CN117727560A - 一种绝缘间距可控的单层穿心瓷介电容器芯片 - Google Patents
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Abstract
发明涉及电容器技术领域，具体涉及一种绝缘间距可控的单层穿心瓷介电容器芯片，通过将表面电银层金属导电区域进行分区，可有效控制焊料的沿展，使焊料仅分布在一定的区域内，防止焊料沿金属导电区沿展超出固定区域，从而保证内外电极之间的绝缘距离，同时还可减缓过多焊料的应力作用导致芯片瓷体开裂的情况。
Description
技术领域
发明涉及电容器技术领域，尤其涉及一种绝缘间距可控的单层穿心瓷介电容器芯片。
背景技术
单层穿心瓷介电容器芯片由于其结构简单，加工制造工艺相对简便，被广泛应用于解决EMI电磁兼容场合。
其电容量主要与介质材料介电常数、介质膜厚度以及上下表面金属导电层有效面积有关。在介质材料及介质膜厚度一定的情况下，一般通过改变上下表面金属导电层有效面积达到对容量的调控。
现有技术中，通常为了设计出更大的电容量，需要使上下表面的金属导电面积尽量大，如图4和图5所示，陶瓷体表面的端电极金属导电图形采用了整面印刷的制备方式，仅在陶瓷体表面的边缘位子和中心位子设了绝缘区域，然而，该芯片在后续与金属外壳与中心引出端导导线分别进行钎焊连接时，受现有结构和工艺会精度影响，导致上下焊料沿所述金属导电区域进行快速沿展，影响了内外电极之间的绝缘距离，同时，焊料过多的引起应力作用导致芯片瓷体开裂。
发明内容
发明的目的在于提供一种绝缘间距可控的单层穿心瓷介电容器芯片，通过将表面电银层金属导电区域进行分区，可有效控制焊料的沿展，使焊料仅分布在一定的区域内，防止焊料沿金属导电区沿展超出固定区域，从而保证内外电极之间的绝缘距离，同时还可减缓过多焊料的应力作用导致芯片瓷体开裂的情况。
为实现上述目的，发明采用的一种绝缘间距可控的单层穿心瓷介电容器芯片，包括
陶瓷体，所述陶瓷体中间设置有中心圆孔；所述陶瓷体包括上表面和下表面；
沿所述陶瓷体上表面的边缘设有第一外环陶瓷体区域；
沿陶瓷体上表面中心圆孔周围设有第一内环陶瓷体区域；所述第一内环陶瓷体区域与所述陶瓷体上表面的中心圆孔之前设置有第一环形金属电极区域；
所述第一内环陶瓷体区域与所述第一外环陶瓷体区之间设置有第二环形金属电极区域；
沿所述陶瓷体下表面的中心圆孔边缘设有第二内环陶瓷体区域；
所述陶瓷体下表面的靠近外圈处设置设有第二外环陶瓷体区域；所述第二外环陶瓷体区域与所述陶瓷体下表面边缘之间设置有第三环形金属电极区域；
所述第二外环陶瓷体区域与所述第二内环陶瓷体区域之间设置有第四环形金属电极区域；
所述第一外环陶瓷体区域和所述第二外环陶瓷体区域均设置有连接线路，所述第一环形金属电极区域与所述第二环形金属电极区域之间通过所述连接线路连通；所述第三环形金属电极区域与所述第四环形金属电极区域之间通过所述连接线路连通。
进一步的，所述第一环形金属电极区域与所述第二环形金属电极区域之间连接线路设置有四条。
进一步的，所述第三环形金属电极区域与所述第四环形金属电极区域之间连接线路设置有四条。
进一步的，所述第一外环陶瓷体区域、所述第一内环陶瓷体区、所述第一环形金属电极区域以及第二环形金属电极区域均与所述中心圆孔为同心圆。
进一步的，所述第二外环陶瓷体区域、所述第二内环陶瓷体区、所述第三环形金属电极区域以及第四环形金属电极区域均与所述中心圆孔为同心圆。
本发明的有益效果，通过将陶瓷介质表面的金属导电区域设计为仅参与焊接的焊接区与仅参与容量贡献的电容区，焊接区与电容区之间的绝缘层在几个不同方向进行内外连接以实现电容量引出，同时，达到控制芯片内外绝缘间距的目的，改善传统整面印刷制备电极图形情况下焊料延展导致的内外绝缘间距缩短的不良现象。
附图说明
为了更清楚地说明发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施的穿心瓷介电容器芯片的上表面图；
图2是本发明实施的穿心瓷介电容器芯片的下表面图；
图3是本发明实施的穿心瓷介电容器芯片的穿心电容内部焊接结构侧视图；
图4是现有技术穿心瓷介电容器芯片的上表面图；
图5是现有技术穿心瓷介电容器芯片的下表面图；
10-陶瓷体、11-第一环形金属电极区域、12-第二环形金属电极区域、13-第三环形金属电极区域；14-第四环形金属电极区域；15-中心圆孔、20-第一内环陶瓷体区域、30-第一外环陶瓷体区域、40-第二内环陶瓷体区域、50-第二外环陶瓷体区域、60-第一连接线路、70-第二连接线路、80-焊料、90-中心引线。
具体实施方式
下面详细描述发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释发明，而不能理解为对发明的限制。
请参阅图1~图3发明提供了一种绝缘间距可控的单层穿心瓷介电容器芯片，包括陶瓷体10、第一内环陶瓷体区域20、第一外环陶瓷体区域30、第二内环陶瓷体区域40、第二外环陶瓷体区域50；
陶瓷体10，所述陶瓷体10中间设置有中心圆孔15；所述陶瓷体包括上表面和下表面；
沿所述陶瓷体10上表面的边缘设有第一外环陶瓷体区域30，第一外环陶瓷体区域30与中心圆孔15同心；
沿陶瓷体上表面中心圆孔15周围设有第一内环陶瓷体区域20，第一内环陶瓷体区域20与中心圆孔15同心；所述第一内环陶瓷体区域20与所述陶瓷体10上表面的中心圆孔15之前设置有第一环形金属电极区域11，第一环形金属电极区域11与中心圆孔15同心，所述第一环形金属电极区域11为陶瓷体10上表面的焊接区；
所述第一内环陶瓷体区域20与所述第一外环陶瓷体区域30之间设置有第二环形金属电极区域12，第二环形金属电极区域12与中心圆孔15同心，所述第二环形金属电极区域12为陶瓷体10上表面的电容区；
沿所述陶瓷体10下表面的中心圆孔15边缘设有第二内环陶瓷体区域40，第二内环陶瓷体区域40与中心圆孔15同心；
所述陶瓷体10下表面的靠近外圈处，设有第二外环陶瓷体区域50，第二外环陶瓷体区域50与中心圆孔15同心；所述第二外环陶瓷体区域50与所述陶瓷体10下表面边缘之间设置有第三环形金属电极区域13，第三环形金属电极区域13与中心圆孔15同心，所述第三环形金属电极区域13为陶瓷体10下表面的焊接区；
所述第二外环陶瓷体区域50与所述第二内环陶瓷体区域40之间设置有第四环形金属电极区域14，第四环形金属电极区域14与中心圆孔15同心，所述第四环形金属电极区域14为陶瓷体10下表面的电容区；
第一环形金属电极区域11与所述第二环形金属电极区域12之间通过设置在第一内环陶瓷体区域20上的四条第一连接线路60连通，第三环形金属电极区域13与所述第四环形金属电极区域14之间通过设置在第二外环陶瓷体区域50上的四条第二连接线路70连通。
如图1-3所述连接线路将电容区与焊接区连接在一起，中心引线90贯穿所述中心圆孔15，电容器芯片再通过焊料80，分别将电容器芯片上、下表面的焊接区与中心引线90和穿心瓷介电容器的螺母外壳连接在一起，从而达到上、下表面的电容区分别与中心引线和螺母外壳连接，实现电容量的引出。
以上所揭露的仅为发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。
Claims (5)
1.一种绝缘间距可控的单层穿心瓷介电容器芯片，其特征在于，包括：
陶瓷体，所述陶瓷体中间设置有中心圆孔；所述陶瓷体包括上表面和下表面；
沿所述陶瓷体上表面的边缘设有第一外环陶瓷体区域；
沿陶瓷体上表面中心圆孔周围设有第一内环陶瓷体区域；所述第一内环陶瓷体区域与所述陶瓷体上表面的中心圆孔之前设置有第一环形金属电极区域；
所述第一内环陶瓷体区域与所述第一外环陶瓷体区之间设置有第二环形金属电极区域；
沿所述陶瓷体下表面的中心圆孔边缘设有第二内环陶瓷体区域；
所述陶瓷体下表面的靠近外圈处设置设有第二外环陶瓷体区域；所述第二外环陶瓷体区域与所述陶瓷体下表面边缘之间设置有第三环形金属电极区域；
所述第二外环陶瓷体区域与所述第二内环陶瓷体区域之间设置有第四环形金属电极区域；
所述第一外环陶瓷体区域和所述第二外环陶瓷体区域均设置有连接线路，所述第一环形金属电极区域与所述第二环形金属电极区域之间通过所述连接线路连通；所述第三环形金属电极区域与所述第四环形金属电极区域之间通过所述连接线路连通。
2.如权利要求1所述的绝缘间距可控的单层穿心瓷介电容器芯片，其特征在于，
所述第一环形金属电极区域与所述第二环形金属电极区域之间连接线路设置有四条。
3.如权利要求1所述的绝缘间距可控的单层穿心瓷介电容器芯片，其特征在于，
所述第三环形金属电极区域与所述第四环形金属电极区域之间连接线路设置有四条。
4.如权利要求1所述的绝缘间距可控的单层穿心瓷介电容器芯片，其特征在于，
所述第一外环陶瓷体区域、所述第一内环陶瓷体区、所述第一环形金属电极区域以及第二环形金属电极区域均与所述中心圆孔为同心圆。
5.如权利要求1所述的绝缘间距可控的单层穿心瓷介电容器芯片，其特征在于，
所述第二外环陶瓷体区域、所述第二内环陶瓷体区、所述第三环形金属电极区域以及第四环形金属电极区域均与所述中心圆孔为同心圆。
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