JPH02238653A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH02238653A
JPH02238653A JP1057738A JP5773889A JPH02238653A JP H02238653 A JPH02238653 A JP H02238653A JP 1057738 A JP1057738 A JP 1057738A JP 5773889 A JP5773889 A JP 5773889A JP H02238653 A JPH02238653 A JP H02238653A
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JP
Japan
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semiconductor device
resin
heat
shape
heat dissipation
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Pending
Application number
JP1057738A
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English (en)
Inventor
Asao Nishimura
西村 朝雄
Makoto Kitano
誠 北野
Hideo Miura
英生 三浦
Akihiro Yaguchi
昭弘 矢口
Sueo Kawai
末男 河合
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に係り、特に放熱性に優れた半導体
装置の構造に関する。
〔従来の技術〕
半導体装置の放熱性を向上させる方法としては、装置表
面に放熱フィンを設けることが有効であり、従来、特開
昭55−105354号、あるいは特開昭60−639
52号公報に記載されているように、あらかじめフィン
形状に成形した高熱伝導部材を装置表面に接着あるいは
ろう付けによって取り付ける方法が知られている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来技術において、半導体装置表面に複雑な形状の
放熱フィンが取り付けられているため、半導体装置の搬
送あるいは保管時に大きな容積を占有し、しかも汎用の
基板搭載機による基板実装の自動化が難しいなど取扱い
性上の問題があった。
さらに樹脂封止型半導体装置の場合、成形済みの放熱フ
ィンを樹脂で一体にモールドして固定することが困難な
ため、樹脂モートド後に放熱フィンを取り付ける工程が
必要となり、組立工程数が増加するとともに、取付け部
の熱伝達性能も低下するという問題があった。
本発明の目的は取扱い性に優れた放熱フィン付半導体装
置を提供することにある。
本発明の他の目的は、組立性に優れた放熱フィン付樹脂
封止型半導体装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するために、放熱フィンに形状記憶合金
を使用したものである。
〔作用〕
半導体装置の組立にあたっては、あらかじめ高温で形状
記憶合金に所定の放熱フィン形状を記憶させ、その後低
温で平たんな形状に再成形した部材を使用する。上記放
熱部材は、変態点以上に加熱されるまでは平たんな状態
を保持し、変態点以上に加熱されると、放熱フィン形状
に復元する。
したがって、変態点以上への加熱を、基板へのはんだ付
け時もしくはその後の工程で行うようにすれば、半導体
装置の搬送・保管あるいは基板搭載時における放熱部材
の寸法及び凹凸を小さくすることができ、取り扱い性が
向上する。加熱を行った後は、放熱部材はフィンとして
機能するので、半導体装置動作時に十分な放熱性能を得
ることができる。また樹脂封止型半導体装置の場合、平
だんな形状の放熱部材は容易に樹脂モールド用金型の内
部に配置することができるので、樹脂モールド時に一体
で半導体装置に取り付けることができる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図面によって説明する。
第1図は、本発明の一実施例である摺脂封止型半導体装
置の最終的な使用状態における断面図である。第1図に
おいて、半導体素子1は、タブ2の上に接着剤などを用
いて固定され、半導体素子上上面に形成された電気回路
は、タブ2の周囲に配設されたりード3と、金属細線4
によって電気接続されている。これらの各部材は、リー
ド3の外部引出し部を除いて樹脂5によってモールドさ
れ、樹脂5外部のりード3は、基板あるいはソケットな
どとの接続のため、所定の形状に成形される。半導体装
置表面には、形状記憶合金よりなる放熱部材6が、その
一部を樹脂5でモールドすることによって固定されてい
る。放熱部材6は、フイン7を有しており、フイン7は
、樹脂モールド直後の段階では図中に一点鎖線で示すよ
うに平たんになっている。また、半導体装置の最終的な
使用状態では、図中にハツチングで示すように放熱部材
6から突き出している。
放熱部材6には、T i − N i系あるいはCu系
などの形状記憶合金で、変態点が樹脂5のモールド温度
以上にある材料を使用する。第1図の樹脂封止型半導体
装置を組立てるには、あらかじめ第2図に示すような手
順で放熱部材6を成形しておく。すなわち、1枚の形状
記憶合金板をプレスなどによって加工し、まず高温で第
2図の(a)に示すような最終的な放熱部材6の形状を
記憶させておく。次に、この放熱部材6のフィン7部分
を低温で塑性変形させ、第2図の(b)に示すような平
たんな形状にする。第2図の(b)の平たんな放熱部材
6を、他の部材と共にモールド金型内に配置し、樹脂5
でモールドすれば、半導体装置への放熱部材6の取り付
けは完了する。上記のようにして得られた樹脂封止型半
導体装置は、放熱部材6が平たんな形状のままとなって
いるので、搬送や保管の際に大きな容積を専有すること
がない。また複雑な形状の突起部分がないので、汎用の
基板搭載機で容易に取り扱うことができ、実装の自動化
に適している。基板搭載終了後は、放熱部品6あるいは
半導体装置全体、あるいは基板全体を形状記憶合金の変
態点以上に加熱することによって、放熱部品6が第2図
の(b)の状態から第2図の(.)の状態に復元するの
で、半導体装置動作時に半導体素子1で発生する熱は、
半導体装置表面から突き出したフイン7によって効率良
く放散され、優れた放熱性能を得ることができる。
なお、形状記憶合金の変態点を、樹脂モールド温度と基
板実装時のはんだ付け温度との中間となるように選定す
れば、放熱部品6の形状復元のための加熱を独立して行
うことが不要になり、1回の加熱ではんだ付け実装と形
状復元の両方を行うことができる。
第1図の実施例のような樹脂封止型半導体装置の場合、
放熱部材6の形状復元は、樹脂モールド後であれば、ど
の時点で行っても良い。樹脂封止型半導体装置自体の製
造工程内で形状復元を行った場合、搬送,保管あるいは
実装時などにおける取り扱い性の改善効果は得られない
。しかし平たんな形状に成形された放熱部材6をモール
ド金型内に配置しておくことによって、フイン7の付い
た高性能な放熱部材6を樹脂モールドと同時に半導体装
置に取り付けることができるので、組立てを簡単化でき
ると共に、強固な接着による優れた熱伝達性能を得るこ
とができる。
タブ2とリード3は、通常F e − N i合金ある
いはCu合金などの金属薄板からなるリードフレーム内
に一体で成形され、樹脂モールド後に切り離される。本
発明は、必ずしもこのようなリードフレーム構造に限定
するものではなく、タブ2とリ一ド3が別個の材料で形
成されていても良いし、タブ2部分が金属以外の例えば
高分子フイルムなどで形成され、その上に半導体素子1
が固定されていても良い。また、タブ2を廃して、リー
ド3を半導体素子上の下部まで延長させ、その上に半導
体素子1を固定しても良い。
半導体素子1をリードフレームに取り付ける向きは、半
導体素子1の反回路形成面側をリードフレーム側に向け
て取り付けても良いし、また回路形成面側をリードフレ
ーム側に向けても良い。さらに、樹脂5外部でリード3
を折り曲げ成形する向きと、リードフレームの半導体素
子1取り付け面との関係についても、第1図に示すよう
に、リード3を半導体素子1取り付け面とは逆の側に折
り曲げる場合に限定するものではない。リード3をリー
ドフレームの半導体素子1取り付け面側に折り曲げ、第
1図の放熱部材6の上方でリード3を基板に接続しても
良いし、また折り曲げを行わなくても良い。
上記のように、半導体素子1,リード3及び基板の間の
位置関係には種々の組合せがあり得る。
しかし、いずれの場合でも放熱部材6は、基板から離れ
た側の半導体装置表面に取り付ける方が、より高い放熱
性能を得ることができる。ただし、半導体装置の実装形
態によっては、半導体装置表面の複数の面に放熱部材6
を取り付けることも有効であり、また、1つの面に複数
個に分割した放熱部材6を取り付けても良い。
放熱部材6をモールド金型内に配置するには、半導体装
置の放熱部材6を取り付け面が下側になるようにモール
ド金型を構成し、モールド金型の底部に放熱部材6を設
置すれば良い。また放熱部材6自体のばね力によってモ
ールド金型の上部あるいは底部に固定しても良い。放熱
部材6の一部をスポット溶接やろう付け、接着などによ
って、あらかじめリードフレームに固定しておけば、モ
ールド金型への各部材の配置を1回で行うことができる
。さらに、複数個の半導体装置の放熱部材6を互いに連
結した状態で成形し、同じく複数個の半導体装置用に連
結したリードフレームと組み合わせて樹脂モールドし、
その後切り離しても良い。
放熱部材6の形状は、必ずしも第2図の形状に限定する
ものではなく、要求される放熱性能や冷却空気の流れの
条件などに応じて、フイン7の幅,高さ,間隔,枚数,
方向などを任意に調節して良い。また、1枚の形状記憶
合金板内にすべての部分を形成する必要はなく、第3図
に示すように、放熱部材6の本体6 − aの表面にフ
イン7を取り付けても良いし、また第4図に示すように
形状記憶合金のブロックから切削加工,塑性加工などに
よって、放熱部材6の本体6 − aとフイン7を一体
で成形しても良い。第3図及び第4図の場合、それぞれ
の(a)のような最終形状を記憶させた放熱部材6を、
低温で(b)に示すような平たんな形状に成形する。第
3図のようにフィン7を放熱部材の本体6−aに取り付
ける場合、放熱部材の本体6 − aは必ずしも形状記
憶合金である必要はなく、フイン7の部分だけを形状記
憶合金としても良い。なお、フイン7の形状は、角型平
板状に限定するものではなく、棒状あるいは曲面状など
種々の形状を使用することができる。
第5図は、本発明の他の実施例である樹脂封止型半導体
装置の断面図である。第5図において、放熱部材6には
、樹脂5内部に食い込む形で突起8が設けられており、
これによって放熱部材6の固定強度及び、樹脂5と放熱
部材6の間の熱伝達性能を向上させることができる。こ
の場合の放熱部材6の成形では、まず高温で第4図に示
した最終形状を記憶させ、次に低温でフイン7のみを塑
性変形させて、平たんにすれば良い。突起8など、放熱
部材6のうちのフイン7以外の部分では、低温成形後も
最終形状を保持していることが望ましむ)。
第6図は、本発明のさらに他の実施例である樹脂封止型
半導体の断面図である。第6図において、放熱部材6は
、樹脂5の表面に接着剤9によって樹脂モールド後に取
り付けられている。本実施例の場合、放熱部材6の樹脂
モールド固定による組立て工程数の低減、及び放熱部材
6取り付け部の熱伝達性能向上という効果は得られない
。しかし、平たんな形状に成形した状態で放熱部材6を
取り付けることによって、搬送,保管あるいは実装時な
どにおける取扱い性は改善することができる。
第7図は、本発明のさらに他の実施例である樹脂封止型
半導体装置の断面図である。第7図にお(1l) いて、半導体素子1は金属ブロック状のタブ2に固定さ
れ、形状記憶合金よりなる放熱部材6は、接着剤または
ろう材などによって直接タブ6に取付けられている。放
熱部材6のフイン7は、半導体装置の組み立て時には平
たんな形状に成形されており、使用時の図示のような形
状に復元する点は、前記実施例の場合と同様である。本
実施例のように、放熱部材6を、間に樹脂5を介するこ
となく直接金属製のタブ2に取り付けることによって、
半導体素子1と放熱部材6の間の熱伝達が良好となり、
高い放熱性能を得ることができる。放熱部材6の取り付
けは、樹脂モールドの前後いずれに行うことも可能であ
る。樹脂モールドの前後いずれに行うかによって効果の
異なる点は、第1図及び第6図の実施例で述べた点と同
様である。
第8図は、本発明をピン・グリッド・アレイ型の樹脂封
止型半導体装置に適用した場合の実施例を示す断面図で
ある。第7図において、樹脂基板1oにはあらかじめ複
数のスルーホールが設けられ、各スルーホールにはピン
状のりード3が挿入されている。樹脂基板10の上面に
はメタライズ配線11が施されており、リード3と電気
接続されている。半導体素子1は、上記のように構成さ
れた樹脂基板10上に接着剤などによって固定され、半
導体素子1上面の電気回路と前記メタライズ配線11が
金属細線4によって電気接続されたのち、半導体素子1
を含む樹脂基板10上部が樹脂5によってモールドされ
る。樹脂5上面には形状記憶合金よりなる放熱部材6が
、樹脂モールド時に樹脂5によって固定されるか、ある
いは樹脂モールド後に接着剤によって固定されている。
第8図に示したように、本発明はピン・グリッド・アレ
イ型の樹脂封止型半導体装置に対しても適用することが
でき、取り扱い性,組立て性、あるいはその両方を向上
させることができる。
第9図は,本発明のセラミック封止型半導体装置に適用
した場合の実施例を示す断面図である。
第9図において、半導体素子1はセラミックス製のベー
ス」−2に接着剤あるいは低融点ガラスなどによって固
定され、金属細線4によってリート3と電気接続されて
いる。ベース12の半導体素子1搭載面側はセラミック
ス製のキャップ13によって覆われ、ベース12とキャ
ップ13は、低融点ガラス14によって接着されている
。形状記憶合金よりなる放熱部材6は、上記の封止が終
ったのち、ベース12側表面に接着剤9によって取り付
けられる。放熱部材6には、あらかじめ高温で最終的な
形状を記憶させ、その後低温で平たんな形状に再成形し
たものを使用する。半導体装置を基板に搭載したのち、
形状記憶合金の変態点以上に加熱することによって、そ
れまでの搬送,保管あるいは実装時における取り扱い性
を向上させることができる。
第9図の実施例のように中空の封止構造を有する半導体
装置の場合、半導体素子1で発生した熱は、キャップ1
3側には伝達されにくい。したがってリード3と基板と
の接続はキャップ13側で行い、放熱部材6をベース1
2側に取り付けることが望ましい。
〔発明の効果〕
本発明によれば、半導体装置の組立,搬送,保管あるい
は実装などの段階における放熱部材の寸法及び凹凸を小
さくできるので、以下に記載されるような効果を奏する
すなわち、搬送及び保管などの段階では、半導体装置の
専有する容積を小さくすることができ、基板実装の段階
では、汎用の基板搭載機による自動化が容易になるなど
、取り扱い性を向上させる効果がある。また、樹脂封止
型半導体装置の組立てにおいては、樹脂モールドと同時
に放熱部材の取り付けを行うことができるので、組立て
に要する工程数を低減できるとともに、強固な接着によ
る優れた熱伝達性能を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の半導体装置を示す断面図、
第2図は第1図の放熱部材の成形過程を示す斜視図、第
3図及び第4図は夫々放熱部材の他の構造例とその成形
過程を示す断面図、第5図は本発明の他の実施例の半導
体装置を示す断面図、第6図及び第7図は夫々本発明の
さらに他の実施例の半導体装置を示す断面図、第8図は
本発明をピン・グリッド・アレイ型樹脂封止型半導体装
置に適用した場合の一実施例を示す断面図、第9図は本
発明をセラミックス封止型半導体装置に適用した場合の
一実施例を示す断面図である。 1・・・半導体素子、2・・・タブ、3・・・リード、
4・・・金属細線、5・・・樹脂、6・・・放熱部材、
6 − a・・・放熱部材本体、7・・・フィン、8・
・・突起、9・・・接着剤,1o・・・樹脂基板、11
・・・メタライズ配線、12・・・ベース、13・・・
キャップ、14・・・低融点ガラス。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体素子の周囲を封止材で封止し、封止材表面に
    形状記憶合金よりなる放熱フィンを設けたことを特徴と
    する半導体装置。 2、半導体素子を樹脂によつてモールドし、複数のリー
    ドを介して樹脂内外の電気接続を行う構造の樹脂封止型
    半導体装置において、樹脂表面と各リードとの交差部が
    互いに形成する平面とは異なる部分の半導体装置表面に
    、形状記憶合金からなる放熱フィンを設けたことを特徴
    とする樹脂封止形半導体装置。
JP1057738A 1989-03-13 1989-03-13 半導体装置 Pending JPH02238653A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8659147B2 (en) 2008-06-12 2014-02-25 Mitsubishi Electric Corporation Power semiconductor circuit device and method for manufacturing the same
CN103824825A (zh) * 2014-02-13 2014-05-28 中国科学院工程热物理研究所 微槽道相变换热装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8659147B2 (en) 2008-06-12 2014-02-25 Mitsubishi Electric Corporation Power semiconductor circuit device and method for manufacturing the same
CN103824825A (zh) * 2014-02-13 2014-05-28 中国科学院工程热物理研究所 微槽道相变换热装置
CN103824825B (zh) * 2014-02-13 2017-01-04 中国科学院工程热物理研究所 微槽道相变换热装置

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