JP2010278410A - 導体パターンの形成方法及び電子回路基板 - Google Patents
導体パターンの形成方法及び電子回路基板 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】絶縁性基板1の表面に導体膜2を形成する工程。導体膜2にエッチング処理を施して所定パターンで導体膜2の一部を除去する工程。サンドブラスト処理を施して、導体膜2を除去した部分において絶縁性基板1の表面に残存する導体膜2の残渣2aを除去する工程。これらの工程から導体パターン3を形成する。
【選択図】図1
Description
中心粒径4.5μmの銅粉体を800質量部、ホウケイ酸亜鉛系ガラス粉体を50質量部、アクリル樹脂30質量部をターピネオールとカルビトールの混合溶媒70質量部に溶解した有機ビヒクルを100質量部、混合して三本ロールで混練りすることによって、銅ペーストを調製した。そして、絶縁性基板として96%アルミナ基板を用い、絶縁性基板の表面に銅ペーストをスクリーン印刷した後、窒素雰囲気下900℃で焼成することによって、膜厚50μmの銅導体膜を形成した(図1(a)参照)。
絶縁性基板として窒化アルミナ基板を用いるようにした他は、実施例1と同様にして導体パターンを形成した。
サンドブラスト処理を行なわない他は、実施例1と同様にして導体パターンを形成した。
サンドブラスト処理を行なわない他は、実施例2と同様にして導体パターンを形成した。
絶縁性基板としてアルミナ基板を用いた実施例1において、投射材として、中心粒径が7μmのアルミナ粒子(反射率90%以上)と、中心粒径が20μmのSiC(シリコンカーバイト)(反射率20%)を用い、噴射圧0.20MPa投射して、サンドブラスト処理を行なうようにした他は、実施例1と同様にして電子回路基板を得た。
2 導体膜
3 導体パターン
4 レジスト膜
5 導体メッキ
6 回路
Claims (11)
- 絶縁性基板の表面に導体膜を形成する工程、導体膜にエッチング処理を施して所定パターンで導体膜の一部を除去する工程、サンドブラスト処理を施して、導体膜を除去した部分において絶縁性基板の表面に残存する導体膜の残渣を除去する工程、を具備することを特徴とする導体パターンの形成方法。
- 上記の導体膜を形成する工程が、絶縁性基板に導電性ペーストを塗布した後、加熱して焼成する工程であることを特徴とする請求項1に記載の導体パターンの形成方法。
- 導電性ペーストが、銅、銀、ニッケル、アルミニウムから選ばれる少なくとも一種以上の金属からなる導電性金属粉体と、ガラス粉体と、有機ビヒクルとを含有するものであることを特徴とする請求項1又は2に記載の導体パターンの形成方法。
- 導電性金属粉体が銅であることを特徴とする請求項3に記載の導体パターンの形成方法。
- 上記の所定パターンで導体膜を除去する工程が、導体パターンとして不要となる部分の導体膜を露出させるようにパターン化されたレジスト膜で導体膜を被覆し、露出した導体膜にエッチング液を作用させる工程であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の導体パターンの形成方法。
- サンドブラスト処理に用いられる投射材は、可視光領域での反射率が90%以上であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の導体パターンの形成方法。
- サンドブラスト処理の投射材は、シリカ、ジルコニア、アルミナ、ダイヤモンドから選ばれるものであることを特徴とする請求項6に記載の導体パターンの形成方法。
- サンドブラスト処理の投射材は、粒子径が1〜50μmであることを特徴とする請求項6又は7に記載の導体パターンの形成方法。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載の方法で形成された導体パターンの上に導体メッキを施す工程を有することを特徴とする導体パターンの形成方法。
- 請求項1乃至9のいずれかに記載の方法で形成された導体パターンを備えたことを特徴とする電子回路基板。
- 導体パターン間に露出する絶縁性基板の表面は、可視光領域での反射率が90%以上であることを特徴とする請求項10に記載の電子回路基板。
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