JPH04238108A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ハードディスクとして
用いて好適な磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、コンピュータ等のハードディス
ク装置の記憶媒体としては、ランダムアクセスが可能な
円板状の磁気ディスクが広く用いられており、なかでも
応答性に優れること、記憶容量が多いことから、アルミ
ニウム等の硬質材料を用いた磁気ディスク（ハードディ
スク）が使用されている。このような磁気ディスクにお
いては、近年の高密度記録化に対応するために低グライ
ドハイト化が重要な課題とされており、それに伴って所
謂ヘッドクラッシュに耐えられる機械的耐久性や磁気ヘ
ッドの安定な走行性を向上することが要求されている。

【０００３】ところで、近年、電解メッキ、無電解メッ
キ等の液相メッキ技術や蒸着、イオンプエーティング、
スパッタ等の気相メッキ技術により強磁性金属薄膜を成
膜する方法が研究されている。例えば、無電解メッキに
より成膜されるＣｏ−Ｎｉ膜等を磁性層として用いた磁
気ディスクは、膜厚の均一性に優れ、高保磁力を有する
とともに、生産性に優れている等、多くの利点を有して
いることから、既に汎用コンピュータの外部記録用磁気
記録媒体等に実用化されている。ところが、上記強磁性
金属薄膜を磁性層とした磁気ディスクでは、上述のよう
な優れた特性を得ることができるものの、磁性層の表面
性等に起因して機械的耐久性や走行性の点で不満があり
、その改善が望まれている。そこで、従来より磁性層が
設けられる基板の表面性を制御することによって磁気デ
ィスクの表面性を改善しようという思想が生まれてきて
いる。

【０００４】一般的に、無電解メッキによる強磁性金属
薄膜を磁性層とする磁気ディスクにおいては、基板とし
てアルミ基板上に非磁性のＮｉ−Ｐ下地膜を成膜し、こ
のＮｉ−Ｐ下地膜の表面を研磨加工したものが使用され
ている。上記基板の表面性を制御する方法としては、微
細な砥粒を塗布したテープ（ラッピングテープ）を上記
Ｎｉ−Ｐ下地膜の表面に圧着させて上記基板を回転させ
、上記Ｎｉ−Ｐ下地膜の表面に同心円状の生地目を形成
する，所謂テクスチャー処理を行う方法が知られている
。この方法によれば、上記砥粒の粒径や硬度に応じて基
板の表面に生じる生地目の粗度を調節することができる
。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
基板の表面に生地目を形成する方法は、装置的に大掛か
りとなり、大きな設備費用を必要とすることや、装置の
状態の保持や使用するテープの受入れ管理等が要求され
るために工程管理も大変であるという欠点を有している
。また、上述のような基板の研磨に際しては、先ず基板
の表面の平均粗度が２ｎｍ程度となるように仕上げた後
、再び粗度を粗くして上記基板の表面に突起を付与して
いるので、工程上無駄がある。

【０００６】更に、この方法では、本質的に研磨によっ
て生じる生地目の高さを利用して基板の表面に突起を形
成しているため、突起の微細化には限界があり、より一
層の低グライドハイト化には対応不可能となってしまう
。そこで、本発明はこのような実情に鑑みて提案された
ものであって、基板の表面性を制御して、走行性、耐久
性の向上を図ることを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目
的を達成せんものと鋭意研究の結果、Ｎｉ−Ｐ下地膜中
に硬度の比較的大きい微粒子を内添させれば、Ｎｉ−Ｐ
下地膜の表面を研磨することにより容易にこのＮｉ−Ｐ
下地膜の表面に突起を形成することができることを見出
し、本発明を完成するに至ったものである。即ち、本発
明は表面がＮｉ−Ｐ下地膜で被覆された剛性基板上に磁
性層が形成されてなる磁気記録媒体において、上記Ｎｉ
−Ｐ下地膜が微粒子を含有していることを特徴とするも
のである。

【０００８】本発明の磁気記録媒体においては、磁性層
が成膜される剛性基板の表面にＮｉ−Ｐ下地膜が形成さ
れる。このＮｉ−Ｐ下地膜は、膜中に微粒子を含有して
おり、その微粒子の一部が上記Ｎｉ−Ｐ下地膜の表面に
突出することで当該Ｎｉ−Ｐ下地膜の表面に突起が形成
されたかたちとなる。上記微粒子は、粒径の揃ったもの
を使用することが望ましく、その粒径は１００〜１００
００Åとすることが好ましい。微粒子の粒径が上記範囲
を外れると、良好な走行性を確保することが困難となる
。この微粒子の粒径を適宜選定することにより、上記Ｎ
ｉ−Ｐ下地膜の表面に形成される突起の高さを制御する
ことができる。上記微粒子としては、Ｎｉ−Ｐ合金より
も硬度が大きい材料であれば良く、具体的に例示すれば
、ＳｉＯ２　、ＳｉＣ、Ａｌ２　Ｏ３　等が挙げられる
。これら微粒子の形状は、特に限定されるものではなく
、球状、四角形等の何れかを問わない。

【０００９】上記微粒子は、Ｎｉ−Ｐ下地膜を成膜する
と同時にＮｉ−Ｐ下地膜中に取り込むことができる。こ
の際、上記Ｎｉ−Ｐ下地膜を成膜する方法としては、電
解メッキ法、無電解メッキ法等が使用可能であるが、Ｎ
ｉ−Ｐ下地膜中に確実に微粒子を取り込むためには無電
解メッキ法が好適とされる。無電解メッキによりＮｉ−
Ｐ下地膜を成膜する場合、所定の濃度の微粒子を懸濁さ
せたメッキ浴が使用される。この時、微粒子の添加量に
応じて上記剛性基板上に形成される突起の密度を決定す
ることができる。なお、このメッキ浴中には、必要に応
じて上記微粒子の分散剤、カップリング剤等が適宜添加
されても良い。このようにして得られるＮｉ−Ｐ下地膜
の膜厚は、１５μｍ程度であることが好ましい。また、
このＮｉ−Ｐ下地膜中における微粒子の含有量は、１〜
２０重量％とすることが好ましい。この微粒子の含有量
が上記範囲より少ないと、走行性、耐久性改善等の点で
十分な効果を期待することができず、逆に含有量が上記
範囲を越えると、微粒子の凝集塊が発生し、突起量を制
御することが困難となる。これら微粒子は、良好な走行
性を得るためにＮｉ−Ｐ下地膜中に均一に分散されてい
ることが重要である。

【００１０】本発明の磁気記録媒体においては、このよ
うなＮｉ−Ｐ下地膜の成膜後、このＮｉ−Ｐ下地膜の表
面側より研磨が行われる。この時、上記微粒子とＮｉ−
Ｐ合金の硬度差によって生ずる研磨量の差を利用するこ
とにより、上記微粒子による突起が上記Ｎｉ−Ｐ下地膜
の表面に形成される。なお、この研磨による剛性基板の
表面の平均粗度は、良好な走行性、耐久性を確保する目
的から２ｎｍ程度とされることが好ましい。上記剛性基
板としては、従来公知のものが何れも使用可能であり、
例えばアルミ基板、ガラス基板等が挙げられる。

【００１１】また、上述のような微粒子による突起が形
成されたＮｉ−Ｐ下地膜上に磁性層が形成される。この
磁性層を構成する磁性材料としては、特に限定されず、
電解メッキ法、無電解メッキ法等の所謂液相メッキ技術
や真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリン
グ法等の所謂気相メッキ技術による強磁性金属薄膜でも
良く、また従来より公知の磁性粉末や結合剤を主体とす
る磁性塗料の塗布により得られる強磁性膜でも良い。更
に、本発明の磁気記録媒体においては、上記強磁性金属
薄膜の耐蝕性や走行性の向上を目的として、潤滑剤、防
錆剤等を含んだ保護層等を形成しても良い。

【００１２】

【作用】基板の表面を覆って形成されるＮｉ−Ｐ下地膜
中に微粒子を含有させることにより、Ｎｉ−Ｐ下地膜に
は硬度の異なる２つの領域が存在することになる。この
ようなＮｉ−Ｐ下地膜を表面側より研磨すると、上記微
粒子と上記Ｎｉ−Ｐ下地膜を構成しているＮｉ−Ｐ下地
膜の硬度差に依存して両者の研磨量に差が生ずるため、
上記微粒子は殆ど研削されず、上記Ｎｉ−Ｐ下地膜のみ
が選択的に研磨されて、上記Ｎｉ−Ｐ下地膜の表面には
上記微粒子による突起が形成される。これにより、Ｎｉ
−Ｐ下地膜の表面性を良好に制御することができる。

【００１３】

【実施例】以下、本発明を具体的な実施例により説明す
るが、本発明がこの実施例に限定されるものでないこと
は言うまでもない。本実施例にかかる磁気ディスクは、
図１に示すように、アルミ基板１上に無電解メッキによ
るＮｉ−Ｐ下地膜２が形成され、このＮｉ−Ｐ下地膜２
上に磁性層４が積層された構成とされる。上記Ｎｉ−Ｐ
下地膜２中には、微粒子３が均一に取り込まれている。 これら微粒子３の一部が上記Ｎｉ−Ｐ下地膜２の表面２
ａに突出することで上記Ｎｉ−Ｐ下地膜２の表面２ａに
突起３ａが形成されたかたちとなっている。この時、前
記突起３ａの高さは上記微粒子３の粒径により決定する
ことができる。従って、上記Ｎｉ−Ｐ下地膜２の表面性
を良好に制御することができる。このような磁気ディス
クは、以下の方法に従って作製した。先ず、下記の組成
に従ってメッキ浴を調製した。

【００１４】メッキ浴の組成 硫酸ニッケル　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　２５ｇ／ｌ次亜リン酸ソーダ　　　　　　　　　
　　　　　　　　　３０ｇ／ｌリンゴ酸　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３０ｇ／ｌコ
ハク酸　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　１６ｇ／ｌこのメッキ浴中にＮｉイオン量に対
して０．１〜１０重量％の割合でＳｉＯ２　微粒子（粒
径１５０Å〜１μｍ）を添加した。そして、得られたメ
ッキ浴を攪拌しながら、アルミ基板上にメッキ速度は５
μｍ／時間として２時間無電解メッキを行い、１０μｍ
厚のＮｉ−Ｐ下地膜を成膜した。

【００１５】続いて、アルミナ系砥粒を用いて上記Ｎｉ
−Ｐ下地膜の表面側から研磨を行い、上記Ｎｉ−Ｐ下地
膜の膜厚が１〜１．５μｍとなるように加工した。ここ
で、以上のようにして得られた磁気ディスクについて、
上記Ｎｉ−Ｐ下地膜の表面性を調べた。その結果、Ｎｉ
−Ｐ下地膜の表面に形成された突起の高さは、使用した
ＳｉＯ２　微粒子の粒径によって殆ど決まることが判っ
た。また、この突起の高さは、１μｍの比較的大きな粒
径のＳｉＯ２　微粒子を用いた場合でも高々０．１μｍ
程度に制御することができた。

【００１６】また、上記突起の密度は、ＳｉＯ２　微粒
子の添加量におおむね比例していることが明らかにされ
た。特に、Ｎｉイオン量に対するＳｉＯ２　微粒子の添
加量を０．１〜１０重量％の割合で変化させた時、その
添加量が１重量％の場合において極めて良好な耐ＣＳＳ
特性を得ることができた。

【００１７】

【発明の効果】上述のように、本発明では、基板上に形
成されたＮｉ−Ｐ下地膜を表面研磨することにより上記
Ｎｉ−Ｐ下地膜中に含まれた微粒子による突起を上記Ｎ
ｉ−Ｐ下地膜の表面に形成することができるので、複雑
な工程を必要とせずに、Ｎｉ−Ｐ下地膜の表面性を改善
することができる。また、簡単に突起を形成することが
できるので、設備コストの低減化が図られる。更に、上
記微粒子の粒径に応じて上記突起の高さを制御すること
ができるので、使用する微粒子の微細化を図ることによ
り低グライドハイト化に対応可能な磁気記録媒体を得る
ことができる。従って、本発明によれば、容易にＮｉ−
Ｐ下地膜の表面性を制御することができるので、優れた
走行性、耐久性を確保することができ、ハードディスク
媒体として好適な磁気記録媒体を提供することができる
。

【簡単な図面の説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の構造を模式的に示す断
面図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　表面がＮｉ−Ｐ下地膜で被覆された剛
   性基板上に磁性層が形成されてなる磁気記録媒体におい
   て、上記Ｎｉ−Ｐ下地膜が微粒子を含有していることを
   特徴とする磁気記録媒体。