JP5566289B2 - 電力半導体回路装置およびその製造方法 - Google Patents

電力半導体回路装置およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5566289B2
JP5566289B2 JP2010516826A JP2010516826A JP5566289B2 JP 5566289 B2 JP5566289 B2 JP 5566289B2 JP 2010516826 A JP2010516826 A JP 2010516826A JP 2010516826 A JP2010516826 A JP 2010516826A JP 5566289 B2 JP5566289 B2 JP 5566289B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power semiconductor
base plate
groove
semiconductor element
circuit device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2010516826A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2009150995A1 (ja
Inventor
貴夫 三井
弘行 芳原
享 木村
正雄 菊池
洋一 五藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2010516826A priority Critical patent/JP5566289B2/ja
Publication of JPWO2009150995A1 publication Critical patent/JPWO2009150995A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5566289B2 publication Critical patent/JP5566289B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3672—Foil-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49568—Lead-frames or other flat leads specifically adapted to facilitate heat dissipation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Description

この発明は、電力半導体素子を備えた電力半導体回路装置およびその製造方法に係り、特に、電力半導体回路装置のベース板に放熱フィンを形成した電力半導体回路装置およびその製造方法に関するものである。
従来、多くの電力半導体回路装置は、グリースなどを介して放熱部材であるヒートシンクに固着されて冷却されるように構成されている。グリースは、電力半導体回路装置とヒートシンクとの接触面の凹凸を埋め、接触熱抵抗を下げるために用いられるが、グリースの熱伝導率は金属類と比較して非常に小さいことから、装置のより一層の高放熱化を実現する際には、グリースを介さず電力半導体回路装置とヒートシンクとを固着させる必要がある。
そこで、電力半導体回路装置の高放熱化実現の障害となっているグリースを介さずに、ヒートシンクのベース板と電力半導体回路装置のベース板とを一体にするため、電力半導体回路装置のベース板にヒートシンクの放熱フィンを高熱伝導率絶縁樹脂シートで熱圧着するか、もしくは一体に形成し、電力半導体回路装置のベース板に電力半導体素子や配線部材等の電子部品を搭載することにより、電力半導体回路装置の高放熱化を図っている。（例えば、特許文献１参照）
特開平１１―２０４７００号公報
このような電力半導体回路装置にあっては、予め放熱フィンを高熱伝導率絶縁樹脂シートで熱圧着するか、もしくは一体に形成することにより構成されたベース板に、電力半導体素子や配線部材等の電子部品を搭載し、その後、モールド樹脂によるケース付けを行っている。しかし、電力半導体素子や配線部材等の電子部品を搭載する前に電力半導体回路装置のベース板に放熱フィンが付いていると、電力半導体回路装置のベース板の熱容量が大きくなり、はんだ付けが困難になるばかりでなく、ワイヤボンド工程でも従来の治具を用いることができず、ベース板と放熱フィンの形状ごとに特殊な治具を作らなければならない。そして、作る製品を変えるたびに治具交換等の装置の段取り替えも必要になる。また、放熱フィンが付いていることにより装置が大きくなるため、製品生産時に、収納容器に収納できる電力半導体回路装置が少量となり、人、もしくは専用の機械で常に供給する必要があり生産性が非常に悪くなる。
これらの問題を解決するためには、電力半導体回路装置のベース板を、予め厚みの薄いベース板として、このベース板に電力半導体素子や配線部材等の電子部品を搭載し、最後に放熱フィンを取り付けることで解決できる。しかし、ベース板への放熱フィンの取り付けに、はんだや溶接等の熱的取り付け法を用いたのでは、電力半導体装置の熱容量が大きいために生産性悪く、一方、放熱フィンを、完成した電力半導体回路装置のベース板に機械的に形成しようとすると、放熱フィン形成時に電力半導体回路装置へストレスが加わり、電力半導体回路装置へのダメージが問題となる。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、製造工程を簡素化することができ、放熱フィン形成時に、電力半導体回路装置へ加わるストレスを軽減し、電力半導体回路装置の高放熱化と生産性を両立させた電力半導体回路装置およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
この発明に係わる電力半導体回路装置は、電力半導体素子を備えた電力半導体回路装置において、一面に少なくとも上記電力半導体素子を搭載し、上記電力半導体素子を搭載する面の反対側の面に接合用の溝が形成されたベース板と、上記ベース板と上記電力半導体素子とを、上記ベース板の上記電力半導体素子を搭載する面の反対側の面と上記ベース板の側面の少なくとも一部の表面を露出させた状態でモールドする樹脂と、上記モールド後に上記ベース板の溝に押圧力により接合される放熱フィンと、を備え、上記樹脂によるモールドは、上記ベース板の周辺を押圧する手段を有する金型により、上記溝の底部を露出させた状態でモールドされ、上記溝に上記放熱フィンをかしめによって固着したものである。
また、この発明に係わる電力半導体回路装置の製造方法は、ベース板の一面に少なくとも電力半導体素子を搭載すると共に、上記ベース板の反対側の面に接合用の溝を形成し、上記ベース板と上記電力半導体素子とを、上記ベース板の上記電力半導体素子を搭載する面の反対側の面を含む上記ベース板の一部の表面を露出させた状態で樹脂によりモールドし、上記樹脂によるモールドは、上記ベース板の周辺を押圧する手段を有する金型により
、上記溝の底部を露出させた状態でモールドし、その後、上記ベース板の上記溝に放熱フィンをかしめによって固着するようにしたものである。
この発明に係る電力半導体回路装置によれば、製造工程において電力半導体回路装置にダメージを与えることなく放熱フィンが形成でき、また、製造工程を簡素化することができ、電力半導体回路装置の放熱仕様に合わせた放熱フィンを、作る製品ごとに治具交換等の装置の段取り替え無く、生産性よく形成できる。
上述した、またその他の、この発明の目的、特徴、効果は、以下の実施の形態における詳細な説明および図面の記載からより明らかとなるであろう。
この発明の実施の形態１に係る電力半導体回路装置を示す断面模式図である。 この発明の実施の形態１に係る電力半導体素子に発生する応力の低減効果を示した図と、その低減効果を試算した際に用いた条件と電力半導体回路装置の断面を示す図である。 この発明の実施の形態２に係る電力半導体回路装置を示す断面模式図と放熱フィン切り起こし時の模式図である。 この発明の実施の形態３に係る電力半導体回路装置を示す断面模式図とモールド時のモールド金型とベース板の位置関係を表した図である。 この発明の実施の形態４に係る電力半導体回路装置を示す断面模式図とモールド時のモールド金型とベース板の位置関係を表した図である。 この発明の実施の形態５に係る電力半導体回路装置を示す断面模式図とベース板の上面から見た凸部の形状と配置を示した図である。 この発明の実施の形態６に係るパワーモジュールを示す正面縦断面図である。 この発明の実施の形態６のパワーモジュールの分解斜視図である。 この発明の実施の形態６のパワーモジュールの側面縦断面図である。 この発明の実施の形態における金属ベースの溝及び板金製放熱フィンの形状を示す縦断面図である。 この発明の実施の形態における金属ベースの溝内に板金製放熱フィンのかしめ部がかしめ接合された状態を示す縦断面図である。 この発明の実施の形態における金属ベースの溝と板金製放熱フィンとの間の隙間に高熱伝導性接着剤が充填された状態を示す縦断面図である。 この発明の実施の形態７に係るパワーモジュールを示す正面縦断面図である。
以下、添付の図面を参照して、この発明に係る電力半導体回路装置（以下、パワーモジュールともいう。）およびその製造方法について好適な実施の形態を説明する。
なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１に係る電力半導体回路装置を示す断面模式図である。図１において、例えばＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、もしくはＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）のような電力半導体素子１０および電力半導体素子１０を搭載した配線部材１１は、 アルミニウムからなるベース板１２に一括してはんだあるいは接着剤１３により接着されている。ベース板１２は、押出し加工、又は鋳造、あるいはダイキャストにより製作され、電力半導体素子１０および電力半導体素子１０を搭載した配線部材１１を搭載した面と反対側の面、即ち、ベース板１２の裏面には予め溝１４が加工されている。
図１（ａ）あるいは図１（ｂ）に示すように、電力半導体素子１０および電力半導体素子１０を搭載した配線部材１１と、ベース板１２は、ベース板１２の裏面とベース板１２の側面における一部の表面を露出するように、エポキシ系のモールド樹脂１５でトランスファモールドされている。
ベース板１２の裏面に加工された溝１４には、放熱フィン１６が装着される。この放熱フィン１６は、一枚の純アルミ系の板部材を波状に形成して構成されており、放熱フィン１６を変形させることにより、図１（ｂ）に示すように、ベース板１２の溝１４にかしめ接合により装着される。更に詳細に説明すれば、放熱フィン１６は、電力半導体素子１０および電力半導体素子１０を搭載した配線部材１１と、ベース板１２が、ベース板１２の裏面とベース板１２側面の一部の表面を露出するように、エポキシ系のモールド樹脂１５でトランスファモールドされた後に、図１（ａ）の矢印で表示すように、ベース板１２の溝１４にかしめ接合される。
実施の形態１に係る電力半導体回路装置は上記のように構成されているが、電力半導体素子１０は複数個あってもよく、また、電力半導体素子１０は、配線部材１１を介さずにベース板１２にはんだあるいは接着剤１３により直接接着することにより搭載するものであってもよい。更に、電力半導体素子１０と配線部材１１は、ベース板１２との絶縁のため、セラミック基板等の絶縁部材を介してベース板１２に、はんだあるいは接着剤１３で接着し、その絶縁部材をベース板１２に接着するようにしても良い。
ベース板１２の裏面に加工された溝１４に、かしめ接合により装着される放熱フィン１６は、一枚の板を波状に形成したものでなく、一枚づつ独立して形成したものでも良い。また、放熱フィン１６のベース板１２への装着は、ベース板１２を変形させてかしめても良く、両者間の押圧力による接合であれば良い。更に、放熱フィン１６を１００〜１５０℃で加熱し、放熱フィン１６を軟化させながらかしめ接合を行っても良い。なお、本実施の形態による形状においては、室温でかしめた時と比較し、放熱フィン１６を１００〜１５０℃で加熱した時では、約７０％のかしめ圧力で、室温でかしめた時と同様のかしまり具合となることを確認している。
次に、本実施の形態のように、電力半導体素子１０の周辺を隙間なくエポキシ系のモールド樹脂１５でトランスファモールドした構造と、図２（ａ）に示す電力半導体素子１０の周辺が中空もしくはゲル封止されているような中空構造でのかしめ時のかしめ圧力と電力半導体素子１０に発生する応力の関係を図２（ｂ）に示す。なお、図２（ｂ）の横軸はかしめ圧力（ＭＰａ）、縦軸は電力半導体素子１０に発生する応力（ＭＰａ）を示し、かしめ圧力は、かしめ接合時に放熱フィン１６のかしめ刃がベース板１２を押さえつける圧力である。
かしめ圧力が同じであれば、本実施の形態によるトランスファモールド構造のほうが図２（ａ）に示す中空構造に比べ、図２（ｃ）に示すように、かしめ接合時の支持構造がモールド樹脂１４の上面両端の場合では、電力半導体素子１０への応力を約１／２に低減できる。また、図２（ｄ）のようにモールド樹脂１５の上面全面で支持する場合では、電力半導体素子１０への応力を１／１０以上に低減することができる。従って、本実施の形態によるトランスファモールド構造によれば、極めてストレスが小さく、電力半導体素子１０へのダメージの懸念の無い、ベース板１２への放熱フィン１６のかしめ接合ができる。
また、電力半導体素子１０の隙間にモールド樹脂１５が入ることにより、電力半導体素子１０に応力集中が発生することを防ぎ、電力半導体素子１０の破壊耐量も増加し、大きなかしめ圧力に対しても電力半導体素子１０へのダメージが発生しにくい。
モールド材料としてはエポキシ系の材料が硬いため電力半導体素子１０へのダメージ回避の点で好ましく、ポッティング、あるいはトランスファモールド、注型法などの方法で電力半導体素子１０の周辺をエポキシ樹脂でモールドする構造がよく、さらに、かしめ圧力をモールド全面で受けることができるように、上面は可能な限りフラットな構造が好ましい。
一方、製造工程は、電力半導体素子１０を配線部材１１に搭載する工程、配線部材１１をベース板１２に搭載する工程、配線部材１１およびベース板１２をモールド金型（図示せず）にセットして、電力半導体素子１０をモールドする工程、ベース板１２に放熱フィン１６を装着する工程を経ることから、工程のはじめから放熱フィン１６があることで従来問題となっていた、はんだ付け工程やワイヤボンド工程が難しくなること、回路装置が大きくなることによる生産性の悪化といった問題を解決できる。
電力半導体素子１０および電力半導体素子１０を搭載した配線部材１１を、放熱フィン１６を直接形成することのできるベース板１２に一括してはんだ付け、あるいは接着することにより、通常、ベース板１２と放熱フィン１６の接合に用いるグリース部を撤廃することが可能となり、電力半導体回路装置の高放熱化が可能となる。
更に、かしめ接合により放熱フィン１６とベース板１２と接合するので、電力半導体回路装置の放熱仕様に合わせて放熱フィン１６の高さと幅を変更することによって、設備の段取り変えなしに製造することが容易となる。
放熱フィン１６をベース板１２の裏面にかしめ接合するにあたり、柔らかい純アルミ系の板部材を波状に加工して複数のフィンを繋げて形成したフィンを用いると良い。この場合、図１（ｂ）に示すように、隣り合う放熱フィン１６同士が互いに引っ張り合い、ベース板１２に形成した溝１４に押し付ける力が発生するため、ベース板１２を大きく変形させなくても大きな強度と低い熱抵抗が得られる。したがって、電力半導体素子１０をはじめとする電力半導体回路装置へのダメージをより一層引き起こすことがない極めて優れたベース板１２への放熱フィン１６の接合が実現できる。特に、放熱フィン１６のフィン同士のピッチをベース板１２に形成された溝１４のピッチよりもやや小さくすることによって、ベース板１２に形成された溝１４の側面への放熱フィン１６の押し付け力を一層増加させることができる。
また、ベース板１２の裏面とベース板１２側面の一部の表面を露出させるために、図示しないモールド金型のベース板１２を配置する周辺に、樹脂流入時にベース板１２の周辺を押圧する押圧手段を設ける。この押圧手段を設けることにより、金型の隙間から樹脂が流入してできるモールド樹脂１５のバリを防ぎ、接合部にモールド樹脂１５のバリができることによって生じる、接合部の熱抵抗の増大や、接合強度の低下等が生じることなくかしめ接合が可能となる。
実施の形態２．
次に、この発明の実施の形態２に係る電力半導体回路装置およびその製造方法について図３により説明する。
実施の形態２に係る電力半導体回路装置は、実施の形態１と同様に、電力半導体素子１０、電力半導体素子１０を搭載した配線部材１１は、アルミニウムからなるベース板３０に一括してはんだ付け、あるいは接着されている。また、図３（ａ）に示すように、電力半導体素子１０および電力半導体素子１０を搭載した配線部材１１と、ベース板３０は、ベース板３０の裏面とベース板３０の側面における一部の表面を露出するように、エポキシ系のモールド樹脂１５でトランスファモールドされている。
ベース板３０は、電力半導体素子１０および電力半導体素子１０を搭載した配線部材１１を搭載した面と反対側の面、即ち、ベース板３０の裏面は平面に加工されている。ベース板３０の平面に加工された裏面には、放熱フィン３１が形成される。この放熱フィン３１は、図３（ｂ）に示すように、モールド樹脂１５の表面に押さえ治具３２を当接させ、ベース板３０の裏面を工具３３などで切り起こすことにより形成されている。なお、放熱フィン３１は、モールド樹脂１５から露出しているベース板３０の側面部分に形成してもよい。
実施の形態２に係る電力半導体回路装置を製造する際には、工具３３などでベース板３０の裏面を切り起こす際に、電力半導体素子１０を押す方向に力が加わるが、図２（ａ）あるいは図２（ｃ）に示すように、押さえ治具３２などでモールド樹脂１５の上面を支持することで、電力半導体素子１０に発生する応力を低減できる。また、放熱フィン３１を後から形成することにより、先に放熱フィン３１があることで従来問題となっていた、はんだ付け工程やワイヤボンド工程が難しくなること、あるいは嵩張ることによる生産性の悪化といった問題が解決できる。
また、常温で放熱フィン３１を形成することが可能であり、かしめ接合により放熱フィン３１を形成する場合と比べて一層狭いフィンピッチが可能となり、放熱フィン３１はベース板３０から切り起こすため、ベース板３０を予め加工する必要がない。また、放熱フィン３１の形成面にモールド時のバリがあっても切り起こしの加工とともにバリも工具によって引き剥がされるため、バリが熱抵抗の悪化をまねくことがない。
更に、放熱フィン３１とベース板３０の間の熱抵抗がかしめ接合に比べ小さいこと、放熱フィン３１のピッチと高さを、設備の段取りかえなしに電力半導体回路装置の放熱仕様に合わせて変更できることから、放熱フィン３１を後から形成することによって低熱抵抗化と生産性向上が可能である。
実施の形態３．
次に、この発明の実施の形態３に係る電力半導体回路装置およびその製造方法について図４により説明する。
実施の形態３に係る電力半導体回路装置は、実施の形態１あるいは実施の形態２と同様に、図４（ａ）に示すように、電力半導体素子１０および電力半導体素子１０を搭載した配線部材１１と、ベース板４０が、ベース板４０の裏面とベース板４０の側面における一部の表面を露出するように、エポキシ系のモールド樹脂１５でトランスファモールドされている。
ベース板４０は、電力半導体素子１０および電力半導体素子１０を搭載した配線部材１１を搭載する搭載面が矩形状に形成され、側面の４方向に、機械加工により階段部４０ａが形成されている。そして、図４（ｂ）に示すように、階段部４０ａの下面をモールド金型４１によって、押圧されることによりシール可能にモールドされる。なお、その他の構成については、実施の形態１と同様であり、同一符号を付してその説明を省略する。
溝１４に放熱フィン１６をかしめ接合する際、放熱フィン１６と溝１４の間の位置ずれが大きい場合には、かしめ接合ができなくなることから、放熱フィン１６と溝１４の位置決めが重要となる。一般には、配線部材のパイロット穴などを用いてモールド金型４１と位置決めしてモールドするが、実施の形態３における電力半導体回路装置では、ベース板４０に配線部材１１を接合することから、配線部材１１とベース板４０の位置ずれが小さくない。このような場合でも、ベース板４０に形成した階段部４０ａでベース板４０を位置決めすることによって、放熱フィン１６を後付け加工の時の位置あわせが容易になる。
また、階段部４０ａの下面を押付けシールすることにより、階段部４０ａでかしめ接合部へのモールド樹脂１５の流入を防ぐことができ、かしめ接合部へのモールド樹脂１５の流入を防いでモールドのバリをなくすことができるため放熱フィン１６の形成が容易になる。
実施の形態４．
次に、この発明の実施の形態４に係る電力半導体回路装置およびその製造方法について説明する。
実施の形態４に係る電力半導体回路装置は、上記各実施の形態と同様に、図５（ａ）に示すように、電力半導体素子１０および電力半導体素子１０を搭載した配線部材１１が、ベース板５０に搭載されている。ベース板５０の電力半導体素子１０および電力半導体素子１０を搭載した配線部材１１の搭載面と反対側の面、即ち、ベース板５０の裏面５０ｂが、電力半導体素子１０および電力半導体素子１０を搭載した配線部材１１の搭載面、即ち、ベース板５０の表面５０ａよりも小さくなるようにベース板５０の側面に傾斜部５０ｃを設けている。そして、モールド金型５１には、モールド時にベース板５０の傾斜部５０ｃを押付けシールする手段となる傾斜部５１ａが形成されている。傾斜部５０ｃは、実施の形態３の図４（ｂ）において説明した階段部としてもよい。なお、その他の構成については実施の形態１と同様であり、同一符号を付してその説明を省略する。
上記のように、実施の形態４に係る電力半導体回路装置は、ベース板５０の側面に、放熱フィン１６側が電力半導体素子１０および電力半導体素子１０を搭載した配線部材１１の搭載面側よりも小さくなる傾斜部５０ｃを設けており、モールド工程において加わる圧力により、傾斜部５０ｃがモールド金型５１の傾斜部５１ａに押圧されることから、簡素な金型構造で樹脂をシールし、モールドによるバリをなくすことができる。
実施の形態５．
次に、この発明の実施の形態５に係る電力半導体回路装置およびその製造方法について説明する。
実施の形態５に係る電力半導体回路装置は、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、ベース板６０の表面、即ち、電力半導体素子１０および電力半導体素子１０を搭載した配線部材１１の搭載面に、その面と垂直に凸部６０ａが形成されている。この凸部６０ａは、ベース板６０の各側面の端部から少し内側の位置に設けられ、図６（ａ）に示すように、凸部６０ａを含むようにモールド樹脂１５でモールドされている。また、ベース板６０の表面の面積は、モールド樹脂１５によるモールド部の投影面積に比べて大きく、かつ放熱フィン１６の最端位置よりモールド樹脂１５の側面が外側にある。ベース板６０に形成した凸部６０ａは凹部でもかまわない。なお、その他の構成については実施の形態１と同様であり、同一符号を付してその説明を省略する。
実施の形態５に係る電力半導体回路装置によれば、電力半導体回路装置の放熱フィン１６の形成部分におけるモールド樹脂１５のバリをなくすことができる。
また、ベース板６０にアルミニウムを用いたとき、モールド樹脂１５はアルミニウムとの接着性が良好でないため剥がれ易いが、凸部６０ａを形成することにより、ベース板６０に対してモールド樹脂１５の接着力が増し、放熱フィン１６を形成する際のストレスにより、モールド樹脂１５が剥がれること防ぐことができる。
実施の形態６．
図７は、本発明の実施の形態６における電力半導体回路装置であるパワーモジュールを示す正面縦断面図、図８は、実施の形態６のパワーモジュールの分解斜視図、図９は、実施の形態６のパワーモジュールの側面縦断面図、図１０は、金属ベースの溝及び板金製放熱フィンの形状を示す縦断面図、図１１は、金属ベースの溝内に板金製放熱フィンのかしめ部がかしめ接合された状態を示す縦断面図であり、図１２は、金属ベースの溝と板金製放熱フィンとの間の隙間に高熱伝導性接着剤が充填された状態を示す縦断面図である。
図７〜図１２に示すように、実施の形態６のパワーモジュール９１は、発熱するパワー半導体素子１１１と、パワー半導体素子１１１が実装され、電極端子１１２ａを有する金属フレーム１１２と、一面１１３ａに金属フレーム１１２が設置され他面１１３ｂに複数の平行な溝１１４が形成された金属ベース１１３と、パワー半導体素子１１１及び金属フレーム１１２を被覆するとともに金属ベース１１３の一面１１３ａ及び該一面１１３ａ側の外周部１１３ｃを覆うモールド樹脂１１５と、略Ｖ字形に折り曲げ形成されたかしめ部１１６ａを押し潰すように溝１１４内にかしめ接合され、かしめ部１１６ａの溝１１４から食み出た部分１１６ｂが溝１１４の底面１１４ａより低い位置になるように塑性変形された板金製放熱フィン１１６とを備えている。
パワー半導体素子１１１としては、入力交流電力を直流に変換するコンバータ部のダイオードや、直流を交流に変換するインバータ部のバイポーラトランジスタ、ＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ、ＧＴＯ等がある。
パワー半導体素子１１１同士、及び、パワー半導体素子１１１と電極端子１１２ａとは、金属ワイヤ１１７で電気的に接続される。金属ベース１１３は、熱伝導率の高いアルミニウムや銅等により形成されている。
パワー半導体素子１１１と金属フレーム１１２、及び、金属フレーム１１２と金属ベース１１３とは、半田接合されていて、板金製放熱フィン１１６は電位を持っている。パワー半導体素子１１１から金属ベース１１３までの接合に、熱伝導率の高い半田を用いているので、小さな接合面積でも放熱性が高く、パワー半導体素子１１１を小型化することができる。
実施の形態６の板金製放熱フィン１１６には、アルミ等の薄い１枚の帯状の金属板を複数回折り曲げて波状（矩形波状）に形成したコルゲート型放熱フィンを用いている。コルゲート型放熱フィン１１６は、１回のかしめ工程で金属ベース１１３とかしめ接合を行なうのに適しているが、コルゲート型放熱フィン１１６に替えて、帯状の金属板１枚を略Ｖ字形に１回折り曲げた板金製放熱フィン１１６を用いてもよい。
モールド樹脂１１５としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いる。
ＰＰＳ（polyphenylene sulfide）やＰＢＴ(polybutylene terephthalate)等の熱可塑性樹脂を用いてもよい。金属ベース１１３とのかしめ接合時に、コルゲート型放熱フィン１１６の位置決めをし易いように、モールド樹脂１１５のフィン側の面１１５ａの縁部に突起１１５ｂを設け、コルゲート型放熱フィン１１６の側部フランジ１１６ｄに設けられた孔１１６ｅに突起１１５ｂを嵌め込んで固定している。突起１１５ｂは、溝１１４にかしめ接合後の板金製放熱フィン１１６の位置ずれの抑制にも寄与している。
パワーモジュール９１の製造方法として、板金製放熱フィン１１６と金属ベース１１３とのかしめ接合を先に行ない、後工程で、金属ベース１１３の一面１１３ａに、パワー半導体素子１１１、金属ワイヤ１１７及び金属フレーム１１２を実装し、モールド樹脂１１５により被覆する方法があるが、金属ベース１１３に取付ける板金製放熱フィン１１６の長さが異なる場合に発生する、半田付け工程や樹脂モールド工程での段取り替えを不要とし、製造工程を簡素化するために、図８に示すように、パワー半導体素子１１１、金属ワイヤ１１７、金属フレーム１１２及び金属ベース１１３を樹脂モールドした後に、金属ベース１１３と板金製放熱フィン１１６とのかしめ接合を行なうようにするのが望ましい。
即ち、実施の形態６のパワーモジュール９１は、パワー半導体素子１１１を金属フレーム１１２に実装する工程と、他面１１３ｂに複数の平行な溝１１４が形成された金属ベース１１３の一面１１３ａに金属フレーム１１２を設置する工程と、モールド樹脂１１５によりパワー半導体素子１１１及び金属フレーム１１２を被覆するとともに金属ベース１１３の一面１１３ａ及び一面１１３ａ側の外周部１１３ｃを覆う工程と、板金製放熱フィン１１６の略Ｖ字形に折り曲げ形成されたかしめ部１１６ａを、押し潰すように溝１１４内にかしめ接合し、かしめ部１１６ａの溝１１４から食み出た部分１１６ｂを溝１１４の底面１１４ａより低い位置になるように塑性変形する工程と、により製造するのが望ましい。
図８に示すように、板金製放熱フィン１１６と金属ベース１１３との接合は、モールド樹脂１１５外面の平坦部（図８の△△表示部）を台上に固定し、板金製放熱フィン１１６のかしめ部１１６ａにプレス等の荷重を加え、かしめ部１１６ａを塑性変形させてかしめ接合により固定する。
このとき、モールド樹脂１１５の平坦部に、シャント等の大型部品実装による凸部やモールド樹脂流れを効率よくするための凹部があっても、この凹凸部に荷重が加わらないようにする逃がし冶具を用いることにより、かしめ接合を行なうことができる。
次に、図９を参照して、かしめ接合後の板金製放熱フィン１１６の形状について説明する。板金製放熱フィン１１６の横幅は、金属ベース１１３の横幅よりも大きく形成されていて、板金製放熱フィン１１６の両側縁部は、溝１１４から食み出ている。
略Ｖ字形に折り曲げ形成された板金製放熱フィン１１６のかしめ部１１６ａを押し潰すように塑性変形させ、金属ベース１１３の溝１１４内にかしめ接合すると、かしめ部１１６ａの溝１１４から食み出た部分１１６ｂは押し潰されないので、溝１１４の底面１１４ａより低い位置に変位する。これにより、溝１１４から食み出た部分１１６ｂが溝１１４の両端に引っ掛かるようになり、板金製放熱フィン１１６に振動等が加わっても、板金製放熱フィン１１６が溝１１４に沿ってスライドしてずれてしまうことはない。
次に、図１０〜図１２を参照して金属ベース１１３の溝１１４の断面形状及び板金製放熱フィン１１６のかしめ部１１６ａの断面形状の詳細について説明する。
プレス刃１１８により、板金製放熱フィン１１６のかしめ部１１６ａと金属ベース１１３の溝１１４とのかしめ接合を行なうとき、金属ベース１１３に実装されたパワー半導体素子１１１は、金属ベース１１３の変形による応力の発生により破損する可能性があり、パワー半導体素子１１１が破損しない程度の弱いプレス荷重でかしめ接合を行なう必要がある。
図１０に示すように、板金製放熱フィン１１６のかしめ部１１６ａは、略Ｖ字形に折り曲げ形成されている。金属ベース１１３の溝１１４には、開口部に向かって拡幅するテーパ面１１４ｃと、底部に向かって拡幅する逆テーパ面１１４ｂが形成されている。
溝１１４の開口部の幅Ａ１と底面１１４ａの幅Ａ２は、略同一となっている。また、板金製放熱フィン１１６のかしめ部１１６ａのテーパ角度と溝１１４のテーパ面１１４ｃのテーパ角度とは、略同一となっている。
それ故、開口部の幅Ａ１と底面１４ａの幅Ａ２の熱膨張量が略同一となり、テーパ面１１４ｃと、逆テーパ面１１４ｂの熱応力が略同一となり、熱的信頼性が高い。
プレス刃１１８により、略Ｖ字形に折り曲げ形成されたかしめ部１１６ａを押し潰すようにして、かしめ部１１６ａを溝１１４内にかしめ接合する。
金属ベース１１３は、モールド後の樹脂の熱収縮により、他面１１３ｂが凸面となるように反り、溝１１４のピッチが拡大する。特に、両端の溝１１４の変位が大きく、板金製放熱フィン１１６の挿入時に、溝１１４に干渉して挿入が難くなるが、かしめ部１１６ａが、略Ｖ字形であり、また、溝１１４の開口部がテーパ面１１４ｃとなっているので、かしめ部１１６ａの挿入は容易である。また、略Ｖ字形のかしめ部１１６ａは、変形能力が高く、金属ベース１１３が反っていても、十分にかしめ接合を行なうことができる。
図１１に示すように、略Ｖ字形のかしめ部１１６ａは、プレス刃１１８により押し潰され、溝１１４の底部の逆テーパ面１１４ｂの角に押込まれてかしめ接合される。かしめ接合後、溝１１４の隅部には、隙間１１４ｄが発生する。溝１１４の底部の逆テーパ面１１４ｂは、かしめ部１１６ａを進入し易くしていて、弱いプレス荷重でかしめ接合を行なうことができる。
また、かしめ接合時に、板金製放熱フィン１１６を加熱しておけば、板金製放熱フィン１１６の曲げ弾性が低下し、パワー半導体素子１１１にストレスを与えずに、強固なかしめ接合を行なうことができる。
図１２に示すように、金属ベース１１３の溝１１４と溝１１４内にかしめ接合された板金製放熱フィン１１６との間の隙間１１４ｄに、高熱伝導性接着剤１１９を充填するとよい。高熱伝導性接着剤１１９としては、柔らかいシリコン樹脂にフィラーを添加して高熱伝導率にしたものを用いる。
隙間１１４ｄに高熱伝導性接着剤１１９を充填することにより、パワーモジュール９１の放熱性が向上する。また、高熱伝導性接着剤１１９で、板金製放熱フィン１１６と金属ベース１１３を接着することにより、過酷な振動条件下であっても、板金製放熱フィン１１６がずれるようなことはない。
以上、金属ベース１１３の溝１１４の断面形状について詳細に説明したが、溝１１４は、テーパ面１１４ｃ及び逆テーパ面１１４ｂを設けない単純矩形形状であってもよい。
また、隙間１１４ｄに、高熱伝導性接着剤１１９を充填しなくてもよい。
実施の形態６のパワーモジュール９１は、以上説明した構造により、発熱体であるパワー半導体素子１１１から板金製放熱フィン１１６まで、熱伝導率の高い金属接合を行なっており、放熱性を高くし、高価なパワー半導体素子１１１を小型化し、コストを低減している。また、樹脂モールド工程後に、金属ベース１１３に板金製放熱フィン１１６をかしめ接合するので、フィンの長さが異なるパワーモジュールも容易に製作することができ、作業性を向上させて製造コストを低減することができる。
また、かしめ部１１６ａの溝１１４から食み出た部分１１６ｂが、溝１１４の底面１１４ａより低い位置に変位しているので、溝１１４の両端に引っ掛かるようになり、板金製放熱フィン１１６に振動等が加わっても、板金製放熱フィン１１６が溝１１４に沿ってスライドしてずれてしまうことはない。
実施の形態７．
図１３は、本発明に係る実施の形態７のパワーモジュールの正面縦断面図である。
実施の形態７のパワーモジュール９２が、実施の形態６のパワーモジュール９１と異なるところは、実施の形態６の金属フレーム１１２及び金属ベース１１３を、金属基板１２３に替えたことである。
即ち、実施の形態７のパワーモジュール９２は、発熱するパワー半導体素子１１１と、一面１２３ａにパワー半導体素子１１１が実装され、他面１２３ｂに複数の平行な溝１１４が形成され、一面１２３ａと他面１２３ｂとの間に樹脂から成る絶縁層１２３ｅが形成された金属基板１２３と、パワー半導体素子１１１を被覆するとともに金属基板１２３の一面１２３ａ及び該一面１２３ａ側の外周部１２３ｃまでを覆うモールド樹脂１１５と、略Ｖ字形に折り曲げ形成されたかしめ部１１６ａを押し潰すように溝１１４内にかしめ接合され、かしめ部１１６ａの溝１１４から食み出た部分１１６ｂが溝１１４の底面１１４ａより低い位置になるように塑性変形された板金製放熱フィン１１６と、を備えている。
また、実施の形態７のパワーモジュール９２は、複数の平行な溝１１４が形成された他面１２３ｂと一面１２３ａとの間に絶縁層１２３ｅが形成された金属基板１２３の一面１２３ａにパワー半導体素子１１１を実装する工程と、モールド樹脂１１５によりパワー半導体素子１１１を被覆するとともに金属基板１２３の一面１２３ａ及び該一面１２３ａ側の外周部１２３ｃを覆う工程と、板金製放熱フィン１１６の略Ｖ字形に折り曲げ形成されたかしめ部１１６ａを、押し潰すように溝１１４内にかしめ接合し、かしめ部１１６ａの溝１１４から食み出た部分を該溝１１４の底面１１４ａより低い位置になるように塑性変形する工程と、により製造するのが望ましい。
パワー半導体素子１１１同士、及び、パワー半導体素子１１１とモールド樹脂１１５により保持された電極端子１１２ａとは、金属ワイヤ１１７で電気的に接続されている。
金属基板１２３は、熱伝導率の高いアルミニウムや銅等により形成されている。
金属基板１２３は、樹脂絶縁層１２３ｅを有するため、半田接合に比べて熱伝導率が低いが、樹脂絶縁層１２３ｅで絶縁されているため、複数のパワー半導体素子１１１を並べて実装することができる。
インバータとして用いる場合、実施の形態６のパワーモジュール９１は、非絶縁であるため、回路毎に複数個のパワーモジュール９１を、空間絶縁距離をとりながら並べる必要があったが、実施の形態７のパワーモジュール９２は、回路毎に絶縁されているため、空間絶縁距離をとる必要がなく、小型化することができる。
また、絶縁層１２３ｅは樹脂材質であり、弾性率が低いことから、パワー半導体素子１１１に発生する応力が小さく、板金製放熱フィン１１６と金属基板１２３のかしめ接合時の金属基板１２３の反りによるパワー半導体素子１１１の破損を防止することができる。
この発明に係る電力半導体回路装置（パワーモジュール）は、インバータ、あるいはコンバータ等の電力変換装置に有用である。
１０、１１１ 電力半導体素子（パワー半導体素子）、１１ 配線部材、１２、３０、４０、５０、６０ ベース板、１３ はんだあるいは接着剤、１４、１１４ 溝、１５、１１５ モールド樹脂、１６、３１ 放熱フィン、３２ 押さえ治具、３３ 工具、４０ａ 階段部、４１、５１ モールド金型、５０ａ 表面、５０ｂ 裏面、５０ｃ、５１ａ 傾斜部、６０ａ 凸部、９１、９２ パワーモジュール、１１２ 金属フレーム、１１２ａ 電極端子、１１３ 金属ベース、１１３ａ 一面、１１３ｂ 他面、１１３ｃ 外周部、１１４ａ 底面、１１４ｂ 逆テーパ面、１４ｃ テーパ面、１１４ｄ 隙間、１１５ａ フィン側の面、１１５ｂ 突起、１１６ 板金製放熱フィン（コルゲート型放熱フィン）、１１６ａ かしめ部、１１６ｂ 溝から食み出た部分、１１６ｄ 側部フランジ、１１６ｅ 孔、１１７ 金属ワイヤ、１１８ プレス刃、１１９ 高熱伝導性接着剤、１２３ 金属基板、１２３ａ 一面、１２３ｂ 他面、１２３ｃ 外周部、１２３ｅ 絶縁層（樹脂絶縁層）

Claims (14)

  1. 電力半導体素子を備えた電力半導体回路装置において、
    一面に少なくとも上記電力半導体素子を搭載し、上記電力半導体素子を搭載する面の反対側の面に接合用の溝が形成されたベース板と、上記ベース板と上記電力半導体素子とを、上記ベース板の上記電力半導体素子を搭載する面の反対側の面と上記ベース板の側面の少なくとも一部の表面を露出させた状態でモールドする樹脂と、上記モールド後に上記ベース板の溝に押圧力により接合される放熱フィンとを備え、上記樹脂によるモールドは、上記ベース板の周辺を押圧する手段を有する金型により、上記溝の底部を露出させた状態でモールドされ、上記溝に上記放熱フィンをかしめによって固着したことを特徴とする電力半導体回路装置。
  2. 上記放熱フィンは、一枚の板を波状に形成したものであることを特徴とする請求項１に記載の電力半導体回路装置。
  3. 上記ベース板に形成された溝には、開口部に向かって拡幅するテーパ面と、底部に向かって拡幅する逆テーパ面が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電力半導体回路装置。
  4. 上記ベース板の溝と該溝内にかしめによって固着された放熱フィンとの間の隙間に、高熱伝導性接着剤が充填されていることを特徴とする請求項１に記載の電力半導体回路装置。
  5. 上記ベース板の少なくとも対向する二つの面に、階段状の段部を形成したことを特徴とする請求項１に記載の電力半導体回路装置。
  6. 上記ベース板の電力半導体素子を搭載する面から該電力半導体素子を搭載する面の反対側の面にかけて形成された傾斜部を備えたことを特徴とする請求項１に記載の電力半導体回路装置。
  7. 上記ベース板の電力半導体素子の搭載面の面積を、上記樹脂によるモールド部の投影面積に比べて大きくしたことを特徴とする請求項１に記載の電力半導体回路装置。
  8. 上記ベース板の電力半導体素子の搭載面に、垂直方向の凸部または凹部を形成したことを特徴とする請求項７に記載の電力半導体回路装置。
  9. 電力半導体素子を備えた電力半導体回路装置の製造方法において、
    ベース板の一面に少なくとも上記電力半導体素子を搭載すると共に、上記ベース板の反対側の面に接合用の溝を形成し、上記ベース板と上記電力半導体素子とを、上記ベース板の上記電力半導体素子を搭載する面の反対側の面を含む上記ベース板の一部の表面を露出させた状態で樹脂によりモールドし、上記樹脂によるモールドは、上記ベース板の周辺を押圧する手段を有する金型により、上記溝の底部を露出させた状態でモールドし、その後、上記ベース板の上記溝に放熱フィンをかしめによって固着することを特徴とする電力半導体回路装置の製造方法。
  10. 上記ベース板の周辺に段部もしくはテーパ部を形成することを特徴とする請求項９に記載の電力半導体回路装置の製造方法。
  11. 上記放熱フィンを上記ベース板に加熱しながらかしめによって固着して形成することを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の電力半導体回路装置の製造方法。
  12. 上記放熱フィンは、Ｖ字形に折り曲げ形成されたかしめ部を有し、このかしめ部を押し潰すように上記溝内にかしめによって固着され、且つ前記かしめ部の前記溝から食み出た部分が該溝の底面より低い位置になるように塑性変形されたことを特徴とする請求項１に記載の電力半導体回路装置。
  13. 発熱するパワー半導体素子と、
    一面に上記パワー半導体素子が実装され、他面に複数の平行な溝が形成され、上記一面と他面との間に絶縁層が形成された金属基板と、
    上記パワー半導体素子を被覆するとともに上記金属基板の上記一面及び該一面側の外周部を上記溝の底部を露出させた状態で覆うモールド樹脂と、
    Ｖ字形に折り曲げ形成されたかしめ部を有し、このかしめ部を押し潰すように上記溝内にかしめによって固着され、上記かしめ部の上記溝から食み出た部分が該溝の底面より低い位置になるように塑性変形された放熱フィンと、を備えることを特徴とする電力半導体回路装置。
  14. パワー半導体素子を金属フレームに実装する工程と、他面に複数の平行な溝が形成された金属ベースの一面に上記金属フレームを設置する工程と、モールド樹脂により上記パワー半導体素子及び金属フレームを被覆するとともに上記金属ベースの上記一面及び該一面側の外周部を上記溝の底部を露出させた状態で覆う工程と、板金製放熱フィンのＶ字形に折り曲げ形成されたかしめ部を、押し潰すように前記溝内にかしめによって固着し、前記かしめ部の前記溝から食み出た部分を該溝の底面より低い位置になるように塑性変形する工程と、を含むことを特徴とする電力半導体回路装置の製造方法。
JP2010516826A 2008-06-12 2009-06-04 電力半導体回路装置およびその製造方法 Expired - Fee Related JP5566289B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010516826A JP5566289B2 (ja) 2008-06-12 2009-06-04 電力半導体回路装置およびその製造方法

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008153935 2008-06-12
JP2008153935 2008-06-12
JP2008240318 2008-09-19
JP2008240318 2008-09-19
JP2010516826A JP5566289B2 (ja) 2008-06-12 2009-06-04 電力半導体回路装置およびその製造方法
PCT/JP2009/060264 WO2009150995A1 (ja) 2008-06-12 2009-06-04 電力半導体回路装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2009150995A1 JPWO2009150995A1 (ja) 2011-11-17
JP5566289B2 true JP5566289B2 (ja) 2014-08-06

Family

ID=41416702

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010516826A Expired - Fee Related JP5566289B2 (ja) 2008-06-12 2009-06-04 電力半導体回路装置およびその製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8659147B2 (ja)
EP (1) EP2293328B1 (ja)
JP (1) JP5566289B2 (ja)
KR (1) KR101186781B1 (ja)
CN (1) CN102047414B (ja)
TW (1) TWI404177B (ja)
WO (1) WO2009150995A1 (ja)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5373688B2 (ja) * 2010-04-06 2013-12-18 三菱電機株式会社 ヒートシンク及びヒートシンク一体型パワーモジュール
JP5432085B2 (ja) * 2010-08-24 2014-03-05 三菱電機株式会社 電力半導体装置
JP5511621B2 (ja) 2010-10-13 2014-06-04 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2013055304A (ja) * 2011-09-06 2013-03-21 Nippon Tanshi Kk 端子ボックス用端子部材
JP6076675B2 (ja) 2011-10-31 2017-02-08 ローム株式会社 半導体装置
DE112012005791B4 (de) 2012-01-31 2022-05-12 Mitsubishi Electric Corporation Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
DE112013001113T5 (de) * 2012-02-24 2014-11-06 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung und deren Herstellungsverfahren
WO2013141287A1 (ja) 2012-03-22 2013-09-26 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
DE102012105110A1 (de) * 2012-06-13 2013-12-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Montageträger und Verfahren zur Montage eines Montageträgers auf einem Anschlussträger
WO2014020704A1 (ja) * 2012-07-31 2014-02-06 三菱電機株式会社 電力半導体装置
JP2014056982A (ja) * 2012-09-13 2014-03-27 Mitsubishi Electric Corp パワー半導体装置およびその製造方法
US9230878B2 (en) * 2013-04-12 2016-01-05 Lenovo Enterprise Solutions (Singapore) Pte. Ltd. Integrated circuit package for heat dissipation
CN105122446B (zh) * 2013-09-30 2019-07-19 富士电机株式会社 半导体装置、半导体装置的组装方法、半导体装置用部件以及单位模块
JP5996126B2 (ja) * 2013-12-05 2016-09-21 三菱電機株式会社 電力半導体装置
JP6202108B2 (ja) 2014-01-21 2017-09-27 富士通株式会社 放熱部品、放熱部品の製造方法、電子装置、電子装置の製造方法、一体型モジュール、情報処理システム
US9754855B2 (en) * 2014-01-27 2017-09-05 Hitachi, Ltd. Semiconductor module having an embedded metal heat dissipation plate
CN106575642B (zh) * 2014-07-10 2019-06-18 富士通株式会社 散热部件、散热部件的制造方法、电子装置、电子装置的制造方法、一体型模块、信息处理系统
CN206471321U (zh) * 2014-07-31 2017-09-05 三菱电机株式会社 半导体装置
JP6341822B2 (ja) * 2014-09-26 2018-06-13 三菱電機株式会社 半導体装置
FR3029353B1 (fr) * 2014-11-28 2016-12-23 Valeo Comfort & Driving Assistance Dispositif de retroeclairage notamment pour afficheur tete haute et afficheur tete haute pour vehicule automobile
WO2016147226A1 (ja) * 2015-03-19 2016-09-22 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 筐体、蛍光体ホイール装置、投影装置
US10615155B2 (en) 2015-03-23 2020-04-07 Gd Midea Airconditioning Equipment Co., Ltd. Intelligent power module and manufacturing method thereof
CN106876348A (zh) * 2017-03-07 2017-06-20 中航华东光电有限公司 芯片封装结构及其制造方法
US10986756B2 (en) * 2017-12-28 2021-04-20 Hughes Network Systems Llc Cooling apparatus for an electrical component
US10833241B1 (en) * 2019-06-20 2020-11-10 International Business Machines Corporation Thermalization structure for cryogenic temperature devices
CN114374067B (zh) * 2022-01-04 2023-06-30 中信科移动通信技术股份有限公司 合路器
US20240027708A1 (en) * 2022-07-19 2024-01-25 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Corrugated thermal interface device with lateral spring fingers

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05114669A (ja) * 1991-10-23 1993-05-07 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2000151163A (ja) * 1998-11-18 2000-05-30 Showa Alum Corp ヒートシンクの製造法
JP2001053212A (ja) * 1999-08-10 2001-02-23 Motorola Inc Ｉｃパッケージおよびその製造方法
JP2001352020A (ja) * 2000-06-06 2001-12-21 Ricchisutoon:Kk 放熱素子の製造方法
JP2002299864A (ja) * 2001-03-29 2002-10-11 Ryosan Co Ltd コルゲートフィン型ヒートシンク
JP2003158226A (ja) * 2001-11-20 2003-05-30 Sony Corp 半導体装置
JP2006041363A (ja) * 2004-07-29 2006-02-09 Hitachi Ltd 樹脂封止型半導体装置
JP2007173272A (ja) * 2005-12-19 2007-07-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3814145C2 (de) * 1988-04-27 1998-07-23 Hess Joachim Vorrichtung zum Zuführen oder Abführen von Wärme
JPH02238653A (ja) 1989-03-13 1990-09-20 Hitachi Ltd 半導体装置
US4974427A (en) * 1989-10-17 1990-12-04 Copeland Corporation Compressor system with demand cooling
US5247734A (en) * 1992-11-09 1993-09-28 Motorola, Inc. Method and apparatus of an improved heat sink
US5444909A (en) * 1993-12-29 1995-08-29 Intel Corporation Method of making a drop-in heat sink
US5533257A (en) * 1994-05-24 1996-07-09 Motorola, Inc. Method for forming a heat dissipation apparatus
US6208513B1 (en) * 1995-01-17 2001-03-27 Compaq Computer Corporation Independently mounted cooling fins for a low-stress semiconductor package
US5771966A (en) * 1995-12-15 1998-06-30 Jacoby; John Folded conducting member heatsinks and method of making same
DE29715585U1 (de) * 1997-08-28 1998-12-24 Hoogovens Aluminium Profiltech Kühlvorrichtung für elektrische bzw. elektronische Bauelemente
JPH11204700A (ja) 1998-01-19 1999-07-30 Hitachi Ltd 放熱フィン一体型パワーモジュール
JP3862861B2 (ja) * 1998-06-19 2006-12-27 稔之 新井 電装部品用ヒートシンクの製造方法
TW376171U (en) * 1998-11-24 1999-12-01 Foxconn Prec Components Co Ltd Radiating device
KR100978917B1 (ko) * 2004-03-31 2010-08-31 가부시키가이샤 지교소조겐큐쇼 히트싱크의 제조방법
JP3140755U (ja) 2008-01-21 2008-04-10 水谷電機工業株式会社 コルゲートフィン型放熱器

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05114669A (ja) * 1991-10-23 1993-05-07 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2000151163A (ja) * 1998-11-18 2000-05-30 Showa Alum Corp ヒートシンクの製造法
JP2001053212A (ja) * 1999-08-10 2001-02-23 Motorola Inc Ｉｃパッケージおよびその製造方法
JP2001352020A (ja) * 2000-06-06 2001-12-21 Ricchisutoon:Kk 放熱素子の製造方法
JP2002299864A (ja) * 2001-03-29 2002-10-11 Ryosan Co Ltd コルゲートフィン型ヒートシンク
JP2003158226A (ja) * 2001-11-20 2003-05-30 Sony Corp 半導体装置
JP2006041363A (ja) * 2004-07-29 2006-02-09 Hitachi Ltd 樹脂封止型半導体装置
JP2007173272A (ja) * 2005-12-19 2007-07-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2293328A1 (en) 2011-03-09
CN102047414B (zh) 2013-05-29
US8659147B2 (en) 2014-02-25
KR101186781B1 (ko) 2012-09-27
EP2293328B1 (en) 2019-11-20
JPWO2009150995A1 (ja) 2011-11-17
TW201003862A (en) 2010-01-16
US20110031612A1 (en) 2011-02-10
WO2009150995A1 (ja) 2009-12-17
EP2293328A4 (en) 2014-06-11
KR20100134766A (ko) 2010-12-23
TWI404177B (zh) 2013-08-01
CN102047414A (zh) 2011-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5566289B2 (ja) 電力半導体回路装置およびその製造方法
JP5279632B2 (ja) 半導体モジュール
JP5432085B2 (ja) 電力半導体装置
US8981552B2 (en) Power converter, semiconductor device, and method for manufacturing power converter
JP5213884B2 (ja) 半導体装置モジュール
US20130026616A1 (en) Power device package module and manufacturing method thereof
EP2674973A1 (en) Power semiconductor module
US10461012B2 (en) Semiconductor module with reinforcing board
JP2006186170A (ja) 半導体装置
WO2018087890A1 (ja) 半導体装置、インバータユニット及び自動車
KR200482370Y1 (ko) 반도체 패키지를 위한 클립 구조체 및 이를 이용한 반도체 패키지
KR102228945B1 (ko) 반도체 패키지 및 이의 제조방법
JP6644196B1 (ja) 半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置
JP2006190728A (ja) 電力用半導体装置
JP2009164240A (ja) 半導体装置
JP4715283B2 (ja) 電力変換装置及びその製造方法
JP4883684B2 (ja) 絶縁型大電力用半導体装置の製造方法
JP2005150596A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2009206406A (ja) パワー半導体装置
JP2018073923A (ja) 電力用半導体装置、電力用半導体装置の製造方法および電力変換装置
JP2017028131A (ja) パッケージ実装体
JP2022092545A (ja) 電気回路体、電力変換装置、および電気回路体の製造方法
JP2010141034A (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR20150129269A (ko) 반도체 패키지를 위한 클립 구조체 및 이를 이용한 반도체 패키지, 제조 방법
JP5465313B2 (ja) 半導体装置モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121009

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121119

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130820

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131009

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140520

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140617

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5566289

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees