JP2018133518A - セラミック電子部品 - Google Patents
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Abstract
Description
一対の互いに略平行なチップ第1辺及び前記チップ第1辺を接続する互いに略平行な一対のチップ第2辺を有する略矩形の一対のチップ端面に端子電極が形成されており、一対の前記チップ端面及び一対の前記チップ端面を接続する4つのチップ側面を有する略直方体形状である複数のチップ部品と、一対の前記チップ端面に対応して設けられる一対の金属端子部と、を有し、
一対の前記金属端子部は、それぞれ、
前記チップ第1辺に略平行な一対の端子第1辺と、前記チップ第2辺に略平行な一対の端子第2辺とを有する略矩形平板状であって、前記チップ端面に対向する電極対向部と、
前記電極対向部から前記チップ側面へ延びており、前記チップ部品を前記チップ第1辺の両端側から挟んで把持する上部アーム部及び下部アーム部と、
前記上部アーム部より前記下部アーム部に近い一方の前記端子第2辺に接続しており、一方の前記端子第2辺から前記チップ部品側へ延びており、少なくとも一部が前記電極対向部に対して略垂直である実装部と、を有し、
上部アーム部及び前記下部アーム部のいずれか一方は、複数の前記チップ部品に接触し一つの前記チップ部品における一方の前記チップ第2辺と他の一つの前記チップ部品における一方の前記チップ第2辺とを整列させる連続アーム部を有しており、上部アーム部及び前記下部アーム部のいずれか他方は、1つのチップ部品のみに接触する分割アーム部を複数有する。
前記チップ部品における積層方向は、前記チップ第2辺に対して略平行であってもよい。
前記第2貫通孔は、前記第2貫通孔の周縁部が前記プレート本体部と前記端子接続部とに跨るように形成されており、
前記下部アーム部は、前記端子接続部から延びていてもよい。
前記第2貫通孔は、前記端子第2辺に平行な方向である幅方向の開口幅が、前記第1貫通孔より広くてもよい。
前記分割アーム部における前記幅方向の長さは、前記チップ第2辺の長さより短くてもよい。
図1は、本発明の第1実施形態に係るセラミックコンデンサ10を示す概略斜視図である。セラミックコンデンサ10は、チップ部品としてのチップコンデンサ20と、一対の金属端子部30、40とを有する。第1実施形態に係るセラミックコンデンサ10は、2つのチップコンデンサ20を有するが、セラミックコンデンサ10が有するチップコンデンサ20の数は、複数であれば特に限定されない。
積層セラミックチップコンデンサ20の製造では、まず、焼成後に内部電極層26となる電極パターンが形成されたグリーンシート(焼成後に誘電体層28となる)を積層して積層体を作製したのち、得られた積層体を加圧・焼成することによりコンデンサ素体を得る。さらに、コンデンサ素体に第1端子電極22及び第2端子電極24を、端子電極用塗料焼き付け及びめっき等により形成することにより、チップコンデンサ20を得る。積層体の原料となるグリーンシート用塗料や内部電極層用塗料、端子電極の原料並びに積層体及び電極の焼成条件等は特に限定されず、公知の製造方法等を参照して決定することができる。本実施形態においては、誘電体材料としてチタン酸バリウムを主成分とするセラミックグリーンシートを用いた。また、端子電極は、Cuペーストを浸漬、焼付処理することで焼付層を形成し、さらに、Niめっき、Snめっき処理を行なうことで、Cu焼付層/Niめっき層/Snめっき層を形成した。
第1金属端子部30の製造では、まず、平板状の金属板材を準備する。金属板材の材質は、導電性を有する金属材料であれば特に限定されず、例えば鉄、ニッケル、銅、銀等若しくはこれらを含む合金を用いることができる。次に、金属板材を機械加工することにより、上部アーム部31及び下部アーム部33や電極対向部36、実装部38等の形状を形成した中間部材を得る。
第2金属端子部40の製造方法も、第1金属端子部30と同様である。
上述のようにして得られたチップコンデンサ20を2つ準備し、図1に示すように第2側面20dと第1側面20cとが接触するように配列して保持する。そして、第1端子電極22と第2端子電極24に、それぞれ第1金属端子部30と第2金属端子部40を取り付ける。さらに、第1及び第2金属端子部30、40の第1貫通孔36bにはんだ等の接続部材を塗布し、はんだを電極対向部36、46と第1端子電極22及び第2端子電極24の間に介在させる。これにより、第1及び第2金属端子部30、40をチップコンデンサ20の第1端子電極22及び第2端子電極24に電気的及び機械的に接続し、セラミックコンデンサ10を得る。
図7は、本発明の第2実施形態に係るセラミックコンデンサ110の概略斜視図であり、図8、図9、図10、図11は、それぞれセラミックコンデンサ110の正面図、左側面図、上面図及び底面図である。図7に示すように、セラミックコンデンサ110は、第1金属端子部130及び第2金属端子部140の上部アーム部131、141が連続アーム部131a、141aを有しており、下部アーム部133が分割アーム部133a、133bを複数有している点で、第1実施形態に係るセラミックコンデンサ10とは異なる。ただし、セラミックコンデンサ110は、上部アーム部131、141及び下部アーム部133の形状を除き、第1実施形態に係るセラミックコンデンサ10と同様であるため、セラミックコンデンサ10との相違点のみ説明を行い、共通点については説明を省略する。
図12は、本発明の第3実施形態に係るセラミックコンデンサ210の概略斜視図である。図12に示すように、セラミックコンデンサ210は、3つのチップコンデンサ20を有している点と、第1金属端子部230及び第2金属端子部240の上部アーム部231、241が有する分割アーム部231a〜231c、241a〜241cの数が異なる点と、第1金属端子部230及び第2金属端子部240及びその下部アーム部233の幅方向の長さなどが異なる他は、第1実施形態に係るセラミックコンデンサ10と同様である。したがって、セラミックコンデンサ210については、セラミックコンデンサ10との相違点のみ説明を行い、セラミックコンデンサ10と同様の部分については、説明を省略する。
図13は、本発明の第4実施形態に係るセラミックコンデンサ310の概略斜視図である。図13に示すように、セラミックコンデンサ310は、3つのチップコンデンサ20を有している点と、第1金属端子部330及び第2金属端子部340及びその上部アーム部331、341が有する連続アーム部331a、341aの幅方向の長さと、第1金属端子部330及び第2金属端子部340の下部アーム部333が有する分割アーム部333a〜333cの数が異なる他は、第2実施形態に係るセラミックコンデンサ110と同様である。したがって、セラミックコンデンサ310については、セラミックコンデンサ110との相違点のみ説明を行い、セラミックコンデンサ110と同様の部分については、説明を省略する。
以上のように、本発明を実施形態を挙げて説明してきたが、本発明は上述した実施形態のみに限定されるものではなく、本発明には他の多くの変形例が含まれることは言うまでもない。たとえば、図1に示す第1金属端子部30には、突起36a、第1貫通孔36b、第2貫通孔36cおよびスリット36dが全て形成されているが、第1金属端子部としてはこれに限定されず、これらのうち1つ又は複数の部分が形成されていない変形例も、本発明に係る第1金属端子部に含まれる。
実施例
<セラミックコンデンサ全体サイズ>
5.0×6.0×6.4mm
<チップ部品>
サイズ:(L3×L1×L2)5.7×5.0×2.5mm
静電容量:15μF
<金属端子>
材質:3層クラッド材 Cu−NiFe−Cu
電極対向部36サイズ:(Z軸方向(端子第1辺36g)×X軸方向(端子第2辺36ha)×板厚)6.3×5.0×0.1mm
アーム33aサイズ:(X方向×Y方向)0.9×0.9mm
実装部サイズ:(Y方向)1.2mm
<測定条件>
周波数:100Hz〜10MHz
温度:25℃
比較例に係るセラミックコンデンサについて、実施例と同様にしてインピーダンスZと抵抗成分Rsを測定した。図14に示すように、比較例に係るセラミックコンデンサ500は、L字形状の金属端子501、502を用いている。セラミックコンデンサ500が有するチップコンデンサ20は、実施例に係るセラミックコンデンサが有するチップコンデンサ20と同様である。しかし、セラミックコンデンサ500において、チップコンデンサ20は、チップ端面を構成する長方形の長辺であるチップ第1辺20gが、実装面に対して水平になるように配置されており、2つのチップコンデンサ20が、実装面と垂直な方向(Z軸方向)に重ねて配置されている。チップコンデンサ20は、金属端子501、502の電極対向部510に、はんだで固定されている。
<セラミックコンデンサ全体サイズ>
5.0×6.0×6.5mm
<チップ部品>
実施例と同様
<金属端子>
材質:3層クラッド材 Cu−NiFe−Cu
電極対向部サイズ:(Z軸方向×X軸方向×板厚)6.3×5.0×0.1mm
アームなし
実装部サイズ:(Y方向)1.6mm
20…チップコンデンサ
20a…第1端面
20b…第2端面
20c…第1側面
20d…第2側面
20e…第3側面
20f…第4側面
20g…チップ第1辺
20h…チップ第2辺
20j…チップ第3辺
22…第1端子電極
24…第2端子電極
26…内部電極層
28…誘電体層
30、130、230…第1金属端子部
40、140、240…第2金属端子部
31、131、231、331、141、241、341…上部アーム部
33、133、233、333、43、143…下部アーム部
31a、31b、41a、41b、133a、133b、143b、231a、231b、231c、333a、333b、333c…分割アーム部
33a、43a、131a、141a、331a…連続アーム部
36、136、236、336、46、146、246、346…電極対向部
36a、46a…突起
36b…第1貫通孔
36c、136c、236c…第2貫通孔
36d、46d…スリット
36g、46g…端子第1辺
36ha、36hb、46ha…端子第2辺
38、238、338、48、248、348…実装部
Claims (11)
- 一対の互いに略平行なチップ第1辺及び前記チップ第1辺を接続する互いに略平行な一対のチップ第2辺を有する略矩形の一対のチップ端面に端子電極が形成されており、一対の前記チップ端面及び一対の前記チップ端面を接続する4つのチップ側面を有する略直方体形状である複数のチップ部品と、一対の前記チップ端面に対応して設けられる一対の金属端子部と、を有し、
一対の前記金属端子部は、それぞれ、
前記チップ第1辺に略平行な一対の端子第1辺と、前記チップ第2辺に略平行な一対の端子第2辺とを有する略矩形平板状であって、前記チップ端面に対向する電極対向部と、
前記電極対向部から前記チップ側面へ延びており、前記チップ部品を前記チップ第1辺の両端側から挟んで把持する上部アーム部及び下部アーム部と、
前記上部アーム部より前記下部アーム部に近い一方の前記端子第2辺に接続しており、一方の前記端子第2辺から前記チップ部品側へ延びており、少なくとも一部が前記電極対向部に対して略垂直である実装部と、を有し、
上部アーム部及び前記下部アーム部のいずれか一方は、複数の前記チップ部品に接触し一つの前記チップ部品における一方の前記チップ第2辺と他の一つの前記チップ部品における一方の前記チップ第2辺とを整列させる連続アーム部を有しており、上部アーム部及び前記下部アーム部のいずれか他方は、1つのチップ部品のみに接触する分割アーム部を複数有するセラミック電子部品。 - 前記上部アーム部が前記連続アーム部を有しており、前記下部アーム部が前記分割アーム部を複数有することを特徴とする請求項1に記載のセラミック電子部品。
- 前記下部アーム部が前記連続アーム部を有しており、前記上部アーム部が前記分割アーム部を複数有することを特徴とする請求項1に記載のセラミック電子部品。
- 前記チップ部品は内部電極層と誘電体層とが積層された積層コンデンサであり、
前記チップ部品における積層方向は、前記チップ第2辺に対して略平行であることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれかに記載のセラミック電子部品。 - 前記電極対向部における前記チップ端面に面する部分には、第1貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれかに記載のセラミック電子部品。
- 前記電極対向部には、前記チップ端面へ向かって突出し、前記チップ端面に接触する複数の突起が形成されていることを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれかに記載のセラミック電子部品。
- 前記電極対向部には、前記下部アーム部が接続する周縁部を有する第2貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項1から請求項6までのいずれかに記載のセラミック電子部品。
- 前記上部アーム部は、前記電極対向部における他方の前記端子第2辺に接続していることを特徴とする請求項1から請求項7までのいずれかに記載のセラミック電子部品。
- 前記電極対向部は、前記チップ端面に面するプレート本体部と、前記プレート本体部より下方に位置し、前記プレート本体部と前記実装部とを接続する端子接続部とを有しており、
前記第2貫通孔は、当該第2貫通孔の周縁部が前記プレート本体部と前記端子接続部とに跨るように形成されており、
前記下部アーム部は、前記端子接続部から延びていることを特徴とする請求項7に記載のセラミック電子部品。 - 前記電極対向部には、前記チップ端面に面する部分に位置する第1貫通孔と、前記下部アーム部が接続する周縁部を有しており前記第1貫通孔より前記実装部の近くに位置する第2貫通孔と、が形成されており、
前記第2貫通孔は、前記端子第2辺に平行な方向である幅方向の開口幅が、前記第1貫通孔より広いことを特徴とする請求項1から請求項9までのいずれかに記載のセラミック電子部品。 - 前記連続アーム部における前記端子第2辺に平行な方向である幅方向の長さは、前記チップ第2辺の長さより長く、
前記分割アーム部における前記幅方向の長さは、前記チップ第2辺の長さより短いことを特徴とする請求項1から請求項10までのいずれかに記載のセラミック電子部品。
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