ｋｇｆ
／ｃｍ²であった。

【０１６５】つまり、第１及び第４のろう材２６及び１
００の厚みを薄くすると、回路基板１０Ａの剥離強度が
低下することがわかった。なお、５００サイクルの熱サ
イクル試験では比較例８〜１０及び実施例４１〜４３の
いずれについても剥離はなかった。また、熱伝導率に関
しても、比較例８〜１０及び実施例４１〜４３について
大きな変化はなかった。

【０１６６】このようなことから、実施例４１〜４３に
示すように、第２及び第３のろう材３０及び３４の厚み
を３０μｍ以下、第１及び第４のろう材２６及び１００
の厚みを３０μｍ以上にすることが好ましい。

【０１６７】次に、第１２の実験例は、比較例１１及び
実施例４４〜４６について、第１及び第４のろう材２６
及び１００の活性元素（Ｔｉ）の量による剥離強度、熱
サイクル及び熱伝導率の違いをみたものである。実験結
果を図３０に示す。

【０１６８】実験で用いた第２及び第３のろう材３０及
び３４は、その組成をＡｇ（５９）−Ｃｕ（２７．２
５）−Ｉｎ（１２．５）−Ｔｉ（１．２５）とし、その
厚みを１０μｍとした。また、第１及び第４のろう材２
６及び１００は、その組成をＡｇ（５９）−Ｃｕ（２
７．２５）−Ｉｎ（１２．５）−Ｔｉ（１．２５＋ａ）
とし、第２及び第３のろう材３０及び３４と同じ組成の
ろう材箔にＴｉ箔を組み合わせたものを使用した。従っ
て、厚みは１０μｍ（ろう材箔の厚み）＋Ｔｉ箔の厚み
となる。なお、接合温度は７８０℃、接合時間は１０分
とした。

【０１６９】そして、比較例１１並びに実施例４４〜４
６は、第１及び第４のろう材２６及び１００について、
ろう材箔の厚みとＴｉ箔の厚みの比率を変えたものであ
る。具体的には、図３１に示すように、比較例１１は、
ろう材箔の厚み：Ｔｉ箔の厚み＝１０（μｍ）：０（μ
ｍ）とし、実施例４４は、ろう材箔の厚み：Ｔｉ箔の厚
み＝１０（μｍ）：０．７（μｍ）とし、実施例４５
は、ろう材箔の厚み：Ｔｉ箔の厚み＝１０（μｍ）：１
（μｍ）とし、実施例４６は、ろう材箔の厚み：Ｔｉ箔
の厚み＝１０（μｍ）：２（μｍ）とした。

【０１７０】この実験結果を図３１に示す。この図３１
から第１及び第４のろう材２６及び１００についてＴｉ
箔を組み合わせない場合、即ち、Ｔｉの量を増やさない
場合は、回路基板１０Ａの剥離強度が３２ｋｇｆ／ｃｍ
²と低い。一方、実施例４４〜４６のように、Ｔｉ箔の
厚みを０．７μｍ、１μｍ及び２μｍと増やしていく
と、回路基板１０Ａの剥離強度も、６５ｋｇｆ／ｃ
ｍ²、９０ｋｇｆ／ｃｍ²及び１１５ｋｇｆ／ｃｍ²と増
加していることがわかる。

【０１７１】なお、５００サイクルの熱サイクル試験で
は比較例１１及び実施例４４〜４６のいずれについても
剥離はなかった。また、熱伝導率に関しても、比較例１
１及び実施例４４〜４６について大きな変化はなかっ
た。

【０１７２】また、この第１の実施の形態に係る回路基
板１０Ａの製造方法においては、回路３６の金属除去部
分から露出する導電性反応層７０を除去することを目的
として行われるサンドブラスト処理をマスク８２を介し
て行うことが好ましい。

【０１７３】これにより、回路３６の表面（回路３６又
はメッキ層３８の表面）をサンドブラスト処理用の粒子
で削ることがないため、鏡面光沢度を、回路３６を形成
した段階あるいはメッキ層３８を形成した段階の鏡面光
沢度に維持させることができる。

【０１７４】従って、その後の回路３６（又はメッキ層
３８）に対する例えばワイヤボンディング処理におい
て、回路３６（又はメッキ層３８）に対するボンディン
グワイヤの密着度を低下させることがない。

【０１７５】ここで、回路３６の表面状態（鏡面光沢
度）とワイヤボンド性（ボンディングワイヤの密着性）
についての関係をみた第１３の実験例を説明する。

【０１７６】この第１３の実験例は、比較例１２並びに
実施例４７〜５３について、回路３６（又はメッキ層３
８）の鏡面光沢度による回路３６（又はメッキ層３８）
に対するボンディングワイヤの密着性の違いをみたもの
であり、その結果を図３２に示す。この図３２におい
て、ボンダー出力は、ボンディングワイヤの密着性が良
好（合格率１００％）であるときの出力を示す。

【０１７７】比較例１２は、回路３６の金属除去部から
露出する導電性反応層７０をサンドブラスト処理で除去
する際に、回路３６（又はメッキ層３８）の表面に直接
サンドブラスト処理を施したものである。また、実施例
４７〜５３はマスク８２を介してサンドブラスト処理を
行ったものであって、それぞれ表面の鏡面光沢度を変え
たものである。

【０１７８】図３２から、回路３６（又はメッキ層３
８）の鏡面光沢度が高いほど、ボンダー出力が低くても
ボンディングワイヤの密着性は良好となり、回路３６
（又はメッキ層３８）の鏡面光沢度が低いほど、ボンデ
ィングワイヤの密着性は悪くなっていることがわかっ
た。実用的には、回路３６（又はメッキ層３８）の表面
粗さをＲａ＝１以下に設定することが好ましい。

【０１７９】このように、第１の実施の形態に係る回路
基板１０Ａにおいては、絶縁基板３２上に活性元素を有
する第３のろう材３４を介して接合された金属板４０に
対してエッチング処理とサンドブラスト処理を施して回
路３６を作製する、あるいは予め回路パターン１０２が
形成された回路用金属板４０を絶縁基板３２上に第３の
ろう材３４を介して接合し、その後、サンドブラスト処
理を施すようにしたので、絶縁基板３２上に残る例えば
導電性反応層７０等のエッチング残査を簡単に除去する
ことができ、外観上及び特性的にも良好な回路基板１０
Ａを得ることができる。

【０１８０】特に、回路３６上にＮｉメッキ層３８を残
すようにしているため、回路３６上に形成される半田層
１４の濡れ性が良好となり、半導体装置１６を回路３６
上に確実に実装させることができる。

【０１８１】次に、第２の実施の形態に係る回路基板１
０Ｂ並びに該回路基板１０Ｂを用いた電子部品１２Ｂに
ついて図３３を参照しながら説明する。

【０１８２】この電子部品１２Ｂは、上述した電子部品
１２Ａと同様に、第２の実施の形態に係る回路基板１０
Ｂに半田層１４を介して半導体装置１６が実装され、更
に、回路基板１０Ｂの下面に金属層１８を介してヒート
シンク材２０が固定されて構成されている。

【０１８３】そして、この第２の実施の形態に係る回路
基板１０Ｂは、上述した第１の実施の形態に係る回路基
板１０Ａとほぼ同様の構成を有するが、金属板４０とし
て、上面にＮｉメッキ層３８が形成されていないものを
使用している点で異なる。

【０１８４】従って、この第２の実施の形態に係る回路
基板１０Ｂを製造する方法は、金属板４０上にレジスト
８０を形成した後、金属板４０のうち、レジスト８０の
窓８０ａから露出する部分を塩化第二鉄水溶液もしくは
塩化第二銅水溶液でエッチング処理して、回路３６を形
成すること以外は、上述した第１の実施の形態に係る回
路基板１０Ａの製造方法と同様である。

【０１８５】この場合、回路基板１０Ｂに対するサンド
ブラスト処理は、回路３６の金属除去部分３６ａに残存
する導電性反応層７０を除去した段階で、絶縁基板３２
上に回路３６が残存する条件で行うことが好ましい。

【０１８６】上述の例では、ヒートスプレッダ材２２の
下面に接合した金属板１８として平板を用いた例を示し
たが、その他、図３４に示すように、金属板１８を介さ
ずにフィン形状を有するヒートシンク材２０を接合する
ようにしてもよいし、あるいは、図３５に示すように、
ヒートスプレッダ材２２自体をフィン形状に形成してヒ
ートシンク材として用いるようにしてもよい。

【０１８７】なお、この発明に係る回路基板及びその製
造方法は、上述の実施の形態に限らず、この発明の要旨
を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもち
ろんである。

【０１８８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る回路
基板及びその製造方法によれば、絶縁基板上に残る例え
ば導電性反応層等のエッチング残査を簡単に除去するこ
とができ、外観上及び特性的にも良好となる。

【０１８９】また、金属製の冷却用フィン等を強固に固
定することができるように、接合体全体の反りを制御す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施の形態に係る回路基板並びに該回路
基板を用いた電子部品を示す縦断面図である。

【図２】ヒートスプレッダ材の構成材料の一例であるＳ
ｉＣ／Ｃｕ複合材を示す拡大図である。

【図３】ヒートスプレッダ材の構成材料の他の例である
Ｃ／Ｃｕ複合材を示す拡大図である。

【図４】第１の実施の形態に係る回路基板における絶縁
基板と回路の部分を示す拡大断面図である。

【図５】図５Ａはセッティング工程を示す説明図であ
り、図５Ｂは接合工程を示す説明図である。

【図６】図６Ａはレジスト形成工程を示す説明図であ
り、図６Ｂはエッチング処理工程を示す説明図である。

【図７】サンドブラスト処理工程を示す説明図である。

【図８】サンドブラスト処理の各種材料に対するエッチ
ングレートを示す表図である。

【図９】サンドブラスト処理工程の他の例を示す説明図
である。

【図１０】図１０Ａは第１のマスクを示す平面図であ
り、図１０Ｂは第２のマスクを示す平面図である。

【図１１】図１１Ａはエッチング処理後の回路の平面パ
ターンの一例を示す図であり、図１１Ｂは第１のマスク
を介してサンドブラスト処理を行った後の回路の平面パ
ターンを示す図であり、図１１Ｃは第２のマスクを介し
てサンドブラスト処理を行った後の回路の平面パターン
を示す図である。

【図１２】図１２Ａ〜図１２Ｅは第２の製造方法のプレ
ス成形による方法の一例を示す工程図である。

【図１３】図１３Ａ〜図１３Ｅは第２の製造方法のプレ
ス成形による方法の他の例を示す工程図である。

【図１４】図１４Ａ〜図１４Ｄは第２の製造方法のエッ
チングによる方法の一例を示す工程図である。

【図１５】第１の実験例（比較例１と実施例１〜３につ
いての熱サイクル試験）の結果を示す表図である。

【図１６】第２の実験例（絶縁基板の熱伝導率による回
路基板の熱伝導率の変化をみた実験例）における実施例
４の結果を示す特性図である。

【図１７】第２の実験例における比較例２の結果を示す
特性図である。

【図１８】第２の実験例における比較例３の結果を示す
特性図である。

【図１９】第２の実験例における比較例４の結果を示す
特性図である。

【図２０】第３の実験例（比較例５と実施例５〜８につ
いて、熱サイクル、回路基板の熱伝導率及び絶縁基板の
絶縁性をみた実験例）の結果を示す表図である。

【図２１】第４の実験例（絶縁基板自体の熱伝導率によ
る回路基板の熱伝達率の変化をみた実験例）の結果を示
す特性図である。

【図２２】第５の実験例（回路の厚みによる回路基板の
反り量の変化をみた実験例）の結果を示す表図である。

【図２３】第５の実験例の結果を示す特性図である。

【図２４】第６の実験例（緩衝板の厚みによる回路基板
の反り量の変化をみた実験例）の結果を示す表図であ
る。

【図２５】第６の実験例の結果を示す特性図である。

【図２６】第７の実験例（緩衝板の厚みを変えた場合の
回路基板の熱伝達率の変化をみた実験例）の結果を示す
特性図である。

【図２７】第８の実験例（金属板の厚みによる回路基板
の反り量の変化をみた実験例）の結果を示す特性図であ
る。

【図２８】第９の実験例（実施例３４〜３６について、
接合温度による熱サイクル及び熱伝導率の違いをみた実
験例）の結果を示す特性図である。

【図２９】第１０の実験例（実施例３７〜４０につい
て、第１及び第２のろう材の残留厚みによる回路基板の
熱伝導率の違いをみた実験例）の結果を示す特性図であ
る。

【図３０】第１１の実験例（比較例８〜１０及び実施例
４１〜４３について、第１〜第４のろう材の厚みによる
回路の汚染状態、剥離強度、熱サイクル及び熱伝導率の
違いをみた実験例）の結果を示す表図である。

【図３１】第１２の実験例（比較例１１及び実施例４４
〜４６について、第１及び第４のろう材の活性元素の量
による剥離強度、熱サイクル及び熱伝導率の違いをみた
実験例）の結果を示す表図である。

【図３２】第１３の実験例（比較例１２並びに実施例４
７〜５３について、回路（又はメッキ層）の鏡面光沢度
による回路（又はメッキ層）に対するボンディングワイ
ヤの密着性の違いをみた実験例）の結果を示す表図であ
る。

【図３３】第２の実施の形態に係る回路基板並びに該回
路基板を用いた電子部品を示す縦断面図である。

【図３４】ヒートスプレッダ材の下面にフィン形状を有
するヒートシンク材を接合した構成を示す回路基板を示
す断面図である。

【図３５】ヒートシンク材自体をフィン形状にした回路
基板を示す断面図である。

【図３６】従来例に係る回路基板を示す縦断面図であ
る。

【図３７】従来例に係る回路基板における絶縁基板と回
路の部分を示す拡大断面図である。

【符号の説明】

１０Ａ、１０Ｂ…回路基板 １２Ａ、１２Ｂ…電子
部品 １４…半田層 １６…半導体装置 ２０…ヒートシンク材 ２２…ヒートスプレッ
ダ材 ２４…熱伝導層 ３２…絶縁基板 ３４…第３のろう材 ３６…回路 ３８…Ｎｉメッキ層 ４０…金属板 ７０…導電性反応層 ８２…マスク ８２Ａ…第１のマスク ８２Ｂ…第２のマスク １００…第４のろう材 １０２…回路パターン

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/26 Ｈ０５Ｋ 3/38 Ｅ 3/38 3/04 Ｄ // Ｈ０５Ｋ 3/04 Ｈ０１Ｌ 23/36 Ｃ (72)発明者 石川 修平 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日 本碍子株式会社内 (72)発明者 中山 信亮 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日 本碍子株式会社内 Ｆターム(参考） 5E338 AA01 AA18 CC08 CD23 EE02 5E339 AB06 AD01 BC02 BC03 BD11 BE13 CG01 GG02 5E343 AA02 AA23 BB16 BB24 BB28 BB67 CC01 DD62 EE33 FF21 FF23 5F036 AA01 BA04 BA26 BB05 BB08 BC33 BD01

Claims (51)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁基板上に回路を有する回路基板におい
   て、 前記回路は、前記絶縁基板上に接合された金属板に対す
   るエッチング処理とサンドブラスト処理により形成され
   ていることを特徴とする回路基板。
2. 【請求項２】絶縁基板上に回路を有する回路基板におい
   て、 前記回路は、前記絶縁基板上に接合され、かつ、予め回
   路パターンが形成された金属板に対するサンドブラスト
   処理により形成されていることを特徴とする回路基板。
3. 【請求項３】請求項１又は２記載の回路基板において、 前記絶縁基板上に活性元素を含む硬ろう材を介して前記
   金属による回路が接合されていることを特徴とする回路
   基板。
4. 【請求項４】請求項３記載の回路基板において、 前記絶縁基板上に前記金属による回路が接合されている
   場合の前記硬ろう材の厚さが１０μｍ以下であることを
   特徴とする回路基板。
5. 【請求項５】請求項３記載の回路基板において、 前記絶縁基板と前記硬ろう材中の活性元素との反応によ
   って生成される導電性反応層のうち、前記回路の金属除
   去部分に対応する導電性反応層がサンドブラスト処理に
   て除去されていることを特徴とする回路基板。
6. 【請求項６】請求項３〜５のいずれか１項に記載の回路
   基板において、 前記活性元素は、周期律表第２Ａ族、第３Ａ族、第４Ａ
   族、第５Ａ族又は第４Ｂ族のいずれかに属する元素の少
   なくとも１つであることを特徴とする回路基板。
7. 【請求項７】請求項１〜６のいずれか１項に記載の回路
   基板において、 前記金属による回路上にメッキ層が積層されていること
   を特徴とする回路基板。
8. 【請求項８】請求項１〜７のいずれか１項に記載の回路
   基板において、 前記金属による回路の表面粗さあるいは前記回路上にお
   けるメッキ層の表面粗さがＲａ＝１．０μｍ以下である
   ことを特徴とする回路基板。
9. 【請求項９】請求項１〜８のいずれか１項に記載の回路
   基板において、 前記絶縁基板の下部にヒートスプレッダ材あるいはヒー
   トシンク材が接合されていることを特徴とする回路基
   板。
10. 【請求項１０】請求項９記載の回路基板において、 前記絶縁基板と前記ヒートスプレッダ材あるいはヒート
    シンク材との間に金属による緩衝板がそれぞれ活性元素
    を含む硬ろう材を介して接合され、 前記金属による回路と前記絶縁基板と前記緩衝板と前記
    前記ヒートスプレッダ材あるいはヒートシンク材による
    第１の接合体を有することを特徴とする回路基板。
11. 【請求項１１】請求項１０記載の回路基板において、 前記ヒートシンク材がフィン形状に形成されていること
    を特徴とする回路基板。
12. 【請求項１２】請求項１０記載の回路基板において、 前記ヒートスプレッダ材あるいはヒートシンク材の下面
    に金属板が活性元素を含む硬ろう材を介して接合され、 前記金属による回路と前記絶縁基板と前記緩衝板と前記
    ヒートスプレッダ材あるいはヒートシンク材と前記金属
    板による第２の接合体を有することを特徴とする回路基
    板。
13. 【請求項１３】請求項１２記載の回路基板において、 前記第２の接合体における前記絶縁基板の熱膨張係数
    が、前記ヒートスプレッダ材あるいはヒートシンク材に
    用いられる材料の熱膨張係数より小さい場合に、前記金
    属による回路の厚さと、前記緩衝板と前記ヒートスプレ
    ッダ材あるいはヒートシンク材の合計との厚みの比が
    １：０．５〜１：３であることを特徴とする回路基板。
14. 【請求項１４】請求項１２又は１３記載の回路基板にお
    いて、 前記第２の接合体が、前記金属板の下面側が外方に向か
    って凸形状となるように反っていることを特徴とする回
    路基板。
15. 【請求項１５】請求項１２記載の回路基板において、 前記金属板がフィン形状に形成されていることを特徴と
    する回路基板。
16. 【請求項１６】請求項１０〜１５のいずれか１項に記載
    の回路基板において、 前記緩衝板は、その厚みが０．０３〜０．５ｍｍである
    ことを特徴とする回路基板。
17. 【請求項１７】請求項１０〜１６のいずれか１項に記載
    の回路基板において、 前記絶縁基板がＳｉ₃Ｎ₄で構成される場合に、該絶縁基
    板の厚みが０．６ｍｍ以下であることを特徴とする回路
    基板。
18. 【請求項１８】請求項１０〜１７のいずれか１項に記載
    の回路基板において、 前記第１又は第２の接合体としての熱伝導率が２００Ｗ
    ／ｍ以上であることを特徴とする回路基板。
19. 【請求項１９】請求項１０〜１８のいずれか１項に記載
    の回路基板において、 前記硬ろう材の融点が７００℃以下であることを特徴と
    する回路基板。
20. 【請求項２０】請求項１０〜１９のいずれか１項に記載
    の回路基板において、 前記硬ろう材がＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ−Ｔｉにて構成されて
    いることを特徴とする回路基板。
21. 【請求項２１】請求項１０〜２０のいずれか１項に記載
    の回路基板において、 少なくとも前記金属による回路と絶縁基板との接合に用
    いられる前記硬ろう材に含まれる活性元素の量が０．０
    ５〜２％であることを特徴とする回路基板。
22. 【請求項２２】請求項１０〜２１のいずれか１項に記載
    の回路基板において、 前記緩衝板と前記ヒートスプレッダ材あるいはヒートシ
    ンク材との接合に用いられる前記硬ろう材に含まれる活
    性元素の量が０．５〜１０％であることを特徴とする回
    路基板。
23. 【請求項２３】請求項１０〜２２のいずれか１項に記載
    の回路基板において、 前記ヒートスプレッダ材あるいはヒートシンク材と前記
    緩衝板との接合に用いられる硬ろう材の厚み又は前記ヒ
    ートスプレッダ材あるいはヒートシンク材と前記金属板
    との接合に用いられる硬ろう材の厚みは、前記緩衝板の
    厚みの２５％以下であることを特徴とする回路基板。
24. 【請求項２４】請求項１０〜２３のいずれか１項に記載
    の回路基板において、 前記絶縁基板と前記金属による回路との接合に用いられ
    る硬ろう材の厚み又は前記絶縁基板と前記緩衝板との接
    合に用いられる硬ろう材の厚みは、前記緩衝板の厚みの
    １０％以下であることを特徴とする回路基板。
25. 【請求項２５】請求項２４記載の回路基板において、 前記硬ろう材の厚みは３０μｍ以下であることを特徴と
    する回路基板。
26. 【請求項２６】請求項９〜１５のいずれか１項に記載の
    回路基板において、 前記ヒートスプレッダ材あるいはヒートシンク材は、Ｓ
    ｉＣ、ＡｌＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＢｅＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｂｅ
    ₂Ｃ、Ｃ、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａ
    ｇ合金、Ｓｉからなる群から選択された少なくとも１つ
    を構成材料とすることを特徴とする回路基板。
27. 【請求項２７】請求項２６記載の回路基板において、 前記ヒートスプレッダ材あるいはヒートシンク材は、Ｓ
    ｉＣ母材にＣｕ又はＣｕ合金が含浸された複合材料で構
    成されていることを特徴とする回路基板。
28. 【請求項２８】請求項２７記載の回路基板において、 前記ヒートスプレッダ材あるいはヒートシンク材は、Ｃ
    母材にＣｕ又はＣｕ合金が含浸された複合材料で構成さ
    れていることを特徴とする回路基板。
29. 【請求項２９】請求項１〜２８のいずれか１項に記載の
    回路基板において、 前記絶縁基板は、ＡｌＮ又はＳｉ₃Ｎ₄で構成されている
    ことを特徴とする回路基板。
30. 【請求項３０】絶縁基板上に金属板を活性金属を含む硬
    ろう材を介して接合する第１の工程と、 前記金属板をエッチング処理して前記絶縁基板上に回路
    パターンを形成する第２の工程と、 少なくとも前記回路パターンの金属除去部分から露出す
    る導電性反応層を除去して前記絶縁基板を露出させて、
    前記絶縁基板上に回路を有する回路基板とする第３の工
    程とを有することを特徴とする回路基板の製造方法。
31. 【請求項３１】金属板に対して回路パターンを形成する
    第１の工程と、 絶縁基板上に前記金属板を活性金属を含む硬ろう材を介
    して接合する第２の工程と、 少なくとも前記回路パターンの金属除去部分を通じて露
    出する導電性反応層を除去して前記絶縁基板を露出させ
    て、前記絶縁基板上に回路を有する回路基板とする第３
    の工程を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
32. 【請求項３２】請求項３１記載の回路基板の製造方法に
    おいて、 前記第１の工程は、金属板に対してプレス加工を行っ
    て、該金属板に回路パターンを成形する処理を含むこと
    を特徴とする回路基板の製造方法。
33. 【請求項３３】請求項３２記載の回路基板の製造方法に
    おいて、 前記金属板に対するプレス加工によって回路を成形する
    場合に、前記回路間を連結するブリッジも成形し、 前記絶縁基板上に前記金属板を接合した後に、前記ブリ
    ッジを切断することを特徴とする回路基板の製造方法。
34. 【請求項３４】請求項３３記載の回路基板の製造方法に
    おいて、 前記ブリッジは、前記金属板に対する半抜き加工によっ
    て成形されることを特徴とする回路基板の製造方法。
35. 【請求項３５】請求項３３記載の回路基板の製造方法に
    おいて、 前記ブリッジは、前記金属板に対するエッチング加工に
    よって形成されることを特徴とする回路基板の製造方
    法。
36. 【請求項３６】請求項３０〜３５のいずれか１項に記載
    の回路基板の製造方法において、 前記絶縁基板上への金属板の接合は、前記硬ろう材の固
    相線以上、液相線以下の温度で接合することを特徴とす
    る回路基板の製造方法。
37. 【請求項３７】請求項３０〜３６のいずれか１項に記載
    の回路基板の製造方法において、 前記第３の工程は、前記回路パターンを含む全面に対し
    てサンドブラスト処理を行って前記回路パターンの金属
    除去部分から露出する導電性反応層を除去して絶縁基板
    を露出させることを特徴とする回路基板の製造方法。
38. 【請求項３８】請求項３０〜３６のいずれか１項に記載
    の回路基板の製造方法において、 前記第３の工程は、マスクを通じて選択的にサンドブラ
    スト処理を行って前記回路パターンの金属除去部分から
    露出する導電性反応層を除去して絶縁基板を露出させる
    ことを特徴とする回路基板の製造方法。
39. 【請求項３９】請求項３８記載の回路基板の製造方法に
    おいて、 前記第３の工程は、複数のマスクを使用し、それぞれマ
    スクを通じて選択的にサンドブラスト処理を行った後、
    使用しているマスクの窓から露出し、かつ、前記回路パ
    ターンの金属除去部分から露出する導電性反応層を除去
    する処理を、複数のマスクについて繰り返し行うことを
    特徴とする回路基板の製造方法。
40. 【請求項４０】請求項３０〜３９のいずれか１項に記載
    の回路基板の製造方法において、 前記金属板は、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ又はＡｌ合金にて
    構成されていることを特徴とする回路基板の製造方法。
41. 【請求項４１】請求項３０〜４０のいずれか１項に記載
    の回路基板の製造方法において、 前記金属板として、上面にメッキ層が形成された金属板
    を使用することを特徴とする回路基板の製造方法。
42. 【請求項４２】請求項４１記載の回路基板の製造方法に
    おいて、 前記メッキ層は、Ｎｉメッキ層であることを特徴とする
    回路基板の製造方法。
43. 【請求項４３】請求項３０〜４２のいずれか１項に記載
    の回路基板の製造方法において、 前記活性元素は、周期律表第２Ａ族、第３Ａ族、第４Ａ
    族、第５Ａ族又は第４Ｂ族のいずれかに属する元素の少
    なくとも１つであることを特徴とする回路基板の製造方
    法。
44. 【請求項４４】請求項３０〜４３のいずれか１項に記載
    の回路基板の製造方法において、 前記第３の工程におけるサンドブラスト処理は、前記絶
    縁基板が露出された段階で、前記絶縁基板上に少なくと
    も前記回路パターンが残存する条件で行うことを特徴と
    する回路基板の製造方法。
45. 【請求項４５】請求項４４記載の回路基板の製造方法に
    おいて、 前記回路上にメッキ層が形成されている場合に、 前記第３の工程におけるサンドブラスト処理は、前記絶
    縁基板が露出された段階で、前記回路パターン上にメッ
    キ層が残存する条件で行うことを特徴とする回路基板の
    製造方法。
46. 【請求項４６】請求項３０〜４５のいずれか１項に記載
    の回路基板の製造方法において、 前記第３の工程は、前記絶縁基板と前記硬ろう材中の活
    性元素との反応によって生成される導電性反応層のう
    ち、前記回路パターンの金属除去部分に対応する導電性
    反応層をサンドブラスト処理にて除去することを特徴と
    する回路基板の製造方法。
47. 【請求項４７】請求項４６記載の回路基板の製造方法に
    おいて、 前記第３の工程におけるサンドブラスト処理は、前記回
    路の金属除去部分における導電性反応層を除去した段階
    で、前記絶縁基板上に少なくとも前記回路が残存する条
    件で行うことを特徴とする回路基板の製造方法。
48. 【請求項４８】請求項４７記載の回路基板の製造方法に
    おいて、 前記回路上にメッキ層が形成されている場合に、 前記第３の工程におけるサンドブラスト処理は、前記回
    路の金属除去部分における導電性反応層を除去した段階
    で、前記回路上にメッキ層が残存する条件で行うことを
    特徴とする回路基板の製造方法。
49. 【請求項４９】請求項３０〜４８のいずれか１項に記載
    の回路基板の製造方法において、 前記サンドブラスト処理は、メッシュ＃１８０より細か
    い粒子を用いることを特徴とする回路基板の製造方法。
50. 【請求項５０】請求項４９記載の回路基板の製造方法に
    おいて、 前記粒子は、Ａｌ₂Ｏ₃あるいはＳｉＣであることを特徴
    とする回路基板の製造方法。
51. 【請求項５１】請求項４９又は５０記載の回路基板の製
    造方法において、 前記サンドブラスト処理でのエア圧力は、０．１ＭＰａ
    〜０．２５ＭＰａであることを特徴とする回路基板の製
    造方法。