JP6031784B2 - パワーモジュール用基板及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、大電流、高電圧を制御する半導体装置に用いられるパワーモジュール用基板及びその製造方法に関する。

従来のパワーモジュールとして、セラミックス基板の一方の面に、アルミニウム等からなる回路層が積層され、この回路層の上に半導体チップ等の電子部品がはんだ付けされるとともに、セラミックス基板の他方の面にアルミニウム等からなる放熱層が形成され、この放熱層にヒートシンクが接合された構成のものが知られている。

この種のパワーモジュールに用いられるパワーモジュール用基板においては、はんだ濡れ性を向上させるために、回路層の表面にはんだ材との接合性が良好な金属からなるニッケルメッキ等のメッキ層（金属膜）が施されたものが知られている（特許文献１）。
しかし、特許文献１に提案されているように、回路層にメッキ層を形成した場合、回路層との密着性は高くなるが、はんだ付け時に生じる回路層とメッキ層との熱膨張差によって、メッキ層に割れ（クラック）が発生することがある。そして、メッキ層内にクラックが生じると、熱サイクル負荷時にそのクラックを起点にして、はんだにもクラックが生じ、熱抵抗の上昇を招くことがある。

そこで、特許文献２記載のパワーモジュール用基板においては、はんだ接合層（はんだ層）が形成される回路層を、本体層と、回路層の一方の面側に露呈する表面硬化層とで構成しており、回路層の一方の面側部分の変形抵抗を大きくして、熱サイクル負荷時におけるうねりやシワの発生を抑制している。また、比較的変形抵抗が小さい本体層は、熱サイクル負荷時の熱応力をその変形によって吸収することが可能となり、セラミックス基板と回路層との接合信頼性を向上させることができる。

特開２０１０‐２３８９３２号公報 特開２０１１‐１８１８４５号公報

しかしながら、特許文献２においては、回路層の表面を硬化させることで、パワーサイクルによる繰り返し加熱時におけるうねりやシワの発生を抑制することができるが、回路層の表面硬化のために、回路層表面への添加元素の固着工程及び添加元素の拡散のための熱処理工程が必要となっていた。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、上記のような添加元素の固着工程及び熱処理工程を省きながら、回路層の表面にうねりやシワが発生することを防止でき、パワーサイクル耐性に優れたパワーモジュール用基板を提供することを目的とする。

本発明は、セラミックス基板にアルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層が積層されるとともに、前記回路層の表面にニッケルメッキ層が形成されてなり、該ニッケルメッキ層の表面に電子部品がはんだ付けされるパワーモジュール用基板であって、前記ニッケルメッキ層内には、粒子径０．１μｍ以上１０μｍ以下の硬質粒子が分散量２ｖｏｌ％以上３０ｖｏｌ％以下で分散して設けられ、前記硬質粒子は、ニッケルメッキ層の最表面に露出しておらず、前記ニッケルメッキ層は、前記硬質粒子が分散して設けられた硬質メッキ層の上に、硬質粒子を含有しない被覆メッキ層が１μｍ〜１５μｍの厚みで形成されていることを特徴とする。

回路層の表面に、硬質粒子を含有するニッケルメッキ層を形成することで、硬質粒子を含有しない場合のニッケルメッキ層よりも硬度を高くして、回路層及びはんだ接合層の変形を抑制することができるため、ニッケルメッキ層の表面にうねりやシワが発生することを防止できる。また、硬質粒子がニッケルメッキ層の最表面に露出しないように埋没されているので、はんだ接合層との接合性を良好に保つことができる。
したがって、はんだ接合層の割れ発生を防止でき、パワーサイクル耐性に優れたパワーモジュール用基板を製造することができる。

硬質メッキ層上に被覆メッキ層を重ねて形成することで、硬質粒子が露出しない最表面を確実に形成することができる。したがって、良好なはんだ濡れ性を得ることができる。

本発明のパワーモジュール用基板において、前記硬質粒子は、ＳｉＣ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＳｉＯ_２、Ｂ_４Ｃ、Ｃｒ_３Ｃ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＴｉＣ、ＷＣ、ＢＮ、ＣＢＮ、ダイヤモンド、ＭｏＳ_２から選択される１種又は２種以上で構成されているとよい。
これらの硬質粒子は、Ｎｉより熱膨張係数が小さいため、熱サイクル負荷時のうねりやシワの発生を有効に抑制することができる。

本発明のパワーモジュール用基板の製造方法は、セラミックス基板にアルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層が積層されるとともに、前記回路層の表面にニッケルメッキ層が形成されてなり、該ニッケルメッキ層の表面に電子部品がはんだ付けされるパワーモジュール用基板の製造方法であって、前記回路層の表面をＺｎで被覆するジンケート処理工程と、粒子径０．１μｍ以上１０μｍ以下の硬質粒子が分散したニッケルメッキ浴中に浸漬することによってＺｎをＮｉで置換して前記硬質粒子の分散量が２ｖｏｌ％以上３０ｖｏｌ％以下とされる硬質メッキ層を形成する無電解ニッケルメッキ処理工程と、前記硬質粒子を含有しないニッケルメッキ浴中に浸漬することによって厚み１μｍ〜１５μｍの被覆メッキ層を形成する被覆メッキ処理工程とを有することを特徴とする。
本発明の製造方法により、硬質粒子が分散した硬質メッキ層上に硬質粒子を含有しない被覆メッキ層を重ねて形成することができるため、硬質粒子が露出しない最表面を確実に形成することができる。したがって、良好なはんだ濡れ性を得ることができる。

本発明のパワーモジュール用基板の製造方法において、前記硬質粒子は、ＳｉＣ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＳｉＯ_２、Ｂ_４Ｃ、Ｃｒ_３Ｃ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＴｉＣ、ＷＣ、ＢＮ、ＣＢＮ、ダイヤモンド、ＭｏＳ_２から選択される１種又は２種以上で構成されているとよい。

本発明によれば、回路層の表面にうねりやシワが発生することを防止できるとともに、はんだ濡れ性を良好にでき、パワーモジュール用基板のパワーサイクル耐性を向上させることができる。

本発明の実施形態のパワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールの全体構成を示す縦断面図である。 回路層の表面に形成されたニッケルメッキ層を説明する要部拡大図である。

以下、本発明の一実施形態を、図面を参照しながら説明する。
図１は、この発明により製造されるパワーモジュール基板３を用いたパワーモジュール１を示している。この図１のパワーモジュール１は、セラミックス基板２を有するパワーモジュール用基板３と、パワーモジュール用基板３の表面に搭載された半導体チップ等の電子部品４と、パワーモジュール用基板３の裏面に接合されたヒートシンク５とから構成される。
パワーモジュール用基板３は、セラミックス基板２の両面に金属層が積層されており、その一方の金属層が回路層６となり、その表面に電子部品４が接合される。また、他方の金属層は放熱層７とされ、その表面にヒートシンク５が取り付けられる。

セラミックス基板２は、例えば、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、Ｓｉ_３Ｎ_４（窒化珪素）等の窒化物系セラミックス、もしくはＡｌ_２Ｏ_３（アルミナ）等の酸化物系セラミックスやＳｉＣ（炭化珪素）等の炭化物系セラミックスにより形成される。
回路層６及び放熱層７は、いずれも純度９９．９０質量％以上のアルミニウムが用いられ、ＪＩＳ規格では、１Ｎ９０（純度９９．９０質量％以上：いわゆる３Ｎアルミニウム）又は１Ｎ９９（純度９９．９９質量％以上：いわゆる４Ｎアルミニウム）を用いることができる。なお、回路層６及び放熱層７には、アルミニウムの他、アルミニウム合金を用いることもできる。
また、回路層６及び放熱層７は、それぞれプレス加工により所望の外形に打ち抜いたものをセラミックス基板２に接合するか、あるいは平板状のものをセラミックス基板２に接合した後に、エッチング加工により所望の外形に形成するか、いずれの方法も採用することができる。

そして、回路層６には所望の回路パターンが形成されており、その表面にはニッケルメッキ層９が形成されている。このニッケルメッキ層９は、図２に示すように、硬質粒子１０が分散して設けられた硬質メッキ層９１と、その硬質メッキ層９１上に硬質粒子を含有しない被覆メッキ層９２を重ねて形成することにより構成されており、ニッケルメッキ層９の最表面に、硬質粒子１０が露出しないように埋没されている。

硬質メッキ層９１は、ＳｉＣ（炭化珪素）、Ａｌ_２Ｏ_３（アルミナ）、ＴｉＯ_２（酸化チタン）、ＺｒＯ_２（ジルコニア）、ＳｉＯ_２（シリカ）、Ｂ_４Ｃ（ボロンカーバイド）、Ｃｒ_３Ｃ_２（炭化クロム）、Ｃｒ_２Ｏ_３（酸化クロム）、ＴｉＣ（炭化チタン）、ＷＣ（炭化タングステン）、ＢＮ（窒化ホウ素）、ＣＢＮ（立方晶窒化ホウ素）、ダイヤモンド、ＭｏＳ_２（二硫化モリブデン）から選択される１種又は２種以上の硬質粒子を含有するニッケルメッキ層により構成され、例えば、ＳｉＣを含有するＮｉ‐Ｐ‐ＳｉＣ複合メッキにより、厚み１μｍ〜１５μｍに形成される。
これらの硬質粒子は、Ｎｉより熱膨張係数が小さいため、熱サイクル負荷時のうねりやシワの発生を有効に抑制することができる。例えば、Ｗ，ＳｉＣは、熱膨張係数がそれぞれ４．５×１０^−６、４．１×１０^−６で、Ｎｉの熱膨張係数１３．４×１０^−６よりも低く、ＩＧＢＴチップ（熱膨張係数２．４×１０^−６）との熱膨張差の緩和効果に寄与する。また、熱伝導率がＮｉの９０Ｗ／ｍ・Ｋよりも高く、それぞれ１７３Ｗ／ｍ・Ｋ、１７０Ｗ／ｍ・Ｋであり、ＩＧＢＴチップで発生した熱を効率的に拡散させるのに有効である。さらに、これらの硬質粒子は、通常のニッケルメッキよりも硬度が高いため、回路層６及びはんだ接合層９の変形を抑制することができる。

また、硬質粒子は、粒子径０．１μｍ以上１０μｍ以下に形成され、硬質メッキ層９１の硬質粒子の分散量は、２ｖｏｌ％以上３０ｖｏｌ％に設定されている。硬質粒子の分散量が２ｖｏｌ％未満であると、必要な硬度が得られず、十分な効果を得ることができない。また、３０ｖｏｌ％を超える場合には、回路層との密着性を損なうおそれがある。
また、被覆メッキ層９２は、硬質粒子を含まないニッケルメッキ層で構成され、Ｎｉ‐Ｐメッキにより、厚み１μｍ〜１５μｍに形成される。

そして、セラミックス基板２と回路層６及び放熱層７とは、Ａｌ−Ｓｉ系、Ａｌ−Ｇｅ系、Ａｌ−Ｃｕ系、Ａｌ−Ｍｇ系またはＡｌ−Ｍｎ系等の合金のろう材により、ろう付け接合されている。
また、セラミックス基板２と回路層６及び放熱層７との接合は、ろう付け以外にもＴＬＰ接合法（Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｌｉｑｕｉｄ Ｐｈａｓｅ Ｂｏｎｄｉｎｇ）と称される過渡液相接合法によって接合してもよい。この過渡液相接合法においては、回路層及び放熱層の表面に蒸着させた銅層を、回路層及び放熱層とセラミックス板との界面に介在させて行う。加熱により、回路層及び放熱層のアルミニウム中に銅が拡散し、回路層及び放熱層の銅層近傍の銅濃度が上昇して融点が低下し、アルミニウムと銅との共晶域にて接合界面に金属液相が形成される。この金属液相が形成された状態で温度を一定に保持しておくと、金属液相がセラミックス板と反応するとともに、銅がさらにアルミニウム中に拡散することに伴い、金属液相中の銅濃度が徐々に低下して融点が上昇し、温度を一定に保持した状態で凝固が進行する。これにより、回路層及び放熱層とセラミックス板との強固な接合が得られる。
また、セラミックス基板と銅製の回路層とを、活性金属ろう材を用いて接合する方法を採用することもできる。例えば、活性金属であるＴｉを含む活性金属ろう材（Ａｇ‐２７．４質量％Ｃｕ‐２．０質量％Ｔｉ）を用い、銅製の回路層とセラミックス基板との積層体を加圧した状態のまま真空中で加熱し、活性金属であるＴｉをセラミックス基板に優先的に拡散させて、Ａｇ‐Ｃｕ合金を介して回路層とセラミックス基板とを接合できる。

なお、回路層６と電子部品４との接合には、Ｓｎ‐Ｃｕ系、Ｓｎ‐Ａｇ系、Ｓｎ‐Ａｇ‐Ｃｕ系、Ｓｎ‐Ｓｂ系、Ｚｎ‐Ａｌ系もしくはＰｂ‐Ｓｎ系等のはんだ材が用いられる。図中符号８がそのはんだ接合層を示す。また、電子部品４と回路層６の端子部との間は、アルミニウム等からなるボンディングワイヤやリボンボンディング等（図示略）により接続される。
また、ヒートシンク５は、平板状のもの、熱間鍛造等によって多数のピン状フィンを一体に形成したもの、押出成形によって相互に平行な帯状フィンを一体に形成したもの等、適宜の形状のものを採用することができる。また、ヒートシンク５と放熱層７との間に、さらにアルミニウム、アルミニウム合金、銅又は銅合金などの金属板で形成された放熱板若しくは応力緩衝層を設けることもできる。

次に、本実施形態のパワーモジュール用基板の製造方法について説明する。
まず、セラミックス基板２の各面にろう材を介して回路層６及び放熱層７を積層し、これらの積層体を積層方向に加圧した状態で加熱し、ろう材を溶融させることによって回路層６及び放熱層７をそれぞれセラミックス基板２に接合する。
そして、この回路層６の表面に、ニッケルメッキ処理を施して、ニッケルメッキ層９を形成し、パワーモジュール用基板３とする。
まず、回路層６との密着性を確保するため、回路層６の表面をＺｎで被覆するジンケート処理を施す（ジンケート処理工程）。次に、ジンケート処理後の回路層６を、硬質粒子が分散したニッケルメッキ浴中に浸漬することによって、ＺｎをＮｉで置換して硬質メッキ層９１を形成し（無電解ニッケルメッキ処理工程）、その硬質メッキ層９１が形成された回路層６を、硬質粒子を含有しないニッケルメッキ浴中に浸漬することによって、被覆メッキ層９２を形成する（被覆メッキ処理工程）。このように、ニッケルメッキ層９は、回路層６の表面上に硬質メッキ層９１を形成した後、この硬質メッキ層９１上に被覆メッキ層９２を形成することにより構成される。

ニッケルメッキ層９が形成されたパワーモジュール用基板３には、その回路層６の上面に電子部品４がはんだ付けされるとともに、放熱層７がヒートシンク５にろう付けされる。そして、電子部品４と回路層６との間がボンディングワイヤ等で接続され、パワーモジュール１が完成する。

このように、回路層の表面に、硬質粒子を含有する硬質メッキ層を形成することで、硬質粒子を含有しない場合のニッケルメッキ層よりも硬度を高くして、回路層及びはんだ接合層の変形を抑制することができる。そのため、ニッケルメッキ層の表面にうねりやシワが発生することを防止できる。また、硬質メッキ層の上に硬質粒子を含有しない被覆メッキ層を重ねる等の方法により、硬質粒子が露出しない最表面を確実に形成することができ、はんだ接合層との接合性を良好に保つことができる。
したがって、はんだ接合層の割れ発生を防止でき、パワーサイクル耐性に優れたパワーモジュール用基板を製造することができる。

次に、本発明の効果確認のために、セラミックス基板の両面に回路層及び放熱層をろう付け接合した後に、その回路層にニッケルメッキ層を形成した試料１〜３を表１に示す条件で作製し、これらの「パワーサイクル後の熱抵抗上昇率」、「はんだ濡れ性」をそれぞれ評価した。

回路層及び放熱層には、ＪＩＳ規格における１Ｎ９９（純度９９．９９質量％以上：いわゆる４Ｎアルミニウム）、セラミックス基板にはＡｌＮを用いた。また、試料１〜３のニッケルメッキ層は、以下に示す手順で作製した。

まず、回路層の表面に付着している油分を除去するために、石油系脱脂剤を用いて予備脱脂工程を行い、その予備脱脂した金属板を、さらに弱アルカリ性脱脂剤に温度７０〜８０℃、１〜５分間浸漬させることにより脱脂する本脱脂工程を行った。そして、回路層の表面の酸化皮膜を除去するため、エッチング液（メルテックス株式会社製のエッチアルム１４、濃度４５ｇ／Ｌ、温度：７０℃〜８０℃）に１５秒間浸漬させてアルカリエッチング処理を施した（アルカリエッチング工程）。

次に、アルカリエッチング処理後の回路層について、アルカリエッチングにより表面に生じたスマットを除去する工程を行った（１次スマット除去工程及び２次スマット除去工程）。１次スマット除去工程は、回路層を酸液（メルテックス株式会社製のアクタン７０、濃度１２０ｇ／Ｌ（６０％ＨＮＯ_３：５０ｖｏｌ％＋９８％Ｈ_２ＳＯ_４：２５ｖｏｌ％＋水：５０ｖｏｌ％）、温度：室温）に５〜１５秒間浸漬させることにより行った。２次スマット除去工程は、酸液（（６０％ＨＮＯ_３：５０ｖｏｌ％＋水５０ｖｏｌ％）、温度：室温）に１〜５分間浸漬させることにより行った。

スマット除去を終えた回路層に、メッキ層と回路層との密着性を確保するため、２回のＺｎを置換するジンケート処理を行った（１次ジンケート処理工程及び２次ジンケート処理工程）。これにより、無電解ニッケルメッキ液中で、Ｎｉと置換されやすいＺｎ皮膜が形成される。1次ジンケート処理工程で皮膜されるＺｎ皮膜は粒子が大きい状態であるので、一度、Ｚｎ皮膜を剥離する処理（ジンケート剥離工程）を施した後に、ジンケート処理を行うことにより（２次ジンケート処理工程）、Ｚｎ粒子が微細な状態でＺｎ皮膜が形成される。なお、１次ジンケート処理工程及び２次ジンケート処理工程はともに、亜鉛置換剤に１５秒〜２分間浸漬させることにより行った。また、ジンケート剥離工程は、６０％硝酸水溶液に５〜１５秒浸漬させることにより行った。

そして、ジンケート処理により回路層の表面に形成されたＺｎ皮膜を、ニッケルメッキ浴中でＮｉに置換させ、置換されたＮｉを触媒としてメッキ反応を進行させて、表１に示すように、試料１〜３の回路層に対してそれぞれ異なるニッケルメッキ層を形成した。
試料１は、ＳｉＣの硬質粒子を含有する硬質メッキ層（Ｎｉ‐Ｐ‐ＳｉＣ複合メッキ）を形成した上に、被覆メッキ層（Ｎｉ‐Ｐメッキ）を重ねて被覆してニッケルメッキ層を形成した。同様に、試料２，３は、硬質メッキ層として、それぞれＮｉ‐Ｐ‐ＢＮ複合メッキ、Ｎｉ‐Ｐ‐Ａｌ_２Ｏ_３複合メッキ層を形成し、その上に被覆メッキ層（Ｎｉ‐Ｐメッキ）を被覆形成した。一方、試料４は、ニッケルメッキ層の最表面に硬質粒子が露出した状態に設けた。また、試料５は、硬質粒子を含有しない被覆メッキ層（Ｎｉ‐Ｐメッキ）のみでニッケルメッキ層を形成した。
なお、試料１〜４の硬質メッキ層で用いたＳｉＣ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＢＮの硬質粒子は、粒子径１μｍ以上１０μｍ以下とし、硬質粒子の分散量が１２ｖｏｌ％程度となるように形成した。

そして、このようにして製作したそれぞれの試料について、「硬質粒子の露出状態」を観察し、「パワーサイクル後の熱抵抗上昇率」と「はんだ濡れ性」とを評価した。
「硬質粒子の露出状態」の評価は、ニッケルメッキ層の最表面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察することにより実施した。１０００倍の視野にて５箇所観察し、ＳＥＩ像より凹凸、ＣＯＭＰＯ像より元素の情報を確認し、１μｍ以上の粒子状露出物の有無を判断した。そして、ＳＥＭ観察によって粒子状露出物が確認できないものを「無」として硬質粒子が露出していないものと判断し、粒子状露出物が確認できるものを「有」として硬質粒子が露出しているものと判断した。
「パワーサイクル後の熱抵抗上昇率」の評価は、各試料のニッケルメッキ層の表面にＳｎ‐Ａｇ‐Ｃｕ系はんだを用いてＩＧＢＴ半導体チップをはんだ付けするとともに、アルミニウム合金からなる接続配線をボンディングしてモジュール化したものを製作し、これを用いて行った。ヒートシンク中の冷却水温度、流量を一定とした状態で、半導体チップへの通電を、通電（ＯＮ）で１４０℃、非通電（ＯＦＦ）で６０℃となる１サイクルを１０秒毎に繰り返すようにして調整し、これを１５万回繰り返すパワーサイクル試験を実施した。そして、パワーサイクル試験の前後で半導体チップ表面とヒートシンク内表面（ヒートシンク底面）との間の熱抵抗を半導体チップ表面温度からそれぞれ測定し、パワーサイクル試験実施による熱抵抗の上昇率を求めた。
また、「はんだ濡れ性」は、各試料のニッケルメッキ層の表面に、１０ｍｍ×１０ｍｍ（１００ｍｍ^２）厚さ０．１５ｍｍのはんだ箔（Ｓｎ‐Ａｇ‐Ｃｕ系）を載せ、２６０℃〜２８０℃で５分間、水素含有雰囲気下（水素濃度３％以上）で加熱し、ニッケルメッキ層上におけるはんだ材の濡れ広がりを、はんだ箔の初期面積との比率で評価した。そして、はんだ材の面積比率が６０％以上であったものを「○」、６０％未満であったものを「×」として評価した。

表１に示すように、硬質粒子を含有する硬質メッキ層を有する実施例１〜３については、パワーサイクル後の熱抵抗上昇率を低く抑えることができた。
一方、硬質粒子を含有していないメッキ層で形成した試料５（従来例）は、パワーサイクル後の熱抵抗が上昇していた。
また、硬質粒子が表面に露出した試料４（比較例）は、はんだ濡れ性が悪く、電子部品の実装ができなかった。

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。

１ パワーモジュール
２ セラミックス基板
３ パワーモジュール用基板
４ 電子部品
５ ヒートシンク
６ 金属層（回路層）
７ 金属層（放熱層）
８ はんだ接合層
９ ニッケルメッキ層
１０ 硬質粒子
９１ 硬質メッキ層
９２ 被覆メッキ層

Claims (4)

1. セラミックス基板にアルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層が積層されるとともに、前記回路層の表面にニッケルメッキ層が形成されてなり、該ニッケルメッキ層の表面に電子部品がはんだ付けされるパワーモジュール用基板であって、前記ニッケルメッキ層内には、粒子径０．１μｍ以上１０μｍ以下の硬質粒子が分散量２ｖｏｌ％以上３０ｖｏｌ％以下で分散して設けられ、前記硬質粒子は、ニッケルメッキ層の最表面に露出しておらず、
   前記ニッケルメッキ層は、前記硬質粒子が分散して設けられた硬質メッキ層の上に、硬質粒子を含有しない被覆メッキ層が１μｍ〜１５μｍの厚みで形成されていることを特徴とするパワーモジュール用基板。
2. 前記硬質粒子は、ＳｉＣ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＳｉＯ_２、Ｂ_４Ｃ、Ｃｒ_３Ｃ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＴｉＣ、ＷＣ、ＢＮ、ＣＢＮ、ダイヤモンド、ＭｏＳ_２から選択される１種又は２種以上で構成されていることを特徴とする請求項１に記載のパワーモジュール用基板。
3. セラミックス基板にアルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層が積層されるとともに、前記回路層の表面にニッケルメッキ層が形成されてなり、該ニッケルメッキ層の表面に電子部品がはんだ付けされるパワーモジュール用基板の製造方法であって、前記回路層の表面をＺｎで被覆するジンケート処理工程と、粒子径０．１μｍ以上１０μｍ以下の硬質粒子が分散したニッケルメッキ浴中に浸漬することによって、ＺｎをＮｉで置換して前記硬質粒子の分散量が２ｖｏｌ％以上３０ｖｏｌ％以下とされる硬質メッキ層を形成する無電解ニッケルメッキ処理工程と、前記硬質粒子を含有しないニッケルメッキ浴中に浸漬することによって厚み１μｍ〜１５μｍの被覆メッキ層を形成する被覆メッキ処理工程とを有することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。
4. 前記硬質粒子は、ＳｉＣ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＳｉＯ_２、Ｂ_４Ｃ、Ｃｒ_３Ｃ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＴｉＣ、ＷＣ、ＢＮ、ＣＢＮ、ダイヤモンド、ＭｏＳ_２から選択される１種又は２種以上で構成されていることを特徴とする請求項３に記載のパワーモジュール用基板の製造方法。

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