JPS63201915A - 磁気デイスク基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気記憶装置に用いられる磁気ディスク用の基
板、特に、メッキによる下地膜に関する。

【従来の技術〕

磁気ディスクは、ますます、高記録密度化する傾向にあ
り、塗布型ディスクより高密度化がはかれる薄膜ディス
クが注目されている。薄膜ディスク用の基板は、従来の
アルミニウム合金上にＮ１−ｐメッキ膜を形成したもの
が用いられてきた。

しかし、Ｎ１−Ｐメッキ膜は、磁気ヘッドとの衝突や摩
擦等の衝撃に対する信頼性、すなわち、耐打撃、耐摺動
性が不十分である。メッキ膜の耐打撃、耐摺動性を増す
ために、従来の技術では特開昭６１−２９４１４号公報
に記載されているように、基材上に形成するメッキ膜中
に硬質微粒子を共析させた分散メッキ層を形成する方法
が知られていた。

この方法は、メッキ膜中に硬質微粒子を分散させること
によりメッキ膜の強度を高め、表面から一部突出する硬
質微粒子によって上部に形成する磁性層がヘッドこの接
触により損傷するのを保護する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、従来技術ではメッキ膜表面に硬質微粒子が突出
することによる問題点について考慮がなされていない、
ｇＩｗＸディスクで、記録密度を向上させるには、磁性
層の厚さを薄くすることが必要である０例えば、日経ニ
ューマテリアル１９８５年１２月２日号Ｐ２４−４０に
記載されているように、従来の塗布型ディスクを上回る
記録密度の得られる薄膜ディスクでは、磁性層の厚みは
０．０３〜０．０８　μｍ程度となっている。このよう
なきわめて薄い磁性層に対して、安定な記録再生を行う
には、磁性層とヘッドとの間隔（以下スペーシングと呼
ぶ）は狭い程良い、また、記録密度はスペーシングの減
少とともに増加するため、スペーシングを減少させるこ
とは、高記録密度化のための必要条件である。現在、塗
布型ディスクを上回る記録密度の得られる薄膜ディスタ
では、スペーシングは０．２　　μｍ程度であり、今後
、さらに高記録密度化のための狭スペーシング化が進む
ものと予想される。このような狭スペーシング化に対応
するには、薄膜ディスク表面の平滑化が重要な課題であ
る。従来技術では、メッキ膜の強度増加には有効である
ものの、共析させた０、５〜１１の硬質微粒子が薄膜デ
ィスク表面から突出しているため、スペーシングを１μ
ｍ以下とすることは困難であり、明細書に記載されてい
る突出微粒子による磁性層の保護効果が十分であるとし
ても。

薄膜ディスクの高記録密度化には対応しきれないという
問題があった。

本発明の目的は、耐打撃、耐摺動性に優れ、かつ、高記
録密度化に対応できる十分な表面平滑性をもった磁気デ
ィスク基板を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、非磁性基材上に硬質微粒子を共析させた分
散メッキ層を形成し、この表面に硬質微粒子を含まない
メッキ金属層を形成することにより達成される。

〔作用〕

図に示すように、非磁性基材１上に電解法、あるいは、
無電解法により硬質微粒子３を共析させて形成した分散
メッキ層２は、含有する硬質微粒子の作用により優れた
耐打撃、耐摺動性を示す。

ここで用いられる非磁性基材は、アルミニウム。

アルミニウム合金等が好適であるが、ディスク使用時の
回転に耐える強度をもち、表面の平滑仕上げが可能で、
かつ１表面にメッキ層４を形成しうるちのならば何でも
よい。

ここで用いられる硬質微粒子は、Ｓ　ｉ　Ｃ，５ｉｎｓ
アルミナ窒化ケイ素、　Ｔ　ｘ　Ｃｐ　Ｗ　Ｃｓダイヤ
モンド等が好適であるが、適当な硬度をもち、磁性をも
たないものであれば何でもよい、また、粒子を分散させ
るメッキ膜は、無電解法によるＮ１−Ｐメッキや、Ｎ１
−Ｐに第三成分を添加したＮ１−Ｃｕ−Ｐ、Ｎｉ−Ｍｏ
−Ｐ、Ｎ１−Ｗ−Ｐ、Ｎｉ−８ｎ−Ｐメッキ等が好適で
あるが前述の硬質微粒子を分散させることができ、かつ
、磁性をもたないものであれば何でもよい。

もちろん、無電解メッキ法以外に電解メッキ法を用いる
こともできる。

このように形成した分散メッキ層は優れた耐打撃、耐摺
動性を示すが、その表面には硬質微粒子の一部が突出し
ているため、このままでは高記録密度回磁気ディスク基
板として用いることができない、そこでこの分散メッキ
層上に、硬質微粒子を含まないメッキ金属層を形成し、
分散メッキ層から突出する硬質微粒子を完全におおうこ
とにより、表面の平滑性を飛躍的に向上させることがで
きる。また、こうして得られたメッキ金属層表面を研磨
することにより、さらに平滑性を向上させることもでき
る。ここで用いられるメッキ金属層の厚みは、硬質微粒
子の最大粒子径以上、最大粒子径の五倍以下が好適であ
る。硬質微粒子の最大粒子径以下では、突出する硬質微
粒子を完全におおうことができないため好ましくない、
一方、硬質微粒子の最大粒子径の五倍以上では、メッキ
金属層の強度が磁気ディスク基板全体の強度を実質的に
支配し１分散メッキ層を形成した利点がなくなるため好
ましくない。また、ここで用いられるメッキ金属層の材
質は、硬質微粒子を分散させる際に用いたメッキ層と同
一であることが望ましいが、他種のメッキ材質を用いて
もよい。

本発明によれば、耐打撃、耐摺動性に優れた分散メッキ
層の表面を、メッキ金属層でおおっているため、耐久性
に優れ、かつ、高記録密度化に対応できる十分な表面平
滑性をもった磁気ディスク基板を得ることができる。

〔実施例〕

〈実施例１〉 鏡面研磨したＡｎ−Ｍｇ合金基材表面を亜鉛置換した後
、最大粒子径１μｍのＳｉＣを３０ｖｔ％含む無電解Ｎ
１−Ｐメッキ浴中に浸し、１３μｍの分散メッキ層を形
成した０次に、この基材を、通常のＮ１−Ｐメッキ浴中
に浸して、７μｍのＮ１−Ｐメッキ層を形成した。こう
して得られた基板の表面を約５μｍ研磨して磁気ディス
ク基板を得た。

〈実施例２〉 実施例１と同様の方法で、Ａｆｉ−Ｍｇ合金基材表面に
、硬質微粒子として最大粒子径１μｍのアルミナを共析
させたＮ１−Ｐ分散メッキ層を１３μｍ形成した後、Ｎ
１−Ｐメッキ層を７μｍ形成した。こうして得られた基
板の表面を約５μｍ研磨して磁気ディスク基板を得た。

〈実施例３〉 実施例１と同様の方法で、ＡＱ−Ｍｇ合金基材表面に、
硬質微粒子として最大粒子径１μｍの５ｉＯｚを共析さ
せたＮ１−Ｐ分散メッキ層を１３μｍ形成した後、Ｎ１
−Ｐメッキ層を７μｍ形成した。こうして得られた基板
の表面を約５μｍ研磨して磁気ディスク基板を得た。

〈実施例４〉 実施例１と同様の方法でＡＱ基材表面１こ、硬質微粒子
として最大粒子径１μｍのＳｉＣを共析させたＮ１−Ｐ
分散メッキ層を１３μｍ形成した後Ｎ１−Ｐメ角キ層を
７μｍ形成した。こうして得られた基板の表面を約５μ
ｍ研磨して磁気ディスク基板を得た。

〈実施例５〉 実施例１と同様の方法で／Ｍｌ−Ｍｇ合金基材表面に、
硬質微粒子として最大粒子径１μｍのＳｉＣを共析させ
た無電解Ｎ１−Ｃｕ−Ｐ分散メッキ層を１３μｍ形成し
た後、Ｎ　ｉ　−Ｃｕ　−Ｐメッキ層を７μｍ形成した
。こうして得られた基板の表面を約５μｍ研磨して磁気
ディスク基板を得た。

〈実施例６〉 実施例１と同様の方法でＡｎ−Ｍｇ合金基材表面に、硬
質微粒子として最大粒子径１μｍのＳｉＣを共析させた
Ｎ１−Ｐ分散メッキ層を１３μｍ形成した後、Ｎ１−Ｐ
メッキ層を５μｍ形成した。

こうして得られた基板表面を約４μｍ研磨して磁気ディ
スク基板を得た０表面を観察したところ、部分的に硬質
微粒子がわずかに突出しているのが見られた。

〈実施例７〉 実施例１と同様の方法で、Ａｎ−Ｍｇ合金基材表面に最
大粒子径１μｍのＳｉＣを共析させたＮ１−Ｐ分散メッ
キ層を１０μｍ形成した後、Ｎ１−Ｐメッキ層を１０μ
ｍ形成した。こうして得られた基板の表面を約５μｍ研
出して磁気ディスク基板を得た。

く比較例１〉 実施例１と同様の方法で、ＡＱ−Ｍｇ合金基材表面にＳ
ｉＣを共析させたＮ１−Ｐ分散メッキ層を１５μｍ形成
した。実施例１と同様の方法で表面の研磨を試みたが、
硬質微粒子が突出しているためうまく研磨できず、また
、一部に粒子の脱落が見られた。

〈比較例２〉 鏡面研磨したＡＱ−Ｍｇ合金基材の表面を亜鉛置換した
後、無電解Ｎ１−Ｐメッキ浴に浸し、２０μｍのＮ１−
Ｐメッキ層を形成した。こうして得られた基板の表面を
約５μｍ研磨して磁気ディスク基板を得た。

実施例及び比較例に示した磁気ディスク基板について１
表面あらさ測定及びＭ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライトヘッド
を用い、ヘッド浮上量０．２　　μｍでＣ５５（コンタ
クトスタートストップ）試験を行った。

結果を下表に示す。

上記したように、硬質微粒子を共析させた分散メッキ層
上にメッキ金ＩＡ層を形成したことにより１分散メッキ
層単独の場合に比べて表面の平滑性が著しく向上し、ま
た１分散メッキ層を設けない場合に比べて、表面の平滑
性は同等であるが、耐打撃、耐摺動性が向上しているこ
とがわかる。

一方１分散メッキ層上に形成するメッキ金属層の厚さを
変えた場合を比べると、メッキ金属層の厚さが硬質微粒
子の最大粒子径と同じ場合には、表面あらさが若干低下
することがわかる。また、メッキ金属層の厚さが硬質微
粒子の最大粒子径の五倍の場合には、耐打撃、耐摺動性
が若干低下していることがわかる。この結果より、メッ
キ金属層の厚さは、硬質微粒子の最大粒子径以上で、最
大粒子径の五倍以下が最適であることがわかる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、基材表面に形成した硬質微粒子を含む
分散メッキ層の表面の凹凸を、メッキ金属層でおおって
いるため１表面の平滑性に優れ、かつ、分散メッキ層の
特長である耐打撃、耐摺動性の磁気ディスク基板を提供
できる。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の磁気ディスク基板の一実施例を示す断面図
である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、非磁性基材上に、硬質微粒子を共析させた分散メッ
   キ層を形成し、前記分散メッキ層上にメッキ金属層を形
   成したことを特徴とする磁気ディスク基板。 ２、特許請求の範囲第１項において、 前記メッキ金属層の厚みが、前記硬質微粒子の最大粒子
   径以上であり、前記最大粒子径の五倍以下であることを
   特徴とする磁気ディスク基板。 ３、特許請求の範囲第１項において、 非磁性基材が、アルミニウム又はアルミニウム合金であ
   ることを特徴とする磁気ディスク基板。